特許 7170915出願番号特願 2021-568452
高密度ビアを製造する方法

出願人ミツビシ・エレクトリック・アールアンドディー・センター・ヨーロッパ・ビーヴィ（識別番号 503163527）

2026年特許公開件数ランキング 1172位 14件（※）

2026年特許取得件数ランキング 672位 24件（※）

公報発行日　2022年11月14

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7170915　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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少なくとも２つの導電層を電気接続する高密度ビアを多層基板内で形成する方法

したがって、この問題及び／又は従来技術に関連する他の問題に対処する必要がある。

本発明は、で挙げた問題の少なくとも一部を解決することを目標とする。特に、本発明は、ビア生成堆積レートを維持しながら、電力モジュール応用のために多層基板内でビアの所望の高密度アレイを製造する方法を提供することを目標とする。

【図1】本発明の一実施形態による、多層基板内で導電性ビアのアレイを製造する方法の主要なステップを概略的に示す図である。

【図2】図１の導電性ビアのアレイのエリアの細部を概略的に示す図である。

【図3】本発明の一実施形態による、高密度導電性ビアのアレイを製造する方法のフローチャートを概略的に示す図である。

【図4】本発明の一実施形態に従って形成される高密度導電性ビアのアレイを備える電力モジュールの一例を示す図である。

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