特許 7120514 太陽電池

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-08-08

(45)【発行日】2022-08-17

(54)【発明の名称】太陽電池

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/0747 20120101AFI20220809BHJP

   H01L 31/0352 20060101ALI20220809BHJP

【ＦＩ】

H01L31/06 455

H01L31/04 340

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2020081590

(22)【出願日】2020-05-01

(62)【分割の表示】P 2018180765の分割

【原出願日】2012-12-19

(65)【公開番号】P2020129689

(43)【公開日】2020-08-27

【審査請求日】2020-06-01

(31)【優先権主張番号】13/333,908

(32)【優先日】2011-12-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】13/333,904

(32)【優先日】2011-12-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】505379467

【氏名又は名称】サンパワー コーポレイション

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】カズンズ、ピーター ジェイ．

(72)【発明者】

【氏名】スミス、デイヴィッド ディー．

(72)【発明者】

【氏名】リム、スン ビー．

【審査官】原 俊文

(56)【参考文献】

【文献】特表２００９－５３５８４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１１－５１７１２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１０／１１３７５０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２０１１－５２３２３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００９／０９６５３９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１１／００５６５４５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１３９７６４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０２１８５０３０（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３１／０２－３１／０７８

Ｈ０１Ｌ ３１／１８－３１／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

シリコン基板と、
前記シリコン基板の裏面上に配置された酸化物層と、
前記酸化物層上に配置された第１のエミッタ領域であって、第１の導電性のドーピングされた半導体の層を有する、第１のエミッタ領域と、
前記シリコン基板の前記裏面上に配置された薄い誘電体層であって、前記薄い誘電体層の一部は、前記酸化物層と接触する、薄い誘電体層と、
前記薄い誘電体層上に配置された第２のエミッタ領域であって、第２の導電型の多結晶シリコンを有する、第２のエミッタ領域と、
前記第１のエミッタ領域および前記第２のエミッタ領域上にそれぞれ配置され、前記第１のエミッタ領域および前記第２のエミッタ領域にそれぞれ電気的に接続された第１および第２のコンタクトとを備え、
前記第２のコンタクトは、前記ドーピングされた半導体の層と前記酸化物層との部分的に除去された部分であるコンタクト開口部に形成され、前記第２のコンタクトは、前記多結晶シリコンに接続され、
前記第１のエミッタ領域において、前記第２の導電型の多結晶シリコンは、前記シリコン基板と前記第１のコンタクトとの間に形成されない
太陽電池。

【請求項2】

前記ドーピングされた半導体の層は、アモルファスシリコンを含む
請求項１に記載の太陽電池。

【請求項3】

前記ドーピングされた半導体の前記層は、前記第２のエミッタ領域の一部の上にさらに延びる
請求項１または２に記載の太陽電池。

【請求項4】

前記多結晶シリコンと前記第２のエミッタ領域の前記一部の上に延びる前記ドーピングされた半導体の層の一部との間に配置された材料層をさらに備え、
前記材料層は、前記第２の導電型のドーパントを含む
請求項３に記載の太陽電池。

【請求項5】

第２の導電型の前記多結晶シリコンは、リンを含む
請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項6】

第２の導電型の前記多結晶シリコンは、ホウ素を含む
請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項7】

前記ドーピングされた半導体の層は、前記薄い誘電体層の上に配置される
請求項１から６のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項8】

前記ドーピングされた半導体の前記層は、炭化ケイ素または窒化アルミニウムガリウムを含む
請求項１から７のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項9】

前記太陽電池の表面の上に配置されたドーピングされた半導体の第２の層をさらに備える
請求項１から８のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項10】

前記ドーピングされた半導体の前記第２の層は、炭化ケイ素または窒化アルミニウムガリウムを含む
請求項９に記載の太陽電池。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に記載する主題の実施形態は、一般に太陽電池製造に関する。より詳細には、主題の実施形態は、薄いシリコン太陽電池及び製造のための技術に関する。

【背景技術】

【0002】

太陽電池は、日射を電気エネルギーに変換する周知の装置である。太陽電池は、半導体プロセス技術を使用して半導体ウェハ上に製造される場合がある。太陽電池には、Ｐ型及びＮ型拡散領域が含まれる。太陽電池に日射が当たると電子及び正孔が生成され、これらの電子及び正孔が拡散領域に移動することにより、拡散領域間に電圧差が生じる。裏面コンタクト太陽電池においては、拡散領域及びこれらの拡散領域に結合した金属コンタクトフィンガーが、共に太陽電池の裏面にある。このコンタクトフィンガーによって、外部電気回路が、太陽電池に結合されること及び太陽電池から電力供給を受けることが可能となる。

【0003】

効率は、太陽電池の電力を生成する性能に直接関係するため、太陽電池の重要な特性である。したがって、製造プロセスを改善し、製造コストを削減し、そして太陽電池の効率化を図る技術が、一般に望ましい。このような技術は、熱プロセスによってシリコン基板上にポリシリコン及びヘテロ接合層を形成することを含む。この熱プロセスで、本発明は太陽電池の効率化を可能にする。これらの又は他の同様の実施形態が、本発明の背景技術を形成する。

【図面の簡単な説明】

【0004】

より完全な本主題の理解は、発明を実施するための形態、及び特許請求の範囲を、以下の図面と併せて考察し、参照することによって導き出すことができる。同様の参照番号は、図面全体を通して同様の要素を指す。

【0005】

【図1】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図2】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図3】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図4】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図5】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図6】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図7】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図8】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図9】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図10】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図11】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図12】本発明の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【0006】

【図13】本発明の別の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図14】本発明の別の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図15】本発明の別の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図16】本発明の別の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図17】本発明の別の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【図18】本発明の別の実施形態に従って製造されている太陽電池の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下の発明を実施するための形態は、本質的には、単なる実例に過ぎず、本主題の実施形態、又はそのような実施形態の応用及び用途を限定することを意図するものではない。本明細書で使用される「例示の」という語は、「実施例、実例、又は例証として供する」ことを意味する。本明細書に例示として記載されるどの実施も、必ずしも他の実施より好適又は有利なものと解釈されない。更に、上記の技術分野、背景技術、概要、又は以下の発明を実施するための形態で提示される、明示又は暗示の何らかの理論に拘束されることを意図するものではない。太陽電池の製造方法が開示される。方法は、裏面上に薄い誘電体層を有するシリコン基板、及び薄い誘電体層上に成膜されたシリコン層を準備することと、成膜されたシリコン層上にドーピング材料の層を形成することと、ドーピング材料の層上に酸化物層を形成することと、交差指型パターンに、酸化物層、ドーピング材料の層及び成膜されたシリコン層を部分的に除去することと、昇温してドーピング材料の層から成膜されたシリコン層にドーパントを移動させると同時に、酸化物層を成長させることと、ドーピングされた結晶化ポリシリコン層を形成するために、成膜されたシリコン層にドーピング材料の層からのドーパントをドーピングすることと、太陽電池の裏面上に、ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体及び反射防止コーティングを成膜することと、太陽電池の前面上に、ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体及び反射防止コーティングを成膜することと、を含む。

【0008】

太陽電池の別の製造方法が開示される。方法は、裏面上に薄い誘電体層及び薄い誘電体層上に成膜されたシリコン層を有するシリコン基板を準備することと、成膜されたシリコン層上にドーピング材料の層を形成することと、ドーピング材料の層上に酸化物層を形成することと、交差指型パターンで、酸化物層、ドーピング材料の層及び成膜されたシリコン層を部分的に除去することと、テクスチャ化シリコン領域を形成するために、露出したシリコン基板をエッチングすることと、昇温してドーピング材料の層から成膜されたシリコン層にドーパントを移動させると同時に、酸化物層を成長させることと、ドーピングされたポリシリコン層を形成するために、成膜されたシリコン層にドーピング材料の層からのドーパントをドーピングすることと、太陽電池の裏面上に、ドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコンの厚い第１層及び反射防止コーティングを被覆することと、太陽電池の前面上でドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコンの薄い第２層及び反射防止コーティングを被覆することあって、薄い層が厚い層の厚さの１０％～３０％未満である、ことと、を含む。

【0009】

太陽電池の更に別の製造方法が開示される。方法は、裏面上に薄い誘電体層及び薄い誘電体層上にドーピングされたシリコン層を有するシリコン基板を準備することと、ドーピングされたシリコン層上に酸化物層を形成することと、交差指型パターンで、酸化物層及びドーピングされたシリコン層を部分的に除去することと、酸素が供給される環境でシリコン基板を加熱することによって、太陽電池の裏面上に酸化ケイ素層を成長させることことであって、シリコン層を結晶化して、ドーピングされたポリシリコン層を形成する、ことと、太陽電池の裏面上にドーピングされたワイドバンドギャップ半導体を成膜することと、太陽電池の前面上にドーピングされたワイドバンドギャップ半導体及び反射防止コーティングを成膜することと、を含む。

【0010】

太陽電池の更に別の製造方法が開示される。方法は、裏面上に薄い誘電体層及び薄い誘電体層上にドーピングされたシリコン層を有するシリコン基板を準備することと、ドーピングされたシリコン層上に酸化物層を形成することと、交差指型パターンで、酸化物層及びドーピングされたシリコン層を部分的に除去することと、テクスチャ化シリコン領域を形成するために、露出したシリコン基板をエッチングすることと、酸素が供給される環境でシリコン基板を加熱することによって、太陽電池の裏面上に酸化ケイ素層を成長させることであって、シリコン層を結晶化して、ドーピングされたポリシリコン層を形成する、ことと、太陽電池の裏面上にドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコン及び反射防止コーティングを成膜する工程と、太陽電池の前面にドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコン及び反射防止コーティングを成膜することと、を含む。

【0011】

太陽電池の製造方法の更に別の実施形態が開示される。方法は、裏面に薄い誘電体層及び薄い誘電体層上にドーピングされたシリコン層を有するシリコン基板を準備することと、ドーピングされたシリコン層上に酸化物層を形成することと、交差指型パターンで、酸化物層及びドーピングされたシリコン層を部分的に除去することと、テクスチャ化シリコン領域を形成するために、露出したシリコン基板をエッチングすることと、酸素が供給される環境でシリコン基板を加熱することによって、太陽電池の裏面上に酸化ケイ素層を成長させることであって、シリコン層を結晶化して、ドーピングされたポリシリコン層を形成する、ことと、太陽電池の前面及び裏面上にドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコン及び反射防止コーティングを同時に成膜することと、一連のコンタクト開口部を形成するために、ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体及び酸化物層を部分的に除去することと、ドーピングされたポリシリコン層に電気的に結合されている第１金属グリッド、及び太陽電池の裏面のエミッタ領域に電気的に結合されている第２金属グリッドを同時に形成することと、を含む。

【0012】

太陽電池を製造する改善された技術とは、シリコン基板の裏面上に薄い誘電体層及び成膜されたシリコン層を提供することである。ドーピングされたポリシリコンの領域を、成膜されたシリコン層にドーパントを移動させることによって又はドーピングされたポリシリコン領域のインサイチュな形成によって、形成することができる。酸化物層及びドーピングされたワイドバンドギャップ半導体の層が、太陽電池の前面及び裏面に続いて形成され得る。一変形態様は、酸化物の形成及びドーピングされたワイドバンドギャップ半導体の形成前に、前面及び裏面表面をテクスチャ化することを伴う。コンタクトホールが、ドーピングされたポリシリコン領域を露出するために、上位層を貫いて続いて形成され得る。メタライゼーションプロセスを、ドーピングされたポリシリコン層上へコンタクトを形成するために、続いて実行することができる。コンタクトの第２グループはまた、太陽電池の裏面上のドーピングされたポリシリコンの領域間に配置されるワイドバンドギャップ半導体層によって形成されたシリコン基板のエミッタ領域に金属を直接接続することによって、形成され得る。

【0013】

製造プロセスに関連して実行される様々なタスクが、図１～図１８に示される。また、様々なタスクのいくつかは、例示された順序で実行される必要がなく、本明細書に詳細に記載されない追加機能を有するより包括的な手順、プロセス又は製造に組み込まれてもよい。

【0014】

図１～図３は、シリコン基板１０２、薄い誘電体層１０６及び成膜されたシリコン層１０４を含む太陽電池１００を製造する実施形態を示す。いくつかの実施形態では、シリコン基板１０２を、薄い誘電体層１０６の形成前に、洗浄、研磨、平坦化及び／又は薄膜化するか、ないしは別の方法で処理することができる。薄い誘電体層１０６及び成膜されたシリコン層１０４を、熱プロセスによって成長させることができる。後に第１酸化物層１１０が続く、ドーピング材料１０８の層は、従来の成膜プロセスにより、成膜されたシリコン層１０４上に成膜させることができる。ドーピング材料１０８の層は、ドーピング材料、つまりドーパント１０９、例えばホウ素などのポジ型ドーピング材料の層又はリンなどのネガ型ドーピング材料の層を含むことができるが、これらに限定されない。薄い誘電体層１０６及び成膜されたシリコン層１０４は、それぞれ、熱プロセスによって成長し又は従来の成膜プロセスにより成膜されると記載されるが、ここで説明又は列挙される任意の他の形成、成膜又は成長プロセス工程と同様に、それぞれの層又は物質を、任意の適切なプロセスを使用して形成することができる。例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、常圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、熱成長、スパッタリングだけでなく任意の他の所望の技術を、形成が説明される箇所で使用することができる。したがって、同様に、ドーピング材料１０８を、成膜技術、スパッタ、又はインクジェット印刷若しくはスクリーン印刷などの印刷プロセスによって、基板に形成することができる。

【0015】

図４は、材料除去プロセスを実行し、露出したポリシリコン領域１２４を形成した後の、図１～図３と同じ太陽電池１００を示す。材料除去プロセスのいくつかの例としては、マスク及びエッチングプロセス、レーザアブレーションプロセス並びに他の同様の技術が挙げられる。露出したポリシリコン領域１２４及びドーピング材料の層１０８を、交差指型パターンを含む任意の所望の形状で形成することができる。マスキングプロセスが使用される場合には、既定の交差指型パターンでマスクインクを適用するためにスクリーンプリンタ又はインクジェットプリンタを使用して、プロセスを実行することができる。したがって、露出したポリシリコン領域１２４及びドーピング材料の層１０８の交差指型パターンをもたらすマスクインクを除去するために、従来の化学的ウェットエッチング技術を使用することができる。少なくとも１つの実施形態では、第１酸化物層１１０の部分又は全部が除去され得る。図４及び図５に示されるように、成膜されたシリコン層１０４及び誘電体層１０６の領域が除去される同じエッチング又はアブレーションプロセスで、この酸化物層１１０の除去を達成することができる。

【0016】

図５を参照すると、太陽電池１００に第２エッチングプロセスを施し、その結果として露出したポリシリコン領域１２４にエッチングをもたらし、日射の集光を増加させるための太陽電池の裏面の第１テクスチャ化シリコン領域１３０及び太陽電池の前面の第２テクスチャ化シリコン領域１３２を形成することができる。テクスチャ化表面は、入射光を散乱させ、太陽電池の表面を反射して戻る光の量を減少させる規則的又は不規則的な形状表面を有するものとすることができる。

【0017】

図６を参照すると、太陽電池１００を加熱１４０し、ドーピング材料１０９をドーピング材料の層１０８から成膜されたシリコン層１０４へ移動させることができる。同じ加熱１４０がまた、酸化ケイ素又は第２酸化物層１１２を、ドーピング材料の層１０８及び第１テクスチャ化シリコン領域１３０上に形成することができる。このプロセスの間に、第３酸化物層を、第２テクスチャ化シリコン領域１３２上に成長１１４させることができる。どちらの酸化物層１１２、１１４も、高品質の酸化物を含み得る。高品質の酸化物は、改善されたパッシベーションを提供することができる摂氏９００度を超える温度での熱酸化によって典型的に成長した低い界面準位密度の酸化物である。

【0018】

したがって、図７を参照すると、成膜されたシリコン層１０４をドーパント材料の層１０８からのドーピング材料１０９によってドーピングし、ドーピングされたポリシリコン層１５０を形成することができる。一実施形態では、昇温してドーピング材料の層１０８から成膜されたシリコン層１０４にドーパント１０９を移動させると同時に、酸化物層を成長させることによって、ドーピングされたポリシリコン層の形成が達成され得る。ドーピング材料の層１０８からのドーパント１０９を成膜されたシリコン層１０４にドーピングすることが、ドーピングされた結晶化ポリシリコン層又はドーピングされたポリシリコン層１５０を形成する。いくつかの実施形態の１つでは、ポジ型ドーピング材料が使用されるならば、ドーピングされたポリシリコン層１５０は、正ドーピングされたポリシリコンの層を含み得る。例示された実施形態では、シリコン基板１０２は、バルクＮ型シリコン基板を含む。いくつかの実施形態では、ネガ型ドーピング材料が使用されるならば、ドーピングされたポリシリコン層１５０は、負ドーピングされたポリシリコンの層を含み得る。一実施形態では、シリコン基板１０２は、バルクＰ型シリコン基板を含まなければならない。

【0019】

図８を参照すると、ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層１６０が、太陽電池１００の裏面上に成膜され得る。一実施形態では、ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層１６０は、少なくとも１０Ω・ｃｍの抵抗を有して部分的に導電性である。同じ実施形態では、ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層１６０は、１．０５電子ボルト（ｅＶ）より大きいバンドギャップを有し、第１テクスチャ化シリコン領域１３０によって及び第２酸化物層１１２によって既に被覆された太陽電池の裏面上のエリアでヘテロ接合として作用し得る。ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体の例としては、炭化ケイ素及び窒化アルミニウムガリウムが挙げられる。上記の性質及び特性を呈する任意の他のドーピングされたワイドバンドギャップ半導体材料を、同様に使用することができる。ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層１６０は、ドーピングされた厚い第１ワイドバンドギャップアモルファスシリコン層で構成され得る。

【0020】

図９を参照すると、ドーピングされた第２ワイドバンドギャップ半導体１６２が、太陽電池１００の前面上の第２テクスチャ化シリコン領域１３２上に成膜され得る。一実施形態では、太陽電池１００の裏面及び前面上のドーピングされたワイドバンドギャップ半導体層１６０、１６２はどちらも、ドーピングされたワイドバンドギャップネガ型半導体を含むことができる。別の実施形態では、ドーピングされた第２ワイドバンドギャップ半導体１６２は、ドーピングされた厚い第１ワイドバンドギャップ半導体層と比較して、相対的に薄くなり得る。したがって、いくつかの実施形態では、ドーピングされた薄い第２ワイドバンドギャップ半導体層は、ドーピングされた厚い第１ワイドバンドギャップ半導体層の１０％～３０％の厚さを含むことができる。更に別の実施形態では、太陽電池の裏面及び前面上のドーピングされたワイドバンドギャップ半導体層１６０、１６２はどちらも、それぞれ、ドーピングされたワイドバンドギャップネガ型半導体又はドーピングされたワイドバンドギャップポジ型半導体を含むことができる。続いて、反射防止コーティング（ＡＲＣ）１７０が、同じプロセスで、ドーピングされた第２ワイドバンドギャップ半導体１６２上に成膜され得る。別の実施形態では、反射防止コーティング１７０が、同じプロセスで、ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体１６０上に成膜され得る。いくつかの実施形態では、ＡＲＣ １７０は窒化ケイ素で構成され得る。

【0021】

図１０は、一連のコンタクト開口部１８０を形成するための、太陽電池１００の裏面上のドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体１６０、第２酸化物層１１２及びドーピング材料の層１０８の部分的な除去を示す。一実施形態では、除去技術を、アブレーションプロセスを使用して達成することができる。このようなアブレーションプロセスの１つは、レーザアブレーションプロセスである。別の実施形態では、除去技術を、後にエッチングプロセスが続くマスクのスクリーン印刷又はインクジェット印刷といった、任意の従来のエッチングプロセスとすることができる。

【0022】

図１１を参照すると、第１金属グリッド又はグリッド線１９０が、太陽電池１００の裏面上に形成され得る。第１金属グリッド線１９０を、コンタクト開口部１８０内でドーピングされたポリシリコン１５０に電気的に結合することができる。一実施形態では、第１金属グリッド線１９０を、コンタクト開口部１８０を介してドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体１６０、第２酸化物層１１２及びドーピング材料の層１０８に形成し、太陽電池から電力供給される外部電気回路の正の電気端子を接続することができる。

【0023】

図１２を参照すると、第２金属グリッド又はグリッド線１９２が、太陽電池１００の裏面上に形成され得る。第２金属グリッド線１９２は、第２テクスチャ化シリコン領域１３２に電気的に結合される。一実施形態では、第２金属グリッド線１９２を、太陽電池の裏面上のエリアでヘテロ接合として作用するドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体１６０、第２酸化物層１１２及び第１テクスチャ化シリコン領域１３０に結合し、太陽電池から電力供給される外部電気回路の負の電気端子に接続することができる。いくつかの実施形態では、図１１及び図１２で参照される金属グリッド線の形成を、電気メッキプロセス、スクリーン印刷プロセス、インクジェットプロセス、アルミニウム金属ナノ粒子から形成される金属へのメッキ、又は任意の他のメタライゼーション若しくは金属形成プロセス工程によって、実行することができる。

【0024】

図１３～図１８は、太陽電池２００を製造する別の実施形態を示す。以下で別段の指定がない限り、図１３～図１８で構成要素を表すために使用される数字の表示は、表示数を１００増加させた以外は、上の図１～図１２で構成要素又は特徴を表すために使用された数字の表示と同様である。

【0025】

図１３～図１４を参照すると、太陽電池２００を製造するための別の実施形態は、シリコン基板２０２上に第１酸化物層２１０、薄い誘電体層２０６、ドーピングされたポリシリコン層２５０を形成することを含み得る。シリコン基板２０２を、前述と同様に、薄い誘電体層２０６の形成前に、洗浄、研磨、平坦化及び／又は薄膜化するか、ないしは別の方法で処理することができる。第１酸化物層２１０、誘電体層２０６及びドーピングされたポリシリコン層２５０を、熱プロセスによって成長させることができる。一実施形態では、酸素化環境でシリコン基板２０２を加熱することによって、太陽電池の裏面上に酸化ケイ素層又は酸化物層２１０を成長させることによって、ドーピングされたシリコン層を結晶化して、ドーピングされたポリシリコン層２５０を形成する。別の実施形態では、誘電体層２０６上にドーピングされたポリシリコン層２５０を成長させることは、正ドーピングされたポリシリコンを成長させることを含み、正ドーピングされたポリシリコンは、ホウ素のドーパントなどのドーピング材料２０９で構成され得る。別の実施形態では、負ドーピングされたポリシリコンを使用することができる。薄い誘電体層２０６及びドーピングされたポリシリコン層２５０は、それぞれ、熱プロセスによって成長し又は従来の成膜プロセスにより成膜されると記載されるが、前述したように、ここで説明又は列挙される任意の他の形成、成膜又は成長プロセス工程と同様に、それぞれの層又は物質を、任意の適切なプロセスを使用して形成することができる。

【0026】

太陽電池２００を、第１酸化物層２１０、ドーピングされたポリシリコン層２５０及び誘電体層２０６を部分的に除去することによって更に処理し、従来のマスキング及びエッチングプロセスを使用して交差指型パターンによって、シリコン基板の露出した領域２２０を表出させることができる。従来のマスキング及びエッチングプロセスを使用する場合には、アブレーションプロセスを使用することができる。アブレーションプロセスを使用するならば、第１酸化物層２１０は、図１４に示されるように、ドーピングされたポリシリコン層２５０上に部分的に無傷で残され得る。別の実施形態では、エッチングプロセスと結合されたスクリーン印刷又はインクジェット印刷技術を使用することができる。このような実施形態では、第１酸化物層２１０は、ドーピングされたポリシリコン層２５０からエッチング除去され得る。

【0027】

図１５を参照すると、露出したシリコン基板２２０、及び太陽電池２００の前面上の露出した領域を同時にエッチングして、日射の集光を増加させるための第１テクスチャ化シリコン表面２３０及び第２テクスチャ化シリコン表面２３２を形成することができる。

【0028】

図１６を参照すると、裏面に第２酸化物層２１２及び太陽電池２００の前面に第３酸化物層２１４を形成しながら、太陽電池２００を摂氏９００度を超える温度まで加熱２４０することができる。別の実施形態では、酸化物層２１２、２１４はどちらも、前述したように、高品質の酸化物を含むことができる。

【0029】

図１７を参照すると、ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層２６０が、太陽電池の裏面及び前面上に同時に成膜され得る。ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層２６０は、１０Ω・ｃｍより大きい抵抗を有して部分的に導電性を示し得る。ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層２６０はまた、１．０５ｅＶより大きいバンドギャップを有し得る。加えて、第１ワイドバンドギャップ半導体層は、第１テクスチャ化シリコン領域２３０及び第２酸化物層２１２を覆う太陽電池の裏面のエリアでヘテロ接合として作用することができる。

【0030】

ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層２６０は、ドーピングされた第２ワイドバンドギャップ半導体層２６２より１０％から３０％厚くなり得る。他の実施態様では、厚さを、本明細書に記載された技術から逸脱することなく、１０％未満又は３０％を超えて変化させることができる。ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体層２６０、２６２をどちらも、正ドーピングされた半導体とすることができる。尚、異なる基板及びポリシリコンドープ極性を有する他の実施形態では、負ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体層を同様に使用することができる。続いて、反射防止コーティング（ＡＲＣ）２７０が、ドーピングされた第２ワイドバンドギャップ半導体２６２上に成膜され得る。一実施形態では、反射防止コーティング２７０は、窒化ケイ素で構成され得る。いくつかの実施形態では、ＡＲＣは、ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層２６０上に同じく成膜され得る。

【0031】

図１８を参照すると、ドーピングされた第１ワイドバンドギャップ半導体層２６０及び第２酸化物層２１２を、ドーピングされたポリシリコン層２５０上で部分的に除去し、図１０～図１２を参照して前述したものと同様の一連のコンタクト開口部を、同様の成形技術で形成することができる。続いて、第１金属グリッド線２９０を、太陽電池２００の裏面上に形成することができ、第１金属グリッド線２９０を、コンタクト開口部内でドーピングされたポリシリコン２５０に電気的に結合することができる。第２金属グリッド線２９２を太陽電池２００の裏面上に形成することができ、第２金属グリッド線２９２を第１テクスチャ化シリコン領域又はＮ型エミッタ領域２３０に電気的に結合する。一実施形態では、第１及び第２金属グリッド線の両方を、同時に形成することができる。次に、追加的なコンタクトが、太陽電池２００を組み込んだエネルギーシステムの他の構成要素によって、第１及び第２金属グリッド線２９０、２９２になされ得る。

【0032】

少なくとも１つの例示的実施形態が、上述の発明を実施するための形態で提示されてきたが、莫大な数の変形例が存在することを認識するべきである。本明細書に記載される例示的実施形態は、特許請求される主題の範囲、適用性、又は構成を限定する意図が全くないこともまた、認識するべきである。むしろ、上述の発明を実施するための形態は、当業者に、説明される実施形態を実践するための簡便な指針を提供するものである。本特許出願が出願される時点での、既知の等価物、及び予見可能な等価物を含む、特許請求の範囲によって規定される範囲から逸脱することなく、諸要素の機能及び配置に、様々な変更が実施可能であることを理解するべきである。
（項目１）
シリコン基板を含む太陽電池を製造する方法であって、シリコン基板が通常動作時に太陽に面する前面及び上記前面と反対の裏面を有し、
上記方法は、
上記裏面上に薄い誘電体層及び上記薄い誘電体層上に成膜されたシリコン層を有するシリコン基板を準備することと、
上記成膜されたシリコン層上にドーピング材料の層を形成することと、
上記ドーピング材料の層上に酸化物層を形成することと、
上記酸化物層、上記ドーピング材料の層及び上記成膜されたシリコン層を交差指型パターンに部分的に除去することと、
昇温して上記ドーピング材料の層から上記成膜されたシリコン層にドーパントを移動させると同時に、酸化物層を成長させることと、
ドーピングされた結晶化ポリシリコン層を形成するために、上記成膜されたシリコン層に上記ドーピング材料の層からのドーパントをドーピングすることと、
上記太陽電池の上記裏面上に、ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体及び反射防止コーティングを成膜することと、
上記太陽電池の上記前面上に、ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体及び反射防止コーティングを成膜することとを含む方法。
（項目２）
上記シリコン基板を準備することが、Ｎ型バルクシリコンのシリコン基板を準備することを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記シリコン基板を準備することが、Ｐ型バルクシリコンのシリコン基板を提供することを含む、項目１に記載の方法。
（項目４）
上記成膜されたシリコン層上にドーピング材料の層を形成することが、上記成膜されたシリコン層上にポジ型ドーピング材料の層を形成することを含む、項目１に記載の方法。
（項目５）
上記成膜されたシリコン層上にドーピング材料の層を形成することが、上記成膜されたシリコン層上にネガ型ドーピング材料の層を形成することを含む、項目１に記載の方法。
（項目６）
上記ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体を成膜することが、ドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコンを成膜することを含む、項目１に記載の方法。
（項目７）
上記ドーピングされたワイドバンドギャップ半導体を成膜することが、１．０５電子ボルトより大きいバンドギャップを有する半導体を成膜することを含む、項目１に記載の方法。
（項目８）
上記酸化物層、上記ドーピング材料の層及び上記成膜されたシリコン層を交差指型パターンに部分的に除去することが、上記酸化物層、上記ドーピング材料の層及び上記成膜されたシリコン層を除去するためにエッチングプロセスを使用することを含む、項目１に記載の方法。
（項目９）
上記酸化物層、上記ドーピング材料の層及び上記成膜されたシリコン層を上記交差指型パターンに部分的に除去することが、上記酸化物層、上記ドーピング材料の層及び上記成膜されたシリコン層を除去するためにアブレーションプロセスを使用することを含む、項目１に記載の方法。
（項目１０）
上記太陽電池の上記前面上に反射防止コーティングを成膜することが、窒化ケイ素を成膜することを含む、項目１に記載の方法。
（項目１１）
シリコン基板を備える太陽電池を製造する方法であって、上記シリコン基板が、通常動作時に太陽に面する前面及び上記前面と反対の裏面を有し、
上記方法は、
上記裏面上に薄い誘電体層を及び上記薄い誘電体層上にドーピングされたシリコン層を有するシリコン基板を準備することと、
上記ドーピングされたシリコン層上に酸化物層を形成することと、
上記酸化物層及び上記ドーピングされたシリコン層を交差指型パターンに部分的に除去することと、
テクスチャ化シリコン領域を形成するために、露出した上記シリコン基板をエッチングすることと、
酸素が供給される環境で上記シリコン基板を加熱することによって、上記太陽電池の上記裏面上に酸化ケイ素層を成長させることであって、上記ドーピングされたシリコン層を結晶化して、ドーピングされたポリシリコン層を形成することと、
上記太陽電池の上記前面及び上記裏面上に、ドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコン及び反射防止コーティングを同時に成膜することと、
一連のコンタクト開口部を形成するために、上記反射防止コーティング、上記ドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコン及び上記酸化物層を部分的に除去することと、
上記ドーピングされたポリシリコンに電気的に結合される第１金属グリッド、及び、上記太陽電池の上記裏面の上記交差指型パターンの一部分に電気的に結合される第２金属グリッドを同時に形成することと、を含む、方法。
（項目１２）
上記ドーピングされたポリシリコン層が、負ドーピングされたポリシリコンの層を含む、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
上記ドーピングされたポリシリコン層が、正ドーピングされたポリシリコンの層を含む、項目１１に記載の方法。
（項目１４）
上記太陽電池の上記前面及び裏面上に反射防止コーティングを成膜することが、上記太陽電池の上記裏面及び前面に窒化ケイ素を成膜することを含む、項目１１に記載の方法。
（項目１５）
シリコン基板を備える太陽電池を製造する方法であって、上記シリコン基板が、通常動作時に太陽に面する前面及び上記前面と反対の裏面を有し、
上記方法は、
上記裏面に薄い誘電体層を及び上記薄い誘電体層上にドーピングされたシリコン層を有するシリコン基板を準備することと、
上記ドーピングされたシリコン層上に酸化物層を形成することと、
上記酸化物層及び上記ドーピングされたシリコン層を交差指型パターンに部分的に除去することと、
テクスチャ化シリコン領域を形成するために、露出した上記シリコン基板をエッチングすることと、
酸素が供給される環境で上記シリコン基板を加熱することによって、上記太陽電池の上記裏面上に酸化ケイ素層を成長させることであって、上記シリコン層を結晶化して、ドーピングされたポリシリコン層を形成することと、
上記太陽電池の上記裏面上にドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコン及び反射防止コーティングを成膜することと、
上記太陽電池の上記前面上にドーピングされたワイドバンドギャップアモルファスシリコン及び反射防止コーティングを成膜することと、を含む方法。
（項目１６）
上記ドーピングされたポリシリコン層が、リンを含む、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
上記ドーピングされたポリシリコン層が、ホウ素を含む、項目１５に記載の方法。
（項目１８）
シリコン基板を備える太陽電池を製造する方法であって、上記シリコン基板が、正常動作時に太陽に面する前面及び上記前面と反対の裏面を有し、
上記方法は、
上記裏面上に薄い誘電体層を及び上記薄い誘電体層上にドーピングされたシリコン層を有するシリコン基板を準備することと、
上記ドーピングされたシリコン層上に酸化物層を形成することと、
上記酸化物層及び上記ドーピングされたシリコン層を交差指型パターンに部分的に除去することと、
酸素が供給される環境で上記シリコン基板を加熱することによって、上記太陽電池の上記裏面上に酸化ケイ素層を成長させることであって、上記シリコン層を結晶化して、ドーピングされたポリシリコン層を形成することと、
上記太陽電池の上記裏面上にドーピングされたワイドバンドギャップ半導体を成膜することと、
上記太陽電池の上記前面上にドーピングされたワイドバンドギャップ半導体及び反射防止コーティングを成膜することと、を含む方法。
（項目１９）
上記シリコン基板を準備することが、Ｎ型バルクシリコンのシリコン基板を準備することを含む、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
上記シリコン基板を準備することが、Ｐ型バルクシリコンのシリコン基板を準備することを含む、項目１８に記載の方法。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】