特許 7101455 ＬＥＤパッケージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-07-07

(45)【発行日】2022-07-15

(54)【発明の名称】ＬＥＤパッケージ

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20220708BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20220708BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20220708BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

H01L33/50

H01L21/60 301F

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2016257016

(22)【出願日】2016-12-28

(65)【公開番号】P2017126743

(43)【公開日】2017-07-20

【審査請求日】2019-12-03

(31)【優先権主張番号】P 2016003663

(32)【優先日】2016-01-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000131430

【氏名又は名称】シチズン電子株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000001960

【氏名又は名称】シチズン時計株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100180806

【弁理士】

【氏名又は名称】三浦 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100160716

【弁理士】

【氏名又は名称】遠藤 力

(72)【発明者】

【氏名】飯野 高史

【審査官】大西 孝宣

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－０１５４１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－０５５００６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１５７６０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０６７１８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２９５１３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１７２０４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１３５３０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１４８５１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１９９５４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６２－０８５４８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１４６４８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１３／０１９４７９４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００ － ３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

１組の接続電極が形成された基板と、
前記基板上に実装されたＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子を前記１組の接続電極に電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記ボンディングワイヤの延伸方向に沿って配置され、前記ボンディングワイヤの表面を被覆し前記ボンディングワイヤの腐食を防止する保護層と、
蛍光体を含有し前記ボンディングワイヤ及び前記保護層の表面を被覆する被覆層と、
前記ＬＥＤ素子、前記ボンディングワイヤおよび前記被覆層の周囲を囲むように配置され、前記ＬＥＤ素子からの出射光により励起されて第２の光を発する第２の蛍光体を含有し、前記ＬＥＤ素子、前記ボンディングワイヤ、前記保護層および前記被覆層を一体的に封止する封止樹脂と、を有し、
前記被覆層の蛍光体は、前記出射光により励起されて、前記ボンディングワイヤでの吸収率が前記出射光よりも低くかつ前記出射光よりも長い波長の光を発し、
前記被覆層の蛍光体は、前記第２の光よりも長い波長の光を発する、ことを特徴とするＬＥＤパッケージ。

【請求項2】

第３の蛍光体を含有し前記基板上の配線パターンを被覆する基板被覆層をさらに有し、
前記第３の蛍光体は、前記出射光により励起されて、前記配線パターンでの吸収率が前記出射光よりも低くかつ前記出射光および前記第２の光よりも長い波長の光を発する、請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。

【請求項3】

前記ＬＥＤ素子は、前記出射光として青色光を発する素子であり、
前記被覆層の蛍光体は赤色光を発する蛍光体である、請求項１または２に記載のＬＥＤパッケージ。

【請求項4】

１組の接続電極が形成された基板と、
前記基板上に実装されたＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子を前記１組の接続電極に電気的に接続するボンディングワイヤと、
蛍光体を含有し前記ボンディングワイヤを被覆する被覆層と、
前記ボンディングワイヤの周囲に設けられ、前記被覆層の表面を被覆し前記ボンディングワイヤの腐食を防止する保護層と、を有し、
前記蛍光体は、前記ＬＥＤ素子からの出射光により励起されて、前記ボンディングワイヤでの吸収率が前記出射光よりも低くかつ前記出射光よりも長い波長の光を発する、
ことを特徴とするＬＥＤパッケージ。

【請求項5】

１組の接続電極が形成された基板と、
前記基板上に実装されたＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子を前記１組の接続電極に電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記ＬＥＤ素子からの出射光により励起されて、前記ボンディングワイヤでの吸収率が前記出射光よりも低くかつ前記出射光よりも長い波長の光を発する第１の蛍光体を含有し、前記ボンディングワイヤを被覆する被覆層と、
前記ボンディングワイヤの周囲に設けられ、前記被覆層の表面を被覆し前記ボンディングワイヤの腐食を防止する保護層と、
前記出射光により励起されて第２の光を発する第２の蛍光体を含有し、前記ＬＥＤ素子、前記ボンディングワイヤ、前記被覆層及び前記保護層を一体的に封止する封止樹脂と、を有し、
前記第１の蛍光体は、前記第２の光よりも長い波長の光を発し、
前記保護層のうち前記基板および前記ＬＥＤ素子に近い下側部分は、前記封止樹脂よりも屈折率が低い材料で構成されている、
ことを特徴とするＬＥＤパッケージ。

【請求項6】

前記保護層は二酸化ケイ素で構成され、
前記ボンディングワイヤは銀で構成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＬＥＤパッケージに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、ボンディングワイヤ同士の短絡を防ぐために、銅線または銅合金線の表面に絶縁層および防食性を有する被覆層が形成され、この被覆層の上に潤滑層が形成された半導体素子用のボンディングワイヤが記載されている。

【0003】

基板上にＬＥＤ（発光ダイオード）素子が実装された面実装型の発光装置（ＬＥＤパッケージ）が知られている。こうしたＬＥＤパッケージでは、蛍光体を含有する透光性の樹脂によりＬＥＤ素子を封止し、ＬＥＤ素子からの光と、その光により蛍光体を励起させて得られる光とを混合させることで、用途に応じて白色光などが得られる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開平０１－２５１７２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ワイヤボンディングにより基板上の接続電極とＬＥＤ素子とが電気的に接続された面実装型のＬＥＤパッケージでは、ＬＥＤ素子からの出射光がボンディングワイヤによって吸収されて、ＬＥＤ素子の出射光の強度が低下することがある。

【0006】

図８は、金属材料の分光反射率を示すグラフである。図８の横軸λ（ｎｍ）は波長を示し、縦軸Ｒ（％）は反射率を示す。図８では、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）およびＣｕ（銅）の４種類の金属材料について、２００～１０００ｎｍの波長域における反射スペクトルを示している。

【0007】

例えば、Ａｕの場合、波長が６５０ｎｍ程度の赤色光に対しては、反射率は９５％程度であるが、波長が４５０ｎｍ程度以下の青色光から紫外光に対しては、反射率は４０％以下と低くなる。このため、例えば、ＬＥＤ素子として青色ＬＥＤを使用し、ボンディングワイヤとして金線を使用した場合には、ＬＥＤ素子からの青色光が金線に吸収されやすいため、ＬＥＤパッケージの青色光が減衰する。このことは、例えば、ＬＥＤ素子として紫色光を発光するものを使用した場合、またはボンディングワイヤとして銅線を使用した場合などでも同様である。したがって、ＬＥＤ素子の発光波長とボンディングワイヤの金属材料との組合せによっては、ボンディングワイヤでの吸収に起因して、ＬＥＤ素子の出射光の強度が低下し得る。

【0008】

そこで、本発明は、ＬＥＤ素子の導通用のボンディングワイヤによるＬＥＤ素子の出射光の減衰が起こりにくいＬＥＤパッケージを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

１組の接続電極が形成された基板と、基板上に実装されたＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子を１組の接続電極に電気的に接続するボンディングワイヤと、蛍光体を含有しボンディングワイヤを被覆する被覆層とを有し、蛍光体は、ＬＥＤ素子からの出射光により励起されて、ボンディングワイヤでの吸収率が出射光よりも低くかつ出射光よりも長い波長の光を発することを特徴とするＬＥＤパッケージが提供される。

【0010】

上記のＬＥＤパッケージでは、出射光により励起されて第２の光を発する第２の蛍光体を含有し、ＬＥＤ素子、ボンディングワイヤおよび被覆層を一体的に封止する封止樹脂をさらに有し、被覆層の蛍光体は、第２の光よりも長い波長の光を発することが好ましい。

【0011】

上記のＬＥＤパッケージでは、第３の蛍光体を含有し基板上の配線パターンを被覆する基板被覆層をさらに有し、第３の蛍光体は、出射光により励起されて、配線パターンでの吸収率が出射光よりも低くかつ出射光および第２の光よりも長い波長の光を発することが好ましい。

【0012】

上記のＬＥＤパッケージでは、ＬＥＤ素子は、出射光として青色光を発する素子であり、ボンディングワイヤは金で構成された金線であり、被覆層の蛍光体は赤色光を発する蛍光体であることが好ましい。

【0013】

上記のＬＥＤパッケージは、ボンディングワイヤの表面を被覆しボンディングワイヤの腐食を防止する保護層をさらに有し、被覆層は保護層を被覆していることが好ましい。

【0014】

あるいは、上記のＬＥＤパッケージは、被覆層の表面を被覆しボンディングワイヤの腐食を防止する保護層をさらに有することが好ましい。

【0015】

上記のＬＥＤパッケージでは、保護層のうち基板およびＬＥＤ素子に近い下側部分は、封止樹脂よりも屈折率が低い材料で構成されていることが好ましい。

【0016】

上記のＬＥＤパッケージでは、保護層は二酸化ケイ素で構成され、ボンディングワイヤは銀で構成されていることが好ましい。

【発明の効果】

【0017】

上記のＬＥＤパッケージによれば、ＬＥＤ素子の導通用のボンディングワイヤによるＬＥＤ素子の出射光の減衰が起こりにくくなる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】ＬＥＤパッケージ１の縦断面図である。

【図2A】ＬＥＤパッケージ１の製造工程を示す上面図である。

【図2B】図２Ａに対応する縦断面図である。

【図3A】ＬＥＤパッケージ１の製造工程を示す上面図である。

【図3B】図３Ａに対応する縦断面図である。

【図4】別のＬＥＤパッケージ２の断面図である。

【図5A】ＬＥＤパッケージ２の製造工程を示す上面図である。

【図5B】図５Ａに対応する縦断面図である。

【図6A】ＬＥＤパッケージ２の製造工程を示す上面図である。

【図6B】図６Ａに対応する縦断面図である。

【図7A】保護層３５Ａを有する防食ワイヤ３１Ａの断面図である。

【図7B】保護層３５Ｂを有する別の防食ワイヤ３１Ｂの断面図である。

【図7C】保護層３５Ｃを有するさらに別の防食ワイヤ３１Ｃの断面図である。

【図8】金属材料の分光反射率を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、図面を参照しつつ、ＬＥＤパッケージについて説明する。ただし、本発明は図面または以下に記載される実施形態には限定されないことを理解されたい。

【0020】

図１は、ＬＥＤパッケージ１の縦断面図である。ＬＥＤパッケージ１は、基板１０、ＬＥＤ素子３０および封止樹脂４０を有する。ＬＥＤパッケージ１は、ＬＥＤ素子３０が基板１０上に実装され、蛍光体を含有する封止樹脂４０により封止された面実装型の発光装置である。

【0021】

基板１０は、その上面に１組の接続電極１１，１２が形成された絶縁性の基板である。図示した例では、接続電極１１は基板１０の左側の端部で、接続電極１２は基板１０の右側の端部で、それぞれ基板１０上面側から裏面側に回り込んでいる。接続電極１１と接続電極１２の間に電圧が掛けられることによって、ＬＥＤ素子３０は発光する。

【0022】

ＬＥＤ素子３０は、例えば、紫外域から青色領域にわたる波長の光を出射する窒化ガリウム系化合物半導体などのＬＥＤ素子である。以下では、ＬＥＤ素子３０は、例えば発光波長帯域が４５０～４６０ｎｍ程度の青色光を発光する青色ＬＥＤ素子であるとする。ただし、ＬＥＤ素子３０は、紫色光または紫外光といった他の波長の光を発光する素子であってもよい。ＬＥＤ素子３０は、基板１０の上面に実装されており、２本のボンディングワイヤ３１（以下、単に「ワイヤ３１」という）により基板１０の接続電極１１，１２との間で導通がとられている。

【0023】

ワイヤ３１は、ＬＥＤ素子３０を１組の接続電極１１，１２に電気的に接続する。以下では、ワイヤ３１は金で構成された金線であるとして説明するが、ワイヤ３１の材質は、銀、銅またはアルミニウムなどの別の金属であってもよい。ワイヤ３１の一方の端部は、２つの接合部３３において、ＬＥＤ素子３０の上面に形成された２つの素子電極に、例えばボールボンディングによりそれぞれ接合されている。ワイヤ３１の他方の端部は、２つの接合部３４において、接続電極１１，１２の上面に、例えばウエッジボンディングによりそれぞれ接合されている。また、ワイヤ３１の表面には、被覆層３２が設けられている。

【0024】

被覆層３２は、例えば赤色蛍光体または赤色蛍光体を含有する樹脂で構成され、ワイヤ３１の表面を被覆する。赤色蛍光体は、ＬＥＤ素子３０が出射した青色光を吸収して赤色光に波長変換する、例えばＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋などの粒子状の蛍光体材料である。

【0025】

封止樹脂４０は、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）などの黄色蛍光体が分散混入された、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などの透光性の樹脂である。封止樹脂４０は、ＬＥＤ素子３０、ワイヤ３１および被覆層３２の全体を一体的に封止する。なお、図示した例とは異なり、例えば、上方が開口した枠体を基板１０上に配置してＬＥＤ素子３０の周囲を囲い、その枠体で形成された凹部に透光性の樹脂を充填してＬＥＤ素子３０、ワイヤ３１および被覆層３２を封止してもよい。

【0026】

封止樹脂４０の黄色蛍光体は、第２の蛍光体の一例であり、ＬＥＤ素子３０からの出射光により励起されて、第２の光として黄色光を発する。図１では、この黄色蛍光体の粒子を符号４１で示している。ＬＥＤパッケージ１は、主に、青色ＬＥＤであるＬＥＤ素子３０からの青色光と、それによって黄色蛍光体を励起させて得られる黄色光とを混合させることで得られる白色光を出射する。

【0027】

被覆層３２の赤色蛍光体は、ＬＥＤ素子３０からの出射光である青色光により励起されて、赤色光を発する。Ａｕについては、図８を参照して説明したように反射率は青色光よりも赤色光の方が高いので、吸収率は青色光よりも赤色光の方が低い。したがって、赤色光は、金線であるワイヤ３１での吸収率が青色光よりも低くかつ青色光よりも長い波長の光である。

【0028】

ＬＥＤパッケージ１では、ＬＥＤ素子３０からの青色光は、金線であるワイヤ３１で吸収される前に、ワイヤ３１の表面に設けられた被覆層３２の赤色蛍光体によって、吸収されにくい赤色光に波長変換される。このため、ＬＥＤパッケージ１では、被覆層３２がない場合と比べて、ワイヤ３１での吸収による光の減衰が少なくなる。

【0029】

なお、Ａｕについては、反射率は青色光よりも黄色光の方が高く、吸収率は青色光よりも黄色光の方が低いので、被覆層３２を、黄色蛍光体または黄色蛍光体を含有する樹脂で形成してもよい。ただし、被覆層３２の蛍光体は、封止樹脂４０の黄色蛍光体よりも長い波長の光を発する赤色蛍光体であることが好ましい。すなわち、被覆層３２の蛍光体は、封止樹脂４０の蛍光体とは別の蛍光体または蛍光体を含有する樹脂であり、かつ封止樹脂４０の蛍光体よりも長波長の光を発する蛍光体であることが好ましい。

【0030】

ＬＥＤ素子３０からの出射光と封止樹脂４０の蛍光体が発する光の両方よりも長波長の光を発する蛍光体でワイヤ３１を被覆すれば、ＬＥＤ素子３０からの出射光だけでなく、封止樹脂４０の蛍光体が発した光も、ワイヤ３１で吸収されにくくなる。このため、ＬＥＤパッケージ１では、封止樹脂４０の蛍光体よりも短波長の光を発する蛍光体でワイヤ３１を被覆した場合と比べて、ワイヤ３１での吸収による光の減衰がより少なくなる。

【0031】

なお、演色性を高めるために、例えば黄色蛍光体と赤色蛍光体の２種類など、複数種類の蛍光体を封止樹脂４０に分散混入させてもよい。また、赤色蛍光体を被覆層３２と封止樹脂４０の両方に用いてもよい。特に、赤色蛍光体を単に封止樹脂４０中に分散させるのではなく、ワイヤ３１に直接塗布することにより、ＬＥＤ素子３０からの光を無駄なく出射させることが可能になる。

【0032】

図２Ａおよび図３Ａは、ＬＥＤパッケージ１の製造工程を示す上面図である。図２Ｂおよび図３Ｂは、図２Ａおよび図３Ａにそれぞれ対応する縦断面図である。

【0033】

ＬＥＤパッケージ１の製造時には、まず、接続電極１１，１２を有する基板１０の上面に、ＬＥＤ素子３０が取り付けられる。次に、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、ＬＥＤ素子３０の２つの素子電極と接続電極１１，１２とが、接合部３３，３４において、２本のワイヤ３１によりそれぞれ接続される。

【0034】

続いて、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、２本のワイヤ３１の表面に、例えば赤色蛍光体または赤色蛍光体を含有する樹脂で被覆層３２が形成される。その際、ＬＥＤパッケージ１のサイズが特に小さい場合には、例えば赤色蛍光体を滴下させて被覆層３２を形成してもよい。ただし、被覆層３２の赤色蛍光体が塊になると、その部分で発する赤色光が目立ってしまうので、被覆層３２は薄く形成することが好ましい。なお、被覆層３２は、ワイヤボンディングの前に形成するとボンディング時に溶けてしまうため、ボンディング後に形成される。

【0035】

その後、黄色蛍光体が分散混入された封止樹脂４０で、ＬＥＤ素子３０、ワイヤ３１および被覆層３２の全体を一体的に封止することにより、図１に示すＬＥＤパッケージ１が完成する。

【0036】

図４は、別のＬＥＤパッケージ２の縦断面図である。ＬＥＤパッケージ２は、基板２０、ＬＥＤ素子３０および封止樹脂４０を有する。ＬＥＤパッケージ２は基板のみがＬＥＤパッケージ１とは異なり、その他の点ではＬＥＤパッケージ１と同じ構成を有するので、以下では、ＬＥＤパッケージ２について、ＬＥＤパッケージ１とは異なる点を説明する。

【0037】

基板２０は、その上面に１組の接続電極２１，２２が形成された絶縁性の基板である。接続電極２１，２２の表面には、例えばＡｕメッキが施されている。図４の断面図上では接続電極２１，２２の形状はＬＥＤパッケージ１の接続電極１１，１２と同じであるが、図２Ａと後述する図５Ａを比較すると分かるように、接続電極２１，２２は、接続電極１１，１２よりも基板２０の上面の広い範囲を覆っている。また、ＬＥＤパッケージ２では、基板２０の上面におけるＬＥＤ素子３０以外の部分には、基板被覆層２３が設けられている。

【0038】

基板被覆層２３は、例えば赤色蛍光体または赤色蛍光体を含有する樹脂で構成され、基板２０の上面における配線パターンである接続電極２１，２２を被覆する。基板被覆層２３の赤色蛍光体は、第３の蛍光体の一例であり、ＬＥＤ素子３０からの出射光により励起されて、第３の光として赤色光を発する。この赤色光は、Ａｕメッキが施された配線パターンでの吸収率がＬＥＤ素子３０からの出射光である青色光よりも低い光であり、かつその出射光および封止樹脂４０の黄色蛍光体が発する黄色光よりも長い波長の光である。

【0039】

Ａｕメッキが施された基板２０の接続電極２１，２２によって基板２０の上面のほとんどが覆われていると、ワイヤ３１だけでなく、基板２０上のＡｕメッキによっても、吸収による光の減衰が起こり得る。しかしながら、ＬＥＤパッケージ２では、ＬＥＤ素子３０からの青色光は、基板２０上の配線パターンで吸収される前に、基板２０の上面に設けられた基板被覆層２３の赤色蛍光体によって、吸収されにくい赤色光に波長変換される。このため、ＬＥＤパッケージ２では、基板被覆層２３がない場合と比べて、基板２０上の配線パターンでの吸収による光の減衰が少なくなる。

【0040】

なお、基板被覆層２３も、黄色蛍光体または黄色蛍光体を含有する樹脂で形成してもよい。また、例えば、基板被覆層２３に赤色蛍光体を、被覆層３２に黄色蛍光体をそれぞれ使用したり、基板被覆層２３に黄色蛍光体を、被覆層３２に赤色蛍光体をそれぞれ使用したりするなど、基板被覆層２３と被覆層３２で蛍光体の種類を変えてもよい。ただし、基板被覆層２３の蛍光体は、封止樹脂４０の黄色蛍光体よりも長い波長の光を発する赤色蛍光体であることが好ましい。すなわち、基板被覆層２３の蛍光体は、封止樹脂４０の蛍光体とは別の蛍光体または蛍光体を含有する樹脂であり、かつ封止樹脂４０の蛍光体よりも長波長の光を発する蛍光体であることが好ましい。

【0041】

ＬＥＤ素子３０からの出射光と封止樹脂４０の蛍光体が発する光の両方よりも長波長の光を発する蛍光体で基板２０上の配線パターンを被覆すれば、ＬＥＤ素子３０からの出射光だけでなく、封止樹脂４０の蛍光体が発した光も、配線パターンで吸収されにくくなる。このため、ＬＥＤパッケージ２では、封止樹脂４０の蛍光体よりも短波長の光を発する蛍光体で基板２０上の配線パターンを被覆した場合と比べて、配線パターンでの吸収による光の減衰がより少なくなる。

【0042】

図５Ａおよび図６Ａは、ＬＥＤパッケージ２の製造工程を示す上面図である。図５Ｂおよび図６Ｂは、図５Ａおよび図６Ａにそれぞれ対応する縦断面図である。

【0043】

ＬＥＤパッケージ２の製造時には、まず、接続電極２１，２２を有する基板２０の上面に、ＬＥＤ素子３０が取り付けられる。次に、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、ＬＥＤ素子３０の２つの素子電極と接続電極２１，２２とが、接合部３３，３４において、２本のワイヤ３１によりそれぞれ接続される。

【0044】

続いて、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、例えば赤色蛍光体または赤色蛍光体を含有する樹脂で、２本のワイヤ３１の表面に被覆層３２が、基板２０の上面に基板被覆層２３が、それぞれ形成される。なお、基板被覆層２３と被覆層３２は、ワイヤボンディングの前に形成するとボンディング時に溶けてしまうため、ボンディング後に形成される。

【0045】

その後、黄色蛍光体が分散混入された封止樹脂４０で、ＬＥＤ素子３０、ワイヤ３１および被覆層３２の全体を一体的に封止することにより、図４に示すＬＥＤパッケージ２が完成する。

【0046】

ＬＥＤパッケージ１，２に用いられるワイヤ３１の材質は、上記の通り、金に限らず、銀、銅またはアルミニウムなどでもよい。ただし、例えば銀は腐食しやすい材質であるため、ワイヤ３１として銀で構成されたもの（銀線）を使用する場合には、腐食を防止するためにワイヤ３１の周囲に保護層を設けるとよい。そこで、以下では、上記の被覆層３２に加えて保護層を有するボンディングワイヤ（防食ワイヤ）について説明する。

【0047】

図７Ａは、保護層３５Ａを有する防食ワイヤ３１Ａの断面図である。防食ワイヤ３１Ａは、銀線であるワイヤ３１の表面を被覆する保護層３５Ａと、保護層３５Ａの表面を被覆する被覆層３２とを有する。保護層３５Ａは、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で構成された薄膜であり、ワイヤ３１の腐食を防止する働きをする。保護層３５Ａの材質としては、他にも、金属表面の腐食を防止する一般に知られた防食剤を使用可能である。被覆層３２は、上記のものと同様に、例えば赤色蛍光体または赤色蛍光体を含有する樹脂で構成された蛍光体層または蛍光体含有樹脂層である。

【0048】

図７Ｂは、保護層３５Ｂを有する別の防食ワイヤ３１Ｂの断面図である。防食ワイヤ３１Ｂは、銀線であるワイヤ３１の表面を被覆する被覆層３２と、被覆層３２の表面を被覆する腐食防止のための保護層３５Ｂとを有する。すなわち、防食ワイヤ３１Ｂでは、被覆層と保護層の順序が防食ワイヤ３１Ａとは逆になっている。保護層３５Ｂは、保護層３５Ａと同様に、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で構成された薄膜である。防食ワイヤ３１Ｂのように、保護層は、ワイヤ３１の表面に直接設けるのではなく、ワイヤ３１の表面に設けられた被覆層３２（蛍光体層または蛍光体含有樹脂層）の表面に設けてもよい。防食ワイヤ３１Ｂでは、被覆層３２の赤色蛍光体がワイヤ３１に直接接触しているので、その蛍光体で発生した熱がワイヤ３１を伝ってＬＥＤパッケージの外部に逃げやすくなるという利点がある。

【0049】

図７Ｃは、保護層３５Ｃを有するさらに別の防食ワイヤ３１Ｃの断面図である。防食ワイヤ３１Ｃは、防食ワイヤ３１Ｂと同様に、銀線であるワイヤ３１の表面を被覆する被覆層３２と、被覆層３２の表面を被覆する腐食防止のための保護層３５Ｃとを有する。ただし、保護層３５Ｃは、下側部分３５１と上側部分３５２が互いに異なる屈折率の材料で構成される点が保護層３５Ａ，３５Ｂとは異なる。下側部分３５１は、保護層３５Ｃのうちで、防食ワイヤ３１Ｃを使用するＬＥＤパッケージの基板１０，２０およびＬＥＤ素子３０に近い側のほぼ半分であり、そのＬＥＤパッケージの封止樹脂４０よりも屈折率が低い材料で構成される。一方、上側部分３５２は、保護層３５Ｃのうちで基板１０，２０およびＬＥＤ素子３０から遠い側のほぼ半分であり、例えば封止樹脂４０と同じ屈折率の材料で構成される。

【0050】

保護層３５Ｃの下側部分３５１を屈折率が低い層とすることにより、防食ワイヤ３１Ｃでは、被覆層３２の赤色蛍光体から下側に出る光の一部が保護層３５Ｃの表面で全反射される。このため、防食ワイヤ３１Ｃでは、腐食防止の効果に加えて、被覆層３２からその下方のＬＥＤ素子３０に向かう光が減り、ＬＥＤパッケージの上方に出射される光が増えるという利点がある。ＬＥＤパッケージ１，２のワイヤ３１として、図７Ａ～図７Ｃに示したいずれかの防食ワイヤ３１Ａ～３１Ｃを用いてもよい。

【符号の説明】

【0051】

１，２ ＬＥＤパッケージ
１０，２０ 基板
１１，１２，２１，２２ 接続電極
２３ 基板被覆層
３０ ＬＥＤ素子
３１ ワイヤ
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 防食ワイヤ
３２ 被覆層
３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ 保護層
４０ 封止樹脂

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8】