特許 7167988 伝送線路基板、および伝送線路基板の接合構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-10-31

(45)【発行日】2022-11-09

(54)【発明の名称】伝送線路基板、および伝送線路基板の接合構造

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/18 20060101AFI20221101BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20221101BHJP

   H01R 12/73 20110101ALI20221101BHJP

【ＦＩ】

H05K1/18 S

H05K1/18 J

H05K1/02 J

H05K1/02 N

H01R12/73

【請求項の数】 25

(21)【出願番号】P 2020538389

(86)(22)【出願日】2019-08-20

(86)【国際出願番号】 JP2019032353

(87)【国際公開番号】W WO2020040108

(87)【国際公開日】2020-02-27

【審査請求日】2021-02-05

(31)【優先権主張番号】P 2018155303

(32)【優先日】2018-08-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】永井 智浩

(72)【発明者】

【氏名】山地 和裕

(72)【発明者】

【氏名】多胡 茂

【審査官】柴垣 宙央

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１７／１９９９３０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１６／０５６４９６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－０４６２１３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／１８

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０１Ｒ １２／７３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材に形成される第１信号線および第２信号線と、
前記絶縁性基材に形成され、前記第１信号線に接続され、容量結合により他の回路基板に接続される第１信号電極と、
前記第１主面に形成され、前記第２信号線に接続され、導電性接合材を介して前記他の回路基板に接続される第２信号電極と、
を備え、
前記第１信号線は、第１周波数帯を伝送する信号線であり、
前記第２信号線は、前記第１周波数帯よりも低い第２周波数帯の信号を伝送する信号線である、伝送線路基板。

【請求項2】

前記第１主面に配置される複数のグランド電極を備え、
前記複数のグランド電極は、前記第１主面の平面視で、前記第１信号電極および前記第２信号電極の周囲を囲む位置に配置される、請求項１に記載の伝送線路基板。

【請求項3】

前記第１信号線は、層間接続導体を介することなく前記第１信号電極に接続される、請求項１または２に記載の伝送線路基板。

【請求項4】

前記第１信号線、前記第２信号線および前記第１信号電極は、外部に露出していない、請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路基板。

【請求項5】

前記絶縁性基材は液晶ポリマーを主材料とし、
前記第１信号線、前記第２信号線および前記第１信号電極は、全体が前記絶縁性基材で覆われる、請求項４に記載の伝送線路基板。

【請求項6】

前記第２信号線の数は複数である、請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路基板。

【請求項7】

伝送線路基板と回路基板とが、導電性接合材を介して接合される、伝送線路基板の接合構造であって、
前記伝送線路基板は、
第１主面を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材に形成される第１信号線および第２信号線と、
前記絶縁性基材に形成され、前記第１信号線に接続される第１信号電極と、
前記第１主面に配置され、前記第２信号線に接続される第２信号電極と、
を有し、
前記第１信号線は、第１周波数帯の信号を伝送する信号線であり、
第２信号線は、前記第１周波数帯よりも低い第２周波数帯の信号を伝送する信号線であり、
前記第１信号電極は、容量結合により前記回路基板に接続され、
前記第２信号電極は、導電性接合材を介して前記回路基板に直接接続される、伝送線路基板の接合構造。

【請求項8】

前記伝送線路基板は、前記第１主面に配置される複数のグランド電極を備え、
前記複数のグランド電極は、前記第１主面の平面視で、前記第１信号電極および前記第２信号電極の周囲を囲む位置に配置され、且つ、導電性接合材を介して前記回路基板に直接接続される、請求項７に記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項9】

前記第１信号線は、層間接続導体を介することなく前記第１信号電極に接続される、請求項７または８に記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項10】

前記第１信号線、前記第２信号線および前記第１信号電極は、外部に露出していない、請求項７から９のいずれかに記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項11】

前記絶縁性基材は液晶ポリマーを主材料とし、
前記第１信号線、前記第２信号線および前記第１信号電極は、全体が前記絶縁性基材で覆われる、請求項１０に記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項12】

前記回路基板は、前記第１信号電極に対向して容量結合する第１接続電極と、導電性接合材を介して前記第２信号電極に直接接続される第２接続電極と、をさらに備え、
前記伝送線路基板は前記回路基板に表面実装される、請求項７から１１のいずれかに記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項13】

前記第１信号電極および前記第１接続電極のうち、いずれか一方の面積は、他方の面積よりも大きい、請求項１２に記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項14】

前記第１信号電極と前記第１接続電極との間には、容量調整部が設けられている、請求項１２または１３に記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項15】

前記容量調整部は空隙である、請求項１４に記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項16】

前記第２信号線の数は複数である、請求項７から１５のいずれかに記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項17】

前記伝送線路基板は、前記第１主面に形成される中間グランド電極と、前記絶縁性基材に形成され、前記中間グランド電極に接続されるグランド層間接続導体と、を有し、
前記中間グランド電極は、前記第１主面の平面視で、前記第１信号電極と前記第２信号電極との間に配置され、
前記回路基板は、導電性接合材を介して前記中間グランド電極に直接接続される中間グランド接続電極を備える、請求項７から１５のいずれかに記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項18】

前記回路基板は、前記第１信号電極に対向して容量結合する第１接続電極と、導電性接合材を介して前記第２信号電極に直接接続される第２接続電極と、をさらに備え、
前記回路基板は、コネクタを有し、
前記コネクタは、コネクタ第１内部端子およびコネクタ第２内部端子、シールド部材を有し、
前記コネクタ第１内部端子は一端で、前記第１接続電極に接続し、
前記コネクタ第２内部端子は一端で、前記第２接続電極に接続し、
前記シールド部材は、前記中間グランド電極に接続する、
請求項１７に記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項19】

前記伝送線路基板は、
前記第１主面の平面視で、前記第１信号線の少なくとも一部及び前記第２信号線の少なくとも一部と重なるグランド導体を、
更に備える、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の伝送線路基板。

【請求項20】

前記第１信号電極と前記第１信号線とは、同じ層に設けられている一つの導体パターンであり、
前記第１信号電極は、前記他の回路基板の第１接続電極と対向することにより、容量結合により前記他の回路基板と接続される、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の伝送線路基板。

【請求項21】

前記他の回路基板は、前記第１信号電極に対向して容量結合する第１接続電極と、導電性接合材を介して前記第２信号電極に直接接続される第２接続電極と、を備え、
前記第１信号電極と前記第１接続電極との距離は、前記第２信号電極と前記第２接続電極との距離より小さい、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の伝送線路基板。

【請求項22】

前記伝送線路基板は、
前記第１主面の平面視で、前記第１信号線の少なくとも一部及び前記第２信号線の少なくとも一部と重なるグランド導体を、
更に備える、
請求項７から請求項１８のいずれかに記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項23】

前記第１信号電極と前記第１信号線とは、同じ層に設けられている一つの導体パターンであり、
前記第１信号電極は、前記回路基板の第１接続電極と対向することにより、容量結合により前記回路基板と接続される、
請求項７から請求項１８のいずれかに記載の伝送線路基板の接合構造。

【請求項24】

前記絶縁性基材の前記第１主面に形成された保護層をさらに備え、
前記第１信号電極は、前記絶縁性基材、前記保護層及び他の回路基板の一部分の内の少なくとも１つを介して容量結合により他の回路基板に接続される、
請求項１から請求項６、又は、請求項１９から請求項２１のいずれかに記載の伝送線路基板。

【請求項25】

前記絶縁性基材の前記第１主面に形成された保護層をさらに備え、
前記第１信号電極は、前記絶縁性基材、前記保護層及び回路基板の一部分の内の少なくとも１つを介して容量結合により回路基板に接続される、
請求項７から請求項１８、請求項２２又は請求項２３のいずれかに記載の伝送線路基板の接合構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、絶縁性基材に複数の伝送線路が設けられた伝送線路基板、および上記伝送線路基板の接合構造に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、絶縁性基材に複数の伝送線路が設けられた伝送線路基板が知られている。

【0003】

例えば、特許文献１には、複数の基材層からなる絶縁性基材と、絶縁性基材に形成された複数の導体パターン（第１信号線、第２信号線、第１グランド導体、第２グランド導体、第３グランド導体および第４グランド導体）と、を備えた伝送線路基板が示されている。上記伝送線路基板では、第１信号線と、この第１信号線を積層方向に挟む第１グランド導体および第３グランド導体と、を含んだ第１伝送線路が構成されており、第２信号線と、この第２信号線を積層方向に挟む第２グランド導体および第４グランド導体と、を含んだ第２伝送線路が構成されている。上記伝送線路基板は、はんだ等の導電性接合材を介して他の回路基板に接続される。

【0004】

また、近年の電子機器の小型化・高集積化に伴い、伝送線路等を配置するための十分なスペースを電子機器の筐体内に確保することが難しくなっている。そのため、伝送線路基板は、一つのシステムだけでなく、異なるシステムで利用される複数の伝送線路を備えることがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】国際公開第２０１７／１９９９３０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかし、導電性接合材を用いて伝送線路基板を回路基板に接続する場合に、導電性接合材の量にばらつきがあると接合状態が安定せず、使用周波数帯が高い第１伝送線路の接続部におけるインピーダンスに変動が生じる虞がある。このことは、伝送線路が高周波で利用される場合に特に顕著となる。

【0007】

本発明の目的は、第１周波数帯用の第１信号線と、第１周波数帯よりも低い第２周波数帯用の第２信号線とを備える構成において、第１信号線を含んで構成される伝送線路の接続部におけるインピーダンス不整合を抑制した伝送線路基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の伝送線路基板は、
第１主面を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材に形成される第１信号線および第２信号線と、
前記絶縁性基材に形成され、前記第１信号線に接続され、容量結合により他の回路基板に接続される第１信号電極と、
前記第１主面に形成され、前記第２信号線に接続され、導電性接合材を介して前記他の回路基板に接続される第２信号電極と、
を備え、
前記第１信号線は、第１周波数帯の信号を伝送する信号線であり、
前記第２信号線は、前記第１周波数帯よりも低い第２周波数帯の信号を伝送する信号線であることを特徴とする。

【0009】

本発明の基板接合構造は、
伝送線路基板と回路基板とが、導電性接合材を介して接合される、伝送線路基板の接合構造であって、
前記伝送線路基板は、
第１主面を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材に形成される第１信号線および第２信号線と、
前記絶縁性基材に形成され、前記第１信号線に接続される第１信号電極と、
前記第１主面に配置され、前記第２信号線に接続される第２信号電極と、
を有し、
前記第１信号線は、第１周波数帯の信号を伝送する信号線であり、
第２信号線は、前記第１周波数帯よりも低い第２周波数帯の信号を伝送する信号線であり、
前記第１信号電極は、容量結合により前記回路基板に接続され、
前記第２信号電極は、導電性接合材を介して前記回路基板に直接接続されることを特徴とする。

【0010】

導電性接合材を介して伝送線路基板を回路基板に接続する場合、導電性接合材の量にばらつきがあると接合状態が安定せず、伝送線路の接続部でインピーダンス不整合が生じる虞がある。この構成によれば、導電性接合材の量による接合状態のばらつきの影響を受けることなく、第１伝送線路を他の回路基板に接続できるため、第１伝送線路の接続部におけるインピーダンス不整合を抑制できる。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、第１周波数帯用の第１信号線と、第１周波数帯よりも低い第２周波数帯用の第２信号線とを備える構成において、第１信号線を含んで構成される伝送線路の接続部におけるインピーダンス不整合を抑制した伝送線路基板を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１（Ａ）は第１の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）はコネクタ付きケーブル３０１のコネクタ５１，５２を外した状態を示す外観斜視図である。

【図2】図２は、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１の平面図である。

【図3】図３は、伝送線路基板１０１の分解平面図である。

【図4】図４は、図１（Ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。

【図5】図５は、第１の実施形態の変形例であるコネクタ付きケーブル３０１Ａの第１接続部ＣＮ１の断面図である。

【図6】図６（Ａ）は第２の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０２の外観斜視図であり、図６（Ｂ）はコネクタ付きケーブル３０２のコネクタ５１，５２を外した状態を示す外観斜視図である。

【図7】図７は、第２の実施形態に係る伝送線路基板１０２の分解平面図である。

【図8】図８は、図６（Ａ）におけるＢ－Ｂ断面図である。

【図9】図９（Ａ）は第３の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０３の外観斜視図であり、図９（Ｂ）はコネクタ付きケーブル３０３のコネクタ５１Ａ，５２Ａを外した状態を示す外観斜視図である。

【図10】図１０は、第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３の分解平面図である。

【図11】図１１（Ａ）は図９（Ａ）におけるＣ－Ｃ断面図であり、図１１（Ｂ）はコネクタ５１Ａを外した状態での図９（Ａ）におけるＣ－Ｃ断面図である。

【図12】図１２（Ａ）は第４の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０４の外観斜視図であり、図１２（Ｂ）はコネクタ付きケーブル３０４のコネクタ５１Ｂ，５２Ｂを外した状態を示す外観斜視図である。

【図13】図１３は、第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４の分解平面図である。

【図14】図１４は、図１２（Ａ）におけるＤ－Ｄ断面図である。

【図15】図１５は、第５の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０５の断面図である。

【図16】図１６（Ａ）は第６の実施形態に係る電子機器４０１の主要部を示す平面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）におけるＥ－Ｅ断面図である。

【図17】図１７（Ａ）は第７の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０７の外観斜視図であり、図１７（Ｂ）は第７の実施形態に係る伝送線路基板１０７の平面図である。

【図18】図１８は、伝送線路基板１０７の分解平面図である。

【図19】図１９は、図１７（Ａ）におけるＦ－Ｆ断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用・効果については実施形態毎には逐次言及しない。

【0014】

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）はコネクタ付きケーブル３０１のコネクタ５１，５２を外した状態を示す外観斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１の平面図である。図３は、伝送線路基板１０１の分解平面図である。図４は、図１（Ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。なお、図３では、構造を分かりやすくするため、第１信号線３１および第２信号線３２をハッチングで示している。

【0015】

コネクタ付きケーブル３０１は、伝送線路基板１０１およびコネクタ５１，５２を備える。本実施形態に係る伝送線路基板１０１は、例えば、使用周波数帯の異なる複数のシステムに用いられ、複数の回路基板同士を接続するケーブルである。なお、本発明の伝送線路基板は、単一の回路基板上に実装される電子部品であってもよい（「第６の実施形態」参照）。

【0016】

図示省略するが、コネクタ５１は他の回路基板（第１回路基板）に設けられたレセプタクルに接続され、コネクタ５２は他の回路基板（第２回路基板）に設けられたレセプタクルに接続される。本実施形態では、コネクタ５１を第１回路基板の一部とし、コネクタ５２を第２回路基板の一部とする。すなわち、図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、伝送線路基板１０１と他の回路基板との接合構造を示す図である。

【0017】

伝送線路基板１０１は、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２および線路部ＴＬを有する。第１接続部ＣＮ１および第２接続部ＣＮ２は、他の回路基板に接続される部分である。線路部ＴＬには、後に詳述するように、第１接続部ＣＮ１と第２接続部ＣＮ２との間を繋ぐストリップライン構造の複数の伝送線路が構成されている。図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、第１接続部ＣＮ１および第２接続部ＣＮ２の幅（Ｙ軸方向の幅）は、線路部ＴＬの幅よりも広い。

【0018】

伝送線路基板１０１は、素体１、第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２、第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２、複数のグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２、第１信号線３１、第２信号線３２、グランド導体４１，４２，４３、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２および複数のグランド層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２等を備える。

【0019】

素体１は、長手方向がＸ軸方向に一致する略直方体であり、互いに対向する第１面Ｓ１および第２面Ｓ２を有する。素体１は、絶縁性基材１０および保護層２０の積層体である。

【0020】

絶縁性基材１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。絶縁性基材１０は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする平板である。本実施形態では、絶縁性基材１０の第２主面ＶＳ２は、素体１の第２面Ｓ２に一致している。

【0021】

第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２および複数のグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２は、絶縁性基材１０の第１主面ＶＳ１に形成されている。第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２、第１信号線３１、第２信号線３２、グランド導体４１，４２，４３、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２および複数のグランド層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２は、絶縁性基材１０の内部に形成されている。

【0022】

絶縁性基材１０は、後に詳述するように、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の基材層１１，１２，１３をこの順に積層し、積層した複数の基材層１１，１２，１３を加熱プレス（一括プレス）することによって形成される。複数の基材層１１，１２，１３は、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板である。複数の基材層１１，１２，１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とするシートである。

【0023】

基材層１１の表面には、グランド導体４１が形成されている。グランド導体４１は、基材層１１の表面の略全面に形成される導体パターンである。グランド導体４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

【0024】

基材層１２の表面には、第１信号線３１、第２信号線３２、第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体４２が形成されている。第１信号線３１、第２信号線３２、第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

【0025】

第１信号線３１および第２信号線３２は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンであり、互いに並走している。第１信号線３１は、第１周波数帯の信号を伝送する信号線であり、第１周波数帯で利用される第１伝送線路（後に詳述する）の少なくとも一部を構成している。第２信号線３２は、第１周波数帯よりも低い第２周波数の信号を伝送する信号線であり、第２周波数帯で利用される第２伝送線路（後に詳述する）の少なくとも一部を構成している。第１周波数帯は１０ＧＨｚ以上の周波数帯（ＳＨＦ帯またはＥＨＦ帯）であり、第２周波数帯は１０ＧＨｚ未満の周波数帯である。第１信号線３１（第１伝送線路）は、例えば２８ＧＨｚ帯を利用した５Ｇ（第５世代移動通信システム）に用いられる。第２信号線３２（第２伝送線路）は、例えば５．８ＧＨｚ帯を利用したＷｉ－Ｆｉ（登録商標）通信に用いられる。

【0026】

第１信号電極Ｐ１１は、基材層１２の第１端（図３における基材層１２の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。第１信号電極Ｐ１２は、基材層１２の第２端（図３における基材層１２の右端）付近に配置される導体パターンである。第１信号電極Ｐ１１は、第１信号線３１の一端（図３における第１信号線３１の左端）に接続されており、第１信号電極Ｐ１２は、第１信号線３１の他端（図３における第１信号線３１の右端）に接続されている。グランド導体４２は、基材層１２の外周に沿って形成される環状の導体パターンである。

【0027】

また、基材層１２には、複数のグランド層間接続導体Ｖ４１が形成されている。グランド導体４２は、複数のグランド層間接続導体Ｖ４１を介してグランド導体４１に接続されている。グランド層間接続導体Ｖ４１は、例えば、基材層１２に形成した貫通孔に導電性ペーストを充填し、加熱プレス処理により導電性ペーストを固化させることにより設けられるビア導体である。

【0028】

基材層１３の表面には、第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２およびグランド導体４３が形成されている。第２信号電極Ｐ２１は、基材層１３の第１端（図３における基材層１３の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。第２信号電極Ｐ２２は、基材層１３の第２端（図３における基材層１３の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体４３は、基材層１３の略全面に形成される導体パターンである。第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２およびグランド導体４３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

【0029】

また、基材層１３には、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２および複数のグランド層間接続導体Ｖ４２が形成されている。第２信号電極Ｐ２１は、層間接続導体Ｖ２１を介して、第２信号線３２の一端（図３における第２信号線３２の左端）に接続されている。第２信号電極Ｐ２２は、層間接続導体Ｖ２２を介して、第２信号線３２の他端（図３における第２信号線３２の右端）に接続されている。グランド導体４３は、複数のグランド層間接続導体Ｖ４２を介して、グランド導体４２に接続されている。層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２およびグランド層間接続導体Ｖ４２は、例えば、基材層１２に形成した貫通孔に導電性ペーストを充填し、加熱プレス処理により導電性ペーストを固化させることにより設けられるビア導体である。

【0030】

保護層２０は、基材層１３の表面（絶縁性基材１０の第１主面ＶＳ１）に積層される保護膜であり、平面形状が基材層１３と略同じである。保護層２０は、開口Ｈ２１，Ｈ２２，ＨＧ１，ＨＧ２を有する。開口Ｈ２１は第２信号電極Ｐ２１の位置に応じた位置に形成されており、開口Ｈ２２は第２信号電極Ｐ２２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、基材層１３の表面に保護層２０が形成された場合に、上記開口から第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２が外部に露出する。また、複数の開口ＨＧ１は保護層２０の第１端（図３における保護層２０の左端）付近に形成されており、複数の開口ＨＧ２は保護層２０の第２端（図３における保護層２０の右端）付近に形成されている。そのため、基材層１３の表面に保護層２０が形成された場合に、上記開口ＨＧ１，ＨＧ２からグランド導体４３の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＨＧ１，ＨＧ２から露出するグランド導体４３の一部が、本発明の「グランド電極（ＰＧ１，ＰＧ２）」に相当する。保護層２０は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。

【0031】

コネクタ５１は、第１接続部ＣＮ１の第１面Ｓ１に実装される。図１（Ｂ）等に示すように、コネクタ５１の実装面（下面）には、第１接続電極Ｃ１１、第２接続電極Ｃ２１および複数のグランド接続電極ＣＧ１が形成されている（露出している）。図４等に示すように、コネクタ５１の第１接続電極Ｃ１１は、第１信号電極Ｐ１１に対向して配置され、第１信号電極Ｐ１１と容量結合される。コネクタ５１の第２接続電極Ｃ２１は、導電性接合材５を介して第２信号電極Ｐ２１に接続される。また、コネクタ５１のグランド接続電極ＣＧ１は、導電性接合材を介してグランド電極ＰＧ１に接続される。このようにして、第１信号電極Ｐ１１は、容量結合によりコネクタ５１（第２回路基板）に接続される。また、第２信号電極Ｐ２１は、導電性接合材５を介してコネクタ５１（第２回路基板）に接続される。コネクタ５１は、例えば多極コネクタ（複数の内部端子を有するコネクタ）である。

【0032】

コネクタ５２は、第２接続部ＣＮ２の第１面Ｓ１に実装される。図１（Ｂ）に示すように、コネクタ５２の実装面（下面）には、第１接続電極Ｃ１２、第２接続電極Ｃ２２および複数のグランド接続電極ＣＧ２が形成されている（露出している）。コネクタ５２の第１接続電極Ｃ１２は、第１信号電極Ｐ１２に対向して配置され、第１信号電極Ｐ１２と容量結合される。コネクタ５２の第２接続電極Ｃ２２は、導電性接合材を介して第２信号電極Ｐ２２に接続される。また、コネクタ５２のグランド接続電極ＣＧ２は、導電性接合材を介してグランド電極ＰＧ２に接続される。このようにして、第１信号電極Ｐ１２は、容量結合によりコネクタ５２（第２回路基板）に接続される。また、第２信号電極Ｐ２２は、導電性接合材を介してコネクタ５２（第２回路基板）に接続される。コネクタ５２は、例えば多極コネクタである。

【0033】

本実施形態では、第１信号線３１、グランド導体４１，４３、第１信号線３１およびグランド導体４１で挟まれる基材層１２、第１信号線３１およびグランド導体４３で挟まれる基材層１３、を含んだストリップライン構造の第１伝送線路が構成されている。また、本実施形態では、第２信号線３２、グランド導体４１，４３、第２信号線３２およびグランド導体４１で挟まれる基材層１２、第２信号線３２およびグランド導体４３で挟まれる基材層１３、を含んだストリップライン構造の第２伝送線路が構成されている。

【0034】

なお、本実施形態では、第１周波数帯で利用される第１信号線３１が、層間接続導体を介することなく、第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２に接続されている。

【0035】

図４等に示すように、第１接続電極Ｃ１１の面積は、第１接続電極Ｃ１１に対向する第１信号電極Ｐ１１の面積よりも大きい。また、図示省略するが、第１接続電極Ｃ１２の面積は、第１接続電極Ｃ１２に対向する第１信号電極Ｐ１２の面積よりも大きい。

【0036】

図２に示すように、複数のグランド電極ＰＧ１は、第１主面ＶＳ１の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、第１信号電極Ｐ１１および第２信号電極Ｐ２１の周囲を囲む位置に配置されている。また、複数のグランド電極ＰＧ２は、第１主面ＶＳ１の平面視で、第１信号電極Ｐ１２および第２信号電極Ｐ２２の周囲を囲む位置に配置されている。

【0037】

また、図１（Ｂ）および図３等に示すように、第１信号線３１、第２信号線３２および第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２は、外部に露出していない。具体的には、第１信号線３１、第２信号線３２および第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２は、全体が絶縁性基材１０で覆われている。

【0038】

本実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０１（伝送線路基板１０１）によれば、次のような効果を奏する。

【0039】

（ａ）本実施形態では、第１信号線３１に接続された第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２が、導電性接合材を用いることなく、容量結合により他の回路基板に接続される。この構成によれば、導電性接合材の量による接合状態のばらつきの影響を受けることなく、第１伝送線路を他の回路基板に接続できるため、第１伝送線路の接続部におけるインピーダンス不整合を抑制できる。

【0040】

また、本実施形態では、第２信号線３２が接続された第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２が、容量結合ではなく、導電性接合材を介して他の回路基板に接続される。この構成によれば、第１周波数帯よりも低い第２周波数帯では、容量成分が特性インピーダンスに顕著に影響を及ぼすため、容量結合していない第２伝送線路の接続部でのインピーダンス不整合は抑制される。また、第１周波数帯よりも低い第２周波数帯用の第２伝送線路では、第１伝送線路に比べて、特性インピーダンスに対するインダクタンス成分の影響が小さいため、導電性接合材の量のばらつきによる特性インピーダンスに対する影響は少ない。

【0041】

（ｂ）層間接続導体は貫通孔に導体を充填して形成されるため、貫通孔に充填する導体の量を少なくするために内径の細い孔に形成される場合がある。また、層間接続導体は、貫通孔の壁面のみにめっき膜を成膜して形成するものや、本実施形態のように導体に低温で固化しやすい材料（導電性ペースト）を用いて形成されるものがあり、平面導体と比較して抵抗値が高くなりやすい。そのため、第１信号線３１と第１信号電極Ｐ１１とが、複数の層間接続導体を介して接続されている場合には、導体損失が大きくなってしまう虞がある。一方、本実施形態では、第２周波数帯よりも高い第１周波数帯で利用される第１信号線３１が、層間接続導体を介することなく第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２に接続されている。この構成によれば、導体損失を低減しつつ、第１信号線３１を他の回路基板に接続できる。

【0042】

（ｃ）また、本実施形態では、第１接続電極Ｃ１１の面積が、第１接続電極Ｃ１１に容量結合する第１信号電極Ｐ１１の面積よりも大きい。この構成によれば、第１信号電極Ｐ１１に対向する第１接続電極Ｃ１１の位置関係（素体１に対するコネクタ５１の実装位置）にばらつきがあったとしても、第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との間に発生する容量の変動が抑制される。同様に、第１接続電極Ｃ１１の面積が第１信号電極Ｐ１１の面積よりも小さい場合でも、位置ずれ（第１接続電極と第１信号電極との位置関係のばらつき）による上記容量の変動を抑制できる。このことは、第１信号電極Ｐ１２と第１接続電極Ｃ１２との関係についても同様である。

【0043】

（ｄ）本実施形態のように、積層した複数の基材層１１，１２，１３を加熱プレス（一括プレス）して絶縁性基材１０を形成する場合、絶縁性基材１０を一定の厚みに形成することが難しく、絶縁性基材１０の厚みにばらつきが生じることがある。そして、第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１と間に存在する絶縁性基材１０の厚みにばらつきがあると、第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との間の容量にばらつきが生じる虞がある。一方、本実施形態では、絶縁性基材１０の第１主面ＶＳ１に形成された保護層２０を間に挟んで、第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１とが容量結合している。これにより、第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との間の容量に多少のばらつきがあっても、絶縁性基材１０の第１主面ＶＳ１に形成される保護層２０の厚みや材質によって、上記容量を所定の値に調整できる。このことは、第１信号電極Ｐ１２と第１接続電極Ｃ１２との関係についても同様である。

【0044】

（ｅ）本実施形態では、複数のグランド電極ＰＧ１が、第１主面ＶＳ１の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、第１信号電極Ｐ１１および第２信号電極Ｐ２１の周囲を囲む位置に配置されている。この構成によれば、コネクタ５１を伝送線路基板１０１（素体１）に高い位置精度で実装できる。具体的には、リフロープロセス時に生じる複数のグランド電極ＰＧ１および第２信号電極Ｐ２１でのセルフアライメント作用によって、コネクタ５１の実装位置が補正される。これにより、位置ずれに伴う第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との間の容量の変化は抑制され、第２信号電極Ｐ２１と第２接続電極Ｃ２１との間の接合不良が抑制される。

【0045】

また、この構成によれば、複数のグランド電極ＰＧ１が第１信号電極Ｐ１１および第２信号電極Ｐ２１の周囲を囲んでいるため、容量結合による第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との接続箇所や、導電性接合材５を介した第２信号電極Ｐ２１と第２接続電極Ｃ２１との接続箇所からの不要輻射を抑制できる。また、この構成によれば、素体１が曲がった場合等の曲げ応力による第２信号電極Ｐ２１と第２接続電極Ｃ２１との接合箇所の破損が抑制される。

【0046】

（ｆ）本実施形態では、複数のグランド電極ＰＧ２が、Ｚ軸方向から視て、第１信号電極Ｐ１２および第２信号電極Ｐ２２の周囲を囲む位置に配置されている。この構成によれば、コネクタ５２を伝送線路基板１０１（素体１）に高い位置精度で実装できる。具体的には、リフロープロセス時に生じる複数のグランド電極ＰＧ２および第２信号電極Ｐ２２でのセルフアライメント作用によって、コネクタ５２の実装位置が補正される。これにより、第１信号電極Ｐ１２と第１接続電極Ｃ１２との間の容量変化は抑制され、第２信号電極Ｐ２２と第２接続電極Ｃ２２との間の接合不良を抑制できる。

【0047】

また、この構成によれば、複数のグランド電極ＰＧ２が第１信号電極Ｐ１２および第２信号電極Ｐ２２の周囲を囲んでいるため、容量結合による第１信号電極Ｐ１２と第１接続電極Ｃ１２との接続箇所や、導電性接合材を介した第２信号電極Ｐ２２と第２接続電極Ｃ２２との接続箇所からの不要輻射を抑制できる。また、この構成によれば、素体１が曲がった場合等の曲げ応力による第２信号電極Ｐ２２と第２接続電極Ｃ２２との接合箇所の破損が抑制される。

【0048】

（ｇ）本実施形態では、第１信号線３１、第２信号線３２および第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２が外部に露出していない。この構成によれば、外部からの水分による信号導体の腐食等の発生が抑制される。そのため、信号導体の腐食等に起因する伝送線路基板の特性変化を抑制できる。

【0049】

なお、本実施形態では、第１信号線３１、第２信号線３２および第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２全体が、液晶ポリマーを主材料とする絶縁性基材１０に覆われている。液晶ポリマーは、他の樹脂材料に比べて吸水性が少ない。そのため、上記構成により、外部からの水分による上記信号導体の腐食等がさらに抑制される。また、液晶ポリマーは、他の樹脂材料に比べて、高周波特性に優れる（誘電体損失が少ない）。そのため、上記構成により、伝送損失の少ない伝送線路基板を実現できる。

【0050】

本実施形態に係る伝送線路基板１０１は、例えば次の工程で製造される。

【0051】

まず、複数の基材層１１，１２，１３を準備する。基材層１１，１２，１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂を主材料とするシートである。

【0052】

その後、複数の基材層１１，１２，１３に、第１信号線３１、第２信号線３２、グランド導体４１，４２，４３、第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２、第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２を形成する。具体的には、基材層１１，１２，１３の表面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、基材層１１の表面にグランド導体４１を形成し、基材層１２の表面に第１信号線３１、第２信号線３２、グランド導体４２および第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２を形成し、基材層１３の表面に第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２およびグランド導体４３を形成する。

【0053】

また、基材層１２には、複数のグランド層間接続導体Ｖ４１が形成され、基材層１３には層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２および複数のグランド層間接続導体Ｖ４２が形成される。これら層間接続導体は、複数の基材層１２，１３の少なくとも一つに孔（貫通孔）を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスによって導電性ペーストを固化させることにより設けられる。

【0054】

次に、複数の基材層１１，１２，１３を積層し、積層した複数の基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより、絶縁性基材１０を形成する。

【0055】

次に、絶縁性基材１０の第１主面ＶＳ１に保護層２０を形成して、素体１を得る。その後、素体１の第１面Ｓ１にコネクタ５１，５２を実装して伝送線路基板１０１を得る。

【0056】

上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の基材層１１，１２，１３を積層して加熱プレス（一括プレス）することによって、絶縁性基材１０を容易に形成できるため、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

【0057】

また、上記製造方法によれば、基材層に設けた孔に導電性ペーストを配設し、加熱プレス（一括プレス）によって導電性ペーストを固化させることができるため、層間接続導体を形成する工程が削減できる。

【0058】

なお、本実施形態では、第１信号線３１および第２信号線３２が同層（いずれも基材層１２の表面）に形成された例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１信号線および第２信号線はそれぞれ異なる層に形成されていてもよい。図５は、第１の実施形態の変形例であるコネクタ付きケーブル３０１Ａの第１接続部ＣＮ１の断面図である。

【0059】

コネクタ付きケーブル３０１Ａは、伝送線路基板１０１Ａを備える点で、図４に示すコネクタ付きケーブル３０１と異なる。コネクタ付きケーブル３０１Ａの他の構成については、コネクタ付きケーブル３０１と同じである。伝送線路基板１０１Ａは、第１信号線３１（第１信号電極Ｐ１１）が、基材層１３の表面に形成されている点で、上述した伝送線路基板１０１と異なる。なお、第２接続部ＣＮ２でも、第１信号電極Ｐ１２が基材層１３の表面に形成されている。伝送線路基板１０１Ａの他の構成については、伝送線路基板１０１と同じである。

【0060】

伝送線路基板１０１Ａのように、線路部ＴＬに位置する第１信号線３１および第２信号線３２の線幅を太くする等の目的に応じて、第１信号線３１と第２信号線３２とを異なる層（Ｚ軸方向の異なる位置）に形成してもよい。なお、第１信号線３１と第２信号線３２とを異なる層に形成する場合には、第２信号線３２よりも第１信号線３１を、コネクタ５１に近接する位置に配置することが好ましい。第１信号線３１をコネクタ５１（第１主面ＶＳ１）に近接する位置に配置することにより、層間接続導体を用いることなく第１信号電極Ｐ１１をコネクタ５１の第１接続電極Ｃ１１に近接させることができる。そのため、寄生インダクタンスを増加させることなく、（対向する電極の面積を調整する等によって）第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との間に所定の容量を形成しやすくなり、広い周波数帯域においてインピーダンスの整合が可能な伝送線路基板を実現できる。

【0061】

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１信号電極と第１接続電極との間に、空隙が設けられたコネクタ付きケーブルを示す。

【0062】

図６（Ａ）は第２の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０２の外観斜視図であり、図６（Ｂ）はコネクタ付きケーブル３０２のコネクタ５１，５２を外した状態を示す外観斜視図である。図７は、第２の実施形態に係る伝送線路基板１０２の分解平面図である。図８は、図６（Ａ）におけるＢ－Ｂ断面図である。なお、図７では、構造を分かりやすくするため、第１信号線３１および第２信号線３２をハッチングで示している。

【0063】

コネクタ付きケーブル３０２は、伝送線路基板１０２を備える点で、第１の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０１と異なる。伝送線路基板１０２は、保護層２０Ａを備える点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。保護層２０Ａは、開口Ｈ１１，Ｈ１２が形成されている点で、第１の実施形態に係る保護層２０と異なる。伝送線路基板１０２の他の構成については、伝送線路基板１０１と実質的に同じである。

【0064】

以下、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる部分について説明する。

【0065】

保護層２０Ａが有する開口Ｈ１１は、第１主面ＶＳ１を平面視で（Ｚ軸方向から視て）、第１信号電極Ｐ１１の位置に応じた位置に形成されている。開口Ｈ１２は、Ｚ軸方向から視て、第１信号電極Ｐ１２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、基材層１３の表面（絶縁性基材１０の第１主面ＶＳ１）に保護層２０Ａが形成されることで、素体１Ａの第１面Ｓ１に凹部が形成される。

【0066】

図８に示すように、第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との間には、空隙（開口Ｈ１１による凹部）が設けられている。図示省略するが、第１信号電極Ｐ１２と第１接続電極Ｃ１２との間にも空隙（開口Ｈ１２による凹部）が設けられている。本実施形態では、この空隙が本発明における「容量調整部」に相当する。

【0067】

この構成によれば、保護層２０Ａの厚みや材質だけでなく、開口Ｈ１１，Ｈ１２の形状によって、第１信号電極と第１接続電極との間の容量を調整できる。特に、フォトリソグラフィによってパターニングされる保護層２０Ａ（レジスト膜）はパターニングの精度が高く、第１信号電極と第１接続電極との間の容量の調整をしやすい。

【0068】

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１接続電極が外部に露出していないコネクタを備えるコネクタ付きケーブルの例を示す。

【0069】

図９（Ａ）は第３の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０３の外観斜視図であり、図９（Ｂ）はコネクタ付きケーブル３０３のコネクタ５１Ａ，５２Ａを外した状態を示す外観斜視図である。図１０は、第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３の分解平面図である。図１１（Ａ）は図９（Ａ）におけるＣ－Ｃ断面図であり、図１１（Ｂ）はコネクタ５１Ａを外した状態での図９（Ａ）におけるＣ－Ｃ断面図である。なお、図１０では、構造を分かりやすくするため、第１信号線３１および第２信号線３２をハッチングで示している。

【0070】

コネクタ付きケーブル３０３は、伝送線路基板１０３およびコネクタ５１Ａ，５２Ａを備える。

【0071】

伝送線路基板１０３は、素体１Ｂ、第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２、第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２、複数のグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２、第１信号線３１、第２信号線３２、グランド導体４１，４２、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２、複数のグランド層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２等を備える。伝送線路基板１０３は、基材層１３の表面の略全面に形成されるグランド導体を備えていない点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。また、伝送線路基板１０３は、保護層を備えていない点で、伝送線路基板１０１と異なる。伝送線路基板１０３の他の構成については、伝送線路基板１０１と実質的に同じである。

【0072】

以下、第１の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０１と異なる部分について説明する。

【0073】

本実施形態では、素体１Ｂが絶縁性基材１０Ｂに一致する。そのため、絶縁性基材１０Ｂの第１主面ＶＳ１が素体１Ｂの第１面Ｓ１に一致し、絶縁性基材１０Ｂの第２主面ＶＳ２が素体１Ｂの第２面Ｓ２に一致している。

【0074】

第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２、第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２および複数のグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２は、絶縁性基材１０Ｂの第１主面ＶＳ１に形成されている。第１信号線３１、第２信号線３２、グランド導体４１，４２、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２および複数のグランド層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２は、絶縁性基材１０Ｂの内部に形成されている。

【0075】

絶縁性基材１０Ｂは、複数の基材層１１，１２，１３をこの順に積層して形成される。複数の基材層１１，１２，１３は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

【0076】

基材層１１の表面には、グランド導体４１が形成されている。グランド導体４１は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

【0077】

基材層１２の表面には、第１信号線３１、第２信号線３２およびグランド導体４２が形成されている。第１信号線３１、第２信号線３２およびグランド導体４２は、第１の実施形態で説明したものと基本的に同じものである。

【0078】

また、基材層１２には、複数のグランド層間接続導体Ｖ４１が形成されている。グランド導体４２は、複数のグランド層間接続導体Ｖ４１を介して、グランド導体４１に接続されている。

【0079】

基材層１３の表面には、第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２、第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２および複数のグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２が形成されている。第１信号電極Ｐ１１、第２信号電極Ｐ２１および複数のグランド電極ＰＧ１は、基材層１３の第１端（図１０における基材層１３の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。第１信号電極Ｐ１２、第２信号電極Ｐ２２および複数のグランド電極ＰＧ２は、基材層１３の第２端（図１０における基材層１３の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。

【0080】

また、基材層１３には、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２および複数のグランド層間接続導体Ｖ４２が形成されている。第１信号電極Ｐ１１は、層間接続導体Ｖ１１を介して第１信号線３１の一端（図１０における第１信号線３１の左端）に接続され、第１信号電極Ｐ１２は、層間接続導体Ｖ１２を介して第１信号線３１の他端（図１０における第１信号線３１の右端）に接続されている。第２信号電極Ｐ２１は、層間接続導体Ｖ２１を介して第２信号線３２の一端（図１０における第２信号線３２の左端）に接続され、第２信号電極Ｐ２２は、層間接続導体Ｖ２２を介して第２信号線３２の他端（図１０における第２信号線３２の右端）に接続されている。グランド電極ＰＧ１は、グランド層間接続導体Ｖ４２を介して、グランド導体４２に接続されている。グランド電極ＰＧ２は、グランド層間接続導体Ｖ４２を介して、グランド導体４２に接続されている。

【0081】

図１０に示すように、複数のグランド電極ＰＧ１は、第１主面を平面視で（Ｚ軸方向から視て）、第１信号電極Ｐ１１および第２信号電極Ｐ２１の周囲を囲む位置に配置されている。複数のグランド電極ＰＧ２は、Ｚ軸方向から視て、第１信号電極Ｐ１２および第２信号電極Ｐ２２の周囲を囲む位置に配置されている。

【0082】

本実施形態では、第１信号線３１、グランド導体４１、第１信号線３１およびグランド導体４１で挟まれる基材層１２、を含んだマイクロストリップライン構造の第１伝送線路が構成されている。また、本実施形態では、第２信号線３２、グランド導体４１、第２信号線３２およびグランド導体４１で挟まれる基材層１２、を含んだマイクロストリップライン構造の第２伝送線路が構成されている。

【0083】

コネクタ５１Ａは、第１接続電極Ｃ１１、第２接続電極Ｃ２１および複数のグランド接続電極ＣＧ１を有する。第１接続電極Ｃ１１および第２接続電極Ｃ２１は、コネクタ５１Ａ本体に埋設されている。第１接続電極Ｃ１１は外部に露出していない。第２接続電極Ｃ２１および複数のグランド接続電極ＣＧ１は、コネクタ５１Ａの実装面（下面）に形成されている（露出している）。具体的には、コネクタ５１Ａの実装面には、第２接続電極Ｃ２１の位置に応じた位置に開口ＨＣ２１が形成されており、この開口ＨＣ２１によって第２接続電極Ｃ２１が外部に露出する。

【0084】

コネクタ５１Ａの第１接続電極Ｃ１１は、第１信号電極Ｐ１１に対向して配置され、第１信号電極Ｐ１１と容量結合される。コネクタ５１Ａの第２接続電極Ｃ２１は、導電性接合材５を介して第２信号電極Ｐ２１に接続される。また、コネクタ５１Ａのグランド接続電極ＣＧ１は、導電性接合材を介してグランド電極ＰＧ１に接続される。このようにして、第１信号電極Ｐ１１は、容量結合によりコネクタ５１Ａ（第１回路基板）に接続される。また、第２信号電極Ｐ２１は、導電性接合材５を介してコネクタ５１Ａ（第１回路基板）に接続される。

【0085】

コネクタ５２Ａは、第１接続電極Ｃ１２、第２接続電極Ｃ２２および複数のグランド接続電極ＣＧ２を有する。第１接続電極Ｃ１２および第２接続電極Ｃ２２は、コネクタ５２Ａ本体に埋設されている。第１接続電極Ｃ１２は外部に露出していない。第２接続電極Ｃ２２および複数のグランド接続電極ＣＧ２は、コネクタ５２Ａの実装面（下面）に形成されている（露出している）。具体的には、コネクタ５２Ａの実装面には、第２接続電極Ｃ２２の位置に応じた位置に開口ＨＣ２２が形成されており、この開口ＨＣ２２によって第２接続電極Ｃ２２が外部に露出する。

【0086】

コネクタ５２Ａの第１接続電極Ｃ１２は、第１信号電極Ｐ１２に対向して配置され、第１信号電極Ｐ１２と容量結合される。コネクタ５２Ａの第２接続電極Ｃ２２は、導電性接合材を介して第２信号電極Ｐ２２に接続される。また、コネクタ５２Ａのグランド接続電極ＣＧ２は、導電性接合材を介してグランド電極ＰＧ２に接続される。このようにして、第１信号電極Ｐ１２は、容量結合によりコネクタ５２Ａ（第２回路基板）に接続される。また、第２信号電極Ｐ２２は、導電性接合材を介してコネクタ５２Ａ（第２回路基板）に接続される。

【0087】

このように、第１接続電極Ｃ１１，Ｃ１２が、コネクタの実装面に形成されていない構成であってもよい。

【0088】

なお、本実施形態では、保護層を備えていない伝送線路基板を示したが、他の実施形態に係る伝送線路基板と同様に、保護層を備えていてもよい。

【0089】

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、絶縁性基材が単層である例を示す。

【0090】

図１２（Ａ）は第４の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０４の外観斜視図であり、図１２（Ｂ）はコネクタ付きケーブル３０４のコネクタ５１Ｂ，５２Ｂを外した状態を示す外観斜視図である。図１３は、第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４の分解平面図である。図１４は、図１２（Ａ）におけるＤ－Ｄ断面図である。なお、図１３では、構造を分かりやすくするため、第１信号線３１および第２信号線３２をハッチングで示している。

【0091】

コネクタ付きケーブル３０４は、伝送線路基板１０４およびコネクタ５１Ｂ，５２Ｂを備える。伝送線路基板１０４は、絶縁性基材１０Ｃが単層である点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。伝送線路基板１０４の他の構成については、伝送線路基板１０１と実質的に同じである。

【0092】

以下、第１の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０１と異なる部分について説明する。

【0093】

伝送線路基板１０４が備える素体１Ｃは、絶縁性基材１０Ｃおよび保護層２０の積層体である。本実施形態では、絶縁性基材１０Ｃの第２主面ＶＳ２が、素体１Ｃの第２面Ｓ２に一致している。

【0094】

第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２、第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２、第１信号線３１、第２信号線３２および複数のグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２は、絶縁性基材１０Ｃの第１主面ＶＳ１に形成されている。第１信号電極Ｐ１１は、第１信号線３１の一端（図１３における第１信号線３１の左端）に接続されており、第１信号電極Ｐ１２は、第１信号線３１の他端（図１３における第１信号線３１の右端）に接続されている。第２信号電極Ｐ２１は、第２信号線３２の一端（図１３における第２信号線３２の左端）に接続されており、第２信号線３２の他端（図１３における第２信号線３２の右端）に接続されている。グランド導体４２は、絶縁性基材１０Ｃの外周に沿って形成される環状の導体パターンである。

【0095】

保護層２０は、絶縁性基材１０Ｃの第１主面ＶＳ１に積層される保護膜であり、平面形状が絶縁性基材１０Ｃと略同じである。保護層２０は、開口Ｈ２１，Ｈ２２，ＨＧ１，ＨＧ２を有する。開口Ｈ２１は第２信号電極Ｐ２１の位置に応じた位置に形成されており、開口Ｈ２２は、第２信号電極Ｐ２２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、絶縁性基材１０Ｃの第１主面ＶＳ１に保護層２０が形成された場合に、上記開口から第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２が外部に露出する。また、複数の開口ＨＧ１は保護層２０の第１端（図１３における保護層２０の左端）付近に形成されており、複数の開口ＨＧ２は保護層２０の第２端（図１３における保護層２０の右端）付近に形成されている。そのため、絶縁性基材１０Ｃの第１主面ＶＳ１に保護層２０が形成された場合に、上記開口ＨＧ１，ＨＧ２からグランド導体４２の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＨＧ１，ＨＧ２から露出するグランド導体４２の一部が、本発明の「グランド電極（ＰＧ１，ＰＧ２）」に相当する。

【0096】

コネクタ５１Ｂは、第１接続電極Ｃ１１、第２接続電極Ｃ２１および複数のグランド接続電極ＣＧ１を有する。第１接続電極Ｃ１１および第２接続電極Ｃ２１は、コネクタ５１Ｂ本体に埋設されている。第１接続電極Ｃ１１、第２接続電極Ｃ２１および複数のグランド接続電極ＣＧ１は、コネクタ５１Ｂの実装面（下面）に形成されている（露出している）。具体的には、コネクタ５１Ｂの実装面には、第１接続電極Ｃ１１の位置に応じた位置に開口ＨＣ１１が形成されており、この開口ＨＣ１１によって第１接続電極Ｃ１１が外部に露出する。また、コネクタ５１Ｂの実装面には、第２接続電極Ｃ２１の位置に応じた位置に開口ＨＣ２１が形成されており、この開口ＨＣ２１によって第２接続電極Ｃ２１が外部に露出する。

【0097】

コネクタ５２Ｂは、第１接続電極Ｃ１２、第２接続電極Ｃ２２および複数のグランド接続電極ＣＧ２を有する。第１接続電極Ｃ１２および第２接続電極Ｃ２２は、コネクタ５２Ｂ本体に埋設されている。第１接続電極Ｃ１２、第２接続電極Ｃ２２および複数のグランド接続電極ＣＧ２は、コネクタ５２Ｂの実装面（下面）に形成されている（露出している）。具体的には、コネクタ５２Ｂの実装面には、第１接続電極Ｃ１２の位置に応じた位置に開口ＨＣ１２が形成されており、この開口ＨＣ１２によって第１接続電極Ｃ１２が外部に露出する。また、コネクタ５２Ｂの実装面には、第２接続電極Ｃ２２の位置に応じた位置に開口ＨＣ２２が形成されており、この開口ＨＣ２２によって第２接続電極Ｃ２２が外部に露出する。

【0098】

図１４に示すように、第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との間には、空隙（開口ＨＣ１１による凹部）が設けられている。図示省略するが、第１信号電極Ｐ１２と第１接続電極Ｃ１２との間にも、空隙（開口ＨＣ１２による凹部）が設けられている。本実施形態では、これら空隙が本発明における「容量調整部」に相当する。

【0099】

このように、コネクタの実装面に設けられた開口の形状等によって、第１信号電極と第１接続電極との間の容量を調整できる。

【0100】

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、コネクタの構造が異なるコネクタ付きケーブルの例を示す。

【0101】

図１５は、第５の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０５の断面図である。より具体的には、図１５は、コネクタ付きケーブル３０５のうち、コネクタが実装された状態での、伝送線路基板１０２の第１接続部ＣＮ１における断面図である。

【0102】

コネクタ付きケーブル３０５は、コネクタ５１Ｃを備える点で、第２の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０２と異なる。コネクタ付きケーブル３０５の他の構成については、コネクタ付きケーブル３０２と同じである。

【0103】

以下、第２の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０２と異なる部分について説明する。

【0104】

コネクタ５１Ｃは、第１接続電極Ｃ１１および第２接続電極Ｃ２１等を有する。第１接続電極Ｃ１１は、コネクタ５１Ｃ本体に埋設されている。コネクタ５１Ｃの実装面（下面）には、第２接続電極Ｃ２１が形成されている（露出している）。

【0105】

このように、第１接続電極Ｃ１１のみがコネクタ５１Ｃ本体に埋設されていてもよい。

【0106】

なお、本実施形態では、保護層２０Ａに開口Ｈ１１が形成された伝送線路基板１０２を示したが、この構成に限定されるものではない。本発明において、第１信号電極Ｐ１１と第１接続電極Ｃ１１との間に設けられる空隙は必須ではない。すなわち、第１信号電極の位置に応じた位置に形成される保護層の開口は、必須の構成ではない。

【0107】

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、伝送線路基板が単一の回路基板に面実装される例を示す。

【0108】

図１６（Ａ）は第６の実施形態に係る電子機器４０１の主要部を示す平面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）におけるＥ－Ｅ断面図である。

【0109】

電子機器４０１は、伝送線路基板１０４Ａおよび回路基板２０１等を備える。伝送線路基板１０４Ａは、コネクタ５１Ｂ，５２Ｂを備えていない点で、第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４と異なる。伝送線路基板１０４Ａの他の構成については、伝送線路基板１０４と同じである。

【0110】

回路基板２０１は、絶縁性基材６０および保護層７０を備える。保護層７０は、絶縁性基材６０の表面（上面）の略全面に形成される保護膜である。絶縁性基材６０の表面には第１接続電極Ｃ１１、第２接続電極Ｃ２１および複数のグランド電極（不図示）が形成されている。絶縁性基材６０は例えばガラス／エポキシ基板であり、保護層７０は例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。

【0111】

伝送線路基板１０４Ａは、導電性接合材を介して回路基板２０１に接合される。図１６（Ｂ）に示すように、伝送線路基板１０４Ａの第１信号電極Ｐ１１は、回路基板２０１の第１接続電極Ｃ１１と対向して配置され、容量結合により回路基板２０１に接続される。伝送線路基板１０４Ａの第２信号電極Ｐ２１は、回路基板２０１の第２接続電極Ｃ２１に導電性接合材５を介して直接接続される。また、伝送線路基板１０４Ａのグランド電極は、導電性接合材を介して、回路基板２０１のグランド接続電極に直接接続される。なお、図示省略するが、第２接続部ＣＮ２でも同様である。

【0112】

このようにして、伝送線路基板１０４Ａの第１信号電極は、容量結合により回路基板２０１に接続され、伝送線路基板１０４Ａの第２信号電極は、導電性接合材を介して回路基板２０１に直接接続される。

【0113】

また、図１６（Ａ）に示すように、回路基板２０１の上面には、複数の実装部品８１，８２，８３，８４，８５が伝送線路基板１０４Ａと共に実装されている。実装部品８１，８２，８３，８４，８５は、例えばチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品である。

【0114】

《第７の実施形態》
第７の実施形態では、接続部の第１信号電極と第２信号電極との間に、グランド電極（またはグランド層間接続導体）が配置された伝送線路基板の例を示す。

【0115】

図１７（Ａ）は第７の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０７の外観斜視図であり、図１７（Ｂ）は第７の実施形態に係る伝送線路基板１０７の平面図である。図１８は、伝送線路基板１０７の分解平面図である。図１９は、図１７（Ａ）におけるＦ－Ｆ断面図である。図１８では、構造を分かりやすくするため、第１信号線３１および第２信号線３２をハッチングで示している。

【0116】

コネクタ付きケーブル３０７は、伝送線路基板１０７およびコネクタ５１Ｄ，５２Ｄを備える点で、第１の実施形態に係るコネクタ付きケーブル３０１と異なる。以下、コネクタ付きケーブル３０１と異なる部分について説明する。

【0117】

伝送線路基板１０７は、第１主面ＶＳ１に形成される中間グランド電極ＰＧ１Ａ，ＰＧ２Ａと、絶縁性基材１０の内部に形成される中間グランド導体４４，４５と、を備える点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。伝送線路基板１０７の他の構成については伝送線路基板１０１と実質的に同じである。

【0118】

中間グランド電極ＰＧ１Ａおよび中間グランド導体４４は、第１主面ＶＳ１の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、第１接続部ＣＮ１における第１信号電極Ｐ１１と第２信号電極Ｐ２１との間に配置されている。中間グランド電極ＰＧ２Ａおよび中間グランド導体４５は、Ｚ軸方向から視て、第２接続部ＣＮ２における第１信号電極Ｐ１２と第２信号電極Ｐ２２との間に配置されている。

【0119】

コネクタ５１Ｄは、シールド部材６および中間グランド接続電極ＣＧ１Ａを備える点で、第１の実施形態で説明したコネクタ５１と異なる。シールド部材６は、コネクタ５１Ｄの内部に形成される矩形の面状導体であり、長手方向がＸ軸方向に一致する（Ｘ軸方向に延伸する）長尺状である。中間グランド接続電極ＣＧ１Ａは、コネクタ５１Ｄの実装面（下面）に形成されている。図１９に示すように、シールド部材６および中間グランド接続電極ＣＧ１Ａは、Ｚ軸方向から視て、第１接続電極Ｃ１１と第２接続電極Ｃ２１との間に配置されている。図示省略するが、コネクタ５２Ｄも同様の構成である。

【0120】

伝送線路基板１０７の中間グランド電極ＰＧ１Ａは、導電性接合材５を介して、コネクタ５１Ｄの中間グランド接続電極ＣＧ１Ａに接続される。中間グランド接続電極ＣＧ１Ａは、シールド部材６に接続されている。図１９に示すように、シールド部材６は、中間グランド接続電極ＣＧ１Ａ、導電性接合材５、中間グランド電極ＰＧ１Ａ、中間グランド導体４４およびグランド層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２を介して、グランド導体４１に接続されている。

【0121】

本実施形態では、Ｚ軸方向から視て、第１信号電極Ｐ１１と第２信号電極Ｐ２１との間に、グランド電極ＰＧ１、中間グランド導体４４およびグランド層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２が配置されている。この構成によれば、加熱プレス時の樹脂の流動に伴う信号電極（第１信号電極Ｐ１１および第２信号電極Ｐ２１）の位置ずれを抑制でき、信号電極の位置ずれに起因したインピーダンスの変動も抑制できる。

【0122】

また、本実施形態では、第１接続部ＣＮ１における第１信号導体（第１信号線３１に電気的に接続された導体）と第２信号導体（第２信号線に電気的に接続された導体）との間に、グランド（中間グランド電極ＰＧ１Ａ，中間グランド導体４４、グランド層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２、中間グランド接続電極ＣＧ１Ａおよびシールド部材６）が配置されている。この構成によれば、第１信号導体と第２信号導体との間に配置されるグランドによって、第１接続部ＣＮ１における第１信号導体と第２信号導体とのアイソレーションが確保され、第１信号導体と第２信号導体とのクロストークが抑制される。このことは、第２接続部ＣＮ２でも同様である。

【0123】

なお、本実施形態では、シールド部材６が、Ｘ軸方向に長手方向を有する長尺状の面状導体である例を示したが、シールド部材６の形状等はこれに限定されるものではない。シールド部材６の個数、形状等は適宜変更が可能である。シールド部材６の形状は、例えば円柱、角柱等でもよい。ただし、シールド部材６は、第１接続電極Ｃ１１に接続するコネクタ第１内部端子５０１と、第２接続部ＣＮ２に接続するコネクタ第２内部端子５０２とが有する嵌合相手との接触部との間に位置し、Ｙ軸方向から見て、コネクタ第１内部端子５０１の接触部と、コネクタ第２内部端子５０２の接触部とに重なる。

【0124】

また、本実施形態では、伝送線路基板が、中間グランド接続電極ＣＧ１Ａおよびシールド部材６を有するコネクタ５１Ｄ，５２Ｄを備える例を示したが、この構成に限定されるものではない。伝送線路基板が単一の回路基板に面実装される場合には、上記回路基板が中間グランド接続電極ＣＧ１Ａおよびシールド部材６を備えていてもよい。

【0125】

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２および線路部ＴＬを有する伝送線路基板の例を示したが、伝送線路基板が有する接続部および線路部の数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

【0126】

以上に示した各実施形態では、絶縁性基材が略矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁性基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。絶縁性基材の平面形状は、例えばＬ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形、Ｕ字形等でもよい。

【0127】

また、以上に示した第１～３、第５の実施形態では、絶縁性基材が３つの基材層を積層してなる積層体である例を示したが、本発明の絶縁性基材の積層数はこれに限定されるものではない。絶縁性基材を形成する基材層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

【0128】

以上に示した各実施形態では、絶縁性基材が、熱可塑性樹脂を主材料とする平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁性基材は熱硬化性樹脂を主材料とする平板であってもよい。また、絶縁性基材は、例えば、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の誘電体セラミックであってもよい。また、絶縁性基材は、複数の樹脂の複合積層体であってもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、絶縁性基材は、複数の基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各基材層間に接着材層を有する構成でもよい。

【0129】

また、伝送線路基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。伝送線路基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、伝送線路基板には、例えば他の各種伝送線路（ミアンダ、コプレーナ等）等が、形成されていてもよい。さらに伝送線路基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

【0130】

以上に示した各実施形態では、２つの伝送線路（第１伝送線路および第２伝送線路）が構成された伝送線路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。伝送線路の数は、伝送線路基板に形成される回路構成によって適宜変更可能であり、３つ以上でもよい。例えば、伝送線路基板が備える第２信号線の数（第２伝送線路の数）が複数でもよい。この場合に複数の第２伝送線路は、それぞれ同一のシステム（同一の周波数帯）で利用されていてもよく、それぞれ異なるシステム（それぞれ異なる周波数帯）で利用されていてもよい。

【0131】

また、以上に示した各実施形態では、各電極（第１信号電極Ｐ１１，Ｐ１２、第２信号電極Ｐ２１，Ｐ２２、第１接続電極Ｃ１１，Ｃ１２、第２接続電極Ｃ２１，Ｃ２２および複数のグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２）の平面形状が、矩形である例を示したが、これに限定されるものではない。各電極の平面形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形であってもよい。また、各電極の個数・位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。なお、伝送線路基板には、これら各電極以外に、回路に接続されないダミー電極等が形成されていてもよい。

【0132】

以上に示した各実施形態では、第１信号線３１と第２信号線３２とが、絶縁性基材のうち同一層に形成された例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１信号線３１と第２信号線３２とが、厚み方向（Ｚ軸方向）に異なる層に形成されていてもよい。その場合、第１周波数帯で利用される第１信号線３１が、第２信号線よりも第１主面ＶＳ１に近接していることが好ましい。これにより、第２周波数帯よりも高い第１周波数帯に用いられる第１信号線３１（第１伝送線路）の線路長を短くできるため、効果的に導体損失を抑制できる。

【0133】

なお、以上に示した各実施形態では、第１接続電極Ｃ１１の面積が、第１信号電極Ｐ１１の面積よりも大きい構成について示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、第１信号電極Ｐ１１の面積が、第１接続電極Ｃ１１の面積よりも大きい場合でも同様の作用・効果を奏する。すなわち、第１信号電極および第１接続電極のうち、いずれか一方の面積が他方の面積よりも大きければ、第１信号電極と第１接続電極の位置ずれが生じても、第１信号電極と第１接続電極との間に発生する容量の変動は抑制される。

【0134】

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

【符号の説明】

【0135】

Ｃ１１，Ｃ１２…第１接続電極
Ｃ２１，Ｃ２２…第２接続電極
ＣＧ１，ＣＧ２…グランド接続電極
ＣＧ１Ａ，ＣＧ２Ａ…中間グランド接続電極
ＣＮ１…第１接続部
ＣＮ２…第２接続部
ＴＬ…線路部
Ｈ１１，Ｈ１２，Ｈ２１，Ｈ２２，ＨＧ１，ＨＧ２…開口
ＨＣ１１，ＨＣ１２，ＨＣ２１，ＨＣ２２…開口
Ｐ１１，Ｐ１２…第１信号電極
Ｐ２１，Ｐ２２…第２信号電極
ＰＧ１，ＰＧ２…グランド電極
ＰＧ１Ａ，ＰＧ２Ａ…中間グランド電極
Ｓ１…素体の第１面
Ｓ２…素体の第２面
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２…層間接続導体
Ｖ４１，Ｖ４２…グランド層間接続導体
ＶＳ１…絶縁性基材の第１主面
ＶＳ２…絶縁性基材の第２主面
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…素体
１Ａ…素体
５…導電性接合材
６…シールド部材
１０，１０Ｂ，１０Ｃ…絶縁性基材
１１，１２，１３…基材層
２０，２０Ａ…保護層
３１…第１信号線
３２…第２信号線
４１，４２，４３…グランド導体
４４，４５…中間グランド導体
５１，５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５２，５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｄ…コネクタ
６０…回路基板の絶縁性基材
７０…回路基板の保護層
８１，８２，８３，８４，８５…実装部品
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３，１０４，１０４Ａ，１０７…伝送線路基板
２０１…回路基板
３０１，３０１Ａ，３０２，３０３，３０４，３０５，３０７…コネクタ付きケーブル
４０１…電子機器
５０１…コネクタ第１内部端子
５０２…コネクタ第２内部端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】