(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-14
(45)【発行日】2022-11-22
(54)【発明の名称】積層電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/252 20060101AFI20221115BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20221115BHJP
H01C 1/142 20060101ALI20221115BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20221115BHJP
H01P 5/18 20060101ALI20221115BHJP
【ＦＩ】
H01G4/252 V
H01G4/30 513
H01G4/30 201F
H01C1/142
H01F27/29 123
H01P5/18 J
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2018147690
(22)【出願日】2018-08-06
(65)【公開番号】P2020024979
(43)【公開日】2020-02-13
【審査請求日】2021-04-23
(73)【特許権者】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(72)【発明者】
【氏名】齋藤 則之
(72)【発明者】
【氏名】須田 昭
(72)【発明者】
【氏名】阿部 稔
(72)【発明者】
【氏名】土井 重幸
(72)【発明者】
【氏名】匂坂 康則
【審査官】西間木 祐紀
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－２１１３０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１５／１８６７８０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－０６００１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－１８８２２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－１２８１３０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｇ ４／２５２
Ｈ０１Ｇ ４／３０
Ｈ０１Ｃ １／１４２
Ｈ０１Ｆ ２７／２９
Ｈ０１Ｐ ５／１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
実装面とされる第１主面と、前記第１主面と対向している第２主面と、前記第１主面及び前記第２主面の対向方向に延び、前記第１主面及び前記第２主面と隣り合う側面と、を有している素体と、前記側面から離間するように前記第１主面に設けられた第１電極と、
前記素体内に設けられた第２電極と、
前記素体内に設けられ、前記第１電極と前記第２電極とに接続された接続導体と、
互いに連続している第１樹脂部及び第２樹脂部を有する導電性樹脂層と、を備え、
前記第１樹脂部は、前記第１主面に設けられ、前記第１電極を覆っており、
前記第２樹脂部は、前記側面に設けられた凹部に配置されている、積層電子部品。
【請求項2】
前記第２樹脂部は、前記第２主面から離間している、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項3】
前記第１電極と前記導電性樹脂層との間に設けられ、前記第１電極と前記導電性樹脂層とに接している導電性密着層を更に備える、請求項１又は２に記載の積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一側面は、積層電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、素体の底面上に設けられている底面電極と、を備える電子部品が開示されている。この電子部品では、素体の上面近傍に反り防止用導体が設けられている。これにより、素体の上面の収縮率が底面の収縮率に近づくので、素体の反りが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１２－４９６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述の電子部品が基板に実装されて使用される場合、電子部品及び基板の熱膨張率の違いから、環境温度の変化等に応じた応力が底面電極に作用する。これにより、素体において、底面電極近傍にクラックが発生するおそれがある。
【0005】
本発明の一側面は、素体におけるクラックの発生を抑制可能な積層電子部品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一側面に係る積層電子部品は、実装面とされる第１主面と、第１主面と対向している第２主面と、第１主面及び第２主面の対向方向に延び、第１主面及び第２主面と隣り合う側面と、を有している素体と、側面から離間するように第１主面に設けられた第１電極と、素体内に設けられた第２電極と、素体内に設けられ、第１電極と第２電極とに接続された接続導体と、互いに連続している第１樹脂部及び第２樹脂部を有する導電性樹脂層と、を備え、第１樹脂部は、第１主面に設けられ、第１電極を覆っており、第２樹脂部は、側面に設けられている。
【0007】
この積層電子部品では、実装面とされる第１主面に設けられた第１電極が導電性樹脂層に覆われている。これにより、第１電極に作用する応力が緩和される。導電性樹脂層は、第１主面に設けられた第１樹脂部だけでなく、側面に設けられ、第１樹脂部と連続する第２樹脂部を有している。このため、第１電極に作用する応力が更に緩和される。この結果、素体におけるクラックの発生を抑制することができる。
【0008】
第２樹脂部は、第２主面から離間していてもよい。この場合、側面のうち、第１電極が設けられた第１主面に近い領域に第２樹脂部を配置することができる。よって、効果的に第１電極に作用する応力を緩和することができる。
【0009】
第２樹脂部は、側面に設けられた凹部に配置されていてもよい。この場合、積層電子部品の外形寸法が増大することを抑制可能となる。
【0010】
本発明の一側面に係る積層電子部品は、第１電極と導電性樹脂層との間に設けられ、第１電極と導電性樹脂層とに接している導電性密着層を更に備えてもよい。この場合、第１電極と導電性樹脂層との間の密着性を高めることができる。
【発明の効果】
【0011】
本発明の一側面によれば、素体におけるクラックの発生を抑制可能な積層電子部品を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、添付図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【0014】
図１は、実施形態に係る方向性結合器の回路構成を示す回路図である。図１に示すように、実施形態に係る方向性結合器１は、第１ポート１１と、第２ポート１２と、第３ポート１３と、第４ポート１４とを備えている。本実施形態では、特に、第１ポート１１は入力ポートであり、第２ポート１２は出力ポートであり、第３ポート１３は結合ポートであり、第４ポート１４は終端ポートである。第４ポート１４は、例えば５０Ωの抵抗値を有する終端抵抗を介して接地される。
【0015】
方向性結合器１は、主線路１０と、第１副線路部２０Ａと、第２副線路部２０Ｂと、移相器３０とを更に備えている。主線路１０は、第１ポート１１と第２ポート１２とを接続している。第１副線路部２０Ａ及び第２副線路部２０Ｂは、それぞれ主線路１０に対して電磁界結合する線路からなっている。第１副線路部２０Ａ、移相器３０、及びと第２副線路部２０Ｂは、回路構成上、第３ポート１３と第４ポート１４との間に、この順に直列に設けられている。
【0016】
第１副線路部２０Ａは、互いに反対側に位置する第１端部２０Ａ１及び第２端部２０Ａ２を有している。第２副線路部２０Ｂは、互いに反対側に位置する第１端部２０Ｂ１及び第２端部２０Ｂ２を有している。第１副線路部２０Ａの第１端部２０Ａ１は、第３ポート１３に接続されている。第２副線路部２０Ｂの第１端部２０Ｂ１は、第４ポート１４に接続されている。
【0017】
移相器３０は、第１経路３１と、第２経路３２とを含んでいる。第１経路３１は、第１副線路部２０Ａと第２副線路部２０Ｂとを接続している。第１経路３１は、第１インダクタンス要素Ｌ１と、第２インダクタンス要素Ｌ２とを含んでいる。第１インダクタンス要素Ｌ１及び第２インダクタンス要素Ｌ２は、それぞれインダクタンスを有し、互いに誘導結合している。第１インダクタンス要素Ｌ１は、それぞれ互いに反対側に位置する第１端部Ｌ１ａ及び第２端部Ｌ１ｂを有している。第２インダクタンス要素Ｌ２は、それぞれ互いに反対側に位置する第１端部Ｌ２ａ及び第２端部Ｌ２ｂを有している。
【0018】
第１インダクタンス要素Ｌ１の第１端部Ｌ１ａは、第１副線路部２０Ａの第２端部２０Ａ２に接続されている。第２インダクタンス要素Ｌ２の第１端部Ｌ２ａは、第２副線路部２０Ｂの第２端部２０Ｂ２に接続されている。第１インダクタンス要素Ｌ１の第２端部Ｌ１ｂと第２インダクタンス要素Ｌ２の第２端部Ｌ２ｂとは、互いに接続され、かつ、第２経路３２を介してグラウンドに接続されている。第２経路３２は、第１キャパシタＣ１を含んでいる。
【0019】
本実施形態では、第１インダクタンス要素Ｌ１及び第２インダクタンス要素Ｌ２は、それぞれ線路であるが、集中定数素子であるインダクタであってもよい。第１インダクタンス要素Ｌ１を第１線路とし、第２インダクタンス要素Ｌ２を第２線路とする。第１線路と第２線路は、少なくとも誘導結合する。第１線路と第２線路は、更に、分布定数回路のように、第１線路と第２線路の間のキャパシタンスが第１及び第２線路に沿って連続的に分布するように容量結合してもよい。
【0020】
第１線路は、第１線路部分を含んでいてもよく、第２線路は、第１線路部分に対向する第２線路部分を含んでいてもよい。第１線路部分は、回路構成上、第１副線路部２０Ａに最も近い第１端縁と、その反対側の第２端縁とを有している。第２線路部分は、回路構成上、第２副線路部２０Ｂに最も近い第１端縁と、その反対側の第２端縁とを有している。第２線路部分の第１端縁は、物理的に、第１線路部分のうち、第１線路部分の第２端縁に最も近い。第２線路部分の第２端縁は、物理的に、第１線路部分のうち、第１線路部分の第１端縁に最も近い。第１線路部分及び第２線路部分については、後で更に詳しく説明する。
【0021】
主線路１０は、第１副線路部２０Ａと電磁界結合する第１部分１０Ａと、第２副線路部２０Ｂと電磁界結合する第２部分１０Ｂとを有している。ここで、第１部分１０Ａと第１副線路部２０Ａとを合わせて第１結合部４０Ａと言う。また、第２部分１０Ｂと第２副線路部２０Ｂとを合わせて第２結合部４０Ｂと言う。
【0022】
次に、方向性結合器１の作用について説明する。第１ポート１１には高周波信号が入力され、この高周波信号は第２ポート１２から出力される。第３ポート１３からは、第１ポート１１に入力された高周波信号の電力に応じた電力を有する結合信号が出力される。
【0023】
第１ポート１１と第３ポート１３との間には、第１結合部４０Ａを経由する第１信号経路と、第２結合部４０Ｂ及び移相器３０を経由する第２信号経路とが形成される。第１ポート１１に高周波信号が入力されたとき、第３ポート１３から出力される結合信号は、それぞれ第１及び第２信号経路を通過した信号が合成されて得られる信号である。方向性結合器１の結合度は、第１結合部４０Ａ及び第２結合部４０Ｂのそれぞれ単独の結合度と、それぞれ第１信号経路及び第２信号経路を通過した信号の位相の関係とに依存する。
【0024】
第２ポート１２と第３ポート１３との間には、第１結合部４０Ａを経由する第３信号経路と、第２結合部４０Ｂ及び移相器３０を経由する第４信号経路とが形成される。方向性結合器１のアイソレーションは、第１結合部４０Ａ及び第２結合部４０Ｂの各々の単独の結合度と、それぞれ第３及び第４信号経路を通過した信号の位相の関係とに依存する。
【0025】
移相器３０は、入力信号に対して位相が遅延した信号を出力する。移相器３０の入力信号に対する移相器３０の出力信号の位相遅延量は、入力信号の周波数が高くなるほど大きくなる。位相遅延量が９０度となるときの入力信号の周波数の２倍の周波数は、位相遅延量が１８０度となるときの入力信号の周波数よりも低い。この移相器３０の特性については、後で更に詳しく説明する。
【0026】
次に、方向性結合器１の構造について説明する。図２は、図１に示す方向性結合器の斜視図である。図３は、図１に示す方向性結合器の一部断面図である。図２及び図３に示すように、方向性結合器１は、素体５０と、底面電極１１１～１１６と、複数の被覆電極１２０と、を備えている。
【0027】
素体５０は、後述するように、複数の誘電体層が積層されてなる。素体５０は、直方体形状を呈している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。素体５０は、その外表面として、上面５０Ａと、実装面とされる底面５０Ｂと、４つの側面５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆとを有している。上面５０Ａ及び底面５０Ｂは互いに対向している。側面５０Ｃ，５０Ｄは、互いに対向している。側面５０Ｅ，５０Ｆは、互いに対向している。側面５０Ｃ～５０Ｆは、上面５０Ａ及び底面５０Ｂの対向方向Ｔに延び、上面５０Ａ及び底面５０Ｂと隣り合っている。素体５０において、上面５０Ａ及び底面５０Ｂは、対向方向Ｔの両端に位置する。
【0028】
側面５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆの底面５０Ｂ側の縁部には、凹部７０が設けられている。凹部７０は、側面５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆの底面５０Ｂ側の縁部に設けられた段差部である。底面５０Ｂ側から見て、凹部７０は、底面５０Ｂの周縁５０Ｇに沿って溝状に延在し、底面５０Ｂを取り囲んでいる。周縁５０Ｇは、底面５０Ｂと側面５０Ｃ～５０Ｆとの間における稜線部の湾曲の頂部である。底面５０Ｂ側から見て、側面５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆで規定される方向性結合器１の周縁は、周縁５０Ｇに沿って、周縁５０Ｇの外側に位置している。
【0029】
凹部７０の幅（凹部７０の対向方向Ｔの長さ）は、例えば８０μｍ以上１５０μｍ以下である。凹部７０の深さ（各側面５０Ｃ～５０Ｆに垂直方向における凹部７０の長さ）は、例えば２０μｍ以上８０μｍ以下である。凹部７０の底面７０Ａは、底面５０Ｂと隣り合っている。底面７０Ａ及び底面５０Ｂは、互いに連続している。凹部７０の形成方法として、例えば、方向性結合器１を積層体基板からダイシングにより得る際に、ブレード幅の広いダイシングブレードで積層体基板をハーフカットした後、ブレード幅の狭いダイシングブレートで積層体基板をフルカットする方法が挙げられる。
【0030】
底面電極１１１～１１６は、側面５０Ｃ～５０Ｆから離間するように底面５０Ｂに設けられている。底面電極１１１～１１６は、対向方向Ｔから見て、矩形状を呈している。底面電極１１１～１１６は、互いに同形状を呈している。本実施形態では、底面電極１１１～１１６の表面は、底面５０Ｂと面一であるが、底面電極１１１～１１６の表面は、底面５０Ｂよりも外方に突出していてもよいし、底面５０Ｂよりも内方に窪んでいてもよい。
【0031】
底面電極１１１は、第１ポート１１（図１参照）に対応している。底面電極１１２は、第２ポート１２（図１参照）に対応している。底面電極１１３は、第３ポート１３（図１参照）に対応している。底面電極１１４は、第４ポート１４（図１参照）に対応している。底面電極１１５，１１６は、グラウンドに接続されるグランウンド端子である。
【0032】
各被覆電極１２０は、互いに離間している。各被覆電極１２０は、底面５０Ｂの一部と、側面５０Ｃ又は側面５０Ｄの一部と、に連続して設けられ、底面電極１１１～１１６のいずれかの全体を覆っている。各被覆電極１２０は、上面５０Ａ、側面５０Ｅ、及び側面５０Ｆから離間している。上面５０Ａ、側面５０Ｅ、及び側面５０Ｆは、各被覆電極１２０から露出している。図３では、底面電極１１１を覆う被覆電極１２０の断面図が示されているが、各被覆電極１２０は、互いに同じ構成を有している。
【0033】
各被覆電極１２０は、導電性樹脂層１４０と、第１めっき層（不図示）と、第２めっき層（不図示）と、を有している。導電性樹脂層１４０は、素体５０上に設けられている。導電性樹脂層１４０は、底面５０Ｂの一部と、側面５０Ｃ又は側面５０Ｄの一部と、に連続して設けられ、底面電極１１１～１１６のいずれかを覆っている。
【0034】
導電性樹脂層１４０は、素体５０上に付与された導電性樹脂を硬化させることにより形成される。導電性樹脂は、樹脂（例えば、熱硬化性樹脂）、導電性材料（例えば、金属粉末）、及び有機溶媒を含んでいる。導電性材料としては、例えば、Ａｇが用いられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂が用いられる。導電性樹脂は、例えば、スクリーン印刷により付与される。スクリーン印刷は、例えば、底面５０Ｂに対して行われる。導電性樹脂が底面５０Ｂから側面５０Ｃ及び側面５０Ｄに回り込むので、側面５０Ｃ及び側面５０Ｄにも導電性樹脂が付与される。
【0035】
導電性樹脂層１４０は、互いに連続している第１樹脂部１４１及び第２樹脂部１４２を有している。第１樹脂部１４１は、底面５０Ｂに設けられ、底面電極１１１～１１６のいずれかを覆っている。第１樹脂部１４１は、底面５０Ｂに沿って略一定の厚さで設けられている。第１樹脂部１４１の厚さは、第１樹脂部１４１の第１めっき層側の表面に垂直な方向における第１樹脂部１４１の長さで規定される。第１樹脂部１４１の厚さは、例えば、２０μｍ以上４０μｍ以下である。
【0036】
第２樹脂部１４２は、側面５０Ｃ又は側面５０Ｄに設けられている。第２樹脂部１４２は、側面５０Ｃ又は側面５０Ｄに設けられた凹部７０に配置されている。第２樹脂部１４２の厚さは、第１樹脂部１４１の厚さよりも厚い。第２樹脂部１４２の厚さは、第２樹脂部１４２の第１めっき層側の表面に垂直な方向における第２樹脂部１４２の長さで規定される。第２樹脂部１４２の厚さの最大値は、例えば、２０μｍ以上８０μｍ以下である。
【0037】
第１めっき層は、導電性樹脂層１４０の全体を覆うように、導電性樹脂層１４０上に設けられている。第１めっき層は、導電性樹脂層１４０に沿って略一定の厚さで設けられている。第１めっき層は、例えばＮｉめっきにより形成されたＮｉめっき層である。第１めっき層は、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層であってもよい。
【0038】
第２めっき層は、第１めっき層の全体を覆うように、第１めっき層上に設けられている。第２めっき層は、第１めっき層に沿って略一定の厚さで設けられている。第２めっき層は、例えばＳｎめっきにより形成されたＳｎめっき層である。第２めっき層は、Ｃｕめっき層又はＡｕめっき層であってもよい。
【0039】
次に、方向性結合器の内部構成を説明する。素体５０は、積層された１６層の誘電体層を有している。以下、この１６層の誘電体層を、下から順に１層目ないし１６層目の誘電体層と呼ぶ。１層目の誘電体層５１は、底面５０Ｂを含んでいる。１６層目の誘電体層５１は、上面５０Ａを含んでいる。
【0040】
図４及び図５は、図１に示す方向性結合器の内部構成を示す斜視図である。図４及び図５に示すように、方向性結合器１は、素体５０内に設けられた内部電極５２１，５２２，５２４，５２５，５４１，５５１，５５２，５７１，５９１，６０１，６１１，６２１，６３１，６４１，６５１と、接続導体５１Ｔ１，５１Ｔ２，５１Ｔ３，５１Ｔ４，５１Ｔ５，５１Ｔ６，５２Ｔ１，５２Ｔ２，５２Ｔ３，５２Ｔ４，５２Ｔ５，５２Ｔ６，５３Ｔ１，５３Ｔ２，５３Ｔ３，５３Ｔ４，５３Ｔ５，５３Ｔ６，５４Ｔ１，５４Ｔ２，５４Ｔ３，５４Ｔ４，５４Ｔ５，５４Ｔ６，５５Ｔ３，５５Ｔ４，５５Ｔ５，５５Ｔ６，５６Ｔ３，５６Ｔ４，５６Ｔ５，５６Ｔ６，５７Ｔ３，５７Ｔ４，５７Ｔ５，５７Ｔ６，５８Ｔ３，５８Ｔ４，５８Ｔ５，５８Ｔ６，５９Ｔ３，５９Ｔ４，５９Ｔ５，５９Ｔ６，６０Ｔ３，６０Ｔ４，６０Ｔ５，６０Ｔ６，６０Ｔ７，６１Ｔ３，６１Ｔ４，６１Ｔ７，６２Ｔ３，６２Ｔ４，６２Ｔ７，６２Ｔ８，６３Ｔ３，６３Ｔ４，６３Ｔ７，６３Ｔ８，６４Ｔ４，６４Ｔ８と、を更に備えている。
【0041】
各内部電極は、誘電体層のパターン形成面（底面５０Ｂ側の主面）に形成された導体層である。各内部電極は、対向方向Ｔと交差すると共に、上面５０Ａ及び底面５０Ｂと略平行をなしている。各接続導体は、誘電体層を対向方向Ｔに貫通するスルーホール内に形成され、対向方向Ｔに沿って延在している。図示を省略するが、対向方向Ｔで隣り合い、互いに接続される一対の接続導体の間には、接続性を高めるための導体層が配置されている。
【0042】
図６において（ａ）～（ｄ）は、それぞれ、１層目ないし４層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図７において（ａ）～（ｄ）は、それぞれ、５層目ないし８層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図８において（ａ）～（ｄ）は、それぞれ、９層目ないし１２層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図９において（ａ）～（ｄ）は、それぞれ、１３層目ないし１６層目の誘電体層のパターン形成面を示している。
【0043】
図６（ａ）に示したように、１層目の誘電体層５１のパターン形成面（すなわち、底面５０Ｂ）には、底面電極１１１～１１６が形成されている。また、誘電体層５１には、それぞれ底面電極１１１～１１６に接続された接続導体５１Ｔ１，５１Ｔ２，５１Ｔ３，５１Ｔ４，５１Ｔ５，５１Ｔ６が形成されている。
【0044】
図６（ｂ）に示したように、２層目の誘電体層５２のパターン形成面には、内部電極５２１，５２２，５２４と、グラウンド用の内部電極５２５とが形成されている。また、誘電体層５２には、接続導体５２Ｔ１，５２Ｔ２，５２Ｔ３，５２Ｔ４，５２Ｔ５，５２Ｔ６が形成されている。接続導体５２Ｔ１と、図６（ａ）に示した接続導体５１Ｔ１は、内部電極５２１に接続されている。接続導体５２Ｔ２と、図６（ａ）に示した接続導体５１Ｔ２は、内部電極５２２に接続されている。接続導体５２Ｔ３には、図６（ａ）に示した接続導体５１Ｔ３が接続されている。接続導体５２Ｔ４と、図６（ａ）に示した接続導体５１Ｔ４は、内部電極５２４に接続されている。接続導体５２Ｔ５，５２Ｔ６と、図６（ａ）に示した接続導体５１Ｔ５，５２Ｔ６は、内部電極５２５に接続されている。
【0045】
図６（ｃ）に示したように、３層目の誘電体層５３には、接続導体５３Ｔ１，５３Ｔ２，５３Ｔ３，５３Ｔ４，５３Ｔ５，５３Ｔ６が形成されている。接続導体５３Ｔ１～５３Ｔ６には、それぞれ図６（ｂ）に示した接続導体５２Ｔ１～５２Ｔ６が接続されている。
【0046】
図６（ｄ）に示したように、４層目の誘電体層５４のパターン形成面には、内部電極５４１が形成されている。また、誘電体層５４には、接続導体５４Ｔ１，５４Ｔ２，５４Ｔ３，５４Ｔ４，５４Ｔ５，５４Ｔ６が形成されている。接続導体５４Ｔ１，５４Ｔ３～５４Ｔ６には、それぞれ図６（ｃ）に示した接続導体５３Ｔ１，５３Ｔ３～５３Ｔ６が接続されている。接続導体５４Ｔ２は、内部電極５４１と、図６（ｃ）に示した接続導体５３Ｔ２に接続されている。
【0047】
図７（ａ）に示したように、５層目の誘電体層５５のパターン形成面には、主線路１０を構成するために用いられる内部電極５５１と、第２副線路部２０Ｂを構成するために用いられる内部電極５５２とが形成されている。内部電極５５１，５５２の各々は、第１端と第２端を有している。また、誘電体層５５には、接続導体５５Ｔ３，５５Ｔ４，５５Ｔ５，５５Ｔ６が形成されている。接続導体５５Ｔ３，５５Ｔ５，５５Ｔ６には、それぞれ図６（ｄ）に示した接続導体５４Ｔ３，５４Ｔ５，５４Ｔ６が接続されている。接続導体５５Ｔ４は、内部電極５５２における第１端の近傍部分に接続されている。図６（ｄ）に示した接続導体５４Ｔ１は、内部電極５５１における第１端の近傍部分に接続されている。図６（ｄ）に示した接続導体５４Ｔ２は、内部電極５５１における第２端の近傍部分に接続されている。図６（ｄ）に示した接続導体５４Ｔ４は、内部電極５５２における第２端の近傍部分に接続されている。
【0048】
図７（ｂ）に示したように、６層目の誘電体層５６には、接続導体５６Ｔ３，５６Ｔ４，５６Ｔ５，５６Ｔ６が形成されている。接続導体５６Ｔ３～５６Ｔ６には、それぞれ図７（ａ）に示した接続導体５５Ｔ３～５５Ｔ６が接続されている。
【0049】
図７（ｃ）に示したように、７層目の誘電体層５７のパターン形成面には、第１副線路部２０Ａを構成するために用いられる内部電極５７１が形成されている。内部電極５７１は、第１端と第２端を有している。また、誘電体層５７には、接続導体５７Ｔ３，５７Ｔ４，５７Ｔ５，５７Ｔ６が形成されている。接続導体５７Ｔ３は、内部電極５７１における第１端の近傍部分に接続されている。接続導体５７Ｔ４，５７Ｔ５，５７Ｔ６には、それぞれ図７（ｂ）に示した接続導体５６Ｔ４，５６Ｔ５，５６Ｔ６が接続されている。図７（ｂ）に示した接続導体５６Ｔ３は、内部電極５７１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0050】
図７（ｄ）に示したように、８層目の誘電体層５８には、接続導体５８Ｔ３，５８Ｔ４，５８Ｔ５，５８Ｔ６が形成されている。接続導体５８Ｔ３～５８Ｔ６には、それぞれ図７（ｃ）に示した接続導体５７Ｔ３～５７Ｔ６が接続されている。
【0051】
図８（ａ）に示したように、９層目の誘電体層５９のパターン形成面には、グラウンド用の内部電極５９１が形成されている。また、誘電体層５９には、接続導体５９Ｔ３，５９Ｔ４，５９Ｔ５，５９Ｔ６が形成されている。接続導体５９Ｔ３，５９Ｔ４には、それぞれ図７（ｄ）に示した接続導体５８Ｔ３，５８Ｔ４が接続されている。接続導体５９Ｔ５，５９Ｔ６と、図７（ｄ）に示した接続導体５８Ｔ５，５８Ｔ６は、内部電極５９１に接続されている。
【0052】
図８（ｂ）に示したように、１０層目の誘電体層６０のパターン形成面には、第１キャパシタＣ１を構成するために用いられる内部電極６０１が形成されている。また、誘電体層６０には、接続導体６０Ｔ３，６０Ｔ４，６０Ｔ５，６０Ｔ６，６０Ｔ７が形成されている。接続導体６０Ｔ３～６０Ｔ６には、それぞれ図８（ａ）に示した接続導体５９Ｔ３～５９Ｔ６が接続されている。接続導体６０Ｔ７は、内部電極６０１に接続されている。
【0053】
図８（ｃ）に示したように、１１層目の誘電体層６１のパターン形成面には、グラウンド用の内部電極６１１が形成されている。また、誘電体層６１には、接続導体６１Ｔ３，６１Ｔ４，６１Ｔ７が形成されている。接続導体６１Ｔ３，６１Ｔ４，６１Ｔ７には、それぞれ図８（ｂ）に示した接続導体６０Ｔ３，６０Ｔ４，６０Ｔ７が接続されている。図８（ｂ）に示した接続導体６０Ｔ５，６０Ｔ６は、内部電極６１１に接続されている。
【0054】
図８（ｄ）に示したように、１２層目の誘電体層６２のパターン形成面には、内部電極６２１が形成されている。また、誘電体層６２には、接続導体６２Ｔ３，６２Ｔ４，６２Ｔ７，６２Ｔ８が形成されている。接続導体６２Ｔ３，６２Ｔ４には、それぞれ図８（ｃ）に示した接続導体６１Ｔ３，６１Ｔ４が接続されている。接続導体６２Ｔ７，６２Ｔ８と、図８（ｃ）に示した接続導体６１Ｔ７は、内部電極６２１に接続されている。
【0055】
図９（ａ）に示したように、１３層目の誘電体層６３のパターン形成面には、内部電極６３１が形成されている。また、誘電体層６３には、接続導体６３Ｔ３，６３Ｔ４，６３Ｔ７，６３Ｔ８が形成されている。接続導体６３Ｔ３，６３Ｔ７，６３Ｔ８には、それぞれ図８（ｄ）に示した接続導体６２Ｔ３，６２Ｔ７，６２Ｔ８が接続されている。接続導体６３Ｔ４と、図８（ｄ）に示した接続導体６２Ｔ４は、内部電極６３１に接続されている。
【0056】
図９（ｂ）に示したように、１４層目の誘電体層６４のパターン形成面には、第１インダクタンス要素Ｌ１を構成するために用いられる内部電極６４１が形成されている。内部電極６４１は、第１端と第２端を有している。また、誘電体層６４には、接続導体６４Ｔ４，６４Ｔ８が形成されている。接続導体６４Ｔ４，６４Ｔ８には、それぞれ図９（ａ）に示した接続導体６３Ｔ４，６３Ｔ８が接続されている。図９（ａ）に示した接続導体６３Ｔ３は、内部電極６４１における第１端の近傍部分に接続されている。図９（ａ）に示した接続導体６３Ｔ７は、内部電極６４１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0057】
図９（ｃ）に示したように、１５層目の誘電体層６５のパターン形成面には、第２インダクタンス要素Ｌ２を構成するために用いられる内部電極６５１が形成されている。内部電極６５１は、第１端と第２端を有している。図９（ｂ）に示した接続導体６４Ｔ４は、内部電極６５１における第１端の近傍部分に接続されている。図９（ｂ）に示した接続導体６４Ｔ８は、内部電極６５１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0058】
図９（ｄ）に示したように、１６層目の誘電体層６６のパターン形成面には、マーク６６１が形成されている。
【0059】
図３に示した素体５０は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面が素体５０の底面５０Ｂになるように、１層目ないし１６層目の誘電体層５１～６６が積層されて構成される。
【0060】
【0061】
以下、図１に示した方向性結合器１の回路の構成要素と、図６ないし図９に示した素体５０の内部の構成要素との対応関係について説明する。主線路１０は、図７（ａ）に示した内部電極５５１によって構成されている。内部電極５５１における第１端の近傍部分は、接続導体５１Ｔ１、内部電極５２１及び接続導体５２Ｔ１，５３Ｔ１，５４Ｔ１を介して、底面電極１１１に接続されている。内部電極５５１における第２端の近傍部分は、接続導体５１Ｔ２、内部電極５２２及び接続導体５２Ｔ２，５３Ｔ２，５４Ｔ２を介して、底面電極１１２に接続されている。
【0062】
図７（ｃ）に示した内部電極５７１の一部は、誘電体層５５，５６を介して、内部電極５５１の一部に対向している。第１副線路部２０Ａは、上記の内部電極５７１の一部によって構成されている。内部電極５７１における第２端の近傍部分は、接続導体５１Ｔ３、及び接続導体５２Ｔ３，５３Ｔ３，５４Ｔ３，５５Ｔ３，５６Ｔ３を介して、底面電極１１３に接続されている。
【0063】
図７（ａ）に示した内部電極５５２の一部は、内部電極５５１の一部に対向している。第２副線路部２０Ｂは、上記の内部電極５５２の一部によって構成されている。内部電極５５２における第２端の近傍部分は、接続導体５１Ｔ４、内部電極５２４及び接続導体５２Ｔ４，５３Ｔ４，５４Ｔ４を介して、底面電極１１４に接続されている。
【0064】
第１インダクタンス要素Ｌ１は、図９（ｂ）に示した内部電極６４１によって構成されている。内部電極６４１における第１端の近傍部分は、接続導体５７Ｔ３，５８Ｔ３，５９Ｔ３，６０Ｔ３，６１Ｔ３，６２Ｔ３，６３Ｔ３を介して、第１副線路部２０Ａを構成する内部電極５７１に接続されている。内部電極６４１と接続導体６３Ｔ３との接続箇所は、第１インダクタンス要素Ｌ１の第１端部Ｌ１ａに対応する。内部電極６４１と接続導体６３Ｔ７との接続箇所は、第１インダクタンス要素Ｌ１の第２端部Ｌ１ｂに対応する。
【0065】
第２インダクタンス要素Ｌ２は、図９（ｃ）に示した内部電極６５１によって構成されている。内部電極６５１における第１端の近傍部分は、接続導体５５Ｔ４，５６Ｔ４，５７Ｔ４，５８Ｔ４，５９Ｔ４，６０Ｔ４，６１Ｔ４，６２Ｔ４、内部電極６３１及び接続導体６３Ｔ４，６４Ｔ４を介して、第２副線路部２０Ｂを構成する内部電極５５２に接続されている。内部電極６５１と接続導体６４Ｔ４との接続箇所は、第２インダクタンス要素Ｌ２の第１端部Ｌ２ａに対応する。内部電極６５１と接続導体６４Ｔ８との接続箇所は、第２インダクタンス要素Ｌ２の第２端部Ｌ２ｂに対応する。
【0066】
第１キャパシタＣ１は、図８（ａ）～（ｃ）に示した内部電極５９１，６０１，６１１と、内部電極５９１，６０１の間の誘電体層５９と、内部電極６０１，６１１の間の誘電体層６０とによって構成されている。内部電極５９１，６１１は、接続導体５１Ｔ５，５１Ｔ６、内部電極５２５、接続導体５２Ｔ５，５２Ｔ６，５３Ｔ５，５３Ｔ６，５４Ｔ５，５４Ｔ６，５５Ｔ５，５５Ｔ６，５６Ｔ５，５６Ｔ６，５７Ｔ５，５７Ｔ６，５８Ｔ５，５８Ｔ６，５９Ｔ５，５９Ｔ６，６０Ｔ５，６０Ｔ６を介して、底面電極１１５，１１６に接続されている。内部電極６０１は、接続導体６０Ｔ７，６１Ｔ７を介して、図８（ｄ）に示した内部電極６２１に接続されている。内部電極６２１は、接続導体６２Ｔ７，６３Ｔ７を介して、第１インダクタンス要素Ｌ１を構成する内部電極６４１に接続されている。また、内部電極６２１は、接続導体６２Ｔ８，６３Ｔ８，６４Ｔ８を介して、第２インダクタンス要素Ｌ２を構成する内部電極６５１に接続されている。
【0067】
以下、素体５０を備えた方向性結合器１の構造上の特徴について説明する。素体５０において、第１インダクタンス要素Ｌ１を構成する内部電極６４１と、第２インダクタンス要素Ｌ２を構成する内部電極６５１と、第１キャパシタＣ１を構成する内部電極５９１，６０１，６１１及び誘電体層５９，６０は、主線路１０を構成する内部電極５５１、第１副線路部２０Ａを構成する内部電極５７１及び第２副線路部２０Ｂを構成する内部電極５５２に比べて、上面５０Ａにより近い位置にある。従って、移相器３０は、主線路１０ならびに第１副線路部２０Ａ及び第２副線路部２０Ｂに比べて、上面５０Ａにより近い位置にある。
【0068】
また、第１インダクタンス要素Ｌ１を構成する内部電極６４１と、第２インダクタンス要素Ｌ２を構成する内部電極６５１は、第１キャパシタＣ１を構成する内部電極５９１，６０１，６１１及び誘電体層５９，６０に比べて、上面５０Ａにより近い位置にある。
【0069】
内部電極６４１，６５１と、主線路１０を構成する内部電極５５１の間には、グラウンド用の内部電極５９１が介在している。従って、第１インダクタンス要素Ｌ１と第２インダクタンス要素Ｌ２は、主線路１０に対して電磁界結合しない。
【0070】
前述のように、方向性結合器１では、第１インダクタンス要素Ｌ１は第１線路であり、第２インダクタンス要素Ｌ２は第２線路である。第１線路は、図９（ｂ）に示した内部電極６４１によって構成されている。第２線路は、図９（ｃ）に示した内部電極６５１によって構成されている。
【0071】
第１線路は、第１線路部分３１Ａを含んでいる。図９（ｂ）では、第１線路部分３１Ａを、ハッチングを付して表している。第１線路部分３１Ａは、回路構成上、第１副線路部２０Ａに最も近い第１端縁３１Ａａと、その反対側の第２端縁３１Ａｂとを有している。第１端縁３１Ａａは、第１インダクタンス要素Ｌ１の第１端部Ｌ１ａの近傍に位置する。第２端縁３１Ａｂは、第１インダクタンス要素Ｌ１の第２端部Ｌ１ｂの近傍に位置する。
【0072】
第２線路は、第１線路部分３１Ａに対向する第２線路部分３１Ｂを含んでいる。図９（ｃ）では、第２線路部分３１Ｂを、ハッチングを付して表している。第２線路部分３１Ｂは、回路構成上、第２副線路部２０Ｂに最も近い第１端縁３１Ｂａと、その反対側の第２端縁３１Ｂｂとを有している。第１端縁３１Ｂａは、第２インダクタンス要素Ｌ２の第１端部Ｌ２ａの近傍に位置する。第２端縁３１Ｂｂは、第２インダクタンス要素Ｌ２の第２端部Ｌ２ｂの近傍に位置する。
【0073】
図９（ｂ），（ｃ）に示したように、第２線路部分３１Ｂの第１端縁３１Ｂａは、物理的に、第１線路部分３１Ａのうち、第２端縁３１Ａｂに最も近い。第２線路部分３１Ｂの第２端縁３１Ｂｂは、物理的に、第１線路部分３１Ａのうち、第１端縁３１Ａａに最も近い。
【0074】
以上説明したように、方向性結合器１では、実装面とされる底面５０Ｂに設けられた底面電極１１１～１１６が導電性樹脂層１４０に覆われている。これにより、底面電極１１１～１１６に作用する応力が緩和される。導電性樹脂層１４０は、樹脂を含むことにより軟らかいので、応力を効果的に緩和することができる。導電性樹脂層１４０は、底面５０Ｂに設けられた第１樹脂部１４１だけでなく、側面５０Ｃ～５０Ｆに設けられ、第１樹脂部１４１と連続する第２樹脂部１４２を有している。このため、底面電極１１１～１１６に作用する応力が更に緩和される。この結果、素体５０におけるクラックの発生を抑制することができる。
【0075】
第２樹脂部１４２は、上面２Ａから離間している。このため、側面５０Ｃ及び側面５０Ｄのうち、底面電極１１１～１１６が設けられた底面５０Ｂに近い領域に第２樹脂部１４２を配置することができる。よって、効果的に底面電極１１１～１１６に作用する応力を緩和することができる。
【0076】
第２樹脂部１４２は、側面５０Ｃ及び側面５０Ｄに設けられた凹部７０に配置されている。このため、第２樹脂部１４２が凹部７０の外に配置されている場合に比べて、方向性結合器１の外形寸法が増大することを抑制可能となる。
【0077】
底面電極１１１～１１６は、側面５０Ｃ～５０Ｆから離間するように底面５０Ｂに設けられている。このため、例えば、方向性結合器１を積層体基板からダイシングにより得る際に、ダイシングブレードが底面電極１１１～１１６にかからず、切断し易い。
【0078】
本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0079】
図１０は、変形例に係る方向性結合器の一部断面図である。図１０に示すように、変形例に係る方向性結合器１Ａは、被覆電極１２０が導電性密着層１３０を更に備えている点で、図３に示す方向性結合器１と相違している。導電性密着層１３０は、底面電極１１１～１１６（図２参照）と導電性樹脂層１４０との間に設けられている。導電性密着層１３０は、底面電極１１１～１１６（図２参照）と導電性樹脂層１４０とに接している。導電性密着層１３０は、素体５０上に設けられている。導電性密着層１３０は、底面５０Ｂの一部と、側面５０Ｃ又は側面５０Ｄ（図２参照）の一部と、に連続して設けられ、底面電極１１１～１１６のいずれかを覆っている。導電性密着層１３０は、素体５０の表面に沿って略一定の厚さで設けられている。
【0080】
導電性密着層１３０は、例えば、素体５０の外表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。導電性密着層１３０は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結して形成された焼結金属層である。金属成分としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ，Ａｇ／Ｐｄ合金が用いられる。導電性ペーストは、例えば、金属成分、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶媒を含んでいる。導電性密着層１３０は、素体５０及び底面電極１１１～１１６への導電性樹脂層１４０の密着性を向上させるための金属層である。
【0081】
導電性ペーストは、例えば、スクリーン印刷により付与される。スクリーン印刷は、例えば、底面５０Ｂに対して行われる。導電性ペーストが底面５０Ｂから側面５０Ｃ及び側面５０Ｄに回り込むので、側面５０Ｃ及び側面５０Ｄにも導電性ペーストが付与される。方向性結合器１Ａでは、導電性樹脂層１４０は、導電性密着層１３０の全体を覆うように、導電性密着層１３０上に設けられている。方向性結合器１Ａでは、導電性樹脂層１４０の電気伝導率は、導電性密着層１３０の電気伝導率よりも低い。導電性樹脂層１４０は、導電性密着層１３０よりも軟らかい。
【0082】
方向性結合器１Ａでは、このような導電性密着層１３０を更に備えることにより、底面電極１１１～１１６と導電性樹脂層１４０との間の密着性を高めることができる。よって、被覆電極１２０の剥離を抑制可能となる。導電性密着層１３０を設けることにより、被覆電極１２０の体積が増すので、底面電極１１１～１１６に作用する応力の抑制効果が向上する。
【0083】
上記実施形態では、積層電子部品として、方向性結合器１を例に説明したが、本発明はこれに限られることなく、ダイプレクサ、コンデンサ、インダクタ、バリスタ、又はサーミスタ等の積層電子部品に適用されてもよい。
【0084】
上記実施形態では、各被覆電極１２０が、底面５０Ｂの一部と、側面５０Ｃ又は側面５０Ｄの一部と、に連続して設けられる形態を例に説明したが、各被覆電極１２０の形状（配置形態）はこれに限定されない。例えば、各被覆電極１２０が、底面５０Ｂの一部と、側面５０Ｅ又は側面５０Ｄの一部と、に連続して設けられていてもよい。導電性樹脂層１４０の第２樹脂部１４２は、側面５０Ｅ又は側面５０Ｄの一部に設けられていてもよい。
【0085】
上記実施形態では、各被覆電極１２０は、上面５０Ａから離間している形態を例に説明したが、各被覆電極１２０は、上面５０Ａから離間していなくてもよい。導電性樹脂層１４０の第２樹脂部１４２は、例えば、側面５０Ｃ～５０Ｆの上面５０Ａ側の縁まで設けられ、上面５０Ａと接していてもよいし、上面５０Ａまで連続して設けられていてもよい。この場合、導電性樹脂層１４０の体積が増すので、底面電極１１１～１１６に作用する応力の抑制効果が向上する。
【0086】
上記実施形態では、凹部７０は、底面５０Ｂの周縁５０Ｇに沿って延在し、底面５０Ｂを取り囲んでいるが、凹部７０は、側面５０Ｃ～５０Ｆのうち、第２樹脂部１４２が配置される部分にのみ設けられていてもよい。
【符号の説明】
【0087】
１，１Ａ…方向性結合器、５０…素体、５０Ａ…上面（第２主面）、５０Ｂ…底面（第１主面）、５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆ…側面、７０…凹部、１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６…底面電極（第１電極）、１３０…導電性密着層、１４０…導電性樹脂層、１４１…第１樹脂部、１４２…第２樹脂部、５２１，５２２，５２４，５２５，５４１，５５１，５５２，５７１，５９１，６０１，６１１，６２１，６３１，６４１，６５１…内部電極（第２電極）、５１Ｔ１，５１Ｔ２，５１Ｔ３，５１Ｔ４，５１Ｔ５，５１Ｔ６，５２Ｔ１，５２Ｔ２，５２Ｔ３，５２Ｔ４，５２Ｔ５，５２Ｔ６，５３Ｔ１，５３Ｔ２，５３Ｔ３，５３Ｔ４，５３Ｔ５，５３Ｔ６，５４Ｔ１，５４Ｔ２，５４Ｔ３，５４Ｔ４，５４Ｔ５，５４Ｔ６，５５Ｔ３，５５Ｔ４，５５Ｔ５，５５Ｔ６，５６Ｔ３，５６Ｔ４，５６Ｔ５，５６Ｔ６，５７Ｔ３，５７Ｔ４，５７Ｔ５，５７Ｔ６，５８Ｔ３，５８Ｔ４，５８Ｔ５，５８Ｔ６，５９Ｔ３，５９Ｔ４，５９Ｔ５，５９Ｔ６，６０Ｔ３，６０Ｔ４，６０Ｔ５，６０Ｔ６，６０Ｔ７，６１Ｔ３，６１Ｔ４，６１Ｔ７，６２Ｔ３，６２Ｔ４，６２Ｔ７，６２Ｔ８，６３Ｔ３，６３Ｔ４，６３Ｔ７，６３Ｔ８，６４Ｔ４，６４Ｔ８…接続導体、Ｔ…対向方向。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】