特許 7178216 表示装置、及び表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-11-16

(45)【発行日】2022-11-25

(54)【発明の名称】表示装置、及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/22 20060101AFI20221117BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20221117BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20221117BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20221117BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20221117BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20221117BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20221117BHJP

【ＦＩ】

H05B33/22 Z

H05B33/10

H05B33/14 A

H05B33/12 B

H01L27/32

G09F9/30 365

G09F9/30 309

G09F9/00 338

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2018164352

(22)【出願日】2018-09-03

(65)【公開番号】P2020038758

(43)【公開日】2020-03-12

【審査請求日】2021-09-03

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】原田 圭輔

【審査官】酒井 康博

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１２４９３３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－１１３１０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１５１８３８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０３４５８８１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１３１６８３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－２５３０３６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ５１／５０－５１／５６

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０９Ｆ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の自発光素子が形成された表示領域を備えた素子基板と、
前記表示領域の外側に形成され、断面が凸形状の外側バンクと、
前記表示領域において前記複数の自発光素子を覆う無機封止層と、を含み、
前記外側バンクは、前記素子基板の端部に形成されており、
前記無機封止層は、前記外側バンクの前記表示領域側の側面に形成され、前記外側バンクの頂部の少なくとも一部分、及び前記素子基板の端部には形成されておらず、
前記素子基板の上面と前記外側バンクの上面との距離は、前記素子基板の上面と前記無機封止層の上面との距離よりも大きい、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載の表示装置において、
前記外側バンクは、前記素子基板の端部に沿って連続的に形成されている
ことを特徴とする表示装置。

【請求項3】

請求項１又は２に記載の表示装置において、
前記表示領域から離れている接触領域において回路基板と接触する配線を更に含み、
前記外側バンクは、前記表示領域と、前記接触領域との間の位置に形成されており、
前記無機封止層は、前記外側バンクの前記接触領域側の側面には形成されていない
ことを特徴とする表示装置。

【請求項4】

請求項１乃至３のいずれか１つに記載の表示装置において、
前記外側バンクの前記側面に形成される前記無機封止層の厚さは、前記頂部に向かって徐々に薄くなっている
ことを特徴とする表示装置。

【請求項5】

請求項１乃至４のいずれか１つに記載の表示装置において、
前記表示領域と前記外側バンクとの間に形成され、断面が凸形状の中間バンクを更に含み、
前記外側バンクの頂部は、前記中間バンクの頂部よりも上方に位置し、
前記無機封止層は、前記複数の自発光素子と前記中間バンクとを連続的に覆うように形成されており、前記外側バンクの頂部の少なくとも一部分には形成されていない
ことを特徴とする表示装置。

【請求項6】

表示領域に複数の自発光素子が形成された素子基板を用意する工程と、
前記表示領域の外側に断面が凸状の外側バンクを形成する外側バンク形成工程と、
前記外側バンクの上に、開口が形成されたマスクを配置するマスク工程と、
前記マスク工程よりも後に、前記複数の自発光素子を覆う無機封止層を、前記表示領域と、前記外側バンクの頂部の少なくとも一部分を除く前記表示領域側の側面に形成する無機封止層形成工程と、
を含み、
前記外側バンクは、前記素子基板の上面と前記外側バンクの上面との距離が前記素子基板の上面と前記無機封止層の上面との距離よりも大きくなるように形成される、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置では、表示領域に形成された複数の自発光素子に水分や埃が浸透するのを防止するために、表示領域を封止層で覆うことがある。下記特許文献１乃至４では、封止層は、無機材料で形成される２つの無機封止層を含み、その間に有機材料で形成される有機封止層が配置された３層構造を有している。

【0003】

有機封止層は、表示領域に配置され、表示領域の平坦性を向上させるために粘度の低い材料で形成される。下記特許文献１乃至４では、有機封止層が表示領域の外側にあふれ出ることを抑えるため、基板から上方に盛り上がり表示領域の外側を囲う第１外側バンクと、その第１外側バンクの更に外側を囲う第２、第３の外側バンクが形成されている。最上層の無機封止層とその直下の無機封止層は、有機封止層を含む表示領域、並びに第１乃至第３の外側バンクを含む表示領域の外側を覆い、表示領域の外側で互いに接触している。これらの無機封止層は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】米国特許出願公開第２０１５／２２８９２７号明細書

【文献】米国特許出願公開第２０１６／３１５２８４号明細書

【文献】米国特許出願公開第２０１６／３０７９７１号明細書

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０５３９７３号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

表示装置において、ＣＶＤにより無機封止層を形成されることが好ましくない領域がある。例えば、表示領域の外側で複数の発光素子よりも下層に設けられる配線に制御用の回路基板（フレキシブルプリント回路基板：ＦＰＣ）を取り付ける領域では、その上層の絶縁層である無機封止層をスパッタリングなどにより除去する必要がある。また、例えば、複数の製品領域を含む一枚の積層構造体をレーザーやカッターなどでカットすることで複数の表示装置を切り出す製造方法では、カットの際にその切断線に無機封止層が残っていると、レーザーの熱やカッターの応力などにより無機封止層に生じた罅が、その無機封止層を伝って広がる恐れがある。このため、個々の表示装置を切り出す工程の前に、予め切断線に沿って無機封止層を除去しておく必要がある。

【0006】

発明者らは、ＣＶＤにより無機封止層を形成する際に、無機封止層が不要な領域を予めマスクで覆う製造方法（マスクＣＶＤ）を検討している。しかし、無機封止層を堆積させる層とマスクとの間に隙間が生じている場合、この隙間から無機材料が入り込み、マスクで覆った領域にも無機封止層が形成される可能性がある。即ち、表示装置において無機封止層が不要な領域にも、無機封止層が形成される恐れがある。

【0007】

本発明の目的の一つは、表示装置において無機封止層が不要な領域に、無機封止層が形成されることを防止することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明に係る表示装置は、複数の自発光素子が形成された表示領域を備えた素子基板と、前記表示領域の外側に形成され、断面が凸形状の外側バンクと、前記表示領域において前記複数の自発光素子を覆う無機封止層と、を含み、前記無機封止層は、前記外側バンクの前記表示領域側の側面に形成され、前記外側バンクの頂部の少なくとも一部分には形成されていないことを特徴とする。

【0009】

本発明に係る表示装置の製造方法は、表示領域に複数の自発光素子が形成された素子基板を用意する工程と、前記表示領域の外側に形成され、断面が凸状の外側バンクを形成する外側バンク形成工程と、前記外側バンクの上に、開口が形成されたマスクを配置するマスク工程と、前記マスク工程よりも後に、前記複数の自発光素子を覆う無機封止層を、前記表示領域と、前記外側バンクの頂部の少なくとも一部分を除く前記表示領域側の側面に形成する無機封止層形成工程と、を含むことを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。

【図2】本発明の実施形態に係る表示装置の画素の回路図である。

【図3】図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。

【図4】本発明の実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。

【図5】図１のＶ－Ｖ線における表示装置の模式的な断面図である。

【図6】図１のＶＩ－ＶＩ線における表示装置の模式的な断面図である。

【図7】本発明の実施形態に係る表示装置の製造工程における模式的な平面図である。

【図8A】本発明の実施形態に係る表示装置の製造工程における模式的な断面図である。

【図8B】本発明の実施形態に係る表示装置の製造工程における模式的な断面図である。

【図8C】本発明の実施形態に係る表示装置の製造工程における模式的な断面図である。

【図8D】本発明の実施形態に係る表示装置の製造工程における模式的な断面図である。

【図9】本発明の実施形態に係る表示装置の製造工程における模式的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。なお、本開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状などについて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0012】

［１．本発明の実施形態に係る表示装置の構造］
図１は、本実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。図１に示すように、表示装置１は、複数の自発光素子を構成する素子基板２の上に、後述するタッチセンサ５０や偏光板６０、対向基板３を重ねることで形成される。表示装置１には、画像を表示するための領域であり複数の画素１００がマトリクス状に設けられている表示領域５と、表示領域５の外側の領域である額縁領域６と、額縁領域６の外側で表示装置１を湾曲可能に形成される湾曲領域７と、湾曲領域７の外側で図示しない制御用の回路基板（例えば、フレキシブルプリント回路基板：ＦＰＣ）が取り付けられる領域である取付領域８とを有している。湾曲領域７及び取付領域８は、表示領域５から離れている領域である。取付領域８に取り付けられる回路基板にはＩＣドライバチップが搭載される。ＩＣドライバチップは、回路基板に搭載されず、取り付け領域８に回路基板と共に取り付けられてもよい。

【0013】

図２は、表示装置１の画素１００の回路図である。表示装置１は、素子基板２の表示領域５にマトリクス状に設けられた各画素をＩＣドライバチップで制御することによって画像を表示する。ＩＣドライバチップは、それぞれ走査信号線１０１と映像信号線１０２とを介して、映像信号と走査信号とを各画素１００に発信する。ここで、走査信号線１０１は、１つの行に並ぶ画素１００のトランジスタについて共通する配線であり、映像信号線１０２及び電源線１０３は、１つの列に並ぶ画素１００について共通する配線である。電源線１０３には、電源の電圧が印加される。走査信号線１０１は、画素トランジスタＳＳＴのゲート（電極２０２：図４）に電気的に接続され、映像信号線１０２は、画素トランジスタＳＳＴのソース又はドレイン（電極２０３：図４）に電気的に接続される。また、電源線１０３は、駆動トランジスタＤＲＴのソース又はドレイン（電極３０３：図４）に接続される。画素トランジスタＳＳＴ及び駆動トランジスタＤＲＴは、例えば、ｐ型チャネル又はｎ型チャネルの電界効果トランジスタである。各画素１００の光を出射する自発光素子ＯＬＥＤの陽極（下部電極３１：図３）は、駆動トランジスタＤＲＴのドレイン又はソース（電極３０４：図４）に電気的に接続される。また、自発光素子ＯＬＥＤの陰極（上部電極３３：図３）には、接地電位又は負電位が入力される。

【0014】

自発光素子ＯＬＥＤが発光するまでのプロセスを説明する。まず、走査信号線１０１に走査信号が印加されると、画素トランジスタＳＳＴがオン状態となる。この状態で映像信号線１０２に映像信号が印加されると、保持容量Ｃｓに映像信号に応じた電圧が書き込まれ、駆動トランジスタＤＲＴがオン状態となる。ここで、駆動トランジスタＤＲＴのソース又はドレインには、電源線１０３を介して、自発光素子ＯＬＥＤを発光させるための電源の電圧が印加さているため、駆動トランジスタＤＲＴがオン状態となると、映像信号電圧の大きさに応じた電流が自発光素子ＯＬＥＤに流れて、自発光素子ＯＬＥＤが発光する。

【0015】

図３乃至図６は、表示装置１の模式的な断面図である。図３、図５は表示領域５及び額縁領域６での断面を示しており、図４は表示領域５での断面を示している。また、図６は額縁領域６、湾曲領域７、及び取付領域８での断面を示している。図３は図１で横方向に伸びるＩＩＩ－ＩＩＩ線における断面を示している。図５は図１で縦方向に伸びるＶ－Ｖ線における断面を示しており、湾曲領域７及び取付領域８と接する側での断面を示している。図６は図１で縦方向に伸びるＶＩ－ＶＩ線における断面を示している。

【0016】

図３乃至図５に示すように、表示装置１は、表示領域５における画像の表示を実現するための複数の層を挟み、素子基板２と対向基板３とを貼り合わせた構造になっている。素子基板２はポリイミドなどの可撓性を有する絶縁材料からなり、表示領域５、額縁領域６、湾曲領域７、及び取付領域８の全域に亘って形成されている。また、対向基板３は透明な材料からなり、表示領域５、及び額縁領域６に亘って形成されている。対向基板３は、例えば、樹脂やガラスなどの硬質な材料により形成されてよいし、素子基板２と同様に可撓性を有する絶縁材料により形成されてもよい。

【0017】

素子基板２の上には、回路層１０と、パッシベーション層１１と、平坦化層２１と、バンク２３と、下部電極３１と、発光層３４と、上部電極３５とが積層されている。また、素子基板２には、上部電極３５の上側に連続的に載るように設けられたバリア構造４０が形成されている。また、バリア構造４０の上には、タッチセンサ５０と、タッチセンサ５０を覆う保護層５１が形成されており、さらにその上では、粘着層６１によって偏光板６０が貼り付けられている。対向基板３は、偏光板６０の上側を覆っている。

【0018】

図４に示すように、回路層１０には、複数の画素トランジスタＳＳＴと、複数の駆動トランジスタＤＲＴが配置されている。各画素トランジスタＳＳＴと各駆動トランジスタＤＲＴは、表示領域５において画像を構成する複数の画素１００とそれぞれ対応する位置に配置されている。画素トランジスタＳＳＴは、半導体２０１と、画素トランジスタＳＳＴのゲートとして寄与する電極２０２と、画素トランジスタＳＳＴのソース又はドレインとして寄与する電極２０３と、容量電極２０４とを含んでいる。また、駆動トランジスタＤＲＴは、半導体３０１と、駆動トランジスタＤＲＴのゲートとして寄与する電極３０２と、駆動トランジスタＤＲＴのソース又はドレインとして寄与する電極３０３，３０４とを含んでいる。駆動トランジスタＤＲＴの電極３０４には、後述する下部電極３１が接続している。容量電極２０４は、上下方向において重畳する駆動トランジスタＤＲＴの半導体３０１との間で、保持容量Ｃｓを構成している。

【0019】

また、回路層１０には、素子基板２の上に積層する複数の絶縁層が形成されている。回路層１０は、アンダーコート層４００と、第１乃至第４の層間絶縁膜４０１乃至４０４とを含んでいる。アンダーコート層４００、及び第１乃至第４の層間絶縁膜４０１乃至４０４は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やシリコン窒化物（ＳｉＮｙ）などの無機の絶縁材料で形成される。アンダーコート層４００は、画素トランジスタＳＳＴの半導体２０１と素子基板２との間に配置され、素子基板２を覆っている。第１の層間絶縁膜４０１は、画素トランジスタＳＳＴの半導体２０１と、電極２０２及び容量電極２０４との間を覆っている。第２、第３の層間絶縁膜４０２，４０３は、画素トランジスタＳＳＴの電極２０２及び容量電極２０４と、駆動トランジスタＤＲＴの半導体３０１との間を覆っている。第４の層間絶縁膜４０４は、駆動トランジスタＤＲＴの半導体３０１と、電極３０２との間を覆っている。

【0020】

パッシベーション層１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やシリコン窒化物（ＳｉＮｙ）などの無機の絶縁材料で形成されており、回路層１０の上側（より具体的には、駆動トランジスタＤＲＴ電極３０２の上側）を覆っている。また、後述する第１中間バンク２２ａと平坦化層２１との間では、回路層１０に形成された配線１２ａ（図３を参照）、配線１２ｂ（図５を参照）がパッシベーション層１１から露出している。

【0021】

図５、図６に示すように、回路層１０は、表示領域５と、額縁領域６と、取付領域８とに形成されており、湾曲領域７には形成されていない。湾曲領域７には、回路層１０と同層に樹脂などの有機の絶縁材料からなる絶縁膜２８が形成されている。絶縁膜２８は、可撓性を有する材料により形成されてよい。このように湾曲領域７に回路層１０を配置しないことで、表示装置１が湾曲領域７において曲げられた際に回路層１０が曲げられることを防止している。また、湾曲領域７の絶縁膜２８の上には、配線７０が形成されている。配線７０は、パッシベーション層１１を貫通し、額縁領域６に形成される回路層１０と、取付領域８に形成されている回路層１０とを電気的に接続している。配線７０は、湾曲できるように形成されている。

【0022】

また、取付領域８には、パッシベーション層１１から露出する配線８０が形成されている。配線８０は、回路層１０と接触しており、取付領域８に取り付けられる回路基板（例えば、ＦＰＣ）やＩＣドライバチップなどと電気的に接続する。

【0023】

図３乃至図５に示すように、パッシベーション層１１の上には、樹脂などの有機の絶縁材料からなる平坦化層２１が積層されている。また、額縁領域６において、平坦化層２１の外側を囲うように、ダム構造２２が形成されている。これは、後述する有機封止層４２や保護層５１が表示装置１の端部にあふれ出ることを防止するためのものである。

【0024】

ダム構造２２は、平坦化層２１の外側を囲う第１中間バンク２２ａと、その外側を囲う第２中間バンク２２ｂとを有している。第１中間バンク２２ａの断面と第２中間バンク２２ｂの断面は、何れも凸形状に形成されている。このように額縁領域６に二重のダムを形成することで、一重のダムが形成される場合に比べて、有機封止層４２があふれ出ることをより確実に防止することができる。なお、第１中間バンク２２ａと第２中間バンク２２ｂは、平坦化層２１と同層に形成されている。第１中間バンク２２ａと第２中間バンク２２ｂは、平坦化層２１と同じ有機の絶縁材料（例えば、樹脂）により形成されてよい。また、第１中間バンク２２ａと第２中間バンク２２ｂは、表示領域５と後述する外側バンク９０との間に形成されている。

【0025】

また、図６に示すように、ダム構造２２の外側において、平坦化層２１と同層に、樹脂などの有機の絶縁材料からなる絶縁膜２６，２７が形成されている。絶縁膜２６は、額縁領域６に形成されており、絶縁膜２７は、湾曲領域７において配線７０を覆っている。絶縁膜２７には、樹脂などの有機の絶縁材料からなる調整用の絶縁膜２９が載っている。絶縁膜２７，２９は、可撓性を有する材料により形成されてよい。調整用の絶縁膜２９は、絶縁膜全体における配線７０の位置を調整するためのものである。曲げ応力の中立面に配線７０を近づけることで、表示装置１の曲げにより配線７０に発生する引張り応力（または、圧縮応力）をゼロに近づけることができる。

【0026】

図３乃至図５に示すように、平坦化層２１の上には、所与の導電材料からなる複数の下部電極３１が積層されている。図４に示すように、平坦化層２１には、コンタクトホールＣＨが形成されており、この穴を通して後述する下部電極３１が駆動トランジスタＤＲＴのドレイン又はソースを構成する電極３０４に接続している。複数の下部電極３１は、平面的に見て、複数の画素１００とそれぞれ対応する位置に配置されている。複数の下部電極３１は、平坦化層２１の上側に一枚の導電材料を形成し、エッチング処理などにより各画素１００の間で互いに切り離されることで形成されてよい。

【0027】

本実施形態では、下部電極３１は陽極（アノード）として構成される。回路層１０に含まれる駆動トランジスタＤＲＴにより、下部電極３１には正電位が入力される。なお、後述する上部電極３５は陰極（カソード）として構成され、接地電位又は負電位が入力される。

【0028】

また、額縁領域６における平坦化層２１の上には、所与の導電材料からなる導電部３２ａ（図３を参照）、導電部３２ｂ（図５を参照）が積層されている。導電部３２ａ，３２ｂは、下部電極３１と同層に形成されている。導電部３２ａ，３２ｂは、下部電極３１と同じ導電材料により形成されてよい。導電部３２ａ，３２ｂは、パッシベーション層１１上の電極３０４（図４を参照）と同層の配線１２ａ，１２ｂにそれぞれ接触される。また、導電部３２ａ，３２ｂは、後述する上部電極３５に接触している。

【0029】

複数の下部電極３１の間には、樹脂などの有機の絶縁材料からなるバンク２３が形成されている。バンク２３は、各画素１００の外周を囲うように配置されている。より具体的には、バンク２３は、各画素１００と対応する位置に配置される各下部電極３１の周囲を覆い、各下部電極３１の端部に載るように設けられている。このようにバンク２３が配置されることで、下部電極３１の縁で後述する発光層３４が途切れることを防ぎ、下部電極３１と、後述する上部電極３５とが短絡することを防止している。

【0030】

また、額縁領域６における第１中間バンク２２ａの上には、樹脂などの有機の絶縁材料からなる補充層２４が積層されている。補充層２４は、バンク２３と同層に形成されてよい。補充層２４を第１中間バンク２２ａに積層することで、第１中間バンク２２ａの高さを上げている。このようにすることで、後述する有機封止層４２があふれ出ることを、補充層２４が形成されていない場合に比べてより確実に防止することができる。

【0031】

下部電極３１及びバンク２３の上には、発光層３４が積層されている。発光層３４は、表示領域５の全域に形成され、下部電極３１及びバンク２３に連続的に載るように設けられている。発光層３４は、複数の画素１００の光を出射するものであり、ホール注入層、ホール輸送層、ホールブロック層、電子輸送層などを含んでもよい。

【0032】

表示領域５に含まれる複数の画素１００のそれぞれに対応する光は、回路層１０に含まれる駆動トランジスタＤＲＴを介して、下部電極３１、発光層３４、及び上部電極３５のそれぞれに電流が流れることで、発光層３４の当該画素１００に対応する部分から出射される。即ち、素子基板２に形成され、それぞれが画素１００の光を出射する複数の自発光素子ＯＬＥＤは、複数の下部電極３１、及び、これらを覆う発光層３４と上部電極３５により構成されている。

【0033】

なお、表示装置１が対向基板３側に画素１００の光を出射する場合（いわゆるトップエミッション方式を採用する場合）、発光層３４の上方に配置される各層は、透明または半透明に形成される。この場合、下部電極３１は、金属（例えば、銀（Ａｇ））などの光を反射する材料を含んでもよい。また、複数の領域のそれぞれから出射される光は、発光層３４を部分的に塗り分けることで着色されて良い。この場合、発光層３４は、複数の画素１００毎に予め定められた色（例えば、赤色、緑色、青色の３色や、これに白色を加えた４色）で着色される。この他にも、発光層３４の上方に、複数の画素１００毎に予め定められた色で光を透過するカラーフィルタが設けられてもよい。

【0034】

発光層３４の上には、上部電極３５が積層されている。上部電極３５は、全ての画素１００で共通する電極として構成されており、表示領域５及び額縁領域６の一部分に亘って配置され、発光層３４の全域を覆うように設けられている。上部電極３５は、薄膜の銀を含む材料であるマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料により形成されてよい。

【0035】

本実施形態では、下部電極３１は陽極（アノード）として構成され、上部電極３５は陰極（カソード）として構成される。上部電極３５は、導電部３２ａ，３２ｂ及び配線１２ａ，１２ｂと電気的に接続しており、上部電極３５には、導電部３２ａ，３２ｂ及び配線１２ａ，１２ｂを介して接地電位又は負電位が入力される。

【0036】

上部電極３５の上には、発光層３４や各種電極に対する水分の侵入を防止するためのバリア構造４０が積層されている。バリア構造４０は、表示領域５において複数の下部電極３１、発光層３４、及び、上部電極３５により構成される複数の自発光素子ＯＬＥＤを覆っている。バリア構造４０の詳細については後述する。

【0037】

バリア構造４０（より具体的には、後述する第２無機封止層４３）の上には、タッチセンサ５０が積層されており、さらにその上に保護層５１が形成されている。タッチセンサ５０は、例えば、投影型静電容量方式のタッチセンサであり、表示領域５に対するユーザの指などの接近・接触の有無、及びその位置を検知する。タッチセンサ５０は、表示領域５の全域に形成されており、額縁領域６においてパッシベーション層１１から露出する配線１３と電気的に接続している。保護層５１は、タッチセンサ５０を保護するためのものであり、表示領域５においてタッチセンサ５０の全域を覆っている。保護層５１は、樹脂などの有機の絶縁材料により形成されてよい。保護層５１の端部は、バリア構造２２を構成する断面が凸形状の第１中間バンク２２ａと第２中間バンク２２ｂとの間に形成されているが、バリア構造２２よりも外側には形成されていない。

【0038】

タッチセンサ５０及び保護層５１の上には粘着層６１（糊）が敷かれ、この上に偏光板６０が貼り付けられている。偏光板６０は、表示領域５における外光反射を抑制するためのものであり、例えば、１／４λ板６０ａとその上に配置される直線偏光板６０ｂの積層構造を有する円偏光板として形成されてもよい。偏光板６０の上には、対向基板３が貼り付けられている。

【0039】

表示領域５の外側である額縁領域６には、断面が凸形状の外側バンク９０が形成されている。外側バンク９０は、素子基板２の端部に形成されている。より具体的には、外側バンク９０は、素子基板２の端部に沿って連続的に形成されている。外側バンク９０は、図１に示した領域９ａ及び９ｃに形成されている。本実施形態では、素子基板２は、矩形、または略矩形の形状を有しており、領域９ａは、素子基板２の縦方向に伸びる端部（縦辺）に沿って伸びている領域であり、領域９ｂは、素子基板２の横方向に伸びる端部（横辺）に沿って伸びている領域である。

【0040】

また、外側バンク９０は、表示領域５と取付領域８との間の位置にも形成されている。より具体的には、外側バンク９０は、表示領域５と湾曲領域７との間の位置に形成されている。外側バンク９０は、図１に示した領域９ｃに形成されている。領域９ｃは、表示領域５と湾曲領域７との間の位置で横方向に直線状に伸びている領域である。なお、領域９ｃは、図１に示したように領域９ａと接していてもよいし、領域９ａから離れていてもよい。

【0041】

図３、図５に示すように、外側バンク９０は、上方向に向かうにつれて左右方向の幅が小さくなっていくテーパー形状を有してよい。断面が凸形状に形成される外側バンク９０の先端部分である頂部９１は、第１中間バンク２２ａ（補充層２４）の頂部、及び第２中間バンク２２ｂの頂部よりも、上方に位置してもよい。図３に示すように、素子基板２の端部に形成されている外側バンク９０は、素子基板２の上に直に載っている。素子基板２の端部に形成されている外側バンク９０の頂部９１には、凸形状（例えば、なだらかな山の形状）に対して、切り欠かれた（又は、潰された）形状の端面９１ａが形成されてもよい。また、外側バンク９０の頂部９１及び端面９１ａも、素子基板２の端部に接している。

【0042】

図５に示すように、表示領域５と湾曲領域７との間に形成される外側バンク９０は、平坦化層２１と同層に形成される絶縁膜２６の上に載っている。なお、表示領域５と湾曲領域７との間に形成される外側バンク９０の頂部９１は、なだらかな山の形状になっており、切り欠かれた（又は、潰された）形状の端面９１ａ（図３を参照）は形成されていない。

【0043】

なお、図５に示す例では、表示領域５と湾曲領域７との間には、第２中間バンク２２ｂは形成されていない。図５に示す例の他にも、第２中間バンク２２ｂは、表示領域５と湾曲領域７との間に形成されてもよい。この場合、第２中間バンク２２ｂは、左右方向において第１中間バンク２２ａと外側バンク９０の間であって、且つ、上下方向において絶縁膜２６とバリア構造４０（第１無機封止層４１）との間に形成されてもよい。また、この場合、保護層５１の端部は、バリア構造２２を構成する断面が凸形状の第１中間バンク２２ａと第２中間バンク２２ｂとの間に形成され、第２中間バンク２２ｂと外側バンク９０との間（すなわち、第２中間バンク２２ｂよりも外側）には形成されていない。

【0044】

バリア構造４０の詳細について説明する。バリア構造４０は、第１無機封止層４１と、第２無機封止層４３と、第１無機封止層４１と第２無機封止層４３との間に配置されている有機封止層４２とを有している。第１及び第２の無機封止層４１，４３は、表示領域５に形成されている複数の下部電極３１、発光層３４、及び、上部電極３５により構成される複数の自発光素子ＯＬＥＤを覆っている。第１及び第２の無機封止層４１，４３は、表示領域５に形成される複数の自発光素子ＯＬＥＤと、額縁領域６に形成される第１中間バンク２２ａ、及び第２中間バンク２２ｂとを連続的に覆っている。また、第２無機封止層４３は、第１無機封止層４１の全域を覆っている。

【0045】

第１及び第２の無機封止層４１，４３は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やシリコン窒化物（ＳｉＮｙ）などの無機の絶縁材料により形成されている。また、有機封止層４２は、樹脂などの有機の絶縁材料により形成されている。第１及び第２の無機封止層４１，４３は、有機封止層４２よりも固い材料で形成されている。別の言い方をすると、有機封止層４２は、第１及び第２の無機封止層４１，４３よりも柔らかい材料で形成されている。

【0046】

本実施形態では額縁領域６に二重のダムであるダム構造２２が形成され、有機封止層４２が表示領域５からあふれ出ることを防止している。図３、図５に示すように、有機封止層４２は、ダム構造２２によって囲われた表示領域５に形成されており、表示領域５に対してダム構造２２の外側には形成されていない。有機封止層４２は、少なくとも、断面が凸形状である第２中間バンク２２ｂの頂部には形成されていない。

【0047】

第１及び第２の無機封止層４１，４３は、有機封止層４２の全域を覆うとともに、表示領域５の外側において互いに接することで、有機封止層４２や発光層３４などに水分が侵入することを防止している。図３、図５に示すように、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、第１中間バンク２２ａ（補充層２４）の頂部、及び、第２中間バンク２２ｂの頂部にも形成されている。

【0048】

第１及び第２の無機封止層４１，４３は、断面が凸形状である外側バンク９０の表示領域５側の側面９２に形成され、頂部９１の少なくとも一部分には形成されていない。本実施形態では、外側バンク９０の頂部９１には、第１及び第２の無機封止層４１，４３は形成されていない。また、外側バンク９０の側面９２に形成される第１及び第２の無機封止層４１，４３の厚さは、頂部９１に向かって徐々に薄くなっていてもよい。

【0049】

図３に示すように、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、素子基板２の端部に位置する外側バンク９０の頂部９１（端面９１ａ）には形成されていない。即ち、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、素子基板２の端部には形成されていない。なお、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、外側バンク９０の頂部９１の全てに形成されていなければよく、例えば、頂部９１のうちの一部分にだけ載るようにしてもよい。

【0050】

また、図５及び図６に示すように、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、湾曲領域７、及び取付領域８にも形成されていない。これは、外側バンク９０が、第１及び第２の無機封止層４１，４３の形成時に、無機の材料が湾曲領域７、及び取付領域８に移動することを妨げるためである。このため、外側バンク９０の表示領域５側とは反対側である湾曲領域７側の側面９３にも、第１及び第２の無機封止層４１，４３は形成されていない。

【0051】

仮に、湾曲領域７に、第１及び第２の無機封止層４１，４３のような硬い材料が形成されていると、湾曲領域７において表示装置１を曲げ難くなる。また、取付領域８に、第１及び第２の無機封止層４１，４３のような絶縁材料が形成されていると、ＦＰＣなどの回路基板に対する電気的な接続（接触）を阻害する。そこで、表示領域５と湾曲領域７との間の位置（領域９ｃ）に外側バンク９０を形成することで、湾曲領域７、及び取付領域８に第１及び第２の無機封止層４１，４３が形成されることを防止している。

【0052】

また、表示装置１全体の縦横のサイズを規定する領域（以下、製品領域とも称する）の境界に第１及び第２の無機封止層４１，４３が形成されていると、製品領域の境界に沿って素子基板２をカットする際に、レーザーの熱やカッターの応力などにより第１及び第２の無機封止層４１，４３に罅が生じ、第１及び第２の無機封止層４１，４３で罅が広がる恐れがある。そこで、製品領域の境界（領域９ａ及び９ｂ）にも外側バンク９０を形成することで、製品領域の境界に第１及び第２の無機封止層４１，４３が形成されることを防止している。以下、表示装置１の製造方法について詳しく説明する。

【0053】

［２．本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法］
図７、図８Ａ乃至Ｄ、及び図９は、表示装置１の製造方法を説明するための図である。図７は、表示装置１の製造工程における素子基板２の模式的な平面図であり、図８Ａ乃至Ｄ、及び図７は、表示装置１の製造工程における素子基板２の模式的な断面図である。図８Ａ乃至Ｄは、図７の製品領域と交差して横方向に伸びるＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線における断面を示している。また、図９は、図７の表示領域５と湾曲領域７との間の額縁領域６で縦方向に伸びるＩＸ－ＩＸ線における断面を示している。

【0054】

まず、図７、及び図８Ａに示すように、複数の製品領域を含む一枚の積層構造体としての素子基板２を用意する。図８Ａに示す素子基板２には、複数の表示領域５が形成されており、各表示領域５には、複数の自発光素子ＯＬＥＤ（図２を参照）が形成されている。より具体的には、図８Ａに示す素子基板２には、回路層１０と、パッシベーション層１１と、平坦化層２１と、バンク２３と、下部電極３１と、発光層３４と、上部電極３５と、ダム構造２２（第１中間バンク２２ａ、第２中間バンク２２ｂ、及び補充層２４）が形成されている。ただし、バリア構造４０（第１無機封止層４３、有機封止層４２、及び第２無機封止層４３）と、外側バンク９０と、タッチセンサ５０及び保護層５１と、粘着層６１及び偏光板６０と、対向基板３とは、この時点では形成されていない。

【0055】

次に、図８Ｂに示すように、表示領域５の外側に、断面が凸形状の外側バンク９０を形成する。外側バンク９０は、図７に示した領域９ａ乃至９ｃに形成される。即ち、外側バンク９０は、複数の表示装置１のサイズを規定する製品領域の境界に位置する領域（領域９ａ，９ｂ）に連続的に形成されると共に、表示領域５と湾曲領域７との間の位置で横方向に沿った領域（領域９ｃ）に連続的に形成される。外側バンク９０は、インクジェット法や凹版印刷法などにより形成されてよい。

【0056】

次に、図８Ｃに示すように、外側バンク９０の上に、複数の開口ＯＰが形成されたマスクＭを配置する。マスクＭは、複数の製品領域を含む積層構造体としての素子基板２の全域を覆い、複数の開口ＯＰは、複数の表示領域５とそれぞれ対応する位置に形成されている。それぞれの開口ＯＰは、表示領域５の全域を露出するように形成されている。また、開口ＯＰは、ダム構造２２を露出するように形成されている。

【0057】

次に、第１無機封止層４１と、有機封止層４２と、第２無機封止層４３とを含むバリア構造４０を形成する。より具体的には、表示領域５に、第１無機封止層４１、有機封止層４２、第２無機封止層４３の順番でこれらを積層させることで、複数の自発光素子ＯＬＥＤ（複数の下部電極３１、発光層３４、及び上部電極３５により構成される複数の自発光素子ＯＬＥＤ）を覆う第１の無機封止層４１及び第２の無機封止層４３と、第１の無機封止層４１と第２の無機封止層４３との間に位置する有機封止層４２とを形成する。

【0058】

ここで、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、ＣＶＤにより形成される。より具体的には、マスクＭに形成された複数の開口ＯＰに無機材料が入り込むことで、第１及び第２の無機封止層４１，４３が形成される。ここで、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、表示領域５と、外側バンク９０の頂部９１の少なくとも一部分を除く表示領域５側の側面９２に形成される。第１及び第２の無機封止層４１，４３は、同じマスクＭを用いて形成されてよい。

【0059】

マスクＭは、外側バンク９０の頂部９１と密着する。このようにマスクＭが密着する部分には、無機材料の層は形成されない。このため、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、マスクＭが密着する部分には形成されない。即ち、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、外側バンク９０の頂部９１には形成されない。図７に示すように、外側バンク９０は、製品領域の境界に位置する領域（領域９ａ，９ｂ）に形成されるため、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、少なくとも製品領域の境界には形成されない。

【0060】

なお、マスクＭは、外側バンク９０の頂部９１のうちの一部分と密着してもよい。この場合、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、外側バンク９０の頂部９１の一部分で形成されなくなる。また、外側バンク９０の側面９２では、素子基板２に近い側に無機材料が付着する確率が、頂部９１に近い側に付着する確率よりも高い。このため、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、素子基板２から頂部９１に向かって徐々に薄くなるように形成される。

【0061】

また、図９に示すように、表示領域５と湾曲領域７との間の額縁領域６では、マスクＭに形成された開口ＯＰから入った無機材料は、外側バンク９０によって堰き止められる。このため、外側バンク９０の表示領域５側とは反対側である湾曲領域７側の側面９３には、第１及び第２の無機封止層４１，４３は形成されない。即ち、外側バンク９０に対して表示領域５とは反対側に位置する湾曲領域７、及び取付領域８には、第１及び第２の無機封止層４１，４３は形成されない。なお、図９に示すように、外側バンク９０の頂部とマスクＭとの間を密着させることで、湾曲領域７、及び取付領域８に無機材料が及ぶことを確実に防止し、湾曲領域７、及び取付領域８に、第１及び第２の無機封止層４１，４３が形成されないようにすることをより確実に防止できる。

【0062】

なお、第１無機封止層４１の形成後、第２無機封止層４３の形成前には、有機封止層４２が形成される。有機封止層４２は、液状の有機材料をダム構造２２（特に第１中間バンク２２ａ）によって囲われ、表示領域５の全域を含む枠の内側を満たすように注入することで形成される。また、有機封止層４２の形成後、有機封止層４２を硬化させる。硬化の方法は、有機封止層４２の材料に応じて適宜選択すればよく、例えば、時間経過、溶媒の揮発、ＵＶなどの光、熱による反応やこれらの組み合わせによるものであってもよい。

【0063】

次に、レーザーやカッターなどを用いて個々の製品領域で素子基板２をカットする。図８Ｄに示すように、素子基板２の製品領域の境界に沿って外側バンク９０が形成されるため、素子基板２のカットに伴い、外側バンク９０もカットされる。即ち、レーザーやカッターなどが外側バンク９０を通過するようにして、素子基板２がカットされる。この際、外側バンク９０の頂部９１には、レーザーの熱やカッターの応力などにより、なだらかな山の形状から切り欠かれた（又は、潰された）形状の端面９１ａが形成されてもよい。

【0064】

先述したように、外側バンク９０は、製品領域の境界に位置する領域（領域９ａ，９ｂ：図７を参照）に形成されるため、第１及び第２の無機封止層４１，４３は、製品領域の境界には形成されていない。このため、素子基板２をカットする際に、第１及び第２の無機封止層４１，４３にレーザーやカッターなどが当たることを防ぎ、レーザーの熱やカッターの応力などにより第１及び第２の無機封止層４１，４３に罅が生じることを防止することができる。

【0065】

なお、タッチセンサ５０、偏光板６０、及び対向基板３の形成は、バリア構造４０の形成後（より具体的には、第２無機封止層４３の形成後）に行われる。また、タッチセンサ５０、偏光板６０、及び対向基板３の形成は、素子基板２が個々の製品領域でカットされる前に行われてもよいし、カット後に行われてもよい。

【0066】

以上のように、本発明に係る表示装置１では、表示領域５の外側において、断面が凸形状の外側バンク９０が形成される。このようにすることで、第１及び第２の無機封止層４１，４３が不要な領域（外側バンク９０の頂部９１が位置する領域、及び、外側バンク９０に対して表示領域５とは反対側の領域）に、第１及び第２の無機封止層４１，４３が形成されることを防止することができる。また、このようにすることで、エッチングなどにより第１及び第２の無機封止層４１，４３を除去する工程を省くことができるため、従来に比べて表示装置１の製造をより簡便に行うことができるようになる。

【符号の説明】

【0067】

１ 表示装置、２ 素子基板、３ 対向基板、５ 表示領域、６ 額縁領域、７ 湾曲領域、８ 取付領域、９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ 領域、１０ 回路層、１１ パッシベーション層、１２ａ，１２ｂ，１３，７０，８０ 配線、２１ 平坦化層、２２ ダム構造、２２ａ 第１中間バンク、２２ｂ 第２中間バンク、２３ バンク、２４ 補充層、２６，２７，２８，２９ 絶縁膜、３１ 下部電極、３２ａ，３２ｂ 導電部、３４ 発光層、３５ 上部電極、４０ バリア構造、４１ 第１無機封止層、４２ 有機封止層、４３ 第２無機封止層、５０ タッチセンサ、５１ 保護層、６０ 偏光板、６０ａ １／４λ板、６０ｂ 直線偏光板、６１ 粘着層、９０ 外側バンク、９１ 頂部、９１ａ 端面、９２，９３ 側面、１００ 画素、１０１ 走査信号線、１０２ 映像信号線、１０３ 電源線、２０１，３０１ 半導体、２０２，２０３，３０２，３０３，３０４ 電極、２０４ 容量電極、４００ アンダーコート層、４０１，４０２，４０３，４０４ 層間絶縁膜、ＳＳＴ 画素トランジスタ、ＤＲＴ 駆動トランジスタ、Ｃｓ 保持容量、ＯＬＥＤ 自発光素子、ＣＨ コンタクトホール、Ｍ マスク、ＯＰ 開口。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図9】