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特許7168940自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-01
(45)【発行日】2022-11-10
(54)【発明の名称】自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
C09J 163/02 20060101AFI20221102BHJP
C09J 9/02 20060101ALI20221102BHJP
C09J 11/04 20060101ALI20221102BHJP
C09J 11/06 20060101ALI20221102BHJP
C09J 7/30 20180101ALI20221102BHJP
C09D 163/02 20060101ALI20221102BHJP
C09D 5/24 20060101ALI20221102BHJP
C09D 7/61 20180101ALI20221102BHJP
C09D 7/63 20180101ALI20221102BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20221102BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20221102BHJP
【ＦＩ】
C09J163/02
C09J9/02
C09J11/04
C09J11/06
C09J7/30
C09D163/02
C09D5/24
C09D7/61
C09D7/63
H01L21/60 311S
H01L33/62
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2020213966
(22)【出願日】2020-12-23
(65)【公開番号】P2022051651
(43)【公開日】2022-04-01
【審査請求日】2020-12-23
(31)【優先権主張番号】10-2020-0122040
(32)【優先日】2020-09-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】520508387
【氏名又は名称】フライ アップ カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＦＬＹ ＵＰ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】（Ｓａ－ｄｏｎｇ， ＲＩＴ Ｃｅｎｔｅｒ） ＃７０８， Ｈａｅａｎ－ｒｏ ７０５， Ｓａｎｇｎｏｋ－ｇｕ， Ａｎｓａｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ １５５８８， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(73)【特許権者】
【識別番号】520508398
【氏名又は名称】イーエルピーエス インコーポレーテッド
【氏名又は名称原語表記】ＥＬＰＳ Ｉｎｃ．
【住所又は居所原語表記】１１１， Ｂａｌｌｙｏｎｇ－ｒｏ， Ｄｅｏｋｊｉｎ－ｇｕ， Ｊｅｏｎｊｕ－ｓｉ， Ｊｅｏｌｌａｂｕｋ－ｄｏ ５４８５３， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002262
【氏名又は名称】ＴＲＹ国際弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】パク ビョンギュ
(72)【発明者】
【氏名】シン ジュンシク
【審査官】小久保 敦規
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１９－５００６３５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２０９１５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２４９３４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－１６５８２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２４６８３８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０６－１０３８２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１１－００２９７６９（ＫＲ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０９Ｊ １／００－２０１／１０
Ｃ０９Ｄ １／００－２０１／１０
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂；及び導電性粒子；を含み、
２０～３０℃で３０，０００～３００，０００ｃｐｓの粘度を有し、
前記有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、下記式（１）
Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 及びＡ ４ は、それぞれ独立して、－ＣＨ ２ －、－ＣＨ ２ ＣＨ ２ －、－ＣＨ ２ ＣＨ ２ ＣＨ ２ －、－ＣＨ ２ ＣＨ ２ ＣＨ ２ ＣＨ ２ －又は－ＣＨ ２ ＣＨ ２ ＣＨ ２ ＣＨ ２ ＣＨ ２ －であり、
Ｅは、Ｃ３～Ｃ３０のアルキレン基であり、
Ｒ ９ 及びＲ １０ は、それぞれ独立して、
ｎは、１～１０を満たす有理数である。］で示される化合物を含むことを特徴とする自己密封型導電接続ペースト。
【請求項2】
前記有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、２０～３０℃で３５，０００～１５０，０００ｃｐｓの粘度を有する第１エポキシ樹脂と２０～３０℃で１，０００～３０，０００ｃｐｓの粘度を有する第２エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項3】
前記第１エポキシ樹脂は、エポキシ当量が２４５～２７５ｇ／ｅｑであり、前記第２エポキシ樹脂は、エポキシ当量が１８０～２３０ｇ／ｅｑであることを特徴とする請求項２に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項4】
前記有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：２～９．２の重量比で含むことを特徴とする請求項２に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項5】
前記有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．１～１の重量比で含むことを特徴とする請求項２に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項6】
前記自己密封型導電接続ペーストは、全重量％に対して、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂２８．３４～４５重量％と導電性粒子３５～５５重量％を含むことを特徴とする請求項１に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項7】
前記自己密封型導電接続ペーストは、全重量％に対して、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂１２．５～２８．３４重量％と導電性粒子５５～７４重量％を含むことを特徴とする請求項１に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項8】
前記自己密封型導電接続ペーストは、還元剤；シランカップリング剤；硬化剤；及び硬化促進剤；から選択される１種以上をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項9】
前記自己密封型導電接続ペーストは、全重量％に対して、還元剤５～３０重量％、シランカップリング剤０．５～１．５重量％、硬化剤２．８３～４．５重量％及び硬化促進剤２．８３～４．５重量％で含むことを特徴とする請求項８に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項10】
前記自己密封型導電接続ペーストは、全重量％に対して、還元剤５～１５重量％、シランカップリング剤０．５～１．５重量％、硬化剤１．２５～２．８３重量％及び硬化促進剤１．２５～２．８３重量％で含むことを特徴とする請求項８に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項11】
前記導電性粒子の粒径は、２～７５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項12】
前記自己密封型導電接続ペーストは、マイクロＬＥＤチップと回路基板を接合することを特徴とする請求項８に記載の自己密封型導電接続ペースト。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の自己密封型導電接続ペーストをコーティング及び乾燥して作製されることを特徴とする自己密封型導電接続フィルム。
【請求項14】
片面に複数の第１端子が形成された少なくとも一つ以上のマイクロＬＥＤチップ；前記第１端子に対向して、片面に複数の第２端子が形成された回路基板；及び
前記マイクロＬＥＤチップと前記回路基板と間に介在し、マイクロＬＥＤチップと回路基板を電気的に接続する請求項１～１２のいずれか１項に記載の自己密封型導電接続ペースト；
を含むことを特徴とするボンディングモジュール。
【請求項15】
下記の関係式（１）及び（２）を満たすことを特徴とする請求項１４に記載のボンディングモジュール：＜数１＞
５μｍ≦Ｂ－Ａ≦８７μｍ （１）
１．２≦Ｂ／Ａ≦３０ （２）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表す。）
【請求項16】
下記の関係式（３）～（６）を満たすことを特徴とする請求項１５に記載のボンディングモジュール：＜数２＞
３μｍ≦Ａ≦２５μｍ （３）
３０μｍ≦Ｂ≦９０μｍ （４）
１０μｍ≦Ｃ≦３０μｍ （５）
２０μｍ≦Ｄ≦８０μｍ （６）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、
Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表し、
Ｃは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の大きさを表し、
Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線と間の距離（pitch）を表す。）
【請求項17】
下記の関係式（７）及び（８）を満たすことを特徴とする請求項１４に記載のボンディングモジュール：＜数３＞
５５μｍ≦Ｂ－Ａ≦２４５μｍ （７）
２．２≦Ｂ／Ａ≦５０ （８）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表す。）
【請求項18】
下記の関係式（９）～（１２）を満たすことを特徴とする請求項１７に記載のボンディングモジュール：＜数４＞
５μｍ≦Ａ≦４５μｍ （９）
１００μｍ≦Ｂ≦２５０μｍ （１０）
３０μｍ≦Ｃ≦１１０μｍ （１１）
６０μｍ≦Ｄ≦２２０μｍ （１２）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、
Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表し、
Ｃは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の大きさを表し、
Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線と間の距離（pitch）を表す。）
【請求項19】
前記回路基板は、ガラス回路基板、プリント回路基板（ＰＣＢ）又はフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣＢ）であることを特徴とする請求項１４に記載のボンディングモジュール。
【請求項20】
片面に複数の第１端子が形成された少なくとも一つ以上のマイクロＬＥＤチップと、片面に複数の第２端子が形成された回路基板を準備する第１ステップ；回路基板の複数の第２端子が形成された片面に、請求項１～１２のいずれか１項に記載の自己密封型導電接続ペーストを印刷する第２ステップ；
前記複数の第２端子に対向して前記マイクロＬＥＤチップの複数の第１端子を向き合うように配置させ、前記自己密封型導電接続ペーストの片面に、マイクロＬＥＤチップを仮接着させる第３ステップ；及び
前記自己密封型導電接続ペーストを熱処理する第４ステップ；
を含む自己密封型導電接続ペーストを備えるボンディングモジュールを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法に関する。より詳細には、５０μｍ以下又は５０～２２０μｍのピッチを有するマイクロＬＥＤチップと回路基板を電気的、物理的及び化学的に接合させることができるマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペースト、それを含むマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、発光ダイオード（以下、ＬＥＤ）は、チップ（chip）のサイズが３００μｍ以上である。このように、チップのサイズが３００μｍ以上であるＬＥＤのパッケージング工程を行う過程の一つとして、ＬＥＤチップと基板又はリードフレームを接続して電気的に接続させる工程が行われている。ＬＥＤチップと基板又はリードフレームを接続して電気的に接続させる方法には、ワイヤボンディング（Wire Bonding）法、半田ペースト（solder paste）法、フリップチップボンディング（flip chip bonding）法（＝ＬＥＤチップ下段の電極パッドと基板との電極を熱圧着して貼り合わせる方式）等が行われている。
【0003】
ワイヤボンディング法は、金（Ａｕ）を用いてワイヤ（Wire）形態にＬＥＤチップと基板又はリードフレームを接続する方法であり、半田ペースト法及びフリップチップボンディング法と比較して、抵抗が高く、電気的特性が低下する問題がある。したがって、一般に、半田ペースト法やフリップチップボンディング法を使用してＬＥＤチップと基板又はリードフレームを接続している。
【0004】
一方、ＬＥＤ技術の発展において、画質に優れるだけでなく、画面応答速度に優れたＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diodes）が現在最も多く使用されている。ＯＬＥＤ技術を引き継ぐ次世代技術としてマイクロ（micro）ＬＥＤ技術が脚光を浴びている。マイクロＬＥＤは、ＯＬＥＤの膜厚をさらに薄く、さらに高い電力効率、さらに高い解像度を実現することができ、バーンイン（Burn in）現象を改善することができる長所がある。
【0005】
マイクロＬＥＤは、前述したチップ（chip）のサイズが３００μｍ以上のＬＥＤとは異なり、チップのサイズは略３０～９０μｍであり、略５０μｍ以下の極微細ピッチ（pitch；マイクロＬＥＤチップに形成された端子の中心線と隣接する端子の中心線と間の距離）が形成されている。
【0006】
また、別の例として、マイクロＬＥＤは、前述したチップ（chip）のサイズが３００μｍ以上のＬＥＤとは異なり、チップのサイズは略１００～２５０μｍであり、略５０～２２０μｍの極微細ピッチ（pitch；マイクロＬＥＤチップに形成された端子の中心線と隣接する端子の中心線と間の距離）が形成されている。
【0007】
マイクロＬＥＤチップと基板又はリードフレームを接続して電気的に接続させるために、前述した半田ペースト法（＝ＬＥＤチップに形成された端子に極少量のペーストを塗布し、基板又はリードフレームを接続する方法）を使用すれば、マイクロＬＥＤチップのピッチが狭いことから、ショート（short）が発生する問題があった。また、フリップチップボンディング法を使用して、マイクロＬＥＤチップと基板又はリードフレームを接続する場合には、フリップチップボンディング法では高温の熱圧着工程が行われるため、マイクロＬＥＤチップの損傷が発生する問題があった。したがって、極微細ピッチが形成されたマイクロＬＥＤチップと基板又はリードフレームを接続するとき、マイクロＬＥＤチップに損傷を与えることなく接続可能な接続ペースト及び接触方法が必要なのが実情である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【文献】韓国特許第１０－１６１８８７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明は、前記のような点に鑑みて案出されたものであり、５０μｍ以下又は５０～２２０μｍのピッチ（pitch）を有するマイクロＬＥＤチップと回路基板とをボンディングする際に、接着力に優れるだけでなく、接続抵抗が低く、印刷性、絶縁性及び自己密封性に優れた自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法を提供することに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、前記のような本発明の目的を達成するために創出されたものであり、本発明は、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂；及び導電性粒子；を含み、２０～３０℃で３０，０００～３００，０００ｃｐｓの粘度を有する自己密封型導電接続ペーストを開示する。
【0011】
前記有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、２０～３０℃で３５，０００～１５０，０００ｃｐｓの粘度を有する第１エポキシ樹脂と２０～３０℃で１，０００～３０，０００ｃｐｓの粘度を有する第２エポキシ樹脂を含んでいてもよい。
【0012】
前記第１エポキシ樹脂は、エポキシ当量が２４５～２７５ｇ／ｅｑであり、前記第２エポキシ樹脂は、エポキシ当量が１８０～２３０ｇ／ｅｑであってもよい。
【0013】
前記有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：２～９．２の重量比で含んでいてもよい。
【0014】
前記有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．１～１の重量比で含むことができる。
【0015】
前記有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、下記式（１）
【0016】
【0017】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１～Ｃ１２の直鎖状アルキル基又はＣ３～Ｃ１２の分枝状アルキル基であり、
【0018】
Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は、それぞれ独立して、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－であり、
Ｅは、Ｃ３～Ｃ３０のアルキレン基であり、
Ｅは、Ｃ３～Ｃ３０のアルキレン基であり、
【0019】
Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立して、
（ここで、Ｒ１１は、水素原子、Ｃ１～Ｃ１２の直鎖状アルキル基又はＣ３～Ｃ１２の分枝状アルキル基であり、Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－である）であり、
ｎは、１～１０を満たす有理数である。］で示される化合物を含んでいてもよい。
ｎは、１～１０を満たす有理数である。］で示される化合物を含んでいてもよい。
【0020】
前記自己密封型導電接続ペーストは、全重量％に対して、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂２８．３４～４５重量％と導電性粒子３５～５５重量％を含んでいてもよい。
【0021】
前記自己密封型導電接続ペーストは、全重量％に対して、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂１２．５～２８．３４重量％と導電性粒子５５～７４重量％を含んでいてもよい。
【0022】
前記自己密封型導電接続ペーストは、還元剤；シランカップリング剤；硬化剤；及び硬化促進剤；から選択される１種以上をさらに含んでいてもよい。
【0023】
前記自己密封型導電接続ペーストは、全重量％に対して、還元剤５～３０重量％、シランカップリング剤０．５～１．５重量％、硬化剤２．８３～４．５重量％及び硬化促進剤２．８３～４．５重量％を含んでいてもよい。
【0024】
前記自己密封型導電接続ペーストは、全重量％に対して、還元剤５～１５重量％、シランカップリング剤０．５～１．５重量％、硬化剤１．２５～２．８３重量％及び硬化促進剤１．２５～２．８３重量％を含んでいてもよい。
【0025】
前記導電性粒子の粒径は、２～７５μｍであってもよい。
【0026】
前記自己密封型導電接続ペーストは、マイクロＬＥＤチップと回路基板を接合してもよい。
【0027】
本発明は、前記自己密封型導電接続ペーストをコーティング及び乾燥して作製されることを特徴とする自己密封型導電接続フィルムを開示する。
【0028】
また、本発明は、片面に複数の第１端子が形成された少なくとも一つ以上のマイクロＬＥＤチップ；前記第１端子に対向して、片面に複数の第２端子が形成された回路基板；及び前記マイクロＬＥＤチップと前記回路基板との間に介在し、マイクロＬＥＤチップと回路基板を電気的に接続する請求項１～１３のいずれか１項に記載の自己密封型導電接続ペースト；を含むことを特徴とするボンディングモジュールを開示する。
【0029】
ボンディングモジュールは、下記の関係式（１）及び（２）を満たすことができる：
【0030】
＜数１＞
５μｍ≦Ｂ－Ａ≦８７μｍ （１）
１．２≦Ｂ／Ａ≦３０ （２）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表す。）
５μｍ≦Ｂ－Ａ≦８７μｍ （１）
１．２≦Ｂ／Ａ≦３０ （２）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表す。）
【0031】
ボンディングモジュールは、下記の関係式（３）～（６）を満たすことができる。
【0032】
＜数２＞
３μｍ≦Ａ≦２５μｍ （３）
３０μｍ≦Ｂ≦９０μｍ （４）
１０μｍ≦Ｃ≦３０μｍ （５）
２０μｍ≦Ｄ≦８０μｍ （６）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、
Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表し、
Ｃは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の大きさを表し、
Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線と間の距離（pitch）を表す。）
３μｍ≦Ａ≦２５μｍ （３）
３０μｍ≦Ｂ≦９０μｍ （４）
１０μｍ≦Ｃ≦３０μｍ （５）
２０μｍ≦Ｄ≦８０μｍ （６）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、
Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表し、
Ｃは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の大きさを表し、
Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線と間の距離（pitch）を表す。）
【0033】
ボンディングモジュールは、下記の関係式（７）及び（８）を満たすことができる：
【0034】
＜数３＞
５５μｍ≦Ｂ－Ａ≦２４５μｍ （７）
２．２≦Ｂ／Ａ≦５０ （８）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表す。）
５５μｍ≦Ｂ－Ａ≦２４５μｍ （７）
２．２≦Ｂ／Ａ≦５０ （８）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表す。）
【0035】
ボンディングモジュールは、下記の関係式（９）～（１２）を満たすことができる：
【0036】
＜数４＞
５μｍ≦Ａ≦４５μｍ （９）
１００μｍ≦Ｂ≦２５０μｍ （１０）
３０μｍ≦Ｃ≦１１０μｍ （１１）
６０μｍ≦Ｄ≦２２０μｍ （１２）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、
Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表し、
Ｃは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の大きさを表し、
Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線と間の距離（pitch）を表す。）
５μｍ≦Ａ≦４５μｍ （９）
１００μｍ≦Ｂ≦２５０μｍ （１０）
３０μｍ≦Ｃ≦１１０μｍ （１１）
６０μｍ≦Ｄ≦２２０μｍ （１２）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペーストに含まれる導電性粒子の粒径を表し、
Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップのサイズを表し、
Ｃは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の大きさを表し、
Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線と間の距離（pitch）を表す。）
【0037】
前記回路基板は、ガラス回路基板、プリント回路基板（ＰＣＢ）又はフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣＢ）であってもよい。
【0038】
本発明は、片面に複数の第１端子が形成された少なくとも一つ以上のマイクロＬＥＤチップと、片面に複数の第２端子が形成された回路基板を準備する第１ステップ；回路基板の複数の第２端子が形成された片面に、請求項１～１３のいずれか１項に記載の自己密封型導電接続ペーストを印刷する第２ステップ；前記複数の第２端子に対向して前記マイクロＬＥＤチップの複数の第１端子を向き合うように配置させ、前記自己密封型導電接続ペーストの片面に、マイクロＬＥＤチップを仮接着させる第３ステップ；及び、前記自己密封型導電接続ペーストを熱処理する第４ステップ；を含む自己密封型導電接続ペーストを備えるボンディングモジュールを製造する方法を開示する。
【発明の効果】
【0039】
本発明の自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法は、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂を含むことで、ガラスのような無機被着基材だけでなく、マイクロＬＥＤチップ及び回路基板に形成された端子に使用される金属との接着力に優れ、印刷性、ディスペンシング特性、絶縁性及び自己密封性に優れる。
【0040】
また、本発明の自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法は、安定した電気的導通特性を実現するだけでなく、マイクロＬＥＤチップに圧力を加えないことから、マイクロＬＥＤチップに加えられる物理的ダメージを最小化することができる。
【図面の簡単な説明】
【0041】
【図1】本発明の自己密封型導電接続ペースト（Self-assembled conductive bonding paste）の導通の実現方式を概略的に示す。導電性粒子が熱処理過程で溶融し、マイクロＬＥＤチップの第１端子と回路基板の第２端子に凝集し、マイクロＬＥＤチップと回路基板間との電気的導通が行われることを示した図である。
【図2】本発明の好ましい一実施例によるマイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図3】本発明の好ましい一実施例によるマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0042】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。本発明は、種々の形態で具現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。図面において、本発明を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略した。明細書全体を通じて同一又は類似の構成要素については同じ参照符号を付加した。
【0043】
以下、本発明による自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法について説明する。
【0044】
図１を参照して、本発明の自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法の導通の実現方式を説明すると、本発明のマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペースト（Self-assembled conductive bonding paste）１００は、圧力を加えることなく、熱処理のみで導電性粒子１（conductive particle）が溶融し、溶融した導電性粒子１は、マイクロＬＥＤチップ２０の第１端子（電極部位；electrode）２１と回路基板１０の第２端子（電極部位；electrode）１１のみに選択的に自己密封する効果が発生する。このとき、本発明の自己密封型導電接続ペースト１００の導電性粒子１を除いた構成成分の部分には、残留した導電性粒子１がないので、接着力に優れ、接続抵抗が低いだけでなく絶縁性に優れる。
【0045】
また、図２を参照すると、本発明のマイクロＬＥＤチップ２０は、チップのサイズａが、１００～２５０μｍ、好ましくは１００～２００μｍ、より好ましくは１２０～１８０μｍ、さらに好ましくは１４０～１６０μｍであるＬＥＤチップであり、マイクロＬＥＤチップ２０のピッチ（pitch）ｂは、６０～２２０μｍ、好ましくは６０～１５０μｍ、より好ましくは６０～１２０μｍ、さらに好ましくは８０～１２０μｍ、さらにより好ましくは９０～１１０μｍであってもよい。ピッチｂは、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の中心線と隣接する第１端子２１の中心線と間の距離（pitch）を示す。
【0046】
また、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の大きさｄは、３０～１１０μｍ、好ましくは３０～９０μｍ、より好ましくは３０～７０μｍ、さらに好ましくは４０～６０μｍであってもよい。さらに、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の高さｃは、０．１～４μｍ、好ましくは０．１～３μｍであってもよい。
【0047】
一方、本発明の別の例として、本発明のマイクロＬＥＤチップ２０は、チップのサイズａが、３０～９０μｍ、好ましくは３０～７０μｍ、より好ましくは３０～６０μｍであるＬＥＤチップであり、マイクロＬＥＤチップ２０のピッチ（pitch）ｂは、５０μｍ以下、好ましくは１０～５０μｍ、より好ましくは２０～４０μｍであってもよい。
【0048】
また、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の大きさｄは、５～３０μｍ、好ましくは１０～３０μｍ、より好ましくは１０～２５μｍ、さらに好ましくは１５～２５μｍであってもよい。さらに、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の高さｃは、０．１～４μｍ、好ましくは１～３μｍであってもよい。
【0049】
本発明のマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストは、マイクロＬＥＤチップと回路基板を接合することができ、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂及び導電性粒子を含む。
【0050】
まず、本発明の有機官能基（organofunctional group）含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、エポキシ樹脂、ダイマー（dimer）及び有機官能基含有アルコキシシランを反応させて合成・製造した樹脂であり、本発明のマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストは、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂を含むことにより、ＰＣＢ、ＦＰＣＢのように有機ペーストからなる回路基板だけでなく、ガラスのような無機被着基材、マイクロＬＥＤチップ及び回路基板に形成された端子に使用される金属との接着力に優れ、印刷性、ディスペンシング特性、絶縁性及び自己密封性に優れる。
【0051】
また、本発明の有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、下記式（１）
【0052】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１～Ｃ１２の直鎖状アルキル基又はＣ３～Ｃ１２の分枝状アルキル基、好ましくは水素原子又はＣ１～Ｃ１２の直鎖状アルキル基、より好ましくは水素原子又はＣ１～Ｃ３の直鎖状アルキル基であり、
【0053】
Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は、それぞれ独立して、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、好ましくは－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－であり、
Ｅは、Ｃ３～Ｃ３０のアルキレン基、好ましくはＣ１０～Ｃ２０のアルキレン基、より好ましくはＣ１６～１８のアルキレン基であり、
（ここで、Ｒ１１は、水素原子、Ｃ１～Ｃ１２の直鎖状アルキル基又はＣ３～Ｃ１２の分枝状アルキル基、好ましくは水素原子又はＣ１～Ｃ１２の直鎖状アルキル基、Ｃ１～Ｃ３の直鎖状アルキル基であり、
Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、好ましくは－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－である）であり、
ｎは、１～１０、好ましくは１～５を満たす有理数である。］で示される化合物を含んでいてもよい。
Ｅは、Ｃ３～Ｃ３０のアルキレン基、好ましくはＣ１０～Ｃ２０のアルキレン基、より好ましくはＣ１６～１８のアルキレン基であり、
Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、好ましくは－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－である）であり、
ｎは、１～１０、好ましくは１～５を満たす有理数である。］で示される化合物を含んでいてもよい。
【0054】
また、本発明の有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、１２．５～２８．３４重量％、好ましくは１２．５～２２．７５重量％、より好ましくは１４～２１重量％、さらに好ましくは１５．７５～１９．２５重量％を含んでいてもよい。有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂が１２．５重量％未満のとき、本発明の自己密封型導電接続ペーストがペースト（paste）状態に製造できないか、ショート（short）不良が発生する可能性があり、２８．３４重量％を超えると、本発明の自己密封型導電接続ペーストを含むマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの電気的特性の低下、及び工程で不良が発生する可能性がある。
【0055】
また、別の例として、本発明の有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、２８．３４～４５重量％、好ましくは２８．６～４３．１重量％、より好ましくは３２．２～３９．５重量％、さらに好ましくは３４．０～４１．３重量％を含んでいてもよい。有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂が２８．３４重量％未満のとき、本発明の自己密封型導電接続ペーストがペースト（paste）状態に製造できないか、ショート（short）不良が発生する可能性があり、４５重量％を超えると、本発明の自己密封型導電接続ペーストを含むマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの電気的特性の低下、及び工程で不良が発生する可能性がある。
【0056】
一方、本発明の有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を含むことができる。
【0057】
本発明の第１エポキシ樹脂は、前記式（１）で示される化合物を含んでいてもよく、本発明の第１エポキシ樹脂は、２０～３０℃、好ましくは２３～２７℃で３５，０００～１５０，０００ｃｐｓ、好ましくは４０，０００～１００，０００ｃｐｓ、より好ましくは５０，０００～９０，０００ｃｐｓ、さらに好ましくは６０，０００～８０，０００ｃｐｓの粘度を有してもよい。粘度が３５，０００ｃｐｓ未満のとき、自己密封型導電接続ペーストを回路基板又はマイクロＬＥＤチップに印刷後、印刷形状の維持が難しくなる可能性があり、１５０，０００ｃｐｓを超えると、自己密封型導電接続ペーストを製造する時、混合及び分散が難しくなる可能性がある。
【0058】
また、本発明の第１エポキシ樹脂は、エポキシ当量が２４５～２７５ｇ／ｅｑ、好ましくは２５０～２７０ｇ／ｅｑ、より好ましくは２５５～２６５ｇ／ｅｑであってもよい。エポキシ当量が２４５ｇ／ｅｑ未満のとき、接着力が低くなる可能性があり、２７５ｇ／ｅｑを超えると、エポキシがゲル（gel）化する可能性がある。
【0059】
本発明の第２エポキシ樹脂は、前記式（１）で示される化合物を含んでいてもよく、本発明の第２エポキシ樹脂は、２０～３０℃、好ましくは２３～２７℃で１，０００～３０，０００ｃｐｓ、好ましくは５，０００～２０，０００ｃｐｓ、より好ましくは８，０００～１７，０００ｃｐｓ、さらに好ましくは１０，０００～１４，０００ｃｐｓの粘度を有してよい。粘度が１，０００ｃｐｓ未満のとき、自己密封型導電接続ペーストを回路基板又はマイクロＬＥＤチップに印刷後、印刷形状の維持が難しくなる可能性があり、３０，０００ｃｐｓを超えると、自己密封型導電接続ペーストを製造する時、混合及び分散が難しくなる可能性がある。
【0060】
また、本発明の第２エポキシ樹脂は、エポキシ当量が１８０～２３０ｇ／ｅｑ、好ましくは１８５～２２５ｇ／ｅｑであってもよい。エポキシ当量が１８０ｇ／ｅｑ未満のとき、接着力が低くなる可能性があり、２３０ｇ／ｅｑを超えると、エポキシがゲル（gel）化する可能性がある。
【0061】
さらに、本発明の有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．１～１の重量比、好ましくは１：０．２～０．８の重量比、より好ましくは１：０．４～０．６３の重量比で含んでもよい。重量比が１：０．１未満のとき、粘度が高く、工程に問題が生じる可能性があり、重量比が１：１を超えると、印刷の問題による電気的特性が低下する可能性がある。
【0062】
また、本発明の別の例として、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：２～９．２の重量比、好ましくは１：２．５～７．５の重量比、より好ましくは１：３．５～５の重量比で含んでもよい。重量比が１：２未満のとき、工程に問題が生じる可能性があり、重量比が１：９．２を超えると、印刷の問題が生じる可能性がある。
【0063】
次に、本発明の導電性粒子は、マイクロＬＥＤチップと回路基板を電気的に導通させる物質であり、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、５５～７４重量％、好ましくは６１．２～７４．８重量％、より好ましくは６４．６～７８．２重量％で含んでもよい。導電性粒子が５５重量％未満のとき、未導通の問題が生じる可能性があり、７４重量％を超えると、ショート（short）が発生する可能性がある。
【0064】
また、本発明の別の例として、導電性粒子は、マイクロＬＥＤチップと回路基板を電気的に導通させる物質であり、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、３５～５５重量％、好ましくは３６．８～５５．２重量％、より好ましくは４１．４～５０．６重量％で含んでもよい。導電性粒子が３５重量％未満のとき、未導通の問題が生じる可能性があり、５５重量％を超えると、ショート（short）が発生する可能性がある。
【0065】
本発明の導電性粒子は、ビズマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Iｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ニッケル（Ｎｉ）及びこれらの合金から選択される１種以上を含んでもよい。好ましくはビズマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）の合金及びビズマス（Ｂｉ）及びスズ（Ｓｎ）の合金から選択される１種以上、より好ましくはビズマス（Ｂｉ）及びスズ（Ｓｎ）の合金を含んでもよい。
【0066】
本発明の導電性粒子として、ビズマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）の合金を含むとき、ビズマス１００重量部に対して、スズ５８．２～８７．４重量部、好ましくは６５．５～８０．１重量部、より好ましくは６９．１～７６．５重量部を含んでもよい。また、導電性粒子として、ビズマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）の合金を含むとき、ビズマス１００重量部に対して、０．４１～０．６３重量部、好ましくは０．４６～０．５８重量部、より一層好ましくは０．４９～０．５５重量部を含んでもよい。
【0067】
一方、本発明の導電性粒子として、ビズマス（Ｂｉ）及びスズ（Ｓｎ）の合金を含むとき、ビズマス及びスズを１：０．５７～０．８７の重量比、好ましくは１：０．６５～０．８の重量比、より好ましくは１：０．６８～０．７７の重量比で含んでもよい。
【0068】
また、本発明の導電性粒子の粒径は、２～７５μｍ、好ましくは５～４５μｍ、より好ましくは１０～３８μｍ、さらに好ましくは１０～２５μｍであってもよい。導電性粒子の粒径が２μｍ未満のとき、粘度が高くなり、印刷の問題が発生する可能性があり、７５μｍを超えると、マイクロＬＥＤチップと比較して、粒子径が大きくなり、マイクロＬＥＤチップの実装に問題があり得る。
【0069】
一方、本発明のマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストは、２０～３０℃、好ましくは２３～２７℃で１００，０００～３００，０００ｃｐｓ、好ましくは１５０，０００～２４０，０００ｃｐｓ、より好ましくは１７０，０００～２２５，０００ｃｐｓの粘度を有してもよい。粘度が１００，０００ｃｐｓ未満であるか、３００，０００ｃｐｓを超えると、印刷できない問題があり得る。
【0070】
また、本発明の別の実施例は、２０～３０℃、好ましくは２３～２７℃で３０，０００～９０，０００ｃｐｓ、好ましくは４０，０００～８０，０００ｃｐｓ、より好ましくは４５，０００～７０，０００ｃｐｓの粘度を有してもよい。粘度が３０，０００ｃｐｓ未満のとき、電気的特性の問題が生じる可能性があり、９０，０００ｃｐｓを超えると、印刷不良及び電気的特性に問題が生じる可能性がある。
【0071】
さらに、本発明のマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストは、還元剤、シランカップリング剤、硬化剤及び硬化促進剤から選択される１種以上をさらに含むことができ、好ましくは還元剤、シランカップリング剤、硬化剤及び硬化促進剤をさらに含むことができる。
【0072】
まず、本発明の還元剤は、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、５～１５重量％、好ましくは７～１３重量％、より好ましくは８～１２重量％、さらに好ましくは９～１１重量％で含んでもよい。還元剤が５重量％未満のとき、還元できず、電気的な問題が生じる可能性があり、１５重量％を超えると、粘度が高くなるだけでなく、経時的な問題が発生する可能性がある。
【0073】
また、本発明の別の実施例は、還元剤が、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、５～３０重量％、好ましくは５～１５重量％、より好ましくは７～１３重量％、さらに好ましくは８～１２重量％、さらにより好ましくは９～１１重量％で含んでもよい。還元剤が５重量％未満のとき、還元できず、電気的な問題が生じる可能性があり、３０重量％を超えると、粘度が高くなるだけでなく、経時的な問題が発生する可能性がある。
【0074】
本発明の還元剤は、ロジン系還元剤、有機酸系還元剤、金属還元剤及びアミン塩還元剤から選択される１種以上を含んでもよく、好ましくは有機酸系還元剤を含んでもよく、より好ましくは有機酸系還元剤であるアジピン酸及びクエン酸から１種以上を含むことができる。
【0075】
具体的に、本発明の還元剤は、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物の混合物、塩化亜鉛と無機酸の混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、アミン塩還元剤、有機酸、酢酸、乳酸、カルボキシ基を２個有するシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、フタル酸、クエン酸、活性化ロジン及び非活性化ロジンから選択される１種以上を含むことができる。
【0076】
次に、本発明のシランカップリング剤は、ガラスなどの無機材料からなる基材との接着力の向上のために含まれ得る物質であり、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、０．５～１．５重量％、好ましくは０．７～１．３重量％、より好ましくは０．８～１．２重量％、さらに好ましくは０．９～１．１重量％で含んでもよい。シランカップリング剤が０．５重量％未満のとき、接着力が低下する可能性があり、１．５重量％を超えると、経時的な問題が生じる可能性がある。
【0077】
本発明のシランカップリング剤は、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン（3-glycidyloxypropyl methyldimethoxysilane）、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン及び３－メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシランから選択される１種以上であってもよく、好ましくは２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン及び３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシランから選択される１種以上を含むことができる。
【0078】
次に、本発明の硬化剤は、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、１．２５～２．８３重量％、好ましくは１．４～２．１重量％、より好ましくは１．５７～１．９３重量％で含んでもよい。硬化剤が１．２５重量％未満のとき、未硬化の問題が生じる可能性があり、２．８３重量％を超えると、粘度が高くなる可能性がある。
【0079】
また、本発明の別の実施例は、硬化剤が、自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、２．８３～４．５重量％、好ましくは２．８３～４．３重量％、より好ましくは３．２～４．０重量％で含んでもよい。硬化剤が２．８３重量％未満のとき、未硬化の問題が生じる可能性があり、４．５重量％を超えると、粘度が高かくなる可能性がある。
【0080】
また、本発明の硬化剤は、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、ポリチオール硬化剤、潜在性硬化剤及びカチオン硬化剤から選択される１種以上を含むことができる。また、潜在性硬化剤は、イミダゾール系硬化剤、ヒドラジド系硬化剤、三フッ化ホウ素－アミン錯体硬化剤、アミンイミド硬化剤、ポリアミン系硬化剤、第３級アミン硬化剤、アルキル尿素系硬化剤及びジシアンジアミド系硬化剤から選択される１種以上を含むことができる。
【0081】
次に、本発明の硬化促進剤は、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、１．２５～２．８３重量％、好ましくは１．４～２．１重量％、より好ましくは１．５７～１．９３重量％で含んでもよい。硬化剤が１．２５重量％未満のとき、未硬化の問題が生じる可能性があり、２．８３重量％を超えると、経時的な問題が生じる可能性がある。
【0082】
また、本発明の別の実施例は、硬化促進剤が、本発明の自己密封型導電接続ペーストの全重量％に対して、２．８３～４．５重量％、好ましくは２．８３～４．３重量％、より好ましくは３．２～４．０重量％で含んでもよい。硬化剤が２．８３重量％未満のとき、未硬化の問題が生じる可能性があり、４．５重量％を超えると、経時的な問題が生じる可能性がある。
【0083】
一方、本発明の硬化促進剤は、アミン系硬化促進剤、フェノール系硬化促進剤及びイミダゾール系硬化促進剤から選択される１種以上であってもよく、好ましくは１Ｈ－イミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール及びこれの変性物から選択される１種以上を含むことができる。
【0084】
また、本発明のマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストは、１５０～１８０℃の温度で熱処理後、０．５～２ｋｇｆ／ｃｍの接着力を有することができる。
【0085】
また、本発明のマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストは、１５０～１８０℃の温度で熱処理後、０．１～１Ω／ｃｍの接続抵抗を有することができる。
【0086】
また、本発明は、自己密封型導電接続ペーストをコーティング及び乾燥して作製される自己密封型導電接続フィルムを含む。
【0087】
前記自己密封型導電接続フィルムは、前述した自己密封型導電接続ペーストをコーティング及び乾燥してフィルム状態に作製された構成であり、多様な構成が可能である。
【0088】
特に、前記自己密封型導電接続フィルムは、自己密封型導電接続ペーストから一定の過程を経て薄膜のフィルム形態に作製された構成であり、この過程でコーティング及び乾燥過程を含むことができる。
【0089】
さらに、本発明は、本発明のマイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストを含むマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを提供する。
【0090】
図３に示すように、本発明のマイクロチップ－回路基板ボンディングモジュールは、片面に複数の第１端子２１が形成された少なくとも１つ以上のマイクロＬＥＤチップ２０、前記第１端子２１に対抗して、片面に複数の第２端子１１が形成された回路基板１０及び前記マイクロＬＥＤチップ２０と前記回路基板１０との間に介在し、マイクロＬＥＤチップ２０と回路基板１０とを電気的に接続する自己密封型導電接続ペースト１００を含むことができる。
【0091】
このとき、マイクロＬＥＤチップ２０は、前述した図２に記載されたマイクロＬＥＤチップ２０であってもよく、回路基板１０は、ガラス回路基板、プリント回路基板（ＰＣＢ）又はフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣＢ）であってもよい。
一方、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールは、下記の関係式（１）及び（２）を満たすことができる：
一方、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールは、下記の関係式（１）及び（２）を満たすことができる：
【0092】
＜数５＞
５５μｍ≦Ｂ－Ａ≦２４５μｍ、好ましくは５５μｍ≦Ｂ－Ａ≦１９０μｍ、より好ましくは７５μｍ≦Ｂ－Ａ≦１６０μｍ、さらに好ましくは１００μｍ≦Ｂ－Ａ≦１４０μｍ （１）
２．２≦Ｂ／Ａ≦５０、好ましくは２．２≦Ｂ／Ａ≦２０、より好ましくは２．２≦Ｂ／Ａ≦１６、さらに好ましくは５≦Ｂ／Ａ≦１５ （２）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペースト１００に含まれる導電性粒子１の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップ２０のサイズを表す。）
５５μｍ≦Ｂ－Ａ≦２４５μｍ、好ましくは５５μｍ≦Ｂ－Ａ≦１９０μｍ、より好ましくは７５μｍ≦Ｂ－Ａ≦１６０μｍ、さらに好ましくは１００μｍ≦Ｂ－Ａ≦１４０μｍ （１）
２．２≦Ｂ／Ａ≦５０、好ましくは２．２≦Ｂ／Ａ≦２０、より好ましくは２．２≦Ｂ／Ａ≦１６、さらに好ましくは５≦Ｂ／Ａ≦１５ （２）
（式中、Ａは、前記自己密封型導電接続ペースト１００に含まれる導電性粒子１の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップ２０のサイズを表す。）
【0093】
前記式（１）を満たすことができない場合、マイクロＬＥＤチップ２０の実装時、接続不良を引き起こす可能性がある。
【0094】
前記式（２）を満たすことができない場合、マイクロＬＥＤチップ２０の実装時、接続不良を引き起こす可能性がある。
【0095】
また、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールは、下記の関係式（３）～（６）を満たすことができる：
【0096】
＜数６＞
５μｍ≦Ａ≦４５μｍ、好ましくは１０μｍ≦Ａ≦３８μｍ （３）
１００μｍ≦Ｂ≦２５０μｍ、好ましくは１００μｍ≦Ｂ≦２００μｍ、より好ましくは１００μｍ≦Ｂ≦１６０μｍ （４）
３０μｍ≦Ｃ≦１１０μｍ、好ましくは３０μｍ≦Ｃ≦７５μｍ、より好ましくは３０μｍ≦Ｃ≦７０μｍ （５）
６０μｍ≦Ｄ≦２２０μｍ、好ましくは８０μｍ≦Ｄ≦１１０μｍ （６）
（式中、Ａは、自己密封型導電接続ペースト１００に含まれる導電性粒子１の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップ２０のサイズを表し、Ｃは、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の大きさを表し、Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の中心線と隣接する第１端子２１の中心線間の距離（pitch）を表す。）
５μｍ≦Ａ≦４５μｍ、好ましくは１０μｍ≦Ａ≦３８μｍ （３）
１００μｍ≦Ｂ≦２５０μｍ、好ましくは１００μｍ≦Ｂ≦２００μｍ、より好ましくは１００μｍ≦Ｂ≦１６０μｍ （４）
３０μｍ≦Ｃ≦１１０μｍ、好ましくは３０μｍ≦Ｃ≦７５μｍ、より好ましくは３０μｍ≦Ｃ≦７０μｍ （５）
６０μｍ≦Ｄ≦２２０μｍ、好ましくは８０μｍ≦Ｄ≦１１０μｍ （６）
（式中、Ａは、自己密封型導電接続ペースト１００に含まれる導電性粒子１の粒径を表し、Ｂは、前記マイクロＬＥＤチップ２０のサイズを表し、Ｃは、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の大きさを表し、Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の中心線と隣接する第１端子２１の中心線間の距離（pitch）を表す。）
【0097】
前記式（３）を満たすことができない場合、マイクロＬＥＤチップ２０の実装時、接続不良を引き起こす可能性がある。
【0098】
前記式（４）を満たすことができない場合、マイクロＬＥＤチップ２０を使用したディスプレイの解像度が低下する可能性がある。
【0099】
前記式（５）を満たすことができない場合、電気的接続の問題が生じる可能性がある。
【0100】
前記式（６）を満たすことができない場合、電気的接続の問題が生じる可能性がある。
【0101】
さらに、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの別の実施例は、下記の関係式（７）及び（８）を満たすことができる：
【0102】
＜数７＞
５μｍ≦Ｂ－Ａ≦８７μｍ、好ましくは５μｍ≦Ｂ－Ａ≦６２μｍ、より好ましくは１５μｍ≦Ｂ－Ａ≦５７μｍ （７）
１．２≦Ｂ／Ａ≦３０、好ましくは１．２≦Ｂ／Ａ≦２０、より好ましくは１．５≦Ｂ／Ａ≦１０、さらに好ましくは２≦Ｂ／Ａ≦７ （８）
（式中、Ａは、自己密封型導電接続ペースト１００に含まれる導電性粒子（１）の粒径を表し、Ｂは、マイクロＬＥＤチップ２０の大きさを表す。）
５μｍ≦Ｂ－Ａ≦８７μｍ、好ましくは５μｍ≦Ｂ－Ａ≦６２μｍ、より好ましくは１５μｍ≦Ｂ－Ａ≦５７μｍ （７）
１．２≦Ｂ／Ａ≦３０、好ましくは１．２≦Ｂ／Ａ≦２０、より好ましくは１．５≦Ｂ／Ａ≦１０、さらに好ましくは２≦Ｂ／Ａ≦７ （８）
（式中、Ａは、自己密封型導電接続ペースト１００に含まれる導電性粒子（１）の粒径を表し、Ｂは、マイクロＬＥＤチップ２０の大きさを表す。）
【0103】
前記式（７）を満たすことができない場合、マイクロＬＥＤチップ２０の実装時、接続不良を引き起こす可能性がある。
【0104】
前記式（８）を満たすことができない場合、マイクロＬＥＤチップ２０の実装時、接続不良を引き起こす可能性がある。
【0105】
また、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールは、下記の関係式（９）～（１２）を満たすことができる：
【0106】
＜数８＞
３μｍ≦Ａ≦３８μｍ、好ましくは３μｍ≦Ａ≦２５μｍ、より好ましくは５μｍ≦Ａ≦２５μｍ （９）
３０μｍ≦Ｂ≦９０μｍ、好ましくは３０μｍ≦Ｂ≦７０μｍ、より好ましくは３０μｍ≦Ｂ≦６０μｍ （１０）
１０μｍ≦Ｃ≦３０μｍ、好ましくは１０μｍ≦Ｃ≦２５μｍ、より好ましくは１０μｍ≦Ｃ≦２０μｍ （１１）
２０μｍ≦Ｄ≦８０μｍ、好ましくは２０μｍ≦Ｄ≦７０μｍ、より好ましくは２０μｍ≦Ｄ≦６０μｍ （１２）
（式中、Ａは、自己密封型導電接続ペースト１００に含まれる導電性粒子（１）の粒径を表し、Ｂは、マイクロＬＥＤチップ２０の大きさを表し、Ｃは、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の大きさを表し、Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の中心線と隣接する第１端子２１の中心線間の距離（pitch）を表す。）
３μｍ≦Ａ≦３８μｍ、好ましくは３μｍ≦Ａ≦２５μｍ、より好ましくは５μｍ≦Ａ≦２５μｍ （９）
３０μｍ≦Ｂ≦９０μｍ、好ましくは３０μｍ≦Ｂ≦７０μｍ、より好ましくは３０μｍ≦Ｂ≦６０μｍ （１０）
１０μｍ≦Ｃ≦３０μｍ、好ましくは１０μｍ≦Ｃ≦２５μｍ、より好ましくは１０μｍ≦Ｃ≦２０μｍ （１１）
２０μｍ≦Ｄ≦８０μｍ、好ましくは２０μｍ≦Ｄ≦７０μｍ、より好ましくは２０μｍ≦Ｄ≦６０μｍ （１２）
（式中、Ａは、自己密封型導電接続ペースト１００に含まれる導電性粒子（１）の粒径を表し、Ｂは、マイクロＬＥＤチップ２０の大きさを表し、Ｃは、マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の大きさを表し、Ｄは、前記マイクロＬＥＤチップ２０に形成された第１端子２１の中心線と隣接する第１端子２１の中心線間の距離（pitch）を表す。）
【0107】
前記式（９）を満たすことができない場合、マイクロＬＥＤチップ２０の実装時、接続不良を引き起こす可能性がある。
【0108】
前記式（１０）を満たすことができない場合、マイクロＬＥＤチップ２０を使用したディスプレイの解像度が低下する可能性がある。
【0109】
前記式（１１）を満たすことができない場合、電気的接続の問題が生じる可能性がある。
【0110】
前記式（１２）を満たすことができない場合、電気的接続の問題が生じる可能性がある。
【0111】
一方、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを製造する方法は、第１ステップ～第４ステップを含む。
【0112】
まず、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを製造する方法の第１ステップは、片面に複数の第１端子が形成された少なくとも一つ以上のマイクロＬＥＤチップと片面に複数の第２端子が形成された回路基板を準備する。
【0113】
次に、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを製造する方法の第２ステップは、回路基板の複数の第２端子が形成された片面に、本発明の自己密封型導電接続ペーストを印刷する。このとき、印刷は、２０～３０℃の温度、好ましくは２３～２７℃の温度で行うことができる。
【0114】
次に、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを製造する方法の第３ステップは、複数の第２端子に対向してマイクロＬＥＤチップの複数の第１端子を向き合うように配置させ、自己密封型導電接続ペーストの片面に、マイクロＬＥＤチップを仮接着させる。このとき、仮接着は２０～３０℃の温度、好ましくは２３～２７℃の温度で行うことができる。
【0115】
最後に、本発明のマイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを製造する方法の第４ステップは、自己密封型導電接続ペーストを熱処理する。熱処理は、加熱ツールを使用して、１４０～２３０℃、好ましくは１５０～１８０℃で、１分～２０分、好ましくは２～１５分、より好ましくは３～８分間加熱して行うことができる。熱処理温度が、１４０℃未満のとき、導電性粒子が密封されない可能性があり、２３０℃を超えると、部品の劣化又は樹脂の過硬化によって接着力が低下する可能性がある。
【0116】
加熱ツールは、本発明の自己密封型導電接続ペーストに熱を加え、導電性粒子を溶融させることができる手段であれば特に制限されなく、例えば、加熱オーブン又はリフロー乾燥段などを含むことができる。
【0117】
以上、本発明について、実現例を中心に説明したが、これは単に例示であって本発明の実現例を限定するものではない。本発明の実施例が属する分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能である。例えば、本発明の実現例に具体的に示された各構成要素は変形して実施できることはもちろんである。また、このような変形及び応用に関係した相違点は、添付した特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈されなければならない。
【0118】
実施例１：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂１７重量％、導電性粒子（粒径：１０～２５μｍ、ＳｎとＢｉを４２：５８の重量比で含む合金）６８重量％、還元剤のアジピン酸１０重量％、シランカップリング剤の３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン１重量％、ジシアンジアミド系硬化剤１．７５重量％、硬化促進剤の２－ウンデシルイミダゾール１．７５重量％を混合し、絶縁化処理した後、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂１７重量％、導電性粒子（粒径：１０～２５μｍ、ＳｎとＢｉを４２：５８の重量比で含む合金）６８重量％、還元剤のアジピン酸１０重量％、シランカップリング剤の３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン１重量％、ジシアンジアミド系硬化剤１．７５重量％、硬化促進剤の２－ウンデシルイミダゾール１．７５重量％を混合し、絶縁化処理した後、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0119】
有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．５４の重量比で混合した樹脂であり、第１エポキシ樹脂は、下記式（１－１）
【0120】
【0121】
実施例２：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．３３の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．３３の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0122】
実施例３：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．１８の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．１８の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0123】
実施例４：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．６７の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．６７の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0124】
実施例５：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．８２の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：０．８２の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0125】
実施例６～１１：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、下記表１に示すように、混合する有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂、導電性粒子及びアジピン酸の重量％を変えて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、下記表１に示すように、混合する有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂、導電性粒子及びアジピン酸の重量％を変えて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0126】
実施例１２：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂のみを用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂のみを用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0127】
実施例１３：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第２エポキシ樹脂のみを用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第２エポキシ樹脂のみを用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0128】
比較例１：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＤ１２８；KUKDO CHEMICALCO., LTD.製、粘度：１１，５００～１３，５００ｃｐｓ、エポキシ当量：１８４～１９０ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＤ１２８；KUKDO CHEMICALCO., LTD.製、粘度：１１，５００～１３，５００ｃｐｓ、エポキシ当量：１８４～１９０ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0129】
比較例２：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＹＤＦ－１７０；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：２，０００～５，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：１６０～１８０ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＹＤＦ－１７０；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：２，０００～５，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：１６０～１８０ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0130】
比較例３：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないＮＢＲ変性エポキシ樹脂（ＫＲ－４１５；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：５０，０００～１００，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：３７５～４２５ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないＮＢＲ変性エポキシ樹脂（ＫＲ－４１５；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：５０，０００～１００，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：３７５～４２５ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0131】
比較例４：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂でないＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂（ＫＲ－１７０；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：３０，０００～６０，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：２００～２３５ｇ／ｅｑ）を使用して自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂でないＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂（ＫＲ－１７０；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：３０，０００～６０，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：２００～２３５ｇ／ｅｑ）を使用して自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0132】
【0133】
実験例１
実施例１～１３及び比較例１～４で製造した各自己密封型導電接続ペーストを以下の物性評価法に基づいて評価を行い、その結果を表２に示した。
実施例１～１３及び比較例１～４で製造した各自己密封型導電接続ペーストを以下の物性評価法に基づいて評価を行い、その結果を表２に示した。
【0134】
（１）マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの製造
片面に２個の第１端子が形成されたマイクロＬＥＤチップ（マイクロＬＥＤチップのサイズ：１５０μｍ、第１端子の大きさ：５０μｍ、マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線間の距離（pitch）：１００μｍ、第１端子の高さ：２μｍ）と、片面に２個の第２端子が形成された回路基板（回路基板の大きさ：１５０μｍ、第２端子の大きさ：５０μｍ、回路基板に形成された第２端子の中心線と隣接する第２端子の中心線と間の距離（pitch）：１００μｍ、第２端子の高さ：１０μｍ）を準備した。
片面に２個の第１端子が形成されたマイクロＬＥＤチップ（マイクロＬＥＤチップのサイズ：１５０μｍ、第１端子の大きさ：５０μｍ、マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線間の距離（pitch）：１００μｍ、第１端子の高さ：２μｍ）と、片面に２個の第２端子が形成された回路基板（回路基板の大きさ：１５０μｍ、第２端子の大きさ：５０μｍ、回路基板に形成された第２端子の中心線と隣接する第２端子の中心線と間の距離（pitch）：１００μｍ、第２端子の高さ：１０μｍ）を準備した。
【0135】
実施例１～１５及び比較例１～４で製造した各導電接続ペーストを、回路基板に４５μｍの膜厚で印刷し、次いで、回路基板の第２端子に対向するように、マイクロＬＥＤチップの第１端子を向き合うように配置させ、実施例１～１５及び比較例１～４で製造した各導電接続ペーストの片面にマイクロＬＥＤチップを仮接着させた。その後、１８０℃の乾燥器に８分間熱処理（硬化及び自己密封）し、マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを製造した。
【0136】
（２）接続抵抗測定（Ω／ｃｍ）
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、測定器（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製の２０００ Ｍｕｌｔｉｍｅｔｅｒ）を使用して、４－ｐｒｏｂｅ方式で試験電流１ｍＡを印加し、初期接続抵抗を測定して、その平均値を計算した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、測定器（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製の２０００ Ｍｕｌｔｉｍｅｔｅｒ）を使用して、４－ｐｒｏｂｅ方式で試験電流１ｍＡを印加し、初期接続抵抗を測定して、その平均値を計算した。
【0137】
（３）接着力測定（ｋｇｆ／ｃｍ）
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、Ｄａｇｅ４０００（Ｎｏｒｄｓｏｎ社製）装置を使用して、０．５ｍｍ／秒の速度でせん断強度を測定し、接着力を測定した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、Ｄａｇｅ４０００（Ｎｏｒｄｓｏｎ社製）装置を使用して、０．５ｍｍ／秒の速度でせん断強度を測定し、接着力を測定した。
【0138】
（４）絶縁性測定
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、マルチテスター（ＨＩＯＫＩ社製の３２４４－６０ ＣＡＲＤ ＨＩＴＥＳＴＥＲ）を使用して、端子間の電気的導通の有無を確認し、絶縁性を測定した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、マルチテスター（ＨＩＯＫＩ社製の３２４４－６０ ＣＡＲＤ ＨＩＴＥＳＴＥＲ）を使用して、端子間の電気的導通の有無を確認し、絶縁性を測定した。
【0139】
（５）自己密封性測定
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、マルチテスター（ＨＩＯＫＩ社製３２４４－６０ ＣＡＲＤ ＨＩＴＥＳＴＥＲ）を使用して、ペーストにより接続されたマイクロＬＥＤチップ及び回路基板の端子の電気的導通の有無を確認し、かつ高倍率の顕微鏡で確認し、自己密封性を測定した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、マルチテスター（ＨＩＯＫＩ社製３２４４－６０ ＣＡＲＤ ＨＩＴＥＳＴＥＲ）を使用して、ペーストにより接続されたマイクロＬＥＤチップ及び回路基板の端子の電気的導通の有無を確認し、かつ高倍率の顕微鏡で確認し、自己密封性を測定した。
【0140】
（６）印刷性測定
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの外観を肉眼（又は顕微鏡）で確認し、印刷性を測定した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの外観を肉眼（又は顕微鏡）で確認し、印刷性を測定した。
【0141】
（７）粘度測定
Ｍａｌｃｏｍ社製のＰＣＵ－２０５を使用して、ＪＩＳ測定法に基づいて２５℃の温度範囲で実施例１～１３及び比較例１～４で製造した自己密封型導電接続ペーストの粘度を測定した。
Ｍａｌｃｏｍ社製のＰＣＵ－２０５を使用して、ＪＩＳ測定法に基づいて２５℃の温度範囲で実施例１～１３及び比較例１～４で製造した自己密封型導電接続ペーストの粘度を測定した。
【0142】
【0143】
前記表２に示すように、実施例１で製造した自己密封型導電接続ペーストは、別の実施例及び比較例で製造した自己密封型導電接続ペーストの接続抵抗、絶縁性、自己密封性に優れているだけでなく、接着力に優れていることを確認することができた。具体的に、実施例で製造した自己密封型導電接続ペーストと比較して、比較例１で製造した自己密封型導電接続ペーストは、接着力が著しく低下し、比較例２で製造した自己密封型導電接続ペーストは、接着力が著しく低下するだけでなく、印刷性が著しく悪くなり、比較例３で製造した自己密封型導電接続ペーストは、接続抵抗が著しく悪くなるだけでなく、絶縁性、自己密封型及び印刷性が著しく悪くなり、比較例４で製造した自己密封型導電接続ペーストは、接着力が低下し、印刷性が著しく悪くなることを確認することができた。
【0144】
以下、本発明による自己密封型導電接続ペースト、それを含むボンディングモジュール及びその製造方法に対する別の実施例及び比較実験例についてさらに説明する。
【0145】
実施例１４：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂３５．８４重量％、導電性粒子（粒径：１０～２５μｍ、ＳｎとＢｉを４２：５８の重量比で含む合金）４６重量％、還元剤のアジピン酸１０重量％、シランカップリング剤の３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン１重量％、ジシアンジアミド系硬化剤３．５８重量％、硬化促進剤の２－ウンデシルイミダゾール３．５８重量％を混合し、絶縁化処理した後、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂３５．８４重量％、導電性粒子（粒径：１０～２５μｍ、ＳｎとＢｉを４２：５８の重量比で含む合金）４６重量％、還元剤のアジピン酸１０重量％、シランカップリング剤の３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン１重量％、ジシアンジアミド系硬化剤３．５８重量％、硬化促進剤の２－ウンデシルイミダゾール３．５８重量％を混合し、絶縁化処理した後、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0146】
有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂は、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：４の重量比で混合した樹脂であり、第１エポキシ樹脂は、下記式（１－１）
【0147】
【0148】
実施例１５：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：３の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：３の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0149】
実施例１６：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：２．３３の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：２．３３の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0150】
実施例１７：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：５．６７の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：５．６７の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0151】
実施例１８：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：９の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂と第２エポキシ樹脂を１：９の重量比で混合した樹脂を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0152】
実施例１９～２４：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、下記表３に示すように、混合する有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂、導電性粒子及びアジピン酸の重量％を変えて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、下記表３に示すように、混合する有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂、導電性粒子及びアジピン酸の重量％を変えて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0153】
実施例２５：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂のみを用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第１エポキシ樹脂のみを用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0154】
実施例２６：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第２エポキシ樹脂のみを用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂として、第２エポキシ樹脂のみを用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0155】
比較例５：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＤ１２８；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：１１，５００～１３，５００ｃｐｓ、エポキシ当量：１８４～１９０ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＤ１２８；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：１１，５００～１３，５００ｃｐｓ、エポキシ当量：１８４～１９０ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0156】
比較例６：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＹＤＦ－１７０；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：２，０００～５，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：１６０～１８０ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＹＤＦ－１７０；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：２，０００～５，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：１６０～１８０ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0157】
比較例７：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないＮＢＲ変性エポキシ樹脂（ＫＲ－４１５；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：５０，０００～１００，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：３７５～４２５ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないＮＢＲ変性エポキシ樹脂（ＫＲ－４１５；KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：５０，０００～１００，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：３７５～４２５ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0158】
比較例８：マイクロＬＥＤチップボンディング用自己密封型導電接続ペーストの製造
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂（ＫＲ－１７０、KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：３０，０００～６０，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：２００～２３５ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
実施例１４と同じ方法で自己密封型導電接続ペーストを製造した。ただし、実施例１４と異なり、有機官能基含有アルコキシシラン変性エポキシ樹脂ではないＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂（ＫＲ－１７０、KUKDO CHEMICAL CO., LTD.製、粘度：３０，０００～６０，０００ｃｐｓ、エポキシ当量：２００～２３５ｇ／ｅｑ）を用いて、自己密封型導電接続ペーストを製造した。
【0159】
【0160】
実験例２
実施例１４～２６及び比較例５～８で製造した各自己密封型導電接続ペーストを、以下の物性評価法に基づいて評価を行い、その結果を表４に示した。
実施例１４～２６及び比較例５～８で製造した各自己密封型導電接続ペーストを、以下の物性評価法に基づいて評価を行い、その結果を表４に示した。
【0161】
（１）マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの製造
片面に２個の第１端子が形成されたマイクロＬＥＤチップ（マイクロＬＥＤチップのサイズ：５０μｍ、第１端子の大きさ：２０μｍ、マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線と間の距離（pitch）：３０μｍ、第１端子の高さ：１μｍ）と、片面に２個の第２端子が形成された回路基板（回路基板の大きさ：５０μｍ、第２端子の大きさ：２０μｍ、回路基板に形成された第２端子の中心線と隣接する第２端子の中心線と間の距離（pitch）：３０μｍ、第２端子の高さ：５μｍ）を準備した。
片面に２個の第１端子が形成されたマイクロＬＥＤチップ（マイクロＬＥＤチップのサイズ：５０μｍ、第１端子の大きさ：２０μｍ、マイクロＬＥＤチップに形成された第１端子の中心線と隣接する第１端子の中心線と間の距離（pitch）：３０μｍ、第１端子の高さ：１μｍ）と、片面に２個の第２端子が形成された回路基板（回路基板の大きさ：５０μｍ、第２端子の大きさ：２０μｍ、回路基板に形成された第２端子の中心線と隣接する第２端子の中心線と間の距離（pitch）：３０μｍ、第２端子の高さ：５μｍ）を準備した。
【0162】
実施例１４～２６及び比較例５～８で製造した各導電接続ペーストを、回路基板に１５μｍの膜厚で印刷し、次いで、回路基板の第２端子に対向するように、マイクロＬＥＤチップの第１端子を向き合うように配置させ、実施例１４～２６及び比較例５～８で製造した各導電接続ペーストの片面に、マイクロＬＥＤチップを仮接着させた。その後、１８０℃の乾燥器に８分間熱処理（硬化及び自己密封）し、マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを製造した。
【0163】
（２）接続抵抗測定（Ω／ｃｍ）
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、測定器（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製の２０００ Ｍｕｌｔｉｍｅｔｅｒ）を使用して、４－ｐｒｏｂｅ方式で試験電流１ｍＡを印加し、初期接続抵抗を測定し、その平均値を計算した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、測定器（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製の２０００ Ｍｕｌｔｉｍｅｔｅｒ）を使用して、４－ｐｒｏｂｅ方式で試験電流１ｍＡを印加し、初期接続抵抗を測定し、その平均値を計算した。
【0164】
（３）接着力測定（ｋｇｆ／ｃｍ）
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、Ｄａｇｅ４０００（Ｎｏｒｄｓｏｎ社製）装置を使用して、０．５ｍｍ／秒の速度でせん断強度を測定し、接着力を測定した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、Ｄａｇｅ４０００（Ｎｏｒｄｓｏｎ社製）装置を使用して、０．５ｍｍ／秒の速度でせん断強度を測定し、接着力を測定した。
【0165】
（４）絶縁性測定
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、マルチテスター（ＨＩＯＫＩ社製の３２４４－６０ ＣＡＲＤ ＨＩＴＥＳＴＥＲ）を使用して、端子間の電気的導通の有無を確認し、絶縁性を測定した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、マルチテスター（ＨＩＯＫＩ社製の３２４４－６０ ＣＡＲＤ ＨＩＴＥＳＴＥＲ）を使用して、端子間の電気的導通の有無を確認し、絶縁性を測定した。
【0166】
（５）自己密封性測定
【0167】
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールを、マルチテスター（ＨＩＯＫＩ社製の３２４４－６０ ＣＡＲＤ ＨＩＴＥＳＴＥＲ）を使用して、ペーストにより接続されたマイクロＬＥＤチップ及び回路基板の端子の電気的導通の有無を確認し、かつ高倍率の顕微鏡で確認し、自己密封性を測定した。
【0168】
（６）印刷性測定
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの外観を肉眼（又は顕微鏡）で確認し、印刷性を測定した。
製造した各マイクロＬＥＤチップ－回路基板ボンディングモジュールの外観を肉眼（又は顕微鏡）で確認し、印刷性を測定した。
【0169】
（７）粘度測定
Ｍａｌｃｏｍ社製のＰＣＵ－２０５を使用して、ＪＩＳ測定法に基づいて２５℃の温度範囲で実施例１４～２６及び比較例５～８で製造した自己密封型導電接続ペーストの粘度を測定した。
Ｍａｌｃｏｍ社製のＰＣＵ－２０５を使用して、ＪＩＳ測定法に基づいて２５℃の温度範囲で実施例１４～２６及び比較例５～８で製造した自己密封型導電接続ペーストの粘度を測定した。
【0170】
【0171】
前記表４に示すように、実施例１４で製造した自己密封型導電接続ペーストは、別の実施例及び比較例で製造した自己密封型導電接続ペーストの接続抵抗、絶縁性、自己密封性に優れているだけでなく、接着力に優れていることを確認することができた。具体的に、実施例で製造した自己密封型導電接続ペーストと比較して、比較例５及び６で製造した自己密封型導電接続ペーストは、接着力が著しく低下するだけでなく、印刷性が著しく悪くなり、比較例７で製造した自己密封型導電接続ペーストは、接続抵抗が著しく悪くなるだけでなく、絶縁性、自己密封型及び印刷性が著しく悪くなり、比較例８で製造した自己密封型導電接続ペーストは、接着力が低下し、印刷性が著しく悪くなることを確認することができた。
【0172】
本発明の単純な変形や変更は、この分野における通常の知識を有する者によって容易に実施することができ、このような変形又は変更はすべて本発明の領域に含まれる。
【符号の説明】
【0173】
１ ：導電性粒子
１０ ：回路基板
１１ ：第２端子
２０ ：マイクロＬＥＤチップ
２１ ：第２端子
１００：自己密封型導電接続ペースト
１０ ：回路基板
１１ ：第２端子
２０ ：マイクロＬＥＤチップ
２１ ：第２端子
１００：自己密封型導電接続ペースト
【図1】
【図2】
【図3】
