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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-27
(45)【発行日】2022-10-05
(54)【発明の名称】プリント回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/42 20060101AFI20220928BHJP
【ＦＩ】
H05K3/42 610B
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2017232437
(22)【出願日】2017-12-04
(65)【公開番号】P2019029636
(43)【公開日】2019-02-21
【審査請求日】2020-09-24
(31)【優先権主張番号】10-2017-0094983
(32)【優先日】2017-07-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】キム アエ－リム
(72)【発明者】
【氏名】オ ハエ－スン
(72)【発明者】
【氏名】キム ヒエ－リー
(72)【発明者】
【氏名】リー ジン－ウク
【審査官】齊藤 健一
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１０１８５７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１０／００４４２３７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開平８－２０４１１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－３４２７５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２３３６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－６０９３５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－７５０３８（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１１－００６５７８２（ＫＲ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１０－００３７３９１（ＫＲ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ１／００―３／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁層と、前記絶縁層の一面に配置される第１銅箔と前記絶縁層の他面に配置される第２銅箔と、
前記絶縁層および前記第１銅箔を貫通して形成されるビアホールと、
前記第２銅箔の一面および前記ビアホールの内壁に形成され、前記第１銅箔の一面上に延長された無電解めっき層と、
前記ビアホールにのみ形成される第１電解めっき層と、
を含み、
前記第１及び第２銅箔のそれぞれの厚さは、前記無電解めっき層の厚さより厚く、
前記第１及び第２銅箔は、それぞれ前記絶縁層の一面及び他面に隣接した側における幅がその反対側における幅より大きくなるようにテーパされた形状を有し、
前記無電解めっき層は、前記第２銅箔の一面、前記ビアホールの内壁、および、前記第１銅箔の一面上に連続して一体に形成され、
前記第１電解めっき層の上面は高さの偏差を有する、プリント回路基板。
【請求項2】
前記第１電解めっき層の上面は、前記無電解めっき層の延長されている部分の上面と同一の平面上に位置する請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記第１電解めっき層上に形成されている第１部分と、前記第１部分と一体に形成され、前記無電解めっき層の延長されている部分上に形成される第２部分と、を含む第２電解めっき層をさらに含む請求項１または２に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記第１部分及び前記第２部分の厚さは、互いに同一である請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記第１部分の上面は、前記第２部分の上面と同一の平面上に位置する請求項３または４に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記無電解めっき層及び前記第１電解めっき層のそれぞれは、銅（Ｃｕ）を含む請求項１から４のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）に関する。
【背景技術】
【0002】
近年電子部品の軽量化、小型化、高密度化により、プリント回路基板の製造方式としてはビルドアップ（Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ）工法が使用されている。ビルドアップ工法の場合は、層間の電気的接続のためにビアホールを金属で充填する工程が含まれるが、このとき、銅を材料とした電解めっき方式が主に使用される。
【0003】
通常的にビアフィルめっきにより形成されたビアの場合は、めっき量の偏差により、ビアの中央部分がその他の部分よりも凹状に形成されるディンプル（ｄｉｍｐｌｅ）現象が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】韓国公開特許第１０－２００５－００２９０４２号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施例によれば、ビアパッドの平坦度が向上されたプリント回路基板が提供される。
【0006】
また、本発明の実施例によれば、ビアを充填するためのめっき液と、絶縁層の表面に導体パターンを形成するためのめっき液とを分離できるので、ビアフィル特性及びめっき厚さの均一度の両方とも向上されたプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図2】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図3】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図4】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図5】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図6】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図7】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【図8】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【図9】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【図10】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【図11】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【図12】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【図13】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【図14】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【図15】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。
【0009】
本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたもの等の存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。
【0010】
また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。
【0011】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
【0012】
図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであって、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。
【0013】
以下、本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【0014】
【0015】
図１を参照すると、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板１０００は、絶縁層１００と、ビアホール２００と、無電解めっき層３００と、第１電解めっき層４００と、第２電解めっき層５００と、を含む。
【0016】
絶縁層１００は、電気絶縁性樹脂を含む。電気絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはＢＴ樹脂等があるが、これに限定されない。
【0017】
絶縁層１００は、 エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含むプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ、ＰＰＧ）により形成されることができる。または、絶縁層１００は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含むＡＢＦ等のビルドアップフィルムにより形成されることができる。または絶縁層１００は、感光性電気絶縁性樹脂を含む感光性絶縁層であってもよい。
【0018】
絶縁層１００は、電気絶縁性樹脂に含有された補強材を含むことができる。補強材としては、ガラスクロス、グラスファイバー、無機フィラー及び有機フィラーのうちの少なくともいずれか１種を用いることができる。補強材は、絶縁層１００の剛性を補強し、熱膨脹係数を低くすることができる。
【0019】
無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）から構成された群より選択される少なくとも１種以上を用いることができる。
【0020】
図１に示すように、絶縁層１００は、下部絶縁層８００及び下部導体パターン層７００に積層されることができる。下部絶縁層８００及び下部導体パターン層７００のそれぞれは、少なくとも１つ以上の層で形成されることができる。ただし、本発明の第１実施例の変形例として、総２層の導体パターン層のみが形成されている両面プリント回路基板においては、上述した下部絶縁層が存在しない。
【0021】
ビアホール２００は、絶縁層１００に形成される。本実施例におけるビアホール２００は絶縁層１００に形成されて、下部導体パターン層７００の少なくとも一部を露出させる。
【0022】
ビアホール２００は、レーザドリリングまたはメカニカルドリリングにより形成されることができる。または、本実施例に適用する絶縁層１００が感光性絶縁層である場合は、ビアホール２００は、フォトリソグラフィ工程により絶縁層１００に形成されることができる。
【0023】
ビアホール２００の縦断面は、図１に示すように、ビアホール２００の横断面積が図１の上部から下部に向かうほど漸次減少する形態に形成されることができる。ただし、図１に示されているビアホール２００の縦断面の形状は、ビアホールの形成方法により様々に変形され得る。すなわち、メカニカルドリリングによりビアホール２００を形成した場合は、ビアホール２００の縦断面は、ビアホール２００の横断面積が上部と下部において互いに同一の形態に形成されることができる。
【0024】
無電解めっき層３００は、ビアホール２００の内壁に形成された内壁部３１０と、内壁部３１０と一体に形成され、ビアホール２００の外部に延長されている延長部３２０とを含む。無電解めっき層３００は、単一の無電解めっき工程により形成される。これにより、内壁部３１０と延長部３２０とが互いに一体に形成され、無電解めっき層３００は、ビアホール２００の内壁及び絶縁層１００の一面上に連続して形成される。すなわち、無電解めっき層３００は、内壁部３１０と延長部３２０との間に、境界の形成されない形態に形成される。
【0025】
本実施例における延長部３２０は、絶縁層１００の一面にのみ形成され、絶縁層１００の他面には形成されない。また、本実施例における内壁部３１０は、ビアホール２００により露出している下部導体パターン層７００上に延長して形成される。
【0026】
無電解めっき層３００は、銅を含む無電解銅めっき液により形成されることができる。このため、無電解めっき層３００は、銅を含むことができる。ただし、無電解めっき液は、銅以外の他の電気伝導性金属を含むことができ、この場合に無電解めっき層３００は、銅ではなく他の電気伝導性金属を含むことができる。また、無電解めっき液は、銅及び銅以外の他の電気伝導性金属を含むこともでき、この場合に無電解めっき層３００は、銅及び他の電気伝導性金属を含むことができる。
【0027】
第１電解めっき層４００は、無電解めっき層３００の内壁部３１０にのみ形成されており、ビアホール２００を充填する。すなわち、第１電解めっき層４００は、無電解めっき層３００を給電層とする電解めっきにより形成されるが、第１電解めっき層４００は、延長部３２０には形成されずに内壁部３１０にのみ形成される。
【0028】
第１電解めっき層４００は、銅を含む電解銅めっき液により形成されることができる。このため、第１電解めっき層４００は、銅を含むことができる。ただし、電解めっき液は、銅以外の他の電気伝導性金属を含むことができ、この場合に第１電解めっき層４００は、銅ではなく他の電気伝導性金属を含むことができる。また、電解めっき液は、銅及び銅以外の他の電気伝導性金属を含むこともでき、この場合に第１電解めっき層４００は、銅及び他の電気伝導性金属を含むことができる。
【0029】
第１電解めっき層４００は、電解めっき液の組成、めっき電流またはめっき時間等を調整して内壁部３１０にのみ形成することができる。または、第１電解めっき層４００は、ビアホール２００に対応する領域のみを露出させためっきレジストを絶縁層１００の一面に形成した後に電解めっきを行うことにより、内壁部３１０にのみ形成することができる。
【0030】
第１電解めっき層４００は、電解めっき液の組成、めっき電流またはめっき時間等を調整して、延長部３２０の上面の高さまで形成されることができる。第１電解めっき層４００の上面は、電解めっき液の組成、めっき電流またはめっき時間等を調整することにより、延長部３２０の上面と同一の平面上に位置することができる。
【0031】
ここで、第１電解めっき層４００が延長部３２０の上面の高さまで形成されるとは、絶縁層１００の他面から第１電解めっき層４００の上面までの長さの平均と、絶縁層１００の他面から延長部３２０の上面までの長さの平均とが実質的に同一であることができるとの意味で使用する。これと同様に、第１電解めっき層４００の上面が延長部３２０の上面と同一の平面上に位置するとは、絶縁層１００の他面から第１電解めっき層４００の上面までの長さの平均だけ絶縁層１００の他面から垂直離隔した平面と、絶縁層１００の他面から延長部３２０の上面までの長さの平均だけ絶縁層１００の他面から垂直離隔した平面とが実質的に同一であるとの意味で使用する。
【0032】
通常のプリント回路基板の場合は、ディンプル現象を防止するために、過めっきを行って電解めっき層を絶縁層の一面よりも突出するように形成し、絶縁層の一面よりも突出している電解めっき層の部分を研磨する。このとき、ビアホールだけでなく絶縁層の一面上に形成されているシード層にも電解めっき層が形成されるので、研磨時にシード層及びシード層に形成されている電解めっき層がともに研磨される。
【0033】
しかし、本実施例の場合は、第１電解めっき層４００が、ビアホール２００を充填するよう無電解めっき層３００の内壁部３１０にのみ形成される。これにより、本実施例では、通常のプリント回路基板の製造方法で行われる過めっき及び研磨工程を省略することができる。
【0034】
本実施例の場合は、研磨工程を省略できるので、第１電解めっき層４００の上面に高さの偏差が発生することがある。または、研磨工程の省略により、第１電解めっき層４００の上面が相対的に高い表面粗度を有することができる。ただし、この説明が本発明の範囲から第１電解めっき層４００の上面を研磨することを除外することではない。
【0035】
第２電解めっき層５００は、第１電解めっき層４００上に形成されている第１部分５１０と、第１部分５１０と一体に形成され、延長部３２０上に形成されている第２部分５２０とを含む。
【0036】
第２電解めっき層５００は、銅を含む電解銅めっき液により形成されることができる。このため、第２電解めっき層５００は銅を含むことができる。ただし、電解めっき液は、銅以外の他の電気伝導性金属を含むことができ、この場合に第２電解めっき層５００は、銅ではなく他の電気伝導性金属を含むことができる。また、電解めっき液は、銅及び銅以外の他の電気伝導性金属を含むこともでき、この場合に第２電解めっき層５００は、銅及び他の電気伝導性金属を含むことができる。
【0037】
第２電解めっき層５００は、無電解めっき層３００の延長部３２０及び第１電解めっき層４００上にめっきレジストを形成し、めっきレジストをパターニングした後に電解めっきを行うことにより形成されることができる。
【0038】
第１部分５１０の厚さと第２部分５２０の厚さとは、互いに実質的に同一であることができる。第１部分５１０の上面は、第２部分５２０の上面と実質的に同一の平面上に位置することができる。ここで、第１部分５１０の厚さとは、第１部分５１０各厚さの平均を意味し、第２部分５２０の厚さも同様に解釈されるべきである。
【0039】
第２電解めっき層５００を形成するための電解めっき液と、第１電解めっき層４００を形成するための電解めっき液と、を互いに異ならせることができる。すなわち、第１電解めっき層４００を形成するための電解めっき液としては、ビアフィル特性に優れた電解めっき液を使用し、第２電解めっき層５００を形成するための電解めっき液としては、平坦性に優れた電解めっき液を使用することができる。
【0040】
または、第１電解めっき層４００と第２電解めっき層５００とに、互いに同一の電解めっき液を使用し、ただし第１電解めっき層４００を形成するためのめっき工程と、第２電解めっき層５００を形成するためのめっき工程との電流密度またはめっき時間等のめっき条件を互いに異ならせて調整して形成することもできる。
【0041】
一方、示されていないが、本実施例の場合には、第２電解めっき層５００をカバーするように、第２電解めっき層５００及び絶縁層１００上に積層される上部絶縁層をさらに含むことができる。または、第２電解めっき層５００が本実施例に係るプリント回路基板１０００に形成される外部接続手段である場合には、本実施例における第２電解めっき層の少なくとも一部を露出させる開口が形成されている、第２電解めっき層５００及び絶縁層１００上に積層されるソルダーレジスト層をさらに含むことができる。
【0042】
（第２実施例）
図２は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
図２は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【0043】
図１及び図２を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板２０００の場合は、本発明の第１実施例と比べて、ビアホール２００、無電解めっき層３００及び第２電解めっき層５００が異なるので、以下では、これらを中心に説明する。以下の説明を除き、第１実施例の説明をそのまま、または容易に変形されて本実施例に適用することができる。
【0044】
ビアホール２００は、絶縁層１００の一面及び他面に至るように絶縁層１００を貫通する。
【0045】
本実施例におけるビアホール２００は、メカニカルドリリングにより形成されることができる。または、絶縁層１００の一面及び他面にそれぞれレーザドリリングを行うことにより形成されることができる。後者の場合は、図２とは異なって、ビアホール２００の縦断面の形状が絶縁層１００の一面及び他面のそれぞれから絶縁層１００の厚さ方向の中心に向かう方向に横断面積が漸次減少する形態に形成されることができる。
【0046】
本実施例における無電解めっき層３００の延長部３２０は、絶縁層１００の一面及び他面の両方に形成される。絶縁層１００の一面に形成されている延長部３２０、内壁部３１０、及び絶縁層１００の他面に形成されている延長部３２０は、単一の無電解めっき工程により形成されるので、互いに一体に形成され、相互間に境界は形成されない。
【0047】
本実施例における第２電解めっき層５００は、絶縁層１００の一面及び他面側の両方に形成される。絶縁層１００の一面側に形成されている第２電解めっき層５００と、絶縁層１００の他面側に形成されている第２電解めっき層５００とは、同一の電解めっき液及び／または同一のめっき条件により形成されることができる。または、絶縁層１００の一面側に形成されている第２電解めっき層５００と、絶縁層１００の他面側に形成されている第２電解めっき層５００とは、互いに異なる電解めっき液及び／または互いに異なるめっき条件により形成されることができる。
【0048】
（第３実施例）
図３は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
図３は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【0049】
図１及び図３を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板３０００の場合は、本発明の第１実施例と比べて、ビアホール２００及び無電解めっき層３００の延長部３２０が異なり、金属膜６００をさらに含むので、以下ではこれらを中心に説明する。以下の説明を除いては、第１実施例の説明をそのまま、または容易に変形されて本実施例に適用することができる。
【0050】
金属膜６００は、絶縁層１００の一面上に形成される。金属膜６００は、金属箔（Ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）を絶縁層１００の一面に積層することで形成できる。金属箔は、銅泊（Ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉｌ）であってもよいが、これに限定されない。すなわち、金属箔は、銅を含む合金泊であってもよく、銅以外の単一金属で形成されたものであってもよい。
【0051】
金属膜６００は、ビアホール２００に第１電解めっき層４００が形成された後に選択的に除去されることにより、無電解めっき層３００とともに通常の導体パターン層を形成する構成である。すなわち、本実施例に係るプリント回路基板３０００は、サブトラックティブ法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて導体パターン層を形成する。
【0052】
金属膜６００を選択的に除去するに当たって、金属膜６００を構成する金属の種類に応じて様々な種類のエッチング液を用いることができる。例として、金属膜６００が銅で形成された場合には、エッチング液として、塩化銅（ＣｕＣｌ２）を用いることができる。
【0053】
ビアホール２００は、絶縁層１００に形成され、金属膜６００を貫通するように延長される。このため、ビアホール２００の内壁は、絶縁層１００だけでなく金属膜６００にも形成される。これにより、本実施例の無電解めっき層３００の内壁部３１０は、絶縁層１００だけでなく金属膜６００にも形成される。
【0054】
ビアホール２００は、レーザドリリングまたはメカニカルドリリングにより、金属膜６００と絶縁層１００とに同時に形成されることができる。またはビアホール２００は、選択的に金属膜６００の一部を除去した後に、露出された絶縁層１００をドリリングして形成されることができる。または、絶縁層１００が感光性絶縁層である場合は、ビアホール２００は、選択的に金属膜６００の一部を除去し、一部の除去された金属膜６００をマスクとするフォトリソグラフィ工程を行って形成することができる。
【0055】
無電解めっき層３００の延長部３２０は、金属膜６００の一面上に形成される。すなわち、図３に基づいて無電解めっき層３００の延長部３２０は、金属膜６００の上面に形成される。
【0056】
サブトラックティブ法を用いて導体パターン層を形成する通常のプリント回路基板である場合は、ビアのディンプルを防止するために過めっきを行い、金属膜の一面上に形成された過めっきの電解めっき層を除去するために研磨を行う。この研磨工程において金属膜の一面上に形成されている無電解めっき層は、過めっきの電解めっき層とともに除去される。
【0057】
しかし、本願発明の場合、第１電解めっき層４００が無電解めっき層３００の内壁部３１０にのみ形成され、延長部３２０には形成されないため、上述した研磨工程を省略することができる。
【0058】
（第４実施例）
図４は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
図４は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【0059】
図３及び図４を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板４０００の場合は、本発明の第３実施例と比べて、金属膜６００、ビアホール２００及び無電解めっき層３００が異なり、以下ではこれらを中心に説明する。以下の説明を除いては、第３実施例の説明をそのまま、または容易に変形されて本実施例に適用することができる。
【0060】
金属膜６００は、絶縁層１００の一面及び他面にそれぞれ形成される。以下では、説明の便宜上、図４に基づいて絶縁層１００の上部に形成されている金属膜６００を第１金属膜と称し、絶縁層１００の下部に形成されている金属膜６００を第２金属膜と称する。
【0061】
ビアホール２００は、第１金属膜６００の上面から第２金属膜６００の下面に至るまで、第１金属膜６００、絶縁層１００及び第２金属膜６００を貫通して形成される。本実施例におけるビアホール２００は、メカニカルドリリングにより形成されることができる。または、第１金属膜６００の上面及び第２金属膜６００の下面のそれぞれにレーザドリリングを行うことにより形成されることができる。後者の場合は、図４に示されているものとは異なって、ビアホール２００の縦断面の形状が、第１金属膜６００の上面及び第２金属膜６００の下面のそれぞれから絶縁層１００の厚さ方向の中心に向かう方向に横断面積が漸次減少する形態に形成されることができる。
【0062】
本実施例における無電解めっき層３００の延長部３２０は、金属膜６００の一面上にそれぞれ形成される。すなわち、本実施例における延長部３２０は、第１金属膜６００の上面及び第２金属膜６００の下面にそれぞれ形成される。第１金属膜６００の上面に形成されている延長部３２０、内壁部３１０及び第２金属膜６００の下面に形成されている延長部３２０は、単一の無電解めっき工程により形成されるので、互いに一体に形成されて、相互間に境界は形成されない。
【0063】
（第５実施例）
図５は、本発明の第５実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
図５は、本発明の第５実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【0064】
図１及び図５を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板５０００の場合は、本発明の第１実施例と比べて、ビアホール２００及び無電解めっき層３００の延長部３２０が異なっており、金属膜６００をさらに含むので、以下ではこれを中心に説明する。以下の説明を除いては、第１実施例の説明をそのまま、または容易に変形されて本実施例に適用することができる。
【0065】
本実施例における金属膜６００は、無電解めっき層３００とともに第２電解めっき層５００を電解めっきにより形成するための給電層として利用される。すなわち、本実施例に係るプリント回路基板５０００は、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ－Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成される。このことから、本実施例に適用される金属膜６００は、本発明の第３及び第４実施例に適用される金属膜６００とは機能が異なる。
【0066】
ビアホール２００は、絶縁層１００に形成され、金属膜６００を貫通するように延長される。このため、ビアホール２００の内壁は、絶縁層１００だけでなく金属膜６００にも形成される。これにより、本実施例における無電解めっき層３００の内壁部３１０は、絶縁層１００だけでなく金属膜６００にも形成される。
【0067】
ビアホール２００は、レーザドリリングまたはメカニカルドリリングにより金属膜６００と絶縁層１００とに同時に形成されることができる。または、ビアホール２００は、選択的に金属膜６００の一部を除去した後に、露出された絶縁層１００をドリリングすることにより形成されることができる。または、絶縁層１００が感光性絶縁層である場合は、ビアホール２００は、選択的に金属膜６００の一部を除去し、一部の除去された金属膜６００をマスクとするフォトリソグラフィ工程により形成されることができる。
【0068】
無電解めっき層３００の延長部３２０は、金属膜６００の一面上に形成される。すなわち、図５に基づいて、無電解めっき層３００の延長部３２０は、金属膜６００の上面に形成される。
【0069】
（第６実施例）
図６は、本発明の第６実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
図６は、本発明の第６実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【0070】
図５及び図６を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板６０００の場合は、本発明の第５実施例と比べて、金属膜６００、ビアホール２００及び無電解めっき層３００が異なり、以下ではこれを中心に説明する。以下の説明を除いては、第５実施例の説明をそのまま、または容易に変形されて本実施例に適用することができる。
【0071】
金属膜６００は、絶縁層１００の一面及び他面にそれぞれ形成される。以下では、説明の便宜上、図６に基づいて絶縁層１００の上部に形成されている金属膜６００を第１金属膜と称し、絶縁層１００の下部に形成されている金属膜６００を第２金属膜と称する。
【0072】
ビアホール２００は、第１金属膜６００の上面から第２金属膜６００の下面に至るまで、第１金属膜６００、絶縁層１００及び第２金属膜６００を貫通する。本実施例に適用されるビアホール２００は、メカニカルドリリングにより形成されることができる。または、ビアホールは、第１金属膜６００の上面及び第２金属膜６００の下面のそれぞれにレーザドリリングを行うことにより形成されることができる。後者の場合は、図６に示されているものとは異なって、ビアホール２００の縦断面の形状が、第１金属膜６００の上面及び第２金属膜６００の下面のそれぞれから絶縁層１００の厚さ方向の中心に向かう方向に横断面積が漸次減少する形態に形成されることができる。
【0073】
本実施例に適用される無電解めっき層３００の延長部３２０は、金属膜６００の一面上にそれぞれ形成される。すなわち、本実施例に適用される延長部３２０は、第１金属膜６００の上面及び第２金属膜６００の下面にそれぞれ形成される。第１金属膜６００の上面に形成される延長部３２０、内壁部３１０、及び第２金属膜６００の下面に形成される延長部３２０は、単一の無電解めっき工程により形成されるので、互いに一体に形成されて相互間に境界は形成されない。
【0074】
【0075】
図７を参照すると、下部絶縁層８００の一面に下部導体パターン層７００を形成する。
【0076】
下部導体パターン層７００は、サブトラックティブ法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、アディティブ法（ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、セミアディティブ法（ｓｅｍｉ－ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ－Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうちのいずれか１つの方法を用いて下部絶縁層８００に形成されることができる。
【0077】
例示的に、サブトラックティブ法により形成される下部導体パターン層７００は、下部絶縁層８００に金属箔を形成し、金属箔を選択的に除去することにより下部絶縁層８００に形成されることができる。このとき、金属箔を選択的に除去するためには、金属箔にエッチングレジストパターンを形成することができ、エッチングにより金属箔を除去することができる。
【0078】
次に、図８を参照すると、下部導体パターン層７００をカバーするように、下部導体パターン層７００及び下部絶縁層８００に絶縁層１００を積層する。
【0079】
絶縁層１００は、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）またはビルドアップフィルムをラミネーションして形成することができる。
【0080】
次に、図９を参照すると、下部導体パターン層７００の一部が露出されるように、絶縁層１００にビアホール２００を形成する。
【0081】
ビアホール２００は、レーザドリリングにより絶縁層１００に形成されることができる。一方、レーザの場合は、深度が深くなるほど到逹するエネルギーが減少するため、ビアホール２００の縦断面は、図９に示すように、下部に行くほど横断面積が減少する形態に形成されることができる。ただし、ビアホール２００の縦断面は、ビアホールの形成方法の変更により、図１の図示とは異なる形状に形成されることも可能である。
【0082】
絶縁層１００が感光性絶縁層である場合、ビアホール２００は、フォトリソグラフィ工程により形成されることができる。
【0083】
次に、図１０を参照すると、ビアホール２００の内壁を含む絶縁層１００の表面に無電解めっき層３００を形成する。
【0084】
無電解めっき層３００は、無電解めっき液に含有されている金属イオンの置換反応及び／または析出反応により絶縁層１００の表面に形成されることができる。
【0085】
次に、図１１を参照すると、ビアホール２００を除いた無電解めっき層３００の全面に第１めっきレジスト９１０を形成する。
【0086】
第１めっきレジスト９１０は、ドライフィルム等のめっきレジスト形成用副資材を無電解めっき層３００の全面に積層した後に、フォトリソグラフィ工程によりドライフィルムにおいてビアホール２００に対応する領域のみを除去することで形成することができる。
【0087】
次に、図１２を参照すると、第１電解めっき液を用いてビアホール２００に第１電解めっき層４００を形成する。
【0088】
第１電解めっき層４００は、無電解めっき層３００を給電層として電解めっきを行うことで形成することができる。このとき、電流密度及び／またはめっき時間等のめっき条件を調整して、第１電解めっき層４００の上面と、絶縁層１００の一面に形成された無電解めっき層３００の上面とが同一の平面に位置するように制御することができる。
【0089】
一方、以上の説明では、第１めっきレジスト９１０を形成した後に、ビアホール２００に第１電解めっき層４００を形成することに説明したが、特定の組成の第１電解めっき液を使用する場合は、第１めっきレジスト９１０を使用せずに、ビアホール２００にのみ充填される第１電解めっき層４００を形成することができる。この特定の組成の第１電解めっき液は、電解めっき液に含まれるレベラー等の含量及び種類等を変更することにより実現することができる。
【0090】
次に、図１３を参照すると、第１めっきレジスト９１０を除去し、第２めっきレジスト９２０を形成する。
【0091】
第２めっきレジスト９２０は、ドライフィルム等のめっきレジスト形成用副資材を無電解めっき層３００及び第１電解めっき層４００に積層した後に、フォトリソグラフィ工程によりドライフィルムの一部領域のみを除去して形成することができる。
【0092】
次に、図１４を参照すると、第２電解めっき液を用いて第２電解めっき層５００を形成する。
【0093】
第２電解めっき液は、第１電解めっき層を形成するための第１電解めっき液と同一の組成であってもよい。または、第２電解めっき液は、第１電解めっき液とは互いに異なる組成であってもよい。後者の場合は、第１電解めっき液としては、ビアフィル特性に優れたものを用いることができ、第２電解めっき液としては、平坦性に優れたものを用いることができる。
【0094】
次に、図１５を参照すると、第２めっきレジスト９２０を除去し、無電解めっき層３００において第２電解めっき層５００が形成されていない部分を除去する。
【0095】
無電解めっき層３００において第２電解めっき層５００が形成されていない部分は、フラッシュエッチング等により除去することができる。
【0096】
このようにして、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板１０００を製造することができる。
【0097】
一方、本実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、図１５に示されている段階の後に、上部絶縁層またはソルダーレジスト層を形成する段階をさらに含むことができる。
【0098】
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載されている本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除等により本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【0099】
１００ 絶縁層
２００ ビアホール
３００ 無電解めっき層
３１０ 内壁部
３２０ 延長部
４００ 第１電解めっき層
５００ 第２電解めっき層
５１０ 第１部分（中心部）
５２０ 第２部分（周辺部）
６００ 金属膜
７００ 下部導体パターン層
８００ 下部絶縁層
９１０ 第１めっきレジスト
９２０ 第２めっきレジスト
１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００ プリント回路基板
２００ ビアホール
３００ 無電解めっき層
３１０ 内壁部
３２０ 延長部
４００ 第１電解めっき層
５００ 第２電解めっき層
５１０ 第１部分（中心部）
５２０ 第２部分（周辺部）
６００ 金属膜
７００ 下部導体パターン層
８００ 下部絶縁層
９１０ 第１めっきレジスト
９２０ 第２めっきレジスト
１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００ プリント回路基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】