特許 7117367 保護素子及び半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-08-03

(45)【発行日】2022-08-12

(54)【発明の名称】保護素子及び半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/822 20060101AFI20220804BHJP

   H01L 27/04 20060101ALI20220804BHJP

   H01L 21/82 20060101ALI20220804BHJP

   H01L 27/06 20060101ALI20220804BHJP

【ＦＩ】

H01L27/04 H

H01L21/82 D

H01L27/04 A

H01L27/06 311B

H01L27/06 311C

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2020502072

(86)(22)【出願日】2019-01-11

(86)【国際出願番号】 JP2019000771

(87)【国際公開番号】W WO2019163324

(87)【国際公開日】2019-08-29

【審査請求日】2021-12-01

(31)【優先権主張番号】P 2018028778

(32)【優先日】2018-02-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】316005926

【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】葛西 憲太郎

【審査官】田付 徳雄

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－０７３９４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０４１９８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２０５７７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２８１１７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００７／０２３５８０９（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／８２２

Ｈ０１Ｌ ２１／８２

Ｈ０１Ｌ ２７／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体基板に設けられた第１導電型の素子領域と、
前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、
前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、
を備え、
前記ドレイン領域は、電源又はＩ／Ｏ配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第１導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、保護素子。

【請求項2】

一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の両終端は、それぞれ前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記両終端のドレイン領域の各々と挟む外側の前記素子領域には、前記ボディコンタクト領域がそれぞれ設けられる、請求項１に記載の保護素子。

【請求項3】

前記連結電極は、第１方向に延伸する互いに平行な一対の直線にて設けられ、
前記複数のフィンガー電極は、前前記第１方向と直交する第２方向に延伸し、前記連結電極の互いに平行な一対の直線の間を架け渡すように設けられる、請求項１に記載の保護素子。

【請求項4】

前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記ゲート電極にて囲まれた前記素子領域にそれぞれ設けられる、請求項３に記載の保護素子。

【請求項5】

前記ソース領域及び前記ドレイン領域の周囲の前記素子領域には、前記ゲート電極を挟んで、前記グランド配線にそれぞれ電気的に接続される前記ボディコンタクト領域が設けられる、請求項４に記載の保護素子。

【請求項6】

前記素子領域は、互いに素子分離層にて電気的に離隔されており、
前記ボディコンタクト領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同じ前記素子領域に設けられる、請求項１に記載の保護素子。

【請求項7】

前記ボディコンタクト領域のさらに外側の前記素子領域には、前記フィンガー電極を挟んで第２導電型の追加ドレイン領域がさらに設けられ、
前記追加ドレイン領域さらに外側の前記素子領域には、前記フィンガー電極を挟んで第１導電型の追加ボディコンタクト領域がさらに設けられ、
前記追加ドレイン領域は、前記電源又はＩ／Ｏ配線に電気的に接続され、前記追加ボディコンタクト領域は、前記グランド配線に電気的に接続される、請求項１に記載の保護素子。

【請求項8】

前記ボディコンタクト領域は、前記終端のドレイン領域とＰＮ接合を形成する、請求項１に記載の保護素子。

【請求項9】

前記半導体基板は、支持基板の上にシリコン酸化膜及び半導体層が順に積層された基板である、請求項１に記載の保護素子。

【請求項10】

前記半導体基板は、ＰＤ－ＳＯＩ基板又はＦＤ－ＳＯＩ基板である、請求項９に記載の保護素子。

【請求項11】

前記支持基板及び前記シリコン酸化膜の間には、ポリシリコン層がさらに設けられる、請求項９に記載の保護素子。

【請求項12】

前記半導体基板は、サファイア基板の上に半導体層が積層された基板である、請求項１に記載の保護素子。

【請求項13】

内部回路と、
前記内部回路と並列に接続された保護素子と、
を備え、
前記保護素子は、
半導体基板に設けられた第１導電型の素子領域と、
前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、
前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、
を備え、
前記ドレイン領域は、電源又はＩ／Ｏ配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第１導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、保護素子及び半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップなどの半導体装置では、外部接続用電極であるパッドの近傍等に、静電気放電（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：ＥＳＤ）等にて生じる突発的なサージ電流から半導体装置の内部回路を保護するＥＳＤ保護素子が設けられる。

【0003】

ＥＳＤ保護素子としては、例えば、下記の特許文献１に記載されるように、ダイオードベース又はＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタベースの保護素子等を用いることができる。特許文献１に記載された発明では、ダイオードベースの保護素子、及びＭＯＳトランジスタベースの保護素子を並列に設けることで、順方向のサージ電流及び逆方向のサージ電流のいずれに対しても高い保護能力を有するＥＳＤ保護素子を実現している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１３－４８２０９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、上記の特許文献１に記載されたＥＳＤ保護素子では、サージ電流の方向に応じて異なる保護素子を設けているため、ＥＳＤ保護素子の面積が大きくなっていた。そのため、特許文献１に記載されたＥＳＤ保護素子を搭載したＩＣチップでは、チップの面積が大きくなり、製造コストが増加していた。

【0006】

そこで、いずれの方向のサージ電流を流す能力が高く、かつより小さな面積で形成することが可能な保護素子が求められていた。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示によれば、半導体基板に設けられた第１導電型の素子領域と、前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、を備え、前記ドレイン領域は、電源又はＩ／Ｏ配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第１導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、保護素子が提供される。

【0008】

また、本開示によれば、内部回路と、前記内部回路と並列に接続された保護素子と、を備え、前記保護素子は、半導体基板に設けられた第１導電型の素子領域と、前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、を備え、前記ドレイン領域は、電源又はＩ／Ｏ配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第１導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、半導体装置が提供される。

【0009】

本開示によれば、ＧＧＭＯＳ（Ｇａｔｅ Ｇｒｏｕｎｄｅｄ ＭＯＳ）として機能する部分と、ＰＮ接合ダイオードとして機能する部分とを一体化させた保護素子を形成することができる。

【発明の効果】

【0010】

以上説明したように本開示によれば、いずれの方向のサージ電流を流す能力が高く、かつより小さな面積で形成することが可能な保護素子及び半導体装置を提供することができる。

【0011】

なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本開示に係る技術が適用される保護素子を説明する模式的な回路図である。

【図2】本開示の一実施形態に係る保護素子の平面構成を示す平面図である。

【図3】図２のＡ－ＡＡ線で保護素子を切断した断面構成を示す断面図である。

【図4】図２のＢ－ＢＢ線で保護素子を切断した断面構成を示す断面図である。

【図5】同実施形態に係る保護素子の等価回路を示す回路図である

【図6】同実施形態に係る保護素子が反グランド方向のサージ電流を流す際の動作を説明する模式的な断面図である。

【図7】同実施形態に係る保護素子がグランド方向のサージ電流を流す際の動作を説明する模式的な断面図である。

【図8A】同実施形態に係る保護素子を製造する一工程を説明する模式的な平面図及び断面図である。

【図8B】同実施形態に係る保護素子を製造する一工程を説明する模式的な平面図及び断面図である。

【図8C】同実施形態に係る保護素子を製造する一工程を説明する模式的な平面図及び断面図である。

【図8D】同実施形態に係る保護素子を製造する一工程を説明する模式的な平面図及び断面図である。

【図9A】第１の変形例に係る保護素子の構成を説明する模式的な平面図である。

【図9B】第２の変形例に係る保護素子の構成を説明する模式的な断面図である。

【図9C】第３の変形例に係る保護素子の構成を説明する模式的な断面図である。

【図9D】第４の変形例に係る保護素子の構成を説明する模式的な断面図である。

【図9E】第５の変形例に係る保護素子の構成を説明する模式的な断面図である。

【図10A】同実施形態に係る保護素子が搭載され得る電子機器の一例を示す外観図である。

【図10B】同実施形態に係る保護素子が搭載され得る電子機器の一例を示す外観図である。

【図10C】同実施形態に係る保護素子が搭載され得る電子機器の一例を示す外観図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

【0014】

なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．背景
２．保護素子の構成例
３．保護素子の動作例
４．保護素子の製造方法
５．変形例
５．１．第１の変形例
５．２．第２の変形例
５．３．第３の変形例
５．４．第４の変形例
５．５．第５の変形例
６．適用例

【0015】

＜１．背景＞
まず、図１を参照して、本開示に係る技術の背景について説明する。図１は、本開示に係る技術が適用される保護素子１０を説明する模式的な回路図である。

【0016】

図１に示すように、半導体装置１は、内部回路２０と、電源又はＩ／Ｏ配線３０と、グランド配線４０と、保護素子１０とを備える。

【0017】

内部回路２０は、半導体装置１が備える機能を実現する主要な回路である。電源又はＩ／Ｏ配線３０は、電源（ＶＤＤ）又はＩ／Ｏ（Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ）端子と電気的に接続される。電源（ＶＤＤ）に電気的に接続される電源又はＩ／Ｏ配線３０は、電源（ＶＤＤ）から内部回路２０に電源電圧を提供する。また、Ｉ／Ｏ端子に電気的に接続される電源又はＩ／Ｏ配線３０は、Ｉ／Ｏ端子に対して信号を入出力する。グランド配線４０は、グランド（ＧＮＤ）と電気的に接続され、内部回路２０に基準電位を提供する。

【0018】

保護素子１０は、電源又はＩ／Ｏ配線３０及びグランド配線４０の間に内部回路２０と並列接続されて設けられる。保護素子１０は、電源又はＩ／Ｏ配線３０及びグランド配線４０の間で、内部回路２０を迂回するようにサージ電流を流すことで、サージ電流から内部回路２０を保護する。サージ電流は、定常状態を超えて瞬間的に流れる大電流であるため、保護素子１０は、例えば、大電流であるサージ電流に対してのみ導通状態となるように構成されることで、保護素子１０が設けられた配線に優先的にサージ電流を流すことができる。これにより、保護素子１０は、内部回路２０にサージ電流が流れ込むことを防止することができる。

【0019】

ここで、サージ電流は、サージ電流を生じさせるサージ電圧の極性等に応じて、電源（ＶＤＤ）又はＩ／Ｏ端子からグランド（ＧＮＤ）に向かう方向（本明細書では便宜的にグランド方向と称する）、及びグランド（ＧＮＤ）から電源（ＶＤＤ）又はＩ／Ｏ端子に向かう方向（本明細書では便宜的に反グランド方向と称する）の両方向に流れ得る。そのため、保護素子１０には、電源又はＩ／Ｏ配線３０及びグランド配線４０の間のグランド方向及び反グランド方向のいずれの方向のサージ電流も効率的に流すことが求められる。

【0020】

また、保護素子１０は、半導体装置１の機能を実現する内部回路２０とは別に設けられる。そのため、保護素子１０は、半導体装置１の製造コストを抑制するために、より小さい面積にて設けられることが求められる。

【0021】

本実施形態に係る保護素子１０は、上記の要請を鑑みてなされたものである。本実施形態に係る保護素子１０は、グランド方向及び反グランド方向のいずれの方向のサージ電流も流す能力が高く、かつ形成される面積をより小さくすることが可能である。以下では、本実施形態に係る保護素子１０の具体的な構成について図面等を参照して説明する。

【0022】

なお、以下の説明にて参照する各図面では、説明の便宜上、一部の構成部材の大きさを誇張して表現している場合がある。したがって、各図面において図示される構成部材同士の相対的な大きさは、必ずしも実際の構成部材同士の大小関係を正確に表現するものではない。また、以下の説明では、基板及び層の積層方向を上下方向と表現し、基板が存在する方向を下方向と表現し、該下方向と対向する方向を上方向と表現する。

【0023】

＜２．保護素子の構成例＞
まず、図２～図４を参照して、本実施形態に係る保護素子１０の構成例について説明する。図２は、本実施形態に係る保護素子１０の平面構成を示す平面図であり、図３は、図２のＡ－ＡＡ線で保護素子１０を切断した断面構成を示す断面図であり、図４は、図２のＢ－ＢＢ線で保護素子１０を切断した断面構成を示す断面図である。

【0024】

図２に示すように、平面視では、保護素子１０は、第１導電型（例えば、Ｐ型）の素子領域上にラダー（梯子）形状に設けられたゲート電極１２０と、ゲート電極１２０の間の素子領域に交互に設けられた第２導電型（例えば、Ｎ型）のソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄと、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの周囲にゲート電極１２０を挟んで設けられた第１導電型（例えば、Ｐ型）のボディコンタクト領域１１０Ｂと、を備える。

【0025】

なお、ゲート電極１２０は、ゲート絶縁膜を介して素子領域上に設けられる。ゲート電極１２０は、グランド配線４０と電気的に接続され、ソース領域１１０Ｓは、ソースコンタクト１３０Ｓによってグランド配線４０と電気的に接続され、ドレイン領域１１０Ｄは、ドレインコンタクト１３０Ｄによって電源又はＩ／Ｏ配線３０と電気的に接続される。また、ボディコンタクト領域１１０Ｂの各々は、ボディコンタクト１３０Ｂによってそれぞれグランド配線４０と電気的に接続される。

【0026】

一方、図３に示すように、Ａ－ＡＡ断面では、保護素子１０は、半導体基板１００に設けられた第１導電型の素子領域１１０と、所定の間隔で、素子領域１１０の上にゲート絶縁膜１２５を介して設けられたゲート電極１２０と、ゲート電極１２０の間の素子領域１１０に交互に設けられた第２導電型のソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄと、両端のドレイン領域１１０Ｄの各々との間でゲート電極１２０を挟むように素子領域１１０に設けられた第１導電型のボディコンタクト領域１１０Ｂと、ソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂの上にそれぞれ設けられたソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂと、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂの上にそれぞれ設けられたソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂと、保護素子１０の各構成を埋め込む絶縁層１５０と、を備える。

【0027】

また、図４に示すように、Ｂ－ＢＢ断面では、保護素子１０は、半導体基板１００に設けられた第１導電型の素子領域１１０と、素子領域１１０に設けられた第２導電型のドレイン領域１１０Ｄと、ドレイン領域１１０Ｄが設けられた領域を挟むように素子領域１１０の上にゲート絶縁膜１２５を介して設けられたゲート電極１２０と、ドレイン領域１１０Ｄとの間でゲート電極１２０を挟むように素子領域１１０に設けられた第１導電型のボディコンタクト領域１１０Ｂと、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂの上にそれぞれ設けられたドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂと、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂの上にそれぞれ設けられたドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂと、保護素子１０の各構成を埋め込む絶縁層１５０と、を備える。

【0028】

素子領域１１０は、半導体基板１００に形成される第１導電型の領域である。具体的には、素子領域１１０は、ホウ素（Ｂ）又はアルミニウム（Ａｌ）などのＰ型不純物を半導体基板１００に導入することで形成することができる。半導体基板１００は、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板又はゲルマニウム（Ｇｅ）などの半導体基板１００であってもよく、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）又はシリコンカーバイド（ＳｉＣ）等の化合物半導体基板であってもよい。

【0029】

なお、素子領域１１０は、半導体基板１００に形成された絶縁性の素子分離層（図示せず）によって互いに電気的に離隔される。これによって、素子分離層は、半導体基板１００に形成された保護素子１０を含む各素子を電気的に離隔することができる。素子分離層は、例えば、半導体基板１００の表面から内部に向かって設けられた開口に絶縁性材料を埋め込むことで形成されてもよい。具体的には、素子分離層は、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法を用いて、半導体基板１００の所定の領域をエッチング等で除去した後、形成された開口を酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの絶縁材料で埋め込むことで形成されてもよい。また、素子分離層は、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法を用いて、熱酸化によって半導体基板１００の所定の領域を絶縁性の酸化物に変換することで形成されてもよい。

【0030】

ゲート電極１２０は、ラダー（梯子）形状の平面形状にて、素子領域１１０の上にゲート絶縁膜１２５を介して設けられる。具体的には、ゲート電極１２０は、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極１２３と、複数のフィンガー電極１２３の各々を連結する連結電極１２１と、を含む。具体的には、連結電極１２１は、第１方向に延伸する互いに平行な一対の直線形状に設けられる。複数のフィンガー電極１２３は、連結電極１２１の間に、第１方向と直交する第２方向に延伸して設けられる。すなわち、複数のフィンガー電極１２３は、互いに平行な一対の直線にて設けられる連結電極１２１の間を所定の間隔にて架け渡すように設けられる。したがって、ゲート電極１２０は、互いに平行な連結電極１２１の間の素子領域１１０を複数のフィンガー電極１２３によって複数の矩形領域に分割するような平面形状となる。複数のフィンガー電極によって分割された矩形領域は、後述するように、交互にソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄとなる。これにより、ゲート電極１２０は、フィンガー電極１２３を挟んで設けられたソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄによって、電界効果トランジスタとして機能することができる。

【0031】

ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄをそれぞれ少なくとも１つ以上設けるためには、フィンガー電極１２３は、少なくとも３つ以上設けられる。フィンガー電極１２３の数が多いほど、連結電極１２１の間に設けられるソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの数を増加させ、保護素子１０の内部に形成される電界効果トランジスタの数を増加させることができる。これによれば、保護素子１０は、サージ電流をより多くの電界効果トランジスタにて分散して流すことができるため、サージ電流への対応能力を向上させることができる。

【0032】

ただし、フィンガー電極１２３の数が過度に多い場合、保護素子１０の面積が増大してしまうため、保護素子１０を含む半導体装置１の製造コストが増加してしまう。また、保護素子１０の内部のトランジスタの数が増加するため、保護素子１０の内部の寄生容量が増加してしまう。したがって、フィンガー電極１２３の数は、保護素子１０の内部の電界効果トランジスタの数が２～５０程度となるように、３以上５１以下であってもよい。

【0033】

ゲート電極１２０は、導電性材料で形成される。具体的には、ゲート電極１２０は、シリコン又は金属で形成されてもよい。例えば、ゲート電極１２０は、ポリシリコンで形成されてもよく、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）若しくは銅（Ｃｕ）等の金属、又はこれら金属の化合物等にて形成されてもよい。ゲート電極１２０は、上述した材料の単層で形成されてもよく、上述した材料の層を複数積層することで形成されてもよい。

【0034】

ゲート絶縁膜１２５は、絶縁性材料で形成され、素子領域１１０が設けられた半導体基板１００及びゲート電極１２０の間に設けられる。具体的には、ゲート絶縁膜１２５は、ゲート電極１２０と同じ平面形状にてゲート電極１２０の下に設けられる。ゲート絶縁膜１２５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの絶縁性材料で形成されてもよい。または、ゲート絶縁膜１２５は、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）等の高誘電体材料又は強誘電体材料で形成されてもよい。

【0035】

ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄは、ゲート電極１２０によって区切られた各矩形領域の素子領域１１０に、第２導電型の領域として交互に設けられる。具体的には、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄは、互いに平行な連結電極１２１の間の素子領域１１０を複数のフィンガー電極１２３で分割した矩形領域に交互に設けられる。すなわち、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄは、フィンガー電極１２３を挟んで両側にそれぞれ設けられることになる。ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄは、素子領域１１０の所定の領域に、リン（Ｐ）又はヒ素（Ａｓ）などのＮ型不純物を素子領域１１０よりも高濃度で導入することで形成されてもよい。

【0036】

ボディコンタクト領域１１０Ｂは、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄを囲む領域の素子領域１１０に、素子領域１１０よりも高濃度の第１導電型の領域として設けられる。具体的には、ボディコンタクト領域１１０Ｂは、交互に配列されたソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄを囲むように、ゲート電極１２０を挟んでソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄと反対側の素子領域１１０に設けられる。ボディコンタクト領域１１０Ｂは、素子領域１１０の所定の領域に、ホウ素（Ｂ）又はアルミニウム（Ａｌ）などのＰ型不純物を追加で導入することで形成されてもよい。これにより、ボディコンタクト領域１１０Ｂは、素子領域１１０よりも高濃度の第１導電型の領域として設けられる。

【0037】

本実施形態に係る保護素子１０では、フィンガー電極１２３を挟んで交互に配列されたソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの少なくとも一方の終端は、ドレイン領域１１０Ｄとなるように設けられる。これにより、終端のドレイン領域１１０Ｄは、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄを囲むように設けられるボディコンタクト領域１１０Ｂとの間でＰＮ接合ダイオードを形成することができる。したがって、保護素子１０は、終端のドレイン領域１１０Ｄと、ボディコンタクト領域１１０Ｂとの間のＰＮ接合ダイオードにて、グランド方向のサージ電流を流す能力を増加させることができる。

【0038】

なお、フィンガー電極１２３を挟んで交互に配列されたソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの両方の終端は、共にドレイン領域１１０Ｄとなるように設けられてもよい。これによれば、保護素子１０は、交互に配列されたソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの両方の終端の各々で、ＰＮ接合ダイオードが形成されることになる。これにより、保護素子１０は、グランド方向のサージ電流を流す能力をさらに増加させることができる。なお、交互に配列されたソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの両方の終端がドレイン領域１１０Ｄである場合、交互に配列されるソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの数は奇数となり、フィンガー電極の数は偶数となる。

【0039】

ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂは、それぞれソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂの上に導電性材料で設けられる。例えば、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂは、チタン（Ｔｉ）若しくはタングステン（Ｗ）などの低抵抗の金属、又は窒化チタン（ＴｉＮ）又は窒化タンタル（ＴａＮ）などの金属化合物で形成されてもよい。ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂは、上述した材料の単層で形成されてもよく、上述した材料の層を複数積層して形成されてもよい。

【0040】

なお、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂとそれぞれ接するソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂの表面には、Ｎｉなどの金属とシリコンとの合金（いわゆるシリサイド）が形成されてもよい。この構成によれば、ソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂは、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂとの間の接触抵抗を低下させることができる。

【0041】

ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂは、それぞれソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂの上に導電性材料で設けられる。例えば、ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂは、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）若しくは銅（Ｃｕ）等の金属、又はこれら金属の化合物等にて形成されてもよい。ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂは、上述した材料の単層で形成されてもよく、上述した材料の層を複数積層して形成されてもよい。なお、ソース電極１４０Ｓ及びボディ電極１４０Ｂは、図示しない配線によって、グランド配線４０と電気的に接続される。ドレイン電極１４０Ｄは、図示しない配線によって、電源又はＩ／Ｏ配線３０と電気的に接続される。

【0042】

絶縁層１５０は、半導体基板１００の上に絶縁性材料にて設けられ、保護素子１０の各構成を埋め込む。具体的には、絶縁層１５０は、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ、ボディコンタクト１３０Ｂ、ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂを埋め込むように、素子領域１１０が設けられた半導体基板１００の上に全面に亘って設けられる。例えば、絶縁層１５０は、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの絶縁性材料で形成されてもよい。

【0043】

＜３．保護素子の動作例＞
続いて、図５～図７を参照して、本実施形態に係る保護素子１０の動作例について説明する。図５は、本実施形態に係る保護素子１０の等価回路を示す回路図である。図６は、保護素子１０が反グランド方向のサージ電流を流す際の動作を説明する模式的な断面図であり、図７は、保護素子１０がグランド方向のサージ電流を流す際の動作を説明する模式的な断面図である。

【0044】

保護素子１０は、Ｐ型の素子領域１１０、ゲート電極１２０、Ｐ型のボディコンタクト領域１１０Ｂ、Ｎ型のソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄによって、Ｎ型の電界効果トランジスタとして機能する。加えて、ゲート電極１２０、ソース領域１１０Ｓ及びボディコンタクト領域１１０Ｂは、グランド（ＧＮＤ）と電気的に接続されており、ドレイン領域１１０Ｄは、電源（ＶＤＤ）又はＩ／Ｏ端子と電気的に接続されている。したがって、保護素子１０は、いわゆるＧＧＭＯＳ（Ｇａｔｅ Ｇｒｏｕｎｄｅｄ ＭＯＳ）として機能する。

【0045】

また、保護素子１０では、交互に配列されたソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの終端のドレイン領域１１０Ｄは、ボディコンタクト領域１１０Ｂとの間でＰＮ接合ダイオードを形成する。

【0046】

したがって、保護素子１０は、図５で示すように、ＧＧＭＯＳ１１及びＰＮ接合ダイオード１２が並列接続された回路と等価とみなすことができる。このような保護素子１０では、ＧＧＭＯＳ１１にて反グランド方向のサージ電流を電源（ＶＤＤ）からグランド（ＧＮＤ）に流し、ＰＮ接合ダイオード１２にてグランド方向のサージ電流をグランド（ＧＮＤ）から電源（ＶＤＤ）又はＩ／Ｏ端子に流すことができる。

【0047】

ここで、図６を参照して、保護素子１０が反グランド方向のサージ電流を流す際の動作について説明する。図６に示すように、反グランド方向のサージ電流が保護素子１０に流れた場合、ドレイン電極１４０Ｄ及びドレイン領域１１０Ｄに正の電圧が印加されることで、Ｎ型のドレイン領域１１０Ｄと、Ｐ型の素子領域１１０との間でアバランシェブレークダウンが生じる。これにより、ドレイン電極１４０Ｄから半導体基板１００の素子領域１１０に電流が流れる。一方で、保護素子１０には、寄生トランジスタとして、ソース領域１１０Ｓをエミッタ、ボディコンタクト領域１１０Ｂ及び素子領域１１０をベース、ドレイン領域１１０ＤをコレクタとするＮＰＮバイポーラトランジスタが形成されている。したがって、素子領域１１０に流れる電流が増加し、ベースである素子領域１１０と、エミッタであるソース領域１１０Ｓとの間に電位差が生じた場合、上記のＮＰＮバイポーラトランジスタがオン状態となる。これにより、保護素子１０は、ドレイン領域１１０Ｄからソース領域１１０Ｓに大電流を流すことができるようになるため、ドレイン電極１４０Ｄからソース電極１４０Ｓに反グランド方向のサージ電流を流すことができる。

【0048】

また、図７を参照して、保護素子１０がグランド方向のサージ電流を流す際の動作について説明する。図７に示すように、グランド方向のサージ電流が保護素子１０に流れた場合、Ｐ型の素子領域１１０及びボディコンタクト領域１１０Ｂと、Ｎ型のドレイン領域１１０Ｄとの間で形成されるＰＮ接合ダイオードによって、ソース電極１４０Ｓからドレイン電極１４０Ｄにグランド方向のサージ電流を流すことができる。

【0049】

本実施形態に係る保護素子１０では、Ｐ型の素子領域１１０及びボディコンタクト領域１１０ＢとＮ型のドレイン領域１１０Ｄとの間に、ソース領域１１０Ｓ又は素子分離層等が存在しない。そのため、保護素子１０は、ＰＮ接合ダイオードの抵抗成分を低減することができる。加えて、保護素子１０では、ＰＮ接合ダイオードは、交互に配列されたソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄを囲むように設けられたボディコンタクト領域１１０Ｂの各辺にそれぞれ形成される。これにより、保護素子１０では、グランド方向のサージ電流を流すＰＮ接合ダイオードが複数形成されるため、グランド方向のサージ電流に対する対応能力を大きく向上させることができる。

【0050】

なお、素子領域１１０及びボディコンタクト領域１１０Ｂと、ドレイン領域１１０Ｄとの間で形成されるＰＮ接合ダイオードがグランド方向のサージ電流を流す能力は、ボディコンタクト領域１１０Ｂ及びドレイン領域１１０Ｄに挟まれるゲート電極１２０の幅で調整することができる。具体的には、ボディコンタクト領域１１０Ｂ及びドレイン領域１１０Ｄの間に設けられたゲート電極１２０の幅を大きくし、ボディコンタクト領域１１０Ｂ及びドレイン領域１１０Ｄの距離を離すことで、グランド方向のサージ電流に対する耐量を増加させることができる。ただし、ボディコンタクト領域１１０Ｂ及びドレイン領域１１０Ｄの間に設けられたゲート電極１２０の幅が過度に大きい場合、ボディコンタクト領域１１０Ｂと、ドレイン領域１１０Ｄとの間で形成されるＰＮ接合ダイオードに抵抗成分が生じることで、かえって耐量が減少するため好ましくない。

【0051】

また、本実施形態に係る保護素子１０は、ＧＧＭＯＳ１１及びＰＮ接合ダイオード１２をそれぞれ分離された別の素子として形成するのではなく、ＧＧＭＯＳ１１及びＰＮ接合ダイオード１２を一体化された素子として形成することができる。したがって、本実施形態によれば、保護素子１０をより小さな面積にて形成することができるため、保護素子１０を備える半導体装置１の面積を縮小し、製造コストを低減することができる。

【0052】

加えて、本実施形態に係る保護素子１０は、反グランド方向のサージ電流がＰＮ接合ダイオード１２に侵入してＰＮ接合ダイオード１２を破壊することを防止することができる。具体的には、ＧＧＭＯＳ１１及びＰＮ接合ダイオード１２が並列接続された保護素子では、サージ電流が速いパルスである場合、ＧＧＭＯＳ１１がオン状態になる前にサージ電流がＰＮ接合ダイオード１２に侵入してＰＮ接合ダイオード１２を破壊する可能性がある。本実施形態に係る保護素子１０では、ＧＧＭＯＳ１１及びＰＮ接合ダイオード１２が一体化して形成されているため、反グランド方向のサージ電流がＰＮ接合ダイオード１２に侵入することがない。したがって、本実施形態に係る保護素子１０は、反グランド方向のサージ電流によって、ＰＮ接合ダイオード１２が破壊されることを防止することができる。

【0053】

以上にて説明したように、本実施形態に係る保護素子１０は、グランド方向及び反グランド方向のいずれのサージ電流を流す能力が高く、かつより小さな面積で形成することが可能である。

【0054】

＜４．保護素子の製造方法＞
次に、図８Ａ～図８Ｄを参照して、本実施形態に係る保護素子１０の製造方法について説明する。図８Ａ～図８Ｄは、本実施形態に係る保護素子１０を製造する各工程を説明する模式的な平面図及び断面図である。

【0055】

まず、図８Ａに示すように、素子分離層が形成された半導体基板１００の上に、ゲート絶縁膜１２５を成膜した後、ゲート絶縁膜１２５の上に、ゲート電極１２０を形成する。

【0056】

具体的には、まず、半導体基板１００の所望の領域に、イオン注入を用いて、Ｐ－としてボロン（Ｂ）を５０ｋｅＶで１．０×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２～１．０×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２のドーズ量、及び２０ｋｅＶで１．０×１０^１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２～１．０×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２のドーズ量でイオン注入して素子領域１１０を形成する。その後、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等を用いて、シリコン等で形成された半導体基板１００の上に、酸化シリコンを膜厚５ｎｍ～５０ｎｍにて成膜する。その後、ＣＶＤ等を用いて、酸化シリコン上にポリシリコンを膜厚１００ｎｍ～２００ｎｍで成膜し、さらにポリシリコン上にＷＳｉを膜厚１００ｎｍ～２００ｎｍで成膜する。その後、リソグラフィ等を用いて、これらの積層膜を所望の平面形状にパターニングすることで、ゲート絶縁膜１２５及びゲート電極１２０の積層構造を形成する。例えば、ポリシリコン及びＷＳｉの積層構造からなるゲート電極１２０は、シート抵抗が数Ω／□であり、ゲート幅が０．１μｍ～０．５μｍとなるように形成されてもよい。

【0057】

次に、図８Ｂに示すように、ソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂを形成する。

【0058】

具体的には、半導体基板１００の所望の領域に、イオン注入を用いて、Ｎ－としてリン（Ｐ）を１２０ｋｅＶで１．０×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２～５．０×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２のドーズ量で注入し、Ｎ＋としてヒ素（Ａｓ）を５０ｋｅＶで１．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２～５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２のドーズ量で注入することで、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄを形成する。例えば、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄは、０．５μｍ～３．０μｍの幅となるように形成されてもよい。

【0059】

また、半導体基板１００の所望の領域に、イオン注入を用いて、Ｐ＋としてボロン（Ｂ）を５０ｋｅＶで１．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２～５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２のドーズ量でイオン注入してボディコンタクト領域１１０Ｂを形成する。例えば、ボディコンタクト領域１１０Ｂは、ゲート電極１２０から０．１μｍ～０．５μｍの距離に形成されてもよい。

【0060】

続いて、図８Ｃに示すように、ソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂの上に、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂを形成する。

【0061】

具体的には、ＣＶＤ等を用いて、半導体基板１００の上に絶縁層１５１を形成した後、エッチング等を用いて、ソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂに対応する位置に開口を設ける。さらに、ＣＶＤ等を用いて、絶縁層１５１の上にタングステン（Ｗ）などを成膜することで、絶縁層１５１に形成した開口を導電性材料で埋め込み、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂを形成する。なお、絶縁層１５１の上に残存するタングステン等は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって除去され得る。

【0062】

ここで、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄの表面には、リン（Ｐ）が２０ｋｅＶで１．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２～５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２のドーズ量で注入されてもよい。また、ボディコンタクト領域１１０Ｂの表面には、ボロン（Ｂ）が２０ｋｅＶで１．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２～５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２のドーズ量で注入されてもよい。この工程によれば、ソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂと、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂとの接触抵抗を低減することができる。

【0063】

次に、図８Ｄに示すように、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂの上に、ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂを形成する。

【0064】

具体的には、ＣＶＤ等を用いて、絶縁層１５１の上にさらに絶縁層を形成することで絶縁層１５０とした後、エッチング等を用いて、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂに対応する位置に開口を設ける。さらに、ＣＶＤ等を用いて、絶縁層１５０の上に銅（Ｃｕ）などを成膜することで、絶縁層１５０に形成した開口を導電性材料で埋め込み、ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂを形成する。なお、絶縁層１５０の上に残存する銅等は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって除去され得る。さらに、ソース電極１４０Ｓ及びボディ電極１４０Ｂは、グランド配線４０に接続され、ドレイン電極１４０Ｄは、電源又はＩ／Ｏ配線３０に接続される。

【0065】

なお、図８Ａ～図８Ｄでは、図示しないが、ゲート電極１２０についても図８Ｃ及び図８Ｄで示した工程と同様の工程でコンタクトが形成され、グランド配線４０までの配線が形成される。

【0066】

以上の工程によれば、本実施形態に係る保護素子１０を形成することができる。

【0067】

＜５．変形例＞
以下では、図９Ａ～図９Ｅを参照して、本実施形態に係る保護素子１０の変形例について説明する。

【0068】

（５．１．第１の変形例）
まず、図９Ａを参照して、第１の変形例に係る保護素子１０Ａについて説明する。図９Ａは、第１の変形例に係る保護素子１０Ａの構成を説明する模式的な平面図である。

【0069】

図９Ａに示すように、第１の変形例に係る保護素子１０Ａは、ボディコンタクト領域１１０Ｂのさらに外側の素子領域１１０に、追加ドレイン領域１１１Ｄ及び追加ボディコンタクト領域１１１Ｂが設けられる。

【0070】

具体的には、ボディコンタクト領域１１０Ｂのドレイン領域１１０Ｄが設けられた側と対向する反対側には、フィンガー電極１２３を挟んで、第２導電型（例えば、Ｎ型）の追加ドレイン領域１１１Ｄが設けられる。追加ドレイン領域１１１Ｄには、ドレイン領域１１０Ｄと同様に、追加ドレインコンタクト１３１Ｄが設けられ、追加ドレイン領域１１１Ｄは、図示しない電極及び配線によって電源又はＩ／Ｏ配線３０と電気的に接続される。

【0071】

さらに、追加ドレイン領域１１１Ｄのボディコンタクト領域１１０Ｂが設けられた側と対向する反対側には、フィンガー電極１２３を挟んで、第１導電型（例えば、Ｐ型）の追加ボディコンタクト領域１１１Ｂが設けられる。追加ボディコンタクト領域１１１Ｂには、ボディコンタクト領域１１０Ｂと同様に、追加ボディコンタクト１３１Ｂが設けられ、追加ボディコンタクト領域１１１Ｂは、図示しない電極及び配線によってグランド配線４０と電気的に接続される。

【0072】

すなわち、第１の変形例に係る保護素子１０Ａでは、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂにて構成されるＰＮ接合ダイオードに加えて、追加ドレイン領域１１１Ｄ及び追加ボディコンタクト領域１１１Ｂにて構成されるＰＮ接合ダイオードがさらに直列に設けられることになる。なお、ソース領域１１０Ｓ、ドレイン領域１１０Ｄ及びボディコンタクト領域１１０Ｂの各構成については、図２～図４で示した保護素子１０と実質的に同じであるため、ここでの説明は省略する。

【0073】

第１の変形例に係る保護素子１０Ａでは、図２～図４で示した保護素子１０と比較して、ＰＮ接合ダイオードの数が増加するため、保護素子１０Ａのサージ電流を流す能力を増加させることができる。なお、図９Ａでは、保護素子１０Ａの両側に、追加ドレイン領域１１１Ｄ及び追加ボディコンタクト領域１１１Ｂが１つずつ追加されることで、ＰＮ接合ダイオードが１つ追加された構成を示したが、本変形例は、かかる例示に限定されない。例えば、保護素子１０Ａの両側に追加される追加ドレイン領域１１１Ｄ及び追加ボディコンタクト領域１１１Ｂの数は、２つ以上であってもよい。

【0074】

（５．２．第２の変形例）
次に、図９Ｂを参照して、第２の変形例に係る保護素子１０Ｂについて説明する。図９Ｂは、第２の変形例に係る保護素子１０Ｂの構成を説明する模式的な断面図である。

【0075】

図９Ｂに示すように、第２の変形例に係る保護素子１０Ｂでは、半導体基板１００Ｂとして、いわゆるＰＤ－ＳＯＩ（Ｐａｒｔｉａｌｌｙ Ｄｅｐｌｅｔｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板が用いられる。

【0076】

具体的には、保護素子１０Ｂでは、シリコン等で形成された半導体基板１００に替えて、支持基板１０１の上にシリコン酸化膜１０２が設けられ、シリコン酸化膜１０２の上にシリコン等で形成された半導体層が設けられた基板が用いられる。支持基板１０１は、どのような材料で形成されていてもよいが、例えば、半導体層と同じシリコン等で形成されてもよい。

【0077】

なお、半導体基板１００Ｂの上に形成される素子領域１１０、ゲート電極１２０、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄ、ボディコンタクト領域１１０Ｂ、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂ、ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂ、絶縁層１５０の各構成については、図２～図４で示した保護素子１０と実質的に同じであるため、ここでの説明は省略する。

【0078】

第２の変形例に係る保護素子１０Ｂでは、ＰＤ－ＳＯＩ基板を半導体基板１００Ｂとして用いることにより、半導体基板１００Ｂに形成される電界効果トランジスタ等の寄生容量を減少させることが可能である。

【0079】

（５．３．第３の変形例）
次に、図９Ｃを参照して、第３の変形例に係る保護素子１０Ｃについて説明する。図９Ｃは、第３の変形例に係る保護素子１０Ｃの構成を説明する模式的な断面図である。

【0080】

図９Ｃに示すように、第３の変形例に係る保護素子１０Ｃは、半導体基板１００Ｃとして、いわゆるＦＤ－ＳＯＩ（Ｆｕｌｌｙ Ｄｅｐｌｅｔｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板が用いられる。

【0081】

具体的には、保護素子１０Ｃでは、シリコン等で形成された半導体基板１００に替えて、支持基板１０１の上にシリコン酸化膜１０２が設けられ、シリコン酸化膜１０２の上にシリコン等で形成された半導体層が設けられた基板が用いられる。支持基板１０１は、どのような材料で形成されていてもよいが、例えば、半導体層と同じシリコン等で形成されてもよい。

【0082】

なお、半導体基板１００Ｂの上に形成される素子領域１１０、ゲート電極１２０、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄ、ボディコンタクト領域１１０Ｂ、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂ、ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂ、絶縁層１５０の各構成については、図２～図４で示した保護素子１０と実質的に同じであるため、ここでの説明は省略する。

【0083】

ここで、シリコン酸化膜１０２の上に形成された半導体層の厚みは、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄが形成される深さ程度である。第３の変形例で用いられるＦＤ－ＳＯＩ基板は、第２の変形例で用いられるＰＤ－ＳＯＩ基板と比較して、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄが形成される半導体層の厚さが極めて薄く制御されている点が異なる。

【0084】

第３の変形例に係る保護素子１０Ｃでは、ＦＤ－ＳＯＩ基板を半導体基板１００Ｃとして用いることにより、半導体基板１００Ｃに形成される電界効果トランジスタ等の寄生容量を第２の変形例に係る保護素子１０Ｂよりもさらに減少させることが可能である。

【0085】

（５．４．第４の変形例）
続いて、図９Ｄを参照して、第４の変形例に係る保護素子１０Ｄについて説明する。図９Ｄは、第４の変形例に係る保護素子１０Ｄの構成を説明する模式的な断面図である。

【0086】

図９Ｄに示すように、第４の変形例に係る保護素子１０Ｄは、半導体基板１００Ｄとして、ＰＤ－ＳＯＩ基板又はＦＤ－ＳＯＩ基板にさらにポリシリコン層１０３が追加された基板が用いられる。

【0087】

具体的には、保護素子１０Ｄでは、シリコン等で形成された半導体基板１００に替えて、支持基板１０１の上にポリシリコン層１０３が設けられ、ポリシリコン層１０３の上にシリコン酸化膜１０２が設けられ、シリコン酸化膜１０２の上にシリコン等で形成された半導体層が設けられた基板が用いられる。支持基板１０１は、どのような材料で形成されていてもよいが、例えば、半導体層と同じシリコン等で形成されてもよい。

【0088】

なお、半導体基板１００Ｄの上に形成される素子領域１１０、ゲート電極１２０、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄ、ボディコンタクト領域１１０Ｂ、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂ、ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂ、絶縁層１５０の各構成については、図２～図４で示した保護素子１０と実質的に同じであるため、ここでの説明は省略する。

【0089】

第４の変形例に係る保護素子１０Ｄでは、ポリシリコン層によって、例えば、高周波印加時等に半導体基板１００Ｄの内部で発生するキャリアをトラップすることで、該キャリアによって基板容量が変動することを防止することができる。したがって、第４の変形例に係る保護素子１０Ｄでは、第２及び第３の変形例に係る保護素子１０Ｂ、１０Ｃよりも高周波特性を向上させることが可能である。

【0090】

（５．５．第５の変形例）
次に、図９Ｅを参照して、第５の変形例に係る保護素子１０Ｅについて説明する。図９Ｅは、第５の変形例に係る保護素子１０Ｅの構成を説明する模式的な断面図である。

【0091】

図９Ｅに示すように、第５の変形例に係る保護素子１０Ｅは、半導体基板１００Ｅとして、いわゆるＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板が用いられる。

【0092】

具体的には、保護素子１０Ｅでは、シリコン等で形成された半導体基板１００に替えて、サファイア基板１０４の上にシリコン等で形成された半導体層が設けられた基板が用いられる。

【0093】

なお、半導体基板１００Ｅの上に形成される素子領域１１０、ゲート電極１２０、ソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄ、ボディコンタクト領域１１０Ｂ、ソースコンタクト１３０Ｓ、ドレインコンタクト１３０Ｄ及びボディコンタクト１３０Ｂ、ソース電極１４０Ｓ、ドレイン電極１４０Ｄ及びボディ電極１４０Ｂ、絶縁層１５０の各構成については、図２～図４で示した保護素子１０と実質的に同じであるため、ここでの説明は省略する。

【0094】

第５の変形例に係る保護素子１０Ｅでは、ＳＯＳ基板を半導体基板１００Ｅとして用いることにより、ＰＤ－ＳＯＩ基板又はＦＤ－ＳＯＩ基板と同様に、半導体基板１００Ｅに形成される電界効果トランジスタ等の寄生容量を減少させることが可能である。

【0095】

＜６．適用例＞
本実施形態に係る保護素子１０は、種々の電子機器に搭載される回路内に搭載することができる。続いて、図１０Ａ～図１０Ｃを参照して、本実施形態に係る保護素子１０が適用され得る電子機器の例について説明する。図１０Ａ～図１０Ｃは、本実施形態に係る保護素子１０が搭載され得る電子機器の一例を示す外観図である。

【0096】

例えば、本実施形態に係る保護素子１０は、スマートフォンなどの電子機器に搭載されることができる。図１０Ａに示すように、スマートフォン９００は、各種情報を表示する表示部９０１と、ユーザによる操作入力を受け付けるボタン等から構成される操作部９０３と、を備える。ここで、スマートフォン９００の各種動作を制御する制御回路には、本実施形態に係る保護素子１０が搭載されてもよい。

【0097】

例えば、本実施形態に係る保護素子１０は、デジタルカメラなどの電子機器に搭載されることができる。図１０Ｂ及び図１０Ｃに示すように、デジタルカメラ９１０は、本体部（カメラボディ）９１１と、交換式のレンズユニット９１３と、撮影時にユーザによって把持されるグリップ部９１５と、各種情報を表示するモニタ部９１７と、撮影時にユーザによって観察されるスルー画を表示するＥＶＦ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｖｉｅｗ Ｆｉｎｄｅｒ）９１９と、を備える。なお、図１０Ｂは、デジタルカメラ９１０を前方（すなわち、被写体側）から眺めた外観図であり、図１０Ｃは、デジタルカメラ９１０を後方（すなわち、撮影者側）から眺めた外観図である。ここで、デジタルカメラ９１０の各種動作を制御する制御回路には、本実施形態に係る保護素子１０が搭載されてもよい。

【0098】

なお、本実施形態に係る保護素子１０が搭載される電子機器は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る保護素子１０は、あらゆる分野の電子機器に搭載されることが可能である。このような電子機器としては、例えば、眼鏡型ウェアラブルデバイス、ＨＭＤ（Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）、テレビジョン装置、電子ブック、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノート型パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ又はゲーム機器等を例示することができる。

【0099】

以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。

【0100】

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

【0101】

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）
半導体基板に設けられた第１導電型の素子領域と、
前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、
前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、
を備え、
前記ドレイン領域は、電源又はＩ／Ｏ配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第１導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、保護素子。
（２）
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の両終端は、それぞれ前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記両終端のドレイン領域の各々と挟む外側の前記素子領域には、前記ボディコンタクト領域がそれぞれ設けられる、前記（１）に記載の保護素子。
（３）
前記連結電極は、第１方向に延伸する互いに平行な一対の直線にて設けられ、
前記複数のフィンガー電極は、前前記第１方向と直交する第２方向に延伸し、前記連結電極の互いに平行な一対の直線の間を架け渡すように設けられる、前記（１）又は（２）に記載の保護素子。
（４）
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記ゲート電極にて囲まれた前記素子領域にそれぞれ設けられる、前記（３）に記載の保護素子。
（５）
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の周囲の前記素子領域には、前記ゲート電極を挟んで、前記グランド配線にそれぞれ電気的に接続される前記ボディコンタクト領域が設けられる、前記（４）に記載の保護素子。
（６）
前記素子領域は、互いに素子分離層にて電気的に離隔されており、
前記ボディコンタクト領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同じ前記素子領域に設けられる、前記（１）～（５）のいずれか一項に記載の保護素子。
（７）
前記ボディコンタクト領域のさらに外側の前記素子領域には、前記フィンガー電極を挟んで第２導電型の追加ドレイン領域がさらに設けられ、
前記追加ドレイン領域さらに外側の前記素子領域には、前記フィンガー電極を挟んで第１導電型の追加ボディコンタクト領域がさらに設けられ、
前記追加ドレイン領域は、前記電源又はＩ／Ｏ配線に電気的に接続され、前記追加ボディコンタクト領域は、前記グランド配線に電気的に接続される、前記（１）～（６）のいずれか一項に記載の保護素子。
（８）
前記ボディコンタクト領域は、前記終端のドレイン領域とＰＮ接合を形成する、前記（１）～（７）のいずれか一項に記載の保護素子。
（９）
前記半導体基板は、支持基板の上にシリコン酸化膜及び半導体層が順に積層された基板である、前記（１）～（８）のいずれか一項に記載の保護素子。
（１０）
前記半導体基板は、ＰＤ－ＳＯＩ基板又はＦＤ－ＳＯＩ基板である、前記（９）に記載の保護素子。
（１１）
前記支持基板及び前記シリコン酸化膜の間には、ポリシリコン層がさらに設けられる、前記（９）又は（１０）に記載の保護素子。
（１２）
前記半導体基板は、サファイア基板の上に半導体層が積層された基板である、前記（１）～（８）のいずれか一項に記載の保護素子。
（１３）
内部回路と、
前記内部回路と並列に接続された保護素子と、
を備え、
前記保護素子は、
半導体基板に設けられた第１導電型の素子領域と、
前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、
前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、
を備え、
前記ドレイン領域は、電源又はＩ／Ｏ配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第１導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、半導体装置。

【符号の説明】

【0102】

１ 半導体装置
１０ 保護素子
１１ ＧＧＭＯＳ
１２ ＰＮ接合ダイオード
２０ 内部回路
３０ 電源又はＩ／Ｏ配線
４０ グランド配線
１００ 半導体基板
１１０ 素子領域
１１０Ｂ ボディコンタクト領域
１１０Ｄ ドレイン領域
１１０Ｓ ソース領域
１２０ ゲート電極
１２１ 連結電極
１２３ フィンガー電極
１２５ ゲート絶縁膜
１３０Ｂ ボディコンタクト
１３０Ｄ ドレインコンタクト
１３０Ｓ ソースコンタクト
１４０Ｂ ボディ電極
１４０Ｄ ドレイン電極
１４０Ｓ ソース電極
１５０ 絶縁層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】

【図9E】

【図10A】

【図10B】

【図10C】