特許 7167218 銀ナノワイヤ保護層構造体およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-10-28

(45)【発行日】2022-11-08

(54)【発明の名称】銀ナノワイヤ保護層構造体およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   B22F 1/102 20220101AFI20221031BHJP

   B22F 1/00 20220101ALI20221031BHJP

   H01B 5/14 20060101ALI20221031BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20221031BHJP

【ＦＩ】

B22F1/102

B22F1/00 K

H01B5/14 Z

H01B13/00 503Z

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2021037875

(22)【出願日】2021-03-09

(65)【公開番号】P2022077947

(43)【公開日】2022-05-24

【審査請求日】2021-03-10

(31)【優先権主張番号】202011264100.7

(32)【優先日】2020-11-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】520384910

【氏名又は名称】カンブリオス フィルム ソリューションズ（シアメン） コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】Ｃａｍｂｒｉｏｓ Ｆｉｌｍ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ （Ｘｉａｍｅｎ） Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】ワン イェシェン

(72)【発明者】

【氏名】ファン ウェイチア

(72)【発明者】

【氏名】チュー チュンフン

(72)【発明者】

【氏名】シャオ チュンチン

(72)【発明者】

【氏名】リン ヤーチン

(72)【発明者】

【氏名】チェン シーチン

【審査官】中西 哲也

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０３１６９５５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０５９６０２９８（ＣＮ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０３５８８１６６（ＣＮ，Ａ）

【文献】特表２００９－５０５３５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１３２０８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１７－５２０８９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ２２Ｆ １／００－９／３０

Ｈ０１Ｂ １／００－１９／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の基板；
前記第１の基板上に配置され、前記第１の基板の表面の部分領域のみを覆い、複数の銀ナノワイヤ（ＳＮＷ）チャネルを含むＳＮＷ層；および
前記ＳＮＷ層上に配置され、前記複数のＳＮＷチャネルに対応する領域を覆い、耐光性酸化防止剤を含むＳＮＷ保護層、
を含むＳＮＷ保護層構造体であり、前記ＳＮＷ保護層構造体のｂ^＊は０．９６以下であることを特徴とする、ＳＮＷ保護層構造体。

【請求項2】

前記ＳＮＷ保護層の被覆面積が、前記第１の基板の表面の６％～６０％を占めることを特徴とする請求項１に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項3】

前記ＳＮＷ保護層の幅が、２μｍ～１ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項4】

前記ＳＮＷ保護層の厚さが、１０ｎｍ～２０００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項5】

前記複数のＳＮＷチャネルが、波形状であることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項6】

前記ＳＮＷ層が、さらに、前記複数のＳＮＷチャネルの間に配置される複数のＳＮＷダミーを含み、前記ＳＮＷダミーは銀ナノワイヤを含むことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項7】

さらに、前記ＳＮＷ層と前記第１の基板との間に配置される複数の導電性ワイヤを含むことを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項8】

さらに、前記ＳＮＷ保護層上に配置される被覆層を含むことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項9】

さらに、
前記第１の基板の下に配置される第２の基板；
前記第２の基板上に配置され、前記第１の基板の下に位置し、前記第２の基板の表面の部分領域のみを覆い、複数の第２のＳＮＷチャネルを含む第２のＳＮＷ層；
前記第２のＳＮＷ層上に配置され、前記第１の基板の下に位置し、前記複数の第２のＳＮＷチャネルに対応する領域を覆い、少なくとも１つの前記耐光性酸化防止剤または他の耐光性酸化防止剤を含む第２のＳＮＷ保護層；および
前記第２のＳＮＷ保護層上に配置され、前記第１の基板の下に位置する第２の被覆層、
を含むことを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項10】

さらに、
前記第１の基板の下に配置され、前記第１の基板の第２の表面の部分領域のみを覆い、複数の第２のＳＮＷチャネルを含む第２のＳＮＷ層；
前記第２のＳＮＷ層の下に配置され、前記複数の第２のＳＮＷチャネルに対応する領域を覆い、少なくとも１つの前記耐光性酸化防止剤または他の耐光性酸化防止剤を含む第２のＳＮＷ保護層；および
前記第２のＳＮＷ保護層の下に配置される第２の被覆層、
を含むことを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載のＳＮＷ保護層構造体。

【請求項11】

第１の基板を用意するステップ；
前記第１の基板上に、前記第１の基板の表面の部分領域のみを覆い、複数の銀ナノワイヤ（ＳＮＷ）チャネルを含むＳＮＷ層を配置するステップ；および
前記ＳＮＷ層上に、前記複数のＳＮＷチャネルに対応する領域を覆い、耐光性酸化防止剤を含むＳＮＷ保護層を配置するステップ、
を含むＳＮＷ保護層構造体の製造方法であり、前記ＳＮＷ保護層構造体のｂ^＊は０．９６以下であることを特徴とするＳＮＷ保護層構造体の製造方法。

【請求項12】

前記ＳＮＷ保護層の被覆面積が、前記第１の基板の表面の６％～６０％を占めることを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。

【請求項13】

前記ＳＮＷ保護層の幅が、２μｍ～１ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の製造方法。

【請求項14】

前記ＳＮＷ保護層の厚さが、１０ｎｍ～２０００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１１～１３のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項15】

前記複数のＳＮＷチャネルが、波形状であることを特徴とする請求項１１～１４のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項16】

前記ＳＮＷ層が、さらに、前記複数のＳＮＷチャネルの間に配置される複数のＳＮＷダミーを含み、前記ＳＮＷダミーは銀ナノワイヤを含むことを特徴とする請求項１１～１５のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項17】

さらに、前記第１の基板上に、前記ＳＮＷ層と前記第１の基板との間に配置される複数の導電性ワイヤを配置するステップを含むことを特徴とする請求項１１～１６のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項18】

さらに、前記ＳＮＷ保護層上に被覆層を配置するステップを含むことを特徴とする請求項１１～１７のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項19】

さらに、
前記第１の基板の下に第２の基板を配置するステップ；
前記第２の基板上に、前記第１の基板の下に配置され、前記第２の基板の表面の部分領域のみを覆い、複数の第２のＳＮＷチャネルを含む第２のＳＮＷ層を配置するステップ；
前記第２の基板上に、前記第２のＳＮＷ層上に配置され、前記第１の基板の下に位置し、前記複数の第２のＳＮＷチャネルに対応する領域を覆い、少なくとも１つの前記耐光性酸化防止剤または他の耐光性酸化防止剤を含む第２のＳＮＷ保護層を配置するステップ；および
前記第２のＳＮＷ保護層上に、前記第１の基板の下に位置する第２の被覆層を配置するステップ、
を含むことを特徴とする請求項１１～１８のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項20】

さらに、
前記第１の基板の下に、前記第１の基板の第２の表面の部分領域のみを覆い、複数の第２のＳＮＷチャネルを含む第２のＳＮＷ層を配置するステップ；
前記第２のＳＮＷ層の下に、前記複数の第２のＳＮＷチャネルに対応する領域を覆い、少なくとも１つの前記耐光性酸化防止剤または他の耐光性酸化防止剤を含む第２のＳＮＷ保護層を配置するステップ；および
前記第２のＳＮＷ保護層の下に、第２の被覆層を配置するステップ、
を含むことを特徴とする請求項１１～１８のいずれか一項に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明（本開示）は、銀ナノワイヤ（ＳＮＷ）保護層構造体（protection layer structure）、特に、ＳＮＷ保護層が複数のＳＮＷチャネルに対応する領域のみを覆うＳＮＷ保護層構造体に関する。本発明は、さらに、上記ＳＮＷ保護層構造体の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の銀ナノワイヤ（ＳＮＷ）保護層構造体１０およびその製造方法は、図１に示す通りである。従来のＳＮＷ保護層構造体１０では、パターン化されたＳＮＷ層１２が基板１１上に配置された後、ＳＮＷ層１２上に配置されたＳＮＷ保護層１３が基板１１の全領域を覆う。

【0003】

ＳＮＷ保護層の主な機能は、導電性を低下させるおそれのある光酸化のためにＳＮＷ層が無効にならないように、ＳＮＷ層を保護することである。

【0004】

しかしながら、従来のＳＮＷ保護層構造体のＳＮＷ保護層の構成要素に含まれる耐光性酸化防止剤が青色光および紫色光を吸収し、ＳＮＷ保護層が基板上の全領域を覆ってしまい、従来のＳＮＷ保護層構造体全体が著しく黄変する現象が発生する。本発明に関連する先行技術文献としては、下記特許文献１および２が挙げられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】中国特許出願公開第１０９２４３６７７号明細書

【文献】中国特許出願公開第１０９６８６４７６号明細書

【発明の概要】

【0006】

従来技術における従来のＳＮＷ保護層構造体全体の著しい黄変の問題を改善するために、本発明は、新規な銀ナノワイヤ（ＳＮＷ）保護層構造体およびその製造方法を提供する。

【0007】

上記および他の目的を達成するために、本発明は、以下を含むＳＮＷ保護層構造体を提供する：（第１の）基板；前記（第１の）基板上に配置され、前記（第１の）基板の表面の部分領域（一部の領域）のみを覆う（第１の）ＳＮＷ層であって、複数の（第１の）ＳＮＷチャネルを含む（第１の）ＳＮＷ層；および、（第１の）ＳＮＷ層上に配置され、複数の（第１の）ＳＮＷチャネルに対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含む（第１の）ＳＮＷ保護層。

【0008】

上述したＳＮＷ保護層構造体では、（第１の）ＳＮＷ保護層の被覆面積（カバー領域）（cover area）は、前記（第１の）基板の表面の６％～６０％を占めることができる。

【0009】

上述したＳＮＷ保護層構造体では、（第１の）ＳＮＷ保護層の幅は、２μｍ～１ｍｍの範囲内とすることができる。

【0010】

上述したＳＮＷ保護層構造体では、（第１の）ＳＮＷ保護層の厚さは、１０ｎｍ～２０００ｎｍの範囲内とすることができる。

【0011】

上述したＳＮＷ保護層構造体では、複数の（第１の）ＳＮＷチャネルは波形状（波形、corrugate）とすることができる。

【0012】

上述したＳＮＷ保護層構造体では、（第１の）ＳＮＷ層は、さらに、複数の（第１の）ＳＮＷチャネルの間に配置された複数のＳＮＷダミー（dummy）を含むことができる。

【0013】

上述したＳＮＷ保護層構造体は、さらに、（第１の）ＳＮＷ層と（第１の）基板との間に配置される複数の導電性ワイヤを含むことができる。

【0014】

上述したＳＮＷ保護層構造体は、さらに、（第１の）ＳＮＷ保護層上に配置される（第１の）被覆層を含むことができる。

【0015】

上述したＳＮＷ保護層構造体は、さらに、以下を含むことができる：（第１の）ＳＮＷ保護層構造体の下に配置される第２のＳＮＷ保護層構造体であって、第２の基板を含む第２のＳＮＷ保護層構造体；前記第２の基板上に配置され、前記第２の基板の表面の部分領域のみを覆う、第２のＳＮＷ層であって、複数の第２のＳＮＷチャネルを含む第２のＳＮＷ層；前記第２のＳＮＷ層上に配置され、前記複数の第２のＳＮＷチャネルに対応する領域のみを覆う第２のＳＮＷ保護層であって、少なくとも１つの前記耐光性酸化防止剤または他の耐光性酸化防止剤を含む第２のＳＮＷ保護層；および、前記第２のＳＮＷ保護層上に配置される第２の被覆層。

【0016】

上述したＳＮＷ保護層構造体は、さらに、以下を含むことができる：（第１の）基板の下に配置され、該（第１の）基板の第２の表面の部分領域のみを覆う第２のＳＮＷ層であって、複数の第２のＳＮＷチャネルを含む第２のＳＮＷ層；前記第２のＳＮＷ層の下に配置され、前記複数の第２のＳＮＷチャネルに対応する領域のみを覆う第２のＳＮＷ保護層であって、少なくとも１つの前記耐光性酸化防止剤または他の耐光性酸化防止剤を含む第２のＳＮＷ保護層；および、前記第２のＳＮＷ保護層の下に配置される第２の被覆層。

【0017】

上記および他の目的を達成するために、本発明は、さらに、以下のステップ（工程）を含む、ＳＮＷ保護層構造体の製造方法を提供する：（第１の）基板を用意する（provide）ステップ；前記（第１の）基板上に、複数の（第１の）ＳＮＷチャネルを含みかつ前記（第１の）基板の表面の部分領域のみを覆う（第１の）ＳＮＷ層を配置するステップ；および、前記（第１の）ＳＮＷ層上に、耐光性酸化防止剤を含みかつ複数の（第１の）ＳＮＷチャネルに対応する領域のみを被覆する、（第１の）ＳＮＷ保護層を配置するステップ。

【0018】

上述した製造方法では、前記（第１の）ＳＮＷ保護層の被覆面積は、前記（第１の）基板の表面の６％～６０％を占めることができる。

【0019】

上述した製造方法では、前記（第１の）ＳＮＷ保護層の幅は、２μｍ～１ｍｍの範囲内とすることができる。

【0020】

上述した製造方法では、前記（第１の）ＳＮＷ保護層の厚さは、１０ｎｍ～２０００ｎｍの範囲内とすることができる。

【0021】

上述した製造方法では、前記複数の（第１の）ＳＮＷチャネルは波形状とすることができる。

【0022】

上述した製造方法では、前記（第１の）ＳＮＷ層は、さらに、前記複数の（第１の）ＳＮＷチャネルの間に配置される複数のＳＮＷダミーを含むことができる。

【0023】

上述した製造方法は、さらに、以下のステップを含むことができる：前記（第１の）基板上に、前記（第１の）ＳＮＷ層と前記（第１の）基板との間に配置される、複数の導電性ワイヤを配置するステップ。

【0024】

上述した製造方法は、さらに、以下のステップを含むことができる：前記（第１の）ＳＮＷ保護層上に、前記（第１の）被覆層を配置するステップ。

【0025】

上述した製造方法は、さらに、以下のステップを含むことができる：前記（第１の）基板の下に第２の基板を配置するステップ；前記（第１の）基板の下に配置され、前記第２の基板の表面の部分領域のみを覆いかつ複数の第２のＳＮＷチャネルを含む第２のＳＮＷ層を、前記第２の基板上に配置するステップ；前記第２のＳＮＷ層上かつ前記（第１の）基板の下に配置され、前記複数の第２のＳＮＷチャネルに対応する領域のみを覆い、前記耐光性酸化防止剤または他の耐光性酸化防止剤の少なくとも１つを含む第２のＳＮＷ保護層を、前記第２の基板上に配置するステップ；および、前記（第１の）基板の下に位置する第２の被覆層を、前記第２のＳＮＷ保護層上に配置するステップ。

【0026】

上述した製造方法は、さらに、以下のステップを含むことができる：前記（第１の）基板の第２の表面の部分領域のみを覆いかつ複数の第２のＳＮＷチャネルを含む第２のＳＮＷ層を、前記（第１の）基板の下に配置するステップ；複数の第２のＳＮＷチャネルに対応する領域のみを覆いかつ前記耐光性酸化防止剤または他の耐光性酸化防止剤の少なくとも１つを含む第２のＳＮＷ保護層を、前記第２のＳＮＷ層の下に配置するステップ。

【0027】

本発明のＳＮＷ保護層構造体およびその製造方法は、従来技術における従来のＳＮＷ保護層構造体全体の顕著な黄変の問題を効果的に改善することができる。さらに、本発明のＳＮＷ保護層構造体およびその製造方法は、それらを適用するタッチセンサの光学性能を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】図１は、従来技術における銀ナノワイヤ（ＳＮＷ）保護層構造体である。

【0029】

【図2】図２は、第１の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の概略図である。

【0030】

【図3】図３は、第１の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の断面線Ａ－Ａに沿った概略断面図である。

【0031】

【図4】図４は、第１の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の断面線Ｂ－Ｂに沿った概略断面図である。

【0032】

【図5】図５は、第１の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の製造方法のフローチャートである。

【0033】

【図6】図６は、第２の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の概略図である。

【0034】

【図7】図７は、第２の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の断面線Ａ－Ａに沿った概略断面図である。

【0035】

【図8】図８は、第２の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の断面線Ｂ－Ｂに沿った概略断面図である。

【0036】

【図9】図９は、第３の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の概略図である。

【0037】

【図10】図１０は、第３の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の上部構造の製造工程を示す概略図である。

【0038】

【図11】図１１は、第３の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体の下部構造の製造工程を示す概略図である。

【0039】

【図12】図１２は、第４の実施形態におけるＳＮＷ保護層構造体およびその製造方法の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0040】

本発明の目的、特徴、および効果の理解を容易にするために、本発明の詳細な説明のための添付図面とともに実施形態を提供する。

【0041】

なお、文脈において別段の指定がない限り、詳細な説明および添付の特許請求の範囲において使用される単数形の用語である「ａ／ａｎ」および「ｔｈｅ」は、複数の形態の意味を含む（カバーする）ものとする。

【0042】

文脈において別段の指定がない限り、詳細な説明および添付の特許請求の範囲において使用される用語「または（or）」は、「および／または」の意味を包むものとする。

【0043】

文脈において使用される用語「ピッチ（pitch）」は、銀ナノワイヤ（ＳＮＷ）チャネルの中心軸と、別のＳＮＷチャネルの中心軸との間の最短距離を指す。

【0044】

（第１の実施形態）
図２～図４に示すように、第１の実施形態のＳＮＷ保護層構造体２０は、以下のものを含む：基板２１（図２には示されていない）；基板２１上に配置され、基板２１の表面の一部の領域のみを覆い、複数のＳＮＷチャネル２２１を含むＳＮＷ層２２；および、ＳＮＷ層２２上に配置され、複数のＳＮＷチャネル２２１に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含むＳＮＷ保護層２３。限定ではなく例として、耐光性酸化防止剤は、ベンゾトリアゾール、２－ヒドロキシ－４－メトキシベンゾフェノン、２－（２’－ヒドロキシ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、オクタベンゾンを挙げることができる。

【0045】

第１の実施形態のＳＮＷ保護層構造体２０は、図５に示す製造方法により製造することができる。図５に示すように、第１の実施形態のＳＮＷ保護層構造体２０の製造方法は、以下のステップを含む：Ｓ１、基板２１を用意する；Ｓ２、ＳＮＷ層２２を基板２１上に配置し、ＳＮＷ層２２は基板２１の表面の一部の領域のみを覆い、複数のＳＮＷチャネル２２１を含む；および、Ｓ３、ＳＮＷ保護層２３をＳＮＷ層２２上に配置し、ＳＮＷ保護層２３は、複数のＳＮＷチャネル２２１に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含む。

【0046】

従来技術と比較して、第１の実施形態のＳＮＷ保護層構造体２０およびその製造方法では、ＳＮＷ保護層２３は、複数のＳＮＷチャネル２２１に対応する領域のみをカバーしているため、ＳＮＷ保護層２３の被覆面積を減らすことができ、さらに、従来のＳＮＷ保護層構造体全体の重大な黄変の問題を効果的に改善するとともに、導電性不良の原因となる光酸化による無効化を効果的に防止することができる。

【0047】

第１の実施形態のＳＮＷ保護層構造体２０およびその製造方法においては、ＳＮＷ保護層２３の被覆面積は特に限定されない。好ましい実施形態では、ＳＮＷ保護層２３の被覆面積は、基板２１の表面の６％～６０％を占める。

【0048】

第１の実施形態のＳＮＷ保護層構造体２０およびその製造方法においては、ＳＮＷ保護層２３の幅は特に規定されていない。好ましい実施形態では、ＳＮＷ保護層２３の幅は、２μｍ～１ｍｍの範囲内にある。例えば、幅が２μｍ未満の場合、ＳＮＷ保護層２３が折れ曲がった状態でクラックを生じる可能性があり、幅が１ｍｍを超える場合、ＳＮＷ保護層２３の視認性（visibility）に影響を及ぼす可能性がある（例えば、ＳＮＷ保護層２３の透明度は、４００ｎｍ～７００ｎｍの間の波長を有する可視光に曝されたときに、特定の閾値未満に低下する可能性がある）。

【0049】

第１の実施形態のＳＮＷ保護層構造体２０およびその製造方法においては、ＳＮＷ保護層２３の厚さは特に規定されていない。好ましい実施形態では、ＳＮＷ保護層２３の厚さは、１０ｎｍ～２０００ｎｍの範囲内である。例えば、厚さが１０ｎｍ未満の場合、ＳＮＷ保護層２３が折れ曲がった状態でクラックを生じる可能性があり、厚さが２０００ｎｍを超える場合、視認性に影響を及ぼす可能性がある。

【0050】

（第２の実施形態）
図６～図８に示すように、第２の実施形態のＳＮＷ保護層構造体３０は、以下のものを含む：基板３１（図６には示されていない）；基板３１上に配置され、基板３１の表面の一部の領域のみを覆い、複数のＳＮＷチャネル３２１を含むＳＮＷ層３２；および、ＳＮＷ層３２上に配置され、複数のＳＮＷチャネル３２１に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含むＳＮＷ保護層３３。

【0051】

第１の実施形態と比較して、第２の実施形態のＳＮＷ保護層構造体３０における複数のＳＮＷチャネル３２１は波形状である。

【0052】

第１の実施形態と比較して、第２の実施形態のＳＮＷ保護層構造体３０は、さらに、以下のものを含む：複数のＳＮＷチャネル３２１の間に配置される、複数のＳＮＷダミー３２２。本明細書で使用される場合、複数のＳＮＷダミー３２２は、互いにおよび複数のＳＮＷチャネル３２１から絶縁された（すなわち、分離されている）複数のＳＮＷチャネル３２１間に画定される構造である。複数のＳＮＷダミー３２２および複数のＳＮＷチャネル３２１は、同じ材料で形成されてもよいが、複数のＳＮＷダミー３２２は、信号を搬送することを意図せず、いくつかの実施形態では、ＳＮＷ保護層構造体３０の表面にわたる視認性を帰化させる（すなわち、実質的に均一な視認性を維持する）ために使用される。

【0053】

第２の実施形態のＳＮＷ保護層構造体３０は、複数の波形状ＳＮＷチャネル３２１および複数のＳＮＷダミー３２２により、ＳＮＷ保護層３３を適用するタッチセンサにおけるモアレパターンの発生を防止し、さらに、タッチセンサの光学特性をより向上させることができる。

【0054】

（第３の実施形態）
図９～図１１に示すように、第３の実施形態のＳＮＷ保護層構造体４０は、以下のものを含む：基板４１；基板４１上に配置され、基板４１の表面の一部の領域のみを覆い、複数のＳＮＷチャネル４２１（図９には示されていない）と、複数のＳＮＷチャネル４２１の間に配置される複数のＳＮＷダミー４２２（図９には示されていない）とを含むＳＮＷ層４２；および、ＳＮＷ層４２上に配置され、複数のＳＮＷチャネル４２１に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含む、ＳＮＷ保護層４３。

【0055】

第２の実施形態と比較して、第３の実施形態のＳＮＷ保護層構造体４０は、さらに、以下のものを含む：ＳＮＷ層４２と基板４１との間に配置される、複数の導電性ワイヤ４５；しかしながら、本発明は、上記レイアウトに限定されるものではない。

【0056】

第２の実施形態と比較して、第３の実施形態のＳＮＷ保護層構造体４０は、さらに、以下のものを含む：ＳＮＷ保護層４３上に配置される被覆層４６；しかしながら、本発明は、上記レイアウトに限定されるものではない。

【0057】

第２の実施形態と比較して、第３の実施形態のＳＮＷ保護層構造体４０は、さらに、以下のものを含む：基板４１の下に配置された第２の基板４１’；第２の基板４１’上に配置され、基板４１の下に位置し、第２の基板４１’の表面の一部の領域のみを覆い、複数の第２のＳＮＷチャネル４２１’と、複数の第２のＳＮＷダミー４２２’とを含む第２のＳＮＷ層４２’；第２のＳＮＷ層４２’上に配置され、基板４１の下に位置し、複数の第２のＳＮＷチャネル４２１’に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含む第２のＳＮＷ保護層４３’；第２のＳＮＷ層４２’と第２の基板４１’との間に配置される複数の第２の導電性ワイヤ４５’；第２のＳＮＷ保護層４３’上に配置され、基板４１の下に位置する第２の被覆層４６’。

【0058】

第３の実施形態のＳＮＷ保護層構造体４０の製造工程は、図９～図１１に示す通りである。図１０に示すように、ＳＮＷ保護層構造体４０の上部構造は、以下のステップによって作製することができる：基板４１を提供するステップ；複数の導電性ワイヤ４５を基板４１上に配置するステップ、その際、複数の導電性ワイヤ４５を複数のＳＮＷチャネル４２１と基板４１との間に配置する；ＳＮＷ層４２を基板４１上に配置するステップ、その際、ＳＮＷ層４２を基板４１の表面の一部の領域のみを覆うようにし、ＳＮＷ層４２が複数のＳＮＷチャネル４２１と、複数のＳＮＷチャネル４２１の間に配置された複数のＳＮＷダミー４２２とを含むようにする；フレキソ印刷技術を適用することにより、ＳＮＷ保護層４３をＳＮＷ層４２上に配置するステップ、その際、ＳＮＷ保護層４３が複数のＳＮＷチャネル４２１に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含むようにする；および、被覆層４６をＳＮＷ保護層４３上に配置するステップ。

【0059】

図１１に示すように、ＳＮＷ保護層構造体４０の下部構造は、以下のステップによって作製することができる：第２の基板４１’を提供するステップ；複数の第２の導電性ワイヤ４５’を第２の基板４１’上に配置するステップ、その際、複数の第２の導電性ワイヤ４５’を複数の第２のＳＮＷチャネル４２１’と第２の基板４１’との間に配置する；第２のＳＮＷ層４２’を第２の基板４１’上に配置するステップ、その際、第２のＳＮＷ層４２’を第２の基板４１’の表面の一部の領域のみを覆うようにし、第２のＳＮＷ層４２’を複数の第２のＳＮＷチャネル４２１’と、複数の第２のＳＮＷチャネル４２１’の間に配置される複数の第２のＳＮＷダミー４２２’とを含むようにする；フレキソ印刷技術を適用することにより、第２のＳＮＷ保護層４３’を第２のＳＮＷ層４２’上に配置するステップ、その際、第２のＳＮＷ保護層４３’が複数の第２のＳＮＷチャネル４２１’に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含むようにする；および、第２の被覆層４６’を第２のＳＮＷ保護層４３’上に配置するステップ。

【0060】

最後に、図１０に示すＳＮＷ保護層構造体４０の上部構造と、図１１に示すＳＮＷ保護層構造体４０の下部構造とを重ね合わせることにより、第３の実施形態のＳＮＷ保護層構造体４０が得られる。

【0061】

第３の実施形態のＳＮＷ保護層構造体４０における、ＳＮＷ保護層４３および第２のＳＮＷ保護層４３’は、フレキソ印刷技術によって製造される；しかしながら、本発明は、上記の製造方法に限定されるものではなく、グラビア印刷技術によって、ＳＮＷ保護層４３および第２のＳＮＷ保護層４３’を製造することもできる。

【0062】

第３の実施形態のＳＮＷ保護層構造体４０の上部構造および下部構造における、ＳＮＷチャネル４２１および第２のＳＮＷチャネル４２１’は、９０°交差するため、上部構造および下部構造は、タッチセンサの送信（Ｔｘ）層および受信（Ｒｘ）層として機能できる。

【0063】

（第４の実施形態）
図１２に示すように、第４の実施形態のＳＮＷ保護層構造体５０は、以下のものを含む：基板５１；基板５１上に配置され、基板５１の表面の一部の領域のみを覆い、複数のＳＮＷチャネル５２１と、複数のＳＮＷチャネル５２１の間に配置される複数のＳＮＷダミー５２２とを含むＳＮＷ層５２；ＳＮＷ層５２上に配置され、複数のＳＮＷチャネル５２１に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含むＳＮＷ保護層５３；ＳＮＷ層５２と基板５１との間に配置される複数の導電性ワイヤ５５；および、ＳＮＷ保護層５３上に配置される被覆層５６。

【0064】

第４の実施形態のＳＮＷ保護層構造体５０は、さらに、以下のものを含む：基板５１の下に配置され、基板５１の第２の表面の一部の領域のみを覆い、複数の第２のＳＮＷチャネル５２１’と、複数の第２のＳＮＷチャネル５２１’の間に配置される複数の第２のＳＮＷダミー５２２’とを含む、第２のＳＮＷ層５２’；第２のＳＮＷ層５２’の下に配置され、複数の第２のＳＮＷチャネル５２１’に対応する領域のみを覆い、耐光性酸化防止剤を含む、第２のＳＮＷ保護層５３’；第２のＳＮＷ層５２’と基板５１との間に配置される複数の第２の導電性ワイヤ５５’；および、第２のＳＮＷ保護層５３’の下に配置される第２の被覆層５６’。

【0065】

（第１の比較例）
第１の比較例は、ＳＮＷ保護層を備えていないＳＮＷ構造体であり、以下のもののみ含む：基板；前記基板上に配置され、前記基板の表面の部分領域のみを覆い、複数のＳＮＷチャネルと、前記複数のＳＮＷチャネルの間に配置される複数のＳＮＷダミーとを含む、ＳＮＷ層。第１の比較例における基板およびＳＮＷ層は、前記第２の実施形態のものと同じであり、相違点は、第１の比較例のＳＮＷ構造体がＳＮＷ保護層を含まないことだけである。

【0066】

（第２の比較例）
第２の比較例のＳＮＷ保護層構造体は、前記第２の実施形態のＳＮＷ保護層構造体とほぼ同じであり、相違点は、第１の比較例のＳＮＷ保護層構造体において、ＳＮＷ保護層が基板の表面の全領域を覆っていることだけである。

【0067】

（試験例）
従来技術における従来のＳＮＷ保護層構造体全体の顕著な黄変の問題を改善することに関して、本発明のＳＮＷ保護層構造体の効果を理解するために、第２の実施形態、第１の比較例および第２の比較例におけるＳＮＷ保護層構造体またはＳＮＷ構造体の光学特性を試験する。

【0068】

第２の実施形態、第１の比較例および第２の比較例におけるＳＮＷ保護層構造体またはＳＮＷ構造体は、同一の基板およびＳＮＷ層を有する；相違点は、以下の通りである：第２の実施形態のＳＮＷ保護層は、複数のＳＮＷチャネルに対応する領域のみを覆い、第１の比較例は、ＳＮＷ保護層を含まず、第２の比較例のＳＮＷ保護層は、基板表面の全領域を覆う。

【0069】

具体的には、第２の実施形態、第１の比較例、および第２の比較例のＳＮＷ保護層構造体またはＳＮＷ構造体における基板の寸法は、１５ｃｍ×１５ｃｍである。第２の実施形態、第１の比較例、および第２の比較例のＳＮＷ保護層構造体またはＳＮＷ構造体におけるＳＮＷチャネルのピッチは５．２６ｍｍであり、幅は０．１８２３ｍｍであり、ＳＮＷチャネルは基板表面の１０．４％を占め、ＳＮＷ層におけるＳＮＷの濃度は０．０７ｗｔ％である。第２の実施形態および第２の比較例のＳＮＷ保護層構造体におけるＳＮＷ保護層の厚さは９０ｎｍである。

【0070】

第２の実施形態、第１の比較例、および第２の比較例のＳＮＷ保護層構造体またはＳＮＷ構造体について２回の繰り返し試験を行い、その平均値を算出する。試験結果を下記表１に示す。

【0071】

【表1】

【0072】

Ｌ、ａ^＊、およびｂ^＊は、ＣＩＥＬＡＢ色空間における様々な値を表す。Ｌ^＊は黒（０）から白（１００）までの明度を表し、ａ^＊は赤－緑軸上で緑（－）から赤（＋）までを表し、ｂ^＊は黄－青軸上で青（－）から黄（＋）までを表す。表１のｂ^＊の値は、ＳＮＷ保護層構造体の黄変指数として機能できる。本発明の第２の実施形態のＳＮＷ保護層構造体は、第２の比較例と比較して、ｂ^＊値が小さい。本発明のＳＮＷ保護層構造体およびその製造方法が、従来技術のＳＮＷ保護層構造体全体の重大な黄変の問題を効果的に改善することができることは明らかである。

【0073】

本発明は、特定の実施形態によって説明されてきたが、当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲および精神から逸脱することなく、多くの修正および変形を行うことができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】