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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-08-22
(45)【発行日】2022-08-30
(54)【発明の名称】樹脂多層基板
(51)【国際特許分類】
B32B 27/00 20060101AFI20220823BHJP
B32B 27/30 20060101ALI20220823BHJP
B32B 27/18 20060101ALI20220823BHJP
B32B 7/027 20190101ALI20220823BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20220823BHJP
【ＦＩ】
B32B27/00 A
B32B27/30 D
B32B27/18 A
B32B7/027
H05K1/03 670
H05K1/03 630D
H05K1/03 610Q
H05K1/03 610H
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2021537342
(86)(22)【出願日】2020-08-05
(86)【国際出願番号】 JP2020029985
(87)【国際公開番号】W WO2021025055
(87)【国際公開日】2021-02-11
【審査請求日】2021-12-15
(31)【優先権主張番号】P 2019144542
(32)【優先日】2019-08-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000970
【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼田 亮介
(72)【発明者】
【氏名】西村 道治
【審査官】増永 淳司
(56)【参考文献】
【文献】特開平４－３４８１３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平３－１６００７９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１３７２９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１６０７４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１６４９０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１２１９５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／０９８０１１（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ３２Ｂ ２７／００
Ｂ３２Ｂ ２７／３０
Ｂ３２Ｂ ２７／１８
Ｂ３２Ｂ ７／０２７
Ｈ０５Ｋ １／０３
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の樹脂層を積層して形成される基材を備え、前記複数の樹脂層は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた複数の第１樹脂層と、第２樹脂層と、を有し、
前記第２樹脂層は、前記複数の第１樹脂層同士の密着性よりも、前記第１樹脂層との密着性が高く、フッ素樹脂を含み、
前記複数の第１樹脂層のうち少なくとも１以上の前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層と接合される、樹脂多層基板。
【化1】
【請求項2】
前記複数の第１樹脂層のうち、積層方向に隣接する少なくとも２つの前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層を介して接合される、請求項１に記載の樹脂多層基板。
【請求項3】
前記第２樹脂層の厚みは、前記複数の第１樹脂層の厚みよりも薄い、請求項１または２に記載の樹脂多層基板。
【請求項4】
剥離試験を行った際に、前記複数の樹脂層同士の界面は剥離せず、前記複数の樹脂層のいずれかの内部で凝集破壊される、請求項１から３のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項5】
前記複数の第１樹脂層は、所定の機能を有する添加剤が添加されている、請求項１から４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項6】
前記添加剤は、前記複数の樹脂層のＵＶ吸収性を高める機能を有する材料である、請求項５に記載の樹脂多層基板。
【請求項7】
前記添加剤は、前記複数の樹脂層の可撓性を高める機能を有する材料である、請求項５に記載の樹脂多層基板。
【請求項8】
前記基材に形成される導体パターンを備え、前記添加剤は、前記複数の樹脂層の熱膨張係数を下げる機能を有する材料である、請求項５に記載の樹脂多層基板。
【請求項9】
前記複数の樹脂層の面方向における熱膨張係数は、１０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である、請求項８に記載の樹脂多層基板。
【請求項10】
前記基材は曲げ部を有する、請求項１から９のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数の樹脂層を積層して形成した樹脂多層基板に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、低誘電率・低損失な材料として知られているノルボルネン系重合体は、高周波回路基板用の材料として期待されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１０－６５２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、ノルボルネン系重合体を含んだ樹脂層同士は密着性が低く、これらの樹脂層を積層して多層基板を形成するのは困難であるという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、ノルボルネン系重合体を含んだ複数の樹脂層を積層する構成において、樹脂層同士の界面の密着性を高めた樹脂多層基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の樹脂多層基板は、
複数の樹脂層を積層して形成される基材を備え、
前記複数の樹脂層は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた複数の第１樹脂層を有し、
前記複数の第１樹脂層のうち、積層方向に隣接する少なくとも２つの第１樹脂層の一方は、他方の第１樹脂層との界面側に、表面処理により変質された変質部を有し、
前記変質部同士の密着性、および、変質されていない非変質部と前記変質部との密着性は、前記非変質部同士の密着性よりも高いことを特徴とする。
複数の樹脂層を積層して形成される基材を備え、
前記複数の樹脂層は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた複数の第１樹脂層を有し、
前記複数の第１樹脂層のうち、積層方向に隣接する少なくとも２つの第１樹脂層の一方は、他方の第１樹脂層との界面側に、表面処理により変質された変質部を有し、
前記変質部同士の密着性、および、変質されていない非変質部と前記変質部との密着性は、前記非変質部同士の密着性よりも高いことを特徴とする。
【0007】
【化1】
【0008】
（一般式（１）中、Ｘは、Ｏ，－ＣＨ２－または－ＣＨ２－ＣＨ２－を示し、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、直鎖もしくは分岐した有機基、またはこれら有機基の一部がハロゲンもしくはニトリル基等で置換された誘導体から選ばれる基を含有する基を示す。上記有機基は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エポキシ基を含有する有機基、エーテル基を含有する有機基、（メタ）アクリル基を含有する有機基、エステル基を含有する有機基、ケトン基を含有する有機基である。これらの基は、アルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合されていてもよく、同一でも異なっていてもよい。ｍは１０～１００００の整数であり、ｎ１は０～５までの整数である。）。
【0009】
本発明の樹脂多層基板は、
複数の樹脂層を積層して形成される基材を備え、
前記複数の樹脂層は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた複数の第１樹脂層と、第２樹脂層と、を有し、
前記第２樹脂層は、前記複数の第１樹脂層同士の密着性よりも、前記第１樹脂層との密着性が高く、
前記複数の第１樹脂層のうち少なくとも１以上の前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層と接合されること特徴とする。
複数の樹脂層を積層して形成される基材を備え、
前記複数の樹脂層は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた複数の第１樹脂層と、第２樹脂層と、を有し、
前記第２樹脂層は、前記複数の第１樹脂層同士の密着性よりも、前記第１樹脂層との密着性が高く、
前記複数の第１樹脂層のうち少なくとも１以上の前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層と接合されること特徴とする。
【0010】
【化1】
【0011】
（一般式（１）中、Ｘは、Ｏ，－ＣＨ２－または－ＣＨ２－ＣＨ２－を示し、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、直鎖もしくは分岐した有機基、またはこれら有機基の一部がハロゲンもしくはニトリル基等で置換された誘導体から選ばれる基を含有する基を示す。上記有機基は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エポキシ基を含有する有機基、エーテル基を含有する有機基、（メタ）アクリル基を含有する有機基、エステル基を含有する有機基、ケトン基を含有する有機基である。これらの基は、アルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合されていてもよく、同一でも異なっていてもよい。ｍは１０～１００００の整数であり、ｎ１は０～５までの整数である。）。
【0012】
本発明の樹脂多層基板の製造方法は、
複数の樹脂層を積層して形成される基材を備える樹脂多層基板の製造方法であって、
前記複数の樹脂層は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた少なくとも１つの第１樹脂層を有し、
前記第１樹脂層は、前記ノルボルネン系重合体と反応する添加剤を含有し、
前記第１樹脂層の前記ノルボルネン系重合体と添加剤とを表面処理により反応させて、表面処理の効果の減衰に伴って、厚み方向において反応前の材料と反応後の材料との組成に傾斜を生じさせることを特徴とする。
複数の樹脂層を積層して形成される基材を備える樹脂多層基板の製造方法であって、
前記複数の樹脂層は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた少なくとも１つの第１樹脂層を有し、
前記第１樹脂層は、前記ノルボルネン系重合体と反応する添加剤を含有し、
前記第１樹脂層の前記ノルボルネン系重合体と添加剤とを表面処理により反応させて、表面処理の効果の減衰に伴って、厚み方向において反応前の材料と反応後の材料との組成に傾斜を生じさせることを特徴とする。
【0013】
【化1】
【0014】
（一般式（１）中、Ｘは、Ｏ，－ＣＨ２－または－ＣＨ２－ＣＨ２－を示し、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、直鎖もしくは分岐した有機基、またはこれら有機基の一部がハロゲンもしくはニトリル基等で置換された誘導体から選ばれる基を含有する基を示す。上記有機基は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エポキシ基を含有する有機基、エーテル基を含有する有機基、（メタ）アクリル基を含有する有機基、エステル基を含有する有機基、ケトン基を含有する有機基である。これらの基は、アルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合されていてもよく、同一でも異なっていてもよい。ｍは１０～１００００の整数であり、ｎ１は０～５までの整数である。）
この構成によれば、ノルボルネン系重合体を含む複数の第１樹脂層の密着性が高まるため、複数の第１樹脂層を積層した低誘電率で低損失な樹脂多層基板を実現できる。
この構成によれば、ノルボルネン系重合体を含む複数の第１樹脂層の密着性が高まるため、複数の第１樹脂層を積層した低誘電率で低損失な樹脂多層基板を実現できる。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、ノルボルネン系重合体を用いた複数の樹脂層を積層する構成において、樹脂層同士の界面の密着性を高めた樹脂多層基板を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【発明を実施するための形態】
【0017】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と同様の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【0018】
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図であり、図１（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の分解断面図である。図１（Ａ）および図１（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、変質部Ｄ１，Ｄ２をクロスハッチングで示している。
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図であり、図１（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の分解断面図である。図１（Ａ）および図１（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、変質部Ｄ１，Ｄ２をクロスハッチングで示している。
【0019】
【0020】
基材１０は可撓性を有する矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。導体パターン３１，３２および層間接続導体Ｖ１は、基材１０の内部に形成されている。
【0021】
基材１０は、第１樹脂層１１，１２，１３をこの順に積層して形成される。第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２は、複数の第１樹脂層１１～１３の積層方向（Ｚ軸方向）に直交する面である。第１樹脂層１１，１２，１３は、例えば下記の一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた樹脂シートである。
【0022】
【化1】
【0023】
一般式（１）中、Ｘは、Ｏ，－ＣＨ２－または－ＣＨ２－ＣＨ２－を示し、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、直鎖もしくは分岐した有機基、またはこれら有機基の一部がハロゲンもしくはニトリル基等で置換された誘導体から選ばれる基を含有する基を示す。上記有機基は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エポキシ基を含有する有機基、エーテル基を含有する有機基、（メタ）アクリル基を含有する有機基、エステル基を含有する有機基、ケトン基を含有する有機基である。これらの基は、アルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合されていてもよく、同一でも異なっていてもよい。ｍは１０～１００００の整数であり、ｎ１は０～５までの整数である。
【0024】
一般式（１）で表される構造を有する付加型のポリノルボルネンの置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、その目的に応じて、種類および繰り返し単位の割合を調整することによって所定の特性を有したものにできる。好ましくは、Ｘが－ＣＨ２－、ｍが１０００以上、ｎ１が０か１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つがエステル基、エーテル基または水酸基を含有することが好ましい。より好ましくは、ｍが５０００以上、ｎ１が０、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つがエステル基または水酸基を含有することが好ましい。
【0025】
なお、上記アルキル基は、例えば、直鎖もしくは分岐した炭素数１～１０の飽和炭化水素、または環状の飽和炭化水素等が挙げられる。上記アルケニル基は、例えば、ビニル、アリル、ブチニル、シクロヘキセニル基等が挙げられる。上記アルキニル基は、例えば、エチニル、１－プロピニル、２－プロピニル、１－ブチニル、２－ブチニル、ヘキシニル、オクチニル、ヘプチニル基等が挙げられる。アリール基は、例えば、フェニル、トリル、ナフチル、アントラセニル基等が挙げられる。また、アラルキル基は、例えば、ベンジル、フェネチル基等が挙げられる。エポキシ基は、例えばグリシジルエーテル基等が挙げられ、アルコキシシリル基は、例えばトリメトキシシリル、トリエトキシシリル、トリエトキシシリルエチル基等が挙げられる。（メタ）アクリル基は、例えばメタクリロキシメチル基等が挙げられ、エステル基は、例えばメチルエステル、エチルエステル、ｎ－プロピルエステル、ｎ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル基等が挙げられる。
【0026】
第１樹脂層１１の表面には、導体パターン３１が形成されている。導体パターン３１は、第１樹脂層１１の中央付近に配置された矩形の導体パターンである。導体パターン３１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、第１樹脂層１１は、表面（Ｚ軸方向に隣接して密着する第１樹脂層１２との界面ＦＳ１）側に、表面処理（後に詳述する）によって変質された変質部Ｄ１を有する。変質部Ｄ１は、変質されていない非変質部ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３（図１（Ａ）および図１（Ｂ）の第１樹脂層１１～１３のうち変質部Ｄ１，Ｄ２以外の部分）同士の密着性よりも、第１樹脂層（変質部または非変質部）との密着性を高めた部分である。すなわち、変質部Ｄ１同士の密着性、および、変質されていない非変質部ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３と変質部Ｄ１との密着性は、非変質部ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３同士の密着性よりも高い。具体的には、本実施形態の変質部Ｄ１は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が非変質部ＮＤ１よりも低い。
【0027】
第１樹脂層１２の表面には、導体パターン３２が形成されている。導体パターン３２は、第１樹脂層１２の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン３２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、第１樹脂層１２は、層間接続導体Ｖ１が形成されている。さらに、第１樹脂層１２の表面（Ｚ軸方向に隣接して密着する第１樹脂層１３との界面ＦＳ２）側に、表面処理（後に詳述する）によって変質された変質部Ｄ２を有する。変質部Ｄ２は、変質されていない非変質部ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３同士の密着性よりも、第１樹脂層（変質部または非変質部）との密着性を高めた部分である。具体的には、本実施形態の変質部Ｄ２は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が非変質部ＮＤ２よりも低い。
【0028】
図１（Ａ）に示すように、導体パターン３１，３２は、層間接続導体Ｖ１を介して電気的に接続されている。
【0029】
上述したように、変質部Ｄ１，Ｄ２の第１樹脂層１１，１２に対する密着性は、非変質部ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３同士の密着性よりも高い。具体的に、本実施形態の変質部Ｄ１，Ｄ２は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が非変質部ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３よりも低い。一般に、ノルボルネン系重合体の主鎖骨格はガラス転移温度が３００℃前後と高く、熱に対する分子運動性が低い。一方で、上記構成によれば、第１樹脂層同士の界面ＦＳ１，ＦＳ２側に位置する変質部Ｄ１，Ｄ２の、熱に対する分子運動性が非変質部ＮＤ１，ＮＤ２よりも高い。そのため、複数の第１樹脂層１１～１３同士の密着性が高まり、第１樹脂層１１～１３を用いた低誘電率で低損失（誘電正接の低い）樹脂多層基板を実現できる。
【0030】
なお、樹脂多層基板１０１は、剥離試験を行った際、第１樹脂層１１～１３同士の界面は剥離せず、第１樹脂層１１～１３のいずれかの内部で凝集破壊される。なお、ここで言う「凝集破壊される」とは、例えば、面積比としての（凝集破壊率）／（界面破壊率）が１０％以上の場合を言う。なお、面積比としての（凝集破壊率）／（界面破壊率）は、５０％以上が好ましく、より好ましくは８０％以上である。剥離試験は、例えば９０度ピール強度試験（ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．９またはＪＩＳ Ｃ ６４７１ ８．１）やランドプル強度試験である。また、本明細書中の「凝集破壊」とは、樹脂層同士の界面ではなく、樹脂層の内部で破壊されることを言う。
【0031】
なお、本実施形態の変質部Ｄ１，Ｄ２は、第１樹脂層１１～１３の界面ＦＳ１，ＦＳ２のうち導体パターン３１，３２に接する部分（導体パターン３１，３２を挟んで第１樹脂層１１～１３同士が接合される部分）には形成されていない。しかし、複数の第１樹脂層１１～１３を積層して基材１０を形成した後（加熱プレス後）、第１樹脂層１１～１３を構成する樹脂が導体パターン３１，３２の表面の微細な凹凸に入り込む（アンカー効果または投錨効果）。そのため、基材１０において導体パターン３１，３２を介した第１樹脂層１１～１３同士の密着性は高い。
【0032】
本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図２は、樹脂多層基板１０１の製造方法を順に示す断面図である。なお、図２では、説明の都合状、ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂多層基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂多層基板１０１が含まれる基板を言う。
【0033】
まず、図２中の（１）に示すように、複数の第１樹脂層１１，１２，１３を準備する。第１樹脂層１１～１３は、例えばノルボルネン系重合体を用いたシートである。
【0034】
次に、第１樹脂層１１，１２にそれぞれ導体パターン３１，３２を形成する。具体的には、第１樹脂層１１，１２の表面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、第１樹脂層１１の表面に導体パターン３１を形成し、第１樹脂層１２の表面に導体パターン３２を形成する。
【0035】
また、第１樹脂層１２には、層間接続導体Ｖ１が形成される。層間接続導体Ｖ１は、例えばレーザー照射またはドリル等で第１樹脂層１２に孔を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスによって導電性ペーストを固化させることにより設けられる。
【0036】
次に、図２中の（２）に示すように、第１樹脂層１１，１２の表面を表面処理によって変質させる。具体的には、第１樹脂層１１の表面に対して、プラズマ放電、コロナ放電、電子線照射、レーザー照射または光照射（例えば、ＵＶ処理）等のいずれかを行う（図２中の（２）に示す白抜き矢印を参照）。これにより、第１樹脂層１１の表面側の一部（導体パターン３１が形成されていない部分。後の積層時に、第１樹脂層１２との界面となる部分）に、変質部Ｄ１が形成される。また、第１樹脂層１２の表面側の一部（導体パターン３２が形成されていない部分。後の積層時に、第１樹脂層１３との界面となる部分）に、変質部Ｄ２が形成される。
【0037】
なお、本実施形態では、変質部Ｄ１，Ｄ２のガラス転移温度（Ｔｇ）が、非変質部ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３よりも低く変質されている。
【0038】
次に、図２中の（３）に示すように、第１樹脂層１１，１２，１３の順に積層（載置）する。なお、積層したときに第１樹脂層１１の変質部Ｄ１は、Ｚ軸方向に隣接する第１樹脂層１２（非変質部ＮＤ２）に当接し、第１樹脂層１２の変質部Ｄ２は、Ｚ軸方向に隣接する第１樹脂層１３（非変質部ＮＤ３）に当接する。
【0039】
その後、積層した複数の第１樹脂層１１～１３を加熱プレス（一括プレス）して、図２中の（４）に示す基材１０（樹脂多層基板１０１）を形成する。
【0040】
上記製造方法によれば、第１樹脂層１１，１２のうち他の第１樹脂層との界面側に、熱に対する分子運動性が高い（ガラス転移温度の低い）変質部Ｄ１，Ｄ２がそれぞれ設けられる。そのため、第１樹脂層１１～１３の非変質部ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３同士を直接接合する場合に比べて、複数の樹脂層同士の界面の密着性が高い樹脂多層基板を容易に製造できる。
【0041】
また、上記製造方法によれば、積層した第１樹脂層１１，１２，１３を加熱プレス（一括プレス）することにより、基材１０を容易に形成できるため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、上記製造方法によれば、塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂多層基板を容易に製造できる。
【0042】
さらに、上記製造方法によれば、第１樹脂層１２に設けた孔に導電性ペーストを配設し、加熱プレス（一括プレス）によって導電性ペーストを固化させて層間接続導体Ｖ１を形成するため、形成が容易である。つまり、積層した第１樹脂層１１～１３の加熱プレス処理で同時に層間接続導体Ｖ１も形成できるため、スルーホールめっき等で層間接続導体を形成する場合に比べて、工程を削減できる。
【0043】
本発明の樹脂多層基板は、例えば次のように用いられる。図３は、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１Ａの外観斜視図である。図４（Ａ）は樹脂多層基板１０１Ａを利用した電子機器３０１の筐体１内部の平面図であり、図４（Ｂ）は電子機器３０１の断面図である。
【0044】
電子機器３０１は、樹脂多層基板１０１Ａ、筐体１、バッテリーパック２、回路基板２０１，２０２、電子部品７１，７２等を備える。なお、電子機器３０１は、これ以外の素子も備えるが、図４（Ｂ）では図示省略している。
【0045】
樹脂多層基板１０１Ａは、例えば、複数の回路基板同士を接続するケーブルである。図３に示すように、樹脂多層基板１０１Ａは、接続部ＣＮ１，ＣＮ２および線路部ＳＬを有する。接続部ＣＮ１，ＣＮ２は、他の回路基板に接続する部分である。図示省略するが、線路部ＳＬには、接続部ＣＮ１，ＣＮ２間を繋ぐ伝送線路が構成されている。樹脂多層基板１０１では、接続部ＣＮ１、線路部ＳＬおよび接続部ＣＮ２が、＋Ｘ方向にこの順に配置されている。
【0046】
樹脂多層基板１０１Ａは、基材１０Ａおよびプラグ５１，５２等を備える。基材１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板である。樹脂多層基板１０１Ａの基本的な構成は、上述した樹脂多層基板１０１と略同じである。プラグ５１は接続部ＣＮ１に設けられ、プラグ５２は接続部ＣＮ２に設けられている。
【0047】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、筐体１内には、樹脂多層基板１０１Ａ、バッテリーパック２、回路基板２０１，２０２および電子部品７１，７２等が配置されている。回路基板２０１，２０２は、例えばプリント配線板である。電子部品７１，７２は、例えばチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、ＲＦＩＣ素子、アンテナ装置またはインピーダンス整合回路等である。
【0048】
回路基板２０１の表面には複数の電子部品７１が実装されており、回路基板２０２の表面には複数の電子部品７２が実装されている。バッテリーパック２は、回路基板２０１，２０２間に配置されている。樹脂多層基板１０１Ａは、回路基板２０１，２０２間を接続している。具体的には、樹脂多層基板１０１Ａのプラグ５１が、回路基板２０１の表面に配置されたレセプタクル６１に接続される。また、樹脂多層基板１０１Ａのプラグ５２が、回路基板２０１の表面に配置されたレセプタクル６２に接続されている。
【0049】
なお、回路基板２０１，２０２の表面とバッテリーパック２の上面は、Ｚ軸方向の高さが異なっている。樹脂多層基板１０１Ａは曲げた状態（樹脂多層基板１０１Ａの線路部のみがバッテリーパック２の上面に接した状態）で、回路基板２０１，２０２にそれぞれ接続される。すなわち、樹脂多層基板１０１Ａの基材１０Ａは、曲げ部を有する。
【0050】
このように、本発明の樹脂多層基板１０１Ａは樹脂層同士の密着性が高く、樹脂層同士の界面での剥離（デラミネーション）を抑制できるため、曲げて接続する場合等にも利用できる。
【0051】
《変質部の変形例》
なお、本実施形態では、第１樹脂層１１，１２に、ガラス転移温度が他の部分（非変質部ＮＤ１～ＮＤ３）よりも低い変質部Ｄ１，Ｄ２を形成する例を示したが、熱に対する分子運動性を高めた変質部はこれに限定されるものではない。例えば、変質部Ｄ１，Ｄ２の損失正接が非変質部ＮＤ１～ＮＤ３よりも高い場合も、第１樹脂層同士の密着性が高まる。損失正接（ｔａｎδ）は、以下に示す式で求められる。
なお、本実施形態では、第１樹脂層１１，１２に、ガラス転移温度が他の部分（非変質部ＮＤ１～ＮＤ３）よりも低い変質部Ｄ１，Ｄ２を形成する例を示したが、熱に対する分子運動性を高めた変質部はこれに限定されるものではない。例えば、変質部Ｄ１，Ｄ２の損失正接が非変質部ＮＤ１～ＮＤ３よりも高い場合も、第１樹脂層同士の密着性が高まる。損失正接（ｔａｎδ）は、以下に示す式で求められる。
【0052】
【数1】
【0053】
Ｅ”：複素弾性率の虚数部（損失弾性率）
Ｅ’：複素弾性率の実数部（貯蔵弾性率）
損失弾性率（Ｅ”）、貯蔵弾性率（Ｅ’）および損失正接（ｔａｎδ）は、例えば動的粘弾性測定で測定される。
Ｅ’：複素弾性率の実数部（貯蔵弾性率）
損失弾性率（Ｅ”）、貯蔵弾性率（Ｅ’）および損失正接（ｔａｎδ）は、例えば動的粘弾性測定で測定される。
【0054】
また、本実施形態では、熱に対する分子運動性を高めることによって、第１樹脂層との密着性を高めた変質部Ｄ１，Ｄ２を示したが、本発明の変質部はこれに限定されるものではない。変質部は、化学的な反応・結合等によって第１樹脂層との密着性を高めた部分でもよい。例えば、変質部がノルボルネン系重合体の官能基を非変質部よりも増やした部分であっても、第１樹脂層との密着性は高まる。上記官能基は、例えば水酸基やカルボン酸等の有機基である。
【0055】
《第１樹脂層に対する添加剤の添加》
また、第１樹脂層１１～１３には、樹脂層の製造工程において、用途に応じた所定の機能を有する添加剤（例えば、公知の劣化防止剤、紫外線防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤または赤外線吸収剤など）が添加（混練、塗布または偏析等）されていてもよい。上記添加剤の種類としては、例えば（イ）表面処理を促進させるために第１樹脂層に添加する材料、または（ロ）第１樹脂層の物性や化学的性質を変化させるために添加する材料等がある。
また、第１樹脂層１１～１３には、樹脂層の製造工程において、用途に応じた所定の機能を有する添加剤（例えば、公知の劣化防止剤、紫外線防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤または赤外線吸収剤など）が添加（混練、塗布または偏析等）されていてもよい。上記添加剤の種類としては、例えば（イ）表面処理を促進させるために第１樹脂層に添加する材料、または（ロ）第１樹脂層の物性や化学的性質を変化させるために添加する材料等がある。
【0056】
（イ）添加剤が、表面処理を促進させるために第１樹脂層に添加する材料の場合
例えば、ＵＶ処理によって第１樹脂層の表面処理を行う場合には、ＵＶ吸収性を高める機能を有する材料を、添加剤として第１樹脂層１１，１２に予め添加することが好ましい。
例えば、ＵＶ処理によって第１樹脂層の表面処理を行う場合には、ＵＶ吸収性を高める機能を有する材料を、添加剤として第１樹脂層１１，１２に予め添加することが好ましい。
【0057】
（ロ）添加剤が、第１樹脂層の物性や化学的性質を変化させるために添加する材料の場合
添加剤は、例えば、公知の安定化剤、劣化防止剤、紫外線防止剤、可塑剤や赤外吸収剤等のほか、第１樹脂層１１～１３のガラス転移温度を下げる（または、損失正接を高める）機能を有する材料であってもよい。一例として、第１樹脂層１１～１３にエステルが含まれる場合には、第１樹脂層１１～１３に長鎖カルボン酸（または長鎖アルコール）を添加剤として添加してエステル交換させることにより、ガラス転移温度を下げることができる。具体的には、一般式（１）の置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４がアルコールの場合には長鎖カルボン酸（Ｒ－ＣＯＯＨ）を添加し、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４がカルボン酸の場合にはアルコールを添加すればよい。
添加剤は、例えば、公知の安定化剤、劣化防止剤、紫外線防止剤、可塑剤や赤外吸収剤等のほか、第１樹脂層１１～１３のガラス転移温度を下げる（または、損失正接を高める）機能を有する材料であってもよい。一例として、第１樹脂層１１～１３にエステルが含まれる場合には、第１樹脂層１１～１３に長鎖カルボン酸（または長鎖アルコール）を添加剤として添加してエステル交換させることにより、ガラス転移温度を下げることができる。具体的には、一般式（１）の置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４がアルコールの場合には長鎖カルボン酸（Ｒ－ＣＯＯＨ）を添加し、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４がカルボン酸の場合にはアルコールを添加すればよい。
【0058】
また、添加剤は、例えば、第１樹脂層１１～１３の可撓性を高める機能を有する材料であってもよい。一例としては、上記添加剤は、一般式（２）で表される環状繰り返し単位を少なくとも１種含む開環オレフィンポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）でもよい。ノルボルネン系重合体よりもガラス転移温度（Ｔｇ）の低い、これら開環オレフィンポリマーを添加することにより、第１樹脂層のガラス転移温度（Ｔｇ）が下がるとともに、（常温時の）可撓性が高まる。この構成によれば、基材１０の曲げ耐性が高まり、破断伸びや脆性破壊し難くできる。
【0059】
【化2】
【0060】
（一般式（２）中、置換基Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ、水素、直鎖もしくは分岐した有機基、またはこれら有機基の一部がハロゲンもしくはニトリル基等で置換された誘導体から選ばれる基を含有する基を示す。上記有機基は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エポキシ基を含有する有機基、エーテル基を含有する有機基、（メタ）アクリル基を含有する有機基、エステル基を含有する有機基、ケトン基を含有する有機基である。これらの基は、アルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合されていてもよく、同一でも異なっていてもよい。ｎ２は０～５までの整数である。）。
【0061】
また、添加剤は、例えば、第１樹脂層１１～１３の面方向の分子配向性を高める等によって、第１樹脂層１１～１３の熱膨張係数を下げる機能を有した材料でもよい。一例として、上記添加剤は、熱膨張係数の小さなガラスフィラーや液晶ポリマー（ＬＣＰ）等が挙げられる。なお、第１樹脂層１１～１３の面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）における熱膨張係数は、１０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。Ｃｕ箔である導体パターン３１，３２の熱膨張係数は約１６ｐｐｍ／℃であるため、第１樹脂層１１～１３と導体パターン３１，３２との熱膨張係数差を極めて小さくできる。したがって、この構成により、製造時（例えば、加熱プレス時）や後の加熱工程（リフロープロセス時）等における樹脂層と導体パターンとの熱膨張係数差に起因する、基材１０の反りや層間剥離（または、樹脂層と導体パターンとの剥離）の発生等が抑制される。
【0062】
さらに、添加剤は、例えば、第１樹脂層１１～１３の燃焼性を低下させる機能を有した材料でもよい。上記添加剤は公知の難燃剤であり、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ素化合物または炭酸アンモニウム等の無機系材料、臭素化合物やリン酸エステル等の有機系材料等である。
【0063】
《表面処理の変形例》
なお、本実施形態では、表面処理によってガラス転移温度（Ｔｇ）を低く変質して変質部Ｄ１，Ｄ２を形成した例を示したが、本発明の「表面処理」はこれに限定されるものではない。本発明の「表面処理」は、例えば、第１樹脂層の表面を改質することにより変質部を形成してもよく、第１樹脂層の表面に光（例えば、偏光した光）を照射して或る方向の分子配向性を高めることにより変質部を形成してもよい。また、本発明の「表面処理」は、例えば、化学的処理によって第１樹脂層１１～１３の表面同士を反応させてもよい。上記化学処理は、例えば架橋剤等を第１樹脂層１１～１３の表面に塗布し、第１樹脂層１１～１３の表面を変質させる場合等が含まれる。
なお、本実施形態では、表面処理によってガラス転移温度（Ｔｇ）を低く変質して変質部Ｄ１，Ｄ２を形成した例を示したが、本発明の「表面処理」はこれに限定されるものではない。本発明の「表面処理」は、例えば、第１樹脂層の表面を改質することにより変質部を形成してもよく、第１樹脂層の表面に光（例えば、偏光した光）を照射して或る方向の分子配向性を高めることにより変質部を形成してもよい。また、本発明の「表面処理」は、例えば、化学的処理によって第１樹脂層１１～１３の表面同士を反応させてもよい。上記化学処理は、例えば架橋剤等を第１樹脂層１１～１３の表面に塗布し、第１樹脂層１１～１３の表面を変質させる場合等が含まれる。
【0064】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、２つの第１樹脂層を積層して形成される樹脂多層基板の例を示す。
第２の実施形態では、２つの第１樹脂層を積層して形成される樹脂多層基板の例を示す。
【0065】
図５（Ａ）は第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図であり、図５（Ｂ）は樹脂多層基板１０２の分解断面図である。図５（Ａ）および図５（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、変質部Ｄ２をクロスハッチングで示している。
【0066】
樹脂多層基板１０２は、基材１０Ａを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０２の他の構成については、樹脂多層基板１０１と略同じである。
【0067】
以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。
【0068】
樹脂多層基板１０２は、基材１０Ａ、導体パターン３１等を備える。基材１０Ａは、第１樹脂層１１ａ，１２ａをこの順に積層して形成される。第１樹脂層１１ａ，１２ａは、第１の実施形態で説明した第１樹脂層１１，１２と略同じである。
【0069】
第１樹脂層１１ａの表面には、導体パターン３１が形成されている。導体パターン３１は第１の実施形態で説明したものと同じである。第１樹脂層１２ａは、裏面（Ｚ軸方向に隣接して密着する第１樹脂層１１ａとの界面ＦＳ１）側に、表面処理によって変質した変質部Ｄ２を有する。本実施形態では、変質部Ｄ２が第１樹脂層１２ａの裏面全体に形成されている。
【0070】
このような構成でも、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と同様に、樹脂層同士の密着性が高い樹脂多層基板を実現できる。
【0071】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１樹脂層以外の第２樹脂層を備えた樹脂多層基板の例を示す。
第３の実施形態では、第１樹脂層以外の第２樹脂層を備えた樹脂多層基板の例を示す。
【0072】
図６（Ａ）は第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図であり、図６（Ｂ）は樹脂多層基板１０３の分解断面図である。図６（Ａ）および図６（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、変質部Ｄ２，Ｄ３をクロスハッチングで示している。
【0073】
樹脂多層基板１０３は、基材１０Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０３の他の部分については、樹脂多層基板１０１と実質的に同じである。
【0074】
以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。
【0075】
基材１０Ｂは、第１樹脂層１１ｂ、第２樹脂層２０、第１樹脂層１２ｂ、第１樹脂層１３ｂをこの順に積層して形成される。第１樹脂層１１ｂ、１２ｂ、１３ｂは、第１の実施形態で説明した第１樹脂層１１～１３と同じものである。第２樹脂層２０は、第１樹脂層１１ｂ～１３ｂ（非変質部）同士の密着性よりも、第１樹脂層１１ｂ～１３ｂ（非変質部）との密着性の高い接着層である。第２樹脂層２０は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂や、ビスマレイミドやスチレンエラストマー、エポキシ等の樹脂シートである。
【0076】
本実施形態では、図６（Ｂ）に示すように、Ｚ軸方向に隣接する２つの第１樹脂層１１ｂ，１２ｂが、第２樹脂層２０を介して接合されている。なお、第２樹脂層２０の厚み（Ｚ軸方向の厚み）は、第１樹脂層１１ｂ～１３ｂそれぞれの厚みよりも薄い。
【0077】
さらに、第１樹脂層１２ｂは、表面（Ｚ軸方向に隣接して密着する第１樹脂層１３ｂとの界面ＦＳ３）側に変質部Ｄ２を有し、第１樹脂層１３ｂは、裏面（Ｚ軸方向に隣接して密着する第１樹脂層１２ｂとの界面ＦＳ３）側に変質部Ｄ３を有する。本実施形態では、第１樹脂層１２ｂの変質部Ｄ２と第１樹脂層１３ｂの変質部Ｄ３とが、対向している。
【0078】
上述したように、Ｚ軸方向に隣接する２つの第１樹脂層１１ｂ，１２ｂは、（第１樹脂層との密着性が、第１樹脂層同士の密着性よりも高い）第２樹脂層２０を介して接合されていてもよい。この構成によれば、密着性の高い変質部を第１樹脂層同士の界面側に設けた場合と同じように、第１樹脂層（非変質部）同士を直接接合する場合よりも、樹脂層同士の界面の密着性を高まる。
【0079】
ノルボルネン系重合体を含む第１樹脂層１１ｂ～１３ｂは他の材料の樹脂層に比べて高周波特性に優れるため、高周波特性に優れた樹脂多層基板を実現する点で、第２樹脂層（接着層）を用いず第１樹脂層同士を接合させることが望ましい。また、第２樹脂層を用いずに第１樹脂層同士を接合することで、樹脂層同士の熱膨張係数差に起因する層間剥離も抑制できる。但し、本実施形態で示したように、第２樹脂層２０を間に挟んで２つの第１樹脂層１１ｂ，１２ｂ同士を接合する場合には、第２樹脂層２０の厚みが、第１樹脂層１１ｂ～１３ｂそれぞれの厚みよりも薄いことが好ましい。第２樹脂層２０を薄くすることによって、より低誘電率・低損失（誘電正接が低い）の樹脂多層基板を実現できる。
【0080】
なお、第２樹脂層２０は、フッ素樹脂からなる樹脂シートであることが好ましい。フッ素樹脂からなる樹脂シートは、他の材料からなるシートに比べて、低誘電率・低損失、且つ曲げ性にも優れているためである。なお、第２樹脂層２０は、フッ素樹脂を含んだ樹脂シート（例えば、ノルボルネン系重合体とフッ素樹脂とを混ぜ合わせた樹脂）でもよい。
【0081】
なお、第２樹脂層２０は、第１樹脂層にＵＶ吸収性を高める機能を有する材料を添加材として添加し、レーザー照射または光照射を行って得られた層であってもよい。この場合、第２樹脂層２０は、レーザー照射または光照射により第１樹脂層の全体がエステル交換反応を起こして得られる。すなわち、第２樹脂層２０の全体が第１樹脂層の変質部と同等の構造を有している。したがって、第２樹脂層２０の構造は、図２のように第１樹脂層１１の表面側の一部に変質部Ｄ１が形成されている構造とは異なる。また、第２樹脂層２０は、加熱により第１樹脂層の全体がエステル交換反応を起こして得られてもよい。
【0082】
また、本実施形態に係る樹脂多層基板１０３のように、Ｚ軸方向に隣接して密着する２つの第１樹脂層１２ｂ，１３ｂは、いずれも界面ＦＳ３側に変質部Ｄ２，Ｄ３を有する構成であってもよい。なお、本実施形態では、第１樹脂層１２ｂの変質部Ｄ２と第１樹脂層１３ｂの変質部Ｄ３とが、Ｚ軸方向に対向して密着（接合）した構成を示したが、この構成に限定されるものではない。Ｚ軸方向に隣接する２つの第１樹脂層の変質部同士が、Ｚ軸方向に対向していなくてもよい。
【0083】
《実施例》
以下に、本発明の樹脂多層基板の実施例について説明する。本願発明者は、第１の実験として、本発明に係る樹脂多層基板が奏する効果を明確にするために、以下に説明する比較例１および実施例１ないし実施例２２を作成した。そして、本願発明者は、比較例１および実施例１ないし実施例２２の密着力、凝集破壊率／表面破壊率および面方向における熱膨張係数を測定した。
以下に、本発明の樹脂多層基板の実施例について説明する。本願発明者は、第１の実験として、本発明に係る樹脂多層基板が奏する効果を明確にするために、以下に説明する比較例１および実施例１ないし実施例２２を作成した。そして、本願発明者は、比較例１および実施例１ないし実施例２２の密着力、凝集破壊率／表面破壊率および面方向における熱膨張係数を測定した。
【0084】
面方向における熱膨張係数とは、以下の式（Ａ）で表される。
ΔＬ＝αＬΔＴ・・・（Ａ）
樹脂層の主面が広がる方向（面方向）の熱膨張係数：α
樹脂層の主面が広がる方向（面方向）における樹脂層の長さ：Ｌ
樹脂層の主面が広がる方向（面方向）における樹脂層の伸び量：ΔＬ
温度上昇：ΔＴ
なお、本願発明者は、熱膨張係数の測定を以下の手法により行った。本願発明者は、幅５ｍｍ、長さ１６ｍｍに切り出したサンプルを作製した。そして、本願発明者は、ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製熱機械的分析装置（商品名：ＴＭＡ Ｑ４００）により、荷重０．１Ｎの引張りモードで室温から１７０℃までサンプルを昇温させた。そして、本願発明者は、サンプルを室温まで冷却する過程において、５０℃～８０℃の範囲内の熱膨張係数の平均値を求めることにより、熱膨張係数を測定した。表１は、比較例１および実施例１ないし実施例２２の条件を示した表である。
ΔＬ＝αＬΔＴ・・・（Ａ）
樹脂層の主面が広がる方向（面方向）の熱膨張係数：α
樹脂層の主面が広がる方向（面方向）における樹脂層の長さ：Ｌ
樹脂層の主面が広がる方向（面方向）における樹脂層の伸び量：ΔＬ
温度上昇：ΔＴ
なお、本願発明者は、熱膨張係数の測定を以下の手法により行った。本願発明者は、幅５ｍｍ、長さ１６ｍｍに切り出したサンプルを作製した。そして、本願発明者は、ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製熱機械的分析装置（商品名：ＴＭＡ Ｑ４００）により、荷重０．１Ｎの引張りモードで室温から１７０℃までサンプルを昇温させた。そして、本願発明者は、サンプルを室温まで冷却する過程において、５０℃～８０℃の範囲内の熱膨張係数の平均値を求めることにより、熱膨張係数を測定した。表１は、比較例１および実施例１ないし実施例２２の条件を示した表である。
【0085】
【表1】
【0086】
Ｐ－１は、化学式（３）である。
【0087】
【化3】
ｎ０＝０
Ｒ１：－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－Ｃ３Ｈ７
Ｒ２：－Ｈ
Ｒ３：－Ｈ
Ｒ４：－Ｈ
Ｐ－２は、化学式（４）である。
【0088】
【化4】
ｎ０＝０
Ｒ１：－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－Ｃ３Ｈ７
Ｒ２：－Ｈ
Ｒ３：－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－Ｃ３Ｈ７
Ｒ４：－Ｈ
Ｐ－３は、化学式（５）である。
【0089】
【化5】
ｎ０＝０
Ｒ１：－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－Ｃ２Ｈ４－ＣＯＯＨ
Ｒ２：－Ｈ
Ｒ３：－Ｈ
Ｒ４：－Ｈ
Ｐ－４は、化学式（６）である。
【0090】
【化6】
ｎ０＝０
Ｒ１：－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－Ｃ２Ｈ４－ＯＨ
Ｒ２：－Ｈ
Ｒ３：－Ｈ
Ｒ４：－Ｈ
なお、Ｐ－１～Ｐ－４の構造を有する第１樹脂層の合成および成膜については、例えば、特開２０１０－１８９６１９号公報および特開２０１０－２８６８３７号公報に記載されている。
【0091】
また、ＰＩＡＤは、樹脂層のＵＶ吸収性を高める機能を有する材料である。ＰＩＡＤは、荒川化学工業株式会社製の溶剤可溶型ポリイミドワニスである。ＬＣＰ－ＮＦおよびＢＮは、樹脂層の熱膨張係数を下げる機能を有する材料である。ＬＣＰ－ＮＦは、例えば、特許５９０４３０７号に記載の液晶ポリマーパウダーである。ＢＮは、デンカ株式会社製のデンカボロンナイトライドである。
【0092】
ＰＦＡは、ＡＧＣ株式会社製のＡＧＣ Ｆｌｕｏｎ＋ ＥＡ２０００である。ＳＡＦＹは、ニッカン工業株式会社製のニカフレックスＳＡＦＹである。
【0093】
表２は、実験結果を示した表である。
【0094】
【表2】
【0095】
実施例１ないし実施例８、実施例１５、実施例１７、実施例１９および実施例２１の密着力および凝集破壊率／界面破壊率は、比較例１の密着力および凝集破壊率／界面破壊率より高いことが分かる。理由は、実施例１ないし実施例８、実施例１５、実施例１７、実施例１９および実施例２１がＵＶ照射、プラズマ放電またはコロナ放電により表面処理によって変質された変質部を備えるからである。
【0096】
また、実施例４および実施例５の密着力および凝集破壊率／界面破壊率は、実施例１および実施例２の密着力および凝集破壊率／界面破壊率より高いことが分かる。
【0097】
また、実施例６ないし実施例８の密着力および凝集破壊率／界面破壊率は、実施例１および実施例２の密着力および凝集破壊率／界面破壊率より高いことが分かる。理由は、実施例６ないし実施例８では、ＬＣＰ－ＮＦまたはＢＮが添加されることにより、樹脂層の面方向における熱膨張係数（ＣＴＥ）が低下したからである。
【0098】
また、実施例９ないし実施例１６の密着力および凝集破壊率／界面破壊率は、比較例１の密着力および凝集破壊率／界面破壊率より高いことが分かる。理由は、実施例９ないし実施例１６が接着層としての第２樹脂層を備えているからである。
【0099】
なお、実施例１３ないし実施例１６、実施例１８、実施例２０および実施例２２の密着力および凝集破壊率／界面破壊率は、プラズマ放電またはＬＣＰ－ＮＦにより向上していることが分かる。
【0100】
本願発明者は、本発明に係る樹脂多層基板が奏する効果を明確にするために、第２の実験として以下に説明する比較例２および実施例２３ないし実施例２６を作成した。そして、本願発明者は、比較例２および実施例２３ないし実施例２６のガラス転移温度（Ｔｇ）の低下量（ΔＴｇ）、密着力、凝集破壊率／表面破壊率および熱膨張係数を測定した。表３は、比較例２および実施例２３ないし実施例２６の条件を示した表である。
【0101】
【表3】
【0102】
Ｐ－５は、化学式（７）である。
【0103】
【化7】
ａについて
ｎ０＝０
Ｒ１：－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－Ｃ２Ｈ４－ＯＨ
Ｒ２：－Ｈ
Ｒ３：－Ｈ
Ｒ４：－Ｈ
ｂについて
ｎ０＝０
Ｒ１：－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－Ｃ２Ｈ４ＯＣ２Ｈ４Ｏ－Ｃ４Ｈ９
Ｒ２：－Ｈ
Ｒ３：－Ｈ
Ｒ４：－Ｈ
実施例２３ないし実施例２６では、表３に示すように第１樹脂層に変質部を形成した。そこで、１００重量部のＰ－１および１０重量部のジエチレングリコールモノブチルエーテルを含有する片面銅貼り板の第１樹脂層にキセノンフラッシュランプを照射した。第１樹脂層の厚みは５０μｍであった。これにより、第１樹脂層の表層付近の樹脂と添加剤とが反応し、Ｐ－５の構造を有する変質部が第１樹脂層の表層付近に形成された。実施例２３ないし実施例２６では、変質部の厚みは５μｍであった。キセノンフラッシュランプの強度およびキセノンフラッシュランプによる発熱は、第１樹脂層の表層から深くなるにつれ減衰する。したがって、第１樹脂層の表層付近ではＰ－５の構造を有する変質部が形成される。ただし、第１樹脂層の表層から離れるにしたがって、Ｐ－５の割合が減少し、Ｐ－１の割合が増加する。すなわち、Ｐ－５とＰ－１との組成に傾斜が発生する。Ｐ－５とＰ－１との組成の傾斜は、第１樹脂層の表層から５μｍの範囲で発生していた。ａ／ｂは、第１樹脂層の表層におけるＰ－１の質量／第１樹脂層の表層におけるＰ－５の質量である。
【0104】
本願発明者は、上記のように変質部を形成した第１樹脂層を用いて、ガラス転移温度（Ｔｇ）の低下量（ΔＴｇ）および熱膨張係数を測定した。更に、本願発明者は、上記のように変質部を形成した第１樹脂層と変質部を形成していない樹脂層とを貼り合わせて、密着力、凝集破壊率／表面破壊率を測定した。
【0105】
表４は、実験結果を示した表である。
【0106】
【表4】
【0107】
実施例２３ないし実施例２６の密着力および凝集破壊率／界面破壊率は、比較例２の密着力および凝集破壊率／界面破壊率より高いことが分かる。理由は、実施例２３ないし実施例２６が変質部を備えるからである。このように、加熱によるエステル交換反応によりＰ－１の構造をＰ－５の構造に変質させて得られる変質部によっても、樹脂多層基板の密着力および凝集破壊率／界面破壊率が向上することが分かる。
【0108】
また、実施例２５および実施例２６に示すように、ａ／ｂが低くなると、ΔＴｇが大きくなっている。これは、第１樹脂層の熱に対する分子運動性が高くなり、第１樹脂層同士の密着性が高まっていることを意味する。
【0109】
なお、実施例２４および実施例２６においても、ＬＣＰ－ＮＦまたはＢＮが添加されることにより、第１樹脂層の面方向における熱膨張係数（ＣＴＥ）が低下していることが分かる。
【0110】
本願発明者は、本発明に係る樹脂多層基板が奏する効果を明確にするために、第３の実験として以下に説明する比較例３および実施例２７ないし実施例２９を作成した。そして、本願発明者は、比較例３および実施例２７ないし実施例２９のガラス転移温度（Ｔｇ）の低下量（ΔＴｇ）の密着力、凝集破壊率／表面破壊率および面方向における熱膨張係数を測定した。表５は、比較例３および実施例２７ないし実施例２９の条件を示した表である。
【0111】
【表5】
【0112】
実施例２７ないし実施例２９では、表５に示すように第１樹脂層に変質部を形成した。そこで、Ｐ－１およびジエチレングリコールモノブチルエーテルを含有する片面銅貼り板の第１樹脂面にキセノンフラッシュランプを照射した。第１樹脂層の厚みは５０μｍであった。このとき、エチレングリコールモノブチルエーテルの添加量を１０ｐｈｒ～３０ｐｈｒに変化させた。これにより、第１樹脂層の表層付近の樹脂と添加剤とが反応し、Ｐ－５の構造を有する変質部が第１樹脂層の表層付近に形成された。実施例２７ないし実施例２９では、変質部の厚みは５μｍであった。キセノンフラッシュランプの強度およびキセノンフラッシュランプによる発熱は、第１樹脂層の表層から深くなるにつれ減衰する。したがって、第１樹脂層の表層付近ではＰ－５の構造を有する変質部が形成される。ただし、第１樹脂層の表層から離れるにしたがって、Ｐ－５の割合が減少し、Ｐ－１の割合が増加する。すなわち、Ｐ－５とＰ－１との組成に傾斜が発生する。Ｐ－５とＰ－１との組成の傾斜は、第１樹脂層の表層から５μｍの範囲で発生していた。ａ／ｂは、第１樹脂層の表層におけるＰ－１の質量／第１樹脂層の表層におけるＰ－５の質量である。
【0113】
本願発明者は、上記のように変質部を形成した第１樹脂層を用いて、ガラス転移温度（Ｔｇ）の低下量（ΔＴｇ）および熱膨張係数を測定した。更に、本願発明者は、上記のように変質部を形成した第１樹脂層と変質部を形成していない樹脂層とを貼り合わせて、密着力、凝集破壊率／表面破壊率を測定した。
【0114】
表６は、実験結果を示した表である。
【0115】
【表6】
【0116】
実施例２７ないし実施例２９の密着力および凝集破壊率／界面破壊率は、比較例３の密着力および凝集破壊率／界面破壊率より高いことが分かる。理由は、実施例２７ないし実施例２９が変質部を備えるからである。このように、加熱によるエステル交換反応によりＰ－１の構造をＰ－５の構造に変質させて得られる変質部によっても、樹脂多層基板の密着力および凝集破壊率／界面破壊率が向上することが分かる。
【0117】
また、実施例２７および実施例２９に示すように、ａ／ｂが低くなると、ΔＴｇが大きくなっている。これは、第１樹脂層の熱に対する分子運動性が高くなり、第１樹脂層同士の密着性が高まっていることを意味する。
【0118】
実施例２３ないし実施例２９の樹脂多層基板の製造方法は、以下の通りである。複数の樹脂層は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含んだノルボルネン系重合体を用いた少なくとも１つの第１樹脂層１２を有している。
【0119】
【化1】
【0120】
（一般式（１）中、Ｘは、Ｏ，－ＣＨ２－または－ＣＨ２－ＣＨ２－を示し、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、直鎖もしくは分岐した有機基、またはこれら有機基の一部がハロゲンもしくはニトリル基等で置換された誘導体から選ばれる基を含有する基を示す。上記有機基は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エポキシ基を含有する有機基、エーテル基を含有する有機基、（メタ）アクリル基を含有する有機基、エステル基を含有する有機基、ケトン基を含有する有機基である。これらの基は、アルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合されていてもよく、同一でも異なっていてもよい。ｍは１０～１００００の整数であり、ｎ１は０～５までの整数である。）
また、第１樹脂層１２は、ノルボルネン系重合体と反応する添加剤を含有する。添加剤は、ＰＩＡＤまたはエチレングリコールモノブチルエーテルである。そして、第１樹脂層１２のノルボルネン系重合体と添加剤とを表面処理により反応させて、表面処理の効果の減衰に伴って、厚み方向において反応前の材料（Ｐ－１）と反応後の材料（Ｐ－５）との組成に傾斜を生じさせる。表面処理は、加熱およびＵＶ照射が挙げられる。表面処理の化学反応は、加熱によるエステル交換反応、ＵＶ照射によるＵＶ硬化反応等である。実施例２３ないし実施例２９のように第１樹脂層１２において変質部を部分的に形成する手法として、以下の手法が挙げられる。例えば、熱によるエステル交換反応の場合には、キセノンフラッシュランプのように高エネルギーを短パルスで照射することで、第１樹脂層１２の表面のみ加熱し、熱拡散させる方法がある。また、近赤外照射処理や赤外照射処理等のように、照射エネルギーが第１樹脂層１２に吸収されることにより、第１樹脂層１２において変質部を部分的に形成する方法がある。一方、ＵＶ硬化によるエネルギー反応の場合は、照射エネルギーが吸収されることにより、第１樹脂層１２において変質部を部分的に形成する方法がある。キセノンフラッシュランプの一例は、例えば、ウシオ電機株式会社製の瞬間加熱・高温焼成フラッシュランプアニールが挙げられる。また、松本金属工業株式会社製の近赤外照射処理の一例は、例えば、超近赤外線加熱装置が挙げられる。これらの方法によれば、厚み方向において反応前の材料（Ｐ－１）と反応後の材料（Ｐ－５）との組成に傾斜を生じる。
また、第１樹脂層１２は、ノルボルネン系重合体と反応する添加剤を含有する。添加剤は、ＰＩＡＤまたはエチレングリコールモノブチルエーテルである。そして、第１樹脂層１２のノルボルネン系重合体と添加剤とを表面処理により反応させて、表面処理の効果の減衰に伴って、厚み方向において反応前の材料（Ｐ－１）と反応後の材料（Ｐ－５）との組成に傾斜を生じさせる。表面処理は、加熱およびＵＶ照射が挙げられる。表面処理の化学反応は、加熱によるエステル交換反応、ＵＶ照射によるＵＶ硬化反応等である。実施例２３ないし実施例２９のように第１樹脂層１２において変質部を部分的に形成する手法として、以下の手法が挙げられる。例えば、熱によるエステル交換反応の場合には、キセノンフラッシュランプのように高エネルギーを短パルスで照射することで、第１樹脂層１２の表面のみ加熱し、熱拡散させる方法がある。また、近赤外照射処理や赤外照射処理等のように、照射エネルギーが第１樹脂層１２に吸収されることにより、第１樹脂層１２において変質部を部分的に形成する方法がある。一方、ＵＶ硬化によるエネルギー反応の場合は、照射エネルギーが吸収されることにより、第１樹脂層１２において変質部を部分的に形成する方法がある。キセノンフラッシュランプの一例は、例えば、ウシオ電機株式会社製の瞬間加熱・高温焼成フラッシュランプアニールが挙げられる。また、松本金属工業株式会社製の近赤外照射処理の一例は、例えば、超近赤外線加熱装置が挙げられる。これらの方法によれば、厚み方向において反応前の材料（Ｐ－１）と反応後の材料（Ｐ－５）との組成に傾斜を生じる。
【0121】
《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、基材が矩形または略矩形の平板である例を示したが、基材の形状はこれに限定されるものではない。基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。基材の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｕ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等でもよい。
以上に示した各実施形態では、基材が矩形または略矩形の平板である例を示したが、基材の形状はこれに限定されるものではない。基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。基材の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｕ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等でもよい。
【0122】
また、以上に示した各実施形態では、３つの第１樹脂層を積層して形成された基材、または３つの第１樹脂層と１つの第２樹脂層とを積層して形成された基材の例を示したが、本発明の基材はこの構成に限定されるものではない。基材を形成する第１樹脂層の層数および第２樹脂層の層数は、適宜変更可能である。また、基材の表面にカバーレイフィルムやレジスト膜等の保護層が形成されていてもよい。
【0123】
また、樹脂多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで形成されるコイル（インダクタ）やキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、各種伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が形成されていてもよい。さらに、樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。
【0124】
なお、導体パターン３１，３２の形状・位置・個数は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。導体パターンの平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、クランク形等でもよい。また、以上に示した各実施形態では、導体パターン３１，３２が基材の内部に形成される例を示したが、導体パターン（外部接続用の電極を含む）は、基材の表面に形成されていてもよい。さらに、樹脂多層基板は、回路に接続されないダミー電極（ダミー導体）を備えていてもよい。
【0125】
また、以上に示した各実施形態では、第１樹脂層１２に設けた孔に配設（充填）した導電性ペーストを、加熱プレス処理によって固化してなる層間接続導体Ｖ１の例を示したが、層間接続導体はこれに限定されるものではない。樹脂多層基板に形成される層間接続導体は、例えば、樹脂層に形成した孔内にめっき処理によって設けられためっきビア（スルーホールめっき、またはフィルドビアめっき）、上記めっきビア（または金属ピン等）とめっきビアに接合される導電性接合材とを有した導体等でもよい。
【0126】
なお、図６の樹脂多層基板１０１において、複数の第１樹脂層１１ｂ～１３ｂのうち少なくとも１以上の第１樹脂層が、第２樹脂層２０と接合されていればよい。例えば、図６の樹脂多層基板１０１において、第１樹脂層１１ｂの代わりに、第３樹脂層が第２樹脂層２０と接合されていてもよい。この場合、複数の１つの第１樹脂層１２ｂが、第２樹脂層２０と接合されている。
【0127】
なお、図６の樹脂多層基板１０１において、変質部Ｄ２，Ｄ３は必須ではない。
【0128】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【0129】
ＣＮ１，ＣＮ２…接続部
ＳＬ…線路部
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３…変質部
ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３…非変質部
ＦＳ１，ＦＳ２，ＦＳ３…界面
Ｖ１…層間接続導体
ＶＳ１…第１主面
ＶＳ２…第２主面
１…筐体
２…バッテリーパック
１０，１０Ａ，１０Ｂ…基材
１１，１１ａ，１１ｂ，１２，１２ａ，１２ｂ，１３，１３ｂ…第１樹脂層
２０…第２樹脂層
３１，３２…導体パターン
５１，５２…プラグ
６１，６２…レセプタクル
７１，７２…電子部品
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３…樹脂多層基板
２０１，２０２…回路基板
３０１…電子機器
ＳＬ…線路部
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３…変質部
ＮＤ１，ＮＤ２，ＮＤ３…非変質部
ＦＳ１，ＦＳ２，ＦＳ３…界面
Ｖ１…層間接続導体
ＶＳ１…第１主面
ＶＳ２…第２主面
１…筐体
２…バッテリーパック
１０，１０Ａ，１０Ｂ…基材
１１，１１ａ，１１ｂ，１２，１２ａ，１２ｂ，１３，１３ｂ…第１樹脂層
２０…第２樹脂層
３１，３２…導体パターン
５１，５２…プラグ
６１，６２…レセプタクル
７１，７２…電子部品
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３…樹脂多層基板
２０１，２０２…回路基板
３０１…電子機器
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】