特許 7116520 積層セラミック電子部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-08-02

(45)【発行日】2022-08-10

(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20220803BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 311A

H01G4/30 311F

H01G4/30 517

H01G4/30 512

H01G4/30 201N

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2018055675

(22)【出願日】2018-03-23

(65)【公開番号】P2019169588

(43)【公開日】2019-10-03

【審査請求日】2021-03-01

(73)【特許権者】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(74)【代理人】

【識別番号】100104215

【弁理士】

【氏名又は名称】大森 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100197398

【弁理士】

【氏名又は名称】千葉 絢子

(72)【発明者】

【氏名】福岡 哲彦

(72)【発明者】

【氏名】楠本 昌司

(72)【発明者】

【氏名】小川 隆

(72)【発明者】

【氏名】水野 高太郎

【審査官】上谷 奈那

(56)【参考文献】

【文献】特開昭６２－２３７７１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２９９２４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１０２２４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０２６７２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６２－１１１４１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－０３２４２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２２１０９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１１２３２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１８７２１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３５１８２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２７３９３４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ４／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

内部電極が形成された複数のセラミックシートを第１方向に沿って順に積層し、かつ各セラミックシートを積層する度に前記各セラミックシートを前記第１方向と平行でかつ逆向きの第２方向に加圧することで、前記第１方向に向いた第１主面と、前記第２方向に向いた第２主面と、を有する積層シートを作製し、
作製された前記積層シートの前記第１主面を第１保持部材に保持させ、
前記第１保持部材に保持された前記積層シートの前記第２主面を第２保持部材に保持させ、
前記第２保持部材に保持された前記積層シートから前記第１保持部材を除去し、
前記第１主面から切断刃を挿入して、前記第１保持部材が除去され前記第２保持部材に保持された前記積層シートを切断することで、前記内部電極が露出した切断面を有する積層チップを作製し、
前記積層チップの前記切断面にサイドマージン部を形成する
積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記切断刃は、押し切り刃である
積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項3】

保持部材の第１方向を向く面上に、内部電極が形成された複数のセラミックシートを前記第１方向に沿って順に積層し、かつ各セラミックシートを積層する度に前記各セラミックシートを前記第１方向と平行でかつ逆向きの第２方向に加圧することで、前記第１方向に向いた第１主面と、前記保持部材によって保持され前記第２方向に向いた第２主面と、を有する積層シートを作製し、
前記第１主面から切断刃を挿入して前記保持部材に保持された前記積層シートを切断することで、前記内部電極が露出した切断面を有する積層チップを作製し、
前記積層チップの前記切断面にサイドマージン部を形成する
積層セラミック電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、サイドマージン部が後付けされる積層セラミック電子部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、電子機器に用いられる積層セラミック電子部品に対する小型化及び大容量化の要望がますます強くなってきている。この要望に応えるためには、積層セラミック電子部品のセラミック層間に積層される内部電極の交差面積を十分確保することが有効である。

【0003】

この一方で、一般的な積層セラミック電子部品の製造方法では、各工程（例えば、内部電極のパターニング、積層シートの切断など）の精度により、内部電極の積層ズレ等が生じ、内部電極の交差面積が減少することがある。

【0004】

そこで、特許文献１には、積層シート（マザーブロック）を切断することにより、側面に内部電極が露出した積層チップ（グリーンチップ）が作製され、この積層チップの側面にサイドマージン部（生のセラミック保護層）が設けられた生の部品本体を作製する、積層セラミック電子部品の製造方法が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１２－２０９５３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、積層シートを切断する工程において、切断面で切断刃による引き摺りが生じ、当該切断面に露出する内部電極間で短絡不良が発生しやすかった。

【0007】

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、積層シートの切断面において内部電極間の短絡不良を防止することが可能な積層セラミック電子部品の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、
内部電極が形成された複数のセラミックシートを第１方向に沿って順に積層し、かつ各セラミックシートを積層する度に上記各セラミックシートを上記第１方向と平行でかつ逆向きの第２方向に加圧することで、上記第１方向に向いた第１主面と、上記第２方向に向いた第２主面と、を有する積層シートが作製される。
上記第１主面から切断刃を挿入して上記積層シートを切断することで、上記内部電極が露出した切断面を有する積層チップが作製される。
上記積層チップの上記切断面にサイドマージン部が形成される。

【0009】

上記構成によれば、積層時の加圧回数の累積によって積層シートの第２主面側が圧密化される。このため、第１主面側では第２主面側よりも密度及び硬度が低くなる。硬度の高い第２主面ではなく、硬度の低い第１主面から切断刃を挿入することで、切断刃の受けるダメージを低減させ、刃こぼれを防止することができる。したがって、切断面に傷が形成されることを防止し、内部電極間の短絡不良を防止することができる。

【0010】

例えば、上記切断刃は、押し切り刃であってもよい。
押し切り刃の場合、刃こぼれすると刃の断片を引き摺りながら切断することになり、切断面に傷が付きやすい。上記構成を適用することで、引き摺り傷をより効果的に防止することができる。

【0011】

上記積層セラミック電子部品の製造方法は、さらに、
作製された上記積層シートの上記第１主面を第１保持部材に保持させ、
上記第１保持部材に保持された上記積層シートの上記第２主面を第２保持部材に保持させ、
上記第２保持部材に保持された上記積層シートから上記第１保持部材を除去し、
上記第１保持部材が除去され上記第２保持部材に保持された上記積層シートを切断する
工程を含んでいてもよい。

【0012】

これにより、第２保持部材に保持された状態で積層シートを切断することができ、切断後の積層チップの取り扱いが容易になる。また、保持部材を用いつつも第１主面を開放面とすることができるため、第１主面から容易に切断刃を挿入することができる。

【発明の効果】

【0013】

以上のように、本発明によれば、積層シートの切断面において内部電極間の短絡不良を防止することが可能な積層セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。

【図2】上記積層セラミックコンデンサのＡ－Ａ'線に沿った断面図である。

【図3】上記積層セラミックコンデンサのＢ－Ｂ'線に沿った断面図である。

【図4】上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。

【図5】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。

【図6】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。

【図7】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。

【図8】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。

【図9】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。

【図10】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。

【図11】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。

【図12】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。

【図13】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。

【図14】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。

【図15】上記積層セラミックコンデンサの製造過程において、積層チップの側面を撮像した画像を模式的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。

【0016】

［積層セラミックコンデンサ１０の構成］
図１～３は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ－Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０のＢ－Ｂ'線に沿った断面図である。

【0017】

積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を具備する。セラミック素体１１は、典型的には、Ｘ軸方向を向いた２つの端面１１ａ，１１ｂと、Ｙ軸方向を向いた２つの側面１１ｃ，１１ｄと、Ｚ軸方向を向いた２つの主面１１ｅ，１１ｆと、を有する。セラミック素体１１の各面を接続する稜部は面取りされている。

【0018】

なお、セラミック素体１１の形状は、上記のものに限定されない。つまり、セラミック素体１１は、図１～３に示すような直方体形状でなくてもよい。例えば、セラミック素体１１の各面は曲面であってもよく、セラミック素体１１は全体として丸みを帯びた形状であってもよい。

【0019】

セラミック素体１１のサイズは特に限定されないが、例えばＺ軸方向に沿った高さ寸法が０．３ｍｍ以上、より好ましくは０．５ｍｍ以上のものが好適である。なお、各寸法は、各方向に沿った最も大きい寸法とする。

【0020】

外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の端面１１ａ，１１ｂを覆い、端面１１ａ，１１ｂに接続する４つの面（主面１１ｅ，１１ｆ及び側面１１ｃ，１１ｄ）に延出している。これにより、外部電極１４，１５のいずれにおいても、Ｘ－Ｚ平面に平行な断面及びＸ－Ｙ平面に平行な断面の形状がＵ字状となっている。

【0021】

セラミック素体１１は、積層チップ１６と、サイドマージン部１７と、を有する。サイドマージン部１７は、積層チップ１６のＹ軸方向を向いた両側面の全領域をそれぞれ覆っている。

【0022】

積層チップ１６は、容量形成部１９と、第１カバー部２０ａと、第２カバー部２０ｂと、を有する。第１カバー部２０ａは、容量形成部１９のＺ軸方向上面を覆っており、第２カバー部２０ｂは、容量形成部１９のＺ軸方向下面を覆っている。容量形成部１９は、複数のセラミック層１８と、複数の第１内部電極１２と、複数の第２内部電極１３と、を有する。カバー部２０ａ，２０ｂには、内部電極１２，１３が設けられていない。

【0023】

セラミック素体１１では、容量形成部１９における外部電極１４，１５が設けられた端面１１ａ，１１ｂ以外の面がサイドマージン部１７及びカバー部２０ａ，２０ｂによって覆われている。サイドマージン部１７及びカバー部２０ａ，２０ｂは、主に、容量形成部１９の周囲を保護し、内部電極１２，１３の絶縁性を確保する機能を有する。

【0024】

内部電極１２，１３は、Ｚ軸方向に積層された複数のセラミック層１８の間に、Ｚ軸方向に沿って交互に配置されている。第１内部電極１２は、第１外部電極１４に接続され、第２外部電極１５から離間している。第２内部電極１３は、第２外部電極１５に接続され、第１外部電極１４から離間している。内部電極１２，１３は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の良導性の金属を主成分として構成される。

【0025】

容量形成部１９における内部電極１２，１３間のセラミック層１８は、誘電体セラミックスによって形成されている。積層セラミックコンデンサ１０では、容量形成部１９における容量を大きくするために、セラミック層１８を構成する誘電体セラミックスとして高誘電率のものが用いられる。

【0026】

より具体的に、積層セラミックコンデンサ１０では、セラミック層１８を構成する高誘電率の誘電体セラミックスとして、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系材料の多結晶体、つまりバリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の多結晶体を用いる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では大容量が得られる。

【0027】

なお、セラミック層１８は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）系、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）系、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ_３）系、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）系、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）系、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ_３）系、酸化チタン（ＴｉＯ_２）系などで構成してもよい。

【0028】

サイドマージン部１７及びカバー部２０ａ，２０ｂも、誘電体セラミックスによって形成されている。サイドマージン部１７及びカバー部２０ａ，２０ｂを形成する材料は、絶縁性セラミックスであればよいが、セラミック層１８と同様の誘電体セラミックスを用いることによりセラミック素体１１における内部応力が抑制される。

【0029】

上記の構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数のセラミック層１８に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。

【0030】

なお、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の基本構成は、図１～３に示す構成に限定されず、適宜変更可能である。例えば、内部電極１２，１３の枚数やセラミック層１８の厚さは、積層セラミックコンデンサ１０に求められるサイズや性能に応じて、適宜決定可能である。

【0031】

［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図４は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図５～１４は、積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図４に沿って、図５～１４を適宜参照しながら説明する。

【0032】

（ステップＳ０１：セラミックシート準備）
ステップＳ０１では、容量形成部１９を形成するための第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２と、カバー部２０ａ，２０ｂを形成するための第３セラミックシート１０３と、を準備する。セラミックシート１０１，１０２，１０３は、誘電体セラミックスを主成分とする未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。

【0033】

セラミックシート１０１，１０２，１０３は、例えば、ロールコーターやドクターブレードなどを用いてシート状に成形される。セラミックシート１０１，１０２，１０３の厚さは適宜調整可能である。

【0034】

図５は、セラミックシート１０１，１０２，１０３の平面図である。この段階では、セラミックシート１０１，１０２，１０３が、個片化されていない大判のシートとして構成される。図５には、各積層セラミックコンデンサ１０ごとに個片化する際の切断線Ｌｘ，Ｌｙが示されている。切断線ＬｘはＸ軸に平行であり、切断線ＬｙはＹ軸に平行である。

【0035】

図５に示すように、第１セラミックシート１０１には第１内部電極１２に対応する未焼成の第１内部電極１１２が形成され、第２セラミックシート１０２には第２内部電極１３に対応する未焼成の第２内部電極１１３が形成されている。なお、カバー部２０ａ，２０ｂに対応する第３セラミックシート１０３には内部電極が形成されていない。

【0036】

内部電極１１２，１１３は、任意の導電性ペーストをセラミックシート１０１，１０２に塗布することによって形成することができる。導電性ペーストの塗布方法は、公知の技術から任意に選択可能である。例えば、導電性ペーストの塗布には、スクリーン印刷法やグラビア印刷法を用いることができる。

【0037】

内部電極１１２，１１３は、Ｙ軸方向に沿って延びる複数の帯状にパターニングされている。各帯状のパターンは、各切断線Ｌｘを横切りつつ１本の切断線Ｌｙに沿って延びている。隣り合う帯状のパターンは、１本の切断線Ｌｙを挟んでＸ軸方向に離間して配置されている。

【0038】

（ステップＳ０２：積層シート作製）
ステップＳ０２では、ステップＳ０１で準備したセラミックシート１０１，１０２，１０３を、Ｚ軸方向に平行な第１方向Ｚ１に沿って図６に示す順に積層することにより、積層シート１０４を作製する。

【0039】

ステップＳ０２では、まず第３セラミックシート１０３を第１方向Ｚ１に沿って複数枚積層し、第１積層体１０５を形成する。第１積層体１０５における第３セラミックシート１０３の積層枚数は、図示の例に限定されない。第１積層体１０５は、第２カバー部２０ｂに対応する。第１積層体１０５のうち、Ｚ軸方向に平行でかつ第１方向Ｚ１とは逆の第２方向Ｚ２に向く面は、積層シート１０４の第２主面Ｓ２を構成する。

【0040】

続いて、第１積層体１０５上に、第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２を第１方向Ｚ１に交互に積層し、第２積層体１０６を形成する。第２積層体１０６は、容量形成部１９に対応する。

【0041】

そして、第２積層体１０６上に、第１方向Ｚ１に沿って第３セラミックシート１０３を複数枚積層し、第３積層体１０７を形成する。第３積層体１０７における第３セラミックシート１０３の積層枚数は、図示の例に限定されない。第３積層体１０７は、第１カバー部２０ａに対応する。第３積層体１０７の第１方向Ｚ１に向く面は、積層シート１０４の第１主面Ｓ１を構成する。

【0042】

本ステップでは、新たなセラミックシートを積層する度に、第２方向Ｚ２に向かって当該セラミックシートを積層途中の積層体に仮圧着する。これにより、新たなセラミックシートが既に積層されたセラミックシートと密着し、積層過程における各セラミックシートの剥離を防止することができる。

【0043】

図７は、本ステップの詳細について説明する模式的な断面図である。なお、図７～１０において内部電極１１２，１１３の図示は省略している。

【0044】

まず、図７Ａに示すように、積層途中の積層体Ｐ１が、Ｚ軸方向に相互に対向する載置板Ｂ１と加圧板Ｂ２とに挟まれて配置されている。積層体Ｐ１は、１又は複数のセラミックシートが第１方向Ｚ１に積層されたものとする。積層体Ｐ１の第２主面Ｓ２は、載置板Ｂ１に対向している。

【0045】

続いて、図７Ｂに示すように、積層体Ｐ１の第１方向Ｚ１に向いた面Ｐａに、新たなセラミックシートＣが積層される。

【0046】

そして、加圧板Ｂ２が第２方向Ｚ２に移動し、新たなセラミックシートＣと積層体Ｐ１とを第２方向Ｚ２に加圧する。これにより、図７Ｃに示すように、セラミックシートＣが積層体Ｐ１に仮圧着され、積層体Ｐ２が形成される。仮圧着には、例えば、一軸加圧などを用いることができる。

【0047】

図７に示す一連の工程を、所定の積層枚数に対応する回数繰り返し、積層シート１０４が形成される。

【0048】

載置板Ｂ１及び加圧板Ｂ２は、付加される圧力に十分耐えうる強度を有すればよく、例えば金属板で構成される。載置板Ｂ１と第２主面Ｓ２との間には、必要に応じて、シリコン樹脂等で形成された弱粘着性のシート材Ｂ３を配置してもよい。これにより、積層時における積層体Ｐ１のズレを防止することができる。

【0049】

さらに、全てのセラミックシート１０１，１０２，１０３が積層された後にも、積層シート１０４に対して同様に圧着を行う。この場合は、仮圧着と同一の加圧機構を用いてもよいし、静水圧加圧など他の加圧機構を用いてもよい。

【0050】

本ステップでは、セラミックシートの積層体に対して、積層シート１０４におけるセラミックシートの積層枚数とほぼ同一の回数、加圧処理が行われることとなる。つまり、第２主面Ｓ２側と第１主面Ｓ１側では加圧された回数が大きく異なるため、これらの間に密度及び硬度の差が生じる。

【0051】

（ステップＳ０３：第１テープ貼付）
本ステップでは、図８に示すように、積層シート１０４の第１主面Ｓ１を第１テープ（第１保持部材）Ｔ１に貼り付け、第１主面Ｓ１を第１テープＴ１に保持させる。第１テープＴ１は、例えば粘着力の管理ができるテープであり、熱や紫外線照射によって粘着力が変化する材料を用いることができる。これにより、ステップＳ０５において第１テープＴ１を容易に除去することができる。なお、図８では、積層シート１０４が載置板Ｂ１及びシート材Ｂ３上に配置されている態様を示しているが、積層シート１０４を他のシート材、板材等に移載してから行ってもよい。

【0052】

（ステップＳ０４：第２テープ貼付）
本ステップでは、図９に示すように、第１テープＴ１に保持された積層シート１０４の第２主面Ｓ２を第２テープ（第２保持部材）Ｔ２に貼り付け、第２主面Ｓ２を第２テープＴ２に保持させる。第２テープの貼り付けは、載置板Ｂ１及びシート材Ｂ３から積層シート１０４を離間させ、第１テープＴ１で積層シート１０４を支持しながら行われる。これにより、ステップＳ０６の切断工程におけるハンドリング性を高めることができる。第２テープＴ２も、第１テープＴ１と同様に粘着力の管理ができるテープを用いることができる。

【0053】

第２テープの貼り付けは、図９のように第２主面Ｓ２（第２方向Ｚ２）をＺ軸方向下方に向けた状態で行われてもよいし、第２主面Ｓ２（第２方向Ｚ２）をＺ軸方向上方に向けた状態に反転して行われてもよい。

【0054】

（ステップＳ０５：第１テープ除去）
本ステップでは、図１０に示すように、第１テープＴ１を第１主面Ｓ１から剥がし、積層シート１０４から第１テープＴ１を除去する。第１テープＴ１の除去方法としては、第１テープＴ１の材料に応じた粘着力を低下させる方法であればよく、第１テープＴ１の加熱や紫外線照射等が挙げられる。本ステップにより、第１主面Ｓ１が開放される。一方、第２主面Ｓ２は、第２テープＴ２に貼り付けられた状態を維持している。

【0055】

（ステップＳ０６：切断）
本ステップでは、図１１に示すように、積層シート１０４を切断線Ｌｘ，Ｌｙに沿って切断することにより、未焼成の積層チップ１１６を作製する。積層チップ１１６は、焼成後の積層チップ１６に対応する。

【0056】

図１２は、本ステップの詳細について説明する模式的な断面図である。

【0057】

まず、図１２（Ａ）に示すように、第２方向Ｚ２に向けられた切断刃Ｋを、積層シート１０４の第１主面Ｓ１のＺ軸方向上方に配置する。切断刃Ｋは、押し切り刃として構成される。積層シート１０４は、第２テープＴ２によって保持されている。

【0058】

次に、図１２（Ｂ）に示すように、切断刃Ｋを第２方向Ｚ２に移動させ、積層シート１０４の第１主面Ｓ１に挿入し、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって積層シート１０４を切断する。切断刃Ｋは、第２テープＴ２に到達し、かつ第２テープＴ２を完全に切断しないように調整される。第２テープＴ２を用いることにより、個片化後も複数の積層チップ１１６を一括して扱うことが可能となる。

【0059】

最後に、図１２（Ｃ）に示すように、切断刃Ｋを第１方向Ｚ１に移動させて、積層シート１０４から切断刃Ｋを引き抜く。これにより、積層シート１０４が複数の積層チップ１１６に個片化される。第２テープＴ２は、切断後、所定のタイミングで積層チップ１１６から除去される。

【0060】

図１３は、ステップＳ０３で得られる積層チップ１１６の斜視図である。積層チップ１１６には、容量形成部１１９及びカバー部１２０が形成されている。積層チップ１１６の切断面である両側面Ｓ３，Ｓ４からは、内部電極１１２，１１３の端部が露出している。内部電極１１２，１１３の間にはセラミック層１１８が形成されている。

【0061】

（ステップＳ０７：サイドマージン部形成）
本ステップでは、積層チップ１１６の側面Ｓ３，Ｓ４に未焼成のサイドマージン部１１７を設ける。これにより、図１４に示す未焼成のセラミック素体１１１が作製される。なお、本ステップは、予め積層チップ１１６から第２テープＴ２を除去し、積層チップ１１６の向きを９０度回転させて行われる。

【0062】

サイドマージン部１１７は、例えば、積層チップ１１６の側面Ｓ３，Ｓ４にセラミックシートを貼り付けることにより形成することができる。あるいは、サイドマージン部１１７は、例えば塗布やディップなどによって積層チップ１１６の側面Ｓ３，Ｓ４をセラミックスラリーでコーティングすることにより形成することもできる。

【0063】

（ステップＳ０８：焼成）
本ステップでは、ステップＳ０７で得られた未焼成のセラミック素体１１１を焼結させることにより、図１～３に示す積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１１を作製する。つまり、ステップＳ０８により、積層チップ１１６が積層チップ１６になり、サイドマージン部１１７がサイドマージン部１７になる。

【0064】

本ステップおける焼成温度は、セラミック素体１１１の焼結温度に基づいて決定可能である。例えば、誘電体セラミックスとしてチタン酸バリウム系材料を用いる場合には、焼成温度を１０００～１３００℃程度とすることができる。焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。

【0065】

（ステップＳ０９：外部電極形成）
本ステップでは、ステップＳ０８で得られたセラミック素体１１に外部電極１４，１５を形成することにより、図１～３に示す積層セラミックコンデンサ１０を作製する。外部電極１４，１５は、例えば、端面１１ａ，１１ｂに塗布された未焼成の電極材料を焼き付け、当該焼き付けられた導電膜を下地膜として電解メッキなどのメッキ処理を行うことにより、形成される。

【0066】

なお、上記のステップＳ０９における処理の一部を、ステップＳ０８の前に行ってもよい。例えば、ステップＳ０８の前に未焼成のセラミック素体１１１の端面１１ａ，１１ｂに未焼成の電極材料を塗布してもよい。これにより、ステップＳ０８において、未焼成のセラミック素体１１１の焼成と電極材料の焼き付けとを同時に行うことができる。

【0067】

［本実施形態の作用効果］
本実施形態では、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって積層シート１０４を切断する。これにより、硬度の低い第１主面Ｓ１に切断刃を挿入することができる。したがって、切断時の切断刃のダメージを低減し、刃こぼれを防止することができる。以下、本実施形態の実施例を用いて作用効果について詳細に説明する。

【0068】

第１主面Ｓ１側と第２主面Ｓ２側の実際の硬度について確認するため、積層シート１０４のサンプル１，２を作製した。サンプル１，２は、いずれも、Ｘ軸方向の寸法が１．０ｍｍ、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の寸法が０．５ｍｍとなる積層セラミックコンデンサを想定して設計された積層シート１０４である。各セラミックシートを構成するグリーンシートの厚みは０．８μｍ、セラミックシートの層数は６００層とした。

【0069】

硬度は、ナノインデンテーション法により、室温下でダイヤモンド圧子（三角錐形状、先端設置辺１００ｎｍ、対稜角８０°）を２１ｎｍ／ｓｅｃにて押し込み、変位と荷重を計測することで求めた。また、具体的に第１主面Ｓ１側として、第１主面Ｓ１の表面からＺ軸方向に３０μｍの位置を、第２主面Ｓ２側として、第２主面Ｓ２の表面からＺ軸方向に３０μｍの位置を測定した。なお、測定値は、１００個のサンプルの平均値として算出した。

【0070】

表１に、第１主面Ｓ１側と第２主面Ｓ２側の硬度の測定結果を示す。表１の結果は、サンプル１の第１主面Ｓ１側の硬度を１．０として、当該硬度に対する各位置で測定された硬度の相対値を示す。

【0071】

【表1】

【0072】

表１に示すように、サンプル１では、第１主面Ｓ１側の硬度（１．０）に対して、第２主面Ｓ２側の硬度は１．９であった。
サンプル２では、サンプル１の第１主面Ｓ１側の硬度（１．０）に対して、第１主面Ｓ１側の硬度は１．２、第２主面Ｓ２側の硬度は１．６であった。
つまり、サンプル１，２のいずれも、第１主面Ｓ１側と第２主面Ｓ２側とで１．５～２．０倍程度の差異が認められた。

【0073】

これらの結果から、第１主面Ｓ１側では第２主面Ｓ２側よりも硬度が大幅に低いことが確認された。これは、第２主面Ｓ２側と第１主面Ｓ１側とで加圧される回数が大きく異なるためである。すなわち、第２主面Ｓ２を構成する第３セラミックシート１０３では、ほぼ積層枚数と同じ回数、加圧される。一方で、第１主面Ｓ１を構成する第３セラミックシート１０３では、最後の圧着時のみ加圧される。これにより、第１主面Ｓ１側では第２主面Ｓ２側よりも圧密化されず、硬度が低くなる。

【0074】

このような硬度の差により、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって切断刃を挿入する場合と、第２主面Ｓ２から第１主面Ｓ１に向かって切断刃を挿入する場合とで、切断工程における切断刃の受けるダメージは大きく変わると考えられる。

【0075】

そこで、上記サンプル１について、さらに第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって切断したサンプル１－１と、第２主面Ｓ２から第１主面Ｓ１に向かって切断したサンプル１－２と、を作製し、切断面である側面Ｓ３，Ｓ４の状態を観察した。観察は、側面Ｓ３，Ｓ４を撮像した画像により行った。

【0076】

図１５は、撮像された側面Ｓ３，Ｓ４の画像を模式的に示す図であり、図１５Ａはサンプル１－１、図１５Ｂはサンプル１－２の結果をそれぞれ示す。

【0077】

図１５Ｂに示すサンプル１－２では、第２主面Ｓ２から第１主面Ｓ１に延びる多くの引き摺り傷Ｈ２が形成されていた。具体的に、撮像された側面Ｓ３，Ｓ４では、Ｘ軸方向に沿った幅が２０μｍ以上ある引き摺り傷Ｈ２が２０本以上形成されていた。このような幅を有する引き摺り傷Ｈ２は、Ｙ軸方向にもある程度の深さがあるものと推測された。

【0078】

一方で、図１５Ａに示すサンプル１－１では、数本の引き摺り傷Ｈ１は見受けられるものの、各引き摺り傷Ｈ１のＸ軸方向に沿った幅は１０μｍ以下であり、Ｙ軸方向の深さはサンプル１－２の引き摺り傷Ｈ２よりも浅いものと推測された。

【0079】

側面Ｓ３，Ｓ４に多く引き摺り傷Ｈ２が形成された後の切断刃Ｋを観察すると、一部が欠損していた。このことから、切断時に積層シート１０４から切断刃Ｋがダメージを受けて、いわゆる刃こぼれが発生し、切断刃Ｋが欠けた刃の断片を引き摺ることで、多数の深い引き摺り傷Ｈ２が形成されるものと考えられる。

【0080】

さらに、側面Ｓ３，Ｓ４にこのような引き摺り傷Ｈ２が形成されることで、内部電極１１２，１１３がＺ軸方向に展延する。これにより、内部電極１１２，１１３間が短絡し、ショートする可能性がある。

【0081】

そこで、上記サンプル１，２を第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって切断したサンプル１－１，２－１と、第２主面Ｓ２から第１主面Ｓ１に向かって切断したサンプル１－２，２－２と、のＩＲ不良率（初期絶縁抵抗不良率）について調べた。ＩＲ不良率は、サンプル１－１～２－２の各種サンプルにおいて、全てのチップ数（１００個）に対してＩＲ不良と判定されたチップ数の割合として算出した。ＩＲ不良の判定は、１２５℃－９５％ＲＨの環境下で、１０Ｖの電圧を印加した状態で７２時間保持した後、室温における絶縁抵抗を測定し、１ＭΩ以下となったものとした。

【0082】

表２に、ＩＲ不良率の結果を示す。表２の結果は、サンプル１－１のＩＲ不良率を１．０として、当該ＩＲ不良率に対する各サンプルのＩＲ不良率の相対値を示す。

【0083】

【表2】

【0084】

表２に示すように、サンプル１では、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって切断したサンプル１－１に対して、第２主面Ｓ２から第１主面Ｓ１に向かって切断したサンプル１－２では、ＩＲ不良率が３．２倍大きな値となった。
サンプル２でも、同様の結果が得られた。すなわち、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって切断したサンプル２－１に対して、第２主面Ｓ２から第１主面Ｓ１に向かって切断したサンプル２－２では、ＩＲ不良率が２．７倍（サンプル１－１に対しては３．０倍）大きな値となった。

【0085】

さらに、光ビーム加熱抵抗変動法（OBIRCH：Optical Beam Induced Resistance Change）によって側面Ｓ３，Ｓ４におけるショート等の異常リーク電流が発生している位置を検出し、撮像された側面Ｓ３，Ｓ４の画像と併せて解析した。この結果、大きな引き摺り傷と異常発生箇所との位置がほぼ合致した。したがって、側面Ｓ３，Ｓ４に引き摺り傷ができることで、内部電極１１２，１１３がショートすることが確認された。

【0086】

以上より、第２主面Ｓ２よりも硬度が低い第１主面Ｓ１から切断刃Ｋを挿入することで、ＩＲ不良率を低下させることができる。つまり、本実施形態では、切断刃Ｋの受けるダメージを低減して切断刃Ｋの欠損を抑制し、側面Ｓ３，Ｓ４における引き摺り傷の発生を抑制することができ、内部電極１１２，１１３（１２，１３）間の短絡不良を防止することができる。

【0087】

側面Ｓ３，Ｓ４において短絡不良が発生した場合は、側面Ｓ３，Ｓ４の研磨工程を追加して引き摺り傷のない面を露出する、あるいは、短絡不良が発生したチップを廃棄する、等の処置が必要となる。つまり、側面Ｓ３，Ｓ４におけるＩＲ不良率を低減させることで、このような処置の必要性を低下させ、積層セラミックコンデンサ１０の製造効率を向上させることができる。

【0088】

一方、従来から、切断後の積層チップのハンドリングを容易にするために、テープ等の保持部材で積層シートのＺ軸方向下面を保持しながら当該積層シートを切断することが行われていた。この場合、１種類のテープで対応可能である。すなわち、積層時にＺ軸方向最上面となる第１主面にテープを貼り付け、Ｚ軸方向に反転する。これにより、テープが貼り付けられていない第２主面が第１方向に向くことになり、第２主面から切断刃を挿入することができる。

【0089】

つまり、上記方法では、テープに関する工程数は最小限に抑えられるものの、硬度の高い第２主面から切断刃を挿入することになる。したがって、切断刃の刃こぼれが発生しやすく、上述のように切断面に多数の引き摺り傷が形成され、ＩＲ不良率が高まることとなる。

【0090】

本実施形態では、あえて第１テープＴ１及び第２テープＴ２を用い、第２主面Ｓ２にテープＴ２を貼り付け、第１主面Ｓ１に貼り付けた第１テープＴ１を剥がし、第１主面Ｓ１を第１方向Ｚ１に向けて切断工程を行う。これにより、テープに関する工程数は増えるものの、ＩＲ不良率を大幅に低減させることができ、結果として製造効率を高めることができる。

【0091】

また、同一の切断刃を用いて切断工程を続けると、徐々に刃こぼれが発生しやすくなり、引き摺り傷が形成されやすくなる。そこで、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法は、切断工程の後さらに、切断刃の刃こぼれのリスクが高いと判断される場合に新しい切断刃に交換する工程を含んでいてもよい。

【0092】

切断刃の刃こぼれのリスクは、例えば切断刃のカット回数、切断刃によりカットされた積層シートの枚数等に鑑みて決定することができる。

【0093】

あるいは、切断刃の刃こぼれのリスクとして、側面Ｓ３，Ｓ４における引き摺り傷の状態に鑑みて決定することもできる。例えば、切断後、切断面である側面Ｓ３，Ｓ４を撮像する工程と、撮像された画像に基づいて側面Ｓ３，Ｓ４の引き摺り傷を解析する工程と、引き摺り傷の解析結果が所定の条件を満たした場合に新しい切断刃に交換する工程と、を含んでいてもよい。

【0094】

上記満たすべき条件としては、１つの側面Ｓ３又はＳ４を撮像した画像中における引き摺り傷のＸ軸方向に沿った幅寸法、引き摺り傷の深さ、及び引き摺り傷の本数の少なくとも一つを含んでいればよい。これらの条件における数値範囲は、積層セラミックコンデンサ１０のサイズや切断刃の種類等に応じて適宜設定することができる。一例として、１枚の画像（１つの側面Ｓ３又はＳ４）中に、１０μｍ以上のＸ軸方向に沿った幅寸法を有する引き摺り傷が一定の本数を越えた場合に、新しい切断刃に交換するように規定することができる。

【0095】

上記工程を追加することで、刃こぼれの少ない良好な状態で切断刃を管理することができる。したがって、ショートの発生をより効果的に抑制することができる。

【0096】

［その他の実施形態］
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

【0097】

上述の実施形態では、第１テープＴ１と第２テープＴ２を用いて第１主面Ｓ１を第１方向Ｚ１に向けると説明したが、この方法に限定されない。例えば、積層工程における載置板Ｂ１上に、テープ等の保持部材を配置し、当該保持部材の第１方向Ｚ１を向く面上にセラミックシート１０３を積層していく。全てのセラミックシート１０１，１０２，１０３が積層され積層シート１０４が形成された後、第２主面Ｓ２が上記保持部材に保持された状態で切断工程を行うことができる。これにより、テープの貼り替えに関する工程を削減し、より製造効率を高めることができる。

【0098】

また、上記実施形態では、切断刃が押し切り刃であると説明したが、切断刃は回転刃でもよい。この場合も、第１主面Ｓ１から回転刃を挿入することで、当該回転刃の受けるダメージを抑制し、側面Ｓ３，Ｓ４において刃こぼれによる引き摺り傷の形成を抑制することができる。

【0099】

加えて、上記実施形態では、積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、本発明は、積層セラミック電子部品全般に適用可能である。このような積層セラミック電子部品としては、例えば、インダクタ、バリスタ、圧電素子などが挙げられる。

【符号の説明】

【0100】

１０…積層セラミックコンデンサ
１１…セラミック素体
１２，１３…内部電極
１４，１５…外部電極
１６…積層チップ
１７…サイドマージン部
１９…容量形成部
２０ａ，２０ｂ…カバー部
１０４…積層シート
１１１…未焼成のセラミック素体
１１２，１１３…未焼成の内部電極
１１６…未焼成の積層チップ
１１７…未焼成のサイドマージン部
Ｋ…切断刃
Ｓ１…第１主面
Ｓ２…第２主面
Ｓ３，Ｓ４…側面
Ｔ１，Ｔ２…テープ（保持部材）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】