IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 株式会社日本触媒の特許一覧

特許7089838固体酸化物形燃料電池用単セル及びその製造方法、並びに、固体酸化物形燃料電池用カソード及びその製造方法
<>
  • 特許-固体酸化物形燃料電池用単セル及びその製造方法、並びに、固体酸化物形燃料電池用カソード及びその製造方法 図1
  • 特許-固体酸化物形燃料電池用単セル及びその製造方法、並びに、固体酸化物形燃料電池用カソード及びその製造方法 図2
< >
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-06-15
(45)【発行日】2022-06-23
(54)【発明の名称】固体酸化物形燃料電池用単セル及びその製造方法、並びに、固体酸化物形燃料電池用カソード及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
   H01M 4/86 20060101AFI20220616BHJP
   H01M 4/88 20060101ALI20220616BHJP
   H01M 8/02 20160101ALI20220616BHJP
   H01M 8/12 20160101ALI20220616BHJP
【FI】
H01M4/86 U
H01M4/86 T
H01M4/88 T
H01M8/02
H01M8/12
【請求項の数】 12
(21)【出願番号】P 2016000536
(22)【出願日】2016-01-05
(65)【公開番号】P2017123231
(43)【公開日】2017-07-13
【審査請求日】2018-10-04
【審判番号】
【審判請求日】2021-01-28
(73)【特許権者】
【識別番号】000004628
【氏名又は名称】株式会社日本触媒
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100128381
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 義憲
(74)【代理人】
【識別番号】100162352
【弁理士】
【氏名又は名称】酒巻 順一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100165526
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 寛
(74)【代理人】
【識別番号】100189452
【弁理士】
【氏名又は名称】吉住 和之
(72)【発明者】
【氏名】古性 和樹
【合議体】
【審判長】酒井 朋広
【審判官】清水 稔
【審判官】畑中 博幸
(56)【参考文献】
【文献】特開2014-129186(JP,A)
【文献】特開2014-129185(JP,A)
【文献】特開平03-201369(JP,A)
【文献】特開2012-049115(JP,A)
【文献】特開2006-147334(JP,A)
【文献】特開2014-106204(JP,A)
【文献】特開2006-302709(JP,A)
【文献】特開2008-234915(JP,A)
【文献】特開2014-071937(JP,A)
【文献】特開2013-143242(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01M 8/00-8/0297, 8/08-8/2495, H01M 4/86-7/98
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
カソードと、アノードと、前記カソードと前記アノードとの間に配置された電解質層と、を備えた固体酸化物形燃料電池用単セルであって、
前記カソードは、100μm以下の厚さを有し、25℃での測定値として40Ω・cm以下の電気抵抗率を有し、かつ、30%以上70%以下の気孔率を有し、
前記カソードが電子伝導体及び前記電子伝導体との合計100質量%に基づき40~60質量%のイオン伝導体を含み、
前記イオン伝導体が、セリア系固溶体を含み、
前記電子伝導体は、ランタンストロンチウムマンガナイト、ランタンストロンチウムコバルタイト、ランタンストロンチウムフェライト、ランタンストロンチウムコバルトフェライト及びランタンストロンチウムコバルトマンガナイトからなる群から選択される少なくともいずれか1種であり、
前記電解質層が酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、又は酸化イッテルビウムで安定化されたジルコニアを含む、
固体酸化物形燃料電池用単セル。
【請求項2】
前記カソードにおいて、互いに重ならない3つの正方形区画であって、かつ、各正方形区画が10mm×10mmの大きさを有している前記3つの正方形区画を任意で選択した場合、前記3つの正方形区画における、電気抵抗率についての標準偏差が、10Ω・cm以下である、
請求項1に記載の固体酸化物形燃料電池用単セル。
【請求項3】
前記カソードにおいて、互いに重ならない5つの正方形区画であって、かつ、各正方形区画が10mm×10mmの大きさを有している前記5つの正方形区画を任意で選択した場合、前記5つの正方形区画における、電気抵抗率についての標準偏差が、8Ω・cm以下である、
請求項1又は2に記載の固体酸化物形燃料電池用単セル。
【請求項4】
前記カソードにおいて、前記電子伝導体は、前記電子伝導体と前記イオン伝導体との合計に対して40~60質量%である、
請求項1~3のいずれか1項に記載の固体酸化物形燃料電池用単セル。
【請求項5】
前記イオン伝導体は、安定化ジルコニアを更に含む、
請求項1~4のいずれか1項に記載の固体酸化物形燃料電池用単セル。
【請求項6】
請求項1~5のいずれか1項に記載の固体酸化物形燃料電池用単セルを製造する方法であって、
(I)粉末状の電子伝導体及びイオン伝導体を含むカソード粉末と、バインダーと、溶剤とを含むカソード用ペーストを作製する工程と、
(II)前記カソード用ペーストを前記電解質層上に塗布して焼成し、カソードを形成する工程と、
を含み、
前記カソード粉末において、前記電子伝導体は、前記電子伝導体と前記イオン伝導体との合計に対して40~60質量%であり、
前記カソード用ペーストにおける粉末の凝集度γを、前記カソード粉末のBET比表面積から算出される1次粒子径βに対する、前記ペースト中の前記カソード粉末の凝集物の最大粒子径αの比(α/β)と定義した場合、前記凝集度γが500以下である、
固体酸化物形燃料電池用単セルの製造方法。
【請求項7】
固体酸化物形燃料電池用のカソードであって、
100μm以下の厚さを有し、25℃での測定値として40Ω・cm以下の電気抵抗率を有し、かつ、30%以上70%以下の気孔率を有し、
電子伝導体及び前記電子伝導体との合計100質量%に基づき40~60質量%のイオン伝導体を含み、
前記イオン伝導体が、セリア系固溶体を含み、
前記電子伝導体は、ランタンストロンチウムマンガナイト、ランタンストロンチウムコバルタイト、ランタンストロンチウムフェライト、ランタンストロンチウムコバルトフェライト及びランタンストロンチウムコバルトマンガナイトからなる群から選択される少なくともいずれか1種である、
固体酸化物形燃料電池用カソード。
【請求項8】
互いに重ならない3つの正方形区画であって、かつ、各正方形区画が10mm×10mmの大きさを有している前記3つの正方形区画を任意で選択した場合、前記3つの正方形区画における、電気抵抗率についての標準偏差が、10Ω・cm以下である、
請求項7に記載の固体酸化物形燃料電池用カソード。
【請求項9】
互いに重ならない5つの正方形区画であって、かつ、各正方形区画が10mm×10mmの大きさを有している前記5つの正方形区画を任意で選択した場合、前記5つの正方形区画における、電気抵抗率についての標準偏差が、8Ω・cm以下である、
請求項7又は8に記載の固体酸化物形燃料電池用カソード。
【請求項10】
前記電子伝導体は、前記電子伝導体と前記イオン伝導体との合計に対して40~60質量%である、
請求項7~9のいずれか1項に記載の固体酸化物形燃料電池用カソード。
【請求項11】
前記イオン伝導体は、安定化ジルコニアを更に含む、
請求項7~10のいずれか1項に記載の固体酸化物形燃料電池用カソード。
【請求項12】
請求項7~11のいずれか1項に記載の固体酸化物形燃料電池用カソードを製造する方法であって、
(I)粉末状の電子伝導体及び粉末状のイオン伝導体を含むカソード粉末と、バインダーと、溶剤とを含むカソード用ペーストを作製する工程と、
(II)前記カソード用ペーストの塗膜を形成し、前記塗膜を焼成してカソードを形成する工程と、
を含み、
前記カソード粉末において、前記電子伝導体は、前記電子伝導体と前記イオン伝導体との合計に対して40~60質量%であり、
前記カソード用ペーストにおける粉末の凝集度γを、前記カソード粉末のBET比表面積から算出される1次粒子径βに対する、前記ペースト中の前記カソード粉末の凝集物の最大粒子径αの比(α/β)と定義した場合、前記凝集度γが500以下である、
固体酸化物形燃料電池用カソードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、固体酸化物形燃料電池用単セル及びその製造方法と、固体酸化物形燃料電池用カソード及びその製造方法とに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、燃料電池は、クリーンエネルギー源として注目されている。燃料電池のうち、電解質に固体のセラミックを使用している固体酸化物形燃料電池(以下、「SOFC」と記載する。)は、作動温度が高いため排熱を利用でき、さらに高効率で電力を得ることができる等の長所を有しており、家庭用電源から大規模発電まで幅広い分野での活用が期待されている。
【0003】
SOFCは、基本構造として、カソード(空気極)とアノード(燃料極)との間にセラミックからなる電解質層が配置された構造を有する。例えば平型のSOFCは、カソード、電解質層及びアノードを重ね合わせたものを単セルとし、この単セルがインターコネクタ等を挟んで複数積み重ねられることによって高出力を得る。
【0004】
SOFCでは、ガスを十分に拡散させ、かつ電気の流れを良くするために、金属製のメッシュや、あるいは、ガスの流路を有するセパレータ又はインターコネクタと、単セルとを接触させて集電することが一般的である。したがって、インターコネクタ等と接する単セルの電極の電気抵抗が高い場合、集電効率が悪くなり、その結果SOFCの発電性能が低下する。特に、カソードは、アノードに一般的に使用されるNi等の金属材料と比較すると材料自体の電気抵抗が高かったり、アノード支持型セルの場合はアノードよりも薄く形成されたりする。したがって、カソードの電気抵抗がSOFCの発電性能に及ぼす影響は、アノードの場合よりも大きくなると予測される。そこで、電極の電気抵抗を低くするために、例えばカソードに用いられる材料に電気抵抗率の低いものを用いることが提案されている(例えば、非特許文献1及び2)。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0005】
【文献】T. Wen et al., “A study of (Pr, Nd, Sm)1-xSrxMnO3cathode materials for solid oxide fuel cell”, Solid State Ionics 121, 1999, 25-30
【文献】L. Qiu et al., “Ln1-xSrxCo1-yFeyO3-δ(Ln=Pr, Nd, Gd; x=0.2, 0.3) for the electrodes of solid fuel cells”, Solid State Ionics 158, 2003, 55-65
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、単に電気抵抗率が低い材料を用いてカソードを製造しただけでは、確実に集電効率を向上させてSOFCの発電性能を向上させることが困難であった。カソードは、電解質層上、又は、電解質層とカソードとの間に配置されるバリア層上にカソード形成用のペーストを用いてグリーン層を形成し、これを焼成することによって製造されることが一般的である。このような方法で作製されるカソードには、カソードの材料と電解質層(又はバリア層)の材料との熱膨張率の違いによりカソードにクラックが発生したり、ペーストの均一な塗布ができずに穴が生じたりする等、様々な不具合が生じる。また、電極反応場の増加や、隣接する電解質層(又はバリア層)との熱膨張の差の低減等を目的として、カソードを作製する際に、カソード材料の他にも、電解質層(又はバリア層)に使用され
るイオン導電成分が添加される場合がある。また、SOFCのカソード反応は、カソードにおける電解質層(又はバリア層)に近い領域で起こるために、カソードにその表層から反応領域まで酸素を供給しなくてはならず、カソードにはガス拡散性が求められる。このことから、通常のカソードは多孔構造を有する。このように、カソードの電気抵抗は、カソード材料自体の電気抵抗率のみから決定されるものではない。
【0007】
本発明者は、鋭意研究の結果、カソードが製造される際に生じる上記のような不具合や、他の材料の添加等の様々な要因により、カソードが、カソード材料自体の電気抵抗率からは単純に決定できない電気抵抗を示し、その結果、SOFCの発電性能の向上が困難になるという課題を見出した。
【0008】
そこで、本発明は、ガスを十分に拡散させることができ、かつ、高い集電効率を実現できるカソードを備えることによって、発電性能が向上したSOFC用単セルを提供することを目的とする。さらに、本発明は、SOFCの発電性能を向上させることができるSOFC用カソードを提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、カソードと、アノードと、前記カソードと前記アノードとの間に配置された電解質層と、を備えたSOFC用単セルであって、
前記カソードは、100μm以下の厚さを有し、200Ω・cm以下の電気抵抗率を有し、かつ、少なくとも5%以上72%未満の気孔率を有する、
SOFC用単セルを提供する。
【0010】
また、本発明は、上記本発明のSOFC用単セルを製造する方法であって、
(I)粉末状の電子伝導体を必須成分として含み、かつ、粉末状のイオン伝導体を任意成分として含むカソード粉末と、バインダーと、溶剤とを含むカソード用ペーストを作製する工程と、
(II)前記カソード用ペーストを前記電解質層上に塗布して焼成し、カソードを形成する工程と、
を含み、
前記カソード粉末において、前記電子伝導体は、前記電子伝導体と前記イオン伝導体との合計に対して25~100質量%であり、
前記カソード用ペーストにおける粉末の凝集度γを、前記カソード粉末のBET比表面積から算出される1次粒子径(BET換算径)βに対する、前記ペースト中の前記カソード粉末の凝集物の最大粒子径αの比(α/β)と定義した場合、前記凝集度γが890以下である、
SOFC用単セルの製造方法も提供する。
【0011】
また、本発明は、100μm以下の厚さを有し、200Ω・cm以下の電気抵抗率を有し、かつ、5%以上72%未満の気孔率を有する、SOFC用カソードも提供する。
【0012】
また、本発明は、上記本発明のSOFC用カソードを製造する方法であって、
(I)粉末状の電子伝導体を必須成分として含み、かつ、粉末状のイオン伝導体を任意成分として含むカソード粉末と、バインダーと、溶剤とを含むカソード用ペーストを作製する工程と、
(II)前記カソード用ペーストの塗膜を形成し、前記塗膜を焼成してカソードを形成する工程と、
を含み、
前記カソード粉末において、前記電子伝導体は、前記電子伝導体と前記イオン伝導体との合計に対して25~100質量%であり、
前記カソード用ペーストにおける粉末の凝集度γを、前記カソード粉末のBET比表面積から算出される1次粒子径βに対する、前記ペースト中の前記カソード粉末の凝集物の最大粒子径αの比(α/β)と定義した場合、前記凝集度γが890以下である、
SOFC用カソードの製造方法も提供する。
【発明の効果】
【0013】
本発明のSOFC用単セル及び本発明のSOFC用単セルの製造方法によって製造されるSOFC用単セル(以下、「本発明によって得られるSOFC用単セル」と記載することがある。)のカソードは、200Ω・cm以下の電気抵抗率を有し、かつ、5%以上72%未満の気孔率を有する。本発明によって得られるSOFC用単セルでは、従来はその薄さ等の点から測定が困難であるため全く考慮されていなかった、SOFC用単セルに組み込まれた状態でのカソードの電気抵抗率が、上記の特定の範囲内に設定されている。SOFC用単セルを構成しているカソードが、そのような特定の範囲内の電気抵抗率を満たすことにより、カソードにおける集電効率が向上する。さらに、本発明によって得られるSOFC用単セルのカソードは、5%以上72%未満の気孔率を有するので、電気抵抗率を上記の特定の範囲内に維持しつつ、ガスを十分に拡散させることができる。このように、本発明によって得られるSOFC用単セルは、ガスを十分に拡散させることができ、かつ、高い集電効率を実現できるカソードを備えているので、発電性能の向上が可能となる。
【0014】
また、本発明のSOFC用カソード及び本発明のSOFC用カソードの製造方法によって製造されるSOFC用カソードは、200Ω・cm以下の電気抵抗率を有し、かつ、5%以上72%未満の気孔率を有するので、ガスを十分に拡散させることができ、かつ、高い集電効率を実現できる。したがって、本発明のSOFC用カソード及び本発明のSOFC用カソードの製造方法によって製造されるSOFC用カソードによれば、SOFCの発電性能の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
図1】本発明の一実施形態に係るSOFC用単セルの一構成例を示す断面図
図2】カソードの電気抵抗率を測定する際に用いられる測定サンプルを示す平面図
【発明を実施するための形態】
【0016】
本発明のSOFC用カソード及びSOFC用単セルの実施形態について、具体的に説明する。
【0017】
本実施形態のSOFC用単セルは、カソードと、アノードと、カソードとアノードとの間に配置された電解質層と、を備えている。このカソードは、本発明のSOFC用カソードの実施形態にも相当し、100μm以下の厚さを有し、200Ω・cm以下の電気抵抗率を有し、かつ、少なくとも5%以上72%未満の気孔率を有する。なお、本実施形態のSOFC用単セルは、電解質支持型セルであっても、アノード支持型セルであってもよく、その種類は特には限定されない。ここでは、本実施形態のSOFC用単セルがアノード支持型セルの場合を例に挙げて、図1を参照しながら説明する。
【0018】
図1に、アノード支持型セルであるSOFC用単セル1の断面図を示す。SOFC用単セル1は、アノード11と、カソード12と、アノード11とカソード12との間に配置された電解質層13と、を備えている。電解質層13とカソード12との間には、さらにバリア層14が設けられている。なお、バリア層14は、必要に応じて設けられればよいため、設けられなくてもよい。
【0019】
アノード11は、アノード支持基板111と、アノード支持基板111の電解質層13
側の面上に配置されたアノード層112と、によって形成されている。なお、アノード支持基板111自体がアノード電極として十分に作用し得る場合には、アノード層112が設けられない場合もある。電解質層13、バリア層14及びカソード12は、アノード支持基板111によって支持されている。
【0020】
カソード12の厚さは、100μm以下であり、例えば、80μm以下が好ましく、70μm以下がより好ましく、60μm以下がさらに好ましい。カソード12の厚さの下限値は、特に限定されないが、例えば3μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、7μm以上がさらに好ましい。カソード12の厚さが上記範囲内であれば、電極反応が効率的に行われるので、高い発電性能が得られる。なお、ここでいうカソード12の厚さとは、SOFC用単セル1の断面画像から求められるカソード12の厚さのことである。具体的には、カソード12に隣接する層(図1に示す例ではバリア層14)に最も深く入り込んでいるカソード12を構成する粒子から、カソード12の表面までの厚さTc1を求め、隣接する層に2番目に深く入り込んでいる粒子(ただし、最も深く入り込んでいる粒子から2μm以上離れた位置にある粒子)からカソード12の表面までの厚さTc2を求め、隣接する層に3番目に深く入り込んでいる粒子(ただし、最も深く入り込んでいる粒子及び2番目に深く入り込んでいる粒子から2μm以上離れた位置にある粒子)からカソード12の表面までの厚さTc3を求め、厚さTc1~Tc3の平均値をカソード12の厚さとする。これを断面画像の5視野に対して行い、5視野での平均値厚さをカソード厚さとする。なお、より具体的な測定方法は、後述の[実施例]の欄で説明されている。
【0021】
カソード12は、200Ω・cm以下の電気抵抗率を有する。カソード12が、SOFC用単セル1に組み込まれた状態でこのような低い電気抵抗率を有することにより、カソード12を金属製のメッシュや、あるいは、ガスの流路を有するセパレータ又はインターコネクタと接触させて集電させた場合に高い集電効率が実現され、その結果、SOFC用単セル1の発電性能が向上する。より高い発電性能を実現するためには、カソード12の電気抵抗率を100Ω・cm以下とすることが好ましく、40Ω・cm以下とすることがより好ましく、10Ω・cm以下とすることがさらに好ましい。カソード12の電気抵抗率はより低いことが好ましいため、その下限値は特には限定されないが、カソード12の電気抵抗率は、例えば0.0001Ω・cm以上である。
【0022】
ここで、本明細書において特定されているカソードの電気抵抗率とは、カソードの作製に用いられる材料自体の電気抵抗率ではなく、SOFC用単セルのカソードとして形成された状態、すなわち、例えば図1に示されたカソード12の状態でのカソードの電気抵抗率のことを示している。SOFC用単セルのカソードは非常に薄いこと、さらにSOFC用単セルに組み込まれた状態において、カソードは電解質層やバリア層と接合されて一体となっていること等の理由から、従来は測定法が確立しておらず、カソードとしての電気抵抗率の測定が困難であった。しかし、本発明者は、鋭意研究により、SOFC用単セルに組み込まれた状態のカソードの電気抵抗率をvan der pauw法に則った測定方法を利用して測定し、さらに発電性能を向上させることができるカソードの電気抵抗率の範囲を特定するに至った。本実施形態で用いられた、van der pauw法に則ったカソード12の電気抵抗率の測定方法を、以下に詳しく説明する。なお、カソードの電気抵抗率は、実際にSOFCが運転される温度域(高温域)で測定されることが理想的である。しかしながら、その場合、測定に使用されるリード線等には、高温・酸化雰囲気下でも酸化せず安定であり、かつ、カソード以上の電子伝導率を有する材料から形成されていることが要求されるので、測定に使用するリード線等が白金や金などの貴金属に限られ高額になる。さらに、測定対象物(カソード)は、薄いセラミックスであるため、昇温時や測定時にわずかな応力により割れやすい。さらに、使用する材料によっては、高温域においてカソードに取り付けた端子が融解して剥がれたり、副反応を起こして絶縁性物質を形成したりして、実際の電極が有する電気抵抗率とは異なる電気抵抗率が測定されたり
することもある。これらの理由から、実際にSOFCが運転される温度域で電気抵抗率を測定することには困難が伴う。また、電子伝導性を担うカソード材料の電子伝導率は、イオン伝導体のイオン伝導率のような大きな温度依存性がなく、実際にSOFCが運転される高温域におけるカソードの電気抵抗率は常温での測定値と大きな差はない。
【0023】
以上の理由から、本実施形態におけるカソードの電気抵抗率は、常温(例えば25℃)での測定値で特定されている。すなわち、本実施形態におけるカソードの電気抵抗率は、実際にSOFCが運転される高温域に達した際のカソードの電気抵抗率も考慮し、運転時の温度域において高い集電効率を有するカソードを実現できる電気抵抗率として、常温での測定値が200Ω・cm以下であると特定されている。なお、本実施形態のカソードは、SOFC運転時の温度域においても電気抵抗率が特定値以下であることが好ましい。例えば、本実施形態のカソードは、SOFC運転時の温度域においても200Ω・cm以下の電気抵抗率を有することが好ましく、100Ω・cm以下とすることがより好ましく、40Ω・cm以下とすることがさらに好ましく、10Ω・cm以下とすることが特に好ましい。また、本実施形態のカソードは、SOFC運転時の温度域でのカソードの電気抵抗率の測定値が、常温でのカソードの電気抵抗率の測定値以下であってもよい。すなわち、常温でのカソードの電気抵抗率の測定値(電気抵抗率A)に対する、SOFC運転時の温度域(高温域)でのカソードの電気抵抗率の測定値(電気抵抗率B)の比(電気抵抗率B/電気抵抗率A)が、1以下であってもよい。
【0024】
本実施形態では、より正確な測定結果を得るために、カソード12が基準の大きさよりも小さい場合と大きい場合とで測定方法を変えている。具体的には、10mm×10mmの正方形区画を互いに重ならないように5つ選択できる大きさを基準として、カソード12がその基準よりも小さい場合は測定1の方法で、大きい場合は測定2の方法で測定を行う。なお、カソード12の基準の大きさとは、具体的には1辺が3cmの正方形である。
【0025】
(測定1)
SOFC用単セル1のカソード12が1辺が3cmの正方形以下の大きさである場合、SOFC用単セル1から、カソード12が10mm×10mmの正方形となるように1つの測定サンプルを切り出す。すなわち、この測定サンプルでは、カソード12が電解質層13やアノード11等と一体化しており、単セルの構造が維持されている。なお、SOFC用単セル1においてカソード12が10mm×10mmの正方形である場合は、測定サンプルを切り出すことなく、SOFC用単セル1をそのまま測定サンプルとして利用する。また、カソード12が小さすぎて、カソード12が10mm×10mmの正方形となるようにSOFC用単セル1から測定サンプルを切り出せない場合は、カソード12が最大の正方形となるようにSOFC用単セル1から測定サンプルを切り出す。
【0026】
測定サンプルにおいて、1辺が10mmのカソードの正方形の頂点に銀からなる端子を取り付ける。カソードの頂点に形成された4つの端子を、図2に示すように、時計回りにA、B、C、Dとする。なお、図2において、21は測定サンプル、22は測定サンプルにおけるカソードを示している。
【0027】
まず、A-B間に電流を流し、C-D間に発生する電圧がおおよそ0.5VになるようにA-B間に流れる電流を調整し、流す電流の終点IENDを求める。次に、IENDを10で割り、増加させる電流値ΔIを求める。次いで、0から終点IENDまで、ΔIずつ電流を
増加させていき、各電流値において発生した電圧値を記録する。各電流値と各電圧値から最小二乗法により傾きを求め、その傾きから抵抗RAB,CDを算出する。同様にB-C間に
電流を流して、D-A間に発生する電圧を記録し、抵抗RBC,DAを求め、抵抗RAB,CD及び抵抗RBC,DAを用いて抵抗率ρ1を求める。また、C-D間、D-A間にも電流を流して同様の測定を行って抵抗RCD,AB及び抵抗RDA,BCを求め、抵抗RCD,AB及び抵抗RDA,BCを用
いて抵抗率ρ2を求める。抵抗率ρ1と低効率ρ2との平均値を求め、その平均値を常温で
のカソードの電気抵抗率ρcとする。なお、電気抵抗率の算出に当たり必要なカソードの
厚さは、上記のSOFC用単セルの断面画像から求める方法によって得られた値を用いる。
【0028】
(測定2)
SOFC用単セル1のカソード12が1辺が3cmの正方形よりも大きい場合、SOFC用単セル1のカソード12が形成されている領域において、中心部分の1つの正方形区画と、さらにこの中心部分の区画と重ならず、かつ互いに重ならない複数(2以上)の正方形区画とをSOFC用単セル1から測定サンプルとして切り出す。各正方形区画は、10mm×10mmとする。それら各正方形区画の各頂点に銀からなる端子を取り付け、測定1の場合と同様の方法により、各測定サンプルの電気抵抗率を測定する。中心部分の1区画と、それ以外の区画から2区画を任意に選択し、3つの区画における電気抵抗率の平均値を求め、得られた値をカソード12の電気抵抗率とする。電気抵抗率は上述のように3区画から求めてもよいが、中心部分の1区画とその他の4区画の合計5区画から求めてよいし、それ以上でも構わない。区画数が多いほど、カソード12の全体を表す値となる。ただし、均質なカソードが形成されている場合においては、5区画以上、区画数を多くしても、電気抵抗率は大きく変わらない。したがって、カソードの電気抵抗率は、3区画、好ましくは5区画の平均値とすれば十分である。
【0029】
また、カソード12全体で高い集電効率を実現するために、カソード12全体で電気抵抗率のバラツキが小さいことが望ましい。したがって、上記の測定2の方法で電気抵抗率が測定されるような大面積を有するカソード12の場合は、例えば、カソード12において、互いに重ならない3つの正方形区画であって、かつ、各正方形区画が10mm×10mmの大きさを有している3つの正方形区画を任意で選択した場合に、3つの正方形区画における電気抵抗率についての標準偏差が8Ω・cm以下であることが望ましく、5Ω・cm以下であることがより望ましい。また、より望ましくは、より多くの区画を利用して求められる電気抵抗率の標準偏差が小さいことである。したがって、カソード12において、互いに重ならない5つの正方形区画であって、かつ、各正方形区画が10mm×10mmの大きさを有している5つの正方形区画を任意で選択した場合に、5つの正方形区画における電気抵抗率についての標準偏差が、7Ω・cm以下であることが望ましく、4Ω・cm以下であることがより望ましい。なお、標準偏差を求めるための3つの正方形区画及び5つの正方形区画は、測定2で電気抵抗率の平均値を求める際に用いた正方形区画と同じでよい。
【0030】
カソード12は、多孔体によって形成されており、5%以上72%未満の気孔率を有する。カソード12の気孔率が5%未満の場合、ガスを十分に拡散させることが困難となるため、発電性能が低下する。一方、気孔率が72%以上の場合、気孔が多すぎて導電パスが切断されてしまうため、電気抵抗率が増加し、その結果発電性能が低下する。ガスを十分に拡散させることができるように、カソード12は15%以上の気孔率を有することが望ましく、30%以上の気孔率とすることがより望ましい。また、電気抵抗率を増加させすぎないように、カソード12の気孔率は70%以下であることが望ましい。なお、ここでいうカソード12の気孔率とは、SOFC用単セル1の断面画像から求められるカソード12の気孔率のことである。具体的には、断面画像に示されたカソードとそれに隣接する層(図1に示す例ではバリア層14)との境界、カソード12の表面のそれぞれから2μm以上離れて、カソード12の厚さ方向に10μm、カソード12の層と平行な方向に(カソード12の厚さ方向とは垂直の方向に)20μmの長方形の区画を作成し、画像解析ソフトを用いて、その長方形の区画内の充填されている部分と、気孔の部分とを分け、断面画像の1視野内における気孔率を求める。これを断面画像の5視野に対して行い、5視野の平均をカソード12の気孔率とする。なお、より具体的な測定方法は、後述の[実
施例]の欄で説明されている。
【0031】
カソード12は、電子伝導体を必須成分として含み、かつ、イオン伝導体を任意成分として含んでいる。例えば、電子伝導体は、電子伝導体とイオン伝導体との合計に対して25~100質量%の割合となるように、カソード12に含まれている。より低い電気抵抗率を有するカソード12を実現するために、電子伝導体は、電子伝導体とイオン伝導体との合計に対して30質量%以上であることが望ましく、50質量%以上であることがより望ましい。
【0032】
カソード12に含まれる電子伝導体は、特には限定されず、SOFC用単セルのカソード用の電子伝導体として公知の材料を適宜用いることができる。例えば、電子伝導性に優れ、酸化雰囲気下でも安定な、ペロブスカイト形酸化物が好適に用いられる。具体的には、La0.8Sr0.2MnO3、La0.6Sr0.4CoO3、La0.6Sr0.4FeO3、La0.6Sr0.4Co0.8Fe0.23及びLa0.6Sr0.4Co0.8Mn0.23等、のランタンの一部を
ストロンチウムで置換したランタンストロンチウムマンガナイト、ランタンストロンチウムコバルタイト及びランタンストロンチウムフェライト、並びに、ランタンストロンチウムコバルタイトのコバルトの一部を鉄やマンガン等で置換したランタンストロンチウムコバルトフェライト及びランタンストロンチウムコバルトマンガナイト等が好適に用いられる。すなわち、カソード12に含まれる電子伝導体は、ランタンストロンチウムマンガナイト、ランタンストロンチウムコバルタイト、ランタンストロンチウムフェライト、ランタンストロンチウムコバルトフェライト及びランタンストロンチウムコバルトマンガナイトからなる群から選択される少なくともいずれか1種とすることができる。
【0033】
カソード12に含まれるイオン伝導体は、特には限定されず、SOFC用単セルのカソード用のイオン伝導体として公知の材料を用いることができる。イオン伝導体としては、例えば、セリア系固溶体及び安定化ジルコニアからなる群から選択される少なくともいずれか1種を用いることができる。例えば、Sc、Y及びCe等の希土類金属の酸化物やアルカリ土類金属酸化物を安定化剤として含む安定化ジルコニアや、希土類元素酸化物等をドープしたセリア等を用いることができる。
【0034】
電解質層13には、公知のSOFC用単セルの電解質層を適用することができるため、その材料は特に限定されない。詳しくは、電解質層13は、セラミック質を主成分として含む。セラミック質としては、SOFC用単セルの電解質層の材料として公知の材料であれば特に限定されず、例えば、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化イッテルビウム等で安定化されたジルコニア;イットリア、サマリア、ガドリニア等がドープされたセリア;ランタンガレート、及びランタンガレートのランタン又はガリウムの一部がストロンチウム、カルシウム、バリウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、コバルト、鉄、ニッケル、銅等で置換されたランタンガレート型ペロブスカイト構造酸化物等を使用することができる。これらは単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、酸化イットリウム、酸化スカンジウム、酸化イッテルビウム等で安定化されたジルコニアが好適である。
【0035】
電解質層13の厚さは、特に限定されないが、例えば1μm以上が好ましく、1.5μm以上がより好ましく、2μm以上がさらに好ましい。また、電解質層13の厚さは、50μm以下が好ましく、30μm以下がより好ましく、20μm以下がさらに好ましい。電解質層13の厚さが上記範囲内であれば、アノード支持型セルとした場合に、ガスのクロスリークを防ぎつつも、内部抵抗を小さくすることができるので、発電性能がより良好となる。また、電解質層13は、単層であってもよいし多層構造であってもよい。
【0036】
アノード支持基板111及びアノード層112には、それぞれ、公知のSOFC用単セ
ルのアノード支持基板及びアノード層を適用することができるため、その材料は特に限定されない。一般的には、アノード支持基板111及びアノード層112は、導電性を与えるための導電成分と、骨格成分となるセラミック質とを含んでいる。導電成分は、ニッケル、コバルト、鉄、白金、パラジウム、ルテニウム等の金属;酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄のように燃料電池稼動時の還元性雰囲気で導電性金属に変化する金属酸化物;あるいはこれらの酸化物を2種以上含有するニッケルフェライトやコバルトフェライトのような複合金属酸化物、が挙げられる。これらは単独で使用し得るほか、必要により2種以上を適宜組み合わせて使用できる。これらの中でも、金属ニッケル、金属コバルト、金属鉄又はこれらの酸化物が好ましい。骨格成分としては、ジルコニア、アルミナ、マグネシア、チタニア、窒化アルミニウム、ムライト等の単独もしくは複合物が使用される。これらの中でも最も汎用性の高いのは安定化ジルコニアである。安定化ジルコニアとしては、ジルコニアに、安定化剤としてMgO、CaO、SrO、BaO等のアルカリ土類金属の酸化物;Y23、La23、CeO2、Pr23、Nd23、Sm23、Eu23、G
23、Tb23、Dy23、Er23、Tm23、Yb23等の希土類元素の酸化物;Sc23;Bi23;及びIn23等から選ばれる少なくとも何れか1種の酸化物を固溶させたもの、あるいは更に、これらに分散強化剤としてアルミナ、チタニア、Ta25及びNb25等が添加された分散強化型ジルコニア等が好ましいものとして例示される。また、骨格成分として、CeO2又はBi23に、CaO、SrO、BaO、Y23、La23、Ce23、Pr23、Nb23、Sm23、Eu23、Gd23、Tb23、Dr23、Ho23、Er23、Yb23、PbO、WO3、MoO3、V25、Ta25及び
Nb25から選ばれる少なくとも何れか1種を添加した、セリア系又はビスマス系セラミックも使用可能である。また、LaGaO3のようなガレート系セラミックも使用可能で
ある。これらは単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、骨格成分としては、安定化ジルコニア、セリア系セラミック及びランタンガレートが好ましく、安定化ジルコニアがより好ましく、特に好ましいのは2.5~12モル%のイットリアで安定化されたジルコニア、2.5~12モル%のイッテルビアで安定化されたジルコニア、3~15モル%のスカンジアで安定化されたジルコニア、8~12モル%のスカンジアと0.5~5モル%のセリアで安定化されたジルコニアである。
【0037】
アノード支持基板111の厚さは、特に限定されないが、例えば100μm以上が好ましく、120μm以上がより好ましく、150μm以上がさらに好ましい。また、アノード支持基板111の厚さは、3mm以下が好ましく、2mm以下がより好ましく、1mm以下がさらに好ましく、500μm以下が特に好ましい。アノード支持基板111の厚さが上記範囲内であれば、アノード支持基板111の機械的強度とガス通過性とをバランス良く両立しやすくなる。
【0038】
アノード層112の厚さは、特に限定されないが、例えば5μm以上が好ましく、7μm以上がより好ましく、10μm以上がさらに好ましい。また、アノード層112の厚さは、100μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましく、30μm以下がさらに好ましい。アノード層112の厚さが上記範囲内であれば、電極反応が効率的に行われ、アノード支持型セルとした場合に、発電性能がより良好となる。
【0039】
バリア層14には、公知のSOFC用単セルのバリア層を適用することができるため、その材料は特に限定されない。一般的に、バリア層14には酸化物イオン伝導性を有する材料が用いられ、例えばGd、Sm及びY等の希土類元素の酸化物等がドープされたセリアが用いられる。また、バリア層14の厚さは、20μm以下であることが好ましい。20μm以下であれば、カソード12と電解質層13との材料の熱膨張率差が大きい場合であってもカソード形成時にカソード12に発生するクラック及び剥離等の欠陥を一層低減することができる。バリア層14の厚さは、10μm以下がより好ましく、7μm以下がさらに好ましく、5μm以下が特に好ましい。また、セル作製時又は発電中の高温雰囲気
下において、電解質層13とカソード12との間で起こる絶縁物質の生成を抑えつつ、発電を促進させる高い効果が期待できることから、バリア層14の厚さは、特に限定されないが、例えば0.1μm以上が好ましく、0.2μm以上がより好ましく、0.5μm以上がさらに好ましい。
【0040】
次に、SOFC用単セル1の製造方法について説明する。
【0041】
本実施形態のSOFC用単セル1の製造方法は、
(I)粉末状の電子伝導体を必須成分として含み、かつ、粉末状のイオン伝導体を任意成分として含むカソード粉末と、バインダーと、溶剤とを含むカソード用ペーストを作製する工程と、
(II)前記カソード用ペーストを前記電解質層上に塗布して焼成し、カソードを形成する工程と、
を含む。
【0042】
工程(I)で用いられるカソード粉末において、電子伝導体は、電子伝導体とイオン伝導体との合計に対して25~100質量%である。より低い電気抵抗率を有するカソード12を作製するために、カソード粉末における電子伝導体は、電子伝導体とイオン伝導体との合計に対して30質量%以上であることが望ましく、50質量%以上であることがより望ましい。
【0043】
工程(I)において、カソード用ペーストは、カソード用ペーストにおける粉末の凝集度γが890以下となるように調製される。なお、凝集度γとは、カソード粉末のBET比表面積から算出される1次粒子径βに対する、ペースト中のカソード粉末の凝集物の最大粒子径αの比(α/β)である。なお、ペースト中のカソード粉末の凝集物の最大粒子径αは、JIS K5600-2-5.分散度に従い、グラインドメータを用いて測定される。具体的には、グラインドメータの溝にペーストを垂らし、スクレーバーを用いてしごき溝の中に厚さが連続して変化したペースト層を作る。この時、ペースト中の凝集物による顕著な斑点が現れ始めた箇所の層の厚さを読み取り、凝集物の最大粒子径とする。なお、この測定を3回行い、3回の平均値を求めてペースト中の凝集物の最大粒子径αとする。また、カソード粉末の1次粒子径βは、上記のとおりBET比表面積から算出される。
【0044】
電子伝導体とイオン伝導体との合計に対して電子伝導体が25~100質量%であるカソード粉末を用いて作製されたカソード用ペーストであって、かつ凝集度γが890以下であるカソード用ペーストを用いることにより、200Ω・cm以下の電気抵抗率を有するカソードを作製することができる。より低い電気抵抗率を実現するためには、カソード用ペーストの凝集度γを700以下にすることが望ましく、500以下にすることがより望ましい。また、凝集度γは、少ないほど、粒子が凝集せずに、均一に分散していることを示しているため、1に近いほど好ましいが、凝集物の解砕や、ペースト中に均一に分散させるための工夫に、過度の労力を要する可能性があるので、例えば10以上が好ましい。
【0045】
凝集度γは、例えば、カソード粉末の解砕によって比表面積を調整すること、カソード用ペースト作製時にペースト中の凝集物を解砕してその大きさを調整すること、及び、適切な分散剤の種類・添加量を選択すること等によって調製できる。
【0046】
以下、SOFC用単セル1の製造について、さらに具体的に説明する。
【0047】
アノード支持型セルであるSOFC用単セル1を製造する方法の一例は、アノード11
、電解質層13及びバリア層14を含み、且つ所定の形状を有する多層焼成体を作製する工程と、所定の形状を有する多層焼成体において、アノード11と反対側の面にカソード12を作製する工程と、を含む方法である。
【0048】
多層焼成体は、
(1)アノード支持基板111用のグリーンシート上に、アノード層112用のグリーン層(アノード層112を設けない構成の場合は不要)と、電解質層13用のグリーン層と、バリア層14用のグリーン層(バリア層14を設けない構成の場合は不要)と、が順に積み重ねられた積層体を形成した後、これら全体を一括して焼成する方法、
又は、
(2)アノード支持基板111用のグリーンシートを焼成してアノード支持基板111を作製し、その上にアノード層112用のグリーン層(アノード層112を設けない構成の場合は不要)と、電解質層13用のグリーン層と、バリア層14用のグリーン層(バリア層14を設けない構成の場合は不要)と、が順に積み重ねられた積層体を形成した後、これらを焼成する方法、
を用いて作製できる。ここでは、(1)の方法を例に挙げて、多層焼成体の作製方法を説明する。
【0049】
まず、アノード支持基板111用のグリーンシートを準備する。アノード支持基板111用のグリーンシートは、原料粉末であるSOFC用アノード材料と、気孔形成剤と、バインダー及び溶剤とを混合し、さらに必要に応じて分散剤及び可塑剤等を添加してスラリーを調製し、このスラリーをドクターブレード法、カレンダーロール法、押出し法等の任意の方法で所定の厚さを有するシート状に成形し、これを乾燥させて溶剤を揮発除去することによって得られる。アノード材料には、アノード支持基板111及びアノード層112の材料として上記に例示したものを用いることができる。アノード支持基板111用グリーンシートの作製に用いられる気孔形成剤、バインダー、溶剤、分散剤及び可塑剤等は、SOFCのアノード支持基板の製造方法において公知となっている気孔形成剤、バインダー、溶剤、分散剤及び可塑剤等の中から適宜選択できる。アノード支持基板111用のグリーンシートは、焼成後にアノード支持基板111の厚さが目的の厚さとなるように形成されるとよい。
【0050】
アノード支持基板111用のグリーンシート上に、アノード層112用のペーストを用いて、アノード層112用のグリーン層が形成される。アノード層112用のペーストは、原料粉末であるSOFC用アノード材料と、気孔形成剤と、バインダー及び溶剤とを混合し、さらに必要に応じて分散剤及び可塑剤等を添加することによって、調製される。このペーストをアノード支持基板111用のグリーンシート上に、スクリーン印刷等の方法を用いて塗布し、これを乾燥させることによって、アノード層112用のグリーン層が形成される。アノード層112用のグリーン層の形成に用いられるSOFC用アノード材料には、アノード支持基板111のグリーンシートの作製に使用され得るSOFC用アノード材料として上記に例示された材料を使用することが可能である。また、気孔形成剤、バインダー、溶剤、分散剤及び可塑剤等は、SOFCのアノード層の製造方法において公知となっている気孔形成剤、バインダー、溶剤、分散剤及び可塑剤等の中から適宜選択できる。アノード層112用のグリーン層は、焼成後にアノード層112の厚さが目的の厚さとなるように形成されるとよい。
【0051】
アノード層112用のグリーン層の上に、電解質層13用のペーストを用いて、電解質層13用のグリーン層が形成される。電解質層13用のペーストは、少なくともセラミック質の原料となるセラミック粉末と溶剤とを混合して作製される。
【0052】
電解質層13用のペーストに用いられるセラミック粉末としては、電解質層13が含む
セラミック質として上記に例示した材料を用いることができる。電解質層13用のペーストに用いられる溶剤は、特に限定されず、SOFC用単セルの電解質層の製造方法において公知となっている溶剤の中から適宜選択できる。電解質層13用のグリーン層は、焼成後の電解質層13の厚さが目的の厚さとなるように形成されるとよい。
【0053】
電解質層13用のペーストには、セラミック粉末及び溶剤に加えて、バインダー、分散剤、可塑剤、界面活性剤、消泡剤等を添加してもよい。バインダー、分散剤及び可塑剤は、成膜する電解質層13の材料に合わせて、SOFC用単セルの電解質層の製造方法において公知となっているバインダー、分散剤、可塑剤、界面活性剤、消泡剤等の中から適宜選択できる。
【0054】
電解質層13用のグリーン層上に、バリア層14用のグリーン層を形成する。バリア層14用のグリーン層も、アノード層112及び電解質層13と同様に、バリア層14を構成する原料粉末を含むペーストを調製し、それを電解質層13用のグリーン層上に塗布し、乾燥させることによって形成できる。バリア層14を構成する原料粉末としては、バリア層14の材料として上記に例示した材料を用いることができる。
【0055】
アノード支持基板111用のグリーンシート上に、アノード層112用のグリーン層と、電解質層13用のグリーン層と、バリア層14用のグリーン層と、が順に積み重ねられることによって形成された積層体が、一括して焼成される。積層体の焼成温度は、特に限定されないが、1100℃以上が好ましく、1200℃以上がより好ましく、1250℃以上がさらに好ましい。また、焼成温度は、1500℃以下が好ましく、1450℃以下がより好ましく、1400℃以下がさらに好ましい。また、焼成時の焼成時間は、特に限定されないが、0.1時間以上が好ましく、0.5時間以上がより好ましく、1時間以上がさらに好ましい。また、焼成時間は、10時間以下が好ましく、7時間以下がより好ましく、5時間以下がさらに好ましい。
【0056】
以上のような方法によって、多層焼成体が得られる。所定の形状を有する多層焼成体を得る方法は特に限定されないが、焼成後の収縮を考慮して、焼成後に目的の形状になるように、アノード支持基板111用のグリーンシート上に、アノード層112用のグリーン層と、電解質層13用のグリーン層と、バリア層14用のグリーン層とが順に積み重ねられることによって形成された積層体を、切断及び/又は打ち抜きしてから焼成してもよいし、前記積層体を焼成して得られた多層焼成体をレーザ又はセラミックカッターを用いて切断してもよい。
【0057】
次に、所定の形状を有する多層焼成体において、アノード11と反対側の面上に、カソード12を作製する。カソード12用のペーストを用いてカソード12用のグリーン層を形成し、それを焼成することによってカソード12が作製される。
【0058】
まず、カソード12を形成するためのカソード12用ペーストを作製する。カソード12用ペーストは、カソード材料からなるカソード粉末を含む。カソード材料としては、カソード12に含まれる電子伝導体及びイオン伝導体として上記に例示した材料を用いることができる。また、カソード粉末は、電子伝導体を必須成分として、イオン伝導体を任意成分として含んでいる。電子伝導体とイオン伝導体との合計に対する電子伝導体の割合は、上記のとおり、25~100質量%である。
【0059】
カソード12用のペーストは、カソード12を構成する原料粉末(上記カソード粉末)、バインダー及び溶剤と、必要により気孔形成剤、分散剤及び可塑剤等とを共に均一に混合することによって、調製される。バインダー、溶剤、気孔形成剤、分散剤及び可塑剤等は、SOFC用単セルのカソードの製造方法において公知となっているバインダー、溶剤
、気孔形成剤、分散剤及び可塑剤等の中から適宜選択できる。調製したペーストを、多層焼成体上にスクリーン印刷等により塗布し、乾燥させることによって、カソード12用のグリーン層が形成される。これを焼成することによって、カソード12が作製される。焼成温度は、特に限定されないが、800℃以上が好ましく、850℃以上がより好ましく、950℃以上がさらに好ましい。また、焼成温度は、1300℃以下が好ましく、1250℃以下がより好ましく、1200℃以下がさらに好ましい。また、焼成時の焼成時間は、特に限定されないが、0.1時間以上が好ましく、0.5時間以上がより好ましく、1時間以上がさらに好ましい。また、焼成時間は、10時間以下が好ましく、7時間以下がより好ましく、5時間以下がさらに好ましい。カソード12用のグリーン層は、焼成後のカソード12の厚さが目的の厚さとなるように形成されるとよい。
【0060】
以上のような方法によって、カソード12を備えたSOFC用単セル1を製造することができる。
【0061】
なお、本実施形態ではアノード支持型セルについて説明したが、本発明のSOFC用単セル及びSOFC用カソードが、電解質支持型セルにも適用可能であることはいうまでもない。
【実施例
【0062】
以下では、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施例によって何ら限定されるものではない。
【0063】
<実施例1>
(アノード支持基板グリーンシートの作製)
導電成分としての酸化ニッケル(正同化学工業社製、商品名「Green」)60質量部、骨格成分としての3モル%イットリア安定化ジルコニア粉末(東ソー社製、商品名「TZ3Y」)40質量部、気孔形成剤としてのカーボンブラック(SECカーボン社製、SGP-3)10質量部、メタクリレート系共重合体からなるバインダー(分子量:30,000、ガラス転移温度:-8℃、固形分濃度:50質量部)30質量部、可塑剤としてジブチルフタレート2質量部及び分散媒としてトルエン/イソプロピルアルコール(質量比=3/2)の混合溶剤80質量部を、ボールミルにより混合して、スラリーを調製した。得られたスラリーを使用し、ドクターブレード法によりシート成形し、70℃で5時間乾燥させて、厚さ300μmのアノード支持基板グリーンシートを作製した。
【0064】
(アノード層用ペーストの作製)
導電成分としての酸化ニッケル(正同化学工業社製、商品名「Green」)36質量部、イオン伝導成分としての8モル%イットリア安定化ジルコニア粉末(東ソー社製、商品名「TZ8Y」)24質量部、溶剤としてのα-テルピネオール(和光純薬工業社製)36質量部、バインダーとしてのエチルセルロース(和光純薬工業製)4質量部、可塑剤としてのジブチルフタレート(和光純薬工業社製)6質量部及び分散剤としてのノニオン界面活性剤(日油社製、製品名「ノニオンOP-83RAT」)4質量部を、乳鉢を用いて混合した後、3本ロールミル(EXAKT technologies社製、型式「M-80S」、ロール材質:アルミナ)を用いて解砕し、8YSZアノード層用ペーストを作製した。
【0065】
(電解質層用ペーストの作製)
セラミック質としての8モル%イットリア安定化ジルコニア粉末(東ソー社製、商品名「TZ8Y」)60質量部、バインダーとしてエチルセルロース(和光純薬工業社製)を5質量部、溶剤としてα-テルピネオール(和光純薬工業社製)を40質量部、可塑剤としてジブチルフタレート(和光純薬工業社製)を6質量部及び分散剤としてノニオン界面
活性剤(日油社製、製品名「ノニオンOP-83RAT」)5質量部を、乳鉢を用いて混合した後、3本ロールミル(EXAKT technologies社製、型式「M-80S」ロール材質:アルミナ)を用いて解砕し、8YSZ電解質層用ペーストを作製した。
【0066】
(バリア層用のペーストの作製)
セラミック質として、10モル%ガドリニアがドープされているセリア粉末(AGCセイミケミカル社製)60質量部、バインダーとしてのエチルセルロース(和光純薬工業社製)5質量部、溶剤としてのα-テルピネオール(和光純薬工業社製)40質量部、可塑剤としてのジブチルフタレート(和光純薬工業社製)6質量部及び分散剤としてのノニオン界面活性剤(日油社製、製品名「ノニオンOP-83RAT」)5質量部、を、乳鉢を用いて混合した後、3本ロールミル(EXAKT technologies社製、型式「M-80S」、ロール材質:アルミナ)を用いて解砕した。これにより、バリア層用ペーストを得た。
【0067】
(アノード層用グリーン層の形成)
8YSZアノード層用ペーストをスクリーン印刷により、上記で得たアノード支持基板グリーンシートに、焼成後の厚さが20μmとなるように印刷し、100℃で30分間乾燥させ、アノード層用グリーン層を形成した。
【0068】
(電解質層用グリーン層の形成)
上記で得たアノード層用グリーン層上に、上記8YSZ電解質層用ペーストをスクリーン印刷により、焼成後の厚さが5μmとなるように印刷し、100℃で30分間乾燥させ、電解質層用グリーン層を形成した。
【0069】
(バリア層用グリーン層の形成)
上記で得た電解質層用グリーン層上に、上記バリア層用ペーストをスクリーン印刷により、焼成後の厚さが3μm以下となるように印刷した。これを100℃で30分間乾燥させることによって、バリア層用グリーン層を形成した。
【0070】
(焼成)
バリア層用ペーストの乾燥後、上記で得たバリア層用グリーン層、電解質層用グリーン層、アノード層用グリーン層が形成されたアノード支持基板グリーンシートを、焼成後の1辺が60mmの正方形になるように打ち抜いた。打ち抜いた後、1300℃で2時間焼成してバリア層を有するハーフセル(多層焼成体)を得た。
【0071】
(ランタンストロンチウムコバルトフェライト(LSCF)(電子伝導体)の粉末材料の調製)
カソードの原料となる粉末材料として、市販の純度99.9%のLa23、SrCO3
、純度99%のCoO及びFe23の粉末を、元素比がLa0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8となるように混合した。得られた混合物にエタノールを加えて、これをボールミルで6時間粉砕混合した。次いで、得られた混合物を乾燥させてから、800℃で2時間仮焼した。仮焼後の混合物に対し、さらにエタノールを加えてボールミルで6時間粉砕混合してから、乾燥させた。その後、1200℃で混合物を5時間固相反応させることによって、粉末を得た。得られた粉末にエタノールを加え、さらにこれをボールミルで10時間粉砕混合してから乾燥させて、粉末を得た。なお、得られた粉末は、X線回折によって、ペロブスカイトからなる単一相であることが確認された。さらにその後、ボールミルを用い、回転数と回転時間を調製しながら粉砕することによって、BETによる比表面積が6.9m2
/gを有するLSCF(A1)粉末を得た。
【0072】
(カソード用ペーストの作製)
上記の方法で調製されたLSCF(A1)と、10モル%ガドリニアがドープされているセリア粉末(GDC(B1))(イオン伝導体)(AGCセイミケミカル社製、比表面積10m2/g)との混合粉末を、カソード粉末として用いた。LSCF(A1)80質
量部及びGDC(B1)20質量部に対して、バインダーとしてのエチルセルロース(和光純薬工業社製)が2質量部、溶剤としてのα-テルピネオール(和光純薬工業社製)が15質量部、可塑剤としてのジブチルフタレート(和光純薬工業社製)が15質量部及び分散剤としてのノニオン界面活性剤(日油社製、製品名「ノニオンOP-83RAT」)が2質量部の割合となるように加え、これを乳鉢を用いて混合した。その後、3本ロールミル(EXAKT technologies社製、型式「M-80S」、ロール材質:アルミナ)を用いて混練し、カソード用ペーストを得た。なお、調整したペーストについて、以下の(ペースト中の凝集物の最大粒子径の評価)に記載する方法により凝集物の最大粒子径を計測し、3本ロールミル間のギャップを調整することによって、グラインドメータで計測されるペースト中の凝集物の最大粒子径が25μm以下になるまで解砕/混練した。
【0073】
(ペースト中の凝集物の最大粒子径の評価)
凝集物の最大粒子径は JIS K5600-2-5.分散度に従い、グラインドメータを用いて測定した。すなわち、グラインドメータ(BYK社製)の溝にペーストを垂らし、スクレーバーを用いてしごき溝の中に厚さが連続して変化したペースト層を作る。この時、ペースト中の凝集物による顕著な斑点が現れ始めた箇所の層の厚さを読み取り、凝集物の最大粒子径とした。なお、この測定を3回行い、3回の平均値を求めてペースト中の凝集物の最大粒子径αとした。さらにペースト中の凝集物の最大粒子径αと、カソード粉末のBET比表面積から求まる1次粒子径βとの比(=α/β)から凝集度γを求めた。
【0074】
(カソードの形成)
上記バリア層を有するアノード支持型ハーフセルのバリア層面に、スクリーン印刷により、焼成後の厚さが25μmになるように、上記カソード用ペーストを10mm×10mmの正方形に塗布し、90℃で1時間乾燥させ、カソード層用グリーン層を形成した。このカソード層用グリーン層を、1050℃で2時間焼成し、実施例1に係るSOFC用単セルを得た。
【0075】
<実施例2及び3>
実施例1におけるカソード用ペーストの作製において、LSCF(A1)とGDC(B1)の混合比を変えたこと、すなわち、LSCF(A1)80質量部、GDC(B1)20質量部の代わりに、それぞれ、
実施例2においてはLSCF(A1)60質量部、GDC(B1)40質量部を用いたこと、
実施例3においてはLSCF(A1)40質量部、GDC(B1)60質量部を用いたこと、
以外は、実施例1と同様の方法で作製することにより、実施例2及び実施例3のSOFC用単セルを得た。ただし、実施例2及び3では、カソード用ペーストの作製において、グラインドメータで計測されるペースト中の凝集物の最大粒子径が25μm以下にならなかった場合には、3本ロールミル間のギャップを調整することに加えて、溶剤としてのα-テルピネオール、可塑剤としてのジブチルフタレート、分散剤としてのノニオン界面活性を適宜加えたりして、ペースト中の凝集物の最大粒子径が25μm以下になるまで解砕/混練した。なお、以下に記載の実施例及び比較例においても、同様の操作により、カソード用ペースト中の凝集物の最大粒子径が25μm以下になるまで解砕/混練した。
【0076】
<実施例4>
カソード用ペーストを2種類準備した。第1のカソード用ペーストは、実施例1におけるカソード用ペーストの作製において、LSCF(A1)80質量部、GDC(B1)20質量部の代わりに、LSCF(A1)20質量部、GDC(B1)80質量部を用いて作製された。第2のカソード用ペーストは、実施例1におけるカソード用ペーストの作製において、LSCF(A1)80質量部、GDC(B1)20質量部の代わりに、LSCF(A1)100質量部をカソード粉末として用いて作製された。次いで、カソードの形成を以下のように行った。なお、カソードの形成以外は、実施例1と同様の方法で実施例4のSOFC用単セルを作製したので、ここではカソードの形成についてのみ説明する。
【0077】
まず、上記バリア層を有するアノード支持型ハーフセルのバリア層面に、スクリーン印刷により、第1のカソード用ペースト(LSCF(A1):GDC(B1)=20質量部:80質量部)を、焼成後の厚さが10μmになるように、10mm×10mmの正方形に塗布し、90℃で1時間乾燥させ、カソード層用グリーン層(第1層)を形成した。ついで、カソード層用グリーン層(第1層)の上に、第2のカソード用ペースト(LSCF(A1):GDC(B1)=100質量部:0質量部)を、焼成後の厚さが25μmになるように、10mm×10mmの正方形に塗布し、90℃で1時間乾燥させ、カソード層用グリーン層(第2層)を形成した。これら2層のカソード用グリーン層を、1050℃で2時間焼成し、実施例4に係るSOFC用単セルを得た。
【0078】
<実施例5>
実施例1におけるカソード用ペーストの作製において、LSCF(A1)とGDC(B1)との混合粉末であるカソード粉末100質量部に、気孔形成剤としてのカーボンブラック(SECカーボン社製、SGPグレード)をさらに5質量部添加した以外は、実施例1と同様の方法で作製することにより、実施例5のSOFCを得た。
【0079】
<実施例6>
実施例1におけるカソード用ペーストの作製において、LSCF(A1)80質量部、GDC(B1)20質量部の代わりに、LSCF(A1)100質量部をカソード粉末として用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で作製することにより、実施例6のSOFC用単セルを得た。
【0080】
<比較例1>
実施例1におけるカソード用ペーストの作製において、LSCF(A1)80質量部、GDC(B1)20質量部の代わりに、LSCF(A1)20質量部、GDC(B1)80質量部を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で作製することにより、比較例1のSOFC用単セルを得た。
【0081】
<比較例2>
実施例1におけるカソードの形成において、焼成温度を1200℃で焼成した以外は、実施例1と同様の方法で作製することにより、比較例2のSOFC用単セルを得た。
【0082】
<比較例3>
実施例1におけるカソード用ペーストの作製において、LSCF(A1)とGDC(B1)との混合粉末であるカソード粉末100質量部に、気孔形成剤としてのカーボンブラック(SECカーボン社製、SGPグレード)をさらに15質量部添加した以外は、実施例1と同様の方法で作製することにより、比較例3のSOFCを得た。
【0083】
<比較例4>
実施例1におけるLSCFの粉末材料の調製において、焼成条件、ボールミルの回転数
及び回転時間を調製することによって、BET比表面積が2.3m2/gを有する、LS
CF(A2)粉末を得た。次に、カソード用ペーストの作製において、LSCF(A2)(電子伝導体)40質量部と、10モル%ガドリニアがドープされているセリア粉末(GDC(B2))(イオン伝導体)(AGCセイミケミカル製、比表面積53m2/g)6
0質量部との混合粉末をカソード粉末として用いた以外は、実施例1と同様の方法で作製することにより、比較例4のSOFC用単セルを得た。
【0084】
<電池性能評価試験1>
実施例1~6及び比較例1~4のSOFC用単セルについて、以下の方法で電池性能(発電性能)を評価した。SOFC用単セルのアノードに100mL/分の窒素を、カソードに100mL/分の空気を供給しつつ、100℃/時間の速度で測定温度(750℃)まで昇温した。昇温後、アノード、カソードの出口側のガスについて、流量計で、流量を測定し、漏れが無いことを確認した。次いで、常温で加湿した水素/窒素=3/97(vol%)の混合ガスを200mL/分の流量でアノードへ、空気を400mL/分の割合でカソードへ供給した。10分以上経過後に起電力が発生し、漏れが無いことを再度確認した。次いで、燃料利用率80%を模擬して、常温で加湿した水素/窒素=20/80(vol%)の混合ガスを200mL/分の流量でアノードへ供給し、起電力が安定してから、10分以上経過後に電流-電圧特性による電池性能評価試験を実施した。なお、電流-電圧特性の計測は、電流を一定値ずつ上昇させて行った。得られた電流-電圧特性から、0.4A/cm2における電圧を記録した。ただし、電流値に関わらず、電解質にダメ
ージを与えてしまうので電圧が0.5V以下になった時点で計測を中断し、電圧値を「0.5V以下」と評価した。結果を表1に示す。なお、測定に当たって、集電材として、アノードには200meshのニッケル網(株式会社ニラコ製、NI-318200)、カソードには100meshの白金網(株式会社ニラコ製、PT-358101)を接触させた。
【0085】
<カソードの電気抵抗率の測定1>
電池性能評価試験後の実施例1~6及び比較例1~4のSOFC用単セルについて、カソードの電気抵抗率の測定を、van der pauw法に則って行った。以下に具体的に説明する。なお、測定は常温にて行われた。
【0086】
1辺が10mmのカソードの正方形の頂点に、銀からなる端子を取り付けた。具体的には、端子として、導電性ペースト(藤倉化成株式会社、ドータイト type D-500)をカソードの正方形の頂点に塗布し、常温で乾燥させて端子とした。カソードの頂点に形成された4つの端子は、時計回りにA、B、C、Dとした。また、電気抵抗率の測定には、Solartron社製の1280型を使用した。
【0087】
まず、A-B間に電流を流し、C-D間に発生する電圧がおおよそ0.5VになるようにA-B間に流れる電流を調整し、流す電流の終点:IENDを求めた。次に、IENDを10で割り、増加させる電流値ΔIを求めた。次いで、0から終点:IENDまで、ΔIずつ電
流を増加させていき、各電流値において発生した電圧値を記録した。各電流値と各電圧値から最小二乗法により傾きを求め、その傾きから抵抗RAB,CDを算出した。同様にB-C
間に電流を流して、D-A間に発生する電圧を記録し、抵抗RBC,DAを求め、抵抗RAB,CD及び抵抗RBC,DAを用いて抵抗率ρ1を求めた。また、C-D間、D-A間にも電流を流して同様の測定を行って抵抗RCD,AB及び抵抗RDA,BCを求め、抵抗RCD,AB及び抵抗RDA,BCを用いて抵抗率ρ2を求めた。抵抗率ρ1と低効率ρ2との平均値を求め、その平均値を常
温でのカソードの抵抗率ρcとした。結果を表1に示す。なお、抵抗率の算出に当たり必
要なカソードの膜厚については、以下に記載するカソードの断面画像より求めた。
【0088】
なお、比較例1,3及び4の単セルでは、カソードの抵抗が高すぎて安定して電圧を測
定することができなかった。そこで、抵抗が高いことが原因で測定できない場合には、測定機器の仕様から電気抵抗率を1000Ω・cm(1kΩ・cm)超として処理した。
【0089】
<カソードの断面観察>
カソードの電気抵抗率測定後の実施例1~6及び比較例1~4の単セルについて、カソードが塗布されている面の中央部分を、長さ10mm、幅5mmになるように切り出し、樹脂包埋した後、上記の長さ部分の中央まで研磨することによって(長さ10mmの端から5mmを研磨することによって)、カソードの中央部分を5mmの幅で観察できる断面観察用樹脂包埋サンプルを作製した。観察には電解放出型走査電子顕微鏡(日本電子社製、JSM-7600F)を用い、その断面観察用樹脂包埋サンプルのカソードの断面画像を、同じ観察個所を含まないように、断面観察用樹脂包埋サンプルの任意の5点について取得した。
【0090】
<カソードの厚さの測定>
実施例1~6及び比較例1~4の各SOFC用単セルについて、上記方法で取得したカソードの断面画像について、画像解析ソフト(Media Cybernetics社製、Image Pro Plus バージョン4.0)を用いて、カソードの厚さを測定した。具体的には、バリア層(電解質層側)へ最も入り込んでいるLSCF粒子(第1LSCF粒子)と、そのLSCF粒子を通りかつ電解質層の表面に対して垂直方向に延びる線上にあるカソード表面とを結ぶ線分の長さから、カソードの厚さTC1を求めた。次いで、同じ視野内で、第1LSCF粒子から2μm以上離れて、2番目、3番目にバリア層(電解質層側)へ入り込んでいるLSCF粒子(第2LSCF粒子及び第3LSCF粒子)と、それら各LSCF粒子を通りかつ電解質層の表面に対して垂直方向に延びる線上にあるカソード表面とを結ぶ線分の長さから、それぞれのカソードの厚さTC2及びTC3を求めた。TC1、TC2及びTC3を平均して得られた値を、その視野におけるカソードの厚さとした。これを断面観察用樹脂包埋サンプルについて、取得した5視野に対して行い、5視野での平均値厚さをカソード厚さとした。結果を表1に示す。
【0091】
<カソードの気孔率の測定>
実施例1~6及び比較例1~4の各SOFC用単セルについて、上記方法で取得したカソードの断面画像について、画像解析ソフト(Media Cybernetics社製、Image Pro Plus バージョン4.0)を用いて、カソードの気孔率の測定を行った。具体的には、バリア層とカソードとの境界、カソード表面のそれぞれから2μm以上離れて、カソードの厚さ方向に10μm、カソードの層と平行な方向に(カソードの厚さ方向とは垂直の方向に)20μmの長方形の区画を作成し、画像解析ソフトを用いて、その長方形の区画内の充填されている部分と、気孔の部分とを分け、1視野内における気孔率を求めた。これを取得した5視野に対して行い、5視野の平均をカソードの気孔率とした。結果を表1に示す。なお、実施例4については、2層構造であるので、バリア層側、カソード表面側のそれぞれの層について、カソードの厚さ方向に5μm、カソードの層と平行な方向に(カソードの厚さ方向とは垂直の方向に)20μmの長方形の区画を作成し、得られたそれぞれの層の気孔率について厚さによる加重平均を行い、得られた平均値を1視野内における気孔率とした。
【0092】
表1には、実施例1~6及び比較例1~4の各SOFC用単セルについて、カソードの気孔率、カソードの電気抵抗率及び電池性能評価試験1での0.4A/cm2における電
圧の結果に加えて、使用したカソード粉末の組成及びカソード用ペーストの凝集度も示されている。
【0093】
表1に示すように、カソードの電気抵抗率が200Ω・cm以下であり、かつカソードの気孔率が5%以上72%未満の範囲内である実施例1~3、5及び6のSOFC用単セ
ルは、電池性能評価試験1での0.4A/cm2における電圧が0.7V以上を満たして
おり、優れた電池性能を示した。また、実施例4のカソードは2層構造であったが、カソード全体としての電気抵抗率が200Ω・cm以下を満たし、さらに気孔率も5%以上72%未満の範囲内であったので、電池性能評価試験1での0.4A/cm2における電圧
が0.7V以上を満たしており、優れた電池性能を示した。なお、実施例4のカソードは1層目の厚さが10μmであり、2層目の厚さが25μmであることから、カソード全体において、LSCF(A1)はLSCF(A1)とGDC(B1)との合計に対して、84.9質量%であった。一方、比較例1、3及び4のカソードは、抵抗が高すぎて測定できず、電気抵抗率は1000Ω・cmを超えていた。また、比較例2のカソードは気孔率が4%であり、5%未満であった。これらの理由から、比較例3のSOFC用単セルは電池評価試験1での0.4A/cm2における電圧が0.509V、比較例1、2及び4の
SOFC用単セルは電池性能評価試験1での電圧が0.5V以下であり、比較例1~4のSOFC用単セルは、実施例1~6のSOFC用単セルと比較して電池性能が低かった。
【0094】
【表1】
【0095】
<実施例7及び8、比較例5>
実施例7として、実施例1と同じカソード用ペーストを用いて、カソードの大きさが40mm×40mmのであるSOFC用単セルを作製した。具体的には、カソードの形成工程で、バリア層面に、スクリーン印刷により、焼成後の厚さが25μmになるように、カソード用ペーストを40mm×40mmの正方形に塗布した以外は、実施例1と同様の方法で作製することにより、実施例7のSOFCを得た。また、実施例8のカソードの作製には実施例3のカソード用ペーストを用い、比較例5のカソードの作製には比較例1のカソード用ペーストを用いて、実施例7と同様にカソードの大きさが40mm×40mmのであるSOFC用単セルを作製した。得られたSOFC用単セルについて、以下に説明する電池性能評価試験2により電池性能を評価し、さらに、以下に説明するカソードの電気抵抗率測定2によりカソードの電気抵抗率を測定した。なお、実施例7及び8、並びに比較例5のSOFC用単セルは、カソードの面積が実施例1~6及び比較例1~4のSOF
C用単セルよりも大きいので、電池性能評価方法及びカソードの電気抵抗率測定方法がこれらとは異なる。なお、カソードの厚さ及び気孔率の測定には、実施例1~6及び比較例1~4のSOFC用単セルの場合と同様の方法を用いた。
【0096】
<電池性能評価試験2>
SOFC用単セルのアノードに500mL/分の窒素を、カソードに500mL/分の空気を供給しつつ、100℃/時間の速度で測定温度(750℃)まで昇温した。昇温後、アノード及びカソードの出口側のガスについて、流量計で流量を測定し、漏れが無いことを確認した。次いで、常温で加湿した水素/窒素=3/97(vol%)の混合ガスを1L/分の流量でアノードへ、空気を1L/分の割合でカソードへ供給した。15分以上経過後に起電力が発生し、漏れが無いことを再度確認した。次いで、燃料利用率80%を模擬して、常温で加湿した水素/窒素=20/80(vol%)の混合ガスを1L/分の流量でアノードへ供給し、起電力が安定してから、15分以上経過後に電流-電圧特性による電池性能評価試験を実施した。なお、電流-電圧特性の計測は、電流を一定値ずつ上昇させて行った。得られた電流-電圧特性から、0.4A/cm2における電圧を記録し
た。ただし、電流値に関わらず、電解質にダメージを与えてしまうので電圧が0.5V以下になった時点で計測を中断し、電圧値を「0.5V以下」と評価した。
【0097】
<カソードの電気抵抗率測定2>
カソード電極の電気抵抗率の測定に当たっては、SOFC用単セルのカソードが形成されている40mm×40mmの領域において、1つの中心部分と4つの角の部分とをそれぞれ10×10mmに切り出して、それら5つの正方形区画の頂点に銀からなる端子を取り付け、カソードの電気抵抗率測定1の場合と同様の方法により評価を行った。なお、測定は常温にて行われた。電気抵抗率の平均及び標準偏差の算出に当たっては、5区画の場合は切り出した全ての区画について算出し、3区画の場合は中心部分の1区画と、4つの角の部分の区画から任意に選択された2つの区画とについて算出した。結果を表2に示す。
【0098】
表2には、実施例7及び8、並びに比較例5の各SOFC用単セルについて、カソードの気孔率、カソードの電気抵抗率及び電池性能評価試験での0.4A/cm2における電
圧の結果に加えて、使用したカソード粉末の組成及びカソード用ペーストの凝集度も示されている。また、表2に示されているカソードの気孔率は、実施例1~6及び比較例1~4のSOFC用単セルの場合と同様に、上記で説明した方法で求められた値である。
【0099】
表2に示すように、実施例7及び8のSOFC用単セルは、電池性能評価試験1での0.4A/cm2における電圧が0.7V以上を満たしていた。この結果から、カソードの
面積が大きいものであっても、3区画及び5区画の電気抵抗率の平均値が共に200Ω・cm以下であり、さらに気孔率が5%以上72%未満の範囲を満たすことにより、優れた電池性能を有するSOFC用単セルが得られることが確認された。一方、比較例5のSOFC用単セルのカソードは、3区画及び5区画の電気抵抗率の平均値が共に1000Ω・cmを超えており、電池性能評価試験1での電圧が0.5V以下と、実施例7及び8のSOFC用単セルと比較して電池性能が低かった。また、実施例7及び8のカソードは、3区画及び5区画の電気抵抗率の標準偏差が共に小さく、すなわちカソード内の電気抵抗率のバラツキが小さいので、カソード全体で高い集電効率を実現することが可能である。
【0100】
【表2】
【0101】
<実施例9及び比較例6>
実施例1及び比較例1のカソード用ペーストの作製工程において、GDC(B1)粉末の代わりに、10モル%サマリアがドープされているセリア粉末(SDC)(AGCセイミケミカル製、比表面積9.8m2/g)を用いたこと以外は、実施例1及び比較例1と
同様の方法で作製することにより、実施例9及び比較例6のSOFC用単セルをそれぞれ得た。実施例9及び比較例6のSOFC用単セルについて、実施例1及び比較例1と同様の方法で測定された、カソード用ペーストの凝集度、カソードの気孔率、カソードの電気抵抗率及び電池性能評価試験0.4A/cm2における電圧の結果を、表3に示す。
【0102】
<実施例10及び比較例7>
実施例1及び比較例1のカソード用ペーストの作製工程において、LSCF(A1)の代わりに、LSCFのAサイトを欠損させたL‘SCF(元素比:La0.57Sr0.38Co0.2Fe0.8、比表面積7.2m2/g)を用いたこと以外は、実施例1及び比較例1と同
様の方法で作製することにより、実施例10及び比較例7のSOFC用単セルをそれぞれ得た。実施例10及び比較例7のSOFC用単セルについて、実施例1及び比較例1と同様の方法で測定されたカソード用ペーストの凝集度、カソードの気孔率、カソードの電気抵抗率及び電池性能評価試験0.4A/cm2における電圧の結果を、表3に示す。
【0103】
<実施例11及び比較例8>
実施例1及び比較例1のカソード用ペーストの作製工程において、LSCF(A1)の代わりにランタンストロンチウムコバルタイト(LSC(元素比:La0.6Sr0.4Co1.0、比表面積7.1m2/g))を用いたこと以外は、実施例1及び比較例1と同様の方法で作製することにより、実施例11及び比較例8のSOFC用単セルをそれぞれ得た。実施例11及び比較例8のSOFC用単セルについて、実施例1及び比較例1と同様の方法で測定された、カソード用ペーストの凝集度、カソードの気孔率、カソードの電気抵抗率及び電池性能評価試験における電圧の結果を、表3に示す。
【0104】
<実施例12及び比較例9>
実施例1及び比較例1のカソード用ペーストの作製工程において、LSCF(A1)の代わりにランタンストロンチウムフェライト(LSF(元素比:La0.6Sr0.4Fe1.0
、比表面積6.8m2/g))を用いたこと以外は、実施例1及び比較例1と同様の方法
で作製することにより、実施例12及び比較例9のSOFC用単セルをそれぞれ得た。実施例12及び比較例9のSOFC用単セルについて、実施例1及び比較例1と同様の方法で測定された、カソード用ペーストの凝集度、カソードの気孔率、カソードの電気抵抗率
及び電池性能評価試験における電圧の結果を、表3に示す。
【0105】
<実施例13及び比較例10>
実施例1及び比較例1のカソード用ペーストの作製工程において、LSCF(A1)の代わりにランタンストロンチウムマンガナイト(LSM(元素比:La0.8Sr0.2Mn1.0、比表面積7.4m2/g))、GDC(B1)の代わりに10Sc1CeSZ(Sc2
3が10mol%、CeO2が1mol%ドープされたZrO2、第一稀元素化学工業製
、ただし、購入後、ボールミル処理により比表面積を11m2/gに調整したもの)を、
表3に示す混合比で混合してカソード粉末として用いてカソード用ペーストを作製し、それを用いてカソードを形成したこと以外は、実施例1及び比較例1と同様の方法で作製することにより、実施例13及び比較例10のSOFC用単セルをそれぞれ得た、実施例13及び比較例10のSOFC用単セルについて、実施例1及び比較例1と同様の方法で測定された、カソード用ペーストの凝集度、カソードの気孔率、カソードの電気抵抗率及び電池性能評価試験における電圧の結果を、表3に示す。
【0106】
表3に示す実施例9~13及び比較例6~10の結果から、カソードを構成する電子伝導体及びイオン伝導体を実施例1~8で用いたLSCF及びGDCから変更した場合でも、カソードの電気抵抗率が200Ω・cm以下であり、かつ気孔率が5%以上72%未満を満たすことにより、優れた電池性能を有するSOFC用単セルを実現できることが確認された。
【0107】
【表3】
【産業上の利用可能性】
【0108】
本発明のSOFC用単セル及びSOFC用カソードによれば、SOFCの発電性能を向上させることができる。したがって、本発明は、SOFCの高性能化に寄与できるものである。
【符号の説明】
【0109】
1 SOFC用単セル
11 アノード
12 カソード
13 電解質層
14 バリア層
111 アノード支持基板
112 アノード層
21 測定サンプル
22 測定サンプルにおけるカソード
図1
図2