特許 7169376 セラミックヒータ及びその製法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-11-01

(45)【発行日】2022-11-10

(54)【発明の名称】セラミックヒータ及びその製法

(51)【国際特許分類】

   H05B 3/10 20060101AFI20221102BHJP

   H05B 3/02 20060101ALI20221102BHJP

   H05B 3/12 20060101ALI20221102BHJP

【ＦＩ】

H05B3/10 A

H05B3/02 B

H05B3/12 A

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2020568100

(86)(22)【出願日】2020-01-16

(86)【国際出願番号】 JP2020001239

(87)【国際公開番号】W WO2020153218

(87)【国際公開日】2020-07-30

【審査請求日】2021-04-09

(31)【優先権主張番号】P 2019011299

(32)【優先日】2019-01-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】石川 征樹

(72)【発明者】

【氏名】本山 修一郎

【審査官】杉浦 貴之

(56)【参考文献】

【文献】特開平０６－０７７１４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２２８６３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１４７１２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０８６６２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０４－０８７１８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２８８９７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０６９９４７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｂ ３／１０

Ｈ０５Ｂ ３／０２

Ｈ０５Ｂ ３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項9】

前記前処理工程では、前記高融点金属製の抵抗発熱体の全体を炭化する、
請求項８に記載のセラミックヒータの製法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、セラミックヒータ及びその製法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造装置においては、ウエハを加熱するためのセラミックヒータが採用されている。こうしたセラミックヒータとしては、いわゆる２ゾーンヒータが知られている。この種の２ゾーンヒータとしては、特許文献１に開示されているように、セラミック基体中に、内周側抵抗発熱体と外周側抵抗発熱体とを同一平面に埋設し、各抵抗発熱体にそれぞれ独立して電圧を印加することにより、各抵抗発熱体からの発熱を独立して制御するものが知られている。各抵抗発熱体は、タングステンなどの高融点金属からなるコイルで構成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第３８９７５６３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１では、外周部に温度ムラが生じやすいという問題があった。この問題の発生原因を追究したところ、外周側抵抗発熱体が部分的に炭化していることが一因だということがわかった。すなわち、セラミックス焼成時に外周部は焼成炉の温度ムラの影響を大きく受けてセラミックヒータのうち外周部は高温になりやすいが、この外周部に埋設されたコイルがセラミック基体に含まれる炭素と反応して部分的に金属炭化物に変化していた。さらに、ホットプレス炉にてプレートを積み重ねて焼成する場合、プレートの外周にカーボン製の治具や金型が存在する。このカーボンがプレートの外周から侵入することにより、プレートの外周では炭素濃度が高くなる。このため、プレートの外周に存在するコイルが炭化されやすい。金属炭化物は、炭化前の金属と比べて体積抵抗率が異なる。そのため、外周側抵抗発熱体に通電したとき、金属炭化物になった部分とそうでない部分とで発熱量に差が生じ、その結果、外周部に温度ムラが生じていた。

【0005】

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、外周部に温度ムラが生じるのを抑制することを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明のセラミックヒータは、
ウエハ載置面を有し、円形の内周側ゾーンと環状の外周側ゾーンとを備えたセラミックプレートと、
前記内周側ゾーンに設けられた高融点金属製の内周側抵抗発熱体と、
前記外周側ゾーンに設けられ、少なくとも表面が金属炭化物製の外周側抵抗発熱体と、
を備えたものである。

【0007】

このセラミックヒータでは、セラミックプレートは不純物として炭素成分を含んでいる。このセラミックヒータのうち外周部は高温になりやすく、さらに外周からの炭素の侵入に伴い、炭素濃度が高くなっている。そのため、外周側ゾーンに設けられた外周側抵抗発熱体はセラミックプレートに含まれる炭素成分と反応して炭化しやすいが、本発明では外周側抵抗発熱体は少なくとも表面が金属炭化物である（外周側抵抗発熱体の全体が金属炭化物でもよい）ため、それ以上炭化することがない。すなわち、外周側抵抗発熱体において発熱量の異なる部分が生じることがない。したがって、外周部に温度ムラが生じるのを抑制することができる。なお、内周側抵抗発熱体を金属炭化物ではなく高融点金属で作製したのは、金属炭化物（例えばＭｏやＷの炭化物）は非常に硬くなり、内周側抵抗発熱体を埋設するときの配置作業や、素線から内周側抵抗発熱体の形状（例えばコイル形状）を作成する作業が困難になるからである。

【0008】

本発明のセラミックヒ－タにおいて、前記内周側抵抗発熱体と前記外周側抵抗発熱体とは、それぞれ別の電源に繋がれていてもよい。こうすれば、セラミックヒータの内周側ゾーンと外周側ゾーンとを個別に温度制御することができる。

【0009】

本発明のセラミックヒータにおいて、前記内周側抵抗発熱体と前記外周側抵抗発熱体とは、直列に接続されて一つの電源に繋がれていてもよい。こうすれば、セラミックヒータの内周側ゾーンと外周側ゾーンとを共通の電源で温度制御することができる。

【0010】

本発明のセラミックヒータにおいて、前記高融点金属は、タングステン、モリブデン及びこれらの合金からなる群より選ばれた少なくとも１種であり、前記金属炭化物は、高融点金属の炭化物（例えば炭化タングステン又は炭化モリブデン）であることが好ましい。

【0011】

本発明のセラミックヒータにおいて、前記外周側抵抗発熱体のうち少なくとも前記外周側ゾーンの最外周部に位置する部分が金属炭化物であってもよい。外周側ゾーンの最外周部は外周側ゾーンの中で最も高温になりやすい。そのため、外周側抵抗発熱体のうち最外周部に位置する部分を金属炭化物で作製する意義が高い。

【0012】

本発明のセラミックヒータにおいて、前記外周側抵抗発熱体は、二次元形状であることが好ましい。二次元形状としては、例えばリボン（平らで細長い形状）やメッシュなどが挙げられる。金属炭化物は加工性がよくないことがあり、三次元形状（例えばコイル）に成形するのが困難なことがあるが、二次元形状であれば印刷により容易に作製することができる。

【0013】

本発明のセラミックヒータにおいて、前記内周側抵抗発熱体は、表面に前記高融点金属の炭化物の薄膜を有していないものでもよいが、そうした薄膜を有するものでもよい。その薄膜の厚みは高融点金属製の抵抗発熱体の特性に影響を及ぼさない程度の厚み（例えば数μｍ）であることが好ましい。

【0014】

本発明のセラミックヒータの製法は、
内周側ゾーンに内周側抵抗発熱体が埋設され、外周側ゾーンに外周側抵抗発熱体が埋設された焼成前のセラミック前駆体を、不活性雰囲気中、焼成に使用する治具、金型及び焼成炉の少なくとも１つがカーボン製であるという条件下で焼成してセラミックプレートを製造する焼成工程を含む、セラミックヒータの製法であって、
前記外周側抵抗発熱体を前記セラミック前駆体に埋設する前に、高融点金属製の抵抗発熱体を用意し、前記高融点金属製の抵抗発熱体の少なくとも表面を炭化する処理を行うことにより、前記外周側抵抗発熱体を作製し、これを前記セラミック前駆体に埋設する前処理工程
を含むものである。

【0015】

このセラミックヒータの製法によれば、焼成工程において、雰囲気中に炭素が含まれているが、外周側抵抗発熱体は少なくとも表面が炭化されているため、外周側抵抗発熱体がそれ以上炭化することがない。

【0016】

本発明のセラミックヒータの製法において、前記前処理工程では、前記高融点金属製の抵抗発熱体の全体を炭化してもよい。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】セラミックヒータ１０の斜視図。

【図2】セラミックヒータ１０の縦断面図。

【図3】セラミックプレート２０を抵抗発熱体２２，２４に沿って水平に切断して上方からみたときの断面図。

【図4】セラミックヒータ１０の製造工程図。

【図5】セラミックプレート１２０を抵抗発熱体２２，２４に沿って水平に切断して上方からみたときの断面図。

【発明を実施するための形態】

【0018】

本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はセラミックヒータ１０の斜視図、図２はセラミックヒータ１０の縦断面図（セラミックヒータ１０を中心軸を含む面で切断したときの断面図）、図３はセラミックプレート２０を抵抗発熱体２２，２４に沿って水平に切断して上方からみたときの断面図である。図３は、実質的にセラミックプレート２０をウエハ載置面２０ａからみたときの様子を表している。なお、図３では、切断面を表すハッチングを省略した。

【0019】

セラミックヒータ１０は、エッチングやＣＶＤなどの処理が施されるウエハを加熱するために用いられるものであり、図示しない真空チャンバ内に設置される。このセラミックヒータ１０は、ウエハ載置面２０ａを有する円盤状のセラミックプレート２０と、セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａとは反対側の面（裏面）２０ｂにセラミックプレート２０と同軸となるように接合された筒状シャフト４０とを備えている。

【0020】

セラミックプレート２０は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。セラミックプレート２０の直径は、例えば３００ｍｍ程度である。セラミックプレート２０は、不純物として炭素成分を含んでいる。セラミックプレート２０に炭素成分が含まれる理由は、セラミックプレート２０を焼成する際にカーボン製の治具や金型を用いたりカーボン製の焼成炉を用いたりするためである。セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａには、図示しないが細かな凹凸がエンボス加工により設けられている。セラミックプレート２０は、セラミックプレート２０と同心円の仮想境界２０ｃ（図３参照）によって小円形の内周側ゾーンＺ１と円環状の外周側ゾーンＺ２とに分けられている。仮想境界２０ｃの直径は、例えば２００ｍｍ程度である。セラミックプレート２０の内周側ゾーンＺ１には内周側抵抗発熱体２２が埋設され、外周側ゾーンＺ２には外周側抵抗発熱体２４が埋設されている。両抵抗発熱体２２，２４は、ウエハ載置面２０ａに平行な同一平面上に設けられている。

【0021】

セラミックプレート２０は、図３に示すように、複数のガス穴２６を備えている。ガス穴２６は、セラミックプレート２０の裏面２０ｂからウエハ載置面２０ａまで貫通しており、ウエハ載置面２０ａに設けられた凹凸とウエハ載置面２０ａに載置されるウエハＷとの間に生じる隙間にガスを供給する。この隙間に供給されたガスは、ウエハ載置面２０ａとウエハＷとの熱伝導を良好にする役割を果たす。また、セラミックプレート２０は、複数のリフトピン穴２８を備えている。リフトピン穴２８は、セラミックプレート２０の裏面２０ｂからウエハ載置面２０ａまで貫通しており、図示しないリフトピンが挿通される。リフトピンは、ウエハ載置面２０ａに載置されたウエハＷを持ち上げる役割を果たす。本実施形態では、リフトピン穴２８は、同一円周上に等間隔となるように３つ設けられている。

【0022】

内周側抵抗発熱体２２は、図３に示すように、セラミックプレート２０の中央部（セラミックプレート２０の裏面２０ｂのうち筒状シャフト４０で囲まれた領域）に配設された一対の端子２２ａ，２２ｂの一方から端を発し、一筆書きの要領で複数の折り返し部で折り返されつつ内周側ゾーンＺ１のほぼ全域に配線されたあと、一対の端子２２ａ，２２ｂの他方に至るように形成されている。内周側抵抗発熱体２２は、表面に炭化物の薄膜を有さない高融点金属製のコイルである。高融点金属としては、例えば、タングステン、モリブデン及びこれらの合金が挙げられる。２０℃における体積抵抗率の一例を挙げると、タングステンが５．５×１０⁶［Ω・ｍ］、モリブデンが５．２×１０⁸［Ω・ｍ］である。

【0023】

外周側抵抗発熱体２４は、図３に示すように、セラミックプレート２０の中央部に配設された一対の端子２４ａ，２４ｂの一方から端を発し、一筆書きの要領で複数の折り返し部で折り返されつつ外周側ゾーンＺ２のほぼ全域に配線されたあと一対の端子２４ａ，２４ｂの他方に至るように形成されている。外周側抵抗発熱体２４は、金属炭化物のリボン（平らで細長い形状）である。外周側抵抗発熱体２４は、例えば金属炭化物のペーストを印刷することにより作製することができる。金属炭化物としては、例えば、炭化タングステンや炭化モリブデンなどが挙げられる。２０℃における体積抵抗率は、炭化タングステン（ＷＣ）が５３×１０⁶［Ω・ｍ］、炭化モリブデン（Ｍｏ₂Ｃ）が１．４×１０⁶［Ω・ｍ］である。例えば、外周側ゾーンＺ２の発熱量を多くしたい場合には外周側抵抗発熱体２４を高抵抗の炭化タングステンで作製し、外周側ゾーンＺ２の発熱量を少なくしたい場合には外周側抵抗発熱体２４を低抵抗の炭化モリブデンで作製してもよい。

【0024】

内周側抵抗発熱体２２に用いる高融点金属や外周側抵抗発熱体２４に用いる金属炭化物は、セラミックプレート２０の熱膨張係数に近いものを選択するのが好ましい。例えば、セラミックプレート２０が窒化アルミニウム製の場合には、高融点金属はモリブデン又はタングステンが好ましく、金属炭化物は、炭化モリブデン又は炭化タングステンが好ましい。セラミックプレート２０がアルミナ製の場合には、高融点金属はモリブデン合金が好ましく、金属炭化物は、炭化モリブデン合金が好ましい。各抵抗発熱体２２，２４は、ガス穴２６やリフトピン穴２８を迂回するように設けられている。内周側抵抗発熱体２２を金属炭化物ではなく高融点金属で作製したのは、金属炭化物（例えばＭｏやＷの炭化物）は非常に硬くなり、コイル状のヒータを埋設するときの配置作業が困難になるからである。

【0025】

筒状シャフト４０は、セラミックプレート２０と同じく窒化アルミニウム、アルミナなどのセラミックで形成されている。筒状シャフト４０の内径は、例えば４０ｍｍ程度、外径は例えば６０ｍｍ程度である。この筒状シャフト４０は、上端がセラミックプレート２０に拡散接合されている。筒状シャフト４０の内部には、内周側抵抗発熱体２２の一対の端子２２ａ，２２ｂのそれぞれに接続される給電棒４２ａ，４２ｂや外周側抵抗発熱体２４の一対の端子２４ａ，２４ｂのそれぞれに接続される給電棒４４ａ，４４ｂが配置されている。給電棒４２ａ，４２ｂは第１電源３２に接続され、給電棒４４ａ，４４ｂは第２電源３４に接続されている。そのため、内周側抵抗発熱体２２によって加熱される内周側ゾーンＺ１と外周側抵抗発熱体２４によって加熱される外周側ゾーンＺ２とを個別に温度制御することができる。なお、図示しないが、ガス穴２６にガスを供給するガス供給管やリフトピン穴２８に挿通されるリフトピンも筒状シャフト４０の内部に配置される。

【0026】

次に、セラミックヒータ１０の製造例について説明する。図４はセラミックヒータ１０の製造工程図である。まず、焼成前のセラミック前駆体７０を作製する。セラミック前駆体７０は、セラミック材料からなる円盤状の成形体である。セラミック前駆体７０の円形の内周側ゾーンＺａには内周側抵抗発熱体７２が埋設され、円環状の外周側ゾーンＺｂには外周側抵抗発熱体７４が埋設されている。内周側抵抗発熱体７２は、高融点金属製の抵抗発熱体を用いてもよい。外周側抵抗発熱体７４は、金属炭化物のペーストを印刷することにより作製してもよい。次に、このセラミック前駆体７０を、不活性雰囲気（例えばＡｒ雰囲気や窒素雰囲気）中、焼成に使用する治具、金型及び焼成炉の少なくとも１つがカーボン製であるという条件下で焼成することにより、セラミックプレート２０を製造する。焼成温度は例えば約１８００℃である。焼成工程において、炉内の雰囲気には炭素が存在しているが、外周側抵抗発熱体７４は金属炭化物製のためそれ以上炭化することがない。その後、セラミックプレート２０にガス穴２６やリフトピン穴２８を形成し、筒状シャフト４０をセラミックプレート２０の裏面に接合することにより、セラミックヒータ１０を得る。

【0027】

次に、セラミックヒータ１０の使用例について説明する。まず、図示しない真空チャンバ内にセラミックヒータ１０を設置し、そのセラミックヒータ１０のウエハ載置面２０ａにウエハＷを載置する。そして、図示しない内周側熱電対によって検出された内周側ゾーンＺ１の温度が予め定められた内周側目標温度となるように内周側抵抗発熱体２２に供給する電力を第１電源３２によって調整すると共に、図示しない外周側熱電対によって検出された外周側ゾーンＺ２の温度が予め定められた外周側目標温度となるように外周側抵抗発熱体２４に供給する電力を第２電源３４によって調整する。これにより、ウエハＷの温度が所望の温度になるように制御される。そして、真空チャンバ内を真空雰囲気もしくは減圧雰囲気になるように設定し、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。

【0028】

以上説明した本実施形態のセラミックヒータ１０では、セラミックプレート２０は不純物として炭素成分を含んでいる。このセラミックヒータ１０のうち外周部（例えばセラミックプレート２０の外周縁から約３０ｍｍまでの範囲）は高温になりやすく、さらに外周からの炭素の侵入に伴い、炭素濃度が高くなっている。そのため、外周側ゾーンＺ２に設けられた外周側抵抗発熱体２４はセラミックプレート２０に含まれる炭素成分と反応して炭化しやすいが、本実施形態では外周側抵抗発熱体２４は金属炭化物製であるため、それ以上炭化することがない。すなわち、外周側抵抗発熱体２４において発熱量の異なる部分が生じることがない。したがって、外周部に温度ムラが生じるのを抑制することができる。

【0029】

また、内周側抵抗発熱体２２と外周側抵抗発熱体２４とは、それぞれ別の電源（第１及び第２電源３２，３４）に繋がれている。そのため、セラミックヒータ１０の内周側ゾーンＺ１と外周側ゾーンＺ２とを個別に温度制御することができる。

【0030】

更に、外周側抵抗発熱体２４は金属炭化物製としたが、金属炭化物は加工性がよくないことがあり、三次元形状（例えばコイル）に成形するのが困難なことがある。本実施形態では、外周側抵抗発熱体２４を二次元形状としたため、印刷により容易に作製することができる。

【0031】

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

【0032】

例えば、上述した実施形態では、内周側抵抗発熱体２２と外周側抵抗発熱体２４とを第１及び第２電源３２，３４に別々に繋いだが、図５に示すように、内周側抵抗発熱体２２と外周側抵抗発熱体２４とを仮想境界２０ｃ上の接続点２３で直列に接続し、両端子２２ａ，２２ｂを１つの電源３６に繋いでもよい。図５では上述した実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付した。こうすれば、セラミックヒータ１０の内周側ゾーンＺ１と外周側ゾーンＺ２とを共通の電源３６で温度制御することができる。

【0033】

上述した実施形態では、外周側抵抗発熱体２４の全体を金属炭化物で作製したが、表面のみ金属炭化物で作製し、内部は金属（例えば高融点金属）で作製してもよい。

【0034】

上述した実施形態では、内周側抵抗発熱体２２は、表面に炭化物の薄膜を有さない高融点金属製の抵抗発熱体としたが、表面に高融点金属の炭化物の薄膜を有する高融点金属製の抵抗発熱体としてもよい。その場合、炭化物の薄膜の厚さは高融点金属製の抵抗発熱体の特性に影響を及ぼさない程度の厚み（例えば数μｍ）であることが好ましい。

【0035】

上述した実施形態では、内周側抵抗発熱体２２をコイルとし、外周側抵抗発熱体２４をリボンとしたが、特にこれに限定されるものではなく、どのような形状を採用してもよい。例えば、内周側抵抗発熱体２２をリボンやメッシュなどの二次元形状としてもよい。外周側抵抗発熱体２４をコイルのような三次元形状としてもよい。但し、金属炭化物の中には例えば炭化タングステンのように加工性が困難なものがある。その場合には、三次元形状ではなく、リボンやメッシュなどの二次元形状にするのが好ましい。二次元形状であれば、金属炭化物のペーストを印刷することにより作製できるため、金属炭化物の加工性は問題にならないからである。

【0036】

上述した実施形態において、セラミックプレート２０に静電電極を内蔵してもよい。その場合、ウエハ載置面２０ａにウエハＷを載置したあと静電電極に電圧を印加することによりウエハＷをウエハ載置面２０ａに静電吸着することができる。あるいは、セラミックプレート２０にＲＦ電極を内蔵してもよい。その場合、ウエハ載置面２０ａの上方にスペースをあけて図示しないシャワーヘッドを配置し、シャワーヘッドとＲＦ電極とからなる平行平板電極間に高周波電力を供給する。こうすることによりプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりすることができる。なお、静電電極をＲＦ電極と兼用してもよい。

【0037】

上述した実施形態では、外周側ゾーンＺ２は１つのゾーンとして説明したが、複数の小ゾーンに分割されていてもよい。その場合、抵抗発熱体は小ゾーンごとに独立して配線される。小ゾーンは、セラミックプレート２０と同心円の境界線で外周側ゾーンＺ２を分割することにより環状に形成してもよいし、セラミックプレート２０の中心から放射状に延びる線分で外周側ゾーンＺ２を分割することにより扇形（円錐台の側面を展開した形状）に形成してもよい。すべての小ゾーンに配線される抵抗発熱体を金属炭化物で作製してもよいが、少なくとも最外周の小ゾーン（最も高温になるゾーン、例えばセラミックプレートの外周縁から３０ｍｍまでの範囲内）に配線される抵抗発熱体を金属炭化物で作製すればよい。

【0038】

上述した実施形態では、内周側ゾーンＺ１は１つのゾーンとして説明したが、複数の小ゾーンに分割されていてもよい。その場合、抵抗発熱体は小ゾーンごとに独立して配線される。小ゾーンは、セラミックプレート２０と同心円の境界線で内周側ゾーンＺ１を分割することにより環状と円形状に形成してもよいし、セラミックプレート２０の中心から放射状に延びる線分で内周側ゾーンＺ１を分割することにより扇形（円錐の側面を展開した形状）に形成してもよい。

【0039】

上述した実施形態のセラミックヒータ１０の製造例では、外周側抵抗発熱体７４は、金属炭化物のペーストを印刷することにより作製したが、少なくとも表面が金属炭化物製の抵抗発熱体をセラミック前駆体７０に埋設してもよい。その場合、外周側抵抗発熱体７４をセラミック前駆体７０に埋設する前に、高融点金属製の抵抗発熱体を用意し、その抵抗発熱体の少なくとも表面（抵抗発熱体の全体でもよい）を炭化する処理を行うことにより外周側抵抗発熱体７４を作製し、これをセラミック前駆体７０に埋設する。この場合も、焼成工程において、炉内には炭素が存在しているが、外周側抵抗発熱体７４は表面が炭化されているため、外周側抵抗発熱体７４がそれ以上炭化することがない。

【0040】

上述した実施形態のセラミックヒータ１０の製造例において、セラミック前駆体７０に埋設される内周側抵抗発熱体７２は、炭化膜を有さない高融点金属製の抵抗発熱体を用いてもよい。その場合、セラミック前駆体７０の内周側ゾーンＺａは外周側ゾーンＺｂに比べて高温になりにくいし炭素濃度も高くなりにくい。そのため、焼成工程で内周側抵抗発熱体７２の表面に炭化膜が形成されることがあるとしても、その炭化膜の厚さは高融点金属製の内周側抵抗発熱体７２の特性に影響を及ぼさない程度の厚み（例えば数μｍ）になる。

【0041】

本出願は、２０１９年１月２５日に出願された日本国特許出願第２０１９－１１２９９号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。

【産業上の利用可能性】

【0042】

本発明は、半導体製造装置に利用可能である。

【符号の説明】

【0043】

１０ セラミックヒータ、２０ セラミックプレート、２０ａ ウエハ載置面、２０ｂ 裏面、２０ｃ 仮想境界、２２，７２ 内周側抵抗発熱体、２２ａ，２２ｂ 端子、２３
接続点、２４，７４ 外周側抵抗発熱体、２４ａ，２４ｂ 端子、２６ ガス穴、２８
リフトピン穴、３２ 第１電源、３４ 第２電源、３６ 電源、４０ 筒状シャフト、４２ａ，４２ｂ 給電棒、４４ａ，４４ｂ 給電棒、７０ セラミック前駆体、１２０ セラミックプレート、Ｗ ウエハ、Ｚ１，Ｚａ 内周側ゾーン、Ｚ２，Ｚｂ 外周側ゾーン。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】