(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-27
(45)【発行日】2022-10-05
(54)【発明の名称】入出力パネル
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20220928BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20220928BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20220928BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20220928BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220928BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 412
G06F3/044 120
G02F1/1368
G09F9/00 366A
G09F9/30 338
【請求項の数】
2
(21)【出願番号】P 2021131583
(22)【出願日】2021-08-12
(62)【分割の表示】P 2017195609の分割
【原出願日】2017-10-06
(65)【公開番号】P2021192246
(43)【公開日】2021-12-16
【審査請求日】2021-08-27
(31)【優先権主張番号】P 2016202528
(32)【優先日】2016-10-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】木村 肇
(72)【発明者】
【氏名】山崎 舜平
【審査官】田川 泰宏
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１２－１５５３２０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２１８６５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１３／０１６９５８７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００９－２５８１８２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０６Ｆ ３／０４１
Ｇ０６Ｆ ３／０４４
Ｇ０２Ｆ １／１３６８
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｇ０９Ｆ ９／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ゲート配線と、第１の電極と、
第２の電極と、
回路と、
画素と、を有し、
前記第１の電極は、前記ゲート配線と電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記ゲート配線と交差し、
前記第２の電極は、前記第１の電極との間に容量を形成するように配置され、
前記回路は、前記第２の電極と電気的に接続され、
前記回路は、前記容量の変化を検知する機能を備え、
前記画素は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極、第１のソース電極および第１のドレイン電極を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極、第２のソース電極および第２のドレイン電極を有し、
前記第１のゲート電極は、前記ゲート配線と電気的に接続され、
前記第１のソース電極または前記第１のドレイン電極は、前記第２のゲート電極と電気的に接続され、
前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極は、前記発光素子を駆動する電力を供給する、入出力パネル。
【請求項2】
請求項１において、前記発光素子は、画素電極、発光性の材料を含む層、第３の電極が順に積層され、
前記第３の電極は、前記第２の電極と同層に配置され、かつ、前記第２の電極と同じ材料を含む、入出力パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、入出力パネル、半導体装置、駆動方法に関する。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0003】
液晶表示素子に元々備えられている表示用の共通電極を、一対のタッチセンサ用電極のう
ちの一方（駆動電極）として兼用し、他方の電極（センサ用検出電極）は新たに形成する
。また、表示用駆動信号としての既存のコモン駆動信号を、タッチセンサ用駆動信号とし
ても共用する構成が知られている（特許文献１）。
ちの一方（駆動電極）として兼用し、他方の電極（センサ用検出電極）は新たに形成する
。また、表示用駆動信号としての既存のコモン駆動信号を、タッチセンサ用駆動信号とし
ても共用する構成が知られている（特許文献１）。
【0004】
表示画素スタックアップにおける駆動線及び感知線のようなタッチ信号線並びに接地領域
などの回路素子を共にグループ化し、ディスプレイ上又はその近傍のタッチを感知するタ
ッチ感知回路を形成する構成が知られている（特許文献２）。
などの回路素子を共にグループ化し、ディスプレイ上又はその近傍のタッチを感知するタ
ッチ感知回路を形成する構成が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００９－２４４９５８号公報
【文献】特開２０１１－１９７６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することを課
題の一とする。または、新規な入出力パネルまたは新規な半導体装置を提供することを課
題の一とする。
題の一とする。または、新規な入出力パネルまたは新規な半導体装置を提供することを課
題の一とする。
【0007】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0008】
（１）本発明の一態様の入出力パネルは、ゲート配線と、第１の電極と、第２の電極と、
電流検出回路と、画素と、を有する。第１の電極は、ゲート配線と電気的に接続される。
第２の電極は、ゲート配線と交差し、第１の電極との間に容量を形成するように配置され
る。電流検出回路は、第２の電極と電気的に接続され、容量の変化を検知する機能を備え
る。画素は、トランジスタと、表示素子と、を備える。トランジスタは、ゲート電極、ソ
ース電極およびドレイン電極を備える。ゲート電極は、ゲート配線と電気的に接続される
。表示素子は第３の電極および液晶材料を備える。第３の電極はソース電極またはドレイ
ン電極と電気的に接続される。
電流検出回路と、画素と、を有する。第１の電極は、ゲート配線と電気的に接続される。
第２の電極は、ゲート配線と交差し、第１の電極との間に容量を形成するように配置され
る。電流検出回路は、第２の電極と電気的に接続され、容量の変化を検知する機能を備え
る。画素は、トランジスタと、表示素子と、を備える。トランジスタは、ゲート電極、ソ
ース電極およびドレイン電極を備える。ゲート電極は、ゲート配線と電気的に接続される
。表示素子は第３の電極および液晶材料を備える。第３の電極はソース電極またはドレイ
ン電極と電気的に接続される。
【0009】
（２）上記構成において、第３の電極は、第２の電極との間に液晶材料の配向を制御する
電界を形成するよう配置されると好ましい。
電界を形成するよう配置されると好ましい。
【0010】
（３）上記各構成において、第３の電極は、液晶材料と、第２の電極と、の間に挟まれる
領域を有すると好ましい。
領域を有すると好ましい。
【0011】
（４）上記各構成において、表示素子は、第４の電極を有し、第３の電極は、第４の電極
との間に液晶材料の配向を制御する電界を形成するよう配置され、第４の電極は、共通電
位が与えられる配線と電気的に接続されると好ましい。
との間に液晶材料の配向を制御する電界を形成するよう配置され、第４の電極は、共通電
位が与えられる配線と電気的に接続されると好ましい。
【0012】
（５）上記各構成において、第３の電極は、液晶材料と、第４の電極と、の間に挟まれる
領域を有すると好ましい。
領域を有すると好ましい。
【0013】
（６）上記各構成において、第１の電極は、第３の電極が含む材料と同じ材料を含み、第
２の電極は、第４の電極が含む材料と同じ材料を含むと好ましい。
２の電極は、第４の電極が含む材料と同じ材料を含むと好ましい。
【0014】
（７）上記各構成において、バックライトを有し、第２の電極と、第３の電極と、の何れ
か１または両方は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対し、反射率が５
％以上１００％未満であり、かつ透過率が１％以上９５％未満であり、バックライトは、
液晶材料を含む層に光を照射可能であると好ましい。
か１または両方は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対し、反射率が５
％以上１００％未満であり、かつ透過率が１％以上９５％未満であり、バックライトは、
液晶材料を含む層に光を照射可能であると好ましい。
【0015】
（８）上記各構成において、バックライトを有し、第３の電極と、第４の電極と、の何れ
か１または両方は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対し、反射率が５
％以上１００％未満であり、かつ透過率が１％以上９５％未満であり、バックライトは、
液晶材料を含む層に光を照射可能であると好ましい。
か１または両方は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対し、反射率が５
％以上１００％未満であり、かつ透過率が１％以上９５％未満であり、バックライトは、
液晶材料を含む層に光を照射可能であると好ましい。
【0016】
（９）本発明の一態様の入出力パネルは、ゲート配線と、第１の電極と、第２の電極と、
電流検出回路と、画素と、を有する。第１の電極は、ゲート配線と電気的に接続される。
第２の電極は、ゲート配線と交差し、第１の電極との間に容量を形成するように配置され
る。電流検出回路は、第２の電極と電気的に接続され、容量の変化を検知する機能を備え
る。画素は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光素子と、を備える。第
１のトランジスタは、第１のゲート電極、第１のソース電極および第１のドレイン電極を
有する。第２のトランジスタは、第２のゲート電極、第２のソース電極および第２のドレ
イン電極を有する。第１のゲート電極は、ゲート配線と電気的に接続される。第１のソー
ス電極または第１のドレイン電極は、第２のゲート電極と電気的に接続される。第２のソ
ース電極または第２のドレイン電極は、発光素子を駆動する電力を供給する機能を備える
。
電流検出回路と、画素と、を有する。第１の電極は、ゲート配線と電気的に接続される。
第２の電極は、ゲート配線と交差し、第１の電極との間に容量を形成するように配置され
る。電流検出回路は、第２の電極と電気的に接続され、容量の変化を検知する機能を備え
る。画素は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光素子と、を備える。第
１のトランジスタは、第１のゲート電極、第１のソース電極および第１のドレイン電極を
有する。第２のトランジスタは、第２のゲート電極、第２のソース電極および第２のドレ
イン電極を有する。第１のゲート電極は、ゲート配線と電気的に接続される。第１のソー
ス電極または第１のドレイン電極は、第２のゲート電極と電気的に接続される。第２のソ
ース電極または第２のドレイン電極は、発光素子を駆動する電力を供給する機能を備える
。
【0017】
（１０）本発明の一態様の半導体装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティ
ングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿
勢検出装置、のうち一以上と、上記入出力パネルとを含む。
ングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿
勢検出装置、のうち一以上と、上記入出力パネルとを含む。
【0018】
（１１）本発明の一態様の入出力パネルの駆動方法は、ゲート配線と、信号線と、画素と
、を有し、画素は、ゲート配線および信号線と電気的に接続される入出力パネルの駆動方
法であって、ゲート配線に選択信号を供給する期間において、ビデオ信号を信号線に供給
し、ゲート配線に近接する被検知体を検知する。
、を有し、画素は、ゲート配線および信号線と電気的に接続される入出力パネルの駆動方
法であって、ゲート配線に選択信号を供給する期間において、ビデオ信号を信号線に供給
し、ゲート配線に近接する被検知体を検知する。
【0019】
（１２）本発明の一態様の入出力パネルの駆動方法は、ゲート配線と、信号線と、画素と
、を有し、画素は、ゲート配線および信号線と電気的に接続され、画素は、表示素子を含
む入出力パネルの駆動方法であって、第１の期間乃至第３の期間を有する。第１の期間に
おいて、所定の電圧を信号線に供給し、第２の期間において、全てのゲート配線が選択信
号を供給されるように、所定の順番で前記ゲート配線の１つずつに選択信号を供給し、ゲ
ート配線に近接する被検知体を検知し、第３の期間において、全てのゲート配線が選択信
号を供給されるように、所定の順番でゲート配線に選択信号を供給し、ビデオ信号を信号
線に供給する。
、を有し、画素は、ゲート配線および信号線と電気的に接続され、画素は、表示素子を含
む入出力パネルの駆動方法であって、第１の期間乃至第３の期間を有する。第１の期間に
おいて、所定の電圧を信号線に供給し、第２の期間において、全てのゲート配線が選択信
号を供給されるように、所定の順番で前記ゲート配線の１つずつに選択信号を供給し、ゲ
ート配線に近接する被検知体を検知し、第３の期間において、全てのゲート配線が選択信
号を供給されるように、所定の順番でゲート配線に選択信号を供給し、ビデオ信号を信号
線に供給する。
【0020】
（１３）本発明の一態様の入出力パネルの駆動方法は、ゲート配線と、信号線と、画素と
、を有し、画素は、ゲート配線および信号線と電気的に接続され、画素は、表示素子を含
む入出力パネルの駆動方法であって、第１の期間乃至第３の期間を有する。第１の期間に
おいて、所定の電圧を信号線に供給し、第２の期間において、全てのゲート配線が選択信
号を供給されるように、所定の順番で一群の隣り合うゲート配線毎に選択信号を供給し、
一群の隣り合うゲート配線に近接する被検知体を検知し、第３の期間において、全てのゲ
ート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号をゲート配線に供給し、
ビデオ信号を信号線に供給する。
、を有し、画素は、ゲート配線および信号線と電気的に接続され、画素は、表示素子を含
む入出力パネルの駆動方法であって、第１の期間乃至第３の期間を有する。第１の期間に
おいて、所定の電圧を信号線に供給し、第２の期間において、全てのゲート配線が選択信
号を供給されるように、所定の順番で一群の隣り合うゲート配線毎に選択信号を供給し、
一群の隣り合うゲート配線に近接する被検知体を検知し、第３の期間において、全てのゲ
ート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号をゲート配線に供給し、
ビデオ信号を信号線に供給する。
【0021】
（１４）本発明の一態様の入出力パネルの駆動方法は、第１の表示領域と、第２の表示領
域と、を有し、第２の表示領域は第１の表示領域と隣接し、第１の表示領域は一群のゲー
ト配線および信号線を備え、第２の表示領域は他の一群のゲート配線および信号線を備え
る入出力パネルの駆動方法であって、第１の期間乃至第６の期間を有し、第１の期間にお
いて、所定の電圧を信号線に供給し、第２の期間において、一群のゲート配線に選択信号
を供給し、一群のゲート配線に近接する被検知体を検知し、第３の期間において、一群の
ゲート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号を一群のゲート配線か
ら一ずつ選んで供給し、ビデオ信号を信号線に供給し、第４の期間において、所定の電圧
を信号線に供給し、第５の期間において、他の一群のゲート配線に選択信号を供給し、他
の一群のゲート配線に近接する被検知体を検知し、第６の期間において、他の一群のゲー
ト配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号を他の一群のゲート配線か
ら一ずつ選んで供給し、ビデオ信号を信号線に供給する。
域と、を有し、第２の表示領域は第１の表示領域と隣接し、第１の表示領域は一群のゲー
ト配線および信号線を備え、第２の表示領域は他の一群のゲート配線および信号線を備え
る入出力パネルの駆動方法であって、第１の期間乃至第６の期間を有し、第１の期間にお
いて、所定の電圧を信号線に供給し、第２の期間において、一群のゲート配線に選択信号
を供給し、一群のゲート配線に近接する被検知体を検知し、第３の期間において、一群の
ゲート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号を一群のゲート配線か
ら一ずつ選んで供給し、ビデオ信号を信号線に供給し、第４の期間において、所定の電圧
を信号線に供給し、第５の期間において、他の一群のゲート配線に選択信号を供給し、他
の一群のゲート配線に近接する被検知体を検知し、第６の期間において、他の一群のゲー
ト配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号を他の一群のゲート配線か
ら一ずつ選んで供給し、ビデオ信号を信号線に供給する。
【0022】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。
【0023】
本明細書においてトランジスタのソースとは、半導体膜の一部であるソース領域、或いは
上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは
、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電
極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは
、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電
極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【0024】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトラン
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。
【0025】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【0026】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であって
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【0027】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース
電極を、他方がドレイン電極を指す。
電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【0028】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供できる
。または、新規な入出力パネルまたは新規な半導体装置を提供できる。
。または、新規な入出力パネルまたは新規な半導体装置を提供できる。
【0029】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する回路図。
【図2】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する平面図。
【図3】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図および平面図。
【図4】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図および平面図。
【図5】実施の形態に係る相互容量方式のタッチセンサの構成を示す模式図と、入出力波形の模式図及びマトリクス状に配置された複数の容量を備えるタッチセンサの構成例。
【図6】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図および平面図。
【図7】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図および平面図。
【図8】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図および平面図。
【図9】実施の形態に係る配線のブロック図及び入出力波形のタイミングチャート。
【図10】実施の形態に係る入出力波形のタイミングチャート。
【図11】実施の形態に係る入出力波形のタイミングチャート。
【図12】実施の形態に係る入出力波形のタイミングチャート。
【図13】実施の形態に係る入出力波形のタイミングチャート。
【図14】実施の形態に係るタッチパネルの配線のブロック図。
【図15】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図および平面図。
【図16】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図および平面図。
【図17】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図および回路図。
【図18】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図19】実施の形態に係る入出力パネルを有する電子機器を説明する図。
【図20】実施の形態に係る入出力パネルを有する電子機器を説明する図。
【図21】実施の形態に係る入出力パネルに用いることができるトランジスタの一構成を説明する図。
【図22】実施の形態に係る入出力パネルに用いることができるトランジスタの一構成を説明する図。
【図23】実施の形態に係る入出力パネルを有する電子機器を説明する図。
【図24】実施の形態に係るタッチセンサの回路図。
【図25】実施の形態に係る表示装置のブロック図及びタイミングチャート図。
【図26】実施の形態に係る表示装置およびタッチセンサの動作を説明する図。
【図27】実施の形態に係る表示装置およびタッチセンサの動作を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0031】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形
態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
れず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形
態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0032】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【0033】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
【0034】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるた
めに付すものであり、数的に限定するものではない。
めに付すものであり、数的に限定するものではない。
【0035】
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の
酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）
、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）な
どに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸
化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、
及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半
導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶこと
ができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導
体を有するトランジスタと換言することができる。
酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）
、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）な
どに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸
化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、
及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半
導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶこと
ができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導
体を有するトランジスタと換言することができる。
【0036】
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔ
ａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
ｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔ
ａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【0037】
また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ
）、及びＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ‐ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合が
ある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例
を表す。
）、及びＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ‐ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合が
ある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例
を表す。
【0038】
また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、
材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では
半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄ
ｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（また
はホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能であ
る。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチ
ングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ
ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄ
ｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることがで
きる。
材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では
半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄ
ｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（また
はホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能であ
る。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチ
ングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ
ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄ
ｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることがで
きる。
【0039】
また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導
電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性
領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領
域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域と
は、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド
状に連結して観察される場合がある。
電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性
領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領
域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域と
は、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド
状に連結して観察される場合がある。
【0040】
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶
縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ
以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ
以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【0041】
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを
有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナ
ローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に
、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップ
を有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有す
る成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記Ｃ
ＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用い
る場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び
高い電界効果移動度を得ることができる。
有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナ
ローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に
、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップ
を有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有す
る成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記Ｃ
ＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用い
る場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び
高い電界効果移動度を得ることができる。
【0042】
すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材
（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【0043】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
【0044】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、被検知体の
近接または接触を検知可能なセンサ（以降、タッチセンサと呼ぶ）の構成例について説明
する。また、本発明の一態様の入出力パネルは、表示素子を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、被検知体の
近接または接触を検知可能なセンサ（以降、タッチセンサと呼ぶ）の構成例について説明
する。また、本発明の一態様の入出力パネルは、表示素子を有する。
【0045】
本発明の一態様のタッチセンサは、静電容量方式を用いる。静電容量方式のタッチセンサ
としては、代表的には表面型静電容量方式、投影型静電容量方式などがある。また、投影
型静電容量方式としては、主に駆動方法の違いから、自己容量方式、相互容量方式などが
ある。ここで、相互容量方式を用いると、同時に多点を検出すること（多点検出（マルチ
タッチ）ともいう）が可能となるため好ましい。
としては、代表的には表面型静電容量方式、投影型静電容量方式などがある。また、投影
型静電容量方式としては、主に駆動方法の違いから、自己容量方式、相互容量方式などが
ある。ここで、相互容量方式を用いると、同時に多点を検出すること（多点検出（マルチ
タッチ）ともいう）が可能となるため好ましい。
【0046】
本発明の一態様である入出力パネルは、静電容量方式センサを有する。静電容量方式セン
サは一対の電極を備え、一対の電極の間に容量が形成されている。この一対の電極のうち
一方はセンサ電極であり、このセンサ電極はゲート配線に接続されている。なお、このゲ
ート配線は、選択信号を供給する機能を有する。
サは一対の電極を備え、一対の電極の間に容量が形成されている。この一対の電極のうち
一方はセンサ電極であり、このセンサ電極はゲート配線に接続されている。なお、このゲ
ート配線は、選択信号を供給する機能を有する。
【0047】
上記一対の電極のうち他方はゲート配線と交差する。
【0048】
本発明の一態様は、例えば、他方の電極は表示素子の電極から分離されている。この構成
について、図１（Ａ）を用いて説明する。また、本発明の一態様は、他方の電極が表示素
子の電極を兼ねる。この構成について、図１（Ｂ）を用いて説明する。
について、図１（Ａ）を用いて説明する。また、本発明の一態様は、他方の電極が表示素
子の電極を兼ねる。この構成について、図１（Ｂ）を用いて説明する。
【0049】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明の一態様の入出力パネルの画素部の回路図である。
本発明の一態様の入出力パネルは表示素子を有し、当該表示素子は液晶材料を含む層を備
える。また、本発明の一態様の入出力パネルは画素部を備える。画素部は、液晶素子３５
１３と、容量部３５１４と、静電容量方式センサ部３５１５と、ゲート電極３５１６と、
ゲート配線３５１７と、コンタクト領域３５１８と、ソース配線３５１９と、トランジス
タ３５２１と、センサ電極３５２９と、を有する。また、画素部は、共通電極３５２２お
よび画素電極３５２３を含む。共通電極３５２２は、液晶素子３５１３を駆動するための
、共通電位が供給される。画素電極３５２３は、トランジスタ３５２１と電気的に接続さ
れる。なお、トランジスタ３５２１は、選択信号に基づいてソース配線３５１９からの信
号を画素電極３５２３に供給することができる。なお、トランジスタ３５２１を選択トラ
ンジスタとも言う。また、ソース配線３５１９を、単に信号線とも言う。
本発明の一態様の入出力パネルは表示素子を有し、当該表示素子は液晶材料を含む層を備
える。また、本発明の一態様の入出力パネルは画素部を備える。画素部は、液晶素子３５
１３と、容量部３５１４と、静電容量方式センサ部３５１５と、ゲート電極３５１６と、
ゲート配線３５１７と、コンタクト領域３５１８と、ソース配線３５１９と、トランジス
タ３５２１と、センサ電極３５２９と、を有する。また、画素部は、共通電極３５２２お
よび画素電極３５２３を含む。共通電極３５２２は、液晶素子３５１３を駆動するための
、共通電位が供給される。画素電極３５２３は、トランジスタ３５２１と電気的に接続さ
れる。なお、トランジスタ３５２１は、選択信号に基づいてソース配線３５１９からの信
号を画素電極３５２３に供給することができる。なお、トランジスタ３５２１を選択トラ
ンジスタとも言う。また、ソース配線３５１９を、単に信号線とも言う。
【0050】
コンタクト領域３５１８において、センサ電極３５２９は、ゲート配線３５１７と電気的
に接続されている。また、ゲート電極３５１６は、ゲート配線３５１７と電気的に接続さ
れている。すなわち、ゲート配線３５１７は、センサ電極３５２９の補助配線の機能と、
トランジスタ３５２１を駆動する選択信号を供給する配線の機能を有する。
に接続されている。また、ゲート電極３５１６は、ゲート配線３５１７と電気的に接続さ
れている。すなわち、ゲート配線３５１７は、センサ電極３５２９の補助配線の機能と、
トランジスタ３５２１を駆動する選択信号を供給する配線の機能を有する。
【0051】
【0052】
液晶素子３５１３は、共通電極３５２２および画素電極３５２３を備える。なお、共通電
極３５２２および画素電極３５２３を用いて、液晶材料を含む層における電界を変化する
ことができる。
極３５２２および画素電極３５２３を用いて、液晶材料を含む層における電界を変化する
ことができる。
【0053】
また、画素部は容量部３５１４を備える。容量部３５１４は、電荷を蓄積することができ
る。これにより、次にゲート配線３５１７が選択されるまでの期間（１フレーム期間とも
いう）、液晶素子３５１３の表示に必要な電圧を維持することができる。具体的には、共
通電極３５２２および画素電極３５２３の間の電圧を維持できる。なお、容量部３５１４
が備えるふたつの電極のうち、画素電極３５２３と電気的に接続されていない電極に、共
通電位を与える。なお、本明細書において、容量部３５１４の図示は省略することがある
。
る。これにより、次にゲート配線３５１７が選択されるまでの期間（１フレーム期間とも
いう）、液晶素子３５１３の表示に必要な電圧を維持することができる。具体的には、共
通電極３５２２および画素電極３５２３の間の電圧を維持できる。なお、容量部３５１４
が備えるふたつの電極のうち、画素電極３５２３と電気的に接続されていない電極に、共
通電位を与える。なお、本明細書において、容量部３５１４の図示は省略することがある
。
【0054】
ここで、図１（Ａ）の回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極３５２７を有
する。センサ電極３５２７は、共通電極３５２２から分離されている。
する。センサ電極３５２７は、共通電極３５２２から分離されている。
【0055】
静電容量方式センサ部３５１５は、センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７を備え
る。本発明の一態様のタッチセンサは、指やスタイラスペン等が近づいたとき、センサ電
極３５２９とセンサ電極３５２７との間の容量値の変化を読み取ることができる。センサ
電極３５２７は、共通電位またはフローティング電位を供給される。
る。本発明の一態様のタッチセンサは、指やスタイラスペン等が近づいたとき、センサ電
極３５２９とセンサ電極３５２７との間の容量値の変化を読み取ることができる。センサ
電極３５２７は、共通電位またはフローティング電位を供給される。
【0056】
センサ電極３５２７は、ソース配線３５１９と並行する領域を有する。なお、センサ電極
３５２７に補助配線を設けても良い。
３５２７に補助配線を設けても良い。
【0057】
一方、図１（Ｂ）の回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極３５２７を有さ
ない点が、図１（Ａ）を用いて説明する入出力パネルとは異なる。静電容量方式センサ部
３５１５は、センサ電極３５２９および共通電極３５２２を備える。本発明の一態様のタ
ッチセンサは、指やスタイラスペン等が近づいたとき、センサ電極３５２９および共通電
極３５２２の間の容量値の変化を読み取ることができる。
ない点が、図１（Ａ）を用いて説明する入出力パネルとは異なる。静電容量方式センサ部
３５１５は、センサ電極３５２９および共通電極３５２２を備える。本発明の一態様のタ
ッチセンサは、指やスタイラスペン等が近づいたとき、センサ電極３５２９および共通電
極３５２２の間の容量値の変化を読み取ることができる。
【0058】
図２（Ａ）は、図１（Ａ）に示す回路図に、配線等の構造を重ねた平面図であり、図２（
Ｂ）は、図１（Ｂ）に示す回路図に、配線等の構造を重ねた平面図である。尚、説明の便
宜のため、これらの平面図は、実際の寸法や形状とは異なる部分を含む場合がある。また
、説明の便宜のため、配線の一部およびトランジスタ３５２１を記号で示す。なお、図２
（Ａ）、図２（Ｂ）では、共通電極３５２２または画素電極３５２３と重ならない位置に
トランジスタ３５２１を示したが、トランジスタ３５２１を共通電極３５２２または画素
電極３５２３と重なる位置に配置しても良い。他の平面図でも同様に配置することができ
る。
Ｂ）は、図１（Ｂ）に示す回路図に、配線等の構造を重ねた平面図である。尚、説明の便
宜のため、これらの平面図は、実際の寸法や形状とは異なる部分を含む場合がある。また
、説明の便宜のため、配線の一部およびトランジスタ３５２１を記号で示す。なお、図２
（Ａ）、図２（Ｂ）では、共通電極３５２２または画素電極３５２３と重ならない位置に
トランジスタ３５２１を示したが、トランジスタ３５２１を共通電極３５２２または画素
電極３５２３と重なる位置に配置しても良い。他の平面図でも同様に配置することができ
る。
【0059】
図２（Ａ）を用いて説明する入出力パネルおよび図２（Ｂ）を用いて説明する入出力パネ
ルは、いずれもゲート配線３５１７、共通電極３５２２、画素電極３５２３、センサ電極
３５２９およびコンタクト領域３５１８を備える。なお、いずれの図においても、容量部
３５１４の図示は省略されている。また、図２（Ａ）を用いて説明する入出力パネルは、
センサ電極３５２７を備える。
ルは、いずれもゲート配線３５１７、共通電極３５２２、画素電極３５２３、センサ電極
３５２９およびコンタクト領域３５１８を備える。なお、いずれの図においても、容量部
３５１４の図示は省略されている。また、図２（Ａ）を用いて説明する入出力パネルは、
センサ電極３５２７を備える。
【0060】
【0061】
図２（Ａ）を用いて説明する入出力パネルおよび図２（Ｂ）を用いて説明する入出力パネ
ルは、いずれも、画素電極３５２３およびセンサ電極３５２９が、同じ材料を含む。これ
により、画素電極３５２３およびセンサ電極３５２９を、同一の工程で形成することがで
きる。また、図２（Ａ）を用いて説明する入出力パネルは、共通電極３５２２およびセン
サ電極３５２７が、いずれも、同じ材料を含む。これにより、共通電極３５２２およびセ
ンサ電極３５２７を、同一の工程で形成することができる。
ルは、いずれも、画素電極３５２３およびセンサ電極３５２９が、同じ材料を含む。これ
により、画素電極３５２３およびセンサ電極３５２９を、同一の工程で形成することがで
きる。また、図２（Ａ）を用いて説明する入出力パネルは、共通電極３５２２およびセン
サ電極３５２７が、いずれも、同じ材料を含む。これにより、共通電極３５２２およびセ
ンサ電極３５２７を、同一の工程で形成することができる。
【0062】
なお、補助配線を共通電極３５２２に設けることができる。これにより、配線抵抗を低く
することができる。または、画素を微細化することができる。
することができる。または、画素を微細化することができる。
【0063】
また、共通電位またはフローティング（浮遊）電位が与えられる電極と重なるように、ソ
ース配線３５１９を配置してもよい。これにより、例えば、センサ電極または被検知体（
具体的には指等）に由来するノイズの影響を低減することができる。例えば、ソース配線
３５１９が供給するビデオ信号への影響を低減することができる。
ース配線３５１９を配置してもよい。これにより、例えば、センサ電極または被検知体（
具体的には指等）に由来するノイズの影響を低減することができる。例えば、ソース配線
３５１９が供給するビデオ信号への影響を低減することができる。
【0064】
本発明の入出力パネルは、図１（Ａ）または図１（Ｂ）に示す回路が形成されていれば良
く、その形成方法は、上記構成でなくても良い。例えば、基板に近い順に、ゲート配線３
５１７、次いでセンサ電極３５２９、次いで共通電極３５２２、が形成されていても良い
。また、画素電極３５２３は、センサ電極３５２９と異なる材料で形成されていても良い
。また、共通電極３５２２は、センサ電極３５２７と異なる材料で形成されていても良い
。
く、その形成方法は、上記構成でなくても良い。例えば、基板に近い順に、ゲート配線３
５１７、次いでセンサ電極３５２９、次いで共通電極３５２２、が形成されていても良い
。また、画素電極３５２３は、センサ電極３５２９と異なる材料で形成されていても良い
。また、共通電極３５２２は、センサ電極３５２７と異なる材料で形成されていても良い
。
【0065】
《構成例１．》
図１（Ａ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極３５２７を有する
。センサ電極３５２７は、共通電極３５２２から分離されている。一例として、入出力パ
ネル３５５１の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する（図３（Ａ）
参照）。なお、入出力パネル３５５１は液晶材料を含む層３５２４を有する。入出力パネ
ル３５５１はＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作す
る液晶素子を有する。
図１（Ａ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極３５２７を有する
。センサ電極３５２７は、共通電極３５２２から分離されている。一例として、入出力パ
ネル３５５１の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する（図３（Ａ）
参照）。なお、入出力パネル３５５１は液晶材料を含む層３５２４を有する。入出力パネ
ル３５５１はＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作す
る液晶素子を有する。
【0066】
入出力パネル３５５１は、トランジスタ３５２１と、共通電極３５２２と、画素電極３５
２３と、液晶材料を含む層３５２４と、カラーフィルタ３５２５と、を備える（図３（Ａ
）参照）。画素電極３５２３は、画素電極３５２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂを含む。
画素電極３５２３Ｂは、画素電極３５２３Ａと電気的に接続されている。液晶材料を含む
層３５２４は、配向膜３５６１および配向膜３５６２の間に挟まれている。画素電極３５
２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは、トランジスタ３５２１のソース電極またはドレイン
電極の一方と電気的に接続される。
２３と、液晶材料を含む層３５２４と、カラーフィルタ３５２５と、を備える（図３（Ａ
）参照）。画素電極３５２３は、画素電極３５２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂを含む。
画素電極３５２３Ｂは、画素電極３５２３Ａと電気的に接続されている。液晶材料を含む
層３５２４は、配向膜３５６１および配向膜３５６２の間に挟まれている。画素電極３５
２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは、トランジスタ３５２１のソース電極またはドレイン
電極の一方と電気的に接続される。
【0067】
画素電極３５２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは画素電極の一部である。画素電極３５２
３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは、絶縁層を介して共通電極３５２２上に設けられる。液
晶素子は一対の電極を備える。画素電極３５２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは一対の電
極の一方であり、共通電極３５２２は一対の電極の他方である。なお、液晶素子の一対の
電極間に電圧を印加することにより、液晶材料を含む層３５２４に含まれる液晶材料の配
向を制御することができる。
３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは、絶縁層を介して共通電極３５２２上に設けられる。液
晶素子は一対の電極を備える。画素電極３５２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは一対の電
極の一方であり、共通電極３５２２は一対の電極の他方である。なお、液晶素子の一対の
電極間に電圧を印加することにより、液晶材料を含む層３５２４に含まれる液晶材料の配
向を制御することができる。
【0068】
ゲート配線３５１７は、トランジスタ３５２１のゲート電極３５１６が含む材料と同じ材
料を含む。これにより、ゲート配線３５１７およびゲート電極３５１６を、同一の工程で
形成することができる。また、ゲート配線３５１７およびゲート電極３５１６を電気的に
接続することができる。また、コンタクト領域３５１８にて、ゲート配線３５１７をセン
サ電極３５２９と電気的に接続することができる。
料を含む。これにより、ゲート配線３５１７およびゲート電極３５１６を、同一の工程で
形成することができる。また、ゲート配線３５１７およびゲート電極３５１６を電気的に
接続することができる。また、コンタクト領域３５１８にて、ゲート配線３５１７をセン
サ電極３５２９と電気的に接続することができる。
【0069】
センサ電極３５２７は、共通電極３５２２が含む材料と同じ材料を含む。これにより、セ
ンサ電極３５２７および共通電極３５２２を、同一の工程で形成することができる。
ンサ電極３５２７および共通電極３５２２を、同一の工程で形成することができる。
【0070】
図３（Ａ）に示す入出力パネル３５５１は、センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２
７を備える。センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７の間に形成される電界を破線
３５６３で示す。また、例えば、伝導性を有する被検知体３５６４がこの電界を横切る様
子を図示する。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７は、図１（Ａ）に示
す回路図を用いて説明する入出力パネルの静電容量方式センサ部３５１５に相当する。
７を備える。センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７の間に形成される電界を破線
３５６３で示す。また、例えば、伝導性を有する被検知体３５６４がこの電界を横切る様
子を図示する。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７は、図１（Ａ）に示
す回路図を用いて説明する入出力パネルの静電容量方式センサ部３５１５に相当する。
【0071】
液晶材料を含む層３５２４は、基板３５４３と、基板３５４１とに挟まれる。
【0072】
【0073】
なお、本明細書の各断面図にて示されるＡｍとＡｎとの間、ＢｍとＢｎとの間は、各平面
図にて示されるＡｍとＡｎとの間、ＢｍとＢｎとの間に対応する。但しｍ、ｎはいずれも
自然数である。
図にて示されるＡｍとＡｎとの間、ＢｍとＢｎとの間に対応する。但しｍ、ｎはいずれも
自然数である。
【0074】
トランジスタ３５２１は、共通電極３５２２や画素電極３５２３と重なるように配置する
ことができる。なお、トランジスタ３５２１のゲート電極３５１６は、ゲート配線３５１
７と電気的に接続されている。また、トランジスタ３５２１のソース電極およびドレイン
電極は、ソース配線３５１９が含む材料と同じ材料を含む。これにより、ソース電極、ド
レイン電極およびソース配線３５１９を、同一の工程で形成することができる。また、ソ
ース電極またはドレイン電極を、ソース配線３５１９と電気的に接続することができる。
なお、他の平面図においても、トランジスタは共通電極または画素電極と重ねて配置する
ことができる。
ことができる。なお、トランジスタ３５２１のゲート電極３５１６は、ゲート配線３５１
７と電気的に接続されている。また、トランジスタ３５２１のソース電極およびドレイン
電極は、ソース配線３５１９が含む材料と同じ材料を含む。これにより、ソース電極、ド
レイン電極およびソース配線３５１９を、同一の工程で形成することができる。また、ソ
ース電極またはドレイン電極を、ソース配線３５１９と電気的に接続することができる。
なお、他の平面図においても、トランジスタは共通電極または画素電極と重ねて配置する
ことができる。
【0075】
また、トランジスタ３５２１は、実施の形態７で示すように、ボトムゲート型でも、トッ
プゲート型でも、ゲート電極を２つ有する型でも良い。
プゲート型でも、ゲート電極を２つ有する型でも良い。
【0076】
センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７の間に形成される電界の一部を、破線３５
６３で示す（図３（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被
検知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極３
５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）。
６３で示す（図３（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被
検知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極３
５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）。
【0077】
《構成例２．》
図１（Ｂ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極３５２２およびセン
サ電極３５２９を備える。一例として、入出力パネル３５５２の画素の一部の構造を、概
略的に示す断面図を用いて説明する（図４（Ａ）参照）。なお、入出力パネル３５５２は
液晶材料を含む層３５２４を有する。入出力パネル３５５２はＦＦＳモードで動作する液
晶素子を有する。
図１（Ｂ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極３５２２およびセン
サ電極３５２９を備える。一例として、入出力パネル３５５２の画素の一部の構造を、概
略的に示す断面図を用いて説明する（図４（Ａ）参照）。なお、入出力パネル３５５２は
液晶材料を含む層３５２４を有する。入出力パネル３５５２はＦＦＳモードで動作する液
晶素子を有する。
【0078】
【0079】
図４（Ａ）に示す入出力パネル３５５２は、センサ電極３５２９および共通電極３５２２
を備える。センサ電極３５２９および共通電極３５２２の間に形成される電界を破線３５
６３で示す。また、例えば、伝導性を有する被検知体３５６４がこの電界を横切る様子を
図示する。なお、上記以外の各部位は、図３（Ａ）に示す入出力パネル３５５１の各部位
と共通している。なお、センサ電極３５２９および共通電極３５２２は、図１（Ｂ）に示
す回路図を用いて説明する入出力パネルの静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に
相当する。
を備える。センサ電極３５２９および共通電極３５２２の間に形成される電界を破線３５
６３で示す。また、例えば、伝導性を有する被検知体３５６４がこの電界を横切る様子を
図示する。なお、上記以外の各部位は、図３（Ａ）に示す入出力パネル３５５１の各部位
と共通している。なお、センサ電極３５２９および共通電極３５２２は、図１（Ｂ）に示
す回路図を用いて説明する入出力パネルの静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に
相当する。
【0080】
【0081】
センサ電極３５２９および共通電極３５２２の間に形成される電界の一部を、破線３５６
３で示す（図４（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被検
知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９および共通電極３５２
２は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ｂ）参照）。
３で示す（図４（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被検
知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９および共通電極３５２
２は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ｂ）参照）。
【0082】
［センサの検知方法の例］
図５（Ａ）、（Ｂ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示す模式図と、入出力波形
の模式図である。タッチセンサは一対の電極を備え、これらの間に容量が形成されている
。一対の電極のうち一方の電極に入力電圧が入力される。また、他方の電極に流れる電流
（または、他方の電極の電位）を検出する電流検出回路を備える。
図５（Ａ）、（Ｂ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示す模式図と、入出力波形
の模式図である。タッチセンサは一対の電極を備え、これらの間に容量が形成されている
。一対の電極のうち一方の電極に入力電圧が入力される。また、他方の電極に流れる電流
（または、他方の電極の電位）を検出する電流検出回路を備える。
【0083】
例えば図５（Ａ）に示すように、入力電圧の波形として矩形波を用いた場合、出力電流波
形として鋭いピークを有する波形が検出される。
形として鋭いピークを有する波形が検出される。
【0084】
また図５（Ｂ）に示すように、伝導性を有する被検知体が容量に近接または接触した場合
、電極間の容量値が減少するため、これに応じて出力の電流値が減少する。
、電極間の容量値が減少するため、これに応じて出力の電流値が減少する。
【0085】
このように、本発明の一態様のタッチセンサは、入力電圧に対する出力電流（または電位
）の変化を用いて、容量の変化を検出することにより、被検知体の近接、または接触を検
知することができる。
）の変化を用いて、容量の変化を検出することにより、被検知体の近接、または接触を検
知することができる。
【0086】
【0087】
タッチセンサは、Ｘ方向（紙面横方向）に延在する複数の配線３５１０と、これら複数の
配線と交差し、Ｙ方向（紙面縦方向）に延在する複数の配線３５１１とを有する。交差す
る２つの配線間には容量３５０３が形成される。例えば、入出力パネル３５５１（図３（
Ａ）、（Ｂ）参照）においては、配線３５１０はゲート配線３５１７とセンサ電極３５２
９とに相当し、配線３５１１はセンサ電極３５２７に相当する。
配線と交差し、Ｙ方向（紙面縦方向）に延在する複数の配線３５１１とを有する。交差す
る２つの配線間には容量３５０３が形成される。例えば、入出力パネル３５５１（図３（
Ａ）、（Ｂ）参照）においては、配線３５１０はゲート配線３５１７とセンサ電極３５２
９とに相当し、配線３５１１はセンサ電極３５２７に相当する。
【0088】
また、Ｘ方向に延在する配線３５１０には、入力電圧または共通電位（接地電位、基準電
位を含む）のいずれか一方が入力される。この電位は、例えば矩形波を入力するようなパ
ルス電圧出力回路３５０１から供給することができる。また、Ｙ方向に延在する配線３５
１１には、電流検出回路３５０２（例えば、ソースメータ、センスアンプなど）が電気的
に接続され、当該配線に流れる電流（または電位）を検出することができる。
位を含む）のいずれか一方が入力される。この電位は、例えば矩形波を入力するようなパ
ルス電圧出力回路３５０１から供給することができる。また、Ｙ方向に延在する配線３５
１１には、電流検出回路３５０２（例えば、ソースメータ、センスアンプなど）が電気的
に接続され、当該配線に流れる電流（または電位）を検出することができる。
【0089】
タッチセンサは、Ｘ方向に延在する複数の配線３５１０に対して順に入力電圧が入力され
るように走査し、Ｙ方向に延在する配線３５１１に流れる電流（または電位）の変化を検
出することで、２次元的な被検知体の検出（センシング）が可能となる。
るように走査し、Ｙ方向に延在する配線３５１１に流れる電流（または電位）の変化を検
出することで、２次元的な被検知体の検出（センシング）が可能となる。
【0090】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、実施の形態
１とは別の構成例について説明する。また、本発明の一態様の入出力パネルは、表示素子
を有する。本実施の形態で示す入出力パネルは、液晶材料を含む層を有するＦＦＳモード
で動作する液晶素子を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、実施の形態
１とは別の構成例について説明する。また、本発明の一態様の入出力パネルは、表示素子
を有する。本実施の形態で示す入出力パネルは、液晶材料を含む層を有するＦＦＳモード
で動作する液晶素子を有する。
【0091】
《構成例３．》
図１（Ｂ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極３５２２およびセン
サ電極３５２９を備える。一例として、入出力パネル３５５３の画素の一部の構造を、概
略的に示す断面図を用いて説明する（図６（Ａ）参照）。
図１（Ｂ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極３５２２およびセン
サ電極３５２９を備える。一例として、入出力パネル３５５３の画素の一部の構造を、概
略的に示す断面図を用いて説明する（図６（Ａ）参照）。
【0092】
入出力パネル３５５３は、トランジスタ３５２１と、共通電極と、画素電極３５２３と、
を備える（図６（Ａ）参照）。共通電極は、共通電極３５２２Ａおよび共通電極３５２２
Ｂを含む。共通電極３５２２Ｂは、共通電極３５２２Ａと電気的に接続されている。画素
電極３５２３は、センサ電極３５２９が含む材料と同じ材料を含む。これにより、画素電
極３５２３およびセンサ電極３５２９を、同一の工程で形成することができる。
を備える（図６（Ａ）参照）。共通電極は、共通電極３５２２Ａおよび共通電極３５２２
Ｂを含む。共通電極３５２２Ｂは、共通電極３５２２Ａと電気的に接続されている。画素
電極３５２３は、センサ電極３５２９が含む材料と同じ材料を含む。これにより、画素電
極３５２３およびセンサ電極３５２９を、同一の工程で形成することができる。
【0093】
【0094】
センサ電極３５２９および共通電極３５２２Ａの間に形成される電界の一部を、破線３５
６３で示す（図６（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被
検知体３５６４を検知することができる。また、共通電極３５２２Ｂは開口部が設けられ
ている。これにより、被検知体が横切りやすい電界を、センサ電極３５２９および共通電
極３５２２Ａの間に形成することができる。なお、センサ電極３５２９および共通電極３
５２２Ａは、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ｂ）参照）
。
６３で示す（図６（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被
検知体３５６４を検知することができる。また、共通電極３５２２Ｂは開口部が設けられ
ている。これにより、被検知体が横切りやすい電界を、センサ電極３５２９および共通電
極３５２２Ａの間に形成することができる。なお、センサ電極３５２９および共通電極３
５２２Ａは、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ｂ）参照）
。
【0095】
入出力パネル３５５３のその他の構成は、入出力パネル３５５２の構成を参照することが
できる。
できる。
【0096】
《構成例４．》
図１（Ｂ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極３５２２およびセン
サ電極３５２９を備える。一例として、入出力パネル３５５４の画素の一部の構造を、概
略的に示す断面図を用いて説明する（図７（Ａ）参照）。
図１（Ｂ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極３５２２およびセン
サ電極３５２９を備える。一例として、入出力パネル３５５４の画素の一部の構造を、概
略的に示す断面図を用いて説明する（図７（Ａ）参照）。
【0097】
入出力パネル３５５４は、トランジスタ３５２１と、共通電極と、画素電極３５２３と、
を備える（図７（Ａ）参照）。共通電極は、共通電極３５２２Ａおよび共通電極３５２２
Ｂを含む。共通電極３５２２Ｂは、共通電極３５２２Ａと電気的に接続されている。画素
電極３５２３は、センサ電極３５２９が含む材料と同じ材料を含む。これにより、画素電
極３５２３およびセンサ電極３５２９を、同一の工程で形成することができる。
を備える（図７（Ａ）参照）。共通電極は、共通電極３５２２Ａおよび共通電極３５２２
Ｂを含む。共通電極３５２２Ｂは、共通電極３５２２Ａと電気的に接続されている。画素
電極３５２３は、センサ電極３５２９が含む材料と同じ材料を含む。これにより、画素電
極３５２３およびセンサ電極３５２９を、同一の工程で形成することができる。
【0098】
【0099】
センサ電極３５２９および共通電極３５２２Ａの間に形成される電界の一部を、破線３５
６３で示す（図７（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被
検知体３５６４を検知することができる。また、共通電極３５２２Ｂは開口部を備え、セ
ンサ電極３５２９は当該開口部と重なる領域を備える。なお、共通電極３５２２Ａおよび
センサ電極３５２９は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（
Ｂ）参照）。
６３で示す（図７（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被
検知体３５６４を検知することができる。また、共通電極３５２２Ｂは開口部を備え、セ
ンサ電極３５２９は当該開口部と重なる領域を備える。なお、共通電極３５２２Ａおよび
センサ電極３５２９は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（
Ｂ）参照）。
【0100】
入出力パネル３５５４のその他の構成は、入出力パネル３５５２の構成を参照することが
できる。
できる。
【0101】
《構成例５．》
図１（Ａ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極３５２７およびセ
ンサ電極３５２９を備える。一例として、入出力パネル３５５５の画素の一部の構造を、
概略的に示す断面図を用いて説明する（図８（Ａ）参照）。
図１（Ａ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極３５２７およびセ
ンサ電極３５２９を備える。一例として、入出力パネル３５５５の画素の一部の構造を、
概略的に示す断面図を用いて説明する（図８（Ａ）参照）。
【0102】
入出力パネル３５５５は、トランジスタ３５２１と、共通電極と、センサ電極３５２７と
、画素電極３５２３と、を備える（図８（Ａ）参照）。共通電極は、共通電極３５２２Ａ
および共通電極３５２２Ｂを含む。共通電極３５２２Ｂは、共通電極３５２２Ａと電気的
に接続されている。共通電極は、センサ電極３５２７が含む材料と同じ材料を含む。これ
により、共通電極およびセンサ電極３５２７を、同一の工程で形成することができる。
、画素電極３５２３と、を備える（図８（Ａ）参照）。共通電極は、共通電極３５２２Ａ
および共通電極３５２２Ｂを含む。共通電極３５２２Ｂは、共通電極３５２２Ａと電気的
に接続されている。共通電極は、センサ電極３５２７が含む材料と同じ材料を含む。これ
により、共通電極およびセンサ電極３５２７を、同一の工程で形成することができる。
【0103】
【0104】
センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７の間に形成される電界の一部を、破線３５
６３で示す（図８（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被
検知体３５６４を検知することができる。また、共通電極３５２２Ｂは開口部が設けられ
ている。これにより、被検知体が横切りやすい電界を、センサ電極３５２９およびセンサ
電極３５２７の間に形成することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）
。
６３で示す（図８（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る被
検知体３５６４を検知することができる。また、共通電極３５２２Ｂは開口部が設けられ
ている。これにより、被検知体が横切りやすい電界を、センサ電極３５２９およびセンサ
電極３５２７の間に形成することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）
。
【0105】
入出力パネル３５５５のその他の構成は、入出力パネル３５５１の構成を参照することが
できる。
できる。
【0106】
（実施の形態３）
本発明の一態様のタッチパネルの駆動方法の一例について、以下に説明を行う。
本発明の一態様のタッチパネルの駆動方法の一例について、以下に説明を行う。
【0107】
図９（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図９（Ａ）
では、タッチセンサはパルス電圧出力回路３５０１、電流検出回路３５０２を有する。ま
た、パルス電圧が与えられる配線３５１０をＸ１－Ｘｎとして、それぞれｎ本の配線で例
示している。電流の変化を検知する配線３５１１をＹ１－Ｙｍとして、それぞれｍ本の配
線で例示している。また、図９（Ａ）は、複数ある配線３５１０と、複数ある配線３５１
１とが重畳することで、複数形成される容量３５０３を示している。なお、配線３５１０
と配線３５１１とはその機能を互いに置き換えてもよい。
では、タッチセンサはパルス電圧出力回路３５０１、電流検出回路３５０２を有する。ま
た、パルス電圧が与えられる配線３５１０をＸ１－Ｘｎとして、それぞれｎ本の配線で例
示している。電流の変化を検知する配線３５１１をＹ１－Ｙｍとして、それぞれｍ本の配
線で例示している。また、図９（Ａ）は、複数ある配線３５１０と、複数ある配線３５１
１とが重畳することで、複数形成される容量３５０３を示している。なお、配線３５１０
と配線３５１１とはその機能を互いに置き換えてもよい。
【0108】
パルス電圧出力回路３５０１は、Ｘ１－Ｘｎの配線に順にパルス電圧を印加するための回
路である。Ｘ１－Ｘｎの配線にパルス電圧が印加されることで、容量３５０３を形成する
配線３５１０と配線３５１１との間に電界が生じる。この配線間に生じる電界が遮蔽等に
より容量３５０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、また
は接触を検出することができる。
路である。Ｘ１－Ｘｎの配線にパルス電圧が印加されることで、容量３５０３を形成する
配線３５１０と配線３５１１との間に電界が生じる。この配線間に生じる電界が遮蔽等に
より容量３５０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、また
は接触を検出することができる。
【0109】
電流検出回路３５０２は、容量３５０３での相互容量の変化による、Ｙ１－Ｙｍの配線で
の電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙｍの配線では、被検知体の近接、ま
たは接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接
触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出
は、積分回路等を用いて行えばよい。
の電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙｍの配線では、被検知体の近接、ま
たは接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接
触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出
は、積分回路等を用いて行えばよい。
【0110】
次に、図９（Ｂ）には、図９（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波
形のタイミングチャートを示す。図９（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体
の検出を行うものとする。また図９（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）
の期間３６０１と被検知体を検出する場合（タッチ）の期間３６０２との２つの場合につ
いて示している。なおＹ１－Ｙｍの配線については、検出される電流値に対応する電圧値
とした波形を示している。
形のタイミングチャートを示す。図９（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体
の検出を行うものとする。また図９（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）
の期間３６０１と被検知体を検出する場合（タッチ）の期間３６０２との２つの場合につ
いて示している。なおＹ１－Ｙｍの配線については、検出される電流値に対応する電圧値
とした波形を示している。
【0111】
Ｘ１－Ｘｎの配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１－Ｙ
ｍの配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘｎの
配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙｍの波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接ま
たは接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する
。
ｍの配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘｎの
配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙｍの波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接ま
たは接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する
。
【0112】
図９（Ａ）に示すブロック図中のＸ１－Ｘｎまでの配線３５１０は、他の実施の形態に示
す入出力パネルのゲート配線３５１７に相当する。具体的には、入出力パネル３５５１乃
至入出力パネル３５５５のいずれかの入出力パネルのゲート配線３５１７に相当する。図
９（Ａ）で示される容量３５０３の座標と、各配線との配置を説明するため、Ｘ１－Ｘｎ
の配線３５１０はそれぞれＸ１－Ｘｎ行に配設され、Ｙ１－Ｙｍの配線３５１１はそれぞ
れＹ１－Ｙｍ列に配設されるものとする。
す入出力パネルのゲート配線３５１７に相当する。具体的には、入出力パネル３５５１乃
至入出力パネル３５５５のいずれかの入出力パネルのゲート配線３５１７に相当する。図
９（Ａ）で示される容量３５０３の座標と、各配線との配置を説明するため、Ｘ１－Ｘｎ
の配線３５１０はそれぞれＸ１－Ｘｎ行に配設され、Ｙ１－Ｙｍの配線３５１１はそれぞ
れＹ１－Ｙｍ列に配設されるものとする。
【0113】
図１０に示されるタイミングチャートは、Ｘ１－Ｘｎ行の各配線３５１０に与えられる電
圧の入力波形を示したものである。信号３６１１は、表示素子を駆動するための信号であ
る。信号３６１２は、タッチセンサを駆動するための信号である。本発明の一態様である
入出力パネルはゲート配線３５１７が両方の信号を流すことができることから、例えば同
じ行にある信号３６１１と信号３６１２とは、前記行に形成された同一のゲート配線３５
１７に流れる。すなわち信号３６１１と信号３６１２とは、は図１（Ａ）または図１（Ｂ
）においてゲート配線３５１７に入力される選択信号ともいえる。
圧の入力波形を示したものである。信号３６１１は、表示素子を駆動するための信号であ
る。信号３６１２は、タッチセンサを駆動するための信号である。本発明の一態様である
入出力パネルはゲート配線３５１７が両方の信号を流すことができることから、例えば同
じ行にある信号３６１１と信号３６１２とは、前記行に形成された同一のゲート配線３５
１７に流れる。すなわち信号３６１１と信号３６１２とは、は図１（Ａ）または図１（Ｂ
）においてゲート配線３５１７に入力される選択信号ともいえる。
【0114】
図１０に示されるタイミングチャートは、共通電極３５２２がセンサ電極３５２７から分
離されている入出力パネルの駆動方法、例えば、入出力パネル３５５１の駆動方法の一例
を示す。縦軸はゲート配線の電圧の変化である。Ｘ１－Ｘｎの配線は、表示素子において
は共通電極３５２２に相当し、タッチセンサにおいてはセンサ電極３５２７に相当する。
この構造においては、タッチセンサでの被検知体の検出と、表示素子への書き込みと、が
同時に成される。換言すれば、ゲート配線に選択信号を入力する期間に、ビデオ信号をソ
ース配線に入力し、ゲート配線に近接する被検知体を検知する。
離されている入出力パネルの駆動方法、例えば、入出力パネル３５５１の駆動方法の一例
を示す。縦軸はゲート配線の電圧の変化である。Ｘ１－Ｘｎの配線は、表示素子において
は共通電極３５２２に相当し、タッチセンサにおいてはセンサ電極３５２７に相当する。
この構造においては、タッチセンサでの被検知体の検出と、表示素子への書き込みと、が
同時に成される。換言すれば、ゲート配線に選択信号を入力する期間に、ビデオ信号をソ
ース配線に入力し、ゲート配線に近接する被検知体を検知する。
【0115】
この場合、ある座標の表示素子において、表示素子へのビデオ信号の書き込みを行う期間
３６２１と、次の同期間３６２１との間が、表示期間３６２２となる。またタッチセンサ
での被検知体の検出を行う期間３６２３は、上記のように期間３６２１と一致する。期間
３６２１の繰り返す周期が１フレーム期間３６２４となる。
３６２１と、次の同期間３６２１との間が、表示期間３６２２となる。またタッチセンサ
での被検知体の検出を行う期間３６２３は、上記のように期間３６２１と一致する。期間
３６２１の繰り返す周期が１フレーム期間３６２４となる。
【0116】
図１１に示されるタイミングチャートは、共通電極３５２２が液晶素子３５１３の一方の
電極およびセンサ電極を兼ねる入出力パネルの駆動方法、例えば、入出力パネル３５５２
駆動方法の一例を示す。Ｘ１－Ｘｎの配線は、表示素子およびタッチセンサにおいて共通
電極３５２２に相当する。この構造においては、タッチセンサでの被検知体の検出と、表
示素子への書き込みと、は時間差を有して行う。
電極およびセンサ電極を兼ねる入出力パネルの駆動方法、例えば、入出力パネル３５５２
駆動方法の一例を示す。Ｘ１－Ｘｎの配線は、表示素子およびタッチセンサにおいて共通
電極３５２２に相当する。この構造においては、タッチセンサでの被検知体の検出と、表
示素子への書き込みと、は時間差を有して行う。
【0117】
この場合、ある座標の表示素子において、表示素子とタッチセンサとのクロストークを避
けるため、表示素子へのビデオ信号の書き込みを行う期間３６２１を、全行分経過した後
、黒信号の書き込みを行う期間３６２５を設ける。すなわち期間３６２１と、期間３６２
５との間が、表示期間３６２２となる。期間３６２５が全行分経過した後、タッチセンサ
での被検知体の検出を行う期間３６２３が全行分設けられる。図１１におけるタッチセン
サでの被検知体の検出を行う期間３６２３において、タッチセンサはゲート電圧の上昇の
波形の違いを評価しているが、この波形は画素電極３５２３の電位によって変化する。上
記の検出への影響を低減するため、期間３６２３の間は、ソース配線３５１９には、黒信
号の書き込みを行う信号が供給されている。このように１フレーム期間３６２４が終了し
た後、再度表示素子のビデオ信号の書き込みが開始される。
けるため、表示素子へのビデオ信号の書き込みを行う期間３６２１を、全行分経過した後
、黒信号の書き込みを行う期間３６２５を設ける。すなわち期間３６２１と、期間３６２
５との間が、表示期間３６２２となる。期間３６２５が全行分経過した後、タッチセンサ
での被検知体の検出を行う期間３６２３が全行分設けられる。図１１におけるタッチセン
サでの被検知体の検出を行う期間３６２３において、タッチセンサはゲート電圧の上昇の
波形の違いを評価しているが、この波形は画素電極３５２３の電位によって変化する。上
記の検出への影響を低減するため、期間３６２３の間は、ソース配線３５１９には、黒信
号の書き込みを行う信号が供給されている。このように１フレーム期間３６２４が終了し
た後、再度表示素子のビデオ信号の書き込みが開始される。
【0118】
センシングの前に、上記黒信号の書き込みを行うことにより、図５（Ｃ）に示す配線３５
１０と配線３５１１との電位は、画素電極３５２３の電位からの影響が一定となり、より
正確なセンシングを行うことができる。上記黒信号の代わりに、所定の色度の信号であっ
ても良い。あるいは、黒信号の書き込みとして、所定の電圧を画素電極３５２３に与えて
も良い。
１０と配線３５１１との電位は、画素電極３５２３の電位からの影響が一定となり、より
正確なセンシングを行うことができる。上記黒信号の代わりに、所定の色度の信号であっ
ても良い。あるいは、黒信号の書き込みとして、所定の電圧を画素電極３５２３に与えて
も良い。
【0119】
１フレーム期間３６２４を固定し、かつ表示期間３６２２を長くしたい場合、期間３６２
３を短くする、すなわち高速センシングすることで可能となる。
３を短くする、すなわち高速センシングすることで可能となる。
【0120】
【0121】
この場合、タッチセンサでの被検知体の検出を行う期間３６２３は、一群の隣り合う行に
おいて同時である。一群の隣り合う行分の信号が、電流の変化を検知する配線３５１１に
流れるので、検出の空間分解能は、その分低くなる。但し、合計のセンシング期間３６２
６は短くなるため、高速センシングが可能となる。
おいて同時である。一群の隣り合う行分の信号が、電流の変化を検知する配線３５１１に
流れるので、検出の空間分解能は、その分低くなる。但し、合計のセンシング期間３６２
６は短くなるため、高速センシングが可能となる。
【0122】
一群の隣り合う行としては、図９（Ａ）のブロック図に示される構造を例にすると、Ｘｒ
からＸｓまでの連続した行とすることができる。ここでｒは１以上かつｓ以下の整数、ｓ
はｒ以上かつｎ－１以下の整数である。このとき好ましくはｓはｒ＋１以上である。Ｘｒ
からＸｓまでの連続した行の処理が終了したとき、次いで未処理の行の処理を行うことが
できる。例えば、Ｘ（ｓ＋１）から同様に一群の隣り合う行にて処理を行うことができる
。こうしてＸ１からＸｎ行までの処理を終了させる。尚、上記処理を終了させるまでの間
に、一の行についてのみ処理を行ってもよい。また、一定の数の行を一群の隣り合う行に
用いても良いし、一定でない数の行を一群の隣り合う行に用いることもできる。また、例
えば入出力パネル３５５２における共通電極３５２２（図４（Ｂ）参照）は、電流の変化
を検知する配線３５１１（図９（Ａ）参照）に接続される。言い換えると、ＸｒからＸｓ
までの連続した行を繋げることができる。
からＸｓまでの連続した行とすることができる。ここでｒは１以上かつｓ以下の整数、ｓ
はｒ以上かつｎ－１以下の整数である。このとき好ましくはｓはｒ＋１以上である。Ｘｒ
からＸｓまでの連続した行の処理が終了したとき、次いで未処理の行の処理を行うことが
できる。例えば、Ｘ（ｓ＋１）から同様に一群の隣り合う行にて処理を行うことができる
。こうしてＸ１からＸｎ行までの処理を終了させる。尚、上記処理を終了させるまでの間
に、一の行についてのみ処理を行ってもよい。また、一定の数の行を一群の隣り合う行に
用いても良いし、一定でない数の行を一群の隣り合う行に用いることもできる。また、例
えば入出力パネル３５５２における共通電極３５２２（図４（Ｂ）参照）は、電流の変化
を検知する配線３５１１（図９（Ａ）参照）に接続される。言い換えると、ＸｒからＸｓ
までの連続した行を繋げることができる。
【0123】
【0124】
この場合、一群の隣り合う行分の表示素子に順次黒信号の書き込みを行い、次いで、上記
一群の隣り合う行分のセンシングを一度に行い、その後一群の隣り合う行分の表示素子へ
のビデオ信号の書き込みを順次行う。これらを期間３６２７にて行い、同様に次の一群の
隣り合う行の処理を行う。１フレーム期間を固定したとき、図１３に示されるタイミング
チャートのような駆動方法は、図１２の場合に比べて、表示期間３６２２を長くすること
ができる。
一群の隣り合う行分のセンシングを一度に行い、その後一群の隣り合う行分の表示素子へ
のビデオ信号の書き込みを順次行う。これらを期間３６２７にて行い、同様に次の一群の
隣り合う行の処理を行う。１フレーム期間を固定したとき、図１３に示されるタイミング
チャートのような駆動方法は、図１２の場合に比べて、表示期間３６２２を長くすること
ができる。
【0125】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる
ことができる。
ことができる。
【0126】
【0127】
【0128】
図１４では、タッチセンサはパルス電圧出力回路３５０１Ａ、およびパルス電圧出力回路
３５０１Ｂを有している。また、パルス電圧が与えられる配線３５１０をＸ１Ａ－ＸｎＡ
、Ｘ１Ｂ－ＸｎＢとして、それぞれ２ｎ本の配線で例示している。電流の変化を検知する
配線３５１１をＹ１－Ｙｍとして、それぞれｍ／２本の配線で例示している。
３５０１Ｂを有している。また、パルス電圧が与えられる配線３５１０をＸ１Ａ－ＸｎＡ
、Ｘ１Ｂ－ＸｎＢとして、それぞれ２ｎ本の配線で例示している。電流の変化を検知する
配線３５１１をＹ１－Ｙｍとして、それぞれｍ／２本の配線で例示している。
【0129】
例えば、パルス電圧出力回路３５０１Ａに接続される容量３５０３Ａと、パルス電圧出力
回路３５０１Ｂに接続される容量３５０３Ｂと、は互いに隣接するように配置することが
できる。
回路３５０１Ｂに接続される容量３５０３Ｂと、は互いに隣接するように配置することが
できる。
【0130】
このような配置を選択可能とすることで、画素のレイアウトの自由度が増える。例えば、
配線３５１１の抵抗を低くする必要があるとき、配線３５１１の線幅を大きくしつつ、Ｃ
方向の画素数を維持することができる。
配線３５１１の抵抗を低くする必要があるとき、配線３５１１の線幅を大きくしつつ、Ｃ
方向の画素数を維持することができる。
【0131】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる
ことができる。
ことができる。
【0132】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、実施の形態
１または実施の形態２とは別の構成例について説明する。具体的には、本発明の一態様の
入出力パネルは、液晶素子または発光素子を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、実施の形態
１または実施の形態２とは別の構成例について説明する。具体的には、本発明の一態様の
入出力パネルは、液晶素子または発光素子を有する。
【0133】
《構成例６．》
図１（Ａ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極３５２７を有する
。センサ電極３５２７は、共通電極３５２２から分離されている。一例として、入出力パ
ネル３５５６の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する（図１５（Ａ
）参照）。
図１（Ａ）に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極３５２７を有する
。センサ電極３５２７は、共通電極３５２２から分離されている。一例として、入出力パ
ネル３５５６の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する（図１５（Ａ
）参照）。
【0134】
図１５（Ａ）に示す入出力パネル３５５６は、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ）モードで動作する液晶素子を有する。
ｉｎｇ）モードで動作する液晶素子を有する。
【0135】
入出力パネル３５５６は、トランジスタ３５２１と、共通電極と、画素電極３５２３と、
を備える（図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）参照）。共通電極は櫛歯状の形状を備え、共
通電極は共通電極３５２２Ａおよび共通電極３５２２Ｂを含む。また、共通電極、画素電
極３５２３、センサ電極３５２７およびセンサ電極３５２９は同じ材料を含む。これによ
り、共通電極、画素電極３５２３、センサ電極３５２７およびセンサ電極３５２９を、同
一の工程で形成することができる。
を備える（図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）参照）。共通電極は櫛歯状の形状を備え、共
通電極は共通電極３５２２Ａおよび共通電極３５２２Ｂを含む。また、共通電極、画素電
極３５２３、センサ電極３５２７およびセンサ電極３５２９は同じ材料を含む。これによ
り、共通電極、画素電極３５２３、センサ電極３５２７およびセンサ電極３５２９を、同
一の工程で形成することができる。
【0136】
【0137】
センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７の間に形成される電界の一部を、破線３５
６３で示す（図１５（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る
被検知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）
。
６３で示す（図１５（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る
被検知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）
。
【0138】
入出力パネル３５５６のその他の構成は、入出力パネル３５５１の構成を参照することが
できる。
できる。
【0139】
【0140】
共通電極３５２２は、液晶材料を含む層３５２４を介して画素電極３５２３と対向するよ
うに設けられている。また、共通電極３５２２と重ねて配線３５２６が設けられている。
配線３５２６は、例えば、図１６（Ａ）に図示されていないブロック間を電気的に接続す
るために設けることができる。また共通電極３５２２と画素電極３５２３との間に、液晶
材料を含む層３５２４を有する。また、センサ電極３５２９および画素電極３５２３は、
同じ材料を含む。これにより、センサ電極３５２９および画素電極３５２３を、同一の工
程で形成することができる。
うに設けられている。また、共通電極３５２２と重ねて配線３５２６が設けられている。
配線３５２６は、例えば、図１６（Ａ）に図示されていないブロック間を電気的に接続す
るために設けることができる。また共通電極３５２２と画素電極３５２３との間に、液晶
材料を含む層３５２４を有する。また、センサ電極３５２９および画素電極３５２３は、
同じ材料を含む。これにより、センサ電極３５２９および画素電極３５２３を、同一の工
程で形成することができる。
【0141】
【0142】
センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７の間に形成される電界の一部を、破線３５
６３で示す（図１６（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る
被検知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）
。また、配線３５２６の一部および共通電極３５２２の一部は画素電極３５２３と重なる
。図の煩雑さを避けるため、配線３５２６および共通電極３５２２は、図１６（Ｂ）にお
いて省略されている。
６３で示す（図１６（Ｂ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る
被検知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）
。また、配線３５２６の一部および共通電極３５２２の一部は画素電極３５２３と重なる
。図の煩雑さを避けるため、配線３５２６および共通電極３５２２は、図１６（Ｂ）にお
いて省略されている。
【0143】
入出力パネル３５５７のその他の構成は、入出力パネル３５５１の構成を参照することが
できる。
できる。
【0144】
【0145】
《構成例８．》
また、本発明の一態様であるタッチパネルは、発光素子を有しても良い。
また、本発明の一態様であるタッチパネルは、発光素子を有しても良い。
【0146】
図１７（Ａ）に、入出力パネル３５５８の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を示
す。入出力パネル３５５８は、発光素子を有する。発光素子は、画素電極３５２３、電極
３５７２および発光性の材料を含む層３５７３を備える。発光性の材料を含む層３５７３
は、画素電極３５２３および電極３５７２の間に設けられる。
す。入出力パネル３５５８は、発光素子を有する。発光素子は、画素電極３５２３、電極
３５７２および発光性の材料を含む層３５７３を備える。発光性の材料を含む層３５７３
は、画素電極３５２３および電極３５７２の間に設けられる。
【0147】
可視光を透過する導電性材料を電極３５７２に用いる。これにより、発光素子から光を取
り出すことができる。または、取り出された光を視認することができる。例えば、可視光
を透過する導電性材料を、陰極または陽極に用いることができる。本実施の形態では、可
視光を透過する導電材料を電極３５７２に用い、電極３５７２を陰極とする（図１７（Ａ
）参照）。
り出すことができる。または、取り出された光を視認することができる。例えば、可視光
を透過する導電性材料を、陰極または陽極に用いることができる。本実施の形態では、可
視光を透過する導電材料を電極３５７２に用い、電極３５７２を陰極とする（図１７（Ａ
）参照）。
【0148】
可視光を反射する導電性材料を画素電極３５２３に用いることができる。具体的には、ア
ルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン
、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層
構造または積層構造を、画素電極３５２３に用いることができる。
ルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン
、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層
構造または積層構造を、画素電極３５２３に用いることができる。
【0149】
可視光を透過する導電性材料を電極３５７２に用いることができる。具体的には、酸化イ
ンジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した
酸化亜鉛などの導電性酸化物を、電極３５７２に用いることができる。可視光を透過する
導電膜については後述の部分で別に説明する。
ンジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した
酸化亜鉛などの導電性酸化物を、電極３５７２に用いることができる。可視光を透過する
導電膜については後述の部分で別に説明する。
【0150】
画素電極３５２３は、センサ電極３５２９が含む材料と同じ材料を含む。これにより、画
素電極３５２３およびセンサ電極３５２９を、同一の工程で形成することができる。なお
、画素電極３５２３は、センサ電極３５２９と接続されていない。また、電極３５７２は
、センサ電極３５２９と重ならない領域を備える。例えば、シャドーマスクを用いて形成
された開口部を備える。
素電極３５２３およびセンサ電極３５２９を、同一の工程で形成することができる。なお
、画素電極３５２３は、センサ電極３５２９と接続されていない。また、電極３５７２は
、センサ電極３５２９と重ならない領域を備える。例えば、シャドーマスクを用いて形成
された開口部を備える。
【0151】
入出力パネル３５５８は、絶縁層３５７６と、樹脂層３５７７とを有する。絶縁層３５７
６は、樹脂層３５７７から発光性の材料を含む層３５７３への水の拡散を低減する。
６は、樹脂層３５７７から発光性の材料を含む層３５７３への水の拡散を低減する。
【0152】
入出力パネル３５５８は、画素電極３５２３を備える。画素電極３５２３は、トランジス
タ３５３０のソース電極またはドレイン電極の一方に電気的に接続されている。トランジ
スタ３５３０のソース電極またはドレイン電極の他方は、電源線３５３１と電気的に接続
される（図１７（Ｂ）参考）。トランジスタ３５３０は、発光素子を制御する機能を備え
る。トランジスタ３５３０は、駆動用のトランジスタである。トランジスタ３５３０のゲ
ート電極は、スイッチング用のトランジスタ３５２１のソース電極またはドレイン電極の
一方と電気的に接続する。スイッチング用のトランジスタ３５２１のゲート電極は、ゲー
ト配線３５１７と電気的に接続する。画素電極３５２３とセンサ電極３５２９とを１対の
電極とし、容量の変化を検知することにより静電容量方式の検知を行う。
タ３５３０のソース電極またはドレイン電極の一方に電気的に接続されている。トランジ
スタ３５３０のソース電極またはドレイン電極の他方は、電源線３５３１と電気的に接続
される（図１７（Ｂ）参考）。トランジスタ３５３０は、発光素子を制御する機能を備え
る。トランジスタ３５３０は、駆動用のトランジスタである。トランジスタ３５３０のゲ
ート電極は、スイッチング用のトランジスタ３５２１のソース電極またはドレイン電極の
一方と電気的に接続する。スイッチング用のトランジスタ３５２１のゲート電極は、ゲー
ト配線３５１７と電気的に接続する。画素電極３５２３とセンサ電極３５２９とを１対の
電極とし、容量の変化を検知することにより静電容量方式の検知を行う。
【0153】
また、各画素間の発光性の材料を含む層３５７３を塗り分けるために、画素電極３５２３
と、発光性の材料を含む層３５７３との間に、隔壁３５７８を形成する。隔壁３５７８と
しては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いて形成する。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法によ
って形成された窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜や、ＳＯＧ法によって塗布された窒化
珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜等を用いることができる。また、有機絶縁膜としては、ア
クリル樹脂膜等を用いることができる。
と、発光性の材料を含む層３５７３との間に、隔壁３５７８を形成する。隔壁３５７８と
しては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いて形成する。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法によ
って形成された窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜や、ＳＯＧ法によって塗布された窒化
珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜等を用いることができる。また、有機絶縁膜としては、ア
クリル樹脂膜等を用いることができる。
【0154】
ここで、隔壁３５７８を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで容易にテーパ
ー形状の側壁とすることが出来る。隔壁３５７８の側壁が十分になだらかでないと段差に
起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。
ー形状の側壁とすることが出来る。隔壁３５７８の側壁が十分になだらかでないと段差に
起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。
【0155】
またコンタクト領域３５１８にも、隔壁３５７８を形成する。こうして、コンタクト領域
３５１８の凹凸による、画素電極の凹凸を隔壁３５７８によって埋めることにより、段差
に起因するＥＬ層の劣化を防いでいる。
３５１８の凹凸による、画素電極の凹凸を隔壁３５７８によって埋めることにより、段差
に起因するＥＬ層の劣化を防いでいる。
【0156】
センサ電極３５２９およびセンサ電極３５２７の間に形成される電界の一部を、破線３５
６３で示す（図１７（Ａ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る
被検知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）
。なお、図１１、図１２、図１３で示す駆動方法を入出力パネルに用いることができる。
６３で示す（図１７（Ａ）参照）。本発明の一態様のタッチセンサは、この電界を横切る
被検知体３５６４を検知することができる。なお、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７は、静電容量方式センサ部３５１５の一対の電極に相当する（図１（Ａ）参照）
。なお、図１１、図１２、図１３で示す駆動方法を入出力パネルに用いることができる。
【0157】
センサ電極３５２７は、電極３５７２が含む材料と同じ材料を含む。これにより、センサ
電極３５２７および電極３５７２を、同一の工程で形成することができる。また、センサ
電極３５２７を電極３５７２から分離して、形成することができる。また、センサ電極３
５２７を、共通電極とすることで、センサ電極３５２７とセンサ電極３５２９とを容量部
分の一対の電極とすることができる。
電極３５２７および電極３５７２を、同一の工程で形成することができる。また、センサ
電極３５２７を電極３５７２から分離して、形成することができる。また、センサ電極３
５２７を、共通電極とすることで、センサ電極３５２７とセンサ電極３５２９とを容量部
分の一対の電極とすることができる。
【0158】
《構成例９．》
図１８（Ａ）に示す入出力パネル３５５９は、図３（Ａ）に示す入出力パネル３５５１の
センサ電極３５２７を、基板３５４３上に形成したものである。このとき基板３５４３は
、センサ電極３５２７と、液晶材料を含む層３５２４との間に挟まれる。
図１８（Ａ）に示す入出力パネル３５５９は、図３（Ａ）に示す入出力パネル３５５１の
センサ電極３５２７を、基板３５４３上に形成したものである。このとき基板３５４３は
、センサ電極３５２７と、液晶材料を含む層３５２４との間に挟まれる。
【0159】
このようにセンサ電極３５２７を配置することで、センサ電極３５２９およびセンサ電極
３５２７の間に、被検知体３５６４が横切りやすい電気力線を、形成することができる。
その結果、静電容量方式センサの感度を向上することができる。
３５２７の間に、被検知体３５６４が横切りやすい電気力線を、形成することができる。
その結果、静電容量方式センサの感度を向上することができる。
【0160】
《構成例１０．》
可視光を透過する導電膜を、図１６（Ａ）に示す入出力パネル３５５７の共通電極３５２
２または図１７（Ａ）に示す入出力パネル３５５８の電極３５７２に用いることができる
。例えば、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対する反射率が１％以上好
ましくは５％以上１００％未満であって、且つ透過率が１％以上好ましくは１０％以上１
００％未満である導電膜を、共通電極３５２２、または電極３５７２に用いることができ
る。
可視光を透過する導電膜を、図１６（Ａ）に示す入出力パネル３５５７の共通電極３５２
２または図１７（Ａ）に示す入出力パネル３５５８の電極３５７２に用いることができる
。例えば、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対する反射率が１％以上好
ましくは５％以上１００％未満であって、且つ透過率が１％以上好ましくは１０％以上１
００％未満である導電膜を、共通電極３５２２、または電極３５７２に用いることができ
る。
【0161】
具体的には、厚さ１ｎｍ乃至３０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１５ｎｍの銀（Ａｇ）を含
む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを、共通電極３５２２
または電極３５７２に用いることができる。
む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを、共通電極３５２２
または電極３５７２に用いることができる。
【0162】
または、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、またはシリコンから選ばれた元素を含む材料
を、共通電極３５２２または電極３５７２に用いることができる。具体的には、Ｉｎ酸化
物、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ酸化物（ＩＴ
ＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物等を、共通電極３５２２ま
たは電極３５７２に用いることができる。
を、共通電極３５２２または電極３５７２に用いることができる。具体的には、Ｉｎ酸化
物、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ酸化物（ＩＴ
ＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物等を、共通電極３５２２ま
たは電極３５７２に用いることができる。
【0163】
または、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を、共通電極３５２２または電極３５７
２に用いることができる。具体的には、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェ
ンを含む膜を還元することにより形成されたグラフェンを含む膜を用いることができる。
なお、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を、還元する方法に用いることができる。
２に用いることができる。具体的には、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェ
ンを含む膜を還元することにより形成されたグラフェンを含む膜を用いることができる。
なお、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を、還元する方法に用いることができる。
【0164】
また、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物に代表される金属酸化物を、共通電極３５２２または電極
３５７２に用いることができる。また、例えば、窒化シリコン膜等の窒化物絶縁膜を当該
金属酸化物の上層に有する積層膜を共通電極３５２２または電極３５７２に用いることが
できる。なお、窒化物絶縁膜から当該金属酸化物に窒素または水素を熱拡散することがで
きる。これにより、キャリア密度を高めることができる。または、金属酸化物を、酸化物
導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）にすることができる。
３５７２に用いることができる。また、例えば、窒化シリコン膜等の窒化物絶縁膜を当該
金属酸化物の上層に有する積層膜を共通電極３５２２または電極３５７２に用いることが
できる。なお、窒化物絶縁膜から当該金属酸化物に窒素または水素を熱拡散することがで
きる。これにより、キャリア密度を高めることができる。または、金属酸化物を、酸化物
導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）にすることができる。
【0165】
または、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下または１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の厚さを備え
る酸化物導電体（ＯＣ）を、共通電極３５２２または電極３５７２に用いることができる
。
る酸化物導電体（ＯＣ）を、共通電極３５２２または電極３５７２に用いることができる
。
【0166】
また、可視光を透過する導電膜を、画素電極３５２３、センサ電極３５２７、センサ電極
３５２９、電極３５７２、の何れかまたは複数に用いることができる。または、表示素子
の表示領域を、可視光を透過する導電膜を用いたいずれかの電極に重なるように形成する
ことができる。これにより、当該表示素子の表示光は、画素電極３５２３、センサ電極３
５２７、センサ電極３５２９、電極３５７２の何れかまたは複数を透過することができる
。または、使用者は、画素電極３５２３、センサ電極３５２７、センサ電極３５２９、電
極３５７２の何れかまたは複数を透過して表示を視認させることができる。
３５２９、電極３５７２、の何れかまたは複数に用いることができる。または、表示素子
の表示領域を、可視光を透過する導電膜を用いたいずれかの電極に重なるように形成する
ことができる。これにより、当該表示素子の表示光は、画素電極３５２３、センサ電極３
５２７、センサ電極３５２９、電極３５７２の何れかまたは複数を透過することができる
。または、使用者は、画素電極３５２３、センサ電極３５２７、センサ電極３５２９、電
極３５７２の何れかまたは複数を透過して表示を視認させることができる。
【0167】
《構成例１１．》
図１８（Ｂ）に示す入出力パネル３５６０は、透過型、あるいは半透過型の液晶素子を有
する。入出力パネル３５６０は、バックライトＢＬを備える点が、例えば、実施の形態１
において、図３（Ａ）を用いて説明する入出力パネル３５５１とは異なる。また、共通電
極３５２２、画素電極３５２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは、いずれも可視光を透過す
る。
図１８（Ｂ）に示す入出力パネル３５６０は、透過型、あるいは半透過型の液晶素子を有
する。入出力パネル３５６０は、バックライトＢＬを備える点が、例えば、実施の形態１
において、図３（Ａ）を用いて説明する入出力パネル３５５１とは異なる。また、共通電
極３５２２、画素電極３５２３Ａおよび画素電極３５２３Ｂは、いずれも可視光を透過す
る。
【0168】
バックライトＢＬは、矢印３５８１の方向に光Ｌを射出する。バックライトＢＬは、液晶
材料を含む層３５２４に光を照射することができる。例えば、直下型の光源またはサイド
ライト型の光源を、バックライトＢＬに用いることができる。
材料を含む層３５２４に光を照射することができる。例えば、直下型の光源またはサイド
ライト型の光源を、バックライトＢＬに用いることができる。
【0169】
入出力パネル３５６０は、機能膜３５８２を有する。例えば、偏光板を機能膜３５８２に
用いることができる。なお、図示しないが、例えば、機能膜３５８２との間に液晶材料を
含む層を挟むように、別の機能膜を用いることもできる。
用いることができる。なお、図示しないが、例えば、機能膜３５８２との間に液晶材料を
含む層を挟むように、別の機能膜を用いることもできる。
【0170】
可視光を透過する機能を有する導電膜を備える透過型の液晶素子を、本明細書中に記載す
る入出力パネルに用いることができる。また、フィールドシーケンシャル方式で各色の光
を順番に供給するバックライトを用いることにより、液晶素子上に着色膜を形成しなくて
も色表示が可能となる。なお、全ての色の光を同時に供給したとき、白色の表示が可能と
なる。
る入出力パネルに用いることができる。また、フィールドシーケンシャル方式で各色の光
を順番に供給するバックライトを用いることにより、液晶素子上に着色膜を形成しなくて
も色表示が可能となる。なお、全ての色の光を同時に供給したとき、白色の表示が可能と
なる。
【0171】
例えば、反射型の液晶素子および偏光板を、入出力パネル３５６０に用いることができる
。具体的には、反射型の液晶素子の表示面側に偏光板を用いることができる。
。具体的には、反射型の液晶素子の表示面側に偏光板を用いることができる。
【0172】
また、光拡散板をいずれの入出力パネルの表示面側に用いることができる。これにより、
視認性を向上することができる。
視認性を向上することができる。
【0173】
なお、実施の形態１乃至実施の形態４または本実施の形態において説明する入出力パネル
の構成から、適宜２以上を選んで組み合わせることができる。例えば、ＦＦＳモードで動
作する液晶素子またはＶＡモードで動作する液晶素子以外の液晶素子に、３枚の電極を用
いることができる。あるいは、他の表示方法を用いる表示素子を用いることができる。
の構成から、適宜２以上を選んで組み合わせることができる。例えば、ＦＦＳモードで動
作する液晶素子またはＶＡモードで動作する液晶素子以外の液晶素子に、３枚の電極を用
いることができる。あるいは、他の表示方法を用いる表示素子を用いることができる。
【0174】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施すること
ができる。
ができる。
【0175】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルの駆動方法の例について、図面を参照
して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルの駆動方法の例について、図面を参照
して説明する。
【0176】
［センサの検知方法の例］
図９（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量のみを設けるパッシブマトリクス
方式のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブマトリ
クス方式のタッチセンサとしてもよい。図２４にアクティブマトリクス方式のタッチセン
サに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
図９（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量のみを設けるパッシブマトリクス
方式のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブマトリ
クス方式のタッチセンサとしてもよい。図２４にアクティブマトリクス方式のタッチセン
サに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
【0177】
センサ回路は容量１５０３と、トランジスタ１５１１と、トランジスタ１５１２と、トラ
ンジスタ１５１３とを有する。トランジスタ１５１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソ
ース又はドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量１５０３の一方の電極お
よびトランジスタ１５１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ１５１１はソース
又はドレインの一方がトランジスタ１５１２のソース又はドレインの一方と電気的に接続
し、他方に電圧ＶＳＳが与えられる。トランジスタ１５１２はゲートに信号Ｇ１が与えら
れ、ソース又はドレインの他方が信号線ＭＬと電気的に接続する。容量１５０３の他方の
電極には電圧ＶＳＳが与えられる。
ンジスタ１５１３とを有する。トランジスタ１５１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソ
ース又はドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量１５０３の一方の電極お
よびトランジスタ１５１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ１５１１はソース
又はドレインの一方がトランジスタ１５１２のソース又はドレインの一方と電気的に接続
し、他方に電圧ＶＳＳが与えられる。トランジスタ１５１２はゲートに信号Ｇ１が与えら
れ、ソース又はドレインの他方が信号線ＭＬと電気的に接続する。容量１５０３の他方の
電極には電圧ＶＳＳが与えられる。
【0178】
続いて、センサ回路の動作について説明する。まず信号Ｇ２としてトランジスタ１５１３
をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ１５１１のゲートが接続される
ノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次いで信号Ｇ２としてトランジス
タ１５１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。
をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ１５１１のゲートが接続される
ノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次いで信号Ｇ２としてトランジス
タ１５１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。
【0179】
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量１５０３の相互容量が変化するこ
とに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
とに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
【0180】
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ１５１２をオン状態とする電位を与える。ノー
ドｎの電位に応じてトランジスタ１５１１に流れる電流、すなわち信号線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
ドｎの電位に応じてトランジスタ１５１１に流れる電流、すなわち信号線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
【0181】
トランジスタ１５１１、トランジスタ１５１２、トランジスタ１５１３としては、チャネ
ルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい
。特にトランジスタ１５１３のチャネルを形成する半導体層に酸化物半導体を適用するこ
とにより、ノードｎの電位を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲ
ＥＳを供給しなおす動作（リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
ルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい
。特にトランジスタ１５１３のチャネルを形成する半導体層に酸化物半導体を適用するこ
とにより、ノードｎの電位を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲ
ＥＳを供給しなおす動作（リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
【0182】
［表示装置の駆動方法例］
図２５（Ａ）は、一例として表示装置の構成を示すブロック図である。図２５（Ａ）では
ゲート駆動回路ＧＤ、ソース駆動回路ＳＤ、画素ｐｉｘを示している。なお図２５（Ａ）
では、ゲート駆動回路ＧＤに電気的に接続されるゲート線ｘ＿１乃至ｘ＿ｍ（ｍは自然数
）、ソース駆動回路ＳＤに電気的に接続されるソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎ（ｎは自然数）
に対応して、画素ｐｉｘではそれぞれに（１，１）乃至（ｎ，ｍ）の符号を付している。
図２５（Ａ）は、一例として表示装置の構成を示すブロック図である。図２５（Ａ）では
ゲート駆動回路ＧＤ、ソース駆動回路ＳＤ、画素ｐｉｘを示している。なお図２５（Ａ）
では、ゲート駆動回路ＧＤに電気的に接続されるゲート線ｘ＿１乃至ｘ＿ｍ（ｍは自然数
）、ソース駆動回路ＳＤに電気的に接続されるソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎ（ｎは自然数）
に対応して、画素ｐｉｘではそれぞれに（１，１）乃至（ｎ，ｍ）の符号を付している。
【0183】
次いで図２５（Ｂ）は、図２５（Ａ）で示す表示装置におけるゲート線およびソース線に
与える信号のタイミングチャート図である。図２５（Ｂ）では、１フレーム期間ごとにデ
ータ信号を書き換える場合と、データ信号を書き換えない場合と、に分けて示している。
なお図２５（Ｂ）では、帰線期間等の期間を考慮していない。
与える信号のタイミングチャート図である。図２５（Ｂ）では、１フレーム期間ごとにデ
ータ信号を書き換える場合と、データ信号を書き換えない場合と、に分けて示している。
なお図２５（Ｂ）では、帰線期間等の期間を考慮していない。
【0184】
１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換える場合、ｘ＿１乃至ｘ＿ｍのゲート線には、
順に走査信号が与えられる。走査信号がＨレベルの期間である水平走査期間１Ｈでは、各
列のソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎにデータ信号Ｄが与えられる。
順に走査信号が与えられる。走査信号がＨレベルの期間である水平走査期間１Ｈでは、各
列のソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎにデータ信号Ｄが与えられる。
【0185】
１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換えない場合、ゲート線ｘ＿１乃至ｘ＿ｍに与え
る走査信号を停止する。また水平走査期間１Ｈでは、各列のソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎに
与えるデータ信号を停止する。
る走査信号を停止する。また水平走査期間１Ｈでは、各列のソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎに
与えるデータ信号を停止する。
【0186】
１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換えない駆動方法は特に、画素が有するトランジ
スタとしてチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用する場合に有効である。
酸化物半導体が適用されたトランジスタはシリコン等の半導体が適用されたトランジスタ
に比べて極めてオフ電流を小さくすることが可能である。そのため、１フレーム期間ごと
にデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだデータ信号を保持させることが
でき、例えば１秒以上、好ましくは５秒以上に亘って画素の階調を保持することもできる
。
スタとしてチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用する場合に有効である。
酸化物半導体が適用されたトランジスタはシリコン等の半導体が適用されたトランジスタ
に比べて極めてオフ電流を小さくすることが可能である。そのため、１フレーム期間ごと
にデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだデータ信号を保持させることが
でき、例えば１秒以上、好ましくは５秒以上に亘って画素の階調を保持することもできる
。
【0187】
また、画素が有するトランジスタとしてチャネルが形成される半導体層に多結晶シリコン
を適用する場合には、画素が有する保持容量の大きさをあらかじめ大きくしておくことが
好ましい。保持容量が大きいほど、画素の階調を長時間に亘って保持することができる。
保持容量の大きさは、保持容量に電気的に接続するトランジスタや表示素子のリーク電流
に応じて設定すればよいが、例えば、１画素あたりの保持容量を５ｆＦ以上５ｐＦ以下、
好ましくは１０ｆＦ以上５ｐＦ以下、より好ましくは２０ｆＦ以上１ｐＦ以下とすると、
１フレーム期間ごとにデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだデータ信号
を保持させることができ、例えば数フレームまたは数１０フレームの期間に亘って画素の
階調を保持することが可能となる。
を適用する場合には、画素が有する保持容量の大きさをあらかじめ大きくしておくことが
好ましい。保持容量が大きいほど、画素の階調を長時間に亘って保持することができる。
保持容量の大きさは、保持容量に電気的に接続するトランジスタや表示素子のリーク電流
に応じて設定すればよいが、例えば、１画素あたりの保持容量を５ｆＦ以上５ｐＦ以下、
好ましくは１０ｆＦ以上５ｐＦ以下、より好ましくは２０ｆＦ以上１ｐＦ以下とすると、
１フレーム期間ごとにデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだデータ信号
を保持させることができ、例えば数フレームまたは数１０フレームの期間に亘って画素の
階調を保持することが可能となる。
【0188】
［表示装置とタッチセンサの駆動方法の例］
図２６（Ａ）乃至（Ｄ）は、一例として図９（Ａ）、（Ｂ）で説明したタッチセンサと、
図２５（Ａ）、（Ｂ）で説明した表示装置とを１ｓｅｃ．（１秒間）駆動する場合に、連
続するフレーム期間の動作について説明する図である。なお図２６（Ａ）では、表示装置
の１フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）、タッチセンサの１フレ
ーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とした場合について示している。
図２６（Ａ）乃至（Ｄ）は、一例として図９（Ａ）、（Ｂ）で説明したタッチセンサと、
図２５（Ａ）、（Ｂ）で説明した表示装置とを１ｓｅｃ．（１秒間）駆動する場合に、連
続するフレーム期間の動作について説明する図である。なお図２６（Ａ）では、表示装置
の１フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）、タッチセンサの１フレ
ーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とした場合について示している。
【0189】
本実施の形態におけるタッチパネルは、表示装置とタッチセンサの動作は互いに独立して
おり、表示期間と平行してタッチ検知期間とすることができる。そのため図２６（Ａ）に
示すように、表示装置およびタッチセンサの１フレーム期間を共に１６．７ｍｓ（フレー
ム周波数：６０Ｈｚ）と設定することができる。タッチセンサと表示装置のフレーム周波
数を異ならせてもよい。例えば図２６（Ｂ）に示すように、表示装置の１フレーム期間を
８．３ｍｓ（フレーム周波数：１２０Ｈｚ）と設定し、タッチセンサの１フレーム期間を
１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とすることもできる。また、図示しないが、
表示装置の１フレーム期間を３３．３ｍｓ（フレーム周波数：３０Ｈｚ）としてもよい。
おり、表示期間と平行してタッチ検知期間とすることができる。そのため図２６（Ａ）に
示すように、表示装置およびタッチセンサの１フレーム期間を共に１６．７ｍｓ（フレー
ム周波数：６０Ｈｚ）と設定することができる。タッチセンサと表示装置のフレーム周波
数を異ならせてもよい。例えば図２６（Ｂ）に示すように、表示装置の１フレーム期間を
８．３ｍｓ（フレーム周波数：１２０Ｈｚ）と設定し、タッチセンサの１フレーム期間を
１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とすることもできる。また、図示しないが、
表示装置の１フレーム期間を３３．３ｍｓ（フレーム周波数：３０Ｈｚ）としてもよい。
【0190】
また表示装置のフレーム周波数を切り替え可能な構成とし、動画像の表示の際にはフレー
ム周波数を大きく（例えば６０Ｈｚ以上または１２０Ｈｚ以上）し、静止画像の表示の際
にはフレーム周波数を小さく（例えば６０Ｈｚ以下、３０Ｈｚ以下、または１Ｈｚ以下）
することで、表示装置の消費電力を抑えることができる。またタッチセンサのフレーム周
波数を切り替え可能な構成とし、待機時と、タッチを感知した時とでフレーム周波数を異
ならせてもよい。
ム周波数を大きく（例えば６０Ｈｚ以上または１２０Ｈｚ以上）し、静止画像の表示の際
にはフレーム周波数を小さく（例えば６０Ｈｚ以下、３０Ｈｚ以下、または１Ｈｚ以下）
することで、表示装置の消費電力を抑えることができる。またタッチセンサのフレーム周
波数を切り替え可能な構成とし、待機時と、タッチを感知した時とでフレーム周波数を異
ならせてもよい。
【0191】
また本実施の形態におけるタッチパネルは、表示装置におけるデータ信号の書き換えを行
わずに、前の期間に書き換えたデータ信号を保持することで、表示装置の１フレーム期間
を１６．７ｍｓよりも長い期間とすることができる。そのため、図２６（Ｃ）に示すよう
に、表示装置の１フレーム期間を１ｓｅｃ．（フレーム周波数：１Ｈｚ）と設定し、タッ
チセンサの１フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とすることもで
きる。
わずに、前の期間に書き換えたデータ信号を保持することで、表示装置の１フレーム期間
を１６．７ｍｓよりも長い期間とすることができる。そのため、図２６（Ｃ）に示すよう
に、表示装置の１フレーム期間を１ｓｅｃ．（フレーム周波数：１Ｈｚ）と設定し、タッ
チセンサの１フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とすることもで
きる。
【0192】
また、本実施の形態におけるタッチパネルは、図２６（Ｃ）に示す駆動を行う場合、継続
してタッチセンサの駆動を行うことができる。そのため、図２６（Ｄ）に示すようにタッ
チセンサにおける被検知体の近接または接触を検知したタイミングで、表示装置のデータ
信号を書き換えることもできる。
してタッチセンサの駆動を行うことができる。そのため、図２６（Ｄ）に示すようにタッ
チセンサにおける被検知体の近接または接触を検知したタイミングで、表示装置のデータ
信号を書き換えることもできる。
【0193】
ここで、タッチセンサのセンシング期間に表示装置のデータ信号の書き換え動作を行うと
、表示装置を駆動させるときのノイズがタッチセンサに伝わることで、タッチセンサの感
度を低下させてしまう恐れがある。したがって特に、表示装置のデータ信号の書き換え期
間と、タッチセンサのセンシング期間とをずらすように駆動することが好ましい。
、表示装置を駆動させるときのノイズがタッチセンサに伝わることで、タッチセンサの感
度を低下させてしまう恐れがある。したがって特に、表示装置のデータ信号の書き換え期
間と、タッチセンサのセンシング期間とをずらすように駆動することが好ましい。
【0194】
図２７（Ａ）では、表示装置のデータ信号の書き換えと、タッチセンサのセンシングとを
交互に行う例を示している。また、図２７（Ｂ）では、表示装置のデータ信号の書き換え
動作を２回行うごとに、タッチセンサのセンシングを１回行う例を示している。なお、こ
れに限られず３回以上の書き換え動作を行うごとにタッチセンサのセンシングを１回行う
構成としてもよい。
交互に行う例を示している。また、図２７（Ｂ）では、表示装置のデータ信号の書き換え
動作を２回行うごとに、タッチセンサのセンシングを１回行う例を示している。なお、こ
れに限られず３回以上の書き換え動作を行うごとにタッチセンサのセンシングを１回行う
構成としてもよい。
【0195】
また、表示装置の画素に適用されるトランジスタが、チャネルが形成される半導体層に酸
化物半導体を用いる場合、オフ電流を極めて低減することが可能なため、データ信号の書
き換えの頻度を十分に低減することができる。具体的には、データ信号の書き換えを行っ
た後、次にデータ信号を書き換えるまでの間に、十分に長い休止期間を設けることが可能
となる。休止期間は、例えば０．５秒以上、１秒以上、または５秒以上とすることができ
る。休止期間の上限は、トランジスタに接続される容量や表示素子等のリーク電流によっ
て制限されるが、例えば１分以下、１０分以下、１時間以下、または１日以下程度とする
ことができる。
化物半導体を用いる場合、オフ電流を極めて低減することが可能なため、データ信号の書
き換えの頻度を十分に低減することができる。具体的には、データ信号の書き換えを行っ
た後、次にデータ信号を書き換えるまでの間に、十分に長い休止期間を設けることが可能
となる。休止期間は、例えば０．５秒以上、１秒以上、または５秒以上とすることができ
る。休止期間の上限は、トランジスタに接続される容量や表示素子等のリーク電流によっ
て制限されるが、例えば１分以下、１０分以下、１時間以下、または１日以下程度とする
ことができる。
【0196】
図２７（Ｃ）では、５秒間に１度の頻度で表示装置のデータ信号の書き換えを行う例を示
している。図２７（Ｃ）では表示装置はデータ信号を書き換えたのち、次のデータ信号の
書き換え動作までの期間は動作を停止する休止期間が設けられている。休止期間では、タ
ッチセンサがフレーム周波数ｉＨｚ（ｉは表示装置のフレーム周波数以上、ここでは０．
２Ｈｚ以上）で駆動することができる。また図２７（Ｃ）に示すように、タッチセンサの
センシングを休止期間に行い、表示装置のデータ信号の書き換え期間には行わないように
すると、タッチセンサの感度を向上させることができ好ましい。また、図２７（Ｄ）に示
すように、表示装置のデータ信号の書き換えとタッチセンサのセンシングを同時に行うと
、駆動のための信号を簡略化することができる。
している。図２７（Ｃ）では表示装置はデータ信号を書き換えたのち、次のデータ信号の
書き換え動作までの期間は動作を停止する休止期間が設けられている。休止期間では、タ
ッチセンサがフレーム周波数ｉＨｚ（ｉは表示装置のフレーム周波数以上、ここでは０．
２Ｈｚ以上）で駆動することができる。また図２７（Ｃ）に示すように、タッチセンサの
センシングを休止期間に行い、表示装置のデータ信号の書き換え期間には行わないように
すると、タッチセンサの感度を向上させることができ好ましい。また、図２７（Ｄ）に示
すように、表示装置のデータ信号の書き換えとタッチセンサのセンシングを同時に行うと
、駆動のための信号を簡略化することができる。
【0197】
また、表示装置のデータ信号の書き換え動作を行わない休止期間では、駆動回路への信号
のみの供給を停止してもよいし、これに加えて電源電位の供給も停止することで、より消
費電力を低減することができる。
のみの供給を停止してもよいし、これに加えて電源電位の供給も停止することで、より消
費電力を低減することができる。
【0198】
本発明の一態様のタッチパネルは、可撓性を有する２つの基板に表示装置とタッチセンサ
が挟持された構成を有し、表示装置とタッチセンサの距離を極めて近づけることができる
。このとき、表示装置の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タッチセン
サの感度が低下してしまう恐れがあるが、本実施の形態で例示した駆動方法を適用するこ
とで、薄型化と高い検出感度を両立したタッチパネルを実現できる。
が挟持された構成を有し、表示装置とタッチセンサの距離を極めて近づけることができる
。このとき、表示装置の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タッチセン
サの感度が低下してしまう恐れがあるが、本実施の形態で例示した駆動方法を適用するこ
とで、薄型化と高い検出感度を両立したタッチパネルを実現できる。
【0199】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの有する、トランジスタ３５２１を例
とするトランジスタの一構成について、説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの有する、トランジスタ３５２１を例
とするトランジスタの一構成について、説明する。
【0200】
トランジスタ３５２１は、ボトムゲート型でも、トップゲート型でも、ゲート電極を２つ
有する型でも良い。
有する型でも良い。
【0201】
図２１（Ａ）に、ボトムゲート型のトランジスタ１５１を示す。トランジスタ１５１は、
基板１０２上の導電膜１０６と、導電膜１０６上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の金
属酸化物膜１０８と、金属酸化物膜１０８上の導電膜１２０ａ、１２０ｂと、金属酸化物
膜１０８、導電膜１２０ａ、１２０ｂ上の絶縁膜１１８と、絶縁膜１１８上の絶縁膜１２
２、とを有する。
基板１０２上の導電膜１０６と、導電膜１０６上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の金
属酸化物膜１０８と、金属酸化物膜１０８上の導電膜１２０ａ、１２０ｂと、金属酸化物
膜１０８、導電膜１２０ａ、１２０ｂ上の絶縁膜１１８と、絶縁膜１１８上の絶縁膜１２
２、とを有する。
【0202】
トランジスタ１５１において、導電膜１０６は、ゲート電極としての機能を有し、導電膜
１２０ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜１２０ｂは、ドレイン電極としての
機能を有する。
１２０ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜１２０ｂは、ドレイン電極としての
機能を有する。
【0203】
導電膜１１４を、絶縁膜１２２上に形成し、かつトランジスタ１５１のゲート電極である
導電膜１０６と電気的に接続させる場合、図２１（Ｂ）のように絶縁膜１０４と、絶縁膜
１１８と、絶縁膜１２２と、に開口部を設け、接続することができる。
導電膜１０６と電気的に接続させる場合、図２１（Ｂ）のように絶縁膜１０４と、絶縁膜
１１８と、絶縁膜１２２と、に開口部を設け、接続することができる。
【0204】
図２１（Ｃ）は、トップゲート型のトランジスタ１５２を示す。トランジスタ１５２は、
基板１０２上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の金属酸化物膜１０８と、金属酸化物膜
１０８上の絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０上の導電膜１１２と、絶縁膜１０４、金属酸化
物膜１０８、及び導電膜１１２上の絶縁膜１１６と、を有する。また絶縁膜１１６上に絶
縁膜１１８を有する。
基板１０２上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の金属酸化物膜１０８と、金属酸化物膜
１０８上の絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０上の導電膜１１２と、絶縁膜１０４、金属酸化
物膜１０８、及び導電膜１１２上の絶縁膜１１６と、を有する。また絶縁膜１１６上に絶
縁膜１１８を有する。
【0205】
金属酸化物膜１０８は、導電膜１１２が重畳せずに、且つ絶縁膜１１６が接する領域にお
いて、領域１０８ｎを有する。領域１０８ｎは、先に説明した金属酸化物膜１０８が、ｎ
型化した領域である。なお、領域１０８ｎは、絶縁膜１１６と接し、絶縁膜１１６は、窒
素または水素を有する。そのため、絶縁膜１１６中の窒素または水素が領域１０８ｎに添
加されることで、キャリア密度が高くなりｎ型となる。
いて、領域１０８ｎを有する。領域１０８ｎは、先に説明した金属酸化物膜１０８が、ｎ
型化した領域である。なお、領域１０８ｎは、絶縁膜１１６と接し、絶縁膜１１６は、窒
素または水素を有する。そのため、絶縁膜１１６中の窒素または水素が領域１０８ｎに添
加されることで、キャリア密度が高くなりｎ型となる。
【0206】
トランジスタ１５２は、絶縁膜１１６上の絶縁膜１１８と、絶縁膜１１６、１１８に設け
られた開口部１４１ａを介して、領域１０８ｎに電気的に接続される導電膜１２０ａと、
絶縁膜１１６、１１８に設けられた開口部１４１ｂを介して、領域１０８ｎに電気的に接
続される導電膜１２０ｂと、を有している。
られた開口部１４１ａを介して、領域１０８ｎに電気的に接続される導電膜１２０ａと、
絶縁膜１１６、１１８に設けられた開口部１４１ｂを介して、領域１０８ｎに電気的に接
続される導電膜１２０ｂと、を有している。
【0207】
トランジスタ１５２において、導電膜１１２は、ゲート電極としての機能を有し、導電膜
１２０ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜１２０ｂは、ドレイン電極としての
機能を有する。
１２０ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜１２０ｂは、ドレイン電極としての
機能を有する。
【0208】
導電膜１１４を、絶縁膜１２２上に形成し、かつトランジスタ１５２のゲート電極である
導電膜１１２と電気的に接続させる場合、図２１（Ｄ）のように絶縁膜１１６と、絶縁膜
１１８と、絶縁膜１２２と、に開口部を設け、接続することができる。
導電膜１１２と電気的に接続させる場合、図２１（Ｄ）のように絶縁膜１１６と、絶縁膜
１１８と、絶縁膜１２２と、に開口部を設け、接続することができる。
【0209】
【0210】
以上、ゲート電極を１つ有するトランジスタについて説明をしたが、以下にゲート電極を
２つ有するトランジスタ１５０について説明する。トランジスタ１５０は、トランジスタ
１５１とトランジスタ１５２との構成を合わせたものである。
２つ有するトランジスタ１５０について説明する。トランジスタ１５０は、トランジスタ
１５１とトランジスタ１５２との構成を合わせたものである。
【0211】
【0212】
図２２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１５０は、基板１０２上の導電膜１０６と
、導電膜１０６上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の金属酸化物膜１０８と、金属酸化
物膜１０８上の絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０上の導電膜１１２と、絶縁膜１０４、金属
酸化物膜１０８、及び導電膜１１２上の絶縁膜１１６と、を有する。
、導電膜１０６上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の金属酸化物膜１０８と、金属酸化
物膜１０８上の絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０上の導電膜１１２と、絶縁膜１０４、金属
酸化物膜１０８、及び導電膜１１２上の絶縁膜１１６と、を有する。
【0213】
【0214】
開口部１４３は、絶縁膜１０４、１１０に設けられる。また、導電膜１０６は、開口部１
４３を介して、導電膜１１２と、電気的に接続される。よって、導電膜１０６と導電膜１
１２には、同じ電位が与えられる。なお、開口部１４３を設けずに、導電膜１０６と、導
電膜１１２と、に異なる電位を与えてもよい。または、開口部１４３を設けずに、導電膜
１０６を遮光膜として用いてもよい。例えば、導電膜１０６を遮光性の材料により形成す
ることで、金属酸化物膜１０８に照射される下方からの光を抑制することができる。
４３を介して、導電膜１１２と、電気的に接続される。よって、導電膜１０６と導電膜１
１２には、同じ電位が与えられる。なお、開口部１４３を設けずに、導電膜１０６と、導
電膜１１２と、に異なる電位を与えてもよい。または、開口部１４３を設けずに、導電膜
１０６を遮光膜として用いてもよい。例えば、導電膜１０６を遮光性の材料により形成す
ることで、金属酸化物膜１０８に照射される下方からの光を抑制することができる。
【0215】
また、トランジスタ１５０の構成とする場合、導電膜１０６は、第１のゲート電極（ボト
ムゲート電極ともいう）としての機能を有し、導電膜１１２は、第２のゲート電極（トッ
プゲート電極ともいう）としての機能を有する。また、絶縁膜１０４は、第１のゲート絶
縁膜としての機能を有し、絶縁膜１１０は、第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。
ムゲート電極ともいう）としての機能を有し、導電膜１１２は、第２のゲート電極（トッ
プゲート電極ともいう）としての機能を有する。また、絶縁膜１０４は、第１のゲート絶
縁膜としての機能を有し、絶縁膜１１０は、第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。
【0216】
導電膜１０６としては、先に記載の導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂと同様の材料を用
いることができる。特に導電膜１０６として、銅を含む材料により形成することで抵抗を
低くすることができるため好適である。例えば、導電膜１０６を窒化チタン膜、窒化タン
タル膜、またはタングステン膜上に銅膜を設ける積層構造とし、導電膜１２０ａ、１２０
ｂを窒化チタン膜、窒化タンタル膜、またはタングステン膜上に銅膜を設ける積層構造と
すると好適である。この場合、トランジスタ１５０を表示装置の画素トランジスタ及び駆
動トランジスタのいずれか一方または双方に用いることで、導電膜１０６と導電膜１２０
ａとの間に生じる寄生容量、及び導電膜１０６と導電膜１２０ｂとの間に生じる寄生容量
を低くすることができる。したがって、導電膜１０６、導電膜１２０ａ、及び導電膜１２
０ｂを、トランジスタ１５０の第１のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極として
用いるのみならず、表示装置の電源供給用の配線、信号供給用の配線、または接続用の配
線等に用いる事も可能となる。
いることができる。特に導電膜１０６として、銅を含む材料により形成することで抵抗を
低くすることができるため好適である。例えば、導電膜１０６を窒化チタン膜、窒化タン
タル膜、またはタングステン膜上に銅膜を設ける積層構造とし、導電膜１２０ａ、１２０
ｂを窒化チタン膜、窒化タンタル膜、またはタングステン膜上に銅膜を設ける積層構造と
すると好適である。この場合、トランジスタ１５０を表示装置の画素トランジスタ及び駆
動トランジスタのいずれか一方または双方に用いることで、導電膜１０６と導電膜１２０
ａとの間に生じる寄生容量、及び導電膜１０６と導電膜１２０ｂとの間に生じる寄生容量
を低くすることができる。したがって、導電膜１０６、導電膜１２０ａ、及び導電膜１２
０ｂを、トランジスタ１５０の第１のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極として
用いるのみならず、表示装置の電源供給用の配線、信号供給用の配線、または接続用の配
線等に用いる事も可能となる。
【0217】
このように、図２２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１５０は、金属酸化物膜１０
８の上下にゲート電極として機能する導電膜を有する構造である。トランジスタ１５０に
示すように、本発明の一態様の半導体装置には、複数のゲート電極を設けてもよい。
８の上下にゲート電極として機能する導電膜を有する構造である。トランジスタ１５０に
示すように、本発明の一態様の半導体装置には、複数のゲート電極を設けてもよい。
【0218】
導電膜１１４を、絶縁膜１２２上に形成し、かつトランジスタ１５０のゲート電極である
導電膜１１２、または導電膜１０６、と電気的に接続させる場合、図２１（Ｃ）または図
２１（Ｄ）のように、各絶縁膜に開口部を設け、接続することができる。
導電膜１１２、または導電膜１０６、と電気的に接続させる場合、図２１（Ｃ）または図
２１（Ｄ）のように、各絶縁膜に開口部を設け、接続することができる。
【0219】
また、図２２（Ｂ）（Ｃ）に示すように、金属酸化物膜１０８は、第１のゲート電極とし
て機能する導電膜１０６と、第２のゲート電極として機能する導電膜１１２のそれぞれと
対向するように位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている。
て機能する導電膜１０６と、第２のゲート電極として機能する導電膜１１２のそれぞれと
対向するように位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている。
【0220】
また、導電膜１１２のチャネル幅方向の長さは、金属酸化物膜１０８のチャネル幅方向の
長さよりも長く、金属酸化物膜１０８のチャネル幅方向全体は、絶縁膜１１０を間に挟ん
で導電膜１１２に覆われている。また、導電膜１１２と導電膜１０６とは、絶縁膜１０４
、及び絶縁膜１１０に設けられる開口部１４３において接続されるため、金属酸化物膜１
０８のチャネル幅方向の側面の一方は、絶縁膜１１０を間に挟んで導電膜１１２と対向し
ている。
長さよりも長く、金属酸化物膜１０８のチャネル幅方向全体は、絶縁膜１１０を間に挟ん
で導電膜１１２に覆われている。また、導電膜１１２と導電膜１０６とは、絶縁膜１０４
、及び絶縁膜１１０に設けられる開口部１４３において接続されるため、金属酸化物膜１
０８のチャネル幅方向の側面の一方は、絶縁膜１１０を間に挟んで導電膜１１２と対向し
ている。
【0221】
別言すると、導電膜１０６及び導電膜１１２は、絶縁膜１０４、１１０に設けられる開口
部１４３において接続され、且つ金属酸化物膜１０８の側端部よりも外側に位置する領域
を有する。
部１４３において接続され、且つ金属酸化物膜１０８の側端部よりも外側に位置する領域
を有する。
【0222】
このような構成を有することで、トランジスタ１５０に含まれる金属酸化物膜１０８を、
第１のゲート電極として機能する導電膜１０６及び第２のゲート電極として機能する導電
膜１１２の電界によって電気的に取り囲むことができる。トランジスタ１５０のように、
第１のゲート電極及び第２のゲート電極の電界によって、チャネル領域が形成される金属
酸化物膜１０８を電気的に取り囲むトランジスタのデバイス構造をＳｕｒｒｏｕｎｄｅｄ
ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
第１のゲート電極として機能する導電膜１０６及び第２のゲート電極として機能する導電
膜１１２の電界によって電気的に取り囲むことができる。トランジスタ１５０のように、
第１のゲート電極及び第２のゲート電極の電界によって、チャネル領域が形成される金属
酸化物膜１０８を電気的に取り囲むトランジスタのデバイス構造をＳｕｒｒｏｕｎｄｅｄ
ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
【0223】
トランジスタ１５０は、Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、導電膜１０６または導電
膜１１２によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に金属酸化物膜１０８に印加
することができるため、トランジスタ１５０の電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性
を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジス
タ１５０を微細化することが可能となる。また、トランジスタ１５０は、金属酸化物膜１
０８が、導電膜１０６、及び導電膜１１２によって取り囲まれた構造を有するため、トラ
ンジスタ１５０の機械的強度を高めることができる。
膜１１２によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に金属酸化物膜１０８に印加
することができるため、トランジスタ１５０の電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性
を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジス
タ１５０を微細化することが可能となる。また、トランジスタ１５０は、金属酸化物膜１
０８が、導電膜１０６、及び導電膜１１２によって取り囲まれた構造を有するため、トラ
ンジスタ１５０の機械的強度を高めることができる。
【0224】
なお、トランジスタ１５０のチャネル幅方向において、金属酸化物膜１０８の開口部１４
３が形成されていない側に、開口部１４３と異なる開口部を形成してもよい。
３が形成されていない側に、開口部１４３と異なる開口部を形成してもよい。
【0225】
また、トランジスタ１５０に示すように、トランジスタが、半導体膜を間に挟んで存在す
る一対のゲート電極を有している場合、一方のゲート電極には信号Ａが、他方のゲート電
極には固定電位Ｖｂが与えられてもよい。また、一方のゲート電極には信号Ａが、他方の
ゲート電極には信号Ｂが与えられてもよい。また、一方のゲート電極には固定電位Ｖａが
、他方のゲート電極には固定電位Ｖｂが与えられてもよい。
る一対のゲート電極を有している場合、一方のゲート電極には信号Ａが、他方のゲート電
極には固定電位Ｖｂが与えられてもよい。また、一方のゲート電極には信号Ａが、他方の
ゲート電極には信号Ｂが与えられてもよい。また、一方のゲート電極には固定電位Ｖａが
、他方のゲート電極には固定電位Ｖｂが与えられてもよい。
【0226】
信号Ａは、例えば、導通状態または非導通状態を制御するための信号である。信号Ａは、
電位Ｖ１、または電位Ｖ２（Ｖ１＞Ｖ２とする）の２種類の電位をとるデジタル信号であ
ってもよい。例えば、電位Ｖ１を高電源電位とし、電位Ｖ２を低電源電位とすることがで
きる。信号Ａは、アナログ信号であってもよい。
電位Ｖ１、または電位Ｖ２（Ｖ１＞Ｖ２とする）の２種類の電位をとるデジタル信号であ
ってもよい。例えば、電位Ｖ１を高電源電位とし、電位Ｖ２を低電源電位とすることがで
きる。信号Ａは、アナログ信号であってもよい。
【0227】
固定電位Ｖｂは、例えば、トランジスタのしきい値電圧ＶｔｈＡを制御するための電位で
ある。固定電位Ｖｂは、電位Ｖ１、または電位Ｖ２であってもよい。この場合、固定電位
Ｖｂを生成するための電位発生回路を、別途設ける必要がなく好ましい。固定電位Ｖｂは
、電位Ｖ１、または電位Ｖ２と異なる電位であってもよい。固定電位Ｖｂを低くすること
で、しきい値電圧ＶｔｈＡを高くできる場合がある。その結果、ゲートーソース間電圧Ｖ
ｇｓが０Ｖのときのドレイン電流を低減し、トランジスタを有する回路のリーク電流を低
減できる場合がある。例えば、固定電位Ｖｂを低電源電位よりも低くしてもよい。一方で
、固定電位Ｖｂを高くすることで、しきい値電圧ＶｔｈＡを低くできる場合がある。その
結果、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが高電源電位のときのドレイン電流を向上させ、トラ
ンジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。例えば、固定電位Ｖｂを低電
源電位よりも高くしてもよい。
ある。固定電位Ｖｂは、電位Ｖ１、または電位Ｖ２であってもよい。この場合、固定電位
Ｖｂを生成するための電位発生回路を、別途設ける必要がなく好ましい。固定電位Ｖｂは
、電位Ｖ１、または電位Ｖ２と異なる電位であってもよい。固定電位Ｖｂを低くすること
で、しきい値電圧ＶｔｈＡを高くできる場合がある。その結果、ゲートーソース間電圧Ｖ
ｇｓが０Ｖのときのドレイン電流を低減し、トランジスタを有する回路のリーク電流を低
減できる場合がある。例えば、固定電位Ｖｂを低電源電位よりも低くしてもよい。一方で
、固定電位Ｖｂを高くすることで、しきい値電圧ＶｔｈＡを低くできる場合がある。その
結果、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが高電源電位のときのドレイン電流を向上させ、トラ
ンジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。例えば、固定電位Ｖｂを低電
源電位よりも高くしてもよい。
【0228】
信号Ｂは、例えば、導通状態または非導通状態を制御するための信号である。信号Ｂは、
電位Ｖ３、または電位Ｖ４（Ｖ３＞Ｖ４とする）の２種類の電位をとるデジタル信号であ
ってもよい。例えば、電位Ｖ３を高電源電位とし、電位Ｖ４を低電源電位とすることがで
きる。信号Ｂは、アナログ信号であってもよい。
電位Ｖ３、または電位Ｖ４（Ｖ３＞Ｖ４とする）の２種類の電位をとるデジタル信号であ
ってもよい。例えば、電位Ｖ３を高電源電位とし、電位Ｖ４を低電源電位とすることがで
きる。信号Ｂは、アナログ信号であってもよい。
【0229】
信号Ａと信号Ｂが共にデジタル信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと同じデジタル値を持
つ信号であってもよい。この場合、トランジスタのオン電流を向上し、トランジスタを有
する回路の動作速度を向上できる場合がある。このとき、信号Ａにおける電位Ｖ１及び電
位Ｖ２は、信号Ｂにおける電位Ｖ３及び電位Ｖ４と、異なっていても良い。例えば、信号
Ｂが入力されるゲートに対応するゲート絶縁膜が、信号Ａが入力されるゲートに対応する
ゲート絶縁膜よりも厚い場合、信号Ｂの電位振幅（Ｖ３－Ｖ４）を、信号Ａの電位振幅（
Ｖ１－Ｖ２）より大きくしても良い。そうすることで、トランジスタの導通状態または非
導通状態に対して、信号Ａが与える影響と、信号Ｂが与える影響と、を同程度とすること
ができる場合がある。
つ信号であってもよい。この場合、トランジスタのオン電流を向上し、トランジスタを有
する回路の動作速度を向上できる場合がある。このとき、信号Ａにおける電位Ｖ１及び電
位Ｖ２は、信号Ｂにおける電位Ｖ３及び電位Ｖ４と、異なっていても良い。例えば、信号
Ｂが入力されるゲートに対応するゲート絶縁膜が、信号Ａが入力されるゲートに対応する
ゲート絶縁膜よりも厚い場合、信号Ｂの電位振幅（Ｖ３－Ｖ４）を、信号Ａの電位振幅（
Ｖ１－Ｖ２）より大きくしても良い。そうすることで、トランジスタの導通状態または非
導通状態に対して、信号Ａが与える影響と、信号Ｂが与える影響と、を同程度とすること
ができる場合がある。
【0230】
信号Ａと信号Ｂが共にデジタル信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと異なるデジタル値を
持つ信号であってもよい。この場合、トランジスタの制御を信号Ａと信号Ｂによって別々
に行うことができ、より高い機能を実現できる場合がある。例えば、トランジスタがｎチ
ャネル型である場合、信号Ａが電位Ｖ１であり、かつ、信号Ｂが電位Ｖ３である場合のみ
導通状態となる場合や、信号Ａが電位Ｖ２であり、かつ、信号Ｂが電位Ｖ４である場合の
み非導通状態となる場合には、一つのトランジスタでＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路等の機能
を実現できる場合がある。また、信号Ｂは、しきい値電圧ＶｔｈＡを制御するための信号
であってもよい。例えば、信号Ｂは、トランジスタを有する回路が動作している期間と、
当該回路が動作していない期間と、で電位が異なる信号であっても良い。信号Ｂは、回路
の動作モードに合わせて電位が異なる信号であってもよい。この場合、信号Ｂは信号Ａほ
ど頻繁には電位が切り替わらない場合がある。
持つ信号であってもよい。この場合、トランジスタの制御を信号Ａと信号Ｂによって別々
に行うことができ、より高い機能を実現できる場合がある。例えば、トランジスタがｎチ
ャネル型である場合、信号Ａが電位Ｖ１であり、かつ、信号Ｂが電位Ｖ３である場合のみ
導通状態となる場合や、信号Ａが電位Ｖ２であり、かつ、信号Ｂが電位Ｖ４である場合の
み非導通状態となる場合には、一つのトランジスタでＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路等の機能
を実現できる場合がある。また、信号Ｂは、しきい値電圧ＶｔｈＡを制御するための信号
であってもよい。例えば、信号Ｂは、トランジスタを有する回路が動作している期間と、
当該回路が動作していない期間と、で電位が異なる信号であっても良い。信号Ｂは、回路
の動作モードに合わせて電位が異なる信号であってもよい。この場合、信号Ｂは信号Ａほ
ど頻繁には電位が切り替わらない場合がある。
【0231】
信号Ａと信号Ｂが共にアナログ信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと同じ電位のアナログ
信号、信号Ａの電位を定数倍したアナログ信号、または、信号Ａの電位を定数だけ加算も
しくは減算したアナログ信号等であってもよい。この場合、トランジスタのオン電流が向
上し、トランジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。信号Ｂは、信号Ａ
と異なるアナログ信号であってもよい。この場合、トランジスタの制御を信号Ａと信号Ｂ
によって別々に行うことができ、より高い機能を実現できる場合がある。
信号、信号Ａの電位を定数倍したアナログ信号、または、信号Ａの電位を定数だけ加算も
しくは減算したアナログ信号等であってもよい。この場合、トランジスタのオン電流が向
上し、トランジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。信号Ｂは、信号Ａ
と異なるアナログ信号であってもよい。この場合、トランジスタの制御を信号Ａと信号Ｂ
によって別々に行うことができ、より高い機能を実現できる場合がある。
【0232】
信号Ａがデジタル信号であり、信号Ｂがアナログ信号であってもよい。または信号Ａがア
ナログ信号であり、信号Ｂがデジタル信号であってもよい。
ナログ信号であり、信号Ｂがデジタル信号であってもよい。
【0233】
トランジスタの両方のゲート電極に固定電位を与える場合、トランジスタを、抵抗素子と
同等の素子として機能させることができる場合がある。例えば、トランジスタがｎチャネ
ル型である場合、固定電位Ｖａまたは固定電位Ｖｂを高く（低く）することで、トランジ
スタの実効抵抗を低く（高く）することができる場合がある。固定電位Ｖａ及び固定電位
Ｖｂを共に高く（低く）することで、一つのゲートしか有さないトランジスタによって得
られる実効抵抗よりも低い（高い）実効抵抗が得られる場合がある。
同等の素子として機能させることができる場合がある。例えば、トランジスタがｎチャネ
ル型である場合、固定電位Ｖａまたは固定電位Ｖｂを高く（低く）することで、トランジ
スタの実効抵抗を低く（高く）することができる場合がある。固定電位Ｖａ及び固定電位
Ｖｂを共に高く（低く）することで、一つのゲートしか有さないトランジスタによって得
られる実効抵抗よりも低い（高い）実効抵抗が得られる場合がある。
【0234】
【0235】
絶縁膜１２２は、トランジスタ等に起因する凹凸等を平坦化させる機能を有する。絶縁膜
１２２としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該
無機材料としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜等が挙げられる。該有機材料として
は、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
１２２としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該
無機材料としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜等が挙げられる。該有機材料として
は、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
【0236】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0237】
【0238】
図１９および図２０は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１
９（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１９（Ｂ）乃至図１９（Ｅ）は情報処理
装置の構成を説明する斜視図である。また、図２０（Ａ）乃至図２０（Ｅ）は情報処理装
置の構成を説明する斜視図である。
９（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１９（Ｂ）乃至図１９（Ｅ）は情報処理
装置の構成を説明する斜視図である。また、図２０（Ａ）乃至図２０（Ｅ）は情報処理装
置の構成を説明する斜視図である。
【0239】
【0240】
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を
供給する機能を備える。
供給する機能を備える。
【0241】
入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２
９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力
装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供
給される機能を備える。
９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力
装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供
給される機能を備える。
【0242】
入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処
理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【0243】
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ
、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
【0244】
表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、他の実施
の形態において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。
の形態において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。
【0245】
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されて
いる周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
いる周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【0246】
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知
部５２５０に用いることができる。
部５２５０に用いることができる。
【0247】
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線
通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的
には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的
には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【0248】
＜情報処理装置の構成例１．＞
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１９
（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また
、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の
柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または
、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１９
（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また
、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の
柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または
、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【0249】
＜情報処理装置の構成例２．＞
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（
図１９（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０イン
チ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複
数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネ
ルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電
子掲示板、電子看板等に用いることができる。
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（
図１９（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０イン
チ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複
数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネ
ルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電
子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【0250】
＜情報処理装置の構成例３．＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１９（Ｄ）参照
）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または
、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をス
マートウオッチに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１９（Ｄ）参照
）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または
、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をス
マートウオッチに表示することができる。
【0251】
＜情報処理装置の構成例４．＞
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１９（
Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面
、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけで
なく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１９（
Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面
、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけで
なく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【0252】
＜情報処理装置の構成例５．＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ａ）参照
）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、
晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォ
ンに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ａ）参照
）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、
晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォ
ンに表示することができる。
【0253】
＜情報処理装置の構成例６．＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｂ）参照
）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるよう
に、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｂ）参照
）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるよう
に、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【0254】
＜情報処理装置の構成例７．＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｃ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるよ
うに、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｃ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるよ
うに、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【0255】
＜情報処理装置の構成例８．＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｄ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるよ
うに、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｄ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるよ
うに、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【0256】
＜情報処理装置の構成例９．＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｅ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるよ
うに、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｅ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるよ
うに、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
【0257】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0258】
【0259】
＜電子機器＞
図２３は、折り畳みが可能な電子機器９２０を示している。図２３に示す電子機器９２０
は、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂ、表示部９２２、ヒンジ９２３、等を有する。表示部９
２２は筐体９２１ａ、筐体９２１ｂに、組み込まれている。
図２３は、折り畳みが可能な電子機器９２０を示している。図２３に示す電子機器９２０
は、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂ、表示部９２２、ヒンジ９２３、等を有する。表示部９
２２は筐体９２１ａ、筐体９２１ｂに、組み込まれている。
【0260】
筐体９２１ａ、筐体９２１ｂとは、ヒンジ９２３で回転可能に連結されている。電子機器
９２０は、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂとが閉じた状態と、図２３に示すように開いた状
態と、に変形することができる。これにより、持ち運ぶ際には可搬性に優れ、使用すると
きには大きな表示領域により、視認性に優れる。
９２０は、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂとが閉じた状態と、図２３に示すように開いた状
態と、に変形することができる。これにより、持ち運ぶ際には可搬性に優れ、使用すると
きには大きな表示領域により、視認性に優れる。
【0261】
また、ヒンジ９２３は、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂとを開いたときに、これらの角度が
所定の角度よりも大きい角度にならないように、ロック機構を有することが好ましい。例
えば、ロックがかかる（それ以上に開かない）角度は、９０度以上１８０度未満であるこ
とが好ましく、代表的には、９０度、１２０度、１３５度、１５０度、または１７５度な
どとすることができる。これにより、利便性、安全性、及び信頼性を高めることができる
。
所定の角度よりも大きい角度にならないように、ロック機構を有することが好ましい。例
えば、ロックがかかる（それ以上に開かない）角度は、９０度以上１８０度未満であるこ
とが好ましく、代表的には、９０度、１２０度、１３５度、１５０度、または１７５度な
どとすることができる。これにより、利便性、安全性、及び信頼性を高めることができる
。
【0262】
また電子機器９２０は、ヒンジ９２３により連結された筐体９２１ａと筐体９２１ｂに亘
って、フレキシブルな表示部９２２が設けられている。
って、フレキシブルな表示部９２２が設けられている。
【0263】
また電子機器９２０は、筐体９２１ａと筐体９２１ｂとを開いたときに、表示部９２２が
大きく湾曲した形態で保持されている。例えば、曲率半径を１ｍｍ以上５０ｍｍ以下、好
ましくは５ｍｍ以上３０ｍｍ以下の状態で、表示部９２２が保持された状態とすることが
できる。表示部９２２の一部は、筐体９２１ａから筐体９２１ｂにかけて、連続的に画素
が配置され、曲面状の表示を行うことができる。
大きく湾曲した形態で保持されている。例えば、曲率半径を１ｍｍ以上５０ｍｍ以下、好
ましくは５ｍｍ以上３０ｍｍ以下の状態で、表示部９２２が保持された状態とすることが
できる。表示部９２２の一部は、筐体９２１ａから筐体９２１ｂにかけて、連続的に画素
が配置され、曲面状の表示を行うことができる。
【0264】
ヒンジ９２３は、上述したロック機構を有しているため、表示部９２２に無理な力がかか
ることなく、表示部９２２が破損することを防ぐことができる。そのため、信頼性の高い
電子機器を実現できる。
ることなく、表示部９２２が破損することを防ぐことができる。そのため、信頼性の高い
電子機器を実現できる。
【0265】
表示部９２２は、タッチパネルとして機能し、指やスタイラスなどにより操作することが
できる。
できる。
【0266】
筐体９２１ａ、筐体９２１ｂのいずれか一には、無線通信モジュールが設けられ、インタ
ーネットやＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）
などのコンピュータネットワークを介して、データを送受信することが可能である。
ーネットやＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）
などのコンピュータネットワークを介して、データを送受信することが可能である。
【0267】
表示部９２２には、一つのフレキシブルディスプレイで構成されていることが好ましい。
これにより、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂの間で途切れることのない連続した表示を行う
ことができる。なお、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂのそれぞれに、ディスプレイが設けら
れる構成としてもよい。
これにより、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂの間で途切れることのない連続した表示を行う
ことができる。なお、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂのそれぞれに、ディスプレイが設けら
れる構成としてもよい。
【0268】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み
合わせて実施することができる。
合わせて実施することができる。
【0269】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
【0270】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。
、など）であるとする。
【0271】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【0272】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【0273】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【0274】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹと
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【0275】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
【0276】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
【0277】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
【0278】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
【0279】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【0280】
１０４ 絶縁膜
１１０ 絶縁膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２２ 絶縁膜
１５０ トランジスタ
１５１ トランジスタ
１５２ トランジスタ
９２２ 表示部
１５０３ 容量
１５１１ トランジスタ
１５１２ トランジスタ
１５１３ トランジスタ
３５０３ 容量
３５０３Ａ 容量
３５０３Ｂ 容量
３５１０ 配線
３５１１ 配線
３５１３ 液晶素子
３５１４ 容量部
３５１５ 静電容量方式センサ部
３５１６ ゲート電極
３５１７ ゲート配線
３５１８ コンタクト領域
３５１９ ソース配線
３５２１ トランジスタ
３５２２ 共通電極
３５２２Ａ 共通電極
３５２２Ｂ 共通電極
３５２３ 画素電極
３５２３Ａ 画素電極
３５２３Ｂ 画素電極
３５２４ 液晶材料を含む層
３５２５ カラーフィルタ
３５２６ 配線
３５２７ センサ電極
３５２９ センサ電極
３５３０ トランジスタ
３５３１ 電源線
３５５１ 入出力パネル
３５５２ 入出力パネル
３５５３ 入出力パネル
３５５４ 入出力パネル
３５５５ 入出力パネル
３５５６ 入出力パネル
３５５７ 入出力パネル
３５５８ 入出力パネル
３５５９ 入出力パネル
３５６０ 入出力パネル
３５６１ 配向膜
３５６２ 配向膜
３５７２ 電極
３５７３ 発光性の材料を含む層
３５７８ 隔壁
３５８１ 矢印
５２３０ 表示部
１１０ 絶縁膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２２ 絶縁膜
１５０ トランジスタ
１５１ トランジスタ
１５２ トランジスタ
９２２ 表示部
１５０３ 容量
１５１１ トランジスタ
１５１２ トランジスタ
１５１３ トランジスタ
３５０３ 容量
３５０３Ａ 容量
３５０３Ｂ 容量
３５１０ 配線
３５１１ 配線
３５１３ 液晶素子
３５１４ 容量部
３５１５ 静電容量方式センサ部
３５１６ ゲート電極
３５１７ ゲート配線
３５１８ コンタクト領域
３５１９ ソース配線
３５２１ トランジスタ
３５２２ 共通電極
３５２２Ａ 共通電極
３５２２Ｂ 共通電極
３５２３ 画素電極
３５２３Ａ 画素電極
３５２３Ｂ 画素電極
３５２４ 液晶材料を含む層
３５２５ カラーフィルタ
３５２６ 配線
３５２７ センサ電極
３５２９ センサ電極
３５３０ トランジスタ
３５３１ 電源線
３５５１ 入出力パネル
３５５２ 入出力パネル
３５５３ 入出力パネル
３５５４ 入出力パネル
３５５５ 入出力パネル
３５５６ 入出力パネル
３５５７ 入出力パネル
３５５８ 入出力パネル
３５５９ 入出力パネル
３５６０ 入出力パネル
３５６１ 配向膜
３５６２ 配向膜
３５７２ 電極
３５７３ 発光性の材料を含む層
３５７８ 隔壁
３５８１ 矢印
５２３０ 表示部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】