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特許7142904非線形光学素子、電磁波検出装置及び電磁波検出方法
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-16
(45)【発行日】2022-09-28
(54)【発明の名称】非線形光学素子、電磁波検出装置及び電磁波検出方法
(51)【国際特許分類】
   G02F 1/35 20060101AFI20220920BHJP
   G01N 21/3586 20140101ALI20220920BHJP
   G02F 1/361 20060101ALI20220920BHJP
【FI】
G02F1/35
G01N21/3586
G02F1/361
【請求項の数】 6
(21)【出願番号】P 2018161404
(22)【出願日】2018-08-30
(65)【公開番号】P2020034738
(43)【公開日】2020-03-05
【審査請求日】2021-08-04
(73)【特許権者】
【識別番号】301022471
【氏名又は名称】国立研究開発法人情報通信研究機構
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】山田 俊樹
(72)【発明者】
【氏名】梶 貴博
(72)【発明者】
【氏名】大友 明
【審査官】坂上 大貴
(56)【参考文献】
【文献】特開2001-255565(JP,A)
【文献】特開平10-320857(JP,A)
【文献】特開平02-156166(JP,A)
【文献】特開2003-043538(JP,A)
【文献】特表平05-502950(JP,A)
【文献】特開平06-301071(JP,A)
【文献】特開2003-083888(JP,A)
【文献】特開2011-103321(JP,A)
【文献】米国特許出願公開第2009/0303574(US,A1)
【文献】NAHATA, Ajay et al.,A wideband coherent terahertz spectroscopy system using optical rectification and electro-optic sampling,Applied Physics letters,American Institute of Physics,1996年,Vol.69 No.16,pp.2321-2323
【文献】Johannes Schmidt, et al.,All-THz pump-probe spectroscopy of the intersubband AC-Stark effect in a wide GaAs quantum well,Optics Express,米国,OSA,2020年08月12日,vol.28, no.17,pp.25358-25370
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G02F 1/00-1/125
1/21-7/00
G01N 21/00-21/01
21/17-21/61
JSTPlus(JDreamIII)
JST7580(JDreamIII)
JSTChina(JDreamIII)
OSA Publishing
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
非線形光学部材を備え、
前記非線形光学部材は、前記非線形光学部材に入射される電磁波に起因する前記非線形光学部材の一次のシュタルク効果により、前記非線形光学部材に入射されるプローブ光の透過率が変化し得るように構成されており、
前記電磁波は30GHz以上300THz以下の周波数を有し、かつ、前記プローブ光よりも長い波長を有する、非線形光学素子。
【請求項2】
前記非線形光学部材は、非線形光学色素を含む、請求項1に記載の非線形光学素子。
【請求項3】
前記非線形光学部材上に設けられたアンテナ電極をさらに備える、請求項1または請求項2に記載の非線形光学素子。
【請求項4】
前記プローブ光の波長における前記非線形光学部材の光学濃度は、0.2以上2.0以下である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の非線形光学素子。
【請求項5】
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の前記非線形光学素子と、
前記非線形光学素子を通過する前記プローブ光の強度を検出する光検出器とを備える、電磁波検出装置。
【請求項6】
電磁波とプローブ光とを非線形光学素子に含まれる非線形光学部材に入射させることを備え、前記電磁波は30GHz以上300THz以下の周波数を有し、かつ、前記プローブ光よりも長い波長を有し、さらに、
前記非線形光学部材を通過する前記プローブ光の強度を検出することを備え、
前記電磁波に起因する前記非線形光学部材の一次のシュタルク効果により、前記非線形光学部材における前記プローブ光の透過率が変化することによって、前記プローブ光の前記強度は変化する、電磁波検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、非線形光学素子、電磁波検出装置及び電磁波検出方法に関する。
【背景技術】
【0002】
非特許文献1は、電気光学サンプリング法を用いた電磁波検出装置及び電磁波検出方法を開示している。具体的には、非特許文献1に開示された電磁波検出装置は、テルル化亜鉛(ZnTe)のような電気光学結晶と、バビネソレイユ補償板と、電気光学結晶及びバビネソレイユ補償板を通過したプローブ光を直交する2つの直線偏光に分離するためのプリズムと、差動増幅型の検出器とを備えている。電磁波とプローブ光とを電気光学結晶に入射させる。電磁波は、電気光学結晶に屈折率変化を生じさせる。屈折率変化が生じた電気光学結晶は、電気光学結晶を透過するプローブ光の偏光状態を変化させる。プローブ光は、屈折率変化が生じた電気光学結晶を通過し、バビネソレイユ補償板で四分の一波長だけバイアスされて、プリズムを通過して、差動増幅型の検出器に入射される。プローブ光の偏光状態の変化に応じて、差動増幅型の検出器の出力は変化する。こうして、電磁波が検出される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0003】
【文献】A Nahata、外2名、「A wideband coherent terahertz spectroscopy system using optical rectification and electro-optic sampling」、Applied Physics Letters、1996年、第69巻、第16号、p.2321-2323
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、新規な原理に基づく電磁波の検出を可能にする非線形光学素子、電磁波検出装置及び電磁波検出方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の非線形光学素子は、非線形光学部材を備える。非線形光学部材は、非線形光学部材に入射される電磁波に起因する非線形光学部材のシュタルク効果により、非線形光学部材に入射されるプローブ光の透過率が変化し得るように構成されている。電磁波は30GHz以上300THz以下の周波数を有し、かつ、プローブ光よりも長い波長を有する。
【0006】
本発明の電磁波検出装置は、本発明の非線形光学素子と、非線形光学素子を通過するプローブ光の強度を検出する光検出器とを備える。
【0007】
本発明の電磁波検出方法は、電磁波とプローブ光とを非線形光学素子に含まれる非線形光学部材に入射させること(S1)を備える。電磁波は30GHz以上300THz以下の周波数を有し、かつ、プローブ光よりも長い波長を有している。本発明の電磁波検出方法は、非線形光学部材を通過するプローブ光の強度を検出すること(S2)を備える。電磁波に起因する非線形光学部材のシュタルク効果により、非線形光学部材におけるプローブ光の透過率が変化することによって、プローブ光の強度は変化する。
【発明の効果】
【0008】
本発明の非線形光学素子、電磁波検出装置及び電磁波検出方法によれば、新規な原理に基づく電磁波の検出を可能にする非線形光学素子、電磁波検出装置及び電磁波検出方法が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1】実施の形態の電磁波検出装置の模式図である。
図2】非線形光学部材のシュタルク効果を説明する図である。
図3】実施の形態の電磁波検出方法のフローチャートを示す図である。
図4】実施例の電磁波検出装置を示す概略図である。
図5】実施例の非線形光学部材の光学濃度スペクトルを示す図である。
図6】実施例の非線形光学部材の、テラヘルツ周波数帯域における吸収係数スペクトルを示す図である。
図7】実施例の非線形光学部材の、テラヘルツ周波数帯域における屈折率スペクトルを示す図である。
図8】実施例の電磁波検出装置によって得られた電磁波の実時間波形を示す図である。
図9】実施例の電磁波検出装置によって得られた電磁波のパワースペクトルを示す図である。
図10】第1変形例の非線形光学部材を示す概略図である。
図11】第2変形例の非線形光学部材を示す概略図である。
図12】第3変形例の非線形光学部材を示す概略図である。
図13】第1-3変形例の非線形光学部材の配置を示す概略図である。
図14】第1-3変形例の非線形光学部材の配置を示す概略図である。
図15】第1-3変形例の非線形光学部材の配置を示す概略図である。
図16】第4変形例の非線形光学部材を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。
【0011】
図1を参照して、実施の形態の非線形光学素子1及び電磁波検出装置10を説明する。電磁波検出装置10は、非線形光学素子1と、光検出器30とを主に備える。
【0012】
非線形光学素子1は、非線形光学部材2を含む。非線形光学素子1は、非線形光学部材2の主面2aが電磁波16及びプローブ光12cの進行方向に対して傾くように配置されてよい。図2に示されるように、非線形光学部材2は、非線形光学部材2に入射される電磁波16に起因する非線形光学部材2のシュタルク効果により、非線形光学部材2に入射されるプローブ光12cの透過率が変化し得るように構成されている。シュタルク効果は、一次のシュタルク効果であってもよい。一次のシュタルク効果は、非線形光学部材2の吸収スペクトルの周波数(波長)の変化量が、非線形光学部材2に入射する電磁波16の電場の大きさに比例する現象をいう。
【0013】
非線形光学部材2に電磁波16が照射されると、非線形光学部材2の吸収スペクトルが変化して、プローブ光12cの波長λpにおける非線形光学部材2の透過率(吸収率)が変化する。非線形光学部材2に入射される電磁波16に応じて、非線形光学部材2を通過するプローブ光12cの強度が変化する。光検出器30は、非線形光学部材2を通過するプローブ光12cの強度を検出する。光検出器30によって検出されるプローブ光12cの強度の変化から、電磁波16が検出され得る。本実施の形態の電磁波検出装置10では、電気光学サンプリング法を用いた従来の電磁波検出装置に必要な四分の一波長板及びウォラストンプリズムを省略することができる。本実施の形態の電磁波検出装置10は、電気光学サンプリング法を用いた従来の電磁波検出装置よりも、光学系を簡素化することができる。
【0014】
電磁波16は、プローブ光12cよりも長い波長を有している。電磁波16は、30GHz以上の周波数を有している。電磁波16は、0.1THz以上の周波数を有してもよい。電磁波16は、1THz以上の周波数を有してもよい。電磁波16は、300THz以下の周波数を有している。電磁波16は、30THz以下の電磁波16を有してもよい。電磁波16は、20THz以下の電磁波16を有してもよい。電磁波16は、10THz以下の電磁波16を有してもよい。電磁波16は、ミリ波、テラヘルツ波または中赤外光であってもよい。
【0015】
非線形光学部材2は、20μm以下の厚さdを有してもよく、10μm以下の厚さdを有してもよく、5μm以下の厚さdを有してもよく、2μm以下の厚さdを有してもよい。非線形光学素子1は、面型の光学素子であってもよい。
【0016】
電磁波16の周波数領域において、非線形光学部材2は、800cm-1以下の吸収係数を有してもよく、400cm-1以下の吸収係数を有してもよく、200cm-1以下の吸収係数を有してもよい。非線形光学部材2の厚さが小さく、電磁波16の周波数領域での非線形光学部材2による吸収損失が小さいため、本実施の形態の電磁波検出装置10は、シャープで微細な波形構造を含む電磁波16の実時間波形を得ることができる。本実施の形態の電磁波検出装置10は、電磁波16の周波数帯域を反映した広帯域な電磁波16の電場振幅スペクトル及びパワースペクトルをさらに得ることができる。例えば、電磁波16の電場振幅スペクトルは、電磁波16の実時間波形をフーリエ変換することによって、算出され得る。電磁波16のパワースペクトルは、例えば、電磁波16の電場振幅スペクトルの各周波数における電場振幅の絶対値を二乗することなどによって、電磁波16の電場振幅スペクトルから算出され得る。
【0017】
プローブ光12cの波長λpにおける非線形光学部材2の光学濃度は、0.2以上2.0以下であってもよい。そのため、電磁波16に応じた、非線形光学部材2を透過したプローブ光12cの強度の変化を大きくすることができる。プローブ光12cの波長λpは、非線形光学部材2の光学濃度スペクトルの傾きが大きい波長領域に設定されてもよい。そのため、非線形光学部材2中を透過するプローブ光12cの強度の変化を大きくすることができる。
【0018】
非線形光学部材2の屈折率分散は、0.5以下であってもよい。本明細書において、非線形光学部材2の屈折率分散は、電磁波16の周波数(波長)における非線形光学部材2の屈折率とプローブ光12cの周波数(波長)における非線形光学部材2の屈折率との差の絶対値を意味する。非線形光学部材2の厚さが小さく、電磁波16とプローブ光12cとの間の速度不整合の問題を回避することができるため、本実施の形態の電磁波検出装置10は、電磁波16の周波数帯域を反映した広帯域なパワースペクトルを得ることができる。
【0019】
非線形光学部材2を構成する材料は、シュタルク効果を示す非線形光学材料であれば特に限定されない。シュタルク効果を示す非線形光学材料の第一の例は、ベースポリマー(基本骨格となるポリマー)の側鎖に非線形光学色素が結合した側鎖型の非線形光学ポリマーである。シュタルク効果を示す非線形光学材料の第二の例は、ベースポリマー(基本骨格となるポリマー)の主鎖中に非線形光学色素が結合した主鎖型の非線形光学ポリマーである。シュタルク効果を示す非線形光学材料の第三の例は、ゲストホスト型の非線形光学ポリマーである。ゲストホスト型の非線形光学ポリマーでは、マトリックスポリマー中に、非線形光学色素が分散されている。シュタルク効果を示す非線形光学材料の第四の例は、クロスリンク型の非線形光学ポリマーである。クロスリンク型の非線形光学ポリマーでは、マトリックスポリマー間、ベースポリマー間、マトリックスポリマーと非線形光学色素との間、または、ベースポリマーと非線形光学色素との間が架橋されている。
【0020】
マトリックスポリマー及びベースポリマーの例は、(メタ)アクリレート系ポリマー(例えば、ポリメチルメタクリレート(PMMA))、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート(例えば、poly[Bisphenol A carbonate-co-4,4’-(3,3,5-trimethylcyclo-hexylidene)diphenol carbonate]等)、ポリジシクロペンタニルメタクリレート(poly DCPMA)、ポリアダマンチルメタクリレート(poly AdMA)、poly(DCPMA-co-MMA)、poly(AdMA-co-MMA)等)、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリエチレンテレフタラート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンサルファイド、ポリウレア、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素樹脂等である。
【0021】
非線形光学色素は、ドナー部位と、π共役系部位と、アクセプター部位とを含んでもよい。非線形光学色素の例は、式(I)で表される非線形光学色素、米国特許第6067186号明細書に記載された非線形光学色素、特表2004‐501159号公報に記載された非線形光学色素、国際公開2011/024774号に記載された非線形光学色素等である。
【0022】
【化1】
【0023】
非線形光学部材2におけるシュタルク効果を発現させるために、非線形光学色素は配向される。シュタルク効果を示す非線形光学材料の第一から第四の例では、非線形光学色素を含む非線形光学部材2にポーリング処理を施すことによって、非線形光学色素は配向される。
【0024】
シュタルク効果を示す非線形光学材料の第五の例は、非線形光学有機結晶である。非線形光学有機結晶の例は、DAST(4-N,N-ジメチルアミノ-4’-N’-メチル-スチルバゾリウムトシレート)、OH1(2-(3-(4-ヒイドロキシスチリル-5,5-ジメチルシクロヘックス-2-エンイリデン)マロノニトリル)等である。
【0025】
シュタルク効果を示す非線形光学材料の第六の例は、非線形光学無機材料である。非線形光学無機材料の例は、LiNbO3、KNbO3、KNb0.55Ta0.453、GaAs、Sn226、Ag3AsS3、AgGaS2、CdSe、CdTe、CdGa24、AgGaSe2、ZnGeP2,CdSe/ZnSコアシェル半導体ナノ結晶、CdTeナノ結晶、CdSeナノ結晶、CdTe/CdSコアシェルナノ結晶、CdSe/ZnSコアシェルナノ結晶等である。
【0026】
図3を参照して、本実施の形態の電磁波検出方法を説明する。本実施の形態の電磁波検出方法は、電磁波16とプローブ光12cとを非線形光学素子1に含まれる非線形光学部材2に入射させること(S1)を備える。図2に示されるように、非線形光学部材2に電磁波16が照射されると、非線形光学部材2の吸収スペクトルが変化する。プローブ光12cの波長λpにおける非線形光学部材2の透過率(吸収率)が変化する。非線形光学部材2に入射される電磁波16に応じて、非線形光学部材2を通過するプローブ光12cの強度が変化する。
【0027】
本実施の形態の電磁波検出方法は、非線形光学部材2を通過するプローブ光12cの強度を検出すること(S2)を備える。電磁波16に起因する非線形光学部材2のシュタルク効果により、非線形光学部材2におけるプローブ光12cの透過率が変化することによって、プローブ光12cの強度は変化する。光検出器30によって検出されるプローブ光12cの強度の変化から、電磁波16が検出され得る。
【0028】
図4を参照して、本実施の形態の一実施例である非線形光学素子1及び電磁波検出装置10を説明する。本実施例の電磁波検出装置10は、電磁波16の実時間波形を得ることができるように構成されている。電磁波検出装置10は、非線形光学素子1と、光検出器30と、光学可変遅延部20と、データ取得解析部40とを主に備える。
【0029】
レーザ光源11は、パルスレーザ光12を放射する。レーザ光源11は、例えば、フェムト秒レーザである。パルスレーザ光12は、800nmの中心波長と、110フェムト秒のパルス幅とを有する。第1ビームスプリッタ13は、パルスレーザ光12を、ポンプ光である第1のパルスレーザ光12aと第2のパルスレーザ光12bとに分ける。第1のパルスレーザ光12aは、波長変換部36を通って、1500nmの中心波長を有する第3のパルスレーザ光12eに変換される。第3のパルスレーザ光12eは、ポンプ光として、電磁波発生部15に入射される。電磁波発生部15は、電磁波16を放射する。本実施例では、電磁波16は、0.1THz以上10THz以下の周波数を有するテラヘルツ波である。電磁波16は、チョッパ35を通って、合波素子27に向かう。チョッパ35は、電磁波16を周期的に透過及び遮断する。電磁波発生部15は、DASTで構成されている。電磁波16のパルス幅は、プローブ光(第2のパルスレーザ光12b)のパルス幅よりも大きい。
【0030】
第2のパルスレーザ光12bは、光学可変遅延部20に入射される。光学可変遅延部20は、固定ミラー21,24と可動ミラー22,23とを含む。可動ミラー22,23は、固定ミラー21,24に対して移動し得る。第2のパルスレーザ光12bは、固定ミラー21、可動ミラー22、可動ミラー23及び固定ミラー24で反射される。可動ミラー22,23を移動させることによって、第2のパルスレーザ光12bの光路長が変化し得る。光学可変遅延部20から出射された第2のパルスレーザ光12bは、第2ビームスプリッタ26に入射する。第2ビームスプリッタ26は、第2のパルスレーザ光12bを、プローブ光12cと参照光12dとに分ける。電磁波16とプローブ光12cとは、合波素子27で合波されて、非線形光学素子1に向かう。合波素子27は、例えば、ぺリクルビームスプリッタである。
【0031】
非線形光学素子1は、非線形光学部材2を含む。電磁波16とプローブ光12cとは、非線形光学部材2に入射される。本実施例では、非線形光学部材2は、シュタルク効果を示す非線形光学ポリマーで構成されている。本実施例の非線形光学ポリマーは、具体的には、ベースポリマー(基本骨格となるポリマー)の側鎖に非線形光学色素が結合した側鎖型の非線形光学ポリマーである。ベースポリマーは、メチルメタクリレートとシクロアルカンメタクリレートとの共重合体である。非線形光学色素の一例は、式(I)で表される。式(I)で表される非線形光学色素は、アクセプター部位にトリシアノフラン誘導体を有し、π共役系部位にチエニルジビニレンを有し、ドナー部位にベンジルオキシ基を有するアミノベンゼンを有している。非線形光学ポリマーにポーリング処理を施して、非線形光学色素は配向されている。
【0032】
非線形光学部材2は、1μmの厚さdを有している。非線形光学部材2は、図5に示されるような光学濃度スペクトルを有している。プローブ光12cの波長λp(800nm)における非線形光学部材2の光学濃度は、1.1である。プローブ光12cの波長λpは、非線形光学部材2の光学濃度スペクトルの傾きが大きい波長領域に設定されている。
【0033】
非線形光学部材2は、図6に示されるような吸収係数スペクトルを有している。20.0THz以下の周波数帯域では、非線形光学部材2の吸収係数は、180cm-1以下である。10.0THz以下の周波数帯域では、非線形光学部材2の吸収係数は、90cm-1以下である。5.0THz以下の周波数帯域では、非線形光学部材2の吸収係数は、60cm-1以下である。0.1THz以上1.0THz以下の周波数帯域では、非線形光学部材2の吸収係数は非常に小さい。テルル化亜鉛(ZnTe)のような電気光学結晶と比べて、非線形光学部材2の吸収係数は相対的に小さい。非線形光学部材2の吸収係数スペクトルには、テルル化亜鉛(ZnTe)のような電気光学結晶に見られるような、フォノンに起因する大きな吸収ピークは見られない。
【0034】
非線形光学部材2は、図7に示されるような屈折率スペクトルを有している。0.2THz以上7.0THz以下の周波数帯域では、非線形光学部材2の屈折率はほとんど変わらず、1.55以上1.75以下である。テラヘルツ周波数帯域における非線形光学部材2の屈折率は、プローブ光12cの波長における非線形光学部材2の屈折率とほとんど変わらない。
【0035】
非線形光学部材2に電磁波16が照射されると、非線形光学部材2のシュタルク効果に起因して、非線形光学部材2の吸収スペクトルが変化する。プローブ光12cの波長λpにおける非線形光学部材2の透過率(吸収率)が変化する。非線形光学部材2に入射される電磁波16に応じて、非線形光学部材2を通過するプローブ光12cの強度が変化する。
【0036】
非線形光学部材2を通過したプローブ光12cは、光検出器30に入射される。本実施例では、光検出器30は、バランス光検出器である。光検出器30は、第1フォトダイオード31と、第2フォトダイオード32と、差分器33と、ロックインアンプ34とを含む。ロックインアンプ34は、チョッパ35に同期した信号を検出する。非線形光学部材2を通過したプローブ光12cは、第1フォトダイオード31に入射される。参照光12dは、非線形光学部材2を通過することなく、第2フォトダイオード32に入射される。差分器33は、第1のフォトダイオードからの第1の出力信号と第2のフォトダイオードからの第2の出力信号との間の差分信号を出力する。ロックインアンプ34を用いて、差分信号がロックイン検出される。第1の出力信号と第2の出力信号とに共通して含まれるノイズは、差分器33で相殺される。バランス光検出器は、プローブ光12cの強度変化を高感度で検出することを可能にする。
【0037】
データ取得解析部40は、例えば、コンピュータである。データ取得解析部40は、光検出器30から出力された差分信号に基づいて、電磁波16の実時間波形を取得するように構成されている。電磁波16のパルス幅は、プローブ光12c及び参照光12dのパルス幅よりも大きい。電磁波16とパルス状のプローブ光12cとが時間的に重なるタイミングで、プローブ光12cのパルス幅で電磁波16が切り出される。光学可変遅延部20を用いて、電磁波16とパルス状のプローブ光12cとが時間的に重なるタイミングを順次変化させる。電磁波16が、パルス状のプローブ光12cによって、様々なタイミングで切り出される。様々なタイミングで切り出された電磁波16の電場振幅に対応する信号をつなぎ合わせることによって、電磁波16の実時間波形を得ることができる。
【0038】
データ取得解析部40は、電磁波16の実時間波形から、電磁波16のパワースペクトル及び電場振幅スペクトルの少なくとも1つを得るように構成されている。具体的には、電磁波16の電場振幅スペクトルは、電磁波16の実時間波形をフーリエ変換することによって、算出され得る。電磁波16のパワースペクトルは、例えば、電磁波16の電場振幅スペクトルの各周波数における電場振幅の絶対値を二乗することなどによって、電磁波16の電場振幅スペクトルから算出され得る。
【0039】
図8に示される本実施例の電磁波検出装置10によって得られる電磁波16の実時間波形は、比較例の電磁波検出装置によって得られる電磁波16の実時間波形よりもシャープであり、かつ、より微細な波形構造を有している。本実施例の電磁波検出装置10は、1μmの厚さdを有する非線形光学部材2を含み、非線形光学部材2に生じるシュタルク効果を利用して電磁波16を検出している。比較例の電磁波検出装置は、100μmの厚さを有するテルル化亜鉛(ZnTe)から構成されている電気光学結晶を含み、電気光学サンプリング法を用いて電磁波16を検出している。さらに、本実施例の非線形光学部材2の厚さは、比較例の電気光学結晶の厚さの百分の一であるにもかかわらず、本実施例の電磁波検出装置10は、比較例の電磁波検出装置と、実質的に等しい信号強度が得られた。
【0040】
本実施例の電磁波検出装置10によって得られる電磁波16のパワースペクトルは、比較例の電磁波検出装置によって得られる電磁波16のパワースペクトルよりも、広い帯域を有しかつシャープである。図9に示されるように、本実施例の電磁波検出装置10によって、6THzまで広がる電磁波16のパワースペクトルが得られた。本実施例の電磁波検出装置10によって得られるパワースペクトルには、電磁波発生部15を構成するDASTの1.1THz、3.1THz及び5.1THzの吸収ピークに対応するディップが観測されている。また、本実施例では、電磁波16のパワースペクトルは空気中で測定されているため、空気に含まれる水の吸収ピークに対応する細かなディップも多数観測されている。特に、4.2THzの周波数におけるディップと4.5THzの周波数におけるディップとが、明確に観測されている。これに対し、比較例の電磁波検出装置によって、4THzまで広がる電磁波16のパワースペクトルが得られた。比較例の電磁波検出装置によって得られる電磁波16のパワースペクトルでは、3.0THz以上の周波数において、これらのディップはより不明確であった。
【0041】
本実施例の電磁波検出装置10が比較例の電磁波検出装置よりも有利な効果を奏する理由を、以下説明する。電磁波16の周波数領域において、本実施例の電磁波検出装置10に含まれる非線形光学部材2は、比較例の電磁波検出装置に含まれる電気光学結晶よりも3.1THz以上の周波数で低い吸収係数を有している。さらに、本実施例の非線形光学部材2は、電磁波16を検出するための原理としてシュタルク効果を利用しているため、本実施例の非線形光学部材2の厚さd(例えば、1.0μmの厚さd)を比較例の電気光学結晶の厚さよりも十分に薄くすることができる。電磁波16に含まれる全ての周波数帯域において非線形光学部材2の吸収による損失は無視できる。そのため、本実施例の電磁波検出装置10は、比較例の電磁波検出装置よりも、シャープで微細な波形構造を含む電磁波16の実時間波形を得ることができる。また、本実施例の電磁波検出装置10は、比較例の電磁波検出装置よりも、電磁波16の周波数帯域を反映した広帯域なパワースペクトルを得ることができる。
【0042】
本実施例の非線形光学部材2は、電磁波16を検出するための原理としてシュタルク効果を利用しているため、本実施例の非線形光学部材2の厚さdを比較例の電気光学結晶の厚さよりも十分に薄くすることができる。さらに、本実施例の非線形光学部材2は、比較例の電気光学結晶よりも、低い屈折率分散を有している。比較例の電磁波検出装置では、電気光学結晶が相対的に大きな厚さと相対的に大きな屈折率分散とを有するため、電磁波16とプローブ光12cとの間に大きな速度不整合が発生する。この大きな速度不整合は、比較例の電磁波検出装置によって得られる電磁波16のパワースペクトルの帯域を狭くする。これに対し、本実施例の電磁波検出装置10では、非線形光学部材2は、相対的に小さな厚さと相対的に小さな屈折率分散とを有するため、電磁波16とプローブ光12cとの間の速度不整合を無視することができる。そのため、実施例の電磁波検出装置10は、電磁波16の周波数帯域を反映したより広帯域を有する電磁波16のパワースペクトルを得ることができる。
【0043】
図10から図12を参照して、第1-3の変形例の非線形光学素子1を説明する。第1-3の変形例の非線形光学素子1は、非線形光学部材2上に設けられた一対のアンテナ電極3,3をさらに備える。一対のアンテナ電極3,3は、電磁波16及びプローブ光12cが入射する非線形光学部材2の主面2a上に配置されている。一対のアンテナ電極3,3は、互いに間隔Gを空けて配置されている。間隔Gは、例えば、10μmである。プローブ光12cは、一対のアンテナ電極3,3の間の非線形光学部材2の領域に入射する。電磁波16の少なくとも一部は、一対のアンテナ電極3,3と一対のアンテナ電極3,3の間の非線形光学部材2の領域とに入射する。一対のアンテナ電極3,3によって増強された電磁波16の振動電場と、非線形光学部材2のシュタルク効果とにより、電磁波16はより高い感度で検出され得る。
【0044】
一対のアンテナ電極3,3の形状は、特に限定されない。例えば、一対のアンテナ電極3,3は、図10に示されるようなダイポールアンテナ電極であってもよい。ダイポールアンテナ電極は、例えば、50μmの長さLと、10μmの幅Wとを有している。一対のアンテナ電極3,3は、図11に示されるようなボウタイアンテナ電極であってもよい。ボウタイアンテナ電極は、例えば、300μmの長さLと、500μmの幅Wとを有している。一対のアンテナ電極3,3は、図12に示されるようなパッチアンテナ電極であってもよい。パッチアンテナ電極は、例えば、500μmの長さLと、500μmの幅Wとを有している。また、複数のアンテナ電極3,3が、非線形光学部材2の主面2a上に、アレイ状あるいは2次元的に配列されていてもよい。
【0045】
図13及び図14に示されるように、非線形光学色素のようなシュタルク効果を示す非線形光学材料が非線形光学部材2の主面2aに垂直にポーリングされている場合には、非線形光学部材2は、主面2aがプローブ光12c及び電磁波16の進行方向に対して傾くように配置される。例えば、電磁波16がy方向に偏波している場合には、非線形光学部材2は、図13に示されるように配置される。例えば、電磁波16がx方向に偏波している場合には、非線形光学部材2は、図14に示されるように配置される。
【0046】
図15に示されるように、非線形光学色素のようなシュタルク効果を示す非線形光学材料が非線形光学部材2の主面2aに平行に(一対のアンテナ電極3,3が互いに離間する方向(y方向)に沿って)ポーリングされている場合には、非線形光学部材2は、主面2aがプローブ光12c及び電磁波16の進行方向に対して実質的に垂直になるように配置される。例えば、電磁波16がy方向に偏波している場合には、非線形光学部材2は、図15に示されるように配置される。
【0047】
図16を参照して、第4の変形例の非線形光学素子1を説明する。第4の変形例の非線形光学素子1は、非線形光学部材2上に設けられた一対のアンテナ電極3,3をさらに備える。一対のアンテナ電極3,3は、特に限定されないが、以下の形状を有している。一対のアンテナ電極3,3は、第1端3gと、第1端3gとは反対側の第2端3hとを有している。一対のアンテナ電極3,3の間隔は、一対のアンテナ電極3,3の第2端3hから第1端3gに向かうにつれて次第に減少している。第1端3gにおいて、一対のアンテナ電極3,3は、互いに間隔G1を空けて配置されている。一対のアンテナ電極3,3は、それぞれ、一対の突起部3p,3pを有している。一対の突起部3p,3pは、第1端3gと第2端3hとの間にある一対のアンテナ電極3,3の中央部に設けられている。一対の突起部3p,3pは、一対のアンテナ電極3,3から、一対のアンテナ電極3,3の内側に向かって突出している。一対の突起部3p,3pは、互いに間隔G2を空けて配置されている。一対のアンテナ電極3,3の間隔は、一対の突起部3p,3pにおいて、局所的に狭くなっている。
【0048】
電磁波16の少なくとも一部は、第1端3gの付近の非線形光学部材2の領域に入射する。当該領域は、一対のアンテナ電極3,3と、一対のアンテナ電極3,3の間の領域とを含む。電磁波16の振動電場は、一対の突起部3p,3pに伝搬して、一対の突起部3p,3pによって増強される。プローブ光12cは、一対の突起部3p,3pの間に入射する。一対の突起部3p,3pによって増強された電磁波16の振動電場と、非線形光学部材2のシュタルク効果とにより、電磁波16はより高い感度で検出され得る。
【0049】
第4の変形例では、非線形光学部材2の主面2aの平面視において、非線形光学部材2は、第1端3gに向かうにつれて先細の形状を有している。非線形光学素子1は、電磁波16を用いて測定される対象物に機械的に干渉することなく、当該対象物のより近くに配置され得る。第4の変形例の非線形光学素子1は、電磁波16を局所的或いは顕微的に検出するのに適しており、電磁波16を用いて当該対象物をより高い感度及びより高い精度で測定することを可能にする。
【0050】
一例として、非線形光学色素のようなシュタルク効果を示す非線形光学材料は、非線形光学部材2の主面2aに平行に(一対のアンテナ電極3,3が互いに離間する方向(y方向)に沿って)ポーリングされている。非線形光学部材2は、主面2aがプローブ光12cの進行方向(z方向)に対して実質的に垂直になるように配置される。間隔G1は、例えば、10μmである。間隔G2は、例えば、10μmである。アンテナ電極3,3は、例えば、100μmの長さLと、300μmの幅Wとを有している。
【0051】
本実施の形態の非線形光学素子1、電磁波検出装置10及び電磁波検出方法の効果を説明する。
【0052】
本実施の形態の非線形光学素子1は、非線形光学部材2を備える。非線形光学部材2は、非線形光学部材2に入射される電磁波16に起因する非線形光学部材2のシュタルク効果により、非線形光学部材2に入射されるプローブ光12cの透過率が変化し得るように構成されている。電磁波16は30GHz以上300THz以下の周波数を有し、かつ、プローブ光12cよりも長い波長を有する。そのため、新規な原理に基づく電磁波16の検出を可能にする非線形光学素子1が提供され得る。
【0053】
本実施の形態の電磁波検出装置10は、非線形光学素子1と、非線形光学素子1を通過するプローブ光12cの強度を検出する光検出器30とを備える。そのため、新規な原理に基づく電磁波16の検出を可能にする電磁波検出装置10が提供され得る。
【0054】
本実施の形態の電磁波検出方法は、電磁波16とプローブ光12cとを非線形光学素子1に含まれる非線形光学部材2に入射させること(S1)を備える。電磁波16は30GHz以上300THz以下の周波数を有し、かつ、プローブ光12cよりも長い波長を有している。本実施の形態の電磁波検出方法は、非線形光学部材2を通過するプローブ光12cの強度を検出すること(S2)を備える。電磁波16に起因する非線形光学部材2のシュタルク効果により、非線形光学部材2におけるプローブ光12cの透過率が変化することによって、プローブ光12cの強度は変化する。そのため、新規な原理に基づく電磁波16の検出を可能にする電磁波検出方法が提供され得る。
【0055】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【符号の説明】
【0056】
1 非線形光学素子、2 非線形光学部材、2a 主面、3 アンテナ電極、3g 第1端、3h 第2端、3p 突起部、10 電磁波検出装置、11 レーザ光源、12 パルスレーザ光、12a 第1のパルスレーザ光、12b 第2のパルスレーザ光、12c プローブ光、12d 参照光、12e 第3のパルスレーザ光、13 第1ビームスプリッタ、15 電磁波発生部、16 電磁波、20 光学可変遅延部、21,24 固定ミラー、22,23 可動ミラー、26 第2ビームスプリッタ、27 合波素子、30 光検出器、31 第1フォトダイオード、32 第2フォトダイオード、33 差分器、34 ロックインアンプ、35 チョッパ、36 波長変換部、40 データ取得解析部。
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12
図13
図14
図15
図16