特許7165612IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体コンデンサ装置及び半導体コンデンサ装置モジュール

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１に記載された上部電極と下部電極とは、キャパシタの両端に位置する構造であるため、これらの電極を外部端子に接続した際に電流経路のインダクタンスが大きくなる。これにより、キャパシタ動作時の電流によって生じるサージ電圧が大きくなるおそれがある

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様に係る半導体コンデンサ装置は、半導体基板と、半導体基板の内部に形成された誘電層と、誘電層を挟む第１電極及び、第１電極とは異なる極性を有する第２電極とを備え、少なくとも１つの第１電極の一部が、半導体基板の主面に配置され、少なくとも２つの第２電極の一部が、主面に配置された第１電極を挟むように主面に配置された半導体コンデンサと、第１電極に接合される第１金属端子と、第２電極のそれぞれに・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、等価直列抵抗の低減及びインダクタンスの低減を両立させることができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明の第１半導体コンデンサ装置の平面図である。
【図2】 図２は、本発明の第１半導体コンデンサ装置の側面図である。
【図3】 図３は、本発明の第１半導体コンデンサ装置の平面図である。
【図4】 図４は、本発明の第１半導体コンデンサ装置の側面図である。
【図5】 図５は、本発明の第１半導体コンデンサ装置の側面図である。
【図6】 図６は、本発明の第２半導体コンデンサ装置の平面図である。
【図7】 図７は、本発明の第２半導体コンデンサ装置の側面図である。
【図8】 図８は、本発明の第２半導体コンデンサ装置の側面図である。
【図9】 図９は、本発明の第３半導体コンデンサ装置の平面図である。
【図10】 図１０は、本発明の第３半導体コンデンサ装置の断面図であって、図９のＡ－Ａ線断面図である。
【図11】 図１１は、本発明の第３半導体コンデンサ装置の平面図である。
【図12】 図１２は、本発明の第３半導体コンデンサ装置の断面図であって、図１１のＡ－Ａ線断面図である。
【図13】 図１３は、本発明の第４半導体コンデンサ装置の断面図である。
【図14】 図１４は、本発明の第５半導体コンデンサ装置の断面図である。
【図15】 図１５は、本発明の第５半導体コンデンサ装置モジュールの断面図である。
【図16】 図１６は、本発明の第５半導体コンデンサ装置モジュールの側面図である。
【図17】 図１７は、本発明の第６半導体コンデンサ装置モジュールの平面図である。
【図18】 図１８は、本発明の第６半導体コンデンサ装置モジュールの断面図であって、図１７のＡ－Ａ線断面図である。
【図19】 図１９は、本発明の他の半導体コンデンサ装置の平面図である。
【図20】 図２０は、本発明の他の半導体コンデンサ装置の側面図である。
【図21】 図２１は、本発明の他の半導体コンデンサ装置の平面図である。
【図22】 図２２は、本発明の他の半導体コンデンサ装置の側面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 半導体基板 ２ 主面 ３ 高電位電極 ４ 低電位電極 ５、９ 高電位金属端子 ６ 低電位金属端子 ７ 誘電層 ８ 裏面

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