特許 7145413 プリント回路板、電子機器、および熱伝導シート

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-09-22

(45)【発行日】2022-10-03

(54)【発明の名称】プリント回路板、電子機器、および熱伝導シート

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20220926BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20220926BHJP

   H05K 7/20 20060101ALI20220926BHJP

   H01L 23/373 20060101ALI20220926BHJP

   H01L 23/36 20060101ALI20220926BHJP

【ＦＩ】

H05K9/00 U

H05K1/02 F

H05K7/20 F

H01L23/36 M

H01L23/36 D

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2018201227

(22)【出願日】2018-10-25

(65)【公開番号】P2020068336

(43)【公開日】2020-04-30

【審査請求日】2021-10-04

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000242231

【氏名又は名称】北川工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100149548

【弁理士】

【氏名又は名称】松沼 泰史

(74)【代理人】

【識別番号】100140774

【弁理士】

【氏名又は名称】大浪 一徳

(74)【代理人】

【識別番号】100114937

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 裕幸

(74)【代理人】

【識別番号】100196058

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 彰雄

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 正明

(72)【発明者】

【氏名】大森 俊之

(72)【発明者】

【氏名】松崎 徹

(72)【発明者】

【氏名】川口 康弘

(72)【発明者】

【氏名】齋藤 政宏

(72)【発明者】

【氏名】三ツ矢 堅祐

【審査官】黒田 久美子

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１１－１９２９７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／１６４４０６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－０７３９１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２２１０６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１８５８９３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ９／００

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ７／２０

Ｈ０１Ｌ ２３／３７３

Ｈ０１Ｌ ２３／３６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、
前記実装面に設けられた電子素子と、
前記電子素子に対して前記第１の側に配置され、前記電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、
前記電子素子と前記放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、
を備え、
前記熱伝導部材は、
磁性体を含む高比透磁率部と、
前記高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、
を有し、
前記高比透磁率部は、前記熱伝導部材が有する前記第１の側を向く第１面と前記第１の側に対して逆側の第２の側を向く第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲み、
前記低比誘電率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、前記電子素子に対して少なくとも一部が重なっていることを特徴とするプリント回路板。

【請求項2】

前記低比誘電率部の比誘電率は、８．０以下である、請求項１に記載のプリント回路板。

【請求項3】

第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、
前記実装面に設けられた電子素子と、
前記電子素子に対して前記第１の側に配置され、前記電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、
前記電子素子と前記放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、
を備え、
前記熱伝導部材は、
磁性体を含む高比透磁率部と、
比誘電率が８．０以下である低比誘電率部と、
を有し、
前記高比透磁率部は、前記熱伝導部材が有する前記第１の側を向く第１面と前記第１の側に対して逆側の第２の側を向く第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲み、
前記低比誘電率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、前記電子素子に対して少なくとも一部が重なっていることを特徴とするプリント回路板。

【請求項4】

前記高比透磁率部は、前記低比誘電率部を囲む枠状であり、前記熱伝導部材の前記第１面および前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲んでいる、請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路板。

【請求項5】

前記高比透磁率部は、前記所定方向において前記低比誘電率部と前記放熱部材との間に位置する部分を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路板。

【請求項6】

前記熱伝導部材は、前記所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも大きく、前記電子素子の全体と重なっている、請求項１から５のいずれか一項に記載のプリント回路板。

【請求項7】

前記熱伝導部材の前記第２面における前記低比誘電率部が設けられた領域は、前記所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも大きく、前記電子素子の全体と重なっている、請求項６に記載のプリント回路板。

【請求項8】

前記熱伝導部材は、シート状である、請求項１から７のいずれか一項に記載のプリント回路板。

【請求項9】

請求項１から８のいずれか一項に記載のプリント回路板を備えることを特徴とする電子機器。

【請求項10】

第１面と、前記第１面の逆側の第２面と、を有する熱伝導シートであって、
磁性体を含む高比透磁率部と、
前記高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、
を備え、
前記高比透磁率部は、前記第１面と前記第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲むことを特徴とする熱伝導シート。

【請求項11】

第１面と、前記第１面の逆側の第２面と、を有する熱伝導シートであって、
磁性体を含む高比透磁率部と、
比誘電率が８．０以下である低比誘電率部と、
を備え、
前記高比透磁率部は、前記第１面と前記第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲むことを特徴とする熱伝導シート。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プリント回路板、電子機器、および熱伝導シートに関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、特許文献１に示すように、プリント基板に設けられたＩＣに対して放熱用金属板が取り付けられた電子機器ユニットが知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平９－１７９２１号公報

【文献】特開平７－１４９５０号公報

【文献】特開平１１－３０７９７４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記のような電子機器ユニット（プリント回路板）において、放熱用金属板（放熱部材）とＩＣ（電子素子）との間に、例えば、特許文献２に示すような放熱シート等の熱伝導部材を設ける場合がある。しかし、このような熱伝導部材を設けると、ＩＣを不要輻射源として電子機器ユニットから放出される不要輻射ノイズ（電磁ノイズ）が増大する問題があった。この問題に対して、例えば、特許文献３に示すように、シールドケースによってＩＣ全体を囲むことで、不要輻射ノイズを遮蔽することが考えられる。しかし、この場合には、電子機器ユニットの部品点数が増加する、電子機器ユニットが大型化する等の問題があった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント回路板の一つの態様は、第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、前記実装面に設けられた電子素子と、前記電子素子に対して前記第１の側に配置され、前記電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、前記電子素子と前記放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、を備え、前記熱伝導部材は、磁性体を含む高比透磁率部と、前記高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、を有し、前記高比透磁率部は、前記熱伝導部材が有する前記第１の側を向く第１面と前記第１の側に対して逆側の第２の側を向く第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲み、前記低比誘電率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、前記電子素子に対して少なくとも一部が重なっていることを特徴とする。

【0006】

前記低比誘電率部の比誘電率は、８．０以下である構成としてもよい。

【0007】

本発明のプリント回路板の一つの態様は、第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、前記実装面に設けられた電子素子と、前記電子素子に対して前記第１の側に配置され、前記電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、前記電子素子と前記放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、を備え、前記熱伝導部材は、磁性体を含む高比透磁率部と、比誘電率が８．０以下である低比誘電率部と、を有し、前記高比透磁率部は、前記熱伝導部材が有する前記第１の側を向く第１面と前記第１の側に対して逆側の第２の側を向く第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲み、前記低比誘電率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、前記電子素子に対して少なくとも一部が重なっていることを特徴とする。

【0008】

前記高比透磁率部は、前記低比誘電率部を囲む枠状であり、前記熱伝導部材の前記第１面および前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲んでいる構成としてもよい。

【0009】

前記高比透磁率部は、前記所定方向において前記低比誘電率部と前記放熱部材との間に位置する部分を有する構成としてもよい。

【0010】

前記熱伝導部材は、前記所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも大きく、前記電子素子の全体と重なっている構成としてもよい。

【0011】

前記熱伝導部材の前記第２面における前記低比誘電率部が設けられた領域は、前記所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも大きく、前記電子素子の全体と重なっている構成としてもよい。

【0012】

前記熱伝導部材は、シート状である構成としてもよい。

【0013】

本発明の電子機器の一つの態様は、上記のプリント回路板を備えることを特徴とする。

【0014】

本発明の熱伝導シートの一つの態様は、第１面と、前記第１面の逆側の第２面と、を有する熱伝導シートであって、磁性体を含む高比透磁率部と、前記高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、を備え、前記高比透磁率部は、前記第１面と前記第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲むことを特徴とする。

【0015】

本発明の熱伝導シートの一つの態様は、第１面と、前記第１面の逆側の第２面と、を有する熱伝導シートであって、磁性体を含む高比透磁率部と、比誘電率が８．０以下である低比誘電率部と、を備え、前記高比透磁率部は、前記第１面と前記第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記低比誘電率部を一周に亘って囲むことを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】第１実施形態のプロジェクターを示す概略構成図である。

【図2】第１実施形態のプリント回路板を示す断面図である。

【図3】第１実施形態の熱伝導部材を下側から見た平面図である。

【図4】第２実施形態のプリント回路板を示す断面図である。

【図5】実施例および比較例１，２における不要輻射ノイズのうち水平偏波の測定結果を示すグラフである。

【図6】実施例および比較例１，２における不要輻射ノイズのうち垂直偏波の測定結果を示すグラフである。

【図7】各サンプルにおける不要輻射ノイズのうち水平偏波の測定結果を示すグラフである。

【図8】各サンプルにおける不要輻射ノイズのうち垂直偏波の測定結果を示すグラフである。

【図9】比較形態のプリント回路板を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係るプリント回路板、およびプリント回路板を備える電子機器について説明する。以下の実施形態では、電子機器としてプロジェクターを例に挙げて説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。

【0018】

＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態のプロジェクター（電子機器）１を示す概略構成図である。
本実施形態のプロジェクター１は、スクリーンＳＣＲ上にカラー画像を投射する投射型画像表示装置である。図１に示すように、プロジェクター１は、光源装置２と、均一照明光学系４０と、色分離光学系３と、光変調装置４Ｒと、光変調装置４Ｇと、光変調装置４Ｂと、合成光学系５と、投射光学装置６と、制御装置５０と、を備えている。光源装置２は、照明光ＷＬを均一照明光学系４０に向けて射出する。

【0019】

均一照明光学系４０は、インテグレーター光学系３１と、偏光変換素子３２と、重畳光学系３３と、を備えている。インテグレーター光学系３１は、第１レンズアレイ３１ａと、第２レンズアレイ３１ｂと、を備えている。均一照明光学系４０は、光源装置２から射出された照明光ＷＬの強度分布を、被照明領域である光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂのそれぞれにおいて均一化する。均一照明光学系４０から射出された照明光ＷＬは、色分離光学系３へ入射する。

【0020】

色分離光学系３は、白色の照明光ＷＬを赤色光ＬＲと緑色光ＬＧと青色光ＬＢとに分離する。色分離光学系３は、第１ダイクロイックミラー７ａと、第２ダイクロイックミラー７ｂと、第１反射ミラー８ａと、第２反射ミラー８ｂと、第３反射ミラー８ｃと、第１リレーレンズ９ａと、第２リレーレンズ９ｂと、を備えている。

【0021】

第１ダイクロイックミラー７ａは、光源装置２からの照明光ＷＬを赤色光ＬＲと、その他の光（緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢ）とに分離する。第１ダイクロイックミラー７ａは、分離された赤色光ＬＲを透過させると共に、その他の光（緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢ）を反射する。一方、第２ダイクロイックミラー７ｂは、その他の光を緑色光ＬＧと青色光ＬＢとに分離する。第２ダイクロイックミラー７ｂは、分離された緑色光ＬＧを反射し、青色光ＬＢを透過させる。

【0022】

第１反射ミラー８ａは、赤色光ＬＲの光路中に配置され、第１ダイクロイックミラー７ａを透過した赤色光ＬＲを光変調装置４Ｒに向けて反射する。一方、第２反射ミラー８ｂおよび第３反射ミラー８ｃは、青色光ＬＢの光路中に配置され、第２ダイクロイックミラー７ｂを透過した青色光ＬＢを光変調装置４Ｂに向けて反射する。また、緑色光ＬＧは、第２ダイクロイックミラー７ｂによって光変調装置４Ｇに向けて反射される。

【0023】

第１リレーレンズ９ａおよび第２リレーレンズ９ｂは、青色光ＬＢの光路中における第２ダイクロイックミラー７ｂの光射出側に配置されている。第１リレーレンズ９ａおよび第２リレーレンズ９ｂは、青色光ＬＢの光路長が赤色光ＬＲの光路長および緑色光ＬＧの光路長よりも長いことに起因した青色光ＬＢの照明分布の違いを修正する。

【0024】

光変調装置４Ｒは、赤色光ＬＲを画像情報に応じて変調し、赤色光ＬＲに対応した画像光を形成する。光変調装置４Ｇは、緑色光ＬＧを画像情報に応じて変調し、緑色光ＬＧに対応した画像光を形成する。光変調装置４Ｂは、青色光ＬＢを画像情報に応じて変調し、青色光ＬＢに対応した画像光を形成する。

【0025】

光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂには、例えば透過型の液晶パネルが用いられている。また、液晶パネルの入射側および射出側には、偏光板（図示せず）がそれぞれ配置され、特定の方向の直線偏光のみを通過させる構成となっている。

【0026】

光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂの入射側には、それぞれフィールドレンズ１０Ｒ、フィールドレンズ１０Ｇ、フィールドレンズ１０Ｂが配置されている。フィールドレンズ１０Ｒ、フィールドレンズ１０Ｇ、およびフィールドレンズ１０Ｂは、それぞれの光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、光変調装置４Ｂに入射する赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、青色光ＬＢの主光線を平行化する。

【0027】

合成光学系５は、光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂから射出された画像光が入射することにより、赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧ，青色光ＬＢに対応した画像光を合成し、合成された画像光を投射光学装置６に向けて射出する。合成光学系５には、例えばクロスダイクロイックプリズムが用いられる。

【0028】

投射光学装置６は、複数の投射レンズから構成されている。投射光学装置６は、合成光学系５により合成された画像光をスクリーンＳＣＲに向けて拡大投射する。これにより、スクリーンＳＣＲ上に画像が表示される。

【0029】

次に、制御装置５０について説明する。
以下の説明においては、適宜図に示すＺ軸方向を上下方向（所定方向）として、各部の相対位置関係等を説明する。Ｚ軸方向のうち正の側（＋Ｚ側）を上側（第１の側）と呼び、Ｚ軸方向のうち負の側（－Ｚ側）を下側（第２の側）と呼ぶ。また、上下方向と直交する方向を水平方向と呼ぶ。
なお、上下方向、水平方向、上側および下側は、単に各部の相対位置関係等を説明するための名称であり、実際の配置関係等は、これらの名称で示す配置関係等と異なっていてもよい。

【0030】

図２は、制御装置５０におけるプリント回路板５１を示す断面図である。図３は、制御装置５０における熱伝導部材５４を下側から見た平面図である。なお、図２における熱伝導部材５４の断面図は、図３におけるＩＩ－ＩＩ断面図である。
制御装置５０は、光源装置２を含むプロジェクター１の各部を制御するメインボードである。図２に示すように、制御装置５０は、プリント回路板５１を備えている。プリント回路板５１は、プリント配線板５２と、電子素子５３と、放熱部材５７と、熱伝導部材（熱伝導シート）５４と、を備えている。

【0031】

プリント配線板５２は、板面が上下方向を向く板状である。プリント配線板５２は、図示を省略するが、例えば紙フェノール、ガラス・エポキシ等の材料からなる基材の少なくとも１つの面に銅箔からなる配線パターンが設けられた構成を有する。プリント配線板５２としては、片面プリント配線板、両面プリント配線板、多層プリント配線板のいずれかが用いられてもよい。また、プリント配線板５２としては、可撓性を持たないリジッドプリント配線板が用いられてもよいし、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板が用いられてもよい。本実施形態においてプリント配線板５２は、配線パターンが設けられた実装面５２ａを有する。実装面５２ａは、プリント配線板５２の板面のうち上側を向く面である。本実施形態において実装面５２ａは、上下方向と直交している。すなわち、上下方向は、実装面５２ａに垂直な所定方向である。

【0032】

電子素子５３は、プリント配線板５２の実装面５２ａに設けられている。電子素子５３は、例えば、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）である。図示は省略するが、電子素子５３は、シリコンからなる半導体チップと、半導体チップを覆うパッケージと、パッケージの下面に設けられた複数の端子と、を備えている。電子素子５３は、複数の端子を介してプリント配線板５２の実装面５２ａに設けられた配線パターンと電気的に接続されている。また、詳細は後述するが、電子素子５３は、発熱源および不要輻射源となる。本実施形態において電子素子５３は、例えば、略直方体状である。図３に示すように、電子素子５３は、上下方向に沿った平面視において、例えば、正方形状である。

【0033】

放熱部材５７は、図２に示すように、電子素子５３に対して上側に配置されている。放熱部材５７は、熱伝導部材５４を介して電子素子５３に取り付けられている。本実施形態において放熱部材５７は、板面が上下方向を向く板状である。放熱部材５７の板面は、例えば、上下方向と直交する。放熱部材５７は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３および熱伝導部材５４よりも大きく、電子素子５３の全体および熱伝導部材５４の全体と重なっている。

【0034】

放熱部材５７は、例えば、アルミニウム、銅等の比較的熱伝導率の高い金属からなる平板で構成されている。放熱部材５７は、電子素子５３に対して熱的に接続されている。
なお、本明細書において「ある対象同士が熱的に接続されている」とは、ある対象同士が直接的または間接的に連結されており、ある対象同士の間で熱の移動が生じる状態であればよい。本実施形態では、放熱部材５７が熱伝導部材５４を介して間接的に電子素子５３に連結されており、電子素子５３の熱が熱伝導部材５４を介して放熱部材５７へと移動する。

【0035】

熱伝導部材５４は、電子素子５３から放熱部材５７へと熱を伝達させる部材である。熱伝導部材５４は、誘電体である。熱伝導部材５４は、上下方向において電子素子５３と放熱部材５７との間に配置されている。本実施形態において熱伝導部材５４は、上下方向と直交する水平方向に拡がるシート状である。すなわち、本実施形態において熱伝導部材５４は、熱伝導シートである。熱伝導部材５４は、シート面として、上側を向く上面（第１面）５４ｂと、上面５４ｂの逆側の面であり、下側を向く下面（第２面）５４ａと、を有する。本実施形態において熱伝導部材５４の下面５４ａおよび熱伝導部材５４の上面５４ｂは、上下方向に垂直である。

【0036】

熱伝導部材５４の下面５４ａは、電子素子５３の上面に貼り合わされている。熱伝導部材５４の上面５４ｂは、放熱部材５７の下面に貼り合わされている。熱伝導部材５４と電子素子５３とを貼り合わせる方法、および熱伝導部材５４と放熱部材５７とを貼り合わせる方法は、特に限定されない。熱伝導部材５４と電子素子５３とは、例えば、接着剤等によって貼り合わされている。同様に、熱伝導部材５４と放熱部材５７とは、例えば、接着剤等によって貼り合わされている。なお、熱伝導部材５４の母材が接着性を有する物質であり、熱伝導部材５４と電子素子５３とは、接着剤等なしに直接貼り合わされていてもよい。また、同様に、熱伝導部材５４と放熱部材５７とは、接着剤等なしに直接貼り合わされていてもよい。

【0037】

熱伝導部材５４は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。熱伝導部材５４は、低比誘電率部（第２部分）５５と、高比透磁率部（第１部分）５６と、を有している。

【0038】

低比誘電率部５５は、比誘電率εが比較的小さい部分である。低比誘電率部５５の比誘電率εは、高比透磁率部５６の比誘電率εよりも小さい。低比誘電率部５５の比誘電率εは、８．０以下である。低比誘電率部５５の比誘電率εは、例えば、４．０以下程度が好ましい。これは、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより低減できるためである。低比誘電率部５５は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等で構成されている。低比誘電率部５５は、磁性体を含んでおらず、非磁性の部分である。非磁性である低比誘電率部５５の比透磁率μは、略１．０である。

【0039】

なお、本明細書における比誘電率εは、温度２５℃かつ相対湿度３０％の条件下で、キーサイト・テクノロジー株式会社製のＥ４９９１Ａ ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザを用いて計測した周波数１ＧＨｚにおける値である。また、本明細書における比透磁率μは、温度２５℃かつ相対湿度３０％の条件下で、キーサイト・テクノロジー株式会社製のＥ４９９１Ａ ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザを用いて計測した周波数１ＧＨｚにおける値である。

【0040】

低比誘電率部５５の熱伝導率は、電子素子５３から放熱部材５７へと好適に熱を移動可能な程度に大きく、例えば、０．５以上、２０．０以下程度である。低比誘電率部５５の熱伝導率は、例えば、高比透磁率部５６の熱伝導率よりも大きい。本実施形態において電子素子５３の熱は、低比誘電率部５５を通って放熱部材５７へと伝達される。

【0041】

低比誘電率部５５は、熱伝導部材５４の中央部分である。本実施形態において低比誘電率部５５は、熱伝導部材５４を単独で見たときに、上下方向両側の面が熱伝導部材５４の外部に露出している。低比誘電率部５５の下面５５ａは、熱伝導部材５４の下面５４ａの一部を構成している。低比誘電率部５５の上面５５ｂは、熱伝導部材５４の上面５４ｂの一部を構成している。低比誘電率部５５は、図３に示すように、上下方向に沿った平面視において、例えば、正方形状である。

【0042】

低比誘電率部５５は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。本実施形態では、低比誘電率部５５の下面５５ａおよび上面５５ｂは、上下方向に沿った平面視において、共に電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。すなわち、熱伝導部材５４の下面５４ａにおける低比誘電率部５５が設けられた領域、および熱伝導部材５４の上面５４ｂにおける低比誘電率部５５が設けられた領域は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。低比誘電率部５５の外縁は、図３に示すように、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３の外縁よりも外側に離れた位置に配置されており、電子素子５３の外縁を囲んでいる。図２に示すように、低比誘電率部５５の下面５５ａは、電子素子５３の上面に貼り合わされている。低比誘電率部５５の上面５５ｂは、放熱部材５７の下面に貼り合わされている。

【0043】

高比透磁率部５６は、磁性体を含む部分である。高比透磁率部５６の比透磁率μは、１．０よりも大きい。高比透磁率部５６の比透磁率μは、例えば、３．０以上、１５．０以下程度である。図示は省略するが、高比透磁率部５６は、母材中に複数の磁性体を含んだ構成を有する。母材としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等が用いられる。複数の磁性体のそれぞれは、例えば、針状、棒状、板状等の形状を有する小片であり、長手方向を有する。磁性体としては、例えば、酸化鉄を主成分とするフェライト等の軟磁性材料が用いられる。母材中に含まれる磁性体の量を多くする程、高比透磁率部５６の比透磁率μは、大きくなる。高比透磁率部５６の比誘電率εは、低比誘電率部５５の比誘電率εよりも大きい。高比透磁率部５６の熱伝導率は、特に限定されない。

【0044】

本実施形態において高比透磁率部５６は、図２および図３に示すように、低比誘電率部５５を囲む枠状であり、熱伝導部材５４が有する複数の面のうち上下方向における両側の面（下面５４ａおよび上面５４ｂ）において、低比誘電率部５５を一周に亘って囲んでいる。高比透磁率部５６は、例えば、正方形枠状である。本実施形態の高比透磁率部５６は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも外側に離れて配置されている。低比誘電率部５５は、高比透磁率部５６の内側に嵌め合わされている。高比透磁率部５６の内縁は、低比誘電率部５５の外縁と接触して配置されている。低比誘電率部５５と高比透磁率部５６とは、例えば、接着剤等を用いて接合されてもよい。本実施形態では、高比透磁率部５６の上下方向の寸法は、例えば、低比誘電率部５５の上下方向の寸法と同じである。

【0045】

図２に示すように、高比透磁率部５６の下面５６ａは、熱伝導部材５４の下面５４ａの一部を構成している。高比透磁率部５６の下面５６ａは、低比誘電率部５５の下面５５ａと滑らかに繋がっている。本実施形態において熱伝導部材５４の下面５４ａは、低比誘電率部５５の下面５５ａと高比透磁率部５６の下面５６ａとから構成されている。高比透磁率部５６の下面５６ａは、プリント配線板５２の実装面５２ａの上側に位置し、実装面５２ａと間隔を空けて対向して配置されている。

【0046】

高比透磁率部５６の上面５６ｂは、熱伝導部材５４の上面５４ｂの一部を構成している。高比透磁率部５６の上面５６ｂは、低比誘電率部５５の上面５５ｂと滑らかに繋がっている。本実施形態において熱伝導部材５４の上面５４ｂは、低比誘電率部５５の上面５５ｂと高比透磁率部５６の上面５６ｂとから構成されている。高比透磁率部５６の上面５６ｂは、放熱部材５７の下面と貼り合わされている。

【0047】

以下、本実施形態のプリント回路板５１の作用および効果について説明する。
図９は、比較形態のプリント回路板２５１を示す断面図である。
図９に示すように、比較形態のプリント回路板２５１は、上述した本実施形態のプリント回路板５１に対して、熱伝導部材５４の代わりに熱伝導部材２５４を備えている点が異なる。熱伝導部材２５４は、全体に亘って同様の性質を有する。熱伝導部材２５４の比誘電率εは、８．０よりも大きい。熱伝導部材２５４の比誘電率εは、例えば、１０．０以上である。熱伝導部材２５４の熱伝導率は、例えば、低比誘電率部５５の熱伝導率と同程度である。熱伝導部材２５４は、磁性体を含んでいない非磁性部材である。熱伝導部材２５４は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３と同様の形状および同様の大きさであり、全体が電子素子５３と互いに重なり合っている。

【0048】

プリント回路板２５１からは、電子素子５３を不要輻射源とする不要輻射ノイズ（電磁ノイズ）が放出される。不要輻射ノイズは、電磁波である。プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズは、熱伝導部材２５４が設けられることにより大きくなる。この原理は、以下の通りである。

【0049】

熱伝導部材２５４は誘電体であるため、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズの電界によって、熱伝導部材２５４には誘電分極が生じる。誘電分極が生じると熱伝導部材２５４が図９に仮想的に示すようなコンデンサーＣＳとして機能し、電子素子５３と放熱部材５７との間に電圧が誘起される。このような現象を静電結合と呼ぶ。静電結合が生じることで、電子素子５３と放熱部材５７との間に変位電流が流れる。なお、以下の説明においては、不要輻射ノイズによって静電結合が生じることを、不要輻射ノイズが結合すると表現する。

【0050】

電子素子５３から放出された不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合することによって、放熱部材５７は共振し、不要輻射ノイズを増幅して放出するアンテナとして機能する。以上のような原理により、熱伝導部材２５４が設けられることで、プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズが大きくなる。アンテナとして機能する放熱部材５７から放出される不要輻射ノイズは、放熱部材５７から上方に放出される不要輻射ノイズＮＶである。

【0051】

ここで、熱伝導部材２５４の比誘電率εが大きいほど、仮想的なコンデンサーＣＳの静電容量が大きくなり、静電結合によって誘起される電圧が大きくなる。すなわち、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合しやすくなる。これにより、電子素子５３と放熱部材５７との間に流れる変位電流が大きくなり、放熱部材５７から放出される不要輻射ノイズＮＶがより大きくなる。したがって、熱伝導部材２５４の比誘電率εが大きいほど、プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズが大きくなる。

【0052】

なお、熱伝導部材２５４を設けることによってプリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズが大きくなる現象自体は、従来から知られていたものの、上述した原理については、本発明者らが新たに得た知見である。

【0053】

プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズは、上述した放熱部材５７から放出される不要輻射ノイズＮＶ以外の不要輻射ノイズも含む。具体的には、プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズは、プリント配線板５２と放熱部材５７との間から上下方向と直交する水平方向に放出される不要輻射ノイズＮＨを含む。不要輻射ノイズＮＨが放出される原理は以下の通りである。

【0054】

プリント配線板５２と放熱部材５７との間の空気も誘電体であるため、電子素子５３からの不要輻射ノイズの電界によって誘電分極し、図９に仮想的に示すコンデンサーＣＡとして機能する。なお、コンデンサーＣＡの静電容量は、コンデンサーＣＳの静電容量よりも小さい。空気のコンデンサーＣＡと熱伝導部材２５４のコンデンサーＣＳとプリント配線板５２と電子素子５３と放熱部材５７とによって構成される回路によって、放熱部材５７とプリント配線板５２との間に流れる変位電流が生じる。この変位電流に起因して、誘電体共振が生じて、プリント配線板５２と放熱部材５７との間から水平方向に不要輻射ノイズＮＨが放出される。

【0055】

以上のように、プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズは、上方に向けて放出される不要輻射ノイズＮＶと、水平方向に向けて放出される不要輻射ノイズＮＨと、を含む。

【0056】

本実施形態によれば、熱伝導部材５４は、比誘電率εが高比透磁率部５６よりも小さい低比誘電率部５５を有している。そのため、低比誘電率部５５の比誘電率εを比較的小さくしやすく、低比誘電率部５５がコンデンサーＣＳとして機能する際に、コンデンサーＣＳの静電容量を小さくできる。これにより、電子素子５３から放出された不要輻射ノイズが熱伝導部材５４を介して放熱部材５７に結合しにくくなる。したがって、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズが放熱部材５７によって増幅されることを抑制でき、放熱部材５７から放射される不要輻射ノイズＮＶを小さくできる。その結果、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズ全体を小さくできる。

【0057】

ここで、上述したように、熱伝導部材５４の比誘電率εが不要輻射ノイズの増大に関係していたことは、本発明者らによって新たに得られた知見である。本実施形態のプリント回路板５１は、この新たな知見に基づいて、放出される不要輻射ノイズを小さくすることを実現できるプリント回路板である。

【0058】

また、本実施形態によれば、熱伝導部材５４は、磁性体を含む高比透磁率部５６を有している。磁性体を含むことにより、高比透磁率部５６の比透磁率μは、１．０よりも大きくなる。比透磁率μが１．０よりも大きい部材には、磁束が通りやすいため、内部に磁界が生じやすい。そのため、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズの磁界が引き寄せられて、高比透磁率部５６内を不要輻射ノイズが通りやすい。不要輻射ノイズが高比透磁率部５６内を通ると、高比透磁率部５６内に磁束および電流が生じて熱となり、磁気損失が生じる。これにより、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズのエネルギーが低下し、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをさらに小さくできる。このように、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズのエネルギーを低減できることで、プリント回路板５１から水平方向に放出される不要輻射ノイズＮＨも小さくできる。

【0059】

以上により、本実施形態によれば、低比誘電率部５５と高比透磁率部５６とが設けられることで、熱伝導部材５４によってプリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズを好適に小さくできる。そのため、放熱部材５７および熱伝導部材５４を設けて電子素子５３の放熱性を向上させた場合であっても、シールドケース等の遮蔽部材を設けることなく、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズを抑制できる。これにより、不要輻射ノイズを抑制しつつ、プリント回路板５１が大型化することを抑制できる。したがって、プリント回路板５１が搭載されるプロジェクター１の信頼性を向上させつつ、プロジェクター１が大型化することを抑制できる。

【0060】

また、シールドケース等の遮蔽部材を追加で設ける必要がないため、プリント回路板５１の部品点数が増加することを抑制できる。これにより、プリント回路板５１を組み立てる工数およびコストを低減できる。したがって、プロジェクター１の製造コストを低減できる。また、シールドケース等の遮蔽部材によって電子素子５３の放熱性が低下することも抑制できる。

【0061】

また、低比誘電率部５５は、周波数が比較的低い不要輻射ノイズと放熱部材５７との結合を特に抑制しやすい。一方で、低比誘電率部５５は、周波数が比較的高い不要輻射ノイズについては、周波数が比較的低い不要輻射ノイズに比べて放熱部材５７との結合を生じさせやすい。すなわち、低比誘電率部５５によっては、周波数が比較的低い不要輻射ノイズに比べて、周波数が比較的高い不要輻射ノイズを低減しにくい。

【0062】

一方、高比透磁率部５６は、特に周波数が高い不要輻射ノイズのエネルギーを損失させやすい。そのため、特に周波数が比較的高い不要輻射ノイズを低減できる。したがって、低比誘電率部５５と高比透磁率部５６とを組み合わせることで、比較的低い周波数の不要輻射ノイズと比較的高い周波数の不要輻射ノイズとの両方を低減することができる。

【0063】

ここで、本実施形態のプロジェクター１のような映像機器においては、プリント回路板５１から、比較的低い周波数の不要輻射ノイズと比較的高い周波数の不要輻射ノイズとの両方が放出されやすい。そのため、比較的低い周波数の不要輻射ノイズと比較的高い周波数の不要輻射ノイズとの両方を低減できる効果は、プリント回路板５１が映像機器に搭載される際に、より有用に得られる。
なお、比較的低い周波数とは、例えば、１ＧＨｚよりも小さい周波数である。比較的高い周波数とは、例えば、１ＧＨｚ以上の周波数である。

【0064】

図２では、上述した不要輻射ノイズの抑制効果を、矢印を用いて視覚的に示している。白抜きの矢印ＥＦは、不要輻射ノイズの電界としての挙動を示している。黒い矢印ＭＦは、不要輻射ノイズの磁界としての挙動を示している。なお、各矢印ＥＦ，ＭＦは、あくまで不要輻射ノイズの抑制効果を視覚的に説明するために仮想的に示しているものである。

【0065】

図２において矢印ＥＦで示すように、低比誘電率部５５は、電子素子５３からの不要輻射ノイズが、放熱部材５７と結合することを抑制している。なお、図２では、不要輻射ノイズの抑制効果を分かりやすく示すために、電子素子５３から放熱部材５７側（上側）に放出された不要輻射ノイズが低比誘電率部５５によって遮られているように示しているが、実際には、低比誘電率部５５が存在するために、電子素子５３から放熱部材５７側（上側）に放出される不要輻射ノイズ自体が低減する。

【0066】

また、電子素子５３から水平方向に放出される不要輻射ノイズは、矢印ＥＦで示すように、電界としては高比透磁率部５６を避けるような挙動を示すが、矢印ＭＦで示すように、磁界としては高比透磁率部５６に引き寄せられるような挙動を示す。その結果、電子素子５３から水平方向に放出される不要輻射ノイズは、高比透磁率部５６に引き寄せられて、高比透磁率部５６内を通るような挙動を示す。これにより、高比透磁率部５６において磁気損失が生じる。

【0067】

本実施形態によれば、低比誘電率部５５は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３に対して少なくとも一部が重なっている。そのため、電子素子５３の少なくとも一部の直上には低比誘電率部５５が位置し、低比誘電率部５５と電子素子５３とが連結されている。ここで、電子素子５３から放熱部材５７へと結合する不要輻射ノイズは、電子素子５３と熱伝導部材５４との連結部を通って放熱部材５７へと結合する不要輻射ノイズが多い。そのため、熱伝導部材５４における電子素子５３と連結される部分の少なくとも一部を低比誘電率部５５とすることで、低比誘電率部５５によって、より好適に不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合することを抑制でき、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。

【0068】

また、本実施形態によれば、高比透磁率部５６は、熱伝導部材５４が有する上面５４ｂと下面５４ａとのうち、少なくとも熱伝導部材５４の下面５４ａにおいて、低比誘電率部５５を一周に亘って囲んでいる。そのため、図２において矢印ＭＦで示すように、電子素子５３の側面の全周から水平方向に放出される不要輻射ノイズを高比透磁率部５６に引き寄せて、高比透磁率部５６内に好適に通すことができる。また、高比透磁率部５６内において低比誘電率部５５の周囲を回転するように磁束および電流を流せるため、磁束および電流が流れる経路を長くできる。これらにより、磁気損失を好適に生じさせて不要輻射ノイズのエネルギーを好適に低減でき、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。

【0069】

また、低比誘電率部５５内を上下方向に通過しようとする不要輻射ノイズを、低比誘電率部５５の周囲の高比透磁率部５６に引き寄せることができる。これにより、不要輻射ノイズのエネルギーをより好適に低減でき、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。

【0070】

また、本実施形態によれば、低比誘電率部５５の比誘電率εは、８．０以下である。そのため、低比誘電率部５５の比誘電率εを好適に小さくすることができる。これにより、不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合することをより好適に抑制できる。したがって、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。

【0071】

また、本実施形態によれば、高比透磁率部５６は、低比誘電率部５５を囲む枠状であり、熱伝導部材５４の上面５４ｂおよび下面５４ａにおいて、低比誘電率部５５を一周に亘って囲んでいる。そのため、低比誘電率部５５と枠状の高比透磁率部５６とを、同じ厚さで別々に製造した後に、低比誘電率部５５を高比透磁率部５６の内側に嵌め合わせることで、熱伝導部材５４を製造することができる。そのため、熱伝導部材５４の製造を容易にできる。

【0072】

また、本実施形態によれば、熱伝導部材５４は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。そのため、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズの多くを熱伝導部材５４によって抑制しやすい。

【0073】

また、本実施形態によれば、熱伝導部材５４の下面５４ａにおける低比誘電率部５５が設けられた領域は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。これにより、電子素子５３の全体において直上に低比誘電率部５５が位置し、熱伝導部材５４における電子素子５３と連結された部分は、すべて低比誘電率部５５となる。したがって、低比誘電率部５５によって、より好適に不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合することを抑制でき、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。

【0074】

また、本実施形態によれば、熱伝導部材５４は、シート状の熱伝導シートである。そのため、電子素子５３の形状に合わせて、熱伝導部材５４を電子素子５３の上面に貼り付けやすい。また、放熱部材５７の形状に合わせて、熱伝導部材５４を放熱部材５７の下面に貼り付けやすい。これにより、電子素子５３と放熱部材５７とを熱伝導部材５４を介して密着させることができ、電子素子５３の放熱性を好適に向上できる。

【0075】

＜第２実施形態＞
本実施形態は、第１実施形態に対して、熱伝導部材が異なる。なお、上述した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付す等により説明を省略する場合がある。

【0076】

図４は、本実施形態のプリント回路板１５１を示す断面図である。
本実施形態のプリント回路板１５１は、図４に示すように、プリント配線板５２と、電子素子５３と、放熱部材５７と、熱伝導部材（熱伝導シート）１５４と、を備えている。

【0077】

熱伝導部材１５４は、低比誘電率部（第２部分）５５と、高比透磁率部（第１部分）１５６と、を有している。
高比透磁率部１５６の下面１５６ａの中央部には、上側に窪む凹部１５６ｅが形成されている。図示は省略するが、凹部１５６ｅは、上下方向に沿った平面視において、正方形状である。凹部１５６ｅには、低比誘電率部５５が嵌め合わされている。低比誘電率部５５の外縁は、凹部１５６ｅの内縁と接触して配置されている。低比誘電率部５５と高比透磁率部１５６とは、例えば、接着剤等により接合されていてもよい。凹部１５６ｅが形成されていることで、高比透磁率部１５６には、低比誘電率部５５を囲む枠状の枠部１５６ｃと、上下方向において低比誘電率部５５と放熱部材５７との間に位置する介在部１５６ｄと、が形成されている。

【0078】

枠部１５６ｃは、第１実施形態の高比透磁率部５６と同様の形状である。
介在部１５６ｄは、凹部１５６ｅの底部である。介在部１５６ｄの下面は、低比誘電率部５５の上面と接触している。介在部１５６ｄの上面は、放熱部材５７の下面に貼り合わされている。介在部１５６ｄは、水平方向に拡がる板状である。

【0079】

本実施形態において高比透磁率部１５６は、熱伝導部材１５４の下面（第２面）１５４ａにおいて、低比誘電率部５５を一周に亘って囲んでいる。熱伝導部材１５４の下面１５４ａは、低比誘電率部５５の下面５５ａと高比透磁率部１５６の下面１５６ａとによって構成されている。熱伝導部材１５４の下面１５４ａにおける低比誘電率部５５と高比透磁率部１５６との分布は、第１実施形態の熱伝導部材５４の下面５４ａにおける低比誘電率部５５と高比透磁率部５６との分布と同様である。一方、本実施形態において熱伝導部材１５４の上面（第１面）１５４ｂは、高比透磁率部１５６の上面１５６ｂのみで構成されている。本実施形態において高比透磁率部１５６の上下方向の寸法は、低比誘電率部５５の上下方向の寸法よりも大きい。

【0080】

本実施形態において高比透磁率部１５６の熱伝導率は、電子素子５３から放熱部材５７へと好適に熱を移動可能な程度に大きく、例えば、０．５以上、２０．０以下程度である。本実施形態において電子素子５３の熱は、低比誘電率部５５および高比透磁率部１５６を通って放熱部材５７へと伝達される。

【0081】

高比透磁率部１５６のその他の構成は、第１実施形態の高比透磁率部５６のその他の構成と同様である。プリント回路板１５１のその他の構成は、第１実施形態のプリント回路板５１のその他の構成と同様である。

【0082】

本実施形態によれば、高比透磁率部１５６は、上下方向において低比誘電率部５５と放熱部材５７との間に位置する部分として介在部１５６ｄを有している。そのため、電子素子５３から低比誘電率部５５を上下方向に通過して放熱部材５７へと結合する不要輻射ノイズが生じた場合、当該不要輻射ノイズは、介在部１５６ｄを通ることとなる。これにより、介在部１５６ｄにおける磁気損失によって、低比誘電率部５５および介在部１５６ｄを通って放熱部材５７に結合する不要輻射ノイズのエネルギーを低減することができる。したがって、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズのエネルギーをより小さくすることができ、プリント回路板１５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に低減できる。

【0083】

なお、上述した各実施形態においては、下記の構成を採用することもできる。
低比誘電率部（第２部分）の比誘電率εは、高比透磁率部（第１部分）の比誘電率εよりも小さいか、または８．０以下であるかのいずれか一方であってもよい。すなわち、低比誘電率部の比誘電率εは、高比透磁率部の比誘電率εよりも小さければ、８．０より大きくてもよい。また、低比誘電率部の比誘電率εは、８．０以下であれば、高比透磁率部の比誘電率ε以上であってもよい。低比誘電率部の材質は、上述した比誘電率εの関係を満たし、かつ、熱伝導性を有するならば、特に限定されない。低比誘電率部は、磁性体を含んでいてもよい。低比誘電率部の比透磁率μは、特に限定されない。

【0084】

低比誘電率部は、上下方向に沿った平面視において、電子素子に対して少なくとも一部が重なっていればよい。低比誘電率部は、上下方向に沿った平面視において、電子素子に対して全体が重なっていてもよい。熱伝導部材の下面において低比誘電率部が設けられた領域は、電子素子と同じ大きさか、電子素子より小さくてもよい。

【0085】

高比透磁率部の形状は、少なくとも熱伝導部材の下面において、低比誘電率部を囲んでいるならば、特に限定されない。高比透磁率部は、上下方向に沿った平面視において、電子素子に対して少なくとも一部が重なっていてもよい。高比透磁率部の材質は、磁性体を含んでいるならば、特に限定されない。

【0086】

熱伝導部材は、低比誘電率部および高比透磁率部以外の部分を有していてもよい。熱伝導部材は、例えば、低比誘電率部と高比透磁率部との間に、低比誘電率部および高比透磁率部のいずれとも異なる性質を有する部分を有していてもよい。熱伝導部材は、上下方向に沿った平面視において、電子素子より小さくてもよいし、電子素子の一部のみと重なっていてもよい。熱伝導部材は、シート状でなくてもよい。

【0087】

電子素子は、プリント配線板の実装面に設けられる素子であれば、特に限定されない。電子素子は、例えば、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のトランジスタ等であってもよい。放熱部材は、電子素子に熱的に接続されて、電子素子の放熱を行えるならば、特に限定されない。放熱部材は、例えば放熱用のフィンを備えたヒートシンクであってもよい。

【0088】

また、上記の第１実施形態において、透過型のプロジェクターに本発明を適用した場合の例について説明したが、本発明は、反射型のプロジェクターにも適用することも可能である。ここで、「透過型」とは、液晶パネル等を含む液晶ライトバルブが光を透過するタイプであることを意味する。「反射型」とは、液晶ライトバルブが光を反射するタイプであることを意味する。なお、光変調装置は、液晶パネル等に限られず、例えばマイクロミラーを用いた光変調装置であってもよい。

【0089】

また、上記の第１実施形態において、３つの光変調装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを用いたプロジェクター１の例を挙げたが、本発明は、１つの光変調装置のみを用いたプロジェクター、４つ以上の光変調装置を用いたプロジェクターにも適用可能である。
また、プリント回路板が搭載される電子機器は、プロジェクターに限られず、他の電子機器であってもよい。
また、本明細書において説明した各構成は、相互に矛盾しない範囲内において、適宜組み合わせることができる。

【実施例】

【0090】

実施例と比較例１，２とを比べて本発明の有用性について確認した。実施例は、上述した第１実施形態と同様の熱伝導部材を備えるプリント回路板とした。実施例における低比誘電率部の材質はアクリル樹脂とし、比誘電率εは６．１とした。実施例における低比誘電率部は、磁性体を含まない非磁性の部分とした。すなわち、実施例における低比誘電率部の比透磁率μは、略１．０である。実施例における高比透磁率部は、母材としてのアクリル樹脂にフェライトが混合された構成とした。実施例における高比透磁率部の比透磁率μは、１３．０とした。実施例における高比透磁率部の比誘電率εは、１０．８とした。実施例の熱伝導部材において、低比誘電率部の厚さと高比透磁率部の厚さとは、互いに同じであり、３．５ｍｍとした。なお、熱伝導部材をプリント回路板に組み込んだ状態では、熱伝導部材が放熱部材と電子素子とに押圧されて潰され、低比誘電率部の厚さと高比透磁率部の厚さとが約３．０ｍｍとなる。

【0091】

比較例１，２は、全体に亘って一様な性質を有する熱伝導部材を備えるプリント回路板とした。比較例１，２における熱伝導部材の外形状および外形寸法は、実施例における熱伝導部材の外形状および外形寸法と同じとした。比較例１は、全体が実施例の低比誘電率部と同様の材質および物性を有する熱伝導部材とした。比較例２は、全体が実施例の高比透磁率部と同様の材質および物性を有する熱伝導部材とした。
実施例および比較例１，２共に、プリント配線板は、多層プリント配線板とし、電子素子は、ＬＳＩとした。放熱部材は、アルミニウム製の放熱板とした。

【0092】

実施例および比較例１，２のそれぞれにおいて、ＬＳＩを作動させて、８００ＭＨｚ、１６００ＭＨｚ、２４００ＭＨｚのそれぞれの周波数を有する不要輻射ノイズの測定を行った。不要輻射ノイズの測定は、周波数ごとに水平偏波と垂直偏波とのそれぞれについて行った。

【0093】

不要輻射ノイズの測定は、国際無線障害特別委員会（ＣＩＳＰＲ）が定める国際規格に基づいて、電界強度測定システムが備えられた電波暗室で行った。測定結果を図５および図６に示す。図５は、不要輻射ノイズのうち水平偏波の測定結果を示すグラフである。図６は、不要輻射ノイズのうち垂直偏波の測定結果を示すグラフである。図５および図６において、横軸は、不要輻射ノイズのノイズ周波数［ＭＨｚ］であり、縦軸は、不要輻射ノイズのノイズレベル［ｄＢ］である。

【0094】

図５および図６に示すように、実施例のノイズレベルは、水平偏波および垂直偏波における８００ＭＨｚ、１６００ＭＨｚ、２４００ＭＨｚのいずれにおいても、比較例１，２におけるノイズレベルよりも小さくなっていることが確かめられた。

【0095】

また、８００ＭＨｚでは比較例２に比べて比較例１の方がノイズレベルを小さくできているのに対して、１６００ＭＨｚおよび２４００ＭＨｚでは比較例１に比べて比較例２の方がノイズレベルを小さくできていることが確かめられた。これにより、１ＧＨｚよりも低い周波数の不要輻射ノイズに対しては、比誘電率εを小さくすることが不要輻射ノイズの抑制に対して有用である一方、磁性体を含ませて比透磁率μを１．０よりも大きくすることについては、不要輻射ノイズの抑制に対する寄与が比較的小さいことが確かめられた。また、１ＧＨｚ以上の周波数の不要輻射ノイズに対しては、磁性体を含ませて比透磁率μを１．０よりも大きくすることが有用である一方、比誘電率εを小さくすることについては、抑制に対する寄与が比較的小さいことが確かめられた。したがって、比誘電率εを小さくすることと比透磁率μを大きくすることとは、いずれか一方だけでは、不要輻射ノイズの抑制として不十分であることが確かめられた。
以上により、低比誘電率部と高比透磁率部との両方を有する本実施例の有用性が確かめられた。

【0096】

次に、比誘電率εが異なる複数のサンプルを熱伝導部材として、上述した実施例および比較例１，２と同様の測定を行った。サンプルは、サンプルＳＡ～ＳＨの８つ用意した。各サンプルＳＡ～ＳＨは、それぞれ全体に亘って一様な性質を有する熱伝導部材とした。サンプルＳＡ，ＳＥの母材は、アクリル樹脂とした。サンプルＳＢ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＦ，ＳＧ，ＳＨは、母材としてのアクリル樹脂にフェライトが混合された構成とした。

【0097】

サンプルＳＡの比誘電率εは、２．１とした。サンプルＳＢの比誘電率εは、４．８とした。サンプルＳＣの比誘電率εは、５．４とした。サンプルＳＤの比誘電率εは、５．９とした。サンプルＳＥの比誘電率εは、６．１とした。サンプルＳＦの比誘電率εは、６．４とした。サンプルＳＧの比誘電率εは、８．０とした。サンプルＳＨの比誘電率εは、１０．８とした。サンプルＳＡ，ＳＥは、非磁性とし、比透磁率μは、略１．０とした。サンプルＳＢ，ＳＣの比透磁率μは、２．３とした。サンプルＳＤの比透磁率μは、２．４とした。サンプルＳＦの比透磁率μは、２．８とした。サンプルＳＧの比透磁率μは、１５．０とした。サンプルＳＨの比透磁率μは、４．９とした。
各サンプルＳＡ～ＳＨが設けられるプリント回路板の熱伝導部材以外の構成は、上述した実施例および比較例１，２と同様とした。

【0098】

測定は、サンプルＳＡ～ＳＨごとに、８００ＭＨｚの不要輻射ノイズにおける水平偏波と垂直偏波とのそれぞれについて、上述の不要輻射ノイズの測定と同様の測定環境で行った。測定結果を図７および図８に示す。図７は、不要輻射ノイズのうち水平偏波の測定結果を示すグラフである。図８は、不要輻射ノイズのうち垂直偏波の測定結果を示すグラフである。図７および図８において、横軸は、比誘電率εであり、縦軸は、不要輻射ノイズの相対ノイズレベル［ｄＢ］である。相対ノイズレベル［ｄＢ］は、サンプルＳＨのノイズレベルを基準とした場合の相対的なノイズレベルである。

【0099】

図７および図８に示すように、比誘電率εが８．０以下となるサンプルＳＡ～ＳＧでは、比誘電率εが８．０よりも大きいサンプルＳＨに比べて、大きくノイズレベルを低減できることが確かめられた。サンプルＳＡ～ＳＧにおけるノイズレベルは、サンプルＳＨのノイズレベルよりも３．０ｄＢ以上小さい。比誘電率εが２．１～８．０までの範囲内にあるサンプルＳＡ～ＳＧにおけるノイズレベルの分布範囲の幅が、略１．０ｄＢ程度であることに鑑みれば、比誘電率εが１０．８から８．０となった際に３．０ｄＢ以上ノイズレベルが小さくなることは、ノイズレベル低減効果が顕著に大きいといえる。

【0100】

また、国際無線障害特別委員会（ＣＩＳＰＲ）の規格における「国際無線障害特別委員会（ＣＩＳＰＲ）の諸規格について」のうち「無線周波妨害波及びイミュニティ測定装置の技術的条件第１部－第１編：無線周波妨害波及びイミュニティの測定装置－測定用受信機－」では、放射妨害波測定に用いられるアンテナは、測定の正確さが±３ｄＢより良いことと規定されている。そのため、３．０ｄＢ以上ノイズレベルを低減できるということは、測定誤差の許容値を超えてノイズレベルを低減できるということであり、有効なノイズレベル低減効果が得られるということである。

【0101】

以上のことから、比誘電率εを８．０以下にすることにより、ノイズ抑制効果をより好適に得られることが確かめられた。
なお、上述したように１ＧＨｚよりも低い不要輻射ノイズの抑制に対しては、比透磁率μを大きくすることは、比較的寄与が小さい。そして、上記のサンプルＳＡ～ＳＨにおいて測定した不要輻射ノイズの周波数は、８００ＭＨｚである。そのため、上記のサンプルＳＡ～ＳＨの比較において、サンプルＳＡ～ＳＨの比透磁率μの数値範囲程度であれば、サンプルＳＡ～ＳＨの比透磁率μが異なることによる影響については十分に無視できる程度である。すなわち、仮にサンプルＳＡ～ＳＨの比誘電率εを変えずに、比透磁率μを互いに同じ値とした場合であっても、上述した結果と同様の傾向を示す結果を得ることができる。

【符号の説明】

【0102】

１…プロジェクター（電子機器）、５１，１５１…プリント回路板、５２…プリント配線板、５２ａ…実装面、５３…電子素子、５４，１５４…熱伝導部材（熱伝導シート）、５４ａ，１５４ａ…下面（第２面）、５４ｂ，１５４ｂ…上面（第１面）、５５…低比誘電率部、５６，１５６…高比透磁率部、５７…放熱部材、ε…比誘電率

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】