特許7107527IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

センサ、構造および電気機器

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の目的は、性能の低下を抑制できるセンサ、構造および電気機器を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

実施形態のセンサは、基板と、前記基板上に設けられた第1の固定電極と、前記基板上に設けられた第2の固定電極と、前記第1の固定電極および前記第2の固定電極の上方に配置され、開口を有する可動電極とを含む。前記センサは、さらに、一端が前記開口の内壁に接続された第1のトーションバネと、前記第1のトーションバネの他端に接続され、前記開口の上方から見て、屈曲部を有する第1の梁部とを含む。前記センサは、さら・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図1は一MEMS加速度センサを模式的に示す平面図である。
【図2】 図2は図1の矢視2-2に沿った断面図である。
【図3】 図3は図1の矢視3-3に沿った断面図である。
【図4】 図4は図1の矢視4-4に沿った断面図である。
【図5】 図5は図1の矢視5-5に沿った断面図である。
【図6】 図6は図1のMEMS加速度センサに力が作用したときの図2に対応する断面図である。
【図7】 図7は比較例のMEMS加速度センサを模試的に示す平面図および断面図である。
【図8】 図8は実施形態のMEMS加速度センサにおいて検出感度の低下を抑制できる理由を説明するための図である。
【図9】 図9は可動電極に反りが生じているMEMS加速度センサの図3に対応する断面図である。
【図10】 図10は可動電極に反りが生じているMEMS加速度センサの図4に対応する断面図である。
【図11】 図11は可動電極に反りが生じているMEMS加速度センサの図5に対応する断面図である。
【図12】 図12は実施形態のMEMS加速度センサの寸法を説明するための平面図である。
【図13】 図13は実施形態のMEMS加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図14】 図14は他の実施形態のMEMS加速度センサを模式的に示す平面図である。
【図15】 図15はさらに別の実施形態のMEMS加速度センサを示すブロック図である。

代表図 図1本件の代表的な図

G1…ギャップ、1X,1Y,1Z…MEMS加速度センサ、10…基板、10a…基板の上面(第1の面)、11…シリコン基板、12…シリコン酸化膜、21…第1の固定電極、22…第2の固定電極、23…配線層、24…シリコン窒化膜(エッチングストッパ)、25…開口、26…可動電極、27…貫通孔、31…第1のトーションバネ、32…第2のトーションバネ、41…第1の梁部、41a~41c…第1の梁部の一部分、42…第2の梁部、42a~42c…第2の梁部の一部分、51…アンカー部(第1のアンカー部)、52…アンカー部(第3のアンカー部)、53…アンカー部(第2のアンカー部)、54…アンカー部(第4のアンカー部)、61…絶縁膜(犠牲膜)、62…プラグ。

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