(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-07-20
(45)【発行日】2022-07-28
(54)【発明の名称】集積回路装置及び電子機器
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20220721BHJP
H05K 1/18 20060101ALI20220721BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 A
H05K1/02 D
H05K1/18 J
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2018010029
(22)【出願日】2018-01-24
(65)【公開番号】P2019071401
(43)【公開日】2019-05-09
【審査請求日】2021-01-13
(31)【優先権主張番号】P 2017195938
(32)【優先日】2017-10-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】502161508
【氏名又は名称】シナプティクス インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100205350
【弁理士】
【氏名又は名称】狩野 芳正
(74)【代理人】
【識別番号】100117617
【弁理士】
【氏名又は名称】中尾 圭策
(72)【発明者】
【氏名】岡村 和浩
(72)【発明者】
【氏名】大久保 剛
(72)【発明者】
【氏名】中込 祐一
(72)【発明者】
【氏名】瀬納 剛史
【審査官】秋山 直人
(56)【参考文献】
【文献】特開平０８－３３０６８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０４－２６３４９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－３５８２４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６２－２６９３９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－０７７４８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開昭５８－１０５１６５（ＪＰ，Ｕ）
【文献】特開２００８－０９１７９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－０４１５９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－１５９８７３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－１５７９２９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ １／０２
Ｈ０５Ｋ １／１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
柔軟性があるフィルムと、前記フィルムの表面に接合された複数の配線と、
前記フィルムの前記表面に接合され、前前記複数の配線に電気的に接続されたＩＣチップと、
前記フィルムの前記表面に接合され、前記ＩＣチップ及び／又は前記複数の配線が配置されている配置領域に対してずれて位置しており、前記複数の配線と同一の材料で形成された第１保護パターン
とを備え、
前記第１保護パターンが、
第１端から第２端に第１方向に延伸する第１パターン部分と、
前記第１パターン部分の前記第２端から前記第１方向と垂直な方向に突出する第２パターン部分と、
前記第２パターン部分の前記第１パターン部分から離れた位置から前記第１方向と反対の第２方向に突出する第３パターン部分と、
を備える
集積回路装置。
【請求項2】
請求項１に記載の集積回路装置であって、前記フィルムは、
前記複数の配線と前記ＩＣチップとが接合された本体部分と、
前記本体部分から第１方向に突出する第１突出部分
とを備え、
前記第１保護パターンは、前記フィルムの前記第１突出部分に接合された
集積回路装置。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の集積回路装置であって、前記複数の配線が、接地線を備え、
前記第１保護パターンが前記接地線に接続された
集積回路装置。
【請求項4】
柔軟性があるフィルムと、前記フィルムの表面に接合された複数の配線と、
前記フィルムの前記表面に接合され、前記複数の配線に電気的に接続されたＩＣチップと、
前記複数の配線と同一の材料で形成された第１保護パターンと、
を備え、
前記フィルムは、
前記複数の配線と前記ＩＣチップとが接合された本体部分と、
前記本体部分から突出する第１突出部分
とを備え、
前記第１保護パターンは、前記フィルムの前記第１突出部分に接合され、
前記第１保護パターンが、
第１端から第２端に第１方向に延伸する第１パターン部分と、
前記第１パターン部分の前記第２端から前記第１方向と垂直な方向に突出する第２パターン部分と、
前記第２パターン部分の前記第１パターン部分から離れた位置から前記第１方向と反対の第２方向に突出する第３パターン部分と、
を備え、
前記フィルムが、前記第１突出部分及び前記第１保護パターンが前記本体部分に対向するように折り曲げられた
電子機器。
【請求項5】
柔軟性があるフィルムと、
前記フィルムの表面に接合された複数の配線と、
前記フィルムの前記表面に接合され、前記複数の配線に電気的に接続されたＩＣチップと、
前記複数の配線と同一の材料で形成された第１保護パターンと、
フレキシブル配線基板
を備え、
前記フィルムは、
前記複数の配線と前記ＩＣチップとが接合された本体部分と、
前記本体部分から突出する第１突出部分
とを備え、
前記第１保護パターンは、前記フィルムの前記第１突出部分に接合され、
前記フレキシブル配線基板が、前記フィルムの前記本体部分に対向するように配置され、
前記フィルムが、前記第１突出部分及び前記第１保護パターンが前記フレキシブル配線基板を挟んで前記少なくとも一部の配線及び／又は前記ＩＣチップに対向するように折り曲げられた
電子機器。
【請求項6】
柔軟性があるフィルムと、
前記フィルムの表面に接合された複数の配線と、
前記フィルムの前記表面に接合され、前記複数の配線に電気的に接続されたＩＣチップと、
スティフナーと、
を備え、
前記フィルムは、
前記複数の配線と前記ＩＣチップとが接合された本体部分と、
前記本体部分から突出する第１突出部分
とを備え、
前記フィルムが、前記第１突出部分が前記本体部分に対向するように折り曲げられ、
前記スティフナーが、前記第１突出部分に前記ＩＣチップと対向するように接合された
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、集積回路の異常動作を誘起する様々な事象から集積回路装置を保護する技術に関する。
【背景技術】
【0002】
集積回路の異常動作を誘起する様々な事象が当業者に知られている。集積回路の異常動作を誘起する事象の例としては、例えば、ＥＭＩ（electromagnetic interference）、ＥＳＤ（electro-static discharge）、集積回路の発熱による温度上昇、集積回路への光入射、集積回路に印加される機械的力が挙げられる。特に、携帯端末では、実装の困難性により、これらの事象による異常動作の発生が課題になっている。
【0003】
このような異常動作の発生を防ぐための手法の一つは、導電体、良熱伝導体、遮光体等で形成された保護構造を設けることである。例えば、ＥＭＩ、ＥＳＤから集積回路を保護するために、導電体で形成されたシールドパターンを備えるシールドテープが集積回路の近傍に貼付されることがある。また、集積回路からの放熱効率を向上させるためには、放熱テープが貼付されることがある。一方、集積回路への光入射を抑制するためには、遮光テープが貼付されることがある。
【0004】
しかしながら、異常動作の発生を防ぐために保護構造を設ける技術を採用すると、追加のコストが不所望に発生する。
【0005】
コストの増大を抑制しながら集積回路の異常動作を誘起する様々な事象から集積回路装置を保護するための技術を提供することには、技術的ニーズが存在する。
【発明の概要】
【0006】
一の観点では、集積回路装置が、柔軟性がある樹脂フィルムと、樹脂フィルムの表面に接合され特定方向に並んで配置された複数の配線と、樹脂フィルムの表面に接合され、該配線に対して該特定方向に垂直な方向にずれて位置し、該配線に接続されたＩＣチップと、樹脂フィルムの表面に形成され、ＩＣチップ及び／又は配線が配置されている配置領域に対して該特定方向に位置しており、該配線と同一の材料で形成された保護パターンとを具備している。
【0007】
他の観点では、電子機器が、柔軟性がある樹脂フィルムと、樹脂フィルムの表面に接合され、特定方向に並んで配置された複数の配線と、樹脂フィルムの表面に接合され、該配線に対して該特定方向に垂直な方向にずれて位置し、該配線に接続されたＩＣチップとを具備する。樹脂フィルムは、配線とＩＣチップとが接合された本体部分と、本体部分から突出する突出部分とを含む。樹脂フィルムは、前記第１突出部分が前記本体部分に対向するように折り曲げられている。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】一実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図2】一実施形態におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図3】樹脂フィルムが折り曲げられた状態でのＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図6】ＩＣチップの高速インターフェースが保護パターンから離れて位置している集積回路装置の構成を示す平面図である。
【図7】高速インターフェースが、ＩＣチップの保護パターンに近い半分に位置している集積回路装置の構成を示す平面図である。
【図8】他の実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図11】樹脂フィルムを２回折りする集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図17】更に他の実施形態における集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図21】更に他の実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図24】更に他の実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図28】更に他の実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図33】一変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図34】他の変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図35】更に他の変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図36】更に他の変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図38】更に他の変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図39】一変形例における保護パターンの実装を示す平面図である。
【図40】他の変形例における保護パターンの実装を示す平面図である。
【図41】更に他の変形例における保護パターンの実装を示す平面図である。
【図42】更に他の変形例における保護パターンの実装を示す平面図である。
【図43】更に他の実施形態におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図46】スティフナーが本体部分に直接に接合されたときのＣＯＦパッケージの構造の例を示す断面図である。
【図47】一変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図50】更に他の実施形態におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図54】一変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下では、添付図面を参照しながら、一実施形態の集積回路装置及び電子機器について説明する。なお、図面において、同一又は類似の構成要素は、同一又は対応する参照番号で参照されることがある。また、添付図面においては、以下の開示の技術的内容を理解しやすくするために、各部材の寸法が正確な縮尺で描かれていないことがある。
【0010】
以下では、ＣＯＦ（chip on film）技術が適用されている集積回路装置及び電子機器の実施形態が説明される。なお、ＣＯＦは、柔軟性がある樹脂フィルムの表面に配線とＩＣチップとを実装する技術の一例であり、ここに開示される技術は、他の実装技術にも適用可能であることに留意されたい。
【0011】
図１は、一実施形態の集積回路装置１０の構造を示す平面図である。集積回路装置１０は、樹脂フィルム１と、ＩＣチップ２と、複数の配線３と、複数の配線４とを備えている。樹脂フィルム１は、柔軟性があり、折りたたむことが可能である（foldable）ように形成される。一実施形態では、樹脂フィルム１は、ポリイミドで形成される。配線３、４は、金属、例えば、銅（Ｃｕ）で形成される。
【0012】
ＩＣチップ２は、樹脂フィルム１の表面に表面実装技術によって接合されている。一実施形態では、ＩＣチップ２には、ＡＳＩＣ（application specific IC）、例えば、表示パネルを駆動する表示ドライバが集積化される。
【0013】
配線３、４は、樹脂フィルム１の表面に接合されており、バンプ（図示されない）を介してＩＣチップ２に形成された外部接続パッド（図示されない）に接続されている。配線３は、ＩＣチップ２の－Ｙ方向に位置する領域にＸ軸方向に並んで配置されており、配線４は、ＩＣチップ２の＋Ｙ方向に位置する領域にＸ軸方向に並んで配置されている。ＩＣチップ２は、複数の配線３に対して＋Ｙ方向にずれて位置しており、複数の配線４に対して－Ｙ方向にずれて位置していることになる。
【0014】
例えば、図１に図示されている構造は、Ｙ軸方向に繰り返されてテープ状構造体を形成し、これがリールに巻回される。当該テープ状構造体は、所定の搬送方向（一実施形態では、Ｙ軸方向に平行な方向）に搬送されながら、樹脂フィルム１に規定されたカットライン５で集積回路装置１０が切断され、ＩＣチップ２を含む部分６が、ＣＯＦパッケージとして取り出される。樹脂フィルム１の両端には、搬送穴７が搬送方向に並んで配置されており、樹脂フィルム１は、搬送穴７を用いて当該搬送方向に搬送される。以下では、ＩＣチップ２を含む部分６を、ＣＯＦパッケージ６と記述することがある。取り出されたＣＯＦパッケージ６が、最終的に携帯機器等の電子機器に実装される。
【0015】
ＩＣチップ２には、高速インターフェース２ａが集積化されている。高速インターフェース２ａの例としては、ＭＩＰＩ－ＤＳＩ（mobile industry processor interface-digital serial interface）に準拠したインターフェース、TIA/EIA-644規格、TIA/EIA-644-A規格又はTIA/EIA-899規格に準拠したＬＶＤＳ（low voltage differential signaling）インターフェースが挙げられる。符号３ａは、配線３のうち、高速インターフェース２ａに接続されているものを示している。
【0016】
本実施形態では、電磁シールドを設置して配線３に印加されるノイズが低減される。詳細には、配線３が配置されている配線配置領域８に対して＋Ｘ方向にずれた位置に保護パターン９が形成され、この保護パターン９が電磁シールドとして用いられる。保護パターン９は、樹脂フィルム１の表面に配線３、４を形成するプロセスにおいて同時に形成される。一実施形態では、樹脂フィルム１の表面に、銅薄膜等の導電体薄膜が形成され、その導電体薄膜がエッチングされることにより、配線３、４が形成される。保護パターン９は、このプロセスにおいて配線３、４と同時に形成される。この場合、保護パターン９は、配線３、４と同一の材料で形成されることになる。配線３、４が銅で形成される場合、保護パターン９も銅で形成される。
【0017】
この集積回路装置１０を電子機器に実装する場合、まず、樹脂フィルム１が配線３、４と共にカットライン５で切断され、図２に示すようにＣＯＦパッケージ６が取り出される。
【0018】
ＣＯＦパッケージ６の樹脂フィルム１は、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２とを備えている。本体部分１１にはＩＣチップ２と配線３、４が形成されている。詳細には、本体部分１１は、Ｘ軸に平行で互いに対向する一組のエッジ１１ａ、１１ｂを備えている。配線３のそれぞれは、その一端がエッジ１１ａに近接して位置しており、他端がＩＣチップ２に接続されている。配線３は、エッジ１１ａに沿ってＸ軸方向に並んで配置されている。また、配線４のそれぞれは、その一端がエッジ１１ｂに近接して位置しており、他端がＩＣチップ２に接続されている。配線４は、エッジ１１ｂに沿ってＸ軸方向に並んで配置されている。保護パターン９は、樹脂フィルム１の突出部分１２に形成されている。
【0019】
取り出されたＣＯＦパッケージ６は、図３、図４に示すように、樹脂フィルム１の突出部分１２がその根元の位置において折り曲げられる。図２では、突出部分１２の根元の位置は、突出部分１２が本体部分１１に接合する位置として破線１３で示されている。この折り曲げにより、図３に示すように、保護パターン９が配線３の少なくとも一部に対向する。このように、電子機器への実装時、保護パターン９が配線３に対向することにより、配線３の電磁シールドとして機能し、配線３に印加されるノイズが低減される。例えば、高速インターフェース２ａに接続される配線３ａに印加されるノイズの低減は、データ転送の信頼性の向上に有効である。
【0020】
更に、保護パターン９は、樹脂フィルム１の廃棄される部分に形成されており、また、保護パターン９は、配線３、４を形成するプロセスにおいて同時に形成可能である。したがって、保護パターン９を配線３に対向するように樹脂フィルム１を折り曲げ、保護パターン９を電磁シールドとして使用することにより、低コストでノイズ低減を実現できる。
【0021】
保護パターン９は、全ての配線３に対向してもよく、一部の配線３のみに対向していてもよい。一実施形態では、保護パターン９が、樹脂フィルム１が折り曲げられた後において、全ての配線３に対向していないが、配線３ａを含む一部の配線３に対向するように配置されてもよい。
【0022】
図５の一実施形態では、保護パターン９及び／又は配線３の少なくとも一部が、樹脂皮膜、例えば、ソルダーレジスト１４で被覆されている。この樹脂皮膜は、保護パターン９と配線３との接触を防ぐ。この場合、例えば、配線３は、他の電子部品、例えば、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ：flexible printed circuit board）に接続される部分を除き、ソルダーレジスト１４で被覆される。配線３の全体がソルダーレジスト１４で被覆されてもよい。
【0023】
保護パターン９及び樹脂フィルム１の突出部分１２のＸ軸方向の許容される最大の幅寸法は、配線配置領域８のＸ軸方向の寸法に依存している。例えば、配線配置領域８に多くの配線３がＸ軸方向に並んで配置されている場合には、配線配置領域８のＸ軸方向の寸法が増大し、保護パターン９及び樹脂フィルム１の突出部分１２のＸ軸方向の許容される最大の寸法は小さくなる。
【0024】
保護パターン９及び樹脂フィルム１の突出部分１２のＸ軸方向の許容される最大の寸法が小さい場合には、樹脂フィルム１を突出部分１２の根元の位置で折り曲げても、保護パターン９が、電磁シールドを設けることが望ましい配線３を覆うように配置されないことが生じ得る。例えば、図６に図示されているように、高速インターフェース２ａが、保護パターン９から離れて位置している場合には、樹脂フィルム１を突出部分１２の根元の位置で折り曲げても、高速インターフェース２ａに接続されている配線３ａを保護パターン９で覆うことができない場合が生じ得る。
【0025】
このような問題に対応するために、一実施形態では、電磁シールドを設けることが望ましい配線３が保護パターン９の近くの位置に配置される。例えば、高速インターフェース２ａ及び配線３ａが、保護パターン９の近くの位置に配置される。一実施形態では、図７に示すように、ＩＣチップ２について、ＩＣチップ２のＸ軸方向における中心の位置を境界として第１半分部分２ｂ及び第２半分部分２ｃを定義したとき、高速インターフェース２ａは、保護パターン９に近い第１半分部分２ｂに位置している。これに伴い、高速インターフェース２ａに接続される配線３ａも保護パターン９の近くに配置され、保護パターン９が、配線３ａの電磁シールドとして使用される。
【0026】
他の実施形態では、図８及び図９に図示されているように、配線配置領域８の＋Ｘ方向に位置する保護パターン９１と、－Ｘ方向に位置する保護パターン９２とが設けられる。カットライン５は、保護パターン９１、９２がＣＯＦパッケージ６Ａに含まれるように規定される。
【0027】
このＣＯＦパッケージ６Ａでは、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２１と、本体部分１１から－Ｘ方向に突出する突出部分１２２とを備えている。保護パターン９１、９２は、樹脂フィルム１の突出部分１２１、１２２に形成されている。
【0028】
ＣＯＦパッケージ６の電子機器への実装時、樹脂フィルム１が、突出部分１２１、１２２の根元の位置において折り曲げられ、図１０に示すように配線３に対向する。図９では、突出部分１２１、１２２の根元の位置は、突出部分１２１、１２２が本体部分１１に接合する位置として、それぞれ破線１３１、１３２で示されている。
【0029】
この構造では、図３の構造と比較して、より多くの配線３に電磁シールドを提供することができる。例えば、全ての配線３が、保護パターン９１、９２のうちの少なくとも一方に対向しており、これにより、全ての配線３についてノイズを低減することができる。
【0030】
【0031】
図１１の集積回路装置１０Ｂに設けられるカットライン５は、保護パターン９Ｂの形状に合わせた形状に規定される。保護パターン９Ｂは、図１２に示すように、＋Ｘ方向に延伸する第１パターン部分２１と、第１パターン部分２１の＋Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第２パターン部分２２と、第２パターン部分２２の第１パターン部分２１から離れた位置（本実施形態では、第２パターン部分２２の＋Ｙ方向の端）から－Ｘ方向に突出する第３パターン部分２３とを有している。
【0032】
図１１の集積回路装置１０Ｂをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｂは、図１３に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２Ｂを備えている。
【0033】
突出部分１２Ｂは、保護パターン９Ｂに対応する形状に構成されている。詳細には、図１４に示すように、突出部分１２Ｂは、本体部分１１に接合し、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する第１部分３１と、第１部分３１の＋Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第２部分３２と、第２部分３２の第１部分３１から離れた位置（本実施形態では、第２部分３２の＋Ｙ方向の端）から－Ｘ方向に突出する第３部分３３とを有している。
【0034】
保護パターン９Ｂは、図１５に示すように、突出部分１２Ｂの第１部分３１に接合される部分と、第２部分３２に接合される部分と、第３部分３３に接合される部分とを有している。詳細には、保護パターン９Ｂの第１パターン部分２１は、突出部分１２Ｂの第１部分３１に接合されている。保護パターン９Ｂの第２パターン部分２２は、－Ｙ方向に位置する端部が突出部分１２Ｂの第１部分３１に接合され、残部は、突出部分１２Ｂの第２部分３２に接合されている。保護パターン９Ｂの第３パターン部分２３は、＋Ｘ方向に位置する端部が突出部分１２Ｂの第２部分３２に接合され、残部は、突出部分１２Ｂの第３部分３３に接合されている。
【0035】
図１３に戻り、ＣＯＦパッケージ６Ｂが電子機器に実装される場合、樹脂フィルム１が２回折りされる。まず、樹脂フィルム１が、突出部分１２Ｂの根元の位置において折り曲げられる。図１３では、突出部分１２Ｂの根元の位置が、突出部分１２Ｂが本体部分１１に接合する位置として破線１３Ｂで示されている。図１６Ａは、この折り曲げ状態を示す。
【0036】
更に、図１６Ｂに図示されているように、樹脂フィルム１の突出部分１２Ｂが、第２部分３２と第３部分３３とが接合する位置で、保護パターン９Ｂのうち第３部分３３に接合されている部分が配線３に対向するように折り曲げられる。この状態では、保護パターン９Ｂの第３部分３３の端は、突出部分１２Ｂの第２部分３２よりも突出部分１２Ｂの根元の位置から離れており、保護パターン９Ｂの端から突出部分１２Ｂの根元の位置までの距離を増大させることができる。このような構造によれば、保護パターン９Ｂを多くの配線３に、例えば突出部分１２の根元から－Ｘ方向に離れた位置にある配線３にも対向させることができ、よって、多くの配線３に電磁シールドを設けることができる。
【0037】
【0038】
図１７に図示された集積回路装置１０Ｃに設けられるカットライン５の形状も、図１１と同様に、保護パターン９Ｃの形状に合わせて変更される。図１８に示すように、保護パターン９Ｃは、＋Ｘ方向に延伸する第１パターン部分２１と、第１パターン部分２１の＋Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第２パターン部分２２と、第２パターン部分２２の第１パターン部分２１から離れた位置（本実施形態では、第２パターン部分２２の＋Ｙ方向の端）から－Ｘ方向に突出する第３パターン部分２３と、第３パターン部分２３の－Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第４パターン部分２４と、第４パターン部分２４の第３パターン部分２３から離れた位置（本実施形態では、第４パターン部分２４の＋Ｙ方向の端）から＋Ｘ方向に突出する第５パターン部分２５とを有している。
【0039】
図１７の集積回路装置１０Ｃをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｃは、図１９に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２Ｃを備えている。
【0040】
図２０Ａに図示されているように、突出部分１２Ｃは、保護パターン９Ｃに対応する形状に構成されている。詳細には、突出部分１２Ｃは、本体部分１１に接合し、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する第１部分３１と、第１部分３１の＋Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第２部分３２と、第２部分３２の第１部分３１から離れた位置（本実施形態では、第２部分３２の＋Ｙ方向の端）から－Ｘ方向に突出する第３部分３３と、第３部分３３の－Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第４部分３４と、第４部分３４の第３部分３３から離れた位置（本実施形態では、第４部分３４の＋Ｙ方向の端）から＋Ｘ方向に突出する第５部分３５とを有している。
【0041】
保護パターン９Ｃは、図２０Ｂに示すように、突出部分１２Ｃの第１～第５部分３１～３５にまたがって配置されており、突出部分１２Ｃの第１～第５部分３１～３５に接合される部分を有している。
【0042】
図１９に戻り、ＣＯＦパッケージ６Ｃが電子機器に実装される場合、樹脂フィルム１が３回折りされる。樹脂フィルム１が、突出部分１２Ｃの根元の位置において折り曲げられる。更に、突出部分１２Ｃが、第２部分３２と第３部分３３とが接合する位置において折り曲げられ、更に、突出部分１２Ｃが、第４部分３４と第５部分３５とが接合する位置において折り曲げられる。このような構造では、保護パターン９Ｃの端から突出部分１２Ｃの根元の位置までの距離を増大させることができ、保護パターン９Ｃを多くの配線３に対向させることができる。これは、多くの配線３に電磁シールドを設けることができることを意味している。
【0043】
上述の実施形態では、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃが、配線３の電磁シールドとして用いられるが、保護パターンは、ＩＣチップ２の保護のために用いられてもよい。例えば、保護パターンは、ＩＣチップ２の電磁シールドとしても使用可能である。また、保護パターンは、金属で形成されているので熱伝導性がよい。この性質を利用して、保護パターンは、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体として利用可能である。また、保護パターンは、金属で形成されているので遮光性が高い。この性質を利用して、保護パターンは、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体としても利用可能である。
【0044】
図２１に示す一実施形態では、保護パターン９が、ＩＣチップ２が配置されているＩＣ配置領域２０に対して＋Ｘ方向にずれた位置に形成されている。カットライン５の形状は、保護パターン９の位置に合わせて変更される。図２１の構造では、保護パターン９は、ＩＣチップ２へのノイズの印加を抑制するための電磁シールド、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体の少なくとも一として用いられる。
【0045】
図２１の集積回路装置１０Ｄをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｄは、図２２に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２とを備えており、保護パターン９は、樹脂フィルム１の突出部分１２に接合される。
【0046】
ＣＯＦパッケージ６Ｄを電子機器に実装する場合、図２２に示されている破線１３にて、樹脂フィルム１が、保護パターン９がＩＣチップ２に対向するように折り曲げられる。
【0047】
図２３は、折り曲げ後の状態を示し、ＩＣチップ２が保護パターン９で覆われている。この実施形態では、保護パターン９が、ＩＣチップ２の電磁シールド、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体の少なくとも一として機能する。
【0048】
ＩＣチップ２のうち保護パターンで覆われる部分を増大させるためには、図２４に図示されているように、ＩＣ配置領域２０の＋Ｘ方向に位置する保護パターン９１と、－Ｘ方向に位置する保護パターン９２とを設けてもよい。カットライン５は、保護パターン９１、９２がＣＯＦパッケージ６Ｅに含まれるように規定される。
【0049】
図２４の集積回路装置１０Ｅをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｅは、図２５に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２１と、本体部分１１から－Ｘ方向に突出する突出部分１２２とを備えている。保護パターン９１、９２は、それぞれ突出部分１２１、１２２に形成される。
【0050】
ＣＯＦパッケージ６Ｅを電子機器に実装する場合、樹脂フィルム１が、突出部分１２１、１２２の根元の位置において折り曲げられる。図２５では、突出部分１２１、１２２の根元の位置が、突出部分１２１、１２２が本体部分１１に接合する位置として、それぞれ破線１３１、１３２で示されている。
【0051】
図２６、図２７に示すように、樹脂フィルム１は、保護パターン９１、９２がＩＣチップ２に対向するように折り曲げられる。この構造では、図２３の構造と比較して、ＩＣチップ２の、より多くの部分を保護パターン９１、９２で被覆することができる。例えば、ＩＣチップ２の全体が、保護パターン９１、９２のうちの少なくとも一方によって覆われており、これにより、ＩＣチップ２の全体について、ＩＣチップ２の電磁シールド、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体のうちの少なくとも一の機能を提供することができる。なお、図５に図示されている構造と同様に、保護パターン９１、９２がＩＣチップ２に接触することを防ぐためには、保護パターン９１、９２の少なくとも一部が樹脂皮膜、例えば、ソルダーレジストによって被覆されていてもよい。
【0052】
保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃは、樹脂フィルム１が折り曲げられたときにＩＣチップ２が配置されている領域及び配線３が配置されている領域の両方を覆うように形成されてもよい。図２８に示す一実施形態では、保護パターン９が、ＩＣチップ２と配線３とが配置されているＩＣ配線配置領域３０に対して＋Ｘ方向にずれた位置に形成されている。カットライン５の形状は、保護パターン９の形状及び位置に合わせて変更される。この構造では、保護パターン９は、配線３へのノイズの印加を抑制するための電磁シールドとして用いられ、更に、ＩＣチップ２へのノイズの印加を抑制するための電磁シールド、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体の少なくとも一として用いられる。
【0053】
図２８の集積回路装置１０Ｆをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｆは、図２９に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２とを備えており、保護パターン９は、樹脂フィルム１の突出部分１２に接合される。
【0054】
ＣＯＦパッケージ６Ｆを電子機器に実装する場合、樹脂フィルム１が、保護パターン９がＩＣチップ２及び配線３に対向するように折り曲げられる。図２９では、突出部分１２の根元の位置、即ち、樹脂フィルム１が折り曲げられる位置が破線１３で示されている。
【0055】
ＣＯＦパッケージ６、６Ａ～６Ｆの配線３がフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）に接合される場合には、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃは、ＦＰＣに含まれる配線及び／又は回路素子へのノイズの印加を抑制する電磁シールドとして用いられてもよい。図２５に図示されているＣＯＦパッケージ６Ｅの保護パターン９１、９２が、ＦＰＣ４０に含まれる配線及び／又は回路素子へのノイズの印加を抑制する電磁シールドとして用いられる場合、図３０に示すように、樹脂フィルム１が、突出部分１２１、１２２の根元の位置において折り曲げられる。図３０では、突出部分１２１の根元の位置が、突出部分１２１、１２２が本体部分１１に接合する位置として、それぞれ破線１３１、１３２で示されている。
【0056】
樹脂フィルム１は、図３１、図３２に示すように、保護パターン９１、９２がＦＰＣ４０を挟んでＩＣチップ２及び／又は配線３に対向するように折り曲げられる。このような構造では、保護パターン９１、９２が、ＦＰＣ４０の少なくとも一部を覆っており、ＦＰＣ４０に含まれる配線及び／又は回路素子へのノイズの印加を有効に抑制することができる。
【0057】
一実施形態では、上述されたＣＯＦパッケージにおいて、樹脂フィルム１が折り曲げられたときに突出部分１２、１２１、１２２、１２Ｂ、１２Ｃを保持するための保持構造が樹脂フィルム１に形成される。
【0058】
一実施形態では、樹脂フィルム１が折り曲げられたときに突出部分１２、１２Ｂ、１２Ｃの先端が差し込まれる差込穴が樹脂フィルム１に形成されてもよい。突出部分１２、１２Ｂ、１２Ｃは、その先端が差込穴に挿入されて保持される。このような構造は、特に、保護パターン９、９Ｂ、９Ｃ及び樹脂フィルム１の突出部分１２、１２Ｂ、１２Ｃが、ＩＣチップ２及び／又は配線３が配置される領域８、２０、３０に対して、特定方向にのみ配置されており、樹脂フィルム１が折り曲げられたときに突出部分の先端がＩＣチップ２及び配線３の反対方向の位置に到達する場合に有効である。
【0059】
図３３に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｇが、図１９に図示されているＣＯＦパッケージ６Ｃと同様に、３回折りに対応している。ＩＣ配線配置領域３０に対して＋Ｘ方向に位置する保護パターン９Ｃが樹脂フィルム１の突出部分１２Ｃに形成されている。保護パターン９Ｃの構造は図１８に図示されており、樹脂フィルム１の突出部分１２Ｃの構造は図２０Ａ、２０Ｂに図示されている。
【0060】
ＣＯＦパッケージ６Ｇでは、樹脂フィルム１に差込穴４１が形成されている。差込穴４１は、突出部分１２Ｃの先端が挿入可能な形状を有している。
【0061】
ＣＯＦパッケージ６Ｇが電子機器に実装される場合、樹脂フィルム１が３回折りされる。詳細には、樹脂フィルム１が、突出部分１２Ｃの根元の位置において折り曲げられ、突出部分１２Ｃが、第２部分３２と第３部分３３とが接合する位置において折り曲げられ、更に、第４部分３４と第５部分３５とが接合する位置において折り曲げられる。突出部分１２Ｃが、第４部分３４と第５部分３５とが接合する位置において折り曲げられた後、突出部分１２Ｃの先端が差込穴４１に挿入される。これにより、突出部分１２Ｃの先端が保持される。
【0062】
突出部分の先端をより確実に保持するために、一実施形態では、突出部分の先端に、差込穴から突出部分の先端の抜けを防ぐための抜け止め構造が形成される。図３４に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｇが、図３３に図示されているＣＯＦパッケージ６Ｇと類似した構造を有しているが、突出部分１２Ｃの先端に抜け止め構造が形成されている。
【0063】
突出部分１２Ｃの先端に幅広部分４２が形成されており、突出部分１２Ｃの先端が差込穴４１に差し込まれると、幅広部分４２が差込穴４１に引っかかることで突出部分１２Ｃの先端が保持される。このような構造によれば、突出部分１２Ｃの先端をより確実に保持することができる。
【0064】
樹脂フィルム１が１回折りされる場合、２回折りされる場合、及び、４回又はそれ以上の回数折り曲げられる場合についても、樹脂フィルム１の突出部分の先端を差込穴で保持する構造は採用され得る。
【0065】
２つの保護パターン９１、９２及び２つの突出部分１２１、１２２が、ＩＣチップ２及び／又は配線３が配置される領域８、２０、３０を挟んで互いに対向するように配置されている場合、一実施形態では、当該２つの突出部分が、樹脂フィルム１が折り曲げられたときに互いに嵌合して互いを保持するように構成されてもよい。
【0066】
図３５に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｈは、突出部分１２１、１２２に、互いに嵌合可能な嵌合構造４３１、４３２がそれぞれ設けられている。嵌合構造４３１として突出部分１２１の－Ｙ方向のエッジに設けられた凹部が形成されており、嵌合構造４３１は、第１のフックを構成している。嵌合構造４３２として突出部分１２２の＋Ｙ方向のエッジに設けられた凹部が形成されており、第２のフックを構成している。
【0067】
ＣＯＦパッケージ６Ｈが電子機器に実装される場合、樹脂フィルム１が、本体部分１１と突出部分１２１、１２２とが接合する位置で折り曲げられる。更に、突出部分１２１、１２２にそれぞれに設けられた第１のフックと第２のフックが互いに引っ掛けられて嵌合構造４３１、４３２が互いに嵌合され、これにより、突出部分１２１、１２２が保持される。
【0068】
樹脂フィルム１を本体部分１１と突出部分１２、１２１、１２２、１２Ｂ、１２Ｃとが接合する位置で折り曲げることを容易にするためには、突出部分の本体部分と接合する部分を細く形成してもよい。
【0069】
図３６に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｊは、突出部分１２１、１２２の本体部分１１と接合する部分が、Ｙ軸方向における幅が細く形成されている。
【0070】
図３７に示すように、突出部分１２１は、樹脂フィルム１の本体部分１１と接合する根元部分１２ａと、根元部分１２ａに＋Ｘ方向に接合する突出本体部分１２ｂとを有している。根元部分１２ａのＹ軸方向の幅は、突出本体部分１２ｂのＹ軸方向の幅よりも狭い。樹脂フィルム１の突出部分１２１の＋Ｙ方向の縁と－Ｙ方向の縁にそれぞれ凹部１５ａ、１５ｂが形成されることで、根元部分１２ａのＹ軸方向の幅は、突出本体部分１２ｂのＹ軸方向の幅より狭くされている。ただし、凹部１５ａ、１５ｂは、その一方のみが形成されてもよい。突出部分１２２についても、突出部分１２１と同様に構成されている。
【0071】
このような構造によれば、樹脂フィルム１を本体部分１１と突出部分１２１、１２２とが接合する位置で折り曲げることが容易になる。これは、工数の低減のために好ましい。なお、突出部分の本体部分と接合する部分を細く形成する構造は、他の実施形態についても適用可能である。
【0072】
保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃの電磁シールドとしての機能を強化するためには、保護パターンが接地線と接続されてもよい。図３８に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｊの保護パターン９１が配線４４１によって接地線３ｂに接続され、保護パターン９２が配線４４２によって接地線３ｃに接続される。このような構造によれば、保護パターン９１、９２が接地されるので、保護パターン９１、９２が電磁シールドとしてより有効に機能する。
【0073】
上述の実施形態において、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃは、様々な形態で実装され得る。図３９に示す一実施形態では、保護パターン９の少なくとも一部が、樹脂皮膜、例えば、ソルダーレジスト４５によって被覆される。このような構造によれば、保護パターン９が、ＩＣチップ２や配線３と直接に接触することを防ぐことができる。
【0074】
また、図４０に示すように、ソルダーレジスト４５に開口４５ａが設けられてもよい。このような構造では、保護パターン９が開口４５ａを介して保護対象に直接に接触可能である。例えば、保護パターン９をＩＣチップ２の放熱体として用いる場合には、保護パターン９がＩＣチップ２に直接に接してもよい。
【0075】
また、図４１に図示されているように、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃは、互いに分離され、特定方向に延伸する複数の導電体４６の集合体として形成されてもよい。この場合も、図４２に示すように、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃの少なくとも一部が、樹脂皮膜、例えば、ソルダーレジスト４５によって被覆されてもよい。
【0076】
図４３に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｋの樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１のＩＣチップ２が配置されているＩＣ配置領域２０から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２とを備えている。なお、図４３は、ＣＯＦパッケージ６Ｋを、樹脂フィルム１の裏面、即ち、ＩＣチップ２が接合されている面と反対の面から見た図であり、このため、ＩＣチップ２、配線３、４が点線により示されている。突出部分１２は、ＩＣチップ２に対して＋Ｘ方向に位置している。
【0077】
ＣＯＦパッケージ６Ｋが電子機器に実装される場合、図４４、図４５に示すように、樹脂フィルム１が、突出部分１２の根元の位置において、突出部分１２が本体部分１１の裏面１１ａに対向するように樹脂フィルム１が折り曲げられる。更に、スティフナー５１がＩＣチップ２に対向する位置において突出部分１２に接合される。スティフナー５１は、機械的力が作用したときにＩＣチップ２の破損を防ぐために設けられる保護構造であり、一実施形態では、金属の板として形成される。一実施形態では、突出部分１２が、本体部分１１の裏面１１ａに接着材５２により接着され、スティフナー５１が、突出部分１２の、本体部分１１の裏面１１ａに接合する面と反対側の面に接着剤５３により接着される。
【0078】
このような構造は、スティフナー５１をＣＯＦパッケージ６Ｋに搭載する工程で生じ得るダメージの影響を抑制するために有効である。例えば図４６に図示されているような、本体部分１１の裏面１１ｃに金属製のスティフナー５１が直接に接合される構造では、スティフナー５１のエッジに形成されるバリ５１ａが、樹脂フィルム１を突き抜ける可能性がある。これは、電子機器の動作に影響するダメージを生じさせ得る。一方、図４３～図４５に示す本実施形態のＣＯＦパッケージ６Ｋでは、スティフナー５１のエッジに形成されるバリが樹脂フィルム１の本体部分１１を貫通しにくく、電子機器の動作に影響するダメージの発生を抑制できる。
【0079】
図４７に示すように、突出部分１２に開口５４が設けられてもよい。この場合、図４８、図４９に示すように、突出部分１２の根元の位置において樹脂フィルム１が折り曲げられ、スティフナー５１は、開口５４を塞ぐように突出部分１２に接合される。開口５４を設けることは、スティフナー５１の位置合わせを容易化し、スティフナー５１のズレを抑制するために有効である。
【0080】
図５０に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｌの樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１のＩＣ配置領域２０から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２１と、ＩＣ配置領域２０から－Ｘ方向に突出する突出部分１２２とを備えている。なお、図４７は、ＣＯＦパッケージ６Ｌを、樹脂フィルム１の裏面から見た図である。
【0081】
ＣＯＦパッケージ６Ｌが電子機器に実装される場合、図５１～図５３に示すように、突出部分１２１、１２２が本体部分１１の裏面１１ｃに向けて折り曲げられ、スティフナー５１が突出部分１２に接合される。樹脂フィルム１は、突出部分１２の根元の位置において、突出部分１２が本体部分１１の裏面１１ａに対向するように折り曲げられ、更に、スティフナー５１が突出部分１２１、１２２に接合される。
【0082】
このような構造も、スティフナー５１をＣＯＦパッケージ６Ｋに搭載する工程で生じ得るダメージの影響を抑制するために有効である。加えて、２つの突出部分１２１、１２２が設けられる本実施形態のＣＯＦパッケージ６Ｌの構造は、突出部分１２１、１２２のＸ軸方向の許容される最大の寸法が小さい場合に有効である。
【0083】
なお、図４３～図４５に示す実施形態、図４７～図４９に示す実施形態及び図５０及び図５１に示す実施形態においても、樹脂フィルム１を本体部分１１と突出部分１２、１２１、１２２とが接合する位置で折り曲げることを容易にするために、突出部分の本体部分と接合する部分を細く形成してもよい。
【0084】
例えば図５４に示す一実施形態のＣＯＦパッケージ６Ｍでは、突出部分１２の本体部分１１と接合する部分が、Ｙ軸方向における幅が細く形成されている。突出部分１２は、樹脂フィルム１の本体部分１１と接合する根元部分１２ａと、根元部分１２ａに＋Ｘ方向に接合する突出本体部分１２ｂとを有している。根元部分１２ａのＹ軸方向の幅は、突出本体部分１２ｂのＹ軸方向の幅よりも狭い。樹脂フィルム１の突出部分１２の＋Ｙ方向の縁と－Ｙ方向の縁にそれぞれ凹部１５ａ、１５ｂが形成されることで、根元部分１２ａのＹ軸方向の幅は、突出本体部分１２ｂのＹ軸方向の幅より狭くされている。ただし、凹部１５ａ、１５ｂは、その一方のみが形成されてもよい。このような構造によれば、樹脂フィルム１を本体部分１１と突出部分１２とが接合する位置で折り曲げることが容易になる。
【0085】
以上には、本開示の実施形態が具体的に記述されているが、本開示が種々の変更と共に実施され得ることは、当業者には理解されよう。上記の実施形態は、技術的な矛盾がない限り、組み合わせて実施され得る。
【符号の説明】
【0086】
１０、１０Ａ－１０Ｆ：集積回路装置
１ ：樹脂フィルム
２ ：ＩＣチップ
２ａ ：高速インターフェース
２ｂ ：第１半分部分
２ｃ ：第２半分部分
３ ：配線
３ａ ：配線
３ｂ ：接地線
３ｃ ：接地線
４ ：配線
５ ：カットライン
６、６Ａ－６Ｍ：ＣＯＦパッケージ
７ ：搬送穴
８ ：配線配置領域
９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃ：保護パターン
１１ ：本体部分
１１ａ ：エッジ
１１ｂ ：エッジ
１２、１２１、１２２、１２Ｂ、１２Ｃ：突出部分
１２ａ ：根元部分
１２ｂ ：突出本体部分
１３、１３１、１３２、１３Ｂ ：破線
１４ ：ソルダーレジスト
１５ａ、１５ｂ：凹部
２０ ：ＩＣ配置領域
２１ ：第１パターン部分
２２ ：第２パターン部分
２３ ：第３パターン部分
２４ ：第４パターン部分
２５ ：第５パターン部分
３０ ：ＩＣ配線配置領域
３１ ：第１部分
３２ ：第２部分
３３ ：第３部分
３４ ：第４部分
３５ ：第５部分
４０ ：ＦＰＣ
４１ ：差込穴
４２ ：幅広部分
４３１、４３２：嵌合構造
４４１、４４２：配線
４５ ：ソルダーレジスト
４５ａ ：開口
４６ ：導電体
５１ ：スティフナー
５２、５３：接着剤
５４ ：開口
１００ ：集積回路装置
１０１ ：樹脂フィルム
１０２ ：ＩＣチップ
１０３ ：配線
１０４ ：配線
１０５ ：カットライン
１０６ ：部分
１０７ ：搬送穴
１ ：樹脂フィルム
２ ：ＩＣチップ
２ａ ：高速インターフェース
２ｂ ：第１半分部分
２ｃ ：第２半分部分
３ ：配線
３ａ ：配線
３ｂ ：接地線
３ｃ ：接地線
４ ：配線
５ ：カットライン
６、６Ａ－６Ｍ：ＣＯＦパッケージ
７ ：搬送穴
８ ：配線配置領域
９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃ：保護パターン
１１ ：本体部分
１１ａ ：エッジ
１１ｂ ：エッジ
１２、１２１、１２２、１２Ｂ、１２Ｃ：突出部分
１２ａ ：根元部分
１２ｂ ：突出本体部分
１３、１３１、１３２、１３Ｂ ：破線
１４ ：ソルダーレジスト
１５ａ、１５ｂ：凹部
２０ ：ＩＣ配置領域
２１ ：第１パターン部分
２２ ：第２パターン部分
２３ ：第３パターン部分
２４ ：第４パターン部分
２５ ：第５パターン部分
３０ ：ＩＣ配線配置領域
３１ ：第１部分
３２ ：第２部分
３３ ：第３部分
３４ ：第４部分
３５ ：第５部分
４０ ：ＦＰＣ
４１ ：差込穴
４２ ：幅広部分
４３１、４３２：嵌合構造
４４１、４４２：配線
４５ ：ソルダーレジスト
４５ａ ：開口
４６ ：導電体
５１ ：スティフナー
５２、５３：接着剤
５４ ：開口
１００ ：集積回路装置
１０１ ：樹脂フィルム
１０２ ：ＩＣチップ
１０３ ：配線
１０４ ：配線
１０５ ：カットライン
１０６ ：部分
１０７ ：搬送穴
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20A】
【図20B】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】