(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-08
(45)【発行日】2022-11-16
(54)【発明の名称】フレキシブル配線回路基板、その製造方法、および、撮像装置
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20221109BHJP
H01L 27/146 20060101ALI20221109BHJP
H04N 5/225 20060101ALI20221109BHJP
H05K 9/00 20060101ALI20221109BHJP
H05K 3/28 20060101ALN20221109BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 P
H01L27/146 D
H04N5/225 300
H05K1/02 B
H05K9/00 R
H05K3/28 F
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2018083305
(22)【出願日】2018-04-24
(65)【公開番号】P2018190973
(43)【公開日】2018-11-29
【審査請求日】2021-03-31
(31)【優先権主張番号】P 2017090165
(32)【優先日】2017-04-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103517
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 寛之
(74)【代理人】
【識別番号】100149607
【弁理士】
【氏名又は名称】宇田 新一
(72)【発明者】
【氏名】柴田 周作
(72)【発明者】
【氏名】河邨 良広
(72)【発明者】
【氏名】高倉 隼人
(72)【発明者】
【氏名】若木 秀一
【審査官】齊藤 健一
(56)【参考文献】
【文献】特開平７－２２４２６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－９５５６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１２２６８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／１８３６３２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００５－２１０６２８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０９Ｊ ９／０２
Ｈ０１Ｌ ２７／１４６
Ｈ０４Ｎ ５／２２５
Ｈ０５Ｋ １／００―３／４６
Ｈ０５Ｋ ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される第１配線と、
前記第１配線の厚み方向一方側に配置される接着剤層と、
前記接着剤層の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、
前記第１配線および前記接着剤層の間に配置される第３絶縁層と、
前記接着剤層および前記第２絶縁層の間に配置され且つ前記接着剤層と接するシールド層と
を備え、
前記第３絶縁層が、厚み方向に貫通する第１開口部を有し、
前記接着剤層は、導電性接着剤と、当該導電性接着剤に埋設されている強化繊維層であって絶縁性を有する強化繊維層とを含有し、前記導電性接着剤が前記第１開口部を充填して前記第１配線と接し、
前記導電性接着剤が、接着性樹脂と、導電性粒子とを含み、
前記強化繊維層が、開口長さが２０μｍ以上５００μｍ以下の複数の繊維開口部を有し、
前記導電性粒子の平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下である、フレキシブル配線回路基板。
【請求項2】
前記強化繊維層の厚みが、５μｍ以上２５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項3】
前記強化繊維層が、ガラス繊維層であることを特徴とする、請求項１または２に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項4】
前記導電性接着剤が、異方導電性接着剤であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項5】
前記第１絶縁層、前記第１配線および前記第３絶縁層の等価弾性率が、５５ＧＰａ以下であることを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項6】
前記第３絶縁層および前記接着剤層の間に配置される第２配線をさらに備えることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一つに記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項7】
前記第２配線の厚み方向一方側に配置される第４絶縁層を備え、前記第４絶縁層は、厚み方向に貫通する第２開口部を有し、
前記接着剤層が、導電性接着剤を含有し、
前記導電性接着剤が、前記第２開口部に充填されていることを特徴とする、請求項６に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項8】
前記第１配線および前記第２配線の間に配置される第２接着剤層をさらに備え、前記第２接着剤層が、絶縁性を有する強化繊維層を含有していることを特徴とする、請求項６または７に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項9】
前記接着剤層および前記シールド層の間に配置される第２配線をさらに備えていることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項10】
請求項１～９のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板と、前記フレキシブル配線回路基板に実装される撮像素子と
を備えることを特徴とする、撮像装置。
【請求項11】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される第１配線と、前記第１配線の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層であって、前記厚み方向に貫通する第１開口部を有する第３絶縁層と、を備える配線積層体を用意する工程、接着性樹脂と平均粒子径１μｍ以上２０μｍ以下の導電性粒子とを含有する導電性接着剤から形成された接着剤層と、前記接着剤層の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、前記接着剤層と前記第２絶縁層との間に配置されるシールド層と、を備える接着剤積層体を用意する工程、
絶縁性を有する強化繊維層であって、開口長さが２０μｍ以上５００μｍ以下の複数の繊維開口部を有する強化繊維層を用意する工程、
前記配線積層体の厚み方向一方側の表面と、前記接着剤積層体の前記接着剤層の表面とが対向し、かつ、これらの間に前記強化繊維層が位置するように、前記配線積層体、前記接着剤積層体および前記強化繊維層を配置する工程、ならびに、
前記接着剤層が、前記強化繊維層を厚み方向に貫通し、前記配線積層体の厚み方向一方側に接触するように、前記配線積層体および前記接着剤積層体を積層する工程
を備えることを特徴とする、フレキシブル配線回路基板の製造方法。
【請求項12】
前記強化繊維層の厚みが、５μｍ以上２５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１１に記載のフレキシブル配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、フレキシブル配線回路基板、その製造方法、および、撮像装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、携帯電話などに搭載されているカメラモジュールなどの撮像装置は、一般的に、光学レンズと、光学レンズを収容および保持するハウジングと、ＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサなどの撮像素子と、撮像素子を実装し、外部配線に電気的に接続するための回路基板とを備えている。回路基板の略中央部の上に、撮像素子が実装されており、撮像素子を取り囲むように回路基板の周端部の上に、ハウジングが配置されている。特許文献１には、そのような基板が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【0003】
一方、撮像素子などの電子部品が実装される回路基板では、外部からの電磁波の影響により、電子部品の誤作動やノイズが生じることが知られている。そのため、回路基板に電磁波のシールド層を設けて、外部からの電磁波を遮蔽することが望まれる。
【0004】
そのようなシールド層として、例えば、セパレートフィルムの片面に耐熱性に優れた樹脂をコーティングしてカバーフィルムを形成し、そのカバーフィルムの表面に金属薄膜層と接着剤層とで構成されるシールド層を設けているシールドフィルムが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００５－２１０６２８号公報
【文献】特開２００４－９５５６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところで、薄膜化の観点から、回路基板として、フレキシブル配線回路基板を用いることが望まれている。しかしながら、フレキシブル配線回路基板にシールドフィルムまたはカバーフィルムなどを接着して得られるシールド層／カバー層付き回路基板に、撮像素子を実装すると、その撮像ユニットに反りが発生し易い。これは、撮像素子と、シールド層／カバー層付き回路基板との熱膨張係数の差に起因することが原因の一つとなっている。すなわち、撮像素子は、シリコンなどの素材からなるため、一般的に、その熱膨張係数は低い。一方、シールド層／カバー層付き回路基板の接着剤層は、樹脂層であるため、一般的に、熱膨張係数は高い。そのため、フレキシブル配線回路基板の熱膨張係数を低減することが必要である。
【0007】
本発明は、接着剤層を備えながら、熱膨張係数を低減することができるフレキシブル配線回路基板、その製造方法、および、撮像装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明［１］は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される第１配線と、前記第１配線の厚み方向一方側に配置される接着剤層と、前記接着剤層の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層とを備え、前記接着剤層は、絶縁性を有する強化繊維層を含有している、フレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0009】
このようなフレキシブル配線回路基板では、接着剤層を備えているため、シールド層またはカバー層などの所望の層を、接着剤層を介して備えることができる。
【0010】
また、接着剤層に、絶縁性を有する強化繊維層が含有されているため、接着剤層の熱膨張係数（特に、面方向の線熱膨張係数）が低減している。そのため、フレキシブル配線回路基板に電子部品を実装した電子装置において、反りを抑制することができる。
【0011】
また、接着剤層に、強化繊維層が含有されているため、接着剤層の硬度が向上している。そのため、フレキシブル配線回路基板に電子部品を実装する際に、フレキシブル配線回路基板の撓みを抑制することができ、電子部品の実装性を向上させることができる。
【0012】
本発明［２］は、前記強化繊維層の厚みが、５μｍ以上２５μｍ以下である、［１］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0013】
このようなフレキシブル配線回路基板では、強化繊維層を含有する接着剤層を薄膜化でき、フレキシブル配線回路基板を薄型化できる。
【0014】
本発明［３］は、前記強化繊維層が、ガラス繊維層である、［１］または［２］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0015】
このようなフレキシブル配線回路基板では、接着剤層の熱膨張係数をより確実に低減し、反りをより一層抑制することができる。
【0016】
本発明［４］は、前記第１配線および前記接着剤層の間に配置される第３絶縁層をさらに備える、［１］～「３」のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0017】
このようなフレキシブル配線回路基板では、第３絶縁層を備えているため、第１配線を保護できる。また、第１配線の厚み方向一方側に、第３絶縁層を介して、シールド層や第２配線などを配置することができる。
【0018】
本発明［５］は、前記接着剤層および前記第２絶縁層の間に配置されるシールド層をさらに備える、［４］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0019】
このようなフレキシブル配線回路基板では、シールド層を備えているため、電磁波に対するシールド特性に優れる。
【0020】
本発明［６］は、前記第３絶縁層は、厚み方向に貫通する第１開口部を有し、前記接着剤層が、導電性接着剤を含有し、前記導電性接着剤が、前記第１開口部に充填されている、［５］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0021】
このようなフレキシブル配線回路基板では、シールド層が、導電性接着剤を介して、第１配線に導通することができるため、シールド層を接地できる。よって、外部からの電磁波をより確実に遮蔽することができる。
【0022】
本発明［７］は、前記導電性接着剤が、異方導電性接着剤である、［６］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0023】
このようなフレキシブル配線回路基板では、シールド層と第１配線とを導通させる接着剤が、異方導電性接着剤であるため、厚み方向と直交する直交方向への導通を防止しながら、厚み方向への導通を可能とする。そのため、シールド層と第１配線との導通箇所が複数存在する場合に、各導通箇所間の導通（短絡）を防止することができる。よって、第１配線の短絡を防止しながら、異方導電性接着剤を介して、シールド層と第１配線とを複数個所で導通することができる。
【0024】
本発明［８］は、前記第１絶縁層、前記第１配線および前記第３絶縁層の等価弾性率が、５５ＧＰａ以下である、［４］～［７］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0025】
このようなフレキシブル配線回路基板では、第１絶縁層、第１配線および第３絶縁層からなる配線積層体の等価弾性率が、特定の範囲であるため、フレキシブル配線回路基板の熱膨張係数をより一層低減できる。そのため、電子装置の反りをより一層抑制することができる。
【0026】
本発明［９］は、前記第３絶縁層および前記接着剤層の間に配置される第２配線をさらに備える、［５］～［８］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0027】
このようなフレキシブル配線回路基板では、厚み方向に、第１配線および第２配線を備えている。よって、配線設計の自由度を向上させることができる。
【0028】
本発明［１０］は、前記第２配線の厚み方向一方側に配置される第４絶縁層を備え、前記第４絶縁層は、厚み方向に貫通する第２開口部を有し、前記接着剤が、導電性接着剤を含有し、前記導電性接着剤が、前記第２開口部に充填されている、［９］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0029】
このようなフレキシブル配線回路基板では、シールド層が、導電性接着剤を介して、第２配線に導通することができるため、シールド層を接地できる。よって、外部からの電磁波をより確実に遮蔽することができる。
【0030】
本発明［１１］は、前記第１配線および前記第２配線の間に配置される第２接着剤層をさらに備え、前記第２接着剤層が、絶縁性を有する強化繊維層を含有している、［９］または［１０］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0031】
このようなフレキシブル配線回路基板では、第２接着剤層に、絶縁性を有する強化繊維層が含有されているため、第２接着剤層の熱膨張係数が低減している。そのため、フレキシブル配線回路基板に電子部品を実装した電子装置において、反りをより一層抑制することができる。
【0032】
本発明［１２］は、前記接着剤層および前記シールド層の間に配置される第２配線をさらに備えている、［５］～［８］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0033】
このようなフレキシブル配線回路基板では、厚み方向に、第１配線および第２配線を備えている。よって、配線設計の自由度を向上させることができる。
【0034】
本発明［１３］は、前記接着剤層が、絶縁性接着剤層であり、前記第１配線の厚み方向一方側の表面および前記第２絶縁層の厚み方向他方側の表面に直接接触する、［１］～［３］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。
【0035】
このようなフレキシブル配線回路基板では、接着剤層が、第１配線と第２絶縁層との両方に直接接触している。すなわち、接着剤層を介して第２絶縁層を第１配線に接触することにより得ることができるため、第１配線が保護されたフレキシブル配線回路基板を容易に得ることができる。
【0036】
本発明［１４］は、［１］～［１３］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板と、前記フレキシブル配線回路基板に実装される撮像素子とを備える撮像装置を含んでいる。
【0037】
この撮像装置によれば、上記フレキシブル配線回路基板と撮像素子とを備えるため、シールド層またはカバー層などの所望の層を、接着剤層を介して備えることができる。また、接着剤層の熱膨張係数（特に、面方向の線熱膨張係数）が低減しているため、反りを抑制することができる。また、接着剤層の硬度が向上し、フレキシブル配線回路基板の撓みが抑制されているため、撮像装置の実装性が向上し、接続信頼性に優れる。
【0038】
本発明［１５］は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される第１配線とを備える配線積層体を用意する工程、接着剤層と、前記接着剤層の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層とを備える接着剤積層体を用意する工程、絶縁性を有する強化繊維層を用意する工程、前記配線積層体の厚み方向一方側の表面と、前記接着剤積層体の前記接着剤層の表面とが対向し、かつ、これらの間に前記強化繊維層が位置するように、前記配線積層体、前記接着剤積層体および前記強化繊維層を配置する工程、ならびに、前記接着剤層が、前記強化繊維層を厚み方向に貫通し、前記配線積層体の厚み方向一方側に接触するように、前記配線積層体および前記接着剤積層体を積層する工程を備える、フレキシブル配線回路基板の製造方法を備えている。
【0039】
このようなフレキシブル配線回路基板の製造方法によれば、シールド層またはカバー層などの所望の層を備え、反りの発生を抑制し、実装性に優れるフレキシブル配線回路基板を簡便に製造することができる。
【0040】
本発明［１６］は、前記強化繊維層の厚みが、５μｍ以上２５μｍ以下である、［１５］に記載のフレキシブル配線回路基板の製造方法を含んでいる。
【0041】
このようなフレキシブル配線回路基板の製造方法によれば、強化繊維層を含有する接着剤層を薄膜化できるため、薄型のフレキシブル配線回路基板を製造することができる。
【0042】
本発明［１７］は、前記接着剤層が、導電性接着剤層である、［１５］または［１６］に記載のフレキシブル配線回路基板の製造方法を含んでいる。
【0043】
このようなフレキシブル配線回路基板の製造方法によれば、シールド層を、導電性接着剤層を介して第１配線などに導通できるフレキシブル配線回路基板を簡便に製造することができる。
【0044】
本発明［１８］は、前記接着剤層および前記第２絶縁層の間に配置されるシールド層をさらに備えることを特徴とする、［１５］～［１７］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板の製造方法を含んでいる。
【0045】
このようなフレキシブル配線回路基板の製造方法によれば、シールド特性に優れながら、反りの発生を抑制し、実装性に優れるフレキシブル配線回路基板を簡便に製造することができる。
【発明の効果】
【0046】
本発明のフレキシブル配線回路基板および撮像装置は、接着剤層を備えながら、反りの発生を抑制することができる。また、撮像素子の実装性が良好である。
【0047】
本発明のフレキシブル配線回路基板の製造方法によれば、接着剤層を備えながら、反りの発生を抑制し、実装性に優れるフレキシブル配線回路基板を簡便に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0048】
【図3】図３Ａ～図３Ｄは、図１に示すフレキシブル配線回路基板の製造工程図を示し、図３Ａが、金属支持体用意工程およびベース絶縁層形成工程、図３Ｂが、導体パターン形成工程、図３Ｃが、第１カバー絶縁層形成工程、図３Ｄが、金属支持体除去工程を示す。
【図4】図４Ｅ～図４Ｇは、図３Ｄに続くフレキシブル配線回路基板の製造工程図を示し、図４Ｅが、配置工程、図４Ｆが、積層工程（強化繊維層が配線積層体および接着剤積層体と接触している状態）、図４Ｇが、積層工程（異方導電性接着剤層が第１カバー絶縁層と接触している状態）を示す。
【発明を実施するための形態】
【0049】
図１において、紙面上下方向は、前後方向（第１方向）であって、紙面上側が前側（第１方向一方側）、紙面下側が後側（第１方向他方側）である。紙面左右方向は、左右方向（第１方向と直交する第２方向）であって、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。紙面紙厚方向は、上下方向（厚み方向、第１方向および第２方向と直交する第３方向）であって、紙面奥側が上側（厚み方向一方側、第３方向一方側）、紙面手前側が下側（厚み方向他方側、第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【0050】
【0051】
実装基板１は、撮像素子２１（後述）を実装するためのフレキシブル配線回路基板（ＦＰＣ）であって、撮像素子２１を未だ備えていない。実装基板１は、図１に示すように、面方向（前後方向および左右方向）に延びる平面視略矩形（長方形状）の平板形状（シート形状）を有する。
【0052】
実装基板１は、図１に示すように、ハウジング配置部２、および、外部部品接続部３を備える。
【0053】
ハウジング配置部２は、ハウジング２２（後述）や撮像素子２１が配置される部分である。具体的には、ハウジング２２が実装基板１に配置された場合において、厚み方向に投影したときに、ハウジング２２と重複する部分である。ハウジング配置部２の略中央部には、撮像素子２１と電気的に接続するための撮像素子接続端子１０（後述）が複数配置されている。
【0054】
外部部品接続部３は、ハウジング配置部２以外の領域であって、外部部品と接続するための部分である。外部部品接続部３は、外部部品接続部３の前端縁がハウジング配置部２の後端縁と連続するように、ハウジング配置部２の後側に配置されている。外部部品接続部３の後端縁には、外部部品と電気的に接続するための外部部品接続端子１１（後述）が複数配置されている。
【0055】
実装基板１は、図２に示すように、第１絶縁層としてのベース絶縁層４と、導体パターン５と、第３絶縁層としての第１カバー絶縁層６と、接着剤層としての異方導電性接着剤層７と、シールド層８と、第２絶縁層としての第２カバー絶縁層９とを、上側（厚み方向一方側）に向かって順に備える。好ましくは、実装基板１は、ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、異方導電性接着剤層７、シールド層８および第２カバー絶縁層９のみからなる。
【0056】
ベース絶縁層４は、図１および図２に示すように、実装基板１の外形をなし、底面視略矩形状に形成されている。ベース絶縁層４は、実装基板１の最下層に位置する。ベース絶縁層４の下面（厚み方向他方面）は、平坦となるように形成されている。詳しくは、ベース絶縁層４は、ベース絶縁層４の下面は金属支持体（図３Ａ～図４Ｆの符号１９参照）に支持されておらず、従って、実装基板１は、金属支持体１９（金属支持層）を備えない。
【0057】
ベース絶縁層４には、複数の撮像素子開口部４１、および、複数の外部部品開口部４２が形成されている。
【0058】
複数の撮像素子開口部４１は、撮像素子接続端子１０を下面から露出するための開口部である。複数の撮像素子開口部４１は、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。撮像素子開口部４１は、ベース絶縁層４を厚み方向（上下方向）に貫通し、底面視略円形状を有する。撮像素子開口部４１は、下側に向かうに従って断面積が小さくなるテーパ形状を有する。
【0059】
複数の外部部品開口部４２は、外部部品接続端子１１を下面から露出するための開口部である。外部部品開口部４２は、外部部品接続部３の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。外部部品開口部４２は、ベース絶縁層４を厚み方向に貫通し、底面視略矩形状（長方形状）を有する。外部部品開口部４２は、底面視において、外部部品接続部３の後端縁から前側に向かって延びるように、形成されている。
【0060】
ベース絶縁層４は、絶縁性材料から形成されている。絶縁性材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ベース絶縁層４は、ポリイミド樹脂から形成されている。
【0061】
ベース絶縁層４の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下である。
【0062】
導体パターン５は、図２に示すように、ベース絶縁層４の上面と接触するように、ベース絶縁層４の上側に設けられている。導体パターン５は、複数の撮像素子接続端子１０、複数の外部部品接続端子１１（図１参照）、および、複数の第１配線１２を備える。
【0063】
複数の撮像素子接続端子１０は、図１に示すように、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、複数の撮像素子接続端子１０は、実装される撮像素子２１の複数の端子２５（後述、図５参照）に対応するように、設けられている。また、複数の撮像素子接続端子１０は、複数の撮像素子開口部４１に対応して設けられている。撮像素子接続端子１０は、底面視略円形状を有する。撮像素子接続端子１０は、撮像素子開口部４１内に配置され、断面視（側断面視および正断面視）において、下側に凸となるように形成されている。撮像素子接続端子１０の下面は、撮像素子開口部４１から露出している。
【0064】
複数の外部部品接続端子１１は、外部部品接続部３の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、外部部品の複数の端子（図示せず）と対応するように設けられている。また、複数の外部部品接続端子１１は、複数の外部部品開口部４２に対応して設けられている。外部部品接続端子１１は、平面視略矩形状（長方形状）を有する。外部部品接続端子１１は、外部部品開口部４２内に配置され、その下面は、外部部品開口部４２から露出している。
【0065】
複数の第１配線１２は、図２に示すように、ベース絶縁層４の上側に配置され、ベース絶縁層４の上面と直接接触している。複数の接続配線１３および複数のグランド配線１４を備える。
【0066】
複数の接続配線１３は、複数の撮像素子接続端子１０および複数の外部部品接続端子１１に対応するように設けられている。具体的には、接続配線１３は、撮像素子接続端子１０と外部部品接続端子１１とを接続するように、これらと一体的に形成されている。すなわち、接続配線１３の一端は、撮像素子接続端子１０と連続し、接続配線１３の他端は、外部部品接続端子１１と連続して、これらを電気的に接続している。
【0067】
複数のグランド配線１４は、複数の接続配線１３に対応するように設けられている。具体的には、複数のグランド配線１４は、複数の接続配線１３の外側に、これらに沿うように設けられている。グランド配線１４の一端には、図示しないグランド端子が一体的に接続されている。
【0068】
導体パターン５の材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらを含む合金、半田などの金属材料が挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。
【0069】
導体パターン５（各接続端子１０、１１、第１配線１２）の厚みＴ２は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下である。第１配線１２の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【0070】
第１カバー絶縁層６は、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４および導体パターン５の上側に設けられている。すなわち、第１カバー絶縁層６は、導体パターン５の上面および側面、および、導体パターン５から露出するベース絶縁層４の上面と接触するように、配置されている。第１カバー絶縁層６の外形は、外部部品接続端子１１の形成部分を除いて、ベース絶縁層４と同一となるように形成されている。
【0071】
また、第１カバー絶縁層６には、第１開口部としてのグランド開口部１５が複数形成されている。グランド開口部１５は、グランド配線１４の上面を露出するための開口部である。複数のグランド開口部１５は、複数のグランド配線１４に対応して形成されている。グランド開口部１５は、第１カバー絶縁層６を厚み方向に貫通し、底面視略円形状を有する。グランド開口部１５は、下側に向かうに従って開口断面積が小さくなるテーパ形状を有している。
【0072】
複数のグランド開口部１５の内部は、それぞれ、異方導電性接着剤（後述）からなる導通部１６が配置されている。すなわち、グランド開口部１５の内部には、異方導電性接着剤が充填されている（満たされている）。導通部１６により、シールド層８（後述）が、異方導電性接着剤層７および導通部１６を介して、グランド配線１４に電気的に接続され、その結果、接地される。
【0073】
第１カバー絶縁層６は、ベース絶縁層４で上記した絶縁性材料と同様の絶縁性材料から形成され、好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
【0074】
第１カバー絶縁層６の厚みＴ３は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下である。
【0075】
異方導電性接着剤層７は、厚み方向にのみ導電性を備え、かつ、第１カバー絶縁層６およびシールド層８を接着するための層である。異方導電性接着剤層７は、第１カバー絶縁層６の上面と接触するように、第１カバー絶縁層６の上側に設けられている。
【0076】
異方導電性接着剤層７は、異方導電性接着剤および強化繊維層１７を備えている。
【0077】
異方導電性接着剤は、例えば、接着性樹脂および導電性粒子を含有する組成物から形成されている。
【0078】
接着性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。
【0079】
熱可塑性樹脂としては、例えば、例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレン）、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＳ）、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。
【0080】
熱硬化性樹脂としては、好ましくは、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂が挙げられる。Ｂステージ状態（半硬化状態）は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態（未硬化状態）と、完全硬化したＣステージ状態（完全硬化状態）との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の圧縮弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。
【0081】
Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂としては、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。
【0082】
導電性粒子としては、例えば、銅、銀、金、ニッケル、これらの合金などの金属粒子が挙げられる。また、導電性粒子は、例えば、銀コート銅粒子、金コート銅粒子、銀コートニッケル粒子などの金属コート金属粒子であってもよく、また、樹脂粒子に上記金属を被覆した金属コート樹脂粒子であってもよい。
【0083】
導電性粒子の平均粒子径は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【0084】
強化繊維層１７は、絶縁性を有し、異方導電性接着剤層７の強度を向上させるための層である。強化繊維層１７は、絶縁性の強化繊維からなるマットまたはクロスから形成されており、厚み方向に貫通する複数の繊維開口部（図示せず）を備えている。
【0085】
繊維開口部の形状は、例えば、平面視略矩形状、平面視略円形状などが挙げられる。
【0086】
強化繊維層１７を構成する強化繊維としては、例えば、ガラス繊維、アルミナ繊維、ボロン繊維などの無機強化繊維、例えば、アラミド繊維、ザイロン繊維（登録商標）などの有機強化繊維が挙げられる。絶縁性、強度、低熱膨張係数の観点から、好ましくは、無機強化繊維が挙げられ、より好ましくは、ガラス繊維が挙げられる。
【0087】
強化繊維の繊維径は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【0088】
強化繊維層１７としては、具体的には、例えば、ガラス繊維層、アルミナ繊維層などが挙げられ、好ましくは、ガラス繊維層が挙げられる。ガラス繊維層としては、具体的には、ガラスクロスが挙げられる。ガラス繊維層の熱膨張係数は、５ｐｐｍ／Ｋ程度と低いため、異方導電性接着剤層７の熱膨張係数をより確実に低減することができる。
【0089】
強化繊維層１７の厚みＴ４は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。強化繊維層１７の厚みを上記範囲とすることにより、異方導電性接着剤層７の硬度を向上させつつ、異方導電性接着剤層７の薄膜化、ひいては、実装基板１の薄型化を図ることができる。
【0090】
強化繊維層１７の秤量は、例えば、１ｇ／ｍ２以上、好ましくは、５ｇ／ｍ２以上であり、また、例えば、１００ｇ／ｍ２以下、好ましくは、３０ｇ／ｍ２以下である。
【0091】
強化繊維層１７の繊維開口部の長さ（一辺、または、直径）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【0092】
異方導電性接着剤層７では、強化繊維層１７が異方導電性接着剤中に埋没されている。すなわち、強化繊維層１７の上面および下面が接着剤によって被覆され、強化繊維層１７の繊維開口部に、異方導電性接着剤層７が充填されている。具体的には、異方導電性接着剤層７は、第１カバー絶縁層６と接触し、異方導電性接着剤からなる接着剤層下部３１と、シールド層８と接触し、異方導電性接着剤からなる接着剤層上部３２と、接着剤層下部３１と接着剤層上部３２との間に配置され、強化繊維層１７と異方導電性接着剤との混合層からなる接着剤中間部３３と、から構成されている。
【0093】
異方導電性接着剤層７のグランド開口部１５周辺における厚みＴ５は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【0094】
異方導電性接着剤層７の厚みに対する強化繊維層１７の厚みの比（Ｔ４／Ｔ５）は、例えば、０．３以上、好ましくは、０．５以上であり、また、例えば、１．０以下、好ましくは、０．９以下である。
【0095】
シールド層８は、電磁波を遮蔽するためのシールドである。シールド層８は、異方導電性接着剤層７の上面と接触するように、異方導電性接着剤層７の上側に配置されている。シールド層８は、面方向（前後方向および左右方向）に延びるシート状に形成されている。シールド層８の外形は、第１カバー絶縁層６の外形と同一となるように形成されている。
【0096】
シールド層８は、導体からなり、例えば、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられる。好ましくは、銅、銀が挙げられる。
【0097】
シールド層８の厚みＴ６は、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上であり、また、例えば、３μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下、より好ましくは、０．５μｍ以下である。
【0098】
第２カバー絶縁層９は、シールド層８を被覆するように、シールド層８の上側に配置されている。第２カバー絶縁層９の下面は、異方導電性接着剤層７の上面と直接接触している。第２カバー絶縁層９は、実装基板１の最上層に位置し、第２カバー絶縁層９の上面は、上方に向かって露出している。第２カバー絶縁層９の外形は、シールド層８の外形と同一となるように形成されている。
【0099】
第２カバー絶縁層９の材料は、例えば、第１カバー絶縁層６で上記した絶縁材料と同様の絶縁材料が挙げられる。また、第２カバー絶縁層９は、ポリエステルフィルムなどの基材フィルムに、上記絶縁材料（例えば、メラミン樹脂）からなる絶縁層がコーティングされた積層体であってもよい。
【0100】
第２カバー絶縁層９の厚みＴ７は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下である。
【0101】
また、ベース絶縁層４、第１配線１２および第１カバー絶縁層６からなる積層体の等価弾性率は、例えば、８０ＧＰａ以下、好ましくは、５５ＧＰａ以下、さらに好ましくは、４０ＧＰａ以下である。また、例えば、５ＧＰａ以上、好ましくは、１５ＧＰａ以上である。
【0102】
上記積層体の等価弾性率（すなわち、後述する配線積層体３５において、厚み方向に投影したときに第１配線１２が存在する配線領域の等価弾性率）が、上記上限以下であると、実装基板１の熱膨張係数をさらに一層低減させることができる。
【0103】
等価弾性率Ｄは、積層体を構成する各層（ベース絶縁層４、第１配線１２および第１カバー絶縁層６）の弾性率のそれぞれに、その各層の厚み分率を掛けて、これらを合算したものである。具体的には、下記の計算式（１）にて得られる。
【0104】
Ｄ＝｛Ｄ１×Ｔ１＋Ｄ２×Ｔ２＋Ｄ３×Ｔ３｝／{Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３}
Ｄ１は、ベース絶縁層４の弾性率を示し、Ｔ１は、ベース絶縁層４の厚みを示す。
Ｄ２は、第１配線１２の弾性率を示し、Ｔ２は、第１配線１２の厚みを示す。
Ｄ３は、第１カバー絶縁層６の弾性率を示し、Ｔ３は、第１カバー絶縁層６の厚みを示す。
Ｄ１は、ベース絶縁層４の弾性率を示し、Ｔ１は、ベース絶縁層４の厚みを示す。
Ｄ２は、第１配線１２の弾性率を示し、Ｔ２は、第１配線１２の厚みを示す。
Ｄ３は、第１カバー絶縁層６の弾性率を示し、Ｔ３は、第１カバー絶縁層６の厚みを示す。
【0105】
なお、絶縁層などの樹脂層の弾性率（Ｔ１、Ｔ３）は、例えば、動的粘弾性測定により、ＪＩＳ Ｋ７２４４やＩＳＯ ６７２１に準拠して測定することができる。配線などの金属の弾性率（Ｔ２）は、例えば、引っ張り試験測定により、ＪＩＳ Ｚ ２２４１に準拠して測定することができる。
【0106】
実装基板１の総厚み（最大厚み）は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。
【0107】
２．撮像素子実装基板の製造方法
実装基板１の製造方法は、図３Ａ～図４Ｇに示すように、例えば、配線積層体３５、接着剤積層体３６および強化繊維層１７を用意する用意工程と、これらを配置する配置工程と、これらを積層する積層工程とを備える。
実装基板１の製造方法は、図３Ａ～図４Ｇに示すように、例えば、配線積層体３５、接着剤積層体３６および強化繊維層１７を用意する用意工程と、これらを配置する配置工程と、これらを積層する積層工程とを備える。
【0108】
（用意工程）
用意工程は、配線積層体３５、接着剤積層体３６および強化繊維層１７をそれぞれ用意する。
用意工程は、配線積層体３５、接着剤積層体３６および強化繊維層１７をそれぞれ用意する。
【0109】
配線積層体３５を用意する工程は、金属支持体用意工程、ベース絶縁層形成工程、導体パターン形成工程、第１カバー絶縁層形成工程、および、金属支持体除去工程を備える。
【0110】
まず、図３Ａに示すように、金属支持体用意工程では、金属支持体１９を用意する。
【0111】
金属支持体１９は、面方向に延びる平面視略矩形（長方形状）の平板形状（シート形状）を有する。金属支持体１９の上面は、平坦（平滑）となるように形成されている。
【0112】
金属支持体１９は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウムなどの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。
【0113】
金属支持体１９の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【0114】
続いて、ベース絶縁層形成工程では、ベース絶縁層４を、金属支持体１９の上面に形成する。すなわち、開口部（撮像素子開口部４１および外部部品開口部４２）を有するベース絶縁層４を、金属支持体１９の上面に形成する。
【0115】
具体的には、感光性の絶縁性材料のワニス（例えば、感光性ポリイミド）を金属支持体１９の上面全面に塗布して乾燥させて、ベース皮膜（ベース絶縁層）を形成する。その後、ベース皮膜を、開口部（撮像素子開口部４１および外部部品開口部４２）に対応するパターンを有するフォトマスクを介して露光する。その後、ベース皮膜を現像し、好ましくは加熱硬化させる。
【0116】
続いて、図３Ｂに示すように、導体パターン形成工程では、導体パターン５を、上記したパターンで、ベース絶縁層４の上面と、撮像素子開口部４１および外部部品開口部４２から露出する金属支持体１９の上面とに、例えば、アディティブ法などによって、形成する。
【0117】
続いて、図３Ｃに示すように、第１カバー絶縁層形成工程では、第１カバー絶縁層６を、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４の上面に形成する。具体的には、グランド開口部１５を有する第１カバー絶縁層６を、ベース絶縁層４の上面に形成する。第１カバー絶縁層形成工程は、ベース絶縁層形成工程と同様に実施する。
【0118】
これにより、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、第１カバー絶縁層６とを備える配線積層体３５を、金属支持体１９に支持された状態で得る。
【0119】
接着剤積層体３６は、異方導電性接着剤層７、シールド層８および第２カバー絶縁層９を順に備える積層体であり、接着剤層（異方導電性接着剤層７）が積層されたシールドフィルムである。接着剤積層体３６は、例えば、ＷＯ２０１３／０７７１０８号公報、特開２００４－９５５６６号公報などに記載の方法を参照して用意することができる。
【0120】
強化繊維層１７は、例えば、市販または公知のものを用意することができる。
【0121】
次いで、図３Ｄに示すように、金属支持体除去工程では、金属支持体１９を除去する。
【0122】
除去方法としては、例えば、金属支持体１９をウェットエッチングにて処理する方法、金属支持体１９を実装基板１の下面から剥離する方法などが挙げられる。
【0123】
これにより、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、第１カバー絶縁層６とを備える配線積層体３５を得る。
【0124】
（配置工程）
配置工程では、図４Ｅに示すように、配線積層体３５と、強化繊維層１７と、接着剤積層体３６とを対向配置する。
配置工程では、図４Ｅに示すように、配線積層体３５と、強化繊維層１７と、接着剤積層体３６とを対向配置する。
【0125】
具体的には、配線積層体３５の第１カバー絶縁層６と、接着剤積層体３６の異方導電性接着剤層７とが対向するように、配線積層体３５と、接着剤積層体３６とを、互いに間隔を隔てて配置する。すなわち、配線積層体３５を、第１カバー絶縁層６が上側となるように配置する一方、接着剤積層体３６を、異方導電性接着剤層７が下側となるように配線積層体３５の上側に配置する。また、配線積層体３５と接着剤積層体３６との間に、強化繊維層１７を配置する。
【0126】
すなわち、強化繊維層１７の下面が、配線積層体３５の第１カバー絶縁層６と対向し、強化繊維層１７の上面が、接着剤積層体３６の異方導電性接着剤層７と対向するように、配線積層体３５、強化繊維層１７および接着剤積層体３６をこの順で厚み方向に配置する。
【0127】
なお、配置の際に、配線積層体３５、接着剤積層体３６および強化繊維層１７の順で、配置してもよい。
【0128】
【0129】
具体的には、例えば、接着剤積層体３６を配線積層体３５に対して熱プレスする。
【0130】
熱プレスの加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１３０℃以上であり、また、例えば、２５０℃以下、好ましくは、２００℃以下である。
【0131】
圧力は、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは、１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下、好ましくは、１０ＭＰａ以下である。
【0132】
プレス時間は、例えば、１分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、１２０分以下、好ましくは、６０分以下である。
【0133】
これにより、接着剤積層体３６の異方導電性接着剤層７は、強化繊維層１７の上面に接触し、その後、異方導電性接着剤層７の異方導電性接着剤が、強化繊維層１７の繊維開口部を厚み方向に浸入および通過し、配線積層体３５の第１カバー絶縁層６の上面に接触する。その後、繊維開口部を通過する異方導電性接着剤が増加すると、図４Ｆに示すように、第１カバー絶縁層６の上面に、異方導電性接着剤からなる接着剤層下部３１が形成される。また、グランド開口部１５も異方導電性接着剤によって充填され、導通部１６が形成される。
【0134】
このとき、異方導電性接着剤が、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含有している場合、熱プレスにより、熱硬化性樹脂が軟化し易い。そのため、強化繊維層１７を容易に通過し、第１カバー絶縁層６の上面に到達して、接着剤層下部３１が確実に形成される。
【0135】
また、この場合、好ましくは、さらなる加熱工程を実施して、異方導電性接着剤をＣステージ状態（完全硬化状態）とする。
【0136】
このようにして、ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、異方導電性接着剤層７、シールド層８および第２カバー絶縁層９を備え、異方導電性接着剤層７が強化繊維層１７を内部に含有する実装基板１を、得る。
【0137】
このような実装基板１は、例えば、撮像素子を実装するための配線回路基板に用いられる。すなわち、実装基板１は、カメラモジュールなどの撮像装置に用いられる。
【0138】
３．撮像装置
図５を参照して、実装基板１を備える撮像装置２０を説明する。
図５を参照して、実装基板１を備える撮像装置２０を説明する。
【0139】
撮像装置２０は、実装基板１、撮像素子２１、ハウジング２２、光学レンズ２３、および、フィルター２４を備える。
【0140】
実装基板１は、図２の状態と上下反転して用いる。すなわち、実装基板１は、ベース絶縁層４を上側とし、第２カバー絶縁層９を下側となるように、配置される。
【0141】
撮像素子２１は、光を電気信号に変換する半導体素子であって、例えば、ＣＭＯＳセンサ、ＣＣＤセンサなどの固体撮像素子が挙げられる。
【0142】
撮像素子２１は、平面視略矩形の平板形状に形成されており、図示しないが、Ｓｉ基板などのシリコンと、その上に配置されるフォトダイオード（光電変換素子）およびカラーフィルターとを備える。撮像素子２１の下面には、実装基板１の撮像素子接続端子１０と対応する端子２５が複数設けられている。
【0143】
撮像素子２１（特にＳｉ基板）の熱膨張係数は、例えば、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、２ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、２０ｐｐｍ／Ｋ未満、好ましくは、１０ｐｐｍ／Ｋ以下、より好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以下である。熱膨張係数は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析装置や光走査式測定装置により、ＪＩＳ Ｚ ２２８５に準拠して測定することができる。
【0144】
撮像素子２１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【0145】
撮像素子２１は、実装基板１に実装されている。すなわち、撮像素子２１の端子２５は、対応する実装基板１の撮像素子接続端子１０と、ソルダーバンプ２６などを介して、フリップチップ実装されている。これにより、撮像素子２１は、実装基板１のハウジング配置部２の中央部に配置され、実装基板１の撮像素子接続端子１０および外部部品接続端子１１と電気的に接続されている。
【0146】
撮像素子２１は、実装基板１に実装されることにより、撮像ユニット２７を構成する。すなわち、撮像ユニット２７は、実装基板１と、それに実装される撮像素子２１とを備える。
【0147】
ハウジング２２は、実装基板１のハウジング配置部２に、撮像素子２１と間隔を隔てて囲むように、配置されている。ハウジング２２は、平面視略矩形状の筒状を有する。ハウジング２２の上端には、光学レンズ２３を固定するための固定部が設けられている。
【0148】
光学レンズ２３は、実装基板１の上側に、実装基板１および撮像素子２１と間隔を隔てて配置されている。光学レンズ２３は、平面視略円形状に形成され、外部からの光が、撮像素子２１に到達するように、固定部によって固定されている。
【0149】
フィルター２４は、撮像素子２１および光学レンズ２３の上下方向中央に、これらと間隔を隔てて配置され、ハウジング２２に固定されている。
【0150】
そして、実装基板１は、ベース絶縁層４と、ベース絶縁層４の上側に配置される第１配線１２と、第１配線１２の上側に配置される第１カバー絶縁層６と、第１カバー絶縁層の上側に配置される異方導電性接着剤層７と、異方導電性接着剤層７の上側に配置されるシールド層８と、シールド層８の上側に配置される第２カバー絶縁層９を備える。また、異方導電性接着剤層７は、絶縁性の強化繊維層１７を含有する。
【0151】
この実装基板１は、異方導電性接着剤層７を介してシールド層８を備えるため、電磁波に対するシールド特性に優れる。
【0152】
また、実装基板１では、実装基板１に撮像素子２１を実装した撮像ユニット２７（電子装置）において、反りを抑制することができる。
【0153】
すなわち、従来のシールド層接着型のＦＰＣでは、接着剤層の熱膨張係数は、６０ｐｐｍ／Ｋを超過している。一方、撮像素子は、Ｓｉ基板などを備えるため、一般的に、その熱膨張係数は、２０ｐｐｍ／Ｋ未満である。これらの熱膨張係数（具体的には、面方向の線熱膨張係数）に差があるため、撮像素子をＦＰＣに実装すると、ＦＰＣは、熱の影響により、大幅な反りが生じてしまう。
【0154】
これに対し、この実装基板１では、異方導電性接着剤層７が、接着性樹脂に対し熱膨張係数が低い強化繊維層１７を含有しているため、異方導電性接着剤層７全体の熱膨張係数が、例えば、２０ｐｐｍ／Ｋ未満に低減している。そのため、撮像素子２１の熱膨張係数と、実装基板１の熱膨張係数とが相対的に近くなっている。したがって、撮像素子実装時の熱処理時や、実装後の撮像ユニット２７のヒートサイクルに対して、反りの発生を抑制することができる。
【0155】
また、異方導電性接着剤層７が、強化繊維層１７を含有しているため、異方導電性接着剤層７の硬度が向上している。そのため、実装基板１に撮像素子２１を実装する際に、実装基板１の撓みを抑制することができ、撮像素子２１の実装性を向上させることができる。
【0156】
これらの実装時における反りの発生抑制、および、撓み発生抑制によって、この実装基板１では、撮像素子２１を精度よく実装することができる。
【0157】
また、第１配線１２の上側に第１カバー絶縁層６を備えているため、第１配線１２を確実に保護できる。
【0158】
また、第１カバー絶縁層６は、厚み方向に貫通するグランド開口部１５を有し、グランド開口部１５に異方導電性接着剤（導通部１６）が充填されている。
【0159】
このため、シールド層８が、異方導電性接着剤層７および導通部１６を介して、グランド配線１４に導通することができ、シールド層８を接地できる。よって、外部からの電磁波をより確実に遮蔽することができる。
【0160】
さらに、異方導電性接着剤層７を介した導通のため、面方向への導通を防止しながら、厚み方向に導通している。そのため、シールド層８と第１グランド配線１４との導通部１６が複数存在する場合に、各導通部１６間の導通（短絡）を防止することができる。よって、独立する複数の第１グランド配線１４の短絡を防止しながら、異方導電性接着剤層７を介して、シールド層８と第１配線１２とを複数個所で導通することができる。
【0161】
また、実装基板１は、金属支持体１９などの支持体を要しないため、薄型化が可能である。
【0162】
この実装基板１の製造方法によれば、配線積層体３５を用意する工程、接着剤積層体３６を用意する工程、強化繊維層１７を用意する工程、配線積層体３５の第１カバー絶縁層６の表面と、接着剤積層体３６の異方導電性接着剤層７の表面とが対向し、これらの間に強化繊維層１７が位置するように、配線積層体３５、接着剤積層体３６および強化繊維層１７を配置する工程、ならびに、異方導電性接着剤層７が、強化繊維層１７を厚み方向に貫通し、配線積層体３５の第１カバー絶縁層６の表面に接触するように、配線積層体３５および接着剤積層体３６を積層する工程を備える。
【0163】
すなわち、配線積層体３５と接着剤積層体３６との間に強化繊維層１７を配置し、これらを積層すればよいため、シールド特性に優れ、かつ実装性の精度が良好な実装基板１を簡便に製造することができる。
【0164】
また、ベース絶縁層４や第１カバー絶縁層６を感光性の絶縁性材料を用いて形成すれば、ベース絶縁層４や第１カバー絶縁層６の開口部（撮像素子開口部４１、外部部品開口部４２、グランド開口部１５）を精度よく形成することができる。
【0165】
なお、この実装基板１では、強化繊維層１７が、ベース絶縁層４や第１カバー絶縁層６に含有せずに、異方導電性接着剤層７に含有されている。このため、ベース絶縁層４や第１カバー絶縁層６の開口部（撮像素子開口部４１、外部部品開口部４２、グランド開口部１５）の精度を良好に維持することができる。すなわち、ベース絶縁層４などに強化繊維が含有されると、ベース絶縁層４の形成時の露光時において、強化繊維の反射が生じるため、所定の形状にベース被膜を現像することができず、精度よく開口部などを形成できない。
【0166】
この撮像装置２０によれば、異方導電性接着剤層７を介してシールド層８を備えるため、電磁波に対するシールド特性に優れる。また、異方導電性接着剤層７の熱膨張係数が低減しているため、反りを抑制することができる。また、異方導電性接着剤層７の硬度が向上し、実装基板１の撓みが抑制されているため、撮像装置２０の実装性が向上し、接続信頼性に優れる。
【0167】
＜第１実施形態の変形例＞
上記実施形態の実装基板１では、異方導電性接着剤層７において、強化繊維層１７は、第１カバー絶縁層６と接触していないが、例えば、図６に示すように、強化繊維層１７は、第１カバー絶縁層６と接触することもできる。
上記実施形態の実装基板１では、異方導電性接着剤層７において、強化繊維層１７は、第１カバー絶縁層６と接触していないが、例えば、図６に示すように、強化繊維層１７は、第１カバー絶縁層６と接触することもできる。
【0168】
また、上記実施形態の実装基板１では、異方導電性接着剤層７において、強化繊維層１７は、シールド層８と接触していないが、例えば、図７に示すように、強化繊維層１７は、シールド層８と接触させることもできる。
【0169】
また、上記実施形態の実装基板１では、異方導電性接着剤層７において、強化繊維層１７は、第１カバー絶縁層６およびシールド層８と接触していないが、例えば、図８に示すように、強化繊維層１７は、第１カバー絶縁層６およびシールド層８の両方と接触することもできる。
【0170】
また、上記実施形態の実装基板１では、接着剤層が、異方導電性接着剤層７であるが、例えば、図示しないが、接着剤層は、厚み方向および面方向の両方に導電性を有する等方導電性接着剤層とすることもできる。この場合、グランド開口部１５および導通部１６の数は、それぞれ、単数とする。
【0171】
また、上記実施形態の実装基板１の製造方法では、金属支持体除去工程の後に配置工程および積層工程を実施しているが、例えば、図示しないが、金属支持体除去工程の前に配置工程および積層工程を実施することもできる。すなわち、金属支持体１９に支持された状態で、配線積層体３５に、強化繊維層１７および接着剤積層体３６を順に配置し、積層し、最後に、金属支持体１９を除去することもできる。
【0172】
また、上記実施形態の撮像装置２０では、撮像素子２１は、実装基板１にフリップチップ実装されているが、例えば、図示しないが、撮像素子２１は、実装基板１にワイヤボンディングによって実装することもできる。
【0173】
上記実施形態では、本発明のフレキシブル配線回路基板として、撮像素子２１を実装するための撮像素子実装基板１として説明しているが、フレキシブル配線回路基板の用途は、これに限定されない。例えば、電磁波に対するシールド特性を備えながら、低熱膨張係数が要求される各種用途、例えば、圧力センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、超音波センサ、指紋認証センサなどの実装基板などに好適に用いられる。
【0174】
＜第２実施形態＞
図９～図１０Ｃを参照して、実装基板１の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態の実装基板１において、上記した図２に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
図９～図１０Ｃを参照して、実装基板１の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態の実装基板１において、上記した図２に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【0175】
第２実施形態の実装基板１は、第１実施形態の構成に対して、第１カバー絶縁層６および異方導電性接着剤層７の間に、第２導体パターン５０、および、第４絶縁層としての第３カバー絶縁層５１をさらに備える。
【0176】
すなわち、第２実施形態の実装基板１は、ベース絶縁層４と、導体パターン（第１導体パターン）５と、第１カバー絶縁層６と、第２導体パターン５０と、第３カバー絶縁層５１と、異方導電性接着剤層７と、シールド層８と、第２カバー絶縁層９とを備える。好ましくは、第２実施形態は、ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、第２導体パターン５０、第３カバー絶縁層５１、異方導電性接着剤層７、シールド層８および第２カバー絶縁層９のみからなる。
【0177】
第２導体パターン５０は、第１カバー絶縁層６の上面と接触するように、第１カバー絶縁層６の上側に設けられている。第２導体パターン５０は、複数の第２撮像素子接続端子（図示せず）、複数の第２外部部品接続端子（図示せず）、および、複数の第２配線５２を備える。
【0178】
複数の第２撮像素子接続端子は、第１カバー絶縁層６に形成され、第２撮像素子接続端子開口部（図示せず）に連通する連通開口部（図示せず）を介して、ベース絶縁層４に形成された第２撮像素子接続端子開口部（図示せず）から露出するように、形成されている。
【0179】
複数の第２外部部品接続端子は、第１カバー絶縁層６に形成され、第２外部部品素子接続端子開口部（図示せず）に連通する連通開口部（図示せず）を介して、ベース絶縁層４に形成された第２外部部品接続端子開口部（図示せず）から露出するように、形成されている。
【0180】
複数の第２配線５２は、複数の第２接続配線５３および複数の第２グランド配線５４を備える。複数の第２接続配線５３は、複数の第２撮像素子接続端子および複数の第２外部部品接続端子に対応して、これらを接続するように設けられている。複数の第２グランド配線５４は、複数の第２接続配線５３に対応するように設けられている。
【0181】
第２導体パターン５０の材料は、導体パターン５の材料と同様である。
【0182】
第２導体パターン３０の厚みＴ９、および、第２配線５２の幅は、それぞれ、導体パターン５の厚みＴ２、および、第１配線１２の幅と同様である。
【0183】
第３カバー絶縁層５１は、第２導体パターン５０を被覆するように、第１カバー絶縁層６の上側に設けられている。すなわち、第３カバー絶縁層５１は、第２導体パターン５０の上面および側面、および、第２導体パターン５０から露出する第１カバー絶縁層６の上面と接触するように、配置されている。第３カバー絶縁層５１の外形は、ベース絶縁層４と同一となるように形成されている。
【0184】
第３カバー絶縁層５１には、第２開口部としての第２グランド開口部５５が複数形成されている。第２グランド開口部５５は、第２グランド配線５４の上面を露出するための開口部である。複数の第２グランド開口部５５は、複数の第２グランド配線５４に対応して形成されている（なお、図９では、単数の第２グランド開口部５５のみを図示）。第２グランド開口部５５は、第３カバー絶縁層５１を厚み方向に貫通し、底面視略円形状を有する。第２グランド開口部５５は、下側に向かうに従って開口断面積が小さくなるテーパ形状を有している。
【0185】
第２グランド開口部５５の内部には、異方導電性接着剤が充填されている。すなわち、第２グランド開口部５５の内部は、異方導電性接着剤からなる第２導通部５６が配置されている。これにより、シールド層８が、異方導電性接着剤層７および第２導通部５６を介して、第２グランド配線５４に電気的に接続され、その結果、接地される。
【0186】
第３カバー絶縁層５１の材料および厚みＴ１０は、それぞれ、第１カバー絶縁層６の材料および厚みＴ３と同様である。
【0187】
第２実施形態の実装基板１の製造方法は、第２配線積層体５７、接着剤積層体３６および強化繊維層１７を用意する用意工程と、これらを配置する配置工程と、これらを積層する積層工程とを備える。
【0188】
まず、用意工程では、第２配線積層体５７、接着剤積層体３６および強化繊維層１７をそれぞれ用意する。
【0189】
第２配線積層体５７は、ベース絶縁層４、導体パターン（第１導体パターン）５、第１カバー絶縁層６、第２導体パターン５０、および、第３カバー絶縁層５１を順に備える。
【0190】
第２配線積層体５７は、第１実施形態の配線積層体（第１配線積層体）３５を金属支持体１９に支持された状態で得た後に、さらに第２導体パターン３０および第３カバー絶縁層５１をこの順で第１カバー絶縁層６の上面に形成し、次いで、金属支持体１９を除去することにより得ることができる。
【0191】
次いで、配置工程では、図１０Ａに示すように、第２配線積層体５７と、強化繊維層１７と、接着剤積層体３６とを対向配置する。
【0192】
具体的には、第２配線積層体５７の第３カバー絶縁層５１と、接着剤積層体３６の異方導電性接着剤層７とが対向するように、第２配線積層体５７と、接着剤積層体３６とを、互いに間隔を隔てて、配置する。また、第２配線積層体５７と接着剤積層体３６との間に、強化繊維層１７を配置する。
【0193】
すなわち、強化繊維層１７の下面が、第２配線積層体５７の第３カバー絶縁層５１と対向し、強化繊維層１７の上面が、接着剤積層体３６の異方導電性接着剤層７と対向するように、第２配線積層体５７、強化繊維層１７および接着剤積層体３６をこの順で厚み方向に配置する。
【0194】
【0195】
具体的には、接着剤積層体３６を第２配線積層体５７に対して熱プレスする。
【0196】
これにより、接着剤積層体３６の異方導電性接着剤層７は、強化繊維層１７の上面に接触し、その後、異方導電性接着剤層７の異方導電性接着剤が、強化繊維層１７の繊維開口部を厚み方向に浸入および通過し、第２配線積層体５７の第３カバー絶縁層５１の上面に接触する。また、第２グランド開口部５５も異方導電性接着剤によって充填され、第２導通部５６が形成される。
【0197】
このようにして、ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、第２導体パターン５０、第３カバー絶縁層５１、異方導電性接着剤層７、シールド層８、および、第２カバー絶縁層９を備える実装基板１を得る。
【0198】
第２実施形態の実装基板１についても第１実施形態と同様の作用効果を奏する。
【0199】
特に、第２実施形態では、導体パターン５および第２導体パターン５０を備えるため、第１実施形態と比較して、配線設計の自由度を向上させることができる。
【0200】
また、第３カバー絶縁層５１は、厚み方向に貫通する第２グランド開口部５５を有し、第２グランド開口部５５に異方導電性接着剤（第２導通部５６）が充填されている。
【0201】
このため、シールド層８が、異方導電性接着剤層７および第２導通部５６を介して、第２グランド配線５４に導通することができ、シールド層８を接地できる。よって、外部からの電磁波をより確実に遮蔽することができる。
【0202】
さらに、異方導電性接着剤層７を介した導通のため、面方向への導通を防止しながら、厚み方向に導通している。そのため、シールド層８と第２グランド配線５４との第２導通部５６が複数存在する場合に、各第２導通部５６間の導通（短絡）を防止することができる。よって、独立する複数の第２グランド配線５４の短絡を防止しながら、異方導電性接着剤層７を介して、シールド層８と第２配線５２とを複数個所で導通することができる。
【0203】
また、第１実施形態の変形例についても、第２実施形態に対して同様に適用できる。
【0204】
＜第３実施形態＞
図１１を参照して、実装基板１の第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態の実装基板１において、上記した図２および図９に示す第１～２実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
図１１を参照して、実装基板１の第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態の実装基板１において、上記した図２および図９に示す第１～２実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【0205】
第３実施形態の実装基板１は、第１実施形態の構成に対して、第１カバー絶縁層６および異方導電性接着剤層７の間に、第２接着剤層としての第２異方導電性接着剤層６０、第２ベース絶縁層６１、第２導体パターン５０、および、第３カバー絶縁層５１をさらに備える。
【0206】
すなわち、第３実施形態の実装基板１は、ベース絶縁層４と、導体パターン（第１導体パターン）５と、第１カバー絶縁層６と、第２異方導電性接着剤層６０と、第２ベース絶縁層６１と、第２導体パターン５０と、第３カバー絶縁層５１と、異方導電性接着剤層（第１異方導電性接着剤層）７と、シールド層８と、第２カバー絶縁層９とを備える。好ましくは、第３実施形態は、ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、第２異方導電性接着剤層６０と、第２ベース絶縁層６１、第２導体パターン５０、第３カバー絶縁層５１、異方導電性接着剤層７、シールド層８および第２カバー絶縁層９のみからなる。
【0207】
第１カバー絶縁層６には、第１開口部としての第１ビア開口部６２が複数形成されている。第１ビア開口部６２は、接続配線１３の上面を露出するための開口部である。複数の第１ビア開口部６２は、接続配線１３に対応して形成されている。第１ビア開口部６２は、第１カバー絶縁層６を厚み方向に貫通し、底面視略円形状を有する。第１ビア開口部６２は、下側に向かうに従って断面積が小さくなるテーパ形状を有する。
【0208】
第１ビア開口部６２の内部は、異方導電性接着剤からなる第２導通部６３が配置されている。すなわち、第１ビア開口部６２の内部には、異方導電性接着剤が充填されている。第２導通部６３により、第２接続配線５３が、第２異方導電性接着剤層６０および第２導通部６３を介して、接続配線１３に電気的に接続される。
【0209】
第２異方導電性接着剤層６０は、厚み方向にのみ導電性を備え、かつ、第１カバー絶縁層６およびシールド層８を接着するための層である。第２異方導電性接着剤層６０は、第１カバー絶縁層６の上面と接触するように、第１カバー絶縁層６の上側に設けられている。第２異方導電性接着剤層法は、異方導電性接着剤および強化繊維層１７を備えている。具体的には、第２異方導電性接着剤層６０の構成、材料などは、第１実施形態の異方導電性接着剤層７の構成、材料などと同様である。
【0210】
第２ベース絶縁層６１は、第２異方導電性接着剤層６０の上面と接触するように、第２異方導電性接着剤層６０の上側に設けられている。第２ベース絶縁層６１の外形は、第１実施形態のベース絶縁層４と同一となるように形成されている。また、第２ベース絶縁層６１は、ベース絶縁層４の材料と同様の材料から形成されている。
【0211】
第２ベース絶縁層６１には、複数の第２ビア開口部６４が形成されている。第２ビア開口部６４は、ビア接続部６５を下面から露出するための開口部である。複数の第２ビア開口部６４は、複数の第１ビア開口部６２に対応し形成されており、第２ベース絶縁層６１を厚み方向に貫通し、底面視略円形状を有する。第２ビア開口部６４は、下側に向かうに従って断面積が小さくなるテーパ形状を有する。
【0212】
第２導体パターン５０は、第２ベース絶縁層６１の上面と接触するように、第２ベース絶縁層６１の上側に設けられている。第２導体パターン５０は、複数のビア接続部６５、複数の第２外部部品接続端子（図示せず）、および、複数の第２配線５２を備える。
【0213】
複数のビア接続部６５は、複数の第２ビア開口部６４に対応して設けられている。複数のビア接続部６５は、第２ビア開口部６４内に配置され、断面視（側断面視および正断面視）において、下側に凸となるように形成されている。ビア接続部６５の下面は、第２ビア開口部６４から露出している。
【0214】
複数の第２配線５２は、複数の第２接続配線５３および複数の第２グランド配線５４を備える。複数の第２接続配線５３は、複数のビア接続部６５および複数の第２外部部品接続端子に対応して、これらを接続するように設けられている。
【0215】
第３実施形態の実装基板１の製造方法は、例えば、まず、図３Ａ～図３Ｄを参照して、ベース絶縁層４、導体パターン５および第１カバー絶縁層６を順に備える第３配線積層体を用意する。また、図３Ａ～図４Ｇを参照して、第２ベース絶縁層６１、第２導体パターン５０、第３カバー絶縁層５１、異方導電性接着剤層７、シールド層８および第２カバー絶縁層９を順に備える第４配線積層体を用意する。
【0216】
【0217】
第３実施形態についても第１～２実施形態と同様の作用効果を奏する。
【0218】
特に、第３実施形態では、第１実施形態と比較して、配線設計の自由度を向上させることができる。
【0219】
また、第３実施形態の実装基板１は、第１配線１２および第２配線５２の間に、第２異方導電性接着剤層６０を備え、第２異方導電性接着剤層６０は、強化繊維層１７を含有している。このため、第２異方導電性接着剤層６０の熱膨張係数が低減している。よって、撮像ユニット２７の反りをより一層抑制することができる。
【0220】
また、第１実施形態の変形例についても、第３実施形態に対して同様に適用できる。
【0221】
加えて、上記実施形態の実装基板１では、第２接着剤層が、第２異方導電性接着剤層６０であるが、例えば、図示しないが、第２接着剤層は、厚み方向および面方向の両方に導電性を有する等方導電性接着剤層とすることもできる。この場合、ビア接続部６５、グランド開口部１５、導通部１６などの数は、それぞれ、単数とする。好ましくは、複数の箇所で、第１配線１２および第２配線５２のビア接続を可能である観点から、第２異方導電性接着剤層６０が挙げられる。
【0222】
＜第４実施形態＞
図１２を参照して、実装基板１の第４実施形態について説明する。なお、第４実施形態の実装基板１において、上記した図２、図９および図１１に示す第１～３実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
図１２を参照して、実装基板１の第４実施形態について説明する。なお、第４実施形態の実装基板１において、上記した図２、図９および図１１に示す第１～３実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【0223】
第４実施形態の実装基板１は、第１実施形態の構成に対して、異方導電性接着剤層７およびシールド層８の間に、第２ベース絶縁層６１、第２導体パターン５０、および、第３カバー絶縁層５１をさらに備える。
【0224】
すなわち、第４実施形態の実装基板１は、ベース絶縁層４と、導体パターン（第１導体パターン）５と、第１カバー絶縁層６と、異方導電性接着剤層７と、第２ベース絶縁層６１と、第２導体パターン５０と、第３カバー絶縁層５１と、シールド層８と、第２カバー絶縁層９とを備える。好ましくは、第４実施形態は、ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、異方導電性接着剤層７、第２ベース絶縁層６１、第２導体パターン５０、第３カバー絶縁層５１、シールド層８および第２カバー絶縁層９のみからなる。
【0225】
第４実施形態では、第３カバー絶縁層５１の上面にシールド層８が直接設けられている。すなわち、シールド層８は、第３カバー絶縁層５１の上面と接触するように、第３カバー絶縁層５１の上側に設けられている。
【0226】
また、第３カバー絶縁層５１のグランド開口部５５において、シールド層８は、第２グランド開口部５５から露出する第２グランド配線５４と直接接触している。これにより、シールド層８は、接地している。
【0227】
【0228】
一方、異方導電性接着剤層７、第２ベース絶縁層６１、第２導体パターン５０、第３カバー絶縁層５１、シールド層８および第２カバー絶縁層９を備える第２接着剤積層体を用意する。
【0229】
第２接着剤積層体の用意では、まず、第２ベース絶縁層６１、第２導体パターン５０、第３カバー絶縁層５１、シールド層８および第２カバー絶縁層９を順に備える第５配線積層体を用意し、続いて、その下面に、異方導電性接着剤層７を塗布法、転写法などにより積層する。
【0230】
また、第２接着剤積層体において、第３カバー絶縁層５１の上面にシールド層８を形成する場合、その形成方法としては、電解めっき、無電解めっきなどのめっき法、例えば、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、例えば、導電ペーストによる塗布法が挙げられる。好ましくは、薄膜化の観点から、スパッタリング法、蒸着法が挙げられ、より好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。
【0231】
【0232】
第４実施形態の実装基板１についても第１～３実施形態と同様の作用効果を奏する。
【0233】
特に、第４実施形態では、異方導電性接着剤層７およびシールド層８の間に、第２配線５２を備えるため、第１実施形態と比較して、配線設計の自由度を向上させることができる。
【0234】
また、第１実施形態の変形例についても、第４実施形態に対して同様に適用できる。
【0235】
＜第５実施形態＞
図１３を参照して、実装基板１の第５実施形態について説明する。なお、第５実施形態の実装基板１において、上記した図２に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
図１３を参照して、実装基板１の第５実施形態について説明する。なお、第５実施形態の実装基板１において、上記した図２に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【0236】
第５実施形態の実装基板１は、第１実施形態の構成に対して、異方導電性接着剤層７の代わりに絶縁性接着剤層７０を備え、かつ、第１カバー絶縁層６およびシールド層８を備えない。
【0237】
第５実形態の実装基板１は、例えば、図１３に示すように、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、接着剤層としての絶縁性接着剤層７０と、第２カバー絶縁層９（カバー絶縁層）とを備える。好ましくは、第４実施形態は、ベース絶縁層４、導体パターン５、絶縁性接着剤層７０、および、カバー絶縁層９のみからなる。
【0238】
絶縁性接着剤層７０は、導体パターン５およびカバー絶縁層９の間に、これらを接着するように配置されている。具体的には、絶縁性接着剤層７０は、導体パターン５の上面および側面、導体パターン５から露出するベース絶縁層４の上面、ならびに、第２カバー絶縁層９の下面全面に直接接触している。
【0239】
絶縁性接着剤層７０は、絶縁接着剤および強化繊維層１７を備えている。絶縁性接着剤は、導電性粒子を含有せずに、接着性樹脂を含有する組成物である。
【0240】
第５実施形態の実装基板１の製造方法は、例えば、まず、ベース絶縁層４および導体パターン５を順に備える第６配線積層体を用意する。
【0241】
一方、異方導電性接着剤層７および第２カバー絶縁層９を備える第３接着剤積層体を用意する。
【0242】
【0243】
第５実施形態の実装基板１についても、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。
【0244】
なお、第５実施形態では、絶縁性接着剤層７０が、第１配線１２の上面および第２カバー絶縁層９の下面に直接接触している。このため、絶縁性接着剤層７０を介して、第２カバー絶縁層９を第１配線１２に接触および配置することにより得られるため、第１配線１２が保護された実装基板１を容易に得ることができる。
【0245】
好ましくは、第１～第４実施形態の実装基板１が挙げられる。これらの実施形態では、シールド特性が良好である。また、第１～第３実施形態の実装基板１では、シールド層８が、異方導電性接着剤層７を介して、グランド配線１４や第２グランド配線５４と電気的に接続できる。さらには、第３および第４の実施形態では、ビア接続部６５が、異方導電性接着剤層７を介して、接続配線１３と電気的に接続することができる。
【0246】
また、第１実施形態の変形例についても、第５実施形態に対して同様に適用できる。
【実施例】
【0247】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【0248】
実施例１
厚み１８μｍのステンレスからなる金属支持体を用意した。
厚み１８μｍのステンレスからなる金属支持体を用意した。
【0249】
次いで、ポリイミド前駆体溶液を金属支持体の上面に塗布し、次いで、８０℃で１０分乾燥させて、ベース皮膜（ポリイミド前駆体皮膜）を形成した。続いて、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像した。その後、窒素雰囲気下、３６０℃で１時間、ベース皮膜を加熱する（硬化させる）ことにより、ポリイミドからなり、撮像素子開口部および外部部品開口部を有する厚み５μｍのベース絶縁層を形成した。
【0250】
その後、銅からなる厚み３μｍの導体パターン（第１配線、各接続端子）を、ベース絶縁層の上面と、撮像素子開口部および外部部品開口部から露出する金属支持体の上面に、アディティブ法で形成した。
【0251】
その後、ポリイミド前駆体溶液をベース絶縁層および導体パターンの上面に塗布し、次いで、８０℃で１０分乾燥させて、カバー皮膜（ポリイミド前駆体皮膜）を形成した。続いて、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像した。その後、窒素雰囲気下、３６０℃で１時間、カバー皮膜を加熱することにより、ポリイミドからなる、厚み３μｍの第１カバー絶縁層を得た。
【0252】
その後、金属支持体を、塩化第二鉄水溶液からなるエッチング液を下方からスプレーして、除去した。これによって、ベース絶縁層の下面の全てを露出させた。
【0253】
これにより、ベース絶縁層、導体パターンおよび第１カバー絶縁層を順に備える配線積層体を得た。
【0254】
配線積層体の配線領域（ベース絶縁層、第１配線および第１カバー絶縁層）の等価弾性率Ｄを上記式（１）で算出したところ、３８ＧＰａであった。なお、ポリイミドの弾性率は、６．３ＧＰａであり、銅の弾性率は、１２３ＧＰａであった。
【0255】
ガラス繊維層（ガラスクロス、厚み１０μｍ）を、配線積層体の第１カバー絶縁層と、異方導電接着剤層（厚み１０μｍ）、シールド層（銀層、厚み０．１μｍ）および第２カバー絶縁層（メラミン樹脂層積層体、厚み５μｍ）を順に備えるシールドフィルム（タツタ電線株式会社、ＳＦ－ＰＣ５６００）の異方導電接着剤層との間に配置した。続いて、これらを３ＭＰａ、１５０℃、３０分の条件でプレスすることによって、実施例１の実装基板を製造した（図２参照）。
【0256】
熱機械分析装置（ＴＭＡ、リガク社製、「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０」）を用いて、実施例１の実装基板の０～５０℃における面方向の線熱膨張係数を測定したところ、１２ｐｐｍ/Ｋであった。
【0257】
実施例２
銅からなる導体パターンの厚みを５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の実装基板を製造した。配線積層体の配線領域の等価弾性率は、５１ＧＰａであった。実装基板の０～５０℃における線熱膨張係数を測定したところ、１４ｐｐｍ/Ｋであった。
銅からなる導体パターンの厚みを５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の実装基板を製造した。配線積層体の配線領域の等価弾性率は、５１ＧＰａであった。実装基板の０～５０℃における線熱膨張係数を測定したところ、１４ｐｐｍ/Ｋであった。
【0258】
実施例３
銅からなる導体パターンの厚みを１０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３の実装基板を製造した。配線積層体の配線領域の等価弾性率は、７１ＧＰａであった。実装基板の０～５０℃における線熱膨張係数を測定したところ、１６ｐｐｍ/Ｋであった。
銅からなる導体パターンの厚みを１０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３の実装基板を製造した。配線積層体の配線領域の等価弾性率は、７１ＧＰａであった。実装基板の０～５０℃における線熱膨張係数を測定したところ、１６ｐｐｍ/Ｋであった。
【符号の説明】
【0259】
１ 実装基板
４ ベース絶縁層
５ 導体パターン
６ 第１カバー絶縁層
７ 異方導電性接着剤層
８ シールド層
９ 第２カバー絶縁層
１２ 第１配線
１４ グランド配線
１５ グランド開口部
１７ 強化繊維層
２０ 撮像装置
３５ 配線積層体
３６ 接着剤積層体
５０ 第２導体パターン
５１ 第３カバー絶縁層
５２ 第２配線
５４ 第２グランド配線
５５ 第２グランド開口部
５７ 第２配線積層体
６０ 第２異方導電性接着剤層
６２ 第１ビア開口部
７０ 絶縁性接着剤層
４ ベース絶縁層
５ 導体パターン
６ 第１カバー絶縁層
７ 異方導電性接着剤層
８ シールド層
９ 第２カバー絶縁層
１２ 第１配線
１４ グランド配線
１５ グランド開口部
１７ 強化繊維層
２０ 撮像装置
３５ 配線積層体
３６ 接着剤積層体
５０ 第２導体パターン
５１ 第３カバー絶縁層
５２ 第２配線
５４ 第２グランド配線
５５ 第２グランド開口部
５７ 第２配線積層体
６０ 第２異方導電性接着剤層
６２ 第１ビア開口部
７０ 絶縁性接着剤層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】