特許7121656IP Force 特許公報全文掲載

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一般に、折畳式電子デバイス組立体、これらの組立体のためのカバー要素、並びにこれらの要素及び組立体を作製するための様々な方法に関する。より詳細には、これらの要素及び組立体の、曲げ可能な、耐衝撃性かつ耐反り性のバージョン、並びにこれらを作製するための方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

従って、可撓性基板並びに／又はディスプレイ用途及び機能における信頼できる使用のため、特に可撓性電子デバイス用途のための、改良された折畳式電子デバイス組立体、及びこれらの組立体のためのカバー要素に対して、需要が存在する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

いくつかの実施形態によると、厚さ約２５μｍ～約２００μｍの折畳式ガラス要素を含む、折畳式電子デバイスのためのカバー要素が提供され、ガラス要素は更に：（ａ）第１の主表面、（ｂ）第２の主表面、及び（ｃ）ガラス要素の第１の主表面からガラス要素内の第１の深さまで延在する圧縮応力領域を備え、領域は、ガラス要素の第１の主表面における、少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本開示のいくつかの実施形態による、折畳式ガラス要素と、ポリマー層と、折畳式電子デバイス基板とを備える折畳式電子デバイス組立体の斜視図
【図1A】 曲率中心を組立体の基板側とした曲げ力に供した、図１に示すデバイス組立体の斜視図
【図1B】 図１に示すデバイス組立体の断面図
【図1C】 いくつかの実施形態による、イオン交換プロセスによって形成された圧縮応力領域を有する折畳式ガラス要素を含むものとしての、図１に示すデバイス組立体の断面図
【図1D】 いくつかの実施形態による、コア領域及び２つのクラッド領域を備えたガラス層を有する折畳式ガラス要素を含むものとしての、図１に示すデバイス組立体の断面図
【図2】 本開示のいくつかの実施形態による、３つのガラス層を備えた折畳式ガラス要素と、ポリマー層と、折畳式電子デバイス基板とを備える折畳式電子デバイス組立体の斜視図
【図2A】 曲率中心を組立体の基板側とした曲げ力に供した、図２に示すデバイス組立体の斜視図
【図3】 本開示のいくつかの実施形態による、折畳式ガラス要素と、ポリマー層と、折畳式電子デバイス基板とを備える折畳式電子デバイス組立体の斜視図
【図3A】 曲率中心を組立体のポリマー層側とした曲げ力に供した、図３に示すデバイス組立体の斜視図
【図3B】 図３に示すデバイス組立体の断面図
【図4】 本開示のある態様による、ガラス構造体及びガラス要素を備えるカバー要素の斜視図
【図4A】 曲げ力に供した、図４に示すカバー要素の斜視図
【図4B】 図４に示すカバー要素の断面図
【図5】 本開示のある態様による、ガラス構造体及びガラス要素を備えるカバー要素の斜視図
【図5A】 曲げ応力を受けた図５に示すカバー要素の斜視図
【図5B】 図５に示すカバー要素の断面図
【図6】 本開示のある態様による、ガラス層の厚さの関数としての破損穿刺荷重試験のデータのプロット
【図7A】 落下試験１に供した後の、比較例の折畳式電子デバイス組立体のポリイミド層の表面及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層の表面の一連の写真
【図7B】 落下試験１に供した後の、本開示のいくつかの実施形態による折畳式電子デバイス組立体のポリイミド層の表面、ガラス要素の表面及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層の表面の一連の写真
【図8A】 本開示のいくつかの実施形態による、イオン交換プロセスステップ後の７５μｍ厚の折畳式ガラス要素内の深さに対する圧縮応力のプロット
【図8B】 本開示のいくつかの実施形態による、イオン交換プロセスステップ及びライトエッチングステップ後の７５μｍ厚の折畳式ガラス要素内の深さに対する圧縮応力のプロット
【図9A】 厚さ２５、５０及び１００μｍ並びに曲げ半径３、５及び７ｍｍの３つの組成物のガラス層に関する、推定応力強度係数の概略的なプロット
【図9B】 本開示のある態様による、厚さ５０μｍ及び曲げ半径５ｍｍの、圧縮応力領域を有する又は有しない、３つの組成物のガラス層に関する、推定応力強度係数の概略的なプロット
【図10】 本開示の更なる態様による、厚さ２５、５０、７５及び１００μｍ並びに曲げ半径５ｍｍの、イオン交換プロセスによって成長させた圧縮応力領域を有する又は有しない、１つの組成物のガラス層の表面における、推定最大応力レベルの概略的なプロット
【図11】 本開示のある態様による、７５μｍの厚さ及びイオン交換プロセスによって成長させた圧縮応力領域を有する１つの組成物のガラス層に関する、破損穿刺荷重試験のデータのプロット
【図12】 本開示の更なる態様による、２５、５０、７５及び１００μｍの厚さ並びに１０及び２０ｍｍの曲げ半径と、ガラス層のコア領域とクラッド領域との間の熱膨張係数のミスマッチによって成長させた圧縮応力領域とを有する３つの組成物のガラス層に関する、推定応力強度係数の概略的なプロット
【図13】 本開示のある態様による、２グループのガラス試料に関する、破損時荷重に対する破損蓋然性のワイブルプロット
【図14】 圧縮応力が塩とガラスとの間の金属イオン交換によってもたらされる、本開示の実施形態による折畳式ガラス要素に関する応力プロファイル
【図15】 曲げ応力に供した場合の、本開示の実施形態による折畳式ガラス要素に関する応力プロファイル
【図16】 図６及び７の応力プロファイルを加算したものを示す、結果的な応力プロファイル
【図17】 多様な異なる複数のガラス試料の２点曲げ時の、強度に対する破損蓋然性のワイブルプロット
【図18】 キューブコーナー接触後の多様な異なる複数のガラス試料の２点曲げ時の、強度に対する破損蓋然性のワイブルプロット
【図19A】 １ｋｇｆ（９．８０６６５Ｎ）の荷重下でのビッカース圧子を用いた押し込み後の、本開示の複数の態様による試料ガラス
【図19B】 ２ｋｇｆ（１９．６１３３Ｎ）の荷重下でのビッカース圧子を用いた押し込み後の、本開示の複数の態様による試料ガラス
【図19C】 １ｋｇｆ（９．８０６６５Ｎ）の荷重下でのビッカース圧子を用いた押し込み後の、比較用ガラス
【図19D】 ２ｋｇｆ（１９．６１３３Ｎ）の荷重下でのビッカース圧子を用いた押し込み後の、比較用ガラス
【図20】 ２点曲げ試験の構成
【図21】 本開示のある態様による、異なる複数のカバー要素の構成に関する、ガラス要素破損時のペン落下高さのプロット

代表図 図1本件の代表的な図

４０ 曲げ半径、曲げ曲率半径 ４２ 曲げ力 ５０ 折畳式ガラス要素 ５０ａ ガラス層 ５２ ガラス要素５０の厚さ ５２ａ ガラス層５０ａの厚さ ５２ｅ ガラス層５０ｅの厚さ ５４ 第１の主表面 ５４ａ ガラス層５０ａの第１の主表面 ５４ｅ ガラス層５０ｅの第１の主表面 ５５ａ コア領域 ５５ｂ コア領域厚さ ５６ 第２の主表面 ５６ａ ガラス層５０ａの第２の主表面 ５６ｅ ガラス層５０ｅの第２の主表面 ５７ａ 第１及び第２のクラッド領域 ５７ｂ クラッド領域厚さ ５８ｂ 縁部 ５９ａ 縁部圧縮応力領域 ５９ｂ 縁部深さ ６０ 圧縮応力領域 ６０ａ 圧縮応力領域 ６０ｂ 圧縮応力領域 ６２ 第１の深さ ６２ａ 第１のイオン交換深さ ６２ｂ ＣＴＥ領域深さ ６３ａ 第２のイオン交換深さ ６３ｂ ＣＴＥ領域深さ ７０ ポリマー層 ７２ ポリマー層７０の厚さ ８０ 接着剤 ９０ 耐引掻きコーティング ９２ コーティング９０の厚さ ９６ ガラス構造体１１０の中央領域 ９８ ガラス構造体１１０の縁部 １００ カバー要素 １００ａ カバー要素 １００ｂ カバー要素 １００ｃ カバー要素 １００ｄ カバー要素 １００ｅ カバー要素（又はガラス物品） １００ｆ カバー要素（又はガラス物品） １０２ ガラス構造体１００の厚さ １１０ ガラス構造体 １５０ 折畳式電子デバイス基板 １５２ 折畳式電子デバイス基板１５０の厚さ ２００ 折畳式電子デバイス組立体 ２００ａ 折畳式電子デバイス組立体 ２００ｂ 折畳式電子デバイス組立体 ２００ｃ 折畳式電子デバイス組立体 ２００ｄ 折畳式電子デバイス組立体 ２１０２ 平行プレート ２１０４ 平行プレート

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