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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-06-27
(45)【発行日】2022-07-05
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01S 5/02208 20210101AFI20220628BHJP
H01S 5/40 20060101ALI20220628BHJP
【ＦＩ】
H01S5/02208
H01S5/40
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2020207616
(22)【出願日】2020-12-15
(62)【分割の表示】P 2019034457の分割
【原出願日】2019-02-27
(65)【公開番号】P2021052204
(43)【公開日】2021-04-01
【審査請求日】2020-12-15
(73)【特許権者】
【識別番号】000005496
【氏名又は名称】富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100104880
【弁理士】
【氏名又は名称】古部 次郎
(74)【代理人】
【識別番号】100125346
【弁理士】
【氏名又は名称】尾形 文雄
(72)【発明者】
【氏名】稲田 智志
(72)【発明者】
【氏名】大野 健一
(72)【発明者】
【氏名】皆見 健史
(72)【発明者】
【氏名】大塚 勤
(72)【発明者】
【氏名】樋口 貴史
【審査官】高椋 健司
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１５／１３６０９９（ＷＯ，Ａ２）
【文献】特開２０１６－１２５９７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－３０００３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１６０７５１（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１０９１４９３５５（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０５１８２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－３１１３９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－１２０６４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】WANG, Cheng et al.，"A CMOS Laser Driver with Configurable Optical Power for Time-of-Flight 3D-Sensing"，2018 IEEE 3rd International Conference on Integrated Circuits and Microsystems (ICICM)，IEEE，2018年11月24日，pp 25-28，https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8596490，DOI: 10.1109/ICAM.2018.8596490
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｓ ５／００－５／５０
ＩＥＥＥ Ｘｐｌｏｒｅ
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に設けられたキャパシタと、
前記基板上に設けられ、前記キャパシタに蓄積された電荷により駆動のための電流が供給される光源と、
前記光源が出射する光が透過し、且つ、前記光源の光軸方向に配置された第１の覆い部と、
前記第１の覆い部を透過した光が透過し、且つ、前記光源の前記光軸方向に配置された第２の覆い部と、
前記キャパシタと前記光源との間を除く前記基板上に設けられ、前記第１の覆い部を支持する第１の壁と、
前記第２の覆い部を支持し、前記第２の覆い部を支持する端部が前記第１の壁よりも前記光軸の中心に近い位置に設けられた第２の壁と、
を備える発光装置。
【請求項2】
基板と、前記基板上に設けられたキャパシタと、
前記基板上に設けられ、前記キャパシタに蓄積された電荷により駆動のための電流が供給される光源と、
前記光源が出射する光が透過し、且つ、前記光源の光軸方向に配置された第１の覆い部と、
前記第１の覆い部を透過した光が透過し、且つ、前記光源の前記光軸方向に配置された第２の覆い部と、
前記キャパシタと前記光源との間を除く前記基板上に設けられ、前記第１の覆い部を支持する第１の壁と、を有し、
前記光軸に沿った断面において、前記光軸に垂直な方向の前記第２の覆い部の長さは、前記光軸に垂直な方向の前記第１の覆い部の長さより短い発光装置。
【請求項3】
前記光源を駆動する駆動部を備え、前記光源と前記駆動部との間隔は、前記光源と前記第２の覆い部との間隔より狭く設定されている請求項１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、複数の垂直共振器型発光素子が平面上に配列された垂直共振器型発光素子モジュールは、基板上の互いに隣接する垂直共振器型発光素子からのレーザビーム間の領域に配置され、かつ、レーザビームの出射方向側に位置する接合用面とレーザビームが伝搬するビーム空間を臨む外壁とを有する垂直共振器型発光素子レーザモジュールが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１８－３２６５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、三次元センシングをＴｏＦ（Time of Flight）法により行うための光源は、測定精度を向上させるために、大電流のオン／オフをより高速に行う必要がある。このため、短時間に大電流を供給するために電荷を放電するためのキャパシタと光源との間に光源からの光を拡散させる拡散板を支える壁が設けられると、壁が邪魔となって光源とキャパシタとを近接させづらい。このため、光源とキャパシタとの間の配線インダクタンスの低減がしづらく、光源を高速にオン／オフさせる場合の制約となる。
【0005】
本発明の目的は、第１の覆い部を支える壁を他の部分と同じような壁を光源とキャパシタとの間にも設ける場合に比べて、光源とキャパシタとの間を近接させやすい発光装置などを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上に設けられたキャパシタと、前記基板上に設けられ、前記キャパシタに蓄積された電荷により駆動のための電流が供給される光源と、前記光源が出射する光が透過し、且つ、前記光源の光軸方向に配置された第１の覆い部と、前記第１の覆い部を透過した光が透過し、且つ、前記光源の前記光軸方向に配置された第２の覆い部と、前記キャパシタと前記光源との間を除く前記基板上に設けられ、前記第１の覆い部を支持する第１の壁と、前記第２の覆い部を支持し、前記第２の覆い部を支持する端部が前記第１の壁よりも前記光軸の中心に近い位置に設けられた第２の壁と、を備える発光装置である。
請求項２に記載の発明は、基板と、前記基板上に設けられたキャパシタと、前記基板上に設けられ、前記キャパシタに蓄積された電荷により駆動のための電流が供給される光源と、前記光源が出射する光が透過し、且つ、前記光源の光軸方向に配置された第１の覆い部と、前記第１の覆い部を透過した光が透過し、且つ、前記光源の前記光軸方向に配置された第２の覆い部と、前記キャパシタと前記光源との間を除く前記基板上に設けられ、前記第１の覆い部を支持する第１の壁と、を有し、前記光軸に沿った断面において、前記光軸に垂直な方向の前記第２の覆い部の長さは、前記光軸に垂直な方向の前記第１の覆い部の長さより短い発光装置である。
請求項３に記載の発明は、前記光源を駆動する駆動部を備え、前記光源と前記駆動部との間隔は、前記光源と前記第２の覆い部との間隔より狭く設定されている請求項１に記載の発光装置である。
請求項２に記載の発明は、基板と、前記基板上に設けられたキャパシタと、前記基板上に設けられ、前記キャパシタに蓄積された電荷により駆動のための電流が供給される光源と、前記光源が出射する光が透過し、且つ、前記光源の光軸方向に配置された第１の覆い部と、前記第１の覆い部を透過した光が透過し、且つ、前記光源の前記光軸方向に配置された第２の覆い部と、前記キャパシタと前記光源との間を除く前記基板上に設けられ、前記第１の覆い部を支持する第１の壁と、を有し、前記光軸に沿った断面において、前記光軸に垂直な方向の前記第２の覆い部の長さは、前記光軸に垂直な方向の前記第１の覆い部の長さより短い発光装置である。
請求項３に記載の発明は、前記光源を駆動する駆動部を備え、前記光源と前記駆動部との間隔は、前記光源と前記第２の覆い部との間隔より狭く設定されている請求項１に記載の発光装置である。
【発明の効果】
【0007】
請求項１、２に記載の発明によれば、第１の覆い部を支える壁を他の部分と同じような壁を光源とキャパシタとの間にも設ける場合に比べて、光源とキャパシタとの間を近接させやすい。
請求項３に記載の発明によれば、光源と駆動部との間隔が光源と第２の覆い部との間隔よりも広い場合に比べ、光源と駆動部とが近接させられる。
請求項３に記載の発明によれば、光源と駆動部との間隔が光源と第２の覆い部との間隔よりも広い場合に比べ、光源と駆動部とが近接させられる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】情報処理装置の一例を示す図である。
【図2】情報処理装置の構成を説明するブロック図である。
【図3】光源の平面図である。
【図4】光源における１個のＶＣＳＥＬの断面構造を説明する図である。
【図5】拡散板の一例を説明する図である。（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）のＶＢ－ＶＢ線での断面図である。
【図6】ローサイド駆動により光源を駆動する等価回路の一例を示す図である。
【図7】第１の実施の形態が適用される発光装置を説明する図である。（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）のＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線での断面図である。
【図8】比較のために示す発光装置を説明する図である。（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）のＶＩＩＩＢ－ＶＩＩＩＢ線での断面図である。
【図9】第１の実施の形態が適用される発光装置の変形例を説明する平面図である。（ａ）は、変形例１の発光装置、（ｂ）は、変形例２の発光装置である。
【図10】第２の実施の形態が適用される発光装置を説明する図である。（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）のＸＢ－ＸＢ線での断面図である。
【図11】第３の実施の形態が適用される発光装置の平面図である。（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）のＸＩＢ－ＸＩＢ線での断面図である。
【図12】第３の実施の形態が適用される発光装置の変形例である発光装置を説明する図である。（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）のＸＩＩＢ－ＸＩＩＢ線での断面図である。
【図13】第４の実施の形態が適用される発光装置を説明する図である。（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）のＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢ線での断面図である。
【図14】発光装置を用いた情報処理装置の断面構造を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
情報処理装置は、その情報処理装置にアクセスしたユーザがアクセスすることが許可されているか否かを識別し、アクセスが許可されているユーザであることが認証された場合にのみ、自装置（情報処理装置）の使用を許可するようになっていることが多い。これまで、パスワード、指紋、虹彩などにより、ユーザを認証する方法が用いられてきた。最近では、さらにセキュリティ性の高い認証方法が求められている。この方法として、ユーザの顔の形状など、三次元像による認証が行われるようになっている。
ここでは、情報処理装置は、一例として携帯型情報処理端末であるとして説明し、三次元像として捉えられた顔の形状を認識することで、ユーザを認証するとして説明する。なお、情報処理装置は、携帯型情報端末以外のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）などの情報処理装置に適用しうる。
さらに、本実施の形態で説明する構成、機能、方法等は、顔の形状の認識以外の三次元形状の認識にも適用しうる。すなわち、顔以外の物体の形状の認識にも適用してもよい。また、被測定物までの距離は問わない。
情報処理装置は、その情報処理装置にアクセスしたユーザがアクセスすることが許可されているか否かを識別し、アクセスが許可されているユーザであることが認証された場合にのみ、自装置（情報処理装置）の使用を許可するようになっていることが多い。これまで、パスワード、指紋、虹彩などにより、ユーザを認証する方法が用いられてきた。最近では、さらにセキュリティ性の高い認証方法が求められている。この方法として、ユーザの顔の形状など、三次元像による認証が行われるようになっている。
ここでは、情報処理装置は、一例として携帯型情報処理端末であるとして説明し、三次元像として捉えられた顔の形状を認識することで、ユーザを認証するとして説明する。なお、情報処理装置は、携帯型情報端末以外のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）などの情報処理装置に適用しうる。
さらに、本実施の形態で説明する構成、機能、方法等は、顔の形状の認識以外の三次元形状の認識にも適用しうる。すなわち、顔以外の物体の形状の認識にも適用してもよい。また、被測定物までの距離は問わない。
【0010】
［第１の実施の形態］
（情報処理装置１）
図１は、情報処理装置１の一例を示す図である。前述したように、情報処理装置１は、一例として携帯型情報処理端末である。
情報処理装置１は、ユーザインターフェイス部（以下では、ＵＩ部と表記する。）２と三次元像を取得する光学装置３とを備える。ＵＩ部２は、例えばユーザに対して情報を表示する表示デバイスとユーザの操作により情報処理に対する指示が入力される入力デバイスとが一体化されて構成されている。表示デバイスは、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイであり、入力デバイスは、例えばタッチパネルである。
（情報処理装置１）
図１は、情報処理装置１の一例を示す図である。前述したように、情報処理装置１は、一例として携帯型情報処理端末である。
情報処理装置１は、ユーザインターフェイス部（以下では、ＵＩ部と表記する。）２と三次元像を取得する光学装置３とを備える。ＵＩ部２は、例えばユーザに対して情報を表示する表示デバイスとユーザの操作により情報処理に対する指示が入力される入力デバイスとが一体化されて構成されている。表示デバイスは、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイであり、入力デバイスは、例えばタッチパネルである。
【0011】
光学装置３は、発光装置４と、三次元センサ（以下では、３Ｄセンサと表記する。）５とを備える。発光装置４は、三次元像を取得するための被測定物、ここで説明する例では顔に向けて光を出射する。３Ｄセンサ５は、発光装置４が出射した光が顔で反射されて戻ってきた光を取得する。ここでは、光の飛行時間による、いわゆるＴｏＦ（Time of Flight）法に基づいて、顔の三次元像を取得する。以下では、顔の三次元像を取得する場合であっても、顔を被測定物と表記する。なお、顔以外の三次元像を取得してもよい。三次元像を取得することを、３Ｄセンシングと表記することがある。
【0012】
なお、情報処理装置１は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを含むコンピュータとして構成されている。なお、ＲＯＭには、不揮発性の書き換え可能なメモリ、例えばフラッシュメモリを含む。そして、ＲＯＭに蓄積されたプログラムや定数が、ＲＡＭに展開されて、ＣＰＵが実行することによって、情報処理装置１が動作し、各種の情報処理が実行される。
【0013】
図２は、情報処理装置１の構成を説明するブロック図である。
情報処理装置１は、上記した光学装置３と、光学装置制御部８と、システム制御部９とを備える。光学装置制御部８は、光学装置３を制御する。そして、光学装置制御部８は、形状特定部８１を含む。システム制御部９は、情報処理装置１全体をシステムとして制御する。そして、システム制御部９は、認証処理部９１を含む。そして、システム制御部９には、ＵＩ部２、スピーカ９２、二次元カメラ（図２では、２Ｄカメラと表記する。）９３などが接続されている。なお、３Ｄセンサ５は、受光部の一例、光学装置制御部８が制御部の一例である。
以下、順に説明する。
情報処理装置１は、上記した光学装置３と、光学装置制御部８と、システム制御部９とを備える。光学装置制御部８は、光学装置３を制御する。そして、光学装置制御部８は、形状特定部８１を含む。システム制御部９は、情報処理装置１全体をシステムとして制御する。そして、システム制御部９は、認証処理部９１を含む。そして、システム制御部９には、ＵＩ部２、スピーカ９２、二次元カメラ（図２では、２Ｄカメラと表記する。）９３などが接続されている。なお、３Ｄセンサ５は、受光部の一例、光学装置制御部８が制御部の一例である。
以下、順に説明する。
【0014】
発光装置４は、基板１０と、光源２０と、拡散板３０と、光量監視用受光素子（図２及び以下では、ＰＤと表記する。）４０と、駆動部５０と、支持部６０と、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂとを備える。光源２０、ＰＤ４０、駆動部５０、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂは、基板１０上に設けられている。そして、拡散板３０は、支持部６０により基板１０から予め定められた距離に保持され、光源２０及びＰＤ４０を覆うように設けられている。拡散板３０は、覆い部の一例である。
【0015】
なお、基板１０上には、上記の他に３Ｄセンサ５、抵抗素子６、キャパシタ７が搭載されている。抵抗素子６、キャパシタ７は、駆動部５０や３Ｄセンサ５を動作させるために設けられている。なお、抵抗素子６及びキャパシタ７は、それぞれ１個が記載されているが、複数が搭載されていてもよい。また、図１では、３Ｄセンサ５も、基板１０上に設けられているが、３Ｄセンサ５は、基板１０上に設けられていなくてもよい。
【0016】
発光装置４における光源２０は、複数の発光素子が二次元に配列された発光素子アレイとして構成されている。発光素子は、一例として垂直共振器面発光レーザ素子ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）である。以下では、発光素子は垂直共振器面発光レーザ素子ＶＣＳＥＬであるとして説明する。垂直共振器面発光レーザ素子ＶＣＳＥＬをＶＣＳＥＬと表記する。光源２０は、基板１０に対して垂直方向に光を出射する。ＴｏＦ法により三次元センシングを行う場合、光源２０は、駆動部５０により、例えば、１００ＭＨｚ以上で、且つ、立ち上り時間が１ｎｓ以下のパルス光を出射することが求められる。以下、出射のパルス光を出射光パルスと呼ぶ。また、顔認証を例とする場合、光が照射される距離は１０ｃｍ程度から１ｍ程度である。そして、被測定物の３Ｄ形状を測定する範囲は、１ｍ角程度である。以下では、光が照射される距離を測定距離と表記し、被測定物の３Ｄ形状を測定する範囲を測定範囲又は照射範囲と表記する。また、測定範囲又は照射範囲に仮想的に設けられる面を照射面と表記する。
発光装置４における基板１０、拡散板３０、ＰＤ４０、駆動部５０、支持部６０、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂについては後述する。また、光源２０の詳細も後述する。
発光装置４における基板１０、拡散板３０、ＰＤ４０、駆動部５０、支持部６０、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂについては後述する。また、光源２０の詳細も後述する。
【0017】
３Ｄセンサ５は、複数の受光セルを備える。例えば、各受光セルは、光源２０からの出射光パルスに対する被測定物からの反射光を受光し、受光されるまでの時間に対応する電荷を受光セル毎に蓄積するように構成されている。以下、受光する反射光を受光パルスと呼ぶ。３Ｄセンサ５は、各受光セルが２つのゲートとそれらに対応した電荷蓄積部とを備えたＣＭＯＳ構造のデバイスとして構成されている。そして、２つのゲートに交互にパルスを加えることによって、発生した光電子を２つの電荷蓄積部の何れかに高速に転送する。２つの電荷蓄積部には、出射光パルスと受光パルスとの位相差に応じた電荷が蓄積される。そして、３Ｄセンサ５は、ＡＤコンバータを介して、受光セル毎に出射光パルスと受光パルスとの位相差に応じたデジタル値を信号として出力する。すなわち、３Ｄセンサ５は、光源２０から光が出射されてから３Ｄセンサ５で受光されるまでの時間に相当する信号を出力する。なお、ＡＤコンバータは、３Ｄセンサ５が備えてもよく、３Ｄセンサ５の外部に設けられてもよい。
【0018】
光学装置制御部８の形状特定部８１は、３Ｄセンサ５から受光セル毎に得られるデジタル値を取得し、受光セル毎に被測定物までの距離を算出する。そして算出された距離により、被測定物の３Ｄ形状を特定する。
【0019】
システム制御部９の認証処理部９１は、形状特定部８１が特定した被測定物の３Ｄ形状がＲＯＭなどに予め蓄積された３Ｄ形状である場合に、情報処理装置１の使用に関する認証処理を行う。なお、情報処理装置１の使用に関する認証処理とは、一例として、自装置である情報処理装置１の使用を許可するか否かの処理である。例えば、被測定物である顔の３Ｄ形状が、ＲＯＭ等の記憶部材に記憶された顔形状に一致すると判断される場合には、情報処理装置１が提供する各種アプリケーション等を含む情報処理装置１の使用が許可される。
上記の形状特定部８１及び認証処理部９１は、一例として、プログラムによって構成される。また、ＡＳＩＣやＦＰＧＡ等の集積回路で構成されてもよい。さらには、プログラム等のソフトウエアとＡＳＩＣ等の集積回路とで構成されてもよい。
上記の形状特定部８１及び認証処理部９１は、一例として、プログラムによって構成される。また、ＡＳＩＣやＦＰＧＡ等の集積回路で構成されてもよい。さらには、プログラム等のソフトウエアとＡＳＩＣ等の集積回路とで構成されてもよい。
【0020】
図２では、光学装置３、光学装置制御部８及びシステム制御部９をそれぞれ分けて示したが、システム制御部９が光学装置制御部８を含んでもよい。また、光学装置制御部８が光学装置３に含まれてもよい。さらに、光学装置３、光学装置制御部８及びシステム制御部９が一体に構成されてもよい。
【0021】
発光装置４を説明する前に、発光装置４を構成する光源２０、拡散板３０、ＰＤ４０、駆動部５０及びキャパシタ７０Ａ、７０Ｂを説明する。
【0022】
（光源２０の構成）
図３は、光源２０の平面図である。光源２０は、複数のＶＣＳＥＬが二次元のアレイ状に配列されて構成されている。紙面の右方向をｘ方向、紙面の上方向をｙ方向とする。ｘ方向及びｙ方向に反時計回りで直交する方向をｚ方向とする。
図３は、光源２０の平面図である。光源２０は、複数のＶＣＳＥＬが二次元のアレイ状に配列されて構成されている。紙面の右方向をｘ方向、紙面の上方向をｙ方向とする。ｘ方向及びｙ方向に反時計回りで直交する方向をｚ方向とする。
【0023】
ＶＣＳＥＬは、半導体基板２００（後述する図４参照）上に積層された下部多層膜反射鏡と上部多層膜反射鏡との間に発光領域となる活性領域を設け、半導体基板と垂直方向にレーザ光を出射させる発光素子である。このことから、二次元のアレイ化が容易である。光源２０の備えるＶＣＳＥＬの数は、一例として、１００個～１０００個である。なお、複数のＶＣＳＥＬは、互いに並列に接続され、並列に駆動される。なお、上記のＶＣＳＥＬの数は一例であり、測定距離や測定範囲に応じて設定されればよい。
【0024】
光源２０の表面には、複数のＶＣＳＥＬに共通のアノード電極２１８（後述する図４参照）が設けられている。そして、アノード電極２１８は、ボンディングワイヤ２１Ａ、２１Ｂを介して、基板１０上に設けられたアノード配線１１Ａ、１１Ｂと接続されている。なお、上側（＋ｙ方向側）に設けられた複数のボンディングワイヤをボンディングワイヤ２１Ａと表記し、下側（－ｙ方向側）に設けられた複数のボンディングワイヤをボンディングワイヤ２１Ｂと表記する。ここでは、ボンディングワイヤ２１Ａがアノード配線１１Ａに接続され、ボンディングワイヤ２１Ｂがアノード配線１１Ｂに接続されている。なお、アノード配線１１Ａにキャパシタ７０Ａ（図２参照）が接続され、アノード配線１１Ｂにキャパシタ７０Ｂ（図２参照）が接続される。
【0025】
そして、光源２０の裏面には、カソード電極２１４（後述する図４参照）が設けられ、カソード電極２１４が基板１０上に設けられたカソード配線１２に、導電性接着剤などにより接着されている。導電性接着剤は、例えば銀ペーストである。
【0026】
ここでは、光源２０の上下方向にアノード配線１１Ａ、１１Ｂを設け、ボンディングワイヤ２１Ａ、２１Ｂにて、アノード電極２１８と接続している。これにより、光源２０には、上下方向から並行して電流が供給されるようになっている。もし、アノード電極２１８の上方向又は下方向の一方側にボンディングワイヤを設けて、光源２０に電流を供給すると、ボンディングワイヤに近い側のＶＣＳＥＬは、電流密度が高くなり光強度が大きく、ボンディングワイヤに遠い側のＶＣＳＥＬは、電流密度が低くなり光強度が小さくなる。つまり、光源２０の複数のＶＣＳＥＬにおいて、出射する光強度に偏りが生じやすい。
【0027】
これに対して、図３に示したように、光源２０の上下方向にアノード配線１１Ａ、１１Ｂを設け、ボンディングワイヤ２１Ａ、２１Ｂにて、アノード電極２１８と接続することで、光源２０は、上下方向から電流が供給される。よって、光源２０を構成する複数のＶＣＳＥＬの出射する光強度の偏りが抑制される。なお、アノード配線１１Ａ又はアノード配線１１Ｂの一方のみを用いてもよい。この場合、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂは一方のみでよい。また、図２では、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂはそれぞれ１個のキャパシタとして示しているが、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂのそれぞれが並列に設けられた複数のキャパシタから構成されているとしてもよい。
【0028】
（ＶＣＳＥＬの構造）
図４は、光源２０における１個のＶＣＳＥＬの断面構造を説明する図である。このＶＣＳＥＬは、λ共振器構造のＶＣＳＥＬである。紙面の上方向をｚ方向とする。
図４は、光源２０における１個のＶＣＳＥＬの断面構造を説明する図である。このＶＣＳＥＬは、λ共振器構造のＶＣＳＥＬである。紙面の上方向をｚ方向とする。
【0029】
ＶＣＳＥＬは、ｎ型のＧａＡｓなどの半導体基板２００上に、Ａｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓ層を交互に重ねたｎ型の下部分布ブラック型反射鏡（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）２０２と、上部スペーサ層及び下部スペーサ層に挟まれた量子井戸層を含む活性領域２０６と、Ａｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓ層を交互に重ねたｐ型の上部分布ブラック型反射鏡２０８とが順に積層されて構成されている。以下では、分布ブラック型反射鏡をＤＢＲと表記する。
【0030】
ｎ型の下部ＤＢＲ２０２は、Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とＧａＡｓ層とをペアとした積層体で、各層の厚さはλ／４ｎｒ（但し、λは発振波長、ｎｒは媒質の屈折率）であり、これらを交互に４０周期で積層してある。ｎ型不純物であるシリコンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、３×１０１８ｃｍ－３である。
【0031】
活性領域２０６は、下部スペーサ層と、量子井戸活性層と、上部スペーサ層とが積層されて構成されている。例えば、下部スペーサ層は、アンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ層であり、量子井戸活性層は、アンドープのＩｎＧａＡｓ量子井戸層及びアンドープのＧａＡｓ障壁層であり、上部スペーサ層は、アンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ層である。
【0032】
ｐ型の上部ＤＢＲ２０８は、ｐ型のＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とＧａＡｓ層とをペアとした積層体で、各層の厚さはλ／４ｎｒであり、これらを交互に２９周期積層してある。ｐ型不純物であるカーボンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、３×１０１８ｃｍ－３である。好ましくは、上部ＤＢＲ２０８の最上層には、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層が形成され、上部ＤＢＲ２０８の最下層もしくはその内部に、ｐ型ＡｌＡｓの電流狭窄層２１０が形成されている。
【0033】
上部ＤＢＲ２０８から下部ＤＢＲ２０２に至るまで積層された半導体層をエッチングすることにより、半導体基板２００上に円筒状のメサＭが形成される。これにより、電流狭窄層２１０は、メサＭの側面に露出する。酸化工程により、電流狭窄層２１０には、メサＭの側面から酸化された酸化領域２１０Ａと酸化領域２１０Ａによって囲まれた導電領域２１０Ｂとが形成される。なお、酸化工程において、ＡｌＡｓ層はＡｌＧａＡｓ層よりも酸化速度が速く、酸化領域２１０Ａは、メサＭの側面から内部に向けてほぼ一定の速度で酸化されるため、導電領域２１０Ｂの半導体基板２００と平行な平面形状は、メサＭの外形を反映した形状、すなわち円形状となり、その中心は、メサＭの軸方向（一点鎖線）とほぼ一致する。なお、本実施の形態において、メサＭは、柱状構造となっている。
【0034】
メサＭの最上層には、Ｔｉ／Ａｕなどを積層した金属製の環状のｐ側電極２１２が形成される。ｐ側電極２１２は、上部ＤＢＲ２０８に設けられたコンタクト層にオーミック接触する。環状のｐ側電極２１２の内側は、レーザ光が外部へ出射される光出射口２１２Ａとなる。つまり、ＶＣＳＥＬでは、半導体基板２００に垂直な方向に光が出射され、メサＭの軸方向が光軸になる。さらに、半導体基板２００の裏面には、ｎ側電極としてカソード電極２１４が形成される。なお、ｐ側電極２１２の内側の上部ＤＢＲ２０８の表面が光出射面である。
【0035】
そして、ｐ側電極２１２のアノード電極（後述するアノード電極２１８）が接続される部分及び光出射口２１２Ａを除いて、メサＭの表面を覆うように、絶縁層２１６が設けられる。そして、光出射口２１２Ａを除いて、アノード電極２１８がｐ側電極２１２とオーミック接触するように設けられる。なお、アノード電極２１８は、複数のＶＣＳＥＬに共通に設けられている。つまり、光源２０を構成する複数のＶＣＳＥＬは、各々のｐ側電極２１２がアノード電極２１８により並列接続されている。
【0036】
なお、ＶＣＳＥＬは、単一横モードで発振してもよく、多重横モード（マルチモード）で発振してもよい。一例として、ＶＣＳＥＬの１個の光出力は、４ｍＷ～８ｍＷである。
【0037】
＋ｙ方向側の端部に位置するＶＣＳＥＬ群２２Ａは、後述する図７に示すキャパシタ７０Ａ側に位置するＶＣＳＥＬであり、－ｙ方向側の端部に位置するＶＣＳＥＬ群２２Ｂは、後述する図７に示すキャパシタ７０Ｂ側に位置するＶＣＳＥＬである。
【0038】
（拡散板３０の構成）
図５は、拡散板３０の一例を説明する図である。図５（ａ）は、平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＶＢ－ＶＢ線での断面図である。図５（ａ）において、紙面の右方向をｘ方向、紙面の上方向をｙ方向とする。ｘ方向及びｙ方向に反時計回りで直交する方向をｚ方向とする。よって、図５（ｂ）において、紙面の右方向がｘ方向、紙面の上方向がｚ方向となる。
図５は、拡散板３０の一例を説明する図である。図５（ａ）は、平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＶＢ－ＶＢ線での断面図である。図５（ａ）において、紙面の右方向をｘ方向、紙面の上方向をｙ方向とする。ｘ方向及びｙ方向に反時計回りで直交する方向をｚ方向とする。よって、図５（ｂ）において、紙面の右方向がｘ方向、紙面の上方向がｚ方向となる。
【0039】
図５（ｂ）に示すように、拡散板３０は、両面が平行で平坦なガラス基材３１の一方の表面、ここでは、裏面である－ｚ方向側、に光を拡散させるための凹凸が形成された樹脂層３２を備える。拡散板３０は、光源２０のＶＣＳＥＬから入射する光の拡がり角をさらに拡げて出射する。つまり、拡散板３０の樹脂層３２に形成された凹凸は、光を屈折させたり、散乱させたりして、入射する光の拡がり角αより出射する光の拡がり角βを大きくする。つまり、図５に示すように、ＶＣＳＥＬから出射される光の拡がり角αより、拡散板３０を透過して拡散板３０から出射される光の拡がり角βが大きくなる（α＜β）。このため、拡散板３０を用いると、拡散板３０を用いない場合に比べ、光源２０から出射される光が照射される照射面の面積が拡大される。また、照射面における光密度が低下する。なお、光密度とは、単位面積当たりの放射照度を言い、拡がり角α、βは、半値全幅（ＦＷＨＭ）である。
【0040】
そして、拡散板３０は、例えば、平面形状が四角形であって、ｘ方向の幅Ｗｘ及びｙ方向の縦幅Ｗｙが１ｍｍ～１０ｍｍ、ｚ方向の厚みｔｄが０．１ｍｍ～１ｍｍである。そして、＋ｙ方向側の端部を拡散板３０の端部３３Ａとし、－ｙ方向側の端部を拡散板３０の端部３３Ｂとする。後述する図７において説明するように、端部３３Ａがキャパシタ７０Ａ側になり、端部３３Ｂがキャパシタ７０Ｂ側になる。なお、拡散板３０は、平面形状が、多角形や円形など、他の形状であってもよい。そして、以上のような大きさ及び形状であれば、特に、携帯型情報端末の顔認証や、数ｍ程度までの比較的近距離の計測に適した光拡散部材が提供される。
【0041】
（ＰＤ４０）
ＰＤ４０は、受光した光量（以下では、受光量と表記する。）に応じた電気信号を出力する、シリコンなどで構成されたフォトダイオードである。ＰＤ４０は、光源２０から出射され、拡散板３０の裏面（後述する図７（ｂ）の－ｚ方向の面）で反射した光が受光されるように配置されている。光源２０は、ＰＤ４０の受光量に基づいて、予め定められた光量を維持して出射するように制御される。つまり、光学装置制御部８は、後述するように、ＰＤ４０の受光量を監視し、駆動部５０を制御して光源２０の出射する光量を制御する。
ＰＤ４０は、受光した光量（以下では、受光量と表記する。）に応じた電気信号を出力する、シリコンなどで構成されたフォトダイオードである。ＰＤ４０は、光源２０から出射され、拡散板３０の裏面（後述する図７（ｂ）の－ｚ方向の面）で反射した光が受光されるように配置されている。光源２０は、ＰＤ４０の受光量に基づいて、予め定められた光量を維持して出射するように制御される。つまり、光学装置制御部８は、後述するように、ＰＤ４０の受光量を監視し、駆動部５０を制御して光源２０の出射する光量を制御する。
【0042】
（駆動部５０及びキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ）
光源２０をより高速に駆動させたい場合は、ローサイド駆動するのがよい。ローサイド駆動とは、ＶＣＳＥＬなどの駆動対象に対して、電流経路の下流側にＭＯＳトランジスタ等の駆動素子を位置させた構成を言う。逆に、上流側に駆動素子を位置させた構成をハイサイド駆動と言う。
光源２０をより高速に駆動させたい場合は、ローサイド駆動するのがよい。ローサイド駆動とは、ＶＣＳＥＬなどの駆動対象に対して、電流経路の下流側にＭＯＳトランジスタ等の駆動素子を位置させた構成を言う。逆に、上流側に駆動素子を位置させた構成をハイサイド駆動と言う。
【0043】
図６は、ローサイド駆動により光源２０を駆動する等価回路の一例を示す図である。図６では、光源２０のＶＣＳＥＬと、駆動部５０と、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂと、電源８２と、ＰＤ４０と、ＰＤ４０に流れる電流を検出する検出用抵抗素子４１とを示す。なお、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂは、電源８２に対して並列接続されている。
電源８２は、図２に示した光学装置制御部８に設けられている。電源８２は、＋側を電源電位とし、－側を接地電位とする直流電圧を発生する。電源電位は、電源線８３に供給され、接地電位は、接地線８４に供給される。
電源８２は、図２に示した光学装置制御部８に設けられている。電源８２は、＋側を電源電位とし、－側を接地電位とする直流電圧を発生する。電源電位は、電源線８３に供給され、接地電位は、接地線８４に供給される。
【0044】
光源２０は、前述したように複数のＶＣＳＥＬが並列接続されて構成されている。ＶＣＳＥＬのアノード電極２１８（図４参照）が基板１０上に設けられたアノード配線１１Ａ、１１Ｂを介して電源線８３に接続されている。
駆動部５０は、ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタ５１と、ＭＯＳトランジスタ５１をオンオフする信号発生回路５２とを備える。ＭＯＳトランジスタ５１のドレインは、基板１０上に設けられたカソード配線１２を介してＶＣＳＥＬのカソード電極２１４（図４参照）に接続されている。ＭＯＳトランジスタ５１のソースは、接地線８４に接続されている。そして、ＭＯＳトランジスタ５１のゲートは、信号発生回路５２に接続されている。つまり、光源２０のＶＣＳＥＬと駆動部５０のＭＯＳトランジスタ５１とは、電源線８３と接地線８４との間に直列接続されている。信号発生回路５２は、光学装置制御部８の制御により、ＭＯＳトランジスタ５１をオンにする「Ｈレベル」の信号と、ＭＯＳトランジスタ５１をオフにする「Ｌレベル」とを発生する。
駆動部５０は、ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタ５１と、ＭＯＳトランジスタ５１をオンオフする信号発生回路５２とを備える。ＭＯＳトランジスタ５１のドレインは、基板１０上に設けられたカソード配線１２を介してＶＣＳＥＬのカソード電極２１４（図４参照）に接続されている。ＭＯＳトランジスタ５１のソースは、接地線８４に接続されている。そして、ＭＯＳトランジスタ５１のゲートは、信号発生回路５２に接続されている。つまり、光源２０のＶＣＳＥＬと駆動部５０のＭＯＳトランジスタ５１とは、電源線８３と接地線８４との間に直列接続されている。信号発生回路５２は、光学装置制御部８の制御により、ＭＯＳトランジスタ５１をオンにする「Ｈレベル」の信号と、ＭＯＳトランジスタ５１をオフにする「Ｌレベル」とを発生する。
【0045】
キャパシタ７０Ａ、７０Ｂは、一方の端子が電源線８３に接続され、他方の端子が接地線８４に接続されている。なお、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂは、例えば電解コンデンサやセラミックコンデンサなどで構成されている。
【0046】
ＰＤ４０は、カソードが電源線８３に接続され、アノードが検出用抵抗素子４１の一方の端子と接続されている。そして、検出用抵抗素子４１の他方の端子が接地線８４に接続されている。つまり、ＰＤ４０と検出用抵抗素子４１とは、電源線８３と接地線８４との間に直列接続されている。そして、ＰＤ４０と検出用抵抗素子４１と接続点である出力端子４２は、光学装置制御部８に接続されている。
【0047】
次に、ローサイド駆動である光源２０の駆動方法を説明する。
まず、駆動部５０における信号発生回路５２の発生する信号が「Ｌレベル」であるとする。この場合、ＭＯＳトランジスタ５１は、オフ状態である。つまり、ＭＯＳトランジスタ５１のソース－ドレイン間には電流が流れない。よって、直列接続されたＶＣＳＥＬには、電流が流れない。ＶＣＳＥＬは非発光である。
まず、駆動部５０における信号発生回路５２の発生する信号が「Ｌレベル」であるとする。この場合、ＭＯＳトランジスタ５１は、オフ状態である。つまり、ＭＯＳトランジスタ５１のソース－ドレイン間には電流が流れない。よって、直列接続されたＶＣＳＥＬには、電流が流れない。ＶＣＳＥＬは非発光である。
【0048】
このとき、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂが、電源８２により充電される。つまり、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂの一方の端子が電源電位になり、他方の端子が接地電位になる。キャパシタ７０Ａ、７０Ｂは、容量と電源電圧（電源電位－接地電位）と時間とで決まる電荷を蓄積する。
【0049】
次に、駆動部５０における信号発生回路５２の発生する信号が「Ｈレベル」になると、ＭＯＳトランジスタ５１がオフからオンに移行する。すると、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂに蓄積されていた電荷が直列接続されたＭＯＳトランジスタ５１とＶＣＳＥＬとに流れて（放電されて）、ＶＣＳＥＬが発光する。
【0050】
そして、駆動部５０における信号発生回路５２の発生する信号が「Ｌレベル」になると、ＭＯＳトランジスタ５１がオンからオフに移行する。これにより、ＶＣＳＥＬの発光が停止する。すると、電源８２によりキャパシタ７０Ａ、７０Ｂへの電荷の蓄積が再開される。
【0051】
以上説明したように、信号発生回路５２の出力する信号が「Ｌレベル」と「Ｈレベル」とに移行する毎に、ＶＣＳＥＬの発光の停止である非発光と発光とが繰り返される。つまり、ＶＣＳＥＬから光パルスが出射される。
【0052】
なお、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂを設けずに、電源８２からＶＣＳＥＬに電荷（電流）を直接供給してもよいが、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂに電荷を蓄積し、蓄積された電荷をＭＯＳトランジスタ５１のスイッチングによって放電させて、ＶＣＳＥＬに電流を急激に供給することで、ＶＣＳＥＬの発光の立ち上り時間を短くしている。さらに、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間隔を短くして、配線のインダクタンスを小さくすることで、光源２０を高速にオンオフさせられる。ここでは、図３で説明したように、光源２０には、＋ｙ方向側からキャパシタ７０Ａにより電荷が供給され、－ｙ方向側からキャパシタ７０Ｂにより電荷が供給される。なお、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間隔は、１ｍｍ以下であるとよい。
【0053】
ＰＤ４０は、電源線８３と接地線８４との間に検出用抵抗素子４１を介して逆方向接続されている。このため、光が照射されていない状態では、電流が流れない。ＰＤ４０がＶＣＳＥＬの出射する光の内、拡散板３０で反射された光の一部を受光すると、ＰＤ４０には、受光量に応じた電流が流れる。よって、ＰＤ４０に流れる電流が出力端子４２の電圧によって測定され、光源２０の光強度が検知される。そこで、光学装置制御部８は、ＰＤ４０の受光量により、光源２０の光強度が予め定められた光強度になるように制御する。つまり、光学装置制御部８は、光源２０の光強度が予め定められた光強度より小さい場合は、電源８２の電源電位を高くすることにより、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂが蓄積する電荷量を増加させて、ＶＣＳＥＬに流れる電流を増加させる。一方、光源２０の光強度が予め定められた光強度より多い場合は、電源８２の電源電位を低くすることにより、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂが蓄積する電荷量を減少させて、ＶＣＳＥＬに流れる電流を低減させる。このようにして、光源２０の光強度が制御される。
【0054】
また、ＰＤ４０の受光量が極端に低下した場合には、拡散板３０が外れたり、破損したりして、光源２０が出射する光が直接外部に照射されているおそれがある。このような場合には、光学装置制御部８によって、光源２０の光強度が抑制される。例えば、光源２０からの光の出射、つまり被測定物への光の照射が停止される。
【0055】
なお、基板１０は、例えば３層の多層基板として構成される。つまり、基板１０は、光源２０や駆動部５０が搭載される側から第１導電層、第２導電層、第３導電層を備える。なお、第１導電層と第２導電層との間、第２導電層と第３導電層との間には、絶縁層が設けられている。例えば、第３導電層を電源線８３、第２導電層を接地線８４とする。そして、第１導電層により、光源２０のアノード配線１１Ａ、１１Ｂ、カソード配線１２や、ＰＤ４０、検出用抵抗素子４１、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂなどが接続される端子などの回路パタンが形成される。第１導電層、第２導電層、第３導電層は、例えば銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）などの金属又はこれらの金属を含む導電性ペーストなどの導電性材料で構成されている。絶縁層は、例えばエポキシ樹脂、セラミックなどで構成されている。
【0056】
第３導電層の電源線８３は、ビアを介して第１導電層に設けられたアノード配線１１Ａ、１１Ｂ、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂの電源線８３が接続される端子、ＰＤ４０のカソードが接続される端子などに、ビアを介して接続される。同様に、第２導電層の接地線８４は、駆動部５０のＭＯＳトランジスタ５１のソースが接続される端子、検出用抵抗素子４１の接地線８４が接続される端子などに、ビアを介して接続される。このように、電源線８３を第３導電層で構成し、接地線８４を第２導電層で構成することで、電源電位及び接地電位の変動が抑制される。
【0057】
（発光装置４）
次に、発光装置４について、詳細に説明する。
図７は、第１の実施の形態が適用される発光装置４を説明する図である。図７（ａ）は、平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線での断面図である。ここで、図７（ａ）において、紙面の右方向をｘ方向、紙面の上方向をｙ方向とする。ｘ方向及びｙ方向に反時計回りで直交する方向をｚ方向とする。よって、図７（ｂ）において、紙面の右方向がｙ方向、紙面の上方向がｚ方向になる。以下に示す同様の図面においても、同じである。
次に、発光装置４について、詳細に説明する。
図７は、第１の実施の形態が適用される発光装置４を説明する図である。図７（ａ）は、平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線での断面図である。ここで、図７（ａ）において、紙面の右方向をｘ方向、紙面の上方向をｙ方向とする。ｘ方向及びｙ方向に反時計回りで直交する方向をｚ方向とする。よって、図７（ｂ）において、紙面の右方向がｙ方向、紙面の上方向がｚ方向になる。以下に示す同様の図面においても、同じである。
【0058】
前述したように、発光装置４は、基板１０と、光源２０と、拡散板３０と、ＰＤ４０と、駆動部５０と、支持部６０とを備える。なお、発光装置４の基板１０上には、３Ｄセンサ５、抵抗素子６、キャパシタ７などの回路部材も搭載されている。そして、基板１０は、前述したように、アノード配線１１Ａ、１１Ｂ、カソード配線１２、光源２０、ＰＤ４０、駆動部５０、３Ｄセンサ５、抵抗素子６、キャパシタ７などを接続する回路パタンを備えている。
【0059】
発光装置４は、一例として、基板１０上の＋ｘ方向に、ＰＤ４０と、光源２０と、駆動部５０とが順に配置されている。そして、基板１０の光源２０の±ｙ方向に、光源２０を挟み込むようにキャパシタ７０Ａ、７０Ｂがそれぞれ設けられている。
【0060】
拡散板３０は、光源２０及びＰＤ４０を覆うように設けられている。なお、拡散板３０は、駆動部５０、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂ、３Ｄセンサ５、抵抗素子６、キャパシタ７を覆っていない。つまり、基板１０上には、拡散板３０が覆わない回路部材が搭載されている。拡散板３０は、基板１０の一部を覆い、基板１０全部を覆っていない。
【0061】
光源２０は、上記した回路パタンなどが形成された基板１０上に直接搭載されてもよい。また、光源２０は、酸化アルミニウムや窒化アルミ等の放熱用基材で構成された放熱用基板上に設けられ、この放熱用基板が基板１０上に搭載されてもよい。また、光源２０は、光源２０が搭載される部分が凹状になった基板に搭載されてもよい。ここでは、基板１０は、回路パタンが構成された回路基板、放熱用基板を備える回路基板、さらに光源２０を搭載するために凹状になった基板などを含む。
【0062】
図７（ｂ）に示すように、拡散板３０は、支持部６０により、光源２０から予め定められた距離に支持されている。支持部６０は、壁部６１Ａ、６１Ｂを備える。壁部６１ＡがＰＤ４０側に設けられ、壁部６１Ｂが駆動部５０側に設けられている。壁部６１Ａ、６１Ｂは、ｙｚ面を構成する。つまり、支持部６０は、キャパシタ７０Ａが配置された側（キャパシタ７０Ａ側と表記する。他の場合も同様である。）及びキャパシタ７０Ｂ側には、壁部が設けられていない。つまり、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間には、壁部が設けられていない。ここでは、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間に壁部が設けられていないことを、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間には、支持部６０が設けられていないと表記する。また、壁部６１Ａ、６１Ｂをそれぞれ区別しない場合は、壁部又は壁と表記することがある。
【0063】
そして、図７（ａ）、（ｂ）で示すように、平面形状が四角形の拡散板３０は、二辺が支持部６０の壁部６１Ａ、６１Ｂで支持されている。支持部６０は、例えば、液晶ポリマなどの樹脂材料やセラミックなどで一体成型された一つの部材であって、壁部の厚さが３００μｍ、壁部の高さが４５０～５５０μｍである。なお、支持部６０は、光源２０が出射する光を吸収するように黒色などに構成されている。そして、支持部６０を構成する壁部の一方の端面が基板１０に接着され、他方の端面が拡散板３０に接着されている。
【0064】
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間には、壁部、つまり支持部６０が設けられていない。このようにすることで、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとを近づけて配置させられるため、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂから光源２０に発光のための電流を供給する配線が短くなり、配線インダクタンスが小さくなる。よって、光源２０を高速にオンオフさせられる。
【0065】
図７（ｂ）に示すように、ＰＤ４０は、光源２０とともに、拡散板３０で覆われている。これにより、ＰＤ４０は、光源２０から出射する光の内、拡散板３０で反射した光の一部を受光する。よって、図６で説明したように、ＰＤ４０によって、光源２０が出射する光強度が検知（モニタ）される。
【0066】
（比較のための発光装置４′）
図８は、比較のために示す発光装置４′を説明する図である。図８（ａ）は、平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＶＩＩＩＢ－ＶＩＩＩＢ線での断面図である。以下では、図７に示した第１の実施の形態が適用される発光装置４と異なる部分を説明する。
図８は、比較のために示す発光装置４′を説明する図である。図８（ａ）は、平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＶＩＩＩＢ－ＶＩＩＩＢ線での断面図である。以下では、図７に示した第１の実施の形態が適用される発光装置４と異なる部分を説明する。
【0067】
図８に示す発光装置４′では、支持部６０′は、壁部６１Ａ、６１Ｂに加え、壁部６２Ａ、６２Ｂを備える。壁部６２Ａは、光源２０とキャパシタ７０Ａとの間に設けられ、壁部６２Ｂは、光源２０とキャパシタ７０Ｂとの間に設けられ、共にｘｚ面を構成する。そして、壁部６１Ａ、６１Ｂ、６２Ａ、６２Ｂは、側面で互いに連結されている。つまり、支持部６０は、ｚ方向の断面形状が四角形の辺になっている。そして、発光装置４′では、光源２０及びＰＤ４０が、支持部６０の壁部６１Ａ、６１Ｂ、６２Ａ、６２Ｂにより取り囲まれている。発光装置４′では、光源２０とキャパシタ７０Ａとの間に存在する壁部６２Ａ、光源２０とキャパシタ７０Ｂとの間に存在する壁部６２Ｂのために、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間の距離を、壁部６２Ａ、６２Ｂの厚さ以上に設定せざるを得ない。前述したように、壁部の厚さが３００μｍであるとすると、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂから光源２０に発光のための電流を供給する配線は、少なくとも壁部６２Ａ、６２Ｂの厚さに対応する３００μｍ長くなる。このため、配線インダクタンスの増加により、光源２０を高速にオンオフさせる場合の制約になるおそれがある。
【0068】
図７（ａ）、（ｂ）に示した第１の実施の形態が適用される発光装置４は、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間に支持部を備えていない。このため、図７（ｂ）に矢印で示すように、光源２０からキャパシタ７０Ａ側及びキャパシタ７０Ｂ側に出射される光は、拡散板３０を透過することなく、外部に出射されるおそれがある。特に、図３に破線で囲って示す、光源２０の駆動部５０側の端部に設けられたＶＣＳＥＬ群２２Ａ、２２Ｂから光強度の大きい光が外部に出射されるおそれがある。なお、光強度を発光強度と表記することがある。
【0069】
そこで、図７（ｂ）に示すように、拡散板３０のキャパシタ７０Ａ側の端部３３Ａの位置は、ＶＣＳＥＬ群２２Ａが出射する光強度（発光強度）が５０％以上の光が拡散板３０に入射するように設定され、拡散板３０のキャパシタ７０Ｂ側の端部３３Ｂの位置は、ＶＣＳＥＬ群２２Ｂが出射する光強度（発光強度）が５０％以上の光が拡散板３０に入射するように設定されるのがよい。このようにすることで、拡散板３０によって拡散されないで外部に出射される光強度は、ＶＣＳＥＬが出射する光強度（発光強度）の５０％未満であるように設定される。このようにすることで、光源２０から被測定物に光強度が大きい光が照射されることが抑制される。
【0070】
さらに、拡散板３０のキャパシタ７０Ａ側の端部３３Ａの位置は、ＶＣＳＥＬ群２２Ａが出射する光強度（発光強度）が９９．９％以上の光が拡散板３０に入射するように設定され、拡散板３０のキャパシタ７０Ｂ側の端部３３Ｂの位置は、ＶＣＳＥＬ群２２Ｂが出射する光強度である発光強度が９９．９％以上の光が拡散板３０に入射するように設定されてもよい。このようにすることで、拡散板３０によって拡散されないで外部に出射される光強度は、ＶＣＳＥＬが出射する光強度（発光強度）の０．１％未満であるように設定される。このようにすることで、光源２０から被測定物に光強度が大きい光が照射されることが抑制される。この場合、ＶＳＣＥＬの出射する光の拡がり角が同じである場合、拡散板３０の端部３３Ａ、３３Ｂを、支持部６０の支持壁が設けられていない側、つまりキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側にそれぞれ延伸させればよい。
【0071】
（発光装置４の変形例）
図７に示した第１の実施の形態が適用される発光装置４の変形例を説明する。
発光装置４では、拡散板３０は、光源２０とＰＤ４０とを覆い、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂを覆っていなかった。第１の実施の形態が適用される発光装置４の変形例では、拡散板３０がキャパシタ７０Ａ、７０Ｂの表面の一部を覆う。
図７に示した第１の実施の形態が適用される発光装置４の変形例を説明する。
発光装置４では、拡散板３０は、光源２０とＰＤ４０とを覆い、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂを覆っていなかった。第１の実施の形態が適用される発光装置４の変形例では、拡散板３０がキャパシタ７０Ａ、７０Ｂの表面の一部を覆う。
【0072】
図９は、第１の実施の形態が適用される発光装置４の変形例を説明する平面図である。図９（ａ）は、変形例１の発光装置４－１、図９（ｂ）は、変形例２の発光装置４－２である。なお、図９では、光源２０、拡散板３０、ＰＤ４０及び支持部６０のみを表記する。また、図７に示した発光装置４と同様の部分は、同じ符号を付して説明を省略する。
【0073】
図９（ａ）に示す変形例１の発光装置４－１では、拡散板３０は、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側に張り出して、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂの一部も覆う。図９（ｂ）に示す変形例２の発光装置４－２では、拡散板３０は、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂ上に張り出して、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂまで覆う。つまり、発光装置４に比べて、拡散板３０の縦幅Ｗｙが大きくなっている。そして、発光装置４－１、４－２では、拡散板３０の張り出しに伴って、支持部６０の壁部６１Ａ、６１Ｂがキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側に張り出している。
【0074】
発光装置４－１、４－２では、拡散板３０がキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側に張り出すことで、光源２０のキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側の端部に設けられたＶＣＳＥＬ群２２Ａ、２２Ｂと拡散板３０の端部３３Ａ、３３Ｂとの間の距離を大きくとれる。これにより、光強度の大きい光が、拡散板３０の端部から出射することが抑制されやすくなる。例えば、拡散板３０を透過する光を５０％以上とする場合には、発光装置４－１とし、拡散板３０を透過する光を９９．９％以上とする場合には、発光装置４－２とするように使い分けてもよい。
【0075】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態が適用される発光装置４Ａでは、拡散板３０のキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側に、拡散板３０側からキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側に向けて設けられた梁部を備える。
第２の実施の形態が適用される発光装置４Ａでは、拡散板３０のキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側に、拡散板３０側からキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側に向けて設けられた梁部を備える。
【0076】
図１０は、第２の実施の形態が適用される発光装置４Ａを説明する図である。図１０（ａ）は、平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＸＢ－ＸＢ線での断面図である。図７に示した発光装置４と同様の部分は、同じ符号を付して説明を省略する。
【0077】
図１０（ａ）に示すように、拡散板３０は、光源２０、ＰＤ４０を覆う。そして、支持部６０Ａは、基板１０に対して拡散板３０の二辺を支持する壁部６１Ａ、６１Ｂを備える。そして、発光装置４Ａは、拡散板３０の残りの二辺側からキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側に向けて設けられた梁部６５Ａ、６５Ｂを備える。図１０（ｂ）に示すように、梁部６５Ａ、６５Ｂの上面（＋ｚ方向側の面）は、拡散板３０に接着されている。そして、梁部６５Ａ、６５Ｂの下面（－ｚ方向側の面）は、基板１０の上面（＋ｚ方向側の面）と距離を有している。ここでは、梁部６５Ａ、６５Ｂの下面は、基板１０の表面に対向しているが、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂの表面に対向するように設けられてもよい。このとき、梁部６５Ａ、６５Ｂの下面は、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂの表面に接触してもよい。
【0078】
支持部６０の壁部６１Ａ、６１Ｂと梁部６５Ａ、６５Ｂとは、一体成型などにより一つの部材として構成されうる。よって、複数の支持部材で組み立てる場合に比べて、組み立て工数が削減される。なお、梁部６５Ａ、６５Ｂと一つの部材として構成された支持部６０（壁部６１Ａ、６１Ｂ）を支持部６０Ａと表記することがある。
【0079】
梁部６５Ａ、６５Ｂが、光吸収材料で構成されれば、光源２０のキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側の端部に位置するＶＣＳＥＬ群２２Ａ、２２Ｂから光強度の大きい光が拡散板３０を透過せずに外部に出射されることが抑制される。つまり、梁部６５Ａ、６５Ｂを備えない場合に比べて、拡散板３０のキャパシタ７０Ａ、７０Ｂ側への張り出しが少なくて済む。つまり、拡散板３０の面積が小さくなる。
また、梁部６５Ａ、６５Ｂを設けることで、光源２０の周囲へのごみや塵などの異物の侵入が抑制される。
また、梁部６５Ａ、６５Ｂを設けることで、光源２０の周囲へのごみや塵などの異物の侵入が抑制される。
【0080】
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂでは、支持部６０Ｂは、光源２０、ＰＤ４０、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂを取り囲むように設けられている。
第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂでは、支持部６０Ｂは、光源２０、ＰＤ４０、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂを取り囲むように設けられている。
【0081】
図１１は、第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂの平面図である。図１１（ａ）は、平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＸＩＢ－ＸＩＢ線での断面図である。図７に示した発光装置４と同様の部分は、同じ符号を付して説明を省略する。
【0082】
発光装置４Ｂでは、光源２０、ＰＤ４０、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂが拡散板３０で覆われている。そして、支持部６０Ｂは、壁部６１Ａ、６１Ｂ、６６Ａ、６６Ｂで構成され、拡散板３０を四辺で支持するとともに、光源２０、ＰＤ４０、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂを取り囲むように設けられている。なお、支持部６０Ｂ（壁部６１Ａ、６１Ｂ、６６Ａ、６６Ｂ）は一体成型などにより一つの部材として構成されている。支持部６０Ｂは、光吸収性材料で構成されている。
【0083】
この場合、発光装置４Ｂでは、光源２０は、光軸方向側が拡散板３０で覆われ、側面側が支持部６０で覆われている。支持部６０は光吸収性材料で構成されているので、光源２０から出射する光が直接外部に漏れることが抑制される。また、支持部６０Ｂは、一つの部材として構成されているので、複数の支持部材で組み立てる場合に比べて、組み立て工数が削減される。
【0084】
（発光装置４Ｂの変形例）
第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂでは、拡散板３０は、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂも覆っていた。一般に、拡散板３０は、面積が大きいほど価格が高くなる。そして、拡散板３０は、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂを覆うことを要しない。そこで、発光装置４Ｂの変形例である発光装置４Ｂ－１では、図１１に示した発光装置４Ｂの支持部６０Ｂの上側の一部に光の透過を遮断する遮断部を設けて、拡散板３０の面積を小さくした。
第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂでは、拡散板３０は、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂも覆っていた。一般に、拡散板３０は、面積が大きいほど価格が高くなる。そして、拡散板３０は、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂを覆うことを要しない。そこで、発光装置４Ｂの変形例である発光装置４Ｂ－１では、図１１に示した発光装置４Ｂの支持部６０Ｂの上側の一部に光の透過を遮断する遮断部を設けて、拡散板３０の面積を小さくした。
【0085】
図１２は、第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂの変形例である発光装置４Ｂ－１を説明する図である。図１２（ａ）は、平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＸＩＩＢ－ＸＩＩＢ線での断面図である。図１１に示した発光装置４Ｂと同様の部分は、同じ符号を付して説明を省略する。
【0086】
発光装置４Ｂ－１では、光源２０の光軸方向側にのみ拡散板３０を設け、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂは拡散板３０で覆われることなく、遮断部６７Ａ、６７Ｂで覆われる。図１２（ａ）に示すように、発光装置４Ｂ－１は、発光装置４Ｂの支持部６０Ｂと同様に壁部６１Ａ、６１Ｂ、６６Ａ、６６Ｂを備える。そして、支持部６０Ｂ（図１１）の上側の開口の一部に遮断部６７Ａ、６７Ｂを備える。遮断部６７Ａは、光源２０から拡散板３０を透過させて出射させる光を遮断しないように、壁部６６Ａ側にあって、キャパシタ７０Ａを覆うように設けられている。遮断部６７Ｂは、光源２０から拡散板３０を透過させて出射させる光を遮断しないように、壁部６６Ｂ側にあって、キャパシタ７０Ｂを覆うように設けられている。
【0087】
そして、遮断部６７Ａ、６７Ｂの表面（＋ｚ方向側の面）は、壁部６１Ａ、６１Ｂ、６６Ａ、６６Ｂの表面と同一面をなしている。また、遮断部６７Ａ、６７Ｂの裏面（－ｚ方向側の面）は、キャパシタ７０Ａ、７０Ｂが接触しないようにキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間に空隙が設けられている。そして、支持部６０Ｂ（壁部６１Ａ、６１Ｂ、６６Ａ、６６Ｂ）及び遮断部６７Ａ、６７Ｂは、一体成型などにより一つの部材として構成されている。拡散板３０は、壁部６１Ａ、６１Ｂの上面と遮断部６７Ａ、６７Ｂの表面の端部に張り付けられて固定されている。つまり、拡散板３０は、壁部６１Ａ、６１Ｂと遮断部６７Ａ、６７Ｂとで作られた開口を封止するように設けられている。このように、一つの部材となった支持部６０Ｂと遮断部６７Ａ、６７Ｂとを支持部６０Ｂ－１と表記する。
【0088】
発光装置４Ｂ－１においても、光源２０は、光軸方向側が拡散板３０で覆われ、側面側が支持部６０Ｂ－１で覆われている。支持部６０Ｂ－１は光吸収性材料で構成されているので、光源２０から出射する光が直接外部に漏れることが抑制される。また、拡散板３０の面積が、発光装置４Ｂの拡散板３０に比べて、小さくなる。よって、光学装置３の価格が抑制される。また、支持部６０Ｂ－１は、一つの部材として構成されているので、複数の支持部材で組み立てる場合に比べて、組み立て工数が削減される。
【0089】
［第４の実施の形態］
第１の実施の形態が適用される発光装置４、４－１、４－２、第２の実施の形態が適用される発光装置４Ａ、第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂ、４Ｂ－１では、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間には、壁部、つまり支持部が設けられていなかった。第４の実施の形態が適用される発光装置４Ｃは、光源２０と駆動部５０との間に壁部６８Ａ、６８Ｂを備える支持部６０Ｃを備える。
第１の実施の形態が適用される発光装置４、４－１、４－２、第２の実施の形態が適用される発光装置４Ａ、第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂ、４Ｂ－１では、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとの間には、壁部、つまり支持部が設けられていなかった。第４の実施の形態が適用される発光装置４Ｃは、光源２０と駆動部５０との間に壁部６８Ａ、６８Ｂを備える支持部６０Ｃを備える。
【0090】
図１３は、第４の実施の形態が適用される発光装置４Ｃを説明する図である。図１３（ａ）は、平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢ線での断面図である。図７に示した発光装置４と同様の部分は、同じ符号を付して説明を省略する。
発光装置４Ｃの支持部６０Ｃは、拡散板３０の二辺側に設けられた壁部６１Ａ、６１Ｂと、残りの二辺側に壁部６８Ａ、６８Ｂを備える。そして、壁部６１Ａ、６１Ｂと壁部６８Ａ、６８Ｂとでは、厚さが異なっている。つまり、壁部６１Ａ、６１Ｂの厚さｔ１に比べ、壁部６８Ａ、６８Ｂの厚さｔ２を薄くしている（ｔ１＞ｔ２）。厚い壁部６１Ａ、６１Ｂにより、拡散板３０が主に支持される。なお、壁部６８Ａ、６８Ｂの厚さは、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとを接続する配線のインダクタンスへの影響が受けにくいように、設定すればよい。壁部６８Ａ、６８Ｂを設けることにより、拡散板３０を通過しないで、光源２０から外部へ光が出射されるのが抑制される。また、光源２０が支持部６０Ｃと拡散板３０とで囲まれるので、光源２０の周囲へのごみや塵などの異物の侵入が抑制される。
発光装置４Ｃの支持部６０Ｃは、拡散板３０の二辺側に設けられた壁部６１Ａ、６１Ｂと、残りの二辺側に壁部６８Ａ、６８Ｂを備える。そして、壁部６１Ａ、６１Ｂと壁部６８Ａ、６８Ｂとでは、厚さが異なっている。つまり、壁部６１Ａ、６１Ｂの厚さｔ１に比べ、壁部６８Ａ、６８Ｂの厚さｔ２を薄くしている（ｔ１＞ｔ２）。厚い壁部６１Ａ、６１Ｂにより、拡散板３０が主に支持される。なお、壁部６８Ａ、６８Ｂの厚さは、光源２０とキャパシタ７０Ａ、７０Ｂとを接続する配線のインダクタンスへの影響が受けにくいように、設定すればよい。壁部６８Ａ、６８Ｂを設けることにより、拡散板３０を通過しないで、光源２０から外部へ光が出射されるのが抑制される。また、光源２０が支持部６０Ｃと拡散板３０とで囲まれるので、光源２０の周囲へのごみや塵などの異物の侵入が抑制される。
【0091】
支持部６０Ｃ（壁部６１Ａ、６１Ｂ、６８Ａ、６８Ｂ）は、一体成型などにより一つの部材として構成される。よって、複数の支持部材で組み立てる場合に比べて、組み立て工数が削減される。
【0092】
［第５の実施の形態］
第１の実施の形態が適用される発光装置４、４－１、４－２、第２の実施の形態が適用される発光装置４Ａ、第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂ、４Ｂ－１、又は第４の実施の形態が適用される発光装置４Ｃを用いた情報処理装置１の断面構造について説明する。なお、情報処理装置１は、発光デバイスの一例である。
第１の実施の形態が適用される発光装置４、４－１、４－２、第２の実施の形態が適用される発光装置４Ａ、第３の実施の形態が適用される発光装置４Ｂ、４Ｂ－１、又は第４の実施の形態が適用される発光装置４Ｃを用いた情報処理装置１の断面構造について説明する。なお、情報処理装置１は、発光デバイスの一例である。
【0093】
（情報処理装置１の断面構造）
ここでは、情報処理装置１が第１の実施の形態が適用される発光装置４を用いるとして、情報処理装置１の断面構造を説明する。なお、他の発光装置を用いた場合も同様である。
図１４は、発光装置４を用いた情報処理装置１の断面構造を説明する図である。図１４は、図７（ａ）のｘｚ面での断面を示している。
情報処理装置１は、光学装置３及び筐体１００を備える。前述したように光学装置３は、発光装置４と３Ｄセンサ５とを備える。つまり、筐体１００は、発光装置４を収容する。ここでは、図７に示した発光装置４と同様に、発光装置４が備える基板１０上に３Ｄセンサ５が搭載されているとする。
ここでは、情報処理装置１が第１の実施の形態が適用される発光装置４を用いるとして、情報処理装置１の断面構造を説明する。なお、他の発光装置を用いた場合も同様である。
図１４は、発光装置４を用いた情報処理装置１の断面構造を説明する図である。図１４は、図７（ａ）のｘｚ面での断面を示している。
情報処理装置１は、光学装置３及び筐体１００を備える。前述したように光学装置３は、発光装置４と３Ｄセンサ５とを備える。つまり、筐体１００は、発光装置４を収容する。ここでは、図７に示した発光装置４と同様に、発光装置４が備える基板１０上に３Ｄセンサ５が搭載されているとする。
【0094】
筐体１００は、発光装置４が備える光源２０が出射する光を透過する透過部板１１０と、３Ｄセンサ５が受光する光を透過する透過部板１２０とを備える。透過部板１１０は、光源２０が光を出射する領域に対応する部分に設けられ、透過部板１２０は、３Ｄセンサ５が光を受光する領域に対応する部分に設けられている。筐体１００は、例えばアルミニウム、マグネシウムなどの金属材料や樹脂材料で構成されている。そして、透過部板１１０、１２０は、ガラスやアクリルなどの透明材料で構成されている。
【0095】
基板１０は、筐体１００に対して基板１０を保持する基板保持手段１０１により保持されている。そして、３Ｄセンサ５上には、透過部板１２０を透過した光を３Ｄセンサ５に集光させるレンズ１３０が設けられている。レンズ１３０は、基板１０に対してレンズ１３０を保持するレンズ保持手段１３１により保持されている。基板保持手段１０１は、例えば、ねじ等の締結手段や、樹脂等で構成された嵌め込み手段である。
このような情報処理装置１において、発光装置４の光源２０と駆動部５０との間隔は、光源２０と透過部板１１０との間隔より狭く設定されている。
なお、透過部板１２０がレンズ１３０の機能を有していてもよい。
このような情報処理装置１において、発光装置４の光源２０と駆動部５０との間隔は、光源２０と透過部板１１０との間隔より狭く設定されている。
なお、透過部板１２０がレンズ１３０の機能を有していてもよい。
【0096】
発光装置４の光源２０から出射した光は、拡散板３０を透過したのち、透過部板１１０を透過して、被測定物に照射される。
【0097】
このように、発光装置４（光学装置３）を筐体１００に収容することで、拡散板３０が破損することが抑制される。つまり、拡散板３０が破損することで、光強度の大きい光が直接外部に照射されることが抑制される。
【0098】
上記の第１の実施の形態から第５の実施の形態では、発光素子が出射する光の拡がり角を大きくする拡散板３０を、覆い部の一例として説明した。覆い部は、拡散板３０の代わりに、光を透過する部材、例えば、保護用のカバーなどの透明基材、拡がり角を逆に小さくする集光作用を有する集光レンズやマイクロレンズアレイなどの光学部材などでもよい。ここでは、これらの部材で構成されたものを覆い部とする。
【符号の説明】
【0099】
１…情報処理装置、２…ユーザインターフェイス（ＵＩ）部、３…光学装置、４、４－１、４－２、４′、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ…発光装置、５…３Ｄセンサ、６…抵抗素子、７、７０Ａ、７０Ｂ…キャパシタ、８…光学装置制御部、９…システム制御部、１０…基板、２０…光源、２１Ａ、２１Ｂ…ボンディングワイヤ、３０…拡散板、４０…光量監視用受光素子（ＰＤ）、４１…検出用抵抗素子、５０…駆動部、５１…ＭＯＳトランジスタ、５２…信号発生回路、６０、６０′、６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｂ－１、６０Ｃ、…支持部、６１Ａ、６１Ｂ、６２Ａ、６２Ｂ、６６Ａ、６６Ｂ、６８Ａ、６８Ｂ…壁部、６５Ａ、６５Ｂ…梁部、６７Ａ、６７Ｂ…遮断部、８１…形状特定部、８２…電源、８３…電源線、８４…接地線、９１…認証処理部、１００…筐体、１０１…基板保持手段、１１０、１２０…透過部板、１３０…レンズ、１３１…レンズ保持手段、２００…半導体基板、２０２…下部ＤＢＲ、２０６…活性領域、２０８…上部ＤＢＲ、２１０…電流狭窄層、２１０Ａ…酸化領域、２１０Ｂ…導電領域、Ｍ…メサ、ＶＣＳＥＬ…垂直共振器面発光レーザ素子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】