技術分野
この発明は帯域内の信号を減衰させることなく通過させ、帯域外の不要波を著しく抑圧するとともに、広帯域にわたって良好な反射特性を有する帯域通過フィルタに関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
このような帯域通過フィルタをRF機器に適用するには、帯域通過フィルタの入出力部にFET(Field Effect Transistor),HEMT(High Electron Mobility Transistor)等のアクティブデバイスを用いたモジュールが接続される場合が多い。通常、モジュールは帯域内では良好な反射特性となるように設計されるが、帯域外では必ずしも良好な反射特性とは限らず、反射特性が悪い場合(全反射に近い場合)が多い。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明の帯域通過フィルタは、
入力端子と出力端子との間に接続された抵抗Xと直列共振回路との並列回路と、
並列回路に一端が接続された抵抗Yと、
抵抗Yの他端に一端が接続され他端が接地された並列共振回路とを備えた帯域通過フィルタであって、
帯域内の低域側の周波数では、
抵抗Xは、直列共振回路により短絡され、
並列共振回路は、等価的にキャパシタとみなすこと・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、帯域内では低損失、帯域外では大きな減衰特性を維持しつつ、帯域を含む広帯域に渡って良好な反射特性を得ることができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
この発明の実施の形態1による帯域通過フィルタの構成を示す図である。
【図2】
この発明の実施の形態1による帯域通過フィルタの簡易的な等価回路を示す図である。
【図3】
この発明の実施の形態1による帯域通過フィルタを構成する第一の抵抗と直列共振回路との並列回路および第二の抵抗と並列共振回路との直列回路の損失特性を示す図である。
【図4】
この発明の実施の形態1による帯域通過フィルタの特性の設計例を示す図である。
【図5】
この発明の実施の形態1による帯域通過フィルタの他の実施例の構成を示す図である。
【図6】
この発明の実施の形態2による帯域通過フィルタの構成を示す図である。
【図7】
この発明の実施の形態2による帯域通過フィルタの簡易的な等価回路を示す図である。
【図8】
この発明の実施の形態2による帯域通過フィルタの特性の設計例を示す図である。
【図9】
この発明の実施の形態2による帯域通過フィルタの他の実施例の構成を示す図である。
【図10】
この発明の実施の形態3による帯域通過フィルタの構成を示す図である。
【図11】
この発明の実施の形態3による帯域通過フィルタの特性の設計例を示す図である。
【図12】
この発明の実施の形態4による帯域通過フィルタの構成を示す図である。
【図13】
この発明の実施の形態4による帯域通過フィルタの特性の設計例を示す図である。
1 第一の抵抗、2 第二の抵抗、3 直列共振回路、4 インダクタ、5 キャパシタ、6 並列共振回路、7 インダクタ、8 キャパシタ、9 入力端子、10 出力端子、11 第三の抵抗、12 第四の抵抗、13 第一の伝送線路、14 第二の伝送線路、15 第五の抵抗。
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