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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-07-13
(45)【発行日】2022-07-22
(54)【発明の名称】発電機能付照明装置
(51)【国際特許分類】
   F21S 9/04 20060101AFI20220714BHJP
   F21K 9/237 20160101ALI20220714BHJP
   F21K 9/00 20160101ALI20220714BHJP
   F21V 29/503 20150101ALI20220714BHJP
   F21V 29/70 20150101ALI20220714BHJP
   F21V 23/00 20150101ALI20220714BHJP
   H05B 45/00 20220101ALI20220714BHJP
   H05B 47/10 20200101ALI20220714BHJP
   F21Y 115/10 20160101ALN20220714BHJP
【FI】
F21S9/04
F21K9/237
F21K9/00 100
F21V29/503
F21V29/70
F21V23/00 120
H05B45/00
H05B47/10
F21Y115:10
【請求項の数】 5
(21)【出願番号】P 2020553127
(86)(22)【出願日】2019-10-10
(86)【国際出願番号】 JP2019040019
(87)【国際公開番号】W WO2020085102
(87)【国際公開日】2020-04-30
【審査請求日】2022-01-27
(31)【優先権主張番号】P 2018198456
(32)【優先日】2018-10-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】516230102
【氏名又は名称】株式会社GCEインスティチュート
(74)【代理人】
【識別番号】100120868
【弁理士】
【氏名又は名称】安彦 元
(72)【発明者】
【氏名】後藤 博史
(72)【発明者】
【氏名】坂田 稔
【審査官】野木 新治
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第2011/0234107(US,A1)
【文献】特表2002-540636(JP,A)
【文献】特許第6147901(JP,B1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
F21S 9/04
F21K 9/237
F21K 9/00
F21V 29/503
F21V 29/70
F21V 23/00
H05B 45/00
H05B 47/10
F21Y 115/10
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気エネルギーを光エネルギーに変換するLED素子と、前記LED素子から放出された熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子と、を有する発電機能付照明装置であって、
搭載面、及び前記搭載面と対向した開放面を有する熱伝導性ベースと、前記搭載面上に、前記熱伝導性ベースと電気的に絶縁されて設けられた基板配線と、を含む熱伝導性LED基板、並びに前記基板配線と電気的に接続された前記LED素子を含む発光装置と、
内部に空洞部を有し、前記熱伝導性ベースの開放面上に、前記熱伝導性ベースと電気的に絶縁され、前記熱伝導性ベースと熱的に結合されて設けられたヒートシンクと、
前記ヒートシンク上に設けられた、前記発光装置を収容する透光性カバーと、
前記ヒートシンクの前記空洞部内に、前記ヒートシンクと電気的に絶縁され、前記ヒートシンクと熱的に結合されて設けられた熱電素子と、
を備え、
前記熱電素子は、
収容部を有する筐体部と、
前記収容部内に設けられた第1電極部と、
前記収容部内に設けられ、前記第1電極部と第1方向に離間して対向し、前記第1電極部とは異なった仕事関数を有する第2電極部と、
前記収容部内の、前記第1電極部と前記第2電極部との間に設けられ、前記第1電極部の仕事関数と前記第2電極部の仕事関数との間の仕事関数を有するナノ粒子を含む中間部と、
を含み、
前記第1電極部と電気的に接続され、前記第1電極部を前記収容部の外に導出する第1接続配線と、
前記第2電極部と電気的に接続され、前記第2電極部を前記収容部の外に導出する第2接続配線と、
前記第1接続配線と電気的に接続された第1外部筐体端子と、
前記第2接続配線と電気的に接続された第2外部筐体端子と、
をさらに備え、
前記第1電極部と前記第1接続配線との第1電気的接点、並びに前記第2電極部と前記第2接続配線との第2電気的接点のそれぞれは、前記収容部内に設けられ、
前記筐体部は、前記ヒートシンクの前記空洞部の内面上に設けられ
前記筐体部は、第1主面と、前記第1主面と対向し、前記熱伝導性ベースの前記開放面と向き合う第2主面と、を有する第1基板を含み、
前記第1外部筐体端子及び前記第2外部筐体端子のそれぞれは、前記第1基板の前記第1主面上に設けられ ていること
を特徴とする発電機能付照明装置。
【請求項2】
前記熱電素子は、平行平板型熱電素子、及び櫛歯型熱電素子の少なくとも1つを含むこと
を特徴とする請求項1に記載の発電機能付照明装置。
【請求項3】
外部から供給される外部入力電力、及び前記熱電素子から供給される補助入力電力のそれぞれの入力が可能な、前記外部入力電力及び前記補助入力電力のそれぞれをLED入力電力に変換し、前記LED入力電力を前記LED素子へ出力する電源回路
を、さらに備えること
を特徴とする請求項1又は2に記載の発電機能付照明装置。
【請求項4】
前記電源回路は、
一方電極、及び他方電極を有するコンデンサ
を、含み、
前記一方電極は、前記外部入力電力の高電位側出力ノード、前記LED素子のアノード、及び前記熱電素子のカソードのそれぞれと、電気的に結合され、
前記他方電極は、前記電源回路の低電位側配線と、電気的に結合されていること
を特徴とする請求項に記載の発電機能付照明装置。
【請求項5】
前記電源回路は、
第1スイッチと、
第2スイッチと、
電流制限回路と、
を、さらに含み、
前記高電位側出力ノードは、前記一方電極と、第1スイッチを介して電気的に結合され、
前記熱電素子のカソードは、前記一方電極と、第2スイッチを介して電気的に結合され、
前記LED素子のアノードは、前記一方電極と、電流制限回路を介して電気的に結合されていること
を特徴とする請求項に記載の発電機能付照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、発電機能付照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近時、LED等の発光素子の発光に伴う熱の有効利用が注目されている。例えば、特許文献1には、発光素子の発光に伴う熱を利用して発電する照明装置が開示されている。特許文献1に記載された照明装置は、LED素子と、熱電素子の中に温度差を生じさせて発電する熱電素子と、熱電素子の中に温度差を生じさせる低温材料と、を備えている。
【0003】
特許文献2には、エミッタ電極層とコレクタ電極層とをサブミクロン間隔で離間する電気絶縁性の球状ナノビーズを備え、エミッタ電極層の仕事関数をコレクタ電極層の仕事関数よりも小さくし、エミッタ電極層とコレクタ電極層との中間の仕事関数を有し、かつ球状ナノビーズよりも粒子径が小さい金属ナノ粒子が分散された金属ナノ粒子分散液を、球状ナノビーズにより離間された電極間の空間に充填した熱電素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特表2014-502015号公報
【文献】特許第6147901号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献1に記載の熱電素子では、熱電素子の中の電極対のうち、1つの電極は熱くし、もう1つの電極は冷たくする。このように2つの電極間に温度差を生じさせることで、熱電素子は発電する。
【0006】
しかし、特許文献1において、実際に発電させるためには、LED素子及び熱電素子の他、熱電素子の中に温度差を生じさせる低温材料や、低温材料を冷やすチラーが別途必要となる。このため、発電機能付照明装置の部品点数が増え、製造コストが増大する。また、発電機能付照明装置は、LED素子、熱電素子、低温材料、及びチラーを備えるため、そのサイズも大型化する。しかも、発電機能付照明装置の中には、LED素子及び熱電素子の他、低温材料やチラーを搭載するエリアを、新たに増やさなければならない。このことも、サイズの大型化を助長する。
【0007】
特許文献2に開示された熱電素子では、エミッタ電極層の仕事関数を、コレクタ電極層の仕事関数よりも小さくし、金属ナノ粒子分散液を、球状ナノビーズで離間された電極間の空間に充填する。これにより、熱電素子の中に温度差を生じさせなくても、熱電素子は発電できる。特許文献2は、そのような熱電素子の構造を開示する。しかし、特許文献2には、熱電素子を、照明装置の製造コストの増大、及びサイズの大型化を抑制しつつ混載可能にすることに関する示唆はない。
【0008】
この発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、その目的は、製造コストの増大、及びサイズの大型化を抑制可能な発電機能付照明装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
第1発明に係る発電機能付照明装置は、電気エネルギーを光エネルギーに変換するLE
D素子と、前記LED素子から放出された熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電
素子と、を有する発電機能付照明装置であって、搭載面、及び前記搭載面と対向した開放
面を有する熱伝導性ベースと、前記搭載面上に、前記熱伝導性ベースと電気的に絶縁され
て設けられた基板配線と、を含む熱伝導性LED基板、並びに前記基板配線と電気的に接
続された前記LED素子を含む発光装置と、内部に空洞部を有し、前記熱伝導性ベースの
開放面上に、前記熱伝導性ベースと電気的に絶縁され、前記熱伝導性ベースと熱的に結合
されて設けられたヒートシンクと、前記ヒートシンク上に設けられた、前記発光装置を収
容する透光性カバーと、前記ヒートシンクの前記空洞部内に、前記ヒートシンクと電気的
に絶縁され、前記ヒートシンクと熱的に結合されて設けられた熱電素子と、を備え、前記
熱電素子は、収容部を有する筐体部と、前記収容部内に設けられた第1電極部と、前記収
容部内に設けられ、前記第1電極部と第1方向に離間して対向し、前記第1電極部とは異
なった仕事関数を有する第2電極部と、前記収容部内の、前記第1電極部と前記第2電極
部との間に設けられ、前記第1電極部の仕事関数と前記第2電極部の仕事関数との間の仕
事関数を有するナノ粒子を含む中間部と、を含み、前記第1電極部と電気的に接続され、前記第1電極部を前記収容部の外に導出する第1接続配線と、前記第2電極部と電気的に接続され、前記第2電極部を前記収容部の外に導出する第2接続配線と、前記第1接続配線と電気的に接続された第1外部筐体端子と、前記第2接続配線と電気的に接続された第2外部筐体端子と、をさらに備え、前記第1電極部と前記第1接続配線との第1電気的接点、並びに前記第2電極部と前記第2接続配線との第2電気的接点のそれぞれは、前記収容部内に設けられ、前記筐体部は、前記ヒートシンクの前記空洞部の内面上に設けられ、前記筐体部は、第1主面と、前記第1主面と対向し、前記熱伝導性ベースの前記開放面と向き合う第2主面と、を有する第1基板を含み、前記第1外部筐体端子及び前記第2外部筐体端子のそれぞれは、前記第1基板の前記第1主面上に設けられていることを特徴とする。
【0012】
発明に係る発電機能付照明装置は、第1発明において、前記熱電素子は、平行平板型熱電素子、及び櫛歯型熱電素子の少なくとも1つを含むことを特徴とする。
【0013】
発明に係る発電機能付照明装置は、第1発明又は第2発明において、外部から供給される外部入力電力、及び前記熱電素子から供給される補助入力電力のそれぞれの入力が可能な、前記外部入力電力及び前記補助入力電力のそれぞれをLED入力電力に変換し、前記LED入力電力を前記LED素子へ出力する電源回路を、さらに備えることを特徴とする。
【0014】
発明に係る発電機能付照明装置は、第発明において、前記電源回路は、一方電極
、及び他方電極を有するコンデンサを、含み、前記一方電極は、前記外部入力電力の高電
位側出力ノード、前記LED素子のアノード、及び前記熱電素子のカソードのそれぞれと、電気的に結合され、前記他方電極は、前記電源回路の低電位側配線と、電気的に結合されていることを特徴とする。
【0015】
発明に係る発電機能付照明装置は、第発明において、前記電源回路は、第1スイッチと、第2スイッチと、電流制限回路と、を、さらに含み、前記高電位側出力ノードは、前記一方電極と、第1スイッチを介して電気的に結合され、前記熱電素子のカソードは、前記一方電極と、第2スイッチを介して電気的に結合され、前記LED素子のアノードは、前記一方電極と、電流制限回路を介して電気的に結合されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【0016】
第1発明に係る発電機能付照明装置によれば、熱電素子の筐体部の収容部内に、第1電極部と、第1電極部とは異なった仕事関数を有する第2電極部と、第1電極部の仕事関数と第2電極部の仕事関数との間の仕事関数を有するナノ粒子を含む中間部と、を含む。これにより、熱電素子の中に温度差を生じさせなくても、熱電素子は発電できる。よって、低温材料や、低温材料を冷やすチラーが不要となる。低温材料、及び低温材料を冷やすチラーが不要となる結果、発電機能付照明装置の製造コストの増大を抑制できる。また、発電機能付照明装置のサイズの大型化を抑制できる。熱電素子1の筐体部は、ヒートシンクの空洞部の内面上に設ける。照明装置において、空洞部は、デッドスペースである。熱電素子は、照明装置に、そのデッドスペースを利用して組み込まれる。これにより、熱電素子を搭載するエリアを、照明装置に新たに確保せずに済み、照明装置のサイズの増大を抑制できる。
【0017】
また、第1発明に係る発電機能付照明装置によれば、第1、第2電気的接点のそれぞれを、収容部内に設ける。これにより、熱電素子を、照明装置に組み込む際、例えば、熱電素子のハンドリング中や、熱電素子の取り付け作業中等において、第1、第2電気的接点が破断したり、損傷したりすることを抑制できる。これにより、照明装置の製造中に発生する可能性がある、熱電素子のロスを減らすことができる。
【0018】
また、第1発明に係る発電機能付照明装置によれば、筐体部は、第1主面と、第1主面と対向し、熱伝導性ベースの開放面と向き合う第2主面と、を有する第1基板を含む。そして、第1、第2外部筐体端子のそれぞれを、第1基板の第1主面上に設ける。第1主面は、例えば、筐体部の側面と比較して、第1、第2外部筐体端子のそれぞれに、広い面積を提供できる。また、筐体部の側面と比較して、作業者による視認、あるいは作業ロボットによるワークポイントの抽出がしやすい。これらにより、例えば、熱電素子と、照明装置との電気的な接続作業を容易化でき、例えば、照明装置のスループットを向上できる。また、熱電素子を備えた、照明装置の組み立ての確実性も向上する。
【0019】
発明に係る発電機能付照明装置によれば、熱電素子は、平行平板型熱電素子、及び櫛歯型熱電素子のいずれか1つを含む。これにより、熱電素子の一構造例が、具現化される。
【0020】
発明に係る発電機能付照明装置によれば、電源回路を、さらに備える。電源回路は、外部から供給される外部入力電力、及び前記熱電素子から供給される補助入力電力のそれぞれをLED入力電力に変換してLED素子へ出力する。これにより、発電機能付照明装置の消費電力を減らすことができる。
【0021】
発明に係る発電機能付照明装置によれば、電源回路は、一方電極、及び他方電極を有するコンデンサを、含む。一方電極は、高電位ノード、LED素子のアノード、及び熱電素子のカソードと電気的に結合される。また、他方電極は、低電位ノード、LED素子のカソード、及び熱電素子のアノードと電気的に結合される。これにより、電源回路の一回路例が具現化される。
【0022】
発明に係る発電機能付照明装置によれば、電源回路は、第1スイッチと、第2スイッチと、電流制限回路と、を、さらに含む。高電位ノードは、一方電極と、第1スイッチを介して電気的に結合される。熱電素子のカソードは、一方電極と、第2スイッチを介して電気的に結合される。LED素子のアノードは、一方電極と、電流制限回路を介して電気的に結合される。これにより、電源回路の、さらに具体的な一回路例が具現化される。
【図面の簡単な説明】
【0023】
図1図1(a)は、第1実施形態に係る発電機能付照明装置の一例を示す模式図である。図1(b)は、図1(a)の一部を断面として示した模式図である。
図2図2は、第1実施形態に係る発電機能付照明装置の一例を分解して示した模式分解断面図である。
図3図3(a)及び図3(b)は、熱電素子の第1例を示す模式断面図である。
図4図4は、接合の一例を示す模式断面図である。
図5図5(a)は、中間部の一例を示す模式断面図である。図5(b)は、中間部の他の例を示す模式断面図である。
図6図6(a)~図6(c)は、第1変形例に係る熱電素子の一例を示す模式断面図である。
図7図7は、接合の一例を示す模式断面図である。
図8図8は、スリットの一例を示す模式断面図である。
図9図9(a)及び図9(b)は、溶媒注入の一例を示す模式断面図である。
図10図10は、熱伝導性ベースの第1例を示す模式平面図である。
図11図11は、熱伝導性ベースの第2例を示す模式平面図である。
図12図12(a)は、第1変形例に係る照明装置の一例を示す模式図である。図12(b)は、図12(a)中のXIIB-XIIB線に沿う模式断面図である。
図13図13は、第2実施形態に係る発電機能付照明装置の一例を示す模式ブロック図である。
図14図14は、第2実施形態に係る発電機能付照明装置の一例を示す模式回路図である。
図15図15は、第2実施形態の第1変形例に係る発電機能付照明装置の一例を示す模式回路図である。
図16図16は、温度と発光効率との関係、並びに温度と発電効率との関係を模式的に示す模式図である。
図17図17は、第2実施形態の第2変形例に係る発電機能付発光装置の一例を示す模式回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、この発明の実施形態のいくつかを、図面を参照しながら説明する。なお、各図において、高さ方向を第1方向Zとし、第1方向Zと交差、例えば直交する1つの平面方向を第2方向Xとし、第1方向Z及び第2方向Xのそれぞれと交差、例えば直交する別の平面方向を第3方向Yとする。また、各図において、共通する部分については、共通する参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0025】
(第1実施形態)
<発電機能付照明装置>
図1(a)は、第1実施形態に係る発電機能付照明装置の一例を示す模式図である。図1(b)は、図1(a)の一部を断面として示した模式図である。図2は、第1実施形態に係る発電機能付照明装置の一例を分解して示した模式分解断面図である。
【0026】
図1(a)、図1(b)、及び図2に示すように、第1実施形態に係る発電機能付照明装置(以下、照明装置と略記)400は、LED(Light Emitting Diode)素子210と、熱電素子1と、を有する。LED素子210は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する。熱電素子1は、LED素子210から放出された熱エネルギーを電気エネルギーに変換する。照明装置400は、発光装置200と、ヒートシンク401と、透光性カバー402と、熱電素子1と、を含む。照明装置400では、電源回路300を、さらに含む。
【0027】
<発光装置>
発光装置200は、LED素子210と、熱伝導性LED基板220と、を含む。熱伝導性LED基板220は、熱伝導性ベース221と、第1基板配線222aと、第2基板配線222bと、を含む。熱伝導性ベース221は、搭載面221a、及び搭載面221aと対向した開放面222bを有する。第1、第2基板配線222a及び222bは、搭載面221a上に、熱伝導性ベース221と電気的に絶縁されて設けられている。LED素子210は、第1、第2基板配線222a及び222bと電気的に接続されている。
【0028】
<ヒートシンク>
ヒートシンク401は、熱伝導性ベース221の開放面221b上に設けられている。ヒートシンク401は、熱伝導性ベース221と電気的に絶縁され、熱伝導性ベース221と熱的に結合されている。ヒートシンク401は、例えば、筒状であり、内部に空洞部401aを有する。ヒートシンク401は、熱伝導度が高い材料が用いられる。材料の例としては、アルミニウム、銅、又はアルミニウムと銅との合金等を挙げることができる。
【0029】
<透光性カバー>
透光性カバー402は、ヒートシンク401上に設けられている。透光性カバー402は、発光装置200を収容する。
【0030】
<熱電素子>
熱電素子1は、ヒートシンク401の空洞部401aの内面401b上に設けられている。これにより、熱電素子1は、ヒートシンク401の空洞部401a内に収容される。熱電素子1は、内面401b上に、例えば、接着部材30によって接着されている。熱電素子1は、ヒートシンク401と電気的に絶縁され、ヒートシンク401と熱的に結合されている。熱電素子1は、補助入力電力Pinaを出力する。熱電素子1は、照明装置400の、例えば、補助電源として使用される。
【0031】
<電源回路>
電源回路300は、例えば、ヒートシンク401の空洞部401a内に収容される。電源回路300は、外部入力電力Pin、及び補助入力電力Pinaのそれぞれの入力が可能に構成される。外部入力電力Pinは、発光装置200の外部から供給される電力である。外部入力電力Pinは、外部電源、例えば、商用電源310から供給される。外部電源は、商用電源310は、電池であってもよい。補助入力電力Pinaは、熱電素子1から供給される。電源回路300は、外部入力電力Pin及び補助入力電力PinaのそれぞれをLED入力電力Poutに変換し、LED入力電力PoutをLED素子210へ出力する。
【0032】
<<照明装置:第1例>>
発光装置200は、照明装置400の光源として使用される。照明装置400の第1例は、電球型LEDランプである。第1例に係る電球型LEDランプは、例えば、電源回路300と、口金部403と、を含む。口金部403は、ヒートシンク401の、発光装置200の取付側とは反対側の部分に設けられている。口金部403は、図示せぬソケットと着脱自在、かつ、電気的に接続可能である。口金部403は、ヒートシンク401と電気的に絶縁されている。
【0033】
電源回路300は、回路基板320と、電子部品330と、第1外部端子331a~第6外部端子331fと、を含む。を含む。電子部品330は、回路基板320上に設けられる。電子部品330は、電源回路300を構成する回路素子である。回路素子の例としては、抵抗、コンデンサ、コイル、ダイオード、トランジスタ、トランス、及びレギュレータ等を挙げることができる。なお、電子部品330は、図2に示すように、例えば、回路基板320の表面及び裏面のそれぞれを利用して、回路基板320上に設けられることがある。第1~第6外部端子331a~331fのそれぞれは、回路基板320上に設けられる。第1外部端子331aは、口金部403のシェル410と、第1リード線321aを介して電気的に接続されている。第2外部端子331bは、口金部403のアイレット411と、第2リード線321bを介して電気的に接続されている。第3外部端子331cは、熱電素子1のカソードKと、第3リード線321cを介して電気的に接続されている。第4外部端子331dは、熱電素子1のアノードAと、第4リード線321dを介して電気的に接続されている。第5外部端子331eは、LED素子210のアノードAと、第5リード線321eを介して電気的に接続されている。第6外部端子331fは、LED素子210のカソードKと、第6リード線321fを介して電気的に接続されている。第1~第6リード線321a~321fのそれぞれは、空洞部401a内に設けられる。
【0034】
<<発光装置:熱伝導性LED基板>>
熱伝導性LED基板220は、熱伝導性ベース221と、第1基板配線222aと、第2基板配線222bと、を含む。熱伝導性ベース221には、熱伝導度が高い材料が用いられる。材料の例としては、アルミニウム、銅、又はアルミニウムと銅との合金等を挙げることができる。熱伝導性ベース221の第1方向Zに沿った厚さは、例えば1mm以上10mm以下である。熱伝導性ベース221は、搭載面221aと、開放面221bとを有する。開放面221bは、搭載面221aと対向する。第1、第2基板配線222a及び222bのそれぞれは、熱伝導性ベース221の搭載面221a上に、熱伝導性ベース221と電気的に絶縁されて設けられている。例えば、熱伝導性ベース221の搭載面221a上には、絶縁物223が設けられている。第1、第2基板配線222a及び222bのそれぞれは、例えば、絶縁物223上に設けられている。これにより、第1、第2基板配線222a及び222bのそれぞれは、熱伝導性ベース221と電気的に絶縁される。絶縁物223の材料の例としては、耐熱性が良い絶縁性セラミック、又は耐熱性が良い絶縁性樹脂等を挙げることができる。絶縁性セラミックの一例は、アルミニウム酸化物である。絶縁性樹脂の例は、エポキシ樹脂、PEEK(Poly Ether Ether Ketone)、又はPEI(Poly Ether Imide)等である。
なお、熱伝導性LED基板220には、周知のものを使用することができる。
【0035】
<<発光装置:LED素子>>
LED素子210は、第1、第2基板配線222a及び222bと電気的に接続されている。LED素子210は、熱伝導性ベース221上に、1つ以上設けられる。LED素子210は、LEDチップ211と、パッケージ基板212と、リフレクタ213と、透光性封入樹脂214と、第1電極配線215aと、第2電極配線215bと、を含む。LED素子210は、LEDパッケージである。
【0036】
LEDチップ211は、パッケージ基板212上に設けられている。リフレクタ213はパッケージ基板212上に設けられ、LEDチップ211の周囲を囲む。透光性封入樹脂214は、LEDチップ211を封入する。LED素子210が白色LEDの場合、少なくとも1つの単色のLEDチップ211が、パッケージ基板212を底とし、リフレクタ213を壁としつつ、透光性封入樹脂214によって封入される。白色LEDの場合、透光性封入樹脂214には、蛍光体が分散される。また、LED素子210がフルカラーLEDの場合、赤、緑、青(RGB)のそれぞれに対応した少なくとも3つのLEDチップ211が、パッケージ基板212を底とし、リフレクタ213を壁としつつ、透光性封入樹脂214によって封入される。フルカラーLEDの場合、透光性封入樹脂214には、蛍光体が分散されなくてもよい。第1電極配線215aは、パッケージ基板212上に設けられている。第1電極配線215aは、LEDチップ211の、例えば、アノード(A)を、リフレクタ213及び透光性封入樹脂214の外へ導出する。第1電極配線215aは、第1基板配線222aと電気的に接続される。第2電極配線215bは、パッケージ基板212上に設けられている。第2電極配線215bは、LEDチップ211の、例えばカソード(K)を、リフレクタ213及び透光性封入樹脂214の外へ導出する。第2電極配線215bは、第2基板配線222bと電気的に接続される。
なお、LED素子210には、周知のものを使用することができる。
【0037】
<<熱電素子:第1例>>
図3(a)及び図3(b)は、熱電素子の第1例を示す模式断面図である。図3(a)に示す模式断面は、図3(b)中のIIIA-IIIA線に沿う。図3(b)に示す模式断面は、図3(a)中のIIIB-IIIB線に沿う。図4は、接合の一例を示す模式断面図である。図4は、図3(a)に示す模式断面に対応する。
【0038】
図3(a)及び図3(b)に示すように、熱電素子1は、筐体部10と、第1電極部11と、第2電極部12と、中間部14と、を含む。筐体部10は、熱伝導性ベース221の開放面221b上に設けられている。筐体部10は、開放面221b上に、例えば、接着部材30によって接着される(図2)。あるいは、筐体部10は、開放面221b上に、はんだ等のろう材によって固着される。熱電素子1の第1方向Zに沿った厚さTzは、約20μm~約6mmである(図2)。
【0039】
筐体部10は、熱電素子1では、第1基板10aと、第2基板10bと、を含む。第1、第2基板10a及び10bのそれぞれの第1方向Zに沿った厚さは、例えば10μm以上2mm以下である。第1、第2基板10a及び10bのそれぞれの材料としては、絶縁性を有する板状の材料を選ぶことができる。絶縁性の材料の例としては、シリコン、石英、パイレックス(登録商標)等のガラス、及び絶縁性樹脂等を挙げることができる。第1、第2基板10a及び10bは、薄板状であるほか、例えばフレキシブルなフィルム状でもよい。例えば、第1、第2基板10a又は10bを、フレキシブルなフィルム状とする場合には、例えばPET(polyethylene terephthalate)、PC(polycarbonate)、及びポリイミド等を用いることができる。また、第1、第2基板10a及び10bは、絶縁性でなくてもよい。半導体基板や金属基板の表面を、例えば、絶縁膜によって被覆してもよい。このような絶縁被膜付基板としては、例えば、シリコン(Si)基板の表面に、シリコン酸化物(例えば、SiO)膜を形成したものを挙げることができる。
【0040】
第1基板10aは、例えば、第1支持部13aを含む。第1支持部13aは、第1基板10aから第1方向Zに沿って第2基板10bに向かって延びる。第1支持部13aの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。第2基板10bは、例えば、第2支持部13bを含む。第2支持部13bは、第2基板10bから第1方向Zに沿って第1基板10aに向かって延びる。第2支持部13bの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。第1、第2支持部13a及び13bのそれぞれの第1方向Zに沿った厚さは、例えば10nm以上10μm以下である。第2支持部13bと、第1支持部13aとは、例えば、2つのスリット17a及び17bを介して離れている。
【0041】
第1、第2支持部13a及び13bは、それぞれ、第1、第2基板10a及び10bと一体に設けられてもよいし、別々に設けられてもよい。一体に設ける場合、第1、第2支持部13a及び13bのそれぞれの材料は、第1、第2基板10a及び10bと同じ材料となる。別々に設ける場合、第1、第2支持部13a及び13bの材料の例としては、シリコン酸化物、及びポリマー等を挙げることができる。ポリマーの例としては、ポリイミド、PMMA(Polymethyl methacrylate)、及びポリスチレン等を挙げることができる。
【0042】
スリット17a及び17bは、それぞれ、封止部材31a及び31bによって封止される。封止部材31a及び31bは、一体であってもよい。この場合、封止部材31aと封止部材31bとは、1つの封止部材31となり、第1、第2支持部13a及び13bのそれぞれの外側面に沿って、環状に設けられる。封止部材31a及び31bの材料の例としては、絶縁性樹脂を挙げることができる。絶縁性樹脂の例としては、フッ素系絶縁性樹脂を挙げることができる。
【0043】
第1電極部11は、収容部10d内に設けられる。第1電極部11は、熱電素子1では、第1基板10a上に設けられる。第2電極部12は、収容部10d内に設けられる。第2電極部12は、熱電素子1では、第2基板10b上に設けられる。第1電極部11と、第2電極部12とは、1対の平行平板型電極対を構成する。熱電素子1は、平行平板型熱電素子である。
【0044】
熱電素子1では、第1電極部11は、例えば白金(仕事関数:約5.65eV)を含む。第2電極部12は、例えばタングステン(仕事関数:約4.55eV)を含む。仕事関数が大きい電極部はアノードA(コレクタ電極)として機能し、仕事関数が小さい電極部はカソードK(エミッタ電極)として機能する。熱電素子1では、第1電極部11がアノードAであり、第2電極部12がカソードKである。このような熱電素子1では、仕事関数差を有する第1電極部11と第2電極部12との間に発生する、絶対温度による電子放出現象が利用される。このため、熱電素子1は、第1電極部11と第2電極部12との温度差が小さい場合であっても、熱エネルギーを電気エネルギーに変換できる。さらに、熱電素子1は、第1電極部11と第2電極部12との間に温度差がない場合であっても、熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。なお、第1電極部11をカソードKとし、第2電極部12をアノードAとしてもよい。
【0045】
第1、第2電極部11及び12のそれぞれの第1方向Zに沿った厚さは、例えば1nm以上1μm以下である。より好ましくは、1nm以上50nm以下である。第1、第2電極部11及び12のそれぞれの材料は、例えば、以下に示す金属から選ぶことができる。

白金(Pt)
タングステン(W)
アルミニウム(Al)
チタン(Ti)
ニオブ(Nb)
モリブデン(Mo)
タンタル(Ta)
レニウム(Re)
熱電素子1では、第1電極部11と第2電極部12との間に仕事関数差が生じればよい。したがって、第1電極部11及び12の材料には、上記以外の金属を選ぶことが可能である。また、第1、第2電極部11及び12の材料には、上記金属の他、合金、金属間化合物、及び金属化合物を選ぶことも可能である。金属化合物は、金属元素と非金属元素とが化合したものである。金属化合物の例としては、例えば六ホウ化ランタン(LaB)を挙げることができる。
【0046】
第1、第2電極部11及び12の材料として、非金属導電物を選ぶことも可能である。非金属導電物の例としては、シリコン(Si:例えばp型Si、あるいはn型Si)、及びグラフェン等のカーボン系材料等を挙げることができる。
【0047】
第1、第2電極部11及び第2電極部12の材料として、高融点金属(refractory metal)以外の材料を選ぶと、以下に説明される利点を、さらに得ることができる。本明細書において、高融点金属は、例えば、W、Nb、Mo、Ta、及びReとする。第1電極部(アノードA)11に、例えばPtを用いた場合、第2電極部(カソードK)12には、Al、Si、Ti、及びLaBの少なくとも1つを用いることが好ましい。
【0048】
例えば、Al及びTiの融点は、上記高融点金属より低い。したがって、Al及びTiのそれぞれからは、上記高融点金属に比較して、加工しやすい、という利点を得ることができる。
【0049】
例えば、Siは、上記高融点金属に比較して、その形成が、さらに容易である。したがって、Siからは、上記加工のしやすさに加え、熱電素子1の生産性がより向上する、という利点を、さらに得ることができる。
【0050】
例えば、LaBの融点は、Ti及びNbより高い。しかし、LaBの融点は、W、Mo、Ta、及びReより低い。LaBは、W、Mo、Ta、及びReに比較して加工しやすい。しかも、LaBの仕事関数は、約2.5~2.7eVである。LaBは、上記高融点金属に比較して電子を放出させやすい。したがって、LaBからは、熱電素子1の発電効率の更なる向上が可能、という利点を、さらに得ることができる。
【0051】
なお、第1電極部11、及び第2電極部12のそれぞれの構造は、上記材料を含む単層構造の他、上記材料を含む積層構造とされてもよい。
【0052】
熱電素子1は、第1接続配線15aと、第2接続配線16aと、を、さらに含む。
第1接続配線15aは、収容部10d内において、第1電極部11と電気的に接続されている。これにより、第1電極部11と第1接続配線15aとの第1電気的接点11aは、収容部10d内に設けられる。第1支持部13aの基板接合面13aa上において、第1接続配線15aの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。これは、第1支持部13aの平面形状と、ほぼ同じである。第1接続配線15aは、第1支持部13aと、第2基板10bとの間において、第1接合金属18aと接合される。第1接合金属18aは、第2基板10b上に設けられている。第1接合金属18aの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。これは、基板接合面13aa上における第1接続配線15aの平面形状と、ほぼ同じである。
【0053】
第2接続配線16aは、収容部10d内において、第2電極部12と電気的に接続されている。これにより、第2電極部12と第2接続配線16aとの第2電気的接点12aは、収容部10d内に設けられる。第2支持部13bの基板接合面13ba上において、第2接続配線16aの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。これは、第2支持部13bの平面形状と、ほぼ同じである。第2接続配線16aは、第2支持部13bと、第1基板10aとの間において、第2接合金属18bと接合される。第2接合金属18aは、第1基板10a上に設けられている。第2接合金属18bの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。これは、基板接合面13ba上における第2接続配線16aの平面形状と、ほぼ同じである。
【0054】
第1、第2接合金属18a及び18bは、第1、第2接続配線15a及び16aと接合可能な、例えば、金属を含む。これにより、例えば、図4に示すように、第2基板10bは、第1接続配線15aと第1接合金属18aとの接合、並びに第2接続配線16aと第2接合金属18bとの接合によって、第1基板10aと接合することができる。そして、筐体部10には、収容部10dが得られる。第1、第2接続配線15a及び16a、並びに第1、第2接合金属18a及び18bのそれぞれに、例えば、Auを用いた場合には、第1、第2接続配線15a及び16aを、それぞれ、第1、第2接合金属18a及び18bと熱圧着によって接合することができる。第1、第2接続配線15a及び16a、並びに第1、第2接合金属18a及び18bのそれぞれには、金以外にも、例えば、熱圧着、共晶接合等が可能な金属、又は合金であれば用いることができる。
【0055】
なお、第1、第2接続配線15a及び16a、並びに第1、第2接合金属18a及び18bのそれぞれに用いた金属、又は合金の仕事関数は、第1電極部11の仕事関数と、第2電極部12の仕事関数との間にあることが、例えば、発電効率の低下を抑制する観点から好ましい。また、共晶接合等、金属どうしの接合によって、接合部分に金属間化合物が生成される場合には、生成された金属間化合物の仕事関数についても、第1電極部11の仕事関数と、第2電極部12の仕事関数との間にあることが好ましい。
【0056】
第1接続配線15aは、第1支持部13aの内側面上、基板接合面13aa上、及び第1支持部13aの外側面上のそれぞれに、さらに設けられている。第1接続配線15aは、第1電極部11を収容部10dの外に導出する。第2接続配線16aは、第2支持部13bの内側面上、及び基板接合面13aa上のそれぞれに、さらに設けられている。第2接続配線16aは、第2電極部12を収容部10dの外に導出する。
【0057】
第1基板10aは、第1主面10afと、第2主面10abと、を有する。第2主面10abは、第1主面10afと対向し、熱伝導性ベース221の開放面221bと向き合う。第2主面10abは、例えば、接着部材30によって、開放面221b上に接着される。あるいは、第2主面10abは、例えば、ろう材によって、開放面221b上に固着される。第1外部筐体端子101及び第2外部筐体端子102のそれぞれは、第1基板10aの第1主面10af上に設けられている。第1外部筐体端子101は、第1接続配線15aと電気的に接続されている。第2外部筐体端子102は、第2接続配線16aと電気的に接続されている。第1主面10afは、例えば、第1、第2支持部13a及び13bのそれぞれから外側に張り出した部分を有する。第1外部筐体端子101は、例えば、第1主面10afの第1支持部13aから外側に張り出し部分に設けられる。第2外部筐体端子102は、例えば、第1主面afの第2支持部13bから外側に張り出した部分に設けられる。熱電素子1では、第1外部筐体端子101は、第1接続配線15aのパターンを利用し、第1接続配線15aと同じ導電物で得ている。また、第2外部筐体端子102は、第2接合金属18bのパターンを利用し、第2接合金属18bと同じ導電物で得ている。
【0058】
図5(a)は、中間部の一例を示す模式断面図である。図5(b)は、中間部の他の例を示す模式断面図である。
【0059】
図5(a)に示すように、中間部14は、収容部10d内の、第1電極部11と第2電極部12との間に設けられている。中間部14は、第1電極部11の仕事関数と第2電極部12の仕事関数との間の仕事関数を有するナノ粒子を含む。中間部14は、例えば、第2電極部(カソードK)12から放出された電子を、第1電極部(アノードA)11へと移動させる部分である。
【0060】
第1電極部11と第2電極部12との間には、第1方向Zに沿って電極間ギャップGが設定される。熱電素子1では、電極間ギャップGは、第1、第2支持部13a及び13bのそれぞれの第1方向Zに沿った厚さによって設定される。電極間ギャップGの幅の一例は、例えば、10μm以下の有限値である。電極間ギャップGの幅は狭いほど、電子eを第2電極部(カソードK)12から効率よく放出させることができ、かつ、第2電極部12から第1電極部(アノードA)11へ、効率よく移動させることができる。このため、熱電素子1の発電効率が向上する。また、電極間ギャップGの幅は狭いほど、熱電素子1の第1方向Zに沿った厚さを薄くできる。このため、例えば、電極間ギャップGの幅は狭い方がよい。電極間ギャップGの幅は、例えば、10nm以上100nm以下であることがより好ましい。なお、電極間ギャップGの幅と、第1支持部13a~第3支持部13cの、第1方向Zに沿った厚さとは、ほぼ等価である。
【0061】
中間部14は、例えば、複数のナノ粒子141と、溶媒142と、を含む。複数のナノ粒子141は、溶媒142内に分散されている。中間部14は、例えば、ナノ粒子141が分散された溶媒142を、ギャップ部140内に充填することで得られる。ナノ粒子141の粒子径は、電極間ギャップGよりも小さい。ナノ粒子141の粒子径は、例えば、電極間ギャップGの1/10以下の有限値とされる。ナノ粒子141の粒子径を、電極間ギャップGの1/10以下とすると、ギャップ部140内に、ナノ粒子141を含む中間部14を形成しやすくなる。これにより、熱電素子1の生産に際し、作業性が向上する。
【0062】
ナノ粒子141は、例えば導電物を含む。ナノ粒子141の仕事関数の値は、例えば、第1電極部11の仕事関数の値と、第2電極部12の仕事関数の値との間にある。例えば、ナノ粒子141の仕事関数の値は、3.0eV以上5.5eV以下の範囲とされる。これにより、中間部14に放出された電子eを、ナノ粒子141を介して、例えば、第2電極部12から第1電極部11へと移動させることができる。これにより、中間部14内にナノ粒子141がない場合に比較して、電気エネルギーの発生量を、さらに増加させることが可能となる。
【0063】
ナノ粒子141の材料の例としては、金及び銀の少なくとも1つを選ぶことができる。なお、ナノ粒子141の仕事関数の値は、第1電極部11の仕事関数の値と、第2電極部12の仕事関数の値との間にあればよい。したがって、ナノ粒子141の材料には、金及び銀以外の導電性材料を選ぶことも可能である。
【0064】
ナノ粒子141の粒子径は、例えば、電極間ギャップGの1/10以下の有限値とされる。具体的には、ナノ粒子141の粒子径は、2nm以上10nm以下である。また、ナノ粒子141は、例えば、平均粒径(例えばD50)3nm以上8nm以下の粒子径を有してもよい。平均粒径は、例えば粒度分布計測器を用いることで、測定することができる。粒度分布計測器としては、例えば、レーザー回折散乱法を用いた粒度分布計測器(例えばMicrotracBEL製Nanotrac WaveII-EX150等)を用いればよい。
【0065】
ナノ粒子141は、その表面に、例えば絶縁膜141aを有する。絶縁膜141aの材料の例としては、絶縁性金属化合物及び絶縁性有機化合物の少なくとも1つを選ぶことができる。絶縁性金属化合物の例としては、例えば、シリコン酸化物及びアルミナ等を挙げることができる。絶縁性有機化合物の例としては、アルカンチオール(例えばドデカンチオール)等を挙げることができる。絶縁膜141aの厚さは、例えば20nm以下の有限値である。このような絶縁膜141aをナノ粒子141の表面に設けておくと、電子eは、例えば、第2電極部(カソードK)12とナノ粒子141との間、並びにナノ粒子141と第1電極部(アノードA)11との間を、トンネル効果を利用して移動できる。このため、例えば、熱電素子1の発電効率の向上が期待できる。
【0066】
溶媒142には、例えば、沸点が60℃以上の液体を用いることができる。このため、室温(例えば15℃~35℃)以上の環境下において、熱電素子1を用いた場合であっても、溶媒142の気化を抑制することができる。これにより、溶媒142の気化に伴う熱電素子1の劣化を抑制することができる。液体の例としては、有機溶媒及び水の少なくとも1つを選ぶことができる。有機溶媒の例としては、メタノール、エタノール、トルエン、キシレン、テトラデカン、及びアルカンチオール等を挙げることができる。なお、溶媒142は、電気的抵抗値が高く、絶縁性である液体がよい。
【0067】
また、図5(b)に示すように、中間部14は、溶媒142を含まず、ナノ粒子141のみを含むようにしてもよい。中間部14が、ナノ粒子141のみを含むことで、例えば、熱電素子1を、高温環境下で用いる場合であっても、溶媒142の気化を考慮する必要が無い。これにより、高温環境下における熱電素子1の劣化を抑制することが可能となる。
【0068】
<熱電素子の動作>
熱エネルギーが熱電素子1に与えられると、例えば、第2電極部(カソードK)12から中間部14に向けて電子eが放出される。放出された電子eは、中間部14から第1電極部(アノードA)11へと移動する。電流は、第1電極部11から第2電極部12に向かって流れる。このようにして、熱エネルギーが電気エネルギーに変換される。
【0069】
このような照明装置400であると、熱電素子1は、筐体部10の収容部10d内に、第1電極部11と、第1電極部11とは異なった仕事関数を有する第2電極部12と、第1電極部11の仕事関数と第2電極部12の仕事関数との間の仕事関数を有するナノ粒子141を含む中間部14と、を含む。これにより、熱電素子1の中に温度差を生じさせなくても、熱電素子1は発電できる。よって、低温材料や、低温材料を冷やすチラーが不要となる。低温材料、及び低温材料を冷やすチラーが不要となる結果、照明装置400の製造コストの増大、及び照明装置400のサイズの大型化のそれぞれを抑制できる。
【0070】
さらに、照明装置400によれば、以下のような利点を、さらに得ることができる。
【0071】
(1) 熱電素子1の筐体部10は、ヒートシンク401の空洞部401aの内面401b上に設ける。照明装置400において、空洞部401aは、デッドスペースである。したがって、熱電素子1は、照明装置400に、そのデッドスペースを利用して組み込まれる。これにより、熱電素子1を搭載するエリアを、照明装置400に新たに確保せずに済み、照明装置400のサイズの増大を抑制できる。
【0072】
(2) 第1、第2電気的接点11a及び12aのそれぞれを、収容部10d内に設ける。これにより、熱電素子1を、照明装置400に組み込む際、例えば、熱電素子1のハンドリング中や、熱電素子1の取り付け作業中等において、第1、第2電気的接点11a及び12aが破断したり、損傷したりすることを抑制できる。これにより、照明装置400の製造中に発生する可能性がある、熱電素子1のロスを減らすことができる。
【0073】
(3) 筐体部10は、第1主面10afと、第1主面10afと対向し、熱伝導性ベース221の開放面221bと向き合う第2主面10abと、を有する第1基板10aを含む。そして、第1、第2外部筐体端子101及び102のそれぞれを、第1基板10aの第1主面10af上に設ける。第1主面10afは、例えば、筐体部10の側面と比較して、第1、第2外部筐体端子101及び102のそれぞれに、広い面積を提供できる。また、筐体部10の側面と比較して、作業者による視認、あるいは作業ロボットによるワークポイントの抽出がしやすい。これらにより、例えば、熱電素子1と、照明装置400との電気的な接続作業を容易化でき、例えば、照明装置400のスループットを向上できる。また、熱電素子1を備えた、照明装置400の組み立ての確実性も向上する。また、照明装置400が、電源回路300を、さらに備える場合には、熱電素子1と電源回路300との電気的な接続作業を容易化できる。
【0074】
(4) 電源回路300は、外部から供給される外部入力電力Pin、及び熱電素子1から供給される補助入力電力PinaのそれぞれをLED入力電力に変換してLED素子210へ出力する。これにより、照明装置400の消費電力を減らすことができる。
【0075】
(5) 照明装置400では、熱電素子1が発生させる補助入力電力Pinaを、非常用電源として活用することも可能である。このような照明装置400は、停電時において、無電源にて点灯させることが可能である。即ち、照明装置400によれば、例えば、日本国消防法で定められた時間以上、無電源にて点灯させることもできる。これにより、照明装置400は、避難通路等の非常照明や誘導灯の光源としても使用できる。しかも、停電時において、放電可能な時間しか点灯できない電池や蓄電池を内蔵した常用-非常用兼用型照明装置と比較して、より長時間の点灯が可能である。
【0076】
(第1実施形態:第1変形例)
次に、第1実施形態の第1変形例を説明する。第1変形例は、熱電素子の変形に関する。
【0077】
図6(a)~図6(c)は、第1変形例に係る熱電素子の一例を示す模式断面図である。図6(a)に示す模式断面は、図6(c)中のVIA-VIA線に沿う。図6(b)に示す模式断面は、図6(c)中のVIB-VIB線に沿う。図6(c)に示す模式断面は、図6(a)及び図6(b)中のVIC-VIC線に沿う。図7は、接合の一例を示す模式断面図である。図7は、図6(b)に示す模式断面に対応する。
【0078】
図6(a)~図6(c)に示すように、第1変形例に係る熱電素子1bが、熱電素子1と異なるところは、第1電極部11の第1方向Zから見た平面形状、及び第2電極部12の第1方向Zから見た平面形状のそれぞれが、櫛歯型であること
である。
【0079】
第1、第2電極部11及び12のそれぞれの櫛歯部は、第3方向Yに沿って延びる。櫛歯の向きは、第1電極部11と第2電極部12とで、互いに反対である。第1電極部11の櫛歯部と、第2電極部12の櫛歯部とは、互いに離間しながら噛み合う。これにより、第1電極部11の櫛歯部と、第2電極部12の櫛歯部との間に、電極間ギャップGが規定される。熱電素子1bにおいて、電極間ギャップGが規定される方向は、第2方向X(電極間ギャップGx)と、第3方向Y(電極間ギャップGy)との2方向になる(図10(c))。
【0080】
熱電素子には、平行平板型電極を持つ熱電素子1の他、櫛歯型電極を持つ熱電素子1bを用いることもできる。
【0081】
熱電素子1bでは、第1、第2電極部11及び12を櫛歯型とするので、平行平板型の熱電素子1と比較して、LED素子210の熱による電極間ギャップGの変動が、より少なくなる。これにより、例えば、熱電素子1bは、熱電素子1と比較して、発電効率の微小な変動を抑制しやすい、という利点を、さらに得ることができる。
【0082】
さらに、熱電素子1bにおいては、下記のさらなる工夫がなされている。
・筐体部10が、第1基板10aと、蓋体10cと、を含むこと
・第1電極部11、第2電極部12、第1接続配線15a、及び第2接続配線16aのそれぞれが、第1主面10af上に設けられていること
以下、熱電素子1bについて、より詳細に説明する。
【0083】
蓋体10cは、第3支持部13cを含む。第3支持部13cは、蓋体10cから第1方向Zに沿って第1基板10aに向かって延びる。第3支持部13aの平面形状は、第1方向Zから見て、枠状である。蓋体10cは、第3支持部13cと、一体に設けられてもよいし、別々に設けられてもよい。
【0084】
第1、第2電極部11及び12のそれぞれは、収容部10d内に設けられる。収容部10dは、第2方向X及び第3方向Yに広がる平面を蓋体10cによって囲み、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに沿って第3支持部13cによって囲むことで、筐体部10に得られる。
【0085】
第1接続配線15aは、収容部10d内において、第1電極部11と電気的に接続されている。これにより、第1電極部11と第1接続配線15aとの第1電気的接点11aは、収容部10d内に設けられる。第2接続配線16aは、収容部10d内において、第2電極部12と電気的に接続されている。これにより、第2電極部12と第2接続配線16aとの第2電気的接点12aは、収容部10d内に設けられる。
【0086】
第3支持部13cの基板接合面13ca上において、第1接続配線15aの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。第1接続配線15aは、第3支持部13cと、第1基板10aとの間において、第1接合金属18aと接合される。第1接合金属18aは、蓋体10cの基板接合面13ca上に設けられている。第1接合金属18aの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。これは、基板接合面13ca上における第1接続配線15aの平面形状と、ほぼ同じである。
【0087】
第3支持部13cの基板接合面13ca上において、第2接続配線16aの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。第2接続配線16aは、第3支持部13cと、第1基板10aとの間において、第2接合金属18bと接合される。第2接合金属18bは、蓋体10cの基板接合面13ca上に設けられている。第2接合金属18bの平面形状は、第1方向Zから見て、第2方向X及び第3方向Yのそれぞれに延在したL字状である。これは、基板接合面13ca上における第2接続配線16aの平面形状と、ほぼ同じである。
【0088】
これにより、例えば、図7に示すように、蓋体10cは、第1接続配線15aと第1接合金属18aとの接合、並びに第2接続配線16aと第2接合金属18bとの接合によって、第1基板10aと接合することができる。そして、筐体部10には、収容部10dが得られる。
【0089】
第1接続配線15aと、第2接続配線16aとは、第1主面10af上において、互いに接触しないようにスリット17a及び17bを介して離れている。第1、第2接合金属18a及び18bは、それぞれ、第1、第2接続配線15a及び16aと電気的に接続されることがある。このような場合には、図6(c)に示したように、第1接合金属18aと、第2接合金属18bとを、互いに接触しないように、スリット17a及び17bを介して離しておけばよい。これにより、第1、第2接合金属18a及び18bを介した、第1接続配線15aと、第2接続配線16aとの短絡を抑制することができる。
【0090】
図8は、スリットの一例を示す模式断面図である。図8に示す模式断面は、図6(c)中のVIII-VIII線に沿う。
図8に示すように、スリット17a及び17bは、熱電素子1bに微小なすきま17cを生じさせる。このため、ギャップ部140に注入された溶媒142が、微小なすきまから漏れる可能性がある。そこで、図10(c)に示すように、第1基板10aと蓋体10cとの間に封止部材31a及び31bを設け、スリット17a及び17bを、それぞれ、封止部材31a及び31bで塞いでもよい。これにより、スリット17a及び17bを介した、溶媒142の漏れを抑制することができる。
【0091】
熱電素子1bでは、さらに、第1電極部11と蓋体10cとの間に、第1方向Zに沿ったギャップGel1を設け、第2電極部12と蓋体10cとの間に、ギャップGel2設けている。ギャップGel1及びGel2を設けることにより、蓋体10cと第1基板10aとの間にすきまを生じさせることなく、第1、第2電極部11及び12のそれぞれを、収容部10d内に収容することが可能となる。ギャップGel1の長さと、ギャップGel2の長さとは、互いに等しくなるように設定されてもよいし、互いに異なるように設定されてもよい。後者の場合は、例えば、第1電極部11の仕事関数と、第2電極部12の仕事関数との差を大きくするために、いずれか一方の電極部の表面に、コーティングや、表面改質等の表面処理が行われた場合に見られる。あるいは、互いに材料が異なる第1電極部11と、第2電極部12とを、1つのエッチング工程によって、同時に形成した場合に見られる。
【0092】
図9(a)及び図9(b)は、溶媒注入の一例を示す模式断面図である。図9(a)に示す模式断面は、図6(a)に示す模式断面に対応する。図9(b)に示す模式断面は、図6(b)に示す模式断面に対応する。
【0093】
図9(a)及び図9(b)に示すように、蓋体10cには、第1充填孔71a及び第2充填孔71bを設けることもできる。第1、第2充填孔71a及び71bは、例えば、ギャップ部140内への溶媒142の注入に利用される。溶媒142の注入に、第1、第2充填孔71a及び71bを利用するとき、ギャップGel1及びGel2がギャップ部140内にあると、溶媒142が、ギャップGel1及びGel2を介して、第1電極部11と第2電極部12との間に廻り込むようになる。これにより、第1電極部11と第2電極部12との間に、溶媒142を充填しやすくなる、という利点を得ることができる。
【0094】
溶媒142は、例えば、第1充填孔71aから、ギャップ部140内へ注入される。このとき、もう1つの第2充填孔71bは、例えば、エア抜きの孔として利用される。また、第2充填孔71bを介して、ギャップ部140内を真空引きしながら、第1充填孔71aから溶媒142を注入してもよい。
【0095】
第1変形例ように、熱電素子には、平行平板型電極を持つ熱電素子1の他、櫛歯型電極を持つ熱電素子1bを用いることもできる。
【0096】
(第1実施形態:第2変形例)
第2変形例は、熱伝導性ベースの変形に関する。
【0097】
図10は、熱伝導性ベースの第1例を示す模式平面図である。
【0098】
図10に示すように、第2変形例に係る発光装置200bの熱伝導性ベース221の第1方向Zから見た平面形状は、例えば、円形である。円形の熱伝導性ベース221上には、複数のLED素子210が、例えば、環状に配置されている。配置されるLED素子210の数は、任意である。また、LEDの配置パターンは、環状に限らず、任意である。
【0099】
第2変形例のように、熱伝導性ベース221には、平面形状が円形である熱伝導性ベースを用いることもできる。
【0100】
(第1実施形態:第3変形例)
第3変形例は、発光装置の変形に関する。
図11は、第3変形例に係る発光装置の第2例を示す模式平面図である。
【0101】
図11に示すように、第3変形例に係る発光装置200cの熱伝導性ベース221の第1方向Zから見た平面形状は、矩形である。矩形の熱伝導性ベース221上には、複数のLED素子210が、例えば、行列に配置されている。例えば、発光装置200cでは、複数のLED素子210が、2ロウ×4カラムに配置されている。第2変形例においても、配置されるLED素子210の数は、任意である。また、LEDの配置パターンは、2ロウ×4カラムに環状に限られることはない。
【0102】
第3変形例のように、熱伝導性ベース221には、平面形状が矩形である熱伝導性ベースを用いることもできる。
【0103】
(第1実施形態:第4変形例)
第4変形例は、照明装置の変形に関する。
図12(a)は、第1変形例に係る照明装置の一例を示す模式図である。図12(b)は、図12(a)中のXIIB-XIIB線に沿う模式断面図である。
【0104】
図12(a)及び図12(b)に示すように、第1変形例に係る照明装置400bは、直管型LEDランプである。直管型LEDランプは、発光装置200と、ヒートシンク401と、透光性カバー402と、一対の口金部403a及び403bと、熱電素子1と、電源回路300と、を含む。
【0105】
直管型LEDランプにおいても、ヒートシンク401は、開放面221b上に設けられている。直管型LEDランプでは、電源回路300は、例えば、口金部403a及び403bの少なくとも1つ、あるいは空洞部401a内に収容される。熱電素子1は、ヒートシンク401の空洞部401aの内面401b上に設けられている。これにより、照明装置400と同様に、熱電素子1は、ヒートシンク401の空洞部401a内に収容される。
【0106】
照明装置は、照明装置400bのように、例えば、直管型LEDランプとすることもできる。
【0107】
なお、照明装置の例としては、例えば、電球型LEDランプ及び直管型LEDランプの他、ディスプレイの照明として利用されるバックライト等を挙げることができる。さらに、照明装置は、照明器具を含む。照明器具としては、例えば、LEDダウンライト、LEDスポットライト、LED投光器、LED街路灯、LEDベースライト、及びLEDシーリングライト等を挙げることができる。このように、照明装置400は、様々な照明に適用することができる。
【0108】
(第2実施形態)
第2実施形態は、第1実施形態に係る照明装置に使用可能な電源回路の例に関する。
図13は、第2実施形態に係る発電機能付照明装置の一例を示す模式ブロック図である。
【0109】
図13に示すように、電源回路300は、例えば、回路基板320上に設けられる。回路基板320上には、例えば、第1外部端子331a~第6外部端子331fが設けられている。第1外部端子331a及び第2外部端子331bは、外部電源、例えば、商用電源310と電気的に接続される。これにより、電源回路300には、第1、第2外部端子331a及び331bを介して、外部入力電力Pinが入力される。第3外部端子331c及び第4外部端子331dは、熱電素子1と電気的に接続される。これにより、電源回路300には、第3、第4外部端子331c及び331dを介して、補助入力電力Pinaが入力される。第3外部端子331cは、熱電素子1のカソードKと電気的に接続されている。第4外部端子331dは、熱電素子1のアノードAと電気的に接続されている。第5外部端子331e及び第6外部端子331fは、LED素子210と電気的に接続される。これにより、電源回路300は、第5、第6外部端子331e及び331fを介して、LED入力電力Poutを出力する。第5外部端子331eは、LED素子210のアノードAと電気的に接続されている。第6外部端子331fは、LED素子210のカソードKと電気的に接続されている。
【0110】
図14は、第2実施形態に係る発電機能付照明装置の一例を示す模式回路図である。
図14に示すように、電源回路300は、コンバータ332を含む。外部電源が商用電源310である場合、コンバータ332は、AC-DCコンバータ(整流回路)となる。外部電源が電池である場合には、コンバータ332は、DC-DCコンバータとなる。コンバータ332がAC-DCコンバータである場合、交流電力を直流電力に整流する。整流された直流電力は、電流制限回路333に供給される。電流制限回路333は、直流電流を制限してLED入力電力Poutを生成し、出力する。
【0111】
コンバータ332の高電位側出力ノードN1は、電流制限回路333の高電位側入力ノードN2と、第1スイッチ334を介して電気的に結合されている。第1スイッチ334と高電位側入力ノードN2との接続ノードN3は、電源回路300の低電位側配線335と、コンデンサ336を介して電気的に結合されている。コンデンサ336は、平滑コンデンサである。また、コンデンサ336には、抵抗337が並列に接続されている。抵抗337は、放電用抵抗である。接続ノードN3は、第2スイッチ338を介して熱電素子1のカソードKと電気的に結合されている。第1、第2スイッチ334及び338には、例えば、トランジスタが使用される。電流制限回路333の高電位側出力ノードN4は、LED素子210のアノードAと電気的に結合される。LED素子210のカソードK、及び熱電素子1のアノードAは低電位側配線335と電気的に結合されている。
【0112】
発光装置200を点灯させるとき、第1スイッチ334をオン、第2スイッチ338をオフさせる。高電位側出力ノードN1は、コンデンサ336の一方電極と電気的に接続され、コンデンサ336が充電される。コンデンサ336の充電完了後、高電位側出力ノードN1は、高電位側入力ノードN2と電気的に接続される。コンバータ332は、電流を電流制限回路333に供給する。電流制限回路333は、供給された電流を制限してLED入力電力Poutを生成し、出力する。これにより、LED素子210は、点灯する。
【0113】
LED素子210が点灯すると、LED素子210は発熱する。熱は、熱電素子1へ伝わる。やがて、熱電素子1は、発電可能な状態、例えば、コンデンサ336を充電可能な電流を生成可能な状態となる。熱電素子1が発電可能な状態となった後、第2スイッチ338をオンさせる。熱電素子1のカソードKは、コンデンサ336の一方電極と電気的に接続される。熱電素子1は、コンバータ332とともに、電流を電流制限回路333に供給する。これにより、LED素子210は、点灯を続ける。
【0114】
また、第1スイッチ334、及び第2スイッチ338によって、コンデンサ336の一方電極に、高電位側出力ノードN1を結合するか、熱電素子1のカソードKを結合するかのいずれかを選択することもできる。
【0115】
例えば、発光装置200を点灯させるとき、第1スイッチ334をオン、第2スイッチ338をオフさせて、発光装置200を、外部入力電力Pinを用いて点灯させる。外部入力電力Pinを用いて点灯された状態を、便宜上、通常エネルギーモードと呼ぶ。
【0116】
点灯後、例えば、熱電素子1が、コンデンサ336を充電可能な電流を生成可能な状態となったら、第1スイッチ334をオフ、第2スイッチ338をオフさせる。電力の供給元は、外部入力電力Pinから、補助入力電力Pinaに切り替わる。これにより、発光装置の動作モードは、通常エネルギーモードから、熱電素子1からの補助入力電力Pinaを用いた省エネルギーモードへと切り替わる。通常エネルギーモードから省エネルギーモードへの切り替えは、自動、もしくは手動により行うことができる。省エネルギーモードは、一般的には、発光装置200の明るさを低下させて、商用電源、もしくは電池の消費電力を下げることをいう。しかし、第4実施形態における省エネルギーモードは、通常エネルギーモードとは別の補助入力電力Pinに切り替えることをいう。このため、省エネルギーモードであっても、発光装置200の明るさ低下は、抑制される。
【0117】
また、コンデンサ336には、電源回路300中に設けられている平滑コンデンサを利用することもできる。平滑コンデンサを利用した場合には、電源回路300中の既存回路素子を利用して、熱電素子1を電源回路300に接続できる。これにより、電源回路300に必要な回路素子や電子部品330の増加を抑制できる。
【0118】
(第2実施形態:第1変形例)
図15は、第2実施形態の第1変形例に係る発電機能付発光装置の一例を示す模式回路図である。
熱電素子1が発生する電力では、LED素子210を点灯させるのに、十分な電圧を確保できない場合も想定される。このような場合には、熱電素子1を、昇圧回路350を介して、電源回路300と接続するようにしてもよい。図18には、昇圧回路350の一例を示す模式回路が示されている。
【0119】
図15に示すように、昇圧回路350は、例えば、ダイオード351と、コイル352と、第3スイッチ353と、を含む。ダイオード351のカソードは、第2スイッチ338を介してコンデンサ336の一方電極と電気的に結合されている。ダイオード351のアノードは、コイル352を介して熱電素子1のカソードKに電気的に結合されている。コイル352は、チョークコイルである。ダイオード351のアノードと、コイル352との接続ノードN5は、低電位側配線335と、第3スイッチ353を介して電気的に結合されている。第3スイッチ353には、例えば、トランジスタが使用される。
【0120】
昇圧回路350の動作は、以下のようにして、補助入力電力Pinaの電圧を昇圧する。まず、第2スイッチ338をオンさせて、熱電素子1のカソードKを、コンデンサ336の一方電極と電気的に結合させる。この状態で、第3スイッチ353をオンさせる。熱電素子1のカソードKから、電流がコイル352を介して低電位側配線335に流れる。次いで、第3スイッチ353をオフさせる。コイル352からの電流は、すぐにはゼロにはならない。このため、コイル352から、ダイオード351、及び第2スイッチ338を介して、接続ノードN3に電流が、一気に流れる。ダイオード351は、接続ノードN3からの電流の逆流を防ぐ。このように第3スイッチ353のオンとオフとを繰り返すことで、補助入力電力Pinaの電圧は、昇圧される。
【0121】
このように、熱電素子1を、昇圧回路350を介して、電源回路300と接続するようにしてもよい。なお、昇圧回路は、図12に示した昇圧回路350に限られるものでもない。昇圧回路には、例えば、トランス等、周知の昇圧回路を用いることができる。また、昇圧回路は、電源回路300中に設けることができる。
【0122】
(第2実施形態:第2変形例)
図14に示したように、LED素子210のアノードAは、コンデンサ336の一方電極と、電流制限回路333を介して電気的に結合される。電流制限回路333を利用し、LED素子210へ流す電流を制限すると、LED素子210を調光することができる。LED素子210は、LEDチップ211の温度が上がるにつれて、発光効率が低下する。電流制限回路333によって、LED素子210の明るさが下がるように調光すると、LEDチップ211の温度の上昇が抑制され、発光効率の低下を抑制することができる。
【0123】
また、熱電素子1は、第1、第2電極部11及び12それぞれの周囲の温度が上がるにつれて、発電効率が向上する。そこで、電流制限回路333は、LED素子210の周囲の温度を、LED素子210の発光効率と、熱電素子1の発電効率とのバランスが良い温度帯で維持されるように、LED素子210へ流す電流を制限するようにする。
【0124】
図16は、温度と発光効率との関係、並びに温度と発電効率との関係を模式的に示す模式図である。図16中の線iは、LED素子210の温度と発光効率との関係を示す。図16中の線iiは、熱電素子1の温度と発電効率との関係を示す。
【0125】
図16に示すように、LED素子210には、例えば、LED素子210の発光効率をこれ以上低下させたくない温度、もしくはLED素子210の温度をこれ以上上昇させたくない温度T1がある。また、熱電素子1には、例えば、実使用上、十分な発電が可能となる温度、もしくは実使用上、望まれる発電効率以上となる温度T2がある。LED素子210の周囲の温度は、例えば、温度T1を上限とし、温度T2を下限とする温度帯T0で、維持させることが好ましい。
【0126】
例えば、温度センサ等を用いて、LED素子210の周囲の温度を検出する。この検出結果を、電流制限回路333に、例えば、制御信号としてフィードバックする。フィードバックされた制御信号に基づき、電流制限回路333は、LED素子210の周囲の温度が、例えば、温度帯T0で維持されるように、LED素子210へ流す電流を制限する。
【0127】
電源回路300は、LED素子210の周囲にある。したがって、温度センサは、電源回路300中に設けることができる。温度センサの一例としては、サーミスタを挙げることができる。サーミスタは、温度の上昇により抵抗値が増加する素子である。LED素子210の周囲の温度は、例えば、サーミスタを用いることで検出できる。
【0128】
図17は、第4実施形態の第2変形例に係る発電機能付発光装置の一例を示す模式回路図である。
【0129】
図20に示すように、温度検出回路370は、抵抗371と、サーミスタ372と、検出回路373と、を含む。抵抗371の一端は、熱電素子1のカソードKと電気的に結合されている。サーミスタ372の一端は、熱電素子1のアノードAと電気的に結合されている。抵抗371の他端と、サーミスタ372の他端との接続ノードN6は、検出回路373の入力端子と電気的に結合されている。検出回路373の出力端子は、電流制限回路333と電気的に結合されている。検出回路373は、制御信号Sを、電流制限回路333へ出力する。
【0130】
サーミスタ372は、LED素子210の周囲の温度が上がるにつれて、抵抗値が増す。このため、接続ノードN6の電圧は、LED素子210の周囲の温度が上がるにつれて高まる。検出回路373は、接続ノードN6の電圧を検出する。
【0131】
検出回路373は、LED素子210の周囲の温度が上がり、接続ノードN6の電圧が設定された値以上となると、電流制限回路333へ出力する制御信号Sをイネーブルする。これにより、電流制限回路333は、LED素子210へ流す電流を制限する。検出回路373は、LED素子210の周囲の温度が下がり、接続ノードN6の電圧が設定された値未満となると、電流制限回路333へ出力する制御信号Sをディセーブルする。これにより、電流制限回路333は、LED素子210へ流す電流の制限を、解除する。LED素子210の周囲の温度が再び上がり、接続ノードN6の電圧が設定された値以上となると、電流制限回路333へ出力する制御信号Sを、再度イネーブルする。
【0132】
このように検出回路373は、サーミスタ372の抵抗値の変化に基づき、制御信号Sのイネーブルとディセーブルとを繰り返す。これにより、LED素子210の周囲の温度は、例えば温度帯T0に維持することができる。この結果、熱電素子1には、例えば、十分な発電量を確保したまま、LED素子210の周囲の温度の上昇、並びにLED素子210の発光効率の低下のそれぞれを、同時に抑制できる。
【0133】
また、温度検出回路370は、電源として、熱電素子1からの入力補助電力Pinaを利用する。例えば、サーミスタ372を用いた温度検出回路370は、LED素子210の周囲の温度を検出するために、LED素子210が点灯している間、電流を流し続ける。これは、商用電源や電池からの外部入力電力Pinを消費する。この点、温度検出回路370の電源として、入力補助電圧Pinaを用いることで、外部入力電力の消費を抑制することができる。したがって、温度検出回路370によれば、より低消費電力な温度検出回路が得られる、という利点を得ることができる。
【0134】
以上、この発明の実施形態のいくつかを説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。例えば、これらの実施形態は、適宜組み合わせて実施することが可能である。また、この発明は、上記いくつかの実施形態の他、様々な新規な形態で実施することができる。したがって、上記いくつかの実施形態のそれぞれは、この発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更が可能である。このような新規な形態や変形は、この発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明、及び特許請求の範囲に記載された発明の均等物の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0135】
1、1b:熱電素子
10:筐体部
10a:第1基板
10af:第1主面
10ab:第2主面
10b:第2基板
10c:蓋体
10d:収容部
11:第1電極部
11a:第1電気的接点
12:第2電極部
12a:第2電気的接点
13a:第1支持部
13aa:基板接合面
13b:第2支持部
13ba:基板接合面
13c:第3支持部
13ca:基板接合面
14:中間部
140:ギャップ部
141:ナノ粒子
142:溶媒
15a:第1接続配線
16a:第2接続配線
17a、17b:スリット
18a:第1接合金属
18b:第2接合金属
30:接着部材
31a、31b:封止部材
101、102:第1外部筐体端子、第2外部筐体端子
200、200b、200c:発光装置
210:LED素子
211:LEDチップ
212:パッケージ基板
213:リフレクタ
214:透光性封入樹脂
215a:第1電極配線
215b:第2電極配線
220:熱伝導性LED基板
221:熱伝導性ベース
221a:搭載面
221b:開放面
222a:第1基板配線
222b:第2基板配線
223:絶縁物
300:電源回路
310:商用電源
320:回路基板
321a~321f:第1~第6リード線
330:電子部品
331a~331f:第1~第6外部端子
332:コンバータ
333:電流制限回路
334:第1スイッチ
335:低電位側配線
336:コンデンサ
337:抵抗
338:第2スイッチ
350:昇圧回路
351:ダイオード
352:コイル
353:第3スイッチ
370:温度検出回路
371:抵抗
372:サーミスタ
373:検出回路
400、400b:照明装置
401:ヒートシンク
401a:空洞部
402b:内面
402:透光性カバー
403、403a、403b:口金部
410:シェル
411:アイレット
Pin:外部入力電力
Pina:補助入力電力
Pout:LED入力電力
A:アノード
K:カソード
G:電極間ギャップ
Gx:電極間ギャップ
Gy:電極間ギャップ
Gel1:第1電極-蓋体間ギャップ
Gel2:第2電極-蓋体間ギャップ
N1~N5:ノード
T0:温度帯
T1、T2:温度
S:制御信号
X:第2方向
Y:第3方向
Z:第1方向
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12
図13
図14
図15
図16
図17