特許 7174614出願番号 特願 2018-232501
ナノポア形成方法及び分析方法
出願人 株式会社日立製作所（識別番号 5108）
2026年 特許公開件数ランキング 13位 754件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 15位 806件（※）
公報発行日 2022年11月17
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7174614 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
ナノポア形成方法及び分析方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、非特許文献２～４の方法によって、絶縁破壊耐圧の高いＳｉＮｘメンブレン（１＜ｘ＜４／３）に対して絶縁破壊を利用したナノポアの形成を試みても、単一のナノポアを形成することが困難であることが分かった。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示のナノポア形成方法は、第１の水溶液及び第２の水溶液間にＳｉＮｘ膜を配置することと、第１の電極を前記第１の水溶液に接触させ、第２の電極を前記第２の水溶液に接触させることと、前記第１の電極及び前記第２の電極に電圧を印加することと、を含み、前記ＳｉＮｘ膜は、組成比が１＜ｘ＜４／３であり、前記第１の水溶液及び前記第２の水溶液の少なくともいずれか一方は、ｐＨ１０以上であることを特徴とする。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示によれば、絶縁破壊耐圧の高いメンブレンに対して、絶縁破壊により単一のナノポアを安定して形成することができる。
以外の課題、構成及び効果は、以下の実施の形態の説明により明らかにされる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
第１のナノポア形成方法のための装置構成を示す模式図である。
【図2】
比較例１の結果を示す図である。
【図3】
比較例２の結果を示す図である。
【図4】
比較例３の結果を示す図である。
【図5】
比較例４の結果を示す図である。
【図6】
実施例１の結果を示す図である。
【図7】
実験例２の結果を示す図である。
【図8】
実験例３の結果を示す図である。
【図9】
第２の積層膜の構造を示す模式図である。
【図10】
第３の電圧印加方法を説明する図である。
【図11】
第４の電圧印加方法を説明する図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１００…Ｓｉ基板
１０１…ＳｉＮｘ膜
１０２…ＳｉＯ２膜
１０３…ＳｉＮｘ膜
１０４…Ｏリング
１０５…第１のチャンバ
１０６…第２のチャンバ
１０７…第１の水溶液
１０８…第２の水溶液
１０９、１１０…電極
１１１…配線
１１２…制御部
１１３…ＳｉＮｘメンブレン
１１４、１１６…水溶液導入口
１１５、１１７…水溶液出口
１１８～１２２…膜
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