(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-10-03
(45)【発行日】2022-10-12
(54)【発明の名称】磁気共鳴イメージング装置
(51)【国際特許分類】
A61B 5/055 20060101AFI20221004BHJP
G01N 24/00 20060101ALI20221004BHJP
【FI】
A61B5/055 342
G01N24/00 610Y
(21)【出願番号】P 2017230219
(22)【出願日】2017-11-30
【審査請求日】2020-09-29
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】594164542
【氏名又は名称】キヤノンメディカルシステムズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001771
【氏名又は名称】弁理士法人虎ノ門知的財産事務所
(72)【発明者】
【氏名】金澤 仁
【審査官】蔵田 真彦
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第2012/173094(WO,A1)
【文献】特開2012-183233(JP,A)
【文献】特開2004-236848(JP,A)
【文献】特開2002-159464(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
A61B 5/055
G01N 24/00 - 24/14
G01R 33/38 - 33/389
JSTPlus/JMEDPlus/JST7580(JDreamIII)
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
撮像条件に基づいて傾斜磁場波形を算出するシーケンス制御部と、
前記シーケンス制御部から出力された傾斜磁場波形に対して渦磁場の補正処理を行い、補正後の傾斜磁場波形を傾斜磁場電源に出力する渦補正部と
を備え、
前記シーケンス制御部は、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形から渦磁場の補正後の傾斜磁場波形を算出し、当該補正後の傾斜磁場波形において、
波形の立ち上がり直後から立ち下がり直前までの期間ごとに、当該期間で振幅の大きさが前記傾斜磁場電源で許容される振幅の最大値を超えない範囲内で当該最大値に近い大きさに継続して維持されるように、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更し、変更後の傾斜磁場波形を前記渦補正部に出力する、
磁気共鳴イメージング装置。
【請求項2】
撮像条件に基づいて傾斜磁場波形を算出するシーケンス制御部と、
前記シーケンス制御部から出力された傾斜磁場波形に対して渦磁場の補正処理を行い、補正後の傾斜磁場波形を傾斜磁場電源に出力する渦補正部と
を備え、
前記シーケンス制御部は、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形の期間を一定の時間間隔で分けた時刻毎に、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形から渦磁場の補正後の傾斜磁場波形を算出し、当該補正後の傾斜磁場波形の振幅が前記傾斜磁場電源で許容される振幅の最大値を超えているか否かを判定して当該振幅の大きさを変更することで、当該補正後の傾斜磁場波形において、少なくとも一部の期間で振幅の大きさが前記最大値を超えない範囲内で当該最大値に近い大きさに継続して維持されるように、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更し、変更後の傾斜磁場波形を前記渦補正部に出力する、
磁気共鳴イメージング装置。
【請求項3】
前記シーケンス制御部は、前記補正後の傾斜磁場波形において、前記波形の立ち上がり直後から立ち下がり直前までの期間ごとに、当該期間で振幅の大きさが前記最大値と一致する大きさに継続して維持されるように、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更する、
請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項4】
前記シーケンス制御部は、前記補正後の傾斜磁場波形において、前記少なくとも一部の期間で振幅の大きさが前記最大値と一致する大きさに継続して維持されるように、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更する、
請求項
2に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項5】
前記シーケンス制御部は、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形の期間を一定の時間間隔で分けた時刻毎に、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形から渦磁場の補正後の傾斜磁場波形を算出し、当該補正後の傾斜磁場波形の振幅が前記最大値を超えているか否かを判定して当該振幅の大きさを変更することで、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更する、
請求項1
~4のいずれか一つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項6】
前記シーケンス制御部は、前記
撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形の期間を一定の時間間隔で分けた時刻毎に、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形から渦磁場の補正後の傾斜磁場波形を算出し、当該補正後の傾斜磁場波形の振幅が前記最大値を超えているか否かを判定した結果、前記最大値を超えていた場合には、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形の振幅の大きさを前記補正後の傾斜磁場波形の振幅と前記最大値との差分だけ減らして、再度、渦磁場の補正後の傾斜磁場波形を算出し、当該補正後の傾斜磁場波形の振幅が前記最大値を超えているか否かを判定することで、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更する、
請求項
2~
5のいずれか一つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項7】
撮像条件に基づいて傾斜磁場波形を算出するシーケンス制御部と、
前記シーケンス制御部から出力された傾斜磁場波形に対して渦磁場の補正処理を行い、補正後の傾斜磁場波形を傾斜磁場電源に出力する渦補正部と
を備え、
前記シーケンス制御部は、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形の期間を一定の時間間隔で分けた時刻毎に、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形から渦磁場の補正後の傾斜磁場波形を算出し、当該補正後の傾斜磁場波形の振幅が前記傾斜磁場電源で許容される振幅の最大値を超えているか否かを判定した結果、前記最大値を超えていた場合には、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形の振幅の大きさを前記補正後の傾斜磁場波形の振幅と前記最大値との差分だけ減らして、再度、渦磁場の補正後の傾斜磁場波形を算出し、当該補正後の傾斜磁場波形の振幅が前記最大値を超えているか否かを判定することで、当該補正後の傾斜磁場波形において、少なくとも一部の期間で振幅の大きさが前記最大値を超えない範囲内で当該最大値に近い大きさに継続して維持されるように、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更し、変更後の傾斜磁場波形を前記渦補正部に出力する、
磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、磁気共鳴イメージング装置において、傾斜磁場コイルに発生する渦電流による画質劣化を抑制するための技術として、渦電流によって発生する渦磁場を打ち消すように、傾斜磁場電源に入力される傾斜磁場波形を事前に補正する方法が知られている。この方法では、例えば、傾斜磁場電源に入力される傾斜磁場波形について、波形の立ち上がり部分における振幅を強調する補正(以下、渦補正)が行われる。
【0003】
このような渦補正が行われる場合には、通常、補正後の傾斜磁場波形の振幅が傾斜磁場電源で許容される振幅の最大値を超えないように、補正前の傾斜磁場波形が設定される際に振幅の制限が行われる。この結果、傾斜磁場電源が補正後の傾斜磁場波形に従って傾斜磁場コイルに電流を出力する際には、波形の立ち上がり部分以外の期間では制限された振幅の大きさで電流を出力することになり、傾斜磁場電源の能力が最大限に活用されないことになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】米国特許出願公開第2015/0035531号明細書
【文献】米国特許第9,157,973号明細書
【文献】米国特許第8,890,530号明細書
【非特許文献】
【0005】
【文献】「Pre-emphasis Questions and Answers in MRI」、[平成29年11月16日検索]、インターネット<URL:http://mriquestions.com/what-is-pre-emphasis.html>
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとする課題は、傾斜磁場電源の能力をより有効に活用することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、シーケンス制御部と、渦補正部とを備える。シーケンス制御部は、撮像条件に基づいて傾斜磁場波形を算出する。渦補正部は、前記シーケンス制御部から出力された傾斜磁場波形に対して渦磁場の補正処理を行い、補正後の傾斜磁場波形を傾斜磁場電源に出力する。前記シーケンス制御部は、前記補正後の傾斜磁場波形において、少なくとも一部の期間で振幅の大きさが前記傾斜磁場電源で許容される振幅の最大値を超えない範囲内で当該最大値に近い大きさに継続して維持されるように、前記撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更して前記渦補正部に出力する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【
図1】
図1は、本実施形態に係る磁気共鳴イメージング(Magnetic Resonance Imaging:MRI)装置の構成を示すブロック図である。
【
図2】
図2は、本実施形態の比較例に係る渦補正の例を示す図である。
【
図3】
図3は、本実施形態の比較例に係る渦補正の例を示す図である。
【
図4】
図4は、本実施形態に係るMRI装置によって行われる処理の処理手順を示すフローチャートである。
【
図5】
図5は、本実施形態に係る渦補正の例を示す図である。
【
図6】
図6は、本実施形態に係る渦補正の例を示す図である。
【
図7】
図7は、本実施形態に係る渦補正の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照しながら、本実施形態に係るMRI装置について詳細に説明する。
【0010】
図1は、本実施形態に係るMRI装置の構成を示すブロック図である。
【0011】
図1に示すように、本実施形態に係るMRI装置100は、静磁場磁石1、静磁場電源2、傾斜磁場コイル3、処理回路4、処理回路5、処理回路6、処理回路10、RF(Radio Frequency)コイル7、送信器8T、受信器8R、記憶回路11、ディスプレイ12、インタフェース13、シムコイル14、シムコイル電源15、音声発生器16、ECG(Electrocardiogram)ユニット18、傾斜磁場電源19等を備える。
【0012】
静磁場磁石1は、例えば超伝導磁石等であり、静磁場電源2から電流の供給を受けて、被検体が配置される撮像空間に静磁場B0を発生させる。傾斜磁場コイル3は、傾斜磁場電源19から電流の供給を受けて、撮像空間に傾斜磁場を印加する。RFコイル7は、撮像空間にRFパルスを印加し、当該RFパルスの影響によって被検体から発生するMR信号(エコー信号)を受信する。送信器8Tは、ラーモア周波数に対応するRFパルスをRFコイル7に供給する。受信器8Rは、RFコイル7によって受信されたMR信号を処理回路10へ送る。シムコイル14は、シムコイル電源15から電流の供給を受けて、静磁場B0を均一化する。
【0013】
処理回路4は、渦補正機能4aを有する。また、処理回路5は、シーケンス制御機能5aを有する。また、処理回路6は、主制御機能6aを有する。また、処理回路10は、演算機能10aを有する。なお、渦補正機能4aは、渦補正部の実現手段の一例であり、シーケンス制御機能5aは、シーケンス制御部の実現手段の一例である。
【0014】
例えば、処理回路4、処理回路5、処理回路6、処理回路10は、それぞれプロセッサによって実現される。この場合に、各処理回路が有する処理機能は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶回路11に記憶されている。そして、各処理回路は、記憶回路11から各プログラムを読み出して実行することで、各プログラムに対応する機能を実現する。換言すると、各プログラムを読み出した状態の各処理回路は、
図1の各処理回路内に示された各機能を有することとなる。なお、
図1に示す例では、複数のプロセッサによって各処理機能が実現されるものとして説明したが、単一のプロセッサで処理回路を構成し、当該プロセッサがプログラムを実行することにより機能を実現するものとしても構わない。また、各処理回路が有する処理機能は、単一又は複数の処理回路に適宜に分散又は統合されて実現されてもよい。また、
図1に示す例では、単一の記憶回路11が各処理機能に対応するプログラムを記憶するものとして説明したが、複数の記憶回路を分散して配置して、処理回路が個別の記憶回路から対応するプログラムを読み出す構成としても構わない。
【0015】
このような構成のもと、本実施形態に係るMRI装置100では、処理回路6、処理回路10、記憶回路11、ディスプレイ12、及びインタフェース13が、撮像するパルスシーケンスの種類や撮像領域のサイズ、スライスの厚さ、空間分解能、繰り返し時間(Repetition Time:TR)、エコー時間(Echo Time:TE)等の撮像条件を設定する。また、処理回路6の主制御機能6aが、撮像条件に合致した各ユニットへの制御信号のタイミングチャート(パルスシーケンス)を作成する。
【0016】
ここで、処理回路5には、傾斜磁場系、シムコイル系、送受信系の3種類の主要な系統のユニット、及び、ECGユニット18や音声発生器16等のその他のユニットが接続されている。ECGユニット18は、被検体に装着されたECGセンサ17から心電信号を受信して所定の心電波形を検出する。傾斜磁場系は、傾斜磁場コイル3(x、y、zの3つのチャンネルあり、それぞれXチャンネルコイル3x、Yチャンネルコイル3y、Zチャンネルコイル3z)と、傾斜磁場コイル3に加える電流を制御及び供給する処理回路4及び傾斜磁場電源19からなる。シムコイル系は、シムコイル14と、それに電流を供給するシムコイル電源15とからなる。送受信系は、被検体である撮像対象200へ高周波を照射し、それによって発生する磁気共鳴信号を受信するRFコイル7と、送信器8Tと、受信器8Rとからなる。
【0017】
そして、撮像が開始されると、処理回路5のシーケンス制御機能5aが、処理回路6の主制御機能6aから送られたパルスシーケンスに基づいて、接続されている各ユニットに対して必要なタイミングで指示を出す。具体的には、シーケンス制御機能5aは、傾斜磁場系には、傾斜磁場電源19の制御信号21の他に、傾斜磁場コイル3に流す電流の強弱を示す傾斜磁場波形20を送る。また、シーケンス制御機能5aは、送受信系には、送信するRFパルスの波形、受信の開始タイミングやサンプリングのピッチ等の情報を送る。これらの信号に基づいて、処理回路5に接続された各系統のユニットが動作することによって、撮像対象の空間23でエコー信号が発生する。このエコー信号は、RFコイル7によって受信されて、受信器8R及びシーケンサを介して処理回路10に送られ、処理回路10の演算機能10aによって画像に再構成される。そして、再構成された画像は記憶回路11に保存され、必要に応じて、ディスプレイ12に表示される。
【0018】
次に、本実施形態に係る傾斜磁場系について、より詳細に説明する。
【0019】
傾斜磁場コイル3に流す電流が急激に変化すると、磁束の変化によって周囲の導体に渦電流が発生し、これにより傾斜磁場を打ち消そうとする渦磁場が発生する。この渦磁場は、所望の傾斜磁場を乱すためMRI画像の画質劣化の一因になり得る。
【0020】
そこで、本実施形態に係るMRI装置100では、この渦磁場を補正するために、シーケンス制御機能5aが発生する傾斜磁場波形20をそのまま傾斜磁場コイル3に流すのではなく、処理回路4が有する渦補正機能4aにより、渦電流によって発生する渦磁場を打ち消すように傾斜磁場電源19の入力の補正(渦補正)を行う。一般的に、この補正は、傾斜磁場電源19の入力波形を渦磁場の分だけ事前に強調しておくことからpre-emphasisとも呼ばれている(例えば、http://mriquestions.com/what-is-pre-emphasis.htmlを参照)。
【0021】
ここで、渦磁場が単純な1成分のみのモデルで表されると仮定した場合における、渦磁場の時定数及び強度と補正処理の内容について説明する。なお、以下では、傾斜磁場波形の振幅の大きさを傾斜磁場強度で表すこととし、傾斜磁場電源19に含まれる傾斜磁場アンプが出力可能な傾斜磁場強度の最大値を、傾斜磁場電源19で許容される振幅の最大値とした場合の例を説明する。
【0022】
例えば、シーケンス制御機能5aが出力する傾斜磁場波形をGseq(t)、渦磁場の強度をAeddy、時定数をTceddyとすると、渦補正機能4aを用いた渦補正を行わずに、シーケンス制御機能5aが発生するGseq(t)をそのまま傾斜磁場コイル3に流した場合に傾斜磁場コイル3内で発生する磁場波形Ggcoil(t)は、以下の(1)式で表すことができる。
【0023】
【数1】
このように、本来は、シーケンス制御機能5aの出力波形を忠実に傾斜磁場コイル3内で磁場波形として発生させたいが、その場合には、(1)式の第2項に示すような渦磁場による誤差が入ってしまう。
【0024】
そこで、本実施形態では、渦補正機能4aが、補正後の渦磁場の強度をAecc、時定数をTceccとした場合に、入力であるGseq(t)に対して以下の(2)式で示される補正を行うことで、補正後の傾斜磁場波形Gecc(t)を算出する。
【0025】
【0026】
このとき、渦補正機能4aは、観測される渦磁場の強度Aeddy及び時定数Tceddyに対して以下の(3)式及び(4)式に示す関係で補正を行うことで、補正後の渦磁場の強度Aecc及び時定数Tceccを算出する。
【0027】
【0028】
【0029】
これにより、渦磁場による傾斜磁場波形の変形が相殺されて、以下の(5)式に示すように、シーケンス制御機能5aから出力された傾斜磁場波形Gseq(t)と傾斜磁場コイル3内で発生する磁場波形Ggcoil,corrected(t)とが、ほぼ一致するようになる。
【0030】
【0031】
図2及び3は、本実施形態の比較例に係る渦補正の例を示す図である。
【0032】
ここで、
図2の(a)~(f)に示すグラフは、それぞれ傾斜磁場波形を示しており、縦軸が傾斜磁場強度を示し、横軸が時間を示している。
【0033】
具体的には、
図2の(a)~(c)は、渦補正を行わない場合の傾斜磁場波形の例を示しており、(d)~(f)は、本実施形態の比較例に係る渦補正における傾斜磁場波形の例を示している。また、
図2の(a)及び(d)は、渦補正機能4aの入力波形(20)を示しており、(b)及び(e)は、渦補正機能4aの出力波形(22)を示しており、(c)及び(f)は、傾斜磁場コイル3内の磁場波形(23)を示している。
【0034】
なお、
図2に示す例では、傾斜磁場アンプが出力可能な傾斜磁場強度の最大値を100mT/m、Slew rate(傾斜磁場の時間変化率)を200mT/m/ms、渦磁場の強度を10%、時定数を4msと仮定した。
【0035】
また、
図3は、
図2の(d)~(f)に示す各波形を同じグラフ上で重ねたものである。
図3において、線40は、渦補正機能4aの入力波形(20)を示しており、線41は、渦補正機能4aの出力波形(22)(傾斜磁場電源19の出力電流がこの波形に比例する)を示しており、線42は、傾斜磁場コイル3内の磁場波形(23)を示している。また、G
maxは、傾斜磁場アンプが出力可能な傾斜磁場強度の最大値である。
【0036】
図3に示す例では、線41で示す渦補正機能4aの出力波形(22)が立ち上がり直後の一番高い瞬間にG
maxになるように、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)のフラットトップ部分における傾斜磁場強度の最大値G
max’を設定した。この場合に、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)と、線42で示す傾斜磁場コイル3内の磁場波形(23)とは一致し、狙い通り渦補正ができていることが分かる。
【0037】
しかし、
図3に示す例において、もしも、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)のフラットトップ部分における傾斜磁場強度がG
max’を超えた場合には、線41で示す渦補正機能4aの出力波形(22)において、傾斜磁場強度がG
maxを超える期間が存在するようになる。この場合には、その期間でG
maxを超える大きさの傾斜磁場が出力されないことになるため、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)と、線42で示す傾斜磁場コイル3内の磁場波形(23)とが一致しなくなり、正しく渦補正ができなくなる。
【0038】
これに対し、例えば、シーケンス制御機能5aにおいて、Gmax’以下の最大値を設けて、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)の傾斜磁場強度がGmax’より大きな値とならないように出力範囲を制限することが考えられる。この場合に、Gmax’の大きさは、傾斜磁場の立ち上がり時間に対して渦磁場の時定数が十分に長いとすると、ほぼ(1-Aeddy)・Gmaxとなり、Gmaxに対して渦磁場の強度分だけ低くなる。例えば、渦磁場の強度が0.1(=10%)の場合には、Gmax’は、ほぼ同じ10%だけGmaxより小さくなる。
【0039】
このように、渦補正のために、シーケンス制御機能5aの出力である、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)に関して振幅(傾斜磁場強度)の制限を行う場合には、想定される渦磁場の強度、時定数等によって制限範囲が決められるが、基本的には、この制限範囲は、制御を簡単にするため、波形の形状によらずに固定値で設定されると想定される。
【0040】
この場合には、傾斜磁場電源19が渦補正機能4aの出力波形(22)(=傾斜磁場電源19の出力電流)に従って傾斜磁場コイル3に電流を出力する際には、立ち上がりの瞬間以外の期間では最大値Gmaxより小さい傾斜磁場強度で電流を出力することになり、傾斜磁場電源19の能力が最大限に活用されないことになる。特に、渦補正機能4aの出力波形(22)が、渦磁場の時定数に対して比較的長い間隔で立ち上がり、立ち下がりを有する波形であった場合には、傾斜磁場電源19の能力を活用する程度も低くなる。
【0041】
具体的なパルスシーケンスの撮像条件に関して言うと、例えば、MPG(Motion Probing Gradient)パルスを用いる拡散強調撮像の場合には、本来、傾斜磁場電源19が有する実力より弱いMPGパルスしか出せないため、拡散を強調する程度が低くなり、画質が低下する。また、フェーズコントラスト法と呼ばれる撮像対象の流速を測定する撮像法の場合には、遅い流速を検出する感度を調整する傾斜磁場パルス(フローエンコード傾斜磁場パルス)の強度が、本来、傾斜磁場電源19が有する実力より弱い強度しか出せないため、流速の検出能力が低下する。
【0042】
このように、
図3に示す例では、固定値で制限するため簡単ではあるが、傾斜磁場電源19が有する能力が随時最大限に発揮されず非効率である。また、
図3に示す例では、本来の傾斜磁場電源19の能力に比べて低い撮像条件でしか撮像ができない状態になり、画質を劣化させたり、撮像時間の延長をきたしたりすることがあり得る。
【0043】
このようなことから、本実施形態に係るMRI装置100では、シーケンス制御機能5aが、
図3に線41で示す渦補正機能4aの出力波形(22)(=傾斜磁場電源19の出力電流)がより長い期間で最大値となるように、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)を決定する。
【0044】
具体的には、シーケンス制御機能5aは、渦補正用の波形を含めた傾斜磁場電源19の入力波形(
図3に線41で示す渦補正機能4aの出力波形(22))が、常時、上限を超えないが極力上限に近くなるように、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)を決定する。このために、シーケンス制御機能5aは、パルスシーケンスを生成する段階で、予め決められた渦補正モデルを使って、傾斜磁場電源19の入力波形を推定する。
【0045】
このような構成によれば、渦補正が正しくできる範囲内で、より長い期間で傾斜磁場電源19の上限に近い波形が出力できるようになる。これにより、例えば、拡散強調撮像で、同じエコー時間TEでより面積の大きなMPGパルスが出せるようになることによって、より高いb値の撮像ができるようになり、拡散を強調する程度が大きい、より高い画質の画像が得られるようになる。また、その他の多くの撮像方法でも、より高い傾斜磁場能力を要求する撮像条件で撮像できるようになり、より画質の高い画像を得ることができるようになる。
【0046】
図4は、本実施形態に係るMRI装置100によって行われる処理の処理手順を示すフローチャートである。
【0047】
図4に示すように、本実施形態に係るMRI装置100では、まず、主制御機能6aが、初期条件を設定する(ステップS101)。具体的には、主制御機能6aは、傾斜磁場アンプが出力可能な傾斜磁場強度の最大値G
max(単位:mT/m)、最大Slew rate SR
max(単位:mT/m/ms)、渦電流の強度A
eddy、時定数Tc
eddy(単位:s)等を設定する。これらの値は、MRI装置100が有する装置固有の値であり、実際に計測された最大値や測定値である。
【0048】
また、主制御機能6aは、初期条件に基づいて、補正後の渦磁場の強度Aecc、時定数Tcecc(単位:s)を決定する(ステップS102)。具体的には、主制御機能6aは、前述した(3)式を用いて、AeddyからAeccを算出する。また、主制御機能6aは、前述した(4)式を用いて、Tceddy及びAeddyからTceccを算出する。
【0049】
また、主制御機能6aは、撮像条件を設定する(ステップS103)。具体的には、主制御機能6aは、インタフェース13を介して操作者から受け付けた各種撮像パラメータの入力値や、初期条件として設定されたSRmax等に基づいて、撮像条件を設定する。
【0050】
そして、主制御機能6aは、操作者によって撮像開始が指示された場合に(ステップS104,Yes)、設定された撮像条件に基づいて、渦補正機能4aの入力波形Gseq(t)(単位:mT/m)を算出する(ステップS105)。具体的には、主制御機能6aは、設定された撮像条件や、初期条件として設定されたSRmax等に基づいて、シーケンス制御機能5aによって生成される傾斜磁場波形20に相当する、渦補正機能4aの入力波形Gseq(t)を算出する。
【0051】
その後、シーケンス制御機能5aが、以下のように、傾斜磁場波形の期間を一定の時間間隔t_divで分けた時刻毎に波形計算を行うことで、撮像条件に基づいて算出された入力波形Gseq(t)を変更する。
【0052】
まず、シーケンス制御機能5aは、時刻Tを初期値に設定し(ステップS106)、続いて、渦磁場の補正後の傾斜磁場波形Gecc(T)を算出する(ステップS107)。具体的には、シーケンス制御機能5aは、前述した(2)式を用いて、Gseq(T)、Aecc、TceccからGecc(T)を算出する。
【0053】
続いて、シーケンス制御機能5aは、Gecc(T)とGmaxを比較する(ステップS108)。そして、Gecc(T)がGmaxを超えていた場合には(ステップS108,Gmax<Gecc(T))、シーケンス制御機能5aは、Gecc(T)がGmaxを超えている分だけGseq(T)を減らした後に(ステップS109a)、再度、補正後の傾斜磁場波形Gecc(T)を算出して(ステップS107)、またGecc(T)とGmaxを比較する(ステップS108)。同様に、Gecc(T)が-Gmax未満である場合には(ステップS108,Gecc(T)<-Gmax)、シーケンス制御機能5aは、Gecc(T)がGmaxを負に超えている分だけGseq(T)を増やした後に(ステップS109b)、再度、補正後の傾斜磁場波形Gecc(T)を算出して(ステップS107)、またGecc(T)とGmaxを比較する(ステップS108)。
【0054】
一方、Gecc(T)が-Gmax≦Gecc(T)≦Gmaxの条件に合致している場合には(ステップS108,-Gmax≦Gecc(T)≦Gmax)、シーケンス制御機能5aは、Gseq(T)の修正を行わず、Tが最終値に達しているか否かだけを判定する(ステップS110)。そして、Tが最終値に達していない場合には(ステップS110,No)、シーケンス制御機能5aは、Tをt_divだけ増やした後に(ステップS111)、再度、補正後の傾斜磁場波形Gecc(T)を算出して(ステップS107)、Gecc(T)とGmaxを比較する(ステップS108)。
【0055】
このように、シーケンス制御機能5aは、Gecc(T)が-Gmax≦Gecc(T)≦Gmaxの条件に合致し(ステップS108,-Gmax≦Gecc(T)≦Gmax)、かつ、Tが最終値に達するまで(ステップS110,Yes)、補正後の傾斜磁場波形Gecc(T)の算出を繰り返し、この条件が成立した場合に、その時点で算出されている変更後のGseq(T)を渦補正機能4aに出力する(ステップS112)。
【0056】
その後、渦補正機能4aが、シーケンス制御機能5aから出力されたGseq(T)に対して渦磁場の補正処理を行い(ステップS113)、補正後の傾斜磁場波形Gecc(t)を傾斜磁場電源19に出力する(ステップS114)。
【0057】
そして、傾斜磁場電源19が、補正後の傾斜磁場波形Gecc(t)に基づいて傾斜磁場コイル3に電流を供給することで、傾斜磁場系及び送受信系等によって撮像が実行される(ステップS115)。
【0058】
ここで、
図4に示す処理手順のうち、ステップS101~S105の処理は、例えば、処理回路6が、主制御機能6aに対応する所定のプログラムを記憶回路11から読み出して実行することによって実現される。また、ステップS106~S113の処理は、例えば、処理回路5が、シーケンス制御機能5aに対応する所定のプログラムを記憶回路11から読み出して実行することによって実現される。また、ステップS114の処理は、例えば、処理回路4が、渦補正機能4aに対応する所定のプログラムを記憶回路11から読み出して実行することによって実現される。
【0059】
図5及び6は、本実施形態に係る渦補正の例を示す図である。
【0060】
ここで、
図5の(d)~(i)に示すグラフは、
図2と同様に、それぞれ傾斜磁場波形を示しており、縦軸が傾斜磁場強度を示し、横軸が時間を示している。
【0061】
具体的には、
図5の(d)~(f)は、
図2の(d)~(f)と同じ傾斜磁場波形を示しており、(g)~(i)は、本実施形態に係る渦補正における傾斜磁場波形を示している。また、
図5の(d)及び(g)は、渦補正機能4aの入力波形(20)を示しており、(e)及び(h)は、渦補正機能4aの出力波形(22)を示しており、(f)及び(i)は、傾斜磁場コイル3内の磁場波形(23)を示している。
【0062】
なお、
図5に示す例でも、傾斜磁場アンプが出力可能な傾斜磁場強度の最大値を100mT/m、Slew rateを200mT/m/ms、渦磁場の強度を10%、時定数を4msと仮定した。
【0063】
また、
図6の(j)は、
図5の(d)~(f)に示す各波形を同じグラフ上で重ねたものであり、(k)は、
図5の(g)~(i)に示す各波形を同じグラフ上で重ねたものである。
図6において、線40及び線70は、渦補正機能4aの入力波形(20)を示しており、線41及び線71は、渦補正機能4aの出力波形(22)(傾斜磁場電源19の出力電流がこの波形に比例する)を示しており、線42及び線72は、傾斜磁場コイル3内の磁場波形(23)を示している。また、G
maxは、傾斜磁場アンプが出力可能な傾斜磁場強度の最大値であり、G
max’は、比較例における渦補正機能4aの入力波形(20)のフラットトップ部分における傾斜磁場強度の最大値である。
【0064】
図6の(j)と(k)とを比較すると分かるように、本実施形態では、線71で示す渦補正機能4aの出力波形(22)が、立ち上がり直後からG
maxに張り付いた状態で出力されるように、線70で示す渦補正機能4aの入力波形(20)が変化している。これにより、比較例では、線40で示す渦補正機能4aの入力波形(20)が、全ての時間においてG
max’を超えることは無いのに比べ、本実施形態では、立ち上がり直後からG
max’を超え、時間が経過するとほとんどG
maxの強度になっていることが分かる。
【0065】
上述したように、本実施形態では、シーケンス制御機能5aが、撮像条件に基づいて傾斜磁場波形を算出する。また、渦補正機能4aが、シーケンス制御機能5aから出力された傾斜磁場波形に対して渦磁場の補正処理を行い、補正後の傾斜磁場波形を傾斜磁場電源19に出力する。そして、シーケンス制御機能5aは、渦補正機能4aから傾斜磁場電源19に出力される補正後の傾斜磁場波形において、少なくとも一部の期間で振幅の大きさが傾斜磁場電源19で許容される振幅の最大値を超えない範囲内で当該最大値に近い大きさに継続して維持されるように、撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更して渦補正機能4aに出力する。
【0066】
また、シーケンス制御機能5aは、渦補正機能4aから傾斜磁場電源19に出力される補正後の傾斜磁場波形において、少なくとも一部の期間で振幅の大きさが傾斜磁場電源19で許容される振幅の最大値と一致する大きさに継続して維持されるように、撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更する。
【0067】
また、シーケンス制御機能5aは、撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形の期間を一定の時間間隔で分けた時刻毎に、当該傾斜磁場波形の振幅が最大値を超えているか否かを判定して当該振幅の大きさを変更することで、撮像条件に基づいて算出された傾斜磁場波形を変更する。
【0068】
また、シーケンス制御機能5aは、傾斜磁場波形の期間を一定の時間間隔で分けた時刻毎に、当該傾斜磁場波形の振幅が最大値を超えているか否かを判定した結果、最大値を超えていた場合には、当該振幅の大きさを最大値との差分だけ減らして、再度、当該振幅が最大値を超えない範囲に入っているか否かを判定し、最大値を超えていない場合には、次の時刻について、傾斜磁場波形の振幅が最大値を超えているか否かを判定する。
【0069】
なお、上述した実施形態では、シーケンス制御機能5aが、傾斜磁場波形の期間を時間間隔t_divで分けた時刻T毎に、その時点でのGecc(T)がGmaxを超えているか否かを確認して再計算することとしたが、実施形態はこれに限られない。例えば、シーケンス制御機能5aは、前述した(2)式を用いて、Gecc(T)がGmaxから超えている分だけGecc(T)自体が低くなるGseq(T)の値を推定し、その値を次回のGseq(T)の値としてもよい。または、シーケンス制御機能5aは、Gecc(T)がGmaxから超えている分に1以下の正の数の比例定数を乗じることで、Gseq(T)を減らしてもよい。
【0070】
いずれにせよ、シーケンス制御機能5aが、Gseq(T)を固定値の上限又は下限の範囲内に抑制するのではなく、何らかの手段でGecc(T)を推定し、Gecc(T)が絶えずGmaxを超えないか(または、-Gmax~+Gmaxの範囲内に入っているか)を確認してGseq(T)を変更する点が、本実施形態の特徴である。このような趣旨に逸脱しない範囲内で、Gseq(T)を変更する処理を変形させてもよい。
【0071】
また、上述した実施形態では、渦磁場の成分を1成分とした場合の例を示したが、実施形態はこれに限られない。例えば、渦磁場の成分を複数とした場合でも、上述した趣旨に逸脱しない範囲内で、同様にGseq(T)の変更を行うことができる。この場合には、渦磁場のモデルとして、複数の成分を含んだモデルが用いられる。
【0072】
また、上述した実施形態では、傾斜磁場電源19に関して固定の最大電流値がある場合を想定して説明したが、実施形態はこれに限られない。上述した実施形態は、Gecc(T)が絶えずGmaxを超えないか傾斜磁場波形の変化に対して十分小さい時間間隔で確認を行うため、例えば、傾斜磁場電源19の最大電流値が動作状態によってリアルタイムに変わる場合、つまりGmaxが時間の関数で表されるように変化する場合でも適用が可能である。このように、状況の変化に柔軟に対応して傾斜磁場系が有する能力を効率的に発揮させることができることも本実施形態の利点である。
【0073】
なお、上述した実施形態では、傾斜磁場波形が立ち上がった後に、能力の限界まで引き出すように振幅が調節されるため波形が平坦にならないという点がある。このため、例えば、拡散強調撮像で用いられるMPGパルスや、フェーズ法で用いられるフローエンコード傾斜磁場パルスについては、その波形の変形を考慮して感度計算をするのが望ましい。また、エコー信号のための読み出し傾斜磁場として用いる場合は、波形が平坦でないため、エコーサンプリングを傾斜磁場強度の変化に応じて間隔を変化させる、いわゆる不等間隔サンプリングを行うか、等間隔にサンプリングを行った後に、画像を再構成する前にリグリッディングと呼ばれる処理を行うのが望ましい。シーケンス制御機能5aは、これらの点を考慮して適宜にシーケンス生成や後処理を行うのが望ましい。
【0074】
また、上述した実施形態では、傾斜磁場の波形が平坦な正極性を有する波形(以下、RAMP波形と呼ぶ)である場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、上述した実施形態は、傾斜磁場の波形が、負極性を有する傾斜磁場パルスと正極性を有する傾斜磁場パルスとを含んだ波形となる場合でも、同様に適用が可能である。
【0075】
図7は、本実施形態に係る渦補正の他の例を示す図である。
【0076】
ここで、
図7では、渦補正機能4aの入力波形(20)が、負極性を有する1つの傾斜磁場パルスと正極性を有する1つの傾斜磁場パルスとを含んだ波形(以下、BI-POLAR波形と呼ぶ)である場合の例を示している。
【0077】
具体的には、
図7の(l)は、
図2及び5の(d)~(f)に示した比較例と同様に渦補正機能4aの入力波形(20)に関して振幅制限を行った場合の例を示しており、
図7の(m)は、本実施形態に係る渦補正を行った場合の例を示している。また、
図7の(l)及び(m)は、それぞれ、
図3及び6と同様に、渦補正機能4aの入力波形(20)、渦補正機能4aの出力波形(22)、及び、傾斜磁場コイル3内の磁場波形(23)を同じグラフ上に重ねたものである。
【0078】
図7において、線80及び線90は、渦補正機能4aの入力波形(20)を示しており、線81及び線91は、渦補正機能4aの出力波形(22)(傾斜磁場電源19の出力電流がこの波形に比例する)を示しており、線82及び線92は、傾斜磁場コイル3内の磁場波形(23)を示している。また、G
maxは、傾斜磁場アンプが出力可能な傾斜磁場強度の正の最大値であり、G
max’は、比較例における渦補正機能4aの入力波形(20)のフラットトップ部分における傾斜磁場強度の正の最大値である。また、-G
maxは、傾斜磁場アンプが出力可能な傾斜磁場強度の負の最大値であり、-G
max’は、比較例における渦補正機能4aの入力波形(20)のフラットトップ部分における傾斜磁場強度の負の最大値である。
【0079】
図7の(l)と(m)とを比較すると分かるように、この例でも、本実施形態の方が、線91で示す渦補正機能4aの出力波形(22)が、より長い期間、強度がG
max又は-G
maxに張り付いた状態で出力されていることが分かる。これにより、線90で示す渦補正機能4aの入力波形(20)でも、傾斜磁場コイル3内の磁場波形でも、より強度を大きく(絶対値が大きく)することができている。
【0080】
以下に示す表1は、
図6に示したRAMP波形の例において、(j)に線42で示した比較例における傾斜磁場コイル3内の磁場波形、及び、(k)に線72で示した本実施形態における傾斜磁場コイル3内の磁場波形について、立ち上がりから10msまでの面積比と、立ち上がりから30msまでの面積比と、最大振幅(フラットトップ部分における傾斜磁場強度の最大値)の比と、それぞれの改善率とを示したものである。
【0081】
【0082】
表1に示すように、
図6に示した傾斜磁場コイル3内の磁場波形について、傾斜磁場の立ち上がりから10msまでの傾斜磁場の時間積分値(面積)を比べると、本実施形態の方が6.41%大きいことが分かる。また、傾斜磁場の立ち上がりから30msまでの傾斜磁場の時間積分値(面積)を比べると、本実施形態の方が8.9%大きいことが分かる。また、最大振幅を比べると、本実施形態の方が10.3%大きいことが分かる。
【0083】
また、以下に示す表2は、
図7に示したBI-POLAR波形の例において、(l)に線82で示した比較例における傾斜磁場コイル3内の磁場波形、及び、(m)に線92で示した本実施形態における傾斜磁場コイル3内の磁場波形について、パルス幅となる5msの期間における最大振幅(フラットトップ部分における傾斜磁場強度の最大値)の比と、その改善率とを示したものである。
【0084】
【0085】
表2に示すように、
図7に示した傾斜磁場コイル3内の磁場波形について、最大振幅を比べると、本実施形態の方が17.3%大きいことが分かる。
【0086】
このように、本実施形態では、同じ性能の傾斜磁場電源19でもより面積の大きい傾斜磁場パルスを出力できるようになり、より厳しい撮像条件の撮像ができる。言い換えると、傾斜磁場電源19の能力をより長い期間、より有効に発揮させることができるようになる。これにより、例えば、拡散強調撮像で、同じエコー時間TEでより面積の大きなMPGパルスが出せるようになることによって、より高いb値の撮像ができるようになり、拡散を強調する程度が大きい、より高い画質の画像が得られるようになる。また、その他の多くの撮像方法でも、より高い傾斜磁場能力を要求する撮像条件で撮像ができるようになり、より画質の高い画像を得ることができるようになる。
【0087】
したがって、本実施形態によれば、傾斜磁場電源の能力をより有効に活用することができる。
【0088】
なお、上述した実施形態では、本明細書におけるシーケンス制御部を処理回路5のシーケンス制御機能5aによって実現し、本明細書における渦補正部を処理回路4の渦補正機能4aによって実現する場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、本明細書におけるシーケンス制御部及び渦補正部は、それぞれ、実施形態で述べたシーケンス制御機能5a及び渦補正機能4aによって実現する他にも、ソフトウェアのみ、ハードウェアのみ、又は、ハードウェアとソフトウェアとの混合によって同機能を実現するものであっても構わない。
【0089】
また、上述した実施形態の説明で用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)、或いは、特定用途向け集積回路(Application Specific Integrated Circuit:ASIC)、プログラマブル論理デバイス(例えば、単純プログラマブル論理デバイス(Simple Programmable Logic Device:SPLD)、複合プログラマブル論理デバイス(Complex Programmable Logic Device:CPLD)、及びフィールドプログラマブルゲートアレイ(Field Programmable Gate Array:FPGA))等の回路を意味する。なお、記憶回路にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むように構成しても構わない。この場合には、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。また、本実施形態の各プロセッサは、プロセッサ毎に単一の回路として構成される場合に限らず、複数の独立した回路を組み合わせて1つのプロセッサとして構成され、その機能を実現するようにしてもよい。さらに、
図1における複数の構成要素を1つのプロセッサへ統合してその機能を実現するようにしてもよい。
【0090】
ここで、プロセッサによって実行されるプログラムは、例えば、ROM(Read Only Memory)や記憶回路等に予め組み込まれて提供される。このプログラムは、これらの装置にインストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでCD(Compact Disk)-ROM、FD(Flexible Disk)、CD-R(Recordable)、DVD(Digital Versatile Disk)等のコンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記録されて提供されてもよい。また、このプログラムは、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納され、ネットワーク経由でダウンロードされることにより提供又は配布されてもよい。例えば、このプログラムは、上述した各機能部を含むモジュールで構成される。実際のハードウェアとしては、CPUが、ROM等の記憶媒体からプログラムを読み出して実行することにより、各モジュールが主記憶装置上にロードされて、主記憶装置上に生成される。
【0091】
以上説明した少なくとも1つの実施形態によれば、傾斜磁場電源の能力をより有効に活用することができる。
【0092】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0093】
100 磁気共鳴イメージング(Magnetic Resonance Imaging:MRI)装置
5 処理回路
5a シーケンス制御機能
4 処理回路
4a 渦補正機能
19 傾斜磁場電源