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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-06-20
(45)【発行日】2022-06-28
(54)【発明の名称】シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法
(51)【国際特許分類】
G21K 4/00 20060101AFI20220621BHJP
G01T 1/20 20060101ALN20220621BHJP
【ＦＩ】
G21K4/00 A
G01T1/20 G
G01T1/20 E
G01T1/20 L
【請求項の数】
11
(21)【出願番号】P 2021516707
(86)(22)【出願日】2021-03-22
(86)【国際出願番号】 JP2021011637
(87)【国際公開番号】W WO2021200327
(87)【国際公開日】2021-10-07
【審査請求日】2022-02-04
(31)【優先権主張番号】P 2020059633
(32)【優先日】2020-03-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000003159
【氏名又は名称】東レ株式会社
(72)【発明者】
【氏名】宮尾 将
(72)【発明者】
【氏名】大倉 夏美
(72)【発明者】
【氏名】松村 和行
【審査官】大門 清
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１９－０６０８２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－００２６２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－０６１４９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１９０８７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１６／０２１５４０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１４／０６９２８４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０３７８０３３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１０４５１６００９（ＣＮ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１８－０００１９４６（ＫＲ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ２１Ｋ ４／００
Ｇ０１Ｔ １／２０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板の上に形成された隔壁と、前記隔壁によって区画された、蛍光体を有するシンチレータ層とを備えるシンチレータパネルであって、前記隔壁がポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）を含み、前記化合物（Ｐ）の分子鎖末端がカルボン酸残基である、シンチレータパネル。
【請求項2】
基板と、前記基板の上に形成された隔壁と、前記隔壁によって区画された、蛍光体を有するシンチレータ層とを備えるシンチレータパネルであって、前記隔壁がポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）を含み、前記化合物（Ｐ）が分子鎖内にフェノール性水酸基由来の構造を有する、シンチレータパネル。
【請求項3】
前記化合物（Ｐ）が分子鎖内にフェノール性水酸基由来の構造を有する、請求項１に記載のシンチレータパネル。
【請求項4】
前記隔壁がさらにエポキシ化合物由来の構造を含む請求項１～３のいずれかに記載のシンチレータパネル。
【請求項5】
化合物（Ｐ）を１ｍｏｌとした際、エポキシ化合物由来の構造の含有量が３ｍｏｌ以上２５ｍｏｌ以下相当である請求項４に記載のシンチレータパネル。
【請求項6】
前記隔壁の表面に金属を含有する反射層を有する請求項１～５のいずれかに記載のシンチレータパネル。
【請求項7】
前記反射層の表面に、保護層を有する請求項６に記載のシンチレータパネル。
【請求項8】
前記保護層の表面に、第二の反射層を有する請求項７に記載のシンチレータパネル。
【請求項9】
前記隔壁の底部幅Ｌ３に対する隔壁の高さＬ１のアスペクト比（Ｌ１／Ｌ３）が５．０以上であり、底部幅Ｌ３と前記隔壁の頂部幅Ｌ４の比率（Ｌ４／Ｌ３）が０．５以上である請求項１～８いずれか記載のシンチレータパネル。
【請求項10】
基板上に隔壁を形成し、セルを区画する隔壁形成工程と、前記隔壁の表面に金属反射層を形成する反射層形成工程と、前記隔壁で区画されたセル内に蛍光体を充填する充填工程とを含み、前記隔壁はポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）並びにエポキシ化合物由来の構造を含有し、前記化合物（Ｐ）の分子鎖末端がカルボン酸残基である、シンチレータパネルの製造方法。
【請求項11】
基板上に隔壁を形成し、セルを区画する隔壁形成工程と、前記隔壁の表面に金属反射層を形成する反射層形成工程と、前記隔壁で区画されたセル内に蛍光体を充填する充填工程とを含み、前記隔壁はポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）並びにエポキシ化合物由来の構造を含有し、前記化合物（Ｐ）が分子鎖内にフェノール性水酸基由来の構造を有する、シンチレータパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はシンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、医療現場において、フィルムを用いた放射線画像が広く用いられている。しかし、フィルムを用いた放射線画像は、アナログ画像情報である。そのため、近年、平板放射線検出器（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｅｔｅｃｔｏｒ：以下、「ＦＰＤ」）等のデジタル方式の放射線検出器が開発されている。ＦＰＤは、放射線を可視光に変換するために、シンチレータパネルが使用される。シンチレータパネルは、放射線蛍光体を含む。照射された放射線に応じて、放射線蛍光体は、可視光を発する。発光した光は、ＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）によって電気信号に変換され、放射線の情報がデジタル画像情報に変換される。しかし、シンチレータパネルには、放射線蛍光体から発光した光が、蛍光体を含有する層（蛍光体層）内で散乱し、得られる画像の鮮鋭度が低下するという課題がある。
【0003】
そこで、発光した光の散乱の影響を小さくするために、隔壁により区画された空間内に蛍光体を充填する方法が提案されている。隔壁の材料としては、ガラス（特許文献１）や樹脂（特許文献２）によるものが提案されている。蛍光体から出た光の散乱は隔壁で抑制されることにより、高い鮮鋭度のＸ線画像を得ることが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１９－１６８３４８号公報
【文献】特開２００４－３４０７３７号公報
【文献】特開２０１９－１９０８７０号公報
【非特許文献】
【0005】
【文献】Ｊ．Ｈ．Ｄａｎｉｅｌ著「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｈｉｇｈ ａｓｐｅｃｔ－ｒａｔｉｏ ｐｏｌｙｍｅｒ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｆｏｒｌａｒｇｅ－ａｒｅａ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｏｒｔａｌ Ｘ－ｒａｙ ｉｍａｇｅｒｓ」ＥＬＳＥＶＩＥＲ、２００７年６月２８日オンライン公開、ｐ．１８５－１９３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、これらの方法では、隔壁を有しないシンチレータパネルと比較して、隔壁の体積に相当する分だけ蛍光体の量が減少する。また、隔壁で光が部分的に吸収されてしまう。これらのことから、蛍光体による発光量が低下し、Ｘ線画像の鮮鋭度は向上するが、画像の輝度が低下するという問題があった。
【0007】
また、非特許文献１に記載のエポキシ樹脂のみを用いた隔壁を有するシンチレータパネルは、機械強度が不十分であり、シンチレータパネルの製造工程において、隔壁に破断や欠損が生じるという課題があった。
【0008】
そこで本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたものであり、隔壁を有する方式のシンチレータパネルにおいて、機械強度が十分であるとともに、輝度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
すなわち本発明は、基板と、前記基板の上に形成された隔壁と、前記隔壁によって区画された、蛍光体を有するシンチレータ層と、を備えるシンチレータパネルであって、前記隔壁が、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）を含み、前記化合物（Ｐ）の分子鎖末端がカルボン酸残基である、シンチレータパネルである。また、本発明は、基板と、前記基板の上に形成された隔壁と、前記隔壁によって区画された、蛍光体を有するシンチレータ層と、を備えるシンチレータパネルであって、前記隔壁が、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）を含み、前記化合物（Ｐ）が分子鎖内にフェノール性水酸基由来の構造を有する、シンチレータパネルである。
【0010】
また本発明は、基板上に隔壁を形成し、セルを区画する隔壁形成工程と、前記隔壁の表面に金属反射層を形成する反射層形成工程と、前記隔壁で区画されたセル内に蛍光体を充填する充填工程と、を含み、前記隔壁はポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）並びにエポキシ化合物由来の構造を有するシンチレータパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、隔壁を有する方式のシンチレータパネルの隔壁の機械強度が十分であるとともに、輝度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
（シンチレータパネル）
以下、図面を用いて本発明に係るシンチレータパネルの実施の形態について説明する。なお、図面は模式的なものである。また、本発明は、以下に説明する実施の形態によって限定されるものではない。
以下、図面を用いて本発明に係るシンチレータパネルの実施の形態について説明する。なお、図面は模式的なものである。また、本発明は、以下に説明する実施の形態によって限定されるものではない。
【0014】
図１は、本発明の実施の形態に係るシンチレータパネル２を含む放射線検出器用部材１を模式的に表した断面図である。放射線検出器用部材１は、シンチレータパネル２、出力基板３を有する。シンチレータパネル２は、基板４と、隔壁５と、隔壁５によって区画されたセル内の蛍光体層６を有する。隔壁５の表面には金属反射層（以下、「第１反射層」と称することがある。）１１が形成され、その表面には保護層１２が設けられている。保護層１２の表面には、さらに、第２反射層１３が設けられている。蛍光体層６には、蛍光体１４とバインダー樹脂１５が含まれている。出力基板３は、基板１０と、基板１０上に形成された出力層９と、出力層９上に形成されたフォトダイオードを有する光電変換層８とを有する。光電変換層８上には、隔膜層７が設けられてもよい。シンチレータパネル２の出光面と出力基板３の光電変換層８とは、隔膜層７を介して接着または密着されていることが好ましい。蛍光体層６で発光した光は、光電変換層８に到達して光電変換され、出力される。以下、それぞれについて説明する。
【0015】
（基板）
基板４を構成する材料は、放射線透過性を有する材料であることが好ましい。基板４を構成する材料は、例えば、各種のガラス、高分子材料、金属等である。ガラスは、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等である。高分子材料は、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネート、炭素繊維強化樹脂等である。金属は、アルミニウム、鉄、銅等である。これらは二種以上を併用されてもよい。これらの中でも、基板４を構成する材料は、放射線の透過性、表面の平滑性の観点からガラス、高分子材料であることが好ましく、高分子材料であることがより好ましい。高分子材料の中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリアミド、ポリイミドであることが好ましい。
基板４を構成する材料は、放射線透過性を有する材料であることが好ましい。基板４を構成する材料は、例えば、各種のガラス、高分子材料、金属等である。ガラスは、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等である。高分子材料は、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネート、炭素繊維強化樹脂等である。金属は、アルミニウム、鉄、銅等である。これらは二種以上を併用されてもよい。これらの中でも、基板４を構成する材料は、放射線の透過性、表面の平滑性の観点からガラス、高分子材料であることが好ましく、高分子材料であることがより好ましい。高分子材料の中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリアミド、ポリイミドであることが好ましい。
【0016】
基板４の厚みは、シンチレータパネル２の軽量化の観点から、ガラス基板の場合は２．０ｍｍ以下であることが好ましく、１．０ｍｍ以下であることがより好ましい。また、基板４の厚みは、高分子材料からなる基板の場合は、３．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【0017】
（隔壁）
隔壁５は、少なくとも区画された空間（セル）を形成するために設けられる。そのため、シンチレータパネル２においては、格子状に配置された光電変換素子の画素の大きさ及びピッチと、シンチレータパネル２のセルの大きさ及びピッチとを一致させることにより、光電変換素子の各画素と、シンチレータパネル２の各セルとを対応づけることができる。これにより、シンチレータパネル２を用いると、高鮮鋭度の画像が得られる。
隔壁５は、少なくとも区画された空間（セル）を形成するために設けられる。そのため、シンチレータパネル２においては、格子状に配置された光電変換素子の画素の大きさ及びピッチと、シンチレータパネル２のセルの大きさ及びピッチとを一致させることにより、光電変換素子の各画素と、シンチレータパネル２の各セルとを対応づけることができる。これにより、シンチレータパネル２を用いると、高鮮鋭度の画像が得られる。
【0018】
隔壁５は、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）（以下、単に「化合物（Ｐ）」と称することがある。）を含む。本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、化合物（Ｐ）を含有する隔壁を備えることにより、輝度を向上させることができる。その原理は主に以下の２点にあると考えられる。ただし以下の推定原理に限定されるものではない。また、以下の２点の両方ともに該当しなければならないわけでもない。
【0019】
化合物（Ｐ）を含有する隔壁は、ガラス等からなる隔壁と比べて、微細でアスペクト比の高いパターン形状とすることができる。したがって、シンチレータ層内の蛍光体の充填量を増加させ、輝度を向上させることができる。
【0020】
また、化合物（Ｐ）を有する隔壁は表面平滑性に優れる。これは、化合物（Ｐ）が耐熱性、機械特性および耐薬品性に優れることから、後述する隔壁の製造工程およびその他のシンチレータパネルの製造工程において外部からの化学的および機械的なダメージを受けにくく、それに伴う隔壁の変形や破断、欠損が生じにくいためであると推測される。また、隔壁が表面平滑性に優れていると、隔壁表面における光の反射率を高めることができる。あるいは、隔壁表面に反射層を形成する場合に、平滑性の高い反射層を形成することができる。以上から、蛍光体の発光の取り出し効率が向上し、輝度を向上させることができる。
【0021】
化合物（Ｐ）の中でも、耐熱性、耐薬品性および機械強度の観点から、ポリイミドであることが好ましい。
【0022】
隔壁の表面平滑性は、既存の表面粗さ計測方法により評価することが出来る。表面粗さ計測方法には、触針式のもの、光干渉によるもの、レーザー顕微鏡によるものが挙げられるが、隔壁の側面のように入り組んだ構造の表面粗さを評価するには、レーザー顕微鏡による方法が好ましく用いられる。表面粗さの評価指標としては、表面形状を測定した曲線の各微小部分がなす傾き（傾斜角）を算術平均した算術平均傾斜角が好ましく用いられる。算術平均傾斜角の値が小さいほど、表面形状が平滑である。
【0023】
化合物（Ｐ）を用いた感光性樹脂組成物を作製する場合、感光性材料の成分は特に限定されない。一例を挙げると、化合物（Ｐ）に多官能アクリルモノマーと光ラジカル重合開始剤を添加した光ラジカル重合性ネガ型感光性樹脂組成物、化合物（Ｐ）にエポキシ化合物と光カチオン性重合開始剤を添加した光カチオン重合性ネガ型感光性樹脂組成物、化合物（Ｐ）にナフトキノン系感光剤を添加した光可溶化ポジ型感光性樹脂組成物、などが挙げられる。これらの中でも、特に、エポキシ化合物を含有した光カチオン重合性ネガ型感光性樹脂組成物は、高いアスペクト比を有する隔壁を形成できるため好ましい。
【0024】
化合物（Ｐ）は、下記一般式（１）～（２）で表される構造から選ばれる少なくとも１種類の繰り返し単位構造を有する化合物であることが好ましい。
【0025】
【化1】
【0026】
一般式（１）～（２）中、Ｘ１は２～８価の有機基を示し、Ｘ２は４～８価の有機基を示し、Ｙ１およびＹ２はそれぞれ独立に２～６価の有機基を示し、Ｒ１は水素原子または炭素数１～２０の炭化水素基を示す。ｑは０～２の整数であり、ｒ、ｓ、ｔおよびｕはそれぞれ独立に０～４の整数である。
【0027】
Ｙ１およびＹ２はジアミン由来の有機基を表している。Ｙ１およびＹ２は炭化水素基を含有していることが好ましく、芳香族炭化水素基または脂環式炭化水素基を含有することがより好ましい。芳香族炭化水素基または脂環式炭化水素基を含有することで、樹脂の耐熱性がより向上するため、後述するシンチレータパネルの製造工程においても、隔壁の形状や平滑性を維持することが出来る。Ｙ１およびＹ２が含有する炭化水素基の炭素数は５～４０が好ましい。
【0028】
Ｙ１およびＹ２は、フェノール性水酸基由来の構造を有するジアミン残基であることが好ましい。フェノール性水酸基由来の構造を有するジアミン残基を含有する、すなわち、化合物（Ｐ）を含有する感光性樹脂組成物が、フェノール性水酸基を有するジアミン残基を含有することで、樹脂のアルカリ現像液への適度な溶解性が得られるため、露光部と未露光部の高いコントラストが得られ、所望のパターンが形成できる。フェノール性水酸基由来の構造とは、具体的には、芳香環を含むエーテル結合やウレタン結合を意味し、フェノール性水酸基がエポキシやオキセタン等の環状エーテル化合物、イソシアネート化合物等と反応することで形成される。
【0029】
フェノール性水酸基を有するジアミンの具体的な例としては、例えば、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）メチレン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシ）ビフェニル、２,２’－ジトリフルオロメチル－５,５’－ジヒドロキシル－４,４’－ジアミノビフェニル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）フルオレン、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－５，５’－ジヒドロキシベンジジンなどの芳香族ジアミンや、これらの芳香族環や炭化水素の水素原子の一部を、炭素数１～１０のアルキル基やフルオロアルキル基、ハロゲン原子などで置換した化合物、また、下記に示す構造を有するジアミンなどを挙げることができるが、これらに限定されない。また、これら２種以上のジアミン成分を含有していてもよい。
【0030】
【化2】
【0031】
【化3】
【0032】
化合物（Ｐ）は、これら以外の芳香族ジアミン残基を含んでもよい。芳香族ジアミンの具体的な例としては、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－フェニレンジアミン、１，５－ナフタレンジアミン、２，６－ナフタレンジアミン、ビス（４－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス｛４－（４－アミノフェノキシ）フェニル｝エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジエチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’，３，３’－テトラメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’，４，４’－テトラメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニルなどの芳香族ジアミンや、これらの芳香族環や炭化水素の水素原子の一部を、炭素数１～１０のアルキル基やフルオロアルキル基、ハロゲン原子などで置換した化合物などを挙げることができるが、これらに限定されない。また、これら２種以上のジアミン成分を含有していても用いてもよい。
【0033】
Ｘ１およびＸ２はカルボン酸残基を表している。Ｘ１およびＸ２は炭化水素基を含有していることが好ましく、芳香族炭化水素基または脂環式炭化水素基を含有することがより好ましい。芳香族炭化水素基または脂環式炭化水素基を含有することで、樹脂の耐熱性がより向上するため、後述するシンチレータパネルの製造工程においても、隔壁の形状や平滑性を維持することが出来る。
【0034】
さらに、後述する隔壁形成の際に使用する波長に対する樹脂の色が透明であり、厚膜で微細なパターン加工が可能となる点から、脂環式炭化水素基を含有することがより好ましい。
【0035】
Ｘ１およびＸ２が含有する炭化水素基の炭素数は５～４０が好ましい。炭化水素基を含有するカルボン酸としてより好ましくは、炭素および水素を必須の原子として含み、窒素、酸素およびハロゲンからなる群より選ばれる一種以上の原子を有していてもよいカルボン酸が挙げられる。
【0036】
炭化水素基を含有するカルボン酸の具体例としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス（カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、トリフェニルジカルボン酸、５－［２，２，２－トリフルオロ－１－ヒドロキシ－１－（トリフルオロメチル）エチル］－１，３－ベンゼンジカルボン酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸、ビフェニルトリカルボン酸、ピロメリット酸、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタン、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸、４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸、１，２，３，６－テトラヒドロ無水フタル酸、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、１，２，３，４－ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５（テトラヒドロ－２,５－ジオキソ－３－フラニル）ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１,３－ジオン、５－ノルボルネン－２,３－ジカルボン酸無水物および下記に示す構造のような芳香族テトラカルボン酸や、ブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸などの脂肪族テトラカルボン酸などを挙げることができるが、これらに限定されない。また、カルボン酸成分これら２種以上のカルボン酸成分を含有していても用いてもよい。
【0037】
【化4】
【0038】
また、上記一般式（１）中、Ｒ１は水素原子または炭素数１～２０の炭化水素基を示す。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は直鎖でも分岐していてもよく、一部または全体が環状であってもよい。芳香族炭化水素基は水素の少なくとも一部が脂肪族炭化水素により置換されていてもよい。
【0039】
一般式（１）～（２）で表される構造のモル比は、重合する際に用いるモノマーのモル比から算出する方法や、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて、得られた樹脂、樹脂組成物、硬化膜におけるポリアミド構造やイミド前駆体構造、イミド構造、オキサゾール構造のピークを検出する方法において確認できる。
【0040】
化合物（Ｐ）は分子鎖末端がカルボン酸残基であることが好ましい。化合物（Ｐ）の分子鎖末端がカルボン酸残基に由来する構造であることによって、化合物（Ｐ）を含有した光カチオン重合性樹脂組成物とした場合であっても、分子鎖末端がジアミン残基に由来する構造と比較して、カチオン重合が進行しやすく、所望の形状の隔壁が形成しやすくなる。結果として、蛍光体の充填量をより増加させ、輝度をより向上させることができる。このような化合物（Ｐ）は、重合の際に用いるジアミンに対して酸無水物の含有量を多くすることで得ることができる。分子鎖末端がカルボン酸残基である化合物（Ｐ）を得る別の方法として、一般に末端封止剤として用いられる化合物の中から特定の化合物、具体的には、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物を用いることによっても得る事ができる。
【0041】
また、化合物（Ｐ）の分子鎖末端を水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基、ビニル基、エチニル基、またはアリル基を有するカルボン酸または酸無水物の末端封止剤により封止することで、化合物（Ｐ）のアルカリ水溶液に対する溶解速度や得られる硬化膜の機械特性を好ましい範囲に容易に調整することができる。また、複数の末端封止剤を反応させ、複数の異なる末端基を導入してもよい。
【0042】
末端封止剤としての酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、３－ヒドロキシフタル酸無水物などの酸無水物、３－カルボキシフェノール、４－カルボキシフェノール、３－カルボキシチオフェノール、４－カルボキシチオフェノール、１－ヒドロキシ－７－カルボキシナフタレン、１－ヒドロキシ－６－カルボキシナフタレン、１－ヒドロキシ－５－カルボキシナフタレン、１－メルカプト－７－カルボキシナフタレン、１－メルカプト－６－カルボキシナフタレン、１－メルカプト－５－カルボキシナフタレン、３－カルボキシベンゼンスルホン酸、４－カルボキシベンゼンスルホン酸などのモノカルボン酸類およびこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、１，５－ジカルボキシナフタレン、１，６－ジカルボキシナフタレン、１，７－ジカルボキシナフタレン、２，６－ジカルボキシナフタレンなどのジカルボン酸類の一方のカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物とＮ－ヒドロキシベンゾトリアゾールやイミダゾール、Ｎ－ヒドロキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物などが好ましい。これらを２種以上用いてもよい。
【0043】
これらの末端封止剤を導入した化合物（Ｐ）は、分子鎖末端がカルボン酸残基である化合物となる。そして分子鎖末端がカルボン酸残基である化合物（Ｐ）を得るために用いることのできる末端封止剤は、以下の方法で容易に検出できる。例えば、末端封止剤が導入された化合物（Ｐ）を、酸性溶液に溶解し、構成単位であるアミン成分と酸無水物成分に分解し、これをガスクロマトグラフィー（ＧＣ）や、ＮＭＲにより、本発明に使用された末端封止剤を容易に検出できる。これとは別に、末端封止剤が導入された樹脂成分を直接、熱分解ガスクロマトグラフ（ＰＧＣ）や赤外スペクトルおよび１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルで測定することによっても、容易に検出できる。
【0044】
化合物（Ｐ）の合成方法については、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールを例として次の方法により合成されるが、これに限定はされない。ポリイミド構造は、ジアミンの一部を末端封止剤である１級モノアミンに置き換えて、または、テトラカルボン酸二無水物を、末端封止剤であるジカルボン酸無水物に置き換えて、公知の方法で合成される。例えば、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とモノアミンを反応させる方法、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジカルボン酸無水物とジアミン化合物を反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後ジアミンとモノアミンと縮合剤の存在下で反応させる方法などの方法を利用して、ポリイミド前駆体を得る。その後、公知のイミド化反応法を利用してポリイミドを合成することができる。
【0045】
ポリベンゾオキサゾール構造はビスアミノフェノール化合物とジカルボン酸を縮合反応させることで合成される。例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）のような脱水縮合剤と酸を反応させ、ここにビスアミノフェノール化合物を加える方法、ピリジンなどの３級アミンを加えたビスアミノフェノール化合物の溶液にジカルボン酸ジクロリドの溶液を滴下する方法などを利用してポリベンゾオキサゾール前駆体を得る。その後、公知の縮合反応法を利用してポリベンゾオキサゾールを合成することができる。 化合物（Ｐ）は、上記の方法で重合させた後、多量の水またはメタノールおよび水の混合液などに投入し、沈殿させて濾別乾燥し、単離することが好ましい。乾燥温度は４０～１００℃が好ましく、より好ましくは５０～８０℃である。この操作によって未反応のモノマーや、２量体や３量体などのオリゴマー成分が除去され、熱硬化後の膜特性を向上させることができる。
【0046】
ポリイミド、ポリアミドイミドのイミド化率は、例えば以下の方法で容易に求めることができる。まず、ポリマーの赤外吸収スペクトルを測定し、ポリイミド、ポリアミドイミドに起因するイミド構造の吸収ピーク（１７８０ｃｍ－１付近、１３７７ｃｍ－１付近）の存在を確認する。次に、そのポリマーを３５０℃で１時間熱処理したもののイミド化率を１００％のサンプルとして赤外吸収スペクトルを測定し、熱処理前後の樹脂の１３７７ｃｍ－１付近のピーク強度を比較することによって、熱処理前樹脂中のイミド基の含量を算出し、イミド化率を求める。熱硬化時の閉環率の変化を抑制し、低応力化の効果が得られるため、イミド化率は５０％以上が好ましく、８０％以上がさらに好ましい。
【0047】
（エポキシ化合物）
隔壁５はさらにエポキシ化合物由来の構造を含む、すなわち、化合物（Ｐ）を含有する感光性樹脂組成物が、エポキシ化合物を含有することが好ましい。エポキシ化合物は化合物（Ｐ）の耐熱性と機械強度を損なうことなく、加工性をより向上させることができるので、後述する所望の形状の隔壁が形成しやすくなる。これにより、蛍光体の充填量をより増加させ、輝度をより向上させることができる。エポキシ化合物由来の構造とは、具体的には、エポキシが開環することによって生じる非環状のエーテル結合、または、水酸基を意味し、エポキシ化合物の重合やフェノール性水酸基等の付加反応等で形成される。
隔壁５はさらにエポキシ化合物由来の構造を含む、すなわち、化合物（Ｐ）を含有する感光性樹脂組成物が、エポキシ化合物を含有することが好ましい。エポキシ化合物は化合物（Ｐ）の耐熱性と機械強度を損なうことなく、加工性をより向上させることができるので、後述する所望の形状の隔壁が形成しやすくなる。これにより、蛍光体の充填量をより増加させ、輝度をより向上させることができる。エポキシ化合物由来の構造とは、具体的には、エポキシが開環することによって生じる非環状のエーテル結合、または、水酸基を意味し、エポキシ化合物の重合やフェノール性水酸基等の付加反応等で形成される。
【0048】
化合物（Ｐ）の特性を損なわないために、感光性樹脂組成物中のエポキシ化合物の含有量は質量分率で化合物（Ｐ）の含有量の２．０倍を超えないことが好ましい。感光性樹脂組成物が化合物（Ｐ）、エポキシ化合物以外の成分を含有する場合は、それらの含有量の合計が、質量分率で化合物（Ｐ）とエポキシ化合物の合計量を超えないことが好ましい。
【0049】
エポキシ化合物としては、公知のもの等が使用でき、芳香族エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物及び脂肪族エポキシ化合物が含まれる。
【0050】
芳香族エポキシ化合物としては、少なくとも１個の芳香環を有する１価又は多価のフェノール（フェノール、ビスフェノールＡ、フェノールノボラック及びこれらのアルキレンオキシド付加体した化合物）のグリシジルエーテル等が挙げられる。
【0051】
脂環式エポキシ化合物としては、少なくとも１個のシクロヘキセンやシクロペンテン環を有する化合物を酸化剤でエポキシ化することによって得られる化合物（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、等）が挙げられる。
【0052】
脂肪族エポキシ化合物としては、脂肪族多価アルコール又はこのアルキレンオキシド付加体のポリグリシジルエーテル（１，４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等）、脂肪族多塩基酸のポリグリシジルエステル（ジグリシジルテトラヒドロフタレート等）、長鎖不飽和化合物のエポキシ化物（エポキシ化大豆油及びエポキシ化ポリブタジエン等）が挙げられる。
【0053】
ポリイミドとの相溶性が向上し、微細なパターン加工性が得られ、また、ポリイミドの良好な耐熱性や機械特性を低下させない観点から、窒素原子を含有するエポキシ化合物が好ましい。さらに、樹脂組成物とした際の保存安定性が向上する点より、イソシアヌレート骨格を含有するエポキシ化合物が好ましい。
【0054】
イソシアヌレート骨格を含有するエポキシ化合物としては、例えばトリグリシジルイソシアヌレートであるＴＥＰＩＣ－Ｓ，ＴＥＰＩＣ－Ｌ、ＴＥＰＩＣ－ＶＬ、ＴＥＰＩＣ－ＰＡＳＢ２２、ＴＥＰＩＣ－ＦＬ（商品名、いずれも日産化学（株）製）等があげられる。
【0055】
樹脂組成物の透明性、および、ポリイミドの良好な機械特性を低下させない観点から、脂肪族エポキシ化合物が好ましい。脂肪族エポキシ化合物としては、例えば、ショウフリーＢＡＴＧ、ショウフリーＰＥＴＧ（商品名、いずれも昭和電工（株）製）、デナコールＥＸ－３２１Ｌ、デナコールＥＸ－５２１（商品名、いずれもナガセケムテックス（株）製）等が挙げられる。
【0056】
低温での反応性の観点から、脂環式エポキシ化合物が好ましい。脂環式エポキシ化合物としては、例えば、セロキサイド２０００、セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、セロキサイド８０８１、エポリードＧＴ４０１（商品名、いずれも（株）ダイセル製）等が挙げられる。
【0057】
これらのエポキシ化合物は単独で使用してもよく、または２種以上を併用してもよい。
【0058】
エポキシ化合物の硬化は、カチオン重合によるものが好ましい。エポキシの硬化をカチオン重合にすることで、加工時の酸素阻害による硬化不足が生じにくく、後述する所望の形状の隔壁が形成しやすくなる。
【0059】
感光性樹脂組成物におけるエポキシ化合物の含有量は、化合物（Ｐ）を１００質量部とした際、十分なカチオン硬化性を示し、パターン加工性を向上させる点から、３０質量部以上であることが好ましく、より好ましくは５０質量部以上である。一方、化合物（Ｐ）の特性を低下させない観点から２００質量部以下が好ましく、１００質量部以下がより好ましい。
【0060】
また、隔壁中における化合物（Ｐ）を１ｍｏｌとした際、エポキシ化合物由来の構造の含有量が３ｍｏｌ以上２５ｍｏｌ以下相当であることが好ましい。隔壁における、エポキシ化合物の化合物（Ｐ）に対する含有量を算出する方法としては、公知の方法が使用でき、例えば、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて、隔壁における化合物（Ｐ）由来の構造のピークとエポキシ化合物由来の構造のピークの積分値から算出する方法において確認できる。
【0061】
（その他の成分）
光カチオン重合性ネガ型感光性樹脂組成物に含有される光カチオン重合開始剤は、光により直接または間接的に酸を発生しカチオン重合を生じさせるものであり、公知の化合物を、特に限定なく使用することができる。具体的には、例えば芳香族ヨードニウム錯塩と芳香族スルホニウム錯塩等を挙げることができる。芳香族ヨードニウム錯塩の具体例としては、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジ（４－ノニルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。これらの光カチオン重合開始剤は単独で使用してもよく、または２種以上を併用してもよい。
光カチオン重合性ネガ型感光性樹脂組成物に含有される光カチオン重合開始剤は、光により直接または間接的に酸を発生しカチオン重合を生じさせるものであり、公知の化合物を、特に限定なく使用することができる。具体的には、例えば芳香族ヨードニウム錯塩と芳香族スルホニウム錯塩等を挙げることができる。芳香族ヨードニウム錯塩の具体例としては、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジ（４－ノニルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。これらの光カチオン重合開始剤は単独で使用してもよく、または２種以上を併用してもよい。
【0062】
光カチオン重合開始剤の含有量は、エポキシ化合物を１００質量部とした場合、０．３質量部以上が好ましく、０．５質量部以上がより好ましい。これにより、エポキシ化合物が十分な硬化性を示し、パターン加工性を向上させることができる。一方、感光性樹脂組成物の保存安定性が向上する点から、１８重量部以下が好ましく、より好ましくは１５重量部以下である。
【0063】
光カチオン重合性ネガ型感光性樹脂組成物には、紫外線を吸収し、吸収した光エネルギーを光酸発生剤に供与するために増感剤を使用してもよい。増感剤としては、例えば９位と１０位にアルコキシ基を有するアントラセン化合物（９，１０－ジアルコキシ－アントラセン誘導体）が好ましい。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のＣ１～Ｃ４のアルコキシ基が挙げられる。９，１０－ジアルコキシ－アントラセン誘導体は、さらに置換基を有していても良い。置換基としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基等のＣ１～Ｃ４のアルキル基やスルホン酸アルキルエステル基、カルボン酸アルキルエステル基等が挙げられる。スルホン酸アルキルエステル基やカルボン酸アルキルエステルにおけるアルキルとしては、例えばメチル、エチル、プロピル等のＣ１～Ｃ４のアルキルが挙げられる。これらの置換基の置換位置は２位が好ましい。
【0064】
光カチオン重合性ネガ型感光性樹脂組成物には、熱架橋剤を含有してもよく、アルコキシメチル基、メチロール基を有する化合物が好ましい。
【0065】
アルコキシメチル基またはメチロール基を有する例としては、例えば、ＤＭＬ－ＰＣ、ＤＭＬ－ＰＥＰ、ＤＭＬ－ＯＣ、ＤＭＬ－ＯＥＰ、ＤＭＬ－３４Ｘ、ＤＭＬ－ＰＴＢＰ、ＤＭＬ－ＰＣＨＰ、ＤＭＬ－ＯＣＨＰ、ＤＭＬ－ＰＦＰ、ＤＭＬ－ＰＳＢＰ、ＤＭＬ－ＰＯＰ、ＤＭＬ－ＭＢＯＣ、ＤＭＬ－ＭＢＰＣ、ＤＭＬ－ＭＴｒｉｓＰＣ、ＤＭＬ－ＢｉｓＯＣ－Ｚ、ＤＭＬ－ＢｉｓＯＣＨＰ－Ｚ、ＤＭＬ－ＢＰＣ、ＤＭＬ－ＢｉｓＯＣ－Ｐ、ＤＭＯＭ－ＰＣ、ＤＭＯＭ－ＰＴＢＰ、ＤＭＯＭ－ＭＢＰＣ、ＴｒｉＭＬ－Ｐ、ＴｒｉＭＬ－３５ＸＬ、ＴＭＬ－ＨＱ、ＴＭＬ－ＢＰ、ＴＭＬ－ｐｐ－ＢＰＦ、ＴＭＬ－ＢＰＥ、ＴＭＬ－ＢＰＡ、ＴＭＬ－ＢＰＡＦ、ＴＭＬ－ＢＰＡＰ、ＴＭＯＭ－ＢＰ、ＴＭＯＭ－ＢＰＥ、ＴＭＯＭ－ＢＰＡ、ＴＭＯＭ－ＢＰＡＦ、ＴＭＯＭ－ＢＰＡＰ、ＨＭＬ－ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＬ－ＴＰＨＡＰ、ＨＭＯＭ－ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ（以上、商品名、本州化学工業（株）製）、ＮＩＫＡＬＡＣ（登録商標）ＭＸ－２９０、ＮＩＫＡＬＡＣ ＭＸ－２８０、ＮＩＫＡＬＡＣ ＭＷ－１００ＬＭ、ＮＩＫＡＬＡＣ ＭＸ－７５０ＬＭ（以上、商品名、（株）三和ケミカル製）が挙げられる。
【0066】
光カチオン重合性ネガ型感光性樹脂組成物には、さらにシラン化合物を含有することができる。シラン化合物を含有することにより、耐熱性樹脂被膜の密着性が向上する。シラン化合物の具体例としては、Ｎ－フェニルアミノエチルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノエチルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノブチルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノブチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β－メトキシエトキシ）シラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシランなどを挙げることができる。
【0067】
また、光カチオン重合性ネガ型感光性樹脂組成物には、必要に応じて、基材との塗れ性を向上させる目的で界面活性剤、乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、エタノールなどのアルコール類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類を含有してもよい。また、熱膨張係数の抑制や高誘電率化、低誘電率化のなどの目的で、二酸化ケイ素、二酸化チタンなどの無機粒子、あるいはポリイミドの粉末などを含有してもよい。
【0068】
感光性樹脂組成物は、有機溶剤を含有する溶液（ワニス）の形で用いられることが好ましく、有機溶剤としては、具体的には、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテルなどのエーテル類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、アセト酢酸エチルなどのアセテート類、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、２－ヘプタノンなどのケトン類、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペンタノ－ル、４－メチル－２－ペンタノール、３－メチル－２－ブタノール、３－メチル－３－メトキシブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、その他、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトンなどが挙げられる。
【0069】
また、感光性樹脂組成物のワニスは塗布の前に濾紙やフィルターを用いて濾過しても良い。濾過方法は特に限定されないが、保留粒子径０．４μｍ～１０μｍのフィルターを用いて加圧濾過により濾過する方法が好ましい。
【0070】
感光性樹脂組成物のワニスの粘度は、化合物（Ｐ）の分子量や溶液濃度によって適宜調整することができ、２０００ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましく、５０００ｍＰａ・ｓ以上であることがより好ましい。また、粘度は、２０００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１０００００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。例えば、スピンコート法で基材に塗布する場合には、粘度は２０００～５０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、ブレードコーター法またはダイコーター法で基材に塗布する場合には、１００００～５００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。
【0071】
（隔壁の形状）
図２は、図１中のシンチレータパネル２の部分を抜粋した模式的な断面図である。ただし、以下の説明の理解を容易にするため、第１反射層１１は省略している。隔壁５の高さＬ１は、５０μｍ以上であることが好ましく、７０μｍ以上であることがより好ましい。また、隔壁５の高さは、３０００μｍ以下であることが好ましく、１０００μｍ以下であることがより好ましい。Ｌ１が３０００μｍ以下であることにより、蛍光体１４自体により発光した光の吸収が生じにくく、シンチレータパネル２は、輝度がより向上する。一方、Ｌ１が５０μｍ以上であることにより、シンチレータパネル２は、充填可能な蛍光体１４の量が適切となり、輝度がより向上する。
図２は、図１中のシンチレータパネル２の部分を抜粋した模式的な断面図である。ただし、以下の説明の理解を容易にするため、第１反射層１１は省略している。隔壁５の高さＬ１は、５０μｍ以上であることが好ましく、７０μｍ以上であることがより好ましい。また、隔壁５の高さは、３０００μｍ以下であることが好ましく、１０００μｍ以下であることがより好ましい。Ｌ１が３０００μｍ以下であることにより、蛍光体１４自体により発光した光の吸収が生じにくく、シンチレータパネル２は、輝度がより向上する。一方、Ｌ１が５０μｍ以上であることにより、シンチレータパネル２は、充填可能な蛍光体１４の量が適切となり、輝度がより向上する。
【0072】
隣接する隔壁５の間隔Ｌ２は、３０μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましい。また、隔壁５の間隔Ｌ２は、３０００μｍ以下であることが好ましく、２０００μｍ以下であることがより好ましい。Ｌ２が３０μｍ以上であることにより、シンチレータパネル２は、セル内へ蛍光体１３を充填しやすい。一方、Ｌ２が３０００μｍ以下であることにより、シンチレータパネル２は、鮮鋭度がより優れた画像が得られる。
【0073】
隔壁５の底部幅Ｌ３は、２μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。また、底部幅Ｌ３は、１５０μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。Ｌ３が２μｍ以上であることにより、シンチレータパネル２は、パターンの欠陥が生じにくい。一方、Ｌ３が１５０μｍ以下であることにより、シンチレータパネル２は、充填可能な蛍光体１３の量が適切となり、輝度が低下しにくい。
【0074】
隔壁５の頂部幅Ｌ４は、２μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。また、頂部幅Ｌ４は、８０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。Ｌ４が２μｍ以上であることにより、シンチレータパネル２は、隔壁５の強度が適切となり、パターンの欠陥が生じにくくなる。一方、Ｌ４が８０μｍ以下であることにより、シンチレータパネル２は、蛍光体１４が発光した光を取り出せる領域が適切となり、輝度がより向上する。
【0075】
隔壁５の底部幅Ｌ３に対する隔壁５の高さＬ１のアスペクト比（Ｌ１／Ｌ３）は、５．０以上であることが好ましく、１０．０以上であることがより好ましく、さらに好ましくは、１２．０以上である。また、アスペクト比（Ｌ１／Ｌ３）は、１００．０以下であることが好ましく、５０．０以下であることがより好ましい。アスペクト比（Ｌ１／Ｌ３）が５．０以上であることにより、シンチレータパネル２は、蛍光体１４の充填量が適切となりやすく、Ｘ線の吸収効率が低下しにくい。また、アスペクト比（Ｌ１／Ｌ３） が１００．０以下であることにより、シンチレータパネル２は、隔壁強度が適切となりやすい。
【0076】
隔壁５の間隔Ｌ２に対する隔壁５の高さＬ１のアスペクト比（Ｌ１／Ｌ２）は、０．５以上であることが好ましく、１．０以上であることがより好ましい。また、アスペクト比（Ｌ１／Ｌ２）は、２０．０以下であることが好ましく、１０．０以下であることがより好ましい。アスペクト比（Ｌ１／Ｌ２）が０．５以上であることにより、シンチレータパネル２は、Ｘ線の吸収効率が低下しにくい。また、アスペクト比（Ｌ１／Ｌ２）が２０．０以下であることにより、シンチレータパネル２は、光の取り出し効率が低下しにくく、輝度がより向上する。ただし、図３に示す通り、隔壁５の間隔Ｌ２が、Ｘ軸方向の長さ（Ｌ２（Ｘ））とＹ軸方向の長さ（Ｌ２（Ｙ））とで異なる場合、前述の限りではない。Ｌ２（Ｘ）＞Ｌ２（Ｙ）となるようにＸ軸方向およびＹ軸方向を定めた場合、隔壁５の高さＬ１のアスペクト比（Ｌ１／Ｌ２（Ｘ））は、０．０５以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。また、アスペクト比（Ｌ１／Ｌ２（Ｘ））は、１０．０以下であることが好ましく、５．０以下であることがより好ましい。
【0077】
隔壁５の底部幅Ｌ３と頂部幅Ｌ４の比率（Ｌ４／Ｌ３）は０．５以上であることが好ましく、０．７以上であることがより好ましい。０．５以上であることにより、隔壁の強度を保ちつつ、蛍光体量を増やすことが出来る。
【0078】
隔壁５の高さＬ１及び隣接する隔壁５同士の間隔Ｌ２は、基板に対して垂直な断面を割断するか、またはクロスセクションポリッシャー等の研磨装置により露出させ、走査型電子顕微鏡で断面を観察することにより測定することができる。ここで、隔壁５と基板との接触部における隔壁５の幅をＬ３とする。また、隔壁５の最頂部の幅をＬ４とする。
【0079】
（第１反射層）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、隔壁５はその表面に金属を含有する反射層（第１反射層）１１を有することが好ましい。第１反射層１１は、隔壁５の少なくとも一部に設けられればよい。第１反射層１１は、薄膜でも高い反射率を有する。そのため、薄膜である第１反射層１１が設けられることにより、蛍光体１３の充填量が低下しにくく、シンチレータパネル２は、輝度がより向上する。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、隔壁５はその表面に金属を含有する反射層（第１反射層）１１を有することが好ましい。第１反射層１１は、隔壁５の少なくとも一部に設けられればよい。第１反射層１１は、薄膜でも高い反射率を有する。そのため、薄膜である第１反射層１１が設けられることにより、蛍光体１３の充填量が低下しにくく、シンチレータパネル２は、輝度がより向上する。
【0080】
第１反射層１１を構成する金属は特に限定されない。一例を挙げると、第１反射層１１は、銀やアルミニウムなど、反射率の高い金属を主成分として含有することが好ましく、銀を主成分として含有することがより好ましい。第１反射層１１は、合金であっても良い。第１反射層１１を構成する金属は、特に、パラジウムと銅を含有する銀合金であることが好ましい。このような銀合金からなる第１反射層１１は、大気中における変色耐性が優れる。なお、本発明の実施の形態において、「主成分として含有する」とは、所定の成分を５０～１００質量％となるよう含むことをいう。
【0081】
第１反射層１１の厚みは特に限定されない。一例を挙げると、第１反射層１１の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。また、第１反射層１１の厚みは、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましい。第１反射層１１の厚みが１０ｎｍ以上であることにより、シンチレータパネル２は、充分な光の遮蔽性が得られ、鮮鋭度がより向上した画像が得られる。第１反射層１１の厚みが１０００ｎｍ以下であることにより、第１反射層１１の表面の凹凸が大きくなりにくく、反射率が低下しにくい。
【0082】
（保護層）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、第１反射層１１の表面に、保護層１２を有することが好ましい。第１反射層１１は、大気中における変色耐性が乏しい合金などを使用した場合でも、保護層１２が設けられていることによって、変色を低減することが出来、第１反射層１１と蛍光体層６との反応による第１反射層１１の反射率低下が抑制され、輝度がより向上する。保護層１２は、さらに、隔壁５と第１反射層１１の間に設けられていてもよい。保護層１２が、隔壁５と第１反射層１１の間に設けられることによって、隔壁５と第１反射層１１との反応による第１反射層１１の反射率低下が抑制され、輝度がより向上する。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、第１反射層１１の表面に、保護層１２を有することが好ましい。第１反射層１１は、大気中における変色耐性が乏しい合金などを使用した場合でも、保護層１２が設けられていることによって、変色を低減することが出来、第１反射層１１と蛍光体層６との反応による第１反射層１１の反射率低下が抑制され、輝度がより向上する。保護層１２は、さらに、隔壁５と第１反射層１１の間に設けられていてもよい。保護層１２が、隔壁５と第１反射層１１の間に設けられることによって、隔壁５と第１反射層１１との反応による第１反射層１１の反射率低下が抑制され、輝度がより向上する。
【0083】
保護層１２は、無機保護層と有機保護層のいずれもが好適に使用できる。保護層１２として、無機保護層と有機保護層を積層して併用することもできる。
【0084】
（無機保護層）
無機保護層は、水蒸気の透過性が低いため保護層１２として好適である。無機保護層は、スパッタ法など、公知の手法により形成できる。無機保護層の材料は特に限定されない。無機保護層の材料として、例えば、酸化ケイ素、酸化インジウムスズ、酸化ガリウム亜鉛などの酸化物、窒化ケイ素などの窒化物、フッ化マグネシウムなどのフッ化物等である。これらの中でも、無機保護層の材料は、水蒸気透過性が低く、また無機保護層形成において銀の反射率が低下しにくいことから、酸化ケイ素または窒化ケイ素を用いることが好ましい。
無機保護層は、水蒸気の透過性が低いため保護層１２として好適である。無機保護層は、スパッタ法など、公知の手法により形成できる。無機保護層の材料は特に限定されない。無機保護層の材料として、例えば、酸化ケイ素、酸化インジウムスズ、酸化ガリウム亜鉛などの酸化物、窒化ケイ素などの窒化物、フッ化マグネシウムなどのフッ化物等である。これらの中でも、無機保護層の材料は、水蒸気透過性が低く、また無機保護層形成において銀の反射率が低下しにくいことから、酸化ケイ素または窒化ケイ素を用いることが好ましい。
【0085】
無機保護層の厚みは特に限定されない。一例を挙げると、無機保護層の厚みは、２ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。また、無機保護層の厚みは、３００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。厚みが２ｎｍ以上であることにより、シンチレータパネル２は、高温・高湿環境下における輝度低下の抑制効果をより大きくすることができる。厚みが３００ｎｍ以下であることにより、無機保護層による着色を抑制し、輝度をより向上させることができる。無機保護層の厚みは、後述する有機保護層の厚みと同様な方法により測定することができる。
【0086】
（有機保護層）
有機保護層は、化学的耐久性に優れる高分子化合物が好ましく、例えば、ポリシロキサンや、非晶性フッ素樹脂を主成分として含有することが好ましい。
有機保護層は、化学的耐久性に優れる高分子化合物が好ましく、例えば、ポリシロキサンや、非晶性フッ素樹脂を主成分として含有することが好ましい。
【0087】
ポリシロキサンは、シンチレータパネルの実施の形態において一般式（３）で表されるオルガノシランを含むオルガノシランの加水分解・部分縮合物を含む。
【0088】
【化5】
【0089】
上記一般式（３）中、Ｒ２は、エポキシ基および酸無水物基のうち少なくともいずれか一方を有する１価の有機基を表す。Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、水素、炭素数１～６のアルキル基、炭素数２～６のアシル基または炭素数６～１６のアリール基を表す。ｍは１～３の整数を表す。ｎは０～２の整数を表す。ｍ＋ｎは１～３である。ｍが２以上の場合、複数のＲ２は、それぞれ同じでも異なってもよい。また、ｎが２の場合、複数のＲ３は、それぞれ同じでも異なってもよい。また、ｍ＋ｎが２以下の場合、複数のＲ４は、それぞれ同じでも異なってもよい。
【0090】
非晶性フッ素樹脂は溶剤溶解性が優れため、保護層１２を溶液塗布やスプレーコーティングなど、公知の手法により容易に形成され得る。ここで、「フッ素樹脂が非晶性である」とは、フッ素含有樹脂を粉末Ｘ線回折法により測定した際に、結晶構造に起因するピークが実質的に見られず、ブロードなハローのみが観察される場合をいう。
【0091】
非晶性フッ素樹脂は、一般式（４）で表される構造を繰り返し単位として有する、あるいは、一般式（４）の構造を含む互いに異なる２種の構造を有する共重合体であることが好ましい。
【0092】
【化6】
【0093】
非晶性フッ素樹脂が共重合体である場合、交互共重合体、ブロック共重合体、ランダム共重合体のいずれでもよい。
【0094】
上記一般式（４）において、Ｘは酸素を表し、ｊおよびｋはそれぞれ独立に０または１を表し、ｐは１以上の整数を表す。
【0095】
上記一般式（４）において、Ｒ５～Ｒ８は水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、水酸基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール基、シアノ基、アルデヒド基、置換もしくは無置換のエステル基、アシル基、カルボキシル基、置換もしくは無置換のアミノ基、ニトロ基、または、置換もしくは無置換のエポキシ基を表す。Ｒ５～Ｒ６の少なくとも１つは、フッ素であることが好ましい。また、Ｒ７～Ｒ８の少なくとも１つは、フッ素であることが好ましい。
【0096】
上記一般式（４）において、ｊおよびｋは酸素の数を表す。ただし、ｊまたはｋが０の場合、ＸｊまたはＸｋは単結合である。ｊとｋの少なくともいずれかが１であると、ガラス転移温度が適切となるため好ましい。
【0097】
上記一般式（４）において、ｐは繰り返し数を表し、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましい。また、ｔが２以上の場合、複数のＲ７およびＲ８は互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0098】
上記一般式（４）において、アルキル基の炭素数は１～８が好ましい。アルケニル基の炭素数は１～１２が好ましい。アルコキシ基の炭素数は１～１０が好ましい。アリール基の炭素数は５～１５が好ましい。
【0099】
有機保護層の厚みは、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．２μｍ以上であることがより好ましい。また、有機保護層の厚みは、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。有機保護層の厚みが０．０５μｍ以上であることにより、シンチレータパネル２は、輝度低下の抑制効果をより大きくすることができる。また、有機保護層の厚みが１０μｍ以下であることにより、シンチレータパネル２は、セル内の体積を大きくし、蛍光体１４を充分量充填することにより、輝度をより向上させることができる。本発明の実施の形態において、有機保護層の厚みは、走査型電子顕微鏡観察により測定できる。なお、後述する有機保護層形成工程で形成される有機保護層は、隔壁頂部付近の側面では厚みが薄く、底部付近の側面では厚く形成される傾向がある。そのため、このように厚みに隔たりがある場合、上記有機保護層の厚みは、隔壁５の高さ方向の中央部側面における厚みを指す。
【0100】
（第２反射層）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、保護層１２がその表面に、第二の反射層（第２反射層）１３を有することが好ましい。第２反射層１３は、保護層１２の少なくとも一部に設けられればよい。第２反射層１３が設けられることにより、蛍光体層６で発光した光がより効率的に表面に出やすくなり、シンチレータパネル２は、輝度がより向上する。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、保護層１２がその表面に、第二の反射層（第２反射層）１３を有することが好ましい。第２反射層１３は、保護層１２の少なくとも一部に設けられればよい。第２反射層１３が設けられることにより、蛍光体層６で発光した光がより効率的に表面に出やすくなり、シンチレータパネル２は、輝度がより向上する。
【0101】
第２反射層１３は金属酸化物を含むことが好ましく、その金属酸化物は特に限定されない。一例を挙げると、第２反射層１３は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウムなど、屈折率の高い金属酸化物を主成分として含有することが好ましく、酸化チタンを主成分として含有することがより好ましい。なお、本発明の実施の形態において、「主成分として含有する」とは、所定の成分を５０～１００質量％となるよう含むことをいう。
【0102】
金属酸化物の屈折率は、１．６以上であることが好ましく、１．８以上であることがより好ましい。屈折率が１．６以上であることによって、金属酸化物と空気との屈折率差が大きくなり、第２反射層１３での反射率が向上しやすい。
【0103】
金属酸化物の形状は、粒子状であることが好ましい。粒子状であることによって、蛍光体層中で発光した光が反射層において反射する際に、反射率のばらつきが生じづらく、発光した光がより効率的に表面に出やすくなり、シンチレータパネル２は、輝度がより向上する。
【0104】
金属酸化物が粒子状である場合、その平均粒子径は、１００～１０００ｎｍであることが好ましく、１５０～７００ｎｍであることがより好ましい。金属酸化物の平均粒子径が１００ｎｍ以上であると、蛍光体が発光する光の波長に対して、反射率がより向上するため、輝度が向上しやすい。一方、１０００ｎｍ以下であると、第２反射層中での粒子の密度が大きくなり、薄膜としても、反射率がより向上するため、輝度が向上しやすい。
【0105】
ここで、本発明における金属酸化物の平均粒子径とは、粒度の累積分布に対して５０％となる粒子径を言い、粒度分布測定装置（例えば、ＭＴ３３００；日機装（株）製）を用いて測定することができる。より具体的には、水を満たした試料室に金属酸化物を投入し、３００秒間超音波処理を行った後に粒度分布を測定し、累積分布に対して５０％となる粒子径を平均粒子径とする。
【0106】
第２反射層１３は、金属酸化物以外に高分子化合物が含まれていてもよい。第２反射層１３が高分子化合物を含んでいることにより、後述する蛍光体層の充填工程において、保護層１２から第２反射層１３の脱離、および第２反射層１３中の金属酸化物粒子の脱離が抑制されやすくなる。
【0107】
（蛍光体層）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、隔壁によって区画されたセル内に蛍光体を有する。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルは、隔壁によって区画されたセル内に蛍光体を有する。
【0108】
蛍光体層６は、入射されたＸ線等の放射線のエネルギーを吸収して、波長３００ｎｍ～８００ｎｍの範囲の電磁波、すなわち、可視光を中心に紫外光から赤外光にわたる範囲の光を発光する。蛍光体層６で発光した光は、光電変換層８で光電変換が行われ、出力層９を通じて電気信号として出力される。蛍光体層６は、蛍光体１４およびバインダー樹脂１５を有することが好ましい。
【0109】
（蛍光体）
蛍光体１４は特に限定されない。たとえば、蛍光体１４は、硫化物系蛍光体、ゲルマン酸塩系蛍光体、ハロゲン化物系蛍光体、硫酸バリウム系蛍光体、リン酸ハフニウム系蛍光体、タンタル酸塩系蛍光体、タングステン酸塩系蛍光体、希土類ケイ酸塩系蛍光体、希土類酸硫化物系蛍光体、希土類リン酸塩系蛍光体、希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、アルカリ土類金属リン酸塩系蛍光体、アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体が挙げられる。希土類ケイ酸塩系蛍光体としては、セリウム賦活希土類ケイ酸塩系蛍光体が挙げられ、希土類酸流化物系蛍光体としては、プラセオジム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、テルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、ユウロピウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体が挙げられ、希土類リン酸塩系蛍光体としては、テルビウム賦活希土類リン酸塩系蛍光体が挙げられ、希土類オキシハロゲン蛍光体としては、テルビウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体が挙げられ、アルカリ土類金属リン酸塩系蛍光体としては、ユウロピウム賦活アルカリ土類金属リン酸塩系蛍光体が挙げられ、アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体としては、ユウロピウム賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体が挙げられる。蛍光体１４は、併用されてもよい。これらの中でも、発光効率が高い点から、蛍光体１４は、ハロゲン化物系蛍光体、プラセオジム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、テルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体およびユウロピウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体から選ばれた蛍光体が好ましく、プラセオジム賦活希土類酸硫化物系蛍光体およびテルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体から選ばれた蛍光体がより好ましい。
蛍光体１４は特に限定されない。たとえば、蛍光体１４は、硫化物系蛍光体、ゲルマン酸塩系蛍光体、ハロゲン化物系蛍光体、硫酸バリウム系蛍光体、リン酸ハフニウム系蛍光体、タンタル酸塩系蛍光体、タングステン酸塩系蛍光体、希土類ケイ酸塩系蛍光体、希土類酸硫化物系蛍光体、希土類リン酸塩系蛍光体、希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、アルカリ土類金属リン酸塩系蛍光体、アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体が挙げられる。希土類ケイ酸塩系蛍光体としては、セリウム賦活希土類ケイ酸塩系蛍光体が挙げられ、希土類酸流化物系蛍光体としては、プラセオジム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、テルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、ユウロピウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体が挙げられ、希土類リン酸塩系蛍光体としては、テルビウム賦活希土類リン酸塩系蛍光体が挙げられ、希土類オキシハロゲン蛍光体としては、テルビウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体が挙げられ、アルカリ土類金属リン酸塩系蛍光体としては、ユウロピウム賦活アルカリ土類金属リン酸塩系蛍光体が挙げられ、アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体としては、ユウロピウム賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体が挙げられる。蛍光体１４は、併用されてもよい。これらの中でも、発光効率が高い点から、蛍光体１４は、ハロゲン化物系蛍光体、プラセオジム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、テルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体およびユウロピウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体から選ばれた蛍光体が好ましく、プラセオジム賦活希土類酸硫化物系蛍光体およびテルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体から選ばれた蛍光体がより好ましい。
【0110】
蛍光体１４の平均粒子径は、０．５～５０μｍが好ましく、３．０～４０μｍがより好ましく、４．０～３０μｍがさらに好ましい。蛍光体の平均粒子径が０．５μｍ以上であると、放射線から可視光への変換効率がより向上し、輝度をより向上させることができる。また、蛍光体の凝集を抑制することができる。一方、蛍光体の平均粒子径が５０μｍ以下であると、蛍光体層表面の平滑性に優れ、画像への輝点の発生を抑制することができる。
【0111】
ここで、本発明における蛍光体１４の平均粒子径とは、粒度の累積分布に対して５０％となる粒子径を言い、粒度分布測定装置（例えば、ＭＴ３３００；日機装（株）製）を用いて測定することができる。より具体的には、水を満たした試料室に蛍光体を投入し、３００秒間超音波処理を行った後に粒度分布を測定し、累積分布に対して５０％となる粒子径を平均粒子径とする。
【0112】
（バインダー樹脂）
バインダー樹脂１５は特に限定されない。バインダー樹脂１５は、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等である。より具体的には、バインダー樹脂１５は、アクリル樹脂、アセタール樹脂、セルロース誘導体、ポリシロキサン樹脂、エポキシ化合物、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセタール、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリフェニルベンゼン等である。これらの中でも、バインダー樹脂１５は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、セルロース誘導体、エポキシ樹脂、ポリビニルアセタールおよびポリエステル樹脂のうち少なくともいずれか１種を含有することが好ましく、これら１～３種を主成分として含有することがより好ましい。これにより、シンチレータパネル２は、セル内での光の減衰を抑制でき、発光を充分に取り出しやすい。なお、アクリル樹脂、セルロース誘導体、エポキシ樹脂、ポリビニルアセタールおよびポリエステル樹脂のうち少なくともいずれか１種を主成分とするとは、アクリル樹脂、セルロース誘導体、エポキシ樹脂、ポリビニルアセタールおよびポリエステル樹脂の合計量が、樹脂を構成する材料の５０～１００質量％であることをいう。
バインダー樹脂１５は特に限定されない。バインダー樹脂１５は、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等である。より具体的には、バインダー樹脂１５は、アクリル樹脂、アセタール樹脂、セルロース誘導体、ポリシロキサン樹脂、エポキシ化合物、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセタール、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリフェニルベンゼン等である。これらの中でも、バインダー樹脂１５は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、セルロース誘導体、エポキシ樹脂、ポリビニルアセタールおよびポリエステル樹脂のうち少なくともいずれか１種を含有することが好ましく、これら１～３種を主成分として含有することがより好ましい。これにより、シンチレータパネル２は、セル内での光の減衰を抑制でき、発光を充分に取り出しやすい。なお、アクリル樹脂、セルロース誘導体、エポキシ樹脂、ポリビニルアセタールおよびポリエステル樹脂のうち少なくともいずれか１種を主成分とするとは、アクリル樹脂、セルロース誘導体、エポキシ樹脂、ポリビニルアセタールおよびポリエステル樹脂の合計量が、樹脂を構成する材料の５０～１００質量％であることをいう。
【0113】
バインダー樹脂１５は、保護層１２と接触していることが好ましい。この場合、バインダー樹脂１５は、保護層１２の少なくとも一部に接触していればよい。これにより、シンチレータパネル２は、蛍光体１４がセル内から脱落しにくい。なお、バインダー樹脂１５は、図１に示されるように、セル内にほぼ空隙なく充填されていてもよく、空隙を有するよう充填されていてもよい。
【0114】
以上、本発明の実施の形態に係るシンチレータパネル２によれば、高輝度で、高鮮鋭度の画像が得られる。
【0115】
（シンチレータパネルの製造方法）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、基板上に隔壁を形成し、セルを区画する隔壁形成工程と、前記隔壁の表面に金属反射層を形成する反射層形成工程と、前記隔壁で区画されたセル内に蛍光体を充填する充填工程とを含み、前記隔壁はポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）並びにエポキシ化合物由来の構造を含有する。以下、それぞれの工程について説明する。なお、以下の説明において、上記したシンチレータパネルの実施の形態において説明した事項と共通する事項は、説明を適宜省略する。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、基板上に隔壁を形成し、セルを区画する隔壁形成工程と、前記隔壁の表面に金属反射層を形成する反射層形成工程と、前記隔壁で区画されたセル内に蛍光体を充填する充填工程とを含み、前記隔壁はポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる一以上の化合物（Ｐ）並びにエポキシ化合物由来の構造を含有する。以下、それぞれの工程について説明する。なお、以下の説明において、上記したシンチレータパネルの実施の形態において説明した事項と共通する事項は、説明を適宜省略する。
【0116】
（隔壁形成工程）
隔壁形成工程は、基板上に隔壁を形成し、セルを区画する工程である。基板上に隔壁を形成する方法は特に限定されない。隔壁は、前述の化合物（Ｐ）及びエポキシ化合物由来の構造を含有する。隔壁を形成する方法は、各種公知の方法が利用でき、形状の制御が容易である点から、フォトリソグラフィ法であることが好ましい。
隔壁形成工程は、基板上に隔壁を形成し、セルを区画する工程である。基板上に隔壁を形成する方法は特に限定されない。隔壁は、前述の化合物（Ｐ）及びエポキシ化合物由来の構造を含有する。隔壁を形成する方法は、各種公知の方法が利用でき、形状の制御が容易である点から、フォトリソグラフィ法であることが好ましい。
【0117】
化合物（Ｐ）を含有する隔壁を形成する方法としては、例えば、基板の表面に、化合物（Ｐ）を含有する感光性樹脂組成物を塗布して塗布膜を得る、塗布工程と、塗布膜を露光及び現像して、隔壁パターンを得る、パターン形成工程とにより形成できる。
【0118】
塗布工程は、基板の表面に、前述の感光性樹脂組成物を全面または部分的に塗布して塗布膜を得る工程である。感光性樹脂組成物を塗布する方法は、例えば、スクリーン印刷法、バーコーター、ロールコーター、ダイコーターまたはブレードコーターが挙げられる。得られる塗布膜の厚さは、塗布回数、スクリーンのメッシュサイズまたは感光性樹脂組成物の粘度等により調整することができる。
【0119】
次に、上記方法によって形成された感光性樹脂組成物塗布膜上に、所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線などがあるが、本発明では水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）を用いるのが好ましい。
【0120】
パターンを形成するには、露光後、現像液にて露光部を除去する。現像液としては、水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にＮ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを含有してもよい。
【0121】
現像は、上記の現像液を被膜面にスプレーする、塗布膜面に現像液を液盛りする、現像液中に浸漬する、あるいは浸漬して超音波をかけるなどの方法によって行うことができる。現像時間や現像ステップ現像液の温度などの現像条件は、露光部が除去されパターン形成が可能な条件であればよい。
【0122】
現像後は水にてリンス処理を行うことが好ましい。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしても良い。
【0123】
また、必要に応じて現像前にベーク処理を行ってもよい。これにより、現像後のパターンの解像度が向上し、現像条件の許容幅が増大する場合がある。このベーク処理温度は５０～１８０℃の範囲が好ましく、特に６０～１２０℃の範囲がより好ましい。時間は５秒～数時間が好ましい。
【0124】
パターン形成後、感光性樹脂組成物の塗布膜中には未反応のカチオン重合性化合物やカチオン重合開始剤が残存している。このため、後述の熱架橋反応の際にこれらが熱分解しガスが発生することがある。これを避けるため、パターン形成後の樹脂組成物被膜の全面に上述の露光光を照射し、カチオン重合開始剤から酸を発生させておくことが好ましい。こうすることによって、熱架橋反応の際に、未反応のカチオン重合性化合物の反応が進行し、熱分解由来のガスの発生を抑制することができる。
【0125】
現像後、１２０℃～３００℃の温度を加えて熱架橋反応を進行させる。架橋により、耐熱性および耐薬品性を向上させることができる。この加熱処理の方法は、温度を選び、段階的に昇温する方法や、ある温度範囲を選び連続的に昇温しながら５分間～５時間実施する方法を選択できる。
【0126】
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法では、隔壁形成時の基材がシンチレータパネルの基板として用いられてもよく、支持体上に隔壁を形成し、支持体から隔壁を剥離した後、剥離した隔壁を基板上に載置して用いても良い。基材から隔壁を剥離する方法は、基材と隔壁の間に剥離補助層を設ける手法など、公知の手法を用いることができる。
【0127】
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法では、隔壁形成時に基板が支持体に固定されていてもよい。基板が支持体に固定されていることで、基板の平滑性を保持することが出来るため、隔壁の形成工程において、隔壁の高さのばらつきを低減することが可能になる。
【0128】
基板は、後述するシンチレータパネルの製造工程の後に、支持体から剥離可能であることが好ましい。基板が支持体から剥離可能であることで、シンチレータパネルへの放射線の入射に対し、支持体での放射線の吸収を抑制することが可能となる。その結果、シンチレータパネルに入射する放射線量を十分にすることが可能になり、輝度がより向上する。
【0129】
支持体の材料は、基板よりも機械強度が高く、平滑性を有するものであれば特に限定されないが、ガラスであることが好ましい。
【0130】
支持体の厚みは、必要に応じて適宜調整できるが、機械強度の観点から０．３ｍｍ以上であることが好ましく、０．５ｍｍ以上であることがより好ましい。
【0131】
基板を支持体に固定する方法は、公知の方法であれば特に限定はされない。高分子材料からなる基板をガラスの支持体に固定する方法について、一例を挙げると、例えば、基板の周囲に接着テープを貼り付ける方法、いずれかの材料の表面に液状の樹脂を塗布して、他方を接触させて接着する方法、接着フィルムをいずれかの材料に貼り付けて他方を圧着する方法、いずれかの材料に表面処理を施して分子間相互作用により固定する方法等が挙げられる。中でも、接着フィルムをいずれかの材料に貼り付けて他方を圧着する方法であることが好ましい。
【0132】
また、ガラス基板をガラスの支持体に固定する方法について、一例を挙げると、例えば、いずれかの材料に表面処理を施して分子間相互作用により固定する方法、いずれかの材料に低融点ガラス含有層を形成して焼結により他方と固定する方法等が挙げられる。中でも、いずれかの材料に低融点ガラス含有層を形成して焼結により他方と固定する方法であることが好ましい。
【0133】
（反射層形成工程）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、隔壁の表面に金属反射層（第１反射層）を形成する反射層形成工程を有する。第１反射層は、隔壁表面の少なくとも一部に形成されればよい。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、隔壁の表面に金属反射層（第１反射層）を形成する反射層形成工程を有する。第１反射層は、隔壁表面の少なくとも一部に形成されればよい。
【0134】
第１反射層の形成方法は特に限定されない。一例を挙げると、第１反射層は、真空蒸着法、スパッタ法若しくはＣＶＤ法等の真空製膜法、メッキ法、ペースト塗布法またはスプレーによる噴射法によって形成され得る。これらの中でも、スパッタ法により形成された第１反射層は、他の手法で形成された第１反射層に比べて反射率の均一性や耐食性が高いことから好ましい。
【0135】
（無機保護層形成工程）
なお、本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、反射層表面に無機保護層を形成する、無機保護層形成工程を有してもよい。無機保護層の形成方法は特に限定されない。一例を挙げると、無機保護層は、真空蒸着法、スパッタ法若しくはＣＶＤ法等の真空製膜法、ペースト塗布法またはスプレーによる噴射法によって形成され得る。これらの中でも、スパッタ法により形成された無機保護層は、他の手法で形成された無機保護層に比べて均一性や耐食性が高いことから好ましい。
なお、本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、反射層表面に無機保護層を形成する、無機保護層形成工程を有してもよい。無機保護層の形成方法は特に限定されない。一例を挙げると、無機保護層は、真空蒸着法、スパッタ法若しくはＣＶＤ法等の真空製膜法、ペースト塗布法またはスプレーによる噴射法によって形成され得る。これらの中でも、スパッタ法により形成された無機保護層は、他の手法で形成された無機保護層に比べて均一性や耐食性が高いことから好ましい。
【0136】
（有機保護層形成工程）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、反射層表面に有機保護層を形成する、有機保護層形成工程を有してもよい。有機保護層の形成方法は特に限定されない。一例を挙げると、有機保護層は、ポリシロキサンや、非晶性フッ素含有樹脂の溶液を隔壁基板上に真空下で塗布した後、乾燥して溶媒を除去することによって形成され得る。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、反射層表面に有機保護層を形成する、有機保護層形成工程を有してもよい。有機保護層の形成方法は特に限定されない。一例を挙げると、有機保護層は、ポリシロキサンや、非晶性フッ素含有樹脂の溶液を隔壁基板上に真空下で塗布した後、乾燥して溶媒を除去することによって形成され得る。
【0137】
ポリシロキサンを用いる場合、乾燥後の基板は、乾燥温度よりも高温で硬化されることが好ましい。硬化することにより、基板は、ポリシロキサンの縮合が進み耐熱性や耐薬品性が向上し、シンチレータパネルの初期輝度が向上しやすくなる。
【0138】
（第２反射層形成工程）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、無機保護層または有機保護層表面に第２反射層を形成する、第２反射層形成工程を有してもよい。第２反射層の形成方法は、特に限定されてない。一例として、プロセスが簡便であり、大面積への均質な第２反射層形成が可能であることから、金属酸化物粉末および樹脂を溶媒に混合した第２反射層ペーストを隔壁基板上に真空下で塗布した後、乾燥して溶媒を除去する方法が挙げられる。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、無機保護層または有機保護層表面に第２反射層を形成する、第２反射層形成工程を有してもよい。第２反射層の形成方法は、特に限定されてない。一例として、プロセスが簡便であり、大面積への均質な第２反射層形成が可能であることから、金属酸化物粉末および樹脂を溶媒に混合した第２反射層ペーストを隔壁基板上に真空下で塗布した後、乾燥して溶媒を除去する方法が挙げられる。
【0139】
（充填工程）
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、隔壁で区画されたセル内に蛍光体を充填する、充填工程を有する。蛍光体の充填方法は特に限定されない。一例を挙げると、プロセスが簡便であり、大面積への均質な蛍光体充填が可能であることから、充填方法は、蛍光体粉末およびバインダー樹脂を溶媒に混合した蛍光体ペーストを隔壁基板上に真空下で塗布した後、乾燥して溶媒を除去する方法が好ましい。
本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、隔壁で区画されたセル内に蛍光体を充填する、充填工程を有する。蛍光体の充填方法は特に限定されない。一例を挙げると、プロセスが簡便であり、大面積への均質な蛍光体充填が可能であることから、充填方法は、蛍光体粉末およびバインダー樹脂を溶媒に混合した蛍光体ペーストを隔壁基板上に真空下で塗布した後、乾燥して溶媒を除去する方法が好ましい。
【0140】
以上、本発明の実施の形態に係るシンチレータパネルの製造方法によれば、得られるシンチレータは、高輝度で、高鮮鋭度の画像が得られる。
【実施例】
【0141】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれらに限定されるものではない。各実施例および比較例で用いた化合物は以下の方法により合成した。
【0142】
（隔壁材料）
（合成例１）
（ポリイミドＡの原料）
アミン化合物：２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以下ＢＡＨＦ、東京化成工業（株）製）
酸無水物：リカシッド（商標登録） ＴＤＡ－１００（新日本理化（株）製）
溶剤：γ―ブチロラクトン（以下ＧＢＬ、富士フイルム和光純薬（株）製）。
（合成例１）
（ポリイミドＡの原料）
アミン化合物：２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以下ＢＡＨＦ、東京化成工業（株）製）
酸無水物：リカシッド（商標登録） ＴＤＡ－１００（新日本理化（株）製）
溶剤：γ―ブチロラクトン（以下ＧＢＬ、富士フイルム和光純薬（株）製）。
【0143】
（ポリイミドＡの合成）
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２９．３０ｇ（０．０８ｍｏｌ）をＧＢＬ８０ｇに添加し、１２０℃で攪拌溶解した。次に、ＴＤＡ－１００３０．０３ｇ（０．１ｍｏｌ）をＧＢＬ２０ｇとともに加えて、１２０℃で１時間攪拌し、次いで２００℃で４時間攪拌して反応溶液を得た。次に、反応溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で５時間乾燥し、ポリイミドＡを得た。
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２９．３０ｇ（０．０８ｍｏｌ）をＧＢＬ８０ｇに添加し、１２０℃で攪拌溶解した。次に、ＴＤＡ－１００３０．０３ｇ（０．１ｍｏｌ）をＧＢＬ２０ｇとともに加えて、１２０℃で１時間攪拌し、次いで２００℃で４時間攪拌して反応溶液を得た。次に、反応溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で５時間乾燥し、ポリイミドＡを得た。
【0144】
（合成例２）
（ポリアミドＡの原料）
アミン化合物：ＢＡＨＦ（東京化成工業（株）製）
酸クロライド：４，４’－ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド（東京化成工業（株）製）
溶剤：Ｎ－メチル－２－ピロリドン（以下ＮＭＰ、富士フイルム和光純薬（株）製）。
（ポリアミドＡの原料）
アミン化合物：ＢＡＨＦ（東京化成工業（株）製）
酸クロライド：４，４’－ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド（東京化成工業（株）製）
溶剤：Ｎ－メチル－２－ピロリドン（以下ＮＭＰ、富士フイルム和光純薬（株）製）。
【0145】
（ポリアミドＡの合成）
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２９．３ｇ（０．０８ｍｏｌ）をＮＭＰ１００ｇに添加し、室温で攪拌溶解した。その後、反応溶液の温度を－１０～０℃に保ちながら、４，４’－ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド２９．５ｇ（０．１ｍｏｌ）を少量ずつ添加し、添加終了後室温まで昇温させ、３時間攪拌を続けた。次に、反応溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で５時間乾燥し、ポリアミドＡを得た。
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２９．３ｇ（０．０８ｍｏｌ）をＮＭＰ１００ｇに添加し、室温で攪拌溶解した。その後、反応溶液の温度を－１０～０℃に保ちながら、４，４’－ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド２９．５ｇ（０．１ｍｏｌ）を少量ずつ添加し、添加終了後室温まで昇温させ、３時間攪拌を続けた。次に、反応溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で５時間乾燥し、ポリアミドＡを得た。
【0146】
（合成例３）
（ポリアミドイミドＡの原料）
アミン化合物：ＢＡＨＦ（東京化成工業（株）製）
酸無水物：リカシッド（商標登録） ＴＤＡ－１００（新日本理化（株）製）
酸クロライド化合物：３－ニトロベンゾイルクロリド（東京化成工業（株）製）
反応性化合物：プロピレンオキシド（富士フイルム和光純薬（株）製）
溶剤Ａ：アセトン（東京化成工業（株）製）
溶剤Ｂ：メチルセロソルブ（東京化成工業（株）製）
溶剤Ｃ：ＧＢＬ（富士フイルム和光純薬（株）製）。
（ポリアミドイミドＡの原料）
アミン化合物：ＢＡＨＦ（東京化成工業（株）製）
酸無水物：リカシッド（商標登録） ＴＤＡ－１００（新日本理化（株）製）
酸クロライド化合物：３－ニトロベンゾイルクロリド（東京化成工業（株）製）
反応性化合物：プロピレンオキシド（富士フイルム和光純薬（株）製）
溶剤Ａ：アセトン（東京化成工業（株）製）
溶剤Ｂ：メチルセロソルブ（東京化成工業（株）製）
溶剤Ｃ：ＧＢＬ（富士フイルム和光純薬（株）製）。
【0147】
（ヒドロキシル基含有ジアミン化合物（ａ）の合成）
ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）をアセトン１００ｍＬ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３ｍｏｌ）に溶解させ、－１５℃に冷却した。ここに、３－ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１ｍｏｌ）をアセトン１００ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、－１５℃で４時間反応させ、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。
ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）をアセトン１００ｍＬ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３ｍｏｌ）に溶解させ、－１５℃に冷却した。ここに、３－ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１ｍｏｌ）をアセトン１００ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、－１５℃で４時間反応させ、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。
【0148】
得られた白色固体３０ｇを３００ｍＬのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセロソルブ２５０ｍＬに分散させ、５％パラジウム―炭素を２ｇ加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、ヒドロキシル基含有ジアミン化合物（ａ）を得た。
【0149】
（ポリアミドイミドＡの合成）
乾燥窒素気流下、ヒドロキシル基含有ジアミン化合物（ａ）３１．４ｇ（０．０８ｍｏｌ）をＧＢＬ８０ｇに添加し、１２０℃で攪拌した。次に、ＴＤＡ－１００３０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）をＧＢＬ２０ｇとともに加えて、１２０℃で１時間攪拌し、次いで２００℃で４時間攪拌して反応溶液を得た。次に、反応溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で５時間乾燥し、ポリアミドイミドＡを得た。
乾燥窒素気流下、ヒドロキシル基含有ジアミン化合物（ａ）３１．４ｇ（０．０８ｍｏｌ）をＧＢＬ８０ｇに添加し、１２０℃で攪拌した。次に、ＴＤＡ－１００３０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）をＧＢＬ２０ｇとともに加えて、１２０℃で１時間攪拌し、次いで２００℃で４時間攪拌して反応溶液を得た。次に、反応溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で５時間乾燥し、ポリアミドイミドＡを得た。
【0150】
（合成例４）
（ポリベンゾオキサゾール前駆体Ａの原料）
原料Ａ：ジフェニルエーテル－４，４'－ジカルボン酸（東京化成工業（株）製）
原料Ｂ：１－ヒドロキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール（東京化成工業（株）製）
アミン化合物：ＢＡＨＦ（東京化成工業（株）製）
酸無水物：５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物（東京化成工業（株）製）
溶剤Ａ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン（以下ＮＭＰ、富士フイルム和光純薬（株）製）
溶媒Ｂ：メタノール（東京化成工業（株）製）。
（ポリベンゾオキサゾール前駆体Ａの原料）
原料Ａ：ジフェニルエーテル－４，４'－ジカルボン酸（東京化成工業（株）製）
原料Ｂ：１－ヒドロキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール（東京化成工業（株）製）
アミン化合物：ＢＡＨＦ（東京化成工業（株）製）
酸無水物：５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物（東京化成工業（株）製）
溶剤Ａ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン（以下ＮＭＰ、富士フイルム和光純薬（株）製）
溶媒Ｂ：メタノール（東京化成工業（株）製）。
【0151】
（ポリベンゾオキサゾール前駆体Ａの合成）
乾燥窒素気流下、ジフェニルエーテル－４，４'－ジカルボン酸４１．３ｇ（０．１６ｍｏｌ）、と１－ヒドロキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール４３．２ｇ（０．３２ｍｏｌ）とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の混合物０．１６モルとＢＡＨＦ７３．３ｇ（０．２０ｍｏｌ）をＮＭＰ５７０ｇに溶解させ、その後７５℃で１２時間反応させた。次に、ＮＭＰ７０ｇに溶解させた５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物１３．１ｇ（０．０８ｍｏｌ）を加え、更に１２時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水／メタノール＝３／１（容積比）の溶液に投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２４時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体Ａを得た。
乾燥窒素気流下、ジフェニルエーテル－４，４'－ジカルボン酸４１．３ｇ（０．１６ｍｏｌ）、と１－ヒドロキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール４３．２ｇ（０．３２ｍｏｌ）とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の混合物０．１６モルとＢＡＨＦ７３．３ｇ（０．２０ｍｏｌ）をＮＭＰ５７０ｇに溶解させ、その後７５℃で１２時間反応させた。次に、ＮＭＰ７０ｇに溶解させた５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物１３．１ｇ（０．０８ｍｏｌ）を加え、更に１２時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水／メタノール＝３／１（容積比）の溶液に投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２４時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体Ａを得た。
【0152】
（合成例５）
（ポリイミドＢの原料）
アミン化合物：ＢＡＨＦ（東京化成工業（株）製）
酸無水物：リカシッド（商標登録） ＴＤＡ－１００（新日本理化（株）製）
溶剤：ＧＢＬ（富士フイルム和光純薬（株）製）。
（ポリイミドＢの原料）
アミン化合物：ＢＡＨＦ（東京化成工業（株）製）
酸無水物：リカシッド（商標登録） ＴＤＡ－１００（新日本理化（株）製）
溶剤：ＧＢＬ（富士フイルム和光純薬（株）製）。
【0153】
（ポリイミドＢの合成）
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ３６．６３ｇ（０．１ｍｏｌ）をＧＢＬ８０ｇに添加し、１２０℃で攪拌溶解した。次に、ＴＤＡ－１００ ２４．０２ｇ（０．０８ｍｏｌ）をＧＢＬ２０ｇとともに加えて、１２０℃で１時間攪拌し、次いで２００℃で４時間攪拌して反応溶液を得た。次に、反応溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で５時間乾燥し、ポリイミドＢを得た。
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ３６．６３ｇ（０．１ｍｏｌ）をＧＢＬ８０ｇに添加し、１２０℃で攪拌溶解した。次に、ＴＤＡ－１００ ２４．０２ｇ（０．０８ｍｏｌ）をＧＢＬ２０ｇとともに加えて、１２０℃で１時間攪拌し、次いで２００℃で４時間攪拌して反応溶液を得た。次に、反応溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で５時間乾燥し、ポリイミドＢを得た。
【0154】
（感光性ポリイミドワニスの原料）
ポリイミドＡ：分子鎖末端がカルボン酸残基のポリイミド
ポリアミドＡ：分子鎖末端がカルボン酸残基のポリアミド
ポリアミドイミドＡ：分子鎖末端がカルボン酸残基のポリアミドイミド
ポリベンゾオキサゾール前駆体Ａ：分子鎖末端がカルボン酸残基のポリベンゾオキサゾール前駆体
ポリイミドＢ：分子鎖末端がアミン残基のポリイミド
フェノール樹脂Ａ：“マルカリンカー”（商標登録）Ｍ（丸善石油化学（株）製）
エポキシ樹脂Ａ：“ｊＥＲ”（商標登録）６３０（三菱ケミカル（株）製）
エポキシ化合物Ａ：“ＴＥＰＩＣ”（商標登録）－ＶＬ（日産化学（株）製）
エポキシ化合物Ｂ：“セロキサイド”（商標登録）２０８１（（株）ダイセル製）
エポキシ化合物Ｃ：“ショウフリー”（商標登録）ＰＥＴＧ（昭和電工（株）製）
アクリル化合物Ａ：ＢＰ－６ＥＭ（共栄社化学（株）製）
アクリル化合物Ｂ：“ＫＡＹＡＲＡＤ”（登録商標） ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）
光酸発生剤Ａ：“ＣＰＩ”（商標登録）－３１０Ｂ（サンアプロ（株）製）
光酸発生剤Ｂ：“ＣＰＩ”（商標登録）－４１０Ｓ（サンアプロ（株）製）
光ラジカル重合開始剤Ａ：ＯＸＥ０２（チバスペシャリティケミカルズ社製）
シランカップリング剤：ＫＢＭ－４０３（信越化学（株）製）。
ポリイミドＡ：分子鎖末端がカルボン酸残基のポリイミド
ポリアミドＡ：分子鎖末端がカルボン酸残基のポリアミド
ポリアミドイミドＡ：分子鎖末端がカルボン酸残基のポリアミドイミド
ポリベンゾオキサゾール前駆体Ａ：分子鎖末端がカルボン酸残基のポリベンゾオキサゾール前駆体
ポリイミドＢ：分子鎖末端がアミン残基のポリイミド
フェノール樹脂Ａ：“マルカリンカー”（商標登録）Ｍ（丸善石油化学（株）製）
エポキシ樹脂Ａ：“ｊＥＲ”（商標登録）６３０（三菱ケミカル（株）製）
エポキシ化合物Ａ：“ＴＥＰＩＣ”（商標登録）－ＶＬ（日産化学（株）製）
エポキシ化合物Ｂ：“セロキサイド”（商標登録）２０８１（（株）ダイセル製）
エポキシ化合物Ｃ：“ショウフリー”（商標登録）ＰＥＴＧ（昭和電工（株）製）
アクリル化合物Ａ：ＢＰ－６ＥＭ（共栄社化学（株）製）
アクリル化合物Ｂ：“ＫＡＹＡＲＡＤ”（登録商標） ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）
光酸発生剤Ａ：“ＣＰＩ”（商標登録）－３１０Ｂ（サンアプロ（株）製）
光酸発生剤Ｂ：“ＣＰＩ”（商標登録）－４１０Ｓ（サンアプロ（株）製）
光ラジカル重合開始剤Ａ：ＯＸＥ０２（チバスペシャリティケミカルズ社製）
シランカップリング剤：ＫＢＭ－４０３（信越化学（株）製）。
【0155】
（算術平均傾斜角の測定）
反射層形成後の隔壁基板を割断し、隔壁側面の反射層が露出した断面について、レーザーマイクロスコープＶＫ－Ｘ２００（キーエンス（株）製）を用い、倍率５０倍の対物レンズで隔壁側面を５箇所撮影し、付属の解析ソフトで隔壁側面中央２０μｍの長さ範囲を線粗さ分析し、５点の平均値を求めて算術平均傾斜角とした。ここで算術平均傾斜角とは、表面形状を測定した曲線の各微小部分がなす傾き（傾斜角）を算術平均したものである。算術平均傾斜角の値が小さいほど、表面形状が平滑である。
反射層形成後の隔壁基板を割断し、隔壁側面の反射層が露出した断面について、レーザーマイクロスコープＶＫ－Ｘ２００（キーエンス（株）製）を用い、倍率５０倍の対物レンズで隔壁側面を５箇所撮影し、付属の解析ソフトで隔壁側面中央２０μｍの長さ範囲を線粗さ分析し、５点の平均値を求めて算術平均傾斜角とした。ここで算術平均傾斜角とは、表面形状を測定した曲線の各微小部分がなす傾き（傾斜角）を算術平均したものである。算術平均傾斜角の値が小さいほど、表面形状が平滑である。
【0156】
（反射率の評価）
蛍光体層充填前の各シンチレータパネル表面に、分光測色計ＣＭ－２６００Ｄ（コニカミノルタ（株）製）を設置し、４００～７００ｎｍにおける反射率をＳＣＩ方式により測定した。得られた反射率について、５５０ｎｍにおける値を第１反射層の反射率の値とした。また、比較例１の反射率を１００としたときの相対値を算出し、第１反射層の反射率とした。実施例１０においては、得られた反射率を、第２反射層の反射率の値とし、比較例１の反射率を１００としたときの相対値を算出し、第２反射層の反射率とした。
蛍光体層充填前の各シンチレータパネル表面に、分光測色計ＣＭ－２６００Ｄ（コニカミノルタ（株）製）を設置し、４００～７００ｎｍにおける反射率をＳＣＩ方式により測定した。得られた反射率について、５５０ｎｍにおける値を第１反射層の反射率の値とした。また、比較例１の反射率を１００としたときの相対値を算出し、第１反射層の反射率とした。実施例１０においては、得られた反射率を、第２反射層の反射率の値とし、比較例１の反射率を１００としたときの相対値を算出し、第２反射層の反射率とした。
【0157】
（輝度の評価）
蛍光体層充填後の各シンチレータパネルを、Ｘ線検出器ＰａｘＳｃａｎ ２５２０Ｖ（Ｖａｒｅｘ社製）のセンサ表面中央に、シンチレータパネルのセルがセンサのピクセルと１対１対応するようにアライメントして配置し、基板端部を粘着テープで固定して、放射線検出器を作製した。この検出器に、Ｘ線放射装置Ｌ９１８１－０２（浜松ホトニクス（株）製）からのＸ線を、管電圧５０ｋＶ、Ｘ線管と検出器の距離３０ｃｍの条件でＸ線を照射して画像を取得した。得られた画像中の、シンチレータパネルの発光位置中央における２５６×２５６ピクセルのデジタル値の平均値を輝度値とし、輝度を測定した。輝度は任意単位で出力されるため、比較例１の値を１００としたときの相対値を算出し、輝度とした。
蛍光体層充填後の各シンチレータパネルを、Ｘ線検出器ＰａｘＳｃａｎ ２５２０Ｖ（Ｖａｒｅｘ社製）のセンサ表面中央に、シンチレータパネルのセルがセンサのピクセルと１対１対応するようにアライメントして配置し、基板端部を粘着テープで固定して、放射線検出器を作製した。この検出器に、Ｘ線放射装置Ｌ９１８１－０２（浜松ホトニクス（株）製）からのＸ線を、管電圧５０ｋＶ、Ｘ線管と検出器の距離３０ｃｍの条件でＸ線を照射して画像を取得した。得られた画像中の、シンチレータパネルの発光位置中央における２５６×２５６ピクセルのデジタル値の平均値を輝度値とし、輝度を測定した。輝度は任意単位で出力されるため、比較例１の値を１００としたときの相対値を算出し、輝度とした。
【0158】
（Ｘ線吸収量の評価）
蛍光体層充填後の各シンチレータパネルを、ＥＭＦ１２３型Ｘ線スペクトロメータ（ＥＭＦジャパン（株）製）の検出部上に配置した。このシンチレータパネルに、Ｘ線放射装置Ｌ９１８１－０２（浜松ホトニクス（株）製）からのＸ線を、管電圧５０ｋＶ、Ｘ線管と検出器の距離３０ｃｍの条件でＸ線を照射した際の、光子数スペクトルを取得した。得られたスペクトルの光子数の合計をＸ線透過量とし、シンチレータパネルが無い条件でＸ線を照射した場合の光子数の合計からシンチレータパネルのＸ線吸収量を算出した。実施例では比較例１の値を１００としたときの相対値を算出し、Ｘ線吸収量とした。
蛍光体層充填後の各シンチレータパネルを、ＥＭＦ１２３型Ｘ線スペクトロメータ（ＥＭＦジャパン（株）製）の検出部上に配置した。このシンチレータパネルに、Ｘ線放射装置Ｌ９１８１－０２（浜松ホトニクス（株）製）からのＸ線を、管電圧５０ｋＶ、Ｘ線管と検出器の距離３０ｃｍの条件でＸ線を照射した際の、光子数スペクトルを取得した。得られたスペクトルの光子数の合計をＸ線透過量とし、シンチレータパネルが無い条件でＸ線を照射した場合の光子数の合計からシンチレータパネルのＸ線吸収量を算出した。実施例では比較例１の値を１００としたときの相対値を算出し、Ｘ線吸収量とした。
【0159】
（機械強度の測定）
蛍光体層充填後の各シンチレータパネルを、光学顕微鏡ＯＰＴＩＰＨＯＴ３００（（株）ニコン製）のステージ上に蛍光体層が対物レンズ側になるように設置した。このシンチレータパネルに対して、シンチレータパネル中央の５００ピクセル×５００ピクセルにおける隔壁頂部の状態を観察した。観察した隔壁頂部の状態でヨレ等の変形、破断、欠損が生じている箇所の数を算出した。隔壁頂部の状態でヨレ等の変形、破断、欠損があるものの数が１０箇所以下をＡ、１１～２０箇所をＢ、２１箇所以上をＣとした。
蛍光体層充填後の各シンチレータパネルを、光学顕微鏡ＯＰＴＩＰＨＯＴ３００（（株）ニコン製）のステージ上に蛍光体層が対物レンズ側になるように設置した。このシンチレータパネルに対して、シンチレータパネル中央の５００ピクセル×５００ピクセルにおける隔壁頂部の状態を観察した。観察した隔壁頂部の状態でヨレ等の変形、破断、欠損が生じている箇所の数を算出した。隔壁頂部の状態でヨレ等の変形、破断、欠損があるものの数が１０箇所以下をＡ、１１～２０箇所をＢ、２１箇所以上をＣとした。
【0160】
（実施例１）
（ワニスの調製）
合成例１で得られたポリイミドＡを１０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、エポキシ化合物としてエポキシ化合物Ａ（“ＴＥＰＩＣ”－ＶＬ）１０ｇ（２６．２ｍｍｏｌ）、光酸発生剤として光酸発生剤Ａ（“ＣＰＩ”－３１０Ｂ）０．６ｇ、シランカップリング剤としてＫＢＭ－４０３ ０．８ｇをＧＢＬに溶解した。溶媒の添加量は、溶媒以外の添加物を固形分とし、固形分濃度が６０重量％となるように調製した。その後、保留粒子径１μｍのフィルターを用いて加圧ろ過し、感光性ポリイミドワニスを得た。
（ワニスの調製）
合成例１で得られたポリイミドＡを１０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、エポキシ化合物としてエポキシ化合物Ａ（“ＴＥＰＩＣ”－ＶＬ）１０ｇ（２６．２ｍｍｏｌ）、光酸発生剤として光酸発生剤Ａ（“ＣＰＩ”－３１０Ｂ）０．６ｇ、シランカップリング剤としてＫＢＭ－４０３ ０．８ｇをＧＢＬに溶解した。溶媒の添加量は、溶媒以外の添加物を固形分とし、固形分濃度が６０重量％となるように調製した。その後、保留粒子径１μｍのフィルターを用いて加圧ろ過し、感光性ポリイミドワニスを得た。
【0161】
（隔壁基板の作製）
基板として、１２５ｍｍ×１２５ｍｍ×０．０５ｍｍのＰＩフィルムを用いた。基板の表面に、感光性ポリイミドワニスを、乾燥後の厚さが１００μｍになるようにダイコーターで塗布して乾燥し、感光性ポリイミドワニスの塗布膜を得た。
基板として、１２５ｍｍ×１２５ｍｍ×０．０５ｍｍのＰＩフィルムを用いた。基板の表面に、感光性ポリイミドワニスを、乾燥後の厚さが１００μｍになるようにダイコーターで塗布して乾燥し、感光性ポリイミドワニスの塗布膜を得た。
【0162】
次に、所望のパターンに対応する開口部を有するフォトマスク（ピッチ１２７μｍ、線幅１０μｍの、格子状開口部を有するクロムマスク）を介して、感光性ポリイミドワニスの塗布膜を、超高圧水銀灯を用いて２０００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露光した。露光後の塗布膜は、２質量％の水酸化カリウム水溶液中で現像し、未露光部分を除去して、格子状のパターンを得た。得られた格子状のパターンを、空気中２００℃で６０分間熱架橋硬化して、格子状の隔壁を形成した。割断により隔壁断面を露出させ、走査型電子顕微鏡Ｓ２４００（（株）日立製作所製）で撮像して隔壁の高さ、底部幅、頂部幅、間隔を測定した。
【0163】
（第１反射層及び無機保護層の形成）
市販のスパッタ装置、およびスパッタターゲットを用いた。スパッタ時は、隔壁基板の近傍にガラス平板を配置し、ガラス平板上における金属厚みが３００ｎｍとなる条件でスパッタを実施した。スパッタターゲットには、パラジウムおよび銅を含有する銀合金であるＡＰＣ（（株）フルヤ金属製）を用いた。第１反射層を形成後、同一の真空バッチ中で、保護層としてＳｉＮをガラス基板上における厚みが１００ｎｍとなるように形成した。
市販のスパッタ装置、およびスパッタターゲットを用いた。スパッタ時は、隔壁基板の近傍にガラス平板を配置し、ガラス平板上における金属厚みが３００ｎｍとなる条件でスパッタを実施した。スパッタターゲットには、パラジウムおよび銅を含有する銀合金であるＡＰＣ（（株）フルヤ金属製）を用いた。第１反射層を形成後、同一の真空バッチ中で、保護層としてＳｉＮをガラス基板上における厚みが１００ｎｍとなるように形成した。
【0164】
（有機保護層の形成）
フッ素含有樹脂溶液
非晶性フッ素含有樹脂として“ＣＹＴＯＰ”（登録商標）ＣＴＬ－８０９Ｍの１質量部に対し、溶媒としてフッ素系溶剤ＣＴ－ＳＯＬＶ１８０（ＡＧＣ（株）製）を１質量部混合して樹脂溶液を作製した。
フッ素含有樹脂溶液
非晶性フッ素含有樹脂として“ＣＹＴＯＰ”（登録商標）ＣＴＬ－８０９Ｍの１質量部に対し、溶媒としてフッ素系溶剤ＣＴ－ＳＯＬＶ１８０（ＡＧＣ（株）製）を１質量部混合して樹脂溶液を作製した。
【0165】
この樹脂溶液を第１反射層と無機保護層を形成した隔壁基板に真空印刷した後、９０℃で１ｈ乾燥し、さらに１９０℃で１ｈキュアして有機保護層を形成した。トリプルイオンミリング装置ＥＭＴＩＣ３Ｘ（ＬＥＩＣＡ社製）を用いて隔壁断面を露出させ、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）Ｍｅｒｌｉｎ（Ｚｅｉｓｓ社製）で撮像して測定した、隔壁基板における隔壁の高さ方向中央部側面の有機保護層の厚みは１μｍであった。
【0166】
（蛍光体）
市販のＧＯＳ：Ｔｂ（Ｔｂをドープした酸硫化ガドリニウム）蛍光体粉末をそのまま用いた。粒度分布測定装置ＭＴ３３００（日機装（株）製）で測定した平均粒子径Ｄ５０は１１μｍであった。
市販のＧＯＳ：Ｔｂ（Ｔｂをドープした酸硫化ガドリニウム）蛍光体粉末をそのまま用いた。粒度分布測定装置ＭＴ３３００（日機装（株）製）で測定した平均粒子径Ｄ５０は１１μｍであった。
【0167】
（蛍光体層のバインダー樹脂）
蛍光体層のバインダー樹脂の作製に用いた原料は次の通りである。
バインダー樹脂：エトセル（登録商標）７ｃｐ（ダウケミカル（株）製）
溶媒：ベンジルアルコール（富士フイルム和光純薬（株）製）。
蛍光体層のバインダー樹脂の作製に用いた原料は次の通りである。
バインダー樹脂：エトセル（登録商標）７ｃｐ（ダウケミカル（株）製）
溶媒：ベンジルアルコール（富士フイルム和光純薬（株）製）。
【0168】
（蛍光体層の形成）
蛍光体粉末１０質量部を、濃度１０質量％のバインダー樹脂溶液５質量部と混合して、蛍光体ペーストを作製した。この蛍光体ペーストを、反射層、無機保護層、有機保護層を形成した隔壁基板に真空印刷し、蛍光体の体積分率が６５％になるように充填して１５０℃で１５分乾燥し、蛍光体層を形成した。
蛍光体粉末１０質量部を、濃度１０質量％のバインダー樹脂溶液５質量部と混合して、蛍光体ペーストを作製した。この蛍光体ペーストを、反射層、無機保護層、有機保護層を形成した隔壁基板に真空印刷し、蛍光体の体積分率が６５％になるように充填して１５０℃で１５分乾燥し、蛍光体層を形成した。
【0169】
（実施例２）
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例２で得られたポリアミドＡを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例２で得られたポリアミドＡを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0170】
（実施例３）
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例３で得られたポリアミドイミドＡを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例３で得られたポリアミドイミドＡを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0171】
（実施例４）
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例４で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体Ａを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例４で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体Ａを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0172】
（実施例５）
実施例１において、エポキシ化合物Ａを用いず、エポキシ化合物Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、エポキシ化合物Ａを用いず、エポキシ化合物Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0173】
（実施例６）
実施例１において、エポキシ化合物Ａを用いず、エポキシ化合物Ｃを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、エポキシ化合物Ａを用いず、エポキシ化合物Ｃを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0174】
（実施例７）
実施例１において、光酸発生剤Ａを用いず、光酸発生剤Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、光酸発生剤Ａを用いず、光酸発生剤Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0175】
（実施例８）
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例５で得られたポリイミドＢを用い、エポキシ化合物Ａ（“ＴＥＰＩＣ”－ＶＬ） １０ｇをアクリル化合物Ａ（ＢＰ－６ＥＭ）５．０ｇおよびアクリル化合物Ｂ（“ＫＡＹＡＲＡＤ” ＤＰＨＡ）０．６ｇに変更し、光酸発生剤Ａ（“ＣＰＩ”－３１０Ｂ）０．６ｇを光ラジカル重合開始剤Ａ（ＯＸＥ０２） １．４ｇに変更した以外は、実施例１と同様にワニスを調整した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例５で得られたポリイミドＢを用い、エポキシ化合物Ａ（“ＴＥＰＩＣ”－ＶＬ） １０ｇをアクリル化合物Ａ（ＢＰ－６ＥＭ）５．０ｇおよびアクリル化合物Ｂ（“ＫＡＹＡＲＡＤ” ＤＰＨＡ）０．６ｇに変更し、光酸発生剤Ａ（“ＣＰＩ”－３１０Ｂ）０．６ｇを光ラジカル重合開始剤Ａ（ＯＸＥ０２） １．４ｇに変更した以外は、実施例１と同様にワニスを調整した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0176】
（実施例９）
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例５で得られたポリイミドＢを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、合成例５で得られたポリイミドＢを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0177】
（実施例１０）
実施例１において、後述する方法で第２反射層を形成した以外は、実施例１と同様に隔壁基板を作製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、後述する方法で第２反射層を形成した以外は、実施例１と同様に隔壁基板を作製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0178】
（第２反射層ペーストの原料）
第２反射層ペーストの作製に用いた原料は次の通りである。
金属酸化物：酸化チタン（平均粒子径０．２５μｍ）
高分子化合物：エトセル（登録商標）１００ｃｐ（ダウケミカル（株）製）
溶媒：テルピネオール。
第２反射層ペーストの作製に用いた原料は次の通りである。
金属酸化物：酸化チタン（平均粒子径０．２５μｍ）
高分子化合物：エトセル（登録商標）１００ｃｐ（ダウケミカル（株）製）
溶媒：テルピネオール。
【0179】
（第２反射層の形成）
バインダー樹脂として、“エトセル”（登録商標）１００ｃｐの１質量部に対し、９０質量部の溶媒（テルピネオール）を混合し、８０℃で加熱溶解し、樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液に、９質量部の酸化チタンを添加して混練することで、第２反射層ペーストを得た。
バインダー樹脂として、“エトセル”（登録商標）１００ｃｐの１質量部に対し、９０質量部の溶媒（テルピネオール）を混合し、８０℃で加熱溶解し、樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液に、９質量部の酸化チタンを添加して混練することで、第２反射層ペーストを得た。
【0180】
この第２反射層ペーストを、実施例１において第１反射層、無機保護層および有機保護層を形成した隔壁基板に真空印刷した後、９０℃で１ｈ乾燥して第２反射層を形成した。トリプルイオンミリング装置ＥＭＴＩＣ３Ｘ（ＬＥＩＣＡ社製）を用いて隔壁断面を露出させ、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）Ｍｅｒｌｉｎ（Ｚｅｉｓｓ社製）で撮像して測定した、隔壁基板における隔壁の高さ方向中央部側面の第２反射護層の厚みは５μｍであった。
【0181】
（実施例１１）
フォトマスクを、ピッチ１２７μｍ、線幅７μｍ、の格子状開口部を有するクロムマスクに変更した以外は、実施例１と同様に隔壁基板を作製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
フォトマスクを、ピッチ１２７μｍ、線幅７μｍ、の格子状開口部を有するクロムマスクに変更した以外は、実施例１と同様に隔壁基板を作製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0182】
（比較例１）
（隔壁基板の形成）
（感光性アクリル樹脂の調製）
以下の原料を用いて感光性アクリル樹脂を調製した。
（隔壁基板の形成）
（感光性アクリル樹脂の調製）
以下の原料を用いて感光性アクリル樹脂を調製した。
【0183】
感光性モノマーＭ－１：トリメチロールプロパントリアクリレート
感光性モノマーＭ－２：テトラプロピレングリコールジメタクリレート
感光性ポリマー：メタクリル酸／メタクリル酸メチル／スチレン＝４０／４０／３０の質量比からなる共重合体のカルボキシル基に対して０．４当量のグリシジルメタクリレートを付加反応させたもの（重量平均分子量４３０００；酸価１００）
光ラジカル重合開始剤Ｂ：２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）ブタノン－１（ＢＡＳＦ社製）
重合禁止剤：１，６－ヘキサンジオール－ビス［（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］）
紫外線吸収剤溶液：スダンＩＶ（東京応化工業（株）製）のγ－ブチロラクトン０．３質量％溶液
粘度調整剤：フローノンＥＣ１２１（共栄社化学（株）製）
溶媒：γ－ブチロラクトン（富士フイルム和光純薬（株）製）。
感光性モノマーＭ－２：テトラプロピレングリコールジメタクリレート
感光性ポリマー：メタクリル酸／メタクリル酸メチル／スチレン＝４０／４０／３０の質量比からなる共重合体のカルボキシル基に対して０．４当量のグリシジルメタクリレートを付加反応させたもの（重量平均分子量４３０００；酸価１００）
光ラジカル重合開始剤Ｂ：２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）ブタノン－１（ＢＡＳＦ社製）
重合禁止剤：１，６－ヘキサンジオール－ビス［（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］）
紫外線吸収剤溶液：スダンＩＶ（東京応化工業（株）製）のγ－ブチロラクトン０．３質量％溶液
粘度調整剤：フローノンＥＣ１２１（共栄社化学（株）製）
溶媒：γ－ブチロラクトン（富士フイルム和光純薬（株）製）。
【0184】
４質量部の感光性モノマーＭ－１、６質量部の感光性モノマーＭ－２、２４質量部の感光性ポリマー、６質量部の光ラジカル重合開始剤Ｂ、０．２質量部の重合禁止剤および１２．８質量部の紫外線吸収剤溶液を、３８質量部の溶媒に、温度８０℃で加熱溶解し、感光性アクリル樹脂溶液を得た。
【0185】
基板として、１２５ｍｍ×１２５ｍｍ×０．０５ｍｍのＰＩフィルムを用いた。基板の表面に、感光性アクリル樹脂溶液を、乾燥後の厚さが１００μｍになるようにダイコーターで塗布して乾燥し、感光性アクリル樹脂溶液の塗布膜を得た。次に、所望のパターンに対応する開口部を有するフォトマスク（ピッチ１２７μｍ、線幅１０μｍの、格子状開口部を有するクロムマスク）を介して、感光性アクリル樹脂溶液の塗布膜を、超高圧水銀灯を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した。露光後の塗布膜は、０．５質量％のエタノールアミン水溶液中で現像し、未露光部分を除去して、格子状のパターンを得た。得られた格子状のパターンを、空気中１５０℃で３０分間乾燥して、格子状の隔壁を形成した。割断により隔壁断面を露出させ、走査型電子顕微鏡Ｓ２４００（（株）日立製作所製）で撮像して隔壁の高さ、底部幅、頂部幅、間隔を測定した。
【0186】
得られた隔壁基板を用いて、実施例１と同様に第１反射層と無機保護層及び有機保護層の形成を行い、蛍光体を充填して評価した。
【0187】
（比較例２）
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、フェノール樹脂Ａを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、フェノール樹脂Ａを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0188】
（比較例３）
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、エポキシ樹脂Ａを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。また、隔壁基板の形成工程において、塗布膜の現像に水酸化カリウム水溶液を用いず、プロピレングリコール１－モノメチルエーテル２－アセタートを用いた以外は、実施例１と同様に隔壁基板を作製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
実施例１において、ポリイミドＡを用いず、エポキシ樹脂Ａを用いた以外は、実施例１と同様にワニスを調製した。また、隔壁基板の形成工程において、塗布膜の現像に水酸化カリウム水溶液を用いず、プロピレングリコール１－モノメチルエーテル２－アセタートを用いた以外は、実施例１と同様に隔壁基板を作製した。隔壁基板を作製後、反射率と輝度、Ｘ線吸収量を測定した。
【0189】
（比較例４）
（ガラス粉末含有ペーストの作製）
比較例１で作製した感光性アクリル樹脂５０質量部１に、低軟化点ガラス粉末５０質量部を添加した後、３本ローラー混練機にて混練し、ガラス粉末含有ペーストを得た。
（ガラス粉末含有ペーストの作製）
比較例１で作製した感光性アクリル樹脂５０質量部１に、低軟化点ガラス粉末５０質量部を添加した後、３本ローラー混練機にて混練し、ガラス粉末含有ペーストを得た。
【0190】
（低軟化点ガラス粉末）
ＳｉＯ２ ２７質量％、Ｂ２Ｏ３ ３１質量％、ＺｎＯ ６質量％、Ｌｉ２Ｏ ７質量％、ＭｇＯ ２質量％、ＣａＯ ２質量％、ＢａＯ ２質量％、Ａｌ２Ｏ３ ２３質量％、屈折率（ｎｇ）１．５６、ガラス軟化温度５８８℃、熱膨張係数７０×１０－７（Ｋ－１）、平均粒子径２．３μｍ。
ＳｉＯ２ ２７質量％、Ｂ２Ｏ３ ３１質量％、ＺｎＯ ６質量％、Ｌｉ２Ｏ ７質量％、ＭｇＯ ２質量％、ＣａＯ ２質量％、ＢａＯ ２質量％、Ａｌ２Ｏ３ ２３質量％、屈折率（ｎｇ）１．５６、ガラス軟化温度５８８℃、熱膨張係数７０×１０－７（Ｋ－１）、平均粒子径２．３μｍ。
【0191】
基板として、１２５ｍｍ×１２５ｍｍ×０．７ｍｍのソーダガラス板を用いた。基板の表面に、ガラス粉末含有ペーストを、乾燥後の厚さが１００μｍになるようにダイコーターで塗布して乾燥し、ガラス粉末含有ペーストの塗布膜を得た。次に、所望のパターンに対応する開口部を有するフォトマスク（ピッチ１２７μｍ、線幅１０μｍの、格子状開口部を有するクロムマスク）を介して、ガラス粉末含有ペーストの塗布膜を、超高圧水銀灯を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した。露光後の塗布膜は、０．５質量％のエタノールアミン水溶液中で現像し、未露光部分を除去して、格子状の焼成前パターンを得た。得られた格子状の焼成前パターンを、空気中５８０℃で１５分間焼成して、ガラスを主成分とする、格子状の隔壁を形成した。割断により隔壁断面を露出させ、走査型電子顕微鏡Ｓ２４００（（株）日立製作所製）で撮像して隔壁の高さ、底部幅、頂部幅、間隔を測定した。
【0192】
得られた隔壁基板を用いて、実施例１と同様に第１反射層と無機保護層および有機保護層の形成を行い、蛍光体を充填して評価した。
【0193】
実施例１～１１、比較例１～４の評価結果を表１、２に示す。
【0194】
【表1】
【0195】
【表2】
【0196】
化合物（Ｐ）を含有する材料で隔壁を構成した実施例１～１１はいずれも反射率と輝度が高かった。化合物（Ｐ）の一種であり、耐熱性、機械特性および耐薬品性に優れるポリイミドで隔壁を形成したことにより、反射層形成のためのスパッタ工程における加温等によるダメージが少なかったことや、蛍光体充填工程における溶剤や熱による隔壁の表面の平滑性の低下が生じなかったことに起因し、平滑性に優れた第１反射層が得られためであると推定される。さらに、機械的強度が十分であるため、蛍光体充填工程等における真空印刷時に隔壁の破断や欠損が抑制されたと考えられる。
【0197】
また、隔壁が化合物（Ｐ）とエポキシ化合物由来の構造とを含有する場合は、より加工性に優れ、隔壁頂部に対し、隔壁底部の幅がより細くなったため、蛍光体の充填量が上がり、輝度がより高くなったと考えられる。特に、化合物（Ｐ）の分子鎖末端がカルボン酸残基である実施例１～７および１０～１１はカチオン重合が十分に進行したため、平滑性に優れた隔壁が形成でき、輝度がより高くなったと考えられる。
【0198】
一方、比較例１では、化合物（Ｐ）を含まないアクリル樹脂で隔壁を形成したため、隔壁側面の算術平均傾斜角が悪化し、平滑性が低下したことで、反射率、輝度が低下した。また、耐薬品性に劣ることから、蛍光体充填工程における隔壁の変形がみられた。比較例２では、化合物（Ｐ）を含まないがフェノール性水酸基を有するフェノール樹脂で隔壁を形成したため、隔壁側面の算術平均傾斜角が悪化し、平滑性が低下したことで、反射率、輝度が低下した。比較例３では、化合物（Ｐ）を含まないエポキシ樹脂で隔壁を形成したため、反射率や輝度は適当であったが、隔壁の機械強度が低く、シンチレータパネルの作製工程において隔壁の破断や欠損がみられた。比較例４では、低軟化点ガラスを用いて隔壁を形成したため、ガラス粉末の溶融による隔壁側面の凹凸が生じ、隔壁の平滑性が低下した。また、ガラスの溶融により隔壁底部の幅が太くなったことで、蛍光体の充填量の低下によるＸ線吸収量の低下がみられた。これらの結果、反射率の低下と、それに伴う輝度の低下がみられた。
【符号の説明】
【0199】
１ 放射線検出器用部材
２ シンチレータパネル
３ 出力基板
４ 基板
５ 隔壁
６ 蛍光体層
７ 隔膜層
８ 光電変換層
９ 出力層
１０ 基板
１１ 第１反射層
１２ 有機保護層
１３ 第２反射層
１４ 蛍光体
１５ バインダー樹脂
Ｌ１ 隔壁の高さ
Ｌ２ 隣接する隔壁の間隔
Ｌ２（Ｘ） 隣接する隔壁のＸ軸方向の間隔
Ｌ２（Ｙ） 隣接する隔壁のＹ軸方向の間隔
Ｌ３ 隔壁の底部幅
Ｌ４ 隔壁の頂部幅
２ シンチレータパネル
３ 出力基板
４ 基板
５ 隔壁
６ 蛍光体層
７ 隔膜層
８ 光電変換層
９ 出力層
１０ 基板
１１ 第１反射層
１２ 有機保護層
１３ 第２反射層
１４ 蛍光体
１５ バインダー樹脂
Ｌ１ 隔壁の高さ
Ｌ２ 隣接する隔壁の間隔
Ｌ２（Ｘ） 隣接する隔壁のＸ軸方向の間隔
Ｌ２（Ｙ） 隣接する隔壁のＹ軸方向の間隔
Ｌ３ 隔壁の底部幅
Ｌ４ 隔壁の頂部幅
【図1】
【図2】
【図3】
