特許 7143954 伝送線路基板および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-09-20

(45)【発行日】2022-09-29

(54)【発明の名称】伝送線路基板および電子機器

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20220921BHJP

   H05K 1/14 20060101ALI20220921BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20220921BHJP

   H01P 3/08 20060101ALI20220921BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20220921BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 N

H05K1/14 C

H05K3/28 C

H01P3/08 200

H01L23/12 Q

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2021536858

(86)(22)【出願日】2020-07-02

(86)【国際出願番号】 JP2020025996

(87)【国際公開番号】W WO2021020019

(87)【国際公開日】2021-02-04

【審査請求日】2021-10-04

(31)【優先権主張番号】P 2019141239

(32)【優先日】2019-07-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大井 康丞

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 慎悟

(72)【発明者】

【氏名】小山 展正

(72)【発明者】

【氏名】加藤 元郎

(72)【発明者】

【氏名】三島 孝太郎

【審査官】小林 大介

(56)【参考文献】

【文献】登録実用新案第３１７３１４３（ＪＰ，Ｕ）

【文献】国際公開第２０１９／０９８０１２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１６／０８８５９２（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ １／１４

Ｈ０５Ｋ ３／２８

Ｈ０１Ｐ ３／０８

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
互いに対向する第１主面および第２主面を有する基材と、
前記第１主面側に形成される第１グランド導体と、
前記第２主面側に形成される第２グランド導体と、
前記基材に形成され、伝送方向に延伸する信号線と、
前記接続部の前記第１主面側に形成され、前記信号線に接続される入出力電極と、
を備え、
前記線路部における前記信号線は、前記基材の厚み方向において前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間に配置され、
前記線路部における前記第１グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第１導体非形成部が設けられ、
前記線路部における前記第２グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第２導体非形成部が設けられ、
前記第２導体非形成部の合計面積は、前記第１導体非形成部の合計面積よりも小さく、
前記信号線は、前記線路部において互いに並走する部分を有した、複数の信号線を有し、
前記第１導体非形成部の数は複数であり、
複数の前記第１導体非形成部のうち、隣接する２つの前記信号線にそれぞれ重なる第１導体非形成部同士は、前記伝送方向にずれて配置されている、伝送線路基板。

【請求項2】

線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
互いに対向する第１主面および第２主面を有する基材と、
前記第１主面側に形成される第１グランド導体と、
前記第２主面側に形成される第２グランド導体と、
前記基材に形成され、伝送方向に延伸する信号線と、
前記接続部の前記第１主面側に形成され、前記信号線に接続される入出力電極と、
を備え、
前記線路部における前記信号線は、前記基材の厚み方向において前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間に配置され、
前記線路部における前記第１グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第１導体非形成部が設けられ、
前記線路部における前記第２グランド導体は、導体のない導体非形成部が設けられておらず、
前記信号線は、前記線路部において互いに並走する部分を有した、複数の信号線を有し、
前記第１導体非形成部の数は複数であり、
複数の前記第１導体非形成部のうち、隣接する２つの前記信号線にそれぞれ重なる第１導体非形成部同士は、前記伝送方向にずれて配置されている、伝送線路基板。

【請求項3】

線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
互いに対向する第１主面および第２主面を有する基材と、
前記第１主面側に形成される第１グランド導体と、
前記第２主面側に形成される第２グランド導体と、
前記基材に形成され、伝送方向に延伸する信号線と、
前記接続部の前記第１主面側に形成され、前記信号線に接続される入出力電極と、
を備え、
前記線路部における前記信号線は、前記基材の厚み方向において前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間に配置され、
前記線路部における前記第１グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第１導体非形成部が設けられ、
前記線路部における前記第２グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第２導体非形成部が設けられ、
前記第２導体非形成部の合計面積は、前記第１導体非形成部の合計面積よりも小さく、
前記線路部の前記第１主面側に形成される補助電極を備え、
前記接続部の数は複数であり、
前記補助電極は、平面視で、２つの前記接続部の間に配置され、
前記補助電極は、前記伝送方向に対して斜め方向に延伸する平面形状である、伝送線路基板。

【請求項4】

線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
互いに対向する第１主面および第２主面を有する基材と、
前記第１主面側に形成される第１グランド導体と、
前記第２主面側に形成される第２グランド導体と、
前記基材に形成され、伝送方向に延伸する信号線と、
前記接続部の前記第１主面側に形成され、前記信号線に接続される入出力電極と、
を備え、
前記線路部における前記信号線は、前記基材の厚み方向において前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間に配置され、
前記線路部における前記第１グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第１導体非形成部が設けられ、
前記線路部における前記第２グランド導体は、導体のない導体非形成部が設けられておらず、
前記線路部の前記第１主面側に形成される補助電極を備え、
前記接続部の数は複数であり、
前記補助電極は、平面視で、２つの前記接続部の間に配置され、
前記補助電極は、前記伝送方向に対して斜め方向に延伸する平面形状である、伝送線路基板。

【請求項5】

前記第２主面に形成され、前記基材よりも比誘電率の高い第２保護層を備え、
前記第２保護層は、平面視で、前記第２導体非形成部を覆う位置に配置される、請求項１または３に記載の伝送線路基板。

【請求項6】

前記第１主面に形成され、前記基材よりも比誘電率の高い第１保護層を備え、
前記第１保護層は、平面視で、前記第１導体非形成部を覆う位置に配置される、請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路基板。

【請求項7】

前記信号線は、前記線路部において互いに並走する部分を有した、複数の信号線を有し、
前記第１導体非形成部の数は複数であり、
複数の前記第１導体非形成部のうち、隣接する２つの前記信号線にそれぞれ重なる第１導体非形成部同士は、前記伝送方向に直交する幅方向に隣接して配置されていない、請求項１または２に記載の伝送線路基板。

【請求項8】

前記補助電極の数は複数であり、
複数の前記補助電極は、前記伝送方向に沿って配置されている、請求項３または４に記載の伝送線路基板。

【請求項9】

請求項１から８のいずれかに記載の伝送線路基板と、
前記伝送線路基板が実装される回路基板と、を備える、電子機器。

【請求項10】

前記線路部の前記第１主面よりも前記第２主面に近接する能動素子を備える、請求項９に記載の電子機器。

【請求項11】

前記線路部の前記第１主面よりも前記第２主面に近接するアンテナを備える、請求項９に記載の電子機器。

【請求項12】

前記線路部の前記第１主面よりも前記第２主面に近接する、回路用の導体を備える、請求項９に記載の電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、信号線と、信号線を間に挟む２つのグランド導体とを有する伝送線路基板、およびそれを備えた電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基材と、基材に形成される複数の導体パターン（信号線、信号線を間に挟む第１グランド導体および第２グランド導体）と、を備えた伝送線路基板（フラットケーブル）が知られている。

【0003】

例えば、特許文献１には、実装面側に第１グランド導体が配置され、実装面とは反対側の天面側に第２グランド導体が配置された、伝送線路基板が開示されている。上記伝送線路基板では、天面側の第２グランド導体のみに、平面視で信号線に重なる位置に開口（導体非形成部）が設けられている。上記構成によれば、信号線と第２グランド導体との間隙を狭くしても所定の特性を有する回路を構成できるため、伝送線路基板（基材）を薄型化（低背化）できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】国際公開第２０１６／０８８５９２号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、上記構成の伝送線路基板を電子機器に組み込んだ場合（回路基板等に実装した場合）、天面側に位置する第２グランド導体に導体非形成部が設けられているため、伝送線路（信号線）が外部からのノイズの影響を受けやすくなってしまう。

【0006】

本発明の目的は、グランド導体に導体非形成部が設けられた構成でも、外部からのノイズの影響を抑制できる薄型の伝送線路基板、およびそれを備える電子機器を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の伝送線路基板は、
線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
互いに対向する第１主面および第２主面を有する基材と、
前記第１主面側に形成される第１グランド導体と、
前記第２主面側に形成される第２グランド導体と、
前記基材に形成され、伝送方向に延伸する信号線と、
前記接続部の前記第１主面側に形成され、前記信号線に接続される入出力電極と、
を備え、
前記線路部における前記信号線は、前記基材の厚み方向において前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間に配置され、
前記線路部における前記第１グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第１導体非形成部が設けられ、
前記線路部における前記第２グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第２導体非形成部が設けられ、
前記第２導体非形成部の合計面積は、前記第１導体非形成部の合計面積よりも小さいことを特徴とする。

【0008】

本発明の伝送線路基板は、
線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
互いに対向する第１主面および第２主面を有する基材と、
前記第１主面側に形成される第１グランド導体と、
前記第２主面側に形成される第２グランド導体と、
前記基材に形成され、伝送方向に延伸する信号線と、
前記接続部の前記第１主面側に形成され、前記信号線に接続される入出力電極と、
を備え、
前記線路部における前記信号線は、前記基材の厚み方向において前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間に配置され、
前記線路部における前記第１グランド導体は、平面視で前記信号線に重なる位置に、導体のない第１導体非形成部が設けられ、
前記線路部における前記第２グランド導体は、導体のない導体非形成部が設けられていないことを特徴とする。

【0009】

上記構成によれば、相対的に導体比率の低い第１グランド導体が実装面（第１主面）側に配置され、相対的に導体比率の高い第２グランド導体が天面（第２主面）側に配置されている。そのため、相対的に導体比率の低い第１グランド導体が天面側に位置する場合に比べて、伝送線路（信号線）への外部（特に、第２主面側）からのノイズの影響は抑制できる。また、この構成により、伝送線路からの高周波の不要輻射も抑制される。

【0010】

また、上記構成によれば、第１グランド導体のうち平面視で信号線に重なる位置に、第１導体非形成部が形成されている。そのため、所定の回路を伝送線路基板に構成する場合に、信号線の線幅を太くでき、上記回路の導体損を低減できる。また、所定の特性を有する回路を伝送線路基板に構成する場合に、信号線の線幅を細くしなくても基材層を薄くでき、伝送線路基板を薄型（低背化）できる。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、グランド導体に導体非形成部が設けられた構成でも、外部からのノイズの影響を抑制できる薄型の伝送線路基板、およびそれを備える電子機器を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１の外観斜視図である。

【図2】図２は、伝送線路基板１０１の分解平面図である。

【図3】図３は、図１におけるＡ－Ａ断面図である。

【図4】図４（Ａ）は図１におけるＢ－Ｂ断面図であり、図４（Ｂ）は図１におけるＣ－Ｃ断面図である。

【図5】図５は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。

【図6】図６は、第２の実施形態に係る伝送線路基板１０２の外観斜視図である。

【図7】図７は、伝送線路基板１０２の分解平面図である。

【図8】図８（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３の外観斜視図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）におけるＤ－Ｄ断面図である。

【図9】図９（Ａ）は第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４の外観斜視図であり、図９（Ｂ）は伝送線路基板１０４の平面図である。

【図10】図１０は、図９（Ａ）におけるＥ－Ｅ断面図である。

【図11】図１１（Ａ）は第５の実施形態に係る伝送線路基板１０５の外観斜視図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＦ－Ｆ断面図である。

【図12】図１２は、第６の実施形態に係る伝送線路基板１０６の線路部ＳＬを示した拡大平面図である。

【図13】図１３は、伝送線路基板１０６の線路部ＳＬの分解平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用・効果については実施形態毎には逐次言及しない。

【0014】

《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１の外観斜視図である。図２は、伝送線路基板１０１の分解平面図である。図３は、図１におけるＡ－Ａ断面図である。図４（Ａ）は図１におけるＢ－Ｂ断面図であり、図４（Ｂ）は図１におけるＣ－Ｃ断面図である。

【0015】

本実施形態に係る伝送線路基板１０１は、例えば、単一の回路基板上に実装される電子部品、または複数の回路基板同士を接続するケーブルである。

【0016】

伝送線路基板１０１は、接続部ＣＮ１，ＣＮ２および線路部ＳＬを有する。接続部ＣＮ１，ＣＮ２は、他の回路基板に接続される部分である。後に詳述するように、線路部ＳＬには、接続部ＣＮ１，ＣＮ２間を繋ぐ伝送線路（ストリップライン）が構成されている。伝送線路基板１０１では、接続部ＣＮ１、線路部ＳＬおよび接続部ＣＮ２が、＋Ｘ方向にこの順に配置されている。

【0017】

伝送線路基板１０１は、基材１０、入出力電極Ｐ１，Ｐ２、複数のグランド電極Ｐ３１，Ｐ３２、複数の補助電極Ｐ４０、導体パターン（信号線３１、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、複数の中間グランド導体４３）、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３、第１保護層１および第２保護層２等を備える。

【0018】

基材１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２は、ＸＹ平面に平行な面である。入出力電極Ｐ１および複数のグランド電極Ｐ３１は、接続部ＣＮ１の第１主面ＶＳ１側に形成されており、入出力電極Ｐ２および複数のグランド電極Ｐ３２は、接続部ＣＮ２の第１主面ＶＳ１側に形成されている。複数の補助電極Ｐ４０は、線路部ＳＬの第１主面ＶＳ１側に形成されている。第１グランド導体４１および第１保護層１は、第１主面ＶＳ１に形成されている。第２グランド導体４２および第２保護層２は、第２主面ＶＳ２に形成されている。信号線３１、複数の中間グランド導体４３、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および複数の層間接続導体ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３は、基材１０の内部に形成されている。

【0019】

基材１０は、複数の基材層１１，１２，１３がこの順に積層されて形成されている。複数の基材層１１～１３は、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の樹脂（熱可塑性樹脂）平板であり、それぞれ可撓性を有する。基材層１１～１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とするシートである。

【0020】

基材層１１の裏面には、入出力電極Ｐ１，Ｐ２および第１グランド導体４１が形成されている。入出力電極Ｐ１は、基材層１１の長手方向の第１端（図２における基材層１１の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。入出力電極Ｐ２は、基材層１１の長手方向の第２端（図２における基材層１１の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。第１グランド導体４１は、基材層１１の略全面に形成される導体パターンである。第１グランド導体４１は、３つの第１導体非形成部ＮＰ１を有する。第１導体非形成部ＮＰ１は、矩形の開口（導体のない部分）である。３つの第１導体非形成部ＮＰ１は、Ｘ軸方向に配列されている。入出力電極Ｐ１，Ｐ２および第１グランド導体４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、基材層１１には、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および複数の層間接続導体ＶＧ１１が形成されている。

【0021】

基材層１２の裏面には、信号線３１および複数の中間グランド導体４３が形成されている。信号線３１は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。複数の中間グランド導体４３は、基材層１２の長手方向の両端付近にそれぞれ配置される矩形の導体パターンである。具体的には、３つの中間グランド導体４３が、基材層１２の長手方向の第１端（図２における基材層１２の左端）付近に配置されている。また、３つの中間グランド導体４３が、基材層１２の長手方向の第２端（図２における基材層１２の右端）付近に配置されている。信号線３１および複数の中間グランド導体４３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、基材層１２には、複数の層間接続導体ＶＧ１２が形成されている。

【0022】

基材層１３の表面には、第２グランド導体４２が形成されている。第２グランド導体４２は、基材層１３の略全面に形成される導体パターンである。第２グランド導体４２は、２つの第２導体非形成部ＮＰ２を有する。第２導体非形成部ＮＰ２は、矩形の開口（導体のない部分）である。２つの第２導体非形成部ＮＰ２は、Ｘ軸方向に配列されている。第２グランド導体４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、基材層１３には、複数の層間接続導体ＶＧ１３が形成されている。

【0023】

第１保護層１は、基材層１１の裏面（基材１０の第１主面）に形成される保護膜である。第１保護層１は、平面形状が基材層１１と略同じである。第１保護層１は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、またはエポキシ樹脂膜等である。

【0024】

第１保護層１は、矩形の開口部ＡＰ１，ＡＰ２、および矩形の複数の開口部ＡＰ３１，ＡＰ３２，ＡＰ４０を有する。開口部ＡＰ１および複数の開口部ＡＰ３１は、第１保護層１の第１端（図２における第１保護層１の左端）付近に配置されている。開口部ＡＰ２および複数の開口部ＡＰ３２は、第１保護層１の第２端（図２における第１保護層１の右端）付近に配置されている。複数の開口部ＡＰ４０は、第１保護層１の長手方向の中央付近に配置され、Ｘ軸方向に配列されている。

【0025】

なお、開口部ＡＰ１は、入出力電極Ｐ１の位置に応じた位置に形成されており、開口部ＡＰ２は、入出力電極Ｐ２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、基材層１１の裏面に第１保護層１が形成された場合でも、開口部ＡＰ１から入出力電極Ｐ１が外部に露出し、開口部ＡＰ２から入出力電極Ｐ２が外部に露出する。また、複数の開口部ＡＰ３１，ＡＰ３２，ＡＰ４０は、第１グランド導体４１の位置に応じた位置に形成されている。そのため、基材層１１の裏面に第１保護層１が形成された場合でも、複数の開口部ＡＰ３１，ＡＰ３２，ＡＰ４０から第１グランド導体４１の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口部ＡＰ３１から露出する第１グランド導体４１の一部がグランド電極Ｐ３１であり、開口部ＡＰ３２から露出する第１グランド導体４１の一部がグランド電極Ｐ３２であり、開口部ＡＰ４０から露出する第１グランド導体４１の一部が補助電極Ｐ４０である。

【0026】

第２保護層２は、基材層１３の表面（基材１０の第２主面ＶＳ２）に形成される保護膜である。第２保護層２は、平面形状が基材層１３と略同じである。第２保護層２は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、またはエポキシ樹脂膜等である。

【0027】

入出力電極Ｐ１，Ｐ２は、信号線３１に電気的に接続されている。具体的には、図３等に示すように、信号線３１の一端が、層間接続導体Ｖ１を介して入出力電極Ｐ１に接続され、信号線３１の他端が、層間接続導体Ｖ２を介して入出力電極Ｐ２に接続される。また、第１グランド導体４１および第２グランド導体４２は、それぞれ中間グランド導体４３および層間接続導体ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３を介して、互いに電気的に接続されている。

【0028】

また、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、線路部ＳＬにおける信号線３１は、Ｚ軸方向において第１グランド導体４１と第２グランド導体４２との間に配置されている。伝送線路基板１０１の線路部ＳＬには、信号線３１と、第１グランド導体４１と、第２グランド導体４２と、を含んだ伝送線路（ストリップライン）が構成されている。なお、Ｚ軸方向における信号線３１と第１グランド導体４１との間隙Ｄ１は、Ｚ軸方向における信号線３１と第２グランド導体４２との間隙Ｄ２よりも小さい（Ｄ１＜Ｄ２）。

【0029】

さらに、図２および図４（Ａ）等に示すように、複数の第１導体非形成部ＮＰ１は、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、信号線３１に重なる位置に配置されている。また、図２および図４（Ｂ）等に示すように、複数の第２導体非形成部ＮＰ２は、Ｚ軸方向から視て、信号線３１に重なる位置に配置されている。第１導体非形成部ＮＰ１の幅（Ｙ軸方向の幅）および第２導体非形成部ＮＰ２の幅は、信号線３１の線幅（Ｙ軸方向の幅）よりも太い。そして、複数の第２導体非形成部ＮＰ２の合計面積は、複数の第１導体非形成部ＮＰ１の合計面積よりも大きい。

【0030】

なお、本実施形態の第１保護層１および第２保護層２は、基材１０（基材層１１～１３）よりも比誘電率が高い材料からなる。また、図４（Ａ）に示すように、第１保護層１は、Ｚ軸方向から視て、第１導体非形成部ＮＰ１を覆う位置に配置されている。さらに、図４（Ｂ）に示すように、第２保護層２は、Ｚ軸方向から視て、第２導体非形成部ＮＰ２を覆う位置に配置されている。

【0031】

伝送線路基板１０１は、例えば次のように用いられる。図５は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。

【0032】

電子機器３０１は、伝送線路基板１０１、回路基板２０１，２０２および能動素子５１，５２等を備える。電子機器３０１はこれ以外の素子も備えるが、図５では図示省略している。回路基板２０１，２０２は、例えばガラス／エポキシ基板である。能動素子５１，５２は、例えば半導体素子やＩＣ等である。

【0033】

図５に示すように、回路基板２０１，２０２は対向配置されている。具体的には、回路基板２０１の第１面ＰＳ１が、回路基板２０２の第２面ＰＳ２に対向している。回路基板２０１の第１面ＰＳ１には、基板側電極ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ３１，ＥＰ３２，ＥＰ４０および保護層３が設けられている。回路基板２０２の第２面ＰＳ２には、複数の基板側電極ＥＰ５，ＥＰ６が設けられている。なお、保護層３は、比誘電率が基材１０（または、回路基板２０１の基材）よりも高い。保護層３は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、またはエポキシ樹脂等である。

【0034】

伝送線路基板１０１は、第１主面ＶＳ１が回路基板２０１の第１面ＰＳ１に対向した状態で、回路基板２０１に面実装されている。具体的には、伝送線路基板１０１の入出力電極Ｐ１，Ｐ２が、はんだ等の導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側電極ＥＰ１，ＥＰ２にそれぞれ接合される。また、伝送線路基板１０１の他の電極（グランド電極Ｐ３１，Ｐ３２および補助電極Ｐ４０）は、導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側電極ＥＰ３１，ＥＰ３２，ＥＰ４０にそれぞれ接合される。

【0035】

回路基板２０２の第２面ＰＳ２には、能動素子５１，５２が実装されている。具体的には、能動素子５１の入出力端子が、回路基板２０２の基板側電極ＥＰ５に接合され、能動素子５２の入出力端子が、回路基板２０２の基板側電極ＥＰ６に接続される。なお、図５に示すように、能動素子５１，５２は、線路部ＳＬの第１主面ＶＳ１よりも第２主面ＶＳ２に近接して配置されている。

【0036】

本実施形態に係る伝送線路基板１０１、および電子機器３０１によれば、次のような効果を奏する。

【0037】

（ａ）本実施形態では、天面（第２主面ＶＳ２）側に位置する第２グランド導体４２の第２導体非形成部ＮＰ２の合計面積が、実装面（第１主面ＶＳ１）側に位置する第１グランド導体４１の第１導体非形成部ＮＰ１の合計面積よりも小さい。すなわち、本実施形態に係る伝送線路基板１０１では、相対的に導体比率の低い第１グランド導体４１が実装面側に配置され、相対的に導体比率の高い第２グランド導体４２が天面側に配置されている。この構成によれば、相対的に導体比率の低い第１グランド導体が天面側に位置する場合に比べて、伝送線路（信号線３１）への外部（特に、第２主面ＶＳ２側）からのノイズの影響は抑制できる。また、この構成により、伝送線路からの高周波の不要輻射も抑制される。

【0038】

（ｂ）また、上記構成によれば、相対的な導体非形成部の合計面積が大きいグランド導体が、天面側に配置される場合（第２主面ＶＳ２を実装面とし、第１主面ＶＳ１側を天面側とする場合）に比べて、外部からのノイズの影響を抑制した薄型の伝送線路基板１０１を備えた電子機器３０１を実現できる。

【0039】

（ｃ）本実施形態では、第１グランド導体４１のうちＺ軸方向から視て信号線３１に重なる位置に、複数の第１導体非形成部ＮＰ１が形成されている。また、本実施形態では、第２グランド導体４２のうちＺ軸方向から視て信号線３１に重なる位置に、複数の第２導体非形成部ＮＰ２が形成されている。この構成によれば、所定の回路を伝送線路基板に構成する場合に、信号線３１の線幅を太くでき、上記回路の導体損を低減できる。また、所定の特性を有する回路を伝送線路基板に構成する場合に、信号線３１の線幅を細くしなくても基材層を薄くでき、伝送線路基板を薄型（低背化）できる。

【0040】

（ｄ）本実施形態では、伝送線路基板１０１が回路基板２０１に面実装されるため、伝送線路基板１０１全体が回路基板２０１に固定されている。この構成によれば、コネクタ等を用いて伝送線路基板を回路基板に接続する場合と比べて、伝送線路基板１０１が備える導体パターンと、回路基板２０１の回路を構成する導体との距離は変動し難く、回路の特性変化を起こり難くできる。

【0041】

（ｅ）また、本実施形態では、基材１０よりも比誘電率の高い第１保護層１が第１主面ＶＳ１に形成されている。この構成によれば、第１導体非形成部ＮＰ１から第１主面ＶＳ１側（外部。回路基板２０１側）への不要輻射や、第１主面ＶＳ１側からの不要輻射を抑制できる。特に、本実施形態のように、第１保護層１を、Ｚ軸方向から視て第１導体非形成部ＮＰ１を覆う位置に配置することで、不要輻射の抑制効果が高まる。さらに、本実施形態では、回路基板２０１の第１面ＰＳ１に形成された保護層３の比誘電率が、基材１０（または、回路基板２０１の基材）よりも高いため、回路基板２０１からの不要輻射（または回路基板２０１への不要輻射）はさらに抑制される。

【0042】

（ｆ）なお、本実施形態に係る電子機器３０１では、ノイズを生じやすい能動素子５１，５２が、第２主面ＶＳ２（伝送線路基板１０２の天面）側に位置している。しかし、第２主面ＶＳ２側に位置する第２グランド導体４２の、導体非形成部の面積は相対的に小さいため、第２主面ＶＳ２側に位置するグランド導体の導体非形成部の面積が大きい場合と比較して、能動素子５１，５２からのノイズの影響は受け難い。

【0043】

（ｇ）また、本実施形態では、基材１０よりも比誘電率の高い第２保護層２が第２主面ＶＳ２に形成されている。この構成によれば、第２導体非形成部ＮＰ２から第２主面ＶＳ２側（外部）への不要輻射や、第２主面ＶＳ２側からの不要輻射を抑制できる。特に、本実施形態のように、第２保護層２を、Ｚ軸方向から視て第２導体非形成部ＮＰ２を覆う位置に配置することで、不要輻射の抑制効果はさらに高まる。

【0044】

（ｈ）さらに、本実施形態では、第１導体非形成部ＮＰ１および第２導体非形成部ＮＰ２が、Ｚ軸方向から視て、重なっていない。この構成により、線路部ＳＬ（伝送線路）における特性インピーダンスの急激な変化を抑制できる。すなわち、線路部ＳＬにおける特性インピーダンスの連続性を確保しやすい。

【0045】

（ｉ）本実施形態では、補助電極Ｐ４０が、Ｚ軸方向から視て、接続部ＣＮ１，ＣＮ２間に配置されている。この構成によれば、補助電極Ｐ４０と基板側電極ＥＰ４０とを接合する導電性接合材のセルフアライメント機能によって、線路部ＳＬの位置ずれを起こり難くできる。さらに、本実施形態では、複数の補助電極Ｐ４０が伝送方向に沿って設けられているため、接続部ＣＮ１，ＣＮ２間（線路部ＳＬ）が長い形状であっても、すなわち変形しやすい形状であっても、伝送線路基板１０１（特に線路部ＳＬ）の形状を一定に保ったまま、回路基板２０１に対して伝送線路基板１０１を高精度に実装できる。

【0046】

なお、本発明の「接続部」とは、伝送線路基板の入出力電極等を、別基板（他の回路基板や他の伝送線路基板等）に接続する部分であって、別基板へ信号を伝送する部分を言う。具体的に「接続部」とは、Ｚ軸方向から視て、グランド導体の開口部分（信号線に接続される入出力電極を内側に配置した開口部分）を言う。また、本発明の「線路部」とは、伝送方向（信号線に沿った方向）の両端を接続部としたときに、それら接続部以外の領域を言う。なお、「接続部」は、外部の回路基板に直接はんだ実装する場合や、コネクタを実装する場合が想定されるため、線路部よりも幅が広いことが好ましい。

【0047】

また、本発明の「第１グランド導体」および「第２グランド導体」は、Ｚ軸方向（積層方向、または厚み方向）から視て、重なるものと考える。つまり、本発明の「第１導体非形成部」は、Ｚ軸方向から視て、第２グランド導体に重なる部分、且つ、第１グランド導体の無い部分を言う。また、本発明の「第２導体非形成部」は、Ｚ軸方向から視て、第１グランド導体に重なる部分、且つ、第２グランド導体の無い部分を言う。

【0048】

また、本実施形態では、能動素子５１，５２が、線路部ＳＬの第１主面ＶＳ１よりも第２主面ＶＳ２に近接した電子機器３０１を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、アンテナまたは他の回路用の導体が、線路部ＳＬの第１主面ＶＳ１よりも第２主面ＶＳ２に近接する場合でも、同様の作用・効果を奏する。

【0049】

本実施形態に係る伝送線路基板１０１は、例えば次の工程で製造される。

【0050】

（１）まず、複数の基材層１１，１２，１３を準備する。基材層１１～１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂を主材料とするシートである。

【0051】

（２）次に、複数の基材層１１～１３に、入出力電極Ｐ１，Ｐ２および導体パターン（信号線３１、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、複数の中間グランド導体４３）をそれぞれ形成する。具体的には、基材層１１～１３の一方面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、基材層１１の裏面に入出力電極Ｐ１，Ｐ２および第１グランド導体４１を形成し、基材層１２の裏面に信号線３１および複数の中間グランド導体４３を形成し、基材層１３の表面に第２グランド導体４２を形成する。

【0052】

なお、第１グランド導体４１の所定の位置には、複数の第１導体非形成部ＮＰ１が設けられる。また、第２グランド導体４２の所定の位置には、複数の第２導体非形成部ＮＰ２が設けられる。複数の第２導体非形成部ＮＰ２の合計面積は、複数の第１導体非形成部ＮＰ１の合計面積よりも小さい。

【0053】

（３）また、基材層１１～１３に、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および複数の層間接続導体ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３をそれぞれ形成する。これら層間接続導体は、基材層１１～１３にそれぞれ孔（貫通孔）を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレス処理によって導電性ペーストを固化させることにより設ける。

【0054】

（４）次に、複数の基材層１１，１２，１３の順に積層（載置）し、積層した複数の基材層１１～１３を加熱プレス（一括プレス）することにより、基材１０を形成する。複数の基材層１１～１３を積層する際、信号線３１は、Ｚ軸方向において第１グランド導体４１と第２グランド導体４２との間に配置される。また、複数の第１導体非形成部ＮＰ１および複数の第２導体非形成部ＮＰ２は、Ｚ軸方向から視て、それぞれ信号線３１に重なる位置に配置される。

【0055】

（５）その後、基材１０の第１主面ＶＳ１（基材層１１の裏面）に第１保護層１を形成し、基材１０の第２主面ＶＳ２（基材層１３の表面）に第２保護層２を形成して伝送線路基板１０１を得る。第１保護層１および第２保護層２は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、またはエポキシ樹脂等である。

【0056】

この製造方法によれば、グランド導体に導体非形成部が設けられた構成でも、外部からのノイズの影響を抑制できる薄型の伝送線路基板を容易に製造できる。

【0057】

また、上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の基材層１１～１３を積層して加熱プレス（一括プレス）することで、基材１０を容易に形成できるため、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

【0058】

さらに、上記製造方法によれば、基材層に設けた孔に導電性ペーストを配設し、加熱プレス（一括プレス）によって導電性ペーストを固化させるため、層間接続導体を形成する工程を削減できる。

【0059】

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第２グランド導体に導体非形成部が設けられていない伝送線路基板の例を示す。

【0060】

図６は、第２の実施形態に係る伝送線路基板１０２の外観斜視図である。図７は、伝送線路基板１０２の分解平面図である。

【0061】

伝送線路基板１０２は、導体非形成部が設けられていないベタ状の第２グランド導体４２Ａを備える点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。伝送線路基板１０２の他の構成については、伝送線路基板１０１と同じである。

【0062】

本実施形態に係る伝送線路基板１０２では、第２グランド導体４２Ａがベタ状の導体パターンである。この構成によれば、導体非形成部が設けられた第２グランド導体を備えた伝送線路基板（第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１を参照）に比べて、線路部ＳＬの電磁界の遮蔽効果は高まる。

【0063】

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、複数の信号線を備える伝送線路基板の例を示す。

【0064】

図８（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３の外観斜視図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）におけるＤ－Ｄ断面図である。

【0065】

伝送線路基板１０３は、基材１０Ａ、入出力電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２４、複数の信号線３１，３２，３３，３４、第１グランド導体４１Ａ、第２グランド導体４２Ａ、４つの補助電極Ｐ４１、複数の層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２，ＶＧ２３を備える点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。伝送線路基板１０３の他の構成については、伝送線路基板１０１と同じである。

【0066】

以下、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる部分について説明する。

【0067】

基材１０Ａは、第１の実施形態で説明した基材１０よりも幅方向（Ｙ軸方向）の幅が広い。基材１０Ａの他の構成は、基材１０と同じである。

【0068】

入出力電極Ｐ１１～Ｐ１４および３つのグランド電極Ｐ３１は、接続部ＣＮ１の第１主面ＶＳ１側に形成されている。入出力電極Ｐ２１～Ｐ２４および３つのグランド電極Ｐ３２は、接続部ＣＮ２の第１主面ＶＳ１側に形成されている。４つの補助電極Ｐ４１は、線路部ＳＬの第１主面ＶＳ１側に形成されている。信号線３１～３４、第１グランド導体４１Ａ、第２グランド導体４２Ａ、中間グランド導体４３および層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２，ＶＧ２３は、線路部ＳＬ（基材１０Ａ）の内部に形成されている。

【0069】

複数の信号線３１～３４は、いずれも伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。複数の信号線３１～３４は、線路部ＳＬにおいて互いに並走する部分を有する。また、信号線３１，３２，３３，３４は、＋Ｙ方向にこの順に配列されている。また、本実施形態では、信号線３１～３４がＺ軸方向（積層方向、または厚み方向）における同じ層に配置されている。

【0070】

第１グランド導体４１Ａは、第１導体非形成部ＮＰ１１，ＮＰ１２が設けられている点で、第１の実施形態で説明した第１グランド導体４１と異なる。第１導体非形成部ＮＰ１１，ＮＰ１２は、Ｘ軸方向に延伸する長尺状の開口（凹み部）であり、第１グランド導体４１Ａの外周に形成されている。第１導体非形成部ＮＰ１１，ＮＰ１２は、＋Ｙ方向にこの順に配列されている。具体的には、第１グランド導体４１Ａは、伝送方向に延伸する線状の導体パターンである。

【0071】

第２グランド導体４２Ａは、導体非形成部が形成されていない点で、第１の実施形態で説明した第２グランド導体４２と異なる。第２グランド導体４２Ａの他の構成については、第２グランド導体４２と同じである。

【0072】

４つの補助電極Ｐ４１は、それぞれ線路部ＳＬの幅方向（Ｙ軸方向）の中央付近に配置され、伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。また、複数の層間接続導体ＶＧ２１～ＶＧ２３は、それぞれ線路部ＳＬの幅方向の中央付近に配置されている。図示省略するが、複数の層間接続導体ＶＧ２１～ＶＧ２３は、伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。

【0073】

図示省略するが、入出力電極Ｐ１１，Ｐ２１は信号線３１に電気的に接続され、入出力電極Ｐ１２，Ｐ２２は信号線３２に電気的に接続され、入出力電極Ｐ１３，Ｐ２３は信号線３３に電気的に接続され、入出力電極Ｐ１４，Ｐ２４は信号線３４に電気的に接続される。また、第１グランド導体４１Ａおよび第２グランド導体４２Ａは、中間グランド導体４３および層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２，ＶＧ２３を介して、線路部ＳＬにおいて互いに電気的に接続されている。

【0074】

図８（Ｂ）に示すように、線路部ＳＬにおける信号線３１～３４は、Ｚ軸方向において第１グランド導体４１Ａと第２グランド導体４２Ａとの間に配置されている。伝送線路基板１０２の線路部ＳＬには、信号線３１～３４と、第２グランド導体４２Ａと、を含んだ伝送線路（マイクロストリップライン）が構成されている。なお、Ｚ軸方向における信号線３１～３４と第１グランド導体４１Ａとの間隙Ｄ１は、Ｚ軸方向における信号線３１～３４と第２グランド導体４２Ａとの間隙Ｄ２よりも小さい（Ｄ１＜Ｄ２）。

【0075】

また、本実施形態では、図８（Ｂ）に示すように、グランド（中間グランド導体４３および層間接続導体ＶＧ２１～ＶＧ２３）が、信号線３１，３２と信号線３３，３４との間に配置されている。この構成により、信号線３１，３２と信号線３３，３４との間のアイソレーションが確保され、クロストークが抑制される。

【0076】

さらに、本実施形態では、４つの補助電極Ｐ４１が伝送方向に等間隔で配置されている。この構成によれば、線路部ＳＬ（接続部ＣＮ１，ＣＮ２間）が長くても、リフローはんだ法等による接合時に回路基板に対する線路部ＳＬの異常な移動を抑制できる。

【0077】

なお、本実施形態では、複数の信号線３１～３４が、Ｚ軸方向における同じ層に配置されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。複数の信号線は、Ｚ軸方向における異なる層にそれぞれ配置されていてもよい。

【0078】

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、補助電極が、基材の第１主面、第２主面および側面に亘って形成された伝送線路基板の例を示す。

【0079】

図９（Ａ）は第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４の外観斜視図であり、図９（Ｂ）は伝送線路基板１０４の平面図である。図１０は、図９（Ａ）におけるＥ－Ｅ断面図である。

【0080】

伝送線路基板１０４は、基材１０Ｂ、入出力電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２４、複数の信号線３１，３２，３３，３４、第１グランド導体４１Ｂ、第２グランド導体４２Ｂ、複数の補助電極Ｐ４１Ｓ，Ｐ４２Ｓ等を備える点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０４と異なる。

【0081】

以下、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる部分について説明する。

【0082】

基材１０Ｂは、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。基材１０Ｂは、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２、側面ＳＳ１，ＳＳ２を有する。側面ＳＳ１，ＳＳ２は、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に隣接する、ＸＺ平面に平行な面である。基材１０Ｂの他の構成については、第１の実施形態で説明した基材１０と同じである。

【0083】

入出力電極Ｐ１１～Ｐ１４は、接続部ＣＮ１の第１主面ＶＳ１側に形成されている。入出力電極Ｐ２１～Ｐ２４は、接続部ＣＮ２の第１主面ＶＳ１側に形成されている。信号線３１～３４は、基材１０Ｂの内部に形成されている。

【0084】

補助電極Ｐ４１Ｓは、第１主面ＶＳ１、側面ＳＳ１および第２主面ＶＳ２に跨って形成されている。補助電極Ｐ４２Ｓは、第１主面ＶＳ１、側面ＳＳ２および第２主面ＶＳ２に跨って形成されている。３つの補助電極Ｐ４１Ｓおよび３つの補助電極Ｐ４２Ｓは、それぞれ＋Ｘ方向に配列されている。補助電極Ｐ４１Ｓ，Ｐ４２Ｓは、例えば無電界めっき等によって側面ＳＳ１，ＳＳ２に形成されるＣｕ等のめっき膜である。また、補助電極Ｐ４１Ｓ，Ｐ４２Ｓは、スパッタリング法によって成膜されたＣｕ等の金属膜でもよい。

【0085】

複数の信号線３１～３４は、いずれも伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。複数の信号線３１～３４は、線路部ＳＬにおいて互いに並走する部分を有する。また、信号線３１，３２，３３，３４は、＋Ｙ方向にこの順に配列されている。また、本実施形態では、信号線３１～３４がＺ軸方向における同じ層に配置されている。

【0086】

第１グランド導体４１Ｂは、第１導体非形成部ＮＰ１０が設けられている点で、第１の実施形態で説明した第１グランド導体４１と異なる。第１グランド導体４１Ｂは、矩形の導体パターンである。第１導体非形成部ＮＰ１０は、第１グランド導体４１Ａの中央付近に配置された開口である。

【0087】

第２グランド導体４２Ｂは、導体非形成部が形成されていない点で、第１の実施形態で説明した第２グランド導体４２と異なる。第２グランド導体４２Ｂは、矩形の導体パターンである。第２グランド導体４２Ｂの他の構成については、第２グランド導体４２と同じである。

【0088】

図示省略するが、入出力電極Ｐ１１，Ｐ２１は信号線３１に電気的に接続され、入出力電極Ｐ１２，Ｐ２２は信号線３２に電気的に接続され、入出力電極Ｐ１３，Ｐ２３は信号線３３に電気的に接続され、入出力電極Ｐ１４，Ｐ２４は信号線３４に電気的に接続される。また、第１グランド導体４１Ｂおよび第２グランド導体４２Ｂは、補助電極Ｐ４１Ｓ，Ｐ４２Ｓ等を介して、互いに電気的に接続されている。

【0089】

図１０に示すように、信号線３１～３４は、Ｚ軸方向において第１グランド導体４１Ｂと第２グランド導体４２Ｂとの間に配置されている。伝送線路基板１０４の線路部ＳＬには、信号線３１～３４と、第２グランド導体４２Ａと、を含んだ伝送線路（マイクロストリップライン）が構成されている。なお、Ｚ軸方向における信号線３１～３４と第１グランド導体４１Ｂとの間隙Ｄ１は、Ｚ軸方向における信号線３１～３４と第２グランド導体４２Ｂとの間隙Ｄ２よりも小さい（Ｄ１＜Ｄ２）。

【0090】

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、線路部に、グランド導体同士を接続する複数の層間接続導体が形成された伝送線路基板の例を示す。

【0091】

図１１（Ａ）は第５の実施形態に係る伝送線路基板１０５の外観斜視図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＦ－Ｆ断面図である。

【0092】

伝送線路基板１０５は、第１グランド導体４１Ｃ、第２グランド導体４２Ａ、４つの補助電極Ｐ４１，Ｐ４２，Ｐ４３等を備える点で、第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３と異なる。伝送線路基板１０５の他の構成については、伝送線路基板１０３と同じである。

【0093】

以下、第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３と異なる部分について説明する。

【0094】

第１グランド導体４１Ｃは、第１導体非形成部ＮＰ１１Ａ，ＮＰ１２Ａが設けられている点で、第３の実施形態で説明した第１グランド導体４１Ａと異なる。第１導体非形成部ＮＰ１１Ａ，ＮＰ１２Ａは、Ｘ軸方向に延伸する長尺状の開口である。第１導体非形成部ＮＰ１１Ａ，ＮＰ１２Ａは、＋Ｙ方向にこの順に配列されている。

【0095】

補助電極Ｐ４１，Ｐ４２，Ｐ４３は、＋Ｙ方向にこの順に配列されている。具体的には、補助電極Ｐ４１は線路部ＳＬの幅方向（Ｙ軸方向）の中央付近に配置され、の補助電極Ｐ４２は線路部ＳＬの側面ＳＳ１付近に配置され、補助電極Ｐ４３は線路部ＳＬの側面ＳＳ２付近に配置されている。補助電極Ｐ４１は、第３の実施形態で説明したものと同じである。それぞれ４つの補助電極Ｐ４１，Ｐ４２，Ｐ４３は、伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。

【0096】

第１グランド導体４１Ｃおよび第２グランド導体４２Ａは、中間グランド導体４３および層間接続導体ＶＧ２１～ＶＧ２３を介して、互いに電気的に接続されている。

【0097】

本実施形態では、図１１（Ｂ）に示すように、信号線３１，３２は周囲３方向にグランド（第２グランド導体４２Ａ、中間グランド導体４３および層間接続導体ＶＧ２１～ＶＧ２３）が配置されている。すなわち、信号線３１，３２は周囲３方向に亘ってグランドで囲まれている。また、信号線３３，３４は周囲３方向がグランド（第２グランド導体４２Ａ、中間グランド導体４３および層間接続導体ＶＧ２１～ＶＧ２３）によって囲まれている。すなわち、信号線３３，３４は周囲３方向に亘ってグランドで囲まれている。この構成によれば、信号線３１，３２と信号線３３，３４との間のアイソレーションが十分に確保され、クロストークの抑制効果もさらに高まる。

【0098】

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、補助電極が、伝送方向に対して斜め方向に延伸する平面形状である例を示す。

【0099】

図１２は、第６の実施形態に係る伝送線路基板１０６の線路部ＳＬを示した拡大平面図である。図１３は、伝送線路基板１０６の線路部ＳＬの分解平面図である。図１３では、構造を分かりやすくするため、信号線３１，３２，３３，３４，３５，３６をドットパターンで示している。

【0100】

伝送線路基板１０６は、複数の補助電極Ｐ４６、６つの信号線３１，３２，３３，３４，３５，３６、第１グランド導体４１Ｄおよび中間グランド導体４３Ｄ等を備える点で、第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３と異なる。伝送線路基板１０３の他の構成については、伝送線路基板１０３と同じである。

【0101】

以下、第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３と異なる部分について説明する。

【0102】

複数の補助電極Ｐ４６は、線路部ＳＬの第１主面ＶＳ１側に形成されている。図１２等に示すように、複数の補助電極Ｐ４６は、伝送方向（Ｘ軸方向）に対して斜め方向に延伸する平面形状をしている。

【0103】

６つの信号線３１～３６は、いずれも伝送方向（概略的にＸ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。６つの信号線３１～３６は、線路部ＳＬにおいて互いに並走する部分を有する。信号線３１，３２，３３，３４，３５，３６は、＋Ｙ方向にこの順に配列されている。

【0104】

中間グランド導体４３Ｄは、Ｚ軸方向において信号線３１～３６と同じ層に配置されている。また、中間グランド導体４３Ｄは、複数の信号線３１～３６のうち隣接する２つの信号線の間に配置され、線路部ＳＬにおいて複数の信号線３１～３６に並走している。

【0105】

第１グランド導体４１Ｄは、複数の第１導体非形成部ＮＰ１０Ｄが設けられたメッシュ状である点で、第３の実施形態で説明した第１グランド導体４１Ａと異なる。第１導体非形成部ＮＰ１０Ｄは、概略的にＸ軸方向に長手方向を有する長尺状の開口である。なお、本実施形態では、略同一形状の複数の第１導体非形成部ＮＰ１０Ｄが、周期的に配置されている。より具体的には、複数の第１導体非形成部ＮＰ１０Ｄは、Ｚ軸方向から視て、千鳥配置されている。

【0106】

本実施形態では、複数の補助電極Ｐ４６が、伝送方向（Ｘ軸方向）に対して斜め方向に延伸する平面形状をしている。この構成によれば、補助電極が幅方向（Ｙ軸方向）に延伸する平面形状である場合に比べて、伝送方向におけるＧＮＤ電位の変動幅を小さくできる。

【0107】

また、本実施形態では、略同一形状の複数の第１導体非形成部ＮＰ１０Ｄが、周期的に配置されている。この構成によれば、伝送方向におけるＧＮＤ電位の変動幅を小さくでき、線路部ＳＬにおける特性インピーダンスの連続性を確保しやすい。このことは、第２グランド導体に設けられた複数の第２導体非形成部でも同様である。

【0108】

なお、本実施形態では、異なる信号線にそれぞれ重なる第１導体非形成部ＮＰ１０Ｄ同士が幅方向に隣接して配置される（重なっている）例を示したが、この構成に限定されるものではない。Ｚ軸方向から視て、（異なる信号線にそれぞれ重なる）複数の第１導体非形成部同士は、幅方向に隣接して配置されていない（重なっていない）ことが好ましい。この構成によれば、複数の信号線間のクロストークを抑制できる。このことは、第２グランド導体に設けられた複数の第２導体非形成部でも同様である。

【0109】

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、接続部に設けられた入出力電極およびグランド電極が、導電性接合材を介して回路基板の基板側電極に接合された例を示したが、この構成に限定されるものではない。伝送線路基板の接続部には、例えばコネクタ（プラグ）が設けられていてもよく、回路基板のレセプタクルに接続される構成でもよい。

【0110】

以上に示した各実施形態では、２つの接続部ＣＮ１，ＣＮ２および１つの線路部ＳＬを有する伝送線路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。伝送線路基板が有する接続部の数および線路部の数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、接続部の数および線路部の数は１つでもよい。例えば、伝送線路基板がアンテナを有する場合、＋Ｘ方向にアンテナ、線路部ＳＬおよび接続部の順に配置される構造でもよい。

【0111】

以上に示した各実施形態では、伝送線路基板が備える基材が矩形または略矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、Ｕ字形、クランク形等でもよい。

【0112】

また、以上に示した各実施形態では、３つの基材層を積層して形成される基材を備える伝送線路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。基材に含まれる基材層の積層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。なお、伝送線路基板において第１保護層１および第２保護層２は必須ではない。

【0113】

以上に示した各実施形態では、基材が、熱可塑性樹脂からなる複数の基材層を有する例を示したが、この構成に限定されるものではない。複数の基材層は、熱硬化性樹脂からなるシートでもよい。また、複数の基材層は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の誘電体セラミックシートでもよい。また、基材は、複数の樹脂の複合積層体でもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。さらに、基材は、複数の基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各基材層間に接着層を有していてもよい。

【0114】

なお、以上に示した各実施形態では、Ｚ軸方向における信号線と第１グランド導体との間隙Ｄ１が、Ｚ軸方向における信号線と第２グランド導体との間隙Ｄ２よりも小さい伝送線路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。上記間隙Ｄ１は上記間隙Ｄ２よりも大きくてもよく、上記間隙Ｄ１，Ｄ２が等しくてもよい。

【0115】

以上に示した各実施形態では、（信号線が延伸する）伝送方向がＸ軸方向に一致する例について示したが、本発明の伝送方向はこれに限定されるものではない。伝送方向は、例えばＹ軸方向でもよく、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に折れ曲がっていてもよい。

【0116】

また、伝送線路基板に形成される回路は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。伝送線路基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで構成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが構成されていてもよい。また、伝送線路基板には、マイクロストリップラインの伝送線路に加えて、例えば他の各種伝送線路（ミアンダ、コプレーナ等）が構成されていてもよい。さらに、伝送線路基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

【0117】

以上に示した各実施形態では、線路部に１つ、４つまたは６つの信号線が配置された伝送線路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。信号線（伝送線路）の数は、伝送線路基板の回路構成によって適宜変更可能である。なお、複数の信号線は、それぞれ同一のシステム（同一の周波数帯）で利用してもよく、それぞれ異なるシステム（異なる周波数帯）で利用されていてもよい。

【0118】

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

【符号の説明】

【0119】

ＣＮ１，ＣＮ２…接続部
ＳＬ…線路部
ＶＳ１…基材の第１主面
ＶＳ２…基材の第２主面
ＳＳ１，ＳＳ２…基材の側面
ＰＳ１…回路基板の第１面
ＰＳ２…回路基板の第２面
ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ３１，ＥＰ３２，ＥＰ４０，ＥＰ５，ＥＰ６…基板側電極
ＮＰ１，ＮＰ１０，ＮＰ１０Ｄ，ＮＰ１１，ＮＰ１１Ａ，ＮＰ１２，ＮＰ１２Ａ…第１導体非形成部
ＮＰ２…第２導体非形成部
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２４…入出力電極
Ｐ３１，Ｐ３２…グランド電極
Ｐ４０，Ｐ４１，Ｐ４１Ｓ，Ｐ４２，Ｐ４２Ｓ，Ｐ４３，Ｐ４６…補助電極
ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３１，ＡＰ３２，ＡＰ４０…開口部
Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３，ＶＧ２１，ＶＧ２２，ＶＧ２３…層間接続導体
１…第１保護層
２…第２保護層
３…回路基板の保護層
１０，１０Ａ，１０Ｂ…基材
１１，１２，１３…基材層
３１，３２，３３，３４，３５，３６…信号線
４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄ…第１グランド導体
４２，４２Ａ，４２Ｂ…第２グランド導体
４３，４３Ｄ…中間グランド導体
５１，５２…能動素子
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６…伝送線路基板
２０１，２０２…回路基板
３０１…電子機器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】