特許7158053シャント抵抗器に用いられる抵抗合金、抵抗合金のシャント抵抗器への使用及び抵抗合金を用いたシャント抵抗器
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-10-13
(45)【発行日】2022-10-21
(54)【発明の名称】シャント抵抗器に用いられる抵抗合金、抵抗合金のシャント抵抗器への使用及び抵抗合金を用いたシャント抵抗器
(51)【国際特許分類】
H01C 13/00 20060101AFI20221014BHJP
C22C 9/05 20060101ALI20221014BHJP
H01C 7/00 20060101ALI20221014BHJP
C22F 1/00 20060101ALN20221014BHJP
C22F 1/08 20060101ALN20221014BHJP
【ＦＩ】
H01C13/00 J
C22C9/05
H01C7/00 400
C22F1/00 623
C22F1/00 650Z
C22F1/00 661B
C22F1/00 685Z
C22F1/00 686B
C22F1/00 691B
C22F1/00 691C
C22F1/00 691Z
C22F1/08 B
C22F1/08 N
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2020145278
(22)【出願日】2020-08-31
(65)【公開番号】P2022040517
(43)【公開日】2022-03-11
【審査請求日】2022-06-21
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000105350
【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002572
【氏名又は名称】弁理士法人平木国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】粂田 賢孝
(72)【発明者】
【氏名】吉岡 忠彦
【審査官】北原 昂
(56)【参考文献】
【文献】特開平８－１７４２７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭５４－６８１０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１８／１５０７０５（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｃ １３／００
Ｃ２２Ｃ ９／０５
Ｈ０１Ｃ ７／００
Ｃ２２Ｆ １／００
Ｃ２２Ｆ １／０８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
電流検出用のシャント抵抗器に用いられる抵抗合金であって、マンガンを４．５から５．５質量％、シリコンを０．０５から０．３０質量％、鉄を０．１０から０．３０質量％、残りが銅で構成され、比抵抗が１５～２５μΩ・ｃｍである抵抗合金。
【請求項2】
ＴＣＲが１００×１０－６／Ｋ以下である、請求項１に記載の抵抗合金。
【請求項3】
対銅熱起電力が±１μＶ／Ｋ以内である、請求項１又は２に記載の抵抗合金。
【請求項4】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の抵抗合金の、電流検出装置に用いられるシャント抵抗器の抵抗体への使用。
【請求項5】
抵抗体と電極とからなる電流検出用のシャント抵抗器であって、前記抵抗体は、マンガンを４．５から５．５質量％、シリコンを０．０５から０．３０質量％、鉄を０．１０から０．３０質量％、残りが銅で構成され、比抵抗が１５～２５μΩ・ｃｍである抵抗合金により形成される、
電流検出用のシャント抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、シャント抵抗器に用いられる抵抗合金、抵抗合金のシャント抵抗器への使用及び抵抗合金を用いたシャント抵抗器に関する。
【背景技術】
【0002】
電流検出等に用いられ、電極と抵抗体とからなるシャント抵抗器用の抵抗合金としては、銅－マンガン系合金（銅－マンガン－ニッケル合金など）、銅－ニッケル系合金、ニッケル－クロム系合金、鉄－クロム系合金等がある。シャント抵抗器の抵抗合金は、高い検出精度を得るために、抵抗温度係数（以下、「ＴＣＲ」とも称する。）が低く、銅に対して小さい熱起電力である銅-マンガン系合金を用いることが多い。一般的な銅－マンガン系合金（銅－マンガン－ニッケル系合金）としては、２９μΩ・cmの比抵抗を持つ銅-マンガン-スズ系合金が存在する。
この抵抗合金を用いて小型かつ低抵抗のシャント抵抗器を設計することを想定する。その場合、低抵抗化のために板厚を厚くする必要があり、そうするとプレス加工等の加工性が低下する。一方、低抵抗化のために電極間距離を小さくすると、シャント抵抗器全体として電極分のＴＣＲの寄与が大きくなる。つまりシャント抵抗器全体としてのＴＣＲ（製品ＴＣＲ）が増加する。
低い抵抗値を有する抵抗材料、例えば比抵抗が２０μΩ・cmの銅－ニッケル系合金を使用して、小型かつ低抵抗のシャント抵抗器を設計することを想定する。その場合、抵抗合金が持つＴＣＲが大きく、製品ＴＣＲも大きくなる。さらに対銅熱起電力も大きいことから、シャント抵抗器の抵抗合金としては用途や使用条件が限定される。
この抵抗合金を用いて小型かつ低抵抗のシャント抵抗器を設計することを想定する。その場合、低抵抗化のために板厚を厚くする必要があり、そうするとプレス加工等の加工性が低下する。一方、低抵抗化のために電極間距離を小さくすると、シャント抵抗器全体として電極分のＴＣＲの寄与が大きくなる。つまりシャント抵抗器全体としてのＴＣＲ（製品ＴＣＲ）が増加する。
低い抵抗値を有する抵抗材料、例えば比抵抗が２０μΩ・cmの銅－ニッケル系合金を使用して、小型かつ低抵抗のシャント抵抗器を設計することを想定する。その場合、抵抗合金が持つＴＣＲが大きく、製品ＴＣＲも大きくなる。さらに対銅熱起電力も大きいことから、シャント抵抗器の抵抗合金としては用途や使用条件が限定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００７－３２９４２１号公報
【文献】国際公開ＷＯ２０１６／１１１１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、電流検出用抵抗器を、例えば１０００Ａ等の大電流の検出に用いたいという要求がある。これに対応するため、シャント抵抗器の抵抗値は１００μΩ，５０μΩ，２５μΩ，１０μΩというように低抵抗化が進んできている。
上記の抵抗合金を使用してシャント抵抗器（電流検出用抵抗器）を構成する場合、抵抗体の両端に銅の電極を溶接する。銅は約４，０００ｐｐｍ／Ｋ（２５～１００℃）と高いＴＣＲを有する。シャント抵抗器を小型化あるいは低抵抗化した場合に、このような銅電極のＴＣＲがシャント抵抗器の抵抗値に寄与する割合が増加する。このため、シャント抵抗器としてのＴＣＲが増加し、電流検出の精度が悪化する。
上記の抵抗合金を使用してシャント抵抗器（電流検出用抵抗器）を構成する場合、抵抗体の両端に銅の電極を溶接する。銅は約４，０００ｐｐｍ／Ｋ（２５～１００℃）と高いＴＣＲを有する。シャント抵抗器を小型化あるいは低抵抗化した場合に、このような銅電極のＴＣＲがシャント抵抗器の抵抗値に寄与する割合が増加する。このため、シャント抵抗器としてのＴＣＲが増加し、電流検出の精度が悪化する。
【0005】
上記特許文献１には、抵抗器の形状によりＴＣＲを調整する技術が開示されている。しかしながら、電極への加工により抵抗器の実抵抗が増加するという課題がある。また、抵抗器を小型化した場合の加工や調整が困難である等の課題がある。
また、シャント抵抗器を低抵抗化かつ小型化した場合、抵抗器のＴＣＲは大きくなり検出精度が低下するという課題もある。また、電流検出装置の信頼性を確保する必要もある。
さらに、製品仕様によってシャント抵抗器の厚みおよび幅が固定化されている場合があり、以下のような問題が生じうる。
また、シャント抵抗器を低抵抗化かつ小型化した場合、抵抗器のＴＣＲは大きくなり検出精度が低下するという課題もある。また、電流検出装置の信頼性を確保する必要もある。
さらに、製品仕様によってシャント抵抗器の厚みおよび幅が固定化されている場合があり、以下のような問題が生じうる。
【0006】
図１０は、シャント抵抗器において、電極間距離を変更した場合の斜視図である。ここでは、抵抗体が電極端に対して持ち上げられた持ち上がり構造を例にして説明する。図１０（ａ）は、シャント抵抗器Ｘ１において、配線１２１ａ，１２１ｂに接続される電極１１１５ａ，１１５ｂ間の距離（電極間距離＝抵抗体１１１の長さ）Ｌ１０３を短くしたシャント抵抗器の一構成例を示す斜視図である。図１０（ｂ）は、シャント抵抗器Ｘ２で、配線１２１ａ，１２１ｂに接続される電極１１５ａ，１１５ｂ間の電極間距離（抵抗体１１１の長さ）Ｌ１１３を長くしたシャント抵抗器の一構成例を示す斜視図である。尚、Ｌ１０１，Ｌ１０２，Ｌ１１１，Ｌ１１２は、それぞれのシャント抵抗器において変更できる幅に対応する幅である。
【0007】
図１０（ａ）、（ｂ）を参照して以下において説明する。図１０（ａ），図１０（ｂ）は、以下の本発明の実施の形態においても説明に使用する。
１）シャント抵抗器の電極のサイズを一定にした場合、シャント抵抗器の抵抗値を小さくするには、抵抗体の厚みを厚くする必要がある。しかしながら、抵抗体の板厚が厚くなると、プレス加工（打ち抜き）などを行う場合に、切断部分がダレたり綺麗な形状が保てなくなるという問題がある。
１）シャント抵抗器の電極のサイズを一定にした場合、シャント抵抗器の抵抗値を小さくするには、抵抗体の厚みを厚くする必要がある。しかしながら、抵抗体の板厚が厚くなると、プレス加工（打ち抜き）などを行う場合に、切断部分がダレたり綺麗な形状が保てなくなるという問題がある。
【0008】
２）図１０（ｂ）に示すシャント抵抗器の構造、すなわち、電極間距離Ｌ１１３が長い（持ち上がり部分の電極幅Ｌ１１１、Ｌ１１２が相対的に短い）構造と比べて、図１０（ａ）に示すように、電極のうち持ち上がり部分の電極幅Ｌ１０１，Ｌ１０２を相対的に長くし、電極間距離Ｌ１０３を短くする（抵抗体１１１の長さを短くする）ことによりシャント抵抗器Ｘ１の抵抗値を低くすることが可能である。従って、抵抗値の低いシャント抵抗器が実現できる。しかしながら、電極１１５ａ、１１５ｂの長さが抵抗体１１１の長さに対して相対的に大きくなるため、電極材料である銅のＴＣＲの影響によりシャント抵抗器Ｘ１のＴＣＲが高くなる。つまり、図１０において、図１０（ａ）の構造の方が図１０（ｂ）の構造に比べて、矢印部分で示すように銅電極１１５ａ、１１５ｂが抵抗体１１１に対して相対的に大きくなるため、ＴＣＲが高くなるという問題がある。
【0009】
また、図１０（ａ）に示すように、抵抗体１１１の長さＬ１０３が短くなると、抵抗体１１１と電極１１５ａ，１１５ｂとの溶接が難しくなる。従って、シャント抵抗器Ｘ１の低抵抗化には限界がある。すなわち、溶接には一定幅の余裕が必要とされるため、抵抗体１１１の長さを短くしすぎると、実抵抗体部分が小さくなってしまう。例えば、電子ビーム溶接等により抵抗体と電極とを溶接しようとすると、溶接痕の幅を考慮する必要がある。従って、抵抗体の長さを短くする工程には加工寸法の限界がある。
【0010】
３）シャント抵抗器の抵抗値を小さくする別の手段として、抵抗体を構成する抵抗体合金の比抵抗を低くすることが考えられる。
例えば、ＴＣＲが低くなり、比抵抗が小さくなる抵抗体合金としてＣｕ-７Ｍｎ-２．３Ｓｎ合金がある。比抵抗は２９μΩ・cmであり十分に低いとは言えない。比抵抗が２０μΩ・cmである抵抗合金としてCu-Ni系合金があるが、ＴＣＲの性能はおよそ３３０ｐｐｍ・Ｋであり優れていない。また銅に対する熱起電力が大きくなり、電流検出の精度への影響が大きい。
例えば、ＴＣＲが低くなり、比抵抗が小さくなる抵抗体合金としてＣｕ-７Ｍｎ-２．３Ｓｎ合金がある。比抵抗は２９μΩ・cmであり十分に低いとは言えない。比抵抗が２０μΩ・cmである抵抗合金としてCu-Ni系合金があるが、ＴＣＲの性能はおよそ３３０ｐｐｍ・Ｋであり優れていない。また銅に対する熱起電力が大きくなり、電流検出の精度への影響が大きい。
【0011】
特許文献２は、Ｃｕと、６．２０質量％以上７．４０質量％以下のＭｎと、０．１５質量％以上１．５質量％以下のＳｉとを含有するＣｕ合金から構成され、２５℃から１５０℃までのＴＣＲの絶対値が１５ｐｐｍ／Ｋ以下である抵抗合金を開示する。
これにより、広い温度範囲でＴＣＲの絶対値を小さくすることができる。しかしながら、特許文献２は、低いＴＣＲを達成するものの、比抵抗、対銅熱起電力も低くすることを開示していない。この点については後述する。
これにより、広い温度範囲でＴＣＲの絶対値を小さくすることができる。しかしながら、特許文献２は、低いＴＣＲを達成するものの、比抵抗、対銅熱起電力も低くすることを開示していない。この点については後述する。
【0012】
本発明は、シャント抵抗器などの電流検出用の抵抗器において、低いＴＣＲを維持しつつ、低い比抵抗を達成すること、小さい対銅熱起電力を達成することを目的とする。
また、そのようなシャント抵抗器に用いる抵抗合金を提供することを目的とする。
また、そのようなシャント抵抗器に用いる抵抗合金を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明の一観点によれば、電流検出用のシャント抵抗器に用いられる銅－マンガン系の抵抗合金であって、マンガンを４．５から５．５質量％、シリコンを０．０５から０．３０質量％、鉄を０．１０から０．３０質量％、残りが銅で構成され、比抵抗が１５～２５μΩである抵抗合金が提供される。
上記の抵抗合金において、ＴＣＲが１００×１０－６／Ｋ以下（０～１００×１０－６の範囲）であることを特徴とする。
上記の抵抗合金において、ＴＣＲが１００×１０－６／Ｋ以下（０～１００×１０－６の範囲）であることを特徴とする。
【0014】
また、上記のいずれか１に記載の抵抗合金において、対銅熱起電力が±１μＶ/Ｋ以内であることを特徴とする。
これにより、例えば銅電極で形成されるシャント抵抗器におけるＴＣＲの値を小さくしつつ、ＴＣＲ、対銅熱起電力を低減することができる。
これにより、例えば銅電極で形成されるシャント抵抗器におけるＴＣＲの値を小さくしつつ、ＴＣＲ、対銅熱起電力を低減することができる。
【0015】
また、本発明は、上記のいずれか１に記載の抵抗合金の、電流検出装置に用いられるシャント抵抗器の抵抗体への使用である。
また、本発明は、抵抗体と電極とからなる電流検出用のシャント抵抗器であって、前記抵抗体は、マンガンを４．５から５．５質量％、シリコンを０．０５から０．３０質量％、鉄を０．１０から０．３０質量％、残りが銅で構成され、比抵抗が１５～２５μΩである抵抗合金により形成されるシャント抵抗器である。
また、本発明は、抵抗体と電極とからなる電流検出用のシャント抵抗器であって、前記抵抗体は、マンガンを４．５から５．５質量％、シリコンを０．０５から０．３０質量％、鉄を０．１０から０．３０質量％、残りが銅で構成され、比抵抗が１５～２５μΩである抵抗合金により形成されるシャント抵抗器である。
【0016】
また、本発明は、抵抗体と電極とからなる電流検出用のシャント抵抗器であって、前記抵抗体は、マンガンを４．５から５．５質量％、シリコンを０．０５から０．３０質量％、鉄を０．１０から０．３０質量％、残りが銅で構成され、比抵抗が１５～２５μΩである抵抗合金により形成される、電流検出用のシャント抵抗器である。
【発明の効果】
【0017】
本発明の抵抗合金を用いれば、電流検出装置に用いられるシャント抵抗器のＴＣＲを小さくしつつ、低い比抵抗を達成し、小さい対銅熱起電力を達成することができる。
また、本発明の抵抗合金を用いれば、シャント抵抗器の電流検出の信頼性を確保することができる。
また、本発明の抵抗合金を用いれば、シャント抵抗器の電流検出の信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本実施の形態による銅とマンガン－鉄－シリコンを含む抵抗体用の抵抗合金の四元系合金の相図である。
【図2】本実施の形態による抵抗器用の抵抗合金の評価用素子の形状を示す図である。
【図3】本実施の形態による抵抗合金の比抵抗とＴＣＲの関係を示す図であり、表１のＣｕ－Ｍｎ合金（Ｆｅを添加した試料を含む）における試料１から試料６までに対応する値を示す図である。
【図4】本実施の形態による抵抗合金におけるＦｅの組成と対銅熱起電力との関係を示す図であり、表１のＣｕ－Ｍｎ合金（Ｆｅを添加した試料を含む）における試料２，試料４－６までに対応する値を示す図である。
【図7】本実施の形態による抵抗合金における抵抗材のＴＣＲと比抵抗との関係を示す図である。
【図8】図８（ａ）は、本発明の第２の実施の形態による抵抗器用の合金を用いたシャント抵抗器の一構成例を示す斜視図である。図８（ｂ）は、シャント抵抗器の平面図と側面図である。図８（ｂ）には、寸法（ｍｍ）を示している。
【図9A】本発明の第３の実施の形態によるシャント抵抗器の製造工程の一例を示す図である。
【図9F】本発明の第３の実施の形態によるシャント抵抗器の製造工程により製造したシャント抵抗器の断面図である。
【図10】シャント抵抗器において、電極間距離を変更した場合の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
発明者は、特許文献２に記載されているようなＣｕ－Ｍｎ－Ｓｉ系の合金を用いた抵抗材料において、さらに、適量のＦｅを含むことで、低いＴＣＲ（１００×１０－６／Ｋ以下など）を保持しつつ、低い比抵抗（例えば１５～２５μΩ・ｃｍ）を達成することができる。
さらに、小さい対銅熱起電力を有するように組成等を調整することができる。
さらに、小さい対銅熱起電力を有するように組成等を調整することができる。
【0020】
以下に本発明の実施の形態によるシャント抵抗器に用いられる抵抗合金、それを用いたシャント抵抗器等について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0021】
まず、本発明に関する発明者の考察について簡単に説明する。
１）発明者の着眼点として、電極として用いられる銅の高いプラスのＴＣＲの寄与を補償するため、抵抗体にマイナスのＴＣＲを示す抵抗合金を混合して使用することが重要である。ところが、大きなマイナスのＴＣＲを有する抵抗合金に関する報告は少ない。
２）低ＴＣＲかつ長期安定性に優れた銅－ニッケル合金が存在するが、これらの合金は対銅熱起電力４０μＶ/Ｋと大きい。従って、大電流を流す電流検出装置に用いるシャント抵抗器ではペルティエ効果により検出精度が低下する。
３）マイナスのＴＣＲを有する合金として、ニッケル－クロム系合金がある。しかしながら、ニッケル－クロム系合金は、比抵抗が銅－ニッケル合金や銅－マンガン合金と比較すると２倍以上である。そのため、シャント抵抗器の低抵抗化を実現するのが難しい。
１）発明者の着眼点として、電極として用いられる銅の高いプラスのＴＣＲの寄与を補償するため、抵抗体にマイナスのＴＣＲを示す抵抗合金を混合して使用することが重要である。ところが、大きなマイナスのＴＣＲを有する抵抗合金に関する報告は少ない。
２）低ＴＣＲかつ長期安定性に優れた銅－ニッケル合金が存在するが、これらの合金は対銅熱起電力４０μＶ/Ｋと大きい。従って、大電流を流す電流検出装置に用いるシャント抵抗器ではペルティエ効果により検出精度が低下する。
３）マイナスのＴＣＲを有する合金として、ニッケル－クロム系合金がある。しかしながら、ニッケル－クロム系合金は、比抵抗が銅－ニッケル合金や銅－マンガン合金と比較すると２倍以上である。そのため、シャント抵抗器の低抵抗化を実現するのが難しい。
【0022】
本実施の形態では、低い比抵抗（例えば１５～２５μΩ・ｃｍ）を達成することができる抵抗体用の抵抗合金を提供する。
さらに、低いＴＣＲ（１００×１０－６/Ｋ以下）、十分に小さい対銅熱起電力（１．０μＶ/Ｋ以下）を有するように合金の組成等を調整した結果を示す。
さらに、低いＴＣＲ（１００×１０－６/Ｋ以下）、十分に小さい対銅熱起電力（１．０μＶ/Ｋ以下）を有するように合金の組成等を調整した結果を示す。
【0023】
（第１の実施の形態）
以下の本発明の実施の形態について具体的に説明する。
本実施の形態による合金は、低いＴＣＲを有する抵抗合金であり、銅－マンガン－シリコン－鉄から構成される四元系合金である。この抵抗合金をシャント抵抗器の抵抗材料として用いることができる。
図１は、本実施の形態による銅－マンガン－シリコン－鉄を含む抵抗体用の合金の四元系合金の相図である。
ここで、銅の質量分率が左上辺側の軸上に示され、シリコン＋鉄の質量分率が右上辺側の軸上に示されている。一方、マンガンの質量分率が、底辺側の軸上に示されている。
以下の本発明の実施の形態について具体的に説明する。
本実施の形態による合金は、低いＴＣＲを有する抵抗合金であり、銅－マンガン－シリコン－鉄から構成される四元系合金である。この抵抗合金をシャント抵抗器の抵抗材料として用いることができる。
図１は、本実施の形態による銅－マンガン－シリコン－鉄を含む抵抗体用の合金の四元系合金の相図である。
ここで、銅の質量分率が左上辺側の軸上に示され、シリコン＋鉄の質量分率が右上辺側の軸上に示されている。一方、マンガンの質量分率が、底辺側の軸上に示されている。
【0024】
図１には、本発明による抵抗合金を特徴付ける黒塗りの領域Ｒを示しており、領域Ｒにおけるマンガンの質量分率は４．５％から５．５％であり、領域Ｒにおけるシリコン＋鉄の質量分率は０．１５％から０．６０％である。より詳細には、シリコンは０．０５％から０．３０％の質量分率、鉄は、０．１０％から０．３０％の質量分率である。残りは銅である。
マンガンの代表値は５．０質量％である。シリコンの代表値は、０．１５質量％である。鉄の代表値は０．２質量％である。残りが銅である。
マンガンの代表値は５．０質量％である。シリコンの代表値は、０．１５質量％である。鉄の代表値は０．２質量％である。残りが銅である。
【0025】
図２は、本発明の実施の形態による抵抗器用の合金の評価用素子の形状を示す図である。
図２に示すように、抵抗器用の合金の評価用素子Ｘは、両端の電極部（電流を流す部分）１，３と、電極部１，３間に延在する抵抗体５と、抵抗体５の両端よりも中央側に位置する電圧検出部７，９とを有している。電極部１，３間の距離は５０ｍｍであり、電圧検出部７，９間の距離は２０ｍｍである。
図２に示すように、抵抗器用の合金の評価用素子Ｘは、両端の電極部（電流を流す部分）１，３と、電極部１，３間に延在する抵抗体５と、抵抗体５の両端よりも中央側に位置する電圧検出部７，９とを有している。電極部１，３間の距離は５０ｍｍであり、電圧検出部７，９間の距離は２０ｍｍである。
【0026】
次いで、評価用サンプルの製造工程の一例について簡単に説明する。
１）原材料を秤量する。
２）１）の材料を溶解する。
３）冷間圧延機により所定の厚みのフープ材にする。
４）真空・ガス置換炉で、Ｎ２雰囲気で５００～７００℃、１～２時間の熱処理を行う。
５）フープ材より、プレス加工により図２の形状の評価用素子を作成する。
６）真空・ガス置換炉で、Ｎ２雰囲気で２００～４００℃、１～４時間の熱処理（低温熱処理）を行う。
１）原材料を秤量する。
２）１）の材料を溶解する。
３）冷間圧延機により所定の厚みのフープ材にする。
４）真空・ガス置換炉で、Ｎ２雰囲気で５００～７００℃、１～２時間の熱処理を行う。
５）フープ材より、プレス加工により図２の形状の評価用素子を作成する。
６）真空・ガス置換炉で、Ｎ２雰囲気で２００～４００℃、１～４時間の熱処理（低温熱処理）を行う。
【0027】
上記の領域Ｒにおける合金成分の各質量分率は、抵抗合金が、以下の特性（適正条件）を有するように互いに調整される。
【0028】
（適正条件）
１）比抵抗が１５μΩ・ｃｍ以上であり、かつ、２５μΩ・ｃｍ以下である。
２）ＴＣＲは、２５℃基準とし、１００℃で１００×１０－６/Ｋ以下（０から１００×１０－６/Ｋ程度）である。
３）対銅熱起電力は、±１μＶ/Ｋ以内である。
１）比抵抗が１５μΩ・ｃｍ以上であり、かつ、２５μΩ・ｃｍ以下である。
２）ＴＣＲは、２５℃基準とし、１００℃で１００×１０－６/Ｋ以下（０から１００×１０－６/Ｋ程度）である。
３）対銅熱起電力は、±１μＶ/Ｋ以内である。
【0029】
以上のように、本発明では、以上の課題を解決するため、低い比抵抗（２０μΩ・ｃｍ程度：１５～２５μΩ・ｃｍの範囲）、低いＴＣＲ（１００×１０-６/Ｋ以下）、小さい対銅熱起電力（±１μＶ/Ｋ以内）を有する抵抗合金が提供される。
なお、本明細書においては、シャント抵抗器が小型とは、チップのサイズが６．３×３．１ｍｍ以下のものをいう。また低抵抗とは、製品における０．５ｍΩ以下であることをいう。
なお、本明細書においては、シャント抵抗器が小型とは、チップのサイズが６．３×３．１ｍｍ以下のものをいう。また低抵抗とは、製品における０．５ｍΩ以下であることをいう。
【0030】
（抵抗合金試料に関する詳細な説明）
以下に示すような各種抵抗合金を作成した。
それらの抵抗合金の組成と諸特性とを表１に示す。
以下に示すような各種抵抗合金を作成した。
それらの抵抗合金の組成と諸特性とを表１に示す。
【0031】
【表1】
【0032】
表１は、本実施の形態による抵抗合金（実施例１及び２）と、比較例１（Ｃｕ－１４Ｎｉ）、比較例２（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ合金）を含む抵抗合金の組成、並びに、それらの電気的特性（比抵抗、ＴＣＲ、対銅熱起電力）を示す表である。さらに、表１には、本発明における抵抗合金の組成範囲（含有範囲）を検証し見極めることを目的とした試料１から試料７までも含めている。
【0033】
抵抗材料の比抵抗については、実施例１，２の試料について、市販材料である比較例１，２と同等の値（１５～２５μΩ・ｃｍ）が得られている。対銅熱起電力（０～１００℃）については、０．２μＶ/Ｋ以下であり適正条件を十分に満たす。
【0034】
表１に示すデータ、特に、実施例１、２及び試料１から７までの値を考察するとこにより、以下のことがわかる。
１）低い比抵抗を維持しながら他の性能を調整すること
ＦｅもＳｉも含まない試材１～３の結果と比べると、ＣｕＭｎ合金は比抵抗とＴＣＲの特性については、本発明の適正条件（特性要求）を実現することは可能であるが、対銅熱起電力が１μＶ/Ｋを超える場合がある。そのため対銅熱起電力を下げ、ＴＣＲが悪化しない（大きくならない）元素を添加する必要がある。
１）低い比抵抗を維持しながら他の性能を調整すること
ＦｅもＳｉも含まない試材１～３の結果と比べると、ＣｕＭｎ合金は比抵抗とＴＣＲの特性については、本発明の適正条件（特性要求）を実現することは可能であるが、対銅熱起電力が１μＶ/Ｋを超える場合がある。そのため対銅熱起電力を下げ、ＴＣＲが悪化しない（大きくならない）元素を添加する必要がある。
【0035】
２）ＴＣＲ等の改善、Ｆｅの添加の影響について
ＣｕＭｎ合金に他の元素、ここではＦｅを添加すると、ＴＣＲは低下するが比抵抗は増加する傾向がある。そのため、ＴＣＲを低下させる効果を評価するためには、比抵抗とＴＣＲとの両方を考慮する必要がある。
ＣｕＭｎ合金に他の元素、ここではＦｅを添加すると、ＴＣＲは低下するが比抵抗は増加する傾向がある。そのため、ＴＣＲを低下させる効果を評価するためには、比抵抗とＴＣＲとの両方を考慮する必要がある。
【0036】
図３は、Ｃｕ－Ｍｎ系合金の比抵抗とＴＣＲの関係を示す図である。表１のＣｕ－Ｍｎ合金（Ｆｅを添加した試料を含む）における試料１から試料６までに対応する値を示している。
図３において、Ｃｕ－Ｍｎ合金とＣｕ－５Ｍｎ－Ｆｅ合金との値を示している。図中における各プロットにおいて、ＭｎとＦｅの組成を数値で示している。
図３において、Ｃｕ－Ｍｎ合金とＣｕ－５Ｍｎ－Ｆｅ合金との値を示している。図中における各プロットにおいて、ＭｎとＦｅの組成を数値で示している。
【0037】
図３に示すように、Ｃｕ－Ｍｎ合金において、Ｍｎの組成が５．０質量％、５．５質量％と大きくなるにつれて、ＴＣＲを徐々に小さくすることができることがわかる。
また、Ｃｕ－５Ｍｎ－Ｆｅ合金においては、Ｆｅの組成が高くなると、ＴＣＲが高くなる（悪化している）と評価することができる。特に、Ｆｅの組成が０．５質量％を超えると１．０質量％にかけてＴＣＲは急激に高くなる。
但し、Ｆｅの組成が０．５質量％よりも小さく、例えば、０．２質量％程度であれば、ＴＣＲが急激に高まることはないこともわかる。
いずれの範囲でも、ＴＣＲは１００×１０－６／Ｋ以下である。
また、Ｃｕ－５Ｍｎ－Ｆｅ合金においては、Ｆｅの組成が高くなると、ＴＣＲが高くなる（悪化している）と評価することができる。特に、Ｆｅの組成が０．５質量％を超えると１．０質量％にかけてＴＣＲは急激に高くなる。
但し、Ｆｅの組成が０．５質量％よりも小さく、例えば、０．２質量％程度であれば、ＴＣＲが急激に高まることはないこともわかる。
いずれの範囲でも、ＴＣＲは１００×１０－６／Ｋ以下である。
【0038】
図４は、Ｆｅの組成と対銅熱起電力との関係を示す図である。表１のＣｕ－Ｍｎ合金（Ｆｅを添加した試料を含む）における試料２，試料４－６までに対応する値を示している。
試料４（Ｆｅ：０．２質量％）からわかるように、Ｆｅの添加量が少量であっても、対銅熱起電力を大きく下げる効果がある。また、試料２，４－６の値から、Ｆｅを０．１～０．３質量％添加することで、対銅熱起電力は±０．５μＶ／Ｋ程度の範囲に収まることがわかる。また、前述の図３からもわかるように、ＴＣＲに対するＦｅの添加の効果は、試料２，４－６の結果から、０．５質量％までのＦｅ添加量であればＴＣＲを１００×１０－６／Ｋ以下にすることができることがわかる。
以上のように、Ｃｕ－Ｍｎ合金において、鉄を０．１０から０．３０質量％添加した抵抗合金であれば、対銅熱起電力を±１μＶ／Ｋ以内、ＴＣＲを１００×１０－６／Ｋ以下にすることができる。
試料４（Ｆｅ：０．２質量％）からわかるように、Ｆｅの添加量が少量であっても、対銅熱起電力を大きく下げる効果がある。また、試料２，４－６の値から、Ｆｅを０．１～０．３質量％添加することで、対銅熱起電力は±０．５μＶ／Ｋ程度の範囲に収まることがわかる。また、前述の図３からもわかるように、ＴＣＲに対するＦｅの添加の効果は、試料２，４－６の結果から、０．５質量％までのＦｅ添加量であればＴＣＲを１００×１０－６／Ｋ以下にすることができることがわかる。
以上のように、Ｃｕ－Ｍｎ合金において、鉄を０．１０から０．３０質量％添加した抵抗合金であれば、対銅熱起電力を±１μＶ／Ｋ以内、ＴＣＲを１００×１０－６／Ｋ以下にすることができる。
【0039】
３）Ｓｉの添加の影響について
Ｃｕ－Ｍｎ系の合金材料において、組成がＣｕ１００％に近くなると、Ｃｕの酸化が問題となることが予想される。そこで、Ｃｕの酸化を抑制することも重要である。
図２に示す評価用素子を用いて、表１の実施例１、２の試料及び試料４について（実施例１、２の試料は、Ｓｉを添加している。）耐熱性試験を行った。
Ｃｕ－Ｍｎ系の合金材料において、組成がＣｕ１００％に近くなると、Ｃｕの酸化が問題となることが予想される。そこで、Ｃｕの酸化を抑制することも重要である。
図２に示す評価用素子を用いて、表１の実施例１、２の試料及び試料４について（実施例１、２の試料は、Ｓｉを添加している。）耐熱性試験を行った。
【0040】
図５は、Ｓｉ添加によるＸＲＤ（Ｘ線回折装置）による分析結果を示す図であり、１７５℃での高温放置試験、３０００時間後の試料の測定結果である。図５の上側から順番に、実施例２、実施例１、試料４の測定結果を示す。
また、図６は、同様の高温放置試験を行った際の、Ｓｉ添加量とＣｕ２Ｏの１１１面の回折強度（縦軸：カウント数）のＳｉ組成依存性を示す図である。
また、図６は、同様の高温放置試験を行った際の、Ｓｉ添加量とＣｕ２Ｏの１１１面の回折強度（縦軸：カウント数）のＳｉ組成依存性を示す図である。
【0041】
高温放置試験後のＸＲＤデータ（図５、図６）から、Ｃｕ２Ｏの生成がＳｉの添加によって抑えられていることがわかる。すなわち、Ｃｕ２Ｏのピークが（図５の×印で示す）、Ｓｉの添加量が増加するに従って小さくなっている。尚、●印は基準として示すＣｕのピークである。
この現象は、Ｓｉの添加により抵抗合金の材料表面にＳｉ酸化物が形成されることに起因するＣｕの酸化を抑制する効果に基づくものであると推定される。
この現象は、Ｓｉの添加により抵抗合金の材料表面にＳｉ酸化物が形成されることに起因するＣｕの酸化を抑制する効果に基づくものであると推定される。
【0042】
図７は、抵抗材のＴＣＲと比抵抗との関係を示す図である。図４と対応する特性を示す図である。図７では、Ｃｕ－ＭｎとＣｕ－５Ｍｎ－０．２Ｆｅ－Ｓｉ（試料４、実施例１、実施例２）との値を示している、
図７に示すように、ＴＣＲに対する影響については、実施例１，２と試料４の結果から、Ｓｉの添加量として０．２質量％程度であれば、ＴＣＲが高くならないことがわかる。発明者の実験等によれば、Ｓｉの添加量として０．０５から０．３０質量％の範囲が好ましい。
図７に示すように、ＴＣＲに対する影響については、実施例１，２と試料４の結果から、Ｓｉの添加量として０．２質量％程度であれば、ＴＣＲが高くならないことがわかる。発明者の実験等によれば、Ｓｉの添加量として０．０５から０．３０質量％の範囲が好ましい。
【0043】
（本発明の有効性の詳細な説明）
以下に、本発明の有効性について詳細に説明する。
本発明は、電流検出用シャント抵抗器の抵抗合金であって、Ｍｎを４．５から５．５質量％、Ｆｅを０．１０から０．３０質量％、Ｓｉを０．０５から０．３０質量％、残りをＣｕとした抵抗合金である。
この抵抗合金は、比抵抗が１５から２５μΩ・ｃｍの範囲にある。
また、この抵抗合金は、ＴＣＲが１００×１０－６/Ｋ（２５－１００℃）以下である。
また、この抵抗合金は、対銅熱起電力が±１μＶ/Ｋ以内である。
以上の特性を有することで、小型かつ低抵抗のシャント抵抗器に適した抵抗合金であり、かつ、低ＴＣＲ値も実現することできる。シャント抵抗器を用いた電流検出装置の電流検出精度が良好となり、シャント抵抗器の小型化により、電流検出装置の省スペース化が可能になる。
以下に、本発明の有効性について詳細に説明する。
本発明は、電流検出用シャント抵抗器の抵抗合金であって、Ｍｎを４．５から５．５質量％、Ｆｅを０．１０から０．３０質量％、Ｓｉを０．０５から０．３０質量％、残りをＣｕとした抵抗合金である。
この抵抗合金は、比抵抗が１５から２５μΩ・ｃｍの範囲にある。
また、この抵抗合金は、ＴＣＲが１００×１０－６/Ｋ（２５－１００℃）以下である。
また、この抵抗合金は、対銅熱起電力が±１μＶ/Ｋ以内である。
以上の特性を有することで、小型かつ低抵抗のシャント抵抗器に適した抵抗合金であり、かつ、低ＴＣＲ値も実現することできる。シャント抵抗器を用いた電流検出装置の電流検出精度が良好となり、シャント抵抗器の小型化により、電流検出装置の省スペース化が可能になる。
【0044】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図８（ａ）は、本発明の第２の実施の形態による抵抗器用の合金を用いたシャント抵抗器の一構成例を示す斜視図である。図８（ｂ）は、シャント抵抗器の平面図と側面図である。図８（ｂ）には、寸法（ｍｍ）を示している。
図８（ａ），（ｂ）に示すシャント抵抗器Ａは、プレス等により個片状の抵抗体１１を作成し、その両端にＣｕの電極１５ａ，１５ｂを突合せ溶接した構造である。
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図８（ａ）は、本発明の第２の実施の形態による抵抗器用の合金を用いたシャント抵抗器の一構成例を示す斜視図である。図８（ｂ）は、シャント抵抗器の平面図と側面図である。図８（ｂ）には、寸法（ｍｍ）を示している。
図８（ａ），（ｂ）に示すシャント抵抗器Ａは、プレス等により個片状の抵抗体１１を作成し、その両端にＣｕの電極１５ａ，１５ｂを突合せ溶接した構造である。
【0045】
抵抗体１１と電極１５ａ，１５ｂは、ＥＢ（電子ビーム）溶接、ＬＢ（レーザービーム）溶接等で接合することができる。図８に示すシャント抵抗器Ａは、比較的大型のシャント抵抗であり、一個ずつ作ることがある。抵抗体の材料は、第１の実施の形態で説明したマンガンが４．５～５．５質量％、鉄が０．１０～０．３０質量％、シリコンが０．０５～０．３０質量％、残りは銅であるものを用いることができる。その他、第１の実施の形態で説明した合金を、目的に応じて使用することができる。
【0046】
本発明の抵抗合金をシャント抵抗器の製品に使用した場合の効果を確認するため、実施例１と比較例２のそれぞれの抵抗体を使用してシャント抵抗器を作成した。
【0047】
【表2】
【0048】
表２は、比較例２と実施例１を対比させたものであり、サイズ、抵抗値、ＴＣＲを示す表である。
シャント抵抗器の外形サイズは６．３ｍｍ×３．１ｍｍ、抵抗体の厚さは１ｍｍ、シャント抵抗器の定格抵抗値は０．２ｍΩである。
表２に示すように、実施例１の抵抗合金を使用した場合のシャント抵抗器は、比較例２の抵抗合金を使用した場合に比べて、定格抵抗値は同じであっても、比抵抗を小さくすることができるため、抵抗体の長さを２ｍｍから３ｍｍまで長くすることができる。従って、図１０（ａ）を参照して前述したように、ＴＣＲを低くすることができる。
シャント抵抗器の外形サイズは６．３ｍｍ×３．１ｍｍ、抵抗体の厚さは１ｍｍ、シャント抵抗器の定格抵抗値は０．２ｍΩである。
表２に示すように、実施例１の抵抗合金を使用した場合のシャント抵抗器は、比較例２の抵抗合金を使用した場合に比べて、定格抵抗値は同じであっても、比抵抗を小さくすることができるため、抵抗体の長さを２ｍｍから３ｍｍまで長くすることができる。従って、図１０（ａ）を参照して前述したように、ＴＣＲを低くすることができる。
【0049】
本実施の形態によるシャント抵抗器は、比較的高い比抵抗の抵抗体を使うことで、シャント抵抗器の設計上の自由度を確保することができる。
また、比較的高い比抵抗の抵抗合金を使用することで、電極として使われるＣｕの抵抗器全体におけるＴＣＲの寄与を相対的に小さくすることができる。このため、抵抗合金の特性を活かしたシャント抵抗器を実現することができる。
また、比較的高い比抵抗の抵抗合金を使用することで、電極として使われるＣｕの抵抗器全体におけるＴＣＲの寄与を相対的に小さくすることができる。このため、抵抗合金の特性を活かしたシャント抵抗器を実現することができる。
【0050】
ここで、本実施の形態では、抵抗材料のＴＣＲがマイナス側になるように調整した。このため、銅電極を接合した抵抗器自体のＴＣＲを小さくできる。
また、図８（ｂ）に示す構造・寸法のシャント抵抗器Ａにおいて、ＴＣＲを測定した。抵抗材料として比較例１を用いたシャント抵抗器は、ＴＣＲが７６ｐｐｍ／Ｋであった。これに対して、試料１を用いたシャント抵抗器では、ＴＣＲが５０ｐｐｍ／Ｋであった。このように、本実施の形態の抵抗合金を使用すると、ＴＣＲが０に近くなる方向に改善されることがわかる。
また、図８（ｂ）に示す構造・寸法のシャント抵抗器Ａにおいて、ＴＣＲを測定した。抵抗材料として比較例１を用いたシャント抵抗器は、ＴＣＲが７６ｐｐｍ／Ｋであった。これに対して、試料１を用いたシャント抵抗器では、ＴＣＲが５０ｐｐｍ／Ｋであった。このように、本実施の形態の抵抗合金を使用すると、ＴＣＲが０に近くなる方向に改善されることがわかる。
【0051】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。抵抗体と電極を接合した長尺状の接合材を作成して、打ち抜き切断して製造する例である。これにより、比較的小型のシャント抵抗器を大量生産することができる。
以下に、そのような製造工程の一例を示す。図９Ａから図９Ｆまでは、本実施の形態によるシャント抵抗器の製造工程の一例を示す図である。
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。抵抗体と電極を接合した長尺状の接合材を作成して、打ち抜き切断して製造する例である。これにより、比較的小型のシャント抵抗器を大量生産することができる。
以下に、そのような製造工程の一例を示す。図９Ａから図９Ｆまでは、本実施の形態によるシャント抵抗器の製造工程の一例を示す図である。
【0052】
図９Ａに示すように、例えば、長尺の平板状等の抵抗材２１と、抵抗材２１と同様の長尺の平板状の第１の電極材２５ａ、第２の電極材２５ｂを準備する。抵抗材２１は、第１，第２の実施の形態で説明した合金材料を用いる。
図９Ｂに示すように、抵抗材２１の両側に第１の電極材２５ａと第２の電極材２５ｂとをそれぞれ配置する。
図９Ｂに示すように、抵抗材２１の両側に第１の電極材２５ａと第２の電極材２５ｂとをそれぞれ配置する。
【0053】
図９Ｃにも示すように、例えば電子ビームやレーザービームなどで溶接して１枚の平板とする（Ｌ１１、Ｌ１２で接合する）。このとき、電子ビーム等の照射部位は、図９Ｃ（ａ）もしくは図９Ｃ（ｂ）とする。図９Ｃ（ａ）は、電極材２５ａ、２５ｂと抵抗材２１とによる平坦面側に電子ビーム等を照射した例である。図９Ｃ（ｂ）は、電極材２５ａ、２５ｂと抵抗材２１とによる凹みの内側に電子ビーム等を照射した例である。電極材２５ａ、２５ｂにおける抵抗材２１より突出した面には、電子ビーム等が照射されないようにして影響を少なくする。
抵抗材２１と電極材２５ａ、２５ｂとの厚さの差により、抵抗値を調整することもできる。また、図９Ｆにおいて後述する段差（Δｈ２）を形成することができる。接合位置により、抵抗値や形状に関する種々の調整を行うことも可能である。
抵抗材２１と電極材２５ａ、２５ｂとの厚さの差により、抵抗値を調整することもできる。また、図９Ｆにおいて後述する段差（Δｈ２）を形成することができる。接合位置により、抵抗値や形状に関する種々の調整を行うことも可能である。
【0054】
次いで、図９Ｄ（ａ）に示すように、図９Ｂの状態から、符号１７で示すように、抵抗材２１の領域を含むように、くし歯状に、平板を打ち抜くなどにより取り除く。次いで、第１の電極材２５ａ、第２の電極材２５ｂの一部をプレスなどで曲げ加工することで、図９Ｄ（ｂ）に断面図で示すような断面形状を有する構造を形成する。尚、符号２１ａ、ｂは溶接部であり、電子ビーム照射などで接続されている部分である。
【0055】
次いで、図９Ｅに示すように、電極の切り離されていない他端側（３５ｂ）を、Ｌ３１に沿って、残りの領域（基部）２５ｂ’から切り離す。第１の実施の形態による電流検出装置に用いる突合せ構造の抵抗器を形成することができる。本実施の形態による製造方法を用いると、電極３５ａ、３５ｂと抵抗体３１とからなる抵抗器の量産化が可能となるという利点がある。
【0056】
なお、図９Ｆの断面図に示すように、抵抗器には溶接痕４３ａ、４３ｂが形成される。一般に電子ビーム等による溶接痕の表面は荒れた状態になる。精密な電流検出のためには、ボンディングワイヤーをなるべく抵抗体に近い位置に固定するのが好ましいが、このとき溶接痕が邪魔になることがある。本実施例によれば、図９Ｃの説明で詳述した方法により、ボンディング面となる領域３５ａ－２、３５ｂ－２に溶接痕が形成されることを避けることができる。したがって、抵抗体に近い位置にワイヤを固定することができるという利点がある。
【0057】
本実施の形態によるシャント抵抗器は、比抵抗が１５から２５μΩ・ｃｍの範囲にある。
また、この抵抗合金は、ＴＣＲが１００×１０－６/Ｋ（２５－１００℃）以下である。
また、この抵抗合金は、対銅熱起電力が±１μＶ/Ｋ以内である。また、対銅熱起電力を、±０．５μＶ/Ｋ以内、さらに、±０．２μＶ/Ｋ以内にすることもできる。
以上の特性を有することで、小型かつ低抵抗のシャント抵抗器に適した抵抗合金であり、かつ、低ＴＣＲ値も実現することできる。シャント抵抗器を用いた電流検出装置の電流検出精度が良好となり、シャント抵抗器の小型化により、電流検出装置の省スペース化が可能になる。
また、この抵抗合金は、ＴＣＲが１００×１０－６/Ｋ（２５－１００℃）以下である。
また、この抵抗合金は、対銅熱起電力が±１μＶ/Ｋ以内である。また、対銅熱起電力を、±０．５μＶ/Ｋ以内、さらに、±０．２μＶ/Ｋ以内にすることもできる。
以上の特性を有することで、小型かつ低抵抗のシャント抵抗器に適した抵抗合金であり、かつ、低ＴＣＲ値も実現することできる。シャント抵抗器を用いた電流検出装置の電流検出精度が良好となり、シャント抵抗器の小型化により、電流検出装置の省スペース化が可能になる。
【0058】
上記の実施の形態において、図示されている構成等については、これらに限定されるものではなく、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。
また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【0059】
本発明は、抵抗器用の合金として利用可能である。
【符号の説明】
【0060】
Ｘ 抵抗器用の合金の評価用サンプル
Ｒ 適用領域
１，３ 両端の電極部（電流を流す部分）
５ 抵抗体
７，９ 電圧検出部
Ａ シャント抵抗器
１１ 個片状の抵抗体
１５ａ，１５ｂ 電極
２１ 長尺の平板状等の抵抗材
２５ａ 長尺の平板状の第１の電極材
２５ｂ 長尺の平板状の第２の電極材
３５ｂ 電極の切り離されていない他端側
４３ａ，４３ｂ 溶接痕
Ｒ 適用領域
１，３ 両端の電極部（電流を流す部分）
５ 抵抗体
７，９ 電圧検出部
Ａ シャント抵抗器
１１ 個片状の抵抗体
１５ａ，１５ｂ 電極
２１ 長尺の平板状等の抵抗材
２５ａ 長尺の平板状の第１の電極材
２５ｂ 長尺の平板状の第２の電極材
３５ｂ 電極の切り離されていない他端側
４３ａ，４３ｂ 溶接痕
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図9E】
【図9F】
【図10】