特許7168981IP Force 特許公報全文掲載

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メモリー効果を有する電池の電圧低下を推定する電圧低下推定方法および電圧低下推定装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は事情に鑑みてなされたものであって、その課題とするところは、過充電メモリー効果に起因する電圧低下を瞬時かつ簡易に推定可能な電圧低下推定方法および電圧低下推定装置を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明に係る電圧低下推定方法は、 メモリー効果を有する電池の電圧低下推定方法であって、 トリクル充電された前記電池を放電させる第１ステップと、 前記電池の放電直後の端子間電圧を測定して過渡電圧波形を取得する第２ステップと、 前記電池の内部インピーダンスベクトル軌跡の円弧成分に対応するパラメータＲ１’とＫＷＷ関数とを含む電圧過渡応答表現式を前記過渡電圧・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、過充電メモリー効果に起因する電圧低下を瞬時かつ簡易に推定可能な電圧低下推定方法および電圧低下推定装置を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 未使用のＮｉ－ＭＨ電池の内部インピーダンスベクトル軌跡を示す図である。
【図2】 Ｎｉ－ＭＨ電池の放電電圧波形のサイクル劣化特性を示す図である。
【図3】 Ｎｉ－ＭＨ電池の内部インピーダンスのサイクル劣化特性を示す図である。
【図4】 Ｎｉ－ＭＨ電池の放電電圧波形の過充電特性を示す図である。
【図5】 過充電２００時間毎に測定したＮｉ－ＭＨ電池の内部インピーダンスベクトル軌跡を示す図である。
【図6】 図４の各Ｎｉ－ＭＨ電池の内部インピーダンスベクトル軌跡を示す図である。
【図7】 リコンディショニングによるＮｉ－ＭＨ電池の内部インピーダンスの変化を示す図である。
【図8】 図７の各Ｎｉ－ＭＨ電池の放電電圧波形を示す図である。
【図9】 Ｎｉ－ＭＨ電池の等価回路モデルである。
【図10】 （Ａ）は未使用のＮｉ－ＭＨ電池の過渡電圧波形に対する従来モデルのフィッティング結果を示す図である。（Ｂ）は過充電１０００時間のＮｉ－ＭＨ電池の過渡電圧波形に対する従来モデルのフィッティング結果を示す図である。
【図11】 （Ａ）は未使用のＮｉ－ＭＨ電池の過渡電圧波形に対する提案モデルのフィッティング結果を示す図である。（Ｂ）は過充電１０００時間のＮｉ－ＭＨ電池の過渡電圧波形に対する提案モデルのフィッティング結果を示す図である。
【図12】 ＫＷＷ指数αを変化させた際の内部インピーダンスベクトル軌跡の円弧成分の変化を示す図である。
【図13】 パラメータＲ１’およびＫＷＷ指数αのサイクル劣化依存性を示す図である。
【図14】 パラメータＲ１’およびＫＷＷ指数αの過充電時間依存性を示す図である。
【図15】 高ＳｏＣ領域における最低電圧ＶＬＯＷとパラメータＲ１’との関係を示す図である。
【図16】 本発明の一電圧低下推定装置のブロック図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 電圧低下推定装置 ２ 放電部 ３ 電圧測定部 ４ 演算部 ５ 記億部 ６ 電圧低下推定部

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