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特許7169746レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ELディスプレイの製造方法
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-02
(45)【発行日】2022-11-11
(54)【発明の名称】レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ELディスプレイの製造方法
(51)【国際特許分類】
   B23K 26/082 20140101AFI20221104BHJP
   B23K 26/08 20140101ALI20221104BHJP
   H05B 33/10 20060101ALI20221104BHJP
   G09F 9/00 20060101ALI20221104BHJP
【FI】
B23K26/08 F
H05B33/10
G09F9/00 338
【請求項の数】 11
(21)【出願番号】P 2018018814
(22)【出願日】2018-02-06
(65)【公開番号】P2019136706
(43)【公開日】2019-08-22
【審査請求日】2021-01-20
(73)【特許権者】
【識別番号】521476506
【氏名又は名称】JSWアクティナシステム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】中田 雄一
(72)【発明者】
【氏名】小田 智也
【審査官】黒石 孝志
(56)【参考文献】
【文献】特開2017-160360(JP,A)
【文献】国際公開第2013/187259(WO,A1)
【文献】特開2017-107036(JP,A)
【文献】特開2010-155278(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
B23K 26/00 - 26/70
H05B 33/10
G09F 9/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と当該基板上に形成された剥離層とを備えるワークを搬送しながら、当該ワークにレーザビームを照射して前記剥離層を前記基板から剥離するレーザ剥離装置であって、
前記ワークに照射される前記レーザビームのスポットが方形状であり、
前記スポットの長軸幅Lが10~200mmであり、
前記スポットの短軸幅Sが2~30mmであり、
前記スポットの短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sが1~20であ
前記基板の主面に平行かつ前記ワークの搬送方向に垂直な方向に進行する前記レーザビームを反射しつつ、前記レーザビームの入射光軸に沿って移動可能な第1及び第2の可動ミラーを備え、
前記第1及び第2の可動ミラーの一方が移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射した後、前記第1及び第2の可動ミラーの他方が移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
レーザ剥離装置。
【請求項2】
前記スポットの短軸方向又は長軸方向に、前記スポットをオーバーラップさせながら、前記ワークに複数回ずつ前記レーザビームを照射する、
請求項1に記載のレーザ剥離装置。
【請求項3】
前記スポットのオーバーラップ率が50~80%である、
請求項2に記載のレーザ剥離装置。
【請求項4】
前記可動ミラーの移動による前記レーザビームの光路長の変化を相殺し、前記光路長が一定になるように調整する光路長調整ユニットをさらに備える、
請求項に記載のレーザ剥離装置。
【請求項5】
基板と当該基板上に形成された剥離層とを備えるワークを搬送しながら、当該ワークにレーザビームを照射して前記剥離層を前記基板から剥離するレーザ剥離方法であって、
前記ワークに照射される前記レーザビームのスポットが方形状であり、
前記スポットの長軸幅Lが10~200mmであり、
前記スポットの短軸幅Sが2~30mmであり、
前記スポットの短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sが1~20であ
前記基板の主面に平行かつ前記ワークの搬送方向に垂直な方向に進行する前記レーザビームを反射しつつ、前記レーザビームの入射光軸に沿って移動可能な第1及び第2の可動ミラーを備え、
前記第1及び第2の可動ミラーの一方が移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射した後、前記第1及び第2の可動ミラーの他方が移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
レーザ剥離方法。
【請求項6】
前記スポットの短軸方向又は長軸方向に、前記スポットをオーバーラップさせながら、前記ワークに複数回ずつ前記レーザビームを照射する、
請求項に記載のレーザ剥離方法。
【請求項7】
前記スポットのオーバーラップ率が50~80%である、
請求項に記載のレーザ剥離方法。
【請求項8】
前記可動ミラーの移動による前記レーザビームの光路長の変化を相殺し、前記光路長が一定になるように調整する、
請求項に記載のレーザ剥離方法。
【請求項9】
基板上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に駆動素子及び有機EL素子を形成する工程と、
前記基板と前記剥離層とを含むワークを搬送しながら、当該ワークにレーザビームを照射して前記剥離層を前記基板から剥離する工程と、
前記基板から剥離した前記剥離層にフィルムを積層する工程と、を含み、
前記剥離層を前記基板から剥離する工程において、
前記ワークに照射される前記レーザビームのスポットが方形状であり、
前記スポットの長軸幅Lが10~200mmであり、
前記スポットの短軸幅Sが2~30mmであり、
前記スポットの短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sが1~20であ
前記基板の主面に平行かつ前記ワークの搬送方向に垂直な方向に進行する前記レーザビームを反射しつつ、前記レーザビームの入射光軸に沿って移動可能な第1及び第2の可動ミラーを備え、
前記第1及び第2の可動ミラーの一方が移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射した後、前記第1及び第2の可動ミラーの他方が移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項10】
前記スポットの短軸方向又は長軸方向に、前記スポットをオーバーラップさせながら、前記ワークに複数回ずつ前記レーザビームを照射する、
請求項に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項11】
前記スポットのオーバーラップ率が50~80%である、
請求項10に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はレーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ELディスプレイの製造方法に関し、例えばレーザビームを用いて基板から剥離層を分離するレーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ELディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板上に形成された剥離層に、基板側からレーザビームを照射して剥離層を基板から剥離するレーザ剥離装置が知られている。特許文献1には、線状のレーザスポットを連続的に照射して基板から剥離層を剥離するレーザ剥離装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開2015-89565号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
発明者は、レーザスポットを連続的に照射して基板から剥離層を剥離するレーザ剥離装置の開発に際し、レーザスポットの形状及び寸法について様々な課題を見出した。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施の形態に係るレーザ剥離装置は、ワークに照射されるレーザビームのスポットが方形状であり、スポットの長軸幅Lが10~200mmであり、スポットの短軸幅Sが2~30mmであり、スポットの短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sが1~20である。
【0006】
一実施の形態に係るレーザ剥離方法は、ワークに照射されるレーザビームのスポットが方形状であり、スポットの長軸幅Lが10~200mmであり、スポットの短軸幅Sが2~30mmであり、スポットの短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sが1~20である。
【0007】
一実施の形態に係る有機ELディスプレイの製造方法は、剥離層を基板から剥離する工程において、ワークに照射されるレーザビームのスポットが方形状であり、スポットの長軸幅Lが10~200mmであり、スポットの短軸幅Sが2~30mmであり、スポットの短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sが1~20である。
【発明の効果】
【0008】
前記一実施の形態によれば、優れたレーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ELディスプレイの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1】有機ELディスプレイの一例を示す断面図である。
図2】有機ELディスプレイの製造工程の概要を示す断面フロー図である。
図3】レーザ剥離装置の模式的側面図である。
図4】比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。
図5】比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットLSの長軸方向及び短軸方向での強度プロファイルを示すグラフである。
図6】実施の形態1に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。
図7】実施の形態1に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。
図8】実施の形態2に係るレーザ剥離装置の斜視図である。
図9】可動ミラーMM1の構成及び動作を示す側面図である。
図10】可動ミラーMM1、MM2の構成及び動作を示す正面図である。
図11】実施の形態2に係るレーザ剥離装置によって照射されたレーザスポットLSを示す平面図である。
図12】実施の形態3に係るレーザ剥離装置の斜視図である。
図13】光路長調整ユニット21の拡大斜視図である。
図14】光路長調整ユニット21の動作を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜簡略化されている。
【0011】
(実施の形態1)
<有機ELディスプレイ>
まず、図1を参照して、実施の形態1に係る有機EL(Electroluminescence)ディスプレイの製造方法を用いて製造される有機ELディスプレイの構造について説明する。図1は、有機ELディスプレイの一例を示す断面図である。図1に示す有機ELディスプレイは、各画素PXにTFTが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
【0012】
有機ELディスプレイは、フィルム218、剥離層212、TFT(Thin Film Transistor)層311、有機層312、カラーフィルタ層313、及び保護層214を備えている。図1では、保護層214側が視認側となるトップエミッション方式の有機ELディスプレイを示している。なお、以下の説明は、有機ELディスプレイの一構成例を示すものであり、本実施の形態は、以下に説明される構成に限られるものではない。例えば、本実施の形態では、ボトムエミッション方式の有機ELディスプレイに用いられてもよい。
【0013】
フィルム218は、プラスチックフィルムであり、応力を加えることにより曲げることができる。フィルム218の上には、剥離層212、TFT層311が設けられている。TFT層311は、各画素PXに配置されたTFT311aを有している。さらに、TFT層311は、TFT311aに接続される配線(不図示)等を有している。TFT311a、及び配線等が画素回路を構成する。
【0014】
TFT層311の上には、有機層312が設けられている。有機層312は、画素PXごとに配置された有機EL発光素子312aを有している。有機EL発光素子312aは、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極が積層された積層構造を有している。トップエミッション方式の場合、陽極は金属電極であり、陰極はITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電膜である。さらに、有機層312には、画素PX間において、有機EL発光素子312aを分離するための隔壁312bが設けられている。
【0015】
有機層312の上には、カラーフィルタ層313が設けられている。カラーフィルタ層313は、カラー表示を行うためのカラーフィルタ313aが設けられている。すなわち、各画素PXには、R(赤色)、G(緑色)、又はB(青色)に着色された樹脂層がカラーフィルタ313aとして設けられている。有機層312から放出された白色光は、カラーフィルタ313aを通過すると、RGBの色の光に変換される。なお、有機層312に、RGBの各色を発光する有機EL発光素子が設けられている3色方式の場合、カラーフィルタ層313を省略してもよい。
【0016】
カラーフィルタ層313の上には、保護層214が設けられている。保護層214は、樹脂材料で構成されており、有機層312の有機EL発光素子の劣化を防ぐために設けられている。
【0017】
有機層312の有機EL発光素子312aに流れる電流は、画素回路に供給される表示信号によって変化する。よって、表示画像に応じた表示信号を各画素PXに供給することで、各画素PXでの発光量を制御することができる。これにより、所望の画像を表示することができる。
【0018】
<有機ELディスプレイの製造工程>
次に、図2を参照して、実施の形態1に係る有機ELディスプレイの製造方法の概要について説明する。図2は、有機ELディスプレイの製造工程の概要を示す断面フロー図である。
【0019】
なお、当然のことながら、図2及びその他の図面に示した右手系xyz座標は、構成要素の位置関係を説明するための便宜的なものである。通常、z軸プラス向きが鉛直上向き、xy平面が水平面であり、図面間で共通である。
【0020】
有機ELディスプレイを製造する際は、まず基板211を準備する(工程A)。例えば、基板211にはレーザビームを透過するガラス基板を用いる。
次に、基板211の上に剥離層212を形成する(工程B)。剥離層212には、例えばポリイミドを用いることができる。
【0021】
その後、剥離層212の上に回路素子213を形成する(工程C)。ここで、回路素子213は、図1に示すTFT層311、有機層312、カラーフィルタ層313を含む。回路素子213は、フォトリソグラフィ技術や成膜技術を用いて形成することができる。
その後、回路素子213の上に、回路素子213を保護するための保護層214を形成する(工程D)。
【0022】
次に、基板211が上になるように基板211を反転させ(工程E)、基板211側から剥離層212にレーザビームLBを照射する(工程F)。レーザビームLBには方形ビームを用いることができる。図2に示す場合は、基板211をx方向に搬送しているので、基板211の右側から左側に向かってレーザビームLBが照射される。
【0023】
その後、基板211と剥離層212とを分離する(工程G)。
最後に、フィルム218を剥離層212に積層する(工程H)。例えば、フィルム218はプラスチックフィルムであり、応力を加えることにより曲げることができるフィルムである。このような製造工程を用いることで、折り曲げ可能な有機ELディスプレイを製造することができる。
【0024】
<レーザ剥離装置の基本構成>
次に、図3を参照して、工程Fで用いられる実施の形態1に係るレーザ剥離装置の基本構成について説明する。図3は、レーザ剥離装置(レーザリフトオフ装置)の模式的側面図である。図3に示すように、レーザ剥離装置100は、レーザ光源10、光学系20、及びステージ30を備える。光学系20には、レーザ光源10からレーザビームLBが供給される。レーザ光源10には、例えばエキシマレーザや紫外(UV)レーザを発生させるパルスレーザ発生装置を用いることができる。光学系20はレンズやミラーから構成されている。
【0025】
ステージ30は、ステージ30上に配置されたワーク210を搬送方向(x軸方向)に搬送する搬送機である。例えば、ステージ30は、上面から上向きにガスを噴射して、板状のワーク210を水平に浮上させながら搬送する。ここで、ワーク210は少なくとも基板211と剥離層212とを備える。なお、剥離層212の上に形成されている回路素子等は図示を省略している。ワーク210は、基板211側から基板211と剥離層212との界面にレーザビームLBが照射されるように、基板211が上側になるようにステージ30上に配置されている。また、ステージ30は、レーザビームLBの焦点が基板211と剥離層212との界面に合うように上下方向(z軸に沿った方向)に移動可能に構成されている。
【0026】
図3に示すように、レーザビームLBを照射しながら、ステージ30を搬送方向(x軸方向)に移動させてワーク210を搬送方向に搬送することで、ワーク210上においてレーザビームLBを走査することができる。このとき、レーザビームLBが照射されることで、基板211と剥離層212との界面付近において原子・分子の結合が分解するため、基板211と剥離層212とを界面において分離することができる。
【0027】
<実施の形態1の比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポット>
次に、図4を参照して、実施の形態1の比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状について説明する。図4は、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。図4に示すように、ワーク210をx軸方向に搬送しながら、照射位置が固定されたライン状のレーザビームLBを照射する。レーザビームLBはパルス発振されているため、ワーク210上においてライン状のレーザスポットLSがx軸負方向に移動しながら間欠的に形成されていく。
【0028】
ライン状のレーザスポットLSの寸法の一例は、図4に示すように、長軸幅Lは750mm、短軸幅Sは0.39mmである。図4の例では、レーザスポットLSを短軸方向(x軸方向)において50%ずつオーバーラップさせている。すなわち、レーザスポットLSを2回照射することによって、ワーク210における基板211と剥離層212とを剥離する。
【0029】
ここで、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットLSは、長軸幅Lと短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sとのいずれもが大きい。そのため、レーザスポットLSを成形するためのレンズ系が大型化・長大化してしまう問題があった。
他方、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットLSは、短軸幅Sが小さい。そのため、レーザスポットLSのオーバーラップ率がばらつき易く、所定の照射回数(図4の例では2回)に達しない領域では、基板211と剥離層212とが未剥離となる問題があった。
【0030】
さらに、レンズ系のさらなる大型化・長大化を抑制するために、レーザスポットLSを長軸方向にも隣接させて繋ぎ合わせる場合には、以下のような問題があった。
ここで、図5は、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットLSの長軸方向及び短軸方向での強度プロファイルを示すグラフである。図5に示すように、レーザスポットLSの長軸幅Lは強度が一定の区間であり、その区間の両端に立ち上がり及び立ち下がりの傾斜部を有している。長軸方向では、一例として、長軸幅Lが750mmであるのに対し、傾斜部の幅W1は17.5mmであった。
【0031】
このように、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットLSは、長軸幅Lが大きいため、長軸方向の傾斜部の幅も大きくなる。そのため、レーザスポットLSを長軸方向にも隣接させて繋ぎ合わせる場合、レーザスポットLS同士の長軸方向の隣接部では、傾斜部同士が重なり合い、照射されるレーザ強度が不安定になるという問題があった。
なお、図5に示すように、短軸方向では、一例として、短軸幅Sが0.39mmであるのに対し、傾斜部の幅W2は0.09mmであった。すなわち、短軸方向の傾斜部は、幅が極めて小さいため、このような問題は生じない。
【0032】
<実施の形態1に係るレーザ剥離装置でのレーザスポット>
次に、図6を参照して、実施の形態1に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状について説明する。図6は、実施の形態1に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。図6に示すように、実施の形態1に係るレーザ剥離装置から照射されるレーザビームLBのワーク210におけるレーザスポットLSの形状は方形状である。
【0033】
図6に示すように、ワーク210の位置を固定した状態で、方形状のレーザスポットLSを有するレーザビームLBをy軸方向に繰り返し走査させながら照射する。レーザビームLBはパルス発振されているため、ワーク210上においてライン状のレーザスポットLSがy軸負方向に移動しながら間欠的に形成されていく。
【0034】
図6の例では、レーザビームLBをy軸負方向に走査させた後、x軸負方向に移動し、y軸正方向に走査させた後、x軸負方向に移動することを繰り返している。図6の例では、レーザスポットLSを長軸方向(x軸方向)においてはオーバーラップさせずに、短軸方向(y軸方向)において50%ずつオーバーラップさせている。すなわち、レーザスポットLSを2回照射することによって、ワーク210における基板211と剥離層212とを剥離する。
【0035】
ここで、方形状のレーザスポットLSの長軸幅Lは10~200mm(すなわち、10mm≦L≦200mm)であり、かつ短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sは20以下(すなわち、L/S≦20)を満たす。L>200mm、もしくは、L/S>20だと、レーザスポットLSを成形するためのレンズ系が大型化・長大化してしまう。他方、L<10mmだと、レーザビームLBの走査回数が増加し、生産性が低下する。ここで、短軸幅Sと長軸幅Lとが等しく、L/S=1であってもよい。すなわち、短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sは1~20(すなわち、1≦L/S≦20)である。
【0036】
実施の形態1に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットLSは、長軸幅Lが200mm以下かつ短軸幅Sに対する長軸幅Lの比L/Sが1~20であるため、レンズ系の大型化・長大化を抑制することができる。また、長軸幅Lが10mm以上であるため、生産性に優れている。
【0037】
また、L≦200mmとすることによって、比較例よりも上述の長軸方向の傾斜部の幅を小さくすることができる。そのため、図6に示したレーザスポットLS同士の長軸方向の隣接部において、傾斜部同士が重なり合い、照射されるレーザ強度が不安定になることを抑制することができる。長軸方向の傾斜部の幅は、0.1mm以下であることが好ましい。
ここで、レンズ系によって成形されたレーザビームLBが通過するスリットを設けることによって、傾斜部の幅をさらに小さくしてもよい。
【0038】
方形状のレーザスポットLSの短軸幅Sは2~30mm(すなわち、2mm≦S≦30mm)である。S<2mmだと、レーザスポットLSのオーバーラップ率がばらつき易くなる。そのため、所定の照射回数(図6の例では2回)に達しない領域では、ワーク210における基板211と剥離層212とが未剥離となる。他方、S>30mmだと、レーザスポットLSの面積が大きくなり過ぎ、剥離に必要なレーザ強度が得られ難くなる。
【0039】
実施の形態1に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットLSは、短軸幅Sが2mm以上であるため、ワーク210における基板211と剥離層212との未剥離を抑制することができる。また、短軸幅Sが30mm以下であるため、剥離に必要な充分なレーザ強度が得られる。
【0040】
レーザスポットLSのオーバーラップ率は、2回照射の50%の他に、3回照射の67%、4回照射の75%、5回照射の80%、10回照射の90%、20回照射の95%などを採用してもよい。しかしながら、オーバーラップ率が80%を超えると、照射回数が多くなり過ぎ、生産性が低下する。すなわち、オーバーラップ率は50~80%であることが好ましい。
【0041】
ここで、図7も、実施の形態1に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。図7に示したレーザスポットLSの形状は、図6に示したレーザスポットLSの形状と同じである。図7では、方形状のレーザスポットLSを有するレーザビームLBをx軸方向に繰り返し走査させながら照射する。レーザビームLBはパルス発振されているため、ワーク210上においてライン状のレーザスポットLSがx軸負方向に移動しながら間欠的に形成されていく。
【0042】
図7の例では、レーザビームLBをx軸負方向に走査させた後、y軸負方向に移動し、x軸正方向に走査させた後、y軸負方向に移動することを繰り返している。図7の例では、レーザスポットLSを短軸方向(y軸方向)においてはオーバーラップさせずに、長軸方向(x軸方向)において50%ずつオーバーラップさせている。すなわち、レーザスポットLSを2回照射することによって、ワーク210における基板211と剥離層212とを剥離する。
図6図7に示したように、レーザスポットLSを短軸方向にオーバーラップさせても、レーザスポットLSを長軸方向にオーバーラップさせてもよい。
【0043】
(実施の形態2)
<レーザ剥離装置の詳細構成>
次に、図8を参照して、実施の形態2に係るレーザ剥離装置の詳細構成について説明する。図8は、実施の形態2に係るレーザ剥離装置の斜視図である。実施の形態2に係るレーザ剥離装置200も、図3に示した実施の形態1に係るレーザ剥離装置100と同様に、レーザ光源10、光学系20、及びステージ30を備えるが、図8では、ステージ30は省略されている。
【0044】
図8に示すように、実施の形態2に係るレーザ剥離装置200では、光学系20が、ミラーM1、M2、成形レンズL1、L2、可動ミラーMM1、MM2を備えている。
図8に示すように、レーザ光源10からx軸負方向に出射されたレーザビームLBは、ミラーM1で反射してz軸正方向に進行した後、ミラーM2で反射してy軸正方向に進行する。レーザ光源10から出射されるレーザビームLBは、断面方形状の平行光である。
【0045】
図8の例では、ミラーM2で反射したレーザビームLBは、成形レンズL1によってx軸方向に拡げられた後、成形レンズL2によって再び平行光に変換されている。成形レンズL1、L2は、例えばシリンドリカルレンズである。成形レンズL1、L2によって成形されたレーザビームLBは、可動ミラーMM1、MM2のいずれかで反射してz軸負方向に進行し、ワーク210に照射される。この際、ワーク210はx軸正方向に搬送されている。
【0046】
図8に示すように、可動ミラーMM1は、y軸方向に延設されたy軸レールYR1上をスライドするスライダS1に搭載されている。すなわち、可動ミラーMM1はy軸方向に移動することができる。ここで、y軸レールYR1はy軸レールYR2と平行に設けられており、可動ミラーMM1はy軸レールYR1からy軸レールYR2に向かって、すなわちx軸負方向に突き出すように設けられている。y軸レールYR1の両端には、y軸レールYR1を支持する一対の支柱C1が設けられている。さらに、可動ミラーMM1は、スライダS1に固定されたz軸レールZR1に搭載されており、z軸方向にも移動することができる。
【0047】
同様に、可動ミラーMM2は、y軸方向に延設されたy軸レールYR2上をスライドするスライダS2に搭載されている。すなわち、可動ミラーMM2はy軸方向に移動することができる。ここで、可動ミラーMM2はy軸レールYR2からy軸レールYR1に向かって、すなわちx軸正方向に突き出すように設けられている。y軸レールYR2の両端には、y軸レールYR2を支持する一対の支柱C2が設けられている。さらに、可動ミラーMM2は、スライダS2に固定されたz軸レールZR2に搭載されており、z軸方向にも移動することができる。
【0048】
ここで、図8に加えて、図9図10を参照しながら、可動ミラーMM1、MM2の構成及び動作についてさらに詳細に説明する。図9は、可動ミラーMM1の構成及び動作を示す側面図である。図10は、可動ミラーMM1、MM2の構成及び動作を示す正面図である。図9の上段は、図10の上段に対応しており、図9の下段は、図10の下段に対応している。
【0049】
まず、図9の上段、図10の上段に示すように、可動ミラーMM1は、y軸負方向に移動しながら、y軸正方向に進行するレーザビームLBをz軸負方向に反射する。すなわち、可動ミラーMM1がレーザビームLBの入射光軸に沿ってy軸負方向に移動することによって、可動ミラーMM1で反射したレーザビームLBもワーク210においてy軸負方向に走査される。可動ミラーMM1のストロークST1は、ワーク210の幅(y軸方向の長さ)と同程度である。ここで、レーザビームLBの入射光軸は、ワーク210の基板211の主面に平行かつワーク210の搬送方向(x軸方向)に垂直である。
【0050】
次に、可動ミラーMM1はy軸レールYR1のy軸負方向側端部に到達すると、図9の下段、図10の下段に示すように、z軸レールZR1に沿ってz軸正方向に移動する。これにより、レーザビームLBは、y軸レールYR2(図9では不図示)のy軸正方向側端部において待機している可動ミラーMM2によって照射される。なお、図9の下段には、分かり易いように可動ミラーMM2が示されている。
【0051】
そして、図9の下段、図10の下段に示すように、可動ミラーMM1は、レーザビームLBを反射せずにy軸正方向に移動する。可動ミラーMM1は、y軸レールYR1のy軸正方向側端部に到達すると、z軸レールZR1に沿ってz軸負方向に移動して待機する。この間、可動ミラーMM2は、y軸負方向に移動しながら、y軸正方向に進行するレーザビームLBをz軸負方向に反射する。可動ミラーMM2がレーザビームLBの入射光軸に沿ってy軸負方向に移動することによって、可動ミラーMM2で反射したレーザビームLBもワーク210においてy軸負方向に走査される。可動ミラーMM2のストロークは、可動ミラーMM1のストロークST1と同じである。
【0052】
次に、可動ミラーMM2はy軸レールYR2のy軸負方向側端部に到達すると、図10の上段に示すように、z軸レールZR2に沿ってz軸正方向に移動する。これにより、図9の上段、図10の上段に示すように、レーザビームLBは、y軸レールYR1のy軸正方向側端部において待機している可動ミラーMM1に照射される。
【0053】
以上に説明した通り、可動ミラーMM1、MM2は、図9の上段、図10の上段に示した動作と、図9の下段、図10の下段に示した動作とを交互に繰り返す。すなわち、可動ミラーMM1、MM2は、交互にy軸負方向に移動しながら、y軸正方向に進行するレーザビームLBをz軸負方向に反射する。このような構成によって、ワーク210を一定速度で搬送しながら、レーザビームLBをワーク210の全面に照射することができる。
【0054】
図11は、実施の形態2に係るレーザ剥離装置によって照射されたレーザスポットLSを示す平面図である。図11に示すように、ワーク210を一定速度でx軸正方向に搬送しながら、レーザビームLBをy軸負方向に走査する。そのため、レーザスポットLSは実線矢印に示すように、それぞれの列において、x軸負方向にずれながらy軸負方向に順次形成されていく。
【0055】
ここで、図11に示したレーザスポットLSのy軸方向の移動距離は、図9に示した可動ミラーMM1のy軸方向の移動距離(すなわちストロークST1)に等しい。可動ミラーMM1、MM2のいずれかがレーザビームLBを反射しながらストロークST1分だけ移動する間に、ワーク210は長軸幅L分だけ搬送される。ここで、可動ミラーMM1、MM2の移動速度は、レーザビームLBのパルス周波数とレーザスポットLSのオーバーラップ率とによって設定することができる。そして、可動ミラーMM1、MM2の移動速度からワーク210の搬送速度を設定することができる。
【0056】
(実施の形態3)
<レーザ剥離装置の詳細構成>
次に、図12を参照して、実施の形態3に係るレーザ剥離装置の詳細構成について説明する。図12は、実施の形態3に係るレーザ剥離装置の斜視図である。実施の形態3に係るレーザ剥離装置300は、図8に示した実施の形態2に係るレーザ剥離装置200の構成に加えて、光路長調整ユニット21を備えている。光路長調整ユニット21は、可動ミラーMM1、MM2の移動によるレーザビームLBの光路長の変化を相殺し、レーザビームLBの光路長が一定になるように調整する。
【0057】
実施の形態2に係るレーザ剥離装置200では、可動ミラーMM1、MM2が、y軸負方向に移動しながら、y軸正方向に進行するレーザビームLBをz軸負方向に反射する。そのため、可動ミラーMM1、MM2がy軸負方向へ移動するにつれて、レーザビームLBの光路長が短くなる。これに対し、実施の形態3に係るレーザ剥離装置300では、光路長調整ユニット21によって、可動ミラーMM1、MM2がy軸負方向へ移動しても、レーザビームLBの光路長を一定に維持することができる。
【0058】
図12の例では、光路長調整ユニット21は、ミラーM2と成形レンズL1と間に設けられている。光路長調整ユニット21の設置位置は、レーザビームLBの経路上であれば特に限定されない。図12に示した実施の形態3に係るレーザ剥離装置300において、光路長調整ユニット21以外の構成は、図8に示した実施の形態2に係るレーザ剥離装置200と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【0059】
以下に、光路長調整ユニット21の詳細について説明する。図13は、光路長調整ユニット21の拡大斜視図である。図13に示すように、光路長調整ユニット21は、x軸レールXR、ベースB、4つの固定ミラーM11、M12、M21、M22、2つの回転ミラーRM1、RM2を備えている。
【0060】
x軸レールXRは、x軸方向に延設されたレールである。x軸レールXRは、x軸負方向の中央部に、y軸方向の両側に突出した突出部を有している。ここで、y軸負方向に突出した突出部に回転ミラーRM1がz軸周りに回転可能に固定され、y軸正方向に突出した突出部に回転ミラーRM2がz軸周りに回転可能に固定されている。
【0061】
ベースBは、x軸方向に延設された平面視I字状の板状部材であって、x軸レールXR上にx軸方向にスライド可能に載置されている。ベースBのx軸負方向の端部では、y軸負方向に突出した突出部に固定ミラーM11が固定され、y軸正方向に突出した突出部に固定ミラーM12が固定されている。ベースBのx軸正方向の端部では、y軸負方向に突出した突出部に固定ミラーM21が固定され、y軸正方向に突出した突出部に固定ミラーM22が固定されている。
【0062】
図12図13に示すように、光路長調整ユニット21では、y軸正方向に進行するレーザビームLBが回転ミラーRM1に入射し、固定ミラーM11、M12もしくは固定ミラーM21、M22を経由して、回転ミラーRM2からy軸正方向に出射される。図12では、レーザビームLBが固定ミラーM21、M22(図13参照)を経由している。
【0063】
より詳細には、レーザビームLBは、回転ミラーRM1で反射してx軸正方向又はx軸正方向に進行する。回転ミラーRM1は回転可能であるため、y軸正方向に進行するレーザビームLBをx軸正方向又はx軸正方向に反射することができる。図12では、レーザビームLBが回転ミラーRM1で反射してx軸正方向に進行している。
【0064】
この場合、図12図13に示すように、x軸正方向に進行するレーザビームLBは、固定ミラーM21で反射してy軸正方向に進行し、固定ミラーM22で反射してx軸負方向に進行した後、回転ミラーRM2に入射する。そして、レーザビームLBは、回転ミラーRM2で反射してy軸正方向に進行する。
【0065】
ここで、図13に示すように、ベースBはx軸レールXR上をx軸方向にスライドすることができるため、回転ミラーRM1と固定ミラーM21との距離及び回転ミラーRM2と固定ミラーM22との距離を変化させることができる。
【0066】
具体的には、レーザビームLBが固定ミラーM21、M22を経由する場合、ベースBがx軸正方向に移動すると、回転ミラーRM1、RM2と固定ミラーM21、M22とが遠ざかるため、光路長調整ユニット21における光路長が長くなる。反対に、ベースBがx軸負方向に移動すると、回転ミラーRM1、RM2と固定ミラーM21、M22とが近づくため、光路長調整ユニット21における光路長が短くなる。
【0067】
一方、レーザビームLBが回転ミラーRM1で反射してx軸負方向に進行する場合、レーザビームLBは、固定ミラーM11で反射してy軸正方向に進行し、固定ミラーM12で反射してx軸正方向に進行した後、回転ミラーRM2に入射する。そして、レーザビームLBは、回転ミラーRM2で反射してy軸正方向に進行する。回転ミラーRM2は回転可能であるため、このようにx軸正方向に進行するレーザビームLBでも、図12に示したようにx軸負方向に進行するレーザビームLBでも、y軸正方向に反射することができる。
【0068】
ここで、図13に示すように、ベースBはx軸レールXR上をx軸方向にスライドすることができるため、回転ミラーRM1と固定ミラーM11との距離及び回転ミラーRM2と固定ミラーM12との距離を変化させることができる。
【0069】
具体的には、レーザビームLBが固定ミラーM11、M12を経由する場合、ベースBがx軸負方向に移動すると、回転ミラーRM1、RM2と固定ミラーM11、M12とが遠ざかるため、光路長調整ユニット21における光路長が長くなる。反対に、ベースBがx軸正方向に移動すると、回転ミラーRM1、RM2と固定ミラーM11、M12とが近づくため、光路長調整ユニット21における光路長が短くなる。
【0070】
次に、図14を参照しながら、光路長調整ユニット21の動作について説明する。図14は、光路長調整ユニット21の動作を示す平面図である。図14に示すように、光路長調整ユニット21は、図9図10を参照して説明した可動ミラーMM1、MM2の動作と同期して動作する。すなわち、レーザビームLBの光路長を一定に維持するように、可動ミラーMM1、MM2がy軸負方向へ移動するのと同期して、ベースBがx軸方向に移動する。以下に図14と共に、図9も参照しながら、光路長調整ユニット21の動作の詳細について説明する。
【0071】
まず、図9の上段に示すように、可動ミラーMM1がy軸レールYR1のy軸正方向側端部においてレーザビームLBの反射を開始する際、図14の最も左側に示すように、ベースBは最もx軸正方向側に位置している。ここで、回転ミラーRM1に入射したレーザビームLBが、固定ミラーM11、M12を経由して、回転ミラーRM2から出射される。ベースBが最もx軸正方向側に位置しているため、回転ミラーRM1、RM2と固定ミラーM11、M12とが最も近づき、光路長調整ユニット21における光路長が最も短くなっている。
【0072】
次に、図9の上段に示すように、可動ミラーMM1がy軸負方向に前進すると、図14の左から2番目に示すように、ベースBも同期してx軸負方向に移動する。図14の左から2番目に示す状態は、ベースBが最もx軸負方向側に到達した状態である。そのため、回転ミラーRM1、RM2と固定ミラーM11、M12とが最も遠ざかり、光路長調整ユニット21における光路長が最も長くなっている。
【0073】
ここで、可動ミラーMM1が移動すると、その分光路長が減少する。他方、ベースBが移動すると、回転ミラーRM1と固定ミラーM11との距離及び回転ミラーRM2と固定ミラーM12との距離がその分増加する。すなわち、ベースBの移動距離の2倍だけ光路長が増加する。従って、光路長を一定に維持するためには、図14に示すように、ベースBのストロークST2は、図9に示した可動ミラーMM1のストロークST1の1/2とする。また、ベースBの移動速度も、可動ミラーMM1の移動速度の1/2とする。
【0074】
次に、可動ミラーMM1がy軸レールYR1のy軸負方向側端部に到達すると、図9の下段に示すように、レーザビームLBの照射対象が、可動ミラーMM1から可動ミラーMM2に切り換わる。これと同時に、図14の左から2番目に示す状態において回転ミラーRM1、RM2が回転する。これにより、図14の左から3番目に示すように、回転ミラーRM1に入射したレーザビームLBが、固定ミラーM21、M22を経由して、回転ミラーRM2から出射されるように切り換わる。この際、ベースBは移動しない。
【0075】
図14の左から3番目に示す状態では、ベースBが最もx軸負方向側に位置しているため、回転ミラーRM1、RM2と固定ミラーM21、M22とが最も近づき、光路長調整ユニット21における光路長が最も短くなっている。すなわち、光路長調整ユニット21において、図14の最も左側に示す状態の光路長と、図14の左から3番目に示す状態の光路長とは等しい。
【0076】
次に、可動ミラーMM2がy軸負方向に前進すると、図14の最も右側に示すように、ベースBも同期してx軸正方向に移動する。図14の最も右側に示す状態は、ベースBが最もx軸正方向側に到達した状態である。そのため、回転ミラーRM1、RM2と固定ミラーM21、M22とが最も遠ざかり、光路長調整ユニット21における光路長が最も長くなっている。すなわち、光路長調整ユニット21において、図14の2番目に示す状態の光路長と、図14の最も右側に示す状態の光路長とは等しい。
【0077】
次に、可動ミラーMM2がy軸レールYR2のy軸負方向側端部に到達すると、図9の上段に示すように、レーザビームLBの照射対象が、可動ミラーMM2から可動ミラーMM1に切り換わる。これと同時に、図14の最も右側に示す状態において回転ミラーRM1、RM2が回転する。これにより、図14の最も左側に示す状態に戻り、回転ミラーRM1に入射したレーザビームLBが、固定ミラーM11、M12を経由して、回転ミラーRM2から出射されるように切り換わる。この際、ベースBは移動しない。
【0078】
光路長調整ユニット21が以上のような動作を繰り返すことによって、可動ミラーMM1、MM2が順次y軸負方向へ移動しても、レーザビームLBの光路長を常に一定に維持することができる。
【0079】
以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【0080】
10 レーザ光源
20 光学系
21 光路長調整ユニット
30 ステージ
100、200、300 レーザ剥離装置
210 ワーク
211 基板
212 剥離層
213 回路素子
214 保護層
218 フィルム
311 TFT層
311a TFT
312 有機層
312a 有機EL発光素子
312b 隔壁
313 カラーフィルタ層
313a カラーフィルタ
B ベース
C1、C2 支柱
L1、L2 成形レンズ
LB レーザビーム
LS レーザスポット
M1、M2 ミラー
M11、M12、M21、M22 固定ミラー
MM1、MM2 可動ミラー
PX 画素
RM1、RM2 回転ミラー
S1、S2 スライダ
XR x軸レール
YR1、YR2 y軸レール
ZR1、ZR2 z軸レール
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12
図13
図14