特許 7109968 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-07-22

(45)【発行日】2022-08-01

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/302 20060101AFI20220725BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20220725BHJP

   G02F 1/1343 20060101ALI20220725BHJP

   G02F 1/1335 20060101ALI20220725BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20220725BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20220725BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20220725BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20220725BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20220725BHJP

   G02B 5/20 20060101ALI20220725BHJP

【ＦＩ】

G09F9/302 C

G02F1/1368

G02F1/1343

G02F1/1335 505

G09F9/30 338

G09F9/30 349C

H01L27/32

H05B33/14 A

H05B33/02

H05B33/12 B

G02B5/20 101

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2018072749

(22)【出願日】2018-04-04

(65)【公開番号】P2019184715

(43)【公開日】2019-10-24

【審査請求日】2021-03-09

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】前出 優次

【審査官】西島 篤宏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－０７９２０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／００９２１３５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０５１８２６３９（ＣＮ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００８／００４９０４７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開平０２－０４２４２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０１３５８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－００４８２２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／３０２

Ｇ０２Ｆ １／１３６８

Ｇ０２Ｆ １／１３４３

Ｇ０２Ｆ １／１３３５

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／０２

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｇ０２Ｂ ５／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に延び、第１信号が供給される第１Ａ信号線および第１Ｂ信号線と、
前記第１方向と交差する第２方向に延び、第２信号が供給される第２Ａ信号線および第２Ｂ信号線と、
前記第１Ａ、第１Ｂ、第２Ａおよび第２Ｂ信号線と重畳する遮光層と、
平面視において、前記遮光層によって規定される第１副画素、第２副画素、第３副画素、第４副画素および第５副画素と、
前記第１副画素を制御する第１トランジスタと、
前記第５副画素を制御する第５トランジスタと、
前記第１トランジスタに接続された第１画素電極と、
前記第５トランジスタに接続された第５画素電極と、
を備え、
前記第１副画素および前記第３副画素は、前記第１Ａ信号線により制御され、
前記第２副画素および前記第４副画素は、前記第１Ｂ信号線により制御され、
前記第１副画素、前記第２副画素および前記第５副画素は、前記第２Ａ信号線により制御され、
前記第３副画素および前記第４副画素は、前記第２Ｂ信号線により制御され、
前記第１副画素および前記第４副画素は、第１色の副画素であり、
前記第２副画素および前記第３副画素は、第２色の副画素であり、
前記第１方向において、前記第２副画素の幅は、前記第１副画素の幅よりも小さく、
前記第１方向における一方向を第１Ａ方向とし、他方向を第１Ｂ方向とした場合に、前記第１副画素は、前記第１Ａ方向側において第１Ａ端部を有し、前記第２副画素は、前記第１Ａ方向側において第２Ａ端部を有し、
前記第１Ａ端部と前記第２Ａ端部は、前記第１方向においてずれており、
前記第５副画素は、前記第１副画素と前記第２副画素の間にあり、
前記第１トランジスタと前記第１画素電極の接続位置は、前記第２Ａ信号線よりも前記第１Ｂ方向側にあり、
前記第５トランジスタと前記第５画素電極の接続位置は、前記第２Ａ信号線よりも前記第１Ａ方向側にある、
表示装置。

【請求項2】

前記第１副画素は、前記第１Ｂ方向側において第１Ｂ端部を有し、
前記第２副画素は、前記第１Ｂ方向側において第２Ｂ端部を有し、
前記第１Ｂ端部と前記第２Ｂ端部は、前記第１方向においてずれている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第２Ａ信号線は、複数の第１屈曲部と、前記複数の第１屈曲部の間の第１直線部とを有し、
前記第１直線部は、前記第１副画素と前記第５副画素に対応する位置に延在している、
請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記遮光層は、複数の第２屈曲部と、前記複数の第２屈曲部の間の第２直線部とを有し、
前記第２直線部は、前記第１副画素と前記第５副画素に対応する位置に延在し、
前記第２直線部は、前記第１直線部と重畳している、
請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第３副画素と前記第４副画素の間に、前記第２Ｂ信号線により制御される第３色の第６副画素をさらに備え、
前記第１色および前記第２色は、赤色、青色または緑色のいずれかであり、
前記第３色は、白色である、
請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１副画素の前記第２方向における幅は、前記第５副画素の前記第２方向における幅よりも大きい、
請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第１Ａ信号線は、前記第１方向に対して第１回転方向に傾斜する第１傾斜部と、前記第１方向に対して前記第１回転方向とは逆の第２回転方向に傾斜する第２傾斜部とを有し、
前記第１Ａ信号線は、前記第１傾斜部と前記第２傾斜部とが交互に繰り返す形状で前記第１方向に延び、
前記第１傾斜部の傾斜終了点と、前記第２傾斜部の傾斜開始点とが、前記第２方向においてずれている、
請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１Ａ信号線は、前記第１方向に対して第１回転方向に傾斜する第１傾斜部と、前記第１方向に対して前記第１回転方向とは逆の第２回転方向に傾斜する第２傾斜部と、前記第１方向に延びる非傾斜部とを有し、
前記第１Ａ信号線は、前記第１方向に延び、前記第１傾斜部と前記第２傾斜部とが前記非傾斜部を間に挟んで交互に繰り返す形状であり、
前記遮光層は、前記第２Ａ信号線と重畳して前記第２方向に延びる第２直線部を有し、
前記非傾斜部の前記第１方向における幅は、前記第２直線部の前記第１方向における幅よりも小さい、
請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項9】

前記第１Ａ信号線は、前記第１方向に対して第１回転方向に傾斜する第１傾斜部と、前記第１方向に対して前記第１回転方向とは逆の第２回転方向に傾斜する第２傾斜部と、前記第１方向に延びる非傾斜部とを有し、
前記第１Ａ信号線は、前記第１方向に延び、前記第１傾斜部と前記第２傾斜部とが前記非傾斜部を間に挟んで交互に繰り返す形状であり、
前記遮光層は、前記第２Ａ信号線と重畳して前記第２方向に延びる第２直線部を有し、
前記非傾斜部の前記第１方向における幅は、前記第２直線部の前記第１方向における幅よりも大きい、
請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第１信号は、映像信号であり、
前記第２信号は、走査信号である、
請求項１ないし９のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置の一例として、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置が知られている。これらの表示装置においては、例えば赤色、緑色および青色を含む複数の副画素の光を合成することでカラー表示を可能としている。

【0003】

各副画素の光の合成により得られる色度は、例えば副画素の境界に配置される遮光層（ブラックマトリクス）の開口率や、各副画素に配置されるカラーフィルタの明度によって調整することができる。しかしながら、開口率やカラーフィルタの明度を下げた副画素においては輝度のロスが発生するので、省電力化の観点からは望ましくない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１７８９８１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、輝度のロスを抑制しつつも良好な色度を実現可能な表示装置を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、第１方向に延び第１信号が供給される第１Ａ信号線および第１Ｂ信号線と、前記第１方向と交差する第２方向に延び第２信号が供給される第２Ａ信号線および第２Ｂ信号線と、前記第１Ａ、第１Ｂ、第２Ａおよび第２Ｂ信号線と重畳する遮光層と、平面視において前記遮光層によって規定される第１副画素、第２副画素、第３副画素、第４副画素および第５副画素と、前記第１副画素を制御する第１トランジスタと、前記第５副画素を制御する第５トランジスタと、前記第１トランジスタに接続された第１画素電極と、前記第５トランジスタに接続された第５画素電極と、を備えている。前記第１副画素および前記第３副画素は、前記第１Ａ信号線により制御される。前記第２副画素および前記第４副画素は、前記第１Ｂ信号線により制御される。前記第１副画素、前記第２副画素および前記第５副画素は、前記第２Ａ信号線により制御される。前記第３副画素および前記第４副画素は、前記第２Ｂ信号線により制御される。前記第１副画素および前記第４副画素は、第１色の副画素である。前記第２副画素および前記第３副画素は、第２色の副画素である。前記第１方向において、前記第２副画素の幅は、前記第１副画素の幅よりも小さい。前記第１方向における一方向を第１Ａ方向とし、他方向を第１Ｂ方向とした場合に、前記第１副画素は、前記第１Ａ方向側において第１Ａ端部を有し、前記第２副画素は、前記第１Ａ方向側において第２Ａ端部を有し、前記第１Ａ端部と前記第２Ａ端部は、前記第１方向においてずれている。前記第５副画素は、前記第１副画素と前記第２副画素の間にある。前記第１トランジスタと前記第１画素電極の接続位置は、前記第２Ａ信号線よりも前記第１Ｂ方向側にある。前記第５トランジスタと前記第５画素電極の接続位置は、前記第２Ａ信号線よりも前記第１Ａ方向側にある。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第１実施形態における表示装置の概略的な構成を示す図である。

【図2】図２は、第１実施形態における表示パネルの概略的な断面図である。

【図3】図３は、第１実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。

【図4】図４は、図３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。

【図5】図５は、図３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。

【図6】図６は、第２実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。

【図7】図７は、図６に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。

【図8】図８は、図６に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。

【図9】図９は、第３実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。

【図10】図１０は、第３実施形態における画素レイアウトの他の一例を示す図である。

【図11】図１１は、第３実施形態における画素レイアウトのさらに他の一例を示す図である。

【図12】図１２は、図９ないし図１１に示した不整合点における映像信号線の形状の第１調整方法を示す平面図である。

【図13】図１３は、図９ないし図１１に示した不整合点における映像信号線の形状の第２調整方法を示す平面図である。

【図14】図１４は、図９ないし図１１に示した不整合点における映像信号線の形状の第３調整方法を示す平面図である。

【図15】図１５は、第４実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。

【図16】図１６は、図１５に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。

【図17】図１７は、図１５に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。

【図18】図１８は、第５実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。

【図19】図１９は、第５実施形態における画素レイアウトの他の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

一実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

【0009】

本明細書において「αはＡ，Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示がない限り、αがＡ～Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

【0010】

本明細書における「第１α、第２α、第３α」という表現の「第１、第２、第３」は、要素を説明のために用いる便宜的な数字に過ぎない。つまり、特に明示が無い限り、「Ａが第３αを備える」という表現は、第３αの他の第１α及び第２αを、Ａが備えていない場合も含む。

【0011】

各実施形態においては、表示装置の一例として液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の表示装置としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示素子を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）を応用した表示装置、エレクトロクロミズムを応用した表示装置等が想定される。

【0012】

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰ（以下、単に表示装置ＤＳＰと呼ぶ）の概略的な構成を示す図である。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、フレキシブル回路基板ＦＰＣと、コントローラＣＴと、バックライトＢＬとを備えている。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、これら基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に配置された液晶層ＬＣとを備えている。

【0013】

表示パネルＰＮＬは、複数の副画素ＳＰを含む表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＰＡとを有している。周辺領域ＰＡには端子Ｔが設けられており、この端子Ｔにフレキシブル回路基板ＦＰＣが接続されている。図示した例では、コントローラＣＴがフレキシブル回路基板ＦＰＣに設けられている。コントローラＣＴは、例えば第１基板ＳＵＢ１など他の部材に設けられてもよい。バックライトＢＬは、表示パネルＰＮＬの背面に対向しており、表示に用いる光を供給する。

【0014】

第１基板ＳＵＢ１は、複数の映像信号線Ｓと、複数の走査信号線Ｇと、各映像信号線Ｓが接続されたソースドライバＳＤと、各走査信号線Ｇが接続されたゲートドライバＧＤとを備えている。複数の映像信号線Ｓは、第１方向Ｄ１に延びるとともに第２方向Ｄ２に並んでいる。複数の走査信号線Ｇは、第２方向Ｄ２に延びるとともに第１方向Ｄ１に並んでいる。ソースドライバＳＤは、各映像信号線Ｓに映像信号を供給する。ゲートドライバＧＤは、各走査信号線Ｇに走査信号を供給する。映像信号は第１信号の一例であり、走査信号は第２信号の一例である。

【0015】

副画素ＳＰは、例えば２本の映像信号線Ｓと２本の走査信号線Ｇで区画された領域に相当する。第１基板ＳＵＢ１は、各副画素ＳＰに配置された画素電極ＰＥおよびトランジスタＴＲを備えている。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、複数の副画素ＳＰにわたって延在する共通電極ＣＥを備えている。

【0016】

図２は、表示領域ＤＡにおける表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、第１基材１０と、絶縁層１１～１４と、第１配向膜１５とを備えている。トランジスタＴＲは、半導体層ＳＣと、中継電極ＲＥとを備えている。

【0017】

半導体層ＳＣは、第１基材１０の上面に形成されている。絶縁層１１は、半導体層ＳＣおよび第１基材１０の上面を覆っている。走査信号線Ｇは、絶縁層１１の上に形成されている。絶縁層１２は、走査信号線Ｇおよび絶縁層１１を覆っている。映像信号線Ｓおよび中継電極ＲＥは、絶縁層１２の上に形成されている。絶縁層１３は、映像信号線Ｓ、中継電極ＲＥおよび絶縁層１２を覆っている。共通電極ＣＥは、絶縁層１３の上に形成されている。絶縁層１４は、共通電極ＣＥを覆っている。画素電極ＰＥは、絶縁層１４の上に形成され、スリットＳＬを有している。第１配向膜１５は、画素電極ＰＥおよび絶縁層１４を覆っている。

【0018】

第２基板ＳＵＢ２は、第２基材２０と、遮光層２１（ブラックマトリクス）と、カラーフィルタ層２２と、オーバーコート層２３と、第２配向膜２４とを備えている。遮光層２１は、第２基材２０の下面に形成され、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓおよび中継電極ＲＥと対向している。カラーフィルタ層２２は、遮光層２１および第２基材２０の下面を覆っている。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ層２２を覆っている。第２配向膜２４は、オーバーコート層２３を覆っている。

【0019】

液晶層ＬＣは、配向膜１５，２４の間に配置されている。第１基材１０の下面には第１偏光板ＰＬ１が配置され、第２基材２０の上面には第２偏光板ＰＬ２が配置されている。表示パネルＰＮＬの構造は図２の例に限られず、種々の構成を適用できる。

【0020】

図３は、本実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。上述の表示領域ＤＡは、画素ＰＸ１～ＰＸ４を含む。画素ＰＸ１は、赤色の副画素ＳＰｒ１と、緑色の副画素ＳＰｇ１とを含む。画素ＰＸ２は、青色の副画素ＳＰｂ１と、白色の副画素ＳＰｗ１とを含む。画素ＰＸ３は、青色の副画素ＳＰｂ２と、白色の副画素ＳＰｗ２とを含む。画素ＰＸ４は、赤色の副画素ＳＰｒ２と、緑色の副画素ＳＰｇ２とを含む。

【0021】

副画素ＳＰｒ１と副画素ＳＰｂ１、副画素ＳＰｇ１と副画素ＳＰｗ１、副画素ＳＰｂ２と副画素ＳＰｒ２、副画素ＳＰｗ２と副画素ＳＰｇ２は、それぞれ第１方向Ｄ１に並ぶ。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２は、この順で第２方向Ｄ２に並ぶ。副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２は、この順で第２方向Ｄ２に並ぶ。

【0022】

表示領域ＤＡの全体においては、画素ＰＸ１～ＰＸ４にて構成される画素ユニットが、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２にマトリクス状に配列されている。このような画素レイアウトにおいては、例えばサブピクセルレンダリング（ＳＰＲ）により、２色の副画素ＳＰしか含まない各画素ＰＸ１～ＰＸ４をそれぞれフルカラー表示の１画素として利用し、高解像度の画像を表示することができる。

【0023】

副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２と副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２は、第１方向Ｄ１に対して異なる方向に傾斜している。これにより、疑似的なマルチドメインの画素レイアウトを実現できる。

【0024】

副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１である。副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１よりも小さいＷ１２である（Ｗ１２＜Ｗ１１）。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｂ２，ＳＰｒ２の第２方向Ｄ２における幅は、Ｗ２１である。副画素ＳＰｇ１，ＳＰｗ１，ＳＰｗ２，ＳＰｇ２の第２方向Ｄ２における幅は、Ｗ２１よりも小さいＷ２２である（Ｗ２２＜Ｗ２１）。

【0025】

このように、図３に示した画素レイアウトは、形状が異なる副画素ＳＰを含む。図３に示した破線は、副画素Ｗ１１＝Ｗ１２かつＷ２１＝Ｗ２２の場合における副画素ＳＰの境界である。画素ＰＸ１，ＰＸ２の中心Ｃ１は、白丸で示した位置から黒丸で示した位置に変位している。また、画素ＰＸ３，ＰＸ４の中心Ｃ２は、白丸で示した位置から黒丸で示した位置に変位している。

【0026】

ここで、図３に示したように、第１方向Ｄ１の一方向を第１Ａ方向Ｄ１ａと定義し、第１方向Ｄ１の他方向を第１Ｂ方向Ｄ１ｂと定義する。中心Ｃ１，Ｃ２の第１方向Ｄ１における変位距離は、いずれもδ１である。ただし、中心Ｃ１は第１Ａ方向Ｄ１ａに変位し、中心Ｃ２は第１Ｂ方向Ｄ１ｂに変位している。中心Ｃ１，Ｃ２の第２方向Ｄ２における変位距離は、いずれもδ２である。この例に限られず、中心Ｃ１，Ｃ２の第１方向Ｄ１における変位距離が互いに異なってもよいし、中心Ｃ１，Ｃ２の第２方向Ｄ２における変位距離が互いに異なってもよい。

【0027】

副画素ＳＰｒ１は、第１Ａ方向Ｄ１ａ側において第１Ａ端部Ｅ１ａを有し、第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側において第１Ｂ端部Ｅ１ｂを有している。副画素ＳＰｂ２は、第１Ａ方向Ｄ１ａ側において第２Ａ端部Ｅ２ａを有し、第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側において第２Ｂ端部Ｅ２ｂを有している。副画素ＳＰｂ１は、第１Ａ方向Ｄ１ａ側において第３Ａ端部Ｅ３ａを有し、第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側において第３Ｂ端部Ｅ３ｂを有している。副画素ＳＰｒ２は、第１Ａ方向Ｄ１ａ側において第４Ａ端部Ｅ４ａを有し、第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側において第４Ｂ端部Ｅ４ｂを有している。

【0028】

図３の例において、第１Ａ端部Ｅ１ａと第２Ａ端部Ｅ２ａは、第１方向Ｄ１において２×δ１ずれている。一方、第１Ｂ端部Ｅ１ｂと第２Ｂ端部Ｅ２ｂは、第１方向Ｄ１においてずれていない。副画素ＳＰｇ１，ＳＰｗ２に着目した場合でも、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ２と同様の関係が成り立つ。

【0029】

第３Ａ端部Ｅ３ａと第４Ａ端部Ｅ４ａは、第１方向Ｄ１においてずれていない。一方、第３Ｂ端部Ｅ３ｂと第４Ｂ端部Ｅ４ｂは、第１方向Ｄ１において２×δ１ずれている。副画素ＳＰｗ１，ＳＰｇ２に着目した場合でも、副画素ＳＰｂ１，ＳＰｒ２と同様の関係が成り立つ。

【0030】

図４および図５は、図３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。図４においては映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇ、画素電極ＰＥおよびトランジスタＴＲ（半導体層ＳＣ）を示し、図５においては映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇおよび遮光層２１を示している。

【0031】

図４に示すように、画素電極ＰＥは、複数の枝部ＢＲと、隣り合う枝部ＢＲの間の複数のスリットＳＬとを有している。ここでは３本の枝部ＢＲと２本のスリットＳＬを各画素電極ＰＥが有しているが、この例に限られない。

【0032】

半導体層ＳＣは、接続位置Ｐ１において映像信号線Ｓに接続され、接続位置Ｐ２において画素電極ＰＥに接続されている。接続位置Ｐ２においては図２に示した中継電極ＲＥが画素電極ＰＥと半導体層ＳＣの間に介在するが、図４においては中継電極ＲＥの図示を省略している。各副画素ＳＰは、半導体層ＳＣが接続された映像信号線Ｓおよび走査信号線Ｇによって制御される。

【0033】

各副画素ＳＰのいずれにおいても、接続位置Ｐ１，Ｐ２は、トランジスタＴＲを制御する走査信号線Ｇよりも第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側にある。半導体層ＳＣは、接続位置Ｐ１，Ｐ２の間で走査信号線Ｇと２回交差している。ただし、半導体層ＳＣは、走査信号線Ｇと１回のみ交差してもよい。この場合においては、例えば接続位置Ｐ１を走査信号線Ｇよりも第１Ａ方向Ｄ１ａ側に設けてもよい。

【0034】

画素電極ＰＥの電位は、当該画素電極ＰＥに接続された半導体層ＳＣと交差する走査信号線Ｇの電位の影響を受けて変動する。このように変動する電位差は、フィードスルー電圧と呼ばれる。フィードスルー電圧は、半導体層ＳＣと走査信号線Ｇとが交差する領域のチャネル幅が大きいほど大きくなり、チャネル幅が小さいほど小さくなる。また、フィードスルー電圧は、画素電極ＰＥのサイズが大きいほど小さくなり、画素電極ＰＥのサイズが小さいほど大きくなる。

【0035】

各副画素ＳＰのフィードスルー電圧が異なると、同じ階調の映像信号が供給されても画素電位にばらつきが生じ得る。そこで、各副画素ＳＰのチャネル幅を調整することにより、フィードスルー電圧のばらつきを抑制してもよい。例えば、画素電極ＰＥのサイズが大きい副画素ＳＰｒ１，ＳＰｒ２のチャネル幅を他の副画素ＳＰより大きくしてもよい。

【0036】

ここで、第１方向Ｄ１に対して反時計回りに回転する方向を第１回転方向Ｒ１と定義し、第１方向Ｄ１に対して第１回転方向とは逆に回転する方向を第２回転方向Ｒ２と定義する。映像信号線Ｓは、第１方向Ｄ１に対して第１回転方向Ｒ１に鋭角を成して傾斜する第１傾斜部Ｓａ１と、第１方向Ｄ１に対して第２回転方向Ｒ２に鋭角を成して傾斜する第２傾斜部Ｓａ２と、第１方向Ｄ１に延びる非傾斜部Ｓｂとを有している。映像信号線Ｓは、第１傾斜部Ｓａ１と第２傾斜部Ｓａ２とが非傾斜部Ｓｂを間に挟んで交互に繰り返す形状で第１方向Ｄ１に延びている。

【0037】

副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２の画素電極ＰＥは、いずれも第１傾斜部Ｓａ１と同様に傾斜している。副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２の画素電極ＰＥは、いずれも第２傾斜部Ｓａ２と同様に傾斜している。図４の例においては、副画素ＳＰｇ１，ＳＰｗ１，ＳＰｗ２，ＳＰｇ２の画素電極ＰＥの枝部ＢＲおよびスリットＳＬの幅が、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｂ２，ＳＰｒ２の画素電極ＰＥに比べて小さい。副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２の画素電極ＰＥの第１方向Ｄ１における幅が、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２の第１方向Ｄ１における幅よりも小さいためである。

【0038】

図４中の中央の走査信号線Ｇは、複数の第１直線部Ｇａと、複数の第１屈曲部Ｇｂとを有している。一方、隣接する２つの走査信号線Ｇは、第１屈曲部Ｇｂを有しておらず、中央の走査信号線Ｇよりも配線長が短くなっている。第１直線部Ｇａは、２つの第１屈曲部Ｇｂの間に位置し、これら第１屈曲部Ｇｂに接続されている。複数の第１直線部Ｇａは、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１と副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１の間、および、副画素ＳＰｂ２，ＳＰｗ２と副画素ＳＰｒ２，ＳＰｇ２の間にそれぞれに延在している。第１屈曲部Ｇｂは、映像信号線Ｓと重畳しており、各方向Ｄ１，Ｄ２のいずれとも交差する方向に延びている。図中の上方および下方の走査信号線Ｇは、屈曲することなく全体的に第２方向Ｄ２に延びている。

【0039】

図５に示すように、遮光層２１は、走査信号線Ｇと重畳する第２直線部２１ａを有している。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１と副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１の間の第２直線部２１ａ、および、副画素ＳＰｂ２，ＳＰｗ２と副画素ＳＰｒ２，ＳＰｇ２の間の第２直線部２１ａは、第１方向Ｄ１において互いにずれている。すなわち、これら第２直線部２１ａの間には、第２屈曲部２１ｃが形成されている。他の観点からいえば、第２直線部２１ａは、２つの第２屈曲部２１ｃの間に位置している。図中の上方および下方の走査信号線Ｇと重畳する第２直線部２１ａは、屈曲することなく全体的に第２方向Ｄ２に延びている。

【0040】

さらに、遮光層２１は、映像信号線Ｓと重畳する延在部２１ｂを有している。第２直線部２１ａと延在部２１ｂとで囲われた領域には開口Ａが形成されている。すなわち、遮光層２１は、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２において、それぞれ開口Ａｒ１，Ａｇ１，Ａｂ１，Ａｗ１，Ａｒ２，Ａｇ２，Ａｂ２，Ａｗ２を有している。例えば、開口Ａｒ１，Ａｒ２は同じサイズであり、開口Ａｇ１，Ａｇ２は同じサイズであり、開口Ａｂ１，Ａｂ２は同じサイズであり、開口Ａｗ１，Ａｗ２は同じサイズである。

【0041】

それぞれの開口Ａは、副画素ＳＰに対応する色のカラーフィルタ層２２と重畳する。ただし、白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２にはカラーフィルタ層２２が配置されなくてもよい。

【0042】

以上の本実施形態によれば、赤色、青色、緑色および白色の副画素ＳＰの合成色度を任意に調整することが可能である。例えば、図３に示したように中心Ｃ１，Ｃ２を移動することで、副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２が放つ白色を他の副画素ＳＰに比べて弱めることができる。

【0043】

図３に破線で示したように各色の副画素ＳＰが同じサイズである場合には、特定の副画素ＳＰで遮光層２１の開口Ａの面積やカラーフィルタ層２２の明度を意図的に下げることで合成色度を調整する必要がある。この方法では、上記特定の副画素ＳＰにてバックライトＢＬからの光の輝度のロスが生じる。これに対し、本実施形態のように各副画素ＳＰのサイズによって合成色度を調整する場合、遮光層２１の開口Ａの面積やカラーフィルタ層２２の明度を下げることなく合成色度の調整が可能である。したがって、輝度のロスを抑制して、表示装置ＤＳＰの省電力化や表示品位の向上を実現できる。

【0044】

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成は、第１実施形態と同様である。図６は、本実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。この画素レイアウトは、図３の例と同じく、画素ＰＸ１～ＰＸ４を有している。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２の形状は、図３の例と同様である。

【0045】

図６の画素レイアウトは、図３に示した画素レイアウトにおいて、画素ＰＸ３，ＰＸ４を矢印Ｑの方向（第１Ａ方向Ｄ１ａ）にδ１ずらしたものに相当する。これにより、第１Ａ端部Ｅ１ａと第２Ａ端部Ｅ２ａの第１方向Ｄ１におけるずれは、図３の例におけるずれ量（２×δ１）よりも小さいδ１に軽減される。また、第１Ｂ端部Ｅ１ｂと第２Ｂ端部Ｅ２ｂは、第１方向Ｄ１においてδ１ずれている。第３Ａ端部Ｅ３ａと第４Ａ端部Ｅ４ａは、第１方向Ｄ１においてδ１ずれている。

【0046】

図７および図８は、図６に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。図７においては映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇおよび画素電極ＰＥを示している。図８においては映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇおよび遮光層２１を示している。

【0047】

図７の中央を通る走査信号線Ｇは、図４の例と同じく、複数の第１直線部Ｇａと、複数の第１屈曲部Ｇｂとを有している。ただし、上述の通り第１Ａ端部Ｅ１ａと第２Ａ端部Ｅ２ａの第１方向Ｄ１におけるずれが本実施形態では小さいため、第１屈曲部Ｇｂの長さが図４の例に比べて小さい。

【0048】

さらに、図７の例においては、図中の上方および下方の走査信号線Ｇも複数の第１直線部Ｇａと複数の第１屈曲部Ｇｂとを有している。これにより、各走査信号線Ｇの配線長が実質的に同じとなるので、各走査信号線Ｇの抵抗が均一化される。

【0049】

図８において、遮光層２１は、図５の例と同じく、中央を通る走査信号線Ｇと重畳する第２直線部２１ａが第２屈曲部Ｇｂで屈曲している。さらに、図８の例においては、図中の上方および下方の走査信号線Ｇと重畳する第２直線部２１ａも第２屈曲部Ｇｂで屈曲している。

【0050】

ここで、再び図６を参照する。画素ＰＸ３，ＰＸ４を矢印Ｑの方向にずらすと、副画素ＳＰｇ１と副画素ＳＰｂ２の境界領域Ｘ１でこれら副画素の重なりが生じる。さらに、副画素ＳＰｗ１と副画素ＳＰｒ２の境界領域Ｘ２でこれら副画素の間に隙間が生じる。境界領域Ｘ１における重なりを解消すべく副画素ＳＰｂ２の形状を調整すると、副画素ＳＰｂ２の第２方向Ｄ２における幅は、図３に示した幅Ｗ２１よりも小さいＷ２１ａとなる（Ｗ２１ａ＜Ｗ２１）。また、境界領域Ｘ２における隙間を解消すべく副画素ＳＰｒ２の形状を調整すると、副画素ＳＰｒ２の第２方向Ｄ２における幅は、幅Ｗ２１よりも大きいＷ２１ｂとなる（Ｗ２１ｂ＞Ｗ２１）。よって、幅Ｗ２１ｂは幅Ｗ２１ａよりも大きくなっている。

【0051】

図７においては、副画素ＳＰｂ２，ＳＰｒ２の幅の変更に伴い、副画素ＳＰｂ２，ＳＰｒ２の画素電極ＰＥの形状が調整されている。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の画素電極ＰＥの枝部ＢＲは、第２方向Ｄ２においてそれぞれ幅Ｗ４１，４２，４１ａ，４２ａを有している。幅Ｗ４１ａは、幅Ｗ４１よりも大きい（Ｗ４１ａ＞Ｗ４１）。幅Ｗ４２ａは、幅Ｗ４２よりも小さい（Ｗ４２ａ＜Ｗ４２）。このように、図７の例においては、副画素ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の画素電極ＰＥの形状が、同じ色の他の副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１の画素電極ＰＥの形状と異なる。なお、枝部ＢＲの幅の調整に代えて、スリットＳＬの幅を調整してもよい。また、枝部ＢＲおよびスリットＳＬの双方の幅を調整してもよい。

【0052】

画素電極ＰＥの形状の調整に代えて、あるいは画素電極ＰＥの形状の調整とともに、遮光層２１の形状を調整してもよい。例えば図８に示すように、副画素ＳＰｇ１，ＳＰｂ２の間の延在部２１ｂの第２方向Ｄ２における幅Ｗ５１を、他の延在部２１ｂの幅Ｗ５０より小さくしてもよい（Ｗ５１＜Ｗ５０）。これにより、例えば副画素ＳＰｂ２の開口Ａｂ２のサイズを、同じ色の副画素ＳＰｂ１の開口Ａｂ１のサイズと同じにすることができる。また、副画素ＳＰｗ１，ＳＰｒ２の間の延在部２１ｂの第２方向Ｄ２における幅Ｗ５２を、他の延在部２１ｂの幅Ｗ５０より大きくしてもよい。（Ｗ５２＞Ｗ５０）。これにより、例えば副画素ＳＰｒ２の開口Ａｒ２のサイズを、同じ色の副画素ＳＰｒ１の開口Ａｒ１のサイズと同じにすることができる。

【0053】

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。第２実施形態においては、青色の副画素ＳＰｂ２が同じく青色の副画素ＳＰｂ１よりも小さい幅Ｗ２１ａを有し、赤色の副画素ＳＰｒ２が同じく赤色の副画素ＳＰｒ１よりも大きい幅Ｗ２１ｂを有する画素レイアウトを開示した。本実施形態においては、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の幅がいずれも同じＷ２１である画素レイアウトを開示する。特に言及しない構成は、他の実施形態と同様である。

【0054】

図９は、本実施形態に係る画素レイアウトの一例を示す図である。この画素レイアウトは、図６に示した画素レイアウトにおいて、画素ＰＸ３を矢印Ｑ１の方向にずらすとともに画素ＰＸ４を矢印Ｑ２の方向にずらしている。画素ＰＸ３，ＰＸ４をずらす距離は、例えばδ１×ｔａｎθである。このθは、図９に示すように、各副画素ＳＰを第１方向Ｄ１に対して傾ける角度（シェブロン角）である。これにより、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の幅が、第１方向Ｄ１に対し傾斜した部分においていずれもＷ２１となる。

【0055】

図１０は、本実施形態に係る画素レイアウトの他の一例を示す図である。この画素レイアウトは、図６に示した画素レイアウトにおいて、画素ＰＸ１を矢印Ｑ２の方向にずらすとともに画素ＰＸ２を矢印Ｑ１の方向にずらしている。画素ＰＸ１，ＰＸ２をずらす距離は、例えばδ１×ｔａｎθである。これにより、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の幅が、第１方向Ｄ１に対し傾斜した部分においていずれもＷ２１となる。

【0056】

図１１は、本実施形態に係る画素レイアウトのさらに他の一例を示す図である。この画素レイアウトは、図６に示した画素レイアウトにおいて、画素ＰＸ１，ＰＸ４を矢印Ｑ２の方向にずらしている。画素ＰＸ１，ＰＸ４をずらす距離は、例えばδ１×ｔａｎθである。このように画素ＰＸ１，ＰＸ４をずらすことで、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の幅が、第１方向Ｄ１に対し傾斜した部分においていずれもＷ２１となる。

【0057】

図９の例においては、副画素ＳＰｗ２，ＳＰｇ２が第２方向Ｄ２にずれるため、図示したように副画素ＳＰｗ２，ＳＰｇ２の第２方向Ｄ２における両側辺が整合しない複数の不整合点Ｎが生じる。図１０および図１１の例においても同様に、複数の不整合点Ｎが生じる。

【0058】

不整合点Ｎにおいては、映像信号線Ｓを屈曲させるなどの調整が必要である。図９および図１０の例においては、不整合点Ｎにおけるずれの距離が大きい。したがって、映像信号線Ｓの形状を大きく変形させる必要がある。さらに、図９および図１０の例においては、不整合点Ｎを通らない映像信号線Ｓも存在するため、それぞれの映像信号線Ｓで長さが揃わない。これにより、映像信号線Ｓの抵抗にばらつきが生じるため、表示品位が低下し得る。

【0059】

一方、図１１の例においては、不整合点Ｎにおけるずれの距離が小さい。さらに、全ての映像信号線Ｓが不整合点Ｎを通るので、これら映像信号線Ｓの長さが揃う。これにより、映像信号線Ｓの抵抗も均一となり、良好な表示品位を得ることができる。

【0060】

図１２ないし図１４は、不整合点Ｎにおける映像信号線Ｓの形状の第１ないし第３調整方法を示す平面図である。これらの図においては、図１１における副画素ＳＰｇ１，ＳＰｗ１，ＳＰｂ２，ＳＰｒ２の境界に生じる不整合点Ｎに着目している。

【0061】

図１２に示す第１調整方法においては、映像信号線Ｓを不整合点Ｎにおいて屈曲させている。具体的には、映像信号線Ｓは、第１傾斜部Ｓａ１と第２傾斜部Ｓａ２の間に、第１非傾斜部Ｓｂ１と、第２非傾斜部Ｓｂ２と、これら非傾斜部Ｓｂ１，Ｓｂ２の間の屈曲部Ｓｃとを有している。

【0062】

図１２中の鎖線は、屈曲部Ｓｃを有さない場合の映像信号線Ｓの形状である。この鎖線との比較から分かるように、第２傾斜部Ｓａ２は、屈曲部Ｓｃを有することで副画素ＳＰｗ１側に移動している。第１傾斜部Ｓａ１の傾斜終了点Ｐａ（第１傾斜部Ｓａ１と第１非傾斜部Ｓｂ１の接続位置）と、第２傾斜部Ｓａ２の傾斜開始点Ｐｂ（第２傾斜部Ｓａ２と第２非傾斜部Ｓｂ２の接続位置）とは、第２方向Ｄ２にずれている。

【0063】

屈曲部Ｓｃは、走査信号線Ｇと重畳している。ただし、走査信号線Ｇと重畳しない位置に屈曲部Ｓｃを設けてもよい。屈曲部Ｓｃは、各非傾斜部Ｓｂ１，Ｓｂ２を曲線状に滑らかに接続する形状であってもよい。

【0064】

図１３に示す第２調整方法においては、映像信号線Ｓが屈曲部Ｓｃを有していない。また、傾斜終了点Ｐａと傾斜開始点Ｐｂが第２方向Ｄ２においてずれていない。ただし、傾斜終了点Ｐａは、鎖線で示す形状調整前の映像信号線Ｓよりも、傾斜開始点Ｐｂに近づく方向に移動している。これにより、非傾斜部Ｓｂおよび第２傾斜部Ｓａ２は、形状調整前に比べて副画素ＳＰｗ１側に移動している。

【0065】

傾斜終了点Ｐａの位置を変更したことにより、非傾斜部Ｓｂの第１方向Ｄ１における幅Ｗ６が、鎖線で示す調整前の形状よりも小さくなる。一例として、形状調整前の非傾斜部Ｓｂの第１方向Ｄ１における幅Ｗ６は、遮光層２１の第２直線部２１ａの第１方向Ｄ１における幅Ｗ７と同じである。一方、形状調整後の幅Ｗ６は、幅Ｗ７よりも小さい（Ｗ６＜Ｗ７）。

【0066】

図１４に示す第３調整方法においては、第２調整方法と同じく映像信号線Ｓが屈曲部Ｓｃを有していない。また、傾斜終了点Ｐａと傾斜開始点Ｐｂが第２方向Ｄ２においてずれていない。ただし、傾斜開始点Ｐｂは、鎖線で示す形状調整前の映像信号線Ｓよりも、傾斜終了点Ｐａから離れる方向に移動している。これにより、第２傾斜部Ｓａ２は、形状調整前に比べて副画素ＳＰｗ１側に移動している。

【0067】

傾斜開始点Ｐｂの位置を変更したことにより、非傾斜部Ｓｂの幅Ｗ６が、鎖線で示す調整前の形状よりも大きくなる。例えば、幅Ｗ６は、幅Ｗ７よりも大きい（Ｗ６＞Ｗ７）。

【0068】

なお、図１２ないし図１４においては図中の右側に第２傾斜部Ｓａ２を移動させる場合を想定したが、同様の方法により第２傾斜部Ｓａ２を図中の左方向に移動させることもできる。図１１に示した複数の不整合点Ｎには、第１ないし第３調整方法のいずれかを統一的に適用してもよいし、第１ないし第３調整方法のうちの２つ以上を適用してもよい。図９および図１０に示した不整合点Ｎにも第１ないし第３調整方法を適用できる。

【0069】

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。特に言及しない構成は、他の実施形態と同様である。図１５は、本実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。この画素レイアウトは、図６の例と同じく、画素ＰＸ１～ＰＸ４を有している。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２の形状は、図６の例と同様である。

【0070】

図１５の画素レイアウトは、図６に示した画素レイアウトにおいて、緑色の副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２を拡大し、白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２を縮小したものに相当する。すなわち、副画素ＳＰｇ１は、隣の副画素ＳＰｒ１よりも第１Ａ方向Ｄ１ａに突出する拡大部分ＥＸ１を有している。また、副画素ＳＰｇ２は、隣の副画素ＳＰｒ１よりも第１Ａ方向Ｄ１ａに突出する拡大部分ＥＸ２を有している。

【0071】

図１６および図１７は、図１５に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。図１６においては映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇ、画素電極ＰＥおよびトランジスタＴＲ（半導体層ＳＣ）を示している。図１７においては映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇおよび遮光層２１を示している。

【0072】

両図において、映像信号線Ｓおよび走査信号線Ｇの形状は、図７と同様である。また、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｂ２，ＳＰｒ２における画素電極ＰＥおよび半導体層ＳＣの形状も、図７と同様である。

【0073】

図１６の例において、副画素ＳＰｇ１の画素電極ＰＥは、中央の走査信号線Ｇを超えて延在している。このように画素電極ＰＥが拡大した部分が、上述の拡大部分ＥＸ１に相当する。副画素ＳＰｇ１の半導体層ＳＣと映像信号線Ｓの接続位置Ｐ１は、中央の走査信号線Ｇより第１Ａ方向Ｄ１ａ側にある。副画素ＳＰｇ１の半導体層ＳＣと画素電極ＰＥの接続位置Ｐ２も、中央の走査信号線Ｇより第１Ａ方向Ｄ１ａ側にある。

【0074】

同様に、副画素ＳＰｇ２の画素電極ＰＥは、走査信号線Ｇと重畳し、下方の走査信号線Ｇを超えて延在している。このように画素電極ＰＥが拡大した部分が、上述の拡大部分ＥＸ２に相当する。副画素ＳＰｇ１の半導体層ＳＣの接続位置Ｐ１，Ｐ２は、下方の走査信号線Ｇより第１Ａ方向Ｄ１ａ側にある。

【0075】

副画素ＳＰｗ１においては、副画素ＳＰｇ１の画素電極ＰＥが拡大することに伴い、画素電極ＰＥの第１方向Ｄ１における幅が減少している。同様に、副画素ＳＰｗ２においては、その上方に配置される図示せぬ副画素ＳＰｇ２の画素電極ＰＥが拡大することに伴い、画素電極ＰＥの第１方向Ｄ１における幅が減少している。

【0076】

このように副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２の画素電極ＰＥの形状や接続位置Ｐ１，Ｐ２を調整したことにより、図１７に示すように開口Ａｇ１，Ａｇ２を拡大することができる。すなわち、開口Ａｇ１，Ａｇ２の第１方向Ｄ１における幅Ｗ８ａは、開口Ａｒ１，Ａｒ２の第１方向Ｄ１における幅Ｗ８よりも大きい（Ｗ８ａ＞Ｗ８）。一方で、開口Ａｗ１，Ａｗ２の第１方向Ｄ１における幅Ｗ９ａは、開口Ａｂ１，Ａｂ２の第１方向Ｄ１における幅Ｗ９よりも小さい（Ｗ９ａ＜Ｗ９）。

【0077】

なお、本実施形態においては緑色の副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２を拡大し、白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２を縮小する場合を例示したが、同様の方法により他の色の副画素ＳＰを拡大または縮小することもできる。このように、本実施形態によれば、各色の副画素ＳＰの合成色度の調整幅を上述の各実施形態よりもさらに広げることができる。図９ないし図１１に示した画素レイアウトにおいても、本実施形態と同様の方法で特定の色の副画素ＳＰを拡大または縮小することが可能である。

【0078】

［第５実施形態］
第５実施形態について説明する。特に言及しない構成は、他の実施形態と同様である。図１８は、本実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。この画素レイアウトは、図３の例と同じく、画素ＰＸ１～ＰＸ４を有している。ただし、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２は、図３の例のように第１方向Ｄ１に対して傾斜していない。

【0079】

このような画素レイアウトにおいても、画素ＰＸ１，ＰＸ２の中心Ｃ１と画素ＰＸ３，ＰＸ４の中心Ｃ２を図３と同様に移動させることで、各副画素ＳＰの形状を調整することができる。

【0080】

図１９は、図１８に示した画素レイアウトにおいて、画素ＰＸ３，ＰＸ４を矢印Ｑの方向（第１Ａ方向Ｄ１ａ）にδ１ずらしたものに相当する。このような画素レイアウトにおいては、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0081】

以上の第１ないし第５実施形態においては、赤色、緑色、青色および白色の副画素ＳＰを含む画素レイアウトを開示した。しかしながら、各実施形態にて開示した手法は、種々の画素レイアウトに適用できる。例えば、画素レイアウトは、赤色、緑色、青色および白色以外の色の副画素ＳＰを備えてもよい。また、画素レイアウトは、白色の副画素ＳＰを備えず、赤色、緑色および青色の副画素ＳＰで構成されてもよい。

【0082】

また、各実施形態においては、赤色の副画素ＳＰを拡大し、白色の副画素ＳＰを縮小する方向に画素レイアウトを調整する場合を例示した。しかしながら、赤色の副画素ＳＰを縮小する方向や、白色の副画素ＳＰを拡大する方向に画素レイアウトを調整してもよい。

【0083】

本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0084】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0085】

また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0086】

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、Ｓ…映像信号線（第１Ａ信号線および第１Ｂ信号線の一例）、Ｇ…走査信号線（第２Ａ信号線および第２Ｂ信号線の一例）、ＰＸ１～ＰＸ４…画素、ＳＰ…副画素、ＰＥ…画素電極、ＴＲ…トランジスタ、ＳＣ…半導体層、２１…遮光層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】