特許 7125465 発光素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-08-16

(45)【発行日】2022-08-24

(54)【発明の名称】発光素子

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/38 20100101AFI20220817BHJP

   H01L 33/46 20100101ALI20220817BHJP

   H01L 33/10 20100101ALI20220817BHJP

【ＦＩ】

H01L33/38

H01L33/46

H01L33/10

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2020193621

(22)【出願日】2020-11-20

(65)【公開番号】P2021141307

(43)【公開日】2021-09-16

【審査請求日】2020-11-20

(31)【優先権主張番号】202010151268.0

(32)【優先日】2020-03-06

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】310014779

【氏名又は名称】隆達電子股▲ふん▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100102532

【弁理士】

【氏名又は名称】好宮 幹夫

(74)【代理人】

【識別番号】100194881

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 俊弘

(72)【発明者】

【氏名】蔡沛修

(72)【発明者】

【氏名】陳怡如

(72)【発明者】

【氏名】許乃偉

(72)【発明者】

【氏名】余威徴

【審査官】右田 昌士

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１９８０２２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－０９２４７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特許第６６３５２０６（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】特開２０１７－１２０８７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１８－００２４５５５（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１２１０５８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００ － ３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

２つの電極を有する発光素子であって、
半導体構造と、
前記半導体構造の一部に設けられる反射構造と、
前記反射構造の上面の第１部を被覆する第１の凸出部と、前記反射構造の前記上面の第２部を被覆する第２の凸出部と、前記反射構造の前記上面の前記第１部と前記第２部との間の第３部を露出させ、且つ前記第１の凸出部と前記第２の凸出部の間に位置する第１の凹み部と、前記半導体構造の周縁部の上面に位置する第１の周縁の上面を露出させる第２の凹み部と、を含む第１の絶縁構造と、
前記第１の凸出部に設けられ、前記第２の凹み部によって前記半導体構造の前記第１の周縁の上面に電気的に接触する第１の導電部と、前記第２の凸出部に設けられ、前記第１の凹み部によって前記反射構造の前記第３部に電気的に接触する第２の導電部と、前記第１の導電部と前記第２の導電部の間に位置し、前記第１の導電部と前記第２の導電部を電気的に隔離する凹溝部と、を含む導電構造と、
前記第１の導電部に設けられる第１のパッドと、（ここで、第１の電極は前記第１のパッドと前記第１の導電部で形成される。）
前記第２の導電部に設けられる第２のパッドと、（ここで、第２の電極は前記第２のパッドと前記第２の導電部で形成される。）
を備え、
前記第１のパッドと前記第２のパッドの真下の領域内の各構造の何れも平坦状に積層し、且つ如何なる凸状又は凹状の設計も存在しない発光素子。

【請求項2】

前記導電構造は、水平方向に前記導電構造の中心へ凹む形状となるように、前記導電構造の周縁に位置する複数の内凹部を更に含む請求項１に記載の発光素子。

【請求項3】

前記第１の絶縁構造は、前記半導体構造の第２の周縁の上面を被覆する第３の凸出部を更に含み、
前記第２の周縁の上面は、前記半導体構造の前記周縁部の前記上面にあって、前記第１の周縁の上面の外側に位置する請求項１又は２に記載の発光素子。

【請求項4】

前記導電構造の一部と前記第３の凸出部を被覆し、前記凹溝部によって前記第１の絶縁構造の前記第１の凸出部に接触し、前記第１のパッドと前記第２のパッドを対応的に露出させる形状を含む第２の絶縁構造を更に備え、
前記導電構造の前記一部と前記第３の凸出部は、前記第１のパッドと前記第２のパッドの真下の前記領域外に位置する請求項３に記載の発光素子。

【請求項5】

前記第２の絶縁構造は、前記第１のパッド及び前記第２のパッドに直接つながっていない請求項４に記載の発光素子。

【請求項6】

前記半導体構造は、下から上へ順に第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を含む請求項１～５の何れか１項に記載の発光素子。

【請求項7】

前記活性層、前記第２の半導体層、前記反射構造の前記第１部、及び前記第１の絶縁構造の前記第１の凸出部を通過して前記第１の半導体層を露出させる少なくとも１つの貫通孔を更に含み、前記第１の導電部は前記貫通孔によって前記第１の半導体層に接触する請求項６に記載の発光素子。

【請求項8】

基板を更に備え、前記半導体構造は前記基板に設けられる請求項１～７の何れか１項に記載の発光素子。

【請求項9】

前記第１の絶縁構造は、前記反射構造の上面及び前記半導体構造の側壁に形成されるブラッグ反射鏡を更に含み、前記ブラッグ反射鏡の構造は、各々隣接するサブ層の屈折率と異なる屈折率を有する複数対のサブ層を含む請求項１～８の何れか１項に記載の発光素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、発光素子に関し、特に、フリップチップ型の発光素子に関する。

【背景技術】

【0002】

発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）は、半導体材料製の発光素子であり、電気エネルギーを光に変換することができ、体積が小さく、エネルギー変換効率が高く、寿命が長く、省電力である等のメリットを有するため、様々な電子装置の光源に広く適用されている。

【0003】

現在、フリップチップ型発光ダイオードは、従来の発光ダイオードの発光効率を向上させたが、電流拡散の不均一により発光輝度が低く、且つ共結晶面の不整により応力抵抗力が低くなる。これに鑑みて、従来の技術には改善の余地がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示の一実施形態の目的は、均一な発光と高応力抵抗力の効果を達成させる発光素子を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一実施形態は、半導体構造と、半導体構造の一部に設けられる反射構造と、第１の凸出部、第２の凸出部、第１の凹み部及び第２の凹み部を含み、該第１の凸出部が反射構造の第１部を被覆し、該第２の凸出部が反射構造の第２部を被覆し、該第１の凹み部が反射構造の第１部と第２部との間の第３部を露出させ、且つ第１の凸出部と第２の凸出部を仕切り、該第２の凹み部が半導体構造の第１の周縁の上面を露出させる第１の絶縁構造と、第１の導電部、第２の導電部及び凹溝部を含み、該第１の導電部が第１の凸出部に設けられ、第２の凹み部によって半導体構造の第１の周縁の上面に接触し、該第２の導電部が第２の凸出部に設けられ、第１の凹み部によって反射構造の第３部に接触し、該凹溝部が第１の導電部と第２の導電部を仕切る導電構造と、第１の導電部に設けられる第１のパッドと、第２の導電部に設けられる第２のパッドと、を備え、第１のパッドと第２のパッドの真下の各構造の何れも平坦状に積層し、且つ如何なる凸状又は凹状の設計も存在しない発光素子を提供する。

【0006】

ある実施形態において、導電構造は、水平方向に導電構造の中心へ収縮するように、導電構造の周縁に位置する複数の内凹部を更に含む。

【0007】

ある実施形態において、第１の絶縁構造は、第１の周縁の上面の外側に位置する半導体構造の第２の周縁の上面を被覆する第３の凸出部を更に含む。

【0008】

ある実施形態において、発光素子は、導電構造と第３の凸出部を被覆し、凹溝部によって第１の絶縁構造の前記第１の凸出部に接触し、第１のパッドと第２のパッドを対応的に露出させる形状を含む第２の絶縁構造を更に備える。

【0009】

ある実施形態において、第２の絶縁構造は、第１のパッド及び第２のパッドに直接つながっていない。

【0010】

ある実施形態において、半導体構造は、下から上へ順に第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を含む。

【0011】

ある実施形態において、発光素子は、活性層、第２の半導体層、反射構造の第１部、及び第１の絶縁構造の第１の凸出部を通過して第１の半導体層を露出させる少なくとも１つの貫通孔を更に含み、第１の導電部は貫通孔によって第１の半導体層に接触する。

【0012】

ある実施形態において、発光素子は、基板を更に含み、半導体構造は基板に設けられる。

【0013】

ある実施形態において、第１の絶縁構造は、反射構造の上面及び半導体構造の側壁に形成されるブラッグ反射鏡を更に含み、ブラッグ反射鏡の構造は、各々隣接するサブ層の屈折率と異なる屈折率を有する複数対のサブ層を含む。

【図面の簡単な説明】

【0014】

本開示の様々な態様は、以下の詳細な説明を図面に合わせて読めば最も理解されやすくなる。注意すべきなのは、業界基準の操作手順によると、各種の特徴構造は縮尺通りに描かれていないこともある。実際には、議論の明確性のために、様々な構成の寸法は随意に増大させられ又は減少させられることがある。下記図面の説明は、本発明の前記または他の目的、特徴、メリット、実施例をより分かりやすくするためのものである。

【図1】本開示の一実施形態の発光素子を示す上面図である。

【図2】図１の線分Ａ-Ａ’に沿って開示する発光素子の断面図である。

【図3】図１の線分Ｂ-Ｂ’に沿って開示する発光素子の断面図である。

【図4】図１で開示される発光素子の半導体構造の平面図である。

【図5】図１で開示される発光素子の反射構造の平面図である。

【図6】図１で開示される発光素子の第１の絶縁構造の平面図である。

【図7】図１で開示される発光素子の導電構造の平面図である。

【図8】図１で開示される発光素子の第２の絶縁構造の平面図である。

【図9】図１で開示される発光素子の第１のパッドと第２のパッドの平面図である。

【図10】本開示の実施形態の一例を示した発光素子の導電構造を示す平面図である。

【図11】本開示の実施形態の一例を示した発光素子の導電構造を示す平面図である。

【図12】本開示の実施形態の一例を示した発光素子の導電構造を示す平面図である。

【図13】本開示の実施形態の一例を示した発光素子の導電構造を示す平面図である。

【図14】本開示の実施形態の一例を示した発光素子の導電構造を示す平面図である。

【図15】本開示の実施形態の一例を示した発光素子を示す平面図である。

【図16】本開示の実施形態の一例を示した発光素子を示す平面図である。

【図17】本開示の実施形態の一例を示した発光素子を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

本開示内容の記述をより詳細化して、充実させるためには、以下、本発明の実施態様と具体的な実施例について、説明的な描述を提出するが、これは本発明の具体的な実施例を実施又は運用する唯一の形式ではない。下記開示された各実施例は、有益な状況で互に組み合わせ又は取って代ってもよいし、１つの実施例に他の実施例を加えてもよく、更に記載し又は説明する必要はない。以下の叙述において、下記の実施例を読者に十分に理解させるために、多くの所定の細部を詳しく記述する。しかしながら、これらの所定の細部がない場合でも、本発明の実施例を実行することができる。

【0016】

また、「下」、「上」等の空間の相対的な用語は、ある要素又は特徴と、他の要素又は特徴との図面における相対的関係を記述しやすくするためのものである。これらの空間上の相対的な用語は、図面に示す方位以外の、使用又は操作の時の異なる方位を含むことを目指す。装置は、別の方法で配置されてもよく（９０°回転又は他の方位）、これに対して、ここで用いられる空間的相対記述は、対応的に解釈される。

【0017】

本明細書において、本文で冠詞について特に限定しない限り、「一つ」と「前記」は、単一又は複数のものを指してよい。更に理解されるのは、本明細書で用いられる「含む」、「備える」、「有する」及び類似の用語は、記載される特徴、領域、整数、工程、操作、素子及び／又は部材を指すが、その記述又は追加する一つ又は複数の他の特徴、領域、整数、工程、操作、素子、部材、及び／又はその中の群を排除しない。

【0018】

以下、本開示の発光素子をより詳しく説明するために、複数の実施例及び実験例を挙げるが、単に例示的に説明するためのものであり、本開示を限定するものではなく、本開示の保護範囲は添付の特許請求の範囲により定められたものを基準とすべきである。

【0019】

本開示のある実施形態において、下記の図面を参照されたい。図１は本開示の一実施形態の発光素子を示す上面図であり、図２は図１の線分Ａ-Ａ’に沿って開示する発光素子の断面図であり、図３は図１の線分Ｂ-Ｂ’に沿って開示する発光素子の断面図である。図４～図９は、図１で開示される発光素子の流れ図である。本開示の発光素子は、基板１０、半導体構造２０、反射構造３０、第１の絶縁構造４０、導電構造５０、第２の絶縁構造６０、第１のパッド７０、第２のパッド８０及び貫通孔９０を含む。

【0020】

基板１０は、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板であってよいが、これに限定されない。一実施形態において、基板１０は、成長基板であり、半導体構造２０をエピタキシャル成長させることに用いられ、リン化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）を成長させるためのヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）ウェーハ、又は窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）を成長させるためのサファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）ウェーハ、窒化ガリウム（ＧａＮ）ウェーハ又は炭化珪素（ＳｉＣ）ウェーハを含む。

【0021】

半導体構造２０は、前記基板１０に設けられる。半導体構造２０は、下から上へ順に第１の半導体層２１、活性層２２及び第２の半導体層２３を含む。一実施形態において、第１の半導体層２１は、中央が盛り上がった凸字形となり、その周縁の上面が外側から内側へ順に第２の周縁の上面２０２、第１の周縁の上面２０１、及び第３の周縁の上面２０３であり、第３の周縁の上面２０３が中央凸起に隣接する。一実施形態において、活性層２２は、第１の半導体層２１の中央凸起に設けられる。一実施形態において、第１の半導体層２１及び第２の半導体層２３は、被覆層（ｃｌａｄｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）であってよく、その両者が異なる導電形態、電気特性、極性を有し、又はドープされた元素によって電子又は正孔を提供する。例えば、第１の半導体層２１はｎ型電気特性の半導体層であり、第２の半導体層２３はｐ型電気特性の半導体層である。活性層２２は第１の半導体層２１と第２の半導体層２３との間に形成され、電子と正孔が電流駆動によって活性層２２内に複合して、電気エネルギーを光エネルギーに変換して、光線を発する。

【0022】

反射構造３０は、半導体構造２０の一部に設けられる。一実施形態において、反射構造３０は、中央が盛り上がった凸字形となる。詳しくいうと、反射構造３０は第２の半導体層２３の上面外周縁内に位置し、第１の絶縁構造４０は半導体構造２０の上面外周縁、第２の半導体層２３の側壁、活性層２２の側壁及び第３の周縁の上面２０３を被覆する。反射構造３０の材料は、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）又は上記材料の合金のような、活性層２２の発射する光線に対して高反射率を持つ金属材料を含む。一実施形態において、反射構造３０は、その下に形成されるブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）を更に含む。ブラッグ反射鏡の構造は、複数対のサブ層を含み、且つサブ層の各々は隣接するサブ層の屈折率と異なる屈折率を有する。

【0023】

第１の絶縁構造４０は、第１の凸出部４１、第２の凸出部４２、第３の凸出部４３、第１の凹み部４４及び第２の凹み部４５を含む。第１の凸出部４１は反射構造３０の第１部３１を被覆する。第２の凸出部４２は反射構造３０の第２部３２を被覆する。第３の凸出部４３は半導体構造２０の第２の周縁の上面２０２を被覆し、第２の周縁の上面２０２が第１の周縁の上面２０１の外側に位置する。第１の凹み部４４は、反射構造３０の第１部３１と第２部３２との間の第３部３３を露出させ、且つ第１の凸出部４１と第２の凸出部４２を仕切る。第２の凹み部４５は半導体構造２０の第１の周縁の上面２０１を露出させる。一実施形態において、第１の絶縁構造４０の材料は、非導電材料を含む。非導電材料は、有機材料、無機材料又は誘電材料を含む。有機材料は、Ｓｕ８、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、パーフルオロシクロブタン（ＰＦＣＢ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、アクリル樹脂（Ａｃｒｙｌｉｃ Ｒｅｓｉｎ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＣ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｉｍｉｄｅ）又はフルオロカーボンポリマー（Ｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）を含む。無機材料は、シリコーン（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）又はガラス（Ｇｌａｓｓ）を含む。誘電材料は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）、又はフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_ｘ）を含む。一実施形態において、第１の絶縁構造４０は、反射構造３０の上面及び半導体構造２０の側壁に形成されるブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）を含んでよく、これにより、反射構造の被覆できない領域を補償して、全体の反射能力を高め、発光素子の輝度を向上させることができる。ブラッグ反射鏡の構造は、複数対のサブ層を含み、且つサブ層の各々は隣接するサブ層の屈折率と異なる屈折率を有する。

【0024】

導電構造５０は、第１の導電部５１、第２の導電部５２、凹溝部５３を含む。第１の導電部５１は、第１の凸出部４１に設けられ、第２の凹み部４５によって半導体構造２０の第１の周縁の上面２０１に接触する。第２の導電部５２は、第２の凸出部４２に設けられ、これらの第１の凹み部４４によって反射構造３０の第３部３３に接触する。凹溝部５３は、第１の導電部５１と第２の導電部５２を仕切るためのものである。一実施形態において、導電構造５０の材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ニッケル、銀、チタン、亜鉛、銅、金、白金、タングステン、アルミニウム、クロム又は上記金属の合金である。導電構造５０は、第２の凹み部４５によって半導体構造２０の第１の周縁の上面２０１に接触して、Ｎ電極の電流を均一に拡散可能にし、発光を均一にする。

【0025】

一実施形態において、図１０～図１４に示すように、導電構造５０は、複数の内凹部５４を更に含む。これらの内凹部５４は、水平方向に導電構造５０の中心へ収縮するように、導電構造５０の周縁に位置する。具体的には、図１０及び図１１は対称配列に属し、図１２、図１３及び図１４は非対称配列に属する。導電構造５０の外周にこれらの内凹部５４を有するので、導電構造５０外周は囲むリング状ではなく、Ｎ電極の電流が依然として均一に拡散することができ、発光を均一にする。

【0026】

第２の絶縁構造６０は、導電構造５０と第３の凸出部４３を被覆し、凹溝部５３によって第１の絶縁構造４０のこれらの第１の凸出部４１に接触し、また第１のパッド７０と第２のパッド８０を対応的に露出させる形状を含む。一実施形態において、第２の絶縁構造６０は、第１のパッド７０及び第２のパッド８０につながっていない。一実施形態において、第２の絶縁構造６０の材料は、非導電材料を含む。非導電材料は、有機材料、無機材料又は誘電材料を含む。有機材料は、Ｓｕ８、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、パーフルオロシクロブタン（ＰＦＣＢ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、アクリル樹脂（Ａｃｒｙｌｉｃ Ｒｅｓｉｎ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＣ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｉｍｉｄｅ）又はフルオロカーボンポリマー（Ｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）を含む。無機材料は、シリコーン（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）又はガラス（Ｇｌａｓｓ）を含む。誘電材料は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）、又はフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_ｘ）を含む。

【0027】

第１のパッド７０は第１の導電部５１に設けられ、第２のパッド８０は第２の導電部５２に設けられる。第１のパッド７０と第２のパッド８０の真下の各構造の何れも平坦状に積層し、且つ如何なる凸状又は凹状の設計も存在しない。一実施形態において、第１のパッド７０及び第２のパッド８０は、例えば、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又は上記材料の合金のような、金属材料を含む。一実施形態において、第１のパッド７０はＮ-ＰＡＤであり、第２のパッド８０はＰ-ＰＡＤである。

【0028】

図１及び図３に示すように、貫通孔９０は活性層２２、第２の半導体層２３、反射構造３０の第１部３１、及び第１の絶縁構造４０の第１の凸出部４１を通過して第１の半導体層２１を露出させ、第１の導電部５１は貫通孔９０によって第１の半導体層２１に接触する。第１のパッド７０と第２のパッド８０の各々は３つの中間から外向きに凹む形状を有し、且つ凹底部に貫通孔９０を有する。

【0029】

本開示は、更に、多くの異なる形態の発光素子の実施形態を提供し、図１５～図１７は本開示の複数の実施形態の発光素子を示す平面図である。詳しくいうと、図１５において、第１のパッド７０と第２のパッド８０の各々は４つの中間から外向きに凹む形状を有し、且つ凹底部に貫通孔９０を有する。図１６において、第１のパッド７０と第２のパッド８０の各々は１つの中間から外向きに凹む形状を有し、且つ凹底部に貫通孔９０を有する。図１７において、第２のパッド８０は１つの中間外向きに僅かに凹んだ形状を有する。

【0030】

本開示の複数の実施形態において、図２～図３の断面図から分かるように、本開示は共結晶面の平坦化設計によって、応力抵抗力を向上させる。例えば第１のパッド７０と第２のパッド８０の真下の各構造の何れも平坦状に積層し（例えば、反射構造３０、第１の絶縁構造４０、導電構造５０の何れも連続的な平面である）、且つ如何なる凸状又は凹状の設計も存在しない。それと同時に、第１のパッド７０と第２のパッド８０が貫通孔９０をバイパスし、ここで依然として電流の分布が保有される。

【0031】

なお、本開示もリング状に設計される電極によって、Ｎ極の接触する領域を増加させて、フリップチップ型発光ダイオードの電流を拡散させて分布を均一化させる。例えば、導電構造５０は、第２の凹み部４５によって半導体構造２０の第１の周縁の上面２０１に接触する。

【0032】

本発明は、実施形態で前述の通りに開示されたが、それらに限定されなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修飾を加えてもよく、従って、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲で指定した内容を基準とするものである。

【符号の説明】

【0033】

１０:基板
２０:半導体構造
２０１:第１の周縁の上面
２０２:第２の周縁の上面
２０３:第３の周縁の上面
２１:第１の半導体層
２２:活性層
２３:第２の半導体層
３０:反射構造
３１:第１部
３２:第２部
３３:第３部
４０:第１の絶縁構造
４１:第１の凸出部
４２:第２の凸出部
４３:第３の凸出部
４４:第１の凹み部
４５:第２の凹み部
５０:導電構造
５１:第１の導電部
５２:第２の導電部
５３:凹溝部
５４:内凹部
６０:第２の絶縁構造
７０:第１のパッド
８０:第２のパッド
９０:貫通孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】