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▶ スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-07-28
(45)【発行日】2022-08-05
(54)【発明の名称】発光素子パッケージ及びそれを含む照明システム
(51)【国際特許分類】
H01L 33/50 20100101AFI20220729BHJP
C09K 11/55 20060101ALI20220729BHJP
C09K 11/57 20060101ALI20220729BHJP
C09K 11/61 20060101ALI20220729BHJP
C09K 11/67 20060101ALI20220729BHJP
F21V 9/00 20180101ALI20220729BHJP
H01L 33/54 20100101ALI20220729BHJP
H01L 33/58 20100101ALI20220729BHJP
【ＦＩ】
H01L33/50
C09K11/55 CPF
C09K11/57
C09K11/61
C09K11/67
F21V9/00
H01L33/54
H01L33/58
【請求項の数】
4
(21)【出願番号】P 2016018529
(22)【出願日】2016-02-03
(65)【公開番号】P2016152413
(43)【公開日】2016-08-22
【審査請求日】2019-01-29
【審判番号】
【審判請求日】2020-09-24
(31)【優先権主張番号】10-2015-0023223
(32)【優先日】2015-02-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】521268118
【氏名又は名称】スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100166729
【弁理士】
【氏名又は名称】武田 幸子
(72)【発明者】
【氏名】ムン・ジウク
【合議体】
【審判長】瀬川 勝久
【審判官】山村 浩
【審判官】加々美 一恵
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－６３２０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－２８１４８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－６９５７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第８１９３７２１（ＵＳ，Ｂ２）
【文献】特開２００７－１５８２９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１４／０６８４４０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００８－５３６９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１４／１０４１４７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１３－６０５０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２０９３３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２４５４４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－１７３３９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－２３５９２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－３４１８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２０９３１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２５８４７９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１４７１５（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第８７１０４８７（ＵＳ，Ｂ２）
【文献】Ｙａｎ Ｋａｉ Ｘｕ ａｎｄ Ｓａｄａｏ Ａｄａｃｈｉ，Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｍｎ４＋－ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｔｉｔａｎａｔｅ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，米国，Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２０１１年１月１０日，Ｖｏｌ．１５８（３），Ｊ５８－Ｊ６５
【文献】Ｃｈｅｎｘｉｎｇ Ｌｉａｏ ｅｔ ａｌ．，Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｆｒｏｍ ＳｉＯ２ Ｐｏｗｄｅｒｓ ｖｉａ Ｒｅｄｏｘ Ｒｅａｃｔｉｏｎ ｉｎ ＨＦ／ＫＭｎＯ４ Ｓｏｌｔｉｏｎ ａｎｄ Ｔｈｅｉｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｉｎ Ｗａｒｍ－Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，米国，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２０１３年７月２日，Ｖｏｌ．９６［１１］，ｐｐ．３５５２－３５５６
【文献】Ｓａｄａｏ Ａｄａｃｈｉ ａｎｄ Ｔｏｒｕ Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｋ２ＧｅＦ６：Ｍｎ４＋ ｒｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ ｆｒｏｍ ａｑｕｅｏｕｓ ＨＦ／ＫＭｎＯ４ ｓｏｌｕｔｉｏｎ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，米国，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００９年７月８日，Ｖｏｌ．１０６，０１３５１６
【文献】Ｔｏｒｕ Ｔａｋａｈａｓｈｉ ａｎｄ Ｓａｄａｏ Ａｄａｃｈｉ，Ｍｎ４＋－Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｒｅｄ Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｉｎ Ｋ２ＳｉＦ６ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，米国，Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００８年１０月１３日，Ｖｏｌ．１５５（１２），Ｅ１８３－Ｅ１８８
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
H01L33/00-33/64
Ｇｏｏｇｌｅ Ｓｃｈｏｌａｒ
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の光が混色した白色光を発する発光素子パッケージであって、リードフレームと、
前記リードフレーム上に配置され、第１波長領域の光を放出する第１発光素子、及び前記第１波長領域と異なる第２波長領域の光を放出する第２発光素子と、
前記第１発光素子及び前記第２発光素子を取り囲んで配置されるモールディング部とを含み、
前記モールディング部は、前記第１発光素子及び前記第２発光素子のうちの少なくとも１つから放出される光によって励起されるフルオロ系赤色蛍光体を含み、
前記フルオロ系赤色蛍光体が励起されて放出される光の半値全幅は５ｎｍ～１０ｎｍであり、
前記第１波長領域の光の中心波長は４４０ｎｍ～４６０ｎｍであり、
前記第２波長領域の光の中心波長は５２０ｎｍ～５３５ｎｍであり、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、前記モールディング部に５ｗｔ％～２０ｗｔ％の重量比で含まれ、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、化学式Ｋ２ＭＦ６：Ｍｎ４＋（ここで、Ｍは、Ｇｅ、又は、Ｔｉのうちの少なくとも１つである）で表され、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、前記モールディング部に分散して配置され、前記第１発光素子と前記第２発光素子のそれぞれの上側と左右側に配置され、
前記モールディング部は、ドームタイプからなり、前記第１発光素子及び前記第２発光素子から放出される光の出射角を変え、
前記発光素子パッケージが発する光のＣＩＥ１９３１色座標系におけるＲ、Ｇ、Ｂの３つの色座標点を結ぶ三角形領域の面積と、ＮＴＳＣの標準Ｒ、Ｇ、Ｂ色座標を結ぶ三角形領域の面積との比率は、８９．７％以上である、
発光素子パッケージ。
【請求項2】
前記フルオロ系赤色蛍光体の発光中心波長は６２０ｎｍ～６４０ｎｍである、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項3】
Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の光が混色した白色光を発する発光素子パッケージであって、リードフレームと、
前記リードフレーム上に配置され、第１波長領域の光を放出する第１発光素子、及び前記第１波長領域と異なる第２波長領域の光を放出する第２発光素子と、
前記第１発光素子及び前記第２発光素子を取り囲んで配置されるモールディング部とを含み、
前記モールディング部は、前記第１発光素子及び前記第２発光素子のうちの少なくとも１つから放出される光によって励起されるフルオロ系赤色蛍光体を含み、
前記フルオロ系赤色蛍光体から放出される赤色光は、ＣＩＥ１９３１色座標系を基準として、（０．６００，０．２６０）、（０．６９０，０．２６０）、（０．６００，０．３１０）及び（０．６９０，０．３１０）のＸ，Ｙ座標からなる四角形領域の内部に位置する色座標を有し、
前記第１波長領域の光の中心波長は４４０ｎｍ～４６０ｎｍであり、
前記第２波長領域の光の中心波長は５２０ｎｍ～５３５ｎｍであり、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、前記モールディング部に５ｗｔ％～２０ｗｔ％の重量比で含まれ、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、化学式Ｋ２ＭＦ６：Ｍｎ４＋（ここで、Ｍは、Ｇｅ、又は、Ｔｉのうちの少なくとも１つである）で表され、
前記フルオロ系赤色蛍光体が励起されて放出される光の半値全幅は５ｎｍ～１０ｎｍであり、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、前記モールディング部に分散して配置され、前記第１発光素子と前記第２発光素子のそれぞれの上側と左右側に配置され、
前記モールディング部は、ドームタイプからなり、前記第１発光素子及び前記第２発光素子から放出される光の出射角を変え、
前記発光素子パッケージが発する光のＣＩＥ１９３１色座標系におけるＲ、Ｇ、Ｂの３つの色座標点を結ぶ三角形領域の面積と、ＮＴＳＣの標準Ｒ、Ｇ、Ｂ色座標を結ぶ三角形領域の面積との比率は、８９．７％以上である、
発光素子パッケージ。
【請求項4】
Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の光が混色した白色光を発する発光素子パッケージであって、リードフレーム、前記リードフレーム上に配置され、第１波長領域の光を放出する第１発光素子及び前記第１波長領域と異なる第２波長領域の光を放出する第２発光素子、及び前記第１発光素子及び前記第２発光素子を取り囲んで配置されるモールディング部を含み、前記モールディング部は、蛍光体としては、前記第１発光素子及び前記第２発光素子のうちの少なくとも１つから放出される光によって励起されるフルオロ系赤色蛍光体のみを含む、発光素子パッケージを備え、前記フルオロ系赤色蛍光体が励起されて放出される光の半値全幅は５ｎｍ～１０ｎｍであり、
前記第１波長領域の光の中心波長は４４０ｎｍ～４６０ｎｍであり、
前記第２波長領域の光の中心波長は５２０ｎｍ～５３５ｎｍであり、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、前記モールディング部に５ｗｔ％～２０ｗｔ％の重量比で含まれ、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、化学式Ｋ２ＭＦ６：Ｍｎ４＋（ここで、Ｍは、Ｇｅ、又は、Ｔｉのうちの少なくとも１つである）で表され、
前記発光素子パッケージは、青色光、緑色光及び赤色光が混色した白色光を発光し、
前記フルオロ系赤色蛍光体は、前記モールディング部に分散して配置され、前記第１発光素子と前記第２発光素子のそれぞれの上側と左右側に配置され、
前記モールディング部は、ドームタイプからなり、前記第１発光素子及び前記第２発光素子から放出される光の出射角を変え、
前記発光素子パッケージが発する光のＣＩＥ１９３１色座標系におけるＲ、Ｇ、Ｂの３つの色座標点を結ぶ三角形領域の面積と、ＮＴＳＣの標準Ｒ、Ｇ、Ｂ色座標を結ぶ三角形領域の面積との比率は、８９．７％以上である、
照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施例は、発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体のＩＩＩ－Ｖ族又はＩＩ－ＶＩ族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）やレーザーダイオードのような発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの様々な色を具現することができ、蛍光物質を用いたり、色を組み合わせたりすることによって効率の良い白色光も具現可能であり、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の利点を有する。
【0003】
白色光を具現する方法においては、単一チップ形態の方法であって、青色や紫外線（ＵＶ：Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）発光ダイオードチップ上に蛍光物質を結合する方法と、マルチチップ形態で製造してこれらを互いに組み合わせて白色光を得る方法とに分けられる。
【0004】
マルチチップ形態の場合、代表的にＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）の３種類のチップを組み合わせて作製する方法があり、これは、それぞれのチップ毎に動作電圧が不均一であるか、または周辺環境によるそれぞれのチップの出力の差により色座標が変わるという問題を有する。
【0005】
また、単一チップで白色光を具現する場合において、青色ＬＥＤから発光する光と、これを用いて少なくとも１つの蛍光体を励起させて白色光を得る方法が用いられている。
【0006】
一方、ディスプレイ装置などにおいて、このような発光ダイオードチップを用いた照明装置が光源として用いられてもよい。このようなディスプレイ用アプリケーションにおいては、輝度のみならず高い色再現率を有するために、色純度が高い照明装置を必要とする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
実施例は、青色発光素子、緑色発光素子及び赤色蛍光体を含むようにして色純度が高い蛍光体組成物と発光素子パッケージ及び照明装置を具現しようとする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、上述した課題を解決するために、リードフレーム、前記リードフレーム上に配置され、第１波長領域の光を放出する第１発光素子及び前記第１波長領域と異なる第２波長領域の光を放出する第２発光素子、及び前記第１発光素子及び前記第２発光素子を取り囲んで配置されるモールディング部を含み、前記モールディング部は、前記第１発光素子及び前記第２発光素子のうちの少なくとも１つから放出される光によって励起されるフルオロ系赤色蛍光体を含み、前記赤色蛍光体の半値幅は５ｎｍ～１０ｎｍである、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0009】
また、前記赤色蛍光体は、化学式Ｋ２ＭＦ６：Ｍｎ４＋（ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉのうちの少なくとも１つである）で表される発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0010】
また、キャビティを有するパッケージボディーをさらに含み、前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、前記キャビティの底面に配置され、前記モールディング部は、前記キャビティを充填して配置される、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0011】
また、前記赤色蛍光体の発光中心波長は６２０ｎｍ～６４０ｎｍである、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0012】
また、前記第１波長領域の光の中心波長は４４０ｎｍ～４６０ｎｍである、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0013】
また、前記第２波長領域の光の中心波長は５２０ｎｍ～５３５ｎｍである、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0014】
また、前記モールディング部はベース樹脂部を含み、前記赤色蛍光体は、前記ベース樹脂部内に所定間隔離隔して配置される、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0015】
また、前記赤色蛍光体は、前記モールディング部に５ｗｔ％～２５ｗｔ％の重量比で含まれた、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0016】
また、前記モールディング部は、ドームタイプからなり、前記第１発光素子及び前記第２発光素子から放出される光の出射角を可変させる、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0017】
また、リードフレーム、前記リードフレーム上に配置され、第１波長領域の光を放出する第１発光素子及び前記第１波長領域と異なる第２波長領域の光を放出する第２発光素子、及び前記第１発光素子及び前記第２発光素子を取り囲んで配置されるモールディング部を含み、前記モールディング部は、記第１発光素子及び前記第２発光素子のうちの少なくとも１つから放出される光によって励起されるフルオロ系赤色蛍光体を含み、前記赤色蛍光体から放出される赤色光は、ＣＩＥ１９３１色座標系を基準として、（０．６００，０．２６０）、（０．６９０，０．２６０）、（０．６００，０．３１０）及び（０．６９０，０．３１０）のＸ，Ｙ座標からなる四角形領域の内部に位置する色座標を有する、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0018】
また、前記赤色蛍光体の半値幅は５ｎｍ～１０ｎｍである、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0019】
また、前記第１波長領域の光の中心波長は４４０ｎｍ～４６０ｎｍである、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0020】
また、前記第２波長領域の光の中心波長は５２０ｎｍ～５３５ｎｍである、発光素子パッケージを提供することを課題の解決手段とする。
【0021】
また、リードフレーム、前記リードフレーム上に配置され、第１波長領域の光を放出する第１発光素子及び前記第１波長領域と異なる第２波長領域の光を放出する第２発光素子、及び前記第１発光素子及び前記第２発光素子を取り囲んで配置されるモールディング部を含み、前記モールディング部は、前記第１発光素子及び前記第２発光素子のうちの少なくとも１つから放出される光によって励起されるフルオロ系赤色蛍光体を含む、発光素子パッケージと、前記発光素子パッケージから放出された光の経路を変化させる光学部材とを含み、前記赤色蛍光体の半値幅は５ｎｍ～１０ｎｍである、照明装置を提供することを課題の解決手段とする。
【0022】
また、前記発光素子パッケージは、青色光、緑色光及び赤色光が混色した白色光を発光する、照明装置を提供することを課題の解決手段とする。
【0023】
また、前記青色光は、ＣＩＥ１９３１色座標系を基準として、（０．１３０，０．０５０）、（０．１６０，０．０５０）、（０．１３０，０．０８０）及び（０．１６０，０．０８０）のＸ，Ｙ座標からなる四角形領域の内部に位置する色座標を有する、照明装置を提供することを課題の解決手段とする。
【0024】
また、前記緑色光は、ＣＩＥ１９３１色座標系を基準として、（０．１４０，０．６５０）、（０．１６０，０．６５０）、（０．１４０，０．６８０）及び（０．１６０，０．６８０）のＸ，Ｙ座標からなる四角形領域の内部に位置する色座標を有する、照明装置を提供することを課題の解決手段とする。
【0025】
また、前記赤色光は、ＣＩＥ１９３１色座標系を基準として、（０．６００，０．２６０）、（０．６９０，０．２６０）、（０．６００，０．３１０）及び（０．６９０，０．３１０）のＸ，Ｙ座標からなる四角形領域の内部に位置する色座標を有する、照明装置を提供することを課題の解決手段とする。
【0026】
また、前記モールディング部での前記赤色蛍光体の含量が増加するほど、前記赤色光の前記Ｘ座標値は増加する、照明装置を提供することを課題の解決手段とする。
【0027】
また、前記青色光、前記緑色光及び前記赤色光がなす三角形領域の面積は、ＮＴＳＣ面積対比９０％以上である、照明装置を提供することを課題の解決手段とする。
【発明の効果】
【0028】
実施例に係る発光素子パッケージと照明装置の場合、青色及び緑色発光素子と半値幅が狭いフルオロ系赤色蛍光体を含むことによって、蛍光体組成物が励起されて発光する光の色純度を高めることによって、色再現率を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】一実施例の発光素子パッケージを示す図である。
【図2】一実施例の発光素子を示す図である。
【図3】発光素子パッケージの他の実施例を示す図である。
【図4A】発光素子パッケージの発光スペクトルを示す図である。
【図4B】発光素子パッケージの発光スペクトルを示す図である。
【図5】照明装置の一実施例を示す図である。
【図6】比較例での色座標値のシミュレーション結果を示す図である。
【図7】実施例に対する色座標値のシミュレーション結果を示す図である。
【図8】実施例に対する色座標値のシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の実施例を、添付の図面を参照して説明する。
【0031】
本発明に係る実施例の説明において、各構成要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の「上（上部）又は下（下部）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、上（上部）又は下（下部）は、２つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、１つ以上の他の構成要素が前記２つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、「上（上部）又は下（下部）」と表現される場合、一つの構成要素を基準として上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
【0032】
また、以下で使用される「第１」及び「第２」、「上／上部／上側」及び「下／下部／下側」などのような関係的用語は、かかる実体又は要素間のいかなる物理的又は論理的関係、または順序を必ず要求したり、内包したりすることなく、ある一つの実体又は要素を他の実体又は要素と区別するためにのみ用いることもできる。
【0033】
図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、または概略的に示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。
【0034】
図１は、一実施例の発光素子パッケージを示す図である。
【0035】
一実施例に係る発光素子パッケージ２００ａは、第１リードフレーム１４２及び第２リードフレーム１４４、前記第１リードフレーム１４２及び第２リードフレーム１４４の上に配置される第１発光素子１１０ａ及び第２発光素子１１０ｂ、及び第１及び第２発光素子を取り囲んで配置されるモールディング部１６０を含むことができる。
【0036】
図１を参照すると、第１リードフレーム１４２及び第２リードフレーム１４４は、第１発光素子１１０ａ及び第２発光素子１１０ｂと電気的に接続されていてもよい。
【0037】
第１リードフレーム１４２及び第２リードフレーム１４４は、基板１００上に固定されて配置されてもよい。このとき、基板１００は、熱伝導性に優れたセラミック物質からなることができ、一例として、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板であってもよい。
【0038】
第１リードフレーム１４２及び第２リードフレーム１４４は、銅などの導電性物質からなることができ、例えば、金（Ａｕ）をメッキして配置することができる。
【0039】
第１リードフレーム１４２及び第２リードフレーム１４４は、互いに電気的に分離され、発光素子１１０ａ，１１０ｂに電流を供給することができる。また、第１リードフレーム１４２及び第２リードフレーム１４４は、発光素子１１０ａ，１１０ｂから発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、発光素子１１０ａ，１１０ｂから発生した熱を外部に排出させることもできる。
【0040】
図１に示された一実施例では、発光素子１１０ａ，１１０ｂが、第１リードフレーム１４２上に配置され、第２リードフレーム１４４とはワイヤ１４６を介して接続されてもよいが、発光素子１１０ａ，１１０ｂは、ワイヤボンディング方式以外にフリップチップボンディング又はダイボンディング方式によりリードフレームと接続されてもよい。
【0041】
発光素子１１０ａ，１１０ｂは発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であってもよい。
【0042】
図２は、発光素子１１０ａ，１１０ｂの一実施例を示した図であり、発光素子１１０ａ，１１０ｂは、支持基板７０、発光構造物２０、オーミック層４０、及び第１電極８０を含むことができる。
【0043】
発光構造物２０は、第１導電型半導体層２２、活性層２４及び第２導電型半導体層２６を含んでなる。
【0044】
第１導電型半導体層２２は、ＩＩＩ－Ｖ族又はＩＩ－ＶＩ族などの化合物半導体で具現されてもよく、第１導電型ドーパントがドープされてもよい。第１導電型半導体層２２は、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１－ｘ－ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか１つ以上で形成されてもよい。
【0045】
第１導電型半導体層２２がｎ型半導体層である場合、第１導電型ドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのようなｎ型ドーパントを含むことができる。第１導電型半導体層２２は、単層又は多層に形成されてもよく、これに限定されるものではない。
【0046】
活性層２４は、第１導電型半導体層２２と第２導電型半導体層２６との間に配置され、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造、量子点構造または量子線構造のいずれか１つを含むことができる。
【0047】
活性層２４は、ＩＩＩ－Ｖ族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層、例えば、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのいずれか１つ以上のペア構造で形成されてもよいが、これに限定されない。井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップよりも小さいエネルギーバンドギャップを有する物質で形成することができる。
【0048】
第２導電型半導体層２６は、半導体化合物で形成することができる。第２導電型半導体層２６は、ＩＩＩ－Ｖ族又はＩＩ－ＶＩ族などの化合物半導体で具現されてもよく、第２導電型ドーパントがドープされてもよい。第２導電型半導体層２６は、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか１つ以上で形成されてもよく、例えば、第２導電型半導体層２６がＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎからなることができる。
【0049】
第２導電型半導体層２６がｐ型半導体層である場合、第２導電型ドーパントは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのようなｐ型ドーパントであってもよい。第２導電型半導体層２６は、単層又は多層に形成されてもよく、これに限定されない。
【0050】
第１導電型半導体層２２の表面がパターンをなして光抽出効率を向上させることができる。また、第１導電型半導体層２２の表面には第１電極８０を配置することができ、図示してはいないが、第１電極８０が配置される第１導電型半導体層２２の表面はパターンを有さなくてもよい。第１電極８０は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）のうちの少なくとも１つを含んで単層又は多層構造に形成されてもよい。
【0051】
発光構造物２０の周囲にはパッシベーション層９０が形成されてもよい。パッシベーション層９０は絶縁物質からなることができ、絶縁物質は非伝導性の酸化物や窒化物からなることができる。例えば、パッシベーション層９０は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）層、酸化窒化物層、酸化アルミニウム層からなることができる。
【0052】
発光構造物２０の下部には第２電極を配置することができ、オーミック層４０と反射層５０が第２電極として作用することができる。第２導電型半導体層２６の下部にはＧａＮが配置されて、第２導電型半導体層２６に電子乃至正孔の供給を円滑にすることができる。
【0053】
オーミック層４０は、約２００オングストローム（Å）の厚さであってもよい。オーミック層４０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ－Ｇａ ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ ＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうちの少なくとも１つを含んで形成されてもよく、このような材料に限定されない。
【0054】
反射層５０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、あるいはＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ又はＲｈを含む合金を含む金属層からなることができる。反射層５０は、活性層２４から発生した光を効果的に反射することによって、半導体素子の光抽出効率を大きく改善することができる。
【0055】
支持基板（ｓｕｐｐｏｒｔ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）７０は、金属又は半導体物質などの導電性物質で形成することができる。電気伝導度乃至熱伝導度に優れた金属を使用することができ、半導体素子の作動時に発生する熱を十分に発散させなければならないので、熱伝導度が高い物質（例えば、金属など）で形成することができる。
【0056】
例えば、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）及びアルミニウム（Ａｌ）で構成される群から選択される物質、またはこれらの合金からなることができ、また、金（Ａｕ）、銅合金（Ｃｕ Ａｌｌｏｙ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅－タングステン（Ｃｕ－Ｗ）、キャリアウエハ（例えば、ＧａＮ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、Ｇａ２Ｏ３のいずれか１つであってもよい）などを選択的に含むことができる。
【0057】
支持基板７０は、窒化物半導体全体に反りをもたらすことなく、スクライビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程及びブレーキング（ｂｒｅａｋｉｎｇ）工程を通じて別個のチップに容易に分離できる程度の機械的強度を有するために、５０μｍ～２００μｍの厚さからなることができる。
【0058】
接合層６０は、反射層５０と支持基板７０とを結合し、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）で構成される群から選択される物質、またはこれらの合金で形成することができる。
【0059】
図２に示された発光素子１１０の実施例は垂直型発光素子の実施例であるが、図１に示された発光素子パッケージ２００ａの実施例には、図２に示された垂直型発光素子以外に、水平型発光素子、フリップチップタイプの発光素子が配置されてもよい。
【0060】
一方、第１発光素子１１０ａは、第１波長領域の光を放出することができる。
【0061】
例えば、第１発光素子１１０ａは青色光を発光することができ、第１発光素子から放出される光の中心波長は４４０ｎｍ～４６０ｎｍであってもよい。
【0062】
第２発光素子１１０ｂは、第１発光素子と異なる第２波長領域の光を放出することができる。
【0063】
例えば、第２発光素子１１０ｂは緑色光を発光することができ、第２発光素子から放出される光の中心波長は５２０ｎｍ～５３５ｎｍであってもよい。
【0064】
再び図１を参照すると、一実施例の発光素子パッケージ２００ａにおいて、モールディング部１６０は、第１発光素子１００ａと第２発光素子１００ｂを取り囲んで配置されてもよい。
【0065】
モールディング部１６０は、ドーム（ｄｏｍｅ）タイプからなることができ、発光素子パッケージから放出される光の出射角を調節するために、他の形状に配置されてもよい。モールディング部１６０は、発光素子１１０ａ，１１０ｂを包囲して保護し、発光素子１１０ａ，１１０ｂから放出される光の進路を変更するレンズとして作用することができる。
【0066】
モールディング部１６０は、ベース樹脂部、及びベース樹脂部に分散した赤色蛍光体１５０を含むことができる。
【0067】
赤色蛍光体１５０は、励起されて赤色波長領域の光を放出する蛍光体を意味する。
【0068】
ベース樹脂部は、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂のいずれか１つ、またはそれらの混合物からなることができる。
【0069】
また、モールディング部１６０にはフルオロ系赤色蛍光体１５０が含まれてもよい。
【0070】
フルオロ系赤色蛍光体１５０は、第１発光素子１１０ａと第２発光素子１１０ｂのうちの少なくとも１つによって励起されてもよい。
【0071】
モールディング部に含まれるフルオロ系赤色蛍光体は、化学式Ｋ２ＭＦ６：Ｍｎ４＋で表すことができる。ここで、Ｍは、Ｓｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、Ｇｅ（Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ）及びＴｉ（Ｔｉｔａｎｉｕｍ）のうちの少なくとも１つであってもよい。
【0072】
フルオロ系赤色蛍光体１５０の発光中心波長は６２０ｎｍ～６４０ｎｍであってもよい。ここで、赤色蛍光体１５０の発光中心波長は、第１発光素子１１０ａと第２発光素子１１０ｂのうちの少なくとも１つによって赤色蛍光体１５０が励起されて放出される光の中心波長を意味する。
【0073】
また、フルオロ系赤色蛍光体は、従来のナイトライド（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系赤色蛍光体と比較して小さい半値幅（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）を有することができる。
【0074】
例えば、フルオロ系赤色蛍光体の半値幅は５ｎｍ～１０ｎｍであってもよい。
【0075】
フルオロ系赤色蛍光体は、モールディング部に５ｗｔ％～２５ｗｔ％含まれてもよい。
【0076】
すなわち、モールディング部がシリコン樹脂とフルオロ系赤色蛍光体で構成される場合、シリコン樹脂の重量がＷｓであり、フルオロ系赤色蛍光体の重量がＷｒであるとき、モールディング部に対するフルオロ系赤色蛍光体の比率（［Ｗｒ／（Ｗｓ＋Ｗｒ）］×１００）は、下記の通りである。
【0077】
【数1】
【0078】
例えば、フルオロ系赤色蛍光体が５ｗｔ％以下含まれる場合、モールディング部の含量に対する赤色蛍光体の量が十分でないため、発光素子パッケージから放出される光のうち赤色光の色純度が低下することがある。また、フルオロ系赤色蛍光体がモールディング部に２５ｗｔ％以上含まれる場合、発光素子から放出される光量に対して赤色蛍光体で吸収される光量が相対的に多くなるため、全体的な発光素子パッケージの輝度を減少させることがある。
【0079】
また、フルオロ系赤色蛍光体がモールディング部に２５ｗｔ％以上含まれる場合は、温度、湿度及び光に弱いフルオロ系赤色蛍光体の特性により、発光素子パッケージの使用時間が増加するほど、発光素子パッケージの光特性が低下するという問題が発生し得る。
【0080】
図３は、発光素子パッケージの他の実施例２００ｂを示す図である。
【0081】
【0082】
図３に示された一実施例に係る発光素子パッケージ２００ｂは、キャビティ１３５を有するパッケージボディー１３０、及びキャビティの底面に配置される第１及び第２発光素子１１０ａ，１１０ｂを含むことができ、パッケージボディー１３０には、発光素子１１０ａ，１１０ｂとの電気的接続のための第１リードフレーム１４２及び第２リードフレーム１４４が固定されて配置されてもよい。
【0083】
また、キャビティ１３５内に、発光素子１１０ａ，１１０ｂを取り囲んでモールディング部１６０が充填されてもよい。
【0084】
パッケージボディー１３０は、シリコン材質、合成樹脂材質または金属材質を含んで形成されてもよく、熱伝導性に優れたセラミック物質からなることができる。
【0085】
パッケージボディー１３０の上部は開放されており、側面と底面からなるキャビティ１３５を有することができる。
【0086】
キャビティ１３５は、カップ形状、凹状の容器形状などで形成されてもよく、キャビティの側面は、底面に対して垂直又は傾斜して形成されてもよく、その大きさ及び形状は多様にすることができる。
【0087】
キャビティ１３５を上から見た形状は、円形、多角形、楕円形などであってもよく、角部が曲線である形状であってもよいが、これに限定されない。
【0088】
発光素子１１０ａ，１１０ｂは、キャビティ１３５内に配置することができ、パッケージボディー１３０上に配置されるか、または第１リードフレーム１４２又は第２リードフレーム１４４上に配置されてもよい。
【0089】
【0090】
図３の実施例において、モールディング部１６０は、２つの発光素子１１０ａ，１１０ｂを取り囲み、パッケージボディー上でキャビティ１３５を充填して配置されてもよい。
【0091】
このとき、モールディング部１６０の上部面は、キャビティ１３５の側面の上部面と同一線上に形成されてもよいが、実施例はこれに限定されず、キャビティの側面の上部面よりも高く形成されるか、またはキャビティの側面の高さよりも低く形成されてもよい。
【0092】
本実施例において、モールディング部１６０は、ベース樹脂部、及びベース樹脂部に分散した赤色蛍光体１５０を含むことができ、それぞれの組成と重量比は、上述した実施例と同一であってもよい。
【0093】
【0094】
図４Ａは、従来の発光素子パッケージの発光スペクトルを示したもので、比較例１は、青色光を発光する発光素子と、このような青色発光素子上に緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含む、発光素子パッケージの場合である。緑色蛍光体と赤色蛍光体はそれぞれ、励起されて緑色波長領域と赤色波長領域の光を放出する蛍光体を意味する。また、比較例２は、青色光を発光する発光素子と、緑色蛍光体及びフルオロ系赤色蛍光体を含む、発光素子パッケージの場合である。
【0095】
【0096】
表１は、比較例１乃至比較例２及び実施例でのモールディング部の構成を示したものである。
【0097】
このとき、表１に記述された比較例１乃至比較例２、及び実施例１～実施例４において、モールディング部をなすベース樹脂部はシリコン樹脂であってもよい。
【0098】
【表1】
【0099】
表１で、蛍光体の総重量比（ｗｔ％）は、モールディング部の全重量に対する蛍光体組成物の重量の割合を示したもので、モールディング部全体の重量は、ベース樹脂部と蛍光体組成物を含むことができる。このとき、モールディング部に互いに異なる種類の蛍光体物質を含む場合、蛍光体の総重量は、このような互いに異なる蛍光体物質を全て含むものであり得る。
【0100】
すなわち、比較例１は、蛍光体１及び蛍光体２がモールディング部において１０ｗｔ％を占め、比較例２は、蛍光体１及び蛍光体３がモールディング部において２７ｗｔ％を占める場合であり、実施例は、蛍光体３のみが含まれ、モールディング部に５ｗｔ％～２０ｗｔ％含まれる場合に該当する。
【0101】
このとき、ベース樹脂部であるシリコン樹脂は、比較例１で９０ｗｔ％、比較例２で７３ｗｔ％、実施例１～実施例４で８０ｗｔ％～９５ｗｔ％であり得る。
【0102】
また、蛍光体１はナイトライド系緑色蛍光体であり、蛍光体２はナイトライド系赤色蛍光体であり、蛍光体３はフルオロ系赤色蛍光体であり得る。
【0103】
例えば、蛍光体１はＢａ３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ２＋であり、蛍光体２はＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋であり、蛍光体３はＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋であってもよい。
【0104】
図４Ａは、比較例１と比較例２の発光素子パッケージに対する発光スペクトルを示したもので、比較例２の場合、比較例１と比較して、赤色発光波長領域でシャープ（ｓｈａｒｐ）な発光ピークを示し、光量（Ｐｏｗｅｒ）も大きく増加することがわかる。
【0105】
すなわち、比較例２の場合、比較例１とは異なり、赤色蛍光体としてフルオロ系蛍光体を使用することによって、発光素子パッケージの輝度を高め、赤色光の色純度を改善する効果を有することを確認できる。
【0106】
図４Ｂは、一実施例の発光素子パッケージにおいて蛍光体３の含量比による発光スペクトルを示したものである。一方、図４Ｂで、実施例１～実施例４は、モールディング部に含まれる蛍光体３の含量を異ならせた場合の発光スペクトルに該当する。
【0107】
表１を参照すると、蛍光体３のモールディング部に対する含量比は、実施例１は５ｗｔ％、実施例２は１０ｗｔ％、実施例３は１５ｗｔ％、実施例４は２０ｗｔ％に該当する。
【0108】
図４Ｂを参照すると、図４Ａの比較例１、２の発光スペクトルと比較するとき、実施例の発光スペクトルは、赤色波長領域である５８０ｎｍ～６８０ｎｍで比較例１と異なってシャープな発光ピークを有し、緑色発光領域である４８０ｎｍ～５８０ｎｍの波長領域でも比較例１及び比較例２に比べてシャープな発光ピークが示されることがわかる。
【0109】
すなわち、一実施例の発光素子パッケージの場合、緑色蛍光体の代わりに緑色発光素子を使用し、赤色蛍光体としてフルオロ系蛍光体を含むことによって、比較例の発光素子パッケージに比べて、緑色及び赤色発光波長領域で半値幅が狭いシャープな発光ピークを得ることができるので、青色光を放出する発光素子のみを使用した場合に比べて、色純度が高い発光素子パッケージを具現することができる。
【0110】
図５は、照明装置の一実施例を示す図である。
【0111】
一実施例の照明装置３００は、上述した実施例の発光素子パッケージ２００を少なくとも１つ含むことができる。
【0112】
図５は、支持部材２１０及び複数の発光素子パッケージ２００を含む照明装置３００の断面図である。
【0113】
一方、図示してはいないが、支持部材２１０は、支持部材上に電極をパターニングして形成した回路基板であってもよく、例えば、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）またはＦＰＣＢ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であってもよい。
【0114】
複数の発光素子パッケージは、支持部材２１０上に形成された電極パターン上に配置されてもよい。
【0115】
また、一実施例の照明装置は、ディスプレイ装置の光源として使用することができる。
【0116】
例えば、ディスプレイ装置は、画像を生成する映像パネル、及び映像パネルに光を供給する照明装置を含むことができる。このとき、ディスプレイ装置に含まれる一実施例の照明装置は、バックライトユニット（Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）またはフロントライトユニット（Ｆｒｏｎｔ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）であってもよく、画像を生成する映像パネルに光源を供給するものであってもよい。
【0117】
実施例に係る照明装置は、複数個がアレイされて使用されてもよく、一つの照明装置が光源として使用されてもよい。
【0118】
実施例の照明装置が、ディスプレイ装置の光源として使用されるバックライトユニットである場合、照明装置にはボトムカバーをさらに含むことができ、ボトムカバー上には、光効率を増大させるための反射層をさらに含むことができる。
【0119】
また、照明装置がディスプレイ装置に含まれる場合、照明装置の発光素子パッケージ上には光学部材をさらに含むことができる。
【0120】
光学部材は、導光板、プリズムシートなどを含むことができ、照明装置の発光素子パッケージから放出される光を映像パネルに伝達し、また、照明装置の光抽出効率を増加させる機能を行うことができる。
【0121】
実施例の照明装置において、発光素子パッケージは、青色光、緑色光及び赤色光が混色した白色光を発光することができる。
【0122】
照明装置から発光した混色光において、青色光は、ＣＩＥ１９３１色座標系を基準として、（０．１３０，０．０５０）、（０．１６０，０．０５０）、（０．１３０，０．０８０）及び（０．１６０，０．０８０）のＸ、Ｙ座標からなる四角形領域の内部に位置する色座標を有することができる。
【0123】
また、照明装置から発光した混色光において、緑色光は、ＣＩＥ１９３１色座標系を基準として、（０．１４０，０．６５０）、（０．１６０，０．６５０）、（０．１４０，０．６８０）及び（０．１６０，０．６８０）のＸ、Ｙ座標からなる四角形領域の内部に位置する色座標を有することができる。
【0124】
照明装置から発光した混色光において、赤色光は、ＣＩＥ１９３１色座標系を基準として、（０．６００，０．２６０）、（０．６９０，０．２６０）、（０．６００，０．３１０）及び（０．６９０，０．３１０）のＸ、Ｙ座標からなる四角形領域の内部に位置する色座標を有することができる。
【0125】
【0126】
また、表２及び表３は、比較例と実施例において、ＬＣＭのＲｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ点での色座標のシミュレーション値をそれぞれ示したものである。
【0127】
【0128】
図６及び表２は、上述した比較例の発光素子パッケージを照明装置に含む場合におけるＬＣＭの色座標と色再現率に対するシミュレーション結果である。このとき、比較例１と比較例２の発光素子パッケージの構成は、上述した表１を参照することができる。
【0129】
ＣＩＥ１９３１色座標系で表示されるＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）の標準Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）の色座標は、それぞれ（０．６７，０．３３）、（０．２１，０．７１）、（０．１４，０．０８）であってもよい。
【0130】
また、表２及び表３に示したＮＴＳＣ面積比率（％）は、ＮＴＳＣの標準Ｒ，Ｇ，Ｂ色座標を結ぶ三角形領域の面積に対する、比較例または実施例で具現される新しいＲ，Ｇ，Ｂの３つの色座標点からなる三角形領域の面積の比を示したものである。
【0131】
例えば、ＮＴＳＣに対する面積比率は色再現率の値であり得る。
【0132】
図６は、ＮＴＳＣの三角形と、比較例１及び比較例２でのＲ，Ｇ，Ｂの３つの点を結ぶ三角形とを色座標系に表示して示した図である。
【0133】
図６を参照すると、比較例１と比較例２の三角形の面積は、ＮＴＳＣと一致していないが、比較例２の場合、比較例１に比べて三角形領域がさらに大きくなったことがわかる。
【0134】
また、表２を参照すると、比較例１に比べて、比較例２でＮＴＳＣ面積比率が約４％増加したことを確認できる。
【0135】
すなわち、図６と表２おいて、比較例２のＮＴＳＣ面積比率が比較例１に比べて高いことは、比較例２の場合、発光素子パッケージにおいて赤色蛍光体としてフルオロ系赤色蛍光体を含むことによって色純度が改善されて、ＮＴＳＣ面積比率である色再現率が大きくなったと見なすことができる。このとき、フルオロ系赤色蛍光体は、Ｋ２ＭＦ６：Ｍｎ４＋（ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉのうちの少なくとも１つである）であってもよい。
【0136】
【表2】
【0137】
【0138】
図７では、ＮＴＳＣの標準Ｒ，Ｇ，Ｂ色座標と、一実施例の照明装置を含む実施例の色座標グラフとを比較して示したものである。
【0139】
【0140】
すなわち、実施例の場合、緑色蛍光体の代わりに、緑色発光素子を含む構成を有することによって、緑色光の色座標が、比較例の色座標とは異なり、ＮＴＳＣの緑色の色座標のＸ値よりも小さくなり、したがって、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの点を結ぶ実施例の三角形の面積が、比較例での三角形の面積に比べて大きくなる。
【0141】
【0142】
図８は、実施例１～実施例４に対する色座標グラフを比較して示したものであり、表３は、実施例１～実施例４におけるＲ，Ｇ，Ｂ色座標及びＮＴＳＣ面積比率を示したものである。
【0143】
実施例１～実施例４は、上述した一実施例の照明装置を含む場合であって、赤色蛍光体であるフルオロ系赤色蛍光体の含量割合を異ならせた場合に該当する。
【0144】
すなわち、実施例１は５ｗｔ％、実施例２は１０ｗｔ％、実施例３は１５ｗｔ％及び実施例４は２０ｗｔ％に該当する場合であり得、このとき、フルオロ系赤色蛍光体は、Ｋ２ＭＦ６：Ｍｎ４＋（ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉのうちの少なくとも１つである）であってもよい。
【0145】
図８及び表３のシミュレーション結果を参照すると、フルオロ系赤色蛍光体の含量が多くなるほど、ＮＴＳＣ面積比率（％）が増加することがわかる。
【0146】
一方、実施例の照明装置の場合、青色光、緑色光及び赤色光がなす三角形領域の面積は、ＮＴＳＣ面積対比９０％以上であり得る。
【0147】
また、表３及び図８を参照すると、実施例において、フルオロ系赤色蛍光体の含量割合が大きくなるほど、赤色光であるＲｅｄの色座標値であるＸ座標値が増加する傾向を有することがわかる。
【0148】
すなわち、フルオロ系赤色蛍光体の含量割合が５ｗｔ％から２０ｗｔ％に増加するほど、Ｒｅｄのｘ軸色座標であるＣｘ値が大きくなることによって、さらにＮＴＳＣのＲｅｄ色座標のＣｘ値に隣接して示されるようになる。
【0149】
したがって、フルオロ系赤色蛍光体の含量が大きくなるほど、実施例の照明装置を含むＬＣＭのＣＩＥ１９３１色座標系での三角形の面積が増加するようになり、色再現率を改善することができる。
【0150】
図８でも、実施例１から実施例４に行くほど、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの点を結ぶ三角形の面積が増加することを確認できる。すなわち、フルオロ系赤色蛍光体の含量が大きくなるほど、赤色（Ｒｅｄ）領域の色純度が増加して、ＬＣＭでの全体的な色再現率を改善することができる。
【0151】
【表3】
【0152】
一方、照明装置は、上述したディスプレイ装置以外に、ランプ、ヘッドランプなどに含まれてもよい。
【0153】
図５に示された照明装置３００は光源モジュールであってもよい。
【0154】
ランプは、光源モジュールである実施例の照明装置を含み、光源モジュールの熱を発散させる放熱体、及び外部から提供された電気的信号を処理又は変換して光源モジュールに提供する電源提供部を含むことができる。
【0155】
ヘッドランプは、図５に示された照明装置３００を発光モジュールとして含み、発光モジュールから照射される光を一定の方向、例えば、前方に反射させるリフレクタ（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、リフレクタによって反射される光を前方に屈折させるレンズ、及びリフレクタによって反射されてレンズに向かう光の一部を遮断又は反射し、設計者が望む配光パターンをなすようにするシェード（ｓｈａｄｅ）を含むことができる。ここで、リフレクタ、レンズ及びシェードなどを光学部材と呼ぶことができる。
【0156】
上述した実施例の照明装置を含むディスプレイ装置及びランプ、ヘッドランプ装置などの場合、互いに異なる波長領域の光を放出する２つの発光素子を含み、フルオロ系赤色蛍光体を含む照明装置を使用することによって、高い色純度を有することができ、また、色再現率を改善することができる。
【0157】
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示していない様々な変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】