特許 7133051 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-08-30

(45)【発行日】2022-09-07

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09G 3/36 20060101AFI20220831BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20220831BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20220831BHJP

   G02F 1/133 20060101ALI20220831BHJP

【ＦＩ】

G09G3/36

G09G3/20 624B

G09G3/20 680H

G09G3/20 631B

G09G3/20 631C

G09G3/20 631D

G09G3/20 631M

G09G3/20 660V

G09G3/20 624C

G09G3/20 623D

G09G3/20 622Q

G09G3/20 621M

G02F1/1368

G02F1/133 550

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2021029899

(22)【出願日】2021-02-26

(62)【分割の表示】P 2017082851の分割

【原出願日】2017-04-19

(65)【公開番号】P2021092810

(43)【公開日】2021-06-17

【審査請求日】2021-02-26

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】光澤 穣

(72)【発明者】

【氏名】仲尾 貴之

(72)【発明者】

【氏名】玉置 昌哉

(72)【発明者】

【氏名】小澤 裕

【審査官】橋本 直明

(56)【参考文献】

【文献】特開２００２－２７８４９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１４７９３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１４５９１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１２／０９０８０３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２００７／０１３９３３５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】韓国登録特許第１０－０６１１７００（ＫＲ，Ｂ１）

【文献】米国特許出願公開第２００２／００８９４９６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１３６５０９３（ＣＮ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００９／００９１５７９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０１３１７２１１（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｇ ３／３６

Ｇ０９Ｇ ３／２０

Ｇ０２Ｆ １／１３６８

Ｇ０２Ｆ １／１３３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

画素電極と、該画素電極による表示を制御する副画素データを格納する第１メモリと第２メモリと、当該第１メモリと画素電極との間に設けられる第１メモリスイッチと、第２メモリと画素電極との間に設けられる第２メモリスイッチと、をそれぞれ備える複数の副画素と、
各副画素の前記第１メモリスイッチに接続されている第１メモリ選択線と、第２メモリスイッチに接続されている第２メモリ選択線と、
前記第１メモリ選択線と前記第２メモリ選択線に接続され、いずれか一方のメモリ選択線にメモリ選択信号を供給するメモリ選択回路と、
前記複数の副画素に共通なコモン電位が供給される共通電極と、
前記コモン電位を基準信号に同期して反転させて、前記共通電極に出力する、共通電極駆動回路と、
を備え、
前記複数の副画素は、
前記メモリ選択回路から前記メモリ選択信号が供給された前記メモリ選択線に応じて、前記第１メモリと第２メモリのいずれかに格納されている前記副画素データに基づいて画像を表示し、
前記メモリ選択回路は、
動画像を表示する場合に前記基準信号を通過させ、静止画像を表示する場合に前記基準信号を遮断するスイッチを有し、動画像を表示する場合に、前記第１メモリ選択線及び前記第２メモリ選択線のいずれか一方のメモリ選択線に前記メモリ選択信号を前記基準信号の１周期供給し、静止画像を表示する場合に、前記第１メモリ選択線及び前記第２メモリ選択線のいずれか一方のメモリ選択線に前記メモリ選択信号を供給し続け、
動画像を表示する場合に、前記メモリ選択回路による第１メモリ選択線にメモリ選択信号を供給する期間の長さと前記第２メモリ選択線にメモリ選択信号を供給する期間の長さは、前記基準信号の１周期であり、互いに同じである、
表示装置。

【請求項2】

前記メモリ選択回路は、
動画像を表示する場合に、前記第１メモリ選択線に前記メモリ選択信号を供給した後、前記第２メモリ選択線に前記メモリ選択信号を供給し、その直後に再度前記第１メモリ選択線に前記メモリ選択信号を供給する
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

動画像を表示する場合に、前記メモリ選択回路が各メモリ選択線にメモリ選択信号を供給する期間の長さは、前記基準信号の１周期でありすべて同じである
請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記画素電極で表示される副画素データを格納する第３メモリと、当該第３メモリと画素電極との間に設けられる第３メモリスイッチと、が各副画素にさらに設けられると共に、
当該第３メモリスイッチと前記メモリ選択回路に接続される第３メモリ選択線をさらに備え、
前記複数の副画素は、
前記メモリ選択回路から前記メモリ選択信号が供給された前記メモリ選択線に応じて、前記第１メモリ、第２メモリ及び第３メモリのいずれかに格納されている前記副画素データに基づいて画像を表示し、
動画像を表示する場合に、前記メモリ選択回路による第１メモリ選択線にメモリ選択信号を供給する期間の長さと、前記第２メモリ選択線にメモリ選択信号を供給する期間の長さと、前記第３メモリ選択線にメモリ選択信号を供給する期間の長さは、前記基準信号の１周期であり、すべて同じである、
請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項5】

前記コモン電位と同相の表示信号を供給する第１表示信号線と、前記コモン電位と逆相の表示信号を供給する第２表示信号線と、
を更に備え、
前記各副画素は、
いずれかのメモリから出力される前記副画素データに基づいて、前記第１表示信号線と第２表示信号線のいずれかを副画素電極に接続するスイッチ回路を更に備えており、
前記メモリ選択回路は、
動画像を表示する場合に、前記基準信号に基づいて前記共通電極駆動回路と同期しており、各メモリ選択線に供給されるメモリ選択信号を供給する期間における前記コモン電位の反転駆動期間の長さは、前記基準信号の１周期であり、すべて同じである、
請求項１から４のいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

画像を表示する表示装置は、複数の画素を備える。下記の特許文献１には、複数の画素の各々がメモリを含む、いわゆるＭＩＰ（Memory In Pixel）型の表示装置が記載されている。特許文献１記載の表示装置では、複数の画素の各々が、複数のメモリとこれらのメモリの切替え回路とを含んでいる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平９－２１２１４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１記載の表示装置では、各画素のメモリの切り替えは、切り替え回路を走査信号により操作する線順次走査によって行われる。従って、特許文献１記載の表示装置では、全部の画素のメモリの切り替えには、１フレーム時間が必要である。つまり、特許文献１記載の表示装置では、画像（フレーム）を変化させるために、１フレーム時間が必要である。

【0005】

本発明は、画像を短時間で変化させることができる表示装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一態様の表示装置は、画素電極と、該画素電極による表示を制御する副画素データを格納する第１メモリと第２メモリと、当該第１メモリと画素電極との間に設けられる第１メモリスイッチと、第２メモリと画素電極との間に設けられる第２メモリスイッチと、をそれぞれ備える複数の副画素と、各副画素の第１メモリスイッチに接続されている第１メモリ選択線と、第２メモリスイッチに接続されている第２メモリ選択線と、第１メモリ選択線と第２メモリ選択線に接続され、いずれか一方のメモリ選択線にメモリ選択信号を供給するメモリ選択回路と、を備える。複数の副画素は、メモリ選択回路からメモリ選択信号が供給されたメモリ選択線に応じて、第１メモリと第２メモリのいずれかに格納されている副画素データに基づいて画像を表示し、メモリ選択回路による第１メモリ選択線にメモリ選択信号を供給する期間の長さと第２メモリ選択線にメモリ選択信号を供給する期間の長さは同じである。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態の表示装置の全体構成の概要を示す図である。

【図2】図２は、実施形態の表示装置の断面図である。

【図3】図３は、実施形態の表示装置の画素内での副画素の配置を示す図である。

【図4】図４は、実施形態の表示装置の回路構成を示す図である。

【図5】図５は、実施形態の表示装置の副画素の回路構成を示す図である。

【図6】図６は、実施形態の表示装置の副画素のメモリの回路構成を示す図である。

【図7】図７は、実施形態の表示装置の副画素の反転スイッチの回路構成を示す図である。

【図8】図８は、実施形態の表示装置の副画素のレイアウトの概要を示す図である。

【図9】図９は、実施形態の表示装置の動作タイミングを示すタイミング図である。

【図10】図１０は、実施形態の表示装置の適用例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

（実施形態）
［全体構成］
図１は、実施形態の表示装置の全体構成の概要を示す図である。表示装置１は、第１パネル２と、第１パネル２に対向配置された第２パネル３と、を含む。表示装置１は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の額縁領域ＧＤと、を有する。表示領域ＤＡにおいて、第１パネル２と第２パネル３との間には、液晶層が封入されている。

【0010】

なお、実施形態では、表示装置１は、液晶層を使用した液晶表示装置としたが、本開示はこれに限定されない。表示装置１は、液晶層に代えて有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子を使用した有機ＥＬ表示装置であっても良い。

【0011】

表示領域ＤＡ内には、複数の画素Ｐｉｘが、第１パネル２及び第２パネル３の主面と平行なＸ方向にＮ列（Ｎは、自然数）、第１パネル２及び第２パネル３の主面と平行且つＸ方向と交差するＹ方向にＭ行（Ｍは、自然数）のマトリクス状に配置されている。額縁領域ＧＤ内には、インタフェース回路４と、ソース線駆動回路５と、共通電極駆動回路６と、反転駆動回路７と、メモリ選択回路８と、ゲート線駆動回路９と、ゲート線選択回路１０とが、配置されている。なお、これら複数の回路のうち、インタフェース回路４と、ソース線駆動回路５と、共通電極駆動回路６と、反転駆動回路７と、メモリ選択回路８とをＩＣチップに組み込み、ゲート線駆動回路９と、ゲート線選択回路１０とを第１パネル上に形成した構成を採用することも可能である。或いは、ＩＣチップに組み込まれる回路群を表示装置外のプロセッサに形成し、それらと表示装置とを接続する構成も採用可能である。

【0012】

Ｍ×Ｎ個の画素Ｐｉｘの各々は、複数の副画素ＳＰｉｘを含む。実施形態では、複数の副画素ＳＰｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の３個とするが、本開示はこれに限定されない。複数の副画素ＳＰｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）にＷ（白）を加えた４個であっても良い。或いは、複数の副画素ＳＰｉｘは、色が異なる５個以上であっても良い。

【0013】

実施形態では、複数の副画素ＳＰｉｘが３個であるので、表示領域ＤＡ内には、Ｍ×Ｎ×３個の副画素ＳＰｉｘが配置されていることになる。また、実施形態では、Ｍ×Ｎ個の画素Ｐｉｘの各々の３個の副画素ＳＰｉｘがＸ方向に配置されているので、Ｍ×Ｎ個の画素Ｐｉｘの１つの行には、Ｎ×３個の副画素ＳＰｉｘが配置されていることになる。

【0014】

各副画素ＳＰｉｘは、複数のメモリを含む。実施形態では、複数のメモリは、第１メモリから第３メモリまでの３個とするが、本開示はこれに限定されない。複数のメモリは、２個であっても良いし、４個以上であっても良い。

【0015】

実施形態では、複数のメモリが３個であるので、表示領域ＤＡ内には、Ｍ×Ｎ×３×３個のメモリが配置されていることになる。また、実施形態では、各副画素ＳＰｉｘが３個のメモリを含んでいるので、Ｍ×Ｎ個の画素Ｐｉｘの１つの行には、Ｎ×３×３個のメモリが配置されていることになる。

【0016】

各副画素ＳＰｉｘは、各々が含む第１のメモリから第３のメモリまでの内の選択された１個のメモリに格納されている副画素データに基づいて、当該副画素ＳＰｉｘの表示が実施される。つまり、Ｍ×Ｎ×３個の副画素ＳＰｉｘに含まれるＭ×Ｎ×３×３個のメモリの集合は、３個のフレームメモリと同等である。

【0017】

インタフェース回路４は、シリアル－パラレル変換回路４ａと、タイミングコントローラ４ｂと、を含む。タイミングコントローラ４ｂは、設定レジスタ４ｃを含む。シリアル－パラレル変換回路４ａには、コマンドデータＣＭＤ及び画像データＩＤが、外部回路からシリアルに供給される。外部回路は、ホストＣＰＵ（Central Processing Unit）又はアプリケーションプロセッサが例示されるが、本開示はこれらに限定されない。

【0018】

シリアル－パラレル変換回路４ａは、供給されたコマンドデータＣＭＤをパラレルに変換して、設定レジスタ４ｃに出力する。設定レジスタ４ｃには、ソース線駆動回路５、反転駆動回路７、メモリ選択回路８、ゲート線駆動回路９及びゲート線選択回路１０を制御するための値がコマンドデータＣＭＤに基づいて設定される。

【0019】

シリアル－パラレル変換回路４ａは、供給された画像データＩＤをパラレルに変換して、タイミングコントローラ４ｂに出力する。タイミングコントローラ４ｂは、設定レジスタ４ｃに設定された値に基づいて、画像データＩＤをソース線駆動回路５に出力する。また、タイミングコントローラ４ｂは、設定レジスタ４ｃに設定された値に基づいて、反転駆動回路７、メモリ選択回路８、ゲート線駆動回路９及びゲート線選択回路１０を制御する。

【0020】

共通電極駆動回路６、反転駆動回路７及びメモリ選択回路８には、基準クロック信号ＣＬＫが、外部回路から供給される。外部回路は、クロックジェネレータが例示されるが、本開示はこれに限定されない。

【0021】

液晶表示装置の画面の焼き付きを抑制するための駆動方式として、コモン反転、カラム反転、ライン反転、ドット反転、フレーム反転などの駆動方式が知られている。

【0022】

表示装置１は、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。実施形態では、表示装置１は、コモン反転駆動方式を採用する。表示装置１がコモン反転駆動方式を採用するので、共通電極駆動回路６は、基準クロック信号ＣＬＫに同期して、共通電極の電位（コモン電位）を反転する。反転駆動回路７は、タイミングコントローラ４ｂの制御下で、基準クロック信号ＣＬＫに同期して、副画素電極の電位を反転させる。これにより、表示装置１は、コモン反転駆動方式を実現することができる。実施形態では、表示装置１は、液晶に電圧が印加されていない場合に黒色を表示し、液晶に電圧が印加されている場合に白色を表示する、いわゆるノーマリーブラック液晶表示装置とする。ノーマリーブラック液晶表示装置では、副画素電極の電位とコモン電位とが同相の場合には、黒色が表示され、副画素電極の電位とコモン電位とが異相の場合には、白色が表示される。

【0023】

基準クロック信号ＣＬＫが、本発明の基準信号に対応する。

【0024】

表示装置にて画像を表示させるべく、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリから第３メモリまでに副画素データを格納する必要がある。各メモリに副画素データを格納するために、ゲート線駆動回路９は、タイミングコントローラ４ｂの制御下で、Ｍ×Ｎ個の画素Ｐｉｘの内の１つの行を選択するためのゲート信号を出力する。

【0025】

各副画素が１個のメモリを有するＭＩＰ型液晶表示装置では、１つの行（画素行（副画素行））当たり１本のゲート線が配置される。しかしながら、実施形態では、各副画素ＳＰｉｘが、第１メモリから第３メモリまでの３個のメモリを含んでいる。そこで、実施形態では、１つの行当たり、３本のゲート線が配置されている。３本のゲート線は、１つの行に含まれる副画素ＳＰｉｘの各々の第１メモリから第３メモリまでに夫々電気的に接続されている。なお、副画素ＳＰｉｘが、ゲート信号に加えて、ゲート信号を反転した反転ゲート信号とで動作する場合には、１つの行当たり、６本のゲート線が配置される。

【0026】

１つの行当たりに配置されている３本又は６本のゲート線が、本発明のゲート線群に対応する。実施形態では、表示装置１は、Ｍ行の画素Ｐｉｘを有するので、Ｍ群のゲート線群が配置されている。

【0027】

ゲート線駆動回路９は、Ｍ行の画素Ｐｉｘに対応して、Ｍ個の出力端子を有している。ゲート線駆動回路９は、タイミングコントローラ４ｂの制御下で、Ｍ行の内の１つの行を選択するためのゲート信号を、Ｍ個の出力端子から順次出力する。

【0028】

ゲート線選択回路１０は、タイミングコントローラ４ｂの制御下で、１つの行に配置された３本のゲート線の内の１本を選択する。これにより、ゲート線駆動回路９から出力されたゲート信号は、１つの行に配置された３本のゲート線の内の選択された１本に、供給される。

【0029】

ソース線駆動回路５は、タイミングコントローラ４ｂの制御下で、ゲート信号によって選択されているメモリに副画素データを夫々出力する。これにより、各副画素の第１メモリ～第３メモリに順次副画素データが夫々格納される。

【0030】

表示装置１は、Ｍ行の画素Ｐｉｘを線順次走査することによって、１個のフレームデータの副画素データが各副画素ＳＰｉｘの第１メモリにされる。そして、表示装置１は、線順次走査を３回実行することによって、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリから第３メモリに３個のフレームデータが格納される。
これに際し、表示装置１は、１つの行の走査ごとに第１のメモリへの書き込み、第２のメモリへの書き込み、第３のメモリへの書き込みを行う手順を採用することも可能である。かかる走査を第１列から第Ｍ列まで実施することにより、一度の線順次走査で各副画素ＳＰｉｘの第１メモリから第３メモリまでに副画素データを格納することができる。

【0031】

実施形態では、１つの行当たり、３本のメモリ選択線が配置されている。３本のメモリ選択線は、１つの行に含まれるＮ×３個の副画素ＳＰｉｘの各々の第１メモリから第３メモリまでに夫々電気的に接続されている。なお、副画素ＳＰｉｘが、メモリ選択信号に加えて、メモリ選択信号を反転した反転メモリ選択信号とで動作する場合には、１つの行当たり、６本のメモリ選択線が配置される。

【0032】

１つの行当たりに配置されている３本又は６本のメモリ選択線が、本発明のメモリ選択線群に対応する。実施形態では、表示装置１は、Ｍ行の画素Ｐｉｘを有するので、Ｍ群のメモリ選択線群が配置されている。

【0033】

メモリ選択回路８は、タイミングコントローラ４ｂの制御下で、基準クロック信号ＣＬＫに同期して、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリから第３メモリまでの内の１個を、同時に選択する。より詳細には、全ての副画素ＳＰｉｘの第１メモリが同時に選択される。或いは、全ての副画素ＳＰｉｘの第２メモリが同時に選択される。全ての副画素ＳＰｉｘの第３メモリが同時に選択される。従って、表示装置１は、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリから第３メモリまでの選択を切り替えることによって、３つの画像の内の１つの画像を表示させることができる。これにより、表示装置１は、画像を一斉に変化させることができ、画像を短時間で変化させることができる。また、表示装置１は、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリから第３メモリまでの選択を順次切り替えることによって、アニメーション表示（動画像表示）を行うことができる。

【0034】

［断面構造］
図２は、実施形態の表示装置の断面図である。図２に示すように、表示装置１は、第１パネル２と、第２パネル３と、液晶層３０とを含む。第２パネル３は、第１パネル２と対向して配置される。液晶層３０は、第１パネル２と第２パネル３との間に設けられる。第２パネル３の一主面たる表面が、画像を表示させるための表示面１ａである。

【0035】

表示面１ａ側の外部から入射した光は、第１パネル２の反射電極１５によって反射されて表示面１ａから出射する。実施形態の表示装置１は、この反射光を利用して、表示面１ａに画像を表示する反射型液晶表示装置である。なお、本明細書において、表示面１ａと平行な方向をＸ方向とし、表示面１ａと平行な面においてＸ方向と交差する方向をＹ方向とする。また、表示面１ａに垂直な方向をＺ方向とする。

【0036】

第１パネル２は、第１基板１１と、絶縁層１２と、反射電極１５と、配向膜１８とを有する。第１基板１１は、ガラス基板又は樹脂基板が例示される。第１基板１１の表面には、図示しない回路素子や、ゲート線、データ線等の各種配線が設けられる。回路素子は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子や、容量素子を含む。

【0037】

絶縁層１２は、第１基板１１の上に設けられ、回路素子や各種配線等の表面を全体として平坦化している。反射電極１５は、絶縁層１２の上に複数設けられる。配向膜１８は、反射電極１５と液晶層３０との間に設けられる。反射電極１５は、各副画素ＳＰｉｘごとに矩形状に設けられている。反射電極１５は、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）で例示される金属で形成されている。また、反射電極１５は、これらの金属材料と、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で例示される透光性導電材料と、を積層した構成としても良い。反射電極１５は、良好な反射率を有する材料が用いられ、外部から入射する光を拡散反射させる反射板として機能する。

【0038】

反射電極１５によって反射された光は、拡散反射によって散乱されるものの、表示面１ａ側に向かって一様な方向に進む。また、反射電極１５に印加される電圧レベルが変化することにより、当該反射電極上の液晶層３０における光の透過状態、すなわち副画素ごとの光の透過状態が変化する。すなわち、反射電極１５は、副画素電極としての機能も有する。

【0039】

第２パネル３は、第２基板２１と、カラーフィルタ２２と、共通電極２３と、配向膜２８と、１／４波長板２４と、１／２波長板２５と、偏光板２６とを含む。第２基板２１の両面のうち、第１パネル２と対向する面に、カラーフィルタ２２及び共通電極２３が、この順で設けられる。共通電極２３と液晶層３０との間に配向膜２８が設けられる。第２基板２１の、表示面１ａ側の面に、１／４波長板２４、１／２波長板２５及び偏光板２６が、この順で積層されている。

【0040】

第２基板２１は、ガラス基板又は樹脂基板が例示される。共通電極２３は、ＩＴＯで例示される透光性導電材料で形成されている。共通電極２３は、複数の反射電極１５と対向して配置され、各副画素ＳＰｉｘに対する共通の電位を供給する。カラーフィルタ２２は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及び、Ｂ（青）の３色のフィルタを有することが例示されるが、本開示はこれに限定されない。

【0041】

液晶層３０は、ネマティック（Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を含んでいることが例示される。液晶層３０は、共通電極２３と反射電極１５との間の電圧レベルが変更されることにより、液晶分子の配向状態が変化する。これによって、液晶層３０を透過する光を副画素ＳＰｉｘ毎に変調する。

【0042】

外光等が表示装置１の表示面１ａ側から入射する入射光となり、第２パネル３及び液晶層３０を透過して反射電極１５に到達する。そして、入射光は各副画素ＳＰｉｘの反射電極１５で反射される。かかる反射光は、副画素ＳＰｉｘ毎に変調されて表示面１ａから出射される。これにより、画像の表示が行われる。

【0043】

［回路構成］
図３は、実施形態の表示装置の画素内での副画素の配置を示す図である。画素Ｐｉｘは、Ｒ（赤）の副画素ＳＰｉｘ_Ｒと、Ｇ（緑）の副画素ＳＰｉｘ_Ｇと、Ｂ（青）の副画素ＳＰｉｘ_Ｂと、を含む。副画素ＳＰｉｘ_Ｒ、ＳＰｉｘ_Ｇ及びＳＰｉｘ_Ｂは、Ｘ方向に配列されている。

【0044】

副画素ＳＰｉｘ_Ｒは、メモリブロック５０と、反転スイッチ６１と、を含む。メモリブロック５０は、第１メモリ５１と、第２メモリ５２と、第３メモリ５３と、を含む。反転スイッチ６１、第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３は、Ｙ方向に配列されている。

【0045】

第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３の各々は、１ビットのデータを格納するメモリセルとするが、本開示はこれに限定されない。第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３の各々は、２ビット以上のデータを格納するメモリセルであっても良い。

【0046】

反転スイッチ６１は、第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３と、副画素電極（反射電極）１５（図２参照）との間に電気的に接続されている。反転スイッチ６１は、反転駆動回路７から供給される、基準クロック信号ＣＬＫに同期して反転する表示信号に基づいて、第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３の内の選択された１個のメモリから出力される副画素データを一定周期毎に反転して、副画素電極１５に出力する。

【0047】

表示信号が反転する周期は、共通電極２３の電位（コモン電位）が反転する周期と同じである。

【0048】

反転スイッチ６１が、本発明のスイッチ回路に対応する。

【0049】

図４は、実施形態の表示装置の回路構成を示す図である。図４では、各副画素ＳＰｉｘの内の２×２個の副画素ＳＰｉｘを示している。

【0050】

副画素ＳＰｉｘは、メモリブロック５０及び反転スイッチ６１に加えて、液晶ＬＱと、保持容量Ｃと、副画素電極１５（図２参照）と、を含む。

【0051】

共通電極駆動回路６は、各副画素ＳＰｉｘに共通するコモン電位ＶＣＯＭを、基準クロック信号ＣＬＫに同期して反転させて、共通電極２３（図２参照）に出力する。共通電極駆動回路６は、基準クロック信号ＣＬＫを共通電極２３にそのままコモン電位ＶＣＯＭとして出力しても良いし、電流駆動能力を増幅するバッファ回路を介して共通電極２３にコモン電位ＶＣＯＭとして出力しても良い。

【0052】

ゲート線駆動回路９は、Ｍ行の画素Ｐｉｘに対応して、Ｍ個の出力端子を有している。ゲート線駆動回路９は、タイミングコントローラ４ｂから供給される制御信号Ｓｉｇ_４に基づいて、Ｍ行の内の１つの行を選択するためのゲート信号を、Ｍ個の出力端子から順次出力する。

【0053】

ゲート線駆動回路９は、制御信号Ｓｉｇ_４（スキャン開始信号及びクロックパルス信号）に基づいて、ゲート信号をＭ個の出力端子から順次出力するスキャナ回路であっても良い。或いは、ゲート線駆動回路９は、符号化された制御信号Ｓｉｇ_４を復号化し、該制御信号Ｓｉｇ_４で指定された出力端子にゲート信号を出力するデコーダ回路であっても良い。

【0054】

ゲート線選択回路１０は、Ｍ行の画素Ｐｉｘに対応して、Ｍ個のスイッチＳＷ_４＿１、ＳＷ_４＿２、・・・を含む。Ｍ個のスイッチＳＷ_４＿１、ＳＷ_４＿２、・・・は、タイミングコントローラ４ｂから供給される制御信号Ｓｉｇ_５によって共通に制御される。

【0055】

第１パネル２上には、Ｍ行の画素Ｐｉｘに対応して、Ｍ群のゲート線群ＧＬ_１、ＧＬ_２、・・・が配置されている。Ｍ群のゲート線群ＧＬ_１、ＧＬ_２、・・・の各々は、当該行の第１メモリ５１（図３参照）に電気的に接続された第１ゲート線ＧＣＬ_ａと、第２メモリ５２（図３参照）に電気的に接続された第２ゲート線ＧＣＬ_ｂと、第３メモリ５３（図３参照）に電気的に接続された第３ゲート線ＧＣＬ_ｃと、を含む。Ｍ群のゲート線群ＧＬ_１、ＧＬ_２、・・・の各々は、表示領域ＤＡ（図１参照）内において、Ｘ方向に沿う。

【0056】

Ｍ個のスイッチＳＷ_４＿１、ＳＷ_４＿２、・・・の各々は、制御信号Ｓｉｇ_５が第１の値の場合には、ゲート線駆動回路９の出力端子と、第１ゲート線ＧＣＬ_ａと、を電気的に接続する。Ｍ個のスイッチＳＷ_４＿１、ＳＷ_４＿２、・・・の各々は、制御信号Ｓｉｇ_５が第２の値の場合には、ゲート線駆動回路９の出力端子と、第２ゲート線ＧＣＬ_ｂと、を電気的に接続する。Ｍ個のスイッチＳＷ_４＿１、ＳＷ_４＿２、・・・の各々は、制御信号Ｓｉｇ_５が第３の値の場合には、ゲート線駆動回路９の出力端子と、第３ゲート線ＧＣＬ_ｃと、を電気的に接続する。

【0057】

ゲート線駆動回路９の出力端子と、第１ゲート線ＧＣＬ_ａと、が電気的に接続された場合には、ゲート信号が、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリ５１に供給される。ゲート線駆動回路９の出力端子と、第２ゲート線ＧＣＬ_ｂと、が電気的に接続された場合には、ゲート信号が、各副画素ＳＰｉｘの第２メモリ５２に供給される。ゲート線駆動回路９の出力端子と、第３ゲート線ＧＣＬ_ｃと、が電気的に接続された場合には、ゲート信号が、各副画素ＳＰｉｘの第３メモリ５３に供給される。

【0058】

第１パネル２上には、Ｎ×３列の副画素ＳＰｉｘに対応して、Ｎ×３本のソース線ＳＧＬ_１、ＳＧＬ_２、・・・が配置されている。各ソース線ＳＧＬ_１、ＳＧＬ_２、・・・の各々は、表示領域ＤＡ（図１参照）内において、Ｙ方向に沿う。ソース線駆動回路５は、ゲート信号によって選択されている各副画素ＳＰｉｘの３個のメモリに対して、ソース線ＳＧＬ_１、ＳＧＬ_２、・・・を介して、副画素データを夫々出力する。

【0059】

ゲート信号が供給された行の副画素ＳＰｉｘは、ゲート信号が供給されたゲート線ＧＣＬに応じて、ソース線ＳＧＬに供給されている副画素データを、第１メモリ５１から第３メモリ５３までの内の１つのメモリに格納する。

【0060】

メモリ選択回路８は、スイッチＳＷ_２と、ラッチ７１と、スイッチＳＷ_３と、を含む。スイッチＳＷ_２は、タイミングコントローラ４ｂから供給される制御信号Ｓｉｇ_２によって制御される。

【0061】

画像を表示する場合、つまり、Ｍ×Ｎ×３個の第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３の内のいずれかから画像データを読み出す場合について説明する。この場合には、タイミングコントローラ４ｂは、第１の値の制御信号Ｓｉｇ_２をスイッチＳＷ_２に出力する。スイッチＳＷ_２は、タイミングコントローラ４ｂから供給される第１の値の制御信号Ｓｉｇ_２に基づいて、オン状態になる。これにより、基準クロック信号ＣＬＫがラッチ７１に供給される。

【0062】

画像を表示しない場合、つまり、Ｍ×Ｎ×３個の第１メモリ５１、Ｍ×Ｎ×３個の第２メモリ５２及びＭ×Ｎ×３個の第３メモリ５３の内のいずれからも画像データを読み出さない場合について説明する。この場合には、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_２をスイッチＳＷ_２に出力する。スイッチＳＷ_２は、タイミングコントローラ４ｂから供給される第２の値の制御信号Ｓｉｇ_２に基づいて、オフ状態になる。これにより、基準クロック信号ＣＬＫがラッチ７１に供給されない。

【0063】

ラッチ７１は、スイッチＳＷ_２がオン状態で基準クロック信号ＣＬＫが供給される場合には、基準クロック信号ＣＬＫのハイレベルを基準クロック信号ＣＬＫの１周期保持する。ラッチ７１は、スイッチＳＷ_２がオフ状態で基準クロック信号ＣＬＫが供給されない場合には、ハイレベルを保持する。

【0064】

第１パネル２上には、Ｍ行の画素Ｐｉｘに対応して、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・が配置されている。Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々は、当該行の第１メモリ５１に電気的に接続された第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａと、第２メモリ５２に電気的に接続された第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂと、第３メモリ５３に電気的に接続された第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃと、を含む。Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々は、表示領域ＤＡ（図１参照）内において、Ｘ方向に沿う。

【0065】

スイッチＳＷ_３は、タイミングコントローラ４ｂから供給される制御信号Ｓｉｇ_３によって制御される。スイッチＳＷ_３は、制御信号Ｓｉｇ_３が第１の値の場合には、ラッチ７１の出力端子と、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａと、を電気的に接続する。スイッチＳＷ_３は、制御信号Ｓｉｇ_３が第２の値の場合には、ラッチ７１の出力端子と、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂと、を電気的に接続する。スイッチＳＷ_３は、制御信号Ｓｉｇ_３が第３の値の場合には、ラッチ７１の出力端子と、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃとを電気的に接続する。

【0066】

各副画素ＳＰｉｘは、メモリ選択信号が供給されたメモリ選択線ＳＥＬに応じて、第１メモリ５１から第３メモリ５３までの内の１つのメモリに格納されている副画素データに基づいて、液晶層を変調する。その結果、表示面に画像（フレーム）が表示される。

【0067】

第１パネル２上には、Ｍ行の画素Ｐｉｘに対応して、Ｍ本の表示信号線ＦＲＰ_１、ＦＲＰ_２、・・・が配置されている。Ｍ本の表示信号線ＦＲＰ_１、ＦＲＰ_２、・・・の各々は、表示領域ＤＡ（図１参照）内において、Ｘ方向に延在している。なお、反転スイッチ６１が、表示信号に加えて、表示信号を反転した反転表示信号とで動作する場合には、１つの行当たり、表示信号線ＦＲＰ及び第２表示信号線ｘＦＲＰが設けられる。

【0068】

１つの行当たりに配置されている１本又は２本の表示信号線が、本発明の表示信号線に対応する。

【0069】

反転駆動回路７は、スイッチＳＷ_１を含む。スイッチＳＷ_１は、タイミングコントローラ４ｂから供給される制御信号Ｓｉｇ_１によって制御される。スイッチＳＷ_１は、制御信号Ｓｉｇ_１が第１の値の場合には、基準クロック信号ＣＬＫを各表示信号線ＦＲＰ_１、ＦＲＰ_２、・・・に供給する。これにより、基準クロック信号ＣＬＫに同期して、副画素電極１５の電位が反転する。スイッチＳＷ_１は、制御信号Ｓｉｇ_１が第２の値の場合には、基準電位（接地電位）ＧＮＤを各表示信号線ＦＲＰ_１、ＦＲＰ_２、・・・に供給する。

【0070】

図５は、実施形態の表示装置の副画素の回路構成を示す図である。図５では、１個の副画素ＳＰｉｘを示している。

【0071】

副画素ＳＰｉｘは、メモリブロック５０を含む。メモリブロック５０は、第１メモリ５１と、第２メモリ５２と、第３メモリ５３と、スイッチＧｓｗ_１からＧｓｗ_３までと、スイッチＭｓｗ_１からＭｓｗ_３までと、を含む。

【0072】

スイッチＧｓｗ_１の制御入力端子は、第１ゲート線ＧＣＬ_ａに電気的に接続されている。スイッチＧｓｗ_１は、第１ゲート線ＧＣＬ_ａにハイレベルのゲート信号が供給されたらオン状態になり、ソース線ＳＧＬ_１と、第１メモリ５１の入力端子と、の間を電気的に接続する。これにより、第１メモリ５１に、ソース線ＳＧＬ_１に供給される副画素データが格納される。

【0073】

スイッチＧｓｗ_２の制御入力端子は、第２ゲート線ＧＣＬ_ｂに電気的に接続されている。スイッチＧｓｗ_２は、第２ゲート線ＧＣＬ_ｂにハイレベルのゲート信号が供給されたらオン状態になり、ソース線ＳＧＬ_１と、第２メモリ５２の入力端子と、の間を電気的に接続する。これにより、第２メモリ５２に、ソース線ＳＧＬ_１に供給される副画素データが格納される。

【0074】

スイッチＧｓｗ_３の制御入力端子は、第３ゲート線ＧＣＬ_ｃに電気的に接続されている。スイッチＧｓｗ_３は、第３ゲート線ＧＣＬ_ｃにハイレベルのゲート信号が供給されたらオン状態になり、ソース線ＳＧＬ_１と、第３メモリ５３の入力端子と、の間を電気的に接続する。これにより、第３メモリ５３に、ソース線ＳＧＬ_１に供給される副画素データが格納される。

【0075】

なお、スイッチＧｓｗ_１からＧｓｗ_３までがハイレベルのゲート信号で動作する場合には、図５に示すように、ゲート線群ＧＬ_１は、第１ゲート線ＧＣＬ_ａから第３ゲート線ＧＣＬ_ｃまでを含む。ハイレベルのゲート信号で動作するスイッチは、Ｎチャネルトランジスタが例示されるが、本開示はこれに限定されない。

【0076】

一方、スイッチＧｓｗ_１からＧｓｗ_３までが、ゲート信号に加えて、ゲート信号を反転した反転ゲート信号とで動作する場合には、ゲート線群ＧＬ_１は、第１ゲート線ＧＣＬ_ａから第３ゲート線ＧＣＬ_ｃまでに加えて、反転ゲート信号が供給される第４ゲート線ｘＧＣＬ_ａから第６ゲート線ｘＧＣＬ_ｃまでを更に含む。ゲート信号と、反転ゲート信号と、で動作するスイッチは、トランスファーゲートが例示されるが、本開示はこれに限定されない。

【0077】

入力端子が第１ゲート線ＧＣＬ_ａに電気的に接続され、出力端子が第４ゲート線ｘＧＣＬ_ａに電気的に接続されたインバータ回路を設けることで、反転ゲート信号を第４ゲート線ｘＧＣＬ_ａに供給することが可能である。同様に、入力端子が第２ゲート線ＧＣＬ_ｂに電気的に接続され、出力端子が第５ゲート線に電気的に接続されたインバータ回路を設けることで、反転ゲート信号を第５ゲート線ｘＧＣＬ_ｂに供給することが可能である。同様に、入力端子が第３ゲート線ＧＣＬ_ｃに電気的に接続され、出力端子が第６ゲート線に電気的に接続されたインバータ回路を設けることで、反転ゲート信号を第６ゲート線ｘＧＣＬ_ｃに供給することが可能である。

【0078】

スイッチＭｓｗ_１の制御入力端子は、第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａに電気的に接続されている。スイッチＭｓｗ_１は、第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａにハイレベルのメモリ選択信号が供給されたらオン状態になり、第１メモリ５１の出力端子と、反転スイッチ６１の入力端子と、の間を電気的に接続する。これにより、第１メモリ５１に格納されている副画素データが、反転スイッチ６１に供給される。

【0079】

スイッチＭｓｗ_２の制御入力端子は、第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂに電気的に接続されている。スイッチＭｓｗ_２は、第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂにハイレベルのメモリ選択信号が供給されたらオン状態になり、第２メモリ５２の出力端子と、反転スイッチ６１の入力端子と、の間を電気的に接続する。これにより、第２メモリ５２に格納されている副画素データが、反転スイッチ６１に供給される。

【0080】

スイッチＭｓｗ_３の制御入力端子は、第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃに電気的に接続されている。スイッチＭｓｗ_３は、第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃにハイレベルのメモリ選択信号が供給されたらオン状態になり、第３メモリ５３の出力端子と、反転スイッチ６１の入力端子と、の間を電気的に接続する。これにより、第３メモリ５３に格納されている副画素データが、反転スイッチ６１に供給される。

【0081】

なお、スイッチＭｓｗ_１からＭｓｗ_３までがハイレベルのメモリ選択信号で動作する場合には、図５に示すように、メモリ選択線群ＳＬ_１は、第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａから第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃまでを含む。ハイレベルのゲート信号で動作するスイッチは、Ｎチャネルトランジスタが例示されるが、本開示はこれに限定されない。

【0082】

一方、スイッチＭｓｗ_１からＭｓｗ_３までが、メモリ選択信号に加えて、メモリ選択信号を反転した反転メモリ選択信号とで動作する場合には、メモリ選択線群ＳＬ_１は、第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａから第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃまでに加えて、反転メモリ選択信号が供給される第４メモリ選択線ｘＳＥＬ_ａから第６メモリ選択線ｘＳＥＬ_ｃまでを更に含む。メモリ選択信号と、反転メモリ選択信号と、で動作するスイッチは、トランスファーゲートが例示されるが、本開示はこれに限定されない。

【0083】

入力端子が第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａに電気的に接続され、出力端子が第４メモリ選択線ｘＳＥＬ_ａに電気的に接続されたインバータ回路を設けることで、反転メモリ選択信号を第４メモリ選択線ｘＳＥＬ_ａに供給することが可能である。同様に、入力端子が第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂに電気的に接続され、出力端子が第５メモリ選択線ｘＳＥＬ_ｂに電気的に接続されたインバータ回路を設けることで、反転メモリ選択信号を第５メモリ選択線ｘＳＥＬ_ｂに供給することが可能である。同様に、入力端子が第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃに電気的に接続され、出力端子が第６メモリ選択線ｘＳＥＬ_ｃに電気的に接続されたインバータ回路を設けることで、反転メモリ選択信号を第６メモリ選択線ｘＳＥＬ_ｃに供給することが可能である。

【0084】

反転スイッチ６１には、基準クロック信号ＣＬＫに同期して反転する表示信号が、表示信号線ＦＲＰ_１から供給される。反転スイッチ６１は、表示信号に基づいて、第１メモリ５１、第２メモリ５２又は第３メモリ５３に格納されている副画素データをそのまま又は反転して、副画素電極１５に供給する。副画素電極１５と共通電極２３との間には、液晶ＬＱ及び保持容量Ｃが、設けられている。保持容量Ｃは、副画素電極１５と共通電極２３との間の電圧を保持する。液晶ＬＱは、副画素電極１５と共通電極２３との間の電圧に基づいて分子の方向が変化し、副画素画像を表示する。

【0085】

なお、反転スイッチ６１が表示信号で動作する場合には、図５に示すように、１本の表示信号線ＦＲＰ_１が、設けられる。一方、反転スイッチ６１が、表示信号に加えて、表示信号を反転した反転表示信号とで動作する場合には、表示信号線ＦＲＰ_１に加えて、第２表示信号線ｘＦＲＰ_１が更に設けられる。そして、入力端子が表示信号線ＦＲＰ_１に電気的に接続され、出力端子が第２表示信号線ｘＦＲＰ_１に電気的に接続されたインバータ回路を設けることで、反転表示信号を第２表示信号線ｘＦＲＰ_１に供給することが可能である。

【0086】

図６は、実施形態の表示装置の副画素のメモリの回路構成を示す図である。図６は、第１メモリ５１の回路構成を示す図である。なお、第２メモリ５２及び第３メモリ５３の回路構成は、第１メモリ５１の回路構成と同様であるので、図示及び説明を省略する。

【0087】

第１メモリ５１は、インバータ回路８１と、インバータ回路８１に逆方向に電気的に並列接続されたインバータ回路８２と、を含むＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）セル構造を有する。インバータ回路８１の入力端子及びインバータ回路８２の出力端子が、ノードＮ１を構成し、インバータ回路８１の出力端子及びインバータ回路８２の入力端子が、ノードＮ２を構成する。インバータ回路８１及び８２は、高電位側の電源供給線ＶＤＤ及び低電位側の電源供給線ＶＳＳから供給される電力を使用して、動作する。

【0088】

ノードＮ１は、スイッチＧｓｗ_１の出力端子に電気的に接続されている。ノードＮ２は、スイッチＭｓｗ_１の入力端子に電気的に接続されている。

【0089】

図６では、スイッチＧｓｗ_１として、トランスファーゲートが用いられている例を示している。スイッチＧｓｗ_１の一方の制御入力端子は、第１ゲート線ＧＣＬ_ａに電気的に接続されている。スイッチＧｓｗ_１の他方の制御入力端子は、第４ゲート線ｘＧＣＬ_ａに電気的に接続されている。第４ゲート線ｘＧＣＬ_ａには、第１ゲート線ＧＣＬ_ａに供給されるゲート信号を反転した、反転ゲート信号が供給される。

【0090】

スイッチＧｓｗ_１の入力端子は、ソース線ＳＧＬ_１に電気的に接続されている。スイッチＧｓｗ_１の出力端子は、ノードＮ１に電気的に接続されている。スイッチＧｓｗ_１は、第１ゲート線ＧＣＬ_ａに供給されるゲート信号がハイレベル且つ第４ゲート線ｘＧＣＬ_ａに供給される反転ゲート信号がローレベルになると、オン状態になり、ソース線ＳＧＬ_１と、ノードＮ１と、の間を電気的に接続する。これにより、ソース線ＳＧＬ_１に供給される副画素データが、第１メモリ５１に格納される。

【0091】

図６では、スイッチＭｓｗ_１として、トランスファーゲートが用いられている例を示している。スイッチＭｓｗ_１の一方の制御入力端子は、第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａに電気的に接続されている。スイッチＭｓｗ_１の他方の制御入力端子は、第４メモリ選択線ｘＳＥＬ_ａに電気的に接続されている。第４メモリ選択線ｘＳＥＬ_ａには、第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａに供給されるメモリ選択信号を反転した、反転メモリ選択信号が供給される。

【0092】

スイッチＭｓｗ_１の入力端子は、ノードＮ２に電気的に接続されている。スイッチＭｓｗ_１の出力端子は、ノードＮ３に接続されている。ノードＮ３は、第１メモリ５１の出力ノードであり、反転スイッチ６１（図５参照）に電気的に接続されている。スイッチＭｓｗ_１は、第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａに供給されるメモリ選択信号がハイレベル且つ第４メモリ選択線ｘＳＥＬ_ａに供給される反転メモリ選択信号がローレベルになると、オン状態になる。これにより、ノードＮ２が、スイッチＭｓｗ_１及びノードＮ３を経由して、反転スイッチ６１の入力端子に、電気的に接続される。これにより、第１メモリ５１に格納されている副画素データが、反転スイッチ６１に供給される。
なお、スイッチＧｓｗ_１及びＭｓｗ_１の両方がオフ状態の場合には、副画素データが、インバータ回路８１及び８２で構成されるループを循環する。従って、第１メモリ５１は、副画素データを保持し続ける。

【0093】

なお、実施形態では、第１メモリ５１がＳＲＡＭである場合を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。第１メモリ５１の他の例は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）が例示される。

【0094】

図７は、実施形態の表示装置の副画素の反転スイッチの回路構成を示す図である。反転スイッチ６１は、インバータ回路９１と、Ｎチャネルトランジスタ９２及び９５と、Ｐチャネルトランジスタ９３及び９４と、を含む。

【0095】

インバータ回路９１の入力端子、Ｐチャネルトランジスタ９４のゲート端子及びＮチャネルトランジスタ９５のゲート端子は、ノードＮ４に接続されている。ノードＮ４は、反転スイッチ６１の入力ノードであり、第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３のノードＮ３に電気的に接続されている。ノードＮ４には、第１メモリ５１、第２メモリ５２又は第３メモリ５３から副画素データが供給される。インバータ回路９１は、高電位側の電源供給線ＶＤＤ及び低電位側の電源供給線ＶＳＳから供給される電力を使用して、動作する。

【0096】

Ｎチャネルトランジスタ９２のソース及びドレインの内の一方は、第２表示信号線ｘＦＲＰ_１に電気的に接続されている。Ｎチャネルトランジスタ９２のソース及びドレインの内の他方は、ノードＮ５に電気的に接続されている。

【0097】

Ｐチャネルトランジスタ９３のソース及びドレインの内の一方は、表示信号線ＦＲＰ_１に電気的に接続されている。Ｐチャネルトランジスタ９３のソース及びドレインの内の他方は、ノードＮ５に電気的に接続されている。

【0098】

Ｐチャネルトランジスタ９４のソース及びドレインの内の一方は、第２表示信号線ｘＦＲＰ_１に電気的に接続されている。Ｐチャネルトランジスタ９４のソース及びドレインの内の他方は、ノードＮ５に電気的に接続されている。

【0099】

Ｎチャネルトランジスタ９５のソース及びドレインの内の一方は、表示信号線ＦＲＰ_１に電気的に接続されている。Ｎチャネルトランジスタ９５のソース及びドレインの内の他方は、ノードＮ５に電気的に接続されている。

【0100】

ノードＮ５は、反転スイッチ６１の出力ノードであり、反射電極（副画素電極）１５に電気的に接続されている。

【0101】

第１メモリ５１、第２メモリ５２又は第３メモリ５３から供給される副画素データがハイレベルである場合には、インバータ回路９１の出力信号は、ローレベルになる。インバータ回路９１の出力信号がローレベルであると、Ｎチャネルトランジスタ９２はオフ状態になり、Ｐチャネルトランジスタ９３はオン状態になる。

【0102】

また、第１メモリ５１、第２メモリ５２又は第３メモリ５３から供給される副画素データがハイレベルである場合には、Ｐチャネルトランジスタ９４はオフ状態になり、Ｎチャネルトランジスタ９５はオン状態になる。

【0103】

従って、第１メモリ５１、第２メモリ５２又は第３メモリ５３から供給される副画素データがハイレベルである場合には、表示信号線ＦＲＰ_１に供給される表示信号が、Ｐチャネルトランジスタ９３及びＮチャネルトランジスタ９５を介して、副画素電極１５に供給される。

【0104】

表示信号線ＦＲＰ_１に供給される表示信号は、基準クロック信号ＣＬＫに同期して、反転する。共通電極２３に供給されるコモン電位も、基準クロック信号ＣＬＫに同期して、表示信号と同相で、反転する。表示信号とコモン電位とが同相である場合、液晶ＬＱは、電圧が印加されないので、分子の方向が変化しない。これにより、副画素は、黒表示（反射光を透過させない状態。反射光がカラーフィルタを透過せず、色が表示されない状態）となる。これにより、表示装置１は、コモン反転駆動方式を実現することができる。

【0105】

第１メモリ５１、第２メモリ５２又は第３メモリ５３から供給される副画素データがローレベルである場合には、インバータ回路９１の出力信号は、ハイレベルになる。インバータ回路９１の出力信号がハイレベルであると、Ｎチャネルトランジスタ９２はオン状態になり、Ｐチャネルトランジスタ９３はオフ状態になる。

【0106】

また、第１メモリ５１、第２メモリ５２又は第３メモリ５３から供給される副画素データがローレベルである場合には、Ｐチャネルトランジスタ９４はオン状態になり、Ｎチャネルトランジスタ９５はオフ状態になる。

【0107】

従って、第１メモリ５１、第２メモリ５２又は第３メモリ５３から供給される副画素データがローレベルである場合には、第２表示信号線ｘＦＲＰ_１に供給される反転表示信号が、Ｎチャネルトランジスタ９２及びＰチャネルトランジスタ９４を介して、副画素電極１５に供給される。

【0108】

第２表示信号線ｘＦＲＰ_１に供給される反転表示信号は、基準クロック信号ＣＬＫに同期して、反転する。共通電極２３に供給されるコモン電位は、基準クロック信号ＣＬＫに同期して、表示信号と異相で、反転する。表示信号とコモン電位とが異相である場合、液晶ＬＱは、電圧が印加されるので、分子の方向が変化する。これにより、副画素は、白表示（反射光を透過させる状態。反射光がカラーフィルタを透過して色が表示される状態）となる。これにより、表示装置１は、コモン反転駆動方式を実現することができる。

【0109】

図８は、実施形態の表示装置の副画素のレイアウトの概要を示す図である。反転スイッチ６１、第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３は、Ｙ方向に配列されている。第１メモリ５１、第２メモリ５２及び第３メモリ５３の出力ノードであるノードＮ３は、反転スイッチ６１の入力ノードであるノードＮ４に電気的に接続されている。反転スイッチ６１の出力ノードであるノードＮ５は、副画素電極１５に電気的に接続されている。

【0110】

第１メモリ５１は、第１ゲート線ＧＣＬ_ａと、第４ゲート線ｘＧＣＬ_ａと、第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａと、第４メモリ選択線ｘＳＥＬ_ａと、ソース線ＳＧＬ_１と、高電位側の電源供給線ＶＤＤと、低電位側の電源供給線ＶＳＳと、に電気的に接続されている。

【0111】

第２メモリ５２は、第２ゲート線ＧＣＬ_ｂと、第５ゲート線ｘＧＣＬ_ｂと、第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂと、第５メモリ選択線ｘＳＥＬ_ｂと、ソース線ＳＧＬ_１と、高電位側の電源供給線ＶＤＤと、低電位側の電源供給線ＶＳＳと、に電気的に接続されている。

【0112】

第３メモリ５３は、第３ゲート線ＧＣＬ_ｃと、第６ゲート線ｘＧＣＬ_ｃと、第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃと、第６メモリ選択線ｘＳＥＬ_ｃと、ソース線ＳＧＬ_１と、高電位側の電源供給線ＶＤＤと、低電位側の電源供給線ＶＳＳと、に電気的に接続されている。

【0113】

反転スイッチ６１は、表示信号線ＦＲＰ_１と、第２表示信号線ｘＦＲＰ_１と、高電位側の電源供給線ＶＤＤと、低電位側の電源供給線ＶＳＳと、に電気的に接続されている。

【0114】

［動作］
図９は、実施形態の表示装置の動作タイミングを示すタイミング図である。図９の全体にわたって、共通電極駆動回路６は、基準クロック信号ＣＬＫに同期して反転するコモン電位を、共通電極２３に供給する。

【0115】

タイミングｔ_０からタイミングｔ_３までは、１つの行のＮ×３個の副画素ＳＰｉｘの各々に含まれる第１メモリ５１から第３メモリ５３までへの副画素データの書き込み期間である。

【0116】

タイミングｔ_０において、タイミングコントローラ４ｂは、第１の値の制御信号Ｓｉｇ_５を、ゲート線選択回路１０内のスイッチＳＷ_４に出力する。スイッチＳＷ_４は、ゲート線駆動回路９の出力端子と、第１ゲート線ＧＣＬ_ａと、を電気的に接続する。ゲート線駆動回路９は、ゲート信号を、各行の第１ゲート線ＧＣＬ_ａに出力する。第１ゲート線ＧＣＬ_ａにハイレベルのゲート信号が供給されると、当該行に属する副画素ＳＰｉｘの各々の第１メモリ５１が、副画素データの書き込み先として選択される。

【0117】

また、タイミングｔ_０において、ソース線駆動回路５は、「Ａ」という画像（フレーム）を表示するための副画素データを、ソース線ＳＧＬに出力する。これにより、各行に属する副画素ＳＰｉｘの各々の第１メモリ５１には、「Ａ」という画像を表示するための副画素データが、夫々書き込まれる。
また、タイミングｔ_０～ｔ_１に亘って、かかる動作が第１行から第Ｍ行まで線順次により実施される。これにより、全副画素ＳＰｉｘの第１メモリには、画像「Ａ」を形成するための信号が書き込まれ、保存される。

【0118】

タイミングｔ_１において、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_５を、ゲート線選択回路１０内のスイッチＳＷ_４に出力する。スイッチＳＷ_４は、ゲート線駆動回路９の出力端子と、第２ゲート線ＧＣＬ_ｂと、を電気的に接続する。ゲート線駆動回路９は、ゲート信号を、各行の第２ゲート線ＧＣＬ_ｂに出力する。第２ゲート線ＧＣＬ_ｂにハイレベルのゲート信号が供給されると、当該行に属する副画素ＳＰｉｘの各々の第２メモリ５２が、副画素データの書き込み先として選択される。

【0119】

また、タイミングｔ_１において、ソース線駆動回路５は、「Ｂ」という画像（フレーム）を表示するための副画素データを、ソース線ＳＧＬに出力する。これにより、各行に属する副画素ＳＰｉｘの各々の第２メモリ５２には、「Ｂ」という画像を表示するための副画素データが、夫々書き込まれる。
また、タイミングｔ_１～ｔ_２に亘って、かかる動作が第１行から第Ｍ行まで線順次により実施される。これにより、全副画素ＳＰｉｘの第２メモリには、画像「Ｂ」を形成するための信号が書き込まれ、保存される。

【0120】

タイミングｔ_２において、タイミングコントローラ４ｂは、第３の値の制御信号Ｓｉｇ_５を、ゲート線選択回路１０内のスイッチＳＷ_４に出力する。スイッチＳＷ_４は、ゲート線駆動回路９の出力端子と、第３ゲート線ＧＣＬ_ｃと、を電気的に接続する。ゲート線駆動回路９は、ゲート信号を、各行の第３ゲート線ＧＣＬ_ｃに出力する。第３ゲート線ＧＣＬ_ｃにハイレベルのゲート信号が供給されると、当該行に属する副画素ＳＰｉｘの各々の第３メモリ５３が、副画素データの書き込み先として選択される。

【0121】

また、タイミングｔ_２において、ソース線駆動回路５は、「Ｃ」という画像（フレーム）を表示するための副画素データを、ソース線ＳＧＬに出力する。これにより、各行に属する副画素ＳＰｉｘの各々第３メモリ５３には、「Ｃ」という画像を表示するための副画素データが、夫々書き込まれる。
また、タイミングｔ_２～ｔ_３に亘って、かかる動作が第１行から第Ｍ行まで線順次により実施される。これにより、全副画素ＳＰｉｘの第３メモリには、画像「Ｃ」を形成するための信号が書き込まれ、保存される。

【0122】

表示装置１は、タイミングｔ_０からタイミングｔ_３までと同様の動作をＭ回繰り返すことにより、各副画素ＳＰｉｘに含まれる第１メモリ５１から第３メモリ５３までに、「Ａ」、「Ｂ」及び「Ｃ」という３つの画像を表示するための副画素データを書き込むことができる。

【0123】

タイミングｔ_４からタイミングｔ_１０までは、「Ａ」、「Ｂ」及び「Ｃ」という３つの画像（３つのフレーム）を順次切り替えて表示するアニメーション表示（動画像表示）期間である。

【0124】

タイミングｔ_４において、タイミングコントローラ４ｂは、第１の値の制御信号Ｓｉｇ_２を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_２に出力する。スイッチＳＷ_２は、タイミングコントローラ４ｂから供給される第１の値の制御信号Ｓｉｇ_２に基づいて、オン状態になる。これにより、基準クロック信号ＣＬＫが、ラッチ７１に供給される。

【0125】

また、タイミングｔ_４において、タイミングコントローラ４ｂは、第１の値の制御信号Ｓｉｇ_３を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_３に出力する。スイッチＳＷ_３は、ラッチ７１の出力端子と、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａと、を電気的に接続する。これにより、メモリ選択信号が、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａに供給される。

【0126】

各々の第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａに接続されている各第１メモリ５１は、「Ａ」という画像を表示するための副画素データを、反転スイッチ６１に出力する。これにより、タイミングｔ_４において、表示装置１は、「Ａ」という画像を表示する。

【0127】

タイミングｔ_５において、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_２を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_２に出力する。スイッチＳＷ_２は、タイミングコントローラ４ｂから供給される第１の値の制御信号Ｓｉｇ_２に基づいて、オン状態になる。これにより、基準クロック信号ＣＬＫが、ラッチ７１に供給される。

【0128】

また、タイミングｔ_５において、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_３を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_３に出力する。スイッチＳＷ_３は、ラッチ７１の出力端子と、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂと、を電気的に接続する。これにより、メモリ選択信号が、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂに供給される。

【0129】

各々の第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂに接続されている各第２メモリ５２は、「Ｂ」という画像を表示するための副画素データを、反転スイッチ６１に出力する。これにより、タイミングｔ_５において、表示装置１は、「Ｂ」という画像を表示する。

【0130】

タイミングｔ_６において、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_２を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_２に出力する。スイッチＳＷ_２は、タイミングコントローラ４ｂから供給される第１の値の制御信号Ｓｉｇ_２に基づいて、オン状態になる。これにより、基準クロック信号ＣＬＫが、ラッチ７１に供給される。

【0131】

また、タイミングｔ_６において、タイミングコントローラ４ｂは、第３の値の制御信号Ｓｉｇ_３を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_３に出力する。スイッチＳＷ_３は、ラッチ７１の出力端子と、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃと、を電気的に接続する。これにより、メモリ選択信号が、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃに供給される。

【0132】

第３メモリ選択線ＳＥＬ_ｃに接続されている各第３メモリ５３は、「Ｃ」という画像を表示するための副画素データを、反転スイッチ６１に出力する。これにより、タイミングｔ_６において、表示装置１は、「Ｃ」という画像を表示する。

【0133】

タイミングｔ_７からタイミングｔ_９までの各部の動作は、タイミングｔ_４からタイミングｔ_６までの各部の動作と同様であるので、説明を省略する。

【0134】

上記したように、表示装置１は、タイミングｔ_４からタイミングｔ_１０までの期間において、「Ａ」、「Ｂ」及び「Ｃ」という３つの画像（３つのフレーム）を順次切り替えて表示するアニメーション表示（動画像表示）を行うことができる。

【0135】

タイミングｔ_１０からタイミングｔ_１２までは、「Ａ」という画像を表示する静止画表示期間である。

【0136】

タイミングｔ_１０において、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_２を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_２に出力する。スイッチＳＷ_２は、タイミングコントローラ４ｂから供給される第２の値の制御信号Ｓｉｇ_２に基づいて、オフ状態になる。これにより、基準クロック信号ＣＬＫが、ラッチ７１に供給されない。ラッチ７１は、ハイレベルを保持する。

【0137】

また、タイミングｔ_１０において、タイミングコントローラ４ｂは、第１の値の制御信号Ｓｉｇ_３を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_３に出力する。スイッチＳＷ_３は、ラッチ７１の出力端子と、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第１メモリ選択線ＳＥＬ_ａと、を電気的に接続する。上記と同様の駆動により、タイミングｔ_１０からタイミングｔ_１２までにおいて、表示装置１は、「Ａ」という画像を静止画表示する。

【0138】

なお、「Ａ」という画像を静止画表示している静止画表示期間内のタイミングｔ_１１において、各副画素ＳＰｉｘに含まれる第２メモリ５２に、「Ｘ」という画像（フレーム）を表示するための副画素データを書き込むことができる。

【0139】

タイミングｔ_１１において、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_５を、ゲート線選択回路１０内のスイッチＳＷ_４に出力する。スイッチＳＷ_４は、ゲート線駆動回路９の出力端子と、第２ゲート線ＧＣＬ_ｂと、を電気的に接続する。ゲート線駆動回路９は、ゲート信号を、各行の第２ゲート線ＧＣＬ_ｂに出力する。第２ゲート線ＧＣＬ_ｂにハイレベルのゲート信号が供給されると、当該行に属する副画素ＳＰｉｘの各々の第２メモリ５２が、副画素データの書き込み先として選択される。

【0140】

また、タイミングｔ_１１において、ソース線駆動回路５は、「Ｘ」という画像を表示するための副画素データを、ソース線ＳＧＬに出力する。これにより、各行に属する副画素ＳＰｉｘの各々の第２メモリ５２には、「Ｘ」という画像を表示するための副画素データが、夫々書き込まれる。

【0141】

表示装置１は、タイミングｔ_１１と同様の動作をＭ回繰り返すことにより、各副画素ＳＰｉｘに含まれる第２メモリ５２に、「Ｘ」という画像（フレーム）を表示するための副画素データを書き込むことができる。

【0142】

なお、図９では、「Ａ」という画像を静止画表示している静止画表示期間内のタイミングｔ_１１において、各副画素ＳＰｉｘに含まれる第２メモリ５２に、「Ｘ」という画像を表示するための副画素データを書き込む場合について説明した。しかしながら、例えば、アニメーション表示（動画像表示）期間内の、「Ｃ」及び「Ａ」という画像をアニメーション表示（動画像表示）しているタイミングｔ_６からタイミングｔ_８までにおいて、各副画素ＳＰｉｘに含まれる第２メモリ５２に、「Ｘ」という画像を表示するための副画素データを書き込むことも可能である。

【0143】

タイミングｔ_１２以降は、「Ｘ」、「Ｃ」及び「Ａ」という３つの画像（３つのフレーム）を順次切り替えて表示するアニメーション表示（動画像表示）期間である。

【0144】

タイミングｔ_１２において、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_２を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_２に出力する。スイッチＳＷ_２は、タイミングコントローラ４ｂから供給される第１の値の制御信号Ｓｉｇ_２に基づいて、オン状態になる。これにより、基準クロック信号ＣＬＫが、ラッチ７１に供給される。

【0145】

また、タイミングｔ_１２において、タイミングコントローラ４ｂは、第２の値の制御信号Ｓｉｇ_３を、メモリ選択回路８内のスイッチＳＷ_３に出力する。スイッチＳＷ_３は、ラッチ７１の出力端子と、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂと、を電気的に接続する。これにより、メモリ選択信号が、Ｍ群のメモリ選択線群ＳＬ_１、ＳＬ_２、・・・の各々の第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂに供給される。

【0146】

各々の第２メモリ選択線ＳＥＬ_ｂに接続されている各第２メモリ５２は、「Ｘ」という画像を表示するための副画素データを、反転スイッチ６１に出力する。これにより、タイミングｔ_１２において、表示装置１は、「Ｘ」という画像を表示する。

【0147】

タイミングｔ_１３からタイミングｔ_１４までの各部の動作は、タイミングｔ_６からタイミングｔ_７までの各部の動作と同様であるので、説明を省略する。

【0148】

タイミングｔ_１５以降の各部の動作は、タイミングｔ_１２からタイミングｔ_１４までの各部の動作と同様であるので、説明を省略する。

【0149】

特許文献１記載の表示装置では、複数の画素の各々が含む複数のメモリの切り替えは、走査信号を使用した線順次走査によって行われる。従って、特許文献１記載の表示装置では、全部の画素の複数のメモリの切り替えには、１フレーム時間が必要である。つまり、特許文献１記載の表示装置では、画像（フレーム）を変化させるために、１フレーム時間が必要である。

【0150】

一方、実施形態の表示装置１では、表示領域ＤＡ外に設けられるメモリ選択回路８が、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリ５１から第３メモリ５３までの内の１個を、同時に選択する。従って、表示装置１は、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリ５１から第３メモリ５３までの選択を切り替えることによって、３つの画像（３つのフレーム）の内の１つの画像（フレーム）を表示することができる。これにより、表示装置１は、画像を一斉に変化させることができ、画像を短時間で変化させることができる。また、表示装置１は、各副画素ＳＰｉｘの第１メモリ５１から第３メモリ５３までの選択を順次切り替えることによって、アニメーション表示（動画像表示）を行うことができる。

【0151】

また、特許文献１記載の表示装置では、各画素が、メモリを切り替えるために、メモリ選択制御回路及び書換指示回路を含む。従って、特許文献１記載の表示装置は、画像表示パネルの微細化及び高精細化の要請に応えることができない。

【0152】

一方、実施形態の表示装置１では、副画素データの書き込み時には、額縁領域ＧＤに配置されたゲート線選択回路１０が、第１メモリ５１から第３メモリ５３までのいずれかを選択する。また、副画素データの読み出し時には、額縁領域ＧＤに配置されたメモリ選択回路８が、第１メモリ５１から第３メモリ５３までのいずれかを選択する。従って、各画素Ｐｉｘが、メモリを切り替えるための回路を含む必要がない。これにより、表示装置１は、上記の如き効果に加えて、さらに画像表示パネルの微細化及び高精細化の要請に応えることが可能である。

【0153】

さらに、実施形態の表示装置１では、第１メモリ５１から第３メモリ５３までのいずれか１つに格納されている副画素データに基づいて画像を表示している期間に、第１メモリ５１から第３メモリ５３までの他のいずれか１つに、副画素データを書き込むこともできる。これにより、表示装置１は、画像を表示しながら、他の画像の副画素データを書き込むことも可能である。

【0154】

［適用例］
図１０は、実施形態の表示装置の適用例を示す図である。図１０は、表示装置１を電子棚札に適用した例を示す図である。

【0155】

図１０に示すように、表示装置１Ａ、１Ｂ及び１Ｃは、それぞれ棚１０２に取り付けられている。表示装置１Ａ、１Ｂ及び１Ｃの各々は、上述した表示装置１と同様の構成を有する。表示装置１Ａ、１Ｂ及び１Ｃは、床面１０３からの高さが互いに異なって設置され、且つ、パネル傾斜角度が互いに異なるように設置されている。ここで、パネル傾斜角度は、表示面１ａの法線と水平方向とがなす角度である。表示装置１Ａ、１Ｂ及び１Ｃは、光源としての照明器具１００からの入射光１１０を反射することにより、画像１２０を観察者１０５側に出射する。

【0156】

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

【符号の説明】

【0157】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 表示装置
１ａ 表示面
２ 第１パネル
３ 第２パネル
４ インタフェース回路
４ａ シリアル－パラレル変換回路
４ｂ タイミングコントローラ
４ｃ 設定レジスタ
５ ソース線駆動回路
６ 共通電極駆動回路
７ 反転駆動回路
８ メモリ選択回路
９ ゲート線駆動回路
１０ ゲート線選択回路
１１ 第１基板
１５ 副画素電極（反射電極）
２１ 第２基板
２３ 共通電極
３０ 液晶層
５０ メモリブロック
５１ 第１メモリ
５２ 第２メモリ
５３ 第３メモリ
６１ 反転スイッチ
ＦＲＰ 表示信号線
ＧＬ ゲート線群
ＧＣＬ ゲート線
Ｐｉｘ 画素
ＳＰｉｘ 副画素
ＳＬ メモリ選択線群
ＳＥＬ メモリ選択線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】