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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-08-01
(45)【発行日】2022-08-09
(54)【発明の名称】電子部品及び電子部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01F 17/00 20060101AFI20220802BHJP
H01F 41/04 20060101ALI20220802BHJP
H01F 27/00 20060101ALI20220802BHJP
H01F 27/23 20060101ALI20220802BHJP
【ＦＩ】
H01F17/00 B
H01F41/04 B
H01F27/00 R
H01F27/23
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2018210867
(22)【出願日】2018-11-08
(65)【公開番号】P2020077791
(43)【公開日】2020-05-21
【審査請求日】2020-06-09
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】松浦 耕平
(72)【発明者】
【氏名】濱野 守裕
(72)【発明者】
【氏名】都築 慶一
【審査官】久保田 昌晴
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１２－０６９７５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１５２０５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０９２４３４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０９２０６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０１１１０３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－３１９００９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０５－０３６５３１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １７／００－１９／０８、２７／００、２７／２３、４１／０４
Ｈ０３Ｈ ７／０９
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
内層ガラス層、前記内層ガラス層の上面及び底面に設けられた磁性体層、並びに、前記磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層からなる積層体の表面に外部電極を設けてなる電子部品であって、前記内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて前記コイル積層体の上面に配置される上面側引き出し電極層と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて前記コイル積層体の底面に配置される底面側引き出し電極層と、からなり、
前記コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層、２次コイル導体を備える２次コイル導体層、３次コイル導体を備える３次コイル導体層及び並列１次コイル導体を備える並列１次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されており、
前記外部電極は、第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極、第４外部電極、第５外部電極及び第６外部電極を備え、
前記１次コイル導体は、前記第１外部電極及び前記第４外部電極と接続されており、
前記２次コイル導体は、前記第２外部電極及び前記第５外部電極と接続されており、
前記３次コイル導体は、前記第３外部電極及び前記第６外部電極と接続されており、
前記並列１次コイル導体は、前記第１外部電極及び前記第４外部電極と接続されており、
前記１次コイル導体と前記並列１次コイル導体とは並列に接続されており、
前記１次コイル導体、前記２次コイル導体、前記３次コイル導体及び前記並列１次コイル導体は、それぞれ、コイルパターンと、前記コイルパターンの一端でありコイルパターンの内側に配置される内側端部と、前記コイルパターンの一端でありコイルパターンの外側に配置される外側端部とを備え、
前記１次コイル導体及び前記２次コイル導体の前記内側端部が、コイルパターンの内側に設けられた第１ビアホール導体及び第２ビアホール導体によりそれぞれ前記底面側引き出し電極層と接続されており、
前記３次コイル導体及び前記並列１次コイル導体の前記内側端部が、コイルパターンの内側に設けられた第３ビアホール導体及び第４ビアホール導体によりそれぞれ前記上面側引き出し電極層と接続されており、
前記積層体の上面視において、前記第１ビアホール導体及び前記第２ビアホール導体は、前記第３ビアホール導体及び前記第４ビアホール導体のいずれかと少なくとも一部が重なる位置に配置されており、
前記積層体を構成するすべてのコイル導体層において、コイルパターンの内側に設けられたビアホール導体の数は最大で２個であり、
前記内層ガラス層を構成する絶縁層、及び、前記外層ガラス層は、いずれも、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、石英及びアルミナからなる誘電体ガラス材料からなり、
前記内層ガラス層を構成する絶縁層の前記ガラス材料の含有率が６０ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であり、
前記内層ガラス層を構成する絶縁層の前記石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、
前記内層ガラス層を構成する絶縁層の前記アルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下である、ことを特徴とする電子部品。
【請求項2】
前記１次コイル導体層と前記並列１次コイル導体層は、前記コイル積層体の上面視において互いに略重なるコイルパターンを有する請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記２次コイル導体層は、前記コイル積層体の上面視において互いに略重なるコイルパターンを有する複数の２次コイル導体を備える請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記３次コイル導体層は、前記コイル積層体の上面視において互いに略重なるコイルパターンを有する複数の３次コイル導体を備える請求項１～３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項5】
前記外層ガラス層の前記石英の含有率が、前記内層ガラス層を構成する絶縁層の前記石英の含有率よりも少ない請求項１～４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項6】
前記外層ガラス層の前記石英の含有率と、前記内層ガラス層を構成する絶縁層の前記石英の含有率の差が３ｗｔ％以上６ｗｔ％以下である請求項５に記載の電子部品。
【請求項7】
前記内層ガラス層を構成する絶縁層の前記アルミナの含有率が０．６ｗｔ％以上１ｗｔ％以下である請求項１～６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項8】
前記外層ガラス層の厚さは、それぞれ１５μｍ以上４５μｍ以下である請求項１～７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項9】
請求項１～８のいずれかに記載の電子部品を製造する方法であって、内層ガラス層となるセラミックグリーンシートＡを準備する工程と、
磁性体層となるセラミックグリーンシートＢを準備する工程と、
外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣを準備する工程と、
前記セラミックグリーンシートＡにコイル導体パターンを形成してコイルシートを得る工程と、
前記セラミックグリーンシートＡに引き出し電極パターンを形成して引き出し電極シートを得る工程と、
前記セラミックグリーンシートＣ、前記セラミックグリーンシートＢ、前記引き出し電極シート、前記コイルシート、前記引き出し電極シート、前記セラミックグリーンシートＢ、前記セラミックグリーンシートＣをこの順で積層して積層体を得る積層工程と、
前記積層体を焼成する工程と、
前記焼成した積層体に外部電極を形成する工程と、を含み、
前記セラミックグリーンシートＡには、前記セラミックグリーンシートＡ全体に対して、３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下の石英及び０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下のアルミナがフィラー成分として添加されている、ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、モバイル機器においてメインＩＣとディスプレイやカメラを接続するデジタルデータ転送規格として、ＭＩＰＩ（Ｍｏｂｉｌｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）Ｄ－ＰＨＹ規格が採用されており、２本の伝送ラインを用いた差動信号で伝送する方式が用いられている。
このような差動信号を伝送する場合には、コモンモードノイズが発生するため、これを除去するためのフィルタ（コモンモードフィルタ）が用いられている。
このような差動信号を伝送する場合には、コモンモードノイズが発生するため、これを除去するためのフィルタ（コモンモードフィルタ）が用いられている。
【0003】
このようなコモンモードフィルタとして、例えば、第１の非磁性体部と、前記第１の非磁性体部の下面に形成された第１の磁性体部、前記第１の非磁性体部の上面に形成された第２の磁性体部と、前記第１の非磁性体部内に埋設されＡｇで構成された第１のコイル、第２のコイルと、前記第１の磁性体部の下面、第２の磁性体部の上面のうち少なくとも一方に形成された第２の非磁性体部とを備え、前記第１の非磁性体部、前記第２の非磁性体部を、フィラーとガラスで構成し、前記第２の非磁性体部の前記フィラーの含有率を前記第１の非磁性体部の前記フィラーの含有率より少なくしたコモンモードノイズフィルタが開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１７－０１１１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１に記載されたコモンモードノイズフィルタを製造する過程で、外部電極を形成するためのめっき液に含浸する際にクラックが発生しやすいという問題があった。
【0006】
特許文献１に記載のコモンモードノイズフィルタでは、非磁性体部と、非磁性体部の上面及び下面に形成された磁性体部の熱膨張係数の違いによって、非磁性体部が外側方向に引っ張られているため、めっき液による僅かな腐食によって、非磁性体部にクラックが生じやすいと考えられている。このようなクラックは、特に、非磁性体部の側面に引き出し電極を有する場合に顕著である。
【0007】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、製造時にクラックの発生しにくい電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の電子部品の第一実施形態は、内層ガラス層、上記内層ガラス層の上面及び底面に設けられた磁性体層、並びに、上記磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層からなる積層体の表面に外部電極を設けてなる電子部品であって、上記内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の上面に配置される上面側引き出し電極層と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の底面に配置される底面側引き出し電極層と、からなり、上記コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層、２次コイル導体を備える２次コイル導体層、３次コイル導体を備える３次コイル導体層及び並列１次コイル導体を備える並列１次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されており、上記外部電極は、第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極、第４外部電極、第５外部電極及び第６外部電極を備え、上記１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記２次コイル導体は、上記第２外部電極及び上記第５外部電極と接続されており、上記３次コイル導体は、上記第３外部電極及び上記第６外部電極と接続されており、上記並列１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記１次コイル導体と上記並列１次コイル導体とは並列に接続されており、上記内層ガラス層を構成する絶縁層、及び、上記外層ガラス層は、いずれも、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、石英及びアルミナからなる誘電体ガラス材料からなり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記ガラス材料の含有率が６０ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記アルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下である、ことを特徴とする。
【0009】
本発明の電子部品の第二実施形態は、内層ガラス層、上記内層ガラス層の上面及び底面に設けられた磁性体層、並びに、上記磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層からなる積層体の表面に外部電極を設けてなる電子部品であって、上記内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の上面及び／又は底面に配置される引き出し電極層と、からなり、上記コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層及び２次コイル導体を備える２次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されており、上記外部電極は、第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極及び第４外部電極を備え、上記１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第３外部電極と接続されており、上記２次コイル導体は、上記第２外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記内層ガラス層を構成する絶縁層、及び、上記外層ガラス層は、いずれも、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、石英及びアルミナからなる誘電体ガラス材料からなり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記ガラス材料の含有率が６０ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記アルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下である、ことを特徴とする。
【0010】
本発明の電子部品の製造方法は、本発明の電子部品を製造する方法であって、内層ガラス層となるセラミックグリーンシートＡを準備する工程と、磁性体層となるセラミックグリーンシートＢを準備する工程と、外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣを準備する工程と、上記セラミックグリーンシートＡにコイル導体パターンを形成してコイルシートを得る工程と、上記セラミックグリーンシートＡに引き出し電極パターンを形成して引き出し電極シートを得る工程と、上記セラミックグリーンシートＣ、上記セラミックグリーンシートＢ、上記引き出し電極シート、上記コイルシート、上記引き出し電極シート、上記セラミックグリーンシートＢ、上記セラミックグリーンシートＣをこの順で積層して積層体を得る積層工程と、上記積層体を焼成する工程と、上記焼成した積層体に外部電極を形成する工程と、を含み、上記セラミックグリーンシートＡには、上記セラミックグリーンシートＡ全体に対して、３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下の石英及び０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下のアルミナがフィラー成分として添加されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、製造時にクラックの発生しにくい電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の電子部品について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【0014】
［電子部品］
まず、本発明の電子部品について説明する。
まず、本発明の電子部品について説明する。
【0015】
［第一実施形態］
本発明の電子部品の第一実施形態は、内層ガラス層、上記内層ガラス層の上面及び底面に設けられた磁性体層、並びに、上記磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層からなる積層体の表面に外部電極を設けてなる電子部品であって、上記内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の上面に配置される上面側引き出し電極層と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の底面に配置される底面側引き出し電極層と、からなり、上記コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層、２次コイル導体を備える２次コイル導体層、３次コイル導体を備える３次コイル導体層及び並列１次コイル導体を備える並列１次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されており、上記外部電極は、第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極、第４外部電極、第５外部電極及び第６外部電極を備え、上記１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記２次コイル導体は、上記第２外部電極及び上記第５外部電極と接続されており、上記３次コイル導体は、上記第３外部電極及び上記第６外部電極と接続されており、上記並列１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記１次コイル導体と上記並列１次コイル導体とは並列に接続されており、上記内層ガラス層を構成する絶縁層、及び、上記外層ガラス層は、いずれも、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、石英及びアルミナからなる誘電体ガラス材料からなり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記ガラス材料の含有率が６０ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記アルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下である、ことを特徴とする。
本発明の電子部品の第一実施形態は、内層ガラス層、上記内層ガラス層の上面及び底面に設けられた磁性体層、並びに、上記磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層からなる積層体の表面に外部電極を設けてなる電子部品であって、上記内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の上面に配置される上面側引き出し電極層と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の底面に配置される底面側引き出し電極層と、からなり、上記コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層、２次コイル導体を備える２次コイル導体層、３次コイル導体を備える３次コイル導体層及び並列１次コイル導体を備える並列１次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されており、上記外部電極は、第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極、第４外部電極、第５外部電極及び第６外部電極を備え、上記１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記２次コイル導体は、上記第２外部電極及び上記第５外部電極と接続されており、上記３次コイル導体は、上記第３外部電極及び上記第６外部電極と接続されており、上記並列１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記１次コイル導体と上記並列１次コイル導体とは並列に接続されており、上記内層ガラス層を構成する絶縁層、及び、上記外層ガラス層は、いずれも、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、石英及びアルミナからなる誘電体ガラス材料からなり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記ガラス材料の含有率が６０ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記アルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下である、ことを特徴とする。
【0016】
本発明の電子部品の第一実施形態では、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、従来よりも多くの石英を含有しているため、内層ガラス層の熱膨張係数（ＣＴＥ）が磁性体層の熱膨張係数に近くなっている。
そのため、内層ガラス層に掛かる引張応力が小さくなり、めっき液と接触した際にクラックが発生することを抑制することができる。
内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３４ｗｔ％未満であると、磁性体層との熱膨張係数の差が大きくなってしまい、クラックが発生しやすくなる。一方、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３７ｗｔ％を超えると、内層ガラス層の焼結性が低下し、機械的強度が低下する。
また、本発明の電子部品の第一実施形態では、内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下であるため、内層ガラス層にクリストバライト相を生成させることができ、めっき液と接触した際のクラックの発生をさらに抑制することができる。
内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が０．５ｗｔ％未満であると、内層ガラス層が過焼結となり気泡が発生しやすくなる。一方、内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が４ｗｔ％を超えると、内層ガラス層の焼結性が低下し、さらに磁性体層との熱膨張係数の差が大きくなってしまい、クラックが発生しやすくなる。
そのため、内層ガラス層に掛かる引張応力が小さくなり、めっき液と接触した際にクラックが発生することを抑制することができる。
内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３４ｗｔ％未満であると、磁性体層との熱膨張係数の差が大きくなってしまい、クラックが発生しやすくなる。一方、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３７ｗｔ％を超えると、内層ガラス層の焼結性が低下し、機械的強度が低下する。
また、本発明の電子部品の第一実施形態では、内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下であるため、内層ガラス層にクリストバライト相を生成させることができ、めっき液と接触した際のクラックの発生をさらに抑制することができる。
内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が０．５ｗｔ％未満であると、内層ガラス層が過焼結となり気泡が発生しやすくなる。一方、内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が４ｗｔ％を超えると、内層ガラス層の焼結性が低下し、さらに磁性体層との熱膨張係数の差が大きくなってしまい、クラックが発生しやすくなる。
【0017】
本発明の電子部品の第一実施形態を構成する外部電極について説明する。
本発明の電子部品の第一実施形態は、積層体の表面に第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極、第４外部電極、第５外部電極及び第６外部電極（以下、まとめて第１～第６外部電極ともいう）を備える。
積層体の表面における第１～第６外部電極の配置は、特に限定されないが、１次コイル導体が第１外部電極及び第４外部電極と接続されること、２次コイル導体が第２外部電極及び第５外部電極と接続されること、３次コイル導体が第３外部電極及び第６外部電極と接続されることを考慮すると、第１外部電極と第４外部電極とが対向する位置に配置され、第２外部電極と第５外部電極とが対向する位置に配置され、第３外部電極と第６外部電極とが対向する位置に配置されていることが好ましい。
本発明の電子部品の第一実施形態は、積層体の表面に第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極、第４外部電極、第５外部電極及び第６外部電極（以下、まとめて第１～第６外部電極ともいう）を備える。
積層体の表面における第１～第６外部電極の配置は、特に限定されないが、１次コイル導体が第１外部電極及び第４外部電極と接続されること、２次コイル導体が第２外部電極及び第５外部電極と接続されること、３次コイル導体が第３外部電極及び第６外部電極と接続されることを考慮すると、第１外部電極と第４外部電極とが対向する位置に配置され、第２外部電極と第５外部電極とが対向する位置に配置され、第３外部電極と第６外部電極とが対向する位置に配置されていることが好ましい。
【0018】
また、第１外部電極、第２外部電極及び第３外部電極が積層体の第１の端面に設けられ、第４外部電極、第５外部電極及び第６外部電極が、上記第１の端面と対向する第２の端面に設けられていることが好ましい。
さらに、第１の端面において、第１外部電極が第２外部電極と第３外部電極の間に配置されており、第２の端面において、第４外部電極が第５外部電極と第６外部電極の間に配置されていることが好ましい。
各コイル導体層を構成するコイル導体の断面積が略同じである場合、１次コイル導体層及び並列１次コイル導体層と接続される第１外部電極と第４外部電極は、２次コイル導体層及び３次コイル導体層と異なる直列抵抗（ＲＤＣ）となる。このとき、１次コイル導体層及び並列１次コイル導体層と接続される第１外部電極及び第４外部電極が、それぞれ、第２外部電極と第３外部電極の間、第５外部電極と第６外部電極の間に配置されていると、外部電極の位置に極性が発生しないため、電子部品の左右を区別することなく使用できる。
さらに、第１の端面において、第１外部電極が第２外部電極と第３外部電極の間に配置されており、第２の端面において、第４外部電極が第５外部電極と第６外部電極の間に配置されていることが好ましい。
各コイル導体層を構成するコイル導体の断面積が略同じである場合、１次コイル導体層及び並列１次コイル導体層と接続される第１外部電極と第４外部電極は、２次コイル導体層及び３次コイル導体層と異なる直列抵抗（ＲＤＣ）となる。このとき、１次コイル導体層及び並列１次コイル導体層と接続される第１外部電極及び第４外部電極が、それぞれ、第２外部電極と第３外部電極の間、第５外部電極と第６外部電極の間に配置されていると、外部電極の位置に極性が発生しないため、電子部品の左右を区別することなく使用できる。
【0019】
本発明の電子部品の第一実施形態を構成する外部電極について、図１を用いて説明する。
図１は、本発明の電子部品の第一実施形態の一例を模式的に示す斜視図である。
図１に示すように、電子部品１は、積層体１００の端面に、第１外部電極２００ａ、第２外部電極２００ｂ、第３外部電極２００ｃ、第４外部電極２００ｄ、第５外部電極２００ｅ、第６外部電極２００ｆが設けられている。
第１外部電極２００ａ、第２外部電極２００ｂ、第３外部電極２００ｃは第１の端面１００Ａに設けられており、第４外部電極２００ｄ、第５外部電極２００ｅ、第６外部電極２００ｆは第１の端面１００Ａと対向する第２の端面１００Ｂに設けられている。
また、第１外部電極２００ａは、第２外部電極２００ｂ及び第３外部電極２００ｃの間に配置されており、第４外部電極２００ｄは、第５外部電極２００ｅ及び第６外部電極２００ｆの間に配置されている。
なお、図１に示す電子部品１において、第１～第６外部電極２００ａ～２００ｆは積層体１００の底面１００Ｃ及び上面１００Ｄの一部にも形成されているが、積層体１００の底面１００Ｃ及び上面１００Ｄには外部電極が形成されていなくてもよい。
積層体１００は、内層ガラス層８０、内層ガラス層８０の上面及び底面に設けられた磁性体層（８７、８６）、並びに、磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層（８９、８８）からなる。より具体的には、積層体１００は、内層ガラス層８０、内層ガラス層８０の上面に設けられた上面側磁性体層８７、上面側磁性体層８７の上面に設けられた上面側外層ガラス層８９、内層ガラス層８０の底面に設けられた底面側磁性体層８６及び底面側磁性体層８６の底面に設けられた底面側外層ガラス層８８からなる。
図１は、本発明の電子部品の第一実施形態の一例を模式的に示す斜視図である。
図１に示すように、電子部品１は、積層体１００の端面に、第１外部電極２００ａ、第２外部電極２００ｂ、第３外部電極２００ｃ、第４外部電極２００ｄ、第５外部電極２００ｅ、第６外部電極２００ｆが設けられている。
第１外部電極２００ａ、第２外部電極２００ｂ、第３外部電極２００ｃは第１の端面１００Ａに設けられており、第４外部電極２００ｄ、第５外部電極２００ｅ、第６外部電極２００ｆは第１の端面１００Ａと対向する第２の端面１００Ｂに設けられている。
また、第１外部電極２００ａは、第２外部電極２００ｂ及び第３外部電極２００ｃの間に配置されており、第４外部電極２００ｄは、第５外部電極２００ｅ及び第６外部電極２００ｆの間に配置されている。
なお、図１に示す電子部品１において、第１～第６外部電極２００ａ～２００ｆは積層体１００の底面１００Ｃ及び上面１００Ｄの一部にも形成されているが、積層体１００の底面１００Ｃ及び上面１００Ｄには外部電極が形成されていなくてもよい。
積層体１００は、内層ガラス層８０、内層ガラス層８０の上面及び底面に設けられた磁性体層（８７、８６）、並びに、磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層（８９、８８）からなる。より具体的には、積層体１００は、内層ガラス層８０、内層ガラス層８０の上面に設けられた上面側磁性体層８７、上面側磁性体層８７の上面に設けられた上面側外層ガラス層８９、内層ガラス層８０の底面に設けられた底面側磁性体層８６及び底面側磁性体層８６の底面に設けられた底面側外層ガラス層８８からなる。
【0020】
本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層について説明する。
内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えてコイル積層体の上面に配置される上面側引き出し電極層と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えてコイル積層体の底面に配置される底面側引き出し電極層とからなる。
内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えてコイル積層体の上面に配置される上面側引き出し電極層と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えてコイル積層体の底面に配置される底面側引き出し電極層とからなる。
【0021】
本発明の電子部品の第一実施形態において、コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層、２次コイル導体を備える２次コイル導体層、３次コイル導体を備える３次コイル導体層及び並列１次コイル導体を備える並列１次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されてなる。
【0022】
本発明の電子部品の第一実施形態において、内層ガラス層はさらに、絶縁体層を備えていてもよい。
絶縁体層は底面側引き出し電極層の底面側及び／又は上面側引き出し電極層の上面側に形成されることが好ましい。
絶縁体層は底面側引き出し電極層の底面側及び／又は上面側引き出し電極層の上面側に形成されることが好ましい。
【0023】
図２及び図３を参照しながら内層ガラス層の構成を説明する。
図２は、本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層を各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図３は、図１におけるＡ－Ａ線断面図である。
図２に示すように、内層ガラス層８０は、底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０及び並列１次コイル導体層４０をまとめてコイル積層体５０ともいう。
底面側引き出し電極層６０及び上面側引き出し電極層６５には、内層ガラス層８０の端面に露出し、外部電極と接続するための引き出し電極６０ａ、６０ｂ、６０ｄ、６０ｅ、６５ａ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｆが設けられている。
絶縁体層７０には、コイル導体や引き出し電極は設けられていない。
なお、図２では、内層ガラス層を構成する各層を接続するビアホール導体を二点鎖線で示している。
図２は、本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層を各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図３は、図１におけるＡ－Ａ線断面図である。
図２に示すように、内層ガラス層８０は、底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０及び並列１次コイル導体層４０をまとめてコイル積層体５０ともいう。
底面側引き出し電極層６０及び上面側引き出し電極層６５には、内層ガラス層８０の端面に露出し、外部電極と接続するための引き出し電極６０ａ、６０ｂ、６０ｄ、６０ｅ、６５ａ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｆが設けられている。
絶縁体層７０には、コイル導体や引き出し電極は設けられていない。
なお、図２では、内層ガラス層を構成する各層を接続するビアホール導体を二点鎖線で示している。
【0024】
引き出し電極６０ａは、図１に示す第１外部電極２００ａと接続される。
引き出し電極６０ｂは、図１に示す第２外部電極２００ｂと接続される。
引き出し電極６０ｄは、図１に示す第４外部電極２００ｄと接続される。
引き出し電極６０ｅは、図１に示す第５外部電極２００ｅと接続される。
引き出し電極６５ａは、図１に示す第１外部電極２００ａと接続される。
引き出し電極６５ｃは、図１に示す第３外部電極２００ｃと接続される。
引き出し電極６５ｄは、図１に示す第４外部電極２００ｄと接続される。
引き出し電極６５ｆは、図１に示す第６外部電極２００ｆと接続される。
なお、内層ガラス層８０を構成する１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０及び並列１次コイル導体層４０には、内層ガラス層８０の端面に露出して、外部電極と接続するための引き出し電極は設けられていない。
引き出し電極６０ｂは、図１に示す第２外部電極２００ｂと接続される。
引き出し電極６０ｄは、図１に示す第４外部電極２００ｄと接続される。
引き出し電極６０ｅは、図１に示す第５外部電極２００ｅと接続される。
引き出し電極６５ａは、図１に示す第１外部電極２００ａと接続される。
引き出し電極６５ｃは、図１に示す第３外部電極２００ｃと接続される。
引き出し電極６５ｄは、図１に示す第４外部電極２００ｄと接続される。
引き出し電極６５ｆは、図１に示す第６外部電極２００ｆと接続される。
なお、内層ガラス層８０を構成する１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０及び並列１次コイル導体層４０には、内層ガラス層８０の端面に露出して、外部電極と接続するための引き出し電極は設けられていない。
【0025】
１次コイル導体層１０は、絶縁層１１の表面にコイルパターンである１次コイル導体１３を備えている。１次コイル導体１３の一方の端部は、コイルパターンの外側に存在する外側端部１３ａであり、もう一方の端部は、コイルパターンの内側に存在する内側端部１３ｄである。
２次コイル導体層２０は、絶縁層２１の表面にコイルパターンである２次コイル導体２３を備えている。２次コイル導体２３の一方の端部はコイルパターンの外側に存在する外側端部２３ｂであり、もう一方の端部はコイルパターンの内側に存在する内側端部２３ｅである。
３次コイル導体層３０は、絶縁層３１の表面にコイルパターンである３次コイル導体３３を備えている。３次コイル導体３３の一方の端部はコイルパターンの外側に存在する外側端部３３ｃであり、もう一方の端部はコイルパターンの内側に存在する内側端部３３ｆである。
並列１次コイル導体層４０は、絶縁層４１の表面にコイルパターンである並列１次コイル導体４３を備えている。並列１次コイル導体４３の一方の端部はコイルパターンの外側に存在する外側端部４３ａであり、もう一方の端部はコイルパターンの内側に存在する内側端部４３ｄである。
２次コイル導体層２０は、絶縁層２１の表面にコイルパターンである２次コイル導体２３を備えている。２次コイル導体２３の一方の端部はコイルパターンの外側に存在する外側端部２３ｂであり、もう一方の端部はコイルパターンの内側に存在する内側端部２３ｅである。
３次コイル導体層３０は、絶縁層３１の表面にコイルパターンである３次コイル導体３３を備えている。３次コイル導体３３の一方の端部はコイルパターンの外側に存在する外側端部３３ｃであり、もう一方の端部はコイルパターンの内側に存在する内側端部３３ｆである。
並列１次コイル導体層４０は、絶縁層４１の表面にコイルパターンである並列１次コイル導体４３を備えている。並列１次コイル導体４３の一方の端部はコイルパターンの外側に存在する外側端部４３ａであり、もう一方の端部はコイルパターンの内側に存在する内側端部４３ｄである。
【0026】
図３に示すように、１次コイル導体層１０を構成する１次コイル導体１３は、第１ビアホール導体１５によって底面側引き出し電極層６０と接続されている。
具体的には、１次コイル導体層１０に設けられた１次コイル導体１３の内側端部１３ｄと底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｄとが、コイルパターンの内側に設けられた第１ビアホール導体１５によって接続されている。
なお、図２に示すように、１次コイル導体１３の外側端部１３ａは、ビアホール導体１６により底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ａと接続されている。
具体的には、１次コイル導体層１０に設けられた１次コイル導体１３の内側端部１３ｄと底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｄとが、コイルパターンの内側に設けられた第１ビアホール導体１５によって接続されている。
なお、図２に示すように、１次コイル導体１３の外側端部１３ａは、ビアホール導体１６により底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ａと接続されている。
【0027】
２次コイル導体層２０を構成する２次コイル導体２３は、第２ビアホール導体２５によって底面側引き出し電極層６０と接続されている。
具体的には、２次コイル導体層２０に設けられた２次コイル導体２３の内側端部２３ｅと底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｅとが、コイルパターンの内側に設けられた第２ビアホール導体２５により接続されている。
なお、図２に示すように、２次コイル導体２３の外側端部２３ｂは、ビアホール導体２６により底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｂと接続されている。
具体的には、２次コイル導体層２０に設けられた２次コイル導体２３の内側端部２３ｅと底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｅとが、コイルパターンの内側に設けられた第２ビアホール導体２５により接続されている。
なお、図２に示すように、２次コイル導体２３の外側端部２３ｂは、ビアホール導体２６により底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｂと接続されている。
【0028】
３次コイル導体層３０を構成する３次コイル導体３３は、第３ビアホール導体３５によって上面側引き出し電極層６５と接続されている。
具体的には、３次コイル導体層３０に設けられた３次コイル導体３３の内側端部３３ｆと上面側引き出し電極層６５に設けられた引き出し電極６５ｆとが、コイルパターンの内側に設けられた第３ビアホール導体３５により接続されている。
なお、図２に示すように、３次コイル導体３３の外側端部３３ｃは、ビアホール導体３６により上面側引き出し電極層６５に設けられた引き出し電極６５ｃと接続されている。
具体的には、３次コイル導体層３０に設けられた３次コイル導体３３の内側端部３３ｆと上面側引き出し電極層６５に設けられた引き出し電極６５ｆとが、コイルパターンの内側に設けられた第３ビアホール導体３５により接続されている。
なお、図２に示すように、３次コイル導体３３の外側端部３３ｃは、ビアホール導体３６により上面側引き出し電極層６５に設けられた引き出し電極６５ｃと接続されている。
【0029】
並列１次コイル導体層４０を構成する並列１次コイル導体４３は、第４ビアホール導体４５によって上面側引き出し電極層６５と接続されている。
具体的には、並列１次コイル導体層４０に設けられた並列１次コイル導体４３の内側端部４３ｄと上面側引き出し電極層６５に設けられた引き出し電極６５ｄとが、コイルパターンの内側に設けられた第４ビアホール導体４５により接続されている。
なお、図２に示すように、並列１次コイル導体４３の外側端部４３ａは、ビアホール導体４６により上面側引き出し電極層６５に設けられた引き出し電極６５ａと接続されている。
具体的には、並列１次コイル導体層４０に設けられた並列１次コイル導体４３の内側端部４３ｄと上面側引き出し電極層６５に設けられた引き出し電極６５ｄとが、コイルパターンの内側に設けられた第４ビアホール導体４５により接続されている。
なお、図２に示すように、並列１次コイル導体４３の外側端部４３ａは、ビアホール導体４６により上面側引き出し電極層６５に設けられた引き出し電極６５ａと接続されている。
【0030】
図２及び図３に示すように、内層ガラス層８０の上面視において、第１ビアホール導体１５と第３ビアホール導体３５は重なる位置に配置されており、第２ビアホール導体２５と第４ビアホール導体４５は重なる位置に配置されている。
このことにより、内層ガラス層８０を構成するすべてのコイル導体層において、コイルパターンの内側に設けられたビアホール導体の数が最大で２個となっている。
なお、図２及び図３に内層ガラス層８０では、第１ビアホール導体１５と第３ビアホール導体３５、第２ビアホール導体２５と第４ビアホール導体４５は、内層ガラス層８０の上面視においてそれぞれ完全に重なっているが、第１ビアホール導体１５と第３ビアホール導体３５、第２ビアホール導体２５と第４ビアホール導体４５は内層ガラス層８０の上面視においてそれぞれ少なくとも一部が重なっていればよい。
このことにより、内層ガラス層８０を構成するすべてのコイル導体層において、コイルパターンの内側に設けられたビアホール導体の数が最大で２個となっている。
なお、図２及び図３に内層ガラス層８０では、第１ビアホール導体１５と第３ビアホール導体３５、第２ビアホール導体２５と第４ビアホール導体４５は、内層ガラス層８０の上面視においてそれぞれ完全に重なっているが、第１ビアホール導体１５と第３ビアホール導体３５、第２ビアホール導体２５と第４ビアホール導体４５は内層ガラス層８０の上面視においてそれぞれ少なくとも一部が重なっていればよい。
【0031】
本発明の電子部品の第一実施形態では、内層ガラス層を構成するすべてのコイル導体層において、コイルパターンの内側に設けられたビアホール導体の数が最大で２個となっているため、コイルパターンの内側の面積を３つ目のビアホール導体を設けること以外の用途に用いることができる。３つ目のビアホール導体を設けること以外の用途としては、例えば、コイルパターンの巻数を増加させることや、内磁路を設けること等が挙げられる。コイルパターンの巻数を増加させたり内磁路を設けることによって、電子部品のインピーダンス特性を向上させることができる。
【0032】
本発明の電子部品の第一実施形態において、積層体の外形寸法は特に限定されないが、長さ０．８０ｍｍ以上１．００ｍｍ以下、幅０．５８ｍｍ以上０．７８ｍｍ以下、高さ０．２５ｍｍ以上０．４５ｍｍ以下であることが好ましい。
なお積層体の角部及び稜線部は丸みを帯びていてもよい。
積層体の角部及び稜線部が丸みを帯びている場合、丸みを帯びていないものとして、上記外形寸法を測定するものとする。
なお積層体の角部及び稜線部は丸みを帯びていてもよい。
積層体の角部及び稜線部が丸みを帯びている場合、丸みを帯びていないものとして、上記外形寸法を測定するものとする。
【0033】
本発明の電子部品の第一実施形態において、内層ガラス層は、底面側引き出し電極層、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層、並列１次コイル導体層及び上面側引き出し電極層の他に、１次コイル導体層と２次コイル導体層の間、２次コイル導体層と３次コイル導体層の間、３次コイル導体層と並列１次コイル導体層の間に、コイル導体層から電流を引き出す引き出し電極層を別途、有していてもよい。
ただし、各コイル導体層の間に引き出し電極層を配置してしまうと、コイル導体間の距離が変動することにより特性インピーダンスが変化するため、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層及び並列１次コイル導体層の間で特性インピーダンスの整合が困難となる。従って、本発明の電子部品を構成する積層体において、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層及び並列１次コイル導体層の間には、引き出し電極層が配置されていないことが好ましい。
ただし、各コイル導体層の間に引き出し電極層を配置してしまうと、コイル導体間の距離が変動することにより特性インピーダンスが変化するため、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層及び並列１次コイル導体層の間で特性インピーダンスの整合が困難となる。従って、本発明の電子部品を構成する積層体において、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層及び並列１次コイル導体層の間には、引き出し電極層が配置されていないことが好ましい。
【0034】
本発明の電子部品の第一実施形態において、内層ガラス層を構成する絶縁層及び外層ガラス層を構成する材料は、誘電体ガラス材料からなる。
誘電体ガラス材料は、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、並びに、フィラー成分である石英（ＳｉＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる。
ガラス材料としては、ホウケイ酸系ガラスを使用することが好ましい。
ホウケイ酸系ガラスの組成としては、例えば、ＳｉＯ２：７０ｗｔ％以上、８５ｗｔ％以下、Ｂ２Ｏ３：１０ｗｔ％以上、２５ｗｔ％以下、Ｋ２Ｏ：０．５ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下、Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下が挙げられる。
上記組成のホウケイ酸系ガラスは比誘電率が低いため、電子部品の高周波特性を改善することができる。
誘電体ガラス材料は、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、並びに、フィラー成分である石英（ＳｉＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる。
ガラス材料としては、ホウケイ酸系ガラスを使用することが好ましい。
ホウケイ酸系ガラスの組成としては、例えば、ＳｉＯ２：７０ｗｔ％以上、８５ｗｔ％以下、Ｂ２Ｏ３：１０ｗｔ％以上、２５ｗｔ％以下、Ｋ２Ｏ：０．５ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下、Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下が挙げられる。
上記組成のホウケイ酸系ガラスは比誘電率が低いため、電子部品の高周波特性を改善することができる。
【0035】
本発明の電子部品の第一実施形態において、内層ガラス層を構成する絶縁層及び外層ガラス層には、上記ガラス材料、石英、アルミナに加え、フェライト材料などの磁性材料や、フィラー成分であるフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）を含有していてもよい。
特に、内層ガラス層を構成する絶縁層には、絶縁層全体の重量の３４ｗｔ％以上、３７ｗｔ％以下の石英及び０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下のアルミナをフィラー成分として含有させることがより好ましい。
石英は、比誘電率がホウケイ酸系ガラスに比べて更に低いため、電子部品の高周波特性をさらに改善することができる。
フォルステライト及びアルミナは抗折強度が高いため、電子部品の機械的強度を向上させることができる。
フェライト材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトが挙げられる。
フェライトは、比透磁率が高いため、インピーダンス特性を向上させやすい。
特に、内層ガラス層を構成する絶縁層には、絶縁層全体の重量の３４ｗｔ％以上、３７ｗｔ％以下の石英及び０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下のアルミナをフィラー成分として含有させることがより好ましい。
石英は、比誘電率がホウケイ酸系ガラスに比べて更に低いため、電子部品の高周波特性をさらに改善することができる。
フォルステライト及びアルミナは抗折強度が高いため、電子部品の機械的強度を向上させることができる。
フェライト材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトが挙げられる。
フェライトは、比透磁率が高いため、インピーダンス特性を向上させやすい。
【0036】
本発明の電子部品の第一実施形態において、外層ガラス層の石英の含有率は特に限定されないが、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率よりも少ないことが好ましい。
外層ガラス層の石英の含有率が、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率よりも少ないと、外層ガラス層に掛かる圧縮応力が大きくなるため、たわみ強度を増加させることができる。
外層ガラス層の石英の含有率が、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率よりも少ないと、外層ガラス層に掛かる圧縮応力が大きくなるため、たわみ強度を増加させることができる。
【0037】
本発明の電子部品の第一実施形態において、外層ガラス層の石英の含有率と内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率の差は、３ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であることが好ましい。
外層ガラス層の石英の含有率と内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率の差が３ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であると、たわみ強度を充分に増加させることができる。
上記石英の含有率の差が３ｗｔ％未満であると、外層ガラス層に掛かる圧縮応力が小さく、たわみ強度が充分に増加しないことがある。一方、上記石英の含有率の差が６ｗｔ％を超える場合、内層ガラス層、磁性体層及び外層ガラス層の熱膨張係数の差が大きくなり、内層ガラス層にクラックが発生しやすくなることがある。
外層ガラス層の石英の含有率と内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率の差が３ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であると、たわみ強度を充分に増加させることができる。
上記石英の含有率の差が３ｗｔ％未満であると、外層ガラス層に掛かる圧縮応力が小さく、たわみ強度が充分に増加しないことがある。一方、上記石英の含有率の差が６ｗｔ％を超える場合、内層ガラス層、磁性体層及び外層ガラス層の熱膨張係数の差が大きくなり、内層ガラス層にクラックが発生しやすくなることがある。
【0038】
本発明の電子部品の第一実施形態において、外層ガラス層の厚さは特に限定されないが、１５μｍ以上４５μｍ以下であることが好ましい。
外層ガラス層の厚さが１５μｍ未満であると、磁性体層と内層ガラス層の熱膨張係数の差に起因する応力を外層ガラス層が充分に吸収することができず、内層ガラス層にクラックが発生しやすくなる。一方、外層ガラス層の厚さが４５μｍを超える場合、外層ガラス層に充分な圧縮応力が掛からず、外層ガラス層が剥離しやすくなることがある。
外層ガラス層の厚さが１５μｍ未満であると、磁性体層と内層ガラス層の熱膨張係数の差に起因する応力を外層ガラス層が充分に吸収することができず、内層ガラス層にクラックが発生しやすくなる。一方、外層ガラス層の厚さが４５μｍを超える場合、外層ガラス層に充分な圧縮応力が掛からず、外層ガラス層が剥離しやすくなることがある。
【0039】
本発明の電子部品の第一実施形態において、コイル導体層を構成するコイル導体は、コイルパターンと、該コイルパターンの外側に配置される外側端部と、コイルパターンの内側に配置される内側端部とを有する。
コイル導体は、上記絶縁層上に導電性ペーストを印刷等の方法により配置することにより形成することができる。
コイル導体を構成する材料は特に限定されないが、Ａｇ等が挙げられる。
コイル導体は、上記絶縁層上に導電性ペーストを印刷等の方法により配置することにより形成することができる。
コイル導体を構成する材料は特に限定されないが、Ａｇ等が挙げられる。
【0040】
本発明の電子部品の第一実施形態において、各コイル導体のターン数（巻数ともいう）は、特に限定されず、所望の周波数特性に応じて巻数を設定すればよいが、上記ターン数は６以上であることが好ましい。
【0041】
本発明の電子部品の第一実施形態において、各コイル導体の導体長さ（コイルパターン部分の配線長）は特に限定されないが、全てのコイル導体で略同じであることが望ましい。
【0042】
本発明の電子部品の第一実施形態において、各コイル導体の断面積（コイル導体パターンの線幅と厚さの積）は特に限定されないが、各コイル導体層の直列抵抗を揃える観点からは、２次コイル導体及び３次コイル導体の断面積を略等しくし、１次コイル導体及び並列１次コイル導体の断面積を上記２次コイル導体及び３次コイル導体の断面積の０．５倍とすることが望ましい。
１次コイル導体及び並列１次コイル導体の断面積を上記２次コイル導体及び３次コイル導体の断面積の０．５倍とすることで、第１外部電極と第４外部電極との間の直列抵抗、第２外部電極と第５外部電極との間の直列抵抗、及び、第３外部電極と第６外部電極との間の直列抵抗を略同じ値に調整することができる。
１次コイル導体及び並列１次コイル導体の断面積を上記２次コイル導体及び３次コイル導体の断面積の０．５倍とすることで、第１外部電極と第４外部電極との間の直列抵抗、第２外部電極と第５外部電極との間の直列抵抗、及び、第３外部電極と第６外部電極との間の直列抵抗を略同じ値に調整することができる。
【0043】
本発明の電子部品の第一実施形態において、各コイル導体におけるコイルパターンのピッチ（コイル導体パターンの線幅と、隣接するコイル導体パターンまでの距離の合計）は特に限定されないが、２８μｍ以上、３４μｍ以下であることが好ましい。
【0044】
本発明の電子部品の第一実施形態において、コイル導体の断面積は、３０μｍ２以上、１６０μｍ２以下であることが好ましい。
コイル導体の断面積が３０μｍ２未満の場合、スクリーン印刷等の方法によりコイル導体層を形成することが困難となり、配線不良（断線）を起こしやすくなる。一方、コイル導体の断面積が１６０μｍ２を超える場合、コイルパターン同士の距離が接近しすぎないようにコイルパターンの巻数を減少させる必要が生じてしまい、所望のインピーダンス特性を得られないことがある。
コイル導体の断面積が３０μｍ２未満の場合、スクリーン印刷等の方法によりコイル導体層を形成することが困難となり、配線不良（断線）を起こしやすくなる。一方、コイル導体の断面積が１６０μｍ２を超える場合、コイルパターン同士の距離が接近しすぎないようにコイルパターンの巻数を減少させる必要が生じてしまい、所望のインピーダンス特性を得られないことがある。
【0045】
本発明の電子部品の第一実施形態において、底面側引き出し電極層及び上面側引き出し電極層は、絶縁層の表面に引き出し電極が形成されてなる。
引き出し電極を構成する材料は特に限定されないがＡｇ等が挙げられる。
また、絶縁体層を構成する材料としては、ガラス材料等の非磁性材料が挙げられる。
引き出し電極を構成する材料は特に限定されないがＡｇ等が挙げられる。
また、絶縁体層を構成する材料としては、ガラス材料等の非磁性材料が挙げられる。
【0046】
本発明の電子部品第一実施形態において、１次コイル導体層と底面側引き出し電極層、２次コイル導体層と底面側引き出し電極層、３次コイル導体層と上面側引き出し電極層、並列１次コイル導体層と上面側引き出し電極層は、それぞれ、ビアホール導体により接続されている。
ビアホール導体を形成する材料は特に限定されないが、Ａｇ等が挙げられる。
ビアホール導体を形成する材料は特に限定されないが、Ａｇ等が挙げられる。
【0047】
本発明の電子部品の第一実施形態において、外部電極を構成する材料は特に限定されないが、ＮｉやＳｎなどが挙げられる。
ＮｉやＳｎからなる電極層の内側に、さらに、下地電極が設けられていてもよい。
下地電極としては、Ａｇ粉末とガラスフリットを含有した導電性ペーストを積層体の表面に塗布し、焼成したもの等が挙げられる。
下地電極の表面にめっきによってＮｉ膜やＳｎ膜を形成することによって、外部電極が形成される。
ＮｉやＳｎからなる電極層の内側に、さらに、下地電極が設けられていてもよい。
下地電極としては、Ａｇ粉末とガラスフリットを含有した導電性ペーストを積層体の表面に塗布し、焼成したもの等が挙げられる。
下地電極の表面にめっきによってＮｉ膜やＳｎ膜を形成することによって、外部電極が形成される。
【0048】
本発明の電子部品の第一実施形態において、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層及び並列１次コイル導体層は、それぞれ２つ以上のコイル導体を有していてもよい。
１つのコイル導体層が２つ以上のコイル導体を有する場合、各コイル導体は、積層体の上面視において互いに略重なるコイルパターンを有していることが好ましい。
この時、各コイル導体同士は並列に接続される。
２次コイル導体層を構成する２次コイル導体の数を２つとし、３次コイル導体層を構成する３次コイル導体の数を２つとすると、各コイル導体の断面積を同じにした場合に、２次コイル導体層及び３次コイル導体層における直列抵抗の合成値が、１次コイル導体及び並列１次コイル導体の直列抵抗の合成値と略等しくなる。この場合、１次コイル導体層及び並列１次コイル導体層に接続される第１、第４外部電極間の直列抵抗、２つの２次コイル導体を有する２次コイル導体層に接続される第２、第５外部電極間の直列抵抗、２つの３次コイル導体を有する３次コイル導体層に接続される第３、第６外部電極間の直列抵抗が略等価なものとなる。従って、上述したように、第１外部電極及び第４外部電極を第２外部電極及び第３外部電極の間、及び、第５外部電極及び第６外部電極の間に配置しない場合であっても、電子部品の左右を区別することなく使用できる。
１つのコイル導体層が２つ以上のコイル導体を有する場合、各コイル導体は、積層体の上面視において互いに略重なるコイルパターンを有していることが好ましい。
この時、各コイル導体同士は並列に接続される。
２次コイル導体層を構成する２次コイル導体の数を２つとし、３次コイル導体層を構成する３次コイル導体の数を２つとすると、各コイル導体の断面積を同じにした場合に、２次コイル導体層及び３次コイル導体層における直列抵抗の合成値が、１次コイル導体及び並列１次コイル導体の直列抵抗の合成値と略等しくなる。この場合、１次コイル導体層及び並列１次コイル導体層に接続される第１、第４外部電極間の直列抵抗、２つの２次コイル導体を有する２次コイル導体層に接続される第２、第５外部電極間の直列抵抗、２つの３次コイル導体を有する３次コイル導体層に接続される第３、第６外部電極間の直列抵抗が略等価なものとなる。従って、上述したように、第１外部電極及び第４外部電極を第２外部電極及び第３外部電極の間、及び、第５外部電極及び第６外部電極の間に配置しない場合であっても、電子部品の左右を区別することなく使用できる。
【0049】
コイル導体層が複数のコイル導体を備える場合について、図４及び図５を参照しながら説明する。
図４は、本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層の別の一例を、各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図５は、図４に示す内層ガラス層を、図１におけるＡ－Ａ線と同じ位置で切断した場合の様子を模式的に示す断面図である。
図４及び図５に示すように、内層ガラス層８１は底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。
２次コイル導体層２０は、２次コイル導体を２つ（２３、２３’）有しており、３次コイル導体層３０は、３次コイル導体を２つ（３３、３３’）有している。
２つの２次コイル導体２３、２３’はそれぞれ、絶縁層２１、２１’の表面に形成されている。２つの３次コイル導体３３、３３’はそれぞれ、絶縁層３１、３１’の表面に形成されている。
２次コイル導体２３’及び３次コイル導体３３’を除いた各コイル導体とビアホール導体及び引き出し電極との接続については、図１～３に説明した内層ガラス層８０の場合と同様である。
図４は、本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層の別の一例を、各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図５は、図４に示す内層ガラス層を、図１におけるＡ－Ａ線と同じ位置で切断した場合の様子を模式的に示す断面図である。
図４及び図５に示すように、内層ガラス層８１は底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。
２次コイル導体層２０は、２次コイル導体を２つ（２３、２３’）有しており、３次コイル導体層３０は、３次コイル導体を２つ（３３、３３’）有している。
２つの２次コイル導体２３、２３’はそれぞれ、絶縁層２１、２１’の表面に形成されている。２つの３次コイル導体３３、３３’はそれぞれ、絶縁層３１、３１’の表面に形成されている。
２次コイル導体２３’及び３次コイル導体３３’を除いた各コイル導体とビアホール導体及び引き出し電極との接続については、図１～３に説明した内層ガラス層８０の場合と同様である。
【0050】
２次コイル導体層２０において、２つの２次コイル導体２３、２３’は、内層ガラス層８１の上面視において、互いに略重なっている。
２次コイル導体２３’はコイルパターンの外側に設けられた外側端部２３ｂ’及びコイルパターンの内側に設けられた内側端部２３ｅ’を有しており、外側端部２３ｂ’及び内側端部２３ｅ’の位置は、積層体の上面視において、２次コイル導体２３の外側端部２３ｂ及び内側端部２３ｅと略重なる。従って、２次コイル導体２３、２３’は、第２ビアホール導体２５、２５’及びビアホール導体２６により底面側引き出し電極層６０と接続されている。
２次コイル導体２３’はコイルパターンの外側に設けられた外側端部２３ｂ’及びコイルパターンの内側に設けられた内側端部２３ｅ’を有しており、外側端部２３ｂ’及び内側端部２３ｅ’の位置は、積層体の上面視において、２次コイル導体２３の外側端部２３ｂ及び内側端部２３ｅと略重なる。従って、２次コイル導体２３、２３’は、第２ビアホール導体２５、２５’及びビアホール導体２６により底面側引き出し電極層６０と接続されている。
【0051】
３次コイル導体層３０において、２つの３次コイル導体３３、３３’は、内層ガラス層８１の上面視において、互いに略重なっている。
３次コイル導体３３’はコイルパターンの外側に設けられた外側端部３３ｃ’及びコイルパターンの内側に設けられた内側端部３３ｆ’を有しており、外側端部３３ｃ’及び内側端部３３ｆ’の位置は、積層体の上面視において、３次コイル導体３３の外側端部３３ｃ及び内側端部３３ｆと略重なる。従って、３次コイル導体３３、３３’は、第３ビアホール導体３５、３５’及びビアホール導体３６により上面側引き出し電極層６５と接続されている。
３次コイル導体３３’はコイルパターンの外側に設けられた外側端部３３ｃ’及びコイルパターンの内側に設けられた内側端部３３ｆ’を有しており、外側端部３３ｃ’及び内側端部３３ｆ’の位置は、積層体の上面視において、３次コイル導体３３の外側端部３３ｃ及び内側端部３３ｆと略重なる。従って、３次コイル導体３３、３３’は、第３ビアホール導体３５、３５’及びビアホール導体３６により上面側引き出し電極層６５と接続されている。
【0052】
内層ガラス層８１においては、底面側から、１次コイル導体１３、２次コイル導体２３、２次コイル導体２３’、３次コイル導体３３、３次コイル導体３３’、並列１次コイル導体４３がこの順で積層されている。さらに、１次コイル導体１３と並列１次コイル導体４３が並列に接続されており、２次コイル導体２３と２次コイル導体２３’が並列に接続されており、３次コイル導体３３と３次コイル導体３３’が並列に接続されている。
このような状態だと、１次コイル導体層１０及び並列１次コイル導体層４０と２次コイル導体層２０との間の特性インピーダンス、２次コイル導体層２０と３次コイル導体層３０との間の特性インピーダンス、３次コイル導体層３０と１次コイル導体層１０及び並列１次コイル導体層４０との間の特性インピーダンスを整合させることができる。
各コイル導体層間の特性インピーダンスが略一致している（整合している）と、電子部品によるエネルギー損失を抑制することができる。
このような状態だと、１次コイル導体層１０及び並列１次コイル導体層４０と２次コイル導体層２０との間の特性インピーダンス、２次コイル導体層２０と３次コイル導体層３０との間の特性インピーダンス、３次コイル導体層３０と１次コイル導体層１０及び並列１次コイル導体層４０との間の特性インピーダンスを整合させることができる。
各コイル導体層間の特性インピーダンスが略一致している（整合している）と、電子部品によるエネルギー損失を抑制することができる。
【0053】
本発明の電子部品の第一実施形態では、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層及び並列１次コイル導体層中のコイルパターンの内側、かつ、積層体の上面視において第１ビアホール導体、第２ビアホール導体、第３ビアホール導体及び第４ビアホール導体と重ならない位置に、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層及び並列１次コイル導体層を貫通する内磁路が設けられていてもよい。
コイルパターンの内側に、上記内磁路が設けられていると、各コイル導体が発生させる磁界の相互作用が強まり、インピーダンス特性が良好となる。
コイルパターンの内側に、上記内磁路が設けられていると、各コイル導体が発生させる磁界の相互作用が強まり、インピーダンス特性が良好となる。
【0054】
内磁路を備える内層ガラス層について、図６及び図７を参照しながら説明する。
図６は、本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層のさらに別の一例を、各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図７は、図６に示す内層ガラス層を、図１におけるＡ－Ａ線と同じ位置で切断した場合の様子を模式的に示す断面図である。
図６及び図７に示すように、内層ガラス層８２は、底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０及び並列１次コイル導体層４０が積層したものはコイル積層体５２である。
図６は、本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層のさらに別の一例を、各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図７は、図６に示す内層ガラス層を、図１におけるＡ－Ａ線と同じ位置で切断した場合の様子を模式的に示す断面図である。
図６及び図７に示すように、内層ガラス層８２は、底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０及び並列１次コイル導体層４０が積層したものはコイル積層体５２である。
【0055】
図７に示すように、内層ガラス層８２は、コイルパターンの内側に、内磁路９０を有している。
内磁路９０は、第１ビアホール導体１５、第２ビアホール導体２５、第３ビアホール導体３５及び第４ビアホール導体４５と、上面視において重ならない位置で、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０を貫通している。
図６及び図７に示す内層ガラス層８２は、図１～３に示した内層ガラス層８０、図４～５に示した内層ガラス層８１とは異なり、各コイル導体層のコイルパターンの外側に、ビアホール導体が形成されていない。
内磁路９０は、第１ビアホール導体１５、第２ビアホール導体２５、第３ビアホール導体３５及び第４ビアホール導体４５と、上面視において重ならない位置で、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０を貫通している。
図６及び図７に示す内層ガラス層８２は、図１～３に示した内層ガラス層８０、図４～５に示した内層ガラス層８１とは異なり、各コイル導体層のコイルパターンの外側に、ビアホール導体が形成されていない。
【0056】
１次コイル導体層１０において、１次コイル導体１３の外側端部１３ａは内層ガラス層８２の端面に直接露出しており、内側端部１３ｄは第１ビアホール導体１５によって底面側引き出し電極層６０の引き出し電極６０ｄと接続されている。
２次コイル導体層２０において、２次コイル導体２３の外側端部２３ｂは内層ガラス層８２の端面に直接露出しており、内側端部２３ｅは第２ビアホール導体２５によって底面側引き出し電極層６０の引き出し電極６０ｅと接続されている。
３次コイル導体層３０において、３次コイル導体３３の外側端部３３ｃは内層ガラス層８２の端面に直接露出しており、内側端部３３ｆは第３ビアホール導体３５によって上面側引き出し電極層６５の引き出し電極６５ｆと接続されている。
並列１次コイル導体層４０において、並列１次コイル導体４３の外側端部４３ａは内層ガラス層８２の端面に直接露出しており、内側端部４３ｄは第４ビアホール導体４５によって上面側引き出し電極層６５の引き出し電極６５ｄと接続されている。
２次コイル導体層２０において、２次コイル導体２３の外側端部２３ｂは内層ガラス層８２の端面に直接露出しており、内側端部２３ｅは第２ビアホール導体２５によって底面側引き出し電極層６０の引き出し電極６０ｅと接続されている。
３次コイル導体層３０において、３次コイル導体３３の外側端部３３ｃは内層ガラス層８２の端面に直接露出しており、内側端部３３ｆは第３ビアホール導体３５によって上面側引き出し電極層６５の引き出し電極６５ｆと接続されている。
並列１次コイル導体層４０において、並列１次コイル導体４３の外側端部４３ａは内層ガラス層８２の端面に直接露出しており、内側端部４３ｄは第４ビアホール導体４５によって上面側引き出し電極層６５の引き出し電極６５ｄと接続されている。
【0057】
内磁路を構成する材料は、特に限定されないが、比透磁率が大きいものが好ましい。比透磁率が大きい材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト等のフェライトが挙げられる。
【0058】
図８及び図９を参照して、本発明の電子部品の第一実施形態の更に別の形態について説明する。
図８は、本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層のさらに別の一例を、各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図９は、図８に示す内層ガラス層を、図１におけるＡ－Ａ線と同じ位置で切断した場合の様子を模式的に示す断面図である。
図８及び図９に示すように、内層ガラス層８３は、底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。
図８は、本発明の電子部品の第一実施形態を構成する内層ガラス層のさらに別の一例を、各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図９は、図８に示す内層ガラス層を、図１におけるＡ－Ａ線と同じ位置で切断した場合の様子を模式的に示す断面図である。
図８及び図９に示すように、内層ガラス層８３は、底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。
【0059】
図９に示すように、内層ガラス層８３は、コイルパターンの内側に、内磁路９０を有している。
内磁路９０は、第１ビアホール導体１５、第２ビアホール導体２５、２５’、第３ビアホール導体３５、３５’及び第４ビアホール導体４５と、内層ガラス層８３の上面視において重ならない位置で、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０を貫通している。
内磁路９０は、第１ビアホール導体１５、第２ビアホール導体２５、２５’、第３ビアホール導体３５、３５’及び第４ビアホール導体４５と、内層ガラス層８３の上面視において重ならない位置で、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０、３次コイル導体層３０、並列１次コイル導体層４０、上面側引き出し電極層６５及び絶縁体層７０を貫通している。
【0060】
また、２次コイル導体層２０を構成する２次コイル導体２３、２３’は、コイルパターンの外側端部２３ｂ、２３ｂ’が直接、内層ガラス層８３の端面に露出しており、第２外部電極２００ｂと接続される。
３次コイル導体層３０を構成する３次コイル導体３３、３３’も、コイルパターンの外側の端部である外側端部３３ｃ、３３ｃ’が直接、内層ガラス層８３の端面に露出しており、第３外部電極２００ｃと接続される。
その他のビアホール導体及び各コイル導体と引き出し電極との接続関係については、図６～７に説明した内層ガラス層８２の場合と同様である。
３次コイル導体層３０を構成する３次コイル導体３３、３３’も、コイルパターンの外側の端部である外側端部３３ｃ、３３ｃ’が直接、内層ガラス層８３の端面に露出しており、第３外部電極２００ｃと接続される。
その他のビアホール導体及び各コイル導体と引き出し電極との接続関係については、図６～７に説明した内層ガラス層８２の場合と同様である。
【0061】
本発明の電子部品の第一実施形態において、内層ガラス層が内磁路を有している場合、内磁路と底面側磁性体層及び上面側磁性体層が同一の材料で構成されていてもよい。この場合、積層体を準備する段階では内磁路を形成する領域を空隙（貫通孔）としておき、積層体を準備した後に、磁性体層の原料となる磁性体ペーストを該空隙（貫通孔）中に充填する方法によって、内磁路と磁性体層を同時に形成する方法を採用してもよい。
なお、上面側引き出し電極層の上面に絶縁体層が設けられている場合、上面側磁性体層は絶縁体層の上面に設けられていることが好ましい。また、底面側引き出し電極層の底部に絶縁体層が設けられている場合、底面側磁性体層は絶縁体層の底面に設けられていることが好ましい。
なお、上面側引き出し電極層の上面に絶縁体層が設けられている場合、上面側磁性体層は絶縁体層の上面に設けられていることが好ましい。また、底面側引き出し電極層の底部に絶縁体層が設けられている場合、底面側磁性体層は絶縁体層の底面に設けられていることが好ましい。
【0062】
［第二実施形態］
本発明の電子部品の第二実施形態は、内層ガラス層、上記内層ガラス層の上面及び底面に設けられた磁性体層、並びに、上記磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層からなる積層体の表面に外部電極を設けてなる電子部品であって、上記内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の上面及び／又は底面に配置される引き出し電極層と、からなり、上記コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層及び２次コイル導体を備える２次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されており、上記外部電極は、第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極及び第４外部電極を備え、上記１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第３外部電極と接続されており、上記２次コイル導体は、上記第２外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記内層ガラス層を構成する絶縁層、及び、上記外層ガラス層は、いずれも、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、石英及びアルミナからなる誘電体ガラス材料からなり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記ガラス材料の含有率が６０ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記アルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下である、ことを特徴とする。
本発明の電子部品の第二実施形態は、内層ガラス層、上記内層ガラス層の上面及び底面に設けられた磁性体層、並びに、上記磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層からなる積層体の表面に外部電極を設けてなる電子部品であって、上記内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えて上記コイル積層体の上面及び／又は底面に配置される引き出し電極層と、からなり、上記コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層及び２次コイル導体を備える２次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されており、上記外部電極は、第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極及び第４外部電極を備え、上記１次コイル導体は、上記第１外部電極及び上記第３外部電極と接続されており、上記２次コイル導体は、上記第２外部電極及び上記第４外部電極と接続されており、上記内層ガラス層を構成する絶縁層、及び、上記外層ガラス層は、いずれも、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、石英及びアルミナからなる誘電体ガラス材料からなり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記ガラス材料の含有率が６０ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、上記内層ガラス層を構成する絶縁層の上記アルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下である、ことを特徴とする。
【0063】
本発明の電子部品の第二実施形態では、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下であり、従来よりも多くの石英を含有しているため、内層ガラス層の熱膨張係数（ＣＴＥ）が磁性体層の熱膨張係数に近くなっている。
そのため、内層ガラス層に掛かる引張応力が小さくなり、めっき液と接触した際にクラックが発生することを抑制することができる。
内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３４ｗｔ％未満であると、磁性体層との熱膨張係数の差が大きくなってしまい、クラックが発生しやすくなる。一方、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３７ｗｔ％を超えると、内層ガラス層の焼結性が低下し、機械的強度が低下する。
また、本発明の電子部品の第二実施形態では、内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下であるため、内層ガラス層にクリストバライト相を生成させることができ、めっき液と接触した際のクラックの発生をさらに抑制することができる。
内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が０．５ｗｔ％未満であると、内層ガラス層が過焼結となり気泡が発生しやすくなる。一方、内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が４ｗｔ％を超えると、ガラスの焼結性が低下し、さらに磁性体層との熱膨張係数の差が大きくなってしまい、クラックが発生しやすくなる。
そのため、内層ガラス層に掛かる引張応力が小さくなり、めっき液と接触した際にクラックが発生することを抑制することができる。
内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３４ｗｔ％未満であると、磁性体層との熱膨張係数の差が大きくなってしまい、クラックが発生しやすくなる。一方、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率が３７ｗｔ％を超えると、内層ガラス層の焼結性が低下し、機械的強度が低下する。
また、本発明の電子部品の第二実施形態では、内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下であるため、内層ガラス層にクリストバライト相を生成させることができ、めっき液と接触した際のクラックの発生をさらに抑制することができる。
内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が０．５ｗｔ％未満であると、内層ガラス層が過焼結となり気泡が発生しやすくなる。一方、内層ガラス層を構成する絶縁層のアルミナの含有率が４ｗｔ％を超えると、ガラスの焼結性が低下し、さらに磁性体層との熱膨張係数の差が大きくなってしまい、クラックが発生しやすくなる。
【0064】
本発明の電子部品の第二実施形態を構成する外部電極について説明する。
本発明の電子部品の第二実施形態は、積層体の表面に第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極及び第４外部電極（以下、まとめて第１～第４外部電極ともいう）を備える。
積層体の表面における第１～第４外部電極の配置は、特に限定されないが、１次コイル導体が第１外部電極及び第３外部電極と接続されること、２次コイル導体が第２外部電極及び第４外部電極と接続されることを考慮すると、第１外部電極と第３外部電極とが対向する位置に配置され、第２外部電極と第４外部電極とが対向する位置に配置されていることが好ましい。
本発明の電子部品の第二実施形態は、積層体の表面に第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極及び第４外部電極（以下、まとめて第１～第４外部電極ともいう）を備える。
積層体の表面における第１～第４外部電極の配置は、特に限定されないが、１次コイル導体が第１外部電極及び第３外部電極と接続されること、２次コイル導体が第２外部電極及び第４外部電極と接続されることを考慮すると、第１外部電極と第３外部電極とが対向する位置に配置され、第２外部電極と第４外部電極とが対向する位置に配置されていることが好ましい。
【0065】
本発明の電子部品の第二実施形態を構成する外部電極について、図１０を用いて説明する。
図１０は、本発明の電子部品の第二実施形態の一例を模式的に示す斜視図である。
図１０に示すように、電子部品５は、積層体１０５の端面に、第１外部電極２０５ａ、第２外部電極２０５ｂ、第３外部電極２０５ｃ、第４外部電極２０５ｄが設けられている。
第１外部電極２０５ａ及び第２外部電極２０５ｂは第１の端面１０５Ａに設けられており、第３外部電極２０５ｃ、第４外部電極２０５ｄは第１の端面１０５Ａと対向する第２の端面１０５Ｂに設けられている。
なお、図１０に示す電子部品５において、第１～第４外部電極２０５ａ～２０５ｄは積層体１０５の底面１０５Ｃ及び上面１０５Ｄの一部にも形成されているが、積層体１０５の底面１０５Ｃ及び上面１０５Ｄには外部電極が形成されていなくてもよい。
積層体１０５は、内層ガラス層８５、内層ガラス層８５の上面及び底面に設けられた磁性体層（８７、８６）、並びに、磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層（８９、８８）からなる。より具体的には、積層体１０５は、内層ガラス層８５、内層ガラス層８５の上面に設けられた上面側磁性体層８７、上面側磁性体層８７の上面に設けられた上面側外層ガラス層８９、内層ガラス層８０の底面に設けられた底面側磁性体層８６及び底面側磁性体層８６の底面に設けられた底面側外層ガラス層８８からなる。
図１０は、本発明の電子部品の第二実施形態の一例を模式的に示す斜視図である。
図１０に示すように、電子部品５は、積層体１０５の端面に、第１外部電極２０５ａ、第２外部電極２０５ｂ、第３外部電極２０５ｃ、第４外部電極２０５ｄが設けられている。
第１外部電極２０５ａ及び第２外部電極２０５ｂは第１の端面１０５Ａに設けられており、第３外部電極２０５ｃ、第４外部電極２０５ｄは第１の端面１０５Ａと対向する第２の端面１０５Ｂに設けられている。
なお、図１０に示す電子部品５において、第１～第４外部電極２０５ａ～２０５ｄは積層体１０５の底面１０５Ｃ及び上面１０５Ｄの一部にも形成されているが、積層体１０５の底面１０５Ｃ及び上面１０５Ｄには外部電極が形成されていなくてもよい。
積層体１０５は、内層ガラス層８５、内層ガラス層８５の上面及び底面に設けられた磁性体層（８７、８６）、並びに、磁性体層の上面及び底面に設けられた外層ガラス層（８９、８８）からなる。より具体的には、積層体１０５は、内層ガラス層８５、内層ガラス層８５の上面に設けられた上面側磁性体層８７、上面側磁性体層８７の上面に設けられた上面側外層ガラス層８９、内層ガラス層８０の底面に設けられた底面側磁性体層８６及び底面側磁性体層８６の底面に設けられた底面側外層ガラス層８８からなる。
【0066】
本発明の電子部品の第二実施形態を構成する内層ガラス層について説明する。
内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えてコイル積層体の上面に配置される上面側引き出し電極層及び／又は絶縁層の表面に引き出し電極を備えてコイル積層体の底面に配置される底面側引き出し電極層とからなる。
内層ガラス層は、絶縁層の表面にコイルパターンを備えたコイル導体が形成されてなるコイル導体層を複数個積層したコイル積層体と、絶縁層の表面に引き出し電極を備えてコイル積層体の上面に配置される上面側引き出し電極層及び／又は絶縁層の表面に引き出し電極を備えてコイル積層体の底面に配置される底面側引き出し電極層とからなる。
【0067】
本発明の電子部品の第二実施形態において、コイル積層体は、１次コイル導体を備える１次コイル導体層及び２次コイル導体を備える２次コイル導体層が、底面側からこの順で積層されてなる。
【0068】
本発明の電子部品の第二実施形態において、内層ガラス層はさらに、絶縁体層を備えていてもよい。
絶縁体層は底面側引き出し電極層の底面側及び／又は２次コイル導体層の上面側に形成されることが好ましい。
絶縁体層は底面側引き出し電極層の底面側及び／又は２次コイル導体層の上面側に形成されることが好ましい。
【0069】
本発明の電子部品の第二実施形態を構成する内層ガラス層について、図１１及び図１２を用いて説明する。
図１１は、本発明の電子部品の第二実施形態を構成する内層ガラス層の一例を、各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図１２は、図１０におけるＢ－Ｂ線断面図である。
図１１に示すように、内層ガラス層８５は、底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。１次コイル導体層１０及び２次コイル導体層２０をまとめてコイル積層体５５ともいう。
底面側引き出し電極層６０には、内層ガラス層８５の端面に露出し、外部電極と接続するための引き出し電極６０ｃ及び６０ｄが設けられている。
絶縁体層５０には、コイル導体や引き出し電極は設けられていない。
なお、図１１では、内層ガラス層を構成する各層を接続するビアホール導体１５、２５を二点鎖線で示している。
図１１は、本発明の電子部品の第二実施形態を構成する内層ガラス層の一例を、各層ごとに分離し並べた様子を模式的に示す説明図であり、図１２は、図１０におけるＢ－Ｂ線断面図である。
図１１に示すように、内層ガラス層８５は、底面側から順に、底面側引き出し電極層６０、１次コイル導体層１０、２次コイル導体層２０及び絶縁体層７０がこの順で積層されて構成されている。１次コイル導体層１０及び２次コイル導体層２０をまとめてコイル積層体５５ともいう。
底面側引き出し電極層６０には、内層ガラス層８５の端面に露出し、外部電極と接続するための引き出し電極６０ｃ及び６０ｄが設けられている。
絶縁体層５０には、コイル導体や引き出し電極は設けられていない。
なお、図１１では、内層ガラス層を構成する各層を接続するビアホール導体１５、２５を二点鎖線で示している。
【0070】
【0071】
１次コイル導体層１０は、絶縁層１１の表面にコイルパターンである１次コイル導体１３を備えている。１次コイル導体１３の一方の端部は、コイルパターンの外側に存在する外側端部１３ａであり、もう一方の端部は、コイルパターンの内側に存在する内側端部１３ｃである。
２次コイル導体層２０は、絶縁層２１の表面にコイルパターンである２次コイル導体２３を備えている。２次コイル導体２３の一方の端部は、コイルパターンの外側に存在する外側端部２３ｂであり、もう一方の端部は、コイルパターンの内側に存在する内側端部２３ｄである。
２次コイル導体層２０は、絶縁層２１の表面にコイルパターンである２次コイル導体２３を備えている。２次コイル導体２３の一方の端部は、コイルパターンの外側に存在する外側端部２３ｂであり、もう一方の端部は、コイルパターンの内側に存在する内側端部２３ｄである。
【0072】
図１１に示すように、１次コイル導体層１０を構成する１次コイル導体１３は、第１ビアホール導体１５によって底面側引き出し電極層６０と接続されている。
具体的には、１次コイル導体層１０に設けられた１次コイル導体１３の内側端部１３ｃと底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｃとが、コイルパターンの内側に設けられた第１ビアホール導体１５によって接続されている。
なお、１次コイル導体１３の外側端部１３ａは、内層ガラス層８５の端面に直接露出しており、図１０に示す外部電極２０５ａと接続される。
具体的には、１次コイル導体層１０に設けられた１次コイル導体１３の内側端部１３ｃと底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｃとが、コイルパターンの内側に設けられた第１ビアホール導体１５によって接続されている。
なお、１次コイル導体１３の外側端部１３ａは、内層ガラス層８５の端面に直接露出しており、図１０に示す外部電極２０５ａと接続される。
【0073】
２次コイル導体層２０を構成する２次コイル導体２３は、第２ビアホール導体２５によって底面側引き出し電極層６０と接続されている。
具体的には、２次コイル導体層２０に設けられた２次コイル導体２３の内側端部２３ｄと底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｄとが、コイルパターンの内側に設けられた第２ビアホール導体２５により接続されている。
なお、２次コイル導体２３の外側端部２３ｂは、内層ガラス層８５の端面に直接露出しており、図１０に示す外部電極２０５ｂと接続される。
具体的には、２次コイル導体層２０に設けられた２次コイル導体２３の内側端部２３ｄと底面側引き出し電極層６０に設けられた引き出し電極６０ｄとが、コイルパターンの内側に設けられた第２ビアホール導体２５により接続されている。
なお、２次コイル導体２３の外側端部２３ｂは、内層ガラス層８５の端面に直接露出しており、図１０に示す外部電極２０５ｂと接続される。
【0074】
なお、本発明の電子部品の第二実施形態においては、内層ガラス層を構成するコイル積層体の上面又は底面の少なくとも一方に、引き出し電極層が形成されている。
すなわち、本発明の電子部品の第二実施形態において、内層ガラス層は、コイル積層体の上面に上面側引き出し電極層が形成されたものであってもよく、コイル積層体の底面に底面側引き出し電極層が形成されたものであってもよく、コイル積層体の上面及び底面に上面側引き出し電極層及び底面側引き出し電極層がそれぞれ形成されたものであってもよい。
すなわち、本発明の電子部品の第二実施形態において、内層ガラス層は、コイル積層体の上面に上面側引き出し電極層が形成されたものであってもよく、コイル積層体の底面に底面側引き出し電極層が形成されたものであってもよく、コイル積層体の上面及び底面に上面側引き出し電極層及び底面側引き出し電極層がそれぞれ形成されたものであってもよい。
【0075】
本発明の電子部品の第二実施形態において、内層ガラス層を構成する絶縁層及び外層ガラス層を構成する材料は、誘電体ガラス材料からなる。
誘電体ガラス材料は、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、並びに、フィラー成分である石英（ＳｉＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる。
ガラス材料としては、ホウケイ酸系ガラスを使用することが好ましい。
ホウケイ酸系ガラスの組成としては、例えば、ＳｉＯ２：７０ｗｔ％以上、８５ｗｔ％以下、Ｂ２Ｏ３：１０ｗｔ％以上、２５ｗｔ％以下、Ｋ２Ｏ：０．５ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下、Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下が挙げられる。
上記組成のホウケイ酸系ガラスは比誘電率が低いため、電子部品の高周波特性を改善することができる。
誘電体ガラス材料は、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、並びに、フィラー成分である石英（ＳｉＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる。
ガラス材料としては、ホウケイ酸系ガラスを使用することが好ましい。
ホウケイ酸系ガラスの組成としては、例えば、ＳｉＯ２：７０ｗｔ％以上、８５ｗｔ％以下、Ｂ２Ｏ３：１０ｗｔ％以上、２５ｗｔ％以下、Ｋ２Ｏ：０．５ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下、Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下が挙げられる。
上記組成のホウケイ酸系ガラスは比誘電率が低いため、電子部品の高周波特性を改善することができる。
【0076】
本発明の電子部品の第二実施形態において、内層ガラス層を構成する絶縁層及び外層ガラス層は、上記ガラス材料、石英、アルミナに加え、フェライト材料などの磁性材料や、フィラー成分であるフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）を含有していてもよい。
特に、内層ガラス層を構成する絶縁層には、絶縁層全体の重量の３４ｗｔ％以上、３７ｗｔ％以下の石英及び０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下のアルミナをフィラー成分として含有させることがより好ましい。
石英は、比誘電率がホウケイ酸系ガラスに比べて更に低いため、電子部品の高周波特性をさらに改善することができる。
フォルステライト及びアルミナは抗折強度が高いため、電子部品の機械的強度を向上させることができる。
フェライト材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトが挙げられる。
フェライトは、比透磁率が高いため、インピーダンス特性を向上させやすい。
特に、内層ガラス層を構成する絶縁層には、絶縁層全体の重量の３４ｗｔ％以上、３７ｗｔ％以下の石英及び０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下のアルミナをフィラー成分として含有させることがより好ましい。
石英は、比誘電率がホウケイ酸系ガラスに比べて更に低いため、電子部品の高周波特性をさらに改善することができる。
フォルステライト及びアルミナは抗折強度が高いため、電子部品の機械的強度を向上させることができる。
フェライト材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトが挙げられる。
フェライトは、比透磁率が高いため、インピーダンス特性を向上させやすい。
【0077】
本発明の電子部品の第二実施形態において、外層ガラス層の石英の含有率は特に限定されないが、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率よりも少ないことが好ましい。
外層ガラス層の石英の含有率が、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率よりも少ないと、外層ガラス層に掛かる圧縮応力が大きくなるため、たわみ強度を増加させることができる。
外層ガラス層の石英の含有率が、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率よりも少ないと、外層ガラス層に掛かる圧縮応力が大きくなるため、たわみ強度を増加させることができる。
【0078】
本発明の電子部品の第二実施形態において、外層ガラス層の石英の含有率と内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率の差は、３ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であることが好ましい。
外層ガラス層の石英の含有率と内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率の差が３ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であると、たわみ強度を充分に増加させることができる。
上記石英の含有率の差が３ｗｔ％未満であると、外層ガラス層に掛かる圧縮応力が小さく、たわみ強度が充分に増加しないことがある。一方、上記石英の含有率の差が６ｗｔ％を超える場合、内層ガラス層、磁性体層及び外層ガラス層の熱膨張係数の差が大きくなり、内層ガラス層にクラックが発生しやすくなることがある。
外層ガラス層の石英の含有率と内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率の差が３ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であると、たわみ強度を充分に増加させることができる。
上記石英の含有率の差が３ｗｔ％未満であると、外層ガラス層に掛かる圧縮応力が小さく、たわみ強度が充分に増加しないことがある。一方、上記石英の含有率の差が６ｗｔ％を超える場合、内層ガラス層、磁性体層及び外層ガラス層の熱膨張係数の差が大きくなり、内層ガラス層にクラックが発生しやすくなることがある。
【0079】
本発明の電子部品の第二実施形態において、外層ガラス層の厚さは特に限定されないが、１５μｍ以上４５μｍ以下であることが好ましい。
外層ガラス層の厚さが１５μｍ未満であると、磁性体層と内層ガラス層の熱膨張係数の差に起因する応力を外層ガラス層が充分に吸収することができず、内層ガラス層にクラックが発生しやすくなる。一方、外層ガラス層の厚さが４５μｍを超える場合、外層ガラス層に充分な圧縮応力が掛からず、外層ガラス層が剥離しやすくなることがある。
外層ガラス層の厚さが１５μｍ未満であると、磁性体層と内層ガラス層の熱膨張係数の差に起因する応力を外層ガラス層が充分に吸収することができず、内層ガラス層にクラックが発生しやすくなる。一方、外層ガラス層の厚さが４５μｍを超える場合、外層ガラス層に充分な圧縮応力が掛からず、外層ガラス層が剥離しやすくなることがある。
【0080】
本発明の電子部品の第二実施形態において、コイル導体層を構成するコイル導体は、コイルパターンと、該コイルパターンの外側に配置される外側端部と、コイルパターンの内側に配置される内側端部とを有する。
コイル導体は、上記絶縁層上に導電性ペーストを印刷等の方法により配置することにより形成することができる。
コイル導体を構成する材料は特に限定されないが、Ａｇ等が挙げられる。
コイル導体は、上記絶縁層上に導電性ペーストを印刷等の方法により配置することにより形成することができる。
コイル導体を構成する材料は特に限定されないが、Ａｇ等が挙げられる。
【0081】
本発明の電子部品の第二実施形態において、各コイル導体のターン数（巻数ともいう）は、特に限定されず、所望の周波数特性に応じて巻数を設定すればよいが、上記ターン数は６以上であることが好ましい。
【0082】
本発明の電子部品の第二実施形態において、各コイル導体の導体長さ（コイルパターン部分の配線長）は特に限定されないが、全てのコイル導体で略同じであることが望ましい。
【0083】
本発明の電子部品の第二実施形態において、各コイル導体におけるコイルパターンのピッチ（コイル導体パターンの線幅と、隣接するコイル導体パターンまでの距離の合計）は特に限定されないが、２８μｍ以上、３４μｍ以下であることが好ましい。
【0084】
本発明の電子部品の第二実施形態において、コイル導体の断面積は、３０μｍ２以上、１６０μｍ２以下であることが好ましい。
コイル導体の断面積が３０μｍ２未満の場合、スクリーン印刷等の方法によりコイル導体層を形成することが困難となり、配線不良（断線）を起こしやすくなる。一方、コイル導体の断面積が１６０μｍ２を超える場合、コイルパターン同士の距離が接近しすぎないようにコイルパターンの巻数を減少させる必要が生じてしまい、所望のインピーダンス特性を得られないことがある。
コイル導体の断面積が３０μｍ２未満の場合、スクリーン印刷等の方法によりコイル導体層を形成することが困難となり、配線不良（断線）を起こしやすくなる。一方、コイル導体の断面積が１６０μｍ２を超える場合、コイルパターン同士の距離が接近しすぎないようにコイルパターンの巻数を減少させる必要が生じてしまい、所望のインピーダンス特性を得られないことがある。
【0085】
本発明の電子部品の第二実施形態において、底面側引き出し電極層及び／又は上面側引き出し電極層は、絶縁層の表面に引き出し電極が形成されてなる。
引き出し電極を構成する材料は特に限定されないがＡｇ等が挙げられる。
また、絶縁体層を構成する材料としては、ガラス材料等の非磁性材料が挙げられる。
引き出し電極を構成する材料は特に限定されないがＡｇ等が挙げられる。
また、絶縁体層を構成する材料としては、ガラス材料等の非磁性材料が挙げられる。
【0086】
本発明の電子部品の第二実施形態において、１次コイル導体層と底面側引き出し電極層又は上面側引き出し電極層、２次コイル導体層と底面側引き出し電極層又は上面側引き出し電極層は、それぞれ、ビアホール導体により接続されている。
ビアホール導体を形成する材料は特に限定されないが、Ａｇ等が挙げられる。
ビアホール導体を形成する材料は特に限定されないが、Ａｇ等が挙げられる。
【0087】
本発明の電子部品の第二実施形態において、外部電極を構成する材料は特に限定されないが、ＮｉやＳｎなどが挙げられる。
ＮｉやＳｎからなる電極層の内側に、さらに、下地電極が設けられていてもよい。
下地電極としては、Ａｇ粉末とガラスフリットを含有した導電性ペーストを積層体の表面に塗布し、焼成したもの等が挙げられる。
下地電極の表面にめっきによってＮｉ膜やＳｎ膜を形成することによって、外部電極が形成される。
ＮｉやＳｎからなる電極層の内側に、さらに、下地電極が設けられていてもよい。
下地電極としては、Ａｇ粉末とガラスフリットを含有した導電性ペーストを積層体の表面に塗布し、焼成したもの等が挙げられる。
下地電極の表面にめっきによってＮｉ膜やＳｎ膜を形成することによって、外部電極が形成される。
【0088】
本発明の電子部品の第二実施形態において、１次コイル導体層及び２次コイル導体層は、それぞれ２つ以上のコイル導体を有していてもよい。
１つのコイル導体層が２つ以上のコイル導体を有する場合、各コイル導体は、積層体の上面視において互いに略重なるコイルパターンを有していることが好ましい。
この時、各コイル導体同士は並列に接続される。
１つのコイル導体層が２つ以上のコイル導体を有する場合、各コイル導体は、積層体の上面視において互いに略重なるコイルパターンを有していることが好ましい。
この時、各コイル導体同士は並列に接続される。
【0089】
［電子部品の製造方法］
続いて、本発明の電子部品の製造方法について説明する。
本発明の電子部品の製造方法は、内層ガラス層となるセラミックグリーンシートＡを準備する工程と、磁性体層となるセラミックグリーンシートＢを準備する工程と、外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣを準備する工程と、上記セラミックグリーンシートＡにコイル導体パターンを形成してコイルシートを得る工程と、上記セラミックグリーンシートＡに引き出し電極パターンを形成して引き出し電極シートを得る工程と、上記セラミックグリーンシートＣ、上記セラミックグリーンシートＢ、上記引き出し電極シート、上記コイルシート、上記引き出し電極シート、上記セラミックグリーンシートＢ、上記セラミックグリーンシートＣをこの順で積層して積層体を得る積層工程と、上記積層体を焼成する工程と、上記焼成した積層体に外部電極を形成する工程と、を含み、上記セラミックグリーンシートＡには、上記セラミックグリーンシートＡ全体に対して、３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下の石英及び０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下のアルミナがフィラー成分として添加されている、ことを特徴とする。
続いて、本発明の電子部品の製造方法について説明する。
本発明の電子部品の製造方法は、内層ガラス層となるセラミックグリーンシートＡを準備する工程と、磁性体層となるセラミックグリーンシートＢを準備する工程と、外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣを準備する工程と、上記セラミックグリーンシートＡにコイル導体パターンを形成してコイルシートを得る工程と、上記セラミックグリーンシートＡに引き出し電極パターンを形成して引き出し電極シートを得る工程と、上記セラミックグリーンシートＣ、上記セラミックグリーンシートＢ、上記引き出し電極シート、上記コイルシート、上記引き出し電極シート、上記セラミックグリーンシートＢ、上記セラミックグリーンシートＣをこの順で積層して積層体を得る積層工程と、上記積層体を焼成する工程と、上記焼成した積層体に外部電極を形成する工程と、を含み、上記セラミックグリーンシートＡには、上記セラミックグリーンシートＡ全体に対して、３４ｗｔ％以上３７ｗｔ％以下の石英及び０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下のアルミナがフィラー成分として添加されている、ことを特徴とする。
【0090】
本発明の電子部品の製造方法では、まず、内層ガラス層となるセラミックグリーンシートＡを作製する。
例えば、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、並びに、フィラー成分である石英（ＳｉＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を混合した混合材料に、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤及び分散剤等を加えて混練し、スラリー状にする。その後、ドクターブレード法などの方法によりセラミックグリーンシートＡを得る。
このセラミックグリーンシートＡを焼成することにより内層ガラス層を構成する絶縁層となる。
セラミックグリーンシートＢ及びセラミックグリーンシートＣも同様の方法で作製することができる。
セラミックグリーンシートＡ、セラミックグリーンシートＢ及びセラミックグリーンシートＣをまとめて、単にセラミックグリーンシートともいう。
例えば、少なくともＫ、Ｂ、及びＳｉを含有するガラス材料、並びに、フィラー成分である石英（ＳｉＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を混合した混合材料に、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤及び分散剤等を加えて混練し、スラリー状にする。その後、ドクターブレード法などの方法によりセラミックグリーンシートＡを得る。
このセラミックグリーンシートＡを焼成することにより内層ガラス層を構成する絶縁層となる。
セラミックグリーンシートＢ及びセラミックグリーンシートＣも同様の方法で作製することができる。
セラミックグリーンシートＡ、セラミックグリーンシートＢ及びセラミックグリーンシートＣをまとめて、単にセラミックグリーンシートともいう。
【0091】
ガラス材料としては、ホウケイ酸系ガラスを使用することが好ましい。
ホウケイ酸系ガラスの組成としては、例えば、ＳｉＯ２：７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下、Ｂ２Ｏ３：１０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下、Ｋ２Ｏ：０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下のものが挙げられる。
上記組成のホウケイ酸系ガラスは比誘電率が低いため、電子部品の高周波特性を改善することができる。
ホウケイ酸系ガラスの組成としては、例えば、ＳｉＯ２：７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下、Ｂ２Ｏ３：１０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下、Ｋ２Ｏ：０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下のものが挙げられる。
上記組成のホウケイ酸系ガラスは比誘電率が低いため、電子部品の高周波特性を改善することができる。
【0092】
上記ガラス材料、石英、アルミナに加えて、フェライト材料などの磁性材料や、フィラー成分であるフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）を含有してもよい。
上記フィラー成分の添加量は、セラミックグリーンシートＡ全体に対して、石英が３４ｗｔ％以上、３７ｗｔ％以下、アルミナが０．５ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下である。
石英は、比誘電率がホウケイ酸系ガラスに比べてさらに低く、高周波特性をさらに改善することができる。
フォルステライト及びアルミナは、抗折強度が高く、機械的強度を向上させることができる。
フェライト材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトが挙げられる。
フェライトは、比透磁率が高いため、インピーダンス特性を向上させやすい。
上記フィラー成分の添加量は、セラミックグリーンシートＡ全体に対して、石英が３４ｗｔ％以上、３７ｗｔ％以下、アルミナが０．５ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下である。
石英は、比誘電率がホウケイ酸系ガラスに比べてさらに低く、高周波特性をさらに改善することができる。
フォルステライト及びアルミナは、抗折強度が高く、機械的強度を向上させることができる。
フェライト材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトが挙げられる。
フェライトは、比透磁率が高いため、インピーダンス特性を向上させやすい。
【0093】
フェライト材料として、例えば、鉄、ニッケル、亜鉛及び銅の酸化物原料を混合して８００℃、１時間で仮焼した後、ポールミルにより粉砕し、乾燥することにより、平均粒径が約０．５μｍのＮｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系のフェライト原料（酸化物混合粉末）を得ることができる。
【0094】
フェライト材料を用いてセラミックグリーンシートＢを作製する場合、高いＬ値（インダクタンス）を得るためには、Ｆｅ２Ｏ３：４０ｍｏｌ％以上４９．５ｍｏｌ％以下、ＺｎＯ：５ｍｏｌ％以上３５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯ：４ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下、残部：ＮｉＯ及び微量添加剤（不可避不純物を含む）の組成のフェライト材料を用いることが好ましい。
【0095】
ガラス材料を用いてセラミックグリーンシートＣを作製する場合、セラミックグリーンシートＡよりもフィラー成分である石英の添加量を少なくすることが好ましい。
セラミックグリーンシートＣを作製する場合、セラミックグリーンシートＣ全体に対して、フィラー成分として石英が２８ｗｔ％以上３４ｗｔ％以下、アルミナが０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下であることが好ましい。
セラミックグリーンシートＣを作製する場合、セラミックグリーンシートＣ全体に対して、フィラー成分として石英が２８ｗｔ％以上３４ｗｔ％以下、アルミナが０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下であることが好ましい。
【0096】
作製したセラミックグリーンシートＡに、所定のレーザー加工を施して、直径３０μｍ以上、４０μｍ以下程度のビアホールを形成する。Ａｇペーストをビアホールに充填し、さらに、１１μｍ程度の厚みを有するコイル導体パターン（コイル導体）をスクリーン印刷し、乾燥することで、焼成によりコイル導体層となるコイルシートを得る。
【0097】
また、作製したセラミックグリーンシートＡに、必要に応じてレーザー加工を施してビアホールを形成し、さらに１１μｍ程度の厚みを有する引き出し電極パターンをスクリーン印刷し、乾燥することで、焼成により引き出し電極層となる電極シートを得る。
【0098】
なお、コイル導体パターン及び引き出し電極パターン（まとめてパターンともいう）を印刷していないセラミックグリーンシートＡを焼成することで絶縁体層となる。
【0099】
その後、底面側外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣ、底面側磁性体層となるセラミックグリーンシートＢ、底面側引き出し電極層となる底面電極シート、１次コイル導体層となる１次コイルシート、２次コイル導体層となる２次コイルシート、３次コイル導体層となる３次コイルシート、並列１次コイル導体層となる並列１次コイルシート、上面側引き出し電極層となる上面電極シート、パターンを印刷していないセラミックグリーンシートＡ、上面側磁性体層となるセラミックグリーンシートＢ、上面側外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣをこの順で積層して、熱圧着することで積層シートを得る。
このとき、１次コイル導体、２次コイル導体、３次コイル導体及び並列１次コイル導体のコイルパターンが上面視で略重なるように、かつ、各コイルシートに形成されたビアホールのうち、対応するもの同士が上面視で重なるように、かつ、ビアホールと引き出し電極の位置をあわせて、各コイルシート及び電極シートを積層する。
得られた積層シートを所定の寸法に切断することにより、焼成により積層体となる積層体前駆体を得る。
このとき、１次コイル導体、２次コイル導体、３次コイル導体及び並列１次コイル導体のコイルパターンが上面視で略重なるように、かつ、各コイルシートに形成されたビアホールのうち、対応するもの同士が上面視で重なるように、かつ、ビアホールと引き出し電極の位置をあわせて、各コイルシート及び電極シートを積層する。
得られた積層シートを所定の寸法に切断することにより、焼成により積層体となる積層体前駆体を得る。
【0100】
積層体に内磁路を設ける場合、一旦、底面側引き出し電極層となる底面電極シート、１次コイル導体層となる１次コイルシート、２次コイル導体層となる２次コイルシート、３次コイル導体層となる３次コイルシート、並列１次コイル導体層となる並列１次コイルシート、上面側引き出し電極層となる上面電極シート、パターンを印刷していないセラミックグリーンシートＡだけを積層、熱圧着して積層シートを準備し、この積層シートの所定位置にサンドブラストを行ってビアホールを形成して、内磁路となる内磁路ペーストを一括充填して焼成し、その後セラミックグリーンシートＢ及びセラミックグリーンシートＣを積層する方法や、上述したコイルシートを作製する際に、セラミックグリーンシートＡにレーザー加工を施して形成したビアホールに上記内磁路ペーストを順次充填する方法等を用いることができる。
内磁路ペーストは、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系のフェライト原料をポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤及び分散剤等を加えて混練することで得られる。
内磁路ペーストは、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系のフェライト原料をポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤及び分散剤等を加えて混練することで得られる。
【0101】
その後、所定の温度、時間で脱バインダ及び焼成を施すことで、底面側外層ガラス層、底面側磁性体層、底面側引き出し電極層、１次コイル導体層、２次コイル導体層、３次コイル導体層、並列１次コイル導体層、上面側引き出し電極層、絶縁体層、上面側磁性体層及び上面側外層ガラス層がこの順に積層された焼成体（積層体）を得る。
脱バインダ条件としては、大気雰囲気下、３５０～５００℃まで加熱する方法が挙げられる。
焼成条件としては、大気雰囲気下、８５０～９２０℃の温度まで加熱する方法が挙げられる。
脱バインダ条件としては、大気雰囲気下、３５０～５００℃まで加熱する方法が挙げられる。
焼成条件としては、大気雰囲気下、８５０～９２０℃の温度まで加熱する方法が挙げられる。
【0102】
焼成により得られた積層体と研磨剤をバレルに収容して、バレルに回転運動を与えることで積層体の角部及び稜線部を丸める、バレル研磨を行うことが好ましい。
バレル研磨により積層体の切断面に形成されたバリが除去されるとともに、積層体の角部及び稜線部を丸めて機械的強度を高めることができる。
バレル研磨により積層体の切断面に形成されたバリが除去されるとともに、積層体の角部及び稜線部を丸めて機械的強度を高めることができる。
【0103】
得られた積層体の所定位置に、外部電極を形成することにより、本発明の電子部品が得られる。
積層体の表面に外部電極を形成する方法としては、例えば、積層体の表面のうち、第１の端面及び第２の端面にそれぞれ３箇所ずつ下地電極を形成し、その下地電極の表面を覆うようにめっき電極を形成する方法が挙げられる。
下地電極は、例えば、Ａｇ粉末と所定量のガラスフリットの混合物を含有した下地電極ペーストを積層体表面に塗布し、９００℃程度の温度で焼成して焼き付ける方法が挙げられる。
積層体の表面に外部電極を形成する方法としては、例えば、積層体の表面のうち、第１の端面及び第２の端面にそれぞれ３箇所ずつ下地電極を形成し、その下地電極の表面を覆うようにめっき電極を形成する方法が挙げられる。
下地電極は、例えば、Ａｇ粉末と所定量のガラスフリットの混合物を含有した下地電極ペーストを積層体表面に塗布し、９００℃程度の温度で焼成して焼き付ける方法が挙げられる。
【0104】
下地電極に対して、めっきにより、所定の厚みのＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成して、外部電極を形成する。
【0105】
以上により、本発明の電子部品の第一実施形態を作製することができる。
一方、上述した積層シートを作製する方法を、底面側外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣ、底面側磁性体層となるセラミックグリーンシートＢ、底面側引き出し電極層となる底面電極シート、１次コイル導体層となる１次コイルシート、２次コイル導体層となる２次コイルシート、パターンを印刷していないセラミックグリーンシートＡ、上面側磁性体層となるセラミックグリーンシートＢ、上面側外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣをこの順で積層して、熱圧着する方法に変えることによって、本発明の電子部品の第二実施形態を作製することができる。
ただし、底面側引き出し電極層となる底面電極シートは必須ではなく、底面電極シートの代わりに上面側引き出し電極層となる上面電極シートを、並列１次コイルシート及び上面側磁性体層となるセラミックグリーンシートＢの間に配置されるように積層してもよく、底面電極シート及び上面電極シートの両方を積層してもよい。
上面側引き出し電極層となる上面電極シートは、２次コイル導体となる２次コイルシートとパターンを印刷していないセラミックグリーンシートＡの間に配置されることが好ましい。
一方、上述した積層シートを作製する方法を、底面側外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣ、底面側磁性体層となるセラミックグリーンシートＢ、底面側引き出し電極層となる底面電極シート、１次コイル導体層となる１次コイルシート、２次コイル導体層となる２次コイルシート、パターンを印刷していないセラミックグリーンシートＡ、上面側磁性体層となるセラミックグリーンシートＢ、上面側外層ガラス層となるセラミックグリーンシートＣをこの順で積層して、熱圧着する方法に変えることによって、本発明の電子部品の第二実施形態を作製することができる。
ただし、底面側引き出し電極層となる底面電極シートは必須ではなく、底面電極シートの代わりに上面側引き出し電極層となる上面電極シートを、並列１次コイルシート及び上面側磁性体層となるセラミックグリーンシートＢの間に配置されるように積層してもよく、底面電極シート及び上面電極シートの両方を積層してもよい。
上面側引き出し電極層となる上面電極シートは、２次コイル導体となる２次コイルシートとパターンを印刷していないセラミックグリーンシートＡの間に配置されることが好ましい。
【実施例】
【0106】
以下、本発明の電子部品及び本発明の電子部品の製造方法をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【0107】
［セラミックグリーンシートＡの作製］
（１）Ｋ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３がそれぞれ、２．０ｗｔ％、２０．０ｗｔ％、７６．０ｗｔ％、２．０ｗｔ％含まれるガラス材料粉末を準備した。
（２）ガラス材料粉末６３．３重量部と、フィラー成分である石英３４．１重量部及びアルミナ２．６重量部を混合してガラス原料粉末を得た。
（３）ガラス原料粉末、有機バインダ（ポリビニルブチラール系樹脂）、有機溶剤（エタノール及びトルエン）をＰＳＺボールとともにポットミルに入れ、湿式で充分に混合粉砕し、スラリーを作製した。
（４）ドクターブレード法により、上記スラリーをシート状に成形加工し、これを矩形に打ち抜くことにより、平面視寸法が２２５ｍｍ×２２５ｍｍ、厚さ２０μｍのセラミックグリーンシートＡ（試料番号１）を複数枚作製した。
（１）Ｋ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３がそれぞれ、２．０ｗｔ％、２０．０ｗｔ％、７６．０ｗｔ％、２．０ｗｔ％含まれるガラス材料粉末を準備した。
（２）ガラス材料粉末６３．３重量部と、フィラー成分である石英３４．１重量部及びアルミナ２．６重量部を混合してガラス原料粉末を得た。
（３）ガラス原料粉末、有機バインダ（ポリビニルブチラール系樹脂）、有機溶剤（エタノール及びトルエン）をＰＳＺボールとともにポットミルに入れ、湿式で充分に混合粉砕し、スラリーを作製した。
（４）ドクターブレード法により、上記スラリーをシート状に成形加工し、これを矩形に打ち抜くことにより、平面視寸法が２２５ｍｍ×２２５ｍｍ、厚さ２０μｍのセラミックグリーンシートＡ（試料番号１）を複数枚作製した。
【0108】
ガラス材料、石英及びアルミナの含有率を表１のように変更して、セラミックグリーンシートＡ（試料番号２～９）をそれぞれ複数枚作製した。
【0109】
【表1】
【0110】
［セラミックグリーンシートＢの作製］
（１）所定量のＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣｕＯを含有したフェライト原料（仮焼粉末）を準備した。
（２）上記仮焼粉末１００重量部に対して所定量の有機バインダ（ポリビニルブチラール系樹脂）、有機溶剤（エタノール及びトルエン）を添加し、ＰＳＺボールとともにポットミルに入れ、湿式で充分に混合粉砕し、磁性体スラリーを作製した。
（３）ドクターブレード法により、上記磁性体スラリーをシート状に成形加工し、これを矩形に打ち抜くことにより、平面視寸法が２２５ｍｍ×２２５ｍｍ、厚さ２０μｍのセラミックグリーンシートＢ（試料番号１０）を複数枚作製した。
（１）所定量のＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣｕＯを含有したフェライト原料（仮焼粉末）を準備した。
（２）上記仮焼粉末１００重量部に対して所定量の有機バインダ（ポリビニルブチラール系樹脂）、有機溶剤（エタノール及びトルエン）を添加し、ＰＳＺボールとともにポットミルに入れ、湿式で充分に混合粉砕し、磁性体スラリーを作製した。
（３）ドクターブレード法により、上記磁性体スラリーをシート状に成形加工し、これを矩形に打ち抜くことにより、平面視寸法が２２５ｍｍ×２２５ｍｍ、厚さ２０μｍのセラミックグリーンシートＢ（試料番号１０）を複数枚作製した。
【0111】
［セラミックグリーンシートＣの作製］
（１）Ｋ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３がそれぞれ、２．０ｗｔ％、２０．０ｗｔ％、７６．０ｗｔ％、２．０ｗｔ％含まれるガラス材料粉末を準備した。
（２）ガラス材料粉末６３．３重量部と、フィラー成分である石英３４．１重量部及びアルミナ２．６重量部を混合してガラス原料粉末を得た。
（３）ガラス原料粉末、有機バインダ（ポリビニルブチラール系樹脂）、有機溶剤（エタノール及びトルエン）をＰＳＺボールとともにポットミルに入れ、湿式で充分に混合粉砕し、スラリーを作製した。
（４）ドクターブレード法により、上記スラリーをシート状に成形加工し、これを矩形に打ち抜くことにより、平面視寸法が２２５ｍｍ×２２５ｍｍ、厚さ２２μｍのセラミックグリーンシートＣ（試料番号１１）を複数枚作製した。
（１）Ｋ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３がそれぞれ、２．０ｗｔ％、２０．０ｗｔ％、７６．０ｗｔ％、２．０ｗｔ％含まれるガラス材料粉末を準備した。
（２）ガラス材料粉末６３．３重量部と、フィラー成分である石英３４．１重量部及びアルミナ２．６重量部を混合してガラス原料粉末を得た。
（３）ガラス原料粉末、有機バインダ（ポリビニルブチラール系樹脂）、有機溶剤（エタノール及びトルエン）をＰＳＺボールとともにポットミルに入れ、湿式で充分に混合粉砕し、スラリーを作製した。
（４）ドクターブレード法により、上記スラリーをシート状に成形加工し、これを矩形に打ち抜くことにより、平面視寸法が２２５ｍｍ×２２５ｍｍ、厚さ２２μｍのセラミックグリーンシートＣ（試料番号１１）を複数枚作製した。
【0112】
ガラス材料、石英及びアルミナの含有率を表２のように変更して、セラミックグリーンシートＣ（試料番号１２）を作製した。
【0113】
【表2】
【0114】
（実施例１）
［電極シート及びコイルシートの作製］
セラミックグリーンシートＡ（試料番号１）に対して、所定箇所にレーザーを照射することによりビアホールを形成し、ビアホールに導電性ペーストを充填してビア導体を形成した後、所定形状の引き出し電極やコイル導体を印刷することで、底面側引き出し電極層となる底面電極シート、１次コイル導体層となる１次コイルシート、２次コイル導体層となる２次コイルシート、３次コイル導体層となる３次コイルシート、並列１次コイル導体層となる並列１次コイルシート、上面側引き出し電極層となる上面電極シートをそれぞれ作製した。
１次コイルシート、２次コイルシート、３次コイルシート及び並列１次コイルシートのターン数は８とした。
［電極シート及びコイルシートの作製］
セラミックグリーンシートＡ（試料番号１）に対して、所定箇所にレーザーを照射することによりビアホールを形成し、ビアホールに導電性ペーストを充填してビア導体を形成した後、所定形状の引き出し電極やコイル導体を印刷することで、底面側引き出し電極層となる底面電極シート、１次コイル導体層となる１次コイルシート、２次コイル導体層となる２次コイルシート、３次コイル導体層となる３次コイルシート、並列１次コイル導体層となる並列１次コイルシート、上面側引き出し電極層となる上面電極シートをそれぞれ作製した。
１次コイルシート、２次コイルシート、３次コイルシート及び並列１次コイルシートのターン数は８とした。
【0115】
［積層体前駆体の作製］
セラミックグリーンシートＣ（試料番号１２）、セラミックグリーンシートＢ、上記底面電極シート、上記１次コイルシート、上記２次コイルシート（２枚）、上記３次コイルシート（２枚）、上記並列１次コイルシート、上記上面電極シート、セラミックグリーンシートＡ（試料番号１）、セラミックグリーンシートＢ、セラミックグリーンシートＣ（試料番号１２）をこの順で積層し、８０℃、１００ＭＰａの条件で熱圧着することで、図４及び図５に示すようなコイル導体パターン及び電極パターンを有する積層体シートを得た。得られた積層シートをダイサーにより裁断し、個片化した積層体前駆体を得た。
セラミックグリーンシートＣ（試料番号１２）、セラミックグリーンシートＢ、上記底面電極シート、上記１次コイルシート、上記２次コイルシート（２枚）、上記３次コイルシート（２枚）、上記並列１次コイルシート、上記上面電極シート、セラミックグリーンシートＡ（試料番号１）、セラミックグリーンシートＢ、セラミックグリーンシートＣ（試料番号１２）をこの順で積層し、８０℃、１００ＭＰａの条件で熱圧着することで、図４及び図５に示すようなコイル導体パターン及び電極パターンを有する積層体シートを得た。得られた積層シートをダイサーにより裁断し、個片化した積層体前駆体を得た。
【0116】
［積層体の作製］
積層体前駆体を８８０℃で１．５時間焼成することで、実施例１に係る積層体を６０個得た。
得られた積層体６０個の寸法をマイクロメーターを用いて測定し平均値を求めたところ、Ｌ＝０．９２ｍｍ、Ｗ＝０．７０ｍｍ、Ｔ＝０．４０ｍｍであった。
積層体前駆体を８８０℃で１．５時間焼成することで、実施例１に係る積層体を６０個得た。
得られた積層体６０個の寸法をマイクロメーターを用いて測定し平均値を求めたところ、Ｌ＝０．９２ｍｍ、Ｗ＝０．７０ｍｍ、Ｔ＝０．４０ｍｍであった。
【0117】
［内層ガラス層、磁性体層及び外層ガラス層の厚さの測定］
実施例１に係る積層体３個について、長さＬ及び高さＴで規定されるＬＴ面が露出するように積層体の周囲を樹脂で固め、研磨機を用いて積層体の略中央部文まで研磨し、イオンミリング処理によって研磨ダレを除去した表面を走査型電子鏡で撮像し、内層ガラス層、磁性体層及び外層ガラス層の厚さを測定したところ、平均値はそれぞれ、内層ガラス層：１６０μｍ、磁性体層：７０μｍ、外層ガラス層：４２μｍであった。
実施例１に係る積層体３個について、長さＬ及び高さＴで規定されるＬＴ面が露出するように積層体の周囲を樹脂で固め、研磨機を用いて積層体の略中央部文まで研磨し、イオンミリング処理によって研磨ダレを除去した表面を走査型電子鏡で撮像し、内層ガラス層、磁性体層及び外層ガラス層の厚さを測定したところ、平均値はそれぞれ、内層ガラス層：１６０μｍ、磁性体層：７０μｍ、外層ガラス層：４２μｍであった。
【0118】
（実施例２～６及び比較例１～４）
セラミックグリーンシートＡ及びセラミックグリーンシートＣの試料番号を表３のように変更したほかは、実施例１と同様の手順で、実施例２～６及び比較例１～４に係る積層体を作製した。
セラミックグリーンシートＡ及びセラミックグリーンシートＣの試料番号を表３のように変更したほかは、実施例１と同様の手順で、実施例２～６及び比較例１～４に係る積層体を作製した。
【0119】
【表3】
【0120】
［めっき性試験］
Ａｇ粉末とガラスフリットを含有する外部電極用の導電性ペーストを実施例１～６及び比較例１～４に係る積層体の表面に塗布し、８１０℃で１分加熱することで、外部電極を形成するための下地電極を形成した。
続いて、下地電極を形成した積層体を、Ｎｉめっき液及びＳｎめっき液に順次含浸し、外部電極（第１～第６外部電極）を形成して実施例１～６及び比較例１～４に係る電子部品を得た。この電子部品をそれぞれ３０個ずつ、ＬＴ面が露出するように電子部品の周囲を樹脂で固め、研磨機を用いて研磨し、引き出し電極が形成されている部分におけるクラックの有無をＳＥＭで確認した。
３０個中１個でもクラックが発生しているものを×、３０個全てにクラックが発生していないものを○とした。結果を表３に示す。
Ａｇ粉末とガラスフリットを含有する外部電極用の導電性ペーストを実施例１～６及び比較例１～４に係る積層体の表面に塗布し、８１０℃で１分加熱することで、外部電極を形成するための下地電極を形成した。
続いて、下地電極を形成した積層体を、Ｎｉめっき液及びＳｎめっき液に順次含浸し、外部電極（第１～第６外部電極）を形成して実施例１～６及び比較例１～４に係る電子部品を得た。この電子部品をそれぞれ３０個ずつ、ＬＴ面が露出するように電子部品の周囲を樹脂で固め、研磨機を用いて研磨し、引き出し電極が形成されている部分におけるクラックの有無をＳＥＭで確認した。
３０個中１個でもクラックが発生しているものを×、３０個全てにクラックが発生していないものを○とした。結果を表３に示す。
【0121】
［たわみ性試験］
実施例１～５に係る電子部品３０個をそれぞれ、大きさが１００ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ１ｍｍのたわみ強度試験用基板（ガラスエポキシ基板）の中央部にはんだ付けし、電子部品がハンダ付された面とは別の面から毎秒０．５ｍｍの速さで３ｍｍのたわみを加えて、電子部品が破断しないか評価した。
３０個中１個でも破壊されたものを×、３０個全て破壊されなかったものを○とした。結果を表３に示す。
なお、めっき性試験で評価が×となったものに関しては、たわみ性試験を実施していない（表３中、－で示している）。
実施例１～５に係る電子部品３０個をそれぞれ、大きさが１００ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ１ｍｍのたわみ強度試験用基板（ガラスエポキシ基板）の中央部にはんだ付けし、電子部品がハンダ付された面とは別の面から毎秒０．５ｍｍの速さで３ｍｍのたわみを加えて、電子部品が破断しないか評価した。
３０個中１個でも破壊されたものを×、３０個全て破壊されなかったものを○とした。結果を表３に示す。
なお、めっき性試験で評価が×となったものに関しては、たわみ性試験を実施していない（表３中、－で示している）。
【0122】
表３の結果より、内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率を３４ｗｔ％以上、３７ｗｔ％以下とし、ガラス材料の含有率を６０ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下とし、アルミナの含有率を０．５ｗｔ％以上４ｗｔ％以下とした電子部品は、製造時に、めっき性に優れ、クラックが発生しにくいことがわかった。
また、外層ガラス層の石英の含有率を内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率よりも少なくすることにより、たわみ強度に優れることがわかった。
また、外層ガラス層の石英の含有率を内層ガラス層を構成する絶縁層の石英の含有率よりも少なくすることにより、たわみ強度に優れることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【0123】
本発明の電子部品は、例えば、コモンモードチョークコイル、インダクタ素子、ＬＣ複合部品等に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【0124】
１、５ 電子部品
１０ １次コイル導体層
１１ 絶縁層
１３ １次コイル導体
１３ａ １次コイル導体の外側端部
１３ｄ １次コイル導体の内側端部
１５ 第１ビアホール導体
１６ ビアホール導体
２０ ２次コイル導体層
２１、２１’ 絶縁層
２３、２３’ ２次コイル導体
２３ｂ、２３ｂ’ ２次コイル導体の外側端部
２３ｅ、２３ｅ’ ２次コイル導体の内側端部
２５、２５’ 第２ビアホール導体
２６ ビアホール導体
３０ ３次コイル導体層
３１、３１’ 絶縁層
３３、３３’ ３次コイル導体
３３ｃ、３３ｃ’ ３次コイル導体の外側端部
３３ｆ、３３ｆ’ ３次コイル導体の内側端部
３５、３５’ 第３ビアホール導体
３６ ビアホール導体
４０ 並列１次コイル導体層
４１ 絶縁層
４３ 並列１次コイル導体
４３ａ 並列１次コイル導体の外側端部
４３ｄ 並列１次コイル導体の内側端部
４５ 第４ビアホール導体
４６ ビアホール導体
５０、５１、５２、５３、５５ コイル積層体
６０ 底面側引き出し電極層
６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅ 引き出し電極
６５ 上面側引き出し電極層
６５ａ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｆ 引き出し電極
７０ 絶縁体層
８０、８１、８２、８３、８５ 内層ガラス層
８６ 底面側磁性体層
８７ 上面側磁性体層
８８ 底面側外層ガラス層
８９ 上面側外層ガラス層
９０ 内磁路
１００、１０５ 積層体
１００Ａ、１０５Ａ 積層体の第１の端面
１００Ｂ、１０５Ｂ 積層体の第２の端面
１００Ｃ、１０５Ｃ 積層体の底面
１００Ｄ、１０５Ｄ 積層体の上面
２００ａ、２０５ａ 第１外部電極
２００ｂ、２０５ｂ 第２外部電極
２００ｃ、２０５ｃ 第３外部電極
２００ｄ、２０５ｄ 第４外部電極
２００ｅ 第５外部電極
２００ｆ 第６外部電極
１０ １次コイル導体層
１１ 絶縁層
１３ １次コイル導体
１３ａ １次コイル導体の外側端部
１３ｄ １次コイル導体の内側端部
１５ 第１ビアホール導体
１６ ビアホール導体
２０ ２次コイル導体層
２１、２１’ 絶縁層
２３、２３’ ２次コイル導体
２３ｂ、２３ｂ’ ２次コイル導体の外側端部
２３ｅ、２３ｅ’ ２次コイル導体の内側端部
２５、２５’ 第２ビアホール導体
２６ ビアホール導体
３０ ３次コイル導体層
３１、３１’ 絶縁層
３３、３３’ ３次コイル導体
３３ｃ、３３ｃ’ ３次コイル導体の外側端部
３３ｆ、３３ｆ’ ３次コイル導体の内側端部
３５、３５’ 第３ビアホール導体
３６ ビアホール導体
４０ 並列１次コイル導体層
４１ 絶縁層
４３ 並列１次コイル導体
４３ａ 並列１次コイル導体の外側端部
４３ｄ 並列１次コイル導体の内側端部
４５ 第４ビアホール導体
４６ ビアホール導体
５０、５１、５２、５３、５５ コイル積層体
６０ 底面側引き出し電極層
６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅ 引き出し電極
６５ 上面側引き出し電極層
６５ａ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｆ 引き出し電極
７０ 絶縁体層
８０、８１、８２、８３、８５ 内層ガラス層
８６ 底面側磁性体層
８７ 上面側磁性体層
８８ 底面側外層ガラス層
８９ 上面側外層ガラス層
９０ 内磁路
１００、１０５ 積層体
１００Ａ、１０５Ａ 積層体の第１の端面
１００Ｂ、１０５Ｂ 積層体の第２の端面
１００Ｃ、１０５Ｃ 積層体の底面
１００Ｄ、１０５Ｄ 積層体の上面
２００ａ、２０５ａ 第１外部電極
２００ｂ、２０５ｂ 第２外部電極
２００ｃ、２０５ｃ 第３外部電極
２００ｄ、２０５ｄ 第４外部電極
２００ｅ 第５外部電極
２００ｆ 第６外部電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】