特許 7149394 情報処理装置、及び制御方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-09-28

(45)【発行日】2022-10-06

(54)【発明の名称】情報処理装置、及び制御方法

(51)【国際特許分類】

   G06F 12/00 20060101AFI20220929BHJP

   G06F 11/30 20060101ALI20220929BHJP

【ＦＩ】

G06F12/00 550E

G06F11/30 189

G06F11/30 158

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2021137985

(22)【出願日】2021-08-26

【審査請求日】2021-08-26

(73)【特許権者】

【識別番号】505205731

【氏名又は名称】レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100161207

【弁理士】

【氏名又は名称】西澤 和純

(74)【代理人】

【識別番号】100169764

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 雄一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100175824

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 淳一

(74)【代理人】

【識別番号】100206081

【弁理士】

【氏名又は名称】片岡 央

(72)【発明者】

【氏名】平良 優介

(72)【発明者】

【氏名】菅原 隆

【審査官】北村 学

(56)【参考文献】

【文献】特開２００５－１３５３５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０２０－５０６４８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１８４７９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００６－５２４３７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１６－５１５２４４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

ＩＰＣ Ｇ０６Ｆ １１／３０ － １１／３６

Ｇ０６Ｆ １２／００ － １２／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１筐体と、
前記第１筐体に対してヒンジ機構を介して回動可能に連結された第２筐体と、
前記第１筐体と前記第２筐体との前記ヒンジ機構による回動角度を検出するためのセンサと、
ハードウェアの起動を制御する第１のプログラムを記憶する第１のメモリと、
前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行する第１のプロセッサと、
前記第１のプログラムと異なる第２のプログラムを記憶する第２のメモリと、
前記第１のプロセッサと異なり、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行する第２のプロセッサと、
温度センサと、書き換え可能な第３のメモリと、前記温度センサによる検知温度が所定の温度閾値に達すると温度上昇を抑制するように前記第３のメモリへのアクセスを制御するメモリコントローラとを備えるメモリドライブ装置と、
を備え、
前記第１のプロセッサは、
前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行することにより、
第１のインタフェースを介して、前記所定の温度閾値の選択肢となる複数の温度閾値の情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値設定処理を行い、
前記第２のプロセッサは、
前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行することにより、
前記センサの検出結果に基づいて、第２のインタフェースを介して、前記複数の温度閾値の選択肢の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択する選択情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値選択処理を行う、
情報処理装置。

【請求項2】

前記第２のプロセッサは、
前記閾値選択処理において、前記センサの検出結果に基づく前記回動角度が所定の角度範囲内であるか否かに基づいて前記複数の温度閾値の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択する、
請求項１に記載の情報処理装置。

【請求項3】

第１筐体と、前記第１筐体に対してヒンジ機構を介して回動可能に連結された第２筐体と、前記第１筐体と前記第２筐体との前記ヒンジ機構による回動角度を検出するためのセンサと、ハードウェアの起動を制御する第１のプログラムを記憶する第１のメモリと、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行する第１のプロセッサと、前記第１のプログラムと異なる第２のプログラムを記憶する第２のメモリと、前記第１のプロセッサと異なり、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行する第２のプロセッサと、温度センサと書き換え可能な第３のメモリと前記温度センサによる検知温度が所定の温度閾値に達すると温度上昇を抑制するように前記第３のメモリへのアクセスを制御するメモリコントローラとを備えるメモリドライブ装置とを備える情報処理装置における制御方法であって、
前記第１のプロセッサが、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行することにより、第１のインタフェースを介して、前記所定の温度閾値の選択肢となる複数の温度閾値の情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値設定処理を行うステップと、
前記第２のプロセッサが、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行することにより、前記センサの検出結果に基づいて、第２のインタフェースを介して、前記複数の温度閾値の選択肢の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択する選択情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値選択処理を行うステップと、
を含む制御方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、情報処理装置、及び制御方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、アクセス速度の高速化に有利なＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）などのメモリドライブ装置が使用されるようになってきている。これにより、パフォーマンスの向上が図れる半面、発生する熱量が増加するという問題がある。発生する熱量が大きくなると、メモリドライブ装置が搭載された情報処理装置の筐体の表面温度が上昇する。筐体の表面温度はＵＬ規格などの安全規格で一定温度以下に定められているため、温度上昇を抑制する必要がある。

【0003】

例えばＳＳＤ内に温度センサを設け、温度をモニタリングすることにより所定の温度閾値に達すると温度上昇を抑制するようにメモリへのアクセスを制御することで温度上昇を抑制する機能（例えばサーマルスロットリング機能）が設けられている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０２０－１０６９３１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、温度上昇を抑制するようにメモリへのアクセスを制御する場合、アクセス速度が低下するため、ユーザが情報処理装置を使用する際にパフォーマンスが低下する可能性がある。

【0006】

本発明は上記した事情に鑑みてなされたもので、メモリドライブ装置の温度上昇を抑えつつ、パフォーマンスの低下を抑制する情報処理装置、及び制御方法を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、本発明の第１態様に係る情報処理装置は、ハードウェアの起動を制御する第１のプログラムを記憶する第１のメモリと、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行する第１のプロセッサと、前記第１のプログラムと異なる第２のプログラムを記憶する第２のメモリと、前記第１のプロセッサと異なり、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行する前記第２のプロセッサと、温度センサと、書き換え可能な第３のメモリと、前記温度センサによる検知温度が所定の温度閾値に達すると温度上昇を抑制するように前記第３のメモリへのアクセスを制御するメモリコントローラとを備えるメモリドライブ装置と、を備え、前記第１のプロセッサは、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行することにより、第１のインタフェースを介して、前記所定の温度閾値の選択肢となる複数の温度閾値の情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値設定処理を行い、前記第２のプロセッサは、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行することにより、第２のインタフェースを介して、前記複数の温度閾値の選択肢の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択する選択情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値選択処理を行う。

【0008】

上記情報処理装置において、前記第２のプロセッサは、前記閾値選択処理において、自情報処理装置の使用状態に基づいて前記複数の温度閾値の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択してもよい。

【0009】

上記情報処理装置において、前記第２のプロセッサは、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行することにより、自情報処理装置の特定領域へユーザが接触可能な状態であるか否かを判定する判定処理をさらに行い、前記閾値選択処理において、前記判定処理による判定結果に基づいて、前記複数の温度閾値の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択してもよい。

【0010】

上記情報処理装置において、自情報処理装置の動きを検出するための動きセンサをさらに備え、前記第２のプロセッサは、前記判定処理において、前記動きセンサの検出結果に基づいて自情報処理装置の特定領域へユーザが接触可能な状態であるか否かを判定してもよい。

【0011】

上記情報処理装置において、前記第２のプロセッサは、前記判定処理により、自情報処理装置の特定領域へユーザが接触可能な状態から接触不可能な状態へ変化したと判定した場合、前記閾値選択処理において、現在設定されている温度閾値より高い温度閾値を選択する前記選択情報を前記メモリコントローラへ送信してもよい。

【0012】

上記情報処理装置において、前記第２のプロセッサは、前記判定処理により、自情報処理装置の特定領域へユーザが接触不可能な状態から接触可能な状態へ変化したと判定した場合、前記閾値選択処理において、現在設定されている温度閾値より低い温度閾値を選択する前記選択情報を前記メモリコントローラへ送信してもよい。

【0013】

上記情報処理装置において、前記第１のインタフェースは、ＮＶＭｅ（Ｎｏｎ Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ Ｅｘｐｒｅｓｓ）インタフェースであり、前記第２のインタフェースは、ＳＭＢｕｓ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｂｕｓ）インタフェースであってもよい。

【0014】

上記情報処理装置において、前記第１のプログラムは、ＢＩＯＳのプログラムであってもよい。

【0015】

本発明の第２態様に係る情報処理装置は、ハードウェアの起動を制御する第１のプログラムを記憶する第１のメモリと、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行する第１のプロセッサと、前記第１のプログラムと異なる第２のプログラムを記憶する第２のメモリと、前記第１のプロセッサと異なり、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行する前記第２のプロセッサと、温度センサと、書き換え可能な第３のメモリと、前記温度センサによる検知温度が所定の温度閾値に達すると温度上昇を抑制するように前記第３のメモリへのアクセスを制御するメモリコントローラとを備えるメモリドライブ装置と、自情報処理装置の動きを検出するための動きセンサと、を備え、前記第１のプロセッサは、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行することにより、第１のインタフェースを介して、前記所定の温度閾値の選択肢となる複数の温度閾値の情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値設定処理を行い、前記第２のプロセッサは、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行することにより、前記動きセンサの検出結果に基づいて、第２のインタフェースを介して、前記複数の温度閾値の選択肢の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択する選択情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値選択処理を行う。

【0016】

本発明の第３態様に係る、ハードウェアの起動を制御する第１のプログラムを記憶する第１のメモリと、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行する第１のプロセッサと、前記第１のプログラムと異なる第２のプログラムを記憶する第２のメモリと、前記第１のプロセッサと異なり、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行する前記第２のプロセッサと、温度センサと書き換え可能な第３のメモリと前記温度センサによる検知温度が所定の温度閾値に達すると温度上昇を抑制するように前記第３のメモリへのアクセスを制御するメモリコントローラとを備えるメモリドライブ装置とを備える情報処理装置における制御方法は、前記第１のプロセッサが、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行することにより、第１のインタフェースを介して、前記所定の温度閾値の選択肢となる複数の温度閾値の情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値設定処理を行うステップと、前記第２のプロセッサが、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行することにより、第２のインタフェースを介して、前記複数の温度閾値の選択肢の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択する選択情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値選択処理を行うステップと、を含む。

【0017】

本発明の第４態様に係る、ハードウェアの起動を制御する第１のプログラムを記憶する第１のメモリと、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行する第１のプロセッサと、前記第１のプログラムと異なる第２のプログラムを記憶する第２のメモリと、前記第１のプロセッサと異なり、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行する前記第２のプロセッサと、温度センサと書き換え可能な第３のメモリと前記温度センサによる検知温度が所定の温度閾値に達すると温度上昇を抑制するように前記第３のメモリへのアクセスを制御するメモリコントローラとを備えるメモリドライブ装置と、自情報処理装置の動きを検出するための動きセンサとを備える情報処理装置における制御方法は、前記第１のプロセッサが、前記第１のメモリに記憶された前記第１のプログラムを実行することにより、第１のインタフェースを介して、前記所定の温度閾値の選択肢となる複数の温度閾値の情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値設定処理を行うステップと、前記第２のプロセッサが、前記第２のメモリに記憶された前記第２のプログラムを実行することにより、前記動きセンサの検出結果に基づいて、第２のインタフェースを介して、前記複数の温度閾値の選択肢の中から前記所定の温度閾値とする温度閾値を選択する選択情報を前記メモリコントローラへ送信する閾値選択処理を行うステップと、を含む。

【発明の効果】

【0018】

本発明の上記態様によれば、メモリドライブ装置の温度上昇を抑えつつ、パフォーマンスの低下を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】実施形態に係る情報処理装置の外観の一例を示す斜視図。

【図2】実施形態に係る情報処理装置の機器筐体の内部を模式的に示した平面図。

【図3】ＳＳＤの温度変化とパフォーマンスの関係の一例を示す図。

【図4】実施形態に係る情報処理装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図。

【図5】実施形態に係る情報処理装置の機能構成の一例を示すブロック図。

【図6】実施形態に係るＤＩＴＴ設定処理の一例を示すフローチャート。

【図7】実施形態に係る情報処理装置の３種類の使用状態（使用形態）の例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。
まず、本実施形態に係る情報処理装置の概要について説明する。

【0021】

［情報処理装置の概要］
図１は、本実施形態に係る情報処理装置の外観を示す斜視図である。
図示する情報処理装置１０は、クラムシェル型のノートＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）である。情報処理装置１０は、表示部１４（ディスプレイ）が搭載されたディスプレイ筐体１０１と、キーボード３２が搭載された機器筐体１０２と、ヒンジ機構１０３とを備えている。ディスプレイ筐体１０１及び機器筐体１０２は、略四角形の板状（例えば、平板状）の筐体である。

【0022】

ディスプレイ筐体１０１の側面の一つと機器筐体１０２の側面の一つとがヒンジ機構１０３を介して結合（連結）されており、ヒンジ機構１０３がなす回転軸の周りにディスプレイ筐体１０１と機器筐体１０２とが相対的に回動可能である。ディスプレイ筐体１０１と機器筐体１０２との回転軸の周りの開き角θが略０°の状態が、ディスプレイ筐体１０１と機器筐体１０２とが重なり合って閉じた状態（「閉状態」と称する）である。閉状態に対してディスプレイ筐体１０１と機器筐体１０２とが開いた状態のことを「開状態」と称する。開状態とは、開き角θが予め設定された閾値（例えば、１０°）より大きくなるまで、ディスプレイ筐体１０１と機器筐体１０２とが相対的に回動された状態である。この図１に示す情報処理装置１０の外観は、開状態の一例を示している。

【0023】

ここでは、ディスプレイ筐体１０１の表示部１４が設けられている面をディスプレイ面１０１ａ、ディスプレイ面１０１ａに対して反対側の面をトップ面１０１ｂと称する。また、機器筐体１０２のキーボード３２が設けられている面をキーボード面１０２ａ、キーボード面１０２ａに対して反対側の面をボトム面１０２ｂと称する。閉状態においてディスプレイ面１０１ａとキーボード面１０２ａとは互いに対面する側の面である。図示する例において、キーボード３２は、ユーザの操作を受け付ける複数のキー（操作子の一例）が配列された物理的なキーボードである。なお、キーボード面１０２ａには、キーボード３２以外にタッチパッドなどが設けられてもよい。

【0024】

閉状態では、ディスプレイ筐体１０１のディスプレイ面１０１ａと機器筐体１０２のキーボード面１０２ａとが対面して重なり合うため、表示部１４が視認できない状態、且つキーボード３２への操作ができない状態となる。一方、開状態では、表示部１４が視認可能な状態、且つキーボードへの操作が可能な状態となる。

【0025】

図２は、本実施形態に係る情報処理装置１０の機器筐体１０２の内部を模式的に示した平面図であり、機器筐体１０２の内部には、マザーボードＭＢ、バッテリ６０、及び放熱ファン３５などが配置されている。マザーボードＭＢには、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１１、メインメモリ１２、ビデオサブシステム１３、チップセット２１、ＢＩＯＳ（Ｂａｓｉｃ Ｉｎｐｕｔ Ｏｕｔｐｕｔ Ｓｙｓｔｅｍ）メモリ２２、エンベデッドコントローラ３１、電源回路３３、及びＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）４０などが実装されている。

【0026】

ＣＰＵ１１は、ＣＰＵ及びＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又はそれらのうちの何れかであってもよい。ＣＰＵ１１はＣＰＵとＧＰＵを同一のコアに形成するタイプでもよい。さらにＣＰＵ１１はＣＰＵとＧＰＵを別々のコアで形成し負荷を分担するタイプでもよい。また、ＣＰＵ１１は複数でもよい。

【0027】

ＳＳＤ４０は、情報処理装置１０のストレージ領域（記憶領域）として接続されているメモリドライブ装置である。ＳＳＤ４０は、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）に比較してアクセス速度が速くパフォーマンスの向上が図れる半面、パフォーマンスの向上に伴って発生する熱量も増加する。ＳＳＤ４０の温度が高くなると、ＳＳＤ４０自身の故障やユーザの安全を確保するために、ＳＳＤ４０のパフォーマンスを低下させて温度上昇を抑制する（温度を低下させる）制御が一般的に行われている。例えば、情報処理装置１０は、ＳＳＤ４０内に設けられている温度センサを用いて温度をモニタリングし、所定の温度閾値に達するとパフォーマンスを低下させて温度上昇を抑制する機能（以下、「サーマルスロットリング機能」と称する）を備えている。

【0028】

図３は、ＳＳＤ４０の温度変化とパフォーマンスの関係の一例を示す図である。この図において、横軸は時間を示し、縦軸はＳＳＤ４０の温度とＳＳＤ４０へのアクセス時のパフォーマンス（アクセス速度）とを示す。ＰＣＩｅ Ｇｅｎ３（ＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ ３．０）のＳＳＤ４０の温度変化を符号２０１が示す実線で示し、対応するパフォーマンスを符号２０２が示す実線で示している。ユーザの安全が確保される温度（Ｕｓｅｒ ｓａｆｅｔｙ ｌｉｍｉｔ ｔｅｍｐ）になるまではパフォーマンスに制限を設けず、ＳＳＤ４０はアクセスに応じて徐々に温度が上昇する。時刻Ｔ１においてＳＳＤ４０の温度が所定の温度閾値（以下、「ＤＩＴＴ：Ｄｅｖｉｃｅ Ｉｎｉｔｉａｔｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｔｈｒｏｔｔｌｉｎｇ Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ：」と称する）に達すると、ユーザの安全が確保される温度を超えないように、サーマルスロットリング機能を用いて段階的にＳＳＤ４０のパフォーマンスを低下させ、ＳＳＤ４０の温度を低下させる。

【0029】

ＰＣＩｅ Ｇｅｎ３よりもアクセス速度が高速のＰＣＩｅ Ｇｅｎ４（ＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ ４．０）のＳＳＤ４０を用いた場合、発生する熱量が大きく温度上昇がより早くなる傾向にある。ＰＣＩｅ Ｇｅｎ４のＳＳＤ４０の温度変化を符号３０１が示す破線で示し、対応するパフォーマンスを符号３０２が示す破線で示している。図示するように、ＰＣＩｅ Ｇｅｎ４のＳＳＤ４０では、ＰＣＩｅ Ｇｅｎ３のＳＳＤ４０の場合よりも早いタイミング（時刻Ｔ２）でＳＳＤ４０の温度がＤＩＴＴに達するため、早いタイミングでＳＳＤ４０のパフォーマンスを低下させる必要がある。ＳＳＤ４０のパフォーマンスを低下させた場合、目標とするパフォーマンスを下回ってユーザの使用時の快適性が損なわれることがある。

【0030】

ユーザの安全を確保するための温度に関する規格として例えばＵＬ規格では、人が接触可能な部分と接触不可能な部分とで、異なる温度限度値（最高温度）の規格値が規定されている。人が接触可能な部分の温度限度値は、人体への影響が考慮され、接触不可能な部分の温度限度値に比較して低い値に規定されている。機器筐体１０２の内部に配置されているＳＳＤ４０（図２参照）が熱を発生して温度が上昇すると、主に機器筐体１０２のボトム面１０２ｂの温度が上昇する。例えば、ユーザが情報処理装置１０を机に載置して使用している場合、ボトム面１０２ｂは机の面と接触しているためユーザが接触不可能な部分となる。一方、ユーザが情報処理装置１０を膝の上などにおいて使用している場合、ボトム面１０２ｂはユーザの膝と常に接触している状態となる。このように、ＳＳＤ４０が発生する熱の影響を最も受けるボトム面１０２ｂは、情報処理装置１０の使用状態によって、ユーザが接触可能な部分となることも、接触不可能な部分となることもある。

【0031】

しかしながら、従来のサーマルスロットリング機能を備えた情報処理装置では、ＤＩＴＴをシステムの起動時に設定した後に変更することが困難であったため、安全を考慮して低い方の温度限度値（人が接触可能な部分の温度限度値）を超えないようにＤＩＴＴが設定されていた。これにより、従来はどのような使用状態であっても、人が接触可能な部分の温度限度値を超えないように設定されたＤＩＴＴにＳＳＤ４０の温度が達すると、ＳＳＤ４０のパフォーマンスが低下することとなり、ユーザの使用時の快適性が損なわれる可能性が高かった。

【0032】

そこで、本実施形態に係る情報処理装置１０は、ユーザにより情報処理装置１０の使用状態などによってＤＩＴＴを動的に切り替えることを可能とし、ＳＳＤ４０の温度上昇を抑えつつ、パフォーマンスの低下を抑制するようにする。例えば、情報処理装置１０は、使用状態によってボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かを判定し、判定結果に基づいてＤＩＴＴを切り替えることで、ＵＬ規格を満たしつつ、ＳＳＤ４０のパフォーマンスをなるべく低下させないようにすることができる。以下、情報処理装置１０の具体的な構成について説明する。

【0033】

［情報処理装置１０のハードウェア構成］
図４は、本実施形態に係る情報処理装置１０の主要なハードウェア構成の一例を示すブロック図である。図４に示すように、情報処理装置１０は、メイン制御部５０と、ＳＳＤ４０と、電力を供給するバッテリ６０とを備えている。メイン制御部５０は、ＣＰＵ１１と、メインメモリ１２と、ビデオサブシステム１３と、表示部１４と、チップセット２１と、ＢＩＯＳメモリ２２と、エンベデッドコントローラ３１と、キーボード３２と、電源回路３３と、加速度センサ３４と、放熱ファン３５とを備える。

【0034】

ＣＰＵ１１は、プログラム制御により種々の演算処理を実行し、情報処理装置１０の全体を制御している。例えば、ＣＰＵ１１は、ＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）やＢＩＯＳなどのプログラムに基づく処理を実行する。

【0035】

メインメモリ１２は、ＣＰＵ１１の実行プログラムの読み込み領域として、又は、実行プログラムの処理データを書き込む作業領域として利用される書き込み可能メモリである。メインメモリ１２は、例えば、複数個のＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）チップで構成される。この実行プログラムには、ＯＳ、周辺機器類をハードウェア操作するための各種ドライバ、各種サービス／ユーティリティ、アプリケーションプログラム等が含まれる。

【0036】

ビデオサブシステム１３は、画像表示に関連する機能を実現するためのサブシステムであり、ビデオコントローラを含んでいる。このビデオコントローラは、ＣＰＵ１１からの描画命令を処理し、処理した描画情報をビデオメモリに書き込むとともに、ビデオメモリからこの描画情報を読み出して、表示部１４に描画データ（表示データ）として出力する。

【0037】

表示部１４は、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイであり、ビデオサブシステム１３から出力された描画データ（表示データ）に基づく表示画面を表示する。

【0038】

チップセット２１は、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）、シリアルＡＴＡ（ＡＴ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）、ＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）バス、ＰＣＩ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）バス、ＰＣＩ－Ｅｘｐｒｅｓｓバス、及びＬＰＣ（Ｌｏｗ Ｐｉｎ Ｃｏｕｎｔ）バスなどのコントローラを備えており複数のデバイスが接続される。図４では、複数のデバイスの例として、ＢＩＯＳメモリ２２と、ＳＳＤ４０と、エンベデッドコントローラ３１とがチップセット２１に接続されている。

【0039】

ＢＩＯＳメモリ２２は、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒy）やフラッシュＲＯＭなどの電気的に書き換え可能な不揮発性メモリで構成される。ＢＩＯＳメモリ２２は、ＢＩＯＳ、及びエンベデッドコントローラ３１などを制御するためのシステムファームウェアなどを記憶する。

【0040】

ＳＳＤ４０は、書き換え可能な不揮発性メモリを有するメモリドライブ装置の一例であり、ＯＳ、各種ドライバ、各種サービス／ユーティリティ、アプリケーションプログラム、及び各種データを記憶する。情報処理装置１０は、ＳＳＤ４０が記憶するデータを利用して各種情報処理を実行する。ＳＳＤ４０は、例えば、ＰＣＩｅバスにより、チップセット２１に接続されている。また、ＳＳＤ４０は、例えば、ＳＭＢｕｓ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｂｕｓ）により、エンベデッドコントローラ３１と接続されている。

【0041】

図４に示すように、ＳＳＤ４０は、複数のフラッシュメモリ４１と、メモリコントローラ４２と、温度センサ４３とを備える。フラッシュメモリ４１は、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリであり、書き換え可能な不揮発性メモリの一例である。

【0042】

メモリコントローラ４２は、例えば、不図示のＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを含むプロセッサであり、ＳＳＤ４０を統括的に制御する。メモリコントローラ４２は、チップセット２１とエンベデッドコントローラ３１とのそれぞれと異なるインタフェースで通信を行う。例えば、メモリコントローラ４２は、ＰＣＩｅバスで接続されたチップセット２１と通信するためのＮＶＭｅ（Ｎｏｎ Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ Ｅｘｐｒｅｓｓ）インタフェースを備えている。メモリコントローラ４２は、例えばＣＰＵ１１で実行されるＢＩＯＳとチップセット２１を介してＮＶＭｅインタフェース（ＮＶＭｅＩ／Ｆ）を用いて通信する。また、メモリコントローラ４２は、ＳＭＢｕｓで接続されたエンベデッドコントローラ３１と通信するためのＳＭＢｕｓインタフェース（ＳＭＢｕｓＩ／Ｆ）を備えている。メモリコントローラ４２は、例えばエンベデッドコントローラ３１とＳＭＢｕｓインタフェースを用いて通信する。

【0043】

また、メモリコントローラ４２は、フラッシュメモリ４１とメモリインタフェース（メモリＩ／Ｆ）を用いて、フラッシュメモリ４１へのデータの書き込みやフラッシュメモリ４１からのデータの読み出しなどのアクセス制御を行う。また、メモリコントローラ４２は、ＳＳＤ４０に設けられている温度センサ４３による検知温度をモニタリングし、上述したサーマルスロットリング機能を実行する。例えば、メモリコントローラ４２は、ＢＩＯＳの起動に応じて送信された複数（例えば２種類）のＤＩＴＴの選択肢を取得する。

【0044】

そして、メモリコントローラ４２は、取得した複数種類のうちのいずれかのＤＩＴＴをデフォルトとして使用してサーマルスロットリング機能を実行し、温度センサ４３による検知温度がＤＩＴＴに達すると、温度上昇を抑制するようにフラッシュメモリ４１へのアクセスを制限する。また、メモリコントローラ４２は、ＢＩＯＳの起動後、エンベデッドコントローラ３１からの指示に応じて、サーマルスロットリング機能に使用するＤＩＴＴを切り替える。これにより、ＳＳＤ４０は、ＢＩＯＳの起動後にＤＩＴＴを動的に切り替えることを可能となる。このＤＩＴＴの切り替え制御について詳しくは後述する。

【0045】

エンベデッドコントローラ３１は、ＯＳやＢＩＯＳの処理を実行するＣＰＵ１１とは別のプロセッサとして、各種デバイス（周辺装置やセンサ等）を監視して制御するワンチップマイコン（Ｏｎｅ－Ｃｈｉｐ Ｍｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ）である。エンベデッドコントローラ３１は、不図示のＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、複数チャネルのＡ／Ｄ入力端子、Ｄ／Ａ出力端子、タイマ、及びデジタル入出力端子を備える。エンベデッドコントローラ３１には、それぞれの入力端子を介して、例えば、キーボード３２、電源回路３３、加速度センサ３４、及び放熱ファン３５などが接続されている。例えば、エンベデッドコントローラ３１は、キーボード３２からの入力情報（操作信号）や、加速度センサ３４からのセンサ信号を受け取る。また、エンベデッドコントローラ３１は、電源回路３３、放熱ファン３５などの動作を制御する。また、エンベデッドコントローラ３１は、ＳＭＢｕｓを備えており、ＳＭＢｕｓでＳＳＤ４０と接続されている。

【0046】

キーボード３２は、ユーザの操作を受け付ける複数のキー（操作子の一例）が配列された入力デバイスである。キーボード３２は、図１に示すように、機器筐体１０２のキーボード面１０２ａに設けられている。キーボード３２は、ユーザの操作により入力された入力情報（例えば、キーボードに対して操作されたキーを示す操作信号）をエンベデッドコントローラ３１へ出力する。なお、キーボード３２以外の入力デバイスとして、ポインティング・デバイス、タッチパッドなどの任意の入力デバイスが任意の場所に設けられてもよい。

【0047】

電源回路３３は、例えば、ＤＣ／ＤＣコンバータ、充放電ユニット、ＡＣ／ＤＣアダプタなどを含んで構成されている。例えば、電源回路３３は、外部電源又はバッテリ６０から供給される直流電圧を、情報処理装置１０を動作させるために必要な複数の電圧に変換する。また、電源回路３３は、エンベデッドコントローラ３１からの制御に基づいて、情報処理装置１０の各部に電力を供給する。

【0048】

加速度センサ３４は、情報処理装置１０の動きを検出するためのセンサであり、情報処理装置１０の筐体（例えば、機器筐体１０２）の内部に設けられている。加速度センサ３４は、情報処理装置１０の姿勢や動きに応じて方向及び加速度を検出し、検出結果を含むセンサ信号を出力する。エンベデッドコントローラ３１は、この加速度センサ３４のセンサ信号を取得することにより、情報処理装置１０の動きや傾きなどの情報を取得することができる。

【0049】

［情報処理装置１０の機能構成］
次に、図５を参照して、本実施形態に係るサーマルスロットリング機能のＤＩＴＴ設定に関する情報処理装置１０の機能構成について説明する。
図５は、本実施形態に係る情報処理装置１０の機能構成の一例を示すブロック図である。なお、この図５では、本実施形態に係るＤＩＴＴ設定に関する主要な機能構成のみを記載している。情報処理装置１０は、メイン制御部５０と、ＳＳＤ４０とを備える。メイン制御部５０は、ＢＩＯＳ５１と、エンベデッドコントローラ（ＥＣ）３１と、加速度センサ３４とを備える。

【0050】

ＢＩＯＳ５１は、ＢＩＯＳメモリ２２が記憶するＢＩＯＳのプログラムをＣＰＵ１１が実行することにより実現される機能構成であり、情報処理装置１０のハードウェアの起動を制御する。例えば、ＢＩＯＳ５１は、インタフェースＩＦ１を介して、ＤＩＴＴの選択肢となる複数の温度閾値が含まれるＤＩＴＴ設定情報（Ｓｅｔ ＤＩＴＴ）をメモリコントローラ４２へ送信する。ここで、インタフェースＩＦ１は、前述したように、例えばＮＶＭｅインタフェースである。ＢＩＯＳ５１は、起動処理において、インタフェースＩＦ１を介してＤＩＴＴ設定情報をメモリコントローラ４２へ送信する。

【0051】

ここでは、ＤＩＴＴ設定情報には、第１の温度閾値であるＤＩＴＴ＃１と第２の温度閾値であるＤＩＴＴ＃２との２種類のＤＩＴＴがサーマルスロットリング機能で使用可能なＤＩＴＴとして含まれる例を示している。ＤＩＴＴ＃１は、例えばＵＬ規格における人が接触可能な部分の温度限度値に対応して予め設定された温度閾値であり、当該温度限度値以下の値に設定されている。ＤＩＴＴ＃２は、例えばＵＬ規格における人が接触不可能な部分の温度限度値に対応して予め設定された温度閾値であり、当該温度限度値以下の値に設定されている。ＤＩＴＴ＃１は、ＤＩＴＴ＃２よりも低い温度閾値に設定されている。

【0052】

メモリコントローラ４２は、インタフェースＩＦ１を介してＤＩＴＴ設定情報を取得すると、取得したＤＩＴＴ設定情報に含まれるＤＩＴＴ＃１及びＤＩＴＴ＃２をサーマルスロットリング機能で使用可能なＤＩＴＴとして設定する。また、メモリコントローラ４２は、例えば、デフォルトのＤＩＴＴとしてＤＩＴＴ＃１をアクティブに設定する。これにより、メモリコントローラ４２は、ＤＩＴＴ＃１を使用してサーマルスロットリング機能を実行する。なお、デフォルトでアクティブに設定するＤＩＴＴは、任意に設定することができる。

【0053】

エンベデッドコントローラ３１は、インタフェースＩＦ２を介して、メモリコントローラ４２に設定されている複数のＤＩＴＴの選択肢の中からサーマルスロットリング機能で使用するＤＩＴＴを選択するＤＩＴＴ選択情報をメモリコントローラ４２へ送信する。例えば、エンベデッドコントローラ３１は、サーマルスロットリング機能で使用するＤＩＴＴを選択するＤＩＴＴ選択情報として、現在のＤＩＴＴから変更する際に、ＤＩＴＴを切り替える指示を示すＤＩＴＴ切替コマンド（Ｓｗｉｔｃｈ ｃｏｍｍａｎｄ）を、インタフェースＩＦ２を介してメモリコントローラ４２へ送信する。ここで、インタフェースＩＦ２は、前述したように、例えばＳＭＢｕｓインタフェースである。ＤＩＴＴ切替コマンドには、アクティブにするＤＩＴＴを選択する選択情報が少なくとも含まれる。一例として、ＤＩＴＴ＃１へ切り替える指示を示すＤＩＴＴ切替コマンドには少なくともＤＩＴＴ＃１を示す情報が含まれ、ＤＩＴＴ＃２へ切り替える指示を示すＤＩＴＴ切替コマンドには少なくともＤＩＴＴ＃２を示す情報が含まれる。

【0054】

例えば、エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０のボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かを判定する。そして、エンベデッドコントローラ３１は、ボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かの判定結果に基づいて、メモリコントローラ４２に設定されているＤＩＴＴ＃１とＤＩＴＴ＃２の中からサーマルスロットリング機能で使用するＤＩＴＴを選択する。

【0055】

例えば、デフォルトの人が接触可能な部分の温度限度値に対応するＤＩＴＴ＃１がアクティブな状態において、エンベデッドコントローラ３１は、ボトム面１０２ｂへユーザが接触不可能な状態であると判定した場合、ＤＩＴＴ＃１からＤＩＴＴ＃２へ切り替えるＤＩＴＴ切替コマンドを、インタフェースＩＦ２を介してメモリコントローラ４２へ送信する。また、ＤＩＴＴ＃２がアクティブな状態において、エンベデッドコントローラ３１は、ボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であると判定した場合、ＤＩＴＴ＃２からＤＩＴＴ＃１へ切り替えるＤＩＴＴ切替コマンドを、インタフェースＩＦ２を介してメモリコントローラ４２へ送信する。

【0056】

メモリコントローラ４２は、インタフェースＩＦ２を介してＤＩＴＴ切替コマンドを取得すると、取得したＤＩＴＴ切替コマンドに基づいてアクティブにするＤＩＴＴを設定する。例えば、メモリコントローラ４２は、ＤＩＴＴ＃２に切り替えるＤＩＴＴ切替コマンドを取得した場合には、アクティブにするＤＩＴＴをＤＩＴＴ＃２に設定する。また、メモリコントローラ４２は、ＤＩＴＴ＃１に切り替えるＤＩＴＴ切替コマンドを取得した場合には、アクティブにするＤＩＴＴをＤＩＴＴ＃１に設定する。

【0057】

次に、エンベデッドコントローラ３１がボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かを判定する判定方法について説明する。例えば、エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０の使用状態を検出することにより、ボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かを判定する。

【0058】

一例として、図５に示すように、エンベデッドコントローラ３１は、加速度センサ３４のセンサ信号を取得してモニタリングすることにより、加速度センサ３４の検出結果に基づいて情報処理装置１０の使用状態を判定する。エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０の動きが所定値未満であって静止している状態と判定できる場合には、ユーザが情報処理装置１０を机などに載置して使用している状態、即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触不可能な状態であると判定する。

【0059】

一方、エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０の動きが所定値以上であって静止していない状態（わずかながらでも動いている状態）と判定できる場合には、ユーザが情報処理装置１０を膝の上などにおいて使用している状態、即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であると判定する。

【0060】

つまり、エンベデッドコントローラ３１は、加速度センサ３４の検出結果に基づいて、ボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かを判定し、ボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かの状態が変化した場合、ＤＩＴＴ切替コマンドを、インタフェースＩＦ２を介してメモリコントローラ４２へ送信する。

【0061】

［ＤＩＴＴ設定処理の動作］
次に、図６を参照して、情報処理装置１０が実行するＤＩＴＴ設定処理の動作について説明する。図６は、本実施形態に係るＤＩＴＴ設定処理の一例を示すフローチャートである。

【0062】

まず、ＢＩＯＳ５１は、起動処理を開始すると、インタフェースＩＦ１（ＭＶＭｅインタフェース）を介してＳＳＤ４０へ初期化要求コマンドを送信する（ステップＳ１０１）。ＳＳＤ４０は、ＢＩＯＳ５１から送信された初期化要求コマンドを取得すると、初期化処理を開始する（ステップＳ１０２）。

【0063】

次に、ＢＩＯＳ５１は、起動処理において、ＤＩＴＴ設定情報（Ｓｅｔ ＤＩＴＴ）を、インタフェースＩＦ１（ＭＶＭｅインタフェース）を介してＳＳＤ４０へ送信する（ステップＳ１０３）。例えば、ＢＩＯＳ５１は、ＤＩＴＴ＃１及びＤＩＴＴ＃２の２種類のＤＩＴＴの選択肢を設定するためのＤＩＴＴ設定情報をＳＳＤ４０へ送信する。

【0064】

ＳＳＤ４０は、ＢＩＯＳ５１から送信されたＤＩＴＴ設定情報を取得すると、取得したＤＩＴＴ設定情報に含まれるＤＩＴＴ＃１及びＤＩＴＴ＃２をサーマルスロットリング機能で使用可能なＤＩＴＴとして設定する（ステップＳ１０４）。また、ＳＳＤ４０は、例えば、デフォルトのＤＩＴＴとしてＤＩＴＴ＃１をアクティブに設定する。

【0065】

ＳＳＤ４０は、初期化処理を終了すると、インタフェースＩＦ２を介してエンベデッドコントローラ３１と通信可能な状態となる（ステップＳ１０５）。

【0066】

一方、エンベデッドコントローラ３１は、起動すると、加速度センサ３４のセンサ信号を所定周期で取得してモニタリングを開始する（ステップＳ１０６）。

【0067】

エンベデッドコントローラ３１は、加速度センサ３４の検出結果に基づいて情報処理装置１０の使用状態が変化したか否かを判定する（ステップＳ１０７）。例えば、エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０の動きが所定値未満であって静止している状態と判定できる場合には、ユーザが情報処理装置１０を机などに載置して使用している状態、即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触不可能な状態であると判定する。一方、エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０の動きが所定値以上であって静止していない状態（わずかながらでも動いている状態）と判定できる場合には、ユーザが情報処理装置１０を膝の上などにおいて使用している状態、即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であると判定する。

【0068】

エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０の使用状態が変化していないと判定した場合（ステップＳ１０７：ＮＯ）、ステップＳ１０７の判定処理を繰り返す。

【0069】

一方、エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０の使用状態が変化したと判定した場合（ステップＳ１０７：ＹＥＳ）、インタフェースＩＦ２（ＳＭＢｕｓインタフェース）を介してＤＩＴＴ切替コマンド（Ｓｗｉｔｃｈ ｃｏｍｍａｎｄ）をＳＳＤ４０へ送信する（ステップＳ１０８）。例えば、エンベデッドコントローラ３１は、ユーザが情報処理装置１０を膝の上などにおいて使用している状態（即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態）からユーザが情報処理装置１０を机などに載置して使用している状態（即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触不可能な状態）へ変化したと判定した場合、ＤＩＴＴ＃２へ切り替える指示を示すＤＩＴＴ切替コマンドをＳＳＤ４０へ送信する。また、エンベデッドコントローラ３１は、ユーザが情報処理装置１０を机などに載置して使用している状態（即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触不可能な状態）からユーザが情報処理装置１０を膝の上などにおいて使用している状態（即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態）へ変化したと判定した場合、ＤＩＴＴ＃１へ切り替える指示を示すＤＩＴＴ切替コマンドをＳＳＤ４０へ送信する。エンベデッドコントローラ３１は、ＤＩＴＴ切替コマンドを送信した後、ステップＳ１０７の判定処理を繰り返す。

【0070】

なお、エンベデッドコントローラ３１は、起動後の最初のステップＳ１０７における判定では、ＳＳＤ４０においてデフォルトでＤＩＴＴ＃１が設定されているため、ユーザが情報処理装置１０を膝の上などにおいて使用している状態（即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態）をデフォルトとして、ユーザが情報処理装置１０を机などに載置して使用している状態（即ちボトム面１０２ｂへユーザが接触不可能な状態）と判定した場合には状態が変化したものとしてＤＩＴＴ切替コマンドをＳＳＤ４０へ送信する。

【0071】

ＳＳＤ４０は、エンベデッドコントローラ３１から送信されたＤＩＴＴ切替コマンドを取得すると、ＤＩＴＴ切替コマンドに基づく切り替え指示に応じてＤＩＴＴを切り替える（ステップＳ１０９）。例えば、ＳＳＤ４０は、ＤＩＴＴ＃１からＤＩＴＴ＃２へ切り替える指示を示すＤＩＴＴ切替コマンドを取得した場合、アクティブにするＤＩＴＴをＤＩＴＴ＃２に設定する。一方、ＳＳＤ４０は、ＤＩＴＴ＃２からＤＩＴＴ＃１へ切り替える指示を示すＤＩＴＴ切替コマンドを取得した場合、アクティブにするＤＩＴＴをＤＩＴＴ＃１に設定する。

【0072】

以上説明したように、本実施形態に係る情報処理装置１０は、ＢＩＯＳメモリ２２（第１のメモリの一例）と、ＣＰＵ１１（第１のプロセッサの一例）と、エンベデッドコントローラ３１（第２のプロセッサの一例）と、を備える。ＢＩＯＳメモリ２２は、ハードウェアの起動を制御するＢＩＯＳのプログラム（第１のプログラムの一例）を記憶する。
ＣＰＵ１１（第１のプロセッサの一例）は、ＢＩＯＳメモリ２２に記憶されたＢＩＯＳのプログラムを実行する。また、ＢＩＯＳメモリ２２は、ＢＩＯＳのプログラムとは異なるプログラムとしてエンベデッドコントローラ３１が実行するプログラム（第２のプログラムの一例）を記憶する。エンベデッドコントローラ３１は、ＣＰＵ１１と異なるプロセッサであり、ＢＩＯＳメモリ２２に記憶されたエンベデッドコントローラ３１が実行するプログラムを実行する。なお、ＢＩＯＳのプログラムとエンベデッドコントローラ３１が実行するプログラムとは異なるメモリに記憶されてもよい。
また、情報処理装置１０は、温度センサ４３と、書き換え可能なフラッシュメモリ４１（第３のメモリの一例）と、温度センサ４３による検知温度が所定のＤＩＴＴ（温度閾値の一例）に達すると温度上昇を抑制するようにフラッシュメモリ４１へのアクセスを制御するメモリコントローラ４２とを備えるＳＳＤ４０（メモリドライブ装置の一例）を備える。そして、ＣＰＵ１１は、ＢＩＯＳのプログラムを実行することにより、インタフェースＩＦ（第１のインタフェースの一例）を介して、所定のＤＩＴＴの選択肢となる複数のＤＩＴＴの情報（例えば、ＤＩＴＴ設定情報）をＳＳＤ４０のメモリコントローラ４２へ送信する閾値設定処理を行う。また、エンベデッドコントローラ３１は、インタフェースＩＦ２（第２のインタフェースの一例）を介して、複数のＤＩＴＴの選択肢の中から所定のＤＩＴＴとするＤＩＴＴを選択する選択情報（例えば、ＤＩＴＴ切替コマンド）をＳＳＤ４０のメモリコントローラ４２へ送信する閾値選択処理を行う。

【0073】

これにより、情報処理装置１０は、サーマルスロットリング機能におけるＤＩＴＴをＢＩＯＳの起動時に設定した後も動的に変更することができるため、ＳＳＤ４０の温度上昇を抑えつつ、パフォーマンスの低下を抑制することができる。

【0074】

例えば、エンベデッドコントローラ３１は、上記閾値選択処理において、情報処理装置１０の使用状態に基づいて複数のＤＩＴＴの中から所定のＤＩＴＴとするＤＩＴＴを選択する。

【0075】

これにより、情報処理装置１０は、ＳＳＤ４０の温度上昇を抑えつつ、情報処理装置１０の使用状態によってパフォーマンスの低下を抑制することができる。

【0076】

例えば、エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０のボトム面１０２ｂ（特定領域の一例）へユーザが接触可能な状態であるか否かを判定する判定処理をさらに行う。そして、エンベデッドコントローラ３１は、上記閾値選択処理において、上記判定処理による判定結果に基づいて、複数のＤＩＴＴの中から所定のＤＩＴＴとするＤＩＴＴを選択する。

【0077】

これにより、情報処理装置１０は、ユーザが接触可能な状態であるか否かに応じてＵＬ規格などの安全規格を満たすようにＳＳＤ４０の温度上昇を抑えつつ、情報処理装置１０の使用状態によってパフォーマンスの低下を抑制することができる。

【0078】

また、情報処理装置１０は、情報処理装置１０の動きを検出するための加速度センサ３４（動きセンサの一例）を備える。そして、エンベデッドコントローラ３１は、加速度センサ３４の検出結果に基づいて情報処理装置１０のボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かを判定する。

【0079】

これにより、情報処理装置１０は、情報処理装置１０の動きを検出することにより、ユーザが情報処理装置１０を机に載置して使用している状態であるか、或いはユーザが情報処理装置１０を膝の上などにおいて使用している状態であるかを判定し、ボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態であるか否かを判定することができる。

【0080】

なお、加速度センサ３４は、動きセンサの一例であってこれに限定されるものではない。例えば、情報処理装置１０は、加速度センサ３４に代えて又は加えて、ジャイロセンサや傾斜センサなどを用いてもよい。

【0081】

具体的には、例えばエンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０のボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態から接触不可能な状態へ変化したと判定した場合、上記閾値選択処理において、現在設定されているＤＩＴＴ（例えば、ＤＩＴＴ＃１）より高いＤＩＴＴ（例えば、ＤＩＴＴ＃２）を選択する選択情報（例えば、ＤＩＴＴ切替コマンド）をＳＳＤ４０のメモリコントローラ４２へ送信する。

【0082】

これにより、情報処理装置１０は、ボトム面１０２ｂへユーザが接触可能な状態から接触不可能な状態へ変化した場合、ＵＬ規格に応じて、接触可能な状態でのＤＩＴＴより高いＤＩＴＴに動的に切り替えることができるため、接触可能な状態でのＤＩＴＴに固定する場合に比較して、パフォーマンスの低下を抑制することができる。

【0083】

また、エンベデッドコントローラ３１は、情報処理装置１０のボトム面１０２ｂへユーザが接触不可能な状態から接触可能な状態へ変化したと判定した場合、上記閾値選択処理において、現在設定されているＤＩＴＴ（例えば、ＤＩＴＴ＃２）より低いＤＩＴＴ（例えば、ＤＩＴＴ＃１）を選択する選択情報（例えば、ＤＩＴＴ切替コマンド）をＳＳＤ４０のメモリコントローラ４２へ送信する。

【0084】

これにより、情報処理装置１０は、ボトム面１０２ｂへユーザが接触不可能な状態から接触可能な状態へ変化した場合、ＵＬ規格に応じて、接触不可能な状態でのＤＩＴＴより低いＤＩＴＴに動的に切り替えることができるため、ＵＬ規格などの安全規格を満たすようにＳＳＤ４０の温度上昇を抑えることができる。

【0085】

例えば、インタフェースＩＦ１は、ＮＶＭｅ（Ｎｏｎ Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ Ｅｘｐｒｅｓｓ）インタフェースである。また、インタフェースＩＦ２は、ＳＭＢｕｓ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｂｕｓ）インタフェースである。

【0086】

これにより、情報処理装置１０は、ＮＶＭｅインタフェースを介してＢＩＯＳからＳＳＤ４０に複数のＤＩＴＴを設定した後に、ＳＭＢｕｓインタフェースを介してエンベデッドコントローラ３１から複数のＤＩＴＴのうちのいずれかのＤＩＴＴを選択することができるため、既存のハードウェア及びインタフェースを利用して、ＳＳＤ４０の温度上昇を抑えつつ、パフォーマンスの低下を抑制することができる。

【0087】

なお、ＢＩＯＳがＳＭＭ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｍｏｄｅ）を使用することにより、エンベデッドコントローラ３１に代わってＤＩＴＴを切り替えることができる可能性もあるが、非常に制御が複雑であり、ハングアップやＢＳｏＤ（Ｂｌｕｅ Ｓｃｒｅｅｎ ｏｆ Ｄｅａｔｈ）の原因となる。また、Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）システムまたはＷｉｎｄｏｗｓ（登録商標）上で動作するＤＰＴＦ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｐｌａｔｆｏｒｍ ａｎｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｆｒａｍｅｗｏｒｋ）を用いてＤＩＴＴを切り替えることもできるが、ドライバなどをインストールするために必要なソフトウェアのインストールが必要であり、またＬｉｎｕｘ（登録商標）など他のＯＳでは利用できないことがある。本実施形態によれば、既存のハードウェアを用いてソフトウェアに依存しないＤＩＴＴの制御を行うことができる。

【0088】

また、情報処理装置１０における制御方法は、ＣＰＵ１１（第１のプロセッサの一例）が、ＢＩＯＳのプログラム（第１のプログラムの一例）を実行することにより、インタフェースＩＦ（第１のインタフェースの一例）を介して、所定のＤＩＴＴ（温度閾値の一例）の選択肢となる複数のＤＩＴＴの情報（例えば、ＤＩＴＴ設定情報）をＳＳＤ４０（メモリドライブ装置の一例）のメモリコントローラ４２へ送信する閾値設定処理を行うステップと、エンベデッドコントローラ３１（第２のプロセッサの一例）が、インタフェースＩＦ２（第２のインタフェースの一例）を介して、複数のＤＩＴＴの選択肢の中から所定のＤＩＴＴとするＤＩＴＴを選択する選択情報（例えば、ＤＩＴＴ切替コマンド）をＳＳＤ４０のメモリコントローラ４２へ送信する閾値選択処理を行うステップと、を含む。

【0089】

これにより、情報処理装置１０は、サーマルスロットリング機能におけるＤＩＴＴをＢＩＯＳの起動時に設定した後も動的に変更することができるため、ＳＳＤ４０の温度上昇を抑えつつ、パフォーマンスの低下を抑制することができる。

【0090】

なお、上記実施形態において、２種類のＤＩＴＴ（ＤＩＴＴ＃１、ＤＩＴＴ＃２）を切り替える例を説明したが、３種類以上のＤＩＴＴをＳＳＤ４０に設定して切り替える構成としてもよい。例えば、情報処理装置１０は、使用状態（使用形態）に応じて３種類のＤＩＴＴを切り替えて、サーマルスロットリング機能を実行してもよい。具体的には一例として、情報処理装置１０は、使用状態（使用形態）がクラムシェルモード、テントモード、及びタブレットモードのいずれであるかによって、３種類のＤＩＴＴを切り替えてもよい。

【0091】

図７は、情報処理装置１０の３種類の使用状態（使用形態）の一例を示す図である。図７（Ａ）は、クラムシェルモードのときの使用状態（使用形態）を例示する。クラムシェルモードでは、図１に示す情報処理装置１０の使用状態に対応し、例えば、情報処理装置１０は、一例として開き角θが１０°＜θ≦１８０°の場合にクラムシェルモードであると判定する。情報処理装置１０は、開き角θを角度センサ（不図示）などを用いて検出する。図７（Ｂ）は、テントモードのときの使用状態（使用形態）を例示する。例えば、情報処理装置１０は、一例として開き角θが１８０°＜θ≦３３０°の場合にテントモードであると判定する。図７（Ｃ）は、タブレットモードのときの使用状態（使用形態）を例示する。タブレットモードは、典型的には開き角θが３６０°であるが、情報処理装置１０は、一例として開き角θ３３０°＜θ≦３６０°の場合にタブレットモードであると判定する。

【0092】

クラムシェルモードの場合、机の上に載置されて使用されることが一般的である。また、タブレットモードの場合、ユーザが持って使用されることが多い。テントモードの場合、机の上に載置されている使用されることが一般的であるが、クラムシェルモードと違ってボトム面１０２ｂが載置されている面で隠れていないため、ユーザが接触不可能なわけでない。クラムシェルモードの温度閾値をＤＩＴＴ＃ａ、テントモードの温度閾値をＤＩＴＴ＃ｂ、及びタブレットモードの温度閾値をＤＩＴＴ＃ｃとして使用状態（使用形態）に応じて３種類のＤＩＴＴを切り替える場合、例えば「ＤＩＴＴ＃ａ＞ＤＩＴＴ＃ｂ＞ＤＩＴＴ＃Ｃ」の関係となるようにそれぞれのＤＩＴＴの値が設定される。

【0093】

以上、図面を参照してこの発明の実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。

【0094】

なお、エンベデッドコントローラ３１は、ＣＰＵ１１とは異なるプロセッサとしてのマイクロコンピュータの一例であって、これに限定されるものではない。

【0095】

また、上記実施形態において、インタフェースＩＦ１の一例として、ＭＶＭｅインタフェースを用いる例を説明したが、これに限定されるものではなく、接続されるＳＳＤ４０の仕様に応じた他のインタフェースであってもよい。また、インタフェースＩＦ２の一例として、ＳＭＢｕｓインタフェースを用いる例を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、Ｉ２Ｃ（アイツ―シー）バスなどの他のインタフェースであってもよいし、電圧の変化や電圧パルスなどを用いたインタフェースであってもよい。

【0096】

また、上述した情報処理装置１０は、内部にコンピュータシステムを有している。そして、上述した情報処理装置１０のそれぞれが備える各構成の機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することにより上述した情報処理装置１０（１０Ａ）のそれぞれが備える各構成における処理を行ってもよい。ここで、「記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行する」とは、コンピュータシステムにプログラムをインストールすることを含む。ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＯＳや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。また、「コンピュータシステム」は、インターネットやＷＡＮ、ＬＡＮ、専用回線等の通信回線を含むネットワークを介して接続された複数のコンピュータ装置を含んでもよい。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ－ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。このように、プログラムを記憶した記録媒体は、ＣＤ－ＲＯＭ等の非一過性の記録媒体であってもよい。

【0097】

また、記録媒体には、当該プログラムを配信するために配信サーバからアクセス可能な内部又は外部に設けられた記録媒体も含まれる。なお、プログラムを複数に分割し、それぞれ異なるタイミングでダウンロードした後に情報処理装置１０が備える各構成で合体される構成や、分割されたプログラムのそれぞれを配信する配信サーバが異なっていてもよい。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、ネットワークを介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。また、上記プログラムは、上述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、上述した機能をコンピュータシステムに既に記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。

【0098】

また、上述した実施形態における情報処理装置１０が備える各機能の一部、または全部を、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等の集積回路として実現してもよい。各機能は個別にプロセッサ化してもよいし、一部、又は全部を集積してプロセッサ化してもよい。また、集積回路化の手法はＬＳＩに限らず専用回路、または汎用プロセッサで実現してもよい。また、半導体技術の進歩によりＬＳＩに代替する集積回路化の技術が出現した場合、当該技術による集積回路を用いてもよい。

【符号の説明】

【0099】

１０ 情報処理装置、１０１ ディスプレイ筐体、１０１ａ ディスプレイ面、１０１ｂ トップ面、１０２ 機器筐体、１０２ａ キーボード面、１０２ｂ ボトム面、１０３ ヒンジ機構、１１ ＣＰＵ、１２ メインメモリ、１３ ビデオサブシステム、１４ 表示部、２１ チップセット、２２ ＢＩＯＳメモリ、３１ エンベデッドコントローラ、３２ キーボード、３３ 電源回路、３４ 加速度センサ、３５ 放熱ファン、４０ ＳＳＤ、４１ フラッシュメモリ、４２ メモリコントローラ、４３ 温度センサ、５０ メイン制御部、５１ ＢＩＯＳ、６０ バッテリ、ＩＦ１，ＩＦ２ インタフェース

【要約】

【課題】メモリドライブ装置の温度上昇を抑えつつ、パフォーマンスの低下を抑制すること。
【解決手段】情報処理装置は、起動を制御する第１のプログラムを実行する第１のプロセッサと、第２のプログラムを実行する第２のプロセッサと、メモリドライブ装置とを備える。メモリドライブ装置は、温度センサと、書き換え可能なメモリと、温度センサによる検知温度が所定の温度閾値に達すると温度上昇を抑制するように該メモリへのアクセスを制御するメモリコントローラとを備える。第１のプロセッサは、第１のインタフェースを介して、所定の温度閾値の選択肢となる複数の温度閾値の情報をメモリコントローラへ送信する。第２のプロセッサは、第２のインタフェースを介して、複数の温度閾値の選択肢の中から所定の温度閾値とする温度閾値を選択する選択情報をメモリコントローラへ送信する。
【選択図】図５

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】