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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-14
(45)【発行日】2022-11-22
(54)【発明の名称】積層型キャパシタ
(51)【国際特許分類】
   H01G 4/30 20060101AFI20221115BHJP
【FI】
H01G4/30 513
H01G4/30 201C
H01G4/30 201D
H01G4/30 201K
H01G4/30 512
H01G4/30 516
【請求項の数】 25
(21)【出願番号】P 2018167281
(22)【出願日】2018-09-06
(65)【公開番号】P2019176120
(43)【公開日】2019-10-10
【審査請求日】2021-06-09
(31)【優先権主張番号】10-2018-0036431
(32)【優先日】2018-03-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人RYUKA国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】キム、ジョン リョル
(72)【発明者】
【氏名】ユン、スン ホ
(72)【発明者】
【氏名】ジョン、ジェ フン
(72)【発明者】
【氏名】ミン、キョン キ
(72)【発明者】
【氏名】キム、ジョン ハン
【審査官】北原 昂
(56)【参考文献】
【文献】特開2002-198250(JP,A)
【文献】特開平08-298228(JP,A)
【文献】特開平08-298227(JP,A)
【文献】特開2000-021679(JP,A)
【文献】米国特許第06316100(US,B1)
【文献】特開2006-324637(JP,A)
【文献】特開2004-342744(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01G 4/30
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第2内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む導電性ペーストによって形成され、
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高い、積層型キャパシタ。
【請求項2】
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は1~5面積%であり、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率は0.5面積%以下である、請求項1に記載の積層型キャパシタ。
【請求項3】
前記第1内部電極の厚さをt1、前記第2内部電極の厚さをt2と定義するとき、1.05≦t1/t2≦1.6を満たす、請求項1または2に記載の積層型キャパシタ。
【請求項4】
前記第1内部電極の厚さは0.2~1.0μmであり、前記第2内部電極の厚さは0.14~0.95μmである、請求項1から3のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項5】
前記誘電体層の厚さは0.14~0.95μmである、請求項1から4のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項6】
前記第1内部電極は、前記第2内部電極を形成する導電性ペーストより焼結温度が低い導電性ペーストを用いて形成される、請求項1から5のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項7】
前記第1及び第2内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む導電性ペーストによって形成され、
前記第1内部電極を形成するための導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末の平均粒径は、前記第2内部電極を形成するための導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末の平均粒径より小さい、請求項1から6のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項8】
前記第1内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック共材を含む導電性ペーストによって形成され、前記導電性金属粉末の平均粒径は100nm以下である、請求項1から7のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項9】
前記第1内部電極はCu、Si、及びAlの中から選択された1種以上と合金化したNi合金を含む、請求項1から8のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項10】
前記第2内部電極はW、Cr、及びCoの中から選択された1種以上と合金化したNi合金を含む、請求項1から9のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項11】
前記第2内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む導電性ペーストによって形成され、前記導電性金属粉末はSまたはCでコーティングされたものである、請求項1から10のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項12】
前記第2内部電極は、Ni結晶粒、前記Ni結晶粒の内部に分布されたセラミック、前記Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層、及び前記セラミックを取り囲む第2コーティング層を含む、請求項1から11のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項13】
前記第1及び第2コーティング層は、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeの中から選択された1種以上を含む、請求項12に記載の積層型キャパシタ。
【請求項14】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高く、
前記誘電体層の厚さは0.14~0.95μmである、積層型キャパシタ。
【請求項15】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高く、
前記第1内部電極は、前記第2内部電極を形成する導電性ペーストより焼結温度が低い導電性ペーストを用いて形成される、積層型キャパシタ。
【請求項16】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高く、
前記第1及び第2内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む導電性ペーストによって形成され、
前記第1内部電極を形成するための導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末の平均粒径は、前記第2内部電極を形成するための導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末の平均粒径より小さい、積層型キャパシタ。
【請求項17】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高く、
前記第1内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック共材を含む導電性ペーストによって形成され、前記導電性金属粉末の平均粒径は100nm以下である、積層型キャパシタ。
【請求項18】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高く、
前記第1内部電極はCu、Si、及びAlの中から選択された1種以上と合金化したNi合金を含む、積層型キャパシタ。
【請求項19】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高く、
前記第2内部電極はW、Cr、及びCoの中から選択された1種以上と合金化したNi合金を含む、積層型キャパシタ。
【請求項20】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、前記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高く、
前記第2内部電極は、Ni結晶粒、前記Ni結晶粒の内部に分布されたセラミック、前記Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層、及び前記セラミックを取り囲む第2コーティング層を含む、積層型キャパシタ。
【請求項21】
前記第1及び第2コーティング層は、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeの中から選択された1種以上を含む、請求項20に記載の積層型キャパシタ。
【請求項22】
前記第1内部電極の個数は2個以上であり、
前記第2内部電極は、前記2個以上の第1内部電極の間に配置される、請求項1から21のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項23】
前記第1及び第2内部電極は、前記誘電体層を挟んで交互に配置され、前記本体の両端面を介して交互に露出する、請求項1から22のいずれか1項に記載の積層型キャパシタ。
【請求項24】
誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記内部電極は、第1内部電極及び前記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、
前記第2内部電極は、Ni結晶粒、前記Ni結晶粒の内部に分布されたセラミック、前記Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層、及び前記セラミックを取り囲む第2コーティング層を含む、積層型キャパシタ。
【請求項25】
前記第1及び第2コーティング層は、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeの中から選択された1種以上を含む、請求項24に記載の積層型キャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型キャパシタに関する。
【背景技術】
【0002】
積層型キャパシタは、液晶表示装置(LCD:Liquid Crystal Display)及びプラズマ表示装置パネル(PDP:Plasma Display Panel)などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。
【0003】
かかる積層型キャパシタは、小型でありながら高容量が保証され、実装が容易であるという利点により、様々な電子機器の部品として使用されることができる。最近、電子機器の部品が小型化するにつれて、積層型キャパシタの小型化及び高容量化への要求が増加している。
【0004】
積層型キャパシタの小型化及び高容量化のためには、内部電極及び誘電体層の厚さを薄く形成できる技術が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的の一つは、内部電極及び誘電体層の厚さが薄い積層型キャパシタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一側面による積層型キャパシタは、誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体に配置され、上記内部電極と連結される外部電極と、を含み、上記内部電極は、第1内部電極及び上記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、上記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、上記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率より高い。
【0007】
一実施形態において、上記第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は1~5面積%であり、上記第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率は0.5面積%以下であることができる。
【0008】
一実施形態において、上記第1内部電極の厚さをt1、上記第2内部電極の厚さをt2と定義するとき、1.05≦t1/t2≦1.6を満たすことができる。
【0009】
一実施形態において、上記第1内部電極の厚さは0.2~1.0μmであり、上記第2内部電極の厚さは0.14~0.95μmであることができる。
【0010】
一実施形態において、上記誘電体層の厚さは0.14~0.95μmであることができる。
【0011】
一実施形態において、上記第1内部電極は、上記第2内部電極を形成する導電性ペーストより焼結温度が低い導電性ペーストを用いて形成されることができる。
【0012】
一実施形態において、上記第1及び第2内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む導電性ペーストによって形成され、上記第1内部電極を形成するための導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末の平均粒径は、上記第2内部電極を形成するための導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末の平均粒径より小さくてもよい。
【0013】
一実施形態において、上記第1内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック共材を含む導電性ペーストによって形成され、上記導電性金属粉末の平均粒径は100nm以下であることができる。
【0014】
一実施形態において、上記第1内部電極はCu、Si、及びAlの中から選択された1種以上と合金化したNi合金を含むことができる。
【0015】
一実施形態において、上記第2内部電極はW、Cr、及びCoの中から選択された1種以上と合金化したNi合金を含むことができる。
【0016】
一実施形態において、上記第2内部電極は、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む導電性ペーストによって形成され、上記導電性金属粉末はSまたはCでコーティングされたものであることができる。
【0017】
一実施形態において、上記第2内部電極は、Ni結晶粒、上記Ni結晶粒の内部に分布されたセラミック、上記Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層、及び上記セラミックを取り囲む第2コーティング層を含むことができる。
【0018】
一実施形態において、上記第1及び第2コーティング層は、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeの中から選択された1種以上を含むことができる。
【0019】
一実施形態において、上記第1内部電極の個数は2個以上であり、上記第2内部電極は、上記2個以上の第1内部電極の間に配置されることができる。
【0020】
一実施形態において、上記第1及び第2内部電極は、上記誘電体層を挟んで交互に配置され、上記本体の両端面を介して交互に露出することができる。
【0021】
本発明の他の一側面による積層型キャパシタは、誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体に配置され、上記内部電極と連結される外部電極と、を含み、上記内部電極は、第1内部電極及び上記第1内部電極より薄い第2内部電極を含み、上記第2内部電極は、Ni結晶粒、上記Ni結晶粒の内部に分布されたセラミック、上記Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層、及び上記セラミックを取り囲む第2コーティング層を含む。
【0022】
一実施形態において、上記第1及び第2コーティング層は、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeの中から選択された1種以上を含むことができる。
【発明の効果】
【0023】
本発明によると、焼成時の収縮挙動を制御することにより、内部電極及び誘電体層の厚さが薄い積層型キャパシタを提供することができる。これにより、積層型キャパシタの小型化及び高容量化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
図1】本発明の一側面による積層型キャパシタを概略的に示した斜視図である。
図2図1のI-I'線に沿った断面を示した図である。
図3図2のA部分を拡大して示した図である。
図4】比較例である従来の一般的な積層型キャパシタの焼成過程を順に示した図である。
図5】発明例である本発明の一実施形態による積層型キャパシタの焼成過程を順に示した図である。
図6】本発明の他の一側面による積層型キャパシタのI-I'線に沿った断面を示した図である。
図7図6のB部分を拡大して示した図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示(または強調表示や簡略化表示)がされることがあり、図面上に同一符号で表示される要素は同一要素である。
【0026】
そして、本発明を明確に説明するために、図面において説明と関係ない部分は省略し、複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一の構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外する意味ではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0027】
図面において、X方向は第1方向または長さ方向、Y方向は第2方向または幅方向、Z方向は第3方向または厚さ方向に定義することができる。
【0028】
積層型キャパシタ
図1は本発明の一側面による積層型キャパシタを概略的に示した斜視図である。図2図1のI-I'線に沿った断面を示した図である。図3図2のA部分を拡大して示した図である。
【0029】
図1~3を参照すると、本発明の一側面による積層型キャパシタ100は、誘電体層111と交互に配置される内部電極121、122を含む本体110と、本体110に配置され、内部電極121、122と連結される外部電極131、132と、を含み、上記内部電極は第1及び第2内部電極121、122を含み、上記第1内部電極121に含まれたセラミックの面積分率は、上記第2内部電極122に含まれたセラミックの面積分率より高い。
【0030】
本体110には、誘電体層111及び内部電極121、122が交互に積層されている。
【0031】
本体110の具体的な形状には特に制限がないが、図示のように、本体110は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程における本体110に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体110は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0032】
本体110は、厚さ方向(Z方向)に互いに対向する第1及び第2面1、2と、上記第1及び第2面1、2と連結され、長さ方向(X方向)に互いに対向する第3及び第4面3、4と、第1及び第2面1、2と連結され、第3及び第4面3、4と連結され、幅方向(Y方向)に互いに対向する第5及び第6面5、6と、を有することができる。
【0033】
本体110を形成する複数の誘電体層111は焼成された状態であり、隣接する誘電体層111の間の境界は、走査電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を利用せずには確認し難いほど一体化することができる。
【0034】
誘電体層111を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO)粉末であることができる。誘電体層111を形成する材料は、チタン酸バリウム(BaTiO)などの粉末に、本発明の目的に応じて、様々なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
【0035】
本体110の上部及び下部はそれぞれ、内部電極が形成されない誘電体層を積層して形成されるカバー層112、113を含むことができる。カバー層112、113は、外部衝撃に対してキャパシタの信頼性を維持する役割を果たすことができる。
【0036】
内部電極121、122は第1及び第2内部電極を含み、上記第1内部電極121に含まれたセラミック121aの面積分率は、上記第2内部電極122に含まれたセラミック122aの面積分率より高い。これは、第2内部電極122及び誘電体層111の厚さを薄く形成するための構成であって、下記に詳細に説明する。
【0037】
誘電体層111及び内部電極121、122を薄層化するための従来の一般的な方法としては、セラミックシートを薄くキャストし、内部電極を形成するための導電性ペーストを薄く印刷して焼成する方法がある。しかし、このような方法では、焼成時に全方向において収縮が起こるため、電極の切れが発生する恐れがあり、薄いセラミックシートの欠陥によりショート不良率が増加する恐れがあった。
【0038】
これに対し、本発明では、単に導電性ペーストを薄く印刷し、セラミックシートを薄くするのではなく、焼成時の収縮挙動を制御することにより、誘電体層及び内部電極の薄層化を達成することができる。
【0039】
焼成時には一般的にX方向、Y方向、Z方向のすべてにおいて15~25%の収縮が起こるが、本発明では、拘束焼結(constrained sintering)技術を応用して、殆どの収縮がZ方向(厚さ方向)において起こるようにすることで、誘電体層及び内部電極の薄層化を達成することができる。拘束焼結(constrained sintering)とは、焼成時に焼結対象物の上下に収縮しない板を突き合わせて焼結を行うことで、焼結対象物の収縮が殆ど上下方向において起こるようにすることを意味する。
【0040】
本発明では、第1内部電極121を形成するための導電性ペーストの焼結温度と第2内部電極122を形成するための焼結温度が異なるように制御する。したがって、第1内部電極121は低温で焼結されて物理的に硬くなり、第1内部電極121が焼結される温度より高い温度で焼結される第2内部電極122及び誘電体層111が焼結収縮するとき、厚さ方向に第2内部電極122及び誘電体層111の収縮が加速されるように誘導することができる。これにより、第2内部電極122及び誘電体層111を薄く形成することができる。
【0041】
焼結温度は、内部電極内にトラップされるセラミックの面積%に影響を与える。例えば、導電性ペーストの焼結温度が低い場合、導電性ペーストに共材として含まれるセラミックが内部電極の外部に排出される前に焼成が完了し、内部電極内にトラップされたセラミックの面積分率が高くなり、導電性ペーストの焼結温度が高い場合、導電性ペーストに共材として含まれるセラミックが殆ど内部電極の外部に排出されるため、内部電極内にトラップされたセラミックの面積分率が低くなる。
【0042】
このとき、第1内部電極121に含まれたセラミック121aの面積分率は1~5面積%であり、上記第2内部電極122に含まれたセラミック122aの面積分率は0.5面積%以下であることができる。
【0043】
第1及び第2内部電極121、122に含まれたセラミックの面積分率は、本体110の長さ-厚さ(X-Z)方向の断面を観察して測定されたものであることができる。例えば、第1及び第2内部電極121、122に含まれたセラミックの面積分率は、本体110の幅Y方向の中央における長さ-厚さ(X-Z)方向の断面において、第1内部電極の全体面積のうちセラミックが占める面積と、第2内部電極の全体面積のうちセラミックが占める面積を測定した値であることができる。正確な比較のために、第1及び第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率は、同一の断面上で観察することが好ましく、面積分率は、本体110の長さ-厚さ(X-Z)方向の断面上で内部電極を2μmの長さ単位で分割した後、観察及び測定した平均値であることができる。
【0044】
第1内部電極121に含まれたセラミック121aの面積分率が1面積%未満の場合には、第1内部電極121と第2内部電極122の焼結温度の差が大きくないことを意味するため、第1及び第2内部電極は同様の温度で焼結されて拘束焼結が十分に行われない可能性がある。
【0045】
これに対し、第1内部電極121に含まれたセラミックの面積分率121aが5面積%を超える場合には、内部電極内の非電極領域が増加することがあり、静電容量を確保することが困難になる。また、第1内部電極121の厚さが厚くなることによって、第2内部電極122の厚さを減少させた効果が相殺され、積層型キャパシタの小型化を達成することが困難になる。
【0046】
したがって、第1内部電極に含まれたセラミックの面積分率は1~5面積%であることが好ましく、1.5~4面積%であることがより好ましい。
【0047】
一方、第2内部電極122に含まれたセラミック122aの面積分率が0.5面積%を超える場合には、第2内部電極122と第1内部電極121の焼結温度の差が大きくないことを意味するため、第1及び第2内部電極は同様の温度で焼結されて拘束焼結が十分に行われない可能性がある。
【0048】
このとき、第1内部電極121の厚さt1は、第2内部電極122の厚さt2より厚くてもよい。これは上述のように、第2内部電極122が、最初に焼結されて硬くなった第1内部電極121による拘束焼結の効果を受けるためである。
【0049】
また、上記第1内部電極121の厚さをt1、上記第2内部電極122の厚さをt2と定義するとき、1.05≦t1/t2≦1.6を満たすことができる。
【0050】
t1/t2が1.05未満の場合には、第2内部電極122に対する薄層化効果が不十分となる可能性がある。これに対し、t1/t2が1.6を超える場合には、第1内部電極の厚さt1が厚すぎるため、キャパシタの小型化を達成することが困難になり、第2内部電極の厚さt2が薄くなりすぎて電極連結性が低くなり、静電容量が減少する恐れがある。
【0051】
また、第1内部電極の厚さt1は0.2~1.0μmであり、第2内部電極122の厚さt2は0.14~0.95μmであることができる。第2内部電極122を薄く形成することによって、キャパシタ全体の小型化を達成することができる。
【0052】
また、誘電体層の厚さtdは0.14~0.95μmであることができる。誘電体層111も、第2内部電極が拘束焼結されるのと同一の原理で厚さを薄く形成することができる。誘電体層111の厚さを薄く形成することによって、キャパシタ全体の小型化を達成することができる。また、誘電体層の成形フィルムを焼結前に厚く維持し、焼結段階で厚さ方向に収縮を誘導するため、成形フィルムが薄いために発生し得る成形フィルム内の欠陥及び積層不良を低減させるとともに誘電体層を薄層化することができる。誘電体層の厚さtdが0.95μmを超える場合には、薄層化効果が低下する恐れがあり、0.14μm未満の場合は、耐電圧特性及び信頼性が低下する恐れがある。
【0053】
上述のように、第2内部電極122及び誘電体層111を拘束焼結(constrained sintering)して厚さを薄くするために、第1内部電極121は、第2内部電極122を形成する導電性ペーストより焼結温度が低い導電性ペーストを用いて形成されることができる。
【0054】
このとき、第1及び第2内部電極121、122は、導電性金属粉末及びセラミック共材を含む導電性ペーストによって形成され、第1内部電極121を形成するための導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末の平均粒径は、第2内部電極122を形成するための導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末の平均粒径より小さくてもよい。
【0055】
また、第1内部電極121は、導電性金属粉末及びセラミック共材を含む導電性ペーストによって形成され、上記導電性金属粉末の平均粒径は100nm以下であることができる。一般的に、内部電極を薄く形成するために使用される導電性粉末は、100~200nmサイズのNi粉末を使用し、導電性金属粉末の平均粒径が小さくなるほど焼結温度が低くなる。したがって、第2内部電極より焼結温度を低くするために第1内部電極に使用される導電性金属粉末の平均サイズは100nm以下であることが好ましい。
【0056】
また、第1内部電極121はCu、Si、及びAlの中から選択された1種以上と合金化したNi合金を含むことができる。これは、Cu、Si、及びAlの中から選択された1種以上と合金化したNi合金が、第1内部電極121の焼結温度を下げて早期収縮を可能にするためである。
【0057】
一方、第2内部電極122はW、Cr、及びCoの中から選択された1種以上と合金化したNi合金を含むことができる。W、Cr、及びCoの中から選択された1種以上と合金化したNi合金は、第2内部電極122の焼結温度を上昇させて収縮を遅らせる役割を果たす。
【0058】
また、第2内部電極122は、導電性金属粉末及びセラミック共材を含む導電性ペーストによって形成され、上記導電性金属粉末は硫黄(S)またはカーボンCでコーティングされたものであることができる。これは、導電性金属粉末が硫黄(S)またはカーボンCでコーティングされた場合、焼結温度を上昇させて収縮を遅らせることができるためである。
【0059】
また、第2内部電極122は、Ni結晶粒、上記Ni結晶粒の内部に分布されたセラミック、上記Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層、及び上記セラミックを取り囲む第2コーティング層を含むことができる。
【0060】
Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層は、Ni結晶粒が外部に成長することを抑制し、第2コーティング層が形成されたセラミックは、Ni粒子の動きを抑制することにより、内部電極の球状化及び内部電極の切れを抑制し、第2内部電極が薄く形成されるようにすることができる。
【0061】
また、Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層は、第2内部電極の焼結温度を上昇させて収縮を遅らせることにより、第2内部電極が早期収縮された第1内部電極による拘束焼結の効果を受けて、第2内部電極が薄く形成されるようにすることができる。
【0062】
このとき、第1及び第2コーティング層は、Niより融点が低く、Niに固溶(solid solution)し難く、かつNiとの濡れ性が良い金属を含むことができる。このような金属を内部電極を形成するために導電性ペーストに追加することにより、焼成過程でNi結晶粒の表面を均一にコーティングすることができ、セラミックの表面も均一にコーティングすることができる。
【0063】
例えば、Niより融点が低く、Niに固溶せず、かつNiとの濡れ性が良い金属としては、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeなどがある。
【0064】
これにより、上記第1及び第2コーティング層は、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeの中から選択された1種以上を含むことができる。
【0065】
さらに、上述の第1内部電極の焼結温度を下げる方案及び第2内部電極の焼結温度を高める方案を組み合わせることにより、第2内部電極122及び誘電体層111の厚さをより薄く形成することができる。
【0066】
一方、第1内部電極121の個数は2個以上であり、第2内部電極122は上記2個以上の第1内部電極121の間に配置されることができる。
【0067】
これは、第1内部電極による拘束焼結(constrained sintering)の効果を得るためであり、第1内部電極の間に第2内部電極が配置されるようにするために、第1内部電極は少なくとも2個以上存在することができる。
【0068】
例えば、誘電体層を挟んで第1内部電極、第2内部電極、第2内部電極、第2内部電極、第2内部電極、第1内部電極の順に配置されることができる。
【0069】
他の例としては、誘電体層を挟んで第2内部電極、第2内部電極、第1内部電極、第2内部電極、第2内部電極、第2内部電極、第1内部電極、第2内部電極、第1内部電極、第2内部電極の順に配置されることもできる。
【0070】
この場合、複数の第1内部電極121間の極性が異なることがあり、複数の第2内部電極122間の極性が異なることがある。
【0071】
さらに、第1及び第2内部電極121、122は、誘電体層111を挟んで交互に配置され、上記本体の両端面を介して交互に露出することもできる。すなわち、第1及び第2内部電極121、122は、誘電体層111を挟んで上記第3及び第4面3、4を介して交互に露出するように配置されることができる。これにより、製造工程を単純化することができ、拘束焼結の効果をさらに向上させることができる。
【0072】
この場合、複数の第1内部電極121間の極性は同一であることができ、複数の第2内部電極122間の極性は同一であることができる。
【0073】
外部電極131、132は本体110に配置され、内部電極121、122と連結される。図2に示された形態のように、第1及び第2内部電極121、122とそれぞれ接続されるように本体の第3及び第4面3、4にそれぞれ配置される第1及び第2外部電極131、132を含むことができる。本実施形態では、積層型キャパシタ100が2個の外部電極131、132を有する構造について説明しているが、外部電極131、132の個数や形状などは、内部電極121、122の形態やその他の目的に応じて変更されることができる。
【0074】
一方、外部電極131、132は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。
【0075】
例えば、外部電極131、132は、本体110に配置される電極層131a、132aと、電極層131a、132a上に形成された第1めっき層131b、132bと、第1めっき層131b、132b上に形成された第2めっき層131c、132cと、を含むことができる。
【0076】
より具体的には、電極層131a、132aは導電性金属及びガラスを含む焼成電極であることができ、導電性金属はCuであることができる。また、電極層131a、132aは複数の金属粒子及び導電性樹脂を含む樹脂系電極であることができる。
【0077】
第1めっき層131b、132bはNiめっき層であることができ、第2めっき層131c、132cはSnめっき層であることができるが、これに限定されるものではない。
【0078】
図4は比較例である従来の一般的な積層型キャパシタの焼成過程を順に示した図である。図5は発明例である本発明の一側面による積層型キャパシタの焼成過程を順に示した図である。
【0079】
図4の(a)及び図5の(a)は内部電極が印刷されたセラミックシートを積層した状態を示し、図4の(b)及び図5の(b)は焼成が行われている状態を示し、図4の(c)及び図5の(c)は焼成が完了した状態を示している。
【0080】
図4のように、セラミックシート311上に同一の導電性ペーストを用いて内部電極を印刷し積層した場合には、温度を上昇させながら内部電極の焼成を行うことにより、第1内部電極321'及び第2内部電極322'が同時に焼結され、全方向において第1内部電極321'、第2内部電極322'、誘電体層311'の収縮が起こる。これにより、焼成が完了した後、第1内部電極の厚さt11及び第2内部電極の厚さt21は同一である。
【0081】
これに対し、図5のように、第2内部電極を形成する導電性ペースト422より焼結温度が低い導電性ペースト421を用いて第1内部電極を形成する場合には、温度を上昇させながら内部電極の焼成を行うことにより、第1内部電極421'が最初に焼結されて硬くなり、高い温度で焼結される第2内部電極422'及び誘電体層411'が焼結収縮するとき、厚さ方向に第2内部電極422'及び誘電体層411'の収縮が加速されるように誘導する。これにより、第2内部電極の厚さt22が第1内部電極の厚さt12より薄く形成される。
【0082】
また、第1内部電極421''に含まれたセラミックの面積分率は、第2内部電極422''に含まれたセラミックの面積分率より高いことが確認できる。
【0083】
また、図4の(c)における第2内部電極の厚さt21及び誘電体層の厚さtd1より、図5の(c)における第2内部電極の厚さt22及び誘電体層td2の厚さがそれぞれより薄く形成されることが確認できる。
【0084】
図4及び図5の導電性ペースト322、422としては、平均粒径が150nmであるNi粉末及びNi粉末に対して10wt%のセラミック粉末を含む導電性ペーストを用いた。また、図5の導電性ペースト421としては、平均粒径が80nmであるNi粉末及びNi粉末に対して10wt%のセラミック粉末を含む導電性ペーストを用いており、他の条件は同一に適用した。
【0085】
図4及び図5によって製造されたキャパシタのサイズを測定した結果、図4によって製造された積層型キャパシタのサイズは、長さ:541μm、幅:318μm、厚さ:306μmであり、図5によって製造された積層型キャパシタのサイズは、長さ:570μm、幅:337μm、厚さ:270μmであった。したがって、本発明の一側面による場合、厚さ方向の収縮挙動が10%以上大きいことが確認できた。
【0086】
図4によって製造された積層型キャパシタ(比較例)及び図5によって製造された積層型キャパシタ(発明例)の長さ、幅、厚さ、第1及び第2内部電極の厚さ、第1及び第2内部電極に含まれたセラミックの面積分率、及び誘電体層の厚さを測定して下記表1に記載した。
【0087】
【表1】
【0088】
以下、本発明の他の一側面による積層型キャパシタ200について詳細に説明する。但し、本発明の一側面による積層型キャパシタと重なる部分は省略して説明する。
【0089】
図6は本発明の変形された実施形態による積層型キャパシタ200のI-I'線(図1のI-I'線と同一)に沿った断面を示した図である。図7図6のB部分を拡大して示した図である。
【0090】
図6及び図7を参照して、変形された実施形態による積層型キャパシタ200について説明すると、第2内部電極222は、Ni結晶粒222a、上記Ni結晶粒の内部に分布されたセラミック222b、上記Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層222d、及び上記セラミックを取り囲む第2コーティング層222cを含む。
【0091】
Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層222dは、Ni結晶粒222aが外部に成長することを抑制し、第2コーティング層222cが形成されたセラミック222bは、Ni粒子の動きを抑制することにより、内部電極の球状化及び内部電極の切れを抑制し、第2内部電極222が薄く形成されるようにすることができる。
【0092】
また、Ni結晶粒を取り囲む第1コーティング層222dは、第2内部電極の焼結温度を上昇させて収縮を遅らせることにより、第2内部電極が早期収縮された第1内部電極による拘束焼結の効果を受けて、第2内部電極が薄く形成されるようにすることができる。
【0093】
Ni結晶粒222a(Ni grain)はNi原子が規則的に配列されて作られた多面体である。
【0094】
セラミック222bは、Niとの濡れ性が良くないため、Ni粒子の移動を抑制して内部電極の球状化を抑制する役割を果たす。セラミック222bは、内部電極を形成するための導電性ペーストに添加されるセラミック共材が焼成後に内部電極内にトラップされたものであることができる。
【0095】
セラミック222bは、Niとの濡れ性が良くないセラミックであれば、その種類を特に限定する必要はない。例えば、セラミック222bは、BaTiO、CaTiO、SrTiO、BaZrO、及びCaZrOの中から選択された1種以上を含むことができる。
【0096】
第1コーティング層222dは、Ni結晶粒222aを取り囲んでいる。すなわち、第1コーティング層はNiの結晶粒界(Grain Boundary)に存在する。第1コーティング層222dは、Ni結晶粒222aが外部に成長することを抑制することにより、内部電極の切れを抑制し、かつ内部電極の球状化を抑制する役割を果たす。
【0097】
第2コーティング層222cは、Ni結晶粒内に存在するセラミック222bの外部を取り囲んでいる。
【0098】
第2コーティング層222cは、Ni結晶粒内に存在するセラミック222b同士が接触してセラミック222bの大きさが大きくなることを抑制する役割を果たす。
【0099】
このとき、第1及び第2コーティング層は、Niより融点が低く、Niに固溶(solid solution)し難く、かつNiとの濡れ性が良い金属を含むことができる。このような金属を内部電極ペーストに追加することにより、焼成過程でNi結晶粒の表面を均一にコーティングすることができ、セラミックの表面も均一にコーティングすることができる。
【0100】
例えば、Niより融点が低く、Niに固溶せず、かつNiとの濡れ性が良い金属としては、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeなどがある。
【0101】
これにより、上記第1及び第2コーティング層は、Ag、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge、及びTeの中から選択された1種以上を含むことができる。
【0102】
さらに、本発明の一側面による積層型キャパシタで説明した第1内部電極の焼結温度を下げる方案及び第2内部電極の焼結温度を高める方案を組み合わせることにより、第2内部電極222及び誘電体層の厚さをより薄く形成することができる。
【0103】
本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定する。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【符号の説明】
【0104】
100 積層型キャパシタ
110 本体
111 誘電体層
112、113 カバー層
121、122 内部電極
131、132 外部電極
t1 第1内部電極の厚さ
td 誘電体層の厚さ
t2 第2内部電極の厚さ
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7