(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-07-15
(45)【発行日】2022-07-26
(54)【発明の名称】ディスプレイ要素の製造において使用するための方法および装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/33 20060101AFI20220719BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220719BHJP
H01L 21/52 20060101ALI20220719BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20220719BHJP
【ＦＩ】
G09F9/33
G09F9/30 310
H01L21/52 C
H01L33/00 L
【請求項の数】
16
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2021081612
(22)【出願日】2021-05-13
(62)【分割の表示】P 2018521246の分割
【原出願日】2016-11-11
(65)【公開番号】P2021152658
(43)【公開日】2021-09-30
【審査請求日】2021-06-01
(31)【優先権主張番号】1520072.8
(32)【優先日】2015-11-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】GB
(73)【特許権者】
【識別番号】515046968
【氏名又は名称】メタ プラットフォームズ テクノロジーズ， リミテッド ライアビリティ カンパニー
【氏名又は名称原語表記】ＭＥＴＡ ＰＬＡＴＦＯＲＭＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ， ＬＬＣ
(74)【代理人】
【識別番号】110002974
【氏名又は名称】特許業務法人Ｗｏｒｌｄ ＩＰ
(72)【発明者】
【氏名】プルシェ、アラン
(72)【発明者】
【氏名】ヒューズ、パトリック ジョセフ
(72)【発明者】
【氏名】オキーフ、ジョセフ
(72)【発明者】
【氏名】ヘンリー、ウィリアム
【審査官】中村 直行
(56)【参考文献】
【文献】特開２００３－０７７９４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／００８４４８２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１０－１７７３９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／１２１０５１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特表２０１５－５００５６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１４－５３３８９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００６－５２５６６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０２３６２０１（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１１／０１５１６０２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００３－３３２１８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２５１３６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１４／２０４６９４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特表２０１２－５１３１０３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ ９／００ － ９／４６
Ｈ０１Ｌ ２１／５２
Ｈ０１Ｌ ３３／００ － ３３／６４
Ｆ２１Ｓ ２／００
Ｆ２１Ｖ ８／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ハンドル層に接着されたマイクロ発光ダイオード（μＬＥＤ）デバイスのサブセットを選択的にピックアップするための方法であって、各μＬＥＤデバイスはμＬＥＤエミッタを備え、前記μＬＥＤエミッタは、メサ構造と、前記メサ構造内の発光源と、前記μＬＥＤデバイスにおける前記メサ構造の頂部とは反対側の主発光面とを含み、前記方法は、
前記μＬＥＤデバイスのサブセットが前記ハンドル層に対して減少された接着度を有するように前記μＬＥＤデバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を減少させることを含み、ここで、
前記ハンドル層に接着された前記μＬＥＤデバイスは、前記μＬＥＤデバイスのサブセットおよびμＬＥＤデバイスの第２のサブセットを含み、
前記μＬＥＤデバイスの第２のサブセットは、ピックアップツール（ＰＵＴ）によって適用される力よりも大きい接着度で前記ハンドル層に接着され、
前記方法はさらに、
前記ＰＵＴによって、前記ハンドル層に対する前記μＬＥＤデバイスのサブセットの前記減少された接着度よりも大きな力を前記μＬＥＤデバイスのサブセットの主発光面に適用することによって前記μＬＥＤデバイスのサブセットを前記ハンドル層から分離すること、ここで、前記力は、前記μＬＥＤデバイスのサブセットが前記ハンドル層から分離されるときに、前記ハンドル層から前記μＬＥＤデバイスの第２のサブセットを分離させない力であり、および
前記ＰＵＴによって、前記μＬＥＤデバイスのサブセットをディスプレイ要素の基板に転写すること
を含む方法。
【請求項2】
前記μＬＥＤデバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を減少させることは、前記ハンドル層の微細構造の接着を制御することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記ＰＵＴは、前記μＬＥＤデバイスのサブセットに対する前記力を接着によって適用し、前記方法はさらに、前記ＰＵＴを前記μＬＥＤデバイスのサブセットに接触させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記ＰＵＴは、非選択的ＰＵＴである、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記μＬＥＤデバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を減少させることは、前記μＬＥＤデバイスのサブセットおよび／または前記μＬＥＤデバイスのサブセットが接着された前記ハンドル層の対応する部分を加熱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記μＬＥＤデバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を減少させることは、前記μＬＥＤデバイスのサブセットが接着された前記ハンドル層の対応する部分に光を照射することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
前記光が紫外線（ＵＶ）光を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
前記ＵＶ光が、ＵＶレーザ、
ＵＶＬＥＤアレイ、
フォトリソグラフィマスクを通過したＵＶ光源
のうちの１つまたは複数から生じる、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
前記ハンドル層に接着された前記μＬＥＤデバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項10】
前記ハンドル層に接着された前記μＬＥＤデバイスは、無機発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項11】
前記メサ構造は、実質的に放物状である、請求項１に記載の方法。
【請求項12】
前記ハンドル層は、半導体ウェハ、ＵＶテープ、熱剥離テープ、多層テープ、または接着調整層のうちの一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項13】
前記ハンドル層から前記μＬＥＤデバイスのサブセットを分離した後に、前記μＬＥＤデバイスの第２のサブセットが前記ハンドル層に対して減少された接着度を有するように、前記ハンドル層に接着された前記μＬＥＤデバイスの第２のサブセット間の接着度を減少させること、および
前記ＰＵＴによって、前記ハンドル層に対する前記μＬＥＤデバイスの第２のサブセットの前記減少された接着度よりも大きな力を前記μＬＥＤデバイスの第２のサブセットに適用することによって前記μＬＥＤデバイスの第２のサブセットを前記ハンドル層から分離すること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項14】
前記ＰＵＴによって前記μＬＥＤデバイスのサブセットを基板に転写することであって、前記基板から欠陥のあるμＬＥＤデバイスを除去した基板の位置に前記μＬＥＤデバイスのサブセットを転写することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項15】
ウェハ上に前記μＬＥＤデバイスを製造すること、前記ウェハ上の前記μＬＥＤデバイスを個片化すること、および
個片化した前記μＬＥＤデバイスを前記ハンドル層に接着すること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項16】
命令群を含むコンピュータプログラムを記憶した非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムの命令群は、少なくとも１つのプロセッサによって実行されるとき、請求項１に記載の方法を実行するように前記少なくとも１つのプロセッサを構成する、非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ディスプレイ要素の製造において使用するための方法および装置に関する。
本発明は、ハンドル層からＬＥＤダイの選択的取得を可能にする特定用途を見出す。
本発明は、ハンドル層からＬＥＤダイの選択的取得を可能にする特定用途を見出す。
【背景技術】
【0002】
ディスプレイは至る所に存在し、多くのウェアラブル電子デバイス、スマートフォン、
タブレット、ラップトップ、デスクトップ、テレビ、およびディスプレイシステムの中核
要素である。今日の一般的なディスプレイ技術は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）から近年
における有機発光ダイオードディスプレイ（ＯＬＥＤ）にまで及ぶ。
タブレット、ラップトップ、デスクトップ、テレビ、およびディスプレイシステムの中核
要素である。今日の一般的なディスプレイ技術は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）から近年
における有機発光ダイオードディスプレイ（ＯＬＥＤ）にまで及ぶ。
【0003】
ディスプレイアーキテクチャは、各画素が別々に駆動されるか否かに応じた受動および
能動マトリックスディスプレイを含む。アクティブ駆動回路は、第１世代における３０ｃ
ｍ×４０ｃｍから第１０世代（ＧＥＮ１０として知られる）における２．８８ｍ×３．１
５ｍまでのガラス基板サイズを有し得るガラスパネル上に、アモルファス、酸化物、また
はポリシリコン技術に基づくトランジスタが製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）技術
を使用する。
能動マトリックスディスプレイを含む。アクティブ駆動回路は、第１世代における３０ｃ
ｍ×４０ｃｍから第１０世代（ＧＥＮ１０として知られる）における２．８８ｍ×３．１
５ｍまでのガラス基板サイズを有し得るガラスパネル上に、アモルファス、酸化物、また
はポリシリコン技術に基づくトランジスタが製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）技術
を使用する。
【0004】
しかしながら、ほとんどのポータブルデバイス（すなわち、バッテリ駆動デバイス）で
は、ディスプレイは利用可能なバッテリ電力の大部分を使用する。加えて、ポータブルデ
バイスの最も一般的なユーザ問題は、ディスプレイの明るさが不十分であることである。
バッテリ寿命を延ばし、輝度レベルを向上させるには、電力消費を低減して、光源からよ
り高い輝度の発光を生成することが望ましいことがある。
は、ディスプレイは利用可能なバッテリ電力の大部分を使用する。加えて、ポータブルデ
バイスの最も一般的なユーザ問題は、ディスプレイの明るさが不十分であることである。
バッテリ寿命を延ばし、輝度レベルを向上させるには、電力消費を低減して、光源からよ
り高い輝度の発光を生成することが望ましいことがある。
【0005】
優れた電池性能と高輝度を提供する次世代のフラットディスプレイ画像発生器として、
無機発光ダイオード（ＩＬＥＤ）ディスプレイが登場している。ＩＬＥＤディスプレイは
、基本的なレベルにおいて、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイの変形である
。ＯＬＥＤは、２つのガラス面の間に挟まれて光を生成する有機またはポリマー材料に電
流を通過させる。ＩＬＥＤは、ディスプレイの各画素（カラーディスプレイ用の３つの個
別の赤色、緑色、および青色ＬＥＤからなる）において有機ＬＥＤ材料をディスクリート
な標準ＬＥＤ（無機材料からなる）に置き換える。
無機発光ダイオード（ＩＬＥＤ）ディスプレイが登場している。ＩＬＥＤディスプレイは
、基本的なレベルにおいて、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイの変形である
。ＯＬＥＤは、２つのガラス面の間に挟まれて光を生成する有機またはポリマー材料に電
流を通過させる。ＩＬＥＤは、ディスプレイの各画素（カラーディスプレイ用の３つの個
別の赤色、緑色、および青色ＬＥＤからなる）において有機ＬＥＤ材料をディスクリート
な標準ＬＥＤ（無機材料からなる）に置き換える。
【0006】
ＬＥＤ産業が多くの商業的機会、特にＬＥＤ技術の開発課題を追求して、一般的な照明
用途における標準的な白熱電球からの置き換えを可能にしたことにより、標準的な（すな
わち、無機の）ＬＥＤデバイスが長年にわたり使用され、また、その性能（効率、輝度、
信頼性、および寿命）が長年にわたり最適化されている。すなわち、無機ＬＥＤは、開発
の乏しい新たなＯＬＥＤ材料よりもはるかに効率的であり輝度が高く信頼性が高い。
用途における標準的な白熱電球からの置き換えを可能にしたことにより、標準的な（すな
わち、無機の）ＬＥＤデバイスが長年にわたり使用され、また、その性能（効率、輝度、
信頼性、および寿命）が長年にわたり最適化されている。すなわち、無機ＬＥＤは、開発
の乏しい新たなＯＬＥＤ材料よりもはるかに効率的であり輝度が高く信頼性が高い。
【0007】
ディスプレイの各画素において個別に切り換え可能な標準ＬＥＤ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の概念
は周知である。このアプローチは、大型情報ディスプレイに広く使用されている。しかし
ながら、標準ＬＥＤは通常、光の方向制御において非効率な平面チップであるため、これ
まで、このアプローチをより小さなディスプレイにまで縮小することはできなかった。ま
た、ラップトップまたはスマートフォンのディスプレイに必要な何百万もの画素のアセン
ブリは、標準的なアセンブリ製造技術を用いて実現可能ではない。
は周知である。このアプローチは、大型情報ディスプレイに広く使用されている。しかし
ながら、標準ＬＥＤは通常、光の方向制御において非効率な平面チップであるため、これ
まで、このアプローチをより小さなディスプレイにまで縮小することはできなかった。ま
た、ラップトップまたはスマートフォンのディスプレイに必要な何百万もの画素のアセン
ブリは、標準的なアセンブリ製造技術を用いて実現可能ではない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本明細書は、ＩＬＥＤディスプレイのための製造アセンブリ方法、すなわち何百万もの
無機ＬＥＤダイをマトリクスアレイにアセンブリしてＬＥＤディスプレイを作製する方法
を開示する。
無機ＬＥＤダイをマトリクスアレイにアセンブリしてＬＥＤディスプレイを作製する方法
を開示する。
【0009】
例示的な実施形態は、ダイを選択的に剥離して取得するためにハンドル層をパターン化
することで、選択可能なピックアップツール（ＰＵＴ）をマイクロアセンブリで使用可能
にする方法に関する。
することで、選択可能なピックアップツール（ＰＵＴ）をマイクロアセンブリで使用可能
にする方法に関する。
【0010】
ハンドル層は、ＵＶテープとすることができる。このＵＶテープに対して、取得される
必要があるＬＥＤ（つまりＬＥＤデバイスの位置に対応したハンドル層の対応する部分）
の下方にのみ、ＵＶ光が選択的に照射（パターン化）される。それらＬＥＤとテープとの
間の接着力が低下することで、マイクロアセンブリのピックアンドプレースのサイクルの
取得動作中に、選択されたチップの取得がＰＵＴによって可能になる。
必要があるＬＥＤ（つまりＬＥＤデバイスの位置に対応したハンドル層の対応する部分）
の下方にのみ、ＵＶ光が選択的に照射（パターン化）される。それらＬＥＤとテープとの
間の接着力が低下することで、マイクロアセンブリのピックアンドプレースのサイクルの
取得動作中に、選択されたチップの取得がＰＵＴによって可能になる。
【0011】
ＵＶ光は、ＵＶレーザ、ＵＶＬＥＤアレイ、またはＵＶ光マスクなどの、パターニング
に使用可能な任意のＵＶ源からの光とすることができる。
熱剥離テープ、多層テープ、または任意の接着切替層などの、他のハンドル層を代替的
に使用してもよい。
に使用可能な任意のＵＶ源からの光とすることができる。
熱剥離テープ、多層テープ、または任意の接着切替層などの、他のハンドル層を代替的
に使用してもよい。
【0012】
この方法は、ウェハ／ハンドル層または基板からの既知の不良ダイの選択的除去、転写
印刷動作中に既知の良好ダイのみを配置するためのダイの選択的取得、または、転写印刷
サイクル中にＰＵＴ上のフルＬＥＤアレイの低減サブセットの選択的取得を可能にする。
印刷動作中に既知の良好ダイのみを配置するためのダイの選択的取得、または、転写印刷
サイクル中にＰＵＴ上のフルＬＥＤアレイの低減サブセットの選択的取得を可能にする。
【0013】
あるいは、ハンドル層の照射パターン化処理は、ダイの取得を管理および制御するため
に、ハンドル層に対する特定のダイの接着を低減するのではなく、接着を高めることがで
きる。
に、ハンドル層に対する特定のダイの接着を低減するのではなく、接着を高めることがで
きる。
【課題を解決するための手段】
【0014】
いくつかの実施形態は、ハンドル層に接着された電子デバイスのサブセットを選択的に
ピックアップするための方法を含む。この方法は、前記電子デバイスのサブセットが前記
ハンドル層に対して修正接着度を有するように、前記ハンドル層に対して接着された複数
の電子デバイスのうち電子デバイスのサブセット間の接着度を修正すること、および、ピ
ックアップツール（ＰＵＴ）によって、前記ハンドル層に対する前記電子デバイスのサブ
セットの前記修正接着度よりも大きな力を前記電子デバイスのサブセットに適用すること
によって、前記電子デバイスのサブセットを前記ハンドル層から分離することを備える。
ピックアップするための方法を含む。この方法は、前記電子デバイスのサブセットが前記
ハンドル層に対して修正接着度を有するように、前記ハンドル層に対して接着された複数
の電子デバイスのうち電子デバイスのサブセット間の接着度を修正すること、および、ピ
ックアップツール（ＰＵＴ）によって、前記ハンドル層に対する前記電子デバイスのサブ
セットの前記修正接着度よりも大きな力を前記電子デバイスのサブセットに適用すること
によって、前記電子デバイスのサブセットを前記ハンドル層から分離することを備える。
【0015】
前記ＰＵＴによって適用される前記力よりも大きな接着度によって、前記電子デバイス
の第２のサブセットが前記ハンドル層に接着される。この力は、前記電子デバイスのサブ
セットが前記ハンドル層から分離されるときに前記ハンドル層から前記電子デバイスの第
２のサブセットを分離させない力である。このため、前記電子デバイスのサブセットは前
記ハンドル層から選択的に分離される一方、前記電子デバイスの第２のサブセットは前記
ハンドル層に接着されたままとなる。
の第２のサブセットが前記ハンドル層に接着される。この力は、前記電子デバイスのサブ
セットが前記ハンドル層から分離されるときに前記ハンドル層から前記電子デバイスの第
２のサブセットを分離させない力である。このため、前記電子デバイスのサブセットは前
記ハンドル層から選択的に分離される一方、前記電子デバイスの第２のサブセットは前記
ハンドル層に接着されたままとなる。
【0016】
前記接着度を修正することは、前記ハンドル層との前記電子デバイスのサブセットの前
記接着度を低下させることを含み得る。
前記ＰＵＴは、前記電子デバイスのサブセットに対する前記力を接着によって加え得る
。前記方法はさらに、前記ＰＵＴを前記電子デバイスのサブセットに接触させることを備
え得る。
記接着度を低下させることを含み得る。
前記ＰＵＴは、前記電子デバイスのサブセットに対する前記力を接着によって加え得る
。前記方法はさらに、前記ＰＵＴを前記電子デバイスのサブセットに接触させることを備
え得る。
【0017】
前記ＰＵＴは、非選択的ＰＵＴとすることができる。
前記電子デバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を修正することは、前
記電子デバイスのサブセットおよび／または前記電子デバイスのサブセットが接着された
箇所における前記ハンドル層の対応する部分を加熱することを含み得る。
前記電子デバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を修正することは、前
記電子デバイスのサブセットおよび／または前記電子デバイスのサブセットが接着された
箇所における前記ハンドル層の対応する部分を加熱することを含み得る。
【0018】
前記電子デバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を修正することは、前
記電子デバイスのサブセットおよび／または前記電子デバイスのサブセットが接着された
箇所における前記ハンドル層の対応する部分に液体の刺激を加えることを含み得る。
記電子デバイスのサブセットおよび／または前記電子デバイスのサブセットが接着された
箇所における前記ハンドル層の対応する部分に液体の刺激を加えることを含み得る。
【0019】
前記電子デバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を修正することは、前
記ハンドル層の微細構造の接着を制御することを含み得る。
前記電子デバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を修正することは、前
記電子デバイスのサブセットが接着された箇所における前記ハンドル層の対応する部分に
光を照射することを含み得る。
記ハンドル層の微細構造の接着を制御することを含み得る。
前記電子デバイスのサブセットと前記ハンドル層との間の接着度を修正することは、前
記電子デバイスのサブセットが接着された箇所における前記ハンドル層の対応する部分に
光を照射することを含み得る。
【0020】
前記光は紫外線（ＵＶ）光を含むものとすることができる。
前記ＵＶ光は、ＵＶレーザ、ＵＶＬＥＤアレイ、またはフォトリソグラフィマスクを通
過したＵＶ光源のうちの１つまたは複数から生じ得る。
前記ＵＶ光は、ＵＶレーザ、ＵＶＬＥＤアレイ、またはフォトリソグラフィマスクを通
過したＵＶ光源のうちの１つまたは複数から生じ得る。
【0021】
前記方法はさらに、前記ハンドル層から前記電子デバイスのサブセットを分離した後に
、前記電子デバイスの第２のサブセットが前記ハンドル層に対して修正接着度を有するよ
うに、前記ハンドル層に接着された前記電子デバイスの第２のサブセット間の接着度を修
正すること、および、前記ＰＵＴによって、前記ハンドル層に対する前記電子デバイスの
第２のサブセットの前記修正接着度よりも大きな力を前記電子デバイスの第２のサブセッ
トに適用することによって前記電子デバイスの第２のサブセットを前記ハンドル層から分
離することを含み得る。
、前記電子デバイスの第２のサブセットが前記ハンドル層に対して修正接着度を有するよ
うに、前記ハンドル層に接着された前記電子デバイスの第２のサブセット間の接着度を修
正すること、および、前記ＰＵＴによって、前記ハンドル層に対する前記電子デバイスの
第２のサブセットの前記修正接着度よりも大きな力を前記電子デバイスの第２のサブセッ
トに適用することによって前記電子デバイスの第２のサブセットを前記ハンドル層から分
離することを含み得る。
【0022】
前記方法はさらに、前記ＰＵＴによって前記電子デバイスのサブセットを基板に転写す
ることであって、前記基板から欠陥のある電子デバイスを除去した基板の位置に前記電子
デバイスのサブセットを転写することを含み得る。
ることであって、前記基板から欠陥のある電子デバイスを除去した基板の位置に前記電子
デバイスのサブセットを転写することを含み得る。
【0023】
前記方法はさらに、ウェハ上に前記電子デバイスを製造すること、前記ウェハ上の前記
電子デバイスを個片化すること、および、個片化した前記電子デバイスを前記ハンドル層
に接着することを含み得る。
電子デバイスを個片化すること、および、個片化した前記電子デバイスを前記ハンドル層
に接着することを含み得る。
【0024】
前記ハンドル層に接着された前記電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス
を含み得る。
前記ハンドル層に接着された前記電子デバイスは、無機ＬＥＤデバイスを含み得る。
を含み得る。
前記ハンドル層に接着された前記電子デバイスは、無機ＬＥＤデバイスを含み得る。
【0025】
前記ハンドル層に接着された前記電子デバイスは、マイクロＬＥＤ（μＬＥＤ）デバイ
スを含み得る。各μＬＥＤデバイスは、μＬＥＤエミッタを含む。μＬＥＤエミッタは、
実質的に放物状のメサ構造と、前記メサ構造内の発光源と、前記メサ構造の頂部とは反対
側における前記μＬＥＤデバイスの主発光面とを含む。
スを含み得る。各μＬＥＤデバイスは、μＬＥＤエミッタを含む。μＬＥＤエミッタは、
実質的に放物状のメサ構造と、前記メサ構造内の発光源と、前記メサ構造の頂部とは反対
側における前記μＬＥＤデバイスの主発光面とを含む。
【0026】
前記ハンドル層は、半導体ウェハ、ＵＶテープ、熱剥離テープ、多層テープ、または接
着調節層のうちの一つを含み得る。
前記方法はさらに、前記電子デバイスのサブセットをディスプレイ要素の基板に前記Ｐ
ＵＴを使用して転写することを含み得る。
着調節層のうちの一つを含み得る。
前記方法はさらに、前記電子デバイスのサブセットをディスプレイ要素の基板に前記Ｐ
ＵＴを使用して転写することを含み得る。
【0027】
いくつかの実施形態は、命令群を含むコンピュータプログラムを記憶した非一時的なコ
ンピュータ読み取り可能記憶媒体を含み得る。前記命令群は、少なくとも１つのプロセッ
サによって実行されるとき、本明細書に記載される方法を実行するように前記少なくとも
１つのプロセッサを構成する。
ンピュータ読み取り可能記憶媒体を含み得る。前記命令群は、少なくとも１つのプロセッ
サによって実行されるとき、本明細書に記載される方法を実行するように前記少なくとも
１つのプロセッサを構成する。
【0028】
図面は、例示のみを目的として本開示の実施形態を示している。当業者であれば、以下
の説明から、本明細書で例示される構造および方法の代替の実施形態を、本明細書に記載
される開示の原理または利点から逸脱することなく用い得ることを容易に認識し得る。
の説明から、本明細書で例示される構造および方法の代替の実施形態を、本明細書に記載
される開示の原理または利点から逸脱することなく用い得ることを容易に認識し得る。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】一実施形態によるμＬＥＤデバイスの概略を示す図。
【図2】一実施形態による、市販の平面ＬＥＤデバイスから出力されたビームプロファイル、μＬＥＤデバイスから出力されたビームプロファイル、及び単一画素ビームの画像を示す図。
【図3】一実施形態によるμＬＥＤアセンブリプロセスの概要を概略的に示す図。
【図4A】一実施形態による例示的な「ピックアンドプレース」プロセスの概要を概略的に示す図。
【図4B】一実施形態による例示的な「ピックアンドプレース」プロセスの概要を概略的に示す図。
【図4C】一実施形態による例示的な「ピックアンドプレース」プロセスの概要を概略的に示す図。
【図4D】一実施形態による例示的な「ピックアンドプレース」プロセスの概要を概略的に示す図。
【図4E】一実施形態による例示的な「ピックアンドプレース」プロセスの概要を概略的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【0030】
本明細書は、概して、マイクロアセンブリのための選択可能ピックアップツール（ＰＵ
Ｔ）を実現する方法を開示する。
本発明におけるμＬＥＤ技術は、光出力を方向付けし、ユーザによって観察される輝度
レベルを最大にするミクロンサイズのＩＬＥＤデバイスを指す。米国特許第７，５１８，
１４９号に開示されるμＬＥＤは、方向付けした光を供給する、すなわちその光が必要な
場所にのみ供給するために特別に開発された次世代ＬＥＤ技術である。
Ｔ）を実現する方法を開示する。
本発明におけるμＬＥＤ技術は、光出力を方向付けし、ユーザによって観察される輝度
レベルを最大にするミクロンサイズのＩＬＥＤデバイスを指す。米国特許第７，５１８，
１４９号に開示されるμＬＥＤは、方向付けした光を供給する、すなわちその光が必要な
場所にのみ供給するために特別に開発された次世代ＬＥＤ技術である。
【0031】
μＬＥＤは、典型的には直径が２０μｍ未満であり、チップから放出される準コリメー
ト光ビームを形成するために、ウェハプロセス工程中に放物面構造がＬＥＤダイ上に直接
エッチングされる（図１、図２参照）。マイクロＩＬＥＤエミッタは、国際出願公開ＷＯ
２００４／０９７９４７号（または米国特許第７，５１８，１４９号）で提案されたもの
と同様のマイクロＩＬＥＤ構造を含み、高い抽出効率を有し、その形状に由来して準コリ
メート光を出力する。図１は、基板３０２の上に半導体エピタキシャル層３０４が配置さ
れたマイクロＩＬＤ３００を示している。エピタキシャル層１０４は、メサ３０６の形状
に形成される。アクティブ（または発光）層３０８は、メサ構造３０６内に封入される。
メサ３０６は、光透過または発光面３１０とは反対側に切頭頂部を有している。また、メ
サ３０６は、デバイス内で生成または検出された光の反射エンクロージャを形成するよう
にほぼ放物形状を有している。矢印３１２は、アクティブ層３０８から放射された光がど
のようにＬＥＤデバイス３００から出射されるのに十分な角度で（すなわち、全反射の角
度内で）メサ３０６の壁で光出射面３１０に向けて反射されるのかを示している。図１に
は示されていないが、デバイスの電気コンタクトパッドは、発光面３１０とは反対側の面
に配置されている。
ト光ビームを形成するために、ウェハプロセス工程中に放物面構造がＬＥＤダイ上に直接
エッチングされる（図１、図２参照）。マイクロＩＬＥＤエミッタは、国際出願公開ＷＯ
２００４／０９７９４７号（または米国特許第７，５１８，１４９号）で提案されたもの
と同様のマイクロＩＬＥＤ構造を含み、高い抽出効率を有し、その形状に由来して準コリ
メート光を出力する。図１は、基板３０２の上に半導体エピタキシャル層３０４が配置さ
れたマイクロＩＬＤ３００を示している。エピタキシャル層１０４は、メサ３０６の形状
に形成される。アクティブ（または発光）層３０８は、メサ構造３０６内に封入される。
メサ３０６は、光透過または発光面３１０とは反対側に切頭頂部を有している。また、メ
サ３０６は、デバイス内で生成または検出された光の反射エンクロージャを形成するよう
にほぼ放物形状を有している。矢印３１２は、アクティブ層３０８から放射された光がど
のようにＬＥＤデバイス３００から出射されるのに十分な角度で（すなわち、全反射の角
度内で）メサ３０６の壁で光出射面３１０に向けて反射されるのかを示している。図１に
は示されていないが、デバイスの電気コンタクトパッドは、発光面３１０とは反対側の面
に配置されている。
【0032】
上記形状を有する構造は、その形状を有していないまたは標準的なＬＥＤチップと比べ
て、低い照明角度での効率を大きく増加させる（図２参照）。このようにμＬＥＤの効率
が向上され、μＬＥＤのコリメート出力が増加することにより、人間の目に見える光をナ
ノアンペアの駆動電流のみを用いて生成することが可能となる。
て、低い照明角度での効率を大きく増加させる（図２参照）。このようにμＬＥＤの効率
が向上され、μＬＥＤのコリメート出力が増加することにより、人間の目に見える光をナ
ノアンペアの駆動電流のみを用いて生成することが可能となる。
【0033】
図３には、青色および緑色発光μＬＥＤにおけるサファイア材料系上のＧａＮをベース
とした「μアセンブリ準備」（Assembly ready）プロセスフローが開示されている。なお
、本発明は、本開示において提案されたこの材料系や一連のプロセスフローに限定される
ものではない。
とした「μアセンブリ準備」（Assembly ready）プロセスフローが開示されている。なお
、本発明は、本開示において提案されたこの材料系や一連のプロセスフローに限定される
ものではない。
【0034】
プロセスは、ＩＬＥＤチップ製造およびアセンブリ準備に適合した基板とエピ層および
／またはテンプレートとを有した、サファイアウェハ上にＧａＮを持つ構造から始まる。
プロセスの最初のステップは、μＬＥＤデバイスの製造と、それと共に行われるｐおよ
びｎコンタクトパッドの製造である。μＬＥＤの製造後、ハードマスクを画定するための
フォトリソグラフィと、典型的には隣接デバイス間のＧａＮエピ層／テンプレートにおい
て２μｍの幅および３～５μｍの深さのトレンチをエッチングするドライエッチング方法
（例えば、深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）または誘導結合プラズマ（ＩＣＰ
）エッチングツール）との組み合わせによって、ウェハ上のチップが部分的に個片化され
る。一例として、ＳｉＯｘハードマスクを堆積し、深掘りＵＶレジストおよびフォトリソ
グラフィツールを用いてパターニングすることにより、ＣＦ４／ＣＨＦ３のＩＣＰエッチ
ング化学反応を用いてＳｉＯｘに区画パターンを転写する。その後、ＧａＮをエッチング
するための第２の塩素系エッチング化学反応が続く。ハードマスクは分離のためにデバイ
ス上に残される。
／またはテンプレートとを有した、サファイアウェハ上にＧａＮを持つ構造から始まる。
プロセスの最初のステップは、μＬＥＤデバイスの製造と、それと共に行われるｐおよ
びｎコンタクトパッドの製造である。μＬＥＤの製造後、ハードマスクを画定するための
フォトリソグラフィと、典型的には隣接デバイス間のＧａＮエピ層／テンプレートにおい
て２μｍの幅および３～５μｍの深さのトレンチをエッチングするドライエッチング方法
（例えば、深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）または誘導結合プラズマ（ＩＣＰ
）エッチングツール）との組み合わせによって、ウェハ上のチップが部分的に個片化され
る。一例として、ＳｉＯｘハードマスクを堆積し、深掘りＵＶレジストおよびフォトリソ
グラフィツールを用いてパターニングすることにより、ＣＦ４／ＣＨＦ３のＩＣＰエッチ
ング化学反応を用いてＳｉＯｘに区画パターンを転写する。その後、ＧａＮをエッチング
するための第２の塩素系エッチング化学反応が続く。ハードマスクは分離のためにデバイ
ス上に残される。
【0035】
部分的な個片化の後、機械的（またはハンドル）層（すなわち、テープ）が後続の処理
ステップのためのハンドル層として機能するものとして上面に適用される。ハンドル層が
適用されると、レーザビームを用いてサファイア基板を除去するレーザ取り外しプロセス
が適用される。レーザ取り外し処理は、エキシマレーザ光を用いてサファイア基板をＧａ
Ｎエピ層から分離する技術である。この技術は、ＨＢ（高輝度）ＬＥＤおよびフレキシブ
ルディスプレイの製造において、高スループットおよび高品質のために重要である。
ステップのためのハンドル層として機能するものとして上面に適用される。ハンドル層が
適用されると、レーザビームを用いてサファイア基板を除去するレーザ取り外しプロセス
が適用される。レーザ取り外し処理は、エキシマレーザ光を用いてサファイア基板をＧａ
Ｎエピ層から分離する技術である。この技術は、ＨＢ（高輝度）ＬＥＤおよびフレキシブ
ルディスプレイの製造において、高スループットおよび高品質のために重要である。
【0036】
サファイア基板が取り外されると、構造体は組み立ての準備が整う。アセンブリは、ピ
ックアンドプレース技術と、本明細書に開示されるようなハンドル層への各電子デバイス
の接着の修正とを用いて実施することができる。
ックアンドプレース技術と、本明細書に開示されるようなハンドル層への各電子デバイス
の接着の修正とを用いて実施することができる。
【0037】
本明細書に開示される製造プロセスは、電気回路を形成する半導体チップのアセンブリ
に対処する。一つの実施形態は、製品を表示するためのＩＬＥＤ画像発生器とすることが
できる。
に対処する。一つの実施形態は、製品を表示するためのＩＬＥＤ画像発生器とすることが
できる。
【0038】
このため、開示される方法および装置の目的は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路を含
み得るガラスパネル上での処理および操作のためにピックアップツール（ＰＵＴ）に対し
て接触および適合可能に特に設計される複数のＩＬＥＤチップを使用した画像発生器およ
び関連する製造方法を提供することにある。
み得るガラスパネル上での処理および操作のためにピックアップツール（ＰＵＴ）に対し
て接触および適合可能に特に設計される複数のＩＬＥＤチップを使用した画像発生器およ
び関連する製造方法を提供することにある。
【0039】
具体的に、本明細書は、ダイが取り付けられたハンドル層の接着特性を操作することに
より、ピックアップツール（ＰＵＴ）を用いてハンドル層からＩＬＥＤダイ（デバイス）
を選択的に取得（ピッキング）可能にする方法を開示する。この方法は、マイクロアセン
ブリを使用してＬＥＤダイをウェハまたは他の基板（ハンドル層）からガラスパネルまた
は類似の基板に転写する状況に特に適している。
より、ピックアップツール（ＰＵＴ）を用いてハンドル層からＩＬＥＤダイ（デバイス）
を選択的に取得（ピッキング）可能にする方法を開示する。この方法は、マイクロアセン
ブリを使用してＬＥＤダイをウェハまたは他の基板（ハンドル層）からガラスパネルまた
は類似の基板に転写する状況に特に適している。
【0040】
ハンドル層の接着は、外部刺激によって選択的かつ局所的に感作され適合される。この
刺激は、例えば、光活性化、熱活性化、液体活性化、またはハンドル層の接着特性を制御
する微細構造を持つようにハンドル層を構造化することによって行うことができる。この
刺激は、転送サイクルの取得動作中にＰＵＴがＬＥＤウェハと接触する前に、ＰＵＴによ
って取得される特定のダイに対して（または、ＰＵＴによってピックアップされないダイ
に対して）適用され得る。
刺激は、例えば、光活性化、熱活性化、液体活性化、またはハンドル層の接着特性を制御
する微細構造を持つようにハンドル層を構造化することによって行うことができる。この
刺激は、転送サイクルの取得動作中にＰＵＴがＬＥＤウェハと接触する前に、ＰＵＴによ
って取得される特定のダイに対して（または、ＰＵＴによってピックアップされないダイ
に対して）適用され得る。
【0041】
この方法は、処理ウェハからの欠陥またはパラメトリック欠陥の結果として既知の良好
ダイの選択的取得、またはＩＬＥＤダイのフルアレイのサブセットを用いてフル画像発生
器のアセンブリを完了する場合にそのサブセットの取得を容易にする。この方法は、修理
または交換サイクルの一部として、ウェハまたは基板から不良ダイを取得するためにも適
用され得る。
ダイの選択的取得、またはＩＬＥＤダイのフルアレイのサブセットを用いてフル画像発生
器のアセンブリを完了する場合にそのサブセットの取得を容易にする。この方法は、修理
または交換サイクルの一部として、ウェハまたは基板から不良ダイを取得するためにも適
用され得る。
【0042】
一般的に、ダイの２次元アレイをピックアップするように構成されたＰＵＴは、ダイの
ソース（ウェハまたは他の基板上に位置し得る）と接触すると、ＰＵＴにより適用される
取得力によってすべての位置でダイを取得し得る。このようなシステムを設計するには、
ＰＵＴの取得力がＬＥＤダイと処理ウェハ／基板との間の接着力を超えることを保証する
必要がある。しかしながら、この基本的な状況では、これらの力の均衡を選択的に変化さ
せていくつかの特定のダイが取得されないままとすることはできない。本明細書に開示さ
れる方法および装置は、そのような選択を可能にする。これは、ＬＥＤダイと処理ウェハ
／基板との間の接着力を取得動作の前に修正して、いくつかのダイ（選択されたダイ）の
みがＰＵＴによる取得力よりも小さな接着力（接着度）を有するようにしてこれらのダイ
が取得されることを保証することによって達成される。同様の方法を用いて、既知の不良
ダイを基板から選択的に除去することができる。
ソース（ウェハまたは他の基板上に位置し得る）と接触すると、ＰＵＴにより適用される
取得力によってすべての位置でダイを取得し得る。このようなシステムを設計するには、
ＰＵＴの取得力がＬＥＤダイと処理ウェハ／基板との間の接着力を超えることを保証する
必要がある。しかしながら、この基本的な状況では、これらの力の均衡を選択的に変化さ
せていくつかの特定のダイが取得されないままとすることはできない。本明細書に開示さ
れる方法および装置は、そのような選択を可能にする。これは、ＬＥＤダイと処理ウェハ
／基板との間の接着力を取得動作の前に修正して、いくつかのダイ（選択されたダイ）の
みがＰＵＴによる取得力よりも小さな接着力（接着度）を有するようにしてこれらのダイ
が取得されることを保証することによって達成される。同様の方法を用いて、既知の不良
ダイを基板から選択的に除去することができる。
【0043】
ディスプレイを構築するために、ＩＬＥＤの第１のセットがハンドル層からＰＵＴによ
り取得（pick）され、ガラスパネル（任意で、ＩＬＥＤを制御するＴＦＴ回路を含む）上
に載置（place）される。このシーケンスは、ＬＥＤの第２のセットで繰り返され、その
後、ディスプレイが完全に占有されるまで繰り返される。ＬＥＤの各セットは、数千のＬ
ＥＤで構成され得る。
り取得（pick）され、ガラスパネル（任意で、ＩＬＥＤを制御するＴＦＴ回路を含む）上
に載置（place）される。このシーケンスは、ＬＥＤの第２のセットで繰り返され、その
後、ディスプレイが完全に占有されるまで繰り返される。ＬＥＤの各セットは、数千のＬ
ＥＤで構成され得る。
【0044】
取得および載置ステップの成功は、プロセスの異なるステップ間における接着性の制御
に基づく。
実際、ＰＵＴによるＬＥＤの良好な取得のためには、ＰＵＴとＬＥＤとの接着は、ＬＥ
Ｄとハンドルとの接着よりも強くなければならない。同様に、ＬＥＤをうまく載置するた
めには、受け取り基板とＬＥＤとの接着は、ＰＵＴとＬＥＤとの接着よりも強くなければ
ならない。あるいは、載置サイクル中のＰＵＴとＬＥＤとの接着は、オン／オフされるよ
うに切り替えられてもよい。
に基づく。
実際、ＰＵＴによるＬＥＤの良好な取得のためには、ＰＵＴとＬＥＤとの接着は、ＬＥ
Ｄとハンドルとの接着よりも強くなければならない。同様に、ＬＥＤをうまく載置するた
めには、受け取り基板とＬＥＤとの接着は、ＰＵＴとＬＥＤとの接着よりも強くなければ
ならない。あるいは、載置サイクル中のＰＵＴとＬＥＤとの接着は、オン／オフされるよ
うに切り替えられてもよい。
【0045】
いくつかの実施形態は、特定のＬＥＤに対応する領域においてＬＥＤハンドル層をパタ
ーニングすることにより、その接着性を制御し、選択されたＬＥＤを取得するべく選択的
に剥離する方法を含む。
ーニングすることにより、その接着性を制御し、選択されたＬＥＤを取得するべく選択的
に剥離する方法を含む。
【0046】
初めに、ＬＥＤとハンドルとの接着はＰＵＴとＬＥＤとの接着よりも強い。選択された
ＬＥＤの下方におけるＬＥＤとハンドルとの接着が選択的に低下させられることで、その
ＬＥＤとハンドルとの接着がＰＵＴとＬＥＤとの接着よりも小さくなる。この場合、選択
されたＬＥＤはＰＵＴによって取得される一方、他のＬＥＤはハンドル層に留まる。
ＬＥＤの下方におけるＬＥＤとハンドルとの接着が選択的に低下させられることで、その
ＬＥＤとハンドルとの接着がＰＵＴとＬＥＤとの接着よりも小さくなる。この場合、選択
されたＬＥＤはＰＵＴによって取得される一方、他のＬＥＤはハンドル層に留まる。
【0047】
ハンドル層は、例示的な構成では、ＵＶテープである。このＵＶテープに対して、取得
される必要があるＬＥＤの下方にのみ、パターン化されたＵＶ光が照射される。これらの
ＬＥＤとテープとの間の接着力が低下することで、ＰＵＴによるチップの取得が可能とな
る。
される必要があるＬＥＤの下方にのみ、パターン化されたＵＶ光が照射される。これらの
ＬＥＤとテープとの間の接着力が低下することで、ＰＵＴによるチップの取得が可能とな
る。
【0048】
ＵＶ光は、パターニングに使用可能な任意のＵＶ源からの光とすることができる。例え
ば、ＵＶレーザ、ＵＶμＬＥＤアレイ（マスクレスフォトリソグラフィ）、または標準的
なフォトリソグラフィマスクを介して照射される標準的なＵＶ光源とすることができる。
ば、ＵＶレーザ、ＵＶμＬＥＤアレイ（マスクレスフォトリソグラフィ）、または標準的
なフォトリソグラフィマスクを介して照射される標準的なＵＶ光源とすることができる。
【0049】
図４Ａ～４Ｅは、ＵＶテープの場合の全体的なピックアンドプレースのプロセスの概要
を示している。
ＵＶテープの代わりに他のハンドル層を使用することができる。いくつかの例として、
熱剥離テープ（選択されたＬＥＤの下方の領域がレーザまたは任意の選択的熱源を介して
加熱される）、多層テープ（選択されたＬＥＤの下層がレーザまたは任意の選択的蒸発源
によって気化される）、または接着切り替え層（ＵＶ接着剤、ＵＶワックスなど）で覆わ
れた基板が挙げられる。
を示している。
ＵＶテープの代わりに他のハンドル層を使用することができる。いくつかの例として、
熱剥離テープ（選択されたＬＥＤの下方の領域がレーザまたは任意の選択的熱源を介して
加熱される）、多層テープ（選択されたＬＥＤの下層がレーザまたは任意の選択的蒸発源
によって気化される）、または接着切り替え層（ＵＶ接着剤、ＵＶワックスなど）で覆わ
れた基板が挙げられる。
【0050】
ＰＵＴは、接着パラメータを満たす任意のタイプおよび材料とすることができる。ＵＶ
テープはＰＵＴとして使用することもできる。ここで、取得ステップの後にＵＶ照射して
ＰＵＴとＬＥＤとの接着を減少させることにより載置を容易化することができる。ピック
アンドプレースのシーケンスごとに新しいＵＶテープが使用される。
テープはＰＵＴとして使用することもできる。ここで、取得ステップの後にＵＶ照射して
ＰＵＴとＬＥＤとの接着を減少させることにより載置を容易化することができる。ピック
アンドプレースのシーケンスごとに新しいＵＶテープが使用される。
【0051】
市販のＩＬＥＤディスプレイにおいては、すべてのＬＥＤが機能していなければならな
い。典型的なＬＥＤ製造環境では、ウェハ上のすべてのＬＥＤが試験される。これは一般
には、ウェハ上の各ＬＥＤのＰおよびＮコンタクトとの電気コンタクトを行う特定のＬＥ
Ｄ試験装置を使用することによって実現される。しかしながら、ＩＬＥＤディスプレイ用
のＬＥＤが製造される場合、ＬＥＤダイは他の照明用途向けに製造されるものよりも多数
桁小さく、４インチウェハ上に１億個の別個のＬＥＤダイが存在する可能性がある。これ
は、各ダイを試験して既知の良好ダイ（ＫＧＤ）マップを作成することは不可能ではない
にしても困難である。
い。典型的なＬＥＤ製造環境では、ウェハ上のすべてのＬＥＤが試験される。これは一般
には、ウェハ上の各ＬＥＤのＰおよびＮコンタクトとの電気コンタクトを行う特定のＬＥ
Ｄ試験装置を使用することによって実現される。しかしながら、ＩＬＥＤディスプレイ用
のＬＥＤが製造される場合、ＬＥＤダイは他の照明用途向けに製造されるものよりも多数
桁小さく、４インチウェハ上に１億個の別個のＬＥＤダイが存在する可能性がある。これ
は、各ダイを試験して既知の良好ダイ（ＫＧＤ）マップを作成することは不可能ではない
にしても困難である。
【0052】
本明細書に開示されるような選択可能ピックアップ方法の１つの使用は、選択可能ＰＵ
Ｔを使用して、未試験ＬＥＤウェハを用いた高歩留まりのＩＬＥＤディスプレイの製造を
提供する製造フローを可能にする。このようなフローにおいて、ＰＵＴは、最初のピック
アンドプレースのサイクル中においてあらゆる場所でＬＥＤを取得する。次に、ＬＥＤを
ガラスパネルで試験する。２回目のピックアンドプレースのサイクルでは、試験サイクル
中にＬＥＤの不良または欠落が検出されたガラスパネル上の位置と一致するＰＵＴの位置
でのみＬＥＤが取得される。この選択可能な取得は、提案された方法および装置によって
可能となる。このような追加のピックアンドプレースのサイクルを使用することにより、
本明細書において概要を説明した選択可能ピックアップ方法を使用して、ガラス基板上の
各位置（全ての動作ディスプレイ画素）に動作ＬＥＤが配置されることを保証することが
でき、それによって、非選択可能ＰＵＴは、最後の試験サイクル中にＬＥＤの不良または
欠落が検出されたガラスパネル上の位置に一致するＰＵＴ上の位置におけるＬＥＤのみを
取得する。
Ｔを使用して、未試験ＬＥＤウェハを用いた高歩留まりのＩＬＥＤディスプレイの製造を
提供する製造フローを可能にする。このようなフローにおいて、ＰＵＴは、最初のピック
アンドプレースのサイクル中においてあらゆる場所でＬＥＤを取得する。次に、ＬＥＤを
ガラスパネルで試験する。２回目のピックアンドプレースのサイクルでは、試験サイクル
中にＬＥＤの不良または欠落が検出されたガラスパネル上の位置と一致するＰＵＴの位置
でのみＬＥＤが取得される。この選択可能な取得は、提案された方法および装置によって
可能となる。このような追加のピックアンドプレースのサイクルを使用することにより、
本明細書において概要を説明した選択可能ピックアップ方法を使用して、ガラス基板上の
各位置（全ての動作ディスプレイ画素）に動作ＬＥＤが配置されることを保証することが
でき、それによって、非選択可能ＰＵＴは、最後の試験サイクル中にＬＥＤの不良または
欠落が検出されたガラスパネル上の位置に一致するＰＵＴ上の位置におけるＬＥＤのみを
取得する。
【0053】
提案された選択可能ピックアップ方法の別の使用は、適切な試験方法がＫＧＤマップを
作成するために使用された後などに、そのＫＧＤマップをＬＥＤウェハに利用可能な状況
に関する。これは、上記したプロセスの変形である。選択可能ピックアップ方法を使用し
て、ピックアンドプレースのサイクル中に欠陥ダイのピックアップを排除／防止すること
ができ、それにより、不良ダイがガラス基板上に載置されないようにすることができる。
上記した後続のピックアンドプレースサイクルは、この理由のために直前のピックアンド
プレースサイクルでＬＥＤを受け取っていないガラス基板上の任意の位置を埋め戻す。
作成するために使用された後などに、そのＫＧＤマップをＬＥＤウェハに利用可能な状況
に関する。これは、上記したプロセスの変形である。選択可能ピックアップ方法を使用し
て、ピックアンドプレースのサイクル中に欠陥ダイのピックアップを排除／防止すること
ができ、それにより、不良ダイがガラス基板上に載置されないようにすることができる。
上記した後続のピックアンドプレースサイクルは、この理由のために直前のピックアンド
プレースサイクルでＬＥＤを受け取っていないガラス基板上の任意の位置を埋め戻す。
【0054】
提案された選択可能ピックアップ方法の別の使用は、ＬＥＤウェハを上述した提案され
たＩＬＥＤディスプレイ製造プロセスに使用する前にそのＬＥＤウェハを「修復」するこ
とである。選択可能ピックアップ方法を使用して、欠陥ＬＥＤのアレイをウェハまたはハ
ンドル層から選択的に除去（およびダンプ）することができる。次いで、交換用のダイを
別のウェハから取得して、不良ダイが除去された第１のウェハ位置に置くことができる。
欠陥ダイが除去されたすべての位置を埋め戻すにはこのような交換サイクルが複数回必要
になり得る。このアプローチは、１００％のＬＥＤ歩留まりを有するＬＥＤウェハ／ハン
ドル層を作製し得る。上述した製造プロセスへの入力としてのこのようなウェハ／ハンド
ル層は、１００％歩留まりのＩＬＥＤディスプレイを生成し得る。
たＩＬＥＤディスプレイ製造プロセスに使用する前にそのＬＥＤウェハを「修復」するこ
とである。選択可能ピックアップ方法を使用して、欠陥ＬＥＤのアレイをウェハまたはハ
ンドル層から選択的に除去（およびダンプ）することができる。次いで、交換用のダイを
別のウェハから取得して、不良ダイが除去された第１のウェハ位置に置くことができる。
欠陥ダイが除去されたすべての位置を埋め戻すにはこのような交換サイクルが複数回必要
になり得る。このアプローチは、１００％のＬＥＤ歩留まりを有するＬＥＤウェハ／ハン
ドル層を作製し得る。上述した製造プロセスへの入力としてのこのようなウェハ／ハンド
ル層は、１００％歩留まりのＩＬＥＤディスプレイを生成し得る。
【0055】
コンピュータプログラムは、上述した方法のいずれかを提供するように構成され得る。
コンピュータプログラムは、コンピュータ読み取り可能記憶媒体上に提供され得る。コン
ピュータプログラムは、コンピュータプログラム製品とすることができる。この製品は、
非一時的なコンピュータ使用可能な記憶媒体を含み得る。コンピュータプログラム製品は
、上記方法を実行するように構成された記憶媒体に具現化されたコンピュータ読み取り可
能なプログラムコードを有し得る。コンピュータプログラム製品は、少なくとも１つのプ
ロセッサに上記方法の一部またはすべてを実行させるように構成され得る。
コンピュータプログラムは、コンピュータ読み取り可能記憶媒体上に提供され得る。コン
ピュータプログラムは、コンピュータプログラム製品とすることができる。この製品は、
非一時的なコンピュータ使用可能な記憶媒体を含み得る。コンピュータプログラム製品は
、上記方法を実行するように構成された記憶媒体に具現化されたコンピュータ読み取り可
能なプログラムコードを有し得る。コンピュータプログラム製品は、少なくとも１つのプ
ロセッサに上記方法の一部またはすべてを実行させるように構成され得る。
【0056】
本明細書では、コンピュータ実装方法、装置（システムおよび／またはデバイス）、お
よび／またはコンピュータプログラム製品のブロック図またはフローチャートを参照する
ことにより、種々の方法および装置を説明している。ブロック図および／またはフローチ
ャートのブロックや、ブロック図および／またはフローチャートのブロックの組み合わせ
は、１つまたは複数のコンピュータ回路によって実行されるコンピュータプログラム命令
によって実装可能であることが理解される。これらのコンピュータプログラム命令は、汎
用コンピュータ回路、専用コンピュータ回路、および／または他のプログラム可能データ
処理回路のプロセッサ回路に提供されてコンピュータを生成し、コンピュータのプロセッ
サおよび／または他のプログラム可能データ処理装置により実行されメモリ位置に記憶さ
れた値を変換しトランジスタを制御する命令は、それらの回路内の他のハードウェア構成
要素とともに、ブロック図および／またはフローチャートで指定された機能／動作を具現
化することにより、それらブロック図および／またはフローチャートで指定された機能／
動作を実現するための手段（機能）および／または構造を形成する。
よび／またはコンピュータプログラム製品のブロック図またはフローチャートを参照する
ことにより、種々の方法および装置を説明している。ブロック図および／またはフローチ
ャートのブロックや、ブロック図および／またはフローチャートのブロックの組み合わせ
は、１つまたは複数のコンピュータ回路によって実行されるコンピュータプログラム命令
によって実装可能であることが理解される。これらのコンピュータプログラム命令は、汎
用コンピュータ回路、専用コンピュータ回路、および／または他のプログラム可能データ
処理回路のプロセッサ回路に提供されてコンピュータを生成し、コンピュータのプロセッ
サおよび／または他のプログラム可能データ処理装置により実行されメモリ位置に記憶さ
れた値を変換しトランジスタを制御する命令は、それらの回路内の他のハードウェア構成
要素とともに、ブロック図および／またはフローチャートで指定された機能／動作を具現
化することにより、それらブロック図および／またはフローチャートで指定された機能／
動作を実現するための手段（機能）および／または構造を形成する。
【0057】
また、コンピュータプログラム命令は、コンピュータ読み取り可能記憶媒体に記憶され
て、コンピュータまたは他のプログラム可能データ処理装置を特定の方法で機能させるよ
うに指示することにより、コンピュータ読み取り可能記憶媒体に記憶された命令が、ブロ
ック図および／またはフローチャートで指定された機能／動作を具現化する命令を含み、
製造物品を生成できるようにする。
て、コンピュータまたは他のプログラム可能データ処理装置を特定の方法で機能させるよ
うに指示することにより、コンピュータ読み取り可能記憶媒体に記憶された命令が、ブロ
ック図および／またはフローチャートで指定された機能／動作を具現化する命令を含み、
製造物品を生成できるようにする。
【0058】
有形の非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体は、電子的、磁気的、光学的、電
磁的、または半導体のデータ記憶システム、装置、またはデバイスを含み得る。コンピュ
ータ読み取り可能記憶媒体の具体的な例は、ポータブルコンピュータディスケット、ラン
ダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）回路、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）回路、消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリ）回路、ポータブル
なコンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、およびポータブルなデジタ
ルビデオディスク読み出し専用メモリ（ＤＶＤ／Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標））を含む。
磁的、または半導体のデータ記憶システム、装置、またはデバイスを含み得る。コンピュ
ータ読み取り可能記憶媒体の具体的な例は、ポータブルコンピュータディスケット、ラン
ダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）回路、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）回路、消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリ）回路、ポータブル
なコンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、およびポータブルなデジタ
ルビデオディスク読み出し専用メモリ（ＤＶＤ／Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標））を含む。
【0059】
コンピュータプログラム命令は、コンピュータおよび／または他のプログラム可能デー
タ処理装置にロードされ、コンピュータおよび／または他のプログラム可能装置で一連の
動作ステップを実行させて、コンピュータまたは他のプログラム可能装置上で実行される
命令は、ブロック図および／またはフローチャートで指定された機能／動作を具現化する
ためのステップを提供する。
タ処理装置にロードされ、コンピュータおよび／または他のプログラム可能装置で一連の
動作ステップを実行させて、コンピュータまたは他のプログラム可能装置上で実行される
命令は、ブロック図および／またはフローチャートで指定された機能／動作を具現化する
ためのステップを提供する。
【0060】
従って、本発明は、プロセッサ上で実行されるハードウェアおよび／またはソフトウェ
ア（ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコードなどを含む）で実施することが
でき、これらは総称して「回路」、「モジュール」またはその類型とすることができる。
ア（ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコードなどを含む）で実施することが
でき、これらは総称して「回路」、「モジュール」またはその類型とすることができる。
【0061】
いくつかの代替の実施形態では、ブロックに示されている機能／動作は、フローチャー
トに記載された順序とは異なる場合があり得る。例えば、連続して示された２つのブロッ
クは実際には実質的に同時に実行されてもよく、あるいは、関連する機能／動作に応じて
ブロックが逆の順序で実行されてもよい。また、フローチャートおよび／またはブロック
の所与のブロックの機能は複数のブロックに分離されてもよく、および／またはフローチ
ャートおよび／またはブロックの２つ以上のブロックの機能が少なくとも部分的に統合さ
れてもよい。最後に、図示されているブロックの間に他のブロックが追加／挿入されても
よい。
トに記載された順序とは異なる場合があり得る。例えば、連続して示された２つのブロッ
クは実際には実質的に同時に実行されてもよく、あるいは、関連する機能／動作に応じて
ブロックが逆の順序で実行されてもよい。また、フローチャートおよび／またはブロック
の所与のブロックの機能は複数のブロックに分離されてもよく、および／またはフローチ
ャートおよび／またはブロックの２つ以上のブロックの機能が少なくとも部分的に統合さ
れてもよい。最後に、図示されているブロックの間に他のブロックが追加／挿入されても
よい。
【0062】
上述した実施形態の説明は、例示のために提示されたものであり、包括的であること、
または開示された正確な形態に特許権を限定することを意図するものではない。当業者で
あれば、上記の開示に照らして多くの変更および変形が可能であることを理解し得る。
または開示された正確な形態に特許権を限定することを意図するものではない。当業者で
あれば、上記の開示に照らして多くの変更および変形が可能であることを理解し得る。
【0063】
本明細書で使用される言語は、主に、読みやすさおよび教示目的のために選択されたも
のであり、本発明の主題を描写または制限するために選択されていない場合がある。従っ
て、特許権の範囲は、この詳細な説明によってではなく、本明細書に基づく出願に対して
発行されるすべての請求項によって制限されることが意図される。したがって、実施形態
の開示は、特許請求の範囲に記載されている特許権の範囲を例示するものであって、これ
に限定されるものではない。
のであり、本発明の主題を描写または制限するために選択されていない場合がある。従っ
て、特許権の範囲は、この詳細な説明によってではなく、本明細書に基づく出願に対して
発行されるすべての請求項によって制限されることが意図される。したがって、実施形態
の開示は、特許請求の範囲に記載されている特許権の範囲を例示するものであって、これ
に限定されるものではない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
