特許 7125062出願番号 特願 2019-11524
判定方法及び処理方法
出願人 株式会社東芝（識別番号 3078）
2026年 特許公開件数ランキング 8位 1,367件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8位 1,069件（※）
出願人 東芝メモリ株式会社（識別番号 318010018）
2026年 特許公開件数ランキング 29位 549件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 201位 121件（※）
出願人 国立大学法人東北大学（識別番号 504157024）
2026年 特許公開件数ランキング 269位 178件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 176位 221件（※）
公報発行日 2022年8月24
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7125062 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
判定方法及び処理方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
実施形態の目的は、ケイ素及びハロゲンを含む物質を反応させる、或いは、ケイ素を含む物質とハロゲンを含む物質を反応させる工程において生じる副生成物の処理の進行を判定する方法、並びに、この判定方法を利用した副生成物の処理方法を提供することにある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
実施形態によると、判定方法が提供される。判定方法は、ケイ素及びハロゲンを含む物質を反応させる、或いは、ケイ素を含む物質とハロゲンを含む物質を反応させる工程において生じる副生成物の処理の進行を判定する。副生成物の処理は、副生成物に水を含む処理液を接触させて第１固形物を得ることを含む。判定方法は、第１固形物についてのＳｉ－α結合（αはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種であ・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
副生成物に係る２９Ｓｉ ＮＭＲスペクトルの一例を示すグラフ。
【図2】
副生成物に係るＨ－Ｓｉシフト相関二次元ＮＭＲスペクトルの一例を示すグラフ。
【図3】
エピタキシャル成長装置の一例を概略的に示す斜視図。
【図4】
副生成物の加水分解生成物に係る２９Ｓｉ ＮＭＲスペクトルの一例を示すグラフ。
【図5】
試料Ａ～Ｄに係る赤外分光スペクトルの一例を示すグラフ。
【図6】
図５に示すグラフの一部を拡大したグラフ。
【図7】
試料Ａ～Ｄに係るラマンスペクトルの一例を示すグラフ。
【図8】
図７に示すグラフの一部を拡大したグラフ。
代表図 図1本件の代表的な図
１…エピタキシャル成長装置、１０…装置本体、１１…筐体、１２…反応室、１３…排出管、２０…除害装置、３０…接続部、３１…配管、３２…配管、１３１…配管、１３２…配管、１３３…配管、１３４…配管、１３５…配管、ＣＩＶ…反応室独立バルブ、ＰＣＶ…圧力調整バルブ。
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