特許 7129083 ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜の成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-08-24

(45)【発行日】2022-09-01

(54)【発明の名称】ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜の成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/72 20060101AFI20220825BHJP

   G11B 5/725 20060101ALI20220825BHJP

   G11B 5/84 20060101ALI20220825BHJP

   C23C 16/40 20060101ALI20220825BHJP

   C23C 16/30 20060101ALI20220825BHJP

【ＦＩ】

G11B5/72

G11B5/725

G11B5/84 B

C23C16/40

C23C16/30

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2018513045

(86)(22)【出願日】2017-02-28

(86)【国際出願番号】 JP2017007858

(87)【国際公開番号】W WO2017183314

(87)【国際公開日】2017-10-26

【審査請求日】2020-02-25

(31)【優先権主張番号】P 2016084510

(32)【優先日】2016-04-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】310018593

【氏名又は名称】ジャパンクリエイト株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100081455

【弁理士】

【氏名又は名称】橘 哲男

(74)【代理人】

【識別番号】100170966

【弁理士】

【氏名又は名称】藤本 正紀

(72)【発明者】

【氏名】阿部 浩二

(72)【発明者】

【氏名】渡邊 利行

(72)【発明者】

【氏名】関野 裕康

【審査官】中野 和彦

(56)【参考文献】

【文献】特開平１０－１９８９４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－０６２１６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－００４０８５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ１１Ｂ ５／７２

Ｇ１１Ｂ ５／７２５

Ｇ１１Ｂ ５／８４

Ｃ２３Ｃ １６／４０

Ｃ２３Ｃ １６／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

非磁性基板上に形成された磁性層と、
前記磁性層上に形成されたＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜と、
前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜上に形成されたフッ化有機膜と、
前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜と前記磁性層との間に形成されたＤＬＣ膜と、を具備し
前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜のｘ，ｙ，ｚ，ｗは下記式（１）～（５）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。
（１）０．４＜ｘ＜０．６
（２）０．４＜ｙ＜０．６
（３）０≦ｚ＜０．１
（４）０≦ｗ＜０．１
（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１

【請求項2】

請求項１において、
前記フッ化有機膜は、Ｃ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅＨ_ｄ膜のいずれかの膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。

【請求項3】

請求項２において、
前記Ｃ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅＨ_ｄ膜それぞれはアモルファス膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。

【請求項4】

請求項２または３において、
前記いずれかの膜の厚さは３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。

【請求項5】

被成膜基板上に、ボラジンを気化させたガス及び窒化剤を用いたＣＶＤ法によりＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜を成膜する方法であり、
ｘ，ｙ，ｚ，ｗは下記式（１）～（５）を満たすことを特徴とする成膜方法。
（１）０．４＜ｘ＜０．６
（２）０．４＜ｙ＜０．６
（３）０≦ｚ＜０．１
（４）０≦ｗ＜０．１
（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１

【請求項6】

請求項５において、
前記窒化剤は、アンモニアまたは窒素であることを特徴とする成膜方法。

【請求項7】

請求項５または６に記載の成膜方法により成膜された前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記被成膜基板は、非磁性基板上に磁性層を形成したものであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【請求項8】

請求項７において、
前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜と前記磁性層との間にＤＬＣ膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【請求項9】

請求項７または８において、
前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたＣＶＤ法により形成されたＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅＨ_ｄ膜のいずれかの膜であり、
前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。

【請求項10】

請求項９において、
前記有機物原料ガスが３個以上の炭素を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【請求項11】

請求項９または１０において、
前記いずれかの膜が前記Ｃ_ａＦ_ｂ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_６、Ｃ_６Ｆ_６、Ｃ_６Ｆ_１２、Ｃ_６Ｆ_１４、Ｃ_７Ｆ_８、Ｃ_７Ｆ_１４、Ｃ_７Ｆ_１６、Ｃ_８Ｆ_１６、Ｃ_８Ｆ_１８、Ｃ_９Ｆ_１８、Ｃ_９Ｆ_２０、Ｃ_１０Ｆ_８、Ｃ_１０Ｆ_１８、Ｃ_１１Ｆ_２０、Ｃ_１２Ｆ_１０、Ｃ_１３Ｆ_２８、Ｃ_１５Ｆ_３２、Ｃ_２０Ｆ_４２、及びＣ_２４Ｆ_５０の少なくとも一つを有し、
前記いずれかの膜が前記Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_３Ｎ_３、Ｃ_３Ｆ_９Ｎ、Ｃ_５Ｆ_５Ｎ、Ｃ_６Ｆ_４Ｎ_２、Ｃ_６Ｆ_９Ｎ_３、Ｃ_６Ｆ_１２Ｎ_２、Ｃ_６Ｆ_１５Ｎ、Ｃ_７Ｆ_５Ｎ、Ｃ_８Ｆ_４Ｎ_２、Ｃ_９Ｆ_２１Ｎ、Ｃ_１２Ｆ_４Ｎ_４、Ｃ_１２Ｆ_２７Ｎ、Ｃ_１４Ｆ_８Ｎ_２、Ｃ_１５Ｆ_３３Ｎ、Ｃ_２４Ｆ_４５Ｎ_３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、
前記いずれかの膜が前記Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_６Ｏ、Ｃ_４Ｆ_６Ｏ_３、Ｃ_４Ｆ_８Ｏ、Ｃ_５Ｆ_６Ｏ_３、Ｃ_６Ｆ_４Ｏ_２、Ｃ_６Ｆ_１０Ｏ_３、Ｃ_８Ｆ_４Ｏ_３、Ｃ_８Ｆ_８Ｏ、Ｃ_８Ｆ_８Ｏ_２、Ｃ_８Ｆ_１４Ｏ_３、Ｃ_１３Ｆ_１０Ｏ、Ｃ_１３Ｆ_１０Ｏ_３、及びＣ_２Ｆ_６Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）ｎ（ＣＦ_２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有し、
前記いずれかの膜が前記Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ_７Ｆ_５ＮＯを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【請求項12】

請求項９乃至１１のいずれか一項において、
前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【請求項13】

請求項９乃至１２のいずれか一項において、
前記原料ガスを用いたＣＶＤ法は、前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を＋１５０Ｖ～－１５０ＶとしたプラズマＣＶＤ法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜の成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法に関する

【背景技術】

【0002】

図６は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。
まず、非磁性基板１０１の上に少なくとも磁性層１０２を形成した被成膜基板１００を用意し、この被成膜基板１００の上に膜厚３ｎｍのＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜１０３をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜する。次いで、このＤＬＣ膜１０３の上に厚さ１ｎｍのＣＮ膜１０４をスパッタリングにより成膜する。

【0003】

次いで、ＣＮ膜１０４をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、ＣＮ膜１０４の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板１００を１５０℃の温度で１時間アニールすることにより、ＣＮ膜１０４上には固体潤滑剤として機能する膜厚４ｎｍのフッ化有機膜１０５が形成される。また、フッ化有機膜１０５の作製方法として蒸着法を用いることもあり、その場合の蒸着温度は１１０℃である。

【0004】

上記の磁気記録媒体を使用する際にはフッ化有機膜１０５にメディアヘッド（図示せず）を接近させる必要があり、このメディアヘッドと磁性層１０２との距離をより短くすることが要求される。このため、ＤＬＣ膜１０３とＣＮ膜１０４とフッ化有機膜１０５の合計膜厚をより薄くすることが要求される。

【0005】

また、上記の磁気記録媒体においてＤＬＣ膜１０３をプラズマＣＶＤ法で成膜する理由は次のとおりである。
ＤＬＣ膜をスパッタリングにより成膜し、その膜厚を８ｎｍ以下にすると、磁性層１０２からＣｏなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜１０５に到達する（いわゆるコロージョン）という問題が発生する。そこで、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により成膜することで、スパッタリングに比べて高密度なＤＬＣ膜を成膜できるため、その膜厚を３ｎｍとしてもコロージョンを防ぐためのバリア性を十分に確保することができる。

【0006】

また、上記の磁気記録媒体においてＣＮ膜１０４を形成する理由は次のとおりである。
ＤＬＣ膜１０３は水の接触角が８０°程度であるため、ＤＬＣ膜１０３上にフッ化有機膜１０５を塗布するとＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との密着性が悪い。このため、ＤＬＣ膜１０３上にフッ化有機膜１０５を塗布することができない。そこで、ＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との間に、水の接触角が３０°程度であるＣＮ膜１０４を形成することで、ＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との密着性を高めることができる。ただし、ＣＮ膜１０４はコロージョンを防ぐためのバリア性の機能を有していない。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明の一態様は、水の接触角が５０°以下の表面を有するＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ 膜の成膜方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様は、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くした磁気記録媒体またはその製造方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］非磁性基板上に形成された磁性層と、
前記磁性層上に形成されたＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜と、
前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜上に形成されたフッ化有機膜と、
前記Ｂ _ｘ Ｎ _ｙ Ｃ _ｚ Ｏ _ｗ 膜と前記磁性層との間に形成されたＤＬＣ膜と、を具備し
前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜のｘ，ｙ，ｚ，ｗは下記式（１）～（５）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。
（１）０．４＜ｘ＜０．６
（２）０．４＜ｙ＜０．６
（３）０≦ｚ＜０．１
（４）０≦ｗ＜０．１
（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１

【0009】

上記のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜では、式（１）～（５）を満たすことにより、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜の表面の水の接触角を５０°以下（好ましくは、３０°以下、更に好ましくは１５°以下、より好ましくは５°以下）とすることができる。

【0010】

［１－１］上記［１］において、
前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜は水の接触角が５０°以下（好ましくは、３０°以下、更に好ましくは１５°以下、より好ましくは５°以下）である表面を有することを特徴とするＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜。

【0013】

［２］上記［１］において、
前記フッ化有機膜は、Ｃ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅＨ_ｄ膜のいずれかの膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。

【0014】

［３］上記［２］において、
前記Ｃ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅＨ_ｄ膜それぞれはアモルファス膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。

【0015】

［４］上記［２］または［３］において、
前記いずれかの膜の厚さは３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。

【0016】

［５］被成膜基板上に、ボラジンを気化させたガス及び窒化剤を用いたＣＶＤ法によりＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜を成膜する方法であり、
ｘ，ｙ，ｚ，ｗは下記式（１）～（５）を満たすことを特徴とする成膜方法。
（１）０．４＜ｘ＜０．６
（２）０．４＜ｙ＜０．６
（３）０≦ｚ＜０．１
（４）０≦ｗ＜０．１
（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１

【0017】

［６］上記［５］において、
前記窒化剤は、アンモニアまたは窒素であることを特徴とする成膜方法。

【0018】

［７］上記［５］または［６］に記載の成膜方法により成膜された前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記被成膜基板は、非磁性基板上に磁性層を形成したものであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【0019】

［８］上記［７］において、
前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜と前記磁性層との間にＤＬＣ膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【0020】

［９］上記［７］または［８］において、
前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたＣＶＤ法により形成されたＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅＨ_ｄ膜のいずれかの膜であり、
前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。

【0021】

［１０］上記［９］において、
前記有機物原料ガスが３個以上の炭素を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【0022】

［１１］上記［９］または［１０］において、
前記いずれかの膜が前記Ｃ_ａＦ_ｂ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_６、Ｃ_６Ｆ_６、Ｃ_６Ｆ_１２、Ｃ_６Ｆ_１４、Ｃ_７Ｆ_８、Ｃ_７Ｆ_１４、Ｃ_７Ｆ_１６、Ｃ_８Ｆ_１６、Ｃ_８Ｆ_１８、Ｃ_９Ｆ_１８、Ｃ_９Ｆ_２０、Ｃ_１０Ｆ_８、Ｃ_１０Ｆ_１８、Ｃ_１１Ｆ_２０、Ｃ_１２Ｆ_１０、Ｃ_１３Ｆ_２８、Ｃ_１５Ｆ_３２、Ｃ_２０Ｆ_４２、及びＣ_２４Ｆ_５０の少なくとも一つを有し、
前記いずれかの膜が前記Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_３Ｎ_３、Ｃ_３Ｆ_９Ｎ、Ｃ_５Ｆ_５Ｎ、Ｃ_６Ｆ_４Ｎ_２、Ｃ_６Ｆ_９Ｎ_３、Ｃ_６Ｆ_１２Ｎ_２、Ｃ_６Ｆ_１５Ｎ、Ｃ_７Ｆ_５Ｎ、Ｃ_８Ｆ_４Ｎ_２、Ｃ_９Ｆ_２１Ｎ、Ｃ_１２Ｆ_４Ｎ_４、Ｃ_１２Ｆ_２７Ｎ、Ｃ_１４Ｆ_８Ｎ_２、Ｃ_１５Ｆ_３３Ｎ、Ｃ_２４Ｆ_４５Ｎ_３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、
前記いずれかの膜が前記Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_６Ｏ、Ｃ_４Ｆ_６Ｏ_３、Ｃ_４Ｆ_８Ｏ、Ｃ_５Ｆ_６Ｏ_３、Ｃ_６Ｆ_４Ｏ_２、Ｃ_６Ｆ_１０Ｏ_３、Ｃ_８Ｆ_４Ｏ_３、Ｃ_８Ｆ_８Ｏ、Ｃ_８Ｆ_８Ｏ_２、Ｃ_８Ｆ_１４Ｏ_３、Ｃ_１３Ｆ_１０Ｏ、Ｃ_１３Ｆ_１０Ｏ_３、及びＣ_２Ｆ_６Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）ｎ（ＣＦ_２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有し、
前記いずれかの膜が前記Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ_７Ｆ_５ＮＯを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【0023】

［１２］上記［９］乃至［１１］のいずれか一項において、
前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【0024】

［１３］上記［９］乃至［１２］のいずれか一項において、
前記原料ガスを用いたＣＶＤ法は、前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を＋１５０Ｖ～－１５０ＶとしたプラズマＣＶＤ法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【発明の効果】

【0025】

本発明の一態様によれば、水の接触角が５０°以下の表面を有するＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ 膜の成膜方法を提供することができる。
また、本発明の一態様によれば、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くした磁気記録媒体またはその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。

【図2】図１に示すＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。

【図3】本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。

【図4】本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。

【図5】実施例のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜をＸＰＳにより測定した結果を示す図である。

【図6】従来の磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

【0028】

（第１の実施形態）
＜磁気記録媒体の製造方法＞
図１は、本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。図２は、図１に示すＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。

【0029】

まず、図１に示すように、非磁性基板１１の上に少なくとも磁性層１２を形成した被成膜基板２を用意する。なお、被成膜基板２は、例えばバードディスク基板、メディアヘッドなどである。

【0030】

次に、磁性層１２の上に膜厚２ｎｍ以下（好ましくは１．５ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以下、さらに好ましくは０．５ｎｍ）のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて成膜する。Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４の表面の水の接触角は５０°以下（好ましくは３０°以下、より好ましくは１５°以下、より好ましくは５°以下）となる。
ｘ，ｙ，ｚ，ｗは、下記式（１）～（５）を満たし、好ましくは下記式（１'）～（２'）及び（３）～（５）を満たす。
（１）０．４＜ｘ＜０．６
（２）０．４＜ｙ＜０．６
（３）０≦ｚ＜０．１
（４）０≦ｗ＜０．１
（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１
（１'）０．４２＜ｘ＜０．５８
（２'）０．４２＜ｙ＜０．５８

【0031】

この後、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板１を１５０℃の温度で１時間アニールすることにより、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４上には固体潤滑剤として機能する膜厚４ｎｍのフッ化有機膜１５が形成される。なお、フッ化有機膜１５の作製方法として蒸着法を用いても良く、その場合の蒸着温度は１１０℃である。

【0032】

本実施形態によれば、上記の式（１）～（５）を満たすＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を成膜することにより、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４の表面の水の接触角を５０°以下（好ましくは、３０°以下、更に好ましくは１５°以下、より好ましくは５°以下）とすることができる。このため、フッ化有機膜１５とＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜１５がＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４から剥離することを抑制できる。

【0033】

また、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４はほとんど水素を含有しないため、緻密な膜となり、磁性層１２から不純物が溶け出してフッ化有機膜１５に到達する（いわゆるコロージョン）を防ぐためのバリア性を持たせることができる。そのため、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間にＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を配置することにより、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。

【0034】

また、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４はほとんど水素を含有しないため、耐熱性を向上させることができる。

【0035】

＜プラズマＣＶＤ装置＞
図２に示すプラズマＣＶＤ装置について説明する。
図２のプラズマＣＶＤ装置は被成膜基板（例えばディスク基板）１に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板１の両面に同時に成膜可能な装置である。

【0036】

プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２を有しており、このチャンバー１０２内には、例えばタンタルからなるフィラメント状の第１及び第２のカソード電極（第１及び第２のカソードフィラメント）１０３ａ，１０３ｂが形成されている。第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれの両端はチャンバー１０２の外部に位置する第１及び第２のカソード電源（第１及び第２の交流電源）１０５ａ，１０５ｂに電気的に接続されており、第１及び第２のカソード電源１０５ａ，１０５ｂはチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。第１及び第２のカソード電源１０５ａ，１０５ｂとしては例えば０～５０Ｖ、１０～５０Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。第１及び第２のカソード電源１０５ａ，１０５ｂの一端はアース１０６に電気的に接続されている。

【0037】

チャンバー１０２内には、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれの周囲を囲むようにロート状の形状を有する第１及び第２のアノード電極（第１及び第２のアノードコーン）１０４ａ，１０４ｂが配置されており、第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂそれぞれはスピーカーのような形状とされている。

【0038】

第１のアノードコーン１０４ａは第１のアノード電源（第１のＤＣ（直流）電源）１０７ａのプラス電位側に電気的に接続されており、第１のＤＣ電源１０７ａはチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。第１のＤＣ電源１０７ａのマイナス電位側はアース１０６に電気的に接続されている。

【0039】

第２のアノードコーン１０４ｂは第２のアノード電源（第２のＤＣ（直流）電源）１０７ｂのプラス電位側に電気的に接続されており、第２のＤＣ電源１０７ｂはチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。第２のＤＣ電源１０７ｂのマイナス電位側はアース１０６に電気的に接続されている。

【0040】

第１及び第２のＤＣ電源１０７ａ，１０７ｂとしては例えば０～５００Ｖ、０～７．５Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。

【0041】

チャンバー１０２内には被成膜基板１が配置されており、この被成膜基板１は第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂ及び第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂに対向するように配置されている。詳細には、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂは第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂの内周面の中央部付近で包囲されており、第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂは、その最大内径側を被成膜基板１に向けて配置されている。

【0042】

被成膜基板１は、図示しないホルダー（保持部）および図示しないトランスファー装置（ハンドリングロボットあるいはロータリインデックスデーブル）により、図示の位置に、順次供給されるようになっている。

【0043】

被成膜基板１はイオン加速用電源としてのバイアス電源（ＤＣ電源，直流電源）１１２に電気的に接続されており、このＤＣ電源１１２はチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。このＤＣ電源１１２のマイナス電位側が被成膜基板１に電気的に接続されており、ＤＣ電源１１２のプラス電位側がアース１０６に電気的に接続されている。ＤＣ電源１１２としては例えば０～１５００Ｖ、０～１００ｍＡ（ミリアンペア）の電源を用いることができる。

【0044】

チャンバー１０２内には、第１のカソードフィラメント１０３ａ及び第１のアノードコーン１０４ａそれぞれと被成膜基板１との間の空間を覆うように第１のプラズマウォール１０８ａが配置され、且つ第２のカソードフィラメント１０３ｂ及び第２のアノードコーン１０４ｂそれぞれと被成膜基板１との間の空間を覆うように第２のプラズマウォール１０８ｂが配置されている。

【0045】

第１及び第２のプラズマウォール１０８ａ，１０８ｂそれぞれは、フロート電位（図示せず）に電気的に接続されており、チャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。また、第１及び第２のプラズマウォール１０８ａ，１０８ｂは円筒形状又は多角形状を有している。

【0046】

第１及び第２のプラズマウォール１０８ａ，１０８ｂそれぞれの被成膜基板１側の端部には膜厚補正板１１８ａ，１１８ｂが設けられており、膜厚補正板１１８ａ，１１８ｂは前記フロート電位に電気的に接続されている。膜厚補正板１１８ａ，１１８ｂにより被成膜基板１の外周部分に成膜される膜の厚さを制御することができる。

【0047】

チャンバー１０２の外側には第１及び第２のネオジウム磁石１０９ａ，１０９ｂが配置されている。第１及び第２のネオジウム磁石１０９ａ，１０９ｂは例えば円筒形状又は多角形状を有しており、円筒形又は多角形の内径の中心は磁石中心となり、この磁石中心は第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂの略中心及び被成膜基板１の略中心それぞれと対向するように位置している。第１及び第２のネオジウム磁石１０９ａ，１０９ｂそれぞれは、その磁石中心の磁力が５０Ｇ（ガウス）以上２００Ｇ以下であることが好ましく、より好ましくは５０Ｇ以上１５０Ｇ以下である。磁石中心の磁力を２００Ｇ以下とする理由は、ネオジウム磁石では磁石中心の磁力を２００Ｇまで高めるのが製造上の限界であるからである。また、磁石中心の磁力を１５０Ｇ以下とするのがより好ましい理由は、磁石中心の磁力を１５０Ｇ超とすると磁石を作るコストが増大するからである。

【0048】

また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２内を真空排気する真空排気機構（図示せず）を有している。また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２内に成膜原料ガスを供給するガス供給機構（図示せず）を有している。このガス供給機構は、ボラジンを気化させたガスを供給するボラジン供給源及び窒化剤供給源を有する。ボラジン供給源より供給されるガスは、マスフローコントローラによって流量調整されてチャンバー１０２内に供給されるようになっている。窒化剤供給源により供給される窒化剤のガスは、マスフローコントローラによって流量調整されてチャンバー１０２内に供給されるようになっている。窒化剤としては、アンモニアまたは窒素を用いることが好ましい。

【0049】

＜成膜方法＞
図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて被成膜基板１上にＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を成膜する方法について説明する。被成膜基板１には非磁性基板上に少なくとも磁性層が形成されている。

【0050】

まず、被成膜基板１を保持部に保持させる。次いで、真空排気機構を起動させ、チャンバー１０２の内部を所定の真空状態とし、チャンバー１０２の内部にガス供給機構によってボラジン（Ｂ_３Ｈ_６Ｎ_３）を気化したガス及び窒化剤である窒素ガスを導入する。チャンバー１０２内が所定の圧力になった後、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれに第１及び第２のカソード電源１０５ａ，１０５ｂによって交流電流を供給することにより第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂが加熱される。

【0051】

また、被成膜基板１にＤＣ電源１１２によって直流電流を供給する。また、第１及び第２のＤＣ電源１０７ａ，１０７ｂそれぞれから第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂそれぞれに直流電流を供給する。

【0052】

第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂの加熱によって、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれから第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂそれぞれに向けて多量の電子が放出され、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれと第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂそれぞれとの間でグロー放電が開始される。多量の電子によってチャンバー１０２の内部のボラジンガス及び窒素ガスがイオン化され、プラズマ状態とされる。この際、第１及び第２のネオジウム磁石１０９ａ，１０９ｂそれぞれによって第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれの近傍に位置するボラジンガス及び窒素ガスをプラズマ化する領域に磁場が発生されているので、この磁場によってプラズマを高密度化することができ、イオン化効率を向上させることができる。そして、プラズマ状態の成膜原料分子は、被成膜基板１のマイナス電位によって直接に加速されて、被成膜基板１の方向に向かって飛走して、被成膜基板１の表面に付着される。これにより、被成膜基板１にはＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４が形成される。

【0053】

このＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４は、前述したように大部分がＢとＮであり、少量のＣとＯを含む。少量のＣとＯを含む理由は、原料ガスにはＣとＯが含まれていないが、チャンバー１０２の内部を真空排気してもチャンバー１０２内にＣとＯが少し残るためである。

【0054】

なお、本実施形態では、非磁性基板１１の上に少なくとも磁性層１２を形成した被成膜基板１を用意し、この被成膜基板１の上に成膜したＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を形成しているが、これに限定されず、他の基板上にＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を形成してもよい。この場合の他の基板は、種々の基板を用いることが可能であり、例えば電子デバイスを用いても良い。

【0055】

また、本実施形態では、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いてＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を成膜しているが、他のＣＶＤ装置を用いてもよい。

【0056】

（第２の実施形態）
＜磁気記録媒体の製造方法＞
図３は、本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。

【0057】

磁性層１２とＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４との間にＤＬＣ膜を形成する点以外は第１の実施形態と同様である。詳細には、被成膜基板１の上に膜厚１ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ）のＤＬＣ膜１３をＣＶＤ法により成膜する。次に、ＤＬＣ膜１３の上にＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を成膜する工程以降は第１の実施形態と同様である。

【0058】

本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態では、水素を含有せず高密度なＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４に、磁性層１２からＣｒなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜１５に到達する（いわゆるコロージョン）のを防ぐためのバリア性を持たせることができるため、従来はＤＬＣ膜１３だけに持たせていたバリア性をＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４にも持たせることにより、ＤＬＣ膜１３を薄くしてもコロージョンを防ぐことが可能になる。その結果、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。なお、本実施形態では、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４の膜厚を１ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ）とするとよい。

【0059】

（第３の実施形態）
本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法では、図１に示す磁性層１２上にＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４を形成するまでの工程は第１の実施形態と同様であるので説明を省略し、図４に示すプラズマＣＶＤ装置を用いてＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４の上にフッ化有機膜１５を形成する工程から説明する。なお、本実施形態は、フッ化有機膜１５を形成する工程以外については第１の実施形態と同様である。

【0060】

図４は、本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。
プラズマＣＶＤ装置はチャンバー２を有しており、チャンバー２内の下方には被成膜基板１を保持する保持電極４が配置されている。

【0061】

保持電極４は例えば周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源６に電気的に接続されており、保持電極４はＲＦ印加電極としても作用する。保持電極４の周囲及び下部はアースシールド５によってシールドされている。なお、本実施形態では、高周波電源６を用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。

【0062】

チャンバー２内の上方には、保持電極４に対向して平行の位置にガスシャワー電極（対向電極）７が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極は接地電位に接続されている。なお、本実施形態では、保持電極４に電源を接続し、ガスシャワー電極に接地電位を接続しているが、保持電極４に接地電位を接続し、ガスシャワー電極に電源を接続しても良い。

【0063】

ガスシャワー電極７の下面には、被成膜基板１のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４が形成された側（ガスシャワー電極７と保持電極４との間の空間）にシャワー状の原料ガスを供給する複数の供給口（図示せず）が形成されている。原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることができる。この有機物原料ガスは３個以上の炭素を含むことが好ましい。

【0064】

ガスシャワー電極７の内部にはガス導入経路（図示せず）が設けられている。このガス導入経路の一方側は上記供給口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は原料ガスの供給機構３に接続されている。また、チャンバー２には、チャンバー２の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ（図示せず）に接続されている。

【0065】

また、プラズマＣＶＤ装置は、高周波電源６、原料ガスの供給機構３、排気ポンプなどを制御する制御部（図示せず）を有しており、この制御部は後述するＣＶＤ成膜処理を行うようにプラズマＣＶＤ装置を制御するものである。

【0066】

次に、図４に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて図１に示すＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４の上にフッ化有機膜１５を形成する工程について説明する。

【0067】

本実施形態では、フッ化有機膜１５としてＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｄ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｄ膜のいずれかの膜を用いる。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。

【0068】

以下にＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｄ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｄ膜のいずれかの膜の成膜について詳細に説明する。
被成膜基板１を図４に示すチャンバー２内に挿入し、このチャンバー２内の保持電極４上に被成膜基板１を保持する。

【0069】

次に、排気ポンプによってチャンバー２内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー２内に導入して被成膜基板１の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極４とアースシールド５との間を通ってチャンバー２の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー２内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源６により例えば１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）を印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板１のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４の上にＣ_ａＦ_ｂ膜１５を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が０．０１Ｐａ～大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が＋１５０Ｖ～－１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ～－５０Ｖ）である条件で行うことが好ましい。このように直流電圧成分を低く抑えることにより、フッ化有機膜１５より下層の膜へのプラズマダメージを抑制することができる。

【0070】

なお、本実施形態では、保持電極４に高周波電力を供給し、ガスシャワー電極７にアースを供給しているが、ガスシャワー電極７に高周波電力を供給し、保持電極４にアースを供給してもよい。

【0071】

次いで、高周波電源６からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極７の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。

【0072】

上記の原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることが好ましい。

【0073】

有機物原料ガスの具体例は、以下のとおりである。
膜１５としてＣ_ａＦ_ｂ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_６、Ｃ_６Ｆ_６、Ｃ_６Ｆ_１２、Ｃ_６Ｆ_１４、Ｃ_７Ｆ_８、Ｃ_７Ｆ_１４、Ｃ_７Ｆ_１６、Ｃ_８Ｆ_１６、Ｃ_８Ｆ_１８、Ｃ_９Ｆ_１８、Ｃ_９Ｆ_２０、Ｃ_１０Ｆ_８、Ｃ_１０Ｆ_１８、Ｃ_１１Ｆ_２０、Ｃ_１２Ｆ_１０、Ｃ_１３Ｆ_２８、Ｃ_１５Ｆ_３２、Ｃ_２０Ｆ_４２、及びＣ_２４Ｆ_５０の少なくとも一つを有するものである。

【0074】

また、膜１５としてＣ_ａＦ_ｂ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、パーフルオロアミン類のトリヘプタフルオロプロピルアミン（第３級アミン類）を用いてもよい。

【0075】

膜１５としてＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_３Ｎ_３、Ｃ_３Ｆ_９Ｎ、Ｃ_５Ｆ_５Ｎ、Ｃ_６Ｆ_４Ｎ_２、Ｃ_６Ｆ_９Ｎ_３、Ｃ_６Ｆ_１２Ｎ_２、Ｃ_６Ｆ_１５Ｎ、Ｃ_７Ｆ_５Ｎ、Ｃ_８Ｆ_４Ｎ_２、Ｃ_９Ｆ_２１Ｎ、Ｃ_１２Ｆ_４Ｎ_４、Ｃ_１２Ｆ_２７Ｎ、Ｃ_１４Ｆ_８Ｎ_２、Ｃ_１５Ｆ_３３Ｎ、Ｃ_２４Ｆ_４５Ｎ_３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有するものである。

【0076】

膜１５としてＣ_ａＦ_ｂＯ_ｄ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ_３Ｆ_６Ｏ、Ｃ_４Ｆ_６Ｏ_３、Ｃ_４Ｆ_８Ｏ、Ｃ_５Ｆ_６Ｏ_３、Ｃ_６Ｆ_４Ｏ_２、Ｃ_６Ｆ_１０Ｏ_３、Ｃ_８Ｆ_４Ｏ_３、Ｃ_８Ｆ_８Ｏ、Ｃ_８Ｆ_８Ｏ_２、Ｃ_８Ｆ_１４Ｏ_３、Ｃ_１３Ｆ_１０Ｏ、Ｃ_１３Ｆ_１０Ｏ_３、及びＣ_２Ｆ_６Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）ｎ（ＣＦ_２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有するものである。

【0077】

膜１５としてＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｄ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ_７Ｆ_５ＮＯを有するものである。

【0078】

なお、本実施形態では、高周波電源６を用いているが、直流電源またはマイクロ波電源を用いても良い。このように直流電源を用いることで直流プラズマを形成する際の直流電圧は、＋１５０Ｖ～－１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ～－５０Ｖ）であることが好ましい。

【0079】

このようにして被成膜基板１のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜１４の上に成膜されたＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅＨ_ｄ膜のいずれかの膜１５は、その膜厚が３ｎｍ以下（より好ましくは１ｎｍ以下）であり、水の接触角が大きく撥水性であり、固体潤滑剤として機能する。この膜１５はアモルファス膜であることが好ましい。また、膜１５のヤング率は０．１～３０ＧＰａであることが好ましい。

【0080】

なお、上記第１乃至第３の実施形態を互いに組み合わせて実施することも可能である。

【実施例】

【0081】

下記の成膜条件により基板上にＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜を成膜し、このＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜の構成元素をＸＰＳ (X-ray Photoelectron Spectroscopy)（ａｔ％）により測定した。その測定結果を図５に示す。

【0082】

（Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜の成膜条件）
基板 ： 磁性層／ガラスディスク（ガラス製ディスク表面に磁性層がスパッタされた基板）
基板温度 ： ４００℃
成膜装置 ： 図２に示すプラズマＣＶＤ装置
原料ガス ： ボラジン＋窒素
ボラジンガス流量 ： ２．０ｓｃｃｍ（トルエン用マスフローを使用）
窒素ガス流量 ： ６．０ｓｃｃｍ
圧力 ： ０．２Ｐａ
ホットカソード１０３ａ，１０３ｂ ： タンタルフィラメント
交流電源１０５ａ，１０５ｂの出力 ： １８０Ｗ
ＤＣ電源１０７ａ，１０７ｂの電流 ： １６５０ｍＡ
ＤＣ電源１１２の電圧 ： ２５０Ｖ
外部磁場 ： ５０Ｇ
成膜時間 ： ９９．９ｓｅｃ

【0083】

（ＸＰＳ測定）
装置 ： ＵＬＶＡＣ Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ
Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｘ－ｒａｙ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ
加速電圧 ： ３ｋＶ
エミッション電流 ： ２０μＡ

【0084】

図５に示すように、本実施例のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜にはＢが４２．３％、Ｎが４２．７％、Ｃが５．２％、Ｏが９．８％含まれていた。従って、本実施例のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜は、第１の実施形態におけるＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜のｘ，ｙ，ｚ，ｗの範囲に入っている。

【0085】

次に、本実施例のＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜の水の接触角を以下の方法で測定した。
（水の接触角の測定）
装置 ： 協和界面株式会社製接触角計ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ３００
測定方法 ： 液滴法
解析方法 ： θ／２法
液量 ： １μｌ

【0086】

上記の測定結果によれば、Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜の水の接触角は１．５°であった。従って、フッ化有機膜とＢ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜との密着力を十分に確保できることが確認された。

【符号の説明】

【0087】

１，１００…被成膜基板
２…チャンバー
３…原料ガスの供給機構
４…保持電極
５…アースシールド
６…高周波電源
７…ガスシャワー電極（対向電極）
１１，１０１…非磁性基板
１２，１０２…磁性層
１３，１０３…ＤＬＣ膜
１４…Ｂ_ｘＮ_ｙＣ_ｚＯ_ｗ膜
１５…フッ化有機膜、Ｃ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｅＨ_ｄ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ｃＯ_ｅＨ_ｄ膜のいずれかの膜
１０２ チャンバー
１０３ａ 第１のカソード電極（第１のカソードフィラメント）
１０３ｂ 第２のカソード電極（第２のカソードフィラメント）
１０４…ＣＮ膜
１０４ａ 第１のアノード電極（第１のアノードコーン）
１０４ｂ 第２のアノード電極（第２のアノードコーン）
１０５…フッ化有機膜
１０５ａ 第１のカソード電源（第１の交流電源）
１０５ｂ 第２のカソード電源（第２の交流電源）
１０６ アース電源
１０７ａ 第１のアノード電源（第１のＤＣ（直流）電源）
１０７ｂ 第２のアノード電源（第２のＤＣ（直流）電源）
１０８ａ 第１のプラズマウォール
１０８ｂ 第２のプラズマウォール
１０９ａ 第１のネオジウム磁石
１０９ｂ 第２のネオジウム磁石
１１２ バイアス電源（ＤＣ電源，直流電源）
１１８ａ，１１８ｂ 膜厚補正板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】