特許7111608IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

センサ及びセンサの製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

第１電極は、貴金属と、第１固体電解質体に含まれるセラミックとを含有する。第１電極に対してリッチエージング処理が行われる。リッチエージング処理を行うと、第１電極において変質が進行し、貴金属及びセラミックが共存する共存領域が形成される。共存領域が形成されると、貴金属と固体電解質とガスとの三相界面が増えるため、第１電極とガスとの反応性が向上し、第１電極の活性が向上する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一局面は、検知部を備えるセンサである。検知部は、被測定ガスが導入される測定室と、前記測定室から素子外部への酸素の汲み出し、又は前記素子外部から前記測定室への酸素の汲み入れを行うポンプセルと、前記測定室内と、所定の酸素濃度の雰囲気を有する基準空間との酸素濃度差に応じて電圧Ｖｓ又は電流を発生する基準セルと、を備える。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 ＮＯｘセンサを軸線方向に沿って破断した断面図である。
【図2】 ガスセンサ素子を軸方向の一部を省略して示す斜視図である。
【図3】 ガスセンサ素子の先端側を厚み方向に破断しその内部構造を拡大して示す説明図である。
【図4】 第１電極の表面におけるジルコニア領域、白金領域、共存領域、及び隙間の領域を表す説明図である。
【図5】 第１電極の表面におけるＡ領域及びＢ領域を表す説明図である。
【図6】 ガスセンサ素子に接続される電気的構成を示す説明図である。
【図7】 Ａ領域で取得した反射電子像と、その反射電子像における１０箇所で測定した共存領域の幅とを表す写真である。
【図8】 Ｂ領域で取得した反射電子像と、その反射電子像における１０箇所で測定した共存領域の幅とを表す写真である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…ＮＯｘセンサ、７…ガスセンサ素子、６５…ヒータ、６７、７１、７５、７９、８１…絶縁層、６９…第１固体電解質体、７３…第２固体電解質体、７７…第３固体電解質体、８３…第１ポンプセル、８５…基準セル、８７…第２ポンプセル、８９…第１測定室、９１…第１拡散抵抗部、９３…第２拡散抵抗部、９５…第２測定室、９７…抵抗発熱体、９９…第２電極、１０１…第１電極、１０３…開口部、１０５…多孔質層、１０９…第３電極、１１１…第４電極、１１３…基準酸素室、１１５…第５電極、１１７…第６電極、３０１…Ａ領域、３０３…Ｂ領域、３０５…最遠部、３０７…最近部、３０９…ａ点、３１３…ｂ点

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