(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-07-27
(45)【発行日】2022-08-04
(54)【発明の名称】有機分子、特に光電子デバイスに用いる有機分子
(51)【国際特許分類】
C07D 209/86 20060101AFI20220728BHJP
C07D 403/14 20060101ALI20220728BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20220728BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20220728BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20220728BHJP
H01L 51/05 20060101ALI20220728BHJP
H01L 51/30 20060101ALI20220728BHJP
H01L 51/40 20060101ALI20220728BHJP
H01L 51/46 20060101ALI20220728BHJP
【ＦＩ】
C07D209/86
C07D403/14
C09K11/06 640
C09K11/06 645
H05B33/10
H05B33/14 B
H05B33/22 B
H05B33/22 D
H01L29/28 100A
H01L29/28 250H
H01L29/28 310J
H01L31/04 166
H01L31/04 154C
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2020509507
(86)(22)【出願日】2018-08-23
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2020-11-05
(86)【国際出願番号】 EP2018072760
(87)【国際公開番号】W WO2019038376
(87)【国際公開日】2019-02-28
【審査請求日】2020-02-18
(31)【優先権主張番号】17187992.7
(32)【優先日】2017-08-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】特許業務法人ＰＯＲＴ
(74)【代理人】
【識別番号】110002952
【氏名又は名称】特許業務法人鷲田国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】アルホナ エステバン アラマ
【審査官】神谷 昌克
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１７／００５６９９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１８６９７３（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０７Ｄ
Ｈ０５Ｂ
Ｈ０１Ｌ
Ｃ０９Ｋ
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
式ＩＶａの構造を含む有機分子であって、【化1】
式ＩＶａ
式中、
Ｒ1は、出現ごとに互いに独立して、水素および重水素から成る群から選択され、
Ｒ2は、出現ごとに互いに独立して、水素および重水素から成る群から選択され、
Ｒ c は、出現ごとに互いに独立して、
水素、
重水素、
Ｍｅ、
i Ｐｒ、
t Ｂｕ、
Ｐｈ基（Ｍｅ、 i Ｐｒ、 t Ｂｕ、ＣＮ、ＣＦ 3 、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されていてもよい）、
ピリジニル基（Ｍｅ、 i Ｐｒ、 t Ｂｕ、ＣＮ、ＣＦ 3 、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されていてもよい）、
ピリミジニル基（Ｍｅ、 i Ｐｒ、 t Ｂｕ、ＣＮ、ＣＦ 3 、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されていてもよい）、
カルバゾリル基（Ｍｅ、 i Ｐｒ、 t Ｂｕ、ＣＮ、ＣＦ 3 、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されていてもよい）、
トリアジニル基（Ｍｅ、 i Ｐｒ、 t Ｂｕ、ＣＮ、ＣＦ 3 、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されていてもよい）、
および、Ｎ（Ｐｈ） 2 から成る群から選択される、有機分子。
【請求項2】
Ｒ1およびＲ2がＨである、請求項１に記載の有機分子。
【請求項3】
Ｒ2－置換、シアノ－置換１－ブロモ－２－フルオロフェニルを反応物質として含む、請求項１または２に記載の有機分子を調製するためのプロセス。
【請求項4】
光電子デバイス中における、発光体および／またはホスト材料および／または電子輸送材料および／または正孔注入材料および／または正孔ブロッキング材料としての、請求項１または２に記載の有機分子の使用。
【請求項5】
前記光電子デバイスが、・ 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、
・ 発光電気化学セル、
・ ＯＬＥＤセンサー、
・ 有機ダイオード、
・ 有機太陽電池、
・ 有機トランジスタ、
・ 有機電界効果トランジスタ、
・ 有機レーザー、および
・ ダウンコンバージョン素子、から成る群から選択される、請求項４に記載の使用。
【請求項6】
（ａ） 発光体および／またはホストの形態である、請求項１または２に記載の少なくとも１つの有機分子と、（ｂ） 請求項１または２に記載の前記有機分子とは異なる、一つまたは複数の発光体材料および／またはホスト材料と、を含み、
（ｃ） 一つもしくは複数の色素および／または一つもしくは複数の溶媒を含んでもよい、組成物。
【請求項7】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル、ＯＬＥＤセンサー、有機ダイオード、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機電界効果トランジスタ、有機レーザーならびにダウンコンバージョン素子から成る群から選択されるデバイスの形態である、請求項１または２に記載の有機分子または請求項６に記載の組成物を含む、光電子デバイス。
【請求項8】
－ 基板、－ アノード、
－ カソード、
－ 少なくとも１つの発光層を含み、
前記アノードまたは前記カソードが前記基板上に配置され、
前記発光層が前記アノードと前記カソードとの間に配置され、請求項１または２に記載の有機分子または請求項６に記載の組成物を含む、請求項７に記載の光電子デバイス。
【請求項9】
請求項１または２に記載の有機分子または請求項６に記載の組成物を用い、真空蒸着法または溶液からの前記有機化合物の処理を含む、光電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光有機分子に関するものであり、ならびに有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ）および他の光電子デバイスにおける当該発光有機分子の使用に関する。
【発明の概要】
【0002】
本発明の目的は、光電子デバイスに用いるために適切な分子を提供することである。
【0003】
この目的は、新種の有機分子を提供する本発明により達成される。
【0004】
本発明の有機分子は、純粋な有機分子である。すなわち当該有機分子は、光電子デバイスにおける用途が知られている金属錯体とは対照的に、全く金属イオンを含有しない。
【0005】
本発明によれば、有機分子は、青色、水色または緑色のスペクトル領域に発光極大を示す。有機分子は、特に４２０ｎｍ～５２０ｎｍ、好ましくは４４０ｎｍ～４９５ｎｍ、より好ましくは４５０ｎｍ～４７０ｎｍにおいて発光極大を示す。本発明による有機分子のフォトルミネッセンス量子収率は、特に２０％以上である。本発明による分子は、特に熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す。光電子デバイス、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）における本発明による分子の使用は、デバイスのより高い効率をもたらす。対応するＯＬＥＤは、公知の発光体材料および同等の色を備えたＯＬＥＤよりも高い安定性を有する。
【0006】
本発明による有機発光分子は、以下の式Ｉの構造を含む、またはそれから成り、
式Ｉ
【化1】
【0007】
Ｖ、ＷおよびＹは、互いに独立して、ＣＮおよびＲ2から成る群から選択される。
【0008】
Ｚは、出現ごとに互いに独立して、直接結合、ＣＲ3Ｒ4、Ｃ＝Ｒ3Ｒ4、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ3、ＮＲ3、Ｏ、ＳｉＲ3Ｒ4、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）2から成る群から選択され、
【0009】
Ｒ1は、出現ごとに互いに独立して、
水素、
重水素、
炭素数１～５のアルキル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、
炭素数２～８のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、
炭素数２～８のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、および
炭素数６～１８のアリール基、
随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕおよびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
水素、
重水素、
炭素数１～５のアルキル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、
炭素数２～８のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、
炭素数２～８のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、および
炭素数６～１８のアリール基、
随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕおよびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
【0010】
Ｒ2は、出現ごとに互いに独立して、
水素、
重水素、
炭素数１～５のアルキル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、
炭素数２～８のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、
炭素数２～８のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、および
炭素数６～１８のアリール基、
随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕおよびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
水素、
重水素、
炭素数１～５のアルキル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、
炭素数２～８のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、
炭素数２～８のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は重水素で置換されている、および
炭素数６～１８のアリール基、
随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕおよびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
【0011】
Ｒa、Ｒ3およびＲ4は、出現ごとに互いに独立して、水素、重水素、Ｎ（Ｒ5）2、ＯＲ5、Ｓｉ（Ｒ5）3、Ｂ（ＯＲ5）2、ＯＳＯ2Ｒ5、ＣＦ3、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
炭素数１～４０のアルキル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されている、
炭素数１～４０のアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数１～４０のチオアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数２～４０のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数２～４０のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数６～６０のアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、および
炭素数３～５７のヘテロアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、から成る群から選択される。
炭素数１～４０のアルキル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されている、
炭素数１～４０のアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数１～４０のチオアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数２～４０のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数２～４０のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数６～６０のアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、および
炭素数３～５７のヘテロアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、から成る群から選択される。
【0012】
Ｒ5は、出現ごとに互いに独立して、水素、重水素、Ｎ（Ｒ6）2、ＯＲ6、Ｓｉ（Ｒ6）3、Ｂ（ＯＲ6）2、ＯＳＯ2Ｒ6、ＣＦ3、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
炭素数１～４０のアルキル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数１～４０のアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数１～４０のチオアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数２～４０のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数２～４０のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数６～６０のアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されている、
炭素数３～５７のヘテロアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されている、から成る群から選択される。
炭素数１～４０のアルキル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数１～４０のアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数１～４０のチオアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数２～４０のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数２～４０のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6で置換されている、
炭素数６～６０のアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されている、
炭素数３～５７のヘテロアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ6で置換されている、から成る群から選択される。
【0013】
Ｒ6は、水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ3、ＣＮ、Ｆ、
炭素数１～５のアルキル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数１～５のアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数１～５のチオアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数２～５のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数２～５のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数６～１８のアリール基、
随意に一つまたは複数の炭素数１～５のアルキル置換基で置換されている、
炭素数３～１７のヘテロアリール基、
随意に一つまたは複数の炭素数１～５のアルキル置換基で置換されている、
Ｎ（炭素数６～１８のアリール）2、
Ｎ（炭素数３～１７のヘテロアリール）2、および
Ｎ（炭素数３～１７のヘテロアリール）（炭素数６～１８のアリール）から成る群から選択される。
炭素数１～５のアルキル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数１～５のアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数１～５のチオアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数２～５のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数２～５のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の水素原子は、互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ3またはＦで置換されている、
炭素数６～１８のアリール基、
随意に一つまたは複数の炭素数１～５のアルキル置換基で置換されている、
炭素数３～１７のヘテロアリール基、
随意に一つまたは複数の炭素数１～５のアルキル置換基で置換されている、
Ｎ（炭素数６～１８のアリール）2、
Ｎ（炭素数３～１７のヘテロアリール）2、および
Ｎ（炭素数３～１７のヘテロアリール）（炭素数６～１８のアリール）から成る群から選択される。
【0014】
本発明によれば、Ｖ、ＷおよびＹから成る群から選択される厳密に一つの置換基は、ＣＮである。
【0015】
本発明のさら成る一つの実施形態において、有機分子は、以下の式Ｉａの構造を含む、またはそれから成る：
式Ｉａ
【化2】
【0016】
式中、上述の定義が適用される。
【0017】
一つの実施形態において、Ｒ1およびＲ2は、出現ごとに互いに独立して、水素（Ｈ）、メチル、メシチル、トリルおよびフェニルから成る群から選択される。トリルという用語は、２－トリル、３－トリル、および４－トリルを指す。
【0018】
一つの実施形態において、Ｒ1およびＲ2は、出現ごとに互いに独立して、水素（Ｈ）、メチル、およびフェニルから成る群から選択される。
【0019】
一つの実施形態において、Ｒ1およびＲ2は水素（Ｈ）である。
【0020】
一つの実施形態において、ＶはＣＮである。
【0021】
一つの実施形態において、ＷはＣＮである。
【0022】
一つの実施形態において、ＹはＣＮである。
【0023】
本発明の一つの実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩａの構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩａ
【化3】
【0024】
式中、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｒ1、2およびＲaは、上記の通りに定義され、
【0025】
本発明の一つの実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩａ－１の構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩａ－１
【化4】
【0026】
式中、Ｒ1、2およびＲaは、上記の通りに定義される。
【0027】
本発明のさらなる実施形態において、Ｒaは、出現ごとに互いに独立して、Ｈ、
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
ＣＮ、
ＣＦ3、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリミジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
カルバゾリル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
および、Ｎ（Ｐｈ）2から成る群から選択される。
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
ＣＮ、
ＣＦ3、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリミジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
カルバゾリル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
および、Ｎ（Ｐｈ）2から成る群から選択される。
【0028】
本発明のさら成る実施形態において、Ｒaは、出現ごとに互いに独立して、Ｈ、
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
ＣＮ、
ＣＦ3、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリミジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、および
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
ＣＮ、
ＣＦ3、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリミジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、および
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
【0029】
本発明のさら成る実施形態において、Ｒaは、出現ごとに互いに独立して、Ｈ、
Ｍｅ、
tＢｕ、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
Ｍｅ、
tＢｕ、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
【0030】
本発明のさらなる実施形態において、Ｒaは、出現ごとにＨである。
【0031】
本発明のさらなる実施形態では、少なくとも一つの置換基Ｒaは水素ではない、すなわち、置換基のＲaの１つ、２つ、３つ、４つなどが有機分子において水素ではない。いくつかの実施形態では、少なくとも一つの置換基Ｒaは、例えば、式Ｉ、Ｉａ、ＩＩａ、およびＩＩａ－１に示すとおり、置換基Ｒaを持つ二つの環系の一つにおいて水素ではない。いくつかの実施形態では、少なくとも一つの置換基Ｒaは、例えば、式Ｉ、Ｉａ、ＩＩａ、およびＩＩａ－１に示すとおり、置換基Ｒaを持つ二つの環系の両方において水素ではない。
【0032】
Ｚが直接結合であり、および／またはＲ1がＲ2と等しい、いくつかの実施形態では、少なくとも一つの置換基Ｒaは、例えば、式Ｉ、Ｉａ、ＩＩａ、およびＩＩａ－１に示すとおり、置換基Ｒaを持つ二つの環系の一方または両方において水素ではない。
【0033】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩｂ、式ＩＩｂ－２、式ＩＩｂ－３または式ＩＩｂ－４の群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩｂ
式ＩＩｂ－２
式ＩＩｂ－３
式ＩＩｂ－４
【化5】
【化6】
【化7】
【化8】
【0034】
式中、
Ｒbは、出現ごとに互いに独立して、
重水素、
Ｎ（Ｒ5）2、
ＯＲ5、
Ｓｉ（Ｒ5）3、
Ｂ（ＯＲ5）2、
ＯＳＯ2Ｒ5、
ＣＦ3、
ＣＮ、
Ｆ、
Ｂｒ、
Ｉ、
炭素数１～４０のアルキル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数１～４０のアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数１～４０のチオアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数２～４０のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数２～４０のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数６～６０のアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、および
炭素数３～５７のヘテロアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、から成る群から選択される。
その他の基に関しては、上述の定義が適用される。
Ｒbは、出現ごとに互いに独立して、
重水素、
Ｎ（Ｒ5）2、
ＯＲ5、
Ｓｉ（Ｒ5）3、
Ｂ（ＯＲ5）2、
ＯＳＯ2Ｒ5、
ＣＦ3、
ＣＮ、
Ｆ、
Ｂｒ、
Ｉ、
炭素数１～４０のアルキル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数１～４０のアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数１～４０のチオアルコキシ基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数２～４０のアルケニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数２～４０のアルキニル基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されていて、
随意に一つまたは複数の非隣接のＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5で置換されていている、
炭素数６～６０のアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、および
炭素数３～５７のヘテロアリール基、
随意に一つまたは複数の置換基Ｒ5で置換されている、から成る群から選択される。
その他の基に関しては、上述の定義が適用される。
【0035】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩｃ、式ＩＩｃ－２、式ＩＩｃ－３または式ＩＩｃ－４群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩｃ
式Ｉｃ－２
式ＩＩｃ－３
式ＩＩｃ－４
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
【0036】
式中、上述の定義が適用される。
【0037】
本発明のさらなる実施形態において、Ｒbは、出現ごとに互いに独立して、
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
ＣＮ、
ＣＦ3、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
カルバゾリル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
および、Ｎ（Ｐｈ）2から成る群から選択される。
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
ＣＮ、
ＣＦ3、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
カルバゾリル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
および、Ｎ（Ｐｈ）2から成る群から選択される。
【0038】
本発明のさらなる実施形態において、Ｒbは、出現ごとに互いに独立して、
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
ＣＮ、
ＣＦ3、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリミジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、および
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
ＣＮ、
ＣＦ3、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリミジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、および
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
【0039】
本発明のさらなる実施形態において、Ｒbは、出現ごとに互いに独立して、
Ｍｅ、
tＢｕ、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
Ｍｅ、
tＢｕ、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】実施例１（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。
【図2】実施例２（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。
【図3】実施例３（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。
【図4】実施例４（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。
【図5】実施例５（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。
【発明を実施するための形態】
【0041】
以下では、本発明の有機分子の例示的な実施形態を示す。
【化13】
【化14】
【化15】
【化16】
【化17】
【化18】
【化19】
【化20】
【化21】
【化22】
【化23】
【0042】
式中、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒa、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5に関しては、先述の定義が適用される。
【0043】
一実施形態においては、ＲaおよびＲ5は、出現ごとに互いに独立して、水素（Ｈ）、メチル（Ｍｅ）、ｉ－プロピル（ＣＨ（ＣＨ3）2）（iＰｒ）、ｔ－ブチル（tＢｕ）、フェニル（Ｐｈ）、ＣＮ、ＣＦ3およびジフェニルアミン（ＮＰｈ2）から成る群から選択される。
【0044】
本発明の一つの実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩＩの構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩＩ
【化24】
【0045】
式中、上述の定義が適用される。
【0046】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩＩａの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩＩａ
【化25】
【0047】
式中、
Ｒcは、出現ごとに互いに独立して、
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリミジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
カルバゾリル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
および、Ｎ（Ｐｈ）2から成る群から選択される。
Ｒcは、出現ごとに互いに独立して、
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
ピリミジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
カルバゾリル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、
および、Ｎ（Ｐｈ）2から成る群から選択される。
【0048】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩＩｂの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩＩｂ
【化26】
【0049】
式中、上述の定義が適用される。
【0050】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩＩｃの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩＩｃ
【化27】
【0051】
式中、上述の定義が適用される。
【0052】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＩＩｄの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＩＩｄ
【化28】
【0053】
式中、上述の定義が適用される。
【0054】
本発明の一つの実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶの構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶ
【化29】
【0055】
式中、上述の定義が適用される。
【0056】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶａの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶａ
【化30】
【0057】
式中、上述の定義が適用される。
【0058】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶｂの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶｂ
【化31】
【0059】
式中、上述の定義が適用される。
【0060】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶｃの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶｃ
【化32】
【0061】
式中、上述の定義が適用される。
【0062】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶｄの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶｄ
【化33】
【0063】
式中、上述の定義が適用される。
【0064】
本発明の一つの実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶの構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶ
【化34】
【0065】
式中、上述の定義が適用される。
【0066】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶａの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶａ
【化35】
【0067】
式中、上述の定義が適用される。
【0068】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶｂの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶｂ
【化36】
【0069】
式中、上述の定義が適用される。
【0070】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶｃの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶｃ
【化37】
【0071】
式中、上述の定義が適用される。
【0072】
本発明のさらなる実施形態において、有機分子は、以下の式ＩＶｄの群から選択される構造を含む、またはそれから成る：
式ＩＶｄ
【化38】
【0073】
式中、上述の定義が適用される。
【0074】
本発明のさらなる実施形態において、Ｒcは、出現ごとに互いに独立して、
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、および
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
Ｍｅ、
iＰｒ、
tＢｕ、
Ｐｈ基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、および
トリアジニル基、随意にＭｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、およびＰｈから成る群から互いに独立して選択される１つまたは複数の置換基で置換されている、から成る群から選択される。
【0075】
本明細書で使用されているような、「アリール基」および「芳香族」という用語は、任意の単環式、二環式または多環式の芳香族部分として最も広範な意味で理解することができる。したがって、アリール基は６個～６０個の芳香環原子を含み、ヘテロアリール基は５個～６０個の芳香環原子を含み、その中の少なくとも一個はヘテロ原子である。それにもかかわらず、本明細書にわたって、芳香環原子の数は、特定の置換基の定義において下付き文字として与えられていてもよい。特に、ヘテロ芳香環は、１個～３個のヘテロ原子を含む。「ヘテロアリール基」および「ヘテロ芳香族」という用語もまた、任意の少なくとも一つのヘテロ原子を含む単環式、二環式または多環式ヘテロ芳香族部分として、最も広範な意味で理解することができる。ヘテロ原子は、出現ごとに同じでも異なってもよく、個々にＮ、ＯおよびＳから成る群から選択されうる。したがって、「アリレン」という用語は、他の分子構造との二つの結合部位を保持し、それによってリンカー構造として機能する二価の置換基を指す。例示的な実施形態の中の基がここで与えられている定義と異なって定義される場合、例えば、芳香環原子の数またはヘテロ原子の数が与えられている定義と異なる場合には、例示的な実施形態での定義が適用されるものとする。本発明によれば、縮合（環化）した芳香族またはヘテロ芳香族多環式は、縮合反応を経て多環を形成する、ニつ以上の単一の芳香族またはヘテロ芳香族環で構築され、これらは縮合反応を介して多環式を形成した。
【0076】
特に、本明細書にわたって用いる場合、アリール基またはヘテロアリール基という用語は、ベンゼン、ナフタリン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンズフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンズピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６‐キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ‐７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジノイミダゾール、キノキサリノイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、１，３，５－トリアジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、カルボリン、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，２，３，４－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールまたは先述した基の組み合わせから誘導される芳香族またはヘテロ芳香族基の任意の位置を介して結合することができる基を含む。
【0077】
本明細書で使用されているような環式基という用語は、任意の単環式、二環式または多環式の部分として最も広範な意味で理解することができる。
【0078】
本出願全体を通して使用される場合、置換基としてのビフェニルという用語は、オルト－ビフェニル、メタ－ビフェニル、またはパラ－ビフェニルとして最も広義の意味で理解されることができ、この場合においてオルト、メタ、およびパラは、別の化学部分との結合部位に関して定義される。
【0079】
本明細書で使用されているようなアルキル基という用語は、任意の直鎖、分枝、または環式のアルキル置換基として最も広範な意味で理解することができる。特に、アルキルという用語は、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、ｎ－プロピル（ｎＰｒ）、ｉ－プロピル（ｉＰｒ）、シクロプロピル、ｎ－ブチル（ｎＢｕ）、ｉ－ブチル（ｉＢｕ）、ｓ－ブチル（ｓＢｕ）、ｔ－ブチル（ｔＢｕ）、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオ－ペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ネオ－ヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－ヘプチル、２－ヘプチル、３－ヘプチル、４－ヘプチル、シクロヘプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－ビシクロ［２，２，２］－オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、２，２，２－トリフルオレチル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１－（ｎ－プロピル）－シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ブチル）－シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）－シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－オクチル）－シクロヘキサ－１－イルおよび１－（ｎ－デシル）－シクロヘキサ－１－イルである置換基を含む。
【0080】
本明細書で使用されているようなアルケニルという用語は、直鎖、分枝、および環式のアルケニル置換基を含む。アルケニル基という用語は、例示的に、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルである置換基を含む。
【0081】
本明細書で使用されているようなアルキニルという用語は、直鎖、分枝、および環式のアルキニル置換基を含む。アルキニル基という用語は、例示的に、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを含む。
【0082】
本明細書で使用されているようなアルコキシという用語は、直鎖、分枝、および環式のアルコキシ置換基を含む。アルコキシ基という用語は、例示的に、メトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシおよび２－メチルブトキシを含む。
【0083】
本明細書で使用されているようなチオアルコキシという用語は、直鎖、分枝、および環式のチオアルコキシ置換基を含み、この場合、例示的なアルコキシ基のＯはＳで置き換えられている。
【0084】
本明細書で使用されているような「ハロゲン」および「ハロ」という用語は、好ましくはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素であるものとして、最も広範な意味で理解することができる。
【0085】
本明細書において水素（Ｈ）に言及するときはいつでも、そのそれぞれにおいて重水素で置換することも可能である。
【0086】
分子の断片が置換基である、またはさもなければ別の部分に付加されていると記載されている場合、その名称は、それが断片であるかのように（例えば、ナフチル、ジベンゾフリル）またはそれが全分子であるかのように（例えば、ナフタレン、ジベンゾフラン）書かれていてもよいことを理解されたい。本明細書で使用される場合、置換基または付加された断片を命名するこれらの異なる方式は等しいものとみなされる。
【0087】
一実施形態においては、本発明による有機分子は、１０重量％の有機分子を有するポリ（メタクリル酸メチル）（ＰＭＭＡ）のフィルム内で、室温で、１５０μ秒以下、１００μ秒以下、特に５０μ秒以下、より好ましくは１０μ秒以下、または７μ秒以下の励起状態寿命を有する。
【0088】
一実施形態においては、本発明による有機分子は、あるΔＥST値を示す熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）発光体を表し、このΔＥＳＴ値は、５０００ｃｍ-1未満、好ましくは３０００ｃｍ-1未満、より好ましくは１５００ｃｍ-1未満、さらにより好ましくは１０００ｃｍ－１未満またはさらには５００ｃｍ-1未満の、第一励起一重項状態 （Ｓ１）と、第一励起三重項状態（Ｔ１）との間のエネルギー差異に相当する。
【0089】
本発明のさらなる実施形態においては、本発明による有機分子は、可視領域または近紫外領域、すなわち３８０～８００ｎｍの波長領域に発光ピークを有し、その半値全幅が、１０重量％の有機分子を含むポリ（メタクリル酸メチル）（ＰＭＭＡ）の膜の状態で、室温で、０．５０ｅＶ未満、好ましくは０．４８ｅＶ未満、より好ましくは０．４５ｅＶ未満、さらにより好ましくは０．４３ｅＶ未満、またはなおさらに０．４０ｅＶ未満である。
【0090】
本発明のさらなる実施形態においては、本発明による有機分子は、フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）（単位：％）を発光のＣＩＥｙ色座標で割ることにより算出される、１５０を超える、特に２００を超える、好ましくは２５０を超える、より好ましくは３００を超える、またはさらに５００を超える「ブルーマテリアルインデックス」（ＢＭＩ）を有する。
【0091】
軌道および励起状態エネルギーは、実験法により、または量子化学的手法、特に密度汎関数理論の計算を利用した計算により求めることができる。最高被占分子軌道ＥHOMOのエネルギーは、サイクリックボルタンメトリー測定から当業者に公知の方法により、０．１ｅＶの精度で求められる。最低被占分子軌道のエネルギーＥLOMOは、吸収スペクトルの立ち上がりの際に決定される。
【0092】
吸収スペクトルの立ち上がりは、吸収スペクトルの接線とｘ軸との交点を計算することによって決定される。吸収スペクトルに対する接線は、吸収帯の低エネルギー側で、および吸収スペクトルの最大強度の半値の地点で設定される。
【0093】
第一励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、低温、通常は７７Ｋでの発光スペクトルの立ち上がりから求める。第一励起一重項状態および最低三重項状態がエネルギー的に＞０．４ｅＶの分だけ分離されているホスト化合物に対して、リン光は２－Ｍｅ－ＴＨＦにおける定常状態スペクトルにおいて通常可視である。三重項エネルギーは、リン光スペクトルの立ち上がりとして求めることができる。ＴＡＤＦ発光体分子に対して、第一励起三重項状態Ｔ１エネルギーは、特に述べられていない限り、１０重量％の発光体を有するＰＭＭＡのフィルム内で測定された、７７Ｋでの遅延発光スペクトルの立ち上がりから求める。ホストと発光体化合物の両方に対して、第一励起一重項状態Ｓ１エネルギーは、特に述べられていない限り、１０重量％のホストまたは発光体化合物を有するＰＭＭＡのフィルム内で測定された、発光スペクトルの立ち上がりから求める。
【0094】
発光スペクトルの立ち上がりは、ｘ軸と、発光スペクトルへの接線との交点を計算することにより求める。発光スペクトルの接線は、発光帯の高エネルギー側で、そして発光スペクトルの最大強度の半値の点で設定される。
【0095】
本発明のさらなる態様は、本発明による有機分子を調製するプロセス（随意のその後の反応と共に）に関し、反応物質としてＲ2－置換、シアノ－置換１－ブロモ－２－フルオロフェニルが用いられる：
【化39】
【0096】
本発明によれば、Ｅ１の合成反応には、ボロンピナコールエステルの代わりにボロン酸または等価なボロン酸エステルを用いることができる。
【0097】
求核芳香族置換において窒素ヘテロ環をハロゲン化アリール、好ましくはフッ素化アリールと反応させるために、一般的な条件として、例えば、ジメチルスルフォキサイド（ＤＭＳＯ）またはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの非プロトン性極性溶媒にリン酸三カリウムまたは水素化ナトリウムなどの塩基の使用が含まれる。
【0098】
代替の合成経路は、銅のまたはパラジウムの触媒カップリングにより、窒素ヘテロ環をハロゲン化アリールまたは擬ハロゲン化アリール、好ましくは臭化アリール、ヨウ化アリール、アリールトリフレートまたはアリールトシレートに導入することを含む。
【0099】
本発明のさらなる態様は、光電子デバイス中で、発光体として、または吸収体として、および／またはホスト材料および／または電子輸送材料として、および／または正孔注入材料として、および／または正孔ブロッキング材料として、本発明による有機分子の使用に関する。
【0100】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、可視または最も近い紫外線（ＵＶ）範囲、すなわち、３８０～８００ｎｍの波長の範囲内で光を発光するのに適切である有機材料に基づく任意のデバイスとして最も広範な意味で理解することができる。より好ましくは、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、可視範囲、すなわち、４００～８００ｎｍで光を発光することができる。
【0101】
こうした使用の文脈においては、光電子デバイスは、より具体的には以下から成る群から選択される：
・ 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、
・ 発光電気化学セル、
・ ＯＬＥＤセンサーであって、特に外部から気密密閉されていない気体および蒸気のセンサー、
・ 有機ダイオード、
・ 有機太陽電池、
・ 有機トランジスタ、
・ 有機電界効果トランジスタ、
・ 有機レーザー、および
・ ダウンコンバージョン素子。
・ 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、
・ 発光電気化学セル、
・ ＯＬＥＤセンサーであって、特に外部から気密密閉されていない気体および蒸気のセンサー、
・ 有機ダイオード、
・ 有機太陽電池、
・ 有機トランジスタ、
・ 有機電界効果トランジスタ、
・ 有機レーザー、および
・ ダウンコンバージョン素子。
【0102】
好ましい実施形態では、このような使用との関連で、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、および発光トランジスタから成る群から選択されるデバイスである。
【0103】
使用する場合、光電子デバイス、より具体的にはＯＬＥＤにおける発光層内の本発明による有機分子の分率は、１％～９９重量％、より具体的には５％～８０重量％である。代替的な実施形態においては、発光層中の有機分子の割合は、１００重量％である。
【0104】
一実施形態においては、発光層は、本発明による有機分子だけでなく、三重項（Ｔ１）および一重項（Ｓ１）エネルギー準位が、有機分子の三重項（Ｔ１）および一重線（Ｓ１）エネルギー準位よりエネルギー的に高いホスト材料も含む。
【0105】
本発明のさらなる態様は、以下のものを含む、またはそれから成る組成物に関する：
（ａ） 特に発光体および／またはホストの形態での少なくとも１つの本発明による有機分子、ならびに
（ｂ） 本発明による有機分子とは異なる、一つまたは複数の発光体材料および／またはホスト材料、ならびに
（ｃ） 随意の一つもしくは複数の色素および／または一つもしくは複数の溶媒を含む、組成物。
（ａ） 特に発光体および／またはホストの形態での少なくとも１つの本発明による有機分子、ならびに
（ｂ） 本発明による有機分子とは異なる、一つまたは複数の発光体材料および／またはホスト材料、ならびに
（ｃ） 随意の一つもしくは複数の色素および／または一つもしくは複数の溶媒を含む、組成物。
【0106】
一実施形態においては、発光層は、以下のものを含む、またはそれから成る組成物を含む（または（本質的に）組成物から成る）：
（ａ） 特に発光体および／またはホストの形態での少なくとも１つの本発明による有機分子、ならびに
（ｂ） 本発明による有機分子とは異なる、一つまたは複数の発光体材料および／またはホスト材料、ならびに
（ｃ） 随意の一つもしくは複数の色素および／または一つもしくは複数の溶媒を含む、組成物。
（ａ） 特に発光体および／またはホストの形態での少なくとも１つの本発明による有機分子、ならびに
（ｂ） 本発明による有機分子とは異なる、一つまたは複数の発光体材料および／またはホスト材料、ならびに
（ｃ） 随意の一つもしくは複数の色素および／または一つもしくは複数の溶媒を含む、組成物。
【0107】
特に好ましくは、発光層ＥＭＬは、以下のものを含む、またはそれから成る組成物を含む（または（本質的に）組成物から成る）：
（ｉ） １～５０重量％、好ましくは５～４０重量％、特に１０～３０重量％の一つまたは複数の本発明Ｅによる有機分子、
（ｉｉ） ５～９９重量％、好ましくは３０～９４．９重量％、特に４０～８９重量％の少なくとも１つのホスト化合物Ｈ、
（ｉｉｉ） 随意に、０～９４重量％、好ましくは０．１～６５重量％、特に１～５０重量％の、本発明による分子の構造とは異なる構造を有する少なくとも１つのさらなるホスト化合物Ｄ、
（ｉｖ） 随意に、０～９４重量％、好ましくは０～６５重量％、特に０～５０重量％の溶媒、および
（ｖ） 随意に、０～３０重量％、特に０～２０重量％、好ましくは０～５重量％の、本発明による分子の構造とは異なる構造を有する少なくとも１個のさらなる発光体分子Ｆ。
（ｉ） １～５０重量％、好ましくは５～４０重量％、特に１０～３０重量％の一つまたは複数の本発明Ｅによる有機分子、
（ｉｉ） ５～９９重量％、好ましくは３０～９４．９重量％、特に４０～８９重量％の少なくとも１つのホスト化合物Ｈ、
（ｉｉｉ） 随意に、０～９４重量％、好ましくは０．１～６５重量％、特に１～５０重量％の、本発明による分子の構造とは異なる構造を有する少なくとも１つのさらなるホスト化合物Ｄ、
（ｉｖ） 随意に、０～９４重量％、好ましくは０～６５重量％、特に０～５０重量％の溶媒、および
（ｖ） 随意に、０～３０重量％、特に０～２０重量％、好ましくは０～５重量％の、本発明による分子の構造とは異なる構造を有する少なくとも１個のさらなる発光体分子Ｆ。
【0108】
好ましくは、エネルギーは、ホスト化合物Ｈから一つまたは複数の本発明Ｅによる有機分子まで移動することが可能であり、特に、ホスト化合物Ｈの第一励起三重項状態Ｔ１（Ｈ）から一つまたは複数の本発明Ｅによる有機分子の第一励起三重項状態Ｔ１（Ｅ）まで、および／または、ホスト化合物Ｈの第一励起一重項状態Ｓ１（Ｈ）から一つまたは複数の本発明Ｅによる有機分子の第一励起一重項状態Ｓ１（Ｅ）まで移動することが可能である。
【0109】
さらなる実施形態においては、発光層ＥＭＬは、以下のものを含む、またはそれから成る組成物を含む（または（本質的に）組成物から成る）：
（ｉ） １～５０重量％、好ましくは５～４０重量％、特に１０～３０重量％の一つの本発明Ｅによる有機分子、
（ｉｉ） ５～９９重量％、好ましくは３０～９４．９重量％、特に４０～８９重量％の１つのホスト化合物Ｈ、
（ｉｉｉ） 随意に、０～９４重量％、好ましくは０．１～６５重量％、特に１～５０重量％の、本発明による分子の構造とは異なる構造を有する少なくとも１つのさらなるホスト化合物Ｄ、
（ｉｖ） 随意に、０～９４重量％、好ましくは０～６５重量％、特に０～５０重量％の溶媒、および
（ｖ） 随意に、０～３０重量％、特に０～２０重量％、好ましくは０～５重量％の、本発明による分子の構造とは異なる構造を有する少なくとも１個のさらなる発光体分子Ｆ。
（ｉ） １～５０重量％、好ましくは５～４０重量％、特に１０～３０重量％の一つの本発明Ｅによる有機分子、
（ｉｉ） ５～９９重量％、好ましくは３０～９４．９重量％、特に４０～８９重量％の１つのホスト化合物Ｈ、
（ｉｉｉ） 随意に、０～９４重量％、好ましくは０．１～６５重量％、特に１～５０重量％の、本発明による分子の構造とは異なる構造を有する少なくとも１つのさらなるホスト化合物Ｄ、
（ｉｖ） 随意に、０～９４重量％、好ましくは０～６５重量％、特に０～５０重量％の溶媒、および
（ｖ） 随意に、０～３０重量％、特に０～２０重量％、好ましくは０～５重量％の、本発明による分子の構造とは異なる構造を有する少なくとも１個のさらなる発光体分子Ｆ。
【0110】
一実施形態においては、ホスト化合物Ｈは、－５～－６．５ｅＶの範囲のエネルギーＥHOMO（Ｈ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｈ）を有し、少なくとも１つのさらなるホスト化合物Ｄは、エネルギーＥHOMO（Ｄ）（ＥHOMO（Ｈ）＞ＥHOMO（Ｄ）である）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｄ）を有する。
【0111】
さらなる実施形態においては、ホスト化合物ＨはエネルギーＥLUMO（Ｈ）を有する最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｈ）を有し、少なくとも１つのさらなるホスト化合物ＤはエネルギーＥLUMO（Ｄ）（ＥLUMO（Ｈ）＞ＥLUMO（Ｄ）である）を有する最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｄ）を有する。
【0112】
一実施形態においては、ホスト化合物ＨはエネルギーＥHOMO（Ｈ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｈ）およびエネルギーＥLUMO（Ｈ）を有する最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｈ）を有し、
少なくとも１つのさらなるホスト化合物Ｄは、エネルギーＥHOMO（Ｄ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｄ）およびエネルギーＥLUMO（Ｄ）を有する最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｄ）を有し、
本発明Ｅによる有機分子は、エネルギーＥHOMO（Ｅ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｅ）およびエネルギーＥLUMO（Ｅ）を有する最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｅ）を有し、
式中、
ＥHOMO（Ｈ）＞ＥHOMO（Ｄ）であり、本発明Ｅによる有機分子の最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｅ）のエネルギーレベル（ＥHOMO（Ｅ））と、ホスト化合物Ｈの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｈ）のエネルギーレベル（ＥHOMO（Ｈ））との差は、－０．５ｅＶ～０．５ｅＶであり、より好ましくは－０．３ｅＶ～０．３ｅＶであり、さらにより好ましくは－０．２ｅＶ～０．２ｅＶ、またはさらに－０．１ｅＶ～０．１ｅＶであり、
ＥLUMO（Ｈ）＞ＥLUMO（Ｄ）であり、本発明Ｅによる有機分子の最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｅ）のエネルギーレベル（ＥLUMO（Ｅ））と、少なくとも一つのさらなるホスト化合物Ｄの最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｄ）（ＥLUMO（Ｄ））との差は、－０．５ｅＶ～０．５ｅＶであり、より好ましくは－０．３ｅＶ～０．３ｅＶであり、さらにより好ましくは－０．２ｅＶ～０．２ｅＶ、またはさらに－０．１ｅＶ～０．１ｅＶである。
少なくとも１つのさらなるホスト化合物Ｄは、エネルギーＥHOMO（Ｄ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｄ）およびエネルギーＥLUMO（Ｄ）を有する最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｄ）を有し、
本発明Ｅによる有機分子は、エネルギーＥHOMO（Ｅ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｅ）およびエネルギーＥLUMO（Ｅ）を有する最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｅ）を有し、
式中、
ＥHOMO（Ｈ）＞ＥHOMO（Ｄ）であり、本発明Ｅによる有機分子の最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｅ）のエネルギーレベル（ＥHOMO（Ｅ））と、ホスト化合物Ｈの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（Ｈ）のエネルギーレベル（ＥHOMO（Ｈ））との差は、－０．５ｅＶ～０．５ｅＶであり、より好ましくは－０．３ｅＶ～０．３ｅＶであり、さらにより好ましくは－０．２ｅＶ～０．２ｅＶ、またはさらに－０．１ｅＶ～０．１ｅＶであり、
ＥLUMO（Ｈ）＞ＥLUMO（Ｄ）であり、本発明Ｅによる有機分子の最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｅ）のエネルギーレベル（ＥLUMO（Ｅ））と、少なくとも一つのさらなるホスト化合物Ｄの最低被占分子軌道ＬＵＭＯ（Ｄ）（ＥLUMO（Ｄ））との差は、－０．５ｅＶ～０．５ｅＶであり、より好ましくは－０．３ｅＶ～０．３ｅＶであり、さらにより好ましくは－０．２ｅＶ～０．２ｅＶ、またはさらに－０．１ｅＶ～０．１ｅＶである。
【0113】
さらなる態様においては、本発明は、より具体的には有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル、ＯＬＥＤセンサー、より具体的には、外部から気密封止されていない気体および蒸気センサー、有機ダイオード、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機電界効果トランジスタ、有機レーザーおよびダウンコンバージョン素子から成る群から選択されるデバイスの形態の本明細書に記載されているような有機分子または組成物を含む光電子デバイスに関する。
【0114】
好ましい実施形態では、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、および発光トランジスタから成る群から選択されるデバイスである。
【0115】
本発明Ｅの光電子デバイスの一実施形態においては、本発明Ｅによる有機分子を、発光層ＥＭＬ中の発光材料として用いる。
【0116】
本発明の光電子デバイスの一実施形態では、発光層ＥＭＬは、本明細書に記載されている本発明による組成物から成る。
【0117】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスがＯＬＥＤである場合、これは、例えば以下の層構造を示してもよく、
１． 基板
２． アノード層Ａ
３． 正孔注入層、ＨＩＬ
４． 正孔輸送層、ＨＴＬ
５． 電子ブロッキング層、ＥＢＬ
６． 発光層、ＥＭＬ
７． 正孔ブロッキング層、ＨＢＬ
８． 電子輸送層、ＥＴＬ
９． 電子注入層、ＥＩＬ
１０． カソード層、
１． 基板
２． アノード層Ａ
３． 正孔注入層、ＨＩＬ
４． 正孔輸送層、ＨＴＬ
５． 電子ブロッキング層、ＥＢＬ
６． 発光層、ＥＭＬ
７． 正孔ブロッキング層、ＨＢＬ
８． 電子輸送層、ＥＴＬ
９． 電子注入層、ＥＩＬ
１０． カソード層、
【0118】
ここで、ＯＬＥＤは各層を含み、随意に異なる層は融合されていてもよく、ＯＬＥＤは上で定義された各層の種類のうちの１つより多くの層を含んでもよい。
【0119】
また、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは随意に、例として水分、蒸気および／または気体を含む、環境内の有害種への有害な曝露からデバイスを保護する１つまたは複数の保護層を含んでもよい。
【0120】
本発明の一実施形態では、有機エレクトロルミネッセンスデバイスはＯＬＥＤであり、これは以下の反転した層構造を示し：
１． 基板
２． カソード層
３． 電子注入層、ＥＩＬ
４． 電子輸送層、ＥＴＬ
５． 正孔ブロッキング層、ＨＢＬ
６． 発光層、Ｂ
７． 電子ブロッキング層、ＥＢＬ
８． 正孔輸送層、ＨＴＬ
９． 正孔注入層、ＨＩＬ
１０． アノード層Ａ、
１． 基板
２． カソード層
３． 電子注入層、ＥＩＬ
４． 電子輸送層、ＥＴＬ
５． 正孔ブロッキング層、ＨＢＬ
６． 発光層、Ｂ
７． 電子ブロッキング層、ＥＢＬ
８． 正孔輸送層、ＨＴＬ
９． 正孔注入層、ＨＩＬ
１０． アノード層Ａ、
【0121】
ここで、反転した層構造を有するＯＬＥＤは各層を含み、随意に異なる層は融合されていてもよく、ＯＬＥＤは上で定義された各層の種類のうちの１つより多くの層を含んでもよい。
【0122】
本発明の一実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンスデバイスはＯＬＥＤであり、これはスタック構造を示してもよい。この構造では、ＯＬＥＤが並んで配置される典型的な構造とは異なり、個々の構成単位が互いの上にスタックされている。スタック構造を示すＯＬＥＤを用いてブレンドされた光を作ることができ、特に青色、緑色および赤色のＯＬＥＤをスタッキングすることにより白色光を作ることができる。さらに、スタック構造を示すＯＬＥＤは、電荷発生層（ＣＧＬ）を随意に含んでもよく、この電荷発生層は通常、２つのＯＬＥＤサブユニットの間に位置し、通常、ｎ－ドープしたおよびｐ－ドープした層から成り、１つのＣＧＬのｎ－ドープした層は通常アノード層のより近くに位置する。
【0123】
本発明の一実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンスデバイスはＯＬＥＤであり、それはアノードとカソード間に２つ以上の発光層を備える。特に、このいわゆる直列ＯＬＥＤは、３つの発光層を含み、１つの発光層が赤色光を発光し、１つの発光層が緑色光を発光し、１つの発光層が青色光を発光し、随意に個々の発光層の間でさらなる層、例えば、電荷発生層、ブロッキング層または輸送層などを含んでもよい。さらなる実施形態においては、発光層は隣接してスタックされる。さらなる実施形態においては、直列ＯＬＥＤは、発光層の各二層間に電荷発生層を備える。さらに、隣接する発光層または電荷発生層で分離された発光層は、融合されてもよい。
【0124】
基板は、任意の材料または材料の組成物によって形成されてもよい。最もよく基板として用いられるのはガラススライドである。代わりに、薄い金属層（例えば、銅、金、銀またはアルミニウムフィルム）またはプラスチックフィルムまたはスライドを用いてもよい。これにより、より高度な可撓性が可能になる。アノード層Ａは、（本質的に）透明なフィルムを得ることを可能にする材料で主に構成される。ＯＬＥＤからの発光を可能にするように両方の電極の少なくとも１つが（本質的に）透明であるべきなので、アノード層Ａまたはカソード層Ｃのいずれかは透明である。好ましくは、アノード層Ａは、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を大量に含有するか、またはそれから成る。このようなアノード層Ａは、酸化インジウムスズ、アルミニウム酸化亜鉛、フッ素ドープ酸化スズ、インジウム酸化亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ウォルフラム、グラファイト、ドープＳｉ、ドープＧｅ、ドープＧａＡｓ、ドープポリアニリン、ドープポリーピロールおよび／またはドープポリチオフェンを例示的に含んでもよい。
【0125】
アノード層Ａは、特に好ましくは（本質的に）酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）（例えば、（ＩｎＯ3）０．９（ＳｎＯ2）０．１）から成る。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）により引き起こされるアノード層Ａの粗さは、正孔注入層（ＨＩＬ）を使用することにより埋め合わせることができる。さらに、ＴＣＯから正孔輸送層（ＨＴＬ）への擬電荷担体の輸送が促進されるという意味で、ＨＩＬは擬電荷担体（すなわち、正孔）の注入を促進することができる。正孔注入層（ＨＩＬ）は、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）、ＭｏＯ2、Ｖ2Ｏ5、ＣｕＰＣまたはＣｕＩ、特にＰＥＤＯＴとＰＳＳの混合物を含むことができる。正孔注入層（ＨＩＬ）はまた、アノード層Ａから正孔輸送層（ＨＴＬ）への金属の拡散を阻止することができる。ＨＩＬは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホネート）、ＰＥＤＯＴ（ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン）、ｍＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン）、スピロ－ＴＡＤ（２，２’，７，７’－テトラキス（ｎ，ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９’－スピロビフルオレン）、ＤＮＴＰＤ（Ｎ１，Ｎ１’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ｄｉ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ｎｉｓ－（１－ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－フェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン）、ＮＰＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）フェニル］ベンジジン）、ＭｅＯ－ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン）、ＨＡＴ－ＣＮ（１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル）および／またはスピロ－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－（１－ナフチル）－９，９’－スピロビフルオレン－２，７－ジアミン）を例示的に含んでもよい。
【0126】
アノード層Ａまたは正孔注入層（ＨＩＬ）に隣接して、通常、正孔輸送層（ＨＴＬ）が位置する。本明細書においては、任意の正孔輸送化合物を使用することができる 例として、電子を豊富に含むヘテロ芳香族化合物、例えば、トリアリールアミンおよび／またはカルバゾールなどを正孔輸送化合物として使用することができる。ＨＴＬは、アノード層Ａと発光層ＥＭＬとの間のエネルギーバリアを低減することができる。正孔輸送層（ＨＴＬ）はまた電子ブロッキング層（ＥＢＬ）であってもよい。好ましくは、正孔輸送化合物は、これらの三重項状態Ｔ１と同等の高エネルギーレベルを保持する。例として、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、星形状ヘテロ環、例えば、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、ポリ－ＴＰＤ（ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニル－アミン））、［アルファ］－ＮＰＤ（ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニル－アミン））、ＴＡＰＣ（４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］）、２－ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”－トリス［２－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン）、スピロ－ＴＡＤ、ＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＮＰＮＰＢ、ＭｅＯ－ＴＰＤ、ＨＡＴ－ＣＮおよび／またはＴｒｉｓＰｃｚ（９，９’－ジフェニル－６－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール）を含む。さらに、ＨＴＬは、有機正孔輸送マトリックスにおいて無機または有機ドーパントで構成され得るｐ－ドープ層を含んでもよい。遷移金属オキシド、例えば、酸化バナジウム、酸化モリブデンまたは酸化タングステンなどを無機ドーパントとして例示的に使用することができる。テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、ペンタフルオロ安息香酸銅（ｃｏｐｐｅｒ－ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｂｅｎｚｏａｔｅ）（Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ）または遷移金属錯体を有機ドーパントとして例示的に使用することができる。
【0127】
ＥＢＬは、ｍＣＰ（１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン）、ＴＣＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、ｍＣＢＰ（３，３－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル）、ｔｒｉｓ－Ｐｃｚ、ＣｚＳｉ（９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール）、および／またはＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾリル－１，４－ジメチルベンゼン）を例示的に含んでもよい。
【0128】
正孔輸送層（ＨＴＬ）に隣接して、通常、発光層ＥＭＬが位置する。発光層ＥＭＬは、少なくとも一つの発光分子を含む。特にＥＭＬは本発明Ｅにかかる発光分子を少なくとも一つ含む。一つの実施形態において、発光層は、本発明Ｅにかかる有機分子のみを含む。典型的に、ＥＭＬはさらに一つ以上のホスト材料Ｈを含む。例示的には、ホスト材料Ｈは、ＣＢＰ（４，４’－ビス－（Ｎ－カルバゾリル）－ビフェニル）、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ Ｓｉｆ８７（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン）、ＣｚＳｉ、ＳｉｍＣＰ（［３，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリフェニルシラン）、Ｓｉｆ８８（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン）、ＤＰＥＰＯ（ビス［２－（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド）、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、Ｔ２Ｔ（２，４，６－トリス（ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン）、Ｔ３Ｔ（２，４，６－トリス（トリフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン）および／またはＴＳＴ（２，４，６－トリス（９，９’－スピロビフルオレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン）から選択される。ホスト材料Ｈは、典型的に、有機分子の第一の三重項エネルギーレベル（Ｔ１）および第一の一重項エネルギーレベル（Ｓ１）よりもエネルギー的に高い、第一の三重項エネルギーレベル（Ｔ１）および第一の一重項エネルギーレベル（Ｓ１）を示すように選択されるべきである。
【0129】
本発明の一実施形態においては、ＥＭＬは、少なくとも１つの正孔が優位なホストおよび１つの電子が優位なホストを有するいわゆる混合したホストシステムを含む。特定の実施形態においては、ＥＭＬは、本発明Ｅにかかる厳密に一つの発光分子と、電子優勢ホストとしてＴ２Ｔならびに、ホール優勢ホストとしてＣＢＰ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾールおよび９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾールから選択されたホストを含む混合ホスト系と、を含む。さらなる実施形態では、ＥＭＬは、５０～８０重量％、好ましくは６０～７５重量％の、ＣＢＰ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾールおよび９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾールから選択されるホスト；１０～４５重量％、好ましくは１５～３０重量％のＴ２Ｔ、および５～４０重量％、好ましくは１０～３０重量％の本発明による発光分子を含む。
【0130】
発光層ＥＭＬに隣接して、電子輸送層（ＥＴＬ）が位置してもよい。本明細書においては、任意の電子輸送体を用いることができる。例示的には、例えば、ベンズイミダゾール、ピリジン、トリアゾール、オキサジアゾール（例えば１，３，４－オキサジアゾール）、ホスフィンオキシドおよびスルホン等の電子不足の化合物が使用されてもよい。電子輸送体はまた、星形状ヘテロ環、例えば、１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル（ＴＰＢｉ）であってもよい。ＥＴＬは、ＮＢｐｈｅｎ（２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ3（アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン））、ＴＳＰＯ１（ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド）、ＢＰｙＴＰ２（２，７－ジ（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニル）、Ｓｉｆ８７（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン）、Ｓｉｆ８８（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン）、ＢｍＰｙＰｈＢ（１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン）および／またはＢＴＢ（４，４’－ビス－［２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）］－１，１’－ビフェニル）を含みうる。随意に、ＥＴＬは、Ｌｉｑなどの材料でドープされていてもよい。電子輸送層（ＥＴＬ）はまた正孔をブロックすることもでき、または正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）が導入される。
【0131】
ＨＢＬは、例えば、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン＝バソクプロイン）、ＢＡｌｑ（ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム）、ＮＢｐｈｅｎ（２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ3（アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン））、ＴＳＰＯ１（ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド）、Ｔ２Ｔ（２，４，６－トリス（ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン）、Ｔ３Ｔ（２，４，６－トリス（トリフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン）、ＴＳＴ（２，４，６－トリス（９，９’－スピロビフルオレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン）、および／またはＴＣＢ／ＴＣＰ（１，３，５－トリス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゾール／１，３，５－トリス（カルバゾール）－９－イル）ベンゼン）を含んでもよい。
【0132】
電子輸送層（ＥＴＬ）に隣接して、カソード層Ｃが位置してもよい。例えば、カソード層Ｃは、金属（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｗ、もしくはＰｄ）または金属合金を含んでもよいし、またはこれから成ってもよい。実用的な理由から、カソード層はまた、不透明な金属、例えば、Ｍｇ、ＣａまたはＡｌなどから（本質的に）成ってもよい。代わりにまたはさらに、カソード層Ｃはまた、グラファイトおよびまたは炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）を含んでもよい。代わりに、カソード層Ｃはまた、ナノスケールの銀導線から成ってもよい。
【0133】
ＯＬＥＤは、さらに随意に、電子輸送層（ＥＴＬ）とカソード層Ｃ（電子注入層（ＥＩＬ）と命名することもできる）の間に保護層を含んでもよい。この層は、フッ化リチウム、フッ化セシウム、銀、Ｌｉｑ（８－ヒドロキシキノリノラトリチウム）、Ｌｉ2Ｏ、ＢａＦ2、ＭｇＯおよび／またはＮａＦを含んでもよい。
【0134】
随意に、電子輸送層（ＥＴＬ）および／またはホールブロッキング層（ＨＢＬ）もまた、一つまたは複数のホスト化合物Ｈを含みうる。
【0135】
発光層ＥＭＬの発光スペクトルおよび／または吸収スペクトルをさらに改変するため、発光層ＥＭＬは、１つまたは複数のさらなる発光体分子Ｆをさらに含んでもよい。このような発光体分子Ｆは、当技術分野で公知の任意の発光体分子であってよい。こうした発光体分子Ｆは、本発明Ｅにかかる分子の構造とは異なる構造をもつ分子であることが好ましい。発光分子Ｆは随意にＴＡＤＦ発光体であってもよい。代わりに、発光体分子Ｆは、随意に、発光層ＥＭＬの発光スペクトルおよび／または吸収スペクトルをシフトすることができる蛍光のおよび／またはリン光発光体分子であってもよい。例示的に、三重項励起子および／または一重項励起子は、基底状態Ｓ０まで緩和される前に、発光体分子Ｅが発する光と比べて典型的に深色シフトした光を発しながら、本発明Ｅにかかる発光体分子から発光体分子Ｆに移動しうる。随意に、発光体分子Ｆはまた、二光子効果を引き起こしうる（すなわち、二つの光子の吸収は吸収極大のエネルギーの半分）。
【0136】
随意に、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（例えばＯＬＥＤ）は、例示的に、本質的に白色の有機エレクトロルミネッセンスデバイスであってよい。例示的にこうした白色の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、少なくとも１つの（深）青色発光体分子および緑色光および／または赤色光を発する一つまたは複数の発光体分子を含むことができる。その後、随意に、上記に記載した２個以上の分子間のエネルギー透過率もまた存在してもよい。
【0137】
本明細書で使用される場合、特定の状況においてより具体的に定義されていない限り、発光するおよび／または吸収される光の色の命名は以下の通りである：
紫色： 波長範囲＞３８０～４２０ｎｍ；
深青色： 波長範囲＞４２０～４８０ｎｍ；
水色： 波長範囲＞４８０～５００ｎｍ；
緑色： 波長範囲＞５００～５６０ｎｍ；
黄色： 波長範囲＞５６０～５８０ｎｍ；
オレンジ色：波長範囲＞５８０～６２０ｎｍ；
赤色： 波長範囲＞６２０～８００ｎｍ。
紫色： 波長範囲＞３８０～４２０ｎｍ；
深青色： 波長範囲＞４２０～４８０ｎｍ；
水色： 波長範囲＞４８０～５００ｎｍ；
緑色： 波長範囲＞５００～５６０ｎｍ；
黄色： 波長範囲＞５６０～５８０ｎｍ；
オレンジ色：波長範囲＞５８０～６２０ｎｍ；
赤色： 波長範囲＞６２０～８００ｎｍ。
【0138】
発光体分子に関して、こうした色が発光極大を指す。したがって、例として、深青色発光体は、＞４２０～４８０ｎｍの範囲に発光極大を有し、水色発光体は、＞４８０～５００ｎｍの範囲に発光極大を有し、緑色発光体は、＞５００～５６０ｎｍの範囲に発光極大を有し、赤色発光体は、＞６２０～８００ｎｍの範囲に発光極大を有する。
【0139】
深青色発光体は、好ましくは４８０ｎｍ未満、より好ましくは４７０ｎｍ未満、さらにより好ましくは４６５ｎｍ未満またはさらには４６０ｎｍ未満の発光極大を有してもよい。発光極大は通常、４２０ｎｍ超、好ましくは４３０ｎｍ超、より好ましくは４４０ｎｍ超、またはさらに４５０ｎｍ超である。
【0140】
したがって、本発明のさらなる態様は、１０００ｃｄ／ｍ2において、８％を超える、より好ましくは１０％を超える、より好ましくは１３％を超える、さらにより好ましくは１５％を超える、もしくはさらには２０％をも超える外部量子効率を示し、および／または４２０ｎｍ～５００ｎｍの間、好ましくは４３０ｎｍ～４９０ｎｍの間、より好ましくは４４０ｎｍ～４８０ｎｍの間、さらにより好ましくは４５０ｎｍ～４７０ｎｍの間の発光極大を示し、および／または５００ｃｄ／ｍ2において、１００ｈを超える、好ましくは２００ｈを超える、より好ましくは４００ｈを超える、さらにより好ましくは７５０ｈを超える、もしくはさらに１０００ｈを超える、ＬＴ８０値を示すＯＬＥＤに関する。したがって、本発明のさらなる態様は、その発光が、０．４５未満、好ましくは０．３０未満、より好ましくは０．２０未満またはさらにより好ましくは０．１５未満、またはさらに０．１０未満の、ＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに関する。
【0141】
本発明のさらなる態様は、明確な色ポイントにおいて光を発光するＯＬＥＤに関する。本発明によれば、ＯＬＥＤは、狭い発光帯（小さな半値全幅（ＦＷＨＭ））を有する光を発光する。一態様においては、本発明によるＯＬＥＤは、０．５０ｅＶ未満、好ましくは０．４８ｅＶ未満、より好ましくは０．４５ｅＶ未満、さらにより好ましくは０．４３ｅＶ未満、またはさらに０．４０ｅＶ未満の、主要発光ピークのＦＷＨＭを有する光を発光する。
【0142】
本発明のさらなる態様は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）で定義されているような原色の青色（ＣＩＥｘ＝０．１３１およびＣＩＥｙ＝０．０４６）のＣＩＥｘ（＝０．１３１）およびＣＩＥｙ（＝０．０４６）色座標に近いＣＩＥｘおよびＣＩＥｙの色座標で発光し、したがって、超高精細（ＵＨＤ）ディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶなどにおける使用に適合したＯＬＥＤに関する。したがって、本発明のさらなる態様は、その発光が、０．０２～０．３０、好ましくは０．０３～０．２５、より好ましくは０．０５～０．２０、もしくはさらに好ましくは０．０８～０．１８、またはさらに０．１０～０．１５のＣＩＥｘ色座標、および／または、０．００～０．４５、好ましくは０．０１～０．３０、より好ましくは０．０２～０．２０、もしくはさらに好ましくは０．０３～０．１５、またはさらに０．０４～０．１０のＣＩＥｙ色座標を示す、ＯＬＥＤに関する。
【0143】
さらなる態様においては、本発明は、光電子部品の製造方法に関する。この場合、本発明の有機分子が用いられる。
【0144】
有機エレクトロルミネッセンスデバイス、特に本発明によるＯＬＥＤは、任意の手段の蒸気堆積および／または液体処理によって製造することができる。したがって、少なくとも一つの層は、
－ 昇華プロセスによって調製され、
－ 有機気相堆積プロセスによって調製され、
－ キャリアガス昇華プロセスによって調製され、
－ 溶液処理または溶液印刷される。
－ 昇華プロセスによって調製され、
－ 有機気相堆積プロセスによって調製され、
－ キャリアガス昇華プロセスによって調製され、
－ 溶液処理または溶液印刷される。
【0145】
有機エレクトロルミネッセンスデバイス、特に本発明によるＯＬＥＤを製造するために用いる方法は、この技術分野において公知である。異なる層は、続く堆積プロセスにより、適切な基板上に個々におよび逐次的に堆積される。個々の層は、同じまたは異なる堆積方法を使用して堆積させることができる。
【0146】
蒸気堆積処理は、熱的（共）蒸着、化学蒸着および物理蒸着を例示的に含む。アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイに対して、ＡＭＯＬＥＤバックプレーンを基板として使用する。個々の層は、十分な溶媒を利用して、溶液または分散液から処理してもよい。溶液堆積処理は、スピンコーティング、ディップコーティングおよびジェット式プリンティングを例示的に含む。液体処理は、随意に、不活性雰囲気下（例えば、窒素雰囲気下）で行ってもよく、溶媒は、随意に、最先端技術で公知である手段によって、完全にまたは部分的に除去してよい。
【実施例】
【0147】
一般的合成スキームＩ
【化40】
【0148】
合成ＡＡＶ１のための一般的手順：
【化41】
【0149】
３－ブロモ－４－フルオロベンゾニトリル（１．１０当量）、４－シアノ－２－フルオロフェニルボロン酸エステル（１．００当量）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．０４当量）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（０．１６当量）およびリン酸三カリウム（２．５０当量）を、ジオキサン／水混合物（比１０：１）中、窒素雰囲気下、１１０℃で４時間攪拌する。反応混合物に、Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標）（珪藻土（ｄｉａｔｏｍａｃｅｏｕｓ ｅａｒｔｈ、ｄｉａｔｏｍａｃｅｏｕｓ ｓｉｌｉｃａまたはｋｉｓｅｌｇｕｈｒ）として知られる）および活性炭素を加え、１１０℃で１５分間攪拌する。続いて、反応混合物を高温で濾過し、残留物をジオキサンで洗浄する。反応混合物を２００ｍＬの飽和塩化ナトリウム溶液に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。１つにまとめた有機相を飽和食塩水で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、減圧下で溶媒を蒸発させる。残留物をエタノール中で再結晶させる。生成物Ｚ１を固体として得る（８２％収率）。
【0150】
合成ＡＡＶ２のための一般的手順：
【化42】
【0151】
３－ブロモ－２－フルオロベンゾニトリル（１．１０当量）、５－シアノ－２－フルオロフェニルボロン酸エステル（１．００当量）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．０４当量）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（０．１６当量）およびリン酸三カリウム（２．５０当量）を、ジオキサン／水混合物（比１０：１）中、窒素雰囲気下、１１０℃で３時間攪拌する。反応混合物に、Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標）および活性炭素を加え、１１０℃で１５分間攪拌する。続いて、反応混合物を高温で濾過し、残留物をジオキサンで洗浄する。反応混合物を２００ｍＬの飽和塩化ナトリウム溶液に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。１つにまとめた有機相を飽和食塩水で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、減圧下で溶媒を蒸発させる。残留物をエタノールで再結晶させると、生成物Ｚ２固体として得る（７８％収率）。
【0152】
合成ＡＡＶ３のための一般的手順：
【化43】
【0153】
２－ブロモ－３－フルオロベンゾニトリル（１．１０当量）、５－シアノ－２－フルオロフェニルボロン酸エステル（１．０５当量）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．０４当量）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（０．１６当量）およびリン酸三カリウム（２．５０当量）を、ジオキサン／水混合物（比１０：１）中、窒素雰囲気下、１１０℃で２．５時間攪拌する。反応混合物に、Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標）および活性炭素を加え、１１０℃で１５分間攪拌する。続いて、反応混合物を高温で濾過し、残留物をジオキサンで洗浄する。反応混合物を２００ｍＬの飽和塩化ナトリウム溶液に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。１つにまとめた有機相を飽和食塩水で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、減圧下で溶媒を蒸発させる。残留物は、エタノールおよびシクロヘキサン中での再結晶によって精製される。生成物Ｚ３を固体として得る（６５％収率）。
【0154】
合成ＡＡＶ４のための一般的手順：
【化44】
【化45】
【化46】
【0155】
Ｚ１、Ｚ２またはＺ３（各１当量）と、対応するドナー分子Ｄ－Ｈ（２当量）と、リン酸三カリウム（５当量）とを、窒素雰囲気下、ＤＭＳＯ中で懸濁させ、１２０℃（２１時間）で攪拌する。その後、反応混合物を飽和塩化ナトリウム溶液に注ぎ、沈殿物を濾過し、水で洗浄する。その後、固形物をジクロロメタンに溶解し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、溶媒を減圧下で蒸発させる。残留物は、濾過カラム、再結晶およびＭＰＬＣによって精製され、生成物を固体として得る。
【0156】
ドナー分子Ｄ－Ｈは、特に、３，６－置換カルバゾール（例えば、３，６－ジメチルカルバゾール、３，６－ジフェニルカルバゾール、３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２，７－置換カルバゾール（例えば、２，７－ジメチルカルバゾール、２，７－ジフェニルカルバゾール、２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１，８－置換カルバゾール（例えば、１，８－ジメチルカルバゾール、１，８－ジフェニルカルバゾール、１，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１－置換カルバゾール（例えば、１－メチルカルバゾール、１－フェニルカルバゾール、１－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２－置換カルバゾール（例えば、２－メチルカルバゾール、２－フェニルカルバゾール、２－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）または３－置換カルバゾール（例えば、３－メチルカルバゾール、３－フェニルカルバゾール、３－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）である。
【0157】
例示的には、Ｄ－Ｈとして、ハロゲン置換カルバゾール、特に３－ブロモカルバゾールを使用することができる。
【0158】
続く反応においては、例えば、ビス（ピナコラト）ジボロン（ＣＡＳ登録番号７３１８３－３４－３）との反応により、Ｄ－Ｈを介して導入された、１つまたは複数のハロゲン置換基の位置に、ボロン酸エステル官能基またはボロン酸官能基を、例えば、導入して、相応するカルバゾール－３－イルボロン酸エステルまたはカルバゾール－３－イルボロン酸を得ることができる。続いて、ボロン酸エステル基またはボロン酸基の代わりに、相応するハロゲン化反応物質Ｒa－Ｈａｌ、好ましくはＲa－ＣｌおよびＲa－Ｂｒとのカップリング反応を介して、１つまたは複数の置換基Ｒaを導入することができる。
【0159】
あるいは、置換基Ｒa［Ｒa－Ｂ（ＯＨ）2］のボロン酸または相応するボロン酸エステルとの反応を介して、Ｄ－Ｈを介して導入された１つまたは複数のハロゲン置換基の位置に、１つまたは複数の置換基Ｒaを導入することができる。
【0160】
サイクリックボルタンメトリー
サイクリックボルタモグラムは、ジクロロメタンまたは適切な溶媒中１０-3モル／Ｌの濃度の有機分子および適切な支持電解質（例えば０．１モル／Ｌのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート）を有する溶液から測定する。測定は、窒素雰囲気下、室温で、３電極接合体（作用電極および対電極：Ｐｔ導線、基準電極：Ｐｔ導線）を用いて行われ、内部標準としてＦｅＣｐ2／ＦｅＣｐ2 +を使用して較正される。飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に対する内部標準としてフェロセンを用いて、ＨＯＭＯデータを補正した。
サイクリックボルタモグラムは、ジクロロメタンまたは適切な溶媒中１０-3モル／Ｌの濃度の有機分子および適切な支持電解質（例えば０．１モル／Ｌのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート）を有する溶液から測定する。測定は、窒素雰囲気下、室温で、３電極接合体（作用電極および対電極：Ｐｔ導線、基準電極：Ｐｔ導線）を用いて行われ、内部標準としてＦｅＣｐ2／ＦｅＣｐ2 +を使用して較正される。飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に対する内部標準としてフェロセンを用いて、ＨＯＭＯデータを補正した。
【0161】
密度汎関数法の計算
分子構造は、ＢＰ８６関数手法および単位の分解手法（ＲＩ）を利用して最適化する。励起エネルギーは、時間依存性ＤＦＴ（ＴＤ－ＤＦＴ）法を利用した、（ＢＰ８６）最適化構造を使用して計算する。Ｂ３ＬＹＰ関数を用いて、軌道および励起状態エネルギーを計算する。数値積分のためのＤｅｆ２－ＳＶＰベースのセットおよびｍ４－グリッドを使用する。全ての計算に、Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅプログラムパッケージを用いる。
分子構造は、ＢＰ８６関数手法および単位の分解手法（ＲＩ）を利用して最適化する。励起エネルギーは、時間依存性ＤＦＴ（ＴＤ－ＤＦＴ）法を利用した、（ＢＰ８６）最適化構造を使用して計算する。Ｂ３ＬＹＰ関数を用いて、軌道および励起状態エネルギーを計算する。数値積分のためのＤｅｆ２－ＳＶＰベースのセットおよびｍ４－グリッドを使用する。全ての計算に、Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅプログラムパッケージを用いる。
【0162】
光物理的測定
サンプルの事前処理：スピンコーティング
装置：Ｓｐｉｎ１５０、ＳＰＳ ｅｕｒｏ。
サンプル濃度は、１０ｍｇ／ｍｌであり、適切な溶媒に溶解している。
プログラム：１）４００Ｕ／分で３秒；１０００Ｕ／分で、１０００Ｕｐｍ／秒で２０秒。３）４０００Ｕ／分で、１０００Ｕｐｍ／秒で１０秒。コーティング後、フィルムは７０℃で１分間試す。
サンプルの事前処理：スピンコーティング
装置：Ｓｐｉｎ１５０、ＳＰＳ ｅｕｒｏ。
サンプル濃度は、１０ｍｇ／ｍｌであり、適切な溶媒に溶解している。
プログラム：１）４００Ｕ／分で３秒；１０００Ｕ／分で、１０００Ｕｐｍ／秒で２０秒。３）４０００Ｕ／分で、１０００Ｕｐｍ／秒で１０秒。コーティング後、フィルムは７０℃で１分間試す。
【0163】
光ルミネセンス分光法およびＴＣＳＰＣ（時間相関シングルフォトンカウンティング）
１５０Ｗ Ｘｅｎｏｎ－Ａｒｃランプ、励起および発光モノクロメーター、ならびに浜松ホトニクス製Ｒ９２８光電子増倍管および時間相関シングルフォトンカウンティングオプションを備えた、堀場製作所製ＦｌｕｏｒｏＭａｘ－４型で定常状態の発光分光法を測定する。標準的な補正適合を使用して発光および励起スペクトルを補正する。
１５０Ｗ Ｘｅｎｏｎ－Ａｒｃランプ、励起および発光モノクロメーター、ならびに浜松ホトニクス製Ｒ９２８光電子増倍管および時間相関シングルフォトンカウンティングオプションを備えた、堀場製作所製ＦｌｕｏｒｏＭａｘ－４型で定常状態の発光分光法を測定する。標準的な補正適合を使用して発光および励起スペクトルを補正する。
【0164】
ＦＭ－２０１３装置および堀場製作所製Ｙｖｏｎ ＴＣＳＰＣ ｈｕｂを用いたＴＣＳＰＣ方法を使用して、同じシステムを利用して、励起状態寿命を決定する。
励起光源：
ＮａｎｏＬＥＤ ３７０（波長：３７１ｎｍ、パルス幅：１，１ｎｓ）
ＮａｎｏＬＥＤ ２９０（波長：２９４ｎｍ、パルス幅：＜１ｎｓ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３１０（波長：３１４ｎｍ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３５５（波長：３５５ｎｍ）。
励起光源：
ＮａｎｏＬＥＤ ３７０（波長：３７１ｎｍ、パルス幅：１，１ｎｓ）
ＮａｎｏＬＥＤ ２９０（波長：２９４ｎｍ、パルス幅：＜１ｎｓ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３１０（波長：３１４ｎｍ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３５５（波長：３５５ｎｍ）。
【0165】
データ分析（指数近似）は、ソフトウエアスイートＤａｔａＳｔａｔｉｏｎおよびＤＡＳ６分析ソフトウエアを使用して行う。適合はカイ二乗検定を使用して特定する。
【0166】
フォトルミネッセンス量子収率測定
フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定のため、絶対ＰＬ量子収率測定Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（浜松ホトニクス製）を使用する。量子収率およびＣＩＥ座標は、ソフトウエアＵ６０３９－０５バージョン３．６．０を使用して決定する。
発光極大はｎｍで、量子収率Φは％で、ＣＩＥ座標はｘ、ｙ値として与えられる。
ＰＬＱＹは、以下のプロトコルを使用して決定する。
１）品質保証：エタノール中のアントラセン（公知の濃度）を基準物質として使用する
２）励起波長：有機分子の最大吸収を決定し、この波長を使用して分子を励起させる
３）測定
窒素雰囲気下、溶液またはフィルムの試料に対して量子収率を測定する。以下の方程式を使用して収率を計算する：
式中、ｎ光子はフォトン数を示し、Ｉｎｔ．は強度を示す。
フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定のため、絶対ＰＬ量子収率測定Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（浜松ホトニクス製）を使用する。量子収率およびＣＩＥ座標は、ソフトウエアＵ６０３９－０５バージョン３．６．０を使用して決定する。
発光極大はｎｍで、量子収率Φは％で、ＣＩＥ座標はｘ、ｙ値として与えられる。
ＰＬＱＹは、以下のプロトコルを使用して決定する。
１）品質保証：エタノール中のアントラセン（公知の濃度）を基準物質として使用する
２）励起波長：有機分子の最大吸収を決定し、この波長を使用して分子を励起させる
３）測定
窒素雰囲気下、溶液またはフィルムの試料に対して量子収率を測定する。以下の方程式を使用して収率を計算する：
【数1】
【0167】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの生成および特徴付け
本発明による有機分子を含むＯＬＥＤデバイスは真空堆積法を介して生成することができる。層が１つ超の化合物を含有する場合、１つまたは複数の化合物の質量パーセンテージは％で与えられる。総質量パーセンテージ値は１００％になるため、したがって、値が与えられていない場合、この化合物の分率は、与えられた値と１００％との間の差異に等しい。
本発明による有機分子を含むＯＬＥＤデバイスは真空堆積法を介して生成することができる。層が１つ超の化合物を含有する場合、１つまたは複数の化合物の質量パーセンテージは％で与えられる。総質量パーセンテージ値は１００％になるため、したがって、値が与えられていない場合、この化合物の分率は、与えられた値と１００％との間の差異に等しい。
【0168】
標準的方法を使用して、ならびにエレクトロルミネッセンススペクトル、フォトダイオードにより検出した光を使用して計算した、強度に対する依存性における外部量子効率（単位：％）、および電流を測定して、完全には最適化されていないＯＬＥＤを特徴付ける。ＯＬＥＤデバイス寿命は、定電流密度での動作中の輝度の変化から抽出する。ＬＴ５０値は、測定された輝度が最初の輝度の５０％まで低減する時間に対応し、同様にＬＴ８０は、測定された輝度が最初の輝度の８０％まで低減する時間点に対応し、ＬＴ９５は、測定された輝度が最初の輝度の９５％まで低減する時間点に対応する。
【0169】
加速された寿命測定を実施する（例えば、より高い電流密度を適用することによって）。５００ｃｄ／ｍ2での例示的なＬＴ８０値は、以下の方程式を使用して決定する。
（式中、Ｌ0は、適用された電流密度での最初の輝度を表す）
値はいくつかのピクセル（通常、２～８）の平均に相当し、これらのピクセル間の標準偏差が与えられる。
【数2】
値はいくつかのピクセル（通常、２～８）の平均に相当し、これらのピクセル間の標準偏差が与えられる。
【0170】
ＨＰＬＣ－ＭＳ：
ＨＰＬＣ－ＭＳ分光法は、ＭＳ－検出器（Ｔｈｅｒｍｏ ＬＴＱ ＸＬ）を有するＡｇｉｌｅｎｔ製１１００シリーズによりＨＰＬＣ上で実施する。ＨＰＬＣでは、Ｗａｔｅｒｓ社の逆相カラム４．６ｍｍ×１５０ｍｍ、粒径５．０μｍを用いる（プレカラムなし）。溶媒のアセトニトリル、水およびＴＨＦを以下の濃度で用いて、ＨＰＬＣ－ＭＳ測定を室温（ｒｔ）で実施する：
ＨＰＬＣ－ＭＳ分光法は、ＭＳ－検出器（Ｔｈｅｒｍｏ ＬＴＱ ＸＬ）を有するＡｇｉｌｅｎｔ製１１００シリーズによりＨＰＬＣ上で実施する。ＨＰＬＣでは、Ｗａｔｅｒｓ社の逆相カラム４．６ｍｍ×１５０ｍｍ、粒径５．０μｍを用いる（プレカラムなし）。溶媒のアセトニトリル、水およびＴＨＦを以下の濃度で用いて、ＨＰＬＣ－ＭＳ測定を室温（ｒｔ）で実施する：
【表1】
【0171】
０．５ｍｇ／ｍｌの濃度の溶液から、１５μＬの注入量を測定用に取る。以下の勾配を使用する：
【表2】
【0172】
プローブのイオン化をＡＰＣＩ（大気圧化学イオン化）により実施する。
【実施例1】
【0173】
【化47】
【0174】
実施例１は、ＡＡＶ１およびＡＡＶ４に従って合成されたもので、合成ＡＡＶ４の収率は３０％であった。
【0175】
ＭＳ（ＨＰＬＣ－ＭＳ）：
【表3】
【0176】
図１は、実施例１（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。発光極大（λmax）は、４７２ｎｍである。フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）は７４％であり、半値全幅（ＦＷＨＭ）は０．３９ｅＶであり、発光寿命は９μｓである。得られたＣＩＥx座標は０．１６で決定され、ＣＩＥｙ座標は０．２７で決定される。ｍＣＢＰ（１０重量％）では、発光寿命は５μｓに有益に減少し、ＦＷＨＭは０．３５ｅＶ（ＰＬＱＹ＝ ８１％；λmax ＝ ４７８ｎｍ）になる。
【実施例2】
【0177】
【化48】
【0178】
実施例２は、ＡＡＶ１およびＡＡＶ４に従って合成されたもので、合成ＡＡＶ４の収率は５０％であった。
【0179】
ＭＳ（ＨＰＬＣ－ＭＳ）：
【表4】
【0180】
図２は、実施例２（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。発光極大（λmax）は、４７５ｎｍである。フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）は８９％であり、半値全幅（ＦＷＨＭ）は０．３８ｅＶであり、発光寿命は７μｓである。得られたＣＩＥx座標は０．１６で決定され、ＣＩＥｙ座標は０．２７で決定される。ｍＣＢＰ（１０重量％）では、発光寿命は６μｓに有益に減少し、ＦＷＨＭは０．３４ｅＶ（ＰＬＱＹ＝ ８９％；λmax ＝ ４７５ｎｍ）になる。
【実施例3】
【0181】
【化49】
【0182】
実施例３は、ＡＡＶ１およびＡＡＶ４に従って合成されたもので、合成ＡＡＶ４の収率は５０％であった。
【0183】
ＭＳ（ＨＰＬＣ－ＭＳ）：
【表5】
【0184】
図３は、実施例３の発光スペクトルを表す。実施例３の発光極大（λmax）（ＰＭＭＡ中１０重量％）は４６２ｎｍである。フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）は６６％であり、半値全幅（ＦＷＨＭ）は０．４０ｅＶであり、発光寿命は１１μｓである。得られたＣＩＥx座標は０．１５で決定され、ＣＩＥｙ座標は０．１７で決定される。ｍＣＢＰ（１０重量％）では、発光寿命は７μｓに有益に減少し、ＦＷＨＭは０．３８ｅＶ（ＰＬＱＹ＝ ６８％；λmax ＝ ４７０ｎｍ）になる。
【実施例4】
【0185】
【化50】
【0186】
実施例４は、ＡＡＶ２およびＡＡＶ３に従って合成されたもので、合成ＡＡＶ３の収率は４０％であった。
【0187】
ＭＳ（ＨＰＬＣ－ＭＳ）：
【表6】
【0188】
図４は、実施例４（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。実施例４（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光極大（λmax）は４４３ｎｍである。フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）は４５％であり、半値全幅（ＦＷＨＭ）は０．４１ｅＶであり、発光寿命は１２８μｓである。得られたＣＩＥx座標は０．１５で決定され、ＣＩＥｙ座標は０．０９で決定される。
【実施例5】
【0189】
【化51】
【0190】
実施例５は、ＡＡＶ３およびＡＡＶ４に従って合成されたもので、合成ＡＡＶ４の収率は３８％であった。
【0191】
ＭＳ（ＨＰＬＣ－ＭＳ）：
【表7】
【0192】
図５は、実施例５（ＰＭＭＡ中１０重量％）の発光スペクトルを表す。発光極大（λmax）は、４５３ｎｍである。フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）は６６％であり、半値全幅（ＦＷＨＭ）は０．４０ｅＶであり、発光寿命は５１μｓである。得られたＣＩＥx座標は０．１５で決定され、ＣＩＥｙ座標は０．１３で決定される。
【0193】
デバイスＤ１
実施例１を、次の層構造を持つＯＬＥＤ－デバイスＤ１で試験した：
実施例１を、次の層構造を持つＯＬＥＤ－デバイスＤ１で試験した：
【表8】
【0194】
Ｄ１について、１０００ｃｄ／ｍ2において、１４．７±０．２％の外部量子効率（ＥＱＥ）、および５００ｃｄ／ｍ2において、加速寿命測定から１１３時間のＬＴ８０値が決定された。発光極大は４８２ｎｍ、７ＶでのＣＩＥｘは０．１６であり、ＣＩＥｙは０．３３である。
【0195】
デバイスＤ２
実施例２を、次の層構造を持つＯＬＥＤ－デバイスＤ２で試験した：
実施例２を、次の層構造を持つＯＬＥＤ－デバイスＤ２で試験した：
【表9】
【0196】
Ｄ２について、１０００ｃｄ／ｍ2において、９．７±０．２％の外部量子効率（ＥＱＥ）が決定された。発光極大は４８１ｎｍ、８ＶでのＣＩＥｘは０．１５であり、ＣＩＥｙは０．２９である。
【0197】
デバイスＤ３
実施例３を、次の層構造を持つＯＬＥＤ－デバイスＤ３で試験した：
実施例３を、次の層構造を持つＯＬＥＤ－デバイスＤ３で試験した：
【表10】
【化52】
【0198】
Ｄ３について、１０００ｃｄ／ｍ2において、１６．５±０．２％の外部量子効率（ＥＱＥ）が決定された。発光極大は４６８ｎｍ、７ＶでのＣＩＥｘは０．１４であり、ＣＩＥｙは０．２０である。
【本発明の有機分子のさらなる実施例】
【0199】
【化53】
【化54】
【化55】
【化56】
【化57】
【化58】
【化59】
【化60】
【化61】
【化62】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】