(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-29
(45)【発行日】2022-10-07
(54)【発明の名称】基板
(51)【国際特許分類】
C04B 35/117 20060101AFI20220930BHJP
G02B 5/00 20060101ALI20220930BHJP
G02B 27/01 20060101ALI20220930BHJP
【ＦＩ】
C04B35/117
G02B5/00 B
G02B27/01
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2020535795
(86)(22)【出願日】2019-08-06
(86)【国際出願番号】 JP2019030932
(87)【国際公開番号】W WO2020032035
(87)【国際公開日】2020-02-13
【審査請求日】2021-02-01
(31)【優先権主張番号】P 2018149443
(32)【優先日】2018-08-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006633
【氏名又は名称】京セラ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003029
【氏名又は名称】弁理士法人ブナ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】清田 諭史
(72)【発明者】
【氏名】和多田 一雄
(72)【発明者】
【氏名】比嘉 剛久
(72)【発明者】
【氏名】真宮 正道
(72)【発明者】
【氏名】四方 邦英
【審査官】小川 武
(56)【参考文献】
【文献】特開昭５１－１１３１９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０３－１１３８４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－０６７６２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２６４１０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－２６３６０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭４９－０３０４０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開平０４－０９３８７８（ＪＰ，Ｕ）
【文献】特開平０７－０１２６５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－１８２５９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０１２６５１０６（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０８０３６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／００８６５１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１９６７０９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１６－１１４４９８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０４Ｂ ３５／００－３５／８４
Ｇ０２Ｂ ５／００
Ｇ０２Ｂ ２７／０１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した酸化アルミニウムの含有量が９０質量％以上であり、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含み、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が８６質量ｐｐｍ以上２６０質量ｐｐｍ以下であり、
ＴｉＯ 2-x が１．５質量％以上１．７質量％以下であり、
２５０ｎｍ－２５００ｎｍの波長における領域の反射率の最大値Ｒｍａｘが１４．５６％以上２２．４４％以下であり、
２５０ｎｍ－２５００ｎｍの波長における領域の反射率の最大値Ｒｍａｘと最小値Ｒｍｉｎとの差ΔＲが６．１８％以上１３．６８％以下である酸化アルミニウム質セラミックスからなる基板。
【請求項2】
車載光学機器用である請求項１に記載の基板。
【請求項3】
試験機器用である請求項１に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、黒色セラミックスの組成の一例として、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒなどが記載されており、黒色にするための着色材として、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕなどが使われることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開平８－１７３８８号公報
【発明の概要】
【0004】
本開示の基板は、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。
【図面の簡単な説明】
【0005】
【発明を実施するための形態】
【0006】
＜基板＞
以下、本開示の実施形態に係る（回路）基板について詳細に説明する。
本実施形態の基板は、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。このような構成によれば、広い波長範囲にわたって反射率が低くなる。また、チタンの酸化物の紫外線（ＵＶ）吸収効果によって日光による劣化を抑制することができ、基板に実装される部材を保護することができるので、長期使用が可能となる。さらに、日光を浴びるとチタンの酸化物の光触媒効果が発現して基板に実装される部材の汚れを除去することができ、防汚効果も得られるので、長期使用が可能となる。以下、本実施形態の基板の構成について具体的に説明する。
以下、本開示の実施形態に係る（回路）基板について詳細に説明する。
本実施形態の基板は、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。このような構成によれば、広い波長範囲にわたって反射率が低くなる。また、チタンの酸化物の紫外線（ＵＶ）吸収効果によって日光による劣化を抑制することができ、基板に実装される部材を保護することができるので、長期使用が可能となる。さらに、日光を浴びるとチタンの酸化物の光触媒効果が発現して基板に実装される部材の汚れを除去することができ、防汚効果も得られるので、長期使用が可能となる。以下、本実施形態の基板の構成について具体的に説明する。
【0007】
酸化アルミニウム質セラミックスとは、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した酸化アルミニウムの含有量が９０質量％以上であるセラミックスのことである。また、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物とは、酸化チタン（ＴｉＯ2）が還元されたものである。チタンの酸化物の結晶相は、ルチル型酸化チタンであってもよい。また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量は、１７０質量ｐｐｍ以下であってもよい。
【0008】
本実施形態の基板は、比較的広い波長範囲の光に対して反射率が十分に低い黒色を呈する。具体的には、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊が４８以下であり、クロマティクネス指数ａ＊、ｂ＊がそれぞれ－２以上５以下、－１０以上０以下である。ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の値、クロマティクネス指数ａ＊およびｂ＊の値は、ＪＩＳ Ｚ ８７２２：２００９に準拠して求めることができる。例えば、分光色差計（日本電色工業（株）製ＮＦ７７７またはその後継機種）を用い、測定条件としては、光源をＣＩＥ標準光源Ｄ６５、視野角度を２°に設定すればよい。
【0009】
本実施形態の基板は、波長２５０ｎｍ～２５００ｎｍにわたる反射率の最大値Ｒｍａｘが２４％以下であり、最大値Ｒｍａｘと最小値Ｒｍｉｎとの差であるΔＲが１５．３％以下である。すなわち、本実施形態の基板は、波長２５０ｎｍ～２５００ｎｍの範囲において、反射率が低く、照射光に対する反射光の光強度の波長分布のばらつきが小さい。本実施形態の基板は、このように広い波長範囲にわたって反射率が一様に低くなっている。
【0010】
本実施形態の基板において、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物の含有量は、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、例えば、０．５質量％以上４質量％以下である。チタンの酸化物の含有量が前述した範囲であるときには、彩度が十分に抑制された反射率の低い黒色の色味とすることができるとともに、室温（５～３５℃）における体積固有抵抗が１０9Ω・ｍ以上の電気的絶縁性を有する。また、より絶縁性を高めるという観点からは、本実施形態の基板の体積固有抵抗は、例えば、２００℃にて１０8Ω・ｍ以上であってもよい。通常、温度が高くなると体積固有抵抗は低下するが、本実施形態の基板は、２００℃の高温においても絶縁性を有する。ここで、体積固有抵抗は、ＪＩＳ Ｃ ２１４１：１９９２に準拠して求めることができる。なお、体積固有抵抗の上限値は、特に限定されない。
【0011】
基板は、チタン酸アルミニウムを含んでいなくてもよい。このような構成を満たすときには、酸化アルミニウムに対する線膨張係数の差が大きいチタン酸アルミニウムが基板中に存在しないことから、昇温および冷却が繰り返されても微小なクラックが発生しにくい。基板がチタン酸アルミニウムを含んでいるか否かは、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて得られるＸ線チャートを、ＪＣＰＤＳカード（Ｎｏ．００－０４１－０２５８）と照合すればよい。
【0012】
本実施形態の基板は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下、すなわちＣｒ単独の含有量が最大でも２６０質量ｐｐｍである。アルミナにＣｒを含有させた際には、波長が７００ｎｍ以上７８０ｎｍ未満の領域の光（以降、短波長領域光ともいう）や、波長が７８０ｎｍ以上１５９０ｎｍ未満の領域の光（以降、長波長領域光ともいう）の反射率が大きくなりやすいが、本実施形態の基板は、Ｃｒの含有量が少ないことから、短波長領域および長波長領域における反射率が小さい。
【0013】
基板においてＣｒの含有量が４０質量ｐｐｍ以下であれば、比較的広い波長範囲の光に対する反射率が十分に低くなる。
【0014】
また、基板におけるＦｅの含有量が１００質量ｐｐｍ以下であれば、変色による反射率の増加をより抑制することができるため、可視光線領域および（近）赤外線領域での反射率がより低くなる。
【0015】
また、基板における、Ｎｉの含有量が１０質量ｐｐｍ以下、Ｃｏの含有量が５質量ｐｐｍ以下またはＭｎの含有量が１００質量ｐｐｍ以下であれば、機械的強度や電気特性の変化が小さくなる。
【0016】
基板は、酸化アルミニウムの結晶粒子同士を結合する粒界相に、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物を含んでいてもよい。ここで、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量の合計は、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、例えば、２質量％以上４質量％以下である。また、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量の合計を１００質量％としたとき、カルシウムの酸化物およびマグネシウムの酸化物の含有量はそれぞれ１０質量％以上３０質量％以下であり、残部が珪素の酸化物であってもよい。珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量が上記範囲である場合、基板は、室温における体積固有抵抗が１０11Ω・ｍ以上か、または１０12Ω・ｍ以上となる。
【0017】
なお、基板におけるチタンの酸化物の結晶相は、ＸＲＤによって同定することができ、ｘの値については、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて求めればよい。
【0018】
また、アルミニウム、珪素、カルシウム、マグネシウムおよびチタンをそれぞれ酸化物に換算した含有量は、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）またはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置（ＩＣＰ）を用いて、各元素の含有量を求め、それぞれＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）に換算することで求められる。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＳ）を用いて求めればよい。
【0019】
また、基板を形成する酸化アルミニウム質セラミックスは安価であり、酸化チタンの含有量が０．１質量％未満の高純度かつ高価な酸化アルミニウム質セラミックスの誘電率と同等の高い誘電率を得ることができる。
【0020】
本実施形態の基板は、スキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下である部分を有していてもよい。基板がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、基板におけるすべてのスキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下であってもよい。
【0021】
また、本実施形態の基板は、クルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下である部分を有していてもよい。基板がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、基板におけるすべてのクルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下であってもよい。
【0022】
さらに、本実施形態の基板は、算術平均粗さＲａの平均値が１μｍ以上２μｍ以下である部分を有していてもよい。基板がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、基板におけるすべての算術平均粗さＲａの平均値が１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
【0023】
スキューネスＲｓｋ、クルトシスＲｋｕおよび算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に準拠し、例えば、レーザー顕微鏡（（株）キーエンス社製（ＶＫ－９５１０））を用いて求めることができる。測定条件は、測定モードをカラー超深度、測定倍率を４００倍、測定範囲を６９８μｍ×５２２μｍ、測定ピッチを０．０５μｍ、λｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．０８ｍｍとし、上記測定範囲８箇所から得られる測定値の平均値を、スキューネスＲｓｋ、クルトシスＲｋｕおよび算術平均粗さＲａのそれぞれの平均値とすればよい。
【0024】
また、酸化アルミニウム質セラミックスは遮光面を備え、遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下であってもよい。
【0025】
色差Δ＊Ｅａｂは、色調感のばらつきを示す指標であり、以下の式（１）で示される。
ΔＥ＊ａｂ＝〔（ΔＬ＊）2＋（Δａ＊）2＋（Δｂ＊）2〕1/2 （１）
（ΔＬ＊は、遮光面の第１測定対象点の明度指数Ｌ1＊と第２測定対象点の明度指数Ｌ2＊との差、Δａ＊は遮光面の第１測定対象点のクロマティクネス指数ａ1＊と第２測定対象点の明度指数ａ2＊との差、Δｂ＊は遮光面の第１測定対象点のクロマティクネス指数ｂ1＊と第２測定対象点の明度指数ｂ2＊との差である。）
ΔＥ＊ａｂ＝〔（ΔＬ＊）2＋（Δａ＊）2＋（Δｂ＊）2〕1/2 （１）
（ΔＬ＊は、遮光面の第１測定対象点の明度指数Ｌ1＊と第２測定対象点の明度指数Ｌ2＊との差、Δａ＊は遮光面の第１測定対象点のクロマティクネス指数ａ1＊と第２測定対象点の明度指数ａ2＊との差、Δｂ＊は遮光面の第１測定対象点のクロマティクネス指数ｂ1＊と第２測定対象点の明度指数ｂ2＊との差である。）
【0026】
色差Δ＊Ｅａｂが上記範囲であると、遮光面の色調感のばらつきが低減して、そのばらつきを視認しにくくなるので、商品価値が向上する。
【0027】
また、遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）であってもよい。
【0028】
明度指数Ｌ＊の変動係数が上記範囲であると、遮光面が繰り返し光の照射を受けても変色しにくい状態になっているので、経時変化がしにくい。ここで、遮光面の明度指数Ｌ＊の平均値は、例えば、４８以下である。
【0029】
なお、遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の値、クロマティクネス指数ａ＊およびｂ＊の値は、上述した方法と同じ方法で求めることができる。
【0030】
また、酸化アルミニウム質セラミックスは、開気孔を有し、開気孔の円相当径の歪度が０．１以上２以下であってもよい。
【0031】
開気孔の円相当径の歪度が０．１以上であると、開気孔の円相当径の分布が小さい方に傾き、浮遊する金属粉や白色系の明色を呈する紛体が開気孔に侵入しにくくなるので、遮光面の色調感のばらつきが低減し、商品価値が向上する。
【0032】
開気孔の円相当径の平均値は、例えば、４μｍ以上６μｍ以下である。また、開気孔の気孔率は、３面積％以上６面積％以下である。
【0033】
開気孔の円相当径および気孔率を求めるには、まず、平均粒径Ｄ50が３μｍのダイヤモンド砥粒を用いて鋳鉄製定盤にて保持部材を研磨した後、平均粒径Ｄ50が０．５μｍのダイヤモンド砥粒を用いて錫定盤にて研磨して、測定面を得る。
【0034】
そして、光学顕微鏡を用いて、倍率を１００倍として、ＣＣＤカメラで、測定面のうち、平均的な部分を選択して撮影する。次に、撮影した画像のうち、１範囲当りの面積が２．２７×１０2μｍである範囲を４カ所設定して、画像解析ソフト（例えば、三谷商事（株）製、Ｗｉｎ ＲＯＯＦ）を用いて解析することによって、開気孔の円相当径および気孔率を得ることができる。なお、解析するに当たり、開気孔の円相当径の閾値は、０．８μｍとし、０．８μｍ未満の円相当径は解析の対象とはしない。
【0035】
そして、開気孔の円相当径の歪度は、Excel（登録商標、Microsoft Corporation）に備えられている関数ＳＫＥＷを用いて求めればよい。
【0036】
基板の形状は、特に限定されるものではなく、実装する部材に応じて所望の形状を採用することができる。
【0037】
（基板の製造方法）
次に、本実施形態の基板の製造方法の一例を説明する。
次に、本実施形態の基板の製造方法の一例を説明する。
【0038】
まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末を準備する。
【0039】
炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化珪素の粉末の含有量の合計は、上記粉末の合計１００質量％のうち、例えば、６．５質量％以上１２．９質量％以下である。そして、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化珪素の粉末の含有量は、これら粉末の合計１００質量％のうち、炭酸カルシウムの粉末の含有量は１７．８質量％以上５３．４質量％以下であり、水酸化マグネシウムの粉末の含有量は１４．４質量％以上４３．２質量％以下であり、残部が酸化珪素の粉末である。
特に、水酸化マグネシウムの含有量は、酸化チタンの含有量の３０質量％以上４４質量％以下であるとよい。水酸化マグネシウムの含有量が上記範囲であると、後述する還元処理で生じやすいアノーサイトおよびムライトの生成が抑制される。アノーサイトやムライトは酸化アルミニウムに対して平均線膨張率が異なっているため、これらの化合物の生成が抑制されると、繰り返して加熱および冷却に曝される環境で基板が用いられてもクラックが生じにくくなる。
特に、水酸化マグネシウムの含有量は、酸化チタンの含有量の３０質量％以上４４質量％以下であるとよい。水酸化マグネシウムの含有量が上記範囲であると、後述する還元処理で生じやすいアノーサイトおよびムライトの生成が抑制される。アノーサイトやムライトは酸化アルミニウムに対して平均線膨張率が異なっているため、これらの化合物の生成が抑制されると、繰り返して加熱および冷却に曝される環境で基板が用いられてもクラックが生じにくくなる。
【0040】
酸化チタンの粉末の含有量は、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、例えば、０．５質量％以上４質量％以下であり、残部が酸化アルミニウムの粉末である。
【0041】
そして、これら粉末をバレルミル、回転ミル、振動ミル、ビーズミル、アジテーターミル、アトマイザー、アトライターなどの粉砕機によって湿式混合して粉砕し、スラリーを得る。なお、上記粉砕にあたっては、溶媒、この溶媒１００質量部に対して１質量部以上１．５質量部以下のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの有機結合剤、溶媒１００質量部に対して０．１質量部以上０．５質量部以下の分散剤を併せて粉砕機内に投入する。次に、得られたスラリーを脱磁処理した後、噴霧乾燥して、顆粒を得る。脱磁処理によって、強磁性金属であるＦｅ、ＮｉおよびＣｏが除去される。
【0042】
また、基板におけるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、粉砕機に用いられるステンレス製部材の磨耗の影響を受ける。長期間の使用によって磨耗するステンレス製部材は、例えば、表面に不動態膜を形成しやすいチタン製部品に置換するか、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＡｌＣＮ、ＴｉＡｌＯなどのチタン系の膜あるいは非晶質硬質炭素（ＤＬＣ）をステンレス製部材の表面に被覆すればよい。脱磁処理に加え、このようなステンレス製部材の置換あるいは被覆により、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である基板を得ることができる。
【0043】
そして、この顆粒を用いて乾式加圧成形法、あるいは、冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）により成形した後に切削加工を施して成形体を得る。その後、得られた成形体を大気（酸化）雰囲気中、温度を１５００℃以上１７００℃以下として所定時間保持して焼成することによって焼結体を得ることができる。
ここで、開気孔の平均気孔径の歪度が０．１以上２以下である基板を得るには、成形圧を、例えば、１５００ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下にすればよい。
ここで、開気孔の平均気孔径の歪度が０．１以上２以下である基板を得るには、成形圧を、例えば、１５００ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下にすればよい。
【0044】
なお、焼成後においては、研削加工を行なってもよい。また、必要に応じて振動バレル研磨機を用いて、研磨材、振動数および研磨時間を調整した研磨を行なって、所定の表面性状としてもよい。
【0045】
そして、上述した方法によって得られた焼結体を、還元雰囲気として、例えば、窒素：水素の比率が８７～９０体積％：１０～１３体積％である混合ガス中において、１３００℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持することによって、本実施形態の基板を得ることができる。
遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下である基板を得るには、酸化チタンの粉末の含有量を、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、１．８質量％以上３質量％以下とし、１３３０℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持すればよい。
遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）である基板を得るには、酸化チタンの粉末の含有量を、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、１．８質量％以上３質量％以下とし、１３５０℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持すればよい。
遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下である基板を得るには、酸化チタンの粉末の含有量を、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、１．８質量％以上３質量％以下とし、１３３０℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持すればよい。
遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）である基板を得るには、酸化チタンの粉末の含有量を、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、１．８質量％以上３質量％以下とし、１３５０℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持すればよい。
【0046】
上述した本実施形態の基板は、可視光線領域および（近）赤外線領域の反射率が低く、しかも、長期使用が可能であることから、例えば、光路周辺に配置することができ、車載光学機器などに用いることができる。
【0047】
＜車載光学機器＞
次に、本実施形態の基板を備える車載光学機器の一例として、ランプ装置およびヘッドアップディスプレイを例に挙げて、図面を用いて順に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態を説明する上で必要な構成のみを簡略化して示したものである。したがって、本開示の車載光学機器は、参照する図に示されていない任意の構成を備え得る。また、図中の構成の寸法は、実際の構成の寸法および寸法比率などを忠実に表したものではない。
次に、本実施形態の基板を備える車載光学機器の一例として、ランプ装置およびヘッドアップディスプレイを例に挙げて、図面を用いて順に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態を説明する上で必要な構成のみを簡略化して示したものである。したがって、本開示の車載光学機器は、参照する図に示されていない任意の構成を備え得る。また、図中の構成の寸法は、実際の構成の寸法および寸法比率などを忠実に表したものではない。
【0048】
（ランプ装置）
以下の説明では、ランプ装置が車両の右前方に搭載される構成を例にとって説明するが、本開示のランプ装置は、その機能を奏する限り、車両の右前方に搭載される構成に限定されない。
以下の説明では、ランプ装置が車両の右前方に搭載される構成を例にとって説明するが、本開示のランプ装置は、その機能を奏する限り、車両の右前方に搭載される構成に限定されない。
【0049】
図１に示すように、本開示の実施形態に係るランプ装置２０は、車両の進行方向に位置する透光カバー２１と、透光カバー２１の反対側に位置するハウジング２２と、透光カバー２１およびハウジング２２によって囲まれる灯室２３の内部にそれぞれ位置する、前照灯２４と、第１センサモジュール２５と、第２センサモジュール２６と、を備えている。
【0050】
前照灯２４は、レンズおよびリフレクタの少なくともいずれかを含む光学系部品を備えている。前照灯２４から出射された光は、透光カバー２１を透過して車両の右前方を照明する。ランプ装置２０は、このような前照灯２４を備えていることから、ヘッドライトとして機能する。
【0051】
第１センサモジュール２５は、第１基板２５１（支持部材）を備えている。第１基板２５１は、第１可視光カメラ２５２、第１ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging）センサ２５３、第１遮光部材２５４（遮蔽部材）を支持しており、さらに図２に示すように、制御部２５５、通信部２５６および給電部２５７を支持している。第１基板２５１は、第１可視光カメラ２５２、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３、制御部２５５、通信部２５６および給電部２５７を含むセンサ回路を実装する基板である。すなわち、検出方法が異なる複数のセンサ（第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３）、これらのセンサを包囲する筒状の中空部材である第１遮光部材２５４、およびこれらのセンサを動作させる回路が、第１基板２５１上にモジュール化されている。
【0052】
図１に示すように、第１可視光カメラ２５２は、車両の右側を撮影する。すなわち、第１可視光カメラ２５２は、車両の右側の情報を検出するセンサである。
【0053】
図２に示すように、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、赤外光を出射する発光部２５３ａおよび赤外光が車両の右側に存在する物体に当たってはね返った反射光を検出する受光部２５３ｂを備えている。
【0054】
第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、ある方向へ赤外光を出射した後、物体からの反射光を検出するまでの時間に基づいて、物体までの距離を求めることができる。また、距離の測定値を検出位置と関連付けて集積、解析することにより、物体の形状に係る情報を得ることができる。また、出射光と反射光の波長の相違に基づいて、反射に関連付けられた物体の材質などの情報を得ることができる。さらに、反射光の反射率の相違に基づいて、対象物の色（路面における白線など）に係る情報を得ることができる。すなわち、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、第１可視光カメラ２５２とは異なる方法で車両の右側の様々な情報を得ることができる。
【0055】
なお、図１に示すように、第１センサモジュール２５は、第１基板２５１に結合された第１アクチュエータ２５８（調節機構の一例）を備えている。第１アクチュエータ２５８は、車両に対する第１基板２５１の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する。
【0056】
また、第２センサモジュール２６は、第２基板２６１を備えている。第２基板２６１は、第２可視光カメラ２６２、第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３、ミリ波レーダ２６４、およびこれらを包囲する筒状の中空部材である第２遮光部材２６５を支持しており、いずれも図示しない制御部、通信部および給電部をさらに支持している。
【0057】
第２可視光カメラ２６２および第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３の各機能は、それぞれ第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３の各機能と同じなので、その説明を省略する。
【0058】
ミリ波レーダ２６４は、ミリ波を発信する発信部およびミリ波が少なくとも車両の右前方に存在する物体に当たってはね返った反射波を受信する受信部を備えている。ミリ波の周波数は、例えば、２４ＧＨｚ、２６ＧＨｚ、７６ＧＨｚまたは７９ＧＨｚである。
【0059】
ミリ波レーダ２６４は、ある方向へ赤外光を出射した後、物体からの反射光を検出するまでの時間に基づいて、物体までの距離を求めることができる。また、距離の測定値を検出位置と関連付けて集積、解析することにより、物体の動きに係る情報を得ることができる。すなわち、ミリ波レーダ２６４は、第２可視光カメラ２６２または第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３とは異なる方法で車両の右前方の情報を得ることができる。
【0060】
なお、第２センサモジュール２６は、第２基板２６１に結合された第２アクチュエータ２６６（調節機構の一例）を備えている。第２アクチュエータ２６６は、車両に対する第２基板２６１の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する。
【0061】
また、ランプ装置２０は、灯室２３の外部に位置する信号処理部２７を備えている。信号処理部２７は、第１アクチュエータ２５８を駆動する第１駆動信号２７１および第２アクチュエータ２６６を駆動する第２駆動信号２７２を出力するように構成されている。第１駆動信号２７１は、第１アクチュエータ２５８の位置および姿勢の少なくともいずれかを、また、第２駆動信号２７２は、第２アクチュエータ２６６の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する情報を含んでいる。
【0062】
そして、ランプ装置２０においては、第１センサモジュール２５の第１基板２５１および第２センサモジュール２６の第２基板２６１の少なくともいずれかが、上述した本実施形態の基板からなる。本実施形態の基板は、上述のとおり、広い波長範囲にわたって反射率が低いことから、投影像のノイズを低減することができる。また、チタンの酸化物のＵＶ吸収効果によって日光による劣化を抑制することができ、基板に実装される部材（可視光カメラ、ＬｉＤＡＲセンサ、遮光部材、制御部、通信部および給電部など）を保護することができるので、長期使用が可能となる。さらに、日光を浴びるとチタンの酸化物の光触媒効果が発現して基板に実装される部材の汚れを除去することができ、防汚効果も得られるので、長期使用が可能となる。
【0063】
また、ランプ装置２０は、光路周辺の基板として、前照灯２４の光源素子（ＬＥＤなど）を実装する光源素子実装基板を備えている。そして、ランプ装置２０においては、光源素子実装基板が、本実施形態の基板からなる。言い換えれば、本実施形態の基板は、ヘッドライトの光源素子用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態の基板の低い反射率によって迷光を除去できるので、光路上における余計な反射または散乱を少なくすることができ、投影像のノイズを低減することができる。また、チタンの酸化物の光触媒効果によって光源素子周辺の汚れを防止して長期にわたって輝度を維持することもできる。
【0064】
ランプ装置２０は、光路周辺の基板として、第１可視光カメラ２５２におけるＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサを実装するＣＭＯＳ実装基板を備えている。そして、ランプ装置２０においては、ＣＭＯＳ実装基板が、本実施形態の基板からなる。言い換えれば、本実施形態の基板は、車載カメラ用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態の基板の可視光線領域および（近）赤外線領域における低い反射率によって投影像のノイズを低減することができる。また、チタンの酸化物の光触媒効果によってＣＭＯＳイメージセンサ付近の汚れを防止して感度を維持することもできる。
【0065】
ランプ装置２０は、光路周辺の基板として、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３の受光部２５３ｂにおける受光素子を実装する受光素子実装基板を備えている。そして、ランプ装置２０においては、受光素子実装基板が、本実施形態の基板からなる。言い換えれば、本実施形態の基板は、ＬｉＤＡＲ用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態の基板の近赤外線領域における低い反射率によってノイズを低減することができ、その結果、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３の検知性能が高まる。また、チタンの酸化物の光触媒効果によって受光素子の汚れを防止して感度を維持することもできる。
【0066】
なお、ランプ装置２０は、第２可視光カメラ２６２および第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３についても、上述した第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３と同様の基板を備えている。そして、ランプ装置２０においては、第２可視光カメラ２６２および第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３における基板が、本実施形態の基板で構成されていてもよい。
【0067】
（ヘッドアップディスプレイ）
図３に示すように、本開示の実施形態に係るヘッドアップディスプレイ３０は、画像を投影する側から順に、車載プロジェクターモジュール３１と、反射ミラー３２と、マイクロレンズアレイ３３と、凸レンズ３４と、コンバイナー３５と、を備えている。
図３に示すように、本開示の実施形態に係るヘッドアップディスプレイ３０は、画像を投影する側から順に、車載プロジェクターモジュール３１と、反射ミラー３２と、マイクロレンズアレイ３３と、凸レンズ３４と、コンバイナー３５と、を備えている。
【0068】
車載プロジェクターモジュール３１は、矢印ａ方向に画像を投影する。また、車載プロジェクターモジュール３１は、光学、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ユニットと、光学、ＭＥＭＳユニットに収容されるＲＧＢ光源モジュールと、を備えている。
【0069】
反射ミラー３２は、車載プロジェクターモジュール３１から投影された画像をマイクロレンズアレイ３３に向けて反射させる。マイクロレンズアレイ３３は、中間像スクリーンとして機能する。凸レンズ３４は、マイクロレンズアレイ３３に隣接しているとともに、コンバイナー３５の側に凸であって、フィールドレンズとして機能する。コンバイナー３５は、凸レンズ３４によって拡大された画像をドライバーの目に向けて反射させる。
【0070】
なお、マイクロレンズアレイ３３および凸レンズ３４は、レンズ保持部材３６によって保持されている。すなわち、ヘッドアップディスプレイ３０は、マイクロレンズアレイ３３および凸レンズ３４を保持するレンズ保持部材３６を備えている。
【0071】
ここで、ヘッドアップディスプレイ３０は、上述した構成に加えて次のような構成をさらに備えている。すなわち、ヘッドアップディスプレイ３０は、光路周辺の基板として、ＲＧＢ光源モジュールの光源素子を実装する光源素子基板を備えている。そして、ヘッドアップディスプレイ３０においては、光源素子基板が、本実施形態の基板からなる。言い換えれば、本実施形態の基板は、ヘッドアップディスプレイ用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態の基板の広い波長範囲にわたる低い反射率によって投影像のノイズを低減することができる。また、チタンの酸化物の光触媒効果による防汚効果によって長期使用が可能となる。
【0072】
＜試験機器＞
本実施形態の基板は、試験機器にも用いることができる。試験機器の一例として、図４などに示す試験装置を例に挙げて説明する。図４は、本開示の実施形態に係る基板を備える試験装置の構成を示す部分断面図である。
本実施形態の基板は、試験機器にも用いることができる。試験機器の一例として、図４などに示す試験装置を例に挙げて説明する。図４は、本開示の実施形態に係る基板を備える試験装置の構成を示す部分断面図である。
【0073】
試験装置４０は、パッケージに収納された半導体デバイス４１を昇温した状態で、半導体デバイス４１の静特性、動特性等を計測する装置である。
【0074】
試験装置４０は、搬送機構（図示しない）により半導体デバイス４１を載置部４２まで搬入したり、載置部４２から半導体デバイス４１を搬出したりするように構成されている。
【0075】
載置部４２は、半導体デバイス４１を載置する載置台４４を備え、載置台４４はその下側から収縮自在なコイルバネ４３によって支持されている。載置台４４に載置された半導体デバイス４１は上方から（矢印Ａ方向）押圧されると、コイルバネ４３が収縮して半導体デバイス４１は載置台４４ととともに下方に移動する。載置台４４および半導体デバイス４１が下方に移動すると、半導体デバイス４１の各端子と、計測回路４６に接続されているコンタクトピン４５とが接触して、電気的に接続する。なお、端子が大きい場合に備え、半導体デバイス４１の上方からの押圧を受け止める弾性部材を含む補助端子４７がコンタクトピン４５を保持する板状部材４８上に設けられている。また、半導体デバイス４１の温度を計測する赤外線温度センサＳ１が載置台４４に装着されている。
【0076】
載置台４４は交換可能である。また、コンタクトピン４５および補助端子４７は板状部材４８と合わせて交換可能であり、半導体デバイス４１に応じてこれらを交換して、様々な半導体デバイス４１の静特性、動特性等を計測することができる。
【0077】
可動部４９は、載置部４２の上方に設けられている。可動部４９は、可動機構により上下方向への移動が可能であり、半導体デバイス４１のパッケージの上面に当接して半導体デバイス４１を上方から押圧するとともに、半導体デバイス４１を昇温する。可動部４９は、半導体デバイス４１の各端子をコンタクトピン４５に押し付けるための押圧部材５９を有する。半導体デバイス４１の特性を計測する場合、まず、半導体デバイス４１を載置台４４に載置し、可動部４９を下方に移動させ、半導体デバイス４１を上方から押圧する。そして、半導体デバイス４１の各端子を押圧部材５９で押圧して、各端子をコンタクトピン４５を介して計測回路４６に接続する。そして、この状態で、可動部４９の上方に設置された熱源部５１によって半導体デバイス４１を加熱して半導体デバイス４１の静特性、動特性等を計測する。半導体デバイス４１の計測が終了すると加熱を中止し、可動部４９を上方に移動して半導体デバイス４１は搬出される。
【0078】
図５は、図４に示す試験装置の可動部および熱源部の構成を示す側面図である。熱源部５１は、鉛直方向の中央部にヒートシンク５２を、ヒートシンク５２の上方に、冷却用ファン５３をそれぞれ有しており、ヒートシンク５２および冷却用ファン５３によって熱源部５１の異常な温度上昇が抑制される。
【0079】
また、熱源部５１は、ヒートシンク５２の下方に、並列に配置された直管式のハロゲンランプ５４を備えており、ハロゲンランプ５４から放出された赤外線は、半導体デバイス４１を昇温する。また、各ハロゲンランプ５４は、リフレクタ５５を備えている。リフレクタ５５は、可動部４９側に向かって赤外線を放射する放物面鏡により形成され、放物面の焦点にハロゲンランプ５４が配置される。このような配置により熱源部５１は、可動部４９に向かってほぼ平行に赤外線を放射することができる。また、ハロゲンランプ５４が並列に配置されていることにより、矢印で示すように広い範囲に亘って略平行に赤外線を照射することができる。赤外線の平行な照射により、固定されている熱源部５１に対して可動部４９を移動しても、後述する熱伝導部材５８に入射する赤外線の温度分布はほとんど変化しないので、試験装置４０は、半導体デバイス４１の静特性、動特性を変動要因の少ない状態で計測することができる。
【0080】
熱源部５１は、平面視した場合の半導体デバイス４１より大きな領域に赤外線を照射可能に、また、半導体デバイス４１を設定する温度に昇温可能に、ハロゲンランプ５４の定格、大きさおよび並列に配置する数が設定されている。
【0081】
ハロゲンランプ５４およびリフレクタ５５は、赤外線を照射する側が開口するケース５６の内部に収納されている。このような構成であると、赤外線の漏洩が防止され、熱効率が向上する。試験装置４０は、さらにこのケース５６の上部にヒートシンク５２を備えている。
【0082】
集光ドーム５７は、ケース５６を下方から覆うように設けられており、熱源部５１からの赤外線を反射して熱伝導部材５８に集光する。また、板状の熱伝導部材５８は、集光ドーム５７の下方側であって、半導体デバイス４１に対向する位置に設けられている。熱伝導部材５８は、熱源部５１からの赤外線によって直射され、昇温する。また、可動部４９による下方への移動により、熱伝導部材５８は半導体デバイス４１の上面に接触して、半導体デバイス４１を昇温する。
【0083】
半導体デバイス４１は、放熱性を向上させるために、パッケージの上面から電極が露出しているものもある。電極が露出する半導体デバイス４１に金属等の導電性を有する熱伝導部材を接触させると、半導体デバイス４１が損傷したり、半導体デバイス４１の特性を正しく測定したりすることができなくなる。
【0084】
このような場合に備え、熱伝導部材５８は、赤外線の照射により効率良く半導体デバイス４１を昇温させることができる絶縁体、すなわち、本開示の基板であるとよい。
【0085】
そして、熱伝導部材５８は、半導体デバイス４１の上端面の形状、大きさに応じて適宜設計される。このように設計することによって、試験装置４０は、熱伝導部材５８からの熱伝導に係る損失が低減され、半導体デバイス４１を効率良く昇温させることができる。
【0086】
本開示の基板を熱伝導部材５８として備えた試験装置４０は、半導体デバイス４１を損傷させることなく、半導体デバイス４１の特性を正しく測定することができる。
【0087】
以上、本開示に係る実施形態について例示したが、本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることはいうまでもない。
【0088】
例えば、上述した実施形態では、基板が車載光学機器用および試験機器用である場合を例にとって説明したが、本実施形態の基板は、車載光学機器用および試験機器用に限定されるものではなく、他の用途にも使用することができる。他の用途としては、例えば、電子機器、医療・理化学機器などが挙げられる。具体例を挙げると、例えば、ＣＴスキャンなどの医療機器、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などの分析装置などが挙げられる。なお、基板の用途は、例示したものに限定されない。
【0089】
以下、実施例を挙げて本開示を詳細に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【0090】
まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末を準備した。
【0091】
なお、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の含有量は、基板である焼結体を構成する成分が表１に示す値になるように調整した。
【0092】
そして、これら粉末をバレルミルで湿式混合して粉砕し、スラリーを得た。なお、粉砕にあたっては、溶媒、溶媒１００質量部に対して１．２５質量部のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、溶媒１００質量部に対して０．３質量部の分散剤も併せて粉砕機内に投入した。次に、得られたスラリーを脱磁処理によって、基板におけるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が表１に示す値になるように調整した後、噴霧乾燥して、顆粒を得た。なお、粉砕機に用いるステンレス製部材には、予めＴｉＮ膜を被覆した後、粉末を粉砕した。
【0093】
そして、顆粒を用いて冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）により成形した後に切削加工を施して成形体を得た。その後、得られた成形体を大気（酸化）雰囲気中、温度を１５７０℃として２時間保持することによって焼結体を得た。次に、振動バレル研磨機を用いて、焼結体の表面を研磨した。
【0094】
そして、上述した方法によって得られた焼結体を還元雰囲気中（窒素：水素の比率が８８．５体積％：１１．５体積％の混合ガス）、１３５０℃の温度で１時間３０分保持することによって、試料Ｎｏ．１～４を得た。
【0095】
得られた各試料につき、ＸＲＤを用いて同定を行なった。なお、ＴｉＯ2-xにおけるｘの値は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて求めた。また、各試料を構成する元素の含有量をＸＲＦを用いて求め、それぞれ同定された成分に換算した。さらに、微量成分であるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＳ）を用いて求めた。これらの結果を表１に示す。なお、各試料は、表１に示されていない成分として、不可避不純物を含んでいる。
【0096】
また、各試料につき、２５０ｎｍ～２５００ｎｍの波長における領域の反射率を、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光（株）製、Ｖ－６７０）を用いて求め、その測定値をグラフとして図６に示した。また、各試料の上記領域における反射率の最小値Ｒｍｉｎおよび最大値ＲｍａｘからΔＲを算出した。反射率の最小値Ｒｍｉｎ、最大値ＲｍａｘおよびΔＲを表１に示す。
【0097】
ここで、反射率の測定に用いる積分球ユニットはＩＳＮ－７２３、基準光源は、波長が２５０ｎｍ～３６０ｎｍにおける領域を重水素ランプ、波長が３６０ｎｍ～２５００ｎｍにおける領域をハロゲンランプとし、測定条件は、測定モードを全反射率、データ取込間隔を１．０ｎｍ、ＵＶ／Ｖｉｓバンド幅を５．０ｎｍ、ＮＩＲバンド幅を２０．０ｎｍとした。
【0098】
【表1】
【0099】
表１および図６に示すとおり、試料Ｎｏ．１～３は、試料Ｎｏ．４よりもＲｍａｘおよびΔＲの値が小さかった。この結果より、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下であれば、波長２５０ｎｍ～２５００ｎｍの範囲において、反射率が低く、照射光に対する反射光の光強度の波長分布のばらつきが小さいことがわかった。
【0100】
特に、試料Ｎｏ．１は、上記領域の反射率の差ΔＲが６．２％であることから、上述のような使用では、より好適である。
【0101】
各試料につき、室温（２０℃）における体積固有抵抗をＪＩＳ Ｃ ２１４１：１９９２に準拠して求めた。測定結果は、以下のとおりである。
試料Ｎｏ．１：１０11Ω・ｍ
試料Ｎｏ．２：１０12Ω・ｍ
試料Ｎｏ．３：１０12Ω・ｍ
試料Ｎｏ．４：１０10Ω・ｍ
試料Ｎｏ．１：１０11Ω・ｍ
試料Ｎｏ．２：１０12Ω・ｍ
試料Ｎｏ．３：１０12Ω・ｍ
試料Ｎｏ．４：１０10Ω・ｍ
【0102】
なお、表１に示す成分の試料毎の合計は１００質量％になっていないが、表１に示す成分以外の成分は、不可避不純物である。
【符号の説明】
【0103】
２０ ランプ装置
２１ 透光カバー
２２ ハウジング
２３ 灯室
２４ 前照灯
２５ 第１センサモジュール
２５１ 第１基板
２５２ 第１可視光カメラ
２５３ 第１ＬｉＤＡＲセンサ
２５３ａ 発光部
２５３ｂ 受光部
２５４ 第１遮光部材
２５５ 制御部
２５６ 通信部
２５７ 給電部
２５８ 第１アクチュエータ
２６ 第２センサモジュール
２６１ 第２基板
２６２ 第２可視光カメラ
２６３ 第２ＬｉＤＡＲセンサ
２６４ ミリ波レーダ
２６５ 第２遮光部材
２６６ 第２アクチュエータ
２７ 信号処理部
２７１ 第１駆動信号
２７２ 第２駆動信号
３０ ヘッドアップディスプレイ
３１ 車載プロジェクターモジュール
３２ 反射ミラー
３３ マイクロレンズアレイ
３４ 凸レンズ
３５ コンバイナー
３６ レンズ保持部材
４０ 試験装置
４１ 半導体デバイス
４２ 載置部
４３ コイルバネ
４４ 載置台
４５ コンタクトピン
４６ 計測回路
４７ 補助端子
４８ 板状部材
４９ 可動部
５１ 熱源部
５２ ヒートシンク
５３ 冷却用ファン
５４ ハロゲンランプ
５５ リフレクタ
５６ ケース
５７ 集光ドーム
５８ 熱伝導部材
５９ 押圧部材
２１ 透光カバー
２２ ハウジング
２３ 灯室
２４ 前照灯
２５ 第１センサモジュール
２５１ 第１基板
２５２ 第１可視光カメラ
２５３ 第１ＬｉＤＡＲセンサ
２５３ａ 発光部
２５３ｂ 受光部
２５４ 第１遮光部材
２５５ 制御部
２５６ 通信部
２５７ 給電部
２５８ 第１アクチュエータ
２６ 第２センサモジュール
２６１ 第２基板
２６２ 第２可視光カメラ
２６３ 第２ＬｉＤＡＲセンサ
２６４ ミリ波レーダ
２６５ 第２遮光部材
２６６ 第２アクチュエータ
２７ 信号処理部
２７１ 第１駆動信号
２７２ 第２駆動信号
３０ ヘッドアップディスプレイ
３１ 車載プロジェクターモジュール
３２ 反射ミラー
３３ マイクロレンズアレイ
３４ 凸レンズ
３５ コンバイナー
３６ レンズ保持部材
４０ 試験装置
４１ 半導体デバイス
４２ 載置部
４３ コイルバネ
４４ 載置台
４５ コンタクトピン
４６ 計測回路
４７ 補助端子
４８ 板状部材
４９ 可動部
５１ 熱源部
５２ ヒートシンク
５３ 冷却用ファン
５４ ハロゲンランプ
５５ リフレクタ
５６ ケース
５７ 集光ドーム
５８ 熱伝導部材
５９ 押圧部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】