特許 7172839 スパッタリング装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-11-08

(45)【発行日】2022-11-16

(54)【発明の名称】スパッタリング装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/34 20060101AFI20221109BHJP

【ＦＩ】

C23C14/34 M

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2019086521

(22)【出願日】2019-04-26

(65)【公開番号】P2020183550

(43)【公開日】2020-11-12

【審査請求日】2022-04-04

(73)【特許権者】

【識別番号】000003942

【氏名又は名称】日新電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】特許業務法人ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】久保田 清

【審査官】宮崎 園子

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１８／２２５３２４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－５３００５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２３Ｃ １４／３４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板が収容される成膜室が内部に形成された真空容器と、
前記基板と対向するように設けられ、プラズマを発生させる複数のアンテナと、
前記複数のアンテナに対して前記基板側とは反対側に設けられ、スパッタリングの対象である複数のターゲットと、を備え、
前記成膜室には、前記成膜室内にガスを導入するための複数のガス導入口と、前記成膜室内のガスを排気するための複数のガス排気口と、が形成され、
前記複数のターゲットのうち、隣り合う２枚のターゲットのいずれにおいても、前記２枚のターゲットの間に形成される第１空間に対して、前記アンテナが所定の第１位置関係で配置されているとともに、前記第１空間内に配置される前記ガス導入口および前記ガス排気口に対して前記アンテナが所定の第２位置関係で配置されていることを特徴とするスパッタリング装置。

【請求項2】

前記第１位置関係は、前記アンテナと、前記複数のターゲットのうち隣り合う２枚のターゲットのそれぞれと、の距離が同一となる位置関係であり、
前記第２位置関係は、前記アンテナが前記ガス導入口および前記ガス排気口と対向する位置関係であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項3】

ガス導入管と、前記ターゲットおよびターゲット保持部との間に形成される第２空間を経由してガスが排気されるよう、前記ガス排気口が前記第２空間における前記成膜室と連通する側とは反対側に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリング装置。

【請求項4】

前記アンテナの延伸方向と同一の方向に延伸し、前記アンテナと対向する側が開放された断面凹形状を有するガス導入管と、
前記ガス導入管の開放側に対して設けられるとともに、前記複数のガス導入口が形成され、前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子が前記ガス導入管に付着することを防止するための防着板と、をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。

【請求項5】

前記ガス導入管の開放側とは反対側に設けられ、前記複数のガス排気口が形成された排気プレートをさらに備え、
前記防着板には、前記成膜室内のガスを前記複数のガス排気口へ排気するための複数の第２ガス排気口が形成されることを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。

【請求項6】

前記複数のガス導入口が並ぶ方向と前記複数のアンテナの延伸方向とが同一であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、スパッタリング装置に関する。

【背景技術】

【0002】

ターゲットの表面に磁界を形成してプラズマを生成し、プラズマ中のイオンをターゲットに衝突させることで、ターゲットからスパッタ粒子が飛び出すように構成されたスパッタリング装置が従来技術として知られている。このようなスパッタリング装置としては、例えば、特許文献１に開示されているスパッタリング装置が挙げられる。

【0003】

特許文献１に開示されているスパッタリング装置は、隣り合う２枚のターゲットを１組として、１組のターゲット間に電圧が印加されるターゲット装置を有する。ターゲット装置は、１組のターゲットの側面と対向して配置された隔壁を有し、隔壁とターゲットとの間にガス導入口が形成され、真空槽の底面に主排気口が形成される。ガス導入口から導入された反応ガスは、１組のターゲット間を通って主排気口から排気される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１３－４９８８４号公報（２０１３年３月１４日公開）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１に開示されているスパッタリング装置では、隔壁とターゲットとの間にはガス導入口が形成されているが、１組のターゲット間にはガス導入口が形成されていない。また、１組のターゲット間には主排気口が形成されているが、隔壁とターゲットとの間には主排気口が形成されていない。

【0006】

このため、特許文献１に開示されているスパッタリング装置では、真空槽内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を十分に均一にすることができず、基板に形成される薄膜を十分に均一にすることができないという問題がある。本発明の一態様は、成膜室内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を均一にし、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るスパッタリング装置は、基板が収容される成膜室が内部に形成された真空容器と、前記基板と対向するように設けられ、プラズマを発生させる複数のアンテナと、前記複数のアンテナに対して前記基板側とは反対側に設けられ、スパッタリングの対象である複数のターゲットと、を備え、前記成膜室には、前記成膜室内にガスを導入するための複数のガス導入口と、前記成膜室内のガスを排気するための複数のガス排気口と、が形成され、前記複数のターゲットのうち、隣り合う２枚のターゲットのいずれにおいても、前記２枚のターゲットの間に形成される第１空間に対して、前記アンテナが所定の第１位置関係で配置されているとともに、前記第１空間内に配置される前記ガス導入口および前記ガス排気口に対して前記アンテナが所定の第２位置関係で配置されている。

【0008】

前記構成によれば、隣り合う２枚のターゲットのいずれにおいても、アンテナとターゲットとガス導入口とガス排気口との位置関係が一定であるため、成膜室内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。これにより、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができる。

【0009】

前記第１位置関係は、前記アンテナと、前記複数のターゲットのうち隣り合う２枚のターゲットのそれぞれと、の距離が同一となる位置関係であり、前記第２位置関係は、前記アンテナが前記ガス導入口および前記ガス排気口と対向する位置関係であってもよい。前記構成によれば、アンテナと隣り合う２枚のターゲットのそれぞれとの距離が同一となり、かつ、アンテナがガス導入口およびガス排気口と対向するため、隣り合う２枚のターゲットのそれぞれに対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。

【0010】

ガス導入管と、前記ターゲットおよびターゲット保持部との間に形成される第２空間を経由してガスが排気されるよう、前記ガス排気口が前記第２空間における前記成膜室と連通する側とは反対側に形成されてもよい。前記構成によれば、ガス導入口から導入されたガスが、ガス導入管とターゲットおよびターゲット保持部との間に形成される第２空間を経由して排気されるため、成膜室内にガスが均一に行き渡る。これにより、成膜室内において、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができる。

【0011】

前記スパッタリング装置は、前記アンテナの延伸方向と同一の方向に延伸し、前記アンテナと対向する側が開放された断面凹形状を有するガス導入管と、前記ガス導入管の開放側に対して設けられるとともに、前記複数のガス導入口が形成され、前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子が前記ガス導入管に付着することを防止するための防着板と、をさらに備えてもよい。前記構成によれば、ガス導入管に対して防着板が設けられているため、ターゲットから放出されたスパッタ粒子が付着した防着板を交換してメンテナンスを容易に行うことができる。

【0012】

前記スパッタリング装置は、前記ガス導入管の開放側とは反対側に設けられ、前記複数のガス排気口が形成された排気プレートをさらに備え、前記防着板には、前記成膜室内のガスを前記複数のガス排気口へ排気するための複数の第２ガス排気口が形成されてもよい。前記構成によれば、ガス排気口に加えて第２ガス排気口が形成されるため、ガス排気口と第２ガス排気口との２段階でガスの排気量を調整することができる。よって、ガスを均一に排気するための構造を容易に実現することができる。

【0013】

前記複数のガス導入口が並ぶ方向と前記複数のアンテナの延伸方向とが同一であってもよい。前記構成によれば、成膜室内に導入されたガスがアンテナに均一に供給される。よって、アンテナにより生成されたプラズマがターゲットの表面に均一に拡散されるため、成膜室内において、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができる。

【発明の効果】

【0014】

本発明の一態様によれば、成膜室内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を均一にすることができ、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の実施形態１に係るスパッタリング装置の構成を示す断面図である。

【図2】図１に示すスパッタリング装置の内部の平面図である。

【図3】本発明の実施形態２に係るスパッタリング装置の構成を示す断面図である。

【図4】図３に示すスパッタリング装置の内部の平面図である。

【図5】図４に示すスパッタリング装置の変形例に係る内部の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

〔実施形態１〕
＜スパッタリング装置１の構成＞
図１は、本発明の実施形態１に係るスパッタリング装置１の構成を示す断面図である。図２は、図１に示すスパッタリング装置１の内部の平面図である。具体的には、図２は、図１において基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向から見た場合のスパッタリング装置１の内部の平面図である。また、図２において、基板保持部７０および真空排気装置８１，９１を省略している。さらに、図１から図５において、図上で同一視できる形状のものについては、部材番号を省略している。

【0017】

スパッタリング装置１は、図１に示すように、真空容器１０と、複数のアンテナ２０と、複数のターゲット３０と、複数のターゲット保持部３１と、複数のガス導入管４０と、排気プレート５０と、複数の絶縁部６０と、基板保持部７０と、真空排気装置８１，９１と、を備えている。

【0018】

スパッタリング装置１は、誘導結合型のプラズマを用いてターゲット３０をスパッタリングして基板Ｗに成膜するものである。ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。

【0019】

真空容器１０は、真空排気され、かつ、内部にガスが供給される容器である。また、真空容器１０は、基板Ｗが収容される成膜室１１が内部に形成された容器である。成膜室１１は、真空容器１０の側壁１２と、真空容器１０の底面１３と、基板保持部７０と、複数のターゲット３０と、複数のガス導入管４０と、によって囲まれることにより形成される。成膜室１１には、複数のガス導入口４１と複数のガス排気口５１とが形成される。ガス導入口４１およびガス排気口５１については後述する。

【0020】

複数のアンテナ２０は、それぞれ、基板Ｗと対向するように成膜室１１内に設けられ、プラズマを発生させるＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）アンテナである。具体的には、複数のアンテナ２０は、成膜室１１内における基板Ｗの表面側に、基板Ｗの表面に沿うように同一平面上に並列に配置されている。例えば、複数のアンテナ２０は、基板Ｗの表面と実質的に平行に配置されている。

【0021】

各アンテナ２０における真空容器１０内に位置する部分は、直管状の絶縁カバー２１により覆われている。なお、各アンテナ２０は、図２に示すように、平面視において直線状で同一の構成である。ここでは、平面視とは、基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向から見た場合を意味している。

【0022】

複数のターゲット３０は、それぞれ、複数のアンテナ２０に対して基板Ｗ側とは反対側に設けられ、スパッタリングの対象である。各ターゲット３０は、平面視において矩形状をなす平板状のものであり、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ等の酸化物半導体材料である。各ターゲット保持部３１は、基板保持部７０に保持された基板Ｗと対向するようにターゲット３０を保持する。ターゲット保持部３１は、基板Ｗと対向する側とは反対側において、真空シール機能を有する絶縁部６０を介して排気プレート５０に設けられている。

【0023】

複数のガス導入管４０は、それぞれ、図２に示すように、アンテナ２０の延伸方向Ｄ１と同一の方向に延伸する。各ガス導入管４０は、複数のガス導入管４０が並ぶ方向Ｄ２と同一の方向に延伸する中間配管１００と、接続配管１０１を介して接続されている。つまり、接続配管１０１は、各ガス導入管４０と中間配管１００とを接続している。複数のガス導入管４０のサイズは、成膜室１１内に導入すべきガスの量に応じて、適宜決定されてもよい。

【0024】

中間配管１００について、方向Ｄ２における中央部分には、ガス供給機構１１０が接続されている。ガス供給機構１１０は、Ｏ_２（酸素）やＮ_２（窒素）等の反応性ガスとＡｒ（アルゴン）等のスパッタ用ガスとの混合ガスを中間配管１００の内部に供給する。中間配管１００の内部に供給された混合ガスは、接続配管１０１を通ってガス導入管４０の内部に供給される。ガス導入管４０の内部に供給された混合ガスは、ガス導入口４１から、成膜室１１内におけるターゲット３０の基板Ｗ側に向かって導入される。

【0025】

なお、ガス供給機構１１０は、反応性ガスのみを中間配管１００の内部に供給してもよい。この場合、中間配管１００の内部に供給された反応性ガスは、接続配管１０１を通ってガス導入管４０の内部に供給される。ガス導入管４０の内部に供給された反応性ガスは、ガス導入口４１から、成膜室１１内におけるターゲット３０の基板Ｗ側に向かって導入される。

【0026】

また、ガス供給機構１１０が、反応性ガスのみを中間配管１００の内部に供給する場合、真空容器１０の側壁１２に、成膜室１１内にスパッタ用ガスを導入するためのガス導入口（図示せず）が形成されていてもよい。この場合、スパッタ用ガスを供給するガス供給機構（図示せず）によって当該ガス導入口から成膜室１１内にスパッタ用ガスが導入される。当該ガス供給機構は、真空容器１０に接続される。

【0027】

複数のガス導入管４０は、それぞれ、平面視において複数のターゲット３０の長手方向と平行な方向に延伸するように配置されている。各ガス導入管４０には、成膜室１１内にガスを導入するための複数のガス導入口４１が形成されている。複数のガス導入口４１の形状は、円形であることが好ましいが、これに限定されず、例えば、三角形または四角形等であってもよい。

【0028】

複数のガス導入口４１が並ぶ方向は、複数のアンテナ２０の延伸方向と同一であり、複数のガス導入口４１は、アンテナ２０に沿って形成されている。前記構成によれば、成膜室１１内に導入されたガスがアンテナ２０に均一に供給される。よって、アンテナ２０により生成されたプラズマがターゲット３０の表面に均一に拡散されるため、成膜室１１内において、基板Ｗに形成される薄膜の均一性を向上させることができる。

【0029】

排気プレート５０は、ガス導入管４０の基板Ｗ側とは反対側に設けられ、成膜室１１内のガスを排気するための複数のガス排気口５１が形成されている。排気プレート５０には、ターゲット３０とガス導入管４０とが交互に配置されている。複数のガス排気口５１は、それぞれ、ガス導入管４０の延伸方向に沿って形成されており、ガス導入管４０の両側に形成されている。

【0030】

複数のガス排気口５１の総開口面積は、図２に示すように、複数のガス導入口４１の総開口面積よりも大きい。これにより、成膜室１１内へのガスの導入よりも、成膜室１１から外部へのガスの排気を優先して行うことができる。このため、成膜室１１内の圧力と排気室１５内の圧力との差圧を確保し、成膜室１１内の圧力を適切に維持することができる。

【0031】

さらに、ガス導入管４０と、ターゲット３０およびターゲット保持部３１との間に形成される第２空間Ｓ２を経由してガスが排気されるよう、ガス排気口５１が第２空間Ｓ２における成膜室１１と連通する側とは反対側に形成される。

【0032】

前記構成によれば、ガス導入口４１から導入されたガスが、ガス導入管４０とターゲット３０およびターゲット保持部３１との間に形成される第２空間Ｓ２を経由して排気されるため、成膜室１１内にガスが均一に行き渡る。これにより、成膜室１１内において、基板Ｗに形成される薄膜の均一性を向上させることができる。なお、ガス排気口５１は、真空容器１０の側壁１２とガス導入管４０との間の空間における成膜室１１と連通する側とは反対側にも形成される。

【0033】

ここで、複数のターゲット３０のうち、隣り合う２枚のターゲット３０のいずれにおいても、２枚のターゲット３０の間に形成される第１空間Ｓ１に対して、アンテナ２０が所定の第１位置関係で配置されている。また、第１空間Ｓ１内に配置されるガス導入口４１およびガス排気口５１に対してアンテナ２０が所定の第２位置関係で配置されている。

【0034】

前記構成によれば、隣り合う２枚のターゲット３０のいずれにおいても、アンテナ２０とターゲット３０とガス導入口４１とガス排気口５１との位置関係が一定である。このため、成膜室１１内においてターゲット３０に対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。これにより、基板Ｗに形成される薄膜の均一性を向上させることができる。

【0035】

具体的には、ガスの利用効率を向上させることができ、基板Ｗに形成される薄膜に係る膜厚および膜質の均一性を向上させることができる。ここで、特に、ターゲット３０がＩｎＧａＺｎＯ等の酸化物半導体材料である場合を考える。

【0036】

この場合、酸素分圧の制御を行うとき、多層構造として酸素分圧を変更するとき、または、結晶構造を有する薄膜を基板Ｗに形成するとき、ターゲット３０に対して供給するガスの圧力が均一になる。これにより、基板Ｗに形成される薄膜の比抵抗および結晶性を極めて均一にすることができる。また、全てのターゲット３０に対して、方向Ｄ２における反応性ガスの分圧を均一にすることができる。

【0037】

さらに、前記第１位置関係は、アンテナ２０と、複数のターゲット３０のうち隣り合う２枚のターゲット３０のそれぞれと、の距離が同一となる位置関係であり、前記第２位置関係は、アンテナ２０がガス導入口４１およびガス排気口５１と対向する位置関係である。前記構成によれば、隣り合う２枚のターゲット３０のそれぞれに対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。

【0038】

また、前記第２位置関係は、ガス導入口４１が、基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向と平行な方向であり、かつ、アンテナ２０を通る直線上に配置されている位置関係であることが好ましい。これにより、ガス導入口４１から導入されたガスを、アンテナ２０に通過させ、ターゲット３０に対して供給することができる。

【0039】

基板保持部７０は、成膜室１１内において基板Ｗを、例えば水平状態となるように保持するホルダである。平面視において、真空容器１０の上面１４の中央には、主排気口８０が形成されている。主排気口８０は、ガス導入口４１から成膜室１１内に導入されたガスを、成膜室１１の外部へ排気するために形成されている。

【0040】

複数のガス排気口５１から排気された成膜室１１内のガスは、真空ポンプ等の真空排気装置８１によって主排気口８０から真空容器１０の外部に排気される。真空排気装置８１は、真空容器１０に接続される。また、真空容器１０の底面１３には、副排気口９０が形成されている。副排気口９０は、基板Ｗに対して成膜を行う前後に、成膜室１１内のガスを成膜室１１の外部に排気するために形成されている。成膜室１１内のガスは、基板Ｗに対して成膜を行う前後に、真空ポンプ等の真空排気装置９１によって副排気口９０から真空容器１０の外部に排気される。真空排気装置９１は、真空容器１０に接続される。

【0041】

なお、主排気口８０は、真空容器１０の上面１４に複数形成されてもよい。これにより、スパッタリング装置１のサイズが大きい場合、つまり、真空容器１０のサイズが大きい場合であっても、成膜室１１内のガスを十分に排気することができる。また、成膜室１１内のガスを均一に排気することができるため、成膜室１１内においてターゲット３０に対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。副排気口９０も、真空容器１０の底面１３に複数形成されてもよい。

【0042】

ここで、複数のガス排気口５１は、それぞれ、ガスの排気速度が等しくなるように、その数や大きさや配置が適宜決定されて、排気プレート５０に形成されてもよい。例えば、主排気口８０からの距離が大きい程、ガス排気口５１の数を多くしたり、ガス排気口５１を大きくしたりしてもよい。また、主排気口８０からの距離が小さい程、ガス排気口５１の数を少なくしたり、ガス排気口５１を小さくしたりしてもよい。図２において、ガス排気口５１の数と大きさと配置とが均一である構成は一例である。

【0043】

また、複数のガス導入口４１は、それぞれ、各ガス導入口４１から成膜室１１へ等しい流量のガスが導入されるように、その数や大きさや配置が適宜決定されて、ガス導入管４０に形成されてもよい。例えば、ガス供給機構１１０からの距離が大きい程、ガス導入口４１の数を多くしたり、ガス導入口４１を大きくしたりしてもよい。また、ガス供給機構１１０からの距離が小さい程、ガス導入口４１の数を少なくしたり、ガス導入口４１を小さくしたりしてもよい。図２において、ガス導入口４１の数と大きさと配置とが均一である構成は一例である。

【0044】

〔実施形態２〕
図３は、本発明の実施形態２に係るスパッタリング装置２の構成を示す断面図である。図４は、図３に示すスパッタリング装置２の内部の平面図である。具体的には、図４は、図３において基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向から見た場合のスパッタリング装置２の内部の平面図である。また、図４において、アンテナ２０、基板保持部７０および真空排気装置８１，９１を省略している。

【0045】

なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。スパッタリング装置２は、図３に示すように、スパッタリング装置１と比べて、ガス導入管４０がガス導入管４０ａに変更されている点および防着板１２０を備えている点が異なる。

【0046】

ガス導入管４０ａは、アンテナ２０の延伸方向と同一の方向に延伸し、アンテナ２０と対向する側が開放された断面凹形状を有する。具体的には、ガス導入管４０ａの凹面４２ａが、アンテナ２０と対向する。ガス導入管４０ａの断面凹形状としては、例えば、コの字型の形状、凹面４２ａが曲面となるような形状またはＶ字型の形状であってもよい。

【0047】

防着板１２０は、ガス導入管４０ａの開放側に対して設けられるとともに、複数のガス導入口１２１が形成され、ターゲット３０から放出されたスパッタ粒子がガス導入管４０ａに付着することを防止するためのものである。前記構成によれば、ガス導入管４０ａに対して防着板１２０が設けられているため、ターゲット３０から放出されたスパッタ粒子が付着した防着板１２０を交換してメンテナンスを容易に行うことができる。

【0048】

また、防着板１２０は、図４に示すように、基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向から見て、ガス導入管４０ａを覆っている。防着板１２０は、隣り合う２枚のターゲット３０の間に配置されている。つまり、防着板１２０は、前述した第１空間Ｓ１内に配置されている。排気プレート５０は、ガス導入管４０ａの開放側とは反対側に設けられ、複数のガス排気口５１が形成されている。防着板１２０には、成膜室１１内のガスを複数のガス排気口５１へ排気するための複数の第２ガス排気口１２２が形成されている。

【0049】

前記構成によれば、ガス排気口５１に加えて第２ガス排気口１２２が形成されるため、ガス排気口５１と第２ガス排気口１２２との２段階でガスの排気量を調整することができる。よって、ガスを均一に排気するための構造を容易に実現することができる。

【0050】

複数の第２ガス排気口１２２は、防着板１２０の延伸方向に沿った両端に形成されている。複数の防着板１２０は、アンテナ２０の延伸方向Ｄ１と同一の方向に延伸する。複数の第２ガス排気口１２２のうち一部の第２ガス排気口１２２は、ガス導入口１２１とターゲット３０との間に形成されている。

【0051】

防着板１２０に形成される第２ガス排気口１２２の数は、図４に示すように、防着板１２０に形成されるガス導入口１２１の数よりも多い。これに加えて、複数のガス排気口５１の総開口面積が複数のガス導入口１２１の総開口面積よりも大きいことにより、成膜室１１内へのガスの導入よりも、成膜室１１から外部へのガスの排気を優先して行うことができる。このため、成膜室１１内の圧力と排気室１５内の圧力との差圧を確保し、成膜室１１内の圧力を適切に維持することができる。

【0052】

＜変形例＞
次に、スパッタリング装置２の変形例について、図５に基づいて説明する。図５は、図４に示すスパッタリング装置２の変形例に係る内部の平面図である。スパッタリング装置２の変形例をスパッタリング装置２ａと称する。スパッタリング装置２ａは、図５に示すように、スパッタリング装置２と比べて、中間配管１００およびガス供給機構１１０が、それぞれ、２つ設けられている点が異なる。

【0053】

スパッタリング装置２ａでは、真空容器１０の両側に対して、中間配管１００およびガス供給機構１１０が、それぞれ、２つ設けられている。真空容器１０の両側において、２つの中間配管１００は、それぞれ、接続配管１０１を介して複数のガス導入管４０ａに接続されている。２つの中間配管１００には、それぞれ、ガス供給機構１１０が接続されている。また、中間配管１００およびガス供給機構１１０は、それぞれ、真空容器１０に対して３つ以上設けられてもよい。この場合、複数の中間配管１００は、それぞれ、接続配管１０１を介して複数のガス導入管４０ａに接続される。

【0054】

これにより、スパッタリング装置２ａのサイズが大きい場合、つまり、真空容器１０のサイズが大きい場合であっても、成膜室１１内へガスを十分に導入することができる。よって、成膜室１１内へガスが十分に導入されるため、基板Ｗに薄膜を適切に形成することができる。

【0055】

本発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0056】

１、２、２ａ スパッタリング装置
１０ 真空容器
１１ 成膜室
２０ アンテナ
３０ ターゲット
３１ ターゲット保持部
４０、４０ａ ガス導入管
４１、１２１ ガス導入口
５０ 排気プレート
５１ ガス排気口
１２０ 防着板
１２２ 第２ガス排気口
Ｄ１ アンテナの延伸方向
Ｓ１ 第１空間
Ｓ２ 第２空間

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】