(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-20
(45)【発行日】2022-09-29
(54)【発明の名称】調光素子
(51)【国際特許分類】
G02F 1/155 20060101AFI20220921BHJP
【ＦＩ】
G02F1/155
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2021515856
(86)(22)【出願日】2020-03-06
(86)【国際出願番号】 JP2020009811
(87)【国際公開番号】W WO2020217736
(87)【国際公開日】2020-10-29
【審査請求日】2021-08-24
(31)【優先権主張番号】P 2019086728
(32)【優先日】2019-04-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成３０年度、国立研究開発法人科学技術振興機構、研究成果展開事業「ミラー・透明・黒・カラーの状態可変技術による省エネ調光窓の開発」委託研究、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願
(73)【特許権者】
【識別番号】000005821
【氏名又は名称】パナソニックホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100104732
【弁理士】
【氏名又は名称】徳田 佳昭
(74)【代理人】
【識別番号】100164035
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 正人
(72)【発明者】
【氏名】小川 正太郎
【審査官】横井 亜矢子
(56)【参考文献】
【文献】特開昭６３－０９４２９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０１－２２７１２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０９６５８５０８（ＵＳ，Ｂ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｆ １／１５－１／１９
Ｇ０２Ｆ １／１３３，１／１３４３－１／１３４５
Ｇ０２Ｆ １／１３５－１／１３６８
Ｇ０９Ｇ ３／００－３／０８，３／１２
Ｇ０９Ｇ ３／１６，３／１９－３／２６
Ｇ０９Ｇ ３／３４，３／３８
Ｇ０９Ｆ ９／００，９／３０－９／４６
Ｊａｐｉｏ－ＧＰＧ／ＦＸ
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極と、
前記複数の第１電極と対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極と、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間に配置された、金属を含む電解液と、を備え、
前記電解液は、印加電圧に応じて前記複数の第１電極および前記複数の第２電極のいずれか一方に金属を析出可能であり、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、幅方向の端部において、幅方向の中央位置よりも高い抵抗値を有し、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、前記中央位置から前記端部に向かって少なくとも３段階の異なる抵抗値を有する、
調光素子。
【請求項2】
透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極と、
前記複数の第１電極と対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極と、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間に配置された、金属を含む電解液と、を備え、
前記電解液は、印加電圧に応じて前記複数の第１電極および前記複数の第２電極のいずれか一方に金属を析出可能であり、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、幅方向の端部において、幅方向の中央位置よりも高い抵抗値を有し、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、高抵抗電極部材と、前記幅方向の位置に応じて大きさが異なる複数の低抵抗電極部材とを含んで形成される、
調光素子。
【請求項3】
透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極と、
前記複数の第１電極と対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極と、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間に配置された、金属を含む電解液と、を備え、
前記電解液は、印加電圧に応じて前記複数の第１電極および前記複数の第２電極のいずれか一方に金属を析出可能であり、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、幅方向の端部において、幅方向の中央位置よりも高い抵抗値を有し、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、高抵抗電極部材と、前記幅方向の位置に応じて配置密度が異なる複数の低抵抗電極部材とを含んで形成される、
調光素子。
【請求項4】
透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極と、
前記複数の第１電極と対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極と、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間に配置された、金属を含む電解液と、を備え、
前記電解液は、印加電圧に応じて前記複数の第１電極および前記複数の第２電極のいずれか一方に金属を析出可能であり、
前記第１電極および前記第２電極のそれぞれは、前記幅方向の中央位置において最も低く、前記幅方向の端部において前記中央位置よりも高い抵抗値を有する、
調光素子。
【請求項5】
透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極と、
前記複数の第１電極と対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極と、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間に配置された、金属を含む電解液と、を備え、
前記電解液は、印加電圧に応じて前記複数の第１電極および前記複数の第２電極のいずれか一方に金属を析出可能であり、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、幅方向の端部において、幅方向の中央位置よりも高い抵抗値を有し、
前記複数の第１電極のうち少なくとも１つに隣接して、電圧印加時に前記金属が析出しない第１非表示電極を更に有し、
前記複数の第２電極のうち少なくとも１つに隣接して、電圧印加時に前記金属が析出しない第２非表示電極を更に有する、
調光素子。
【請求項6】
透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極と、
前記複数の第１電極と対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極と、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間に配置された、金属を含む電解液と、を備え、
前記電解液は、印加電圧に応じて前記複数の第１電極および前記複数の第２電極のいずれか一方に金属を析出可能であり、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、幅方向の端部において、幅方向の中央位置よりも高い抵抗値を有し、
前記第１電極および前記第２電極は、それぞれの長手方向に沿って複数の切り欠き部を有し、
前記複数の切り欠き部のそれぞれは、前記長手方向に直交する前記幅方向に向かって切り欠かれている、
調光素子。
【請求項7】
透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極と、
前記複数の第１電極と対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極と、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間に配置された、金属を含む電解液と、を備え、
前記電解液は、印加電圧に応じて前記複数の第１電極および前記複数の第２電極のいずれか一方に金属を析出可能であり、
前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、幅方向の端部において、幅方向の中央位置よりも高い抵抗値を有し、
複数の絶縁膜、を更に備え、
前記第２電極は、隣接する前記第２電極との間に所定の空隙を有して配置され、
前記複数の絶縁膜のそれぞれは、前記所定の空隙を跨ぐように配置される、
調光素子。
【請求項8】
前記複数の絶縁膜は、前記複数の第１電極において前記複数の第２電極と対向する面に設けられる、請求項７に記載の調光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、調光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、第１電気導電層および第２電気導電層の少なくとも一方は絶縁性材料から成るパターン層および抵抗性材料から成る層を有するパターン導電層を有し、第１電気導電層および第２電気導電層のそれぞれの対向端部に設けられたバスバーのそれぞれからの距離に応じて抵抗値を変化させたエレクトロクロミックデバイスが開示されている。このエレクトロクロミックデバイスは、それぞれのバスバーから最も遠い位置で抵抗値が最小となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特表２０１５－５２７６１４号公報
【発明の概要】
【0004】
本開示は、ＥＣ（エレクトロクロミック）素子を駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現する調光素子を提供することを目的とする。
【0005】
本開示の調光素子は、透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極と、前記複数の第１電極と対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極と、前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間に配置された、金属を含む電解液と、を備える。前記電解液は、印加電圧に応じて前記複数の第１電極および前記複数の第２電極のいずれか一方に金属を析出可能である。前記複数の第１電極のそれぞれは第１電極であり、前記複数の第２電極のそれぞれは第２電極であり、前記第１電極および前記第２電極のうち少なくとも一方は、幅方向の端部において、幅方向の中央位置よりも高い抵抗値を有する。
【0006】
本開示によれば、ＥＣ（エレクトロクロミック）素子を駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施の形態１に係るＥＣ素子の構造例を説明する図
【図2】実施の形態１に係る調光装置の構造例を説明する図
【図3】ＥＣ素子の断面線を示す図
【図4】実施の形態１に係るＥＣ素子の構造例を説明する図
【図7】理想の電極抵抗値曲線の一例を示す図
【図8】電位の時間変化グラフの一例を示す図
【図10】低抵抗電極部材の配置例を示す図
【図11】低抵抗電極部材および高抵抗電極部材を含む電極の製造手順例を説明する図
【図12】大きさが異なる低抵抗電極部材の配置例を示す図
【図13】画素領域内における低抵抗電極部材の配置パターン例を示す図
【図14】第１電極群および第２電極群の形状の一例を示す図
【図15】第１電極群および第２電極群の形状の一例を示す図
【図16】第１電極群および第２電極群の形状の一例を示す図
【図17】低抵抗電極部材の配置パターンに応じた電極抵抗値曲線の一例を示す図
【図18】低抵抗電極部材の配置パターンに応じた電極抵抗値曲線の一例を示す図
【図19】ＥＣ素子の表示ムラの一例を示す図
【図20】ＥＣ素子の第２構成例を示す図
【図21】ＥＣ素子の表示ムラの一例を示す図
【図22】ＥＣ素子の第３構成例を示す図
【図23】第３構成例におけるＥＣ素子の金属析出例を示す図
【図24】ＥＣ素子の第４構成例を示す図
【図25】ＥＣ素子の第４構成例を示す図
【図26】第４構成例におけるＥＣ素子の金属析出例を示す図
【発明を実施するための形態】
【0008】
（実施の形態１の内容に至る経緯）
従来、第１電気導電層および第２電気導電層の少なくとも一方は絶縁性材料から成るパターン層および抵抗性材料から成る層を有するパターン導電層を有し、第１電気導電層および第２電気導電層のそれぞれの対向端部に設けられたバスバーのそれぞれからの距離に応じて抵抗値を変化させたエレクトロクロミックデバイス（以下、ＥＣ素子と表記）が提供されている。このＥＣ素子は、それぞれのバスバーから最も遠い位置で抵抗値が最小となり、ＥＣ素子の外周に生じる表示ムラを低減することができた。しかし、このようなＥＣ素子をパッシブマトリクス駆動する場合には、一対の電極に対して複数のＥＣ表示画素（以下、表示画素と表記）を有するため、複数の表示画素のそれぞれのエッジ部に表示ムラが発生するおそれがあった。
従来、第１電気導電層および第２電気導電層の少なくとも一方は絶縁性材料から成るパターン層および抵抗性材料から成る層を有するパターン導電層を有し、第１電気導電層および第２電気導電層のそれぞれの対向端部に設けられたバスバーのそれぞれからの距離に応じて抵抗値を変化させたエレクトロクロミックデバイス（以下、ＥＣ素子と表記）が提供されている。このＥＣ素子は、それぞれのバスバーから最も遠い位置で抵抗値が最小となり、ＥＣ素子の外周に生じる表示ムラを低減することができた。しかし、このようなＥＣ素子をパッシブマトリクス駆動する場合には、一対の電極に対して複数のＥＣ表示画素（以下、表示画素と表記）を有するため、複数の表示画素のそれぞれのエッジ部に表示ムラが発生するおそれがあった。
【0009】
そこで、以下の実施の形態１においては、ＥＣ（エレクトロクロミック）素子をパッシブマトリクス駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現するＥＣ素子の例を説明する。
【0010】
以下、適宜図面を参照しながら、本開示に係る調光素子の一例としてＥＣ素子の構成および作用を具体的に開示した各実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になることを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、添付図面及び以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために提供されるものであって、これらにより請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
【0011】
（実施の形態１）
図１を参照して、実施の形態１に係るＥＣ（エレクトロクロミック）素子１００の構造について説明する。図１に示す矢印Ｋは、ユーザ（例えば、ＥＣ素子の利用者）の視線の向きを示す。また、図１に示す金属ＯＢ１は、析出した状態であり、第１電極群１１０の表面に金属薄膜を形成している。
図１を参照して、実施の形態１に係るＥＣ（エレクトロクロミック）素子１００の構造について説明する。図１に示す矢印Ｋは、ユーザ（例えば、ＥＣ素子の利用者）の視線の向きを示す。また、図１に示す金属ＯＢ１は、析出した状態であり、第１電極群１１０の表面に金属薄膜を形成している。
【0012】
図１に示すように、ＥＣ素子１００は、第１電極群１１０と、第１基板１１１と、第１電極接続部１１２と、第２電極群２１０と、第２基板２１１と、第２電極接続部２１２と、電解液ＥＬ１と、スペーサ３００と、を含んで構成され、ＥＣ素子駆動回路５００により駆動される。
【0013】
第１電極群１１０は、透光性を有する導電膜であり、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極である。なお、第１電極群１１０は、ＩＴＯに限らず、例えば酸化亜鉛または酸化スズ等を材料とする透明電極（導電膜）であってもよい。
【0014】
第１基板１１１は、ガラスまたは樹脂などの絶縁性を有する材料を用いて形成される。第１基板１１１は、例えば透光性を有する矩形状の板体であり、第１電極群１１０上に第２基板２１１と互いに対向して設けられる。
【0015】
第１電極接続部１１２は、第１電極群１１０とＥＣ素子駆動回路５００との間を接続する。第１電極接続部１１２は、電解液ＥＬ１と接触せず、かつスペーサ３００と複数の第１電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，…，１１０Ｎのそれぞれ（図２参照）との間の露出部に接続される。
【0016】
第２電極群２１０は、透光性を有する導電膜であり、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極である。なお、第２電極群２１０は、ＩＴＯに限らず、例えば酸化亜鉛または酸化スズ等を材料とする透明導電膜であってもよい。
【0017】
第２基板２１１は、ガラスまたは樹脂などの絶縁性を有する材料を用いて形成される。第２基板２１１は、例えば透光性を有する矩形状の板体であり、第２電極群２１０上に第１基板１１１と互いに対向して設けられる。
【0018】
第２電極接続部２１２は、第２電極群２１０とＥＣ素子駆動回路５００との間を接続する。第２電極接続部２１２は、電解液ＥＬ１と接触せず、かつスペーサ３００との間の外部に露出した複数の第２電極２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，…，２１０Ｎのそれぞれ（図２参照）との間の露出部に接続される。
【0019】
電解液ＥＬ１は、第１電極群１１０、第２電極群２１０およびスペーサ３００によって形成された空間内に備えられる。電解液ＥＬ１は、金属イオン状態にある金属ＯＢ１を含み、電気伝導性を有する溶液である。電解液ＥＬ１は、例えば銀を含む溶液である。電解液ＥＬ１に含まれる金属ＯＢ１は、第１電極群１１０および第２電極群２１０に印加された電圧によって生じる電界に応じて、第１電極群１１０または第２電極群２１０のいずれか一方に析出する。析出した金属ＯＢ１は、第１電極群１１０または第２電極群２１０のいずれかの一方の面の表面に金属薄膜を形成する。金属ＯＢ１が析出する電極は、後述するＥＣ素子駆動回路５００によって印加される電圧の極性に応じて変化する。図１において、金属ＯＢ１は、第１電極群１１０に析出して金属薄膜を形成している。
【0020】
なお、金属ＯＢ１は、上述した銀に限らない。金属ＯＢ１は、例えばアルミニウム、プラチナ、クロムあるいは金等の貴金属を含む他の金属であってよい。金属ＯＢ１は、光に対して高い反射率を有する金属である場合には析出時にミラー（反射状態）として機能し、反射しない金属である場合には遮光材（遮光状態）として機能する。
【0021】
また、上述した実施の形態１に係るＥＣ素子１００は、ユーザが図１に示す矢印Ｋから第１基板１１１を見ることを想定している。このため、第２電極群２１０および第２基板２１１は、不透明であってもよい。例えば、第２基板２１１は、シリコン基板などでもよい。また、同様に、第２電極群２１０は、銅などの金属電極でもよい。
【0022】
スペーサ３００は、例えば、熱硬化性樹脂などの樹脂材料を環状に塗布して、硬化させて形成される。スペーサ３００は、対向して配置される第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの周縁に沿って、環状に設けられる。なお、スペーサ３００は、第１電極群１１０の一方の端部が第１電極接続部１１２と、第２電極群２１０の一方の端部が第２電極接続部２１２とそれぞれ接続可能な露出部を除いて設けられる。
【0023】
ＥＣ素子駆動回路５００は、第１電極群１１０および第２電極群２１０に電圧を印加するための電源部である。ＥＣ素子駆動回路５００は、リード線を介して、第１電極接続部１１２および第２電極接続部２１２のそれぞれに接続され、第１電極群１１０および第２電極群２１０に電圧を印加する。ＥＣ素子駆動回路５００は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれに印加する電圧の極性に応じて金属ＯＢ１を析出させる電極を制御する。
【0024】
以下、ＥＣ素子１００の光学状態の動作方法について説明する。ＥＣ素子１００の光学状態として、透明状態、反射状態および遮光状態がある。
【0025】
まず、ＥＣ素子１００が、金属ＯＢ１の析出および溶解によって光学状態を透明状態から反射状態に切替える際の動作方法について説明する。なお、以下の説明においては、金属ＯＢ１が第１電極群１１０側に析出する動作を反射状態あるいは遮光状態とした動作方法について説明するが、金属ＯＢ１が析出する電極について限定するものではない。
【0026】
ＥＣ素子駆動回路５００は、第１電極群１１０が低電位となり第２電極群２１０が高電位となるようにＥＣ素子１００に電圧を印加する。このとき、ＥＣ素子駆動回路５００の印加電圧によって生じる電界の向きは、第２電極群２１０から第１電極群１１０に向かう方向となる。
【0027】
電解液ＥＬ１に含まれる金属ＯＢ１は、溶解した状態において、例えば銀イオンである。金属ＯＢ１は、ＥＣ素子１００に電圧が印加されると第１電極群１１０（低電位側の電極）の表面に析出して、金属薄膜（例えば、銀薄膜）を形成する。析出した金属ＯＢ１（例えば、銀薄膜）は、高い反射率を有しており、矢印Ｋ方向から見た場合にミラー（反射状態）として機能する。なお、金属ＯＢ１が光を反射しにくい金属である場合には、析出した金属ＯＢ１は、遮光材（遮光状態）として機能する。
【0028】
ＥＣ素子駆動回路５００は、後述するＥＣ素子駆動回路制御部４００から入力される制御信号によって制御される。ＥＣ素子駆動回路５００は、入力される制御信号に基づいてＥＣ素子１００の光学状態を透明状態から反射状態あるいは遮光状態に切替える。また、ＥＣ素子駆動回路５００は、反射状態あるいは遮光状態のまま動作を維持する場合には、電圧の印加を継続する。
【0029】
次に、ＥＣ素子１００が金属ＯＢ１の析出および溶解によって光学状態を反射状態から透明状態に切替える際の動作方法について説明する。
【0030】
ＥＣ素子駆動回路５００は、析出した金属ＯＢ１を再度溶解させるために電圧の印加を停止する。これにより、金属ＯＢ１はイオン状態に戻ることができる。
【0031】
ＥＣ素子１００をより短時間で透明状態に切替える場合、ＥＣ素子駆動回路５００は、逆の極性を有する電圧を印加する。具体的には、ＥＣ素子駆動回路５００は、第１電極群１１０を高電位、かつ第２電極群２１０を低電位とする電圧をＥＣ素子１００に印加する。これにより、ＥＣ素子駆動回路５００は、金属ＯＢ１が第２電極群２１０側に析出を開始し、第１電極群１１０側に析出した金属ＯＢ１をより短時間で溶解させることができる。
【0032】
ＥＣ素子駆動回路５００が逆の極性を有し、かつ同じ大きさ電圧を印加すると、金属ＯＢ１は、第２電極群２１０側に析出して金属薄膜を形成する。よって、ＥＣ素子１００の光学状態を透明状態にする場合には、ＥＣ素子駆動回路５００は、第２電極群２１０に金属ＯＢ１が析出を開始する電圧未満の印加電圧をＥＣ素子１００に印加して、再度第１電極群１１０に金属ＯＢ１が析出して金属薄膜を形成する時間を短くする。これにより、ＥＣ素子駆動回路５００は、第１電極群１１０における金属ＯＢ１の金属薄膜の形成速度を維持して、ＥＣ素子１００の光学状態を透明状態と反射状態（あるいは遮光状態）とに切替えることができる。
【0033】
次に、図２を参照して、実施の形態１に係る調光装置１０００の構造例について説明する。調光装置１０００は、ＥＣ素子１００と、ＥＣ素子駆動回路制御部４００と、ＥＣ素子駆動回路５００と、を含んで構成される。なお、図２に示すＥＣ素子１００は、複数の第１電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，…，１１０Ｎのそれぞれおよび複数の第２電極２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，…，２１０Ｎのそれぞれの配置の様子を分かりやすくするために、第１電極接続部１１２、第２電極接続部２１２、電解液ＥＬ１およびスペーサ３００を図示していない。
【0034】
ＥＣ素子１００は、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎからなる第１電極群１１０と、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎなる第２電極群２１０と、電解液ＥＬ１と、スペーサ３００と、によって構成される。ＥＣ素子１００は、印加電圧に応じて第１電極群１１０および第２電極群２１０の複数の交差部（以下、表示画素）のそれぞれに金属ＯＢ１が析出して、金属薄膜を形成する。
【0035】
複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれと複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれとは、直交して配置される。なお、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎと複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎとは、上述した直交配置に限らず、例えば１２０°の角度を成して配置されてもよい。言い換えると、複数の表示画素のそれぞれに析出する金属ＯＢ１の形状は、正方形状に限らず、例えばひし形などの四角形であってもよい。
【0036】
ＥＣ素子駆動回路制御部４００は、プロセッサ（不図示）とメモリ（不図示）とを備えて構成される。プロセッサは、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）またはＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）を用いて構成される。
【0037】
ＥＣ素子駆動回路制御部４００のプロセッサ（不図示）は、メモリと協働して、各種の処理および制御を行う。具体的には、プロセッサは、メモリに保持されたプログラムおよびデータを参照し、そのプログラムを実行することにより、ＥＣ素子駆動回路制御部４００の機能を実現する。例えば、プロセッサは、ＥＣ素子駆動回路５００によってＥＣ素子１００が備える第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれに印加する電圧を変更するタイミング、印加する電圧の極性および印加電圧の大きさなどを制御するための制御信号をＥＣ素子駆動回路５００に出力する。
【0038】
ＥＣ素子駆動回路制御部４００のメモリ（不図示）は、例えばＥＣ素子駆動回路制御部４００の処理時に用いられるワークメモリとしてのＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）と、ＥＣ素子駆動回路制御部４００の動作を規定したプログラムおよびデータを格納するＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）とを有する。ＲＡＭには、プロセッサにより生成あるいは取得されたデータもしくは情報が一時的に保存される。ＲＯＭには、ＥＣ素子駆動回路制御部４００の動作（例えば、実施の形態１に係るＥＣ素子駆動回路５００により実行されるＥＣ素子１００の駆動方法）を規定するプログラムが書き込まれている。
【0039】
ＥＣ素子駆動回路５００は、ＥＣ素子駆動回路制御部４００から出力された制御信号に基づいて、第１電極接続部１１２を介して複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれに電圧を印加し、第２電極接続部２１２を介して複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれに電圧を印加する。
【0040】
【0041】
Ａ－Ａ´断面線は、第１電極１１０ａの幅方向を切り口とした断面線である。Ａ－Ａ´断面線によって示されるＡ－Ａ´断面は、第１電極群１１０を構成する複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれの幅方向の断面図に等しい。Ｂ－Ｂ´断面線は、第１電極１１０ａの幅方向の中央位置において長手方向を切り口としたＥＣ素子１００の断面図である。Ｂ－Ｂ´断面線によって示されるＢ－Ｂ´断面は、第１電極群１１０を構成する複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれの幅方向の中央位置における長手方向の断面図に等しい。Ｃ－Ｃ´断面線は、第２電極２１０ａの幅方向を切り口とした断面線である。Ｃ－Ｃ´断面線によって示されるＣ－Ｃ´断面は、第２電極群２１０を構成する複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれの幅方向の断面図に等しい。
【0042】
なお、上述した幅方向とは、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎまたは複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎが並列配置される方向であり、矩形状に形成される複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれおよび複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれの短手方向である。
【0043】
また、図３に示すＸ方向は、ＥＣ素子１００の第１電極群１１０における長手方向または第２電極群２１０における幅方向を示す。また図３に示すＹ方向は，ＥＣ素子１００の第１電極群１１０における幅方向または第２電極群２１０における長手方向を示す。
【0044】
【0045】
図４は、実施の形態１に係るＥＣ素子１００の構造例を説明する図である。図５は、Ｂ－Ｂ´断面におけるＥＣ素子１００の構造例を説明する図である。図４に示すＺ方向は、第１電極群１１０と第２電極群２１０とが対向する方向を示す。なお、図４では、説明を分かりやすくするためにＥＣ素子１００の立体斜視図の一部を用いて説明する。
【0046】
第１電極群１１０を構成する複数の第１電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，…，１１０Ｎは、所定の空隙を有してＹ方向に並列に配置される。第１電極群１１０は、－Ｘ方向における端部に露出部を備える。第１電極群１１０は、露出部に第１電極接続部１１２が接続されて、ＥＣ素子駆動回路５００によって電圧を印加される。なお、図４および図５において、第１電極接続部１１２は省略されている。
【0047】
第１基板１１１は、第１電極群１１０において第２電極群２１０と対向する面と反対方向（以下、Ｚ方向）の面に、第１電極群１１０を覆うように一体に設けられる。
【0048】
第２電極群２１０を構成する複数の第２電極２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，…，２１０Ｎは、所定の空隙を有して第１電極群１１０と対向してＸ方向に並列に配置される。第２電極群２１０は、－Ｙ方向における端部に露出部を備える。第２電極群２１０は、露出部に第２電極接続部２１２が接続されて、ＥＣ素子駆動回路５００によって電圧を印加される。なお、図４および図５において、第２電極接続部２１２は省略されている。
【0049】
第２基板２１１は、第２電極群２１０において第１電極群１１０と対向する方向と反対方向（以下、－Ｚ方向）の面に、第２電極群２１０を覆うように一体に設けられる。
【0050】
スペーサ３００は、第１電極群１１０の一方の端部に備えられる露出部と第２電極群２１０の一方の端部に備えられる露出部とを除いて、第１電極群１１０および第２電極群２１０の周縁に沿って、環状に設けられる。なお、図４においてはスペーサ３００を省略している。
【0051】
電解液ＥＬ１は、第１電極群１１０、第２電極群２１０およびスペーサ３００によって形成された空間内に備えられる。
【0052】
図６は、Ｂ－Ｂ´断面におけるＥＣ素子１００の電界分布図ＥＭである。図６は、金属ＯＢ１が析出可能な電圧を印加した際のＢ－Ｂ´断面における第１基板１１１と第２基板２１１との間の電界強度を示す図である。なお、図６に示す複数の第２電極の数は３本であるが、これに限らないことは言うまでもない。
【0053】
【0054】
ポイントＲ１，Ｒ２のそれぞれは、第１電極群１１０の長手方向における両端部に集中した電界を示す。ポイントＲ３，Ｒ４は、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれのうち両端に設置され、かつ隣り合う電極が存在しない電極（例えば、第２電極２１０ａ，２１０Ｎ）の幅方向における両端部に集中した電界を示す。ポイントＲ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８のそれぞれは、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれが有する端部と空隙との間に集中した電界を示す。また、ポイントＲ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８のそれぞれの電界は、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれが隣接する第２電極との間の空隙が小さいため、ポイントＲ３，Ｒ４のそれぞれの電界と比較すると、電界が集中する範囲が小さい。
【0055】
上述したポイントＲ１～Ｒ８のそれぞれに示す電界強度が高い部分は、後述する図１９および図２１に示す表示画素Ｐａｃ，Ｐｃａ，Ｐｂｂのように第１電極群１１０および第２電極群２１０が交差する領域を超えて金属ＯＢ１が析出、あるいは領域内の一部に金属ＯＢ１が集中して析出することにより、表示ムラが発生する。また、ポイントＲ１～Ｒ８のそれぞれに示す電界強度が高い部分は、電界が集中しやすいため、金属ＯＢ１が析出するまでの時間が早い。また、これらのポイントＲ１～Ｒ８のそれぞれは、電界強度が強くより多くの金属ＯＢ１が析出するため、ＥＣ素子１００を透明状態に切替える際には多くの時間を要する。
【0056】
【0057】
＜第１構成例＞
実施の形態１に係るＥＣ素子１００の第１構成例について説明する。第１構成例において、ＥＣ素子１００を構成する複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれおよび複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれは、幅方向の位置に応じて電極抵抗値が異なるように形成される。第１構成例について、図７～図１８を参照して説明する。なお、以下で説明する第１構成例～第４構成例において、第１電極群１１０は、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれを示してよい。また同様に、第１構成例における第２電極群２１０は、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれを示してよい。
実施の形態１に係るＥＣ素子１００の第１構成例について説明する。第１構成例において、ＥＣ素子１００を構成する複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれおよび複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれは、幅方向の位置に応じて電極抵抗値が異なるように形成される。第１構成例について、図７～図１８を参照して説明する。なお、以下で説明する第１構成例～第４構成例において、第１電極群１１０は、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれを示してよい。また同様に、第１構成例における第２電極群２１０は、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれを示してよい。
【0058】
図７は理想の電極抵抗値曲線Ｇｒ１の一例を示す図である。電極抵抗値曲線Ｇｒ１は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれが幅方向に有する電極抵抗値を示す図である。図７に示す第１電極群１１０および第２電極群２１０は、それぞれＡ－Ａ´断面における第１電極群１１０の幅方向およびＣ－Ｃ´断面における第２電極群２１０の幅方向の位置に応じて電極抵抗値が異なる。また、図７に示す電極抵抗値曲線Ｇｒ１は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの理想電極抵抗値を示した図である。
【0059】
第１電極群１１０は、Ｚ方向の面に第１基板１１１を備える。第２電極群２１０は、－Ｚ方向の面に第２基板２１１を備える。第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、幅方向の位置によって異なる大きさの電極抵抗値を有する。中央Ｌａにおける電極抵抗値ＶＲａは、第１電極１１０ａの幅方向で最小値となる。中間Ｌｂにおける電極抵抗値ＶＲｂは、電極抵抗値ＶＲａより大きく、かつ電極抵抗値ＶＲｃよりも小さい。端部Ｌｃにおける電極抵抗値ＶＲｃは、第１電極１１０ａの幅方向で最大値（無限大）となる。なお、中央Ｌａにおける電極抵抗値ＶＲａは、例えば０．０１Ωである。
【0060】
図７に示す電極抵抗値曲線Ｇｒ１を有する第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、幅方向における中央Ｌａの電極抵抗値が小さく、かつ端部Ｌｃの電極抵抗値が無限大に大きいため、電界が端部（エッジ）に集中しにくくなる。また、電極抵抗値曲線Ｇｒ１に示す電極抵抗値は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向において、中央Ｌａから端部Ｌｃに向かって電極抵抗値が滑らかに変化する。これにより、ＥＣ素子１００は、中央Ｌａから端部Ｌｃに向かって電極抵抗値の差に基づく金属ＯＢ１の析出量の増減（表示ムラ）を低減することができる。
【0061】
図８は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向における電位の時間変化グラフＶｔ１を示す図である。図８に示す第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、図７に示す電極抵抗値曲線Ｇｒ１を有する。
【0062】
時間変化グラフＶｔ１は、電極抵抗値曲線Ｇｒ１を有する第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向の中央Ｌａ，中間Ｌｂおよび端部Ｌｃのそれぞれの電極抵抗値における電位の時間変化の様子を示す。析出開始電位Ｖ０は、金属ＯＢ１が析出を開始する電位である。印加電圧Ｖ１は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれに印加する電圧を示す。
【0063】
電極抵抗値曲線Ｇｒ１を有する第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向における電位の時間変化について説明する。中央Ｌａにおける電位は、印加電圧Ｖ１を印加してから時間ｔ１で析出開始電位Ｖ０に到達し、さらに時間ｔ２で印加電圧Ｖ１と同値の電位に達する。中間Ｌｂにおける電位は、印加電圧Ｖ１を印加してから時間ｔ３で析出開始電位Ｖ０に到達し、さらに時間ｔ５で印加電圧Ｖ１と同値の電位に達する。端部Ｌｃにおける電位は、印加電圧Ｖ１を印加してから時間ｔ４で析出開始電位Ｖ０に到達し、さらに時間ｔ６で印加電圧Ｖ１と同値の電位に達する。
【0064】
電極抵抗値曲線Ｇｒ１を有する第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、金属ＯＢ１が中央Ｌａから端部Ｌｃに向かって、所定の時間差で析出を開始する。また、電極抵抗値曲線Ｇｒ１を有する第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、中央Ｌａにおける電位と端部Ｌｃにおける電位とを比較すると、中央Ｌａよりも端部Ｌｃの方が同じ電位（印加電圧Ｖ１）に到達するまでより多くの時間を要する。これにより、電極抵抗値曲線Ｇｒ１を有する第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、金属ＯＢ１が析出を開始するまでの時間および金属ＯＢ１の析出量を制御し、表示ムラの発生を低減することができる。
【0065】
図９は、Ａ－Ａ´断面における低抵抗電極部材ＬＲの配置例を示す図である。図９に示す第１電極群１１０は、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれと高抵抗電極部材ＨＲとからなり、電極抵抗値曲線Ｇｒ１に近しい電極抵抗値を有する。なお、図９には第１電極群１１０のみを示しているが、第２電極群２１０も同様の構成であってよい。
【0066】
複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれは、透光性を有する電極部材であり、例えばＩＴＯを材料とする。複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれは、図７の電極抵抗値曲線Ｇｒ１に示す電極抵抗値を得るために、第１電極群１１０の幅方向において異なる配置密度で配置される。複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれは、第１電極群１１０の幅方向において中央位置において最も密度が大きくなるように配置され、端部において最も密度が小さくなるように配置される。
【0067】
高抵抗電極部材ＨＲは、透光性を有する電極部材であり、例えばＩＴＯにＳｉＯ２またはＳｎＯ２などをドープしたものを材料とする。高抵抗電極部材ＨＲは、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれを覆うように備えられて、矩形状の第１電極群１１０を形成する。
【0068】
以上により、図８に示す第１電極群１１０は、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの配置密度が小さい端部においては、高抵抗電極部材ＨＲが占める割合が大きくなり、電極抵抗値が大きくなる。一方、第１電極群１１０は、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの配置密度が大きい中央位置においては、高抵抗電極部材ＨＲが占める割合が小さくなり、電極抵抗値が小さくなる。これにより、第１電極群１１０は、図７に示す電極抵抗値曲線Ｇｒ１に近しい電極抵抗値を有することができる。したがって、ＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部（端部）の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現することができる。
【0069】
図１０は、低抵抗電極部材ＬＲの配置の一例を示す図である。図１０の（Ａ）は、第１電極群１１０における複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの配置の様子を示す。図１０の（Ｂ）は、第２電極群２１０における複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの配置の様子を示す。
【0070】
第１電極群１１０は、電極の幅方向に配置密度が異なる複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれを含んで形成される。第１電極群１１０は、画素領域Ｔ１において図１０の（Ｂ）に示す第２電極群２１０と交差する。
【0071】
第２電極群２１０は、電極の幅方向に配置密度が異なる複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれを含んで形成される。第２電極群２１０は、画素領域Ｔ２において図１０の（Ａ）に示す第１電極群１１０と交差する。なお、第２電極群２１０は、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれと高抵抗電極部材ＨＲとを含んで形成されてもよいし、異なる抵抗値を有する他の抵抗電極部材によって一体に形成されてもよい。
【0072】
図１１は、低抵抗電極部材ＬＲおよび高抵抗電極部材ＨＲを含む電極の製造手順例を説明する図である。図１１を参照して説明する第１電極群１１０は、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれと高抵抗電極部材ＨＲとを含んで形成され、電極抵抗値曲線Ｇｒ１で示される電極抵抗値を有する。なお、図９と同様に、図１１には第１電極群１１０のみを示しているが、第２電極群２１０についても同様の構成および製造方法であってよい。
【0073】
ステップＳｔ１に示す製造手順において、低抵抗電極部材ＬＲは、スパッタリングされて、基材Ｐｒ１上に積層される。基材Ｐｒ１は、例えばガラス材である。なお、実施の形態１に係る基材Ｐｒ１は、寸法安定性が高いガラスを一例として説明するが、これに限らず他の材料であってもよい。
【0074】
ステップＳｔ２に示す製造手順において、フォトレジストＰｒ２は、低抵抗電極部材ＬＲの表面（基材Ｐｒ１が備えられた面と反対の面）に塗布される。表面にフォトレジストＰｒ２を塗布された低抵抗電極部材ＬＲは、さらに上面にフォトマスクＰＭを備えて、図１１に示す矢印の方向から、紫外線などの光を照射される（レジスト現像）。
【0075】
上述したフォトレジストＰｒ２は、感光性耐食被膜である。フォトレジストＰｒ２は、低抵抗電極部材ＬＲの表面に塗布されて備えられる。フォトレジストＰｒ２は、光を照射された部分が硬化する。硬化したフォトレジストＰｒ２は、現像液（有機溶剤）に溶解せずに低抵抗電極部材ＬＲの表面に残る。なお、実施の形態１に係る第１電極群１１０の製造手順例では、ネガ型のフォトレジストＰｒ２を使用した製造手順例について説明しているが、ネガ型に限らずポジ型であってよい。
【0076】
また、フォトマスクＰＭは、フォトレジストＰｒ２が塗布された低抵抗電極部材ＬＲ上に配置される。フォトマスクＰＭは、透光性を有し、例えばガラスまたは石英などを用いて板状に形成される。また、フォトマスクＰＭは、所定のパターンを有するパターン原版である。フォトマスクＰＭは、光の照射により、フォトレジストＰｒ２にパターンを形成する。
【0077】
ステップＳｔ３に示す製造手順において、フォトレジストＰｒ２は、フォトマスクＰＭが有するパターンに応じて、光が照射された部分のみが硬化する。フォトレジストＰｒ２は、硬化していない部分のみが現像液（有機溶媒）によって溶解し、硬化した部分のみが低抵抗電極部材ＬＲ上に残る。
【0078】
ステップＳｔ４に示す製造手順において、低抵抗電極部材ＬＲは、フォトレジストＰｒ２が残った部分が除去されて、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれが残る。なお、残った複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれは、中央位置において密度が最も大きい。
【0079】
ステップＳｔ５に示す製造手順において、スパッタリングにより高抵抗電極部材ＨＲは複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれに積層される。これにより、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれは、低抵抗電極部材ＬＲよりも高い抵抗値を有する高抵抗電極部材ＨＲが積層することにより覆われ、矩形状（板状）を有する第１電極群１１０または第２電極群２１０を形成する。
【0080】
第１電極群１１０に含まれる複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの他の配置例について、図１２を参照して説明する。図１２は、大きさが異なる低抵抗電極部材ＬＲの配置例を示す図である。図１２に示す複数の低抵抗電極部材ＬＲは、第１電極群１１０の幅方向の中央位置で最も大きく形成され、端部で最も小さく形成される。
【0081】
図１２に示す、大きさが異なる複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれは、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの配置数を少なくできるため、図１１に示す製造手順で使用されるフォトマスクＰＭに形成されるパターンを簡略化することができる。
【0082】
第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれに含まれる複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの他の配置パターンの一例について、図１３を参照して説明する。図１３は、画素領域Ｔ３，Ｔ４内における低抵抗電極部材ＬＲの配置パターン例を示す図である。
【0083】
図１３に示す複数の低抵抗電極部材ＬＲは、画素領域Ｔ３，Ｔ４のそれぞれの領域に示す所定の配置パターンを有する。画素領域Ｔ３，Ｔ４内における低抵抗電極部材ＬＲの配置パターンは、長手方向に繰り返される。複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれは、画素領域Ｔ１の幅方向における中央位置の電極抵抗値が小さくなるように配置される。また、図１３に示す低抵抗電極部材ＬＲの配置パターンは、第１電極群１１０の長手方向におけるエッジ部に複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれを並べて配置する。したがって、複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれは、画素領域Ｔ３，Ｔ４のそれぞれの幅方向および長手方向におけるエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現することができる。
【0084】
【0085】
図１４に示す第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、第１基板１１１および第２基板２１１のそれぞれを備える面と反対の面が凸形状を有する。第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの電極抵抗値は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの厚みに応じて変化し、厚みが大きいほど電極抵抗値は小さくなる。第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれが有する厚みは、中央Ｌａの厚みが最も大きく、端部Ｌｃに向かって小さくなる。これにより、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向における電極抵抗値は、電極抵抗値曲線Ｇｒ２のようになる。したがって、第１構成例に係るＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部（端部）の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0086】
なお、図１４には第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれを示しているが、用途に応じて第１電極群１１０および第２電極群２１０のうちいずれか一方が凸形状を有して形成されてもよい。例えば、ＥＣ素子１００は、ユーザが利用する面（例えば、第１電極群１１０）にのみ、凸形状を有して形成してもよい。また、例えばＥＣ素子１００の光学状態を遮光状態にして使用する場合には、第２電極群２１０のみに凸形状を有して形成してもよい。
【0087】
【0088】
図１５に示す第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、幅方向において複数の異なる電極の厚みとなるように、複数の段部を形成する。第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向における電極抵抗値は、電極の厚みに応じて変化する。電極抵抗値は、電極の厚みが大きいほど小さくなる。
【0089】
電極抵抗値線Ｇｒ３は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれに形成された段部に応じて異なる大きさの電極抵抗値を有する。中央付近Ｌｄにおける電極抵抗値ＶＲｄは、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向において最小値となる。中間部Ｌｅにおける電極抵抗値ＶＲｅは、電極抵抗値ＶＲｄより大きく、かつ電極抵抗値ＶＲｆよりも小さい。端部Ｌｆにおける電極抵抗値ＶＲｆは、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向において最大値となる。これにより、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向における電極抵抗値は、電極抵抗値線Ｇｒ３のようになる。
【0090】
図１５に示す複数の段部が形成された第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、図１４に示した凸形状に形成する場合と比較して、製造がより容易である。複数の段部のそれぞれは、高抵抗電極部材ＨＲを段部の数に応じて積層することで形成可能である。また、図１５には３段の段部を形成した例を示しているが、段数は３段より多くてもよい。これにより、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの電極抵抗値は、幅方向に対してより滑らかに変化する。したがって、第１構成例におけるＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部（端部）の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0091】
さらに図１６は、他の形状で形成された第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの例を示す。
【0092】
図１６には、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの断面形状が、三角形形状となるように形成された例を示す。図１６に示す第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向の電極抵抗値は、中央Ｌｇから端部Ｌｈに向かって電極抵抗値線Ｇｒ４のように変化する。中央Ｌｇにおける電極抵抗値ＶＲｇは、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向において最小値となる。端部Ｌｈにおける電極抵抗値ＶＲｈは、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向において最大値となる。これにより、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの電極抵抗値は、幅方向に対して直線的に変化する。したがって、第１構成例におけるＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部（端部）の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0093】
図１７および図１８に示す電極抵抗値曲線Ｇｒ５，Ｇｒ６のそれぞれは、複数の低抵抗電極部材ＬＲおよび高抵抗電極部材ＨＲのそれぞれを含んで形成された第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向における電極抵抗値の変化を示す。
【0094】
図１７は、低抵抗電極部材ＬＲの配置パターンに応じた電極抵抗値曲線Ｇｒ５の一例を示す図である。図１７に示す電極抵抗値曲線Ｇｒ５は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれに含まれる複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの大きさ、配置密度および配置パターンに応じた幅方向における電極抵抗値の変化を示す。図１７に示す第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれは、幅方向の中央位置において複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの配置密度が大きく、端部において配置密度が小さい。よって、電極抵抗値曲線Ｇｒ５に示すように、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向における電極抵抗値は、中央位置の電極抵抗値よりも端部の電極抵抗値が相対的に大きい値となる。
【0095】
図１８は、低抵抗電極部材ＬＲの配置パターンに応じた電極抵抗値曲線Ｇｒ６の一例を示す図である。図１８に示す電極抵抗値曲線Ｇｒ６は、例えば図１２に示すような第１電極群１１０に含まれる複数の低抵抗電極部材ＬＲのそれぞれの大きさおよび配置パターンによって実現される。電極抵抗値曲線Ｇｒ６も電極抵抗値曲線Ｇｒ５と同様に、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの幅方向における電極抵抗値は、中央位置の電極抵抗値よりも端部の電極抵抗値が相対的に大きい値となる。
【0096】
＜第２構成例＞
実施の形態１に係る第２構成例におけるＥＣ素子１００について説明する。第２構成例において、ＥＣ素子１００は、図１９の（Ｂ）に示すような表示ムラＷ１，Ｗ２を低減させるための構造を有する。以下、第２構成例について、図１９および図２０を参照して説明する。
実施の形態１に係る第２構成例におけるＥＣ素子１００について説明する。第２構成例において、ＥＣ素子１００は、図１９の（Ｂ）に示すような表示ムラＷ１，Ｗ２を低減させるための構造を有する。以下、第２構成例について、図１９および図２０を参照して説明する。
【0097】
図１９は、ＥＣ素子１００の表示ムラＷ１，Ｗ２の一例を示す図である。図１９の（Ａ）は、ＥＣ素子１００を構成する複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれおよび複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれをパッシブマトリクス駆動する前の状態を示す。第１電極群１１０と第２電極群２１０とは、垂直方向に対向して配置される。図１９の（Ｂ）は、ＥＣ素子１００をパッシブマトリクス駆動した後に発生した表示ムラＷ１，Ｗ２のそれぞれの様子を示す。
【0098】
図１９の（Ｂ）に示すＥＣ素子１００は、パッシブマトリクス駆動して、表示画素Ｐｃａ，Ｐａｃのそれぞれに金属ＯＢ１が析出している。表示画素Ｐｃａと隣接する画素には、表示ムラＷ１が発生している。表示画素Ｐｃａは、画素のエッジ部に電界が局所的に集中しており、金属ＯＢ１が析出するために十分な電位となり、余分な金属ＯＢ１が析出して表示ムラＷ１が発生している。表示画素Ｐａｃでは、画素のエッジ部に表示ムラＷ２が発生している。表示画素Ｐａｃは、部分的に集中して析出した金属ＯＢ１が部分的に厚い金属膜を形成し、表示ムラＷ２が発生している。
【0099】
【0100】
図２０の（Ｂ）は、透光性を有し、かつ電圧印加時に金属ＯＢ１が析出しない複数の非表示電極群１５０，２５０を備えたＥＣ素子１００を示す。複数の非表示電極群１５０，２５０のそれぞれは、第１電極１１０ａおよび第２電極２１０ａよりも小さい幅を有する。複数の非表示電極群１５０，２５０のそれぞれの電極抵抗値は、実質的に無限大である。
【0101】
非表示電極群１５０のうち非表示電極１５０ａは、第１電極１１０ａと隣り合って、かつＥＣ素子１００の最外周（エッジ部）に配置される。また、非表示電極群２５０のうち非表示電極２５０ａは、第２電極２１０ａと隣り合って、かつＥＣ素子１００の最外周（エッジ部）に沿って配置される。また、非表示電極群１５０の非表示電極１５０ｂは、第１電極１１０ｃと第１電極１１０ｄ（不図示）との間に配置される。また、非表示電極群２５０の非表示電極２５０ｂは、第２電極２１０ｃと第２電極２１０ｄ（不図示）との間に配置される。なお、図２０の（Ｂ）では説明を簡単にするために、４枚の非表示電極１５０ａ，１５０ｂ，２５０ａ，２５０ｂを示し、他の非表示電極を省略している。
【0102】
非表示電極は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれに複数設けられてもよく、例えば所定の電極の数ごとに配置されてもよい。これにより、ＥＣ素子１００は、図１９の（Ｂ）に示す表示画素Ｐｃａ，Ｐａｃのエッジ部において電界集中を抑制し、表示ムラＷ１，Ｗ２を低減して高品位な表示を実現できる。
【0103】
【0104】
＜第３構成例＞
実施の形態１に係るＥＣ素子１００の第３構成例について説明する。第３構成例において、ＥＣ素子１００を構成する複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれおよび複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれは、図２１の（Ｂ）に示すような表示ムラＷ３，Ｗ４を低減させるための構造を有する。以下、第３構成例について、図２１～図２６のそれぞれを参照して説明する。
実施の形態１に係るＥＣ素子１００の第３構成例について説明する。第３構成例において、ＥＣ素子１００を構成する複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれおよび複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれは、図２１の（Ｂ）に示すような表示ムラＷ３，Ｗ４を低減させるための構造を有する。以下、第３構成例について、図２１～図２６のそれぞれを参照して説明する。
【0105】
図２１は、ＥＣ素子１００の表示ムラＷ３，Ｗ４の一例を示す図である。図２１の（Ａ）は、ＥＣ素子１００を構成する複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれおよび複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれをパッシブマトリクス駆動する前の状態を示す。第１電極群１１０と第２電極群２１０とは、垂直方向に対向して配置される。図２１の（Ｂ）は、ＥＣ素子１００をパッシブマトリクス駆動した後に発生した表示ムラＷ３，Ｗ４のそれぞれの様子を示す。
【0106】
図２１の（Ｂ）に示す、ＥＣ素子１００は、パッシブマトリクス駆動して、表示画素Ｐｂｂの表示領域外に金属ＯＢ１が析出している。表示画素Ｐｂｂでは、隣接する画素に表示ムラＷ３，Ｗ４が発生している。表示画素Ｐｂｂの４つのコーナ部には、電界が局所的に集中しており、隣接する画素に金属ＯＢ１が析出して表示ムラＷ３，Ｗ４が発生している。
【0107】
図２２は、図２１の（Ｂ）に示す表示ムラＷ３，Ｗ４を低減させるためのＥＣ素子１００の第３構成例を示す。図２２の（Ａ）は、長手方向に沿って複数の切り欠き部１６０ａ，…，１６０Ｍ（切り欠き部群１６０）を設けた第１電極群１１０を示す図である。図２２の（Ｂ）は、長手方向に沿って複数の切り欠き部２６０ａ，…，２６０Ｍ（切り欠き部群２６０）を設けた第２電極群２１０を示す図である。図２２の（Ｃ）は、第１電極群１１０と第２電極群２１０とを対向して配置した際に、切り欠き部群１６０，２６０が形成する空隙部Ｂｒを示す図である。なお、切り欠き部群１６０，２６０は、空隙部Ｂｒの形成時にラウンド形状になるように第１電極群１１０および第２電極群２１０にそれぞれ設けられる。
【0108】
図２３は、第３構成例におけるＥＣ素子１００の空隙部Ｂｒおよび表示画素Ｐｂｂにおける金属ＯＢ１の析出の様子を示す。
【0109】
図２３の（Ａ）は、第３構成例を適用したＥＣ素子１００が、パッシブマトリクス駆動する前の様子を示す。ＥＣ素子１００は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれが垂直方向（Ｚ方向）に対向して配置される。ＥＣ素子１００は、第１電極群１１０および第２電極群２１０にそれぞれ設けられた切り欠き部群１６０，２６０によって、複数の空隙部Ｂｒ１，Ｂｒ２，Ｂｒ３，Ｂｒ４，Ｂｒ５，Ｂｒ６が形成される。これにより、表示画素は、電位が集中しやすい四隅に対して、複数の空隙部Ｂｒ１，Ｂｒ２，Ｂｒ３，Ｂｒ４，Ｂｒ５，Ｂｒ６のそれぞれがラウンド形状に形成されて、電位を分散することができる。したがって、第３構成例におけるＥＣ素子１００は、隣接画素に対する金属ＯＢ１が析出（干渉）することを抑制することができる。
【0110】
図２３の（Ｂ）は、第３構成例におけるＥＣ素子１００が、パッシブマトリクス駆動した際の様子を示す。表示画素Ｐｂｂは、複数の空隙部Ｂｒ２，Ｂｒ３，Ｂｒ５，Ｂｒ６のそれぞれによって、隣接画素に対する金属ＯＢ１の析出（干渉）が抑制される。以上により、第３構成例におけるＥＣ素子１００は、駆動する際の電極のエッジ部（画素の四隅）の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0111】
＜第４構成例＞
実施の形態１に係るＥＣ素子１００の第４構成例について説明する。第４構成例において、ＥＣ素子１００は、図２１の（Ｂ）に示すような表示ムラＷ３，Ｗ４のそれぞれを低減させるための構造を有する。以下、第４構成例について、図２４～図２６のそれぞれを参照して説明する。なお、図２１の（Ｂ）に示す表示ムラＷ３，Ｗ４については、第３構成例で説明した内容と同一であるため、以下の説明において省略する。
実施の形態１に係るＥＣ素子１００の第４構成例について説明する。第４構成例において、ＥＣ素子１００は、図２１の（Ｂ）に示すような表示ムラＷ３，Ｗ４のそれぞれを低減させるための構造を有する。以下、第４構成例について、図２４～図２６のそれぞれを参照して説明する。なお、図２１の（Ｂ）に示す表示ムラＷ３，Ｗ４については、第３構成例で説明した内容と同一であるため、以下の説明において省略する。
【0112】
【0113】
図２４の（Ａ）は、第４構成例における第１電極群１１０をユーザ（図１参照，矢印Ｋ）から見た図である。図２４の（Ｂ）は、図２４の（Ａ）に示す第１電極群１１０を反対側（第２電極群２１０側）から見た図である。また、図２４の（Ｃ）は、第４構成例における第１電極群１１０のＢ－Ｂ´断面図である。第４構成例において、第１電極群１１０には、絶縁膜群１７０が配置される。
【0114】
【0115】
第１電極群１１０は、一方の面に第１基板１１１を備え、第２電極群２１０と対向するもう一方の面に絶縁膜群１７０を備える。絶縁膜群１７０は、複数の絶縁膜１７０ａ，１７０ｂ，…，１７０Ｌによって構成される。また、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれは、第２電極との間に所定の空隙を有して配置される。複数の絶縁膜１７０ａ，…１７０Ｌは、対向する複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎ同士の間に形成された複数の空隙をそれぞれ跨ぐように配置される。これにより、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれは、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎによって形成される空隙部分に対する電界の集中を抑制することができる。したがって、第４構成例のＥＣ素子１００は、表示画素Ｐｂｂに隣接する第１電極群１１０の長手方向の表示画素に対する複数の表示ムラＷ３，Ｗ４のそれぞれを低減することができる。
【0116】
また、絶縁膜群１７０を構成する絶縁膜の数は、第２電極群を構成する第２電極の数より１つ多いことが好ましい。このような場合、絶縁膜１７０ａは、第２電極２１０ａとスペーサ３００との間を跨ぐように配置される。また、絶縁膜１７０Ｌは、第２電極２１０Ｎとスペーサ３００との間を跨ぐように配置される。これにより、第４構成例のＥＣ素子１００は、電界が最も集中しやすい最外周に配置された第２電極とスペーサ３００とによって形成されたエッジ部の電界の集中を抑制することができる。
【0117】
【0118】
第１電極群１１０の第２電極群２１０と対向する面には、複数の絶縁膜１７０ａ，１７０ｂ，…，１７０Ｌが配置される。複数の絶縁膜１７０ａ，…，１７０Ｌは、対向する複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎ同士の間に形成される複数の空隙にそれぞれ対応して配置される。
【0119】
第４構成例における第１電極群１１０は、複数の絶縁膜１７０ａ，…，１７０Ｌが配置された場所を除く面に、印加電圧に応じた負の電荷を蓄積する。電解液ＥＬ１に含まれる金属ＯＢ１は、第１電極群１１０の面のうち、負の電荷が蓄積された部分にのみ析出を開始する。よって、金属ＯＢ１は、図２６の（Ｂ）に示すように第１電極群１１０の表面、かつ複数の絶縁膜１７０ａ，…，１７０Ｌのそれぞれが配置されていない場所に析出して金属薄膜を形成する。これにより、第１電極群１１０に対向して配置される複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれの幅方向のエッジ部に対応する第１電極群１１０における電界の集中を抑制することができる。
【0120】
なお、実施の形態１に係る第１電極群１１０を構成する第１電極の数と、第２電極群２１０を構成する第２電極の数は、同数でなくてもよい。
【0121】
また、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのそれぞれ、および複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれの電極の幅は、同一幅でなくてよい。
【0122】
また、実施の形態１に係るＥＣ素子１００は、パッシブマトリクス駆動することを想定して説明したが、パッシブマトリクス駆動するＥＣ素子１００に限定しない。例えば、ＥＣ素子１００は、第１電極１１０ａおよび第２電極２１０ａによって構成され、アクティブマトリクス駆動してよい。
【0123】
また、実施の形態１に係るＥＣ素子１００は、各構成例のみを単独で適用したＥＣ素子１００に限らず、複数の構成例を適用したＥＣ素子１００であってもよい。
【0124】
また、ＥＣ素子１００および調光装置１０００の用途に応じて、第１電極群１１０および第２電極群２１０のうちいずれか一方は、透光性を有さない電極であってもよいし、透明電極でなくてもよい。さらに、ＥＣ素子１００は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のうちいずれか一方にのみ、実施の形態１に係る各構成例を適用されてもよい。これにより、ＥＣ素子１００は、製造コストが低減され、ユーザの希望用途に応じたＥＣ素子１００を提供することができる。
【0125】
以上により、実施の形態１に係るＥＣ素子１００は、透光性を有し、並列に配置された複数の矩形状の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎと、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎと対向して並列に配置された複数の矩形状の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎと、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎと複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎとの間に配置された、金属ＯＢ１を含む電解液ＥＬ１と、を備える。電解液ＥＬ１は、印加電圧に応じて複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎおよび複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのいずれか一方に金属ＯＢ１を析出可能であり、第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎおよび第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのうち少なくとも一方は、幅方向の端部において、幅方向の中央位置よりも高い電極抵抗値を有する。
【0126】
これにより、ＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0127】
また、第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎおよび第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのうち少なくとも一方は、中央位置から端部に向かって少なくとも３段階の異なる抵抗値を有する。これにより、ＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0128】
また、第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎおよび第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのうち少なくとも一方は、高抵抗電極部材ＨＲと、幅方向の位置に応じて大きさが異なる複数の低抵抗電極部材ＬＲとを含んで形成される。これにより、ＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0129】
また、第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎおよび第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのうち少なくとも一方は、高抵抗電極部材ＨＲと、幅方向の位置に応じて配置密度が異なる複数の低抵抗電極部材ＬＲとを含んで形成される。これにより、ＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0130】
また、第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎおよび第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれは、幅方向の中央位置において最も低く、幅方向の端部において中央位置よりも相対的に高い抵抗値を有する。これにより、ＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0131】
また、ＥＣ素子１００は、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎのうち少なくとも１つに隣接して、電圧印加時に金属ＯＢ１が析出しない第１非表示電極の一例としての非表示電極群１５０を更に有し、複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのうち少なくとも１つに隣接して、電圧印加時に金属ＯＢ１が析出しない第２非表示電極の一例としての非表示電極群２５０を更に有する。これにより、ＥＣ素子１００は、第１電極群１１０および第２電極群２１０のそれぞれの最外周とスペーサ３００との間のエッジ部に、電界が集中することを抑制できる。したがって、ＥＣ素子１００は、駆動する際の電極の幅方向のエッジ部および電極の最外周に発生する表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0132】
また、第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎおよび第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎは、それぞれの長手方向に沿って、複数の切り欠き部１６０ａ，…，１６０Ｍおよび複数の切り欠き部２６０ａ，…，２６０Ｍをそれぞれ有する。複数の切り欠き部１６０ａ，…，１６０Ｍおよび複数の切り欠き部２６０ａ，…，２６０Ｍは、長手方向に直交する幅方向に向かって切り欠かれている。これにより、ＥＣ素子１００は、金属ＯＢ１が析出する複数の表示画素のそれぞれが有する複数の角部をラウンド形状に形成することができる。したがって、ＥＣ素子１００は、駆動する際の表示画素の角部に発生する表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0133】
また、ＥＣ素子１００は、複数の絶縁膜１７０ａ，…，１７０Ｌを更に備える。複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎのそれぞれは、隣接する第２電極との間で所定の空隙を有して配置される。複数の絶縁膜１７０ａ，…，１７０Ｌのそれぞれは、所定の空隙を跨ぐように配置される。これにより、ＥＣ素子１００はそれぞれ隣接する第２電極同士の空隙部分に対する電界の集中を抑制することができる。したがって、ＥＣ素子１００は、駆動する際の第２電極群２１０の空隙のエッジ部に発生する表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0134】
また、複数の絶縁膜１７０ａ，…，１７０Ｌは、複数の第１電極１１０ａ，…，１１０Ｎにおいて複数の第２電極２１０ａ，…，２１０Ｎと対向する面に設けられる。これにより、ＥＣ素子１００は、駆動する際の第２電極群２１０の空隙のエッジ部に発生する表示ムラを低減し、高品位な表示を実現できる。
【0135】
以上、添付図面を参照しながら各種の実施の形態について説明したが、本開示はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例、修正例、置換例、付加例、削除例、均等例に想到し得ることは明らかであり、それらについても本開示の技術的範囲に属すると了解される。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各種の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0136】
本開示は、調光素子の表示においてＥＣ（エレクトロクロミック）素子を駆動する際の電極の幅方向のエッジ部の電界を抑制して表示ムラを低減し、高品位な表示を実現する調光素子として有用である。
【符号の説明】
【0137】
１００ ＥＣ素子
１１０ 第１電極群
１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１１０Ｎ 第１電極
１１１ 第１基板
１５０ 非表示電極群
１５０ａ，１５０ｂ 非表示電極
１６０ 切り欠き部群
１６０ａ，１６０Ｍ 切り欠き部
１７０ 絶縁膜群
１７０ａ，１７０ｂ，１７０Ｌ 絶縁膜
２１０ 第２電極群
２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ，２１０Ｎ 第２電極
２１１ 第２基板
２５０ 非表示電極群
２５０ａ，２５０ｂ 非表示電極
２６０ 切り欠き部群
２６０ａ，２６０Ｍ 切り欠き部
３００ スペーサ
４００ ＥＣ素子駆動回路制御部
５００ ＥＣ素子駆動回路
１０００ 調光装置
Ｂｒ，Ｂｒ１，Ｂｒ２，Ｂｒ３，Ｂｒ４，Ｂｒ５，Ｂｒ６ 空隙部
ＥＬ１ 電解液
Ｇｒ１，Ｇｒ２，Ｇｒ５，Ｇｒ６ 電極抵抗値曲線
Ｇｒ３，Ｇｒ４ 電極抵抗値線
ＬＲ 低抵抗電極部材
ＨＲ 高抵抗電極部材
ＯＢ１ 金属
Ｌａ，Ｌｇ 中央
Ｌｂ 中間
Ｌｃ，Ｌｆ，Ｌｈ 端部
Ｌｄ 中央付近
Ｌｅ 中間部
ＶＲａ，ＶＲｂ，ＶＲｃ，ＶＲｄ，ＶＲｅ，ＶＲｆ，ＶＲｇ，ＶＲｈ 電極抵抗値
１１０ 第１電極群
１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１１０Ｎ 第１電極
１１１ 第１基板
１５０ 非表示電極群
１５０ａ，１５０ｂ 非表示電極
１６０ 切り欠き部群
１６０ａ，１６０Ｍ 切り欠き部
１７０ 絶縁膜群
１７０ａ，１７０ｂ，１７０Ｌ 絶縁膜
２１０ 第２電極群
２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ，２１０Ｎ 第２電極
２１１ 第２基板
２５０ 非表示電極群
２５０ａ，２５０ｂ 非表示電極
２６０ 切り欠き部群
２６０ａ，２６０Ｍ 切り欠き部
３００ スペーサ
４００ ＥＣ素子駆動回路制御部
５００ ＥＣ素子駆動回路
１０００ 調光装置
Ｂｒ，Ｂｒ１，Ｂｒ２，Ｂｒ３，Ｂｒ４，Ｂｒ５，Ｂｒ６ 空隙部
ＥＬ１ 電解液
Ｇｒ１，Ｇｒ２，Ｇｒ５，Ｇｒ６ 電極抵抗値曲線
Ｇｒ３，Ｇｒ４ 電極抵抗値線
ＬＲ 低抵抗電極部材
ＨＲ 高抵抗電極部材
ＯＢ１ 金属
Ｌａ，Ｌｇ 中央
Ｌｂ 中間
Ｌｃ，Ｌｆ，Ｌｈ 端部
Ｌｄ 中央付近
Ｌｅ 中間部
ＶＲａ，ＶＲｂ，ＶＲｃ，ＶＲｄ，ＶＲｅ，ＶＲｆ，ＶＲｇ，ＶＲｈ 電極抵抗値
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】