(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-21
(45)【発行日】2022-09-30
(54)【発明の名称】配線回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
C25D 5/26 20060101AFI20220922BHJP
C25D 7/00 20060101ALI20220922BHJP
C25D 5/10 20060101ALI20220922BHJP
C25D 5/36 20060101ALI20220922BHJP
C25D 5/50 20060101ALI20220922BHJP
C25D 3/48 20060101ALI20220922BHJP
H05K 3/24 20060101ALI20220922BHJP
【ＦＩ】
C25D5/26 Q
C25D7/00 J
C25D5/10
C25D5/36
C25D5/50
C25D3/48
H05K3/24 A
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2018008755
(22)【出願日】2018-01-23
(65)【公開番号】P2018119211
(43)【公開日】2018-08-02
【審査請求日】2020-12-25
(31)【優先権主張番号】P 2017009187
(32)【優先日】2017-01-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103517
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 寛之
(74)【代理人】
【識別番号】100149607
【弁理士】
【氏名又は名称】宇田 新一
(72)【発明者】
【氏名】杉本 悠
(72)【発明者】
【氏名】田辺 浩之
【審査官】▲辻▼ 弘輔
(56)【参考文献】
【文献】特公昭４９－０１０５７２（ＪＰ，Ｂ１）
【文献】特開平０４－２７６０９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－２２９３３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－０９９１２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１４０７８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０２９０５６０１（ＵＳ，Ａ）
【文献】米国特許第０６３１２５８０（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】国際公開第２０１２／０５３４３１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１４－０５８４８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０１７４８４２７（ＣＮ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２５Ｄ ３／００－７／１２
Ｈ０５Ｋ ３／００－３／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ステンレス端子を有するステンレス支持層を備える配線回路基板の製造方法であり、不動態膜が表面に形成されたステンレス支持層を用意する第１工程、および、
第１金めっき層を前記ステンレス端子の表面に形成する第２工程を備え、
前記第２工程では、
前記ステンレス支持層を、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する第１金めっき液に浸漬するとともに、
前記不動態膜を除去しつつ、前記第１金めっき層が前記ステンレス端子の表面に形成されるように、前記ステンレス支持層に給電し、
前記配線回路基板は、さらに、前記ステンレス支持層により支持され、導体端子を有する導体層を備え、
第３金めっき層を前記導体端子の表面に形成する第４工程を備え、
前記第４工程では、
前記導体層を、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する第３金めっき液に浸漬するとともに、
前記第３金めっき層が前記導体端子の表面に形成されるように、前記導体層に給電し、
前記第２工程における電流密度の、前記第４工程における電流密度に対する比が、２以上であることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項2】
前記第２工程の後に、第２金めっき層を前記第１金めっき層の表面に形成する第３工程をさらに備え、前記第３工程では、
前記ステンレス支持層を、酸を含有せず、金化合物を含有する第２金めっき液に浸漬するとともに、
前記第２金めっき層が前記第１金めっき層の表面に形成されるように前記ステンレス支持層に給電し、
前記第２金めっき液における金化合物の含有割合が、前記第１金めっき液における金化合物の含有割合に比べて、高いことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項3】
前記第２工程および前記第４工程を、共通のめっき浴で、実施することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項4】
前記第２工程の後に、前記第１金めっき層を加熱する加熱工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項5】
前記第３工程の後に、前記第１金めっき層および前記第２金めっき層を加熱する加熱工程をさらに備えることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板の製造方法の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ステンレス基板に、電気接続用の端子を形成し、かかる端子に、金めっきにより金めっき層を形成する方法が知られている。
【0003】
例えば、ステンレス基板の所望部位を塩酸系めっき液に浸漬し、該浸漬部位に第１金めっき層を形成する、ステンレス基板への金めっきパターンの形成方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【0004】
特許文献１の方法では、ステンレス基板と第１金めっき層との密着性を向上している。
【0005】
また、特許文献１の方法では、ステンレス基板に、導体層を別途設け、かかる導体層に導体端子を設けている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０１４－３４７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ステンレス基板の表面には、不動態膜が存在するため、上記した密着性の向上の観点から、かかる不動態膜を除去する必要がある。
【0008】
特許文献１の方法では、上記した不動態膜を、ステンレス基板の塩酸系めっき液への浸漬によって、除去するとともに、ステンレス基板における端子に金めっき層を形成している。
【0009】
しかるに、塩酸系めっき浴を用いて、導体端子に金めっき層を形成して、ステンレス基板の端子における金めっき層の形成、および、導体端子における金めっき層の形成を、共通のめっき浴を使用することが試案される。しかし、このような試案では、塩酸系めっき液によって、導体端子が腐食するという不具合がある。
【0010】
一方、ステンレス基板の端子における金めっき層の形成に用いた塩酸系めっき浴と別のめっき浴を用意し、かかるめっき浴を用いて導体端子に金めっき層を形成しようとすれば、設備数が増大し、製造工程が複雑になるという不具合がある。
【0011】
本発明の目的は、簡易な設備で、第１金めっき層をステンレス端子に、簡便に形成することのできる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明（１）は、ステンレス端子を有するステンレス支持層を備える配線回路基板の製造方法であり、不動態膜が表面に形成されたステンレス支持層を用意する第１工程、および、第１金めっき層を前記ステンレス端子の表面に形成する第２工程を備え、前記第２工程では、前記ステンレス支持層を、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する第１金めっき液に浸漬するとともに、前記不動態膜を除去しつつ、前記第１金めっき層が前記ステンレス端子の表面に形成されるように、前記ステンレス支持層に給電することを特徴とする、配線回路基板の製造方法を含む。
【0013】
この製造方法によれば、第２工程では、ステンレス支持層を、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する第１金めっき液に浸漬するので、第２工程において、ステンレス支持層に給電すると、不動態膜を確実に除去しつつ、第１金めっき層をステンレス端子の表面に形成することができる。
【0014】
また、第１金めっき液が強酸を含有しないことから、第１金めっき液を用いれば、導体端子に金めっき層を、導体端子の腐食を抑制しながら、形成することができる。そのため、簡易な設備で、第１金めっき層をステンレス端子に、簡便に形成することができる。
【0015】
本発明（２）は、前記第２工程の後に、第２金めっき層を前記第１金めっき層の表面に形成する第３工程をさらに備え、前記第３工程では、前記ステンレス支持層を、酸を含有せず、金化合物を含有する第２金めっき液に浸漬するとともに、前記第２金めっき層が前記第１金めっき層の表面に形成されるように、前記ステンレス支持層に給電し、前記第２金めっき液における金化合物の含有割合が、前記第１金めっき液における金化合物の含有割合に比べて、高い、（１）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0016】
この製造方法によれば、第３工程の第２金めっき液における金化合物の含有割合が、第２工程の第１金めっき液における金化合物の含有割合に比べて、高いので、厚い第２めっき層を効率よく短時間で形成することができる。
【0017】
本発明（３）は、前記配線回路基板は、さらに、前記ステンレス支持層により支持され、導体端子を有する導体層を備え、第３金めっき層を前記導体端子の表面に形成する第４工程を備え、前記第４工程では、前記導体層を、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する第３金めっき液に浸漬するとともに、前記第３金めっき層が前記導体端子の表面に形成されるように、前記導体層に給電し、前記第２工程における電流密度の、前記第４工程における電流密度に対する比が、２以上である、（１）または（２）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0018】
この製造方法において、第２工程における電流密度の、第４工程における電流密度に対する比が、２以上である。つまり、第２工程における電流密度を、第４工程における電流密度より高くできるため、第２工程において、不動態膜をより一層確実に除去することができる。その結果、ステンレス端子に対する密着性を有する第１金めっき層を備える配線回路基板を製造することができる。
【0019】
本発明（４）は、前記配線回路基板は、さらに、前記ステンレス支持層により支持され、導体端子を有する導体層を備え、前記第２工程の後に、第３金めっき層を前記導体端子の表面に形成する第４工程を備え、前記第４工程では、前記導体層を、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する第３金めっき液に浸漬するとともに、前記第３金めっき層が前記導体端子の表面に形成されるように、前記導体層に給電し、前記第２工程および前記第４工程を、共通のめっき浴で、実施する、（１）～（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0020】
この製造方法によれば、第２工程および第４工程を、共通のめっき浴で、実施するので、製造装置および製造工程を簡単にすることができる。
【0021】
本発明（５）は、前記第２工程の後に、前記第１金めっき層を加熱する加熱工程をさらに備える、（１）～（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0022】
この製造方法によれば、加熱工程において、第１金めっき層を加熱するので、ステンレス端子に対する密着性を有する第１金めっき層を備える配線回路基板を製造することができる。
【0023】
本発明（６）は、前記第３工程の後に、前記第１金めっき層および前記第２金めっき層を加熱する加熱工程をさらに備える、（２）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0024】
この製造方法によれば、加熱工程において、第１金めっき層および第２金めっき層を加熱するので、ステンレス端子に対する密着性を有する第１金めっき層および第２金めっき層を備える配線回路基板を製造することができる。
【発明の効果】
【0025】
本発明によれば、ステンレス端子に対する優れた密着性を有する第１金めっき層を備える配線回路基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】図１Ａ～図１Ｃは、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態である回路付サスペンション基板の製造方法の一部工程図であり、図１Ａが、回路付サスペンション基板を用意する第１工程、図１Ｂが、第１金めっき層を形成する第２工程、図１Ｃが、第２金めっき層を形成する第３工程を示す。
【図2】図２Ｄ～図２Ｆは、図１Ｃに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態である回路付サスペンション基板の製造方法の一部工程図であり、図２Ｄが、第３金めっき層を用意する第４工程、図２Ｅが、第４金めっき層を形成する第５工程、図２Ｆが、第２めっきレジストを除去するを示す。
【発明を実施するための形態】
【0027】
＜一実施形態＞
本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態である回路付サスペンション基板の製造方法は、図２Ｆに示すように、ステンレス支持層２２および導体層２４を備える回路付サスペンション基板２１の製造方法である。
本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態である回路付サスペンション基板の製造方法は、図２Ｆに示すように、ステンレス支持層２２および導体層２４を備える回路付サスペンション基板２１の製造方法である。
【0028】
具体的には、回路付サスペンション基板２１は、ステンレス支持層２２と、ベース絶縁層２３と、導体層２４と、カバー絶縁層（図示せず）とを厚み方向（上下方向）に順に備える。
【0029】
ステンレス支持層２２は、回路付サスペンション基板２１の最下層である。ステンレス支持層２２は、厚み方向に直交する面方向に延びる略平板（シート）形状を有する。ステンレス支持層２２は、回路付サスペンション基板２１を支持する支持部材である。また、ステンレス支持層２２は、支持本体部５０と、開口部５１と、ステンレス端子２６とを有する。
【0030】
支持本体部５０の外形形状は、回路付サスペンション基板２１の外形形状と同一形状である。
【0031】
開口部５１は、支持本体部５０の内側に形成されており、ステンレス支持層２２を厚み方向に貫通する。開口部５１の周囲の支持本体部５０は、底面視略枠形状を有する。
【0032】
ステンレス端子２６は、開口部５１内に配置されている。ステンレス端子２６の外端縁（周端縁）は、支持本体部５０の内端縁から面方向（厚み方向に直交する方向）内側に間隔に隔てて配置されている。これによって、ステンレス端子２６は、支持本体部５０と絶縁されている。
【0033】
ステンレス支持層２２を形成するためのステンレス材としては、特に限定されず、例えば、ＳＵＳ３０４などが挙げられる。
【0034】
ステンレス支持層２２の厚みは、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【0035】
支持本体部５０の表面には、不動態膜２５が形成されている。
【0036】
一方、ステンレス端子２６の表面には、上記した不動態膜２５が形成されておらず、後述する第１金めっき層３１および第２金めっき層３２（金めっき層３５）が形成されている。
【0037】
ベース絶縁層２３は、ステンレス支持層２２の上面に配置されている。ベース絶縁層２３は、面方向に延びる略平板（シート）形状を有する。ベース絶縁層２３は、次に説明する導体層２４に対応するパターンを有する。また、ベース絶縁層２３の下面の一部は、上記した開口部５１から下方に露出している。ベース絶縁層２３は、例えば、ポリイミドなどの絶縁材料からなる。ベース絶縁層２３の厚みは、用途および目的に応じて、適宜設定される。
【0038】
導体層２４は、ベース絶縁層２３の上面に配置されている。導体層２４は、導体配線と、それに連続する導体端子２８とを連続して有する。導体端子２８の表面には、後述する第３金めっき層３３および第４金めっき層３４が形成されている。
【0039】
導体層２４は、例えば、銅、ニッケル、それらの合金などの導体材料からなる。導体層２４の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【0040】
カバー絶縁層（図示せず）は、回路付サスペンション基板２１の最上層である。カバー絶縁層（図示せず）は、導体端子２８を露出し、導体配線（図示せず）を被覆するパターンを有する。
【0041】
そして、回路付サスペンション基板２１の製造方法は、図３に示すように、第１工程１、第２工程２、第３工程３、第４工程４、第５工程５および加熱工程の一例としての第６工程６を備える。第１工程１、第２工程２、第３工程３、第４工程４、第５工程５および第６工程６は、順に実施される。
【0042】
［第１工程］
図１Ａに示すように、第１工程１では、ステンレス支持層２２と、ベース絶縁層２３と、導体層２４と、カバー絶縁層（図示せず）とを備える回路付サスペンション基板２１を用意する。ステンレス支持層２２は、支持本体部５０と、開口部５１と、ステンレス端子２６とを有する。また、支持本体部５０およびステンレス端子２６の両方の表面には、不動態膜２５が形成されている。
図１Ａに示すように、第１工程１では、ステンレス支持層２２と、ベース絶縁層２３と、導体層２４と、カバー絶縁層（図示せず）とを備える回路付サスペンション基板２１を用意する。ステンレス支持層２２は、支持本体部５０と、開口部５１と、ステンレス端子２６とを有する。また、支持本体部５０およびステンレス端子２６の両方の表面には、不動態膜２５が形成されている。
【0043】
不動態膜２５は、ステンレス支持層２２の下面および側面（外側面および内側面を含む）を被覆する。不動態膜２５は、ステンレス支持層２２を形成するステンレスが不動態化した薄膜である。また、不動態膜２５は、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、それらの複合酸化物などの金属酸化物を含むことができる。
【0044】
不動態膜２５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【0045】
不動態膜２５は、ステンレス支持層２２の表面において、後述する第１金めっき層３１のステンレス支持層２２に対する密着力を低下させる膜であり、本来不要な膜である。しかし、不動態膜２５は、ステンレス支持層２２の表面に不可避的に形成されている。
【0046】
回路付サスペンション基板２１は、互いに間隔を隔てて複数配置された集合体シート３０として用意される。
【0047】
［第２工程～第５工程］
第２工程２～第５工程５は、図４に示すめっき装置４０を用いて、実施される。
第２工程２～第５工程５は、図４に示すめっき装置４０を用いて、実施される。
【0048】
［めっき装置］
図４に示すように、めっき装置４０は、第１ロール４３、第１めっき槽４１、第２めっき槽４２および第２ロール４４を、集合体シート３０の搬送方向下流側に向かって順に備える。
図４に示すように、めっき装置４０は、第１ロール４３、第１めっき槽４１、第２めっき槽４２および第２ロール４４を、集合体シート３０の搬送方向下流側に向かって順に備える。
【0049】
第１ロール４３は、集合体シート３０を操出可能に巻回する。
【0050】
第１めっき槽４１は、第１ロール４３の搬送方向下流側に配置される。第１めっき槽４１には、第１金めっき液が収容されている。また、第１めっき槽４１は、第１金めっき液を加熱可能に構成されている。
【0051】
第１金めっき液は、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する。
【0052】
強酸としては、例えば、硝酸、塩酸、硫酸などの無機酸が挙げられる。
【0053】
弱酸は、第１金めっき液のｐＨを調整する作用を有する。弱酸としては、特に限定されず、例えば、有機酸が挙げられる。弱酸の第１金めっき液における含有割合は、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、４０質量％以下、好ましくは、２０質量％以下である。
【0054】
金化合物は、第１金めっき層３１を形成するために用いられる金前駆体であって、第１金めっき液に溶解されている。金化合物としては、例えば、四塩化金酸、四塩化金酸塩、三塩化金、シアン化金、シアン化金カリウム（ＫＡｕ（ＣＮ）２）、三塩化ジエチルアミン金酸、エチレンジアミン金錯体などが挙げられる。金化合物は、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、シアン化金カリウムが挙げられる。金化合物の第１金めっき液における含有割合は、例えば、０．０１質量％以上、好ましくは、０．１質量％以上であり、また、例えば、１．０質量％以下、好ましくは、０．５質量％以下である。また、第１金めっき液における金の含有割合は、例えば、０．１ｇ／Ｌ以上、好ましくは、０．５ｇ／Ｌ以上であり、また、例えば、５ｇ／Ｌ以下、好ましくは、１．５ｇ／Ｌ以下である。
【0055】
第１金めっき液は、さらに、有機酸塩を含有することもできる。有機酸塩は、第１金めっき液の電導度を調整する作用を有する。有機酸塩は、特に限定されない。有機酸塩の第１金めっき液における含有割合は、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、３０質量％以下、好ましくは、１５質量％以下である。
【0056】
水の割合は、上記した成分の含有割合の残部である。
【0057】
第１金めっき液のｐＨは、例えば、３．０以上、好ましくは、３．５以上であり、また、例えば、５．０以下、好ましくは、４．０以下である。
【0058】
第１金めっき液の温度は、特に限定されず、例えば、常温より高く、具体的には、例えば、３０℃以上、好ましくは、４０℃以上、より好ましくは、４５℃以上であり、また、例えば、７０℃以下、好ましくは、６０℃以下、より好ましくは、５５℃以下である。
【0059】
第１めっき槽４１には、第１電極（図示せず）が、第１金めっき液に浸漬されるように、配置されている。第１電極は、第１整流器（図示せず）に接続されている。
【0060】
第２めっき槽４２は、第１めっき槽４１の搬送方向下流側に配置されている。第２めっき槽４２には、第２金めっき液が収容されている。また、第２めっき槽４２は、第２金めっき液を加熱可能に構成されている。
【0061】
第２金めっき液は、酸を含有せず、金化合物を含有する。
【0062】
酸としては、第１金めっき液で挙げた強酸、弱酸が挙げられる。
【0063】
金化合物としては、第１金めっき液に含有される金化合物と同一の金化合物が挙げられる。好ましくは、シアン化金カリウムが挙げられる。
【0064】
金化合物の第２金めっき液における含有割合は、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、１．０質量％以上であり、また、例えば、５．０質量％以下、好ましくは、１．５質量％以下である。第２金めっき液における金化合物の含有割合は、第１金めっき液における金化合物の含有割合に比べて高く、具体的には、第２金めっき液における金化合物の含有割合の、第１金めっき液における金化合物の含有割合に対する比は、例えば、１超過、好ましくは、３以上、より、好ましくは、５以上、さらに好ましくは、７．０以上であり、また、例えば、５０以下である。
【0065】
第２金めっき液における金化合物の含有割合は、第１金めっき液における金化合物の含有割合に比べて高いと、第２金めっき層３２を効率よく形成することができる。
【0066】
第２金めっき液における金の含有割合は、例えば、０．５ｇ／Ｌ以上、好ましくは、５ｇ／Ｌ以上であり、また、例えば、５０ｇ／Ｌ以下、好ましくは、１０ｇ／Ｌ以下である。第２金めっき液における金の含有割合は、第１金めっき液における金の含有割合に比べて高く、具体的には、第２金めっき液における金の含有割合の、第１金めっき液における金の含有割合に対する比は、例えば、１超過、好ましくは、３以上、より、好ましくは、５以上、さらに好ましくは、７．０以上であり、また、例えば、５０以下である。
【0067】
第２金めっき液における金の含有割合は、第１金めっき液における金の含有割合に比べて高いと、第２金めっき層３２を効率よく形成することができる。
【0068】
第２金めっき液は、さらに、有機酸塩、無機酸塩、結晶調整剤などの添加剤を含有することができる。
【0069】
有機酸塩は、第２金めっき液の電導度を調整する作用を有する。有機酸塩は、特に限定されない。有機酸塩の第２金めっき液における含有割合は、例えば、１質量％以上、例えば、４０質量％以下である。
【0070】
無機酸塩は、第２金めっき液の電導度を調整する作用を有する。無機酸塩は、特に限定されないが、その水溶液は、中性（ｐＨ６～８）を示すものが挙げられる。無機酸塩の第２金めっき液における含有割合は、例えば、０．１質量％以上、例えば、１０質量％以下である。
【0071】
結晶調整剤は、第３工程３において、第２金めっき層３２の円滑な析出を促す助剤である。結晶調整剤としては、例えば、タリウム、鉛、ビスマスなどの金属の塩（例えば、硫酸塩、硝酸塩、有機酸塩など）などが挙げられる。
【0072】
添加剤は、適宜、単独使用または併用することができる。結晶調整剤の第２金めっき液における含有割合は、金属の含有割合として、例えば、０．０００１質量％以上、また、例えば、０．０２質量％以下、好ましくは、０．００５質量％以下である。
【0073】
水の割合は、上記した成分の含有割合の残部である。
【0074】
第２金めっき液のｐＨは、例えば、５．０以上、好ましくは、６．０以上であり、また、例えば、９．０以下、好ましくは、７．５以下である。
【0075】
第２金めっき液の温度は、特に限定されず、例えば、常温より高く、具体的には、例えば、３０℃以上、好ましくは、５０℃以上であり、また、例えば、８０℃以下、好ましくは、７０℃以下である。また、第２金めっき液を温度を、第１金めっき液の温度より高く設定することもでき、具体的には、例えば、５℃以上、好ましくは、１０℃以上、高くすることができる。
【0076】
第２めっき槽４２には、第２電極（図示せず）が、第２金めっき液に浸漬されるように、配置されている。第２電極は、第２整流器（図示せず）に接続されている。
【0077】
第２ロール４４は、第２めっき槽４２の搬送方向下流側に配置されている。第２ロール４４は、集合体シート３０を巻取可能に巻回する。
【0078】
［第２工程］
第２工程２の前に、まず、集合体シート３０を、めっき装置４０における第１ロール４３に巻回する。
第２工程２の前に、まず、集合体シート３０を、めっき装置４０における第１ロール４３に巻回する。
【0079】
続いて、図１Ｂに示すように、第２工程２を実施する。
【0080】
第２工程２は、ストライク金めっきである。図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第２工程２では、ステンレス端子２６の表面に形成に形成された不動態膜２５を除去しながら、ステンレス端子２６の表面に第１金めっき層３１を形成する。
【0081】
具体的には、第２工程２を実施するに際し、まず、第１めっきレジスト２７を、回路付サスペンション基板２１に配置する。第１めっきレジスト２７は、ステンレス端子２６およびその近傍を露出し、導体層２４を被覆するパターンで、回路付サスペンション基板２１に配置する。
【0082】
そして、図４に示すように、第２工程２では、集合体シート３０を第１ロール４３から第１めっき槽４１に向けて連続して繰り出す（搬送する）。これにより、ステンレス端子２６（ステンレス支持層２２）を第１金めっき液に浸漬する。なお、第２工程２では、ステンレス支持層２２は、第１めっき槽４１において、第１整流器と電気的に接続される給電ロールなどの給電部材（図示せず）などに接触する。
【0083】
第２工程２では、集合体シート３０は、第１金めっき液中において、第１電極に対向配置される。
【0084】
そして、第１整流器（図示せず）によって、ステンレス端子２６および第１電極（図示せず）の間に電圧が印加される。すると、ステンレス端子２６がカソードとなり、第１電極がアノードとなる。なお、上記した電圧の印加は、ステンレス支持層２２および第１電極（図示せず）への給電により実施する。
【0085】
第２工程２におけるステンレス端子２６における電流密度は、不動態膜２５を確実に除去する観点から、比較的高く、例えば、通常のストライク金めっきのステンレス端子２６における電流密度より高い。ステンレス端子２６における電流密度は、具体的には、例えば、１Ａ／ｄｍ２以上、好ましくは、２Ａ／ｄｍ２以上、より好ましくは、３Ａ／ｄｍ２以上であり、また、例えば、１０００Ａ／ｄｍ２以下である。
【0086】
ステンレス端子２６における電流密度は、ステンレス端子２６の単位面積当たりの電流量であって、印加電流を、ステンレス端子２６の表面積（露出面積）で除した値（印加電流［Ａ］／ステンレス端子２６の表面積［ｄｍ２］）である。
【0087】
第２工程２の印加時間は、例えば、１０秒以上、また、例えば、１００秒以下である。印加時間は、第１めっき槽４１の大きさ（搬送方向における長さ）、および、搬送速度によって設定される。
【0088】
すると、図１Ｂに示すように、不動態膜２５が除去されつつ、第１金めっき層３１がステンレス端子２６の表面に形成される。
【0089】
第１金めっき層３１の厚みは、ステンレス端子２６に通常設けられる金めっき層の厚みに比べて薄い。具体的には、第１金めっき層３１の厚みは、例えば、例えば、２０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。
【0090】
［第３工程］
図１Ｃに示すように、第３工程３では、第２金めっき層３２を第１金めっき層３１の表面に形成する。
図１Ｃに示すように、第３工程３では、第２金めっき層３２を第１金めっき層３１の表面に形成する。
【0091】
第３工程３は、ソフト金めっきである。第３工程３では、第１金めっき層３１の厚みに比べて厚い厚みを有する第２金めっき層３２を、第１金めっき層３１の表面に形成する。
【0092】
図４に示すように、第３工程では、第１めっきレジスト２７が配置され、第１金めっき層３１（図１Ｂ参照）が形成された集合体シート３０を第１めっき槽４１から第２めっき槽４２に搬送する。これにより、第１金めっき層３１（が形成されたステンレス端子２６）を第２金めっき液に浸漬する。なお、第３工程３では、導体層２４は、第２めっき槽４２において、第２整流器と電気的に接続される給電ロールなどの給電部材（図示せず）などに接触する。
【0093】
第３工程３では、集合体シート３０は、第２金めっき液中において、第２電極に対向配置される。
【0094】
そして、第２整流器（図示せず）によって、第１金めっき層３１および第２電極の間に電圧が印加される。すると、第１金めっき層３１がカソードとなり、第２電極がアノードとなる。なお、上記した電圧の印加は、ステンレス支持層２２および第２電極（図示せず）への給電により実施する。
【0095】
第３工程３の第１金めっき層３１における電流密度は、第２工程２のステンレス端子２６における電流密度に対して低く、具体的には、例えば、２００Ａ／ｄｍ２以下、好ましくは、１０Ａ／ｄｍ２以下、より好ましくは、１．０Ａ／ｄｍ２以下であり、また、例えば、０．１Ａ／ｄｍ２以上である。第２工程２のステンレス端子２６における電流密度の、第３工程３の第１金めっき層３１における電流密度に対する比（第２工程２のステンレス端子２６における電流密度／第３工程３の第１金めっき層３１における電流密度）は、例えば、１超過、好ましくは、５以上、より好ましくは、１０以上であり、また、例えば、１００以下である。
【0096】
第１金めっき層３１における電流密度は、第１金めっき層３１の単位面積当たりの電流量であって、印加電流を、第１金めっき層３１の表面積（露出面積）で除した値（印加電流［Ａ］／第１金めっき層３１の表面積［ｄｍ２］）である。
【0097】
第３工程３の印加時間は、例えば、３０秒以上であり、また、例えば、６００秒以下である。印加時間は、第１めっき槽４１の大きさ（搬送方向における長さ）、および、搬送速度によって設定される。
【0098】
これにより、第２金めっき層３２が第１金めっき層３１の表面に形成される。第２金めっき層３２の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、５０００ｎｍ以下、好ましくは、３０００ｎｍ以下である。第２金めっき層３２の厚みの、第１金めっき層３１の厚みに対する比は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．４以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、１０以下である。
【0099】
また、第１金めっき層３１および第２金めっき層３２は、金めっき層３５を形成する。金めっき層３５は、第１金めっき層３１および第２金めっき層３２のみからなる。図１Ｃ～図２Ｆにおいて、第１金めっき層３１および第２金めっき層３２の間に境界線が描画されているが、金めっき層３５は、実質的に単一の層からなる。金めっき層３５の厚みは、第１金めっき層３１の厚みおよび第２金めっき層３２の厚みの合計であり、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。
【0100】
その後、図示しないが、第１めっきレジスト２７を除去する。
【0101】
その後、回路付サスペンション基板２１を第２ロール４４に巻き取る。
【0102】
［第４工程および第５工程］
図２Ｄに示すように、第４工程４において、第３金めっき層３３を導体端子２８の表面に形成し、その後、図２Ｅに示すように、第５工程５において、第４金めっき層３４を第３金めっき層３３の形成する。
図２Ｄに示すように、第４工程４において、第３金めっき層３３を導体端子２８の表面に形成し、その後、図２Ｅに示すように、第５工程５において、第４金めっき層３４を第３金めっき層３３の形成する。
【0103】
図４に示すように、第４工程４および第５工程５は、第２工程２および第３工程３で用いためっき装置４０を再度用いる。つまり、めっき装置４０を共用する。
【0104】
第４工程４を実施する前に、図２Ｄに示すように、第２めっきレジスト２９を、導体端子２８およびその近傍を露出し、第１金めっき層３１および第２金めっき層３２を含むステンレス支持層２２を被覆するパターンで、回路付サスペンション基板２１に配置する。
【0105】
第４工程４は、ストライク金めっきである。第４工程４における動作および第１金めっき液は、第２工程２におけるそれらと同一である。具体的には、第４工程４では、集合体シート３０を第１ロール４３から第１めっき槽４１に向けて連続して繰り出す（搬送する）。これにより、導体端子２８を第１金めっき液に浸漬する。つまり、第２工程２および第４工程４は、共通の第１めっき槽４１で実施する。また、第４工程４における動作は、第２工程２におけるそれと同一である。また、第２工程２および第４工程４は、共通の第１めっき槽４１で実施する。
【0106】
但し、第４工程４における電流密度は、通常のストライク金めっきの電流密度である。
【0107】
第４工程４の導体端子２８における電流密度は、通常のストライク金めっきの導体端子２８における電流密度であって、例えば、０．３Ａ／ｄｍ２以上、また、例えば、２０Ａ／ｄｍ２以下である。導体端子２８における電流密度は、導体端子２８の単位面積当たりの電流量であって、印加電流を、導体端子２８の表面積（露出面積）で除した値（印加電流［Ａ］／導体端子２８の表面積［ｄｍ２］）である。
【0108】
第２工程２のステンレス端子２６における電流密度の、第４工程４の導体端子２８における電流密度に対する比（第２工程２のステンレス端子２６における電流密度／第４工程４の導体端子２８における電流密度）は、例えば、２以上、好ましくは、１０以上、より好ましくは、１５以上、さらに好ましくは、３０以上であり、また、例えば、１０００以下である。上記した比が上記した下限以上であれば、第４工程４における電流密度が過度に高いことに起因する導体材料の第１金めっき液への流出を抑制できる一方、第２工程２において、不動態膜２５をより確実に除去することができる。
【0109】
第４工程４によって、導体端子２８の表面に第３金めっき層３３を形成する。同時に、導体端子２８の表面に付着していた異物（ごみなどを含む）が除去される。
【0110】
第３金めっき層３３の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、５０００ｎｍ以下、好ましくは、３０００ｎｍ以下である。
【0111】
第５工程５は、ソフト金めっきである。第５工程５における動作および第２金めっき液は、第３工程３におけるそれらと同一である。第３工程３および第５工程５は、共通の第２めっき槽４２で実施する。
【0112】
第５工程５における動作は、第３工程３におけるそれと同一である。第３工程３および第５工程５は、共通の第２めっき槽４２で実施する。
【0113】
第５工程５の第３金めっき層３３における電流密度は、通常のストライク金めっきの第３金めっき層３３における電流密度であって、例えば、０．１Ａ／ｄｍ２以上であり、また、例えば、２０Ａ／ｄｍ２以下である。第３金めっき層３３における電流密度は、第３金めっき層３３の単位面積当たりの電流量であって、印加電流を、第３金めっき層３３の表面積（露出面積）で除した値（印加電流［Ａ］／第３金めっき層３３の表面積［ｄｍ２］）である。
【0114】
これによって、第３金めっき層３３および第４金めっき層３４を、導体端子２８の表面に順に形成する。
【0115】
第４金めっき層３４の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．３μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下である。
【0116】
その後、図２Ｆに示すように、第２めっきレジスト２９を除去する。
【0117】
これにより、第１金めっき層３１および第２金めっき層３２（金めっき層３５）が表面に順に形成されたステンレス端子２６と、第３金めっき層３３および第４金めっき層３４が表面に順に形成された導体端子２８とを備える回路付サスペンション基板２１を得る。
【0118】
［第６工程］
第６工程６では、回路付サスペンション基板２１を加熱する。具体的には、第１金めっき層３１、第２金めっき層３２、第３金めっき層３３および第４金めっき層３４を加熱する。
第６工程６では、回路付サスペンション基板２１を加熱する。具体的には、第１金めっき層３１、第２金めっき層３２、第３金めっき層３３および第４金めっき層３４を加熱する。
【0119】
詳しくは、集合体シート３０を、加熱炉を通過するように、搬送する。
【0120】
加熱温度は、例えば、１８０℃以上、好ましくは、２００℃以上であり、また、例えば、３５０℃以下、好ましくは、３００℃以下である。
【0121】
加熱時間は、例えば、０．５時間以上、好ましくは、１時間以上であり、また、例えば、３時間以下、好ましくは、２時間以下である。
【0122】
回路付サスペンション基板２１の加熱によって、第１金めっき層３１および第２金めっき層３２のステンレス端子２６に対する密着性が向上する。同時に、第３金めっき層３３および第４金めっき層３４の導体端子２８に対する密着性が向上する。
【0123】
［作用効果］
そして、この製造方法によれば、第２工程２では、ステンレス支持層２２を、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する第１金めっき液に浸漬するので、第２工程２において、ステンレス支持層２２に給電すると、不動態膜２５を確実に除去しつつ、第１金めっき層をステンレス端子２６の表面に形成することができる。
そして、この製造方法によれば、第２工程２では、ステンレス支持層２２を、強酸を含有せず、弱酸および金化合物を含有する第１金めっき液に浸漬するので、第２工程２において、ステンレス支持層２２に給電すると、不動態膜２５を確実に除去しつつ、第１金めっき層をステンレス端子２６の表面に形成することができる。
【0124】
また、第１金めっき液が強酸を含有しないことから、第４工程において、第１金めっき液を用いれば、導体端子２８に第３金めっき層３３を、導体端子２８の腐食を抑制しながら、形成することができる。さらに、第２工程２および第４工程４を、共通のめっき液、すなわち、同じ第１めっき槽４１で、実施できるので、めっき装置４０および製造工程を簡単にすることができる。そのため、簡易な設備で、第１金めっき層３１をステンレス端子２６に、簡便に形成することができる。
【0125】
また、この製造方法によれば、第３工程３の第２金めっき液における金化合物の含有割合が、第２工程２の第１金めっき液における金化合物の含有割合に比べて、高いので、厚い第２金めっき層３２を効率よく短時間で形成することができる。
【0126】
また、この製造方法において、第２工程２における電流密度の、第４工程における電流密度に対する比が、２以上であれば、第２工程２における電流密度を、第４工程における電流密度より高くできるため、第２工程２において、不動態膜２５をより一層確実に除去することができる。その結果、ステンレス端子２６に対する密着性を有する第１金めっき層３１を備える回路付サスペンション基板２１を製造することができる。
【0127】
また、この製造方法によれば、第２工程２および第４工程４を、共通のめっき浴、すなわち、同じ第１めっき槽４１で、実施するので、めっき装置４０および製造工程を簡単にすることができる。
【0128】
また、この製造方法によれば、第６工程６において、第１金めっき層３１を加熱するので、ステンレス端子２６に対する密着性を有する第１金めっき層３１を備える回路付サスペンション基板２１を製造することができる。
【0129】
さらに、この製造方法によれば、第６工程６において、第１金めっき層３１および第２金めっき層３２を加熱するので、ステンレス端子２６に対する密着性を有する第１金めっき層３１および第２金めっき層を備える回路付サスペンション基板２１を製造することができる。
【0130】
＜変形例＞
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0131】
導体層２４に、ステンレス端子２６と電気的に接続される導通部（図示せず）を、ベース絶縁層２３の絶縁開口部（図示せず）に設け、第２工程２および第３工程３において、導体層２４から、導通部を介して、ステンレス端子２６に給電することができる。また、第４工程４および第５工程５において、ステンレス端子２６から、導通部を介して、導体端子２８に給電することもできる。
【0132】
また、この回路付サスペンション基板２１の製造方法は、洗浄工程および乾燥工程を備えることができる。洗浄工程および乾燥工程は、例えば、図３において図示しないが、各工程の間に挿入される。
【0133】
図３に示すように、一実施形態では、回路付サスペンション基板２１の製造方法は、第３工程３を備える。しかし、この製造方法は、図５に示すように、第３工程３を備えず、第２工程２および第４工程４を連続して実施することができる。
【0134】
この場合には、第２工程２によって、第１金めっき層３１のみからなる金めっき層３５を形成する。この変形例の第２工程２における印加時間は、一実施形態の第２工程２における印加時間に比べて長い。
【0135】
好ましくは、図３に示すように、回路付サスペンション基板２１は、第３工程３を備える。
【0136】
第３工程では、第１金めっき液における金化合物の含有割合に比べて高い金化合物の含有割合を有する第２金めっき液を用いるので、厚い第２金めっき層３２を短時間で形成し、ひいては、厚い金めっき層３５を短時間で形成することができる。
【0137】
一実施形態では、図３に示すように、第６工程６を、第５工程５の後に実施している。
【0138】
【0139】
図６に示す変形例では、第６工程６は、第２工程２の後で、第３工程３の前に実施される。第６工程６において、第１金めっき層３１を加熱する。そのため、ステンレス端子２６に対する密着性を有する第１金めっき層３１を備える回路付サスペンション基板２１を製造することができる。
【0140】
さらに、図７に示す変形例では、第６工程６は、第３工程３の後で、第４工程４の前に実施される。第６工程６において、第１金めっき層３１および第３金めっき層３３を加熱する。そのため、ステンレス端子２６に対する密着性を有する第１金めっき層３１および第２金めっき層を備える回路付サスペンション基板２１を製造することができる。
【0141】
上記した一実施形態および変形例は、適宜組み合わせることができる。例えば、第６工程６を、２回実施することができ、例えば、図３および図６が参照されるように、第２工程２の直後、および、第５工程５の直後に実施することができる。また、図３および図７が参照されるように、第３工程３の直後、および、第５工程５の直後に実施することもできる。
【0142】
【0143】
【0144】
しかし、この変形例では、例えば、図８Ａに示すように、第１の回路付サスペンション基板２１Ａに第１金めっき層３１を第１金めっき浴を用いて形成し、別途、図９Ａに示すように、第１の回路付サスペンション基板２１Ａとは異なる種類の第２の回路付サスペンション基板２１Ｂに、第３金めっき層３３を第１金めっき浴を用いて形成することができる。
【0145】
【0146】
図８Ａおよび図８Ｂに示すように、第１の回路付サスペンション基板２１Ａは、例えば、導体端子２８に第３金めっき層３３および第４金めっき層３４を形成することなく、製品として出荷される。つまり、第１の回路付サスペンション基板２１Ａの製造方法は、第４工程４および第５工程５を備えず、第１金めっき層３１を形成する第２工程２（図８Ａ参照）および第２金めっき層３２を形成する第３工程３（図８Ｂ参照）を備える。
【0147】
一方、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第２の回路付サスペンション基板２１Ｂは、ステンレス端子２６に第１金めっき層３１および第２金めっき層３２を形成せず、ステンレス端子２６に不動態膜２５を残存させたまま、製品として出荷される。つまり、第２の回路付サスペンション基板２１Ｂの製造方法は、第２工程２および第３工程３を備えず、第３金めっき層３３を形成する第４工程４（図９Ａ参照）および第４金めっき層３４を形成する第５工程５（図９Ｂ参照）を備える。
【0148】
この変形例によっても上記と同様の作用効果を奏することができる。さらに、設備数の低減が図られためっき装置４０によって第１の回路付サスペンション基板２１Ａおよび第２の回路付サスペンション基板２１Ｂのそれぞれを製造することができる。
【0149】
また、一実施形態では、本発明の配線回路基板の例示として回路付サスペンション基板２１を例示しているが、これに限定されない。例えば、本発明の配線回路基板を、ステンレス支持層２２を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板など、他の配線回路基板にも適用することができる。
【0150】
上記した各変形例は、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【0151】
さらに、上記した各変形例は、適宜組み合わせることができる。
【実施例】
【0152】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【0153】
実施例１
図３に示すように、第１工程１、第２工程２、第３工程３、第４工程４、第５工程５および第６工程６を順に備える製造方法によって、回路付サスペンション基板２１を製造した。
図３に示すように、第１工程１、第２工程２、第３工程３、第４工程４、第５工程５および第６工程６を順に備える製造方法によって、回路付サスペンション基板２１を製造した。
【0154】
具体的には、第１工程１では、図１Ａに示すように、ステンレス端子２６を有するステンレス支持層２２と、ステンレス支持層２２の上面に配置されるベース絶縁層２３と、ベース絶縁層２３の上面に配置され、導体端子２８を有する導体層２４と、ベース絶縁層２３の上面に、導体端子２８を露出するカバー絶縁層とを備える回路付サスペンション基板２１を用意した。
【0155】
ステンレス支持層２２（ステンレス端子２６）は、ＳＵＳ３０４からなり、その厚みは、２５μｍであった。ステンレス支持層２２の表面には、厚み５ｎｍの不動態膜２５が形成されていた。
【0156】
ベース絶縁層２３は、ポリイミドからなり、その厚みが、１０μｍであった。
【0157】
導体層２４（導体端子２８）は、銅からなり、その厚みが、２０μｍであった。
【0158】
カバー絶縁層は、ポリイミドからなっていた。
【0159】
また、上記した回路付サスペンション基板２１が複数整列配置された集合体シート３０を用意した。
【0160】
次いで、図１Ｂに示すように、第１めっきレジスト２７を、ステンレス端子２６およびその近傍を露出し、導体層２４を被覆するように、回路付サスペンション基板２１に配置した。
【0161】
別途、図４に示すように、第１ロール４３、第１めっき槽４１、第２めっき槽４２および第２ロール４４を、集合体シート３０の搬送方向に向かって順に備えるめっき装置４０を用意した。
【0162】
第１めっき槽４１には、以下の組成および温度を有する第１金めっき液が、第１電極を浸漬するように、満たされている。
＜第１金めっき液＞
シアン化金カリウム（ＫＡｕ（ＣＮ）２） ０．１５質量％
（金濃度１ｇ／Ｌ）
有機酸 ９～１１質量％
有機酸塩 ７～９質量％
ｐＨ ３．５～４．０
温度 ５０℃
第２めっき槽４２には、以下の組成および温度を有する第２金めっき液が、第２電極を浸漬するように、満たされている。
＜第２金めっき液＞
シアン化金カリウム（ＫＡｕ（ＣＮ）２） １．１７質量％
（金濃度８ｇ／Ｌ）
有機酸塩 １０～１５質量％
無機酸塩 ２～３質量％
硫酸タリウム ０．００１質量％
ｐＨ ６．５
温度 ６５℃
そして、上記した集合体シート３０をめっき装置４０に設置した。具体的には、集合体シート３０を第１ロール４３に巻回した。
＜第１金めっき液＞
シアン化金カリウム（ＫＡｕ（ＣＮ）２） ０．１５質量％
（金濃度１ｇ／Ｌ）
有機酸 ９～１１質量％
有機酸塩 ７～９質量％
ｐＨ ３．５～４．０
温度 ５０℃
第２めっき槽４２には、以下の組成および温度を有する第２金めっき液が、第２電極を浸漬するように、満たされている。
＜第２金めっき液＞
シアン化金カリウム（ＫＡｕ（ＣＮ）２） １．１７質量％
（金濃度８ｇ／Ｌ）
有機酸塩 １０～１５質量％
無機酸塩 ２～３質量％
硫酸タリウム ０．００１質量％
ｐＨ ６．５
温度 ６５℃
そして、上記した集合体シート３０をめっき装置４０に設置した。具体的には、集合体シート３０を第１ロール４３に巻回した。
【0163】
次いで、ストライク金めっきである第２工程２を実施した。
【0164】
具体的には、図４に示すように、第２工程２では、集合体シート３０を第１ロール４３から第１めっき槽４１に向けて連続して繰り出した（搬送した）。これにより、ステンレス端子２６（ステンレス支持層２２）を第１金めっき液に浸漬した。
【0165】
そして、第２工程２では、第１整流器によって、ステンレス端子２６および第１電極の間に電圧を印加した。ステンレス端子２６における電流密度は、２０Ａ／ｄｍ２であった。印加時間は、２５秒であった。
【0166】
すると、図１Ｂに示すように、不動態膜２５が除去されつつ、第１金めっき層３１がステンレス端子２６の表面に形成された。第１金めっき層３１の厚みは、１５０ｎｍであった。
【0167】
次いで、ソフト金めっきである第３工程３を実施した。
【0168】
具体的には、図４に示すように、第３工程３では、第１金めっき層３１が形成された集合体シート３０を、第２めっき槽４２に向けて連続して繰り出した（搬送した）。これにより、第１金めっき層３１を第２金めっき液に浸漬した。
【0169】
そして、第３工程３では、第２整流器によって、第１金めっき層３１および第２電極の間に電圧を印加した。ステンレス端子２６（第１金めっき層３１）における電流密度は、０．３Ａ／ｄｍ２であった。印加時間は、３００秒であった。
【0170】
図１Ｃに示すように、これにより、第２金めっき層３２が第１金めっき層３１の表面に形成された。第２金めっき層３２の厚みは、７０ｎｍであった。
【0171】
その後、第１めっきレジスト２７を除去した。
【0172】
その後、図２Ｄに示すように、第２めっきレジスト２９を、導体端子２８およびその近傍を露出し、ステンレス端子２６（およびその表面に形成された第１金めっき層３１および第２金めっき層３２）を含むステンレス支持層２２を被覆するように、配置した。
【0173】
その後、図４に示すように、第２めっきレジスト２９が配置された集合体シート３０を第２ロール４４で巻き取った。
【0174】
その後、集合体シート３０の導体端子２８に対して、ストライク金めっきを、上記と同一のめっき装置４０を用いて、施した。集合体シート３０を巻き取った第２ロール４４を、ステンレス端子２６に対するストライク金めっきで用いためっき装置４０と同じめっき装置の第１ロール４３として、第１めっき槽４１の上流側に配置した。
【0175】
具体的には、ストライク金めっきである第４工程４では、図４に示すように、集合体シート３０を第１ロール４３から第１めっき槽４１（第２工程２と共通の第１めっき槽４１）に向けて連続して繰り出した（搬送した）。これにより、導体端子２８を第１金めっき液に浸漬した。
【0176】
第４工程４では、第１整流器によって、導体端子２８および第１電極の間に電圧を印加した。導体端子２８における電流密度は、１Ａ／ｄｍ２であった。印加時間は、２５秒であった。
【0177】
すると、図２Ｄに示すように、導体端子２８の表面に付着する異物（ごみなどを含む）が除去されながら、第３金めっき層３３が導体端子２８の表面に形成された。第３金めっき層３３の厚みは、１００ｎｍであった。
【0178】
次いで、ソフト金めっきである第５工程５を実施した。
【0179】
図４に示すように、具体的には、第５工程５では、第３金めっき層３３が形成された集合体シート３０を、第２めっき槽４２（第３工程３と共通の第２めっき槽４２）に向けて連続して繰り出した（搬送した）。これにより、第３金めっき層３３を第２金めっき液に浸漬した。
【0180】
そして、ソフト金めっきである第５工程５では、第２整流器によって、第３金めっき層３３および第２電極の間に電圧を印加した。第３金めっき層３３における電流密度は、１．７Ａ／ｄｍ２であった。印加時間は、３００秒であった。
【0181】
図２Ｅに示すように、これにより、第４金めっき層３４が第３金めっき層３３の表面に形成された。第４金めっき層３４の厚みは、４００ｎｍであった。
【0182】
図２Ｆに示すように、その後、第２めっきレジスト２９を除去した。
【0183】
集合体シート３０を第２ロール４４で巻き取った。
【0184】
図４に示すように、これにより、不動態膜２５が除去され、第１金めっき層３１および第２金めっき層３２が順に形成されたステンレス端子２６と、第３金めっき層３３および第４金めっき層３４が順に形成された導体端子２８とを備える回路付サスペンション基板２１を得た。
【0185】
その後、第６工程６を実施した。具体的には、集合体シート３０を、真空下雰囲気下で加熱した。加熱温度は、２００℃、加熱時間は、１時間であった。
【符号の説明】
【0186】
１ 第１工程
２ 第２工程
３ 第３工程
４ 第４工程
５ 第５工程
６ 第６工程
２１ 回路付サスペンション基板
２４ 導体層
２５ 不動態膜
２６ ステンレス端子
２８ 導体端子
３１ 第１金めっき層
３２ 第２金めっき層
３３ 第３金めっき層
３４ 第４金めっき層
２ 第２工程
３ 第３工程
４ 第４工程
５ 第５工程
６ 第６工程
２１ 回路付サスペンション基板
２４ 導体層
２５ 不動態膜
２６ ステンレス端子
２８ 導体端子
３１ 第１金めっき層
３２ 第２金めっき層
３３ 第３金めっき層
３４ 第４金めっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】