(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-02
(45)【発行日】2022-09-12
(54)【発明の名称】半導体装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
H04N 5/357 20110101AFI20220905BHJP
H04N 5/225 20060101ALI20220905BHJP
H01L 25/00 20060101ALI20220905BHJP
H01L 25/065 20060101ALI20220905BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20220905BHJP
H01L 25/18 20060101ALI20220905BHJP
H01L 27/146 20060101ALI20220905BHJP
【ＦＩ】
H04N5/357 700
H04N5/225 300
H01L25/00 B
H01L25/08 Y
H01L27/146 F
H01L27/146 D
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2019532507
(86)(22)【出願日】2018-07-13
(86)【国際出願番号】 JP2018026427
(87)【国際公開番号】W WO2019021852
(87)【国際公開日】2019-01-31
【審査請求日】2021-05-26
(31)【優先権主張番号】P 2017145364
(32)【優先日】2017-07-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100121131
【弁理士】
【氏名又は名称】西川 孝
(74)【代理人】
【識別番号】100082131
【弁理士】
【氏名又は名称】稲本 義雄
(74)【代理人】
【識別番号】100168686
【弁理士】
【氏名又は名称】三浦 勇介
(72)【発明者】
【氏名】宮本 宗
(72)【発明者】
【氏名】秋山 義行
(72)【発明者】
【氏名】角田 純一
(72)【発明者】
【氏名】児島 秀一
【審査官】柴山 将隆
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１５／１９８９１３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１８１８７４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１５２５７７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１７／１４９８４５（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０４Ｎ ５／３５７
Ｈ０４Ｎ ５／２２５
Ｈ０１Ｌ ２５／００
Ｈ０１Ｌ ２５／０６５
Ｈ０１Ｌ ２７／１４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板と
を備え、
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される
半導体装置。
【請求項2】
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が略９０度異なるように構成される請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、少なくとも一部の領域において遮光構造を成す請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、プラスの電源に接続される配線を含み、他方の導体は、マイナスの電源またはGNDに接続される配線を含む請求項２に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、面状導体を含む請求項２に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、網目状導体を含む請求項２に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第１の導体層を形成する導体は面状導体を含み、前記第２の導体層を形成する導体は網目状導体を含み、
前記第１の導体層は、前記第２の導体層よりも前記第１の半導体基板に近い位置関係である
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記網目状導体の少なくとも一部の領域において、導体領域の導体幅と間隙領域の間隙幅とが、導体幅≧間隙幅
の関係である
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第１の導体層を形成する導体が第１の網目状導体を含み、前記第２の導体層を形成する導体が第２の網目状導体を含み、
前記第１の網目状導体の導体周期と前記第２の網目状導体の導体周期とが略同一である
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第１の網目状導体の導体幅と前記第２の網目状導体の導体幅とが異なる請求項９に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記網目状導体の、導体でない間隙領域の少なくとも一部に、他の導体が配置された請求項６に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記第２の導体層は、前記間隙領域の少なくとも一部に、前記他の導体が配置された前記網目状導体を有し、前記他の導体が、前記第１の導体層を形成する導体の少なくとも一部に接続された
請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記網目状導体の第１の方向の抵抗値と、前記第１の方向に直交する第２の方向の抵抗値とが異なる請求項６に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記第１の半導体基板は、光を受光する画素を有し、
選択される前記画素の位置により、前記第１の導体ループの実効的な形状が変化し得る
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記第１の導体ループは、前記画素、前記画素が出力する画素信号が流れる信号線、及び、前記画素に対する制御信号が流れる制御線を含む導体ループである請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記第１の方向の抵抗値よりも前記第２の方向の抵抗値が低い前記網目状導体に接続される電極である複数のパッドをさらに備え、前記複数のパッドは、前記第１の方向に密に配置される
請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項17】
前記第１の方向の抵抗値よりも前記第２の方向の抵抗値が低い前記網目状導体に接続される電極である複数のパッドをさらに備え、前記複数のパッドは、前記第２の方向に密に配置される
請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項18】
隣接して配置された少なくとも一部の前記パッドどうしの極性が異なる請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項19】
対向して配置された少なくとも一部の前記パッドどうしの極性が等しい請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項20】
第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板と
を備え、
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される
半導体装置
を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本技術は、半導体装置および電子機器に関し、特に、信号に生じ得るノイズを抑制できるようにした半導体装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
CMOS(complementary metal oxide semiconductor)イメージセンサに代表される固体撮像装置においては、各画素が生成する画素信号に対して、固体撮像装置の内部の構成に起因してノイズが生じ得る。
【0003】
例えば、固体撮像装置の内部に存在するトランジスタやダイオード等の能動素子には微細なホットキャリア発光を生じるものが有り、このホットキャリア発光が画素に形成された光電変換部に漏れ込んだ場合、画素信号にノイズが生じることになる。
【0004】
能動素子から生じたホットキャリア発光に起因するノイズを抑制する方法としては、能動素子と光電変換部の間の形成されている配線に遮光構造を持たせる技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【0005】
また、例えば、固体撮像装置の内部の構成に起因して生じた磁界による誘導起電力によって画素信号にノイズ（誘導性ノイズ）が生じることがある。具体的には、ある画素から画素信号を読み出す際に、画素信号を読み出す画素を選択するための制御信号が伝達される制御線と、選択された画素から読み出された画素信号が伝達される信号線とから導体ループが画素アレイ上に形成される。
【0006】
そして、制御線と信号線から成る導体ループの近傍に配線が存在すると、その配線に流れる電流変化により導体ループを通過する磁束が発生し、これにより導体ループに誘導起電力が発生して画素信号に誘導性ノイズが生じることがある。以下、近傍の配線に流れる電流変化により磁束が発生し、それにより誘導起電力が発生する導体ループをVictim導体ループと称することにする。
【0007】
電子機器の内部における誘導性ノイズを抑制する方法としては、電子機器内部で磁束を生じさせていた配線を、２層の網目状配線とすることにより、発生していた磁束を打ち消す方法が存在する（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【文献】ＷＯ２０１３／１１５０７５
【文献】特開２０１４－５７４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
ただし、上述した特許文献２に記載の発明では、誘導性ノイズは抑制できるが、ホットキャリア発光を遮光することについては考慮されていなかった。
【0010】
本技術はこのような状況に鑑みてなされたものであり、信号におけるノイズの発生をより効果的に抑制できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本技術の第１の側面の半導体装置は、第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板とを備え、前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される。
【0012】
本技術の第２の側面の電子機器は、第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板とを備え、前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される半導体装置を備える。
【0013】
本技術の第１及び２の側面においては、第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板とが設けられ、前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される。
【発明の効果】
【0014】
本技術の第１の側面によれば、信号におけるノイズの発生を抑制することができる。
【0015】
本技術の第２の側面によれば、信号におけるノイズの発生を抑制することができる。
【0016】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】導体ループの変化による誘導起電力の変化を説明する図である。
【図2】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【図3】画素・アナログ処理部の主な構成要素例を示すブロック図である。
【図4】画素アレイの詳細な構成例を示す図である。
【図5】画素の構成例を示す回路図である。
【図6】固体撮像装置の断面構造例を示すブロック図である。
【図7】能動素子群が形成された領域から成る回路ブロックの平面配置例を示す概略構成図である。
【図8】遮光構造による遮光対象領域と、能動素子群の領域および緩衝領域との位置関係例を示す図である。
【図9】導体層A及びBの第１の比較例を示す図である。
【図10】第１の比較例に流れる電流条件を示す図である。
【図11】第１の比較例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図12】導体層A及びBの第１の構成例を示す図である。
【図13】第１の構成例に流れる電流条件を示す図である。
【図14】第１の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図15】導体層A及びBの第２の構成例を示す図である。
【図16】第２の構成例に流れる電流条件を示す図である。
【図17】第２の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図18】導体層A及びBの第２の比較例を示す図である。
【図19】第２の比較例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図20】導体層A及びBの第３の比較例を示す図である。
【図21】第３の比較例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図22】導体層A及びBの第３の構成例を示す図である。
【図23】第３の構成例に流れる電流条件を示す図である。
【図24】第３の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図25】導体層A及びBの第４の構成例を示す図である。
【図26】導体層A及びBの第５の構成例を示す図である。
【図27】導体層A及びBの第６の構成例を示す図である。
【図28】第４乃至第６の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図29】導体層A及びBの第７の構成例を示す図である。
【図30】第７の構成例に流れる電流条件を示す図である。
【図31】第７の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図32】導体層A及びBの第８の構成例を示す図である。
【図33】導体層A及びBの第９の構成例を示す図である。
【図34】導体層A及びBの第１０の構成例を示す図である。
【図35】第８乃至第１０の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図36】導体層A及びBの第１１の構成例を示す図である。
【図37】第１１の構成例に流れる電流条件を示す図である。
【図38】第１１の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図39】導体層A及びBの第１２の構成例を示す図である。
【図40】導体層A及びBの第１３の構成例を示す図である。
【図41】第１２及び第１３の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
【図42】半導体基板におけるパッドの第１の配置例を示す平面図である。
【図43】半導体基板におけるパッドの第２の配置例を示す平面図である。
【図44】半導体基板におけるパッドの第３の配置例を示す平面図である。
【図45】X方向とY方向とで抵抗値が異なる導体の例を示す図である。
【図46】導体層A及びBの第２の構成例のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図47】導体層A及びBの第５の構成例のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図48】導体層A及びBの第６の構成例のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図49】導体層A及びBの第２の構成例のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図50】導体層A及びBの第５の構成例のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図51】導体層A及びBの第６の構成例のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図52】導体層A及びBの第２の構成例のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図53】導体層A及びBの第５の構成例のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図54】導体層A及びBの第６の構成例のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図55】導体層A及びBの第２の構成例のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図56】導体層A及びBの第５の構成例のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図57】導体層A及びBの第６の構成例のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
【図58】導体層A及びBの各構成例を形成する網目状導体の変形例を示す図である。
【図59】レイアウト自由度の向上を説明するための図である。
【図60】電圧降下(IR-Drop)の低減を説明するための図である。
【図61】電圧降下(IR-Drop)の低減を説明するための図である。
【図62】容量性ノイズの低減を説明するための図である。
【図63】固体撮像装置を成す第１の半導体基板と第２の半導体基板とのパッケージ積層例を示す図である。
【図64】撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【図65】体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【図66】内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【図67】カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。
【図68】車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【図69】車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本技術を実施するための最良の形態（以下、実施の形態と称する）について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、説明は、以下の順序で行なう。
１．Victim導体ループと磁束
２．本技術の実施の形態である固体撮像装置の構成例
３．ホットキャリア発光に対する遮光構造
４．導体層A及びBの構成例
５．導体層A及びBが形成される半導体基板における電極の配置例
６．導体層A及びBの構成例の変形例
７．網目状導体の変形例
８．様々な効果
９．応用例
１０．撮像装置の構成例
１１．体内情報取得システムへの応用例
１２．内視鏡手術システムへの応用例
１３．移動体への応用例
１．Victim導体ループと磁束
２．本技術の実施の形態である固体撮像装置の構成例
３．ホットキャリア発光に対する遮光構造
４．導体層A及びBの構成例
５．導体層A及びBが形成される半導体基板における電極の配置例
６．導体層A及びBの構成例の変形例
７．網目状導体の変形例
８．様々な効果
９．応用例
１０．撮像装置の構成例
１１．体内情報取得システムへの応用例
１２．内視鏡手術システムへの応用例
１３．移動体への応用例
【0019】
＜１．Victim導体ループと磁束＞
例えば、CMOSイメージセンサ等の固体撮像装置（半導体装置）において電源配線の近傍にVictim導体ループが形成される回路が存在する場合、Victim導体ループのループ面内を通過する磁束が変化すると、Victim導体ループに発生する誘導起電力が変化し、画素信号にノイズが発生することがあった。なお、Victim導体ループは、少なくとも一部に導体を含んで形成されていればよい。また、Victim導体ループが全て導体で形成されていてもよい。
例えば、CMOSイメージセンサ等の固体撮像装置（半導体装置）において電源配線の近傍にVictim導体ループが形成される回路が存在する場合、Victim導体ループのループ面内を通過する磁束が変化すると、Victim導体ループに発生する誘導起電力が変化し、画素信号にノイズが発生することがあった。なお、Victim導体ループは、少なくとも一部に導体を含んで形成されていればよい。また、Victim導体ループが全て導体で形成されていてもよい。
【0020】
ここで、Victim導体ループ（第１の導体ループ）とは、近傍で生じた磁界強度の変化に影響を受ける側の導体ループを指す。一方、Victim導体ループの近傍に存在し、流れる電流の変化によって磁界強度に変化を生じさせ、Victim導体ループに対して影響を及ぼす側の導体ループをAggressor導体ループ（第２の導体ループ）と称する。
【0021】
図１は、Victim導体ループの変化による誘導起電力の変化を説明する図である。例えば、図１に示されるCMOSイメージセンサ等の固体撮像装置は、ピクセル基板１０とロジック基板２０とが、上からその順に積層されて構成される。図１の固体撮像装置においては、ピクセル基板１０の画素領域にVictim導体ループ１１（１１Ａ，１１Ｂ）の少なくとも一部が形成され、そのピクセル基板１０に積層されるロジック基板２０の、このVictim導体ループ１１の近傍には、（デジタル）電源を供給するための電源配線２１が形成される。
【0022】
そして、ピクセル基板１０上のVictim導体ループ１１のループ面内には、この配線２１による磁束が通過し、それによってVictim導体ループ１１に誘導起電力が発生する。
【0023】
なお、Victim導体ループ１１に発生する誘導起電力Vemfは次式（１）および（２）によって算出できる。なお、Φは磁束、Ｈは磁界強度、μは透磁率、ＳはVictim導体ループ１１の面積をそれぞれ示す。
【0024】
【数1】
【数2】
【0025】
ピクセル基板１０の画素領域に形成されるVictim導体ループ１１のループ経路は、画素信号を読み出す読み出し対象画素として選択される画素の位置によって変わる。図１の例の場合、画素Aが選択された際に形成されるVictim導体ループ１１Ａのループ経路は、画素Aと異なる位置の画素Bが選択された際に形成されるVictim導体ループ１１Ｂのループ経路と異なる。換言すると、選択される画素の位置によって、導体ループの実効的な形状が変化する。
【0026】
このようにVictim導体ループ１１のループ経路が変化すると、Victim導体ループのループ面内を通過する磁束が変化し、それによってVictim導体ループに発生する誘導起電力が大きく変化することがあった。また、その誘導起電力の変化により、画素から読み出される画素信号にノイズ（誘導性ノイズ）が生じることがあった。そして、この誘導性ノイズにより、撮像画像に縞状の画像ノイズが発生することがあった。つまり、撮像画像の画質が低減することがあった。
【0027】
そこで、本開示では、Victim導体ループおける誘導起電力による誘導性ノイズの発生を抑制する技術を提案する。
【0028】
＜２．本技術の実施の形態である固体撮像装置（半導体装置）の構成例＞
図２は、本技術の実施の形態である固体撮像装置の主な構成例を示すブロック図である。
図２は、本技術の実施の形態である固体撮像装置の主な構成例を示すブロック図である。
【0029】
図２に示される固体撮像装置１００は、被写体からの光を光電変換して画像データとして出力するデバイスである。例えば、固体撮像装置１００は、CMOSを用いた裏面照射型CMOSイメージセンサ等として構成される。
【0030】
図２に示されるように、固体撮像装置１００は、第１の半導体基板１０１と第２の半導体基板１０２とが積層されて構成される。
【0031】
第１の半導体基板１０１には、画素やアナログ回路等を有する画素・アナログ処理部１１１が形成されている。第２の半導体基板１０２には、デジタル回路等を有するデジタル処理部１１２が形成されている。
【0032】
第１の半導体基板１０１および第２の半導体基板１０２は、互いに絶縁された状態で重畳される。つまり、画素・アナログ処理部１１１の構成と第２の半導体基板１０２の構成とは、基本的に互いに絶縁されている。なお、図示を省略しているが、画素・アナログ処理部１１１に形成される構成と、デジタル処理部１１２に形成される構成とは、必要に応じて（必要な部分が）、例えば、導体ビア（VIA）、シリコン貫通ビア（TSV）、Cu-Cu接合、Au-Au接合、若しくは、Al-Al接合等の同種金属接合、Cu-Au接合、Cu-Al接合、若しくは、Au- Al接合等の異種金属接合、または、ボンディングワイヤ等を介して互いに電気的に接続される。
【0033】
なお、図２においては、積層された２層の基板からなる固体撮像装置１００を例に説明したが、固体撮像装置１００を構成する基板の積層数は任意である。例えば単層であってもよいし、３層以上であってもよい。以下においては、図２の例のように２層の基板により構成される場合について説明する。
【0034】
図３は、画素・アナログ処理部１１１に形成される主な構成要素例を示すブロック図である。
【0035】
図３に示されるように、画素・アナログ処理部１１１には、画素アレイ１２１、A/D変換部１２２、および垂直走査部１２３等が形成される。
【0036】
画素アレイ１２１は、フォトダイオード等の光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素１３１（図４）が縦横に配置されている。
【0037】
A/D変換部１２２は、画素アレイ１２１の各画素１３１から読み出されたアナログ信号等をA/D変換し、その結果得られるデジタルの画素信号を出力する。
【0038】
垂直走査部１２３は、画素アレイ１２１の各画素１３１のトランジスタ（図５の転送トランジスタ１４２等）の動作を制御する。つまり、画素アレイ１２１の各画素１３１に蓄積された電荷は、垂直走査部１２３に制御されて読み出され、画素信号として、単位画素のカラム毎に信号線１３２（図４）を介してA/D変換部１２２に供給され、A/D変換される。
【0039】
A/D変換部１２２は、そのA/D変換結果（デジタルの画素信号）を、画素１３１のカラム毎に、デジタル処理部１１２に形成されるロジック回路（図示せず）に供給する。
【0040】
図４は、画素アレイ１２１の詳細な構成例を示す図である。画素アレイ１２１には、画素１３１－１１乃至１３１－ＭＮが形成されている（Ｍ，Ｎは任意の自然数）。すなわち、画素アレイ１２１には、M行N列の画素１３１が行列状（アレイ状）に配置されている。以下、画素１３１－１１乃至１３１－ＭＮを個々に区別する必要が無い場合、画素１３１と称する。
【0041】
画素アレイ１２１には、信号線１３２－１乃至１３２－Ｎと、制御線１３３－１乃至１３３－Ｍが形成されている。以下、信号線１３２－１乃至１３２－Ｎを個々に区別する必要が無い場合、信号線１３２と称し、制御線１３３－１乃至１３３－Ｍを個々に区別する必要が無い場合、制御線１３３と称する。
【0042】
画素１３１には、カラム（列）毎に、そのカラムに対応する信号線１３２が接続されている。また、画素１３１には、行毎に、その行に対応する制御線１３３に接続されている。画素１３１に対しては、制御線１３３を介して、垂直走査部１２３からの制御信号が伝送される。
【0043】
画素１３１からは、信号線１３２を介して、アナログの画素信号がA/D変換部１２２に出力される。
【0044】
次に、図５は、画素１３１の構成例を示す回路図である。画素１３１は、光電変換素子としてのフォトダイオード１４１、転送トランジスタ１４２、リセットトランジスタ１４３、増幅トランジスタ１４４、およびセレクトトランジスタ１４５を有する。
【0045】
フォトダイオード１４１は、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷（ここでは、光電子）に光電変換してその光電荷を蓄積する。フォトダイオード１４１のアノード電極はGNDに接続され、カソード電極は転送トランジスタ１４２を介してフローティングディフュージョン（FD）に接続される。もちろん、フォトダイオード１４１のカソード電極が電源に接続され、アノード電極が転送トランジスタ１４２を介してフローティングディフュージョンに接続され、光電荷を光正孔として読み出す方式としてもよい。
【0046】
転送トランジスタ１４２は、フォトダイオード１４１からの光電荷の読み出しを制御する。転送トランジスタ１４２は、ドレイン電極がフローティングディフュージョンに接続され、ソース電極がフォトダイオード１４１のカソード電極に接続される。また、転送トランジスタ１４２のゲート電極には、垂直走査部１２３（図３）から供給される転送制御信号TRGを伝送する転送制御線が接続される。転送制御信号TRG（すなわち、転送トランジスタ１４２のゲート電位）がオフ状態のとき、フォトダイオード１４１からの光電荷の転送が行われない（フォトダイオード１４１において光電荷が蓄積される）。転送制御信号TRG（すなわち、転送トランジスタ１４２のゲート電位）がオン状態のとき、フォトダイオード１４１に蓄積された光電荷がフローティングディフュージョンに転送される。
【0047】
リセットトランジスタ１４３は、フローティングディフュージョンの電位をリセットする。リセットトランジスタ１４３は、ドレイン電極が電源電位に接続され、ソース電極がフローティングディフュージョンに接続される。また、リセットトランジスタ１４３のゲート電極には、垂直走査部１２３から供給されるリセット制御信号RSTを伝送するリセット制御線が接続される。リセット制御信号RST（すなわち、リセットトランジスタ１４３のゲート電位）がオフ状態のとき、フローティングディフュージョンは電源電位と切り離されている。リセット制御信号RST（すなわち、リセットトランジスタ１４３のゲート電位）がオン状態のとき、フローティングディフュージョンの電荷が電源電位に排出されて、フローティングディフュージョンがリセットされる。
【0048】
増幅トランジスタ１４４は、フローティングディフュージョンの電圧に応じた電気信号（アナログ信号）を出力する（電流を流す）。増幅トランジスタ１４４は、ゲート電極がフローティングディフュージョンに接続され、ドレイン電極が（ソースフォロワ）電源電圧に接続され、ソース電極がセレクトトランジスタ１４５のドレイン電極に接続されている。例えば、増幅トランジスタ１４４は、リセットトランジスタ１４３によってリセットされたフローティングディフュージョンの電圧に応じた電気信号としてのリセット信号（リセットレベル）を画素信号としてセレクトトランジスタ１４５に出力する。また、増幅トランジスタ１４４は、転送トランジスタ１４２によって光電荷が転送されたフローティングディフュージョンの電圧に応じた電気信号としての光蓄積信号（信号レベル）を画素信号としてセレクトトランジスタ１４５に出力する。
【0049】
セレクトトランジスタ１４５は、増幅トランジスタ１４４から供給される電気信号の信号線(VSL)１３２（すなわち、A/D変換部１２２）への出力を制御する。セレクトトランジスタ１４５は、ドレイン電極が増幅トランジスタ１４４のソース電極に接続され、ソース電極が信号線１３２に接続されている。また、セレクトトランジスタ１４５のゲート電極には、垂直走査部１２３から供給されるセレクト制御信号SELを伝送するセレクト制御線が接続される。セレクト制御信号SEL（すなわち、セレクトトランジスタ１４５のゲート電位）がオフ状態のとき、増幅トランジスタ１４４と信号線１３２は電気的に切り離されている。したがって、この状態のとき、当該画素１３１から画素信号としてのリセット信号や光蓄積信号が出力されない。セレクト制御信号SEL（すなわち、セレクトトランジスタ１４５のゲート電位）がオン状態のとき、当該画素１３１が選択状態となる。つまり、増幅トランジスタ１４４と信号線１３２が電気的に接続され、増幅トランジスタ１４４から出力される画素信号としてのリセット信号や光蓄積信号が、垂直信号線１３２を介してA/D変換部１２２に供給される。すなわち、当該画素１３１から画素信号としてのリセット信号や光蓄積信号が読み出される。
【0050】
なお、画素１３１の構成は任意であり、図５の例に限定されない。
【0051】
以上のように構成される画素・アナログ処理部１１１においては、画素信号としてのアナログ信号の読み出しの対象として画素１３１が選択されると、上述した各種トランジスタを制御する制御線１３３や、信号線１３２、電源配線（アナログ電源配線、デジタル電源配線）等により、様々なVictim導体ループ（ループ形状（環状）の導体）が形成される。このVictim導体ループのループ面内に、近傍の配線等から発生する磁束が通過することにより誘導起電力が発生する。
【0052】
Victim導体ループとしては、制御線１３３または信号線１３２の少なくとも一方の一部の配線を含んでいればよい。また、制御線１３３の一部を含むVictim導体ループと、信号線１３２の一部を含むVictim導体ループとがそれぞれ独立のVictim導体ループとして存在してもよい。さらに、Victim導体ループは、その一部または全部が第２の半導体基板１０２に含まれていてもよい。さらに、Victim導体ループは、ループ経路が可変であってもよいし、固定であってもよい。
【0053】
Victim導体ループを成す制御線１３３と信号線１３２の配線方向は互いに略直交することが望ましいが、互いに略平行であってもよい。
【0054】
なお、他の導体ループの近傍に存在する導体ループは、Victim導体ループになり得る。例えば、近傍のAggressorループに流れる電流の変化によって磁界強度に変化が生じても、影響を受けない導体ループであっても、Victim導体ループとなり得る。
【0055】
Victim導体ループでは、その近傍に存在する配線（Aggressor導体ループ）に高周波信号が流れて、Aggressor導体ループの周辺の磁界強度が変化すると、その影響によりVictim導体ループに誘導起電力が生じ、Victim導体ループにノイズが発生することがあった。特に、Victim導体ループの近傍に、互いに同一の方向に電流が流れる配線が密集する場合、磁界強度の変化が大きくなり、Victim導体ループに発生する誘導起電力（すなわちノイズ）も大きくなる。
【0056】
そこで、本開示では、Aggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向を調整し、その磁界がAggressor導体ループを通過させないようにする。
【0057】
＜３．ホットキャリア発光に対する遮光構造＞
図６は、固体撮像装置１００の断面構造例を示す図である。
図６は、固体撮像装置１００の断面構造例を示す図である。
【0058】
上述したように、固体撮像装置１００は、第１の半導体基板１０１と、第２の半導体基板１０２とが積層されて構成される。
【0059】
第１の半導体基板１０１には、例えば、光電変換部となるフォトダイオード１４１と、複数の画素トランジスタ（図５の転送トランジスタ１４２乃至セレクトトランジスタ１４５）とからなる画素単位が２次元的に複数配列された画素アレイが形成される。
【0060】
フォトダイオード１４１は、例えば、半導体基体１５２に形成されたウェル領域内にn型半導体領域と基体表面側（図中、下側）のp型半導体領域を有して形成される。半導体基体１５２上には、複数の画素トランジスタ（図５の転送トランジスタ１４２乃至セレクトトランジスタ１４５）が形成される。
【0061】
半導体基体１５２の表面側には、層間絶縁膜を介して複数層の配線が配置された多層配線層１５３が形成される。配線は、例えば銅配線で形成される。画素トランジスタ及び垂直走査部１２３等は、異なる配線層の配線同士が、配線層間を貫通する接続導体により所要箇所で接続される。半導体基体１５２の裏面（図中、上側の面）上には、例えば、反射防止膜、所定領域を遮光する遮光膜、及び、各フォトダイオード１４１に対応する位置に設けられたカラーフィルタやマイクロレンズ等の光学部材１５５が形成される。
【0062】
一方、第２の半導体基板１０２には、デジタル処理部１１２（図２）としてのロジック回路が形成される。ロジック回路は、例えば、半導体基体１６２のp型の半導体ウェル領域に形成された、複数のMOSトランジスタ１６４からなる。
【0063】
さらに、半導体基体１６２上には、層間絶縁膜を介して配線が配置された配線層を複数備える多層配線層１６３が形成される。図６では、多層配線層１６３を形成する複数の配線層のうちの２層の配線層（配線層１６５Ａ，１６５Ｂ）を示している。
【0064】
固体撮像装置１００においては、配線層１６５Ａおよび配線層１６５Ｂによって遮光構造１５１を成している。
【0065】
ここで、第２の半導体基板１０２において、MOSトランジスタ１６４等の能動素子が形成されている領域を能動素子群１６７とする。第２の半導体基板１０２では、例えば、複数のnMOSトランジスタやpMOSトランジスタ等の能動素子を組み合わせて一つの機能を実現するための回路が構成される。そして、この能動素子群１６７が形成された領域を、回路ブロック（図７の回路ブロック２０２乃至２０４に相当）とする。なお、第２の半導体基板１０２に形成される能動素子としては、MOSトランジスタ１６４以外にダイオード等も存在し得る。
【0066】
そして、第２の半導体基板１０２の多層配線層１６３において、配線層１６５Ａと配線層１６５Ｂから成る遮光構造１５１が、能動素子群１６７とフォトダイオード１４１との間に存在することにより、能動素子群１６７から発生するホットキャリア発光がフォトダイオード１４１に漏れ込むことを抑制している（詳細は後述する）。
【0067】
以下、遮光構造１５１を成す配線層１６５Ａと配線層１６５Ｂのうち、フォトダイオード１４１等が形成された第１の半導体基板１０１に近い方の配線層１６５Ａを導体層A（第１の導体層）と称することにする。また、能動素子群１６７に近い方の配線層１６５Ｂを導体層B（第２の導体層）と称することにする。
【0068】
ただし、フォトダイオード１４１等が形成された第１の半導体基板１０１に近い方の配線層１６５Ａを導体層B、能動素子群１６７に近い方の配線層１６５Ｂを導体層Aとしてもよい。さらに、導体層A及びBの間には、絶縁層、半導体層、他の導体層等のいずれかが設けられていてもよい。また、導体層A及びBの間以外にも、絶縁層、半導体層、他の導体層等のいずれかが設けられていてもよい。
【0069】
導体層Aや導体層Bは、回路基板や半導体基板や電子機器の中で最も電流の流れやすい導体層であることが望ましいが、その限りではない。
【0070】
導体層Aと導体層Bの一方が、回路基板や半導体基板や電子機器の中で１番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、回路基板や半導体基板や電子機器の中で２番目に電流の流れやすい導体層であることが望ましいが、その限りではない。
【0071】
導体層Aと導体層Bの一方が、回路基板や半導体基板や電子機器の中で最も電流の流れにくい導体層ではないことが望ましいが、その限りではない。導体層Aと導体層Bの両方が、回路基板や半導体基板や電子機器の中で最も電流の流れにくい導体層ではないことが望ましいが、その限りではない。
【0072】
例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第１の半導体基板１０１の中で１番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第１の半導体基板１０１の中で２番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
【0073】
例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第２の半導体基板１０２の中で１番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第２の半導体基板１０２の中で２番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
【0074】
例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第１の半導体基板１０１の中で１番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第２の半導体基板１０２の中で１番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
【0075】
例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第１の半導体基板１０１の中で１番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第２の半導体基板１０２の中で２番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
【0076】
例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第１の半導体基板１０１の中で２番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第２の半導体基板１０２の中で１番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
【0077】
例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第１の半導体基板１０１の中で２番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第２の半導体基板１０２の中で２番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
【0078】
例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第１の半導体基板１０１または第２の半導体基板１０２の中で最も電流の流れにくい導体層ではなくてもよい。
【0079】
例えば、導体層Aと導体層Bの両方が、第１の半導体基板１０１または第２の半導体基板１０２の中で最も電流の流れにくい導体層ではなくてもよい。
【0080】
なお、上述した１番目は、３番目や４番目やＮ番目（Ｎは正数）として置き換え可能であり、上述した２番目も、３番目や４番目やＮ番目（Ｎは正数）として置き換え可能である。
【0081】
なお、上述した回路基板や半導体基板や電子機器の中で電流の流れやすい導体層は、回路基板の中で電流の流れやすい導体層、半導体基板の中で電流の流れやすい導体層、電子機器の中で電流の流れやすい導体層、の何れかであると考えてもよい。また、上述した回路基板や半導体基板や電子機器の中で電流の流れにくい導体層は、回路基板の中で電流の流れにくい導体層、半導体基板の中で電流の流れにくい導体層、電子機器の中で電流の流れにくい導体層、の何れかであると考えてもよい。また、上述した電流の流れやすい導体層をシート抵抗の低い導体層とし、電流の流れにくい導体層をシート抵抗の高い導体層としても、それぞれ置き換え可能である。
【0082】
なお、導体層A及びBに用いる導体の材料としては、銅、アルミ、タングステン、クロム、ニッケル、タンタル、モリブデン、チタン、金、銀、鉄等の金属、若しくは、これらの何れかを少なくとも含む混合物や化合物が主に用いられる。また、シリコン、ゲルマニウム、化合物半導体、有機半導体等の半導体が含まれていてもよい。さらに、綿、紙、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、天然ゴム、ポリエステル、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、合成樹脂、マイカ、石綿、ガラス繊維、磁器等の絶縁体が含まれていてもよい。
【0083】
遮光構造１５１を成す導体層A及びBは、電流が流されることによってAggressor導体ループと成り得る。
【0084】
次に、遮光構造１５１によって遮光される領域（遮光対象領域）について説明する。
【0085】
図７は、半導体基体１６２における、能動素子群１６７が形成された領域から成る回路ブロックの平面配置例を示す概略構成図である。
【0086】
図７のAは、複数の回路ブロック２０２乃至２０４が一括して遮光構造１５１による遮光対象領域とされる場合の例であり、回路ブロック２０２，２０３および２０４の全てを含む領域２０５が遮光対象領域となる。
【0087】
図７のBは、複数の回路ブロック２０２乃至２０４が個別に遮光構造１５１による遮光対象領域とされる場合の例であり、回路ブロック２０２，２０３、および２０４のそれぞれを含む領域２０６，２０７、および２０８が個別に遮光対象領域となり、領域２０６乃至２０８以外の領域２０９が遮光非対象領域とされる。
【0088】
図７のBに示した例の場合、遮光構造１５１を成す導体層A及びBのレイアウトの自由度が制限されることを回避することができる。しかしながら、導体層A及びBのレイアウトが複雑化するため、導体層A及びBのレイアウトを設計するために多大な労力が必要となる。
【0089】
遮光構造１５１を成す導体層A及びBのレイアウトを容易に設計するためには、図７のAに示した例を採用し、複数の回路ブロックを一括して遮光対象領域とすることが望ましい。
【0090】
そこで、本開示では、導体層A及びBのレイアウトの自由度が制限されることを回避しつつ、レイアウトを容易に設計できる導体層A及びBの構造を提案する。
【0091】
なお、本実施の形態における遮光対象領域には、ホットキャリア発光の発光源となる能動素子群１６７の領域を表す回路ブロックに加えて、回路ブロックの周辺にも遮光対象領域となるように緩衝領域を設けるようにする。回路ブロックの周囲に緩衝領域を設けることにより、回路ブロックから斜め方向に射出されるホットキャリア発光がフォトダイオード１４１に漏れ込むことを抑止できる。
【0092】
図８は、遮光構造１５１による遮光対象領域と、能動素子群の領域および緩衝領域との位置関係例を示す図である。
【0093】
図８に示す例では、能動素子群１６７が形成された領域と、能動素子群１６７の周囲の緩衝領域１９１が遮光対象領域１９４としており、遮光対象領域１９４に対向するように、遮光構造１５１が形成される。
【0094】
ここで、能動素子群１６７から遮光構造１５１までの長さを層間距離１９２とする。また、能動素子群１６７の端部から配線による遮光構造１５１の端部までの長さを緩衝領域幅１９３とする。
【0095】
遮光構造１５１は、緩衝領域幅１９３が、層間距離１９２よりも大きくなるように形成する。これにより、点光源として発生するホットキャリア発光の斜め成分についても遮光することが可能となる。
【0096】
なお、緩衝領域幅１９３の適切な値は、遮光構造１５１と能動素子群１６７との層間距離１９２に依存して変わる。例えば、層間距離１９２が長い場合、能動素子群１６７からのホットキャリア発光の斜め成分を十分に遮蔽できるように緩衝領域１９１を大きく設ける必要がある。一方、層間距離１９２が短い場合、緩衝領域１９１を大きく設けなくても能動素子群１６７からのホットキャリア発光を十分に遮光することができる。従って、多層配線層１６３を構成する複数の配線層のうち、能動素子群１６７に近い配線層を用いて遮光構造１５１を形成するようにすれば、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることできる。ただし、能動素子群１６７に近い配線層を用いて遮光構造１５１を形成することは、能動素子群１６７に近い配線層のレイアウト制約などにより、難しい場合が多い。本技術では、能動素子群１６７から遠い配線層を用いて遮光構造１５１を形成する場合でも、高いレイアウト自由度が得られる。
【0097】
＜４．導体層A及びBの構成例＞
以下、本技術を適用した固体撮像装置１００におけるAggressor導体ループと成り得る、遮光構造１５１を成す導体層A（配線層１６５Ａ）および導体層B（配線層１６５Ｂ）の構成例について説明するが、その前に、構成例の比較対象とする比較例について説明する。
以下、本技術を適用した固体撮像装置１００におけるAggressor導体ループと成り得る、遮光構造１５１を成す導体層A（配線層１６５Ａ）および導体層B（配線層１６５Ｂ）の構成例について説明するが、その前に、構成例の比較対象とする比較例について説明する。
【0098】
＜第１の比較例＞
図９は、遮光構造１５１を成す導体層A及びBの、後述する複数の構成例と比較するための第１の比較例を示す平面図である。なお、図９のAは導体層Aを、図９のBは導体層Bを示している。図９における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
図９は、遮光構造１５１を成す導体層A及びBの、後述する複数の構成例と比較するための第１の比較例を示す平面図である。なお、図９のAは導体層Aを、図９のBは導体層Bを示している。図９における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0099】
第１の比較例における導体層Aは、Y方向に長い直線状導体２１１が、X方向に導体周期FXAで周期的に配置されている。なお、導体周期FXA＝X方向の導体幅WXA＋X方向の間隙幅GXAである。各直線状導体２１１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0100】
第１の比較例における導体層Bは、Y方向に長い直線状導体２１２が、X方向に導体周期FXBで周期的に配置されている。なお、導体周期FXB＝X方向の導体幅WXB＋X方向の間隙幅GXBである。各直線状導体２１２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。ここで、導体周期FXB＝導体周期FXAである。
【0101】
なお、各直線状導体２１１をVdd配線とし、各直線状導体２１２をVss配線とするように、導体層A及びBの接続先を入れ替えてもよい。
【0102】
図９のCは、図９のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。第１の比較例の場合、図９のCに示されるように、導体層Aを構成する直線状導体２１１と、導体層Bを構成する直線状導体２１２とを重ねて配置した場合に、導体部分が重畳する重複部分が生じるように、直線状導体２１１，２１２が形成されるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を十分に遮光することができる。なお、重複部分の幅を重複幅とも称する。
【0103】
【0104】
導体層Aを構成する直線状導体２１１と、導体層Bを構成する直線状導体２１２に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である直線状導体２１２に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である直線状導体２１１に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
【0105】
第１の比較例に、図１０に示したように電流が流れる場合、Vss配線である直線状導体２１１と、Vdd配線である直線状導体２１２との間には、図１０の平面図において、隣接する直線状導体２１１及び２１２を含んで形成される、ループ面がXY平面にほぼ平行な導体ループによって、略Z方向の磁束が発生し易くなる。
【0106】
一方、導体層A及びBから成る遮光構造１５１が形成された第２の半導体基板１０２に積層された第１の半導体基板１０１の画素アレイ１２１においては、図１０に示されるように信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置１００から出力される画像が悪化する（誘導性ノイズが増す）ことになる。
【0107】
さらに、Aggressor導体ループの構成次第では、誘導起電力はVictim導体ループの寸法に比例するので、画素アレイ１２１において選択画素が移動されることにより、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
【0108】
第１の比較例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造１５１のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向（略Z方向）と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせ易い磁束の方向（Z方向）とが略一致するので、固体撮像装置１００から出力される画像の悪化（誘導性ノイズの発生）が予想される。
【0109】
図１１は、第１の比較例を、固体撮像装置１００に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果を示している。
【0110】
図１１のAは、固体撮像装置１００から出力される、誘導性ノイズが生じた画像を示している。図１１のBは、図１１のAに示した画像の線分X1－X2における画素信号の変化を示している。図１１のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L1を示している。図１１のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0111】
以下、図１１のCに示した実線L1を、遮光構造１５１を成す導体層A及びBの構成例を固体撮像装置１００に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果との比較に用いることにする。
【0112】
＜第１の構成例＞
図１２は、導体層A及びBの第１の構成例を示している。なお、図１２のAは導体層Aを、図１２のBは導体層Bを示している。図１２における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
図１２は、導体層A及びBの第１の構成例を示している。なお、図１２のAは導体層Aを、図１２のBは導体層Bを示している。図１２における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0113】
第１の構成例における導体層Aは、面状導体２１３から成る。面状導体２１３は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0114】
第１の比較例における導体層Bは、面状導体２１４から成る。面状導体２１４は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0115】
なお、面状導体２１３をVdd配線とし、各直線状導体２１４をVss配線とするように、導体層A及びBの接続先を入れ替えてもよい。以降に説明する各構成例においても同様とする。
【0116】
図１２のCは、図１２のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図１２のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２１５は、導体層Aの面状導体２１３と、導体層Bの面状導体２１４とが重複する領域を示している。したがって、図１２のCの場合は、導体層Aの面状導体２１３と、導体層Bの面状導体２１４との全面が重なっていることを示している。第１の構成例の場合、導体層Aの面状導体２１３と、導体層Bの面状導体２１４との全面が重なるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を確実に遮光することができる。
【0117】
【0118】
導体層Aを構成する面状導体２１３と、導体層Bを構成する面状導体２１４に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である面状導体２１４に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である面状導体２１３に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
【0119】
第１の構成例に、図１３に示したように電流が流れる場合、Vss配線である面状導体２１３と、Vdd配線である面状導体２１４との間には、面状導体２１３及び２１４が配置された断面において、面状導体２１３及び２１４（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0120】
一方、導体層A及びBから成る遮光構造１５１が形成された第２の半導体基板１０２に積層された第１の半導体基板１０１の画素アレイ１２１においては、図１３に示されるように信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z軸方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置１００から出力される画像が悪化する（誘導性ノイズが増す）ことになる。
【0121】
さらに、画素アレイ１２１において選択画素が移動されることにより、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
【0122】
第１の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造１５１のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向（略X方向や略Y方向）と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向（Z方向）とが略直交して略９０度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略９０度異なる。そのため、固体撮像装置１００から出力される画像の悪化（誘導性ノイズの発生）は、第１の比較例の場合に比べて少ないことが予想される。
【0123】
【0124】
図１４のAは、固体撮像装置１００から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図１４のBは、図１４のAに示した画像の線分X1－X2における画素信号の変化を示している。図１４のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L11を示している。図１４のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図１４のCの点線L1は、第１の比較例（図９）に対応するものである。
【0125】
図１４のCに示した実線L11と点線L1を比較して明らかなように、第１の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができる。よって、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズの発生を抑止することができる。
【0126】
＜第２の構成例＞
図１５は、導体層A及びBの第２の構成例を示している。なお、図１５のAは導体層Aを、図１５のBは導体層Bを示している。図１５における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
図１５は、導体層A及びBの第２の構成例を示している。なお、図１５のAは導体層Aを、図１５のBは導体層Bを示している。図１５における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0127】
第２の構成例における導体層Aは、網目状導体２１６から成る。網目状導体２１６におけるX方向の導体幅をWXA、間隙幅をGXA、導体周期をFXA（＝導体幅WXA＋間隙幅GXA）、端部幅をEXA（＝導体幅WXA/2）とする。また、網目状導体２１６におけるY方向の導体幅をWYA、間隙幅をGYA、導体周期をFYA（＝導体幅WYA＋間隙幅GYA）、端部幅をEYA（＝導体幅WYA/2）とする。網目状導体２１６は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0128】
第２の構成例における導体層Bは、網目状導体２１７から成る。網目状導体２１７におけるX方向の導体幅をWXB、間隙幅をGXB、導体周期をFXB（＝導体幅WXB＋間隙幅GXB）、端部幅をEXB（＝導体幅WXB/2）とする。また、網目状導体２１７におけるY方向の導体幅をWYB、間隙幅をGYB、導体周期をFYB（＝導体幅WYB＋間隙幅GYB）、端部幅をEYB（＝導体幅WYB/2）とする。網目状導体２１７は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0129】
なお、網目状導体２１６と網目状導体２１７は、以下の関係を満たすことが望ましい。
導体幅WXA＝導体幅WYA＝導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXA＝間隙幅GYA＝間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EXA＝端部幅EYA＝端部幅EXB＝端部幅EYB
導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYB
導体幅WXA＝導体幅WYA＝導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXA＝間隙幅GYA＝間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EXA＝端部幅EYA＝端部幅EXB＝端部幅EYB
導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYB
【0130】
図１５のCは、図１５のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図１５のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２１８は、導体層Aの網目状導体２１６と、導体層Bの網目状導体２１７とが重複する領域を示している。第２の構成例の場合、導体層Aを成す網目状導体２１６の間隙と導体層Bを成す網目状導体２１７の間隙が一致するので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を十分に遮光することはできない。ただし、後述するように、誘導性ノイズの発生を抑えることはできる。
【0131】
【0132】
導体層Aを構成する網目状導体２１６と、導体層Bを構成する網目状導体２１７に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である網目状導体２１７に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である網目状導体２１６に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
【0133】
第２の構成例に、図１６に示したように電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体２１６と、Vdd配線である網目状導体２１７との間には、網目状導体２１６及び２１７が配置された断面において、網目状導体２１６及び２１７（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0134】
一方、導体層A及びBから成る遮光構造１５１が形成された第２の半導体基板１０２に積層された第１の半導体基板１０１の画素アレイ１２１においては、図１６に示されるように信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置１００から出力される画像が悪化する（誘導性ノイズが増す）ことになる。
【0135】
さらに、画素アレイ１２１において選択画素が移動されることにより、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
【0136】
第２の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造１５１のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向（略X方向や略Y方向）と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向（Z方向）とが略直交して略９０度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略９０度異なる。そのため、固体撮像装置１００から出力される画像の悪化（誘導性ノイズの発生）は、第１の比較例に比べて少ないことが予想される。
【0137】
【0138】
図１７のAは、固体撮像装置１００から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図１７のBは、図１７のAに示した画像の線分X1－X2における画素信号の変化を示している。図１７のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L21を示している。図１７のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図１７のCの点線L1は、第１の比較例（図９）に対応するものである。
【0139】
図１７のCに示した実線L21と点線L1を比較して明らかなように、第２の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができる。よって、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズの発生を抑止することができる。
【0140】
＜第２の比較例＞
第２の構成例（図１５）では、導体層Aを成す網目状導体２１６と導体層Bを成す網目状導体２１７の関係として、導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYBを満たすようにしている。
第２の構成例（図１５）では、導体層Aを成す網目状導体２１６と導体層Bを成す網目状導体２１７の関係として、導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYBを満たすようにしている。
【0141】
このように、導体層AのX方向の導体周期FXAと、導体層AのY方向の導体周期FYAと、導体層BのX方向の導体周期FXBと、導体層BのX方向の導体周期FYBとを一致させると、誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
【0142】
【0143】
図１８のAは、図１５に示した第２の構成例と比較するための、第２の構成例を変形した第２の比較例を示している、この第２の比較例は、第２の構成例における導体層Aを成す網目状導体２１６のX方向の間隙幅GXAとY方向の間隙幅GYAを広げて、X方向の導体周期FXAとY方向の導体周期FYAを、第２の構成例の５倍にしたものである。なお、第２の比較例における導体層Bを成す網目状導体２１７は、第２の構成例と同じものとする。
【0144】
【0145】
図１９は、第２の比較例（図１８のA）と、第２の構成例（図１８のB）を固体撮像装置１００に適用した場合のミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第２の比較例に流れる電流条件は、図１６に示した場合と同様とする。図１９の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0146】
図１９における実線L21は、第２の構成例に対応し、点線L31は第２の比較例に対応するものである。
【0147】
実線L21と点線L31を比較して明らかなように、第２の構成例は、第２の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
【0148】
＜第３の比較例＞
ところで、第２の比較例における導体層Aを成す網目状導体の導体幅を広げた場合にも誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
ところで、第２の比較例における導体層Aを成す網目状導体の導体幅を広げた場合にも誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
【0149】
【0150】
【0151】
図２０のBは、第２の比較例と比べるための、第２の構成例を変形した第３の比較例を示している、この第３の比較例は、第２の構成例における導体層Aを成す網目状導体２１６のX方向とY方向の導体幅WXA，WYAを第２の構成例の５倍に広げたものである。なお、第３の比較例における導体層Bを成す網目状導体２１７は、第２の構成例と同じものとする。
【0152】
図２１は、第３の比較例と、第２の比較例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第３の比較例に流れる電流条件は、図１６に示した場合と同様とする。図２１の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0153】
図２１における実線L41は、第３の比較例に対応し、点線L31は第２の比較例に対応するものである。
【0154】
実線L41と点線L31を比較して明らかなように、第３の比較例は、第２の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
【0155】
＜第３の構成例＞
次に、図２２は、導体層A及びBの第３の構成例を示している。なお、図２２のAは導体層Aを、図２２のBは導体層Bを示している。図２２における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図２２は、導体層A及びBの第３の構成例を示している。なお、図２２のAは導体層Aを、図２２のBは導体層Bを示している。図２２における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0156】
第３の構成例における導体層Aは、面状導体２２１から成る。面状導体２２１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0157】
第３の構成例における導体層Bは、網目状導体２２２から成る。網目状導体２２２におけるX方向の導体幅をWXB、間隙幅をGXB、導体周期をFXB（＝導体幅WXB＋間隙幅GXB）とする。また、網目状導体２２２におけるY方向の導体幅をWYB、間隙幅をGYB、導体周期をFYB（＝導体幅WYB＋間隙幅GYB）、端部幅をEYBとする。網目状導体２２２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0158】
なお、網目状導体２２２は、以下の関係を満たすことが望ましい。
導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EYB＝導体幅WYB/2
導体周期FXB＝導体周期FYB
導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EYB＝導体幅WYB/2
導体周期FXB＝導体周期FYB
【0159】
上述した関係のように、X方向とY方向で導体幅、導体周期、間隙幅を揃えることにより、網目状導体２２２のX方向とY方向とで配線抵抗や配線インピーダンスが均一になるので、X方向とY方向とで磁界耐性や電圧降下を均等にすることができる。
【0160】
また、端部幅EYBを導体幅WYBの1/2とすることにより、網目状導体２２２の端部周辺で発生する磁界によってVictim導体ループに生じる誘導起電力を抑制することができる。
【0161】
図２２のCは、図２２のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図２２のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２２３は、導体層Aの面状導体２２１と、導体層Bの網目状導体２２２とが重複する領域を示している。第３の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0162】
【0163】
導体層Aを構成する面状導体２２１と、導体層Bを構成する網目状導体２２２に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である網目状導体２２２に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である面状導体２２１に流れる電流は、図面の下側から上側に流れるものとする。
【0164】
第３の構成例に、図２３に示したように電流が流れる場合、Vss配線である面状導体２２１と、Vdd配線である網目状導体２２２との間には、面状導体２２１と網目状導体２２２が配置された断面において、面状導体２２１と網目状導体２２２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0165】
一方、導体層A及びBから成る遮光構造１５１が形成された第２の半導体基板１０２に積層された第１の半導体基板１０１の画素アレイ１２１においては、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置１００から出力される画像が悪化する（誘導性ノイズが増す）ことになる。
【0166】
さらに、画素アレイ１２１において選択画素が移動されることにより、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
【0167】
第３の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造１５１のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向（略X方向や略Y方向）と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向（Z方向）とが略直交して略９０度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略９０度異なる。そのため、固体撮像装置１００から出力される画像の悪化（誘導性ノイズの発生）は、第１の比較例に比べて少ないことが予想される。
【0168】
【0169】
図２４のAは、固体撮像装置１００から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図２４のBは、図２４のAに示した画像の線分X1－X2における画素信号の変化を示している。図２４のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L51を示している。図２４のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図２４のCの点線L1は、第１の比較例（図９）に対応するものである。
【0170】
図２４のCに示した実線L51と点線L1を比較して明らかなように、第３の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができる。よって、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズの発生を抑止することができる。
【0171】
＜第４の構成例＞
次に、図２５は、導体層A及びBの第４の構成例を示している。なお、図２５のAは導体層Aを、図２５のBは導体層Bを示している。図２５における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図２５は、導体層A及びBの第４の構成例を示している。なお、図２５のAは導体層Aを、図２５のBは導体層Bを示している。図２５における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0172】
第４の構成例における導体層Aは、網目状導体２３１から成る。網目状導体２３１におけるX方向の導体幅をWXA、間隙幅をGXA、導体周期をFXA（＝導体幅WXA＋間隙幅GXA）、端部幅をEXA（＝導体幅WXA/2）とする。また、網目状導体２１５におけるY方向の導体幅をWYA、間隙幅をGYA、導体周期をFYA（＝導体幅WYA＋間隙幅GYA）とする。網目状導体２３１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0173】
第４の構成例における導体層Bは、網目状導体２３２から成る。網目状導体２３２におけるX方向の導体幅をWXB、間隙幅をGXB、導体周期をFXB（＝導体幅WXB＋間隙幅GXB）とする。また、網目状導体２３２におけるY方向の導体幅をWYB、間隙幅をGYB、導体周期をFYB（＝導体幅WYB＋間隙幅GYB）、端部幅をEYB（＝導体幅WYB/2）とする。網目状導体２３２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0174】
なお、網目状導体２３１と網目状導体２３２は、以下の関係を満たすことが望ましい。
導体幅WXA＝導体幅WYA＝導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXA＝間隙幅GYA＝間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EXA＝端部幅EYB
導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYB
導体幅WYA＝2×重複幅＋間隙幅GYA、導体幅WXA＝2×重複幅＋間隙幅GXA
導体幅WYB＝2×重複幅＋間隙幅GYB、導体幅WXB＝2×重複幅＋間隙幅GXB
導体幅WXA＝導体幅WYA＝導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXA＝間隙幅GYA＝間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EXA＝端部幅EYB
導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYB
導体幅WYA＝2×重複幅＋間隙幅GYA、導体幅WXA＝2×重複幅＋間隙幅GXA
導体幅WYB＝2×重複幅＋間隙幅GYB、導体幅WXB＝2×重複幅＋間隙幅GXB
【0175】
ここで、重複幅とは、導体層Aの網目状導体２３１と、導体層Bの網目状導体２３２とを重ねて配置した場合に、導体部分が重複する重複部分の幅である。
【0176】
上述した関係のように、網目状導体２３１と網目状導体２３２のX方向とY方向の導体周期を全て揃えることにより、網目状導体２３１の電流分布と、網目状導体２３２の電流分布とを略均等、且つ、逆特性にできるので、網目状導体２３１の電流分布によって生じる磁界と、網目状導体２３２の電流分布によって生じる磁界とを効果的に相殺できる。
【0177】
また、網目状導体２３１と網目状導体２３２のX方向とY方向の導体周期、導体幅、間隙幅を全て揃えることにより、網目状導体２３１と網目状導体２３２のX方向とY方向とで配線抵抗や配線インピーダンスが均一になるので、X方向とY方向とで磁界耐性や電圧降下を均等にすることができる。
【0178】
また、網目状導体２３１の端部幅EXAを導体幅WXAの1/2とすることにより、網目状導体２３１の端部周辺で発生する磁界によってVictim導体ループに生じる誘導起電力を抑制することができる。また、網目状導体２３２の端部幅EYBを導体幅WYBの1/2とすることにより、網目状導体２３１の端部周辺で発生する磁界によってVictim導体ループに生じる誘導起電力を抑制することができる。
【0179】
なお、導体層Aの網目状導体２３１のX方向に端部を設ける代わりに、導体層Bの網目状導体２３２のX方向の端部を設けるようにしてもよい。また、導体層Bの網目状導体２３２のY方向の端部を設ける代わりに、導体層Aの網目状導体２３１のY方向に端部を設けるようにしてもよい。
【0180】
図２５のCは、図２５のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図２５のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２３３は、導体層Aの網目状導体２３１と、導体層Bの網目状導体２３２とが重複する領域を示している。第４の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0181】
ただし、導体層Aの網目状導体２３１と、導体層Bの網目状導体２３２とにより、完全にホットキャリア発光を遮光するためには、以下の関係を満たす必要がある。
導体幅WYA≧間隙幅GYA
導体幅WXA≧間隙幅GXA
導体幅WYB≧間隙幅GYB
導体幅WXB≧間隙幅GXB
導体幅WYA≧間隙幅GYA
導体幅WXA≧間隙幅GXA
導体幅WYB≧間隙幅GYB
導体幅WXB≧間隙幅GXB
【0182】
この場合、以下の関係が満たされることになる。
導体幅WYA＝２×重複幅＋間隙幅GYA
導体幅WXA＝２×重複幅＋間隙幅GXA
導体幅WYB＝２×重複幅＋間隙幅GYB
導体幅WXB＝２×重複幅＋間隙幅GXB
導体幅WYA＝２×重複幅＋間隙幅GYA
導体幅WXA＝２×重複幅＋間隙幅GXA
導体幅WYB＝２×重複幅＋間隙幅GYB
導体幅WXB＝２×重複幅＋間隙幅GXB
【0183】
第４の構成例に、図２３に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体２３１と、Vdd配線である網目状導体２３２との間には、網目状導体２３１及び２３２が配置された断面において、網目状導体２３１及び２３２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0184】
＜第５の構成例＞
次に、図２６は、導体層A及びBの第５の構成例を示している。なお、図２６のAは導体層Aを、図２６のBは導体層Bを示している。図２６における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図２６は、導体層A及びBの第５の構成例を示している。なお、図２６のAは導体層Aを、図２６のBは導体層Bを示している。図２６における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0185】
第５の構成例における導体層Aは、網目状導体２４１から成る。網目状導体２４１は、第４の構成例（図２５）における導体層Aを成す網目状導体２３１をY方向に導体周期FYA/2だけ移動したものである。網目状導体２４１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0186】
第５の構成例における導体層Bは、網目状導体２４２から成る。網目状導体２４２は、第４の構成例（図２５）における導体層Bを成す網目状導体２３２と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２４２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0187】
なお、網目状導体２４１と網目状導体２４２は、以下の関係を満たすことが望ましい。
導体幅WXA＝導体幅WYA＝導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXA＝間隙幅GYA＝間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EXA＝端部幅EYB
導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYB
導体幅WYA＝2×重複幅＋間隙幅GYA、導体幅WXA＝2×重複幅＋間隙幅GXA
導体幅WYB＝2×重複幅＋間隙幅GYB、導体幅WXB＝2×重複幅＋間隙幅GXB
導体幅WXA＝導体幅WYA＝導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXA＝間隙幅GYA＝間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EXA＝端部幅EYB
導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYB
導体幅WYA＝2×重複幅＋間隙幅GYA、導体幅WXA＝2×重複幅＋間隙幅GXA
導体幅WYB＝2×重複幅＋間隙幅GYB、導体幅WXB＝2×重複幅＋間隙幅GXB
【0188】
ここで、重複幅とは、導体層Aの網目状導体２４１と、導体層Bの網目状導体２４２とを重ねて配置した場合に、導体部分が重複する重複部分の幅である。
【0189】
図２６のCは、図２６のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図２６のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２４３は、導体層Aの網目状導体２４１と、導体層Bの網目状導体２４２とが重複する領域を示している。第５の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0190】
また、第５の構成例の場合、網目状導体２４１と網目状導体２４２との重複する領域２４３がX方向に連なる。網目状導体２４１と網目状導体２４２との重複する領域２４３では、網目状導体２４１と網目状導体２４２に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域２４３から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域２４３付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
【0191】
第５の構成例に、図２３に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体２４１と、Vdd配線である網目状導体２４２との間には、網目状導体２４１及び２４２が配置された断面において、網目状導体２４１及び２４２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0192】
＜第６の構成例＞
次に、図２７は、導体層A及びBの第６の構成例を示している。なお、図２７のAは導体層Aを、図２７のBは導体層Bを示している。図２７における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図２７は、導体層A及びBの第６の構成例を示している。なお、図２７のAは導体層Aを、図２７のBは導体層Bを示している。図２７における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0193】
第６の構成例における導体層Aは、網目状導体２５１から成る。網目状導体２５１は、第４の構成例（図２５）における導体層Aを成す網目状導体２３１と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２５１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0194】
第６の構成例における導体層Bは、網目状導体２５２から成る。網目状導体２５２は、第４の構成例（図２５）における導体層Bを成す網目状導体２３２をX方向に導体周期FXB/2だけ移動したものである。網目状導体２５２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0195】
なお、網目状導体２５１と網目状導体２５２は、以下の関係を満たすことが望ましい。
導体幅WXA＝導体幅WYA＝導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXA＝間隙幅GYA＝間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EXA＝端部幅EYB
導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYB
導体幅WYA＝2×重複幅＋間隙幅GYA、導体幅WXA＝2×重複幅＋間隙幅GXA
導体幅WYB＝2×重複幅＋間隙幅GYB、導体幅WXB＝2×重複幅＋間隙幅GXB
導体幅WXA＝導体幅WYA＝導体幅WXB＝導体幅WYB
間隙幅GXA＝間隙幅GYA＝間隙幅GXB＝間隙幅GYB
端部幅EXA＝端部幅EYB
導体周期FXA＝導体周期FYA＝導体周期FXB＝導体周期FYB
導体幅WYA＝2×重複幅＋間隙幅GYA、導体幅WXA＝2×重複幅＋間隙幅GXA
導体幅WYB＝2×重複幅＋間隙幅GYB、導体幅WXB＝2×重複幅＋間隙幅GXB
【0196】
ここで、重複幅とは、導体層Aの網目状導体２５１と、導体層Bの網目状導体２５２とを重ねて配置した場合に、導体部分が重複する重複部分の幅である。
【0197】
図２７のCは、図２７のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図２７のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２５３は、導体層Aの網目状導体２５１と、導体層Bの網目状導体２５２とが重複する領域を示している。第６の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0198】
第６の構成例に、図２３に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体２５１と、Vdd配線である網目状導体２５２との間には、網目状導体２５１及び２５２が配置された断面において、網目状導体２５１及び２５２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0199】
さらに、第６の構成例の場合、網目状導体２５１と網目状導体２５２の重複する領域２５３がY方向に連なる。この網目状導体２５１と網目状導体２５２との重複する領域２５３では、網目状導体２５１と網目状導体２５２に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域２５３から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域２５３付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
【0200】
＜第４乃至第６の構成例のシミュレーション結果＞
図２８は、第４乃至第６の構成例（図２５乃至図２７）を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第４乃至第６の構成例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図２８の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
図２８は、第４乃至第６の構成例（図２５乃至図２７）を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第４乃至第６の構成例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図２８の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0201】
図２８のAにおける実線L52は、第４の構成例（図２５）に対応するものであり、点線L1は第１の比較例（図９）に対応するものである。実線L52と点線L1を比較して明らかなように、第４の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
【0202】
図２８のBにおける実線L53は、第５の構成例（図２６）に対応するものであり、点線L1は第１の比較例（図９）に対応するものである。実線L53と点線L1を比較して明らかなように、第５の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
【0203】
図２８のCにおける実線L54は、第６の構成例（図２７）に対応するものであり、点線L1は第１の比較例（図９）に対応するものである。実線L54と点線L1を比較して明らかなように、第６の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
【0204】
また、実線L52乃至L54を比較して明らかなように、第６の構成例は、第４の構成例及び第５の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化をより抑えることができ、誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
【0205】
＜第７の構成例＞
次に、図２９は、導体層A及びBの第７の構成例を示している。なお、図２９のAは導体層Aを、図２９のBは導体層Bを示している。図２９における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図２９は、導体層A及びBの第７の構成例を示している。なお、図２９のAは導体層Aを、図２９のBは導体層Bを示している。図２９における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0206】
第７の構成例における導体層Aは、面状導体２６１から成る。面状導体２６１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0207】
第７の構成例における導体層Bは、網目状導体２６２と中継導体３０１から成る。網目状導体２６２は、第３の構成例（図２２）における導体層Bの網目状導体２２２と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２６２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0208】
中継導体（他の導体）３０１は、網目状導体２６２の導体ではない間隙領域に配置されて網目状導体２６２と電気的に絶縁されており、導体層Aの面状導体２６１が接続されたVssに接続される。
【0209】
中継導体３０１の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体３０１は、網目状導体２６２の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体３０１は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０１は、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０１は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側の導体層等に接続することができる。
【0210】
図２９のCは、図２９のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図２９のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２６３は、導体層Aの面状導体２６１と、導体層Bの網目状導体２６２とが重複する領域を示している。第７の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0211】
また、第７の構成例の場合、中継導体３０１を設けたことにより、Vss配線である面状導体２６１を略最短距離または短距離で能動素子群１６７と接続することができる。面状導体２６１と能動素子群１６７とを略最短距離または短距離で接続することにより、面状導体２６１と能動素子群１６７の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
【0212】
【0213】
導体層Aを構成する面状導体２６１と、導体層Bを構成する網目状導体２６２に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である網目状導体２６２に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である面状導体２６１に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
【0214】
第７の構成例に、図３０に示したように電流が流れる場合、Vss配線である面状導体２６１と、Vdd配線である網目状導体２６２との間には、面状導体２６１と網目状導体２６２が配置された断面において、面状導体２６１と網目状導体２６２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0215】
一方、導体層A及びBから成る遮光構造１５１が形成された第２の半導体基板１０２に積層された第１の半導体基板１０１の画素アレイ１２１においては、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置１００から出力される画像が悪化する（誘導性ノイズが増す）ことになる。
【0216】
さらに、画素アレイ１２１において選択画素が移動されることにより、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
【0217】
第７の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造１５１のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向（略X方向や略Y方向）と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向（Z方向）とが略直交して略９０度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略９０度異なる。そのため、固体撮像装置１００から出力される画像の悪化（誘導性ノイズの発生）は、第１の比較例に比べて少ないことが予想される。
【0218】
【0219】
図３１のAは、固体撮像装置１００から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図３１のBは、図３１のAに示した画像の線分X1－X2における画素信号の変化を示している。図３１のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L61を示している。図３１のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図３１のCの点線L51は、第３の構成例（図２２）に対応するものである。
【0220】
図３１のCに示した実線L61と点線L51を比較して明らかなように、第７の構成例は、第３の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を悪化させないことがわかる。すなわち、導体層Bの網目状導体２６２の間隙に中継導体３０１が配置された第７の構成例でも、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズの発生を、第３の構成例と同じ程度に抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、面状導体２６１が能動素子群１６７と接続されておらず、かつ、網目状導体２６２が能動素子群１６７と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、面状導体２６１と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体２６２と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、面状導体２６１や網目状導体２６２に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体３０１を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
【0221】
＜第８の構成例＞
次に、図３２は、導体層A及びBの第８の構成例を示している。なお、図３２のAは導体層Aを、図３２のBは導体層Bを示している。図３２における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図３２は、導体層A及びBの第８の構成例を示している。なお、図３２のAは導体層Aを、図３２のBは導体層Bを示している。図３２における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0222】
第８の構成例における導体層Aは、網目状導体２７１から成る。網目状導体２７１は、第４の構成例（図２５）における導体層Aの網目状導体２３１と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２７１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0223】
第８の構成例における導体層Bは、網目状導体２７２と中継導体３０２から成る。網目状導体２７２は、第４の構成例（図２５）における導体層Bの網目状導体２３２と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２３２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0224】
中継導体（他の導体）３０２は、網目状導体２７２の導体ではない間隙領域に配置されて、網目状導体２７２と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体２７１が接続されたVssに接続される。
【0225】
なお、中継導体３０２の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体３０２は、網目状導体２７２の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体３０２は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０２は、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０２は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側の導体層等に接続することができる。
【0226】
図３２のCは、図３２のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図３２のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２７３は、導体層Aの網目状導体２７１と、導体層Bの網目状導体２７２とが重複する領域を示している。第８の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0227】
第８の構成例に、図３０に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体２７１と、Vdd配線である網目状導体２７２との間には、網目状導体２７１及び２７２が配置された断面において、網目状導体２７１及び２７２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0228】
また、第８の構成例の場合、中継導体３０２を設けたことにより、Vss配線である網目状導体２７１を略最短距離または短距離で能動素子群１６７と接続することができる。網目状導体２７１と能動素子群１６７とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体２７１と能動素子群１６７の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
【0229】
＜第９の構成例＞
次に、図３３は、導体層A及びBの第９の構成例を示している。なお、図３３のAは導体層Aを、図３３のBは導体層Bを示している。図３３における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図３３は、導体層A及びBの第９の構成例を示している。なお、図３３のAは導体層Aを、図３３のBは導体層Bを示している。図３３における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0230】
第９の構成例における導体層Aは、網目状導体２８１から成る。網目状導体２８１は、第５の構成例（図２６）における導体層Aの網目状導体２４１と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２８１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0231】
第９の構成例における導体層Bは、網目状導体２８２と中継導体３０３から成る。網目状導体２８２は、第５の構成例（図２６）における導体層Bの網目状導体２４２と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２８２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0232】
中継導体（他の導体）３０３は、網目状導体２８２の導体ではない間隙領域に配置されて、網目状導体２８２と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体２８１が接続されたVssに接続される。
【0233】
なお、中継導体３０３の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体３０３は、網目状導体２８２の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体３０３は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０３は、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０３は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側の導体層等に接続することができる。
【0234】
図３３のCは、図３３のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図３３のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２８３は、導体層Aの網目状導体２８１と、導体層Bの網目状導体２８２とが重複する領域を示している。第９の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0235】
第９の構成例に、図３０に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体２８１と、Vdd配線である網目状導体２８２との間には、網目状導体２８１及び２８２が配置された断面において、網目状導体２８１及び２８２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0236】
また、第９の構成例の場合、中継導体３０３を設けたことにより、Vss配線である網目状導体２８１を略最短距離または短距離で能動素子群１６７と接続することができる。網目状導体２８１と能動素子群１６７とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体２８１と能動素子群１６７の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
【0237】
＜第１０の構成例＞
次に、図３４は、導体層A及びBの第１０の構成例を示している。なお、図３４のAは導体層Aを、図３４のBは導体層Bを示している。図３４における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図３４は、導体層A及びBの第１０の構成例を示している。なお、図３４のAは導体層Aを、図３４のBは導体層Bを示している。図３４における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0238】
第１０の構成例における導体層Aは、網目状導体２９１から成る。網目状導体２９１は、第６の構成例（図２７）における導体層Aの網目状導体２５１と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２９１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0239】
第１０の構成例における導体層Bは、網目状導体２９２と中継導体３０４から成る。網目状導体２９２は、第６の構成例（図２７）における導体層Bの網目状導体２５２と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体２９２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0240】
中継導体（他の導体）３０４は、網目状導体２９２の導体ではない間隙領域に配置されて、網目状導体２９２と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体２９１が接続されたVssに接続される。
【0241】
なお、中継導体３０４の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体３０４は、網目状導体２９２の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体３０４は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０４は、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０４は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側の導体層等に接続することができる。
【0242】
図３４のCは、図３４のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図３４のCにおける斜線が交差するハッチングの領域２９３は、導体層Aの網目状導体２９１と、導体層Bの網目状導体２９２とが重複する領域を示している。第１０の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0243】
第１０の構成例に、図３０に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体２９１と、Vdd配線である網目状導体２９２との間には、網目状導体２９１及び２９２が配置された断面において、網目状導体２９１及び２９２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0244】
また、第１０の構成例の場合、中継導体３０４を設けたことにより、Vss配線である網目状導体２９１を略最短距離または短距離で能動素子群１６７と接続することができる。網目状導体２９１と能動素子群１６７とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体２９１と能動素子群１６７の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
【0245】
＜第８乃至第１０の構成例のシミュレーション結果＞
図３５は、第８乃至第１０の構成例（図３２乃至図３４）を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第８乃至第１０の構成例に流れる電流条件は、図３０に示した場合と同様とする。図３５の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
図３５は、第８乃至第１０の構成例（図３２乃至図３４）を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第８乃至第１０の構成例に流れる電流条件は、図３０に示した場合と同様とする。図３５の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0246】
図３５のAにおける実線L62は、第８の構成例（図３２）に対応するものであり、点線L52は、第４の構成例（図２５）に対応するものである。実線L62と点線L52を比較して明らかなように、第８の構成例は、第４の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を悪化させないことがわかる。すなわち、導体層Bの網目状導体２７２の間隙に中継導体３０２が配置された第８の構成例でも、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズの発生を第４の構成例と同じ程度に抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体２７１が能動素子群１６７と接続されておらず、かつ、網目状導体２７２が能動素子群１６７と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体２７１と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体２７２と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体２７１や網目状導体２７２に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体３０２を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
【0247】
図３５のBにおける実線L63は、第９の構成例（図３３）に対応するものであり、点線L53は、第５の構成例（図２６）に対応するものである。実線L63と点線L53を比較して明らかなように、第９の構成例は、第５の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を悪化させないことがわかる。すなわち、導体層Bの網目状導体２８２の間隙に中継導体３０３が配置された第９の構成例でも、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズの発生を第５の構成例と同じ程度に抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体２８１が能動素子群１６７と接続されておらず、かつ、網目状導体２８２が能動素子群１６７と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体２８１と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体２８２と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体２８１や網目状導体２８２に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体３０３を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
【0248】
図３５のCにおける実線L64は、第１０の構成例に（図３４）対応するものであり、点線L54は、第６の構成例（図２７）に対応するものである。実線L64と点線L54を比較して明らかなように、第１０の構成例は、第６の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を悪化させないことがわかる。すなわち、導体層Bの網目状導体２９２の間隙に中継導体３０４が配置された第１０の構成例でも、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズの発生を第６の構成例と同じ程度に抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体２９１が能動素子群１６７と接続されておらず、かつ、網目状導体２９２が能動素子群１６７と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体２９１と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体２９２と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体２９１や網目状導体２９２に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体３０４を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
【0249】
また、実線L62乃至L64を比較して明らかなように、第１０の構成例は、第８の構成例及び第９の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化をより抑えることができ、誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
【0250】
＜第１１の構成例＞
次に、図３６は、導体層A及びBの第１１の構成例を示している。なお、図３６のAは導体層Aを、図３６のBは導体層Bを示している。図３６における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図３６は、導体層A及びBの第１１の構成例を示している。なお、図３６のAは導体層Aを、図３６のBは導体層Bを示している。図３６における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0251】
第１１の構成例における導体層Aは、X方向（第１の方向）の抵抗値とY方向(第２の方向)の抵抗値が異なる網目状導体３１１から成る。網目状導体３１１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0252】
網目状導体３１１におけるX方向の導体幅をWXA、間隙幅をGXA、導体周期をFXA（＝導体幅WXA＋間隙幅GXA）、端部幅をEXA（＝導体幅WXA/2）とする。また、網目状導体３１１におけるY方向の導体幅をWYA、間隙幅をGYA、導体周期をFYA（＝導体幅WYA＋間隙幅GYA）、端部幅をEYA（＝導体幅WYA/2）とする。網目状導体３１１においては、間隙幅GYA＞間隙幅GXAが満たされる。したがって、網目状導体３１１の間隙領域は、Y方向がX方向よりも長い形状を有しており、X方向とY方向とで抵抗値が異なり、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さくなる。
【0253】
第１１の構成例における導体層Bは、X方向の抵抗値とY方向の抵抗値が異なる網目状導体３１２から成る。網目状導体３１２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0254】
網目状導体３１２におけるX方向の導体幅をWXB、間隙幅をGXB、導体周期をFXB（＝導体幅WXB＋間隙幅GXB）とする。また、網目状導体３１２におけるY方向の導体幅をWYB、間隙幅をGYB、導体周期をFYB（＝導体幅WYB＋間隙幅GYB）、端部幅をEYB（＝導体幅WYB/2）とする。網目状導体３１２においては、間隙幅GYB＞間隙幅GXBが満たされる。したがって、網目状導体３１２の間隙領域は、Y方向がX方向よりも長い形状を有しており、X方向とY方向とで抵抗値が異なり、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さくなる。
【0255】
なお、網目状導体３１１のシート抵抗値が網目状導体３１２のシート抵抗値よりも大きい場合、網目状導体３１１と網目状導体３１２は、以下の関係を満たすことが望ましい。
導体幅WYA≧導体幅WYB
導体幅WXA≧導体幅WXB
間隙幅GXA≦間隙幅GXB
間隙幅GYA≦間隙幅GYB
導体幅WYA≧導体幅WYB
導体幅WXA≧導体幅WXB
間隙幅GXA≦間隙幅GXB
間隙幅GYA≦間隙幅GYB
【0256】
反対に、網目状導体３１１のシート抵抗値が網目状導体３１２のシート抵抗値よりも小さい場合、網目状導体３１１と網目状導体３１２は、以下の関係を満たすことが望ましい。
導体幅WYA≦導体幅WYB
導体幅WXA≦導体幅WXB
間隙幅GXA≧間隙幅GXB
間隙幅GYA≧間隙幅GYB
導体幅WYA≦導体幅WYB
導体幅WXA≦導体幅WXB
間隙幅GXA≧間隙幅GXB
間隙幅GYA≧間隙幅GYB
【0257】
さらに、網目状導体３１１，３１２のシート抵抗値と導体幅については、以下の関係を満たすことが望ましい。
（網目状導体３１１のシート抵抗値）/（網目状導体３１２のシート抵抗値）
≒導体幅WYA/導体幅WYB
（網目状導体３１１のシート抵抗値）/（網目状導体３１２のシート抵抗値）
≒導体幅WXA/導体幅WXB
（網目状導体３１１のシート抵抗値）/（網目状導体３１２のシート抵抗値）
≒導体幅WYA/導体幅WYB
（網目状導体３１１のシート抵抗値）/（網目状導体３１２のシート抵抗値）
≒導体幅WXA/導体幅WXB
【0258】
本明細書で開示する寸法関係に関わる限定は必須ではなく、網目状導体３１１の電流分布と、網目状導体３１２の電流分布とが、略均等、略同一、または、略類似した電流分布であり、且つ、逆特性な電流分布となるように構成されていることが望ましい。
【0259】
例えば、網目状導体３１１のX方向の配線抵抗と網目状導体３１１のY方向の配線抵抗との比と、網目状導体３１２のX方向の配線抵抗と網目状導体３１２のY方向の配線抵抗との比とが、略同一となるように構成されていることが望ましい。
【0260】
また、網目状導体３１１のX方向の配線インダクタンスと網目状導体３１１のY方向の配線インダクタンスとの比と、網目状導体３１２のX方向の配線インダクタンスと網目状導体３１２のY方向の配線インダクタンスとの比とが、略同一となるように構成されていることが望ましい。
【0261】
また、網目状導体３１１のX方向の配線キャパシタンスと網目状導体３１１のY方向の配線キャパシタンスとの比と、網目状導体３１２のX方向の配線キャパシタンスと網目状導体３１２のY方向の配線キャパシタンスとの比とが、略同一となるように構成されていることが望ましい。
【0262】
また、網目状導体３１１のX方向の配線インピーダンスと網目状導体３１１のY方向の配線インピーダンスとの比と、網目状導体３１２のX方向の配線インピーダンスと網目状導体３１２のY方向の配線インピーダンスとの比とが、略同一となるように構成されていることが望ましい。
【0263】
換言すると、（網目状導体３１１のX方向の配線抵抗×網目状導体３１２のY方向の配線抵抗）≒（網目状導体３１２のX方向の配線抵抗×網目状導体３１１のY方向の配線抵抗）、
（網目状導体３１１のX方向の配線インダクタンス×網目状導体３１２のY方向の配線インダクタンス）≒（網目状導体３１２のX方向の配線インダクタンス×網目状導体３１１のY方向の配線インダクタンス）、
（網目状導体３１１のX方向の配線キャパシタンス×網目状導体３１２のY方向の配線キャパシタンス）≒（網目状導体３１２のX方向の配線キャパシタンス×網目状導体３１１のY方向の配線キャパシタンス）、または、
（網目状導体３１１のX方向の配線インピーダンス×網目状導体３１２のY方向の配線インピーダンス）≒（網目状導体３１２のX方向の配線インピーダンス×網目状導体３１１のY方向の配線インピーダンス）、
の何れかの関係を満たすことが望ましいが、この関係を満たすことが必須ではない。
（網目状導体３１１のX方向の配線インダクタンス×網目状導体３１２のY方向の配線インダクタンス）≒（網目状導体３１２のX方向の配線インダクタンス×網目状導体３１１のY方向の配線インダクタンス）、
（網目状導体３１１のX方向の配線キャパシタンス×網目状導体３１２のY方向の配線キャパシタンス）≒（網目状導体３１２のX方向の配線キャパシタンス×網目状導体３１１のY方向の配線キャパシタンス）、または、
（網目状導体３１１のX方向の配線インピーダンス×網目状導体３１２のY方向の配線インピーダンス）≒（網目状導体３１２のX方向の配線インピーダンス×網目状導体３１１のY方向の配線インピーダンス）、
の何れかの関係を満たすことが望ましいが、この関係を満たすことが必須ではない。
【0264】
なお、上述した配線抵抗、配線インダクタンス、配線キャパシタンス、および、配線インピーダンスは、それぞれ、導体抵抗、導体インダクタンス、導体キャパシタンス、および、導体インピーダンスに、置き換え可能である。
【0265】
なお、上述したインピーダンスZ、抵抗R、インダクタンスL、キャパシタンスCの間には、角周波数ωおよび虚数単位jによってZ=R+jωL+1÷（jωC）の関係がある。
【0266】
なお、これらの比の関係は、網目状導体３１１および網目状導体３１２の全体として満たされていてもよいし、網目状導体３１１および網目状導体３１２における一部の範囲内で満たされていてもよく、任意の範囲内で満たされていればよい。
【0267】
さらに、電流分布が略均等または略同一または略類似、且つ、逆特性となるように調整する回路が設けられていてもよい。
【0268】
上述した関係を満たすことにより、網目状導体３１１の電流分布と、網目状導体３１２の電流分布とを略均等、且つ、逆特性にできるので、網目状導体３１１の電流分布によって生じる磁界と、網目状導体３１２の電流分布によって生じる磁界とを効果的に相殺できる。
【0269】
図３６のCは、図３６のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図３６のCにおける斜線が交差するハッチングの領域３１３は、導体層Aの網目状導体３１１と、導体層Bの網目状導体３１２とが重複する領域を示している。第１１の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0270】
また、第１１の構成例の場合、網目状導体３１１と網目状導体３１２との重複する領域３１３がX方向に連なる。網目状導体３１１と網目状導体３１２との重複する領域３１３では、網目状導体３１１と網目状導体３１２に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域３１３から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域３１３付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
【0271】
また、第１１の構成例の場合、網目状導体３１１のY方向の間隙幅GYAとX方向の間隙幅GXAが異なるように形成されるとともに、網目状導体３１２のY方向の間隙幅GYBとX方向の間隙幅GXBが異なるように形成される。
【0272】
このように、網目状導体３１１，３１２をX方向とY方向の間隙幅に差異を設けた形状とすることにより、実際に導体層を設計、製造する際の、配線領域の寸法、空隙領域の寸法、各導体層における配線領域の占有率等に制約を守ることができ、配線レイアウトの設計の自由度を高めることができる。また、間隙幅に差異を設けない場合に比較して、電圧降下(IR-Drop)や誘導性ノイズなどの観点で有利なレイアウトに配線を設計することができる。
【0273】
【0274】
導体層Aを構成する網目状導体３１１と、導体層Bを構成する網目状導体３１２に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である網目状導体３１２に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である網目状導体３１１に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
【0275】
第１１の構成例に、図３７に示したように電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体３１１と、Vdd配線である網目状導体３１２との間には、網目状導体３１１及び３１２が配置された断面において、網目状導体３１１及び３１２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0276】
一方、導体層A及びBから成る遮光構造１５１が形成された第２の半導体基板１０２に積層された第１の半導体基板１０１の画素アレイ１２１においては、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置１００から出力される画像が悪化する（誘導性ノイズが増す）ことになる。
【0277】
さらに、画素アレイ１２１において選択画素が移動されることにより、信号線１３２と制御線１３３から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
【0278】
第１１の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造１５１のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向（略X方向や略Y方向）と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向（Z方向）とが略直交して略９０度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略９０度異なる。そのため、固体撮像装置１００から出力される画像の悪化（誘導性ノイズの発生）は、第１の比較例に比べて少ないことが予想される。
【0279】
【0280】
図３８のAは、固体撮像装置１００から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図３８のBは、図３８のAに示した画像の線分X1－X2における画素信号の変化を示している。図３８のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L71を示している。図３８のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図３８のCの点線L1は、第１の比較例（図９）に対応するものである。
【0281】
図３８のCに示した実線L71と点線L1を比較して明らかなように、第１１の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
【0282】
なお、第１１の構成例は、XY平面状で９０度回転させて用いてもよい。また、９０度に限らず任意の角度に回転させて用いてもよい。例えば、X軸やY軸に対して斜めに構成してもよい。
【0283】
＜第１２の構成例＞
次に、図３９は、導体層A及びBの第１２の構成例を示している。なお、図３９のAは導体層Aを、図３９のBは導体層Bを示している。図３９における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図３９は、導体層A及びBの第１２の構成例を示している。なお、図３９のAは導体層Aを、図３９のBは導体層Bを示している。図３９における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0284】
第１２の構成例における導体層Aは、網目状導体３２１から成る。網目状導体３２１は、第１１の構成例（図３６）における導体層Aの網目状導体３１１と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体３２１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0285】
第１２の構成例における導体層Bは、網目状導体３２２と中継導体３０５から成る。網目状導体３２２は、第１１の構成例（図３６）における導体層Bの網目状導体３１２と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体３２２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0286】
中継導体（他の導体）３０５は、網目状導体３２２の導体ではないY方向に長い長方形の間隙領域に配置されて、網目状導体３２２と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体３２１が接続されたVssに接続される。
【0287】
なお、中継導体３０５の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体３０５は、網目状導体３２２の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体３０５は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０５は、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０５は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側の導体層等に接続することができる。
【0288】
図３９のCは、図３９のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図３９のCにおける斜線が交差するハッチングの領域３２３は、導体層Aの網目状導体３２１と、導体層Bの網目状導体３２２とが重複する領域を示している。第１２の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0289】
第１２の構成例に、図３７に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体３２１と、Vdd配線である網目状導体３２２との間には、網目状導体３２１及び３２２が配置された断面において、網目状導体３２１及び３２２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0290】
さらに、第１２の構成例の場合、網目状導体３２１と網目状導体３２２との重複する領域３２３がX方向に連なる。網目状導体３２１と網目状導体３２２との重複する領域３２３では、網目状導体３２１と網目状導体３２２に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域３２３から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域３２３付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
【0291】
また、第１２の構成例の場合、中継導体３０５を設けたことにより、Vss配線である網目状導体３２１を略最短距離または短距離で能動素子群１６７と接続することができる。網目状導体３２１と能動素子群１６７とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体３２１と能動素子群１６７の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
【0292】
なお、第１２の構成例は、XY平面状で９０度回転させて用いてもよい。また、９０度に限らず任意の角度に回転させて用いてもよい。例えば、X軸やY軸に対して斜めに構成してもよい。
【0293】
＜第１３の構成例＞
次に、図４０は、導体層A及びBの第１３の構成例を示している。なお、図４０のAは導体層Aを、図４０のBは導体層Bを示している。図４０における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図４０は、導体層A及びBの第１３の構成例を示している。なお、図４０のAは導体層Aを、図４０のBは導体層Bを示している。図４０における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0294】
第１３の構成例における導体層Aは、網目状導体３３１から成る。網目状導体３３１は、第１１の構成例（図３６）における導体層Aの網目状導体３１１と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体３３１は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0295】
第１３の構成例における導体層Bは、網目状導体３３２と中継導体３０６から成る。網目状導体３３２は、第１１の構成例（図３６）における導体層Bの網目状導体３１２と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体３３２は、例えば、プラス電源に接続される配線（Vdd配線）である。
【0296】
中継導体（他の導体）３０６は、第１２の構成例（図３９）における中継導体３０５を、間隔を空けて複数（図４０の場合は１０）に分割したものである。中継導体３０６は、網目状導体３３２のY方向に長い長方形の間隙領域に配置されて、網目状導体３３２と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体３３１が接続されたVssに接続される。中継導体の分割数やVssへの接続の有無は、領域によって異ならせてもよい。この場合には、設計時に電流分布を微調整できるので、誘導性ノイズ抑制や電圧降下(IR-Drop)低減に繋げることができる。
【0297】
なお、中継導体３０６の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体３０６の分割数は、任意に変更することができる。中継導体３０６は、網目状導体３３２の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体３０６は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０６は、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体３０６は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群１６７に近い側の導体層等に接続することができる。
【0298】
図４０のCは、図４０のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード１４１側（裏面側）から見た状態を示している。ただし、図４０のCにおける斜線が交差するハッチングの領域３３３は、導体層Aの網目状導体３３１と、導体層Bの網目状導体３３２とが重複する領域を示している。第１３の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群１６７が覆われていることになるので、能動素子群１６７からのホットキャリア発光を遮光することができる。
【0299】
第１３の構成例に、図３７に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体３３１と、Vdd配線である網目状導体３３２との間には、網目状導体３３１及び３３２が配置された断面において、網目状導体３３１及び３３２（の断面）を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
【0300】
さらに、第１３の構成例の場合、網目状導体３３１と網目状導体３３２との重複する領域３３３がX方向に連なる。領域３３３では、網目状導体３３１と網目状導体３３２に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域３３３から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域３３３付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
【0301】
また、第１３の構成例の場合、中継導体３０６を設けたことにより、Vss配線である網目状導体３３１を略最短距離または短距離で能動素子群１６７と接続することができる。網目状導体３３１と能動素子群１６７とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体３３１と能動素子群１６７の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
【0302】
さらに、第１３の構成例では、中継導体３０６が複数に分割されていることにより、導体層Aにおける電流分布と、導体層Bとにおける電流分布とを、略均一、かつ、逆極性にすることができるので、導体層Aから生じる磁界と導体層Bから生じる磁界とを互いに打ち消すことができる。したがって、第１３の構成例では、外的要因によるVdd配線とVss配線との電流分布差を生じさせ難くすることができる。よって、第１６の構成例は、XY平面の電流分布が複雑である場合や、網目状導体３３１，３３２に接続される導体のインピーダンスがVdd配線とVss配線とで異なる場合に好適である。
【0303】
なお、第１３の構成例は、XY平面状で９０度回転させて用いてもよい。また、９０度に限らず任意の角度に回転させて用いてもよい。例えば、X軸やY軸に対して斜めに構成してもよい。
【0304】
＜第１２及び第１３の構成例のシミュレーション結果＞
図４１は、第１２の構成例（図３９）及び第１３の構成例（図４０）を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第１２及び第１３の構成例に流れる電流条件は、図３７に示した場合と同様とする。図４１の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
図４１は、第１２の構成例（図３９）及び第１３の構成例（図４０）を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第１２及び第１３の構成例に流れる電流条件は、図３７に示した場合と同様とする。図４１の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0305】
図４１のAにおける実線L72は、第１２の構成例（図３９）に対応するものであり、点線L1は、第１の比較例（図９）に対応するものである。実線L72と点線L1を比較して明らかなように、第１２の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力を変化させないことがわかる。よって、第１２の構成例は、第１の比較例に比べて、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズを抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体３２１が能動素子群１６７と接続されておらず、かつ、網目状導体３２２が能動素子群１６７と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体３２１と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体３２２と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体３２１や網目状導体３２２に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体３０５を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
【0306】
図４１のBにおける実線L73は、第１３の構成例（図４０）に対応するものであり、点線L1は、第１の比較例（図９）に対応するものである。実線L73と点線L1を比較して明らかなように、第１３の構成例は、第１の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力を変化させないことがわかる。よって、第１３の構成例は、第１の比較例に比べて、固体撮像装置１００から出力される画像における誘導性ノイズを抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体３３１が能動素子群１６７と接続されておらず、かつ、網目状導体３３２が能動素子群１６７と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体３３１と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体３３２と能動素子群１６７の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体３３１や網目状導体３３２に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体３０６を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
【0307】
＜５．導体層A及びBが形成される半導体基板における電極の配置例＞
次に、上述した導体層A及びBの第１１乃至第１３の構成例のように、X方向とY方向とで抵抗値が異なる導体が形成される半導体基板における電極の配置について説明する。
次に、上述した導体層A及びBの第１１乃至第１３の構成例のように、X方向とY方向とで抵抗値が異なる導体が形成される半導体基板における電極の配置について説明する。
【0308】
なお、以下の説明では、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さい導体（網目状導体３３１，３３２）を含む導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が半導体基板に形成される場合を例にして説明する。ただし、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さい導体を含む導体層A及びBの第１１および第１２の構成例が半導体基板に形成される場合についても同様とする。
【0309】
半導体基板に形成される導体層A及びBの第１３の構成例では、導体（網目状導体３３１，３３２）のY方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さいので、Y方向に電流が流れ易い。したがって、導体層A及びBの第１３の構成例の導体における電圧降下（IR-Drop）をできるだけ小さくするためには、半導体基板に配置する複数のパッド（電極）を、抵抗値が小さい方向であるY方向よりも、抵抗値が大きい方向であるX方向に密に配置することが望ましいが、X方向よりもY方向に密に配置してもよい。
【0310】
＜半導体基板におけるパッドの第１の配置例＞
図４２は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第１の配置例を示す平面図である。なお、図４２における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
図４２は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第１の配置例を示す平面図である。なお、図４２における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0311】
図４２のAは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００の１辺にパッドを配置した場合を示している。図４２のBは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００のY方向で対向する２辺にパッドを配置した場合を示している。なお、図中の点線矢印は、そこに流れる電流の向きの一例を示しており、矩形破線４１１は、点線矢印で示した電流による電流ループ４１１が生じる。点線矢印で示した電流の方向は、時々刻々と変化する。
【0312】
図４２のCは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００の３辺にパッドを配置した場合を示している。図４２のDは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００の４辺にパッドを配置した場合を示している。図４２のEは配線領域４００に複数形成される導体層A及びBの第１３の構成例の向きを示している。
【0313】
配線領域４００に配置されるパッド４０１はVdd配線に接続され、パッド４０２は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0314】
図４２に示した第１の配置例の場合、パッド４０１及び４０２は、それぞれ、１又は隣接して配置された複数（図４２の場合、２）のパッドから成る。パッド４０１と４０２とは、隣接して配置される。１のパッドからなるパッド４０１と１のパッドからなるパッド４０２とは、隣接して配置され、２のパッドからなるパッド４０１と２のパッドからなるパッド４０２とは、隣接して配置される。パッド４０１と４０２との極性（接続先がVdd配線またはVss配線）は逆極性とされている。配線領域４００に配置するパッド４０１の数と、パッド４０２の数は略同数とする。
【0315】
これにより、配線領域４００に形成される導体層A及びBのそれぞれに流れる電流分布を略均一、かつ、逆極性にできるので、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力を効果的に相殺することができる。
【0316】
また、図４２のB，C，Dに示されるように、配線領域４００の２辺以上にパッドを形成した場合、対向する辺で向かい合うパッドの極性が逆極性とされている。これにより、図４２のBに点線矢印で示したように、配線領域４００のX座標が共通であってY座標が異なる位置には、同じ方向の電流が分布し易くなる。
【0317】
＜半導体基板におけるパッドの第２の配置例＞
次に、図４３は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第２の配置例を示す平面図である。なお、図４３における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図４３は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第２の配置例を示す平面図である。なお、図４３における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0318】
図４３のAは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００のY方向で対向する２辺にパッドを配置した場合を示している。なお、図中の点線矢印は、そこに流れる電流の向きを示しており、矩形破線４１２は、点線矢印で示した電流による電流ループ４１２が生じる。点線矢印で示した電流の方向は、時々刻々と変化する。
【0319】
図４３のBは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００の３辺にパッドを配置した場合を示している。図４３のCは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００の４辺にパッドを配置した場合を示している。図４３のDは、配線領域４００に複数形成される導体層A及びBの第１３の構成例の向きを示している。
【0320】
配線領域４００に配置されるパッド４０１はVdd配線に接続され、パッド４０２は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0321】
図４３に示した第２の配置例の場合、パッド４０１及び４０２は、隣接して配置された複数（図４３の場合、２）のパッドから成る。パッド４０１と４０２とは、隣接して配置される。１のパッドからなるパッド４０１と１のパッドからなるパッド４０２とは、隣接して配置され、２のパッドからなるパッド４０１と２のパッドからなるパッド４０２とは、隣接して配置される。パッド４０１と４０２との極性（接続先がVdd配線またはVss配線）は逆極性とされている。配線領域４００に配置するパッド４０１の数と、パッド４０２の数は略同数とする。
【0322】
これにより、配線領域４００に形成される導体層A及びBのそれぞれに流れる電流分布を略均一、かつ、逆極性にできるので、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力を効果的に相殺することができる。
【0323】
さらに、第２の配置例では、対向する辺で向かい合うパッドの極性を同極性としている。ただし、対向する辺で向かい合うパッドの一部は極性が逆極性であってもよい。これにより、配線領域４００には、図４２のBに示した電流ループ４１１に比べて小さい電流ループ４１２が生じることになる。電流ループは、その大きさが磁界の分布範囲に影響し、電界ループが小さい程、磁界の分布範囲が狭くなる。したがって、第２の配置例は、第１の配置例に比べて、磁界の分布範囲が狭くなる。よって、第２の配置例は、第１の配置例に比べて、生じる誘導起電力と、それに基づく誘導性ノイズを小さくすることができる。
【0324】
＜半導体基板におけるパッドの第３の配置例＞
次に、図４４は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第３の配置例を示す平面図である。なお、図４４における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
次に、図４４は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第３の配置例を示す平面図である。なお、図４４における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
【0325】
図４４のAは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００の１辺にパッドを配置した場合を示している。図４４のBは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００のY方向で対向する２辺にパッドを配置した場合を示している。なお、図中の点線矢印は、そこに流れる電流の向きを示しており、矩形破線４１３は、点線矢印で示した電流による電流ループ４１３が生じる。
【0326】
図４４のCは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００の３辺にパッドを配置した場合を示している。図４４のDは、導体層A及びBから成る第１３の構成例（図４０）が複数形成される配線領域４００の４辺にパッドを配置した場合を示している。図４４のEは、配線領域４００に複数形成される導体層A及びBの第１３の構成例の向きを示している。
【0327】
配線領域４００に配置されるパッド４０１はVdd配線に接続され、パッド４０２は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線（Vss配線）である。
【0328】
図４４に示した第３の配置例の場合、隣接して配置した複数（図４４の場合、２）のパッドから成るパッド群を成す各パッドの極性（接続先がVdd配線またはVss配線）が逆極性とされている。配線領域４００の１辺または全ての辺に配置したパッド４０１の数と、パッド４０２の数は略同数とする。
【0329】
さらに、第３の配置例では、対向する辺で向かい合うパッドの極性を同極性としている。ただし、対向する辺で向かい合うパッドの一部は、極性が逆極性であってもよい。
【0330】
これにより、配線領域４００には、図４３のAに示した電流ループ４１２よりも小さい電流ループ４１３が生じることになる。したがって、第３の配置例は、第２の配置例に比べて、磁界の分布範囲が狭くなる。よって、第３の配置例は、第２の配置例に比べて、生じる誘導起電力と、それに基づく誘導性ノイズを小さくすることができる。
【0331】
＜Y方向の抵抗値とX方向の抵抗値とが異なる導体の例＞
図４５は、導体層A及びBを構成する導体の他の例を示す平面図である。すなわち、図４５は、Y方向の抵抗値とX方向の抵抗値とが異なる導体の例を示す平面図である。なお、図４５のA乃至Cは、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さい例を示し、図４５のD乃至Ｆは、X方向の抵抗値がY方向の抵抗値よりも小さい例を示している。
図４５は、導体層A及びBを構成する導体の他の例を示す平面図である。すなわち、図４５は、Y方向の抵抗値とX方向の抵抗値とが異なる導体の例を示す平面図である。なお、図４５のA乃至Cは、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さい例を示し、図４５のD乃至Ｆは、X方向の抵抗値がY方向の抵抗値よりも小さい例を示している。
【0332】
図４５のAは、X方向の導体幅WXとY方向の導体幅WYが等しく、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYよりも狭い網目状導体を示している。図４５のBは、X方向の導体幅WXがY方向の導体幅WYよりも広く、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYよりも狭い網目状導体を示している。図４５のCは、X方向の導体幅WXとY方向の導体幅WYが等しく、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYと等しく、導体幅WYを有するX方向に長い部分の、導体幅WXを有するY方向に長い部分と交差しない領域に穴が設けられた網目状導体を示している。
【0333】
図４５のDは、X方向の導体幅WXとY方向の導体幅WYが等しく、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYよりも広い網目状導体を示している。図４５のEは、X方向の導体幅WXがY方向の導体幅WYよりも狭く、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYよりも広い網目状導体を示している。図４５のFは、X方向の導体幅WXとY方向の導体幅WYが等しく、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYと等しく、導体幅WXを有するY方向に長い部分の、導体幅WYを有するX方向に長い部分と交差しない領域に穴が設けられた網目状導体を示している。
【0334】
図４２乃至図４４に示した配線領域４００におけるパッドの第１乃至第３の配置例は、図４５のA乃至Cに示したようなY方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さく、Y方向に電流が流れ易い導体を配線領域４００に形成した場合に、その導体における電圧降下（IR-Drop）を抑制する効果がある。
【0335】
また、図４２乃至図４４に示した配線領域４００におけるパッドの第１乃至第３の配置例は、図４５のD乃至Fに示したようなX方向の抵抗値がY方向の抵抗値よりも小さく、X方向に電流が流れ易い導体を配線領域４００に形成した場合に、電流がX方向に拡散し易くなり、配線領域４００の辺に配置されたパッドの近傍における磁界が集中しにくくなるので、誘導性ノイズの発生を抑制できる効果が期待できる。
【0336】
＜６．導体層A及びBの構成例の変形例＞
次に、上述した導体層A及びBの第１乃至第１３の構成例のうちのいくつかの構成例についての変形例について説明する。
次に、上述した導体層A及びBの第１乃至第１３の構成例のうちのいくつかの構成例についての変形例について説明する。
【0337】
図４６は、導体層A及びBの第２の構成例（図１５）のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図４６のAは導体層A及びBの第２の構成例、図４６のBは導体層A及びBの第２の構成例の変形例を示している。
【0338】
図４６のCは、図４６のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図１３に示した場合と同様とする。図４６の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0339】
図４６のCにおける実線L81は、図４６のBに示した変形例に対応するものであり、点線L21は第２の構成例（図１５）に対応するものである。実線L81と点線L21を比較して明らかなように、この変形例は、第２の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が若干少ない。よって、この変形例は、第２の構成例に比較して誘導性ノイズを若干抑制できることがわかる。
【0340】
図４７は、導体層A及びBの第５の構成例（図２６）のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図４７のAは導体層A及びBの第５の構成例、図４７のBは導体層A及びBの第５の構成例の変形例を示している。
【0341】
図４７のCは、図４７のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図４７の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0342】
図４７のCにおける実線L82は、図４７のBに示した変形例に対応するものであり、点線L53は第５の構成例（図２６）に対応するものである。実線L82と点線L53を比較して明らかなように、この変形例は、第５の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化がとても少ない。よって、この変形例は、第５の構成例に比較して誘導性ノイズをより一層抑制できることがわかる。
【0343】
図４８は、導体層A及びBの第６の構成例（図２７）のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図４８のAは導体層A及びBの第６の構成例、図４８のBは導体層A及びBの第６の構成例の変形例を示している。
【0344】
図４８のCは、図４８のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図４８の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0345】
図４８のCにおける実線L83は、図４８のBに示した変形例に対応するものであり、点線L54は第６の構成例（図２７）に対応するものである。実線L83と点線L54を比較して明らかなように、この変形例は、第６の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が少ない。よって、この変形例は、第６の構成例に比較して誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
【0346】
図４９は、導体層A及びBの第２の構成例（図１５）のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図４９のAは導体層A及びBの第２の構成例、図４９のBは導体層A及びBの第２の構成例の変形例を示している。
【0347】
図４９のCは、図４９のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図１３に示した場合と同様とする。図４９の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0348】
図４９のCにおける実線L111は、図４９のBに示した変形例に対応するものであり、点線L21は第２の構成例に対応するものである。実線L111と点線L21を比較して明らかなように、この変形例は、第２の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が若干少ない。よって、この変形例は、第２の構成例に比較して誘導性ノイズを若干抑制できることがわかる。
【0349】
図５０は、導体層A及びBの第５の構成例（図２６）のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図５０のAは導体層A及びBの第５の構成例、図５０のBは導体層A及びBの第５の構成例の変形例を示している。
【0350】
図５０のCは、図５０のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図５０の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0351】
図５０のCにおける実線L112は、図５０のBに示した変形例に対応するものであり、点線L53は第５の構成例に対応するものである。実線L112と点線L53を比較して明らかなように、この変形例は、第５の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化がとても少ない。よって、この変形例は、第５の構成例に比較して誘導性ノイズをより一層抑制できることがわかる。
【0352】
図５１は、導体層A及びBの第６の構成例（図２７）のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図５１のAは導体層A及びBの第６の構成例、図５１のBは導体層A及びBの第６の構成例の変形例を示している。
【0353】
図５１のCは、図５１のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図５１の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0354】
図５１のCにおける実線L113は、図５１のBに示した変形例に対応するものであり、点線L54は第６の構成例に対応するものである。実線L113と点線L54を比較して明らかなように、この変形例は、第６の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が少ない。よって、この変形例は、第６の構成例に比較して誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
【0355】
図５２は、導体層A及びBの第２の構成例（図１５）のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図５２のAは導体層A及びBの第２の構成例、図５２のBは導体層A及びBの第２の構成例の変形例を示している。
【0356】
図５２のCは、図５２のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図１３に示した場合と同様とする。図５２の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0357】
図５２のCにおける実線L121は、図５２のBに示した変形例に対応するものであり、点線L21は第２の構成例に対応するものである。実線L121と点線L21を比較して明らかなように、この変形例は、第２の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が若干少ない。よって、この変形例は、第２の構成例に比較して誘導性ノイズを若干抑制できることがわかる。
【0358】
図５３は、導体層A及びBの第５の構成例（図２６）のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図５３のAは導体層A及びBの第５の構成例、図５３のBは導体層A及びBの第５の構成例の変形例を示している。
【0359】
図５３のCは、図５３のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図５３の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0360】
図５３のCにおける実線L122は、図５３のBに示した変形例に対応するものであり、点線L53は第５の構成例に対応するものである。実線L122と点線L53を比較して明らかなように、この変形例は、第５の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化がとても少ない。よって、この変形例は、第５の構成例に比較して誘導性ノイズをより一層抑制できることがわかる。
【0361】
図５４は、導体層A及びBの第６の構成例（図２７）のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図５４のAは導体層A及びBの第６の構成例、図５４のBは導体層A及びBの第６の構成例の変形例を示している。
【0362】
図５４のCは、図５４のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図５４の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0363】
図５４のCにおける実線L123は、図５４のBに示した変形例に対応するものであり、点線L54は第６の構成例に対応するものである。実線L123と点線L54を比較して明らかなように、この変形例は、第６の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が少ない。よって、この変形例は、第６の構成例に比較して誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
【0364】
図５５は、導体層A及びBの第２の構成例（図１５）のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図５５のAは導体層A及びBの第２の構成例、図５５のBは導体層A及びBの第２の構成例の変形例を示している。
【0365】
図５５のCは、図５５のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図１３に示した場合と同様とする。図５５の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0366】
図５５のCにおける実線L131は、図５５のBに示した変形例に対応するものであり、点線L21は第２の構成例に対応するものである。実線L131と点線L21を比較して明らかなように、この変形例は、第２の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が若干少ない。よって、この変形例は、第２の構成例に比較して誘導性ノイズを若干抑制できることがわかる。
【0367】
図５６は、導体層A及びBの第５の構成例（図２６）のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図５６のAは導体層A及びBの第５の構成例、図５６のBは導体層A及びBの第５の構成例の変形例を示している。
【0368】
図５６のCは、図５６のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図５６の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0369】
図５６のCにおける実線L132は、図５６のBに示した変形例に対応するものであり、点線L53は第５の構成例に対応するものである。実線L132と点線L53を比較して明らかなように、この変形例は、第５の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化がとても少ない。よって、この変形例は、第５の構成例に比較して誘導性ノイズをより一層抑制できることがわかる。
【0370】
図５７は、導体層A及びBの第６の構成例（図２７）のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図５７のAは導体層A及びBの第６の構成例、図５７のBは導体層A及びBの第６の構成例の変形例を示している。
【0371】
図５７のCは、図５７のBに示した変形例を固体撮像装置１００に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図２３に示した場合と同様とする。図５７の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
【0372】
図５７のCにおける実線L133は、図５７のBに示した変形例に対応するものであり、点線L54は第６の構成例に対応するものである。実線L133と点線L54を比較して明らかなように、この変形例は、第６の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が少ない。よって、この変形例は、第６の構成例に比較して誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
【0373】
＜７．網目状導体の変形例＞
次に、図５８は、上述した導体層A及びBの各構成例に適用できる網目状導体の変形例を示す平面図である。
次に、図５８は、上述した導体層A及びBの各構成例に適用できる網目状導体の変形例を示す平面図である。
【0374】
図５８のAは、上述した導体層A及びBの各構成例に採用されている網目状導体の形状を簡略化して示したものである。上述した導体層A及びBの各構成例に採用されている網目状導体は、間隙領域が矩形であり、矩形の各間隙領域がX方向とY方向にそれぞれ直線状に配置されていた。
【0375】
図５８のBは、網目状導体の第１の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第１の変形例は、間隙領域が矩形であり、各間隙領域がX方向には直線状に配置され、Y方向には段毎にずれて配置される。
【0376】
図５８のCは、網目状導体の第２の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第２の変形例は、間隙領域が菱形であり、各間隙領域が斜め方向には直線状に配置される。
【0377】
図５８のDは、網目状導体の第３の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第３の変形例は、間隙領域が矩形以外の円形または多角形（図５８のDの場合、８角形）であり、各間隙領域がX方向とY方向にそれぞれ直線状に配置される。
【0378】
図５８のEは、網目状導体の第４の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第４の変形例は、間隙領域が矩形以外の円形または多角形（図５８のEの場合、８角形）であり、各間隙領域がX方向には直線状に配置され、Y方向には段毎にずれて配置される。
【0379】
図５８のFは、網目状導体の第５の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第５の変形例は、間隙領域が矩形以外の円形または多角形（図５８のFの場合、８角形）であり、各間隙領域が斜め方向に直線状に配置される。
【0380】
なお、導体層A及びBの各構成例に適用できる網目状導体の形状は、図５８に示した変形例に限らず、網目状であればよい。
【0381】
＜８．様々な効果＞
＜レイアウト設計自由度の向上＞
上述したように、導体層A及びBの各構成例では、面状導体または網目状導体を採用している。一般に、網目状導体（格子状導体）は、X方向およびY方向に対して周期的な配線構造を有している。よって、周期構造の単位（１周期分）となる基本周期構造を有する網目状導体を設計すれば、その基本周期構造をX方向やY方向に繰り返して配置することにより、直線状導体を用いる場合に比較して、簡単に配線のレイアウトが設計できる。換言すると、網目状導体を用いた場合、直線状導体を用いるよりもレイアウト自由度が向上する。したがって、レイアウト設計に要する工数や時間や費用を圧縮できる。
＜レイアウト設計自由度の向上＞
上述したように、導体層A及びBの各構成例では、面状導体または網目状導体を採用している。一般に、網目状導体（格子状導体）は、X方向およびY方向に対して周期的な配線構造を有している。よって、周期構造の単位（１周期分）となる基本周期構造を有する網目状導体を設計すれば、その基本周期構造をX方向やY方向に繰り返して配置することにより、直線状導体を用いる場合に比較して、簡単に配線のレイアウトが設計できる。換言すると、網目状導体を用いた場合、直線状導体を用いるよりもレイアウト自由度が向上する。したがって、レイアウト設計に要する工数や時間や費用を圧縮できる。
【0382】
図５９は、所定の条件を満たす回路配線のレイアウトを、直線状導体を用いて設計する場合の設計工数と、網目状導体（格子状導体）を用いて設計する場合の設計工数とをシミュレーションした結果を示す図である。
【0383】
図５９の場合、直線状導体を用いて設計する場合の設計工数を100%とすれば、網目状導体（格子状導体）を用いて設計するときの設計工数は40%程度となり、大幅に設計工数を減らすことができることがわかる。
【0384】
＜電圧降下(IR-drop)の低減＞
図６０は、XY平面に配置された同じ材質であって形状が異なる導体に対して同じ条件でDC電流をY方向に流した場合における電圧変化を示す図である。
図６０は、XY平面に配置された同じ材質であって形状が異なる導体に対して同じ条件でDC電流をY方向に流した場合における電圧変化を示す図である。
【0385】
図６０のAは直線状導体、図６０のBは網目状導体、図６０のCは面状導体のそれぞれに対応し、色の濃淡が電圧を表している。図６０のA,B,Cを比較すると、電圧変化は、直線状導体が最も大きく、次に網目状導体、面状導体の順であることがわかる。
【0386】
【0387】
図６１からも明らかなように、面状導体および網目状導体は、直線状導体に比較して、半導体装置の駆動にとって致命的な障害となり得る電圧降下（IR-Drop）を低減できることがわかる。
【0388】
ただし、現在の半導体基板の加工プロセスでは、面状導体を製造できない場合が多いことが知られている。よって、導体層A及びBには、ともに網目状導体を用いる構成例を採用することが現実的である。ただし、半導体基板の加工プロセスが進化して面状導体を製造できるようになった場合には、その限りではない。メタル層の中でも最上層メタルや最下層メタルについては、面状導体を製造できる場合もある。
【0389】
＜容量性ノイズの低減＞
導体層A及びBを形成する導体（面状導体または網目状導体）は、信号線１３２および制御線１３３から成るVictim導体ループに対して誘導性ノイズだけでなく、容量性ノイズを生じさせることが考えられる。
導体層A及びBを形成する導体（面状導体または網目状導体）は、信号線１３２および制御線１３３から成るVictim導体ループに対して誘導性ノイズだけでなく、容量性ノイズを生じさせることが考えられる。
【0390】
ここで、容量性ノイズとは、導体層A及びBを形成する導体に電圧が印加された場合に、その導体と信号線１３２や制御線１３３との間の容量結合によって、信号線１３２や制御線１３３に電圧が発生し、さらに、印加電圧が変化することにより、信号線１３２や制御線１３３に電圧ノイズが生じることを指す。この電圧ノイズは、画素信号のノイズとなる。
【0391】
容量性ノイズの大きさは、導体層A及びBを形成する導体と、信号線１３２や制御線１３３等の配線との間の静電容量や電圧にほぼ比例すると考えられる。静電容量については、2枚の導体（一方が導体、他方が配線でもよい）の重なり合う面積がSであり、2枚の導体の間隔がdで平行に配置され、導体の間に誘電率εの誘電体が均一に充てんされている場合、2枚の導体間の静電容量C=ε*S/dである。したがって、2枚の導体の重なり合う面積Sが広いほど、容量性ノイズは大きくなることがわかる。
【0392】
図６２は、XY平面に配置された同じ材質であって形状が異なる導体と、他の導体（配線）との静電容量の違いを説明するための図である。
【0393】
図６２のAは、Y方向に長い直線状導体と、その直線状導体とZ方向に間隔を空けてY方向に直線状に形成されている配線５０１，５０２（信号線１３２や制御線１３３に相当する）を示している。ただし、配線５０１は、その全体が直線状導体の導体領域と重なり合うが、配線５０２は、その全体が直線状導体の間隙領域と重なり合い、導体領域と重なり合う面積を有していない。
【0394】
図６２のBは、網目状導体と、その網目状導体とZ方向に間隔を空けてY方向に直線状に形成されている配線５０１，５０２を示している。ただし、配線５０１は、その全体が網目状導体の導体領域と重なり合うが、配線５０２は、その略半分が網目状導体の導体領域と重なり合う。
【0395】
図６２のCは、面状導体と、その面状導体とZ方向に間隔を空けてY方向に直線状に形成されている配線５０１，５０２を示している。ただし、配線５０１，５０２は、その全体が面状導体の導の領域と重なり合う。
【0396】
図６２のA,B,Cにおける導体（直線状導体、網目状導体、または面状導体）と配線５０１の静電容量と、導体（直線状導体、網目状導体、または面状導体）と配線５０２の静電容量との差分を比較した場合、直線状導体が最も大きく、次に、網目状導体、面状導体の順となる。
【0397】
すなわち、直線状導体では、配線のXY座標の違いによる、直線状導体と配線との静電容量の差が大きく、容量性ノイズの発生も大きく異なることになる。よって、画像においては視認性が高い画素信号のノイズになる可能性が有る。
【0398】
これに対して、網目状導体や面状導体では、直線状導体に比較して、配線のXY座標の違いによる、導体と配線との静電容量の差が小さいので、容量性ノイズの発生をより小さくすることができる。よって、容量性ノイズに起因する画素信号のノイズを抑制することができる。
【0399】
＜放射性ノイズの低減＞
上述したように、導体層A及びBの各構成例のうち、第１の構成例以外の構成例では、網目状導体を用いている。網目状導体には、放射性ノイズを低減する効果が期待できる。ここで、放射性ノイズは、固体撮像装置１００の内部から外部への放射性ノイズ（不要輻射）と、固体撮像装置１００の外部から内部への放射性ノイズ（伝達されるノイズ）を含むものとする。
上述したように、導体層A及びBの各構成例のうち、第１の構成例以外の構成例では、網目状導体を用いている。網目状導体には、放射性ノイズを低減する効果が期待できる。ここで、放射性ノイズは、固体撮像装置１００の内部から外部への放射性ノイズ（不要輻射）と、固体撮像装置１００の外部から内部への放射性ノイズ（伝達されるノイズ）を含むものとする。
【0400】
固体撮像装置１００の外部から内部への放射性ノイズは、信号線１３２等における電圧ノイズや画素信号のノイズを発生させ得るので、導体層A及びBの少なくとも一方に網目状導体を用いた構成例を採用した場合、電圧ノイズや画素信号のノイズを抑制する効果を期待できる。
【0401】
網目状導体の導体周期は、網目状導体が低減できる放射性ノイズの周波数帯に影響するので、導体層A及びBのそれぞれに導体周期が異なる網目状導体を用いた場合、導体層A及びBに同じ導体周波数の網目状導体を用いた場合に比べて、より広い周波数帯の放射性ノイズを低減させることができる。
【0402】
なお、上述した効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
【0403】
＜９．応用例＞
本開示による技術は、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素は、その一部が省略されていてもよく、その一部または全部が変化していてもよく、その一部または全部が変更されていてもよく、その一部が他の構成要素で置き換えられていてもよく、その一部または全部に他の構成要素が追加されていてもよい。また、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素、その一部または全部が複数に分割されていてもよく、その一部または全部が複数に分離されていてもよく、分割または分離された複数の構成要素の少なくとも一部で機能や特徴を異ならせていてもよい。さらに、上記各実施の形態および、その変形例または応用例における各構成要素の少なくとも一部を組み合わせて、異なる実施の形態としてもよい。さらに、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素の少なくとも一部を移動させて、異なる実施の形態としてもよい。さらに、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素の少なくとも一部の組み合わせに結合要素や中継要素を加えて、異なる実施の形態としてもよい。さらに、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素の少なくとも一部の組み合わせに切り替え要素や切り替え機能を加えて、異なる実施の形態としてもよい。
本開示による技術は、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素は、その一部が省略されていてもよく、その一部または全部が変化していてもよく、その一部または全部が変更されていてもよく、その一部が他の構成要素で置き換えられていてもよく、その一部または全部に他の構成要素が追加されていてもよい。また、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素、その一部または全部が複数に分割されていてもよく、その一部または全部が複数に分離されていてもよく、分割または分離された複数の構成要素の少なくとも一部で機能や特徴を異ならせていてもよい。さらに、上記各実施の形態および、その変形例または応用例における各構成要素の少なくとも一部を組み合わせて、異なる実施の形態としてもよい。さらに、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素の少なくとも一部を移動させて、異なる実施の形態としてもよい。さらに、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素の少なくとも一部の組み合わせに結合要素や中継要素を加えて、異なる実施の形態としてもよい。さらに、上記各実施の形態、および、その変形例または応用例における各構成要素の少なくとも一部の組み合わせに切り替え要素や切り替え機能を加えて、異なる実施の形態としてもよい。
【0404】
本実施の形態である固体撮像装置１００においてAggressor導体ループと成り得る導体層A及びBをそれぞれ形成する導体は、Vdd配線またはVss配線とされていた。つまり、導体層A及びBには、少なくとも一部の領域で互いに逆方向に電流が流れており、ある時刻において、導体層Aには図中上から下方向に電流が流れるとき、導体層Bには図中下から上方向に電流が流れていた。なお、電流の大きさは互いに同一であることが望ましい。なお、導体層A及びBを形成する導体が第２の半導体基板内に構成される例を用いて説明したが、この限りではない。例えば、第１の半導体基板内に構成されていてもよく、一部または全部が第２の半導体基板以外に構成されていてもよい。
【0405】
導体層A及びBに流れる信号としては、時間方向に電流の方向が変化する差動信号であれば、VddやVss以外のどのような信号が流れるようにしてもよい。つまり、導体層A及びBは、時間ｔに応じて電流Ｉが変化する（微小時間ｄｔの微小電流変化がｄＩである）信号が流れていればよい。なお、導体層A及びBに基本的にはDC電流が流れていても、電流の立ち上がり、電流の時間遷移、電流の立ち下がり、などがある場合は、時間ｔに応じて電流Ｉが変化している。
【0406】
例えば、導体層Aに流れる電流の大きさと、導体層Bに流れる電流の大きさとが互いに同一でなくてもよい。逆に、導体層Aに流れる電流の大きさと、導体層Bに流れる電流の大きさとが互いに同一である（導体層A及びBに、時間に応じて変化する電流が略同一のタイミングで流れる）ようにしてもよい。一般的には、導体層A及びBに、時間に応じて変化する電流が略同一のタイミングで流れる場合の方が、導体層Aに流れる電流の大きさと、導体層Bに流れる電流の大きさとが互いに同一でない場合よりも、Victim導体ループに発生する誘導起電力の大きさをより抑制することができる。一方、導体層A及びBに流れる信号が差動信号でなくてもよい。例えば、両方ともVdd配線、両方ともVss配線、両方ともGND配線、同じ種類の信号線、異なる種類の信号線、などの何れであってもよい。また、導体層A及びBを形成する導体が、電源や信号源とは接続されない導体であってもよい。これらの場合には、誘導性ノイズを抑制できるという効果が低下するものの、それ以外の発明効果は得られる。
【0407】
また、導体層A及びBには、例えばクロック信号のような、所定の周波数の周波数信号が流れるようにしてもよい。また、導体層A及びBには、例えば、交流電源電流が流れるようにしてもよい。また、導体層A及びBには、例えば、同一の周波数信号が流れるようにしてもよい。また、導体層A及びBには、複数の周波数成分を含む信号が流れるようにしてもよい。一方、時間ｔに応じて電流Ｉが全く変化しないDC信号が流れていてもよい。この場合には、誘導性ノイズを抑制できるという効果は得られないが、それ以外の発明効果は得られる。一方、信号が流れないようにしてもよい。この場合には、誘導性ノイズ抑制、容量性ノイズ抑制、電圧降下(IR-Drop)低減、の効果は得られないが、それ以外の発明効果は得られる。
【0408】
＜固体撮像装置１００を成す第１の半導体基板１０１と第２の半導体基板１０２とのパッケージ積層例＞
図６３は、固体撮像装置１００を成す第１の半導体基板１０１と第２の半導体基板１０２との積層例を示す図である。
図６３は、固体撮像装置１００を成す第１の半導体基板１０１と第２の半導体基板１０２との積層例を示す図である。
【0409】
第１の半導体基板１０１と第２の半導体基板１０２は、パッケージとして、互いにどのように積層されていてもよい。
【0410】
例えば、図６３のAに示されるように、第１の半導体基板１０１と第２の半導体基板１０２をそれぞれ個別に封止材を用いて封止し、その結果得られるパッケージ６０１とパッケージ６０２とを積層してもよい。
【0411】
また、図６３のBまたはCに示されるように、第１の半導体基板１０１と第２の半導体基板１０２を積層した状態で封止材により封止し、パッケージ６０３を生成してもよい。この場合、ボンディングワイヤ６０４は、図６３のBに示されるように、第２の半導体基板１０２に接続してもよいし、図６３のCに示されるように、第１の半導体基板１０１に接続してもよい。
【0412】
また、パッケージとしては、どのような形態であってもよい。例えば、CSP（Chip Size Package）やWL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）であってもよく、パッケージでインターポーザ基板や再配線層が用いられていてもよい。また、パッケージがないどのような形態であってもよい。例えば、COB（Chip On Board）として半導体基板が実装されていてもよい。例えば、BGA（Ball Grid Array）、COB（Chip On Board）、COT（Chip On Tape）、CSP（Chip Size Package／Chip Scale Package）、DIMM（Dual In-line Memory Module）、DIP（Dual In-line Package）、FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array）、FLGA（Fine-pitch Land Grid Array）、FQFP（Fine-pitch Quad Flat Package）、HSIP（Single In-line Package with Heatsink）、LCC（Leadless Chip Carrier）、LFLGA（Low profile Fine pitch Land Grid Array）、LGA（Land Grid Array）、LQFP（Low-profile Quad Flat Package）、MC-FBGA（Multi-Chip Fine-pitch Ball Grid Array）、MCM（Multi-Chip Module）、MCP（Multi-Chip Package）、M-CSP（Molded Chip Size Package）、MFP（Mini Flat Package）、MQFP（Metric Quad Flat Package）、MQUAD（Metal Quad）、MSOP（Micro Small Outline Package）、PGA（Pin Grid Array）、PLCC（Plastic Leaded Chip Carrie）、PLCC（Plastic Leadless Chip Carrie）、QFI（Quad Flat I-leaded Package）、QFJ（Quad Flat J-leaded Package）、QFN（Quad Flat non-leaded Package）、QFP（Quad Flat Package）、QTCP（Quad Tape Carrier Package）、QUIP（Quad In-line Package）、SDIP（Shrink Dual In-line Package）、SIMM（Single In-line Memory Module）、SIP（Single In-line Package）、S-MCP（Stacked Multi Chip Package）、SNB（Small Outline Non-leaded Board）、SOI（Small Outline I-leaded Package）、SOJ（Small Outline J-leaded Package）、SON（Small Outline Non-leaded Package）、SOP（Small Outline Package）、SSIP（Shrink Single In-line Package）、SSOP（Shrink Small Outline Package）、SZIP（Shrink Zigzag In-line Package）、TAB（Tape-Automated Bonding）、TCP（Tape Carrier Package）、TQFP（Thin Quad Flat Package）、TSOP（Thin Small Outline Package）、TSSOP（Thin Shrink Small Outline Package）、UCSP（Ultra Chip Scale Package）、UTSOP（Ultra Thin Small Outline Package）、VSO（Very Short Pitch Small Outline Package）、VSOP（Very Small Outline Packag）、WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）、ZIP（Zigzag In-line Package）、μMCP（Micro Multi-Chip Package）、の何れの形態であってもよい。
【0413】
本技術は、例えば、CCD(Charge-Coupled Device)イメージセンサ、CCDセンサ、CMOSセンサ、MOSセンサ、IR(Infrared)センサ、UV(Ultraviolet)センサ、ToF(Time of Flight)センサ、測距センサのような何れのセンサや回路基板や装置や電子機器などにも適用できる。
【0414】
また、本技術は、トランジスタやダイオードやアンテナのような何かしらデバイスをアレイ配置したセンサや回路基板や装置や電子機器で好適であり、何かしらデバイスを略同一平面上にアレイ配置したセンサや回路基板や装置や電子機器で特に好適であるが、その限りではない。
【0415】
本技術は、例えば、メモリデバイスが関わる各種のメモリセンサ、メモリ用回路基板、メモリ装置、または、メモリを含む電子機器、CCDが関わる各種のCCDセンサ、CCD用回路基板、CCD装置、または、CCDを含む電子機器、CMOSが関わる各種のCMOSセンサ、CMOS用回路基板、CMOS装置、または、CMOSを含む電子機器、MOSが関わる各種のMOSセンサ、MOS用回路基板、MOS装置、または、MOSを含む電子機器、発光デバイスが関わる各種のディスプレイセンサ、ディスプレイ用回路基板、ディスプレイ装置、または、ディスプレイを含む電子機器、発光デバイスが関わる各種のレーザセンサ、レーザ用回路基板、レーザ装置、または、レーザを含む電子機器、アンテナデバイスが関わる各種のアンテナセンサ、アンテナ用回路基板、アンテナ装置、または、アンテナを含む電子機器、などにも適用できる。これらの中でも、ループ経路が可変のVictim導体ループを含むセンサ、回路基板、装置、または、電子機器、制御線若しくは信号線を含むセンサ、回路基板、装置、または、電子機器、水平制御線若しくは垂直信号線を含むセンサ、回路基板、装置、または、電子機器などで好適だが、その限りではない。
【0416】
なお、固体撮像装置１００を成す第１の半導体基板１０１と第２の半導体基板１０２とを積層せず、隣接して配置したり、同一平面に配置したりしてもよい。
【0417】
＜Victim導体ループとAggressor導体ループの構造的応用例＞
Victim導体ループのループ面を通過する磁束を発生させるAggressor導体ループは、Victim導体ループと重畳していてもよいし、重畳していなくてもよい。さらに、Aggressor導体ループは、Victim導体ループが形成される半導体基板に積層された複数の半導体基板に形成されるようにしてもよいし、Victim導体ループと同一の半導体基板に形成されるようにしてもよい。
Victim導体ループのループ面を通過する磁束を発生させるAggressor導体ループは、Victim導体ループと重畳していてもよいし、重畳していなくてもよい。さらに、Aggressor導体ループは、Victim導体ループが形成される半導体基板に積層された複数の半導体基板に形成されるようにしてもよいし、Victim導体ループと同一の半導体基板に形成されるようにしてもよい。
【0418】
さらに、Aggressor導体ループは、半導体基板ではなく、例えばプリント基板、フレキシブルプリント基板、インターポーザ基板、パッケージ基板、無機基板、または、有機基板など、様々な基板が考えられるが、導体を含むまたは導体を形成できる何かしらの基板であればよく、半導体基板が封止されたパッケージ等の半導体基板以外の回路に存在してもよい。一般的に、Victim導体ループに対するAggressor導体ループの距離は、Aggressor導体ループが半導体基板に形成された場合、Aggressor導体ループがパッケージに形成された場合、Aggressor導体ループがプリント基板に形成された場合の順に短くなる。Victim導体ループに生じ得る誘導性ノイズや容量性ノイズは、Victim導体ループに対するAggressor導体ループの距離が短いほど増大し易くなるので、本技術は、Victim導体ループに対するAggressor導体ループの距離が短いほど効果を奏することができる。さらに、基板のみに限定されず、ボンディングワイヤやリード線やアンテナ線や電力線やGND線や同軸線やダミー線や板金などのような、導線や導板に代表される導体自体に対しても、本技術を適用することができる。
【0419】
＜１０．撮像装置の構成例＞
上述した固体撮像装置１００は、例えば、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステム、撮像機能を有する携帯電話、撮像機能を備えた他の機器、又は、フラッシュメモリ等の高感度アナログ素子を有する半導体装置を備える電子機器に適用することができる。
上述した固体撮像装置１００は、例えば、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステム、撮像機能を有する携帯電話、撮像機能を備えた他の機器、又は、フラッシュメモリ等の高感度アナログ素子を有する半導体装置を備える電子機器に適用することができる。
【0420】
図６４は、電子機器の一例として、撮像装置７００の構成例を示すブロック図である。
【0421】
撮像装置７００は、固体撮像素子７０１、固体撮像素子７０１に入射光を導く光学系７０２、固体撮像素子７０１と及び光学系７０２間に設けられたシャッタ機構７０３と、固体撮像素子７０１を駆動する駆動回路７０４を有する。さらに、撮像装置７００は、固体撮像素子７０１の出力信号を処理する信号処理回路７０５を有する。
【0422】
固体撮像素子７０１は、上述した固体撮像装置１００に相当する。光学系７０２は、光学レンズ群等から成り、被写体からの像光（入射光）を固体撮像素子７０１に入射させる。これにより、固体撮像素子７０１内に、一定期間、信号電荷が蓄積される。シャッタ機構７０３は、入射光の固体撮像素子７０１への光照射期間及び遮光期間を制御する。
【0423】
駆動回路７０４は、固体撮像素子７０１及びシャッタ機構７０３に駆動信号を供給する。そして、駆動回路７０４は、供給した駆動信号により、固体撮像素子７０１の信号処理回路７０５への信号出力動作、及び、シャッタ機構７０３のシャッタ動作を制御する。すなわち、この例では、駆動回路７０４から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像素子７０１から信号処理回路７０５への信号転送動作を行う。
【0424】
信号処理回路７０５は、固体撮像素子７０１から転送された信号に対して、各種の信号処理を施す。そして、各種信号処理が施された信号（映像信号）は、メモリなどの記憶媒体（不図示）に記憶される、又は、モニタ（不図示）に出力される。
【0425】
上述の撮像装置７００等の電子機器によれば、固体撮像素子７０１において、周辺回路部における動作時のMOSトランジスタ、ダイオード等の能動素子からのホットキャリア発光等の光の受光素子へ漏れ込みによるノイズ発生を抑制することができる。従って、画質が向上した高品質の電子機器を提供することができる。
【0426】
＜１１．体内情報取得システムへの応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムに適用されてもよい。
【0427】
図６５は、本開示に係る技術が適用され得る、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【0428】
体内情報取得システム１０００１は、カプセル型内視鏡１０１００と、外部制御装置１０２００とから構成される。
【0429】
カプセル型内視鏡１０１００は、検査時に、患者によって飲み込まれる。カプセル型内視鏡１０１００は、撮像機能及び無線通信機能を有し、患者から自然排出されるまでの間、胃や腸等の臓器の内部を蠕動運動等によって移動しつつ、当該臓器の内部の画像（以下、体内画像ともいう）を所定の間隔で順次撮像し、その体内画像についての情報を体外の外部制御装置１０２００に順次無線送信する。
【0430】
外部制御装置１０２００は、体内情報取得システム１０００１の動作を統括的に制御する。また、外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００から送信されてくる体内画像についての情報を受信し、受信した体内画像についての情報に基づいて、表示装置（図示せず）に当該体内画像を表示するための画像データを生成する。
【0431】
体内情報取得システム１０００１では、このようにして、カプセル型内視鏡１０１００が飲み込まれてから排出されるまでの間、患者の体内の様子を撮像した体内画像を随時得ることができる。
【0432】
カプセル型内視鏡１０１００と外部制御装置１０２００の構成及び機能についてより詳細に説明する。
【0433】
カプセル型内視鏡１０１００は、カプセル型の筐体１０１０１を有し、その筐体１０１０１内には、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、給電部１０１１５、電源部１０１１６、及び制御部１０１１７が収納されている。
【0434】
光源部１０１１１は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、撮像部１０１１２の撮像視野に対して光を照射する。
【0435】
撮像部１０１１２は、撮像素子、及び当該撮像素子の前段に設けられる複数のレンズからなる光学系から構成される。観察対象である体組織に照射された光の反射光（以下、観察光という）は、当該光学系によって集光され、当該撮像素子に入射する。撮像部１０１１２では、撮像素子において、そこに入射した観察光が光電変換され、その観察光に対応する画像信号が生成される。撮像部１０１１２によって生成された画像信号は、画像処理部１０１１３に提供される。
【0436】
画像処理部１０１１３は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサによって構成され、撮像部１０１１２によって生成された画像信号に対して各種の信号処理を行う。画像処理部１０１１３は、信号処理を施した画像信号を、ＲＡＷデータとして無線通信部１０１１４に提供する。
【0437】
無線通信部１０１１４は、画像処理部１０１１３によって信号処理が施された画像信号に対して変調処理等の所定の処理を行い、その画像信号を、アンテナ１０１１４Ａを介して外部制御装置１０２００に送信する。また、無線通信部１０１１４は、外部制御装置１０２００から、カプセル型内視鏡１０１００の駆動制御に関する制御信号を、アンテナ１０１１４Ａを介して受信する。無線通信部１０１１４は、外部制御装置１０２００から受信した制御信号を制御部１０１１７に提供する。
【0438】
給電部１０１１５は、受電用のアンテナコイル、当該アンテナコイルに発生した電流から電力を再生する電力再生回路、及び昇圧回路等から構成される。給電部１０１１５では、いわゆる非接触充電の原理を用いて電力が生成される。
【0439】
電源部１０１１６は、二次電池によって構成され、給電部１０１１５によって生成された電力を蓄電する。図６５では、図面が煩雑になることを避けるために、電源部１０１１６からの電力の供給先を示す矢印等の図示を省略しているが、電源部１０１１６に蓄電された電力は、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、及び制御部１０１１７に供給され、これらの駆動に用いられ得る。
【0440】
制御部１０１１７は、ＣＰＵ等のプロセッサによって構成され、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、及び、給電部１０１１５の駆動を、外部制御装置１０２００から送信される制御信号に従って適宜制御する。
【0441】
外部制御装置１０２００は、ＣＰＵ，ＧＰＵ等のプロセッサ、又はプロセッサとメモリ等の記憶素子が混載されたマイクロコンピュータ若しくは制御基板等で構成される。外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００の制御部１０１１７に対して制御信号を、アンテナ１０２００Ａを介して送信することにより、カプセル型内視鏡１０１００の動作を制御する。カプセル型内視鏡１０１００では、例えば、外部制御装置１０２００からの制御信号により、光源部１０１１１における観察対象に対する光の照射条件が変更され得る。また、外部制御装置１０２００からの制御信号により、撮像条件（例えば、撮像部１０１１２におけるフレームレート、露出値等）が変更され得る。また、外部制御装置１０２００からの制御信号により、画像処理部１０１１３における処理の内容や、無線通信部１０１１４が画像信号を送信する条件（例えば、送信間隔、送信画像数等）が変更されてもよい。
【0442】
また、外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００から送信される画像信号に対して、各種の画像処理を施し、撮像された体内画像を表示装置に表示するための画像データを生成する。当該画像処理としては、例えば現像処理（デモザイク処理）、高画質化処理（帯域強調処理、超解像処理、ＮＲ（Ｎｏｉｓｅ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）処理及び／若しくは手ブレ補正処理等）、並びに／又は拡大処理（電子ズーム処理）等、各種の信号処理を行うことができる。外部制御装置１０２００は、表示装置の駆動を制御して、生成した画像データに基づいて撮像された体内画像を表示させる。あるいは、外部制御装置１０２００は、生成した画像データを記録装置（図示せず）に記録させたり、印刷装置（図示せず）に印刷出力させてもよい。
【0443】
以上、本開示に係る技術が適用され得る体内情報取得システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１０１１２に適用することができる。具体的には、撮像部１０１１２として、上述した固体撮像装置１００を適用することができる。撮像部１０１１２に本開示に係る技術を適用することにより、撮像部１０１１２に本開示に係る技術を適用することにより、ノイズの発生が抑制され、より鮮明な術部画像を得ることができるため、検査の精度が向上する。
【0444】
＜１２．内視鏡手術システムへの応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
【0445】
図６６は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【0446】
図６６では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギ処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
【0447】
内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
【0448】
鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
【0449】
カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ： Ｃａｍｅｒａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。
【0450】
ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
【0451】
表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
【0452】
光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
【0453】
入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
【0454】
処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギ処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
【0455】
なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
【0456】
また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
【0457】
また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
【0458】
【0459】
カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
【0460】
レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
【0461】
撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
【0462】
また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
【0463】
駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
【0464】
通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
【0465】
また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
【0466】
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ Ｗｈｉｔｅ Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
【0467】
カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
【0468】
通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
【0469】
また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
【0470】
画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
【0471】
制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
【0472】
また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギ処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
【0473】
カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
【0474】
ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
【0475】
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、カメラヘッド１１１０２の撮像部１１４０２に適用することができる。具体的には、撮像部１１４０２として、上述した固体撮像装置１００を適用することができる。撮像部１１４０２に本開示に係る技術を適用することにより、ノイズの発生が抑制され、より鮮明な術部画像を得ることができるため、術者が術部を確実に確認することが可能になる。
【0476】
なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
【0477】
＜１３．移動体への応用例＞
さらに、本開示に係る技術は、例えば、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
さらに、本開示に係る技術は、例えば、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
【0478】
図６８は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
【0479】
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図６８に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
【0480】
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
【0481】
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
【0482】
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
【0483】
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
【0484】
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
【0485】
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
【0486】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【0487】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
【0488】
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図６８の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【0489】
図６９は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
【0490】
図６９では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
【0491】
撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
【0492】
なお、図６９には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
【0493】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
【0494】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【0495】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
【0496】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
【0497】
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１に適用することができる。具体的には、撮像部１２０３１として、上述した固体撮像装置１００を適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、ノイズの発生が抑制され、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバによる運転を適切に支援することが可能になる。
【0498】
本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【0499】
本技術は、以下のような構成も取ることができる。
（１）
第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、
第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板と
を備え、
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される
半導体装置。
（２）
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が略９０度異なるように構成される
前記（１）に記載の半導体装置。
（３）
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、少なくとも一部の領域において遮光構造を成す
前記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、プラスの電源に接続される配線を含み、他方の導体は、マイナスの電源またはGNDに接続される配線を含む
前記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、面状導体を含む
前記（１）から（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、網目状導体を含む
前記（１）から（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（７）
前記第１の導体層を形成する導体は面状導体を含み、
前記第２の導体層を形成する導体は網目状導体を含み、
前記第１の導体層は、前記第２の導体層よりも前記第１の半導体基板に近い位置関係である
前記（６）に記載の半導体装置。
（８）
前記網目状導体の少なくとも一部の領域において、導体領域の導体幅と間隙領域の間隙幅とが、
導体幅≧間隙幅
の関係である
前記（６）に記載の半導体装置。
（９）
前記第１の導体層を形成する導体が第１の網目状導体を含み、
前記第２の導体層を形成する導体が第２の網目状導体を含み、
前記第１の網目状導体の導体周期と前記第２の網目状導体の導体周期とが略同一である
前記（６）または（８）に記載の半導体装置。
（１０）
前記第１の網目状導体の導体幅と前記第２の網目状導体の導体幅とが異なる
前記（９）に記載の半導体装置。
（１１）
前記網目状導体の、導体でない間隙領域の少なくとも一部に、他の導体が配置された
前記（６）から（１０）のいずれかに記載の半導体装置。
（１２）
前記第２の導体層は、前記間隙領域の少なくとも一部に、前記他の導体が配置された前記網目状導体を有し、
前記他の導体が、前記第１の導体層を形成する導体の少なくとも一部に接続された
前記（１１）に記載の半導体装置。
（１３）
前記網目状導体の第１の方向の抵抗値と、前記第１の方向に直交する第２の方向の抵抗値とが異なる
前記（６）から（１２）のいずれかに記載の半導体装置。
（１４）
前記第１の導体ループの実効的な形状が変化し得る
前記（１）から（１３）のいずれかに記載の半導体装置。
（１５）
前記第１の半導体基板は、光を受光する画素を有し、
前記第１の導体ループは、前記画素、前記画素が出力する画素信号が流れる信号線、及び、前記画素に対する制御信号が流れる制御線を含む導体ループである
前記（１）から（１４）のいずれかに記載の半導体装置。
（１６）
前記第１の方向の抵抗値よりも前記第２の方向の抵抗値が低い前記網目状導体に接続される電極である複数のパッドをさらに備え、
前記複数のパッドは、前記第１の方向に密に配置される
前記（１３）から（１５）のいずれかに記載の半導体装置。
（１７）
前記第１の方向の抵抗値よりも前記第２の方向の抵抗値が低い前記網目状導体に接続される電極である複数のパッドをさらに備え、
前記複数のパッドは、前記第２の方向に密に配置される
前記（１３）から（１５）のいずれかに記載の半導体装置。
（１８）
隣接して配置された少なくとも一部の前記パッドどうしの極性が異なる
前記（１６）または（１７）に記載の半導体装置。
（１９）
対向して配置された少なくとも一部の前記パッドどうしの極性が等しい
前記（１６）または（１７）に記載の半導体装置。
（２０）
第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、
第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板と
を備え、
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される
半導体装置
を備える電子機器。
（１）
第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、
第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板と
を備え、
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される
半導体装置。
（２）
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が略９０度異なるように構成される
前記（１）に記載の半導体装置。
（３）
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、少なくとも一部の領域において遮光構造を成す
前記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、プラスの電源に接続される配線を含み、他方の導体は、マイナスの電源またはGNDに接続される配線を含む
前記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、面状導体を含む
前記（１）から（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）
前記第１の導体層を形成する導体または前記第２の導体層を形成する導体の少なくとも一方の導体は、網目状導体を含む
前記（１）から（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（７）
前記第１の導体層を形成する導体は面状導体を含み、
前記第２の導体層を形成する導体は網目状導体を含み、
前記第１の導体層は、前記第２の導体層よりも前記第１の半導体基板に近い位置関係である
前記（６）に記載の半導体装置。
（８）
前記網目状導体の少なくとも一部の領域において、導体領域の導体幅と間隙領域の間隙幅とが、
導体幅≧間隙幅
の関係である
前記（６）に記載の半導体装置。
（９）
前記第１の導体層を形成する導体が第１の網目状導体を含み、
前記第２の導体層を形成する導体が第２の網目状導体を含み、
前記第１の網目状導体の導体周期と前記第２の網目状導体の導体周期とが略同一である
前記（６）または（８）に記載の半導体装置。
（１０）
前記第１の網目状導体の導体幅と前記第２の網目状導体の導体幅とが異なる
前記（９）に記載の半導体装置。
（１１）
前記網目状導体の、導体でない間隙領域の少なくとも一部に、他の導体が配置された
前記（６）から（１０）のいずれかに記載の半導体装置。
（１２）
前記第２の導体層は、前記間隙領域の少なくとも一部に、前記他の導体が配置された前記網目状導体を有し、
前記他の導体が、前記第１の導体層を形成する導体の少なくとも一部に接続された
前記（１１）に記載の半導体装置。
（１３）
前記網目状導体の第１の方向の抵抗値と、前記第１の方向に直交する第２の方向の抵抗値とが異なる
前記（６）から（１２）のいずれかに記載の半導体装置。
（１４）
前記第１の導体ループの実効的な形状が変化し得る
前記（１）から（１３）のいずれかに記載の半導体装置。
（１５）
前記第１の半導体基板は、光を受光する画素を有し、
前記第１の導体ループは、前記画素、前記画素が出力する画素信号が流れる信号線、及び、前記画素に対する制御信号が流れる制御線を含む導体ループである
前記（１）から（１４）のいずれかに記載の半導体装置。
（１６）
前記第１の方向の抵抗値よりも前記第２の方向の抵抗値が低い前記網目状導体に接続される電極である複数のパッドをさらに備え、
前記複数のパッドは、前記第１の方向に密に配置される
前記（１３）から（１５）のいずれかに記載の半導体装置。
（１７）
前記第１の方向の抵抗値よりも前記第２の方向の抵抗値が低い前記網目状導体に接続される電極である複数のパッドをさらに備え、
前記複数のパッドは、前記第２の方向に密に配置される
前記（１３）から（１５）のいずれかに記載の半導体装置。
（１８）
隣接して配置された少なくとも一部の前記パッドどうしの極性が異なる
前記（１６）または（１７）に記載の半導体装置。
（１９）
対向して配置された少なくとも一部の前記パッドどうしの極性が等しい
前記（１６）または（１７）に記載の半導体装置。
（２０）
第１の導体ループの少なくとも一部が形成される第１の半導体基板と、
第２の導体ループを形成する、導体を有する第１の導体層及び第２の導体層を含む第２の半導体基板と
を備え、
前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記第２の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、前記第１の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される
半導体装置
を備える電子機器。
【符号の説明】
【0500】
１０ ピクセル基板， １１ Victim導体ループ， ２０ ロジック基板， ２１ 電源配線， １００ 固体撮像装置， １０１ 第１の半導体基板， １０２ 第２の半導体基板， １１１ 画素・アナログ処理部， １１２ デジタル処理部， １２１ 画素アレイ， １２２ A/D変換部， １２３ 垂直走査部， １３１ 画素， １３２ 信号線， １３３ 制御線， １４１ フォトダイオード， １４２ 転送トランジスタ， １４３ リセットトランジスタ， １４４ 増幅トランジスタ， １４５ セレクトトランジスタ， １５１ 遮光構造， １５２ 半導体基体， １５３ 多層配線層， １５５ 光学部材， １６２ 半導体基体，１６３ 多層配線層， １６４ MOSトランジスタ， １６５ 配線層， １６７ 能動素子群， １９１ 緩衝領域， １９２ 層間距離， １９３ 緩衝領域幅， １９４ 遮光対象領域， ２０２乃至２０４ 回路ブロック， ２０５乃至２０８ 遮光対象領域， ２０９ 遮光非対象領域， ２１１，２１２ 直線状導体， ２１３，２１４ 面状導体， ２１６，２１７ 網目状導体， ２２１ 面状導体， ２２２ 網目状導体， ２３１，２３２ 網目状導体， ２４１，２４２ 網目状導体， ２５１，２５２ 網目状導体， ２６１ 面状導体， ２６２ 網目状導体， ２７１，２７２ 網目状導体， ２８１，２８２ 網目状導体， ２９１，２９２ 網目状導体， ３０１乃至３０６ 中継導体， ３１１，３１２ 網目状導体， ３２１，３２２ 網目状導体， ３３１，３３２ 網目状導体， ４００ 配線領域， ４０１，４０２ パッド， ５０１，５０２ 配線， ６０１乃至６０３ パッケージ， ６０４ ボンディングワイヤ， ７００ 撮像装置， ７０１ 固体撮像素子， ７０２ 光学系， ７０３ シャッタ機構， ７０４ 駆動回路， ７０５ 信号処理回路
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
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【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
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【図12】
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【図19】
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【図21】
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【図40】
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【図42】
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【図45】
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【図48】
【図49】
【図50】
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【図53】
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【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
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【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】