特許 7150527 表示装置及び表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-09-30

(45)【発行日】2022-10-11

(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/04 20060101AFI20221003BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20221003BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20221003BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20221003BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20221003BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20221003BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20221003BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20221003BHJP

【ＦＩ】

H05B33/04

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/12 B

H05B33/22 Z

H05B33/10

G09F9/30 309

G09F9/00 342

G09F9/00 343

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2018163040

(22)【出願日】2018-08-31

(65)【公開番号】P2020035704

(43)【公開日】2020-03-05

【審査請求日】2021-08-24

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大原 宏樹

【審査官】小久保 州洋

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０３７３９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０３８５７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０３８０６８５（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｂ ３３／０４

Ｈ０１Ｌ ５１／５０ － ５１／５６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｈ０５Ｂ ３３／２２

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０９Ｆ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

画像を表示する表示領域と、
前記表示領域の外側に配置された第１周辺領域と、
前記第１周辺領域の外側に配置された第２周辺領域と、
を有する表示装置であって、
前記表示領域と前記第２周辺領域の間に位置する前記第１周辺領域に配置されたインナーダムと、
前記第１周辺領域において、前記インナーダムの外側に配置されたアウターダムと、
前記インナーダムと前記アウターダムの間に、前記インナーダム及び前記アウターダムより高く形成された樹脂部と、
平面視で前記表示領域と重ねて配置された封止膜と、
を有し、
前記封止膜の前記第２周辺領域側の外縁は、前記樹脂部または前記アウターダムの上に位置する、ことを特徴とする表示装置。

【請求項2】

さらに、前記封止膜に重ねて配置された電極と、前記電極と電気的に接続され、前記第１周辺領域に配置された引き回し配線と、を含むタッチセンサを有し、
前記樹脂部は、前記引き回し配線と平面視で重なる領域に凹部を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

さらに、前記樹脂部の上に配置されたカバー樹脂を有する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記表示装置が複数配置された大板が切断された個片の表示装置であって、
前記第１周辺領域の外縁の一部は、前記大板の切断面である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。

【請求項5】

画像を表示する表示領域と、前記表示領域の外側に配置された第１周辺領域と、を有する表示装置の製造方法であって、
前記第１周辺領域にダム剤を配置する工程と、
前記ダム剤をパターニングして、内側のインナーダムと外側のアウターダムを形成する工程と、
前記インナーダムと前記アウターダムの間に、前記インナーダム及び前記アウターダムより高く樹脂部を形成する工程と、
前記樹脂部の上にエッジが位置するマスクを配置し、前記表示領域に封止膜を形成する工程と、
前記第１周辺領域の外側の領域で、前記表示装置を湾曲する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。

【請求項6】

さらに、前記表示装置が複数形成された大板から個片の表示装置を切り出す工程を有する、ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項7】

前記マスクは、前記樹脂部に接して配置される、ことを特徴とする請求項５または６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項8】

さらに、前記樹脂部の上にカバー樹脂を形成する工程を有する、ことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

有機ＥＬ表示装置等の表示装置は、内部に水分等の不純物が侵入することによって、表示素子が劣化する場合がある。当該不純物の侵入を防止するため、例えば、無機膜と有機膜が積層された封止膜が設けられる。

【0003】

封止膜に含まれる有機膜を形成する方法として、液体状の樹脂を配置し、硬化すること方法が知られている。この際、液体状の樹脂が所定の領域から溢れることを防止するために、ダム剤が設けられる（下記特許文献１乃至３参照）。

【0004】

また、封止膜に含まれる無機膜を形成する方法として、ＣＶＤ法が知られている。この際、無機膜は、マスクを用いて所定の領域に形成される場合もある（下記特許文献４乃至９参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０２２８９２７号明細書

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１３２１４８号明細書

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０３８０６８５号明細書

【文献】特開２００８－０３８１７８号公報

【文献】特開２０１６－００３３８３号公報

【文献】特開２０１６－００３３８４号公報

【文献】特開２０１１－０７６７５９号公報

【文献】特開２０１７－１５００１７号公報

【文献】特開２０１２－０３１４７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

マスクを用いたＣＶＤ法によって封止膜を形成する場合、封止膜は、マスクを基板から離した状態で形成される。これは基板上の各種の膜が、マスクとの接触によってダメージを受けることを回避するためである。この際、マスクと基板の隙間から封止膜形成材料が流れ込み、基板端部にまで封止膜が形成されてしまうことがある。この後にカットラインに沿って基板自体を切断する工程がある場合、封止膜にクラックが生じ、表示装置の信頼性が低下する恐れがある。

【0007】

また、特に近年、薄型の表示装置は、可撓性を有する基板を用いて、湾曲できるように作製される場合がある。マスクを用いたＣＶＤ法によって封止膜が形成される場合であっても、マスクと基板のアライメント精度が低い場合やマスクと基板の間に封止膜の材料が付着した場合には、湾曲される領域に封止膜が形成される。湾曲される領域に封止膜が形成されている場合、封止膜にクラックや亀裂が生じ、表示素子が劣化するおそれがある。

【0008】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、封止膜のクラック及び亀裂が生じるリスクを低減した表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一態様は、画像を表示する表示領域と、前記表示領域の外側に配置された第１周辺領域と、前記第１周辺領域の外側に配置された第２周辺領域と、を有する表示装置であって、前記表示領域と前記第２周辺領域の間に位置する前記第１周辺領域に配置されたインナーダムと、前記第１周辺領域において、前記インナーダムの外側に配置されたアウターダムと、前記インナーダムと前記アウターダムの間に、前記インナーダム及び前記アウターダムより高く形成された樹脂部と、平面視で前記表示領域と重ねて配置された封止膜と、を有し、前記封止膜の前記第２周辺領域側の外縁は、前記樹脂部または前記アウターダムの上に位置する、ことを特徴とする。

【0010】

本発明の他の一態様は、画像を表示する表示領域と、前記表示領域の外側に配置された第１周辺領域と、を有する表示装置の製造方法であって、前記第１周辺領域にダム剤を配置する工程と、前記ダム剤をパターニングして、内側のインナーダムと外側のアウターダムを形成する工程と、前記インナーダムと前記アウターダムの間に、前記インナーダム及び前記アウターダムより高く樹脂部を形成する工程と、前記樹脂部の上にエッジが位置するマスクを配置し、前記表示領域に封止膜を形成する工程と、前記第１周辺領域の外側の領域で、前記表示装置を湾曲する工程と、を有することを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。

【図2】画素回路及び周辺回路の概略を示す模式図である。

【図3】大板と個片の基板との関係について説明するための図である。

【図4】表示装置のIV-IV断面について説明するための図である。

【図5】表示装置のV-V断面について説明するための図である。

【図6】表示装置のVI-VI断面について説明するための図である。

【図7】表示装置のVII-VII断面について説明するための図である。

【図8】表示装置のVIII-VIII断面について説明するための図である。

【図9】湾曲した表示装置を説明するための図である。

【図10】カバー樹脂を設けた変形例を説明するための図である。

【図11】カバー樹脂を設けた他の変形例を説明するための図である。

【図12】表示装置の製造方法について説明するフローチャートである。

【図13】表示装置の製造方法について説明するための図である。

【図14】表示装置の製造方法について説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0013】

さらに、本発明の実施形態の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

【0014】

図１は、実施形態に係る表示装置１００の例を示す平面図である。表示装置１００の例として、有機ＥＬ表示装置を挙げる。

【0015】

表示装置１００は、表示領域１０２と、第１周辺領域１０４と、第２周辺領域１０６と、を有する。具体的には、表示領域１０２は、発光領域を含む画素によって構成される。表示領域１０２には、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて構成される画素がマトリクス状に配置される。画素によって、フルカラーの画像が表示される。

【0016】

第１周辺領域１０４は、表示領域１０２の外側に配置される。具体的には、第１周辺領域１０４は、表示領域１０２のＸ方向及びＹ方向の両側に配置される。なお。Ｘ方向は、図面上左右方向であって、Ｙ方向は、図面上上下方向である。第２周辺領域１０６は、第１周辺領域１０４の外側に、少なくとも１か所に設けられる。本実施形態では、第２周辺領域１０６は、第１周辺領域１０４の下側に設けられ、図９に示すように湾曲される。

【0017】

また、表示装置１００は、インナーダム１０８と、アウターダム１１０と、樹脂部１１２と、タッチセンサと、端子部１２２と、ＦＰＣ１２４と、駆動ＩＣ１２６と、を有する。インナーダム１０８は、第１周辺領域１０４に配置される。具体的には、インナーダム１０８は、少なくとも表示領域１０２と第２周辺領域１０６の間に位置する第１周辺領域１０４に配置される。図１に示す実施例では、インナーダム１０８は、表示領域１０２を囲うように、第１周辺領域１０４に配置される。

【0018】

アウターダム１１０は、インナーダム１０８の外側に配置される。具体的には、アウターダム１１０は、少なくとも表示領域１０２と第２周辺領域１０６の間に位置する第１周辺領域１０４において、インナーダム１０８の外側に配置される。図１に示す実施例では、アウターダム１１０は、第１周辺領域１０４において、インナーダム１０８を囲うように配置される。

【0019】

樹脂部１１２は、インナーダム１０８とアウターダム１１０の間に、インナーダム１０８及びアウターダム１１０より高く形成される。具体的には、例えば図１に示すように、樹脂部１１２は、インナーダム１０８とアウターダム１１０に挟まれた領域全体に形成される。

【0020】

タッチセンサは、複数の電極１１４と、接続する配線１１６と、引き回し配線と、駆動ＩＣ１２６の一部と、を含み、タッチされた位置を検出する。電極１１４は、封止膜４１８（後述）に重ねて配置される。具体的には、電極１１４は、表示領域１０２に配置された封止膜４１８に重ねて配置され、駆動電極と検出電極の複数のペアを含む。駆動電極及び検出電極の複数のペアは、Ｘ方向及びＹ方向に離間して配置され、相互に静電容量を形成する。例えば、駆動電極は、Ｘ方向及びＹ方向に並べて配置された複数の菱形状の電極１１４である。また、Ｘ方向に並べて配置された複数の駆動電極は、各菱形状の部分を接続する配線１１６によって、それぞれ電気的に接続される。一方、Ｙ方向に並べて配置された複数の駆動電極は、電気的に接続されない。

【0021】

検出電極は、Ｘ方向及びＹ方向に並べて配置された複数の菱形状の電極１１４である。また、Ｘ方向に並べて配置された複数の検出電極は、それぞれ電気的に接続されない。一方、Ｙ方向に並べて配置された複数の検出電極は、各菱形状の部分を接続する配線１１６によって、電気的に接続される。なお、駆動電極及び検出電極の形状はいずれも菱形以外の形状であってもよい。

【0022】

Ｘ方向に並べて配置された複数の駆動電極を接続する配線１１６と、Ｙ方向に並べて配置された複数の検出電極を接続する配線１１６と、は異なる層に形成される（図８（ｂ）参照）。これにより、駆動電極と検出電極とは電気的に接続しないように形成される。また、駆動電極と検出電極のペアは、それぞれがコンデンサの電極となって静電容量を形成するように近接して配置される。

【0023】

また、電極１１４は、メッシュ状に形成される。具体的には、電極１１４が画素から出射される光を遮らないように、電極１１４に設けられた孔は、光が出射される領域と重複する位置に配置される。メッシュ状に形成することにより、電極１１４を電気抵抗の小さい金属で形成することができる。また、電極１１４の電気抵抗を低減することで、タッチセンサの感度を向上できる。

【0024】

引き回し配線は、電極１１４と電気的に接続され、第１周辺領域１０４に配置される。具体的には、引き回し配線は、電気的に接続された駆動電極及び検出電極の１列及び１行毎に１本配置される。各引き回し配線は、第１周辺領域１０４及び第２周辺領域１０６を経由して、端子部１２２と電極１１４とを電気的に接続する。引き回し配線は、第１周辺領域１０４において、インナーダム１０８、樹脂部１１２及びアウターダム１１０の上に配置される。なお、図１のように、引き回し配線は、異なる層に配置される第１引き回し配線１１８及び第２引き回し配線１２０を有し、第１引き回し配線１１８及び第２引き回し配線１２０が第１周辺領域１０４で接続される構成としてもよい。

【0025】

タッチセンサは、駆動電極に入力された信号によって変動する検出電極の電圧に基づいてタッチされた位置を検出する。具体的には、駆動電極は、駆動信号が入力される。検出電極の電圧は、静電容量を介して、駆動信号によって変化する。タッチセンサは、検出電極の電圧変化によって、タッチされた位置を検出する。

【0026】

ＦＰＣ１２４は、端子部１２２と接続される。ＦＰＣ１２４は、樹脂で形成され、可撓性を有する。

【0027】

駆動ＩＣ１２６は、ＦＰＣ１２４に配置され、タッチセンサや表示領域１０２に形成された回路に対して、電源や信号を供給する。具体的には、例えば、駆動ＩＣ１２６は、１画素を構成する複数の副画素のそれぞれに対応して配置された画素トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタデータ信号線に対して副画素の階調値に対応する電流を流す。当該駆動ＩＣ１２６によって、表示装置１００は、画像を表示領域１０２に表示する。また、駆動ＩＣ１２６は、駆動電極に入力する信号を生成し、検出電極の電圧に基づいてタッチされた位置を検出する。

【0028】

図２は、表示装置１００に含まれる画素回路及び周辺回路の概略を示す模式図である。表示装置１００は、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。

【0029】

画素アレイ部４には画素に対応して有機発光ダイオード６及び画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は、点灯ＴＦＴ（thin film transistor）１０、駆動ＴＦＴ１２、及びキャパシタ１４などを含む。

【0030】

一方、駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動し、有機発光ダイオード６の発光を制御する。

【0031】

走査線駆動回路２０は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。

【0032】

映像線駆動回路２２は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は書き込まれた電圧に応じた電流を有機発光ダイオード６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素の有機発光ダイオード６が発光する。

【0033】

駆動電源回路２４は画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介して有機発光ダイオード６に電流を供給する。

【0034】

ここで、有機発光ダイオード６の下部電極は駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各有機発光ダイオード６の上部電極４１６（図４参照）は、全画素の有機発光ダイオード６に共通の電極で構成される。下部電極４１０（図４参照）を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極４１６は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極４１０を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極４１６は陽極（アノード）となって高電位が入力される。

【0035】

表示装置１００は、表示装置１００が複数配置された大板３００が切断された個片である。具体的には、図３に示すように、表示装置１００は、切り離される前の状態では、１枚の大板３００に複数配置されている。表示装置１００は、後述するように、大板３００の状態で表示領域１０２に回路が形成された後、切断されることにより形成される。従って、第１周辺領域１０４の外縁の一部は、大板３００の切断面となる。

【0036】

続いて、表示装置１００の断面について説明する。図４は、図１のIV-IV断面を示す図である。図５は、図１のV-V断面を示す図である。図６は、図１のVI-VI断面を示す図である。図７は、図１のVII-VII断面を示す図である。図８（ａ）は、図１の８００部を拡大した図である。また、図８（ｂ）は、図１及び図８（ａ）のVIII-VIII断面を示す図である。なお、図１は、複数の電極１１４と接続する配線１１６を記載しているが、図８（ａ）は、第１電極層５０２と第２電極層４２２を記載している点で異なる。また、図８（ｂ）は、封止平坦化膜４２８より下側の層を省略した図である。

【0037】

図４乃至図８（ｂ）に示すように、表示装置１００は、基板４０２と、回路層４０４と、サードメタル４０６と、第１平坦化膜４０８と、第２平坦化膜６０２と、樹脂部１１２と、下部電極４１０と、リブ４１２と、ＥＬ層４１４と、上部電極４１６と、封止膜４１８と、第１電極層５０２と、センサ間絶縁層４２０と、第２電極層４２２と、オーバーコート４２４と、を含んで構成される。なお、図４乃至図７では、図９に示すスペーサ９１０等の記載は省略している。

【0038】

基板４０２は、例えば、ガラスやポリイミド等の可撓性がある材料で形成される。可撓性のある材料が用いられることにより、表示装置１００を湾曲することが出来る。

【0039】

回路層４０４は、基板４０２の上層に、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、半導体層、パッシベーション層４０５等を含んで構成される。ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層によって、トランジスタが構成される。トランジスタは、例えば、画素に形成されたＥＬ層４１４に流す電流を制御する。

【0040】

サードメタル４０６は、回路層４０４に含まれるパッシベーション層４０５の上に配置される。具体的には、サードメタル４０６は、表示領域１０２において、パッシベーション層４０５の上に配置される。また、サードメタル４０６は、第１周辺領域１０４のパッシベーション層４０５が設けられていない領域において、ソース電極及び第２平坦化膜６０２の上に配置される。第１周辺領域１０４に配置されたサードメタル４０６は、端子部１２２で露出する。

【0041】

第１平坦化膜４０８は、表示領域１０２及び第１周辺領域１０４に配置される。具体的には、第１平坦化膜４０８は、表示領域１０２において、それぞれ回路層４０４及びサードメタル４０６の上に配置される。表示領域１０２に配置された第１平坦化膜４０８は、下部電極４１０と回路層４０４に含まれる電極とのショートを防止するとともに、回路層４０４に配置された配線やトランジスタによる段差を平坦化する。

【0042】

第１周辺領域１０４において、第１平坦化膜４０８は、第１周辺領域１０４の中で２か所に分離して配置される。具体的には、図４乃至図６に示すように、第１平坦化膜４０８は、第１周辺領域１０４において、断面視で２か所に離間して凸状に形成される。第１周辺領域１０４に配置された２か所の第１平坦化膜４０８のうち内側の第１平坦化膜４０８は、封止平坦化膜４２８を堰き止めるインナーダム１０８として形成される。外側の第１平坦化膜４０８は、アウターダム１１０の一部として形成される。第１周辺領域１０４に形成された２か所の第１平坦化膜４０８は、いずれも平面視で表示領域１０２を囲うように形成される。なお、インナーダム１０８及びアウターダム１１０は、２０μｍ乃至５０μｍの高さで形成されることが望ましい。また、インナーダム１０８の外縁と、アウターダム１１０の内縁との距離は、１５０μｍ以下となることが望ましい。

【0043】

第２平坦化膜６０２は、第１周辺領域１０４に配置される。具体的には、図６に示すように、第２平坦化膜６０２は、第１周辺領域１０４のパッシベーション層４０５及び基板４０２の上に配置される。第２平坦化膜６０２は、下層の段差を平坦化することにより、上側に配置されるサードメタル４０６の断線を防止する。

【0044】

樹脂部１１２は、インナーダム１０８とアウターダム１１０の間に、インナーダム１０８及びアウターダム１１０より高く形成される。具体的には、樹脂部１１２は、図４乃至図６に示すように、インナーダム１０８とアウターダム１１０の間に、表示領域１０２を囲うように配置される。樹脂部１１２は、インナーダム１０８及びアウターダム１１０より高く形成される。樹脂部１１２のインナーダム１０８側の外縁はインナーダム１０８の上に位置し、樹脂部１１２のアウターダム１１０側の外縁はアウターダム１１０の上に位置する。なお、樹脂部１１２の外縁は、表示装置１００の外縁よりも内側であれば、アウターダム１１０の外側に位置してもよい。

【0045】

また、樹脂部１１２は、引き回し配線と平面視で重なる領域に凹部７０２を有する。具体的には、図７に示すように、樹脂部１１２は、引き回し配線と同じ数の凹部７０２を有する。また、図４に示す引き回し配線と重ならない領域における樹脂部１１２は、図５に示す引き回し配線と重なる領域における樹脂部１１２よりも高く形成される。凹部７０２の上には引き回し配線が配置される。なお、図７は、Ｙ方向に沿う辺の断面を示す図であるが、凹部７０２は、樹脂部１１２のＸ方向に沿う辺にも設けられる。

【0046】

下部電極４１０は、第１平坦化膜４０８の上に配置される。具体的には、下部電極４１０は、表示領域１０２において、第１平坦化膜４０８に形成されたコンタクトホールを介して、回路層４０４に形成されたトランジスタのソース又はドレイン電極と電気的に接続されるように形成される。

【0047】

リブ４１２は、第１平坦化膜４０８の上に配置される。具体的には、表示領域１０２において、リブ４１２は、ＥＬ層４１４が発光する領域を囲うように形成される。また、図６に示すように、第１周辺領域１０４に配置されたリブ４１２は、アウターダム１１０の一部として形成される。

【0048】

ＥＬ層４１４は、下部電極４１０の上に形成される。具体的には、ＥＬ層４１４は、表示領域１０２において、下部電極４１０及びリブ４１２の端部の上に形成される。また、ＥＬ層４１４は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、及び、電子注入層が積層されることによって形成される。発光層は、例えば、下部電極４１０から注入されたホールと、上部電極４１６から注入された電子とが再結合することにより発光する。ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び、電子注入層については従来技術と同様である為説明を省略する。なお、本実施形態では、発光層は、赤色、緑色、及び、青色の光を発光する材料を用いて形成される。

【0049】

上部電極４１６は、ＥＬ層４１４の上に形成され、下部電極４１０との間に電流を流すことでＥＬ層４１４に含まれる発光層を発光させる。上部電極４１６は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の金属を含んで構成される透明導電膜やＡｇＭｇから成る光透過性を有する金属薄膜で形成される。

【0050】

封止膜４１８は、平面視で表示領域１０２と重ねて配置される。具体的には、封止膜４１８は、表示領域１０２の全ての領域と、第１周辺領域１０４の一部を覆うように配置される。封止膜４１８の第２周辺領域１０６側の外縁は、樹脂部１１２またはアウターダム１１０の上に位置する。

【0051】

封止膜４１８は、下層バリア膜４２６と、封止平坦化膜４２８と、上層バリア膜４３０と、を含んで構成される。具体的には、下層バリア膜４２６は、表示領域１０２において上部電極４１６を覆うように形成される。封止平坦化膜４２８は、インナーダム１０８の内側に下層バリア膜４２６を覆うように配置される。封止平坦化膜４２８は、下層バリア膜４２６の凹凸を平坦化する。上層バリア膜４３０は、下層バリア膜４２６と封止平坦化膜４２８を覆うように形成される。下層バリア膜４２６及び上層バリア膜４３０は、例えばＳｉＮ等の、水分を透過しない無機材料で形成される。封止平坦化膜４２８は、例えばアクリルやエポキシで形成される。封止膜４１８により、ＥＬ層４１４に水分が侵入することによって、ＥＬ層４１４が劣化することを防止できる。なお、封止膜４１８は、上記構成に限られず、１層または２層であってもよいし、４層以上の層によって構成されてもよい。

【0052】

なお、下層バリア膜４２６及び上層バリア膜４３０の第２周辺領域１０６側の外縁は、樹脂部１１２またはアウターダム１１０の上に位置する。図４では、下層バリア膜４２６及び上層バリア膜４３０の第２周辺領域１０６側の外縁は、樹脂部１１２の上に位置する。

【0053】

第１電極層５０２は、封止膜４１８の上に配置される。具体的には、第１電極層５０２は、Ｙ方向に並べて配置された複数の電極１１４を電気的に接続する配線１１６である。また、図８（ｂ）に示すように、第１電極層５０２は、センサ間絶縁層４２０に設けられたコンタクトホール８０２を介して第２電極層４２２と電気的に接続される。第１電極層５０２は、第２電極層４２２を介して、駆動信号の入力または検出信号の出力がなされる。図８（ｂ）に示すように、接続する配線１１６が平面視で重複する領域に設けられた第１電極層５０２は、Ｙ方向に並べて配置された電極１１４を電気的に接続する。なお、第１電極層５０２と接続される第２電極層４２２は、引き回し配線の一部である。また、図４は、第１電極層５０２が配置されない領域の断面図である。

【0054】

センサ間絶縁層４２０は、第１電極層５０２の上に配置される。具体的には、図４乃至図６に示すように、第１電極層５０２が配置されない領域では、センサ間絶縁層４２０は、封止膜４１８を覆うように配置される。また、センサ間絶縁層４２０は、コンタクトホール８０２が設けられる領域（図５、図６、図８（ｂ）参照）を除いて、第１電極層５０２を覆うように配置される。また、図８（ｂ）に示すように、接続する配線１１６が平面視で重複する領域では、センサ間絶縁層４２０により、駆動電極と検出電極（第１電極層５０２と第２電極層４２２）は、電気的に接続しないように形成される。

【0055】

第２電極層４２２は、センサ間絶縁層４２０の上に配置される。具体的には、図４に示すように、第２電極層４２２は、一定間隔でセンサ間絶縁層４２０の上に配置される。第２電極層４２２が配置されない隙間は、メッシュの孔部に相当する。また、図５及び図６に示すように、Ｘ方向に延伸して形成された領域における断面図において、第２電極層４２２は切れ目なく形成される。また、図８（ｂ）に示すように、接続する配線１１６が平面視で重複する領域に設けられた第２電極層４２２は、Ｘ方向に並べて配置された電極１１４を電気的に接続する。

【0056】

図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、接続する配線１１６が平面視で重複する領域では、接続する配線１１６は異なる層に配置される。接続する配線１１６は、第１電極層５０２と、第２電極層４２２とによって構成される。

【0057】

オーバーコート４２４は、封止膜４１８の上に形成される。オーバーコート４２４は、下側に配置された各層を保護する。

【0058】

続いて、湾曲された状態の表示装置１００について説明する。図９は、第２周辺領域１０６の近傍における表示装置１００の模式的な断面を示す図である。図９に示すように、表示装置１００は、基板４０２と、保護フィルム９０２と、偏光板９０４と、補強フィルム９０６と、熱拡散シート９０８と、スペーサ９１０と、ＦＰＣ１２４と、補強樹脂９１２と、を含む。

【0059】

基板４０２は、第２周辺領域１０６において湾曲される。なお、基板４０２の上には、回路層４０４や封止膜４１８等の各層が配置されるが、図９では記載を省略している。

【0060】

保護フィルム９０２は、基板４０２の上に配置される。保護フィルム９０２は、基板４０２上に配置された各層を保護するフィルムである。

【0061】

偏光板９０４は、表示装置１００に入射した外光の反射を低減する。これにより、表示装置１００の視認性が向上する。

【0062】

補強フィルム９０６は、表示装置１００を補強するフィルムである。補強フィルム９０６は、湾曲された状態の表示装置１００の表面及び裏面の平坦な領域に配置される。

【0063】

熱拡散シート９０８は、表示装置１００の熱を拡散するシートである。具体的には、熱拡散シート９０８は、表示装置１００の周囲に配置された駆動回路で生じた熱を、表示装置１００全体に拡散する。これにより、表示装置１００の一部だけ高温になる状態を防止する。

【0064】

スペーサ９１０は、折り曲げられた表示装置１００の表面側の部分と裏面側の部分との間に配置される。スペーサ９１０は、表面側の部分と裏面側の部分との間隔を一定以上に保つ。これにより、表示装置１００に厚み方向の圧力が加わっても第２周辺領域１０６の曲率が許容範囲に保たれる。

【0065】

また、スペーサ９１０の端部は、第２周辺領域１０６の背面に応じた曲率の曲面となるように形成される。スペーサ９１０の端部を第２周辺領域１０６の背面に当接させることで、第２周辺領域１０６の表面に圧力が加わっても第２周辺領域１０６の形状を一定に保つことができる。スペーサ９１０によって、第２周辺領域１０６に配置された配線にかかる応力を小さくし、配線の断線を起こりにくくすることができる。

【0066】

ＦＰＣ１２４は、基板４０２の端子部１２２と接続される。ＦＰＣ１２４は、画素の点灯を制御する駆動ＩＣ１２６が配置される。

【0067】

補強樹脂９１２は、表示装置１００を補強する樹脂である。補強樹脂９１２は、湾曲された状態の表示装置１００の第２周辺領域１０６に配置される。補強樹脂９１２は、表示装置１００の折り曲げられた領域に塗布される。

【0068】

なお、第２周辺領域１０６には補強樹脂９１２を貼り付けない構成としてもよい。当該構成によれば、第２周辺領域１０６の柔軟性を増し、より小さい曲率半径で表示装置１００を湾曲させることができる。第２周辺領域１０６の曲率半径が小さくなるほど、折り曲げられた表示装置１００の平面視でのサイズも小さくなり、また折り曲げられた表示装置１００の厚さも小さくなる。

【0069】

以上のように、本発明によれば、封止膜４１８の第２周辺領域１０６側の外縁は、樹脂部１１２またはアウターダム１１０の上に位置する。すなわち、第２周辺領域１０６及び大板３００の切断面には、封止膜４１８が配置されない。これにより、表示装置１００の湾曲や大板３００の切断により、封止膜４１８にクラックが生じることを防止できる。従って、封止膜４１８のクラックを侵入経路として水分が侵入し、表示素子が劣化することを防止できる。

【0070】

上記実施形態の変形例として、樹脂部１１２の上に、カバー樹脂１００２を設けてもよい。図１０（ａ）は、変形例に係る表示装置１００の左側端部を拡大した平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＸ-Ｘ断面を示す図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）のＸ’-Ｘ’断面を示す図である。図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すように、樹脂部１１２の上面にマスク１３０２（図１３参照）が配置された場合、樹脂部１１２の上面に傷が生じる場合がある。本変形例では、当該傷による凹凸を滑らかにするため、樹脂部１１２の上にカバー樹脂１００２が設けられる。

【0071】

具体的には、図１０（ａ）乃至図１０（ｃ）に示すように、カバー樹脂１００２は、樹脂部１１２の全体を覆うように、インナーダム１０８とアウターダム１１０の間に配置される。凹部７０２は、１個の第１引き回し配線１１８毎に、１個設けられる。カバー樹脂１００２により、第１引き回し配線１１８の下層が平坦になるため、傷の凹凸による第１引き回し配線１１８の断線を防止できる。

【0072】

また、図１１（ａ）は、他の変形例に係る表示装置１００の左側端部を拡大した平面図である。及び図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＸI-ＸI断面を示す図である。図１１（ｃ）は、図１１（ａ）のＸI’-ＸI’断面を示す図である。本変形例では、カバー樹脂１００２は、凹部が設けられる領域を除いて、樹脂部１１２の全体を覆うようにインナーダム１０８とアウターダム１１０の間に配置される。

【0073】

凹部７０２は、複数の第１引き回し配線１１８ごとに、１個設けられる。図１１（ａ）に示す例では、凹部７０２は、２個設けられる。第１引き回し配線１１８は、凹部７０２が設けられた領域を経由するように配置される。図１１（ａ）に示す例では、上側の凹部７０２には、２本の第１引き回し配線１１８が配置され、下側の凹部７０２には３本の第１引き回し配線１１８が配置される。

【0074】

本変形例では、マスク１３０２は、カバー樹脂１００２の上面に配置される。カバー樹脂１００２により、凹部７０２の深さを大きくすることができる。そのため、マスク１３０２がカバー樹脂１００２の上面に配置された際に、マスク１３０２が樹脂部１１２の表面に接触し、樹脂部１１２の表面に凹凸が生じることを防止できる。従って、第１引き回し配線１１８の下層が平坦になるため、傷の凹凸による第１引き回し配線１１８の断線を防止できる。

【0075】

なお、第１引き回し配線１１８及び凹部７０２の配置レイアウトは、変形例に限らず、上記実施形態において適用されてもよい。また、凹部７０２の個数及び１個の凹部７０２に配置される第１引き回し配線１１８の本数は上記に限られない。

【0076】

続いて、上記表示装置１００の製造方法について説明する。図１２は、表示装置１００の製造方法を示すフローチャートである。まず、回路層４０４から下部電極４１０までの各層が形成される（Ｓ１２０２）。当該工程は、従来技術と同様である為、詳細な説明は省略する。

【0077】

次に、ダム剤をパターニングする（Ｓ１２０４）。具体的には、ダム剤が表示領域１０２及び湾曲領域１０６の全域に配置された後、第１平坦化膜４０８、インナーダム１０８、及び、アウターダム１１０の一部が形成される領域以外の領域に配置されたダム剤が除去される。これにより、第１平坦化膜４０８、インナーダム１０８、及び、アウターダム１１０の一部、が形成される。なお、ダム剤を塗布する等の方法により、ダム剤を初めから上記と同じ形状に形成してもよい。

【0078】

次に、サードメタル４０６乃至上部電極４１６までの層が形成される（Ｓ１２０６）。ここで、リブ４１２の一部は、アウターダム１１０の他の一部として形成される。

【0079】

次に、樹脂部１１２が形成される（Ｓ１２０８）。具体的には、樹脂部１１２は、樹脂材料を塗布した後、紫外線を照射することにより硬化することで形成される。樹脂部１１２は、インナーダム１０８とアウターダム１１０の間を充填し、かつ、インナーダム１０８及びアウターダム１１０より高く形成されれば、他の方法で形成されてもよい。

【0080】

次に、樹脂部１１２にマスク１３０２が配置され、封止膜４１８が形成される（Ｓ１２１０）。具体的には、図１３に示すように、樹脂部１１２と接触してマスク１３０２が配置される。マスク１３０２は、封止膜４１８が形成される領域に開口を有する。そして、ＣＶＤ法により、下層バリア膜４２６が、マスク１３０２の開口と対応する位置に形成される。封止平坦化膜４２８は、液体状の樹脂材料が表示領域１０２に配置された後、紫外線が照射されることで硬化される。ここで、液体状の樹脂材料は、インナーダム１０８により堰き止められるため、封止平坦化膜４２８は、インナーダム１０８より内側に形成される。上層バリア膜４３０は、下層バリア膜４２６と同様に、ＣＶＤ法により、マスク１３０２の開口と対応する位置に形成される。

【0081】

次に、マスク１３０２が取り除かれた後、カバー樹脂１００２が形成される（Ｓ１２１２）。Ｓ１２１０においてマスク１３０２が樹脂部１１２に接触することにより、樹脂部１１２の上面に傷が生じる場合がある。カバー樹脂１００２は、マスク１３０２が接触した領域に配置される。

【0082】

次に、表示装置１００の個片は、大板３００から切り出される（Ｓ１２１４）。１枚の大板３００から、複数の表示装置１００の個片が切り出される。ここで、Ｓ１２０８においてマスク１３０２を用いて封止膜４１８が形成されていることから、切断面には、封止膜４１８は、存在しない。

【0083】

次に、切り出された表示装置１００は、湾曲される（Ｓ１２１６）。具体的には、表示装置１００は、偏光板９０４、保護フィルム９０２や補強フィルム９０６が貼り付けられた後、スペーサ９１０が押し当てられながら湾曲される。これにより、表示装置１００は、図９に示す状態となる。ここで、Ｓ１２０８においてマスク１３０２を用いて封止膜４１８が形成されていることから、湾曲された領域（第２周辺領域１０６）には、封止膜４１８は、存在しない。

【0084】

本発明によれば、マスク１３０２を用いたＣＶＤ法により、封止膜４１８が形成される。封止膜４１８の外縁を精度よく制御することができるため、第２周辺領域１０６及び大板３００の切断面には、封止膜４１８が配置されないようにすることができる。従って、封止膜４１８のクラックを侵入経路として水分が侵入し、表示素子が劣化することを防止できる。

【0085】

なお、上記製造方法の変形例として、Ｓ１２１０において、封止膜４１８は、マスク１３０２が樹脂部１１２に接触しない状態で形成されてもよい。具体的には、図１４に示すように、封止膜４１８は、樹脂部１１２の上面とマスク１３０２の間に隙間を設けた状態で、形成されてもよい。この場合、封止膜４１８は、マスク１３０２端部の下側にも形成されるが、マスク１３０２を用いることで、従来技術よりも封止膜４１８の外縁を精度よく制御することができる。また、マスク１３０２と樹脂部１１２の間に隙間を設けることで、カバー樹脂１００２を設ける工程（Ｓ１２１２）を省略することができる。

【0086】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0087】

１００ 表示装置、１０２ 表示領域、１０４ 第１周辺領域、１０６ 第２周辺領域、１０８ インナーダム、１１０ アウターダム、１１２ 樹脂部、１１４ 電極、１１６ 接続する配線、１１８ 第１引き回し配線、１２０ 第２引き回し配線、１２２ 端子部、１２４ ＦＰＣ、１２６ 駆動ＩＣ、４ 画素アレイ部、６ 有機発光ダイオード、８ 画素回路、１０ 点灯ＴＦＴ、１２ 駆動ＴＦＴ、１４ キャパシタ、２０ 走査線駆動回路、２２ 映像線駆動回路、２４ 駆動電源回路、２６ 制御装置、２８ 走査信号線、３０ 映像信号線、３００ 大板、４０２ 基板、４０４ 回路層、４０５ パッシベーション層、４０６ サードメタル、４０８ 第１平坦化膜、４１０ 下部電極、４１２ リブ、４１４ ＥＬ層、４１６ 上部電極、４１８ 封止膜、４２０ センサ間絶縁層、４２２ 第２電極層、４２４ オーバーコート、４２６ 下層バリア膜、４２８ 封止平坦化膜、４３０ 上層バリア膜、５０２ 第１電極層、６０２ 第２平坦化膜、７０２ 凹部、８０２ コンタクトホール、９０２ 保護フィルム、９０４ 偏光板、９０６ 補強フィルム、９０８ 熱拡散シート、９１０ スペーサ、９１２ 補強樹脂、１００２ カバー樹脂、１３０２ マスク。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】